WO2005067354A1

WO2005067354A1 - プリント配線基板、その製造方法および回路装置

Info

Publication number: WO2005067354A1
Application number: PCT/JP2004/018500
Authority: WO
Inventors: Tatsuo Kataoka; Yoshikazu Akashi; Yutaka Iguchi
Original assignee: Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.
Priority date: 2003-12-26
Filing date: 2004-12-10
Publication date: 2005-07-21
Also published as: KR100864562B1; JP3736806B2; JP2005210058A; KR20060135724A; TW200522219A; US20070145584A1

Abstract

　〔解決手段〕　本発明のプリント配線基板は、絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に、基材金属層と該基材金属層上に形成された導電性金属層とからなり、該配線パターンの断面における導電性金属層の下端部の幅が、該断面における基材金属層の上端部の幅よりも小さいことを特徴とし、また、本発明の回路装置は、上記のプリント配線基板に電子部品が実装されてなる。本発明のプリント配線基板の製造方法は、基材金属層と導電性金属層とを、導電性金属を溶解するエッチング液と接触させて、配線パターンを形成した後、基材金属層を形成する金属を溶解する第１処理液と接触させ、次いで導電性金属を選択的に溶解するマイクロエッチング液と接触させた後、第１処理液とは異なる化学組成の第２処理液と接触させることを特徴としている。　〔効果〕　本発明によれば、基材金属層からのマイグレーションが発生しにくく、電圧を印加した後の端子間抵抗値の変動が著しく小さい。

Description

明細書

プリント配線基板、その製造方法および回路装置

技術分野

[0001] 本発明は、絶縁フィルムの表面に配線パターンが接着剤を介さずに直接形成されているプリント配線基板およびこのプリント配線基板を製造する方法ならびに電子部品が実装された回路装置に関する。さらに詳しくは本発明は、絶縁フィルムと、この絶縁フィルムの表面に形成された金属層とからなる 2層構成の基板から形成されるプリント配線基板およびその製造方法ならびにこのプリント配線基板に電子部品が実装された回路装置に関する。

背景技術

[0002] 従来カゝらポリイミドフィルムなどの絶縁フィルムの表面に接着剤を用いて銅箔を積層した銅張り積層板を用いて配線基板が製造されて、る。

上記のような銅張り積層板は、表面に接着剤層が形成された絶縁フィルムに、銅箔を加熱圧着することにより製造される。したがって、このような銅張り積層板を製造する際には、銅箔を単独で取り扱わなければならない。し力しながら、銅箔は薄くなるほど腰が弱くなり、単独で取り扱える銅箔の下限は 9一程度であり、これよりも薄い銅箔を用いる場合には、例えば支持体付の銅箔を用いることが必要になるなど、その取り扱いが非常に煩雑になる。また、絶縁フィルムの表面に接着剤を用いて、上記のような薄い銅箔を貼着した銅張り積層板を使用して配線パターンを形成すると、銅箔を貼着するために使用した接着剤の熱収縮によりプリント配線基板に反り変形が生ずる。特に電子機器の小型軽量化に伴い、プリント配線基板も薄化、軽量化が進んでおり、このようなプリント配線基板には、絶縁フィルム、接着剤および銅箔からなる 3層構造の銅張り積層板では対応できなくなりつつある。

[0003] そこで、こうした 3層構造の銅張り積層板に代わって、絶縁フィルム表面に接着剤を介さずに直接金属層を積層した 2層構造の積層体が使用されている。このような 2層構造の積層体は、ポリイミドフィルムなどの絶縁フィルムの表面に、蒸着法、スパッタリング法などによりシード層金属を析出させることにより製造される。そして、上記のようにして析出した金属の表面に銅メツキを付着させた後、フォトレジストを塗布し、露光' 現像し、次いでエッチングすることにより所望の配線パターンを形成することができる

。特に 2層構成の積層体は、金属銅層が薄いために形成される配線パターンピッチ幅が 30 mに満たないような非常に微細な配線パターンを製造するのに適している

[0004] ところで、特許文献 1 (特開 2003— 188495号公報）には、ポリイミド榭脂フィルムに乾式製膜法で形成された第 1金属層と第 1金属層の上にメツキ法で形成された導電性を有する第 2金属層とを有する金属被覆ポリイミドフィルムに、エッチング法によつてパターンを形成するプリント配線基板の製造方法において、前記エッチング後にェツチング表面を酸化剤による洗浄処理を行うことを特徴とするプリン等配線基板の製造方法の発明が開示されている。また、この特許文献 1の実施例 5には、ニッケル'クロム合金を厚さ lOnmにプラズマ蒸着し、次いでメツキ法で銅を 8 mの厚さで析出させた例が示されている。

[0005] このようにして形成された 2層構成の金属被覆ポリイミドフィルムを用いることにより、微細な配線パターンを形成することができる力ポリイミドフィルム上に析出された-ッケル ·クロムなどの第 1金属層からはマイグレーションが発生しやすぐマイグレーションにより隣接する配線パターンとの間で短絡が形成されやすい。特に、ポリイミドフィルムにニッケル、クロムなどの金属をスパッタリングすると、これらの金属の一部がポリイミドフィルムを形成する成分と結合してこのようなポリイミド成分と結合した金属は、エッチング液との接触によっては除去されにくぐポリイミドフィルムの表面に残留しやすい。そして、このような金属が配線パターン間のポリイミドフィルム表面に残存すると、配線パターンを形成する基材金属層から僅か〖こマイグレーションが生じた場合でも、ポリイミドフィルム表面に残存する金属を介して隣接する配線パターンとの間で短絡が発生しやすくなるという問題がある。

[0006] なお、上記公報に記載されているように櫛型電極を形成して、この櫛型電極間におけるようにして形成された配線パターンにメツキ処理される力このメツキ処理は、配線パターンを形成し端子部分 (インナーリード、アウターリード）が露出するようにソルダーレジストインクを塗布し、硬化させてソルダーレジスト層を形成した後、露出している端子部分をメツキ処理するのが一般的であり、上記公報に記載されているような工程を経て形成された端子部分は、ポリイミドフィルム上に形成された第 1金属層からのマイグレーションの発生を有効に防止することは困難である。

[0007] また、特許文献 2 (特開 2003— 282651号公報）の段落〔0004〕、 [0005]には、可橈性絶縁フィルム 2の表面に、可撓性絶縁フィルムと配線パターンとの接着強度を確保するために、銅と銅以外の金属との合金からなる金属層 1を設け、この金属層 1の表面に銅箔を配置した複合体力フレキシブル回路基板を製造することが記載されている。さらに、こうした複合体を用いて形成された配線パターンのリード部分には、図 5に示されて、るように、周縁下部に金属層 1が未除去部として残留すると記載されており、この未除去部を原因としてメツキ金属の異常析出 6が形成されると記載されており、このメツキ金属の異常析出 6の部分からスズの結晶が成長して「ホイス力」となり、それにより配線パターンにショートが発生すると記載されている。すなわち、特許文献 2においては、配線パターンの接着強度を確保するために設けた金属層 1をそのままの状態にしてその表面にスズメツキ層を形成すると、形成されたスズメツキ層からホイス力が発生するので、段落〔0023〕に示されるように、この金属層 1を完全に除去しているのである。

[0008] し力しながら、こうした金属層 1を配線パターンの外周力も完全に除去することは極めて困難であり、特許文献 2に記載されている方法では、微量ながら配線パターンの外周下部に金属層 1がそのままの状態で残存し、こうした残存金属層 1に起因して析出したスズメツキ層力ものホイス力の発生を完全に防止することはできない。

特許文献 1：特開 2003— 188495号公報

特許文献 2 :特開 2003— 282651号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0009] 本発明は、絶縁フィルムの表面に接着剤を介さずに金属層が設けれた 2層構成の金属被覆ポリイミドフィルムを使用することにより特異的に生ずる電圧印加後に絶縁抵抗が低下するという 2層構成の金属被覆ポリイミドフィルムを用いたプリント配線基板特有の問題点を解消することを目的とするものである。 [0010] すなわち、本発明は、 2層構成の金属被覆ポリイミドフィルムを用いて、絶縁抵抗値が変動しにくいプリント配線基板を製造する方法を提供することを目的としている。また、本発明は、上記のようにして形成された絶縁抵抗値が変動しにくいプリント配線基板を提供することを目的として!、る。

[0011] さらに、本発明は、上記のようなプリント配線基板に電子部品が実装された回路装置を提供することを目的として!/、る。

課題を解決するための手段

[0012] 本発明のプリント配線基板は、絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に、基材金属層と該基材金属層上に形成された導電性金属層とからなる配線パターンを有するプリント配線基板であって、該配線パターンの断面における導電性金属層の下端部の幅力該断面における基材金属層の上端部の幅よりも小さいことを特徴としている。さらに、本発明のプリント配線基板は、絶縁フィルムの表面に、基材金属層と、該基材金属層上に形成された導電性金属層とからなる配線パターンが形成されたプリント配線基板であって、少なくとも該配線パターンの側壁部に露出する基材金属層が、隠蔽メツキ層により隠蔽されて、る態様をも包含するものである。

[0013] また、本発明のプリント配線基板の製造方法は、絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に基材金属層を析出させた後、該基材金属層表面に導電性金属を析出させて導電性金属層を形成し、次いで、基材金属層と導電性金属層とを選択的にエッチングして配線パターンを形成する工程を有するプリント配線基板の製造方法であり、該基材金属層と導電性金属層とを、導電性金属を溶解するエッチング液と接触させて、配線パターンを形成した後、基材金属層を形成する金属を溶解する第 1処理液と接触させ、次いで導電性金属を選択的に溶解するマイクロエッチング液と接触させた後、第 1処理液とは異なる化学組成を有し、且つ導電性金属に対するよりも基材金属層形成金属に対して高い選択性で作用する第 2処理液と接触させることを特徴としている。さらに本発明のプリント配線基板の製造方法は、絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に Niおよび Crを含む基材金属層を析出させた後、該基材金属層表面に導電性金属を析出させて導電性金属層を形成し、次いで、基材金属層と導電性金属層とを選択的にエッチングして配線パターンを形成する工程を有するプリント配線基板の製法であり、該基材金属層と導電性金属層とを、導電性金属を溶解するエッチング液と接触させて、配線パターンを形成した後、基材金属層を形成する金属のうち、 Ni を溶解する第 1処理液と接触させ、次いで、該形成された配線パターンを、銅を溶解するマイクロエッチング液と接触させて導電性金属層を後退させ配線パターンの周囲に輪郭状に基材金属層を露出させた後、 Crを溶解させるか、または残存した僅かな Crを不導体膜に変化させる第 2処理液と接触させることが好ましい。さらに、本発明のプリント配線基板の製造方法は、絶縁フィルム表面に基材金属層を析出させた後、該基材金属層表面に導電性金属を析出させて導電性金属層を形成し、次いで、基材金属層と導電性金属層とを選択的にエッチングして配線パターンを形成するェ程を有するプリント配線基板の製法であり、該基材金属層と導電性金属層とを導電性金属を溶解するエッチング液と接触させて、配線パターンを形成した後、基材金属層を形成する金属を溶解するエッチング液と接触させ、次いで、該形成された配線パターンを隠蔽メツキ処理することを特徴として、る。

[0014] さらに、本発明の回路装置は、上記のようなプリント配線基板に電子部品が実装されている。

発明の効果

[0015] 本発明のプリント配線基板は、該配線パターンの断面における導電性金属層の下端部の幅が、該断面における基材金属層の上端部の幅よりも小さいことにより、好ましくは、配線パターンの断面における導電性金属層の下端部（ボトム）の幅力この導電性金属層と接する輪郭状基材金属層の上端部の幅よりも通常 0. 1— 4 mの範囲内で小さく形成することにより、さらに、配線パターンの底部にある基材金属層の少なくとも側面を隠蔽メツキする態様を採れば、この基材金属層からのマイグレーションがさらに生じにくぐ従って、本発明のプリント配線基板は、電圧を印加した後の端子間抵抗値の変動が著しく少な、。

[0016] 本発明では、配線パターンの周囲にある基材金属層は、不働態化されているので、この基材金属層の表面に形成されたメツキ層からはホイス力は発生しない。

さらに、本発明の回路装置は、上記のようにプリント配線基板に形成された配線パターン間の電気抵抗値が経時的に安定しているので、本発明の回路装置は長時間安定に使用することができる。

図面の簡単な説明

017] [図 1]図 1は、本発明のプリント配線基板を製造する工程における基板の断面を示す図である。

[図 2]図 2は、本発明のプリント配線基板を製造する工程の他の態様における基板の断面を示す図である。

[図 3]図 3は、本発明のプリント配線基板の断面を示す断面図である。

[図 4]図 4は、本発明のプリント配線基板の他の例の断面を示す断面図である。

[図 5]図 5は、マイクロエッチング処理前における配線の絶縁フィルムに沿った端部の

SEM写真である。

[図 6]図 6は、マイクロエッチング後においける配線の絶縁フィルムに沿った端部の S EM写真である。

[図 7]図 7は、第 1処理液による処理前（図 7(A))、処理後（図 7(B))およびマイクロエツチング処理後（図 7 (C) )における配線パターンを模式的に示す図である。

符号の説明

•絶縁フィルム

12·· •基材金属層

13·· 'スパッタリング銅層

14·· 'メツキ銅層

16·· •隠蔽メツキ層

20·· •導電性金属層 (銅層）

21·· •基材金属層露出部

21a- ··基材金属層の突起

21b- • .独立した基材金属層の残部

発明を実施するための最良の形態

次に本発明のプリント配線基板について、製造方法に沿って具体的に説明する。図 1および図 2は、本発明のプリント配線基板を製造する工程における基板の断面を示す図である。なお、以下に示す図面においては共通する部材には共通する付番を付してある。

[0020] 本発明のプリント配線基板は、絶縁フィルムの少なくとも一方の面に配線パターンが形成されてなり、従って、本発明のプリント配線基板においては、配線パターンは絶縁フィルムの一方の面に形成されていても、絶縁フィルムの表面および裏面の 2面に形成されていてもよい。以下の説明は、絶縁フィルムの一方の面に配線パターンを形成する例を示すものであり、もう一方の面に配線パターンを形成する場合にも同様にして形成することができる。

[0021] 図 1 (A)および図 2 (A)に示すように、本発明のプリント配線基板の製造方法では、使用する絶縁フィルム 11としては、ポリイミドフィルム、ポリイミドアミドフィルム、ポリエステル、ポリフエ-レンサルファイド、ポリエーテルイミドおよび液晶ポリマー等を挙げることできる。すなわち、これらの絶縁フィルム 11は、後述する基材金属層 12を形成する際の熱によって変形することない程度の耐熱性を有している。また、エッチングの際に使用されるエッチング液、あるいは、洗浄の際に使用されるアルカリ溶液などに侵食されることがない程度に耐酸'耐アルカリ性を有しており、こうした特性を有する絶縁フィルム 11としては、ポリイミドフィルムが好まし！/、。

[0022] このような絶縁フィルム 11は、通常は 7— 80 μ m、好ましくは 7— 50 μ m、特に好ましくは 15— 40 /z mの平均厚さを有している。本発明のプリント配線基板は、薄い基板を形成するのに適して、るので、より薄、ポリイミドフィルムを使用することが好まヽ。なお、このような絶縁フィルム 11の表面は、下記の基材金属層 13の密着性を向上させるために、ヒドラジン ·ΚΟΗ液などを用いた粗ィ匕処理、プラズマ処理などが施されていてもよい。

[0023] このような絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に、図 1 (Β)および図 2 (B)に示すように、基材金属を析出させて、基材金属層 12を形成する。この基材金属層 12は、絶縁フィルム 11の少なくとも一方の面に形成され、この基材金属層 12の表面に形成される導電性金属層と絶縁フィルム 11との密着性を向上させるものである。

[0024] このような基材金属層 12を形成する金属の例としては、銅、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、シリコン、パラジウム、チタン、バナジウム、鉄、コノルト、マンガン、アルミニウム、亜鉛、スズおよびタンタルなどを挙げることができる。これらの金属は単独であるいは組み合わせて使用することができる。これらの金属の中でもニッケル

、クロムまたはこれらの合金を用いて基材金属層 12を形成することが好ましい。このような基材金属層 12は、絶縁フィルム 11の表面に蒸着法、スパッタリング法などの乾式の製膜法を使用して形成することが好ましい。このような基材金属層 12の厚さは、通常は、 1一 100nm、好ましくは 2— 50nmの範囲内にある。この基材金属層 12は、この層の上に導電性金属層 20を安定に形成するためのものであり、基材金属の一部が絶縁フィルム表面に物理的に食い込む程度の運動エネルギーを持って絶縁フィルムと衝突することにより形成されたものであることが好ましい。

[0025] 本発明では、基材金属層 12は、上記のような基材金属のスパッタリング層であることが特に好ましい。

上記のように基材金属層 12を形成した後、図 2 (D)に示すように、この基材金属層 12の表面に導電性金属層 20を形成する。本発明において、導電性金属層 20を形成する金属の例としては、銅あるいは銅合金を挙げることができる。このような導電性金属層 20は、メツキ法により形成することができる。ここでメツキ法としては、電気メッキ法および無電解メツキ法を挙げることができる。

[0026] 本発明において、図 2 (D)に示すような導電性金属層 20の厚さは通常は 1一 18 m、好ましくは 2— 12 mの範囲内にある。

なお、本発明では、上記のような基材金属層 12を形成し、この基材金属層 12の表面に導電性金属層 20を形成する前に、図 1 (C)に示すように、上記の基材金属層 1 2の表面に導電性金属層 20と同一の金属（例えば銅）を用いて、上記の基材金属層 12と同じ方法でスパッタリング金属層 13を形成することもできる。例えば、基材金属層 12をニッケルおよびクロムを用いてスパッタリング法で形成し、導電性金属層 20が銅層である場合、スパッタリング金属層 13をスパッタリング銅層とすることができる。

[0027] このときのスパッタリング銅層 13の厚さは、通常は 10— 2000nm、好ましくは 20— 500nmである。また、基材金属層 12の平均厚さとスパッタリング銅層 13との厚さとの比は、通常は 1： 20-1 : 100、好ましくは 1： 25— 1 : 60の範囲内にある。

[0028] 上記のようにしてスパッタリング銅層 13を形成した後、図 1 (D)に示すように、このスパッタリング銅層 13の表面にさらに導電性金属層を形成する。ここでさらに積層される導電性金属層は、図 1 (D)においては、付番 14 (メツキ導電性金属層）で示されている。この付番 14の導電性金属層は、スパッタリング法、蒸着法などの方法で形成することも可能であるが、電解メツキ法あるいは無電解メツキ法などのメツキ法で形成することが好ましい。すなわち、このメツキ導電性金属層 14には、配線パターンを形成するのにある程度の厚さを有していることが必要であり、したがって電解メツキ法あるいは無電解メツキ法などのメツキ法を採用することにより、効率よく導電性金属を析出させることができる。このようにして形成されるメツキ導電性金属層 14の平均厚さは、通常は 0. 5— 40 /z m、好ましくは 0. 5— 17. 5 /ζ πι、さらに好ましくは 1. 5— 11. 5 mの範囲内にあり、また、前述のスパッタリング銅層 13とこのメツキ導電性金属層 14との合計の厚さは通常は 1一 40 μ m、好ましくは 1一 18 μ m、さらに好ましくは 2— 12 mの範囲内にある。なお、ここで形成されるスパッタリング銅層 13とメツキ導電性金属層 14とは、メツキ導電性金属層 14が形成された後は、その断面の構造から両者の境界を見出すのは極めて困難であり、特に両者が同一の導電性金属力形成されている場合には、両者が一体化するので、本発明では、特に両者を区別して記載する必要のない場合には、両者を総合して導電性金属層 20と記載することもある。

[0029] このように導電性金属層 20を形成した後、図 1 (E)および図 2 (E)に示すように、導電性金属層 20の表面に感光性榭脂を塗布し、この感光性榭脂を露光現像して、感光性榭脂からなる所望のパターン 15を形成する。ここで使用することができる感光榭脂としては、光が照射されることにより硬化するタイプの感光性榭脂を使用することもできるし、光の照射によって榭脂が軟ィ匕するタイプの感光性榭脂を使用することもできる。

[0030] 上記のようにして感光性榭脂を用いて形成されたパターン 15をマスキング材として、図 1 (F)および図 2 (F)に示すように、導電性金属層 20を選択的にエッチングして、所望の配線パターンを形成する。

[0031] ここで使用するエッチング剤は、導電性金属に対するエッチング剤であり、このような導電性金属エッチング剤の例としては、塩ィ匕第 2鉄を主成分とするエッチング液、塩ィ匕第 2銅を主成分とするエッチング液、硫酸 +過酸ィ匕水素などのエッチング剤であり、このような導電性金属に対するエッチング剤は、導電性金属層 20を優れた選択性でエッチングして配線パターンを形成することができる力この導電性金属層 20と絶縁フィルム 11との間にある基材金属層 12に対してもかなりのエッチング機能を有している。従って、上記のような導電性金属エッチング剤を用いてエッチングを行うと、図 1 (F)および図 2 (F)に示されるように、絶縁フィルム 11の表面に基材金属層 12が数 nm程度の極めて薄い層として残存する程度にまで、基材金属層 12をエッチングすることができる。すなわち、基材金属層は配線パターンの間に極薄層を形成し、導電性金属層カゝらなる配線パターンの下では、エッチングされずに、基材金属層が、形成されたのと同じ厚さを有している。

[0032] なお、上記のようにして配線パターンの形成の際に感光性榭脂からなる所望のパターン 15は、上記のエッチング工程を経た後、次の工程に賦される前に、例えばアルカリ洗浄などにより除去される。

[0033] 本発明では、後述のようにして基材金属層 12を所定の処理液で処理する前に、配線パターンを形成する導電性金属層 20の表面および付番 12で示す基材金属を、図 1 (G)のように、エッチングして、表面にある酸ィ匕物膜などを除去するマイクロエツチングを行うことが好ましい。このマイクロエッチングには、導電性金属に対するエツチング液として通常使用されているエッチング液を使用することができる。例えば、 HC1や H SOのような酸洗に使用するエッチング液である。

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[0034] 本発明では、上記のようにして導電性金属層 20を選択的にエッチングし、必要によりマイクロエッチング (酸洗処理)を行った後、図 1 (H)に示すように、基材金属層を形成する Ni及び Ni— Cr合金などの Ni合金を溶解可能な第 1処理液で処理する。ここに Niを溶解するとは、 Ni— Cr合金などの Ni合金を溶解し、 Ni残渣はほとんども残らないが、 Ni以外の金属は一部残存する（Ni-Cr合金の場合 Crが残存する）という意味である。

[0035] 本発明において、 Niを溶解可能な第 1処理液の例としては、各濃度 5— 15重量％程度の硫酸'塩酸混合液を挙げることができる。

この Niを溶解可能な第 1処理液を用、て処理することにより、基材金属層 12に含有される金属の一部を除去する。この Niを溶解可能な第 1処理液を用いた処理においては、処理温度は、通常は 30— 55°C、好ましくは 35— 45°Cで、処理時間は、通常は 2— 40秒間、好ましくは 2— 30秒間である。

[0036] この処理により、例えば、図 7に示すように、図 7 (A)における配線パターンの側面に残存する基材金属の突起 21aおよびまたは配線間に残存する基材金属層 21bは、図 7 (B)に示すように溶解、除去され、配線パターンを構成する基材金属層間の最短の間隔 Wは広がる（図 1 (1) , CO ,図 2 (1) , ω、図 7など参照)。

[0037] 配線ピッチによって基材金属層間の最短の間隔 Wは異なる力例えば、配線ピッチ 30 m (設計上のライン幅 15 μ m、スペース幅 15 μ m)の場合、この基材金属間の最短の間隔 Wを電子顕微鏡写真（SEM写真）により実測すると、 5— 18 mの範囲内になり、この間隔 Wは設計スペース幅の 33%— 120%であり、 10— 16 /z mの範囲内になることが多い。また、例えば、配線ピッチ 100 /z m (設計上のライン幅 50 m、スペース幅 50 m)の場合、設計スペース幅の 10— 120%の幅になることが多い。

[0038] なお、配線パターンは、酸化防止、 ICチップなどのボンディング時の合金層形成などのためにメツキされる力配線パターンの基材金属層にメツキ層の厚さを加えた配線端部間の最短の距離 Wが 5 μ m以上であることが好ましい。

[0039] また、ここで基材金属の突起 21aが溶解、除去されるとは、配線ピッチによって異なるのであるが、配線ピッチ 30 mの場合、突起部の付け根部分の基材金属層と絶縁フィルムとの境界部力も突起部の先端までのまでの距離は図 7に" SA"で示されている力この距離 SA力 SO— 6 m (設計スペース幅の 0— 40%)、好ましくは 0— 5 μ m、さらに好ましくは 0— 3 m、最も好ましくは 0— 2 mとなることをいい、この範囲内のものは、本発明では突起とはいわない。

[0040] なお、図 7 (C)は、マイクロエッチングにより基材金属層を露出させた状態の配線基板の例を模式的に示すものである。

このように Niを溶解可能な第 1処理液を用いた処理を行った後、過硫酸カリウム (K S O ) ,過硫酸ナトリウム (Na S O ) ,硫酸 + H Oなどのいずれかの溶液で、 Cuパ

2 2 8 2 2 8 2 2

ターンを選択的にマイクロエッチングして、導電性金属からなるパターンを選択的にわずかに溶解させる（後退させる）ことで基材金属層（シード層）をパターンのボトム部分から張り出した構造にする。しかしながら、このマイクロエッチング工程において、ェツチング液との接触時間が長いと配線パターンを形成する導電性金属である銅の溶出量が多くなり、配線パターン自体がやせ細ってしまうので、このマイクロエッチング工程におけるエッチング液と配線パターンとの接触時間は、通常は 2— 60秒間、好ましくは 10— 45秒間程度である。

[0041] このようにしてマイクロエッチング工程で、導電性金属層 20を後退させた後、最後に、 Crを溶解しかつ例えばポリイミド等の絶縁フィルムを溶解し得る第 2処理液で配線パターンが形成されていない絶縁フィルム 11の表層面を処理する。すなわち、本発明では、 Niを溶解可能な第 1処理液を用いた処理を行った後、さらに必要によりマイク口エッチングを行った後、基材金属層（シード層）として残存している Crを一部溶解し、未溶解 Cr層部分は、酸化 '不働態化させる第 2処理液を用いて処理することにより、基材金属層 12の大部分を除去すると共に、この第 2処理液は、絶縁フィルム 11 の表面に数十 A残存した Crを酸ィ匕し、不働態化することができる。従って、図 1 (1)および図 2 (1)に示されるように、この第 2処理液を使用することにより、基材金属層 12を除去し、残留 Crを酸ィ匕して不働態化することができる。

[0042] ここで使用される第 2処理液の例としては、過マンガン酸カリウム +KOH水溶液、重クロム酸カリウム水溶液、および、過マンガン酸ナトリウム +NaOH水溶液を挙げることができる。過マンガン酸カリウム +KOH水溶液を使用する場合、過マンガン酸力リウムの濃度は、通常は 10— 60gZリットル、好ましくは 25— 55gZリットルであり、 K OHの濃度は、好ましくは 10— 30gZリットルである。本発明では上記のような第 2処理液を用いた処理においては、処理温度は、通常は 40— 70°C、好ましくは 50— 65 °Cで、処理時間は、通常は 10— 60秒間、好ましくは 15— 45秒間である。このような条件で処理することにより、配線パターンが形成されていない部分の表面の絶縁フィルム表面に残存する数 A—数 10A厚さの Crは酸化'不働態化され絶縁抵抗が増大する。また、配線パターンの部分の基材金属層 12および絶縁フィルム 11は、導電性金属層 20によって保護される。

[0043] そして、図 3および図 4に示すように、得られたプリント配線基板の配線パターンの下端部にある基材金属層 12の上端部の幅 W1は、導電性金属層 20 (スパッタンリング銅層 13を有する場合にはスパッタリング銅層）の下端部の幅 W2よりも幅広に形成されており（W1— W2の値力通常は 0. 1-4. 0 m、好ましくは 0. 4-2. 0 m幅広に形成されており）、片側の基材金属層 12の張り出し部分の幅 W3が、通常は、基材金属層 12の幅（断面幅）は、基材金属層 12の張り出し部分の片側の幅 W3は、導電性金属層の下端部の幅 W2よりも、通常は 0. 05-2. 0 m、好ましくは 0. 2-1. 0 mだけ広くすることが望ましい。

[0044] マイクロエッチング処理前後における配線の絶縁フィルムに沿った端部の SEM写真 (FE— SEM写真）を図 5および図 6に示す。これらの図において、右下に白色部分が配線の導電性金属層（銅層）であり、図 5の状態カゝらマイクロエッチング処理を行うことにより、ほぼ一定寸法にコントロールされた段差が形成され、図 6に示すように基材金属層がほぼ均一に (W3 =約 0. 4 /z m)露出するようになる（図中、左下力も右上への帯状部分)。なお、マイクロエッチング後の SEMで配線パターン間に独立して残存する Niは確認されなかった力 Crはわずかに検知された。

[0045] 上記のように配線パターンを形成した後、形成されたそれぞれの配線パターンの側壁下部に形成された少なくとも基材金属を隠蔽するように隠蔽メツキ処理をすることが好ましい。すなわち、図 1 (J)および図 2 (J)、図 3および図 4に示すように、本発明のプリント配線基板では、配線パターンを形成した後、ソルダーレジスト層を形成する前に、配線パターンの下端部にある基材金属層 12の露出部分を隠蔽メツキ層 16で隠蔽してもよい。この隠蔽メツキ層 16は、少なくとも、配線パターンの下端部にある基材金属層 12を隠蔽すればよぐ配線パターン全体に隠蔽メツキ層 16を形成することもできる。このようにして形成される隠蔽メツキ層は、スズメツキ層、金メッキ層、ニッケル-金メツキ層、ハンダメツキ層、鉛フリーハンダメツキ層、 Pdメツキ層、 Niメツキ層、 Znメツキ層、および、 Crメツキ層よりなる群力も選ばれる少なくとも一種類のメツキ層であればよぐ特に本発明では、スズメツキ層、金メッキ層、ニッケルメツキ層、ニッケル金メッキ層が好ましい。また、後述するように、メツキ前に部分的にパターンをソルダーレジストで被覆した後、露出部分を前記の金属でメツキしてもよヽ。

[0046] このような隠蔽メツキ層の厚さは、メツキの種類によって適宜選択することができるが、メツキ層の厚さを、通常は 0. 005— 5. O ^ m,好ましくは 0. 005— 3. O /z mの範囲内の厚さに設定される。また、全面にメツキし、ソルダーレジストを部分印刷し、その後さらに露出する部分に再度同一の金属をメツキしてもよい。このような厚さの隠蔽メッキ層を形成することによつても、基材金属層 12からのマイグレーションは発生しない。このような隠蔽メツキ層は、電解メツキ法あるいは無電解メツキ法などにより形成することがでさる。

[0047] このようにして配線パターンを隠蔽メツキ処理することにより、配線パターンの絶縁基板側にある不働態化した基材金属層の表面が隠蔽メツキ層により隠蔽され、異種金属間で電位差が生じても、線間の絶縁抵抗が充分高いため、基材金属層からのマィグレーシヨンの発生を有効に防止できる。また、上記のようにして形成される隠蔽メツキとしてスズメツキを用いた場合であっても、下地となる基材金属層 12は不働態化されて!/、るので、スズメツキ層からホイス力が発生することはな!/、。

[0048] このように配線パターンを形成する基材金属層の側面を隠蔽メツキ処理して隠蔽した後、あるいはメツキなしの状態で、この配線パターンの端子部分が露出するようにソルダーレジストインクを塗布して、硬化させることにより、ソルダーレジスト層を形成する。

[0049] こうしてソルダーレジスト層を形成した後、このソルダーレジスト層から露出した端子部分をメツキする。この場合、通常メツキ処理は電子部品との接合のために行われるもので、この処理により得られるメツキ層は、内部接続端子の表面、および、プリント配線基板に形成された外部接続端子の表面に形成されるものである。

[0050] なお、メツキ層は、ソルダーレジスト層を形成する前に配線パターン全体に形成したメツキ層力もなつていてもよぐまた配線パターン全面に第 1のメツキ層を形成し、端子部以外にソルダーレジスト層を形成した後にこの端子部のみに第 2のメツキ層を形成したものであってもよい。

[0051] このようなメツキ層としては、無電解スズメツキ、電解スズメツキ、ハンダメツキ、 -ッケノレメツキ、ニッケル金メッキ、 Cu— Snメツキ、および、 Sn— Biメツキを挙げることができる。このメツキ層は、配線パターンを形成する基材金属層を隠蔽するための隠蔽メッキ層と同一であっても異なっていてもよい。隠蔽メツキが基材金属層を充分に覆っていなぐポーラスであったりあるいはメツキ層が極めて薄くかつポーラスであってもこの処理により、マイグレーションは発生しない。なお、配線パターン全体に形成される隠蔽メツキ層を、通常のボンディングなどのためのメツキ層として併用することもできる。 [0052] このようにして形成されるメツキ層の厚さは、通常は 0— 5 μ m、好ましくは 0— 3 μ m である。

また、ここにおけるメツキ層は、ソルダーレジスト層のキュアなどのために加熱により、基材金属層および Zまたは導電性金属層と接触している面側は、これらの金属と合金化が進む場合がある。例えば、スズメツキ層を形成した場合、導電性金属銅 (特に銅層）との界面では Cu— Sn合金層が形成される。しかしながら、端子部に設けられるメツキ層の外部電極などと接合される最表面は合金化が進んで、なければ、元の金属組成の状態が保たれる。また、上記のようにしてスズメツキ層を形成した場合であっても、下地となる基材金属層 12は不働態化されているので、この部分からのスズメツキ層力もホイス力が発生することはな、。

[0053] このようにしてメツキ層を形成した後、内部接続端子に電子部品を電気的に接続し、さらにこの電子部品を榭脂で被覆することにより、本発明の回路装置を得ることができる。

このように、本発明のプリント配線基板あるいは回路装置は、マイグレーションなどによって配線パターン間の電気抵抗値が変動することが著しく少ない。すなわち、本発明のプリント配線基板および回路装置は、マイグレーションなどが生じにくぐ長時間電圧を印加し続けた後の絶縁抵抗と、電圧を印加する前の絶縁抵抗との間に実質的な変動が認められず、プリント配線基板として非常に高い信頼性を有する。

[0054] 本発明のプリント配線基板は、配線パターン (あるいはリード）の幅が 30 m以下、好適には 25— 5 μ mの幅の配線パターンを有し、またピッチ幅が 50 μ m以下、好適には 40— 10 μ mのピッチ幅を有するプリント配線基板に適している。このようなプリント配線基板には、プリント回路基板（PWB)、 TAB (Tape Automated Bonding) テープ、 COF (Chip On Film)、 CSP (Chip Size Package)ゝ BGA (Ball G rid Array)、 μ ~ Ο { μ - Ball Grid Array)、 FPC (Flexible Printed Cir cuit)などがある。また、上述の説明では、本発明のプリント配線基板は、絶縁フィルムであるポリイミドフィルムの表面に配線パターンが形成されたものであった力この配線パターンの一部に電子部品が実装されていてもよい。また、このようにして実装された電子部品が通常は封止榭脂で封止されて、回路装置を形成する。 [0055] 次に本発明のプリント配線基板およびその方法について、具体的に実施例を挙げて説明する力本発明はこれらによって限定されるものではない。

なお、以下に記載する実施例および比較例における絶縁抵抗値は全て恒温恒湿槽外における室温での測定値である。

実施例 1

[0056] 平均厚さ 38 μ mのポリイミドフィルム（宇部興産 (株)製、ユーピレックス S)の一方の表面を逆スパッタにより粗ィ匕処理した後、以下の条件でニッケル 'クロム合金をスパッタリングして平均厚さ 40nmのクロム 'ニッケル合金層を形成して基材金属層とした。

[0057] すなわち、スパッタリング条件を、 38 μ m厚ポリイミドフィルムを 100°Cで 3 X 10— ⁵Pa で 10分間処理し、脱ガスした後 100°C X O. 5Paに設定してクロム 'ニッケル合金のスノッタリングを行った。

[0058] 上記のようにして形成された基材金属層上に、さらに銅を 100°C X O. 5Paの条件でスパッタして平均厚さ 300nmのスパッタリング銅層を形成した。

上記のようにして形成されたスパッタリング銅層の表面に、電気メツキ法により、銅を析出させて厚さ 8 μ mの電解銅層（電気メツキ銅層）を形成した。

[0059] こうして形成された電解銅層の表面に感光性榭脂を塗布し、露光 ·現像して、配線ピッチが 30 m (ライン幅； 15 μ m、スペース幅； 15 μ m)となるように櫛形電極のパターンを形成し、このパターンをマスキング材として、銅層を、 HCl ; 100g/リットルを含む濃度 12%の塩ィ匕第 2銅エッチング液を用いて 30秒間エッチングして配線バターンを製造した。

[0060] NaOH +Na CO溶液で 40°C X 30秒間処理し、配線パターン上の感光性榭脂で

2 3

形成されたマスキング材を除去し、次いで酸洗液として K S O +H SO溶液で 30°C

2 2 8 2 4

X 10秒処理し、銅層と基材金属層（Ni— Cr合金）とを酸洗した。

[0061] 次に、第 1処理液である 17g/リットルの HC1と、 17g/リットルの H SOとを含む溶

2 4 液を用いて、フィルムキャリアを 50°C X 30秒かけて処理し、 Ni— Cr合金力なる基材金属層の Niを溶解した。

[0062] 次いで、マイクロエッチング液として K S O +H SOで Cu導体を 0. 3 μ m (W3)の

2 2 8 2 4

幅で溶解した (Cu導体の後退)。さらに、第 2処理液として 40g/リットルの過マンガン酸カリウム + 20g/リットルの K OH溶液を用いて、 65°Cで 30秒間処理して基材金属層中に含有される Crを溶解した。この第 2処理液は、基材金属層中のクロムを溶解除去すると共に、わずかに残存するクロムを酸ィ匕し不働態化することができる。

[0063] 上記のようにして配線パターンを形成した後、形成された配線パターンに厚さ 0. 0 1 μ m厚さで無電解スズメツキを施した。

さらに、上記のようにしてスズメツキ層により配線パターンを隠蔽した後、接続端子および外部接続端子を露出するようにソルダーレジスト層を形成した。

[0064] その後、ソルダーレジスト層から露出している内部接続端子および外部接続端子に、 0. 5 m厚の Snメツキを行い加熱して所定の純 Sn層（Snメツキトータル厚； 0. 51 μ m、純 Sn層厚； 0. 25 μ m)を形成した。 Snメツキ後に FE— SEMで無作為に場所を変えて 10箇所観察したところ、配線の基材金属間の最短距離は 15. であり、基材金属層の突起や線間に独立して存在する基材金属層は観察されなかった。

[0065] こうして櫛形電極が形成されたプリント配線基板を 85°C85%RHの条件で 40Vの電圧を印加して 1000時間導通試験 (HHBT)を行った。この導通試験は促進試験であり、短絡が生ずるまでの時間力例えば絶縁抵抗値が 1 X 10⁸ Ω未満になるまでの時間が、 1000時間に満たないものは、一般的な基板として使用することはできない。また、絶縁信頼試験前の絶縁抵抗は比較例に比較して高ぐ 4 Χ 10¹⁴ Ωであり、絶縁信頼性試験後に測定した絶縁抵抗は 2 Χ 10¹⁴ Ωであり、両者の間に電圧を印加したことに伴う絶縁抵抗の実質的な差は認められな力つた。

[0066] 結果を表 1に示す。

実施例 2

[0067] 平均厚さ 38 μ mのポリイミドフィルム（宇部興産 (株)製、ユーピレックス S)の一方の表面を逆スパッタにより粗ィ匕処理した後、以下の条件でニッケル 'クロム合金をスパッタリングして平均厚さ 40nmのクロム 'ニッケル合金層を形成して基材金属層とした。

[0068] すなわち、スパッタリング条件を、 38 μ m厚ポリイミドフィルムを 100°Cで 3 X 10— ⁵Pa で 10分間処理し、脱ガスした後 100°C X 0. 5Paに設定してクロム 'ニッケル合金のスノッタリングを行った。 [0069] 上記のようにして形成された基材金属層上に、電気メツキ法により、銅を析出させて厚さ 8 μ mの電解銅層（電気メツキ銅層 =導電性金属層）を形成した。

こうして形成された電解銅層の表面に感光性榭脂を塗布し、露光'現像して、配線ピッチが 30 m (ライン幅； 15 μ m、スペース幅； 15 μ m)となるように櫛形電極のパターンを形成し、このパターンをマスキング材として、銅層を、 HCl ; 100g/リットルを含む濃度 12%の塩ィ匕第 2銅エッチング液を用いて 30秒間エッチングして配線バターンを製造した。

[0070] NaOH + Na CO溶液で 40°C X 30秒間処理し、配線パターン上の感光性榭脂で

2 3

2 2 8 2 4

[0071] 次に、第 1処理液である 17g/リットルの HC1と、 17g/リットルの H SOとを含む溶

[0072] 次いで、マイクロエッチング液として K S O +H SOで Cu導体を 0. 3 μ m (W3)の

2 2 8 2 4

幅で溶解した (Cu導体の後退)。

さらに、第 2処理液として 40g/リットルの過マンガン酸カリウム + 20g/リットルの K OH溶液を用いて、 65°Cで 30秒間処理して基材金属層中に含有される Crを溶解した。この第 2処理液は、基材金属層中のクロムを溶解除去すると共に、わずかに残存するクロムを酸ィ匕し不働態化することができる。

[0073] 上記のようにして配線パターンを形成した後、形成された配線パターンに厚さ 0. 0 1 μ m厚さで無電解スズメツキを施した。

[0074] その後、ソルダーレジスト層から露出している内部接続端子および外部接続端子に、0. 5 m厚の Snメツキを行い加熱して所定の純 Sn層（Snメツキトータル厚； 0. 51 μ m、純 Sn層厚； 0. 25 μ m)を形成した。 Snメツキ後に FE— SEMで無作為に場所を変えて 10箇所観察したところ、配線の基材金属間の最短距離は 15. であり、基材金属層の突起や線間に独立して存在する基材金属層は観察されなかった。 [0075] こうして櫛形電極が形成されたプリント配線基板を 85°C85%RHの条件で 40Vの電圧を印加して 1000時間導通試験 (HHBT)を行った。絶縁信頼試験前の絶縁抵抗は比較例に比較して高ぐ 4 X 10¹⁴ Ωであり、絶縁信頼性試験後に測定した絶縁抵抗は 3 Χ 10"Ωであり、両者の間に電圧を印加したことに伴う絶縁抵抗の実質的な差は認められなかった。

[0076] 結果を表 1に示す。

実施例 3

[0077] 実施例 1において、平均厚さ 75 mのポリイミドフィルム (宇部興産 (株)製、ユーピレックス S)を使用し、ポリイミドフィルムの一方の表面を逆スパッタにより粗ィ匕処理した後、実施例 1と同様にして、ニッケル 'クロム合金をスパッタリングして平均厚さ 30nm のクロム ·-ッケル合金層を形成して基材金属層とした。

[0078] 上記のようにして形成された基材金属層上に、実施例 1と同様にして、銅をスパッタして平均厚さ 200nmのスパッタリング銅層を形成した。

上記のようにして形成されたスパッタリング銅層の表面に、電気メツキ法により、銅を析出させて厚さ 8 μ mの電解銅層を形成した。

[0079] こうして形成された銅層の表面に感光性榭脂を塗布し、露光 ·現像して、配線ピッチ力 S30 μ mとなるように櫛形電極のパターンを形成し、このパターンをマスキング材として、銅層を HCl; lOOg/リットルを含む濃度 12%の塩ィ匕第 2銅エッチング液を用いて

30秒間エッチングして配線パターンを製造した。

[0080] NaOH+Na CO溶液で 40°C X 30秒間処理し、配線パターン上の感光性榭脂で

2 3

形成されたマスキング材を除去し、次いで酸洗液として HC1溶液を使用して、 30°C X 10秒処理し、銅層と基材金属層（Ni— Cr合金）とを酸洗した。

[0081] 次に、第 1処理液である濃度 13g/リットルの HC1+ 13g/リットルの H SOを含む

2 4 溶液を用いて、 55°C X 20秒間かけて Ni— Cr合金カゝらなる基材金属層の Niを溶解した。

[0082] 次!、で、マイクロエッチング液として K S O +H SOを用いて、 30°C X 10秒間 Cu

2 2 8 2 4

を深さ方向にエッチング (W3 = 0. 5 /z m)した。

さらに、第 2処理液として、 40g/リットルの KMnO + 20g/リットルの KOH溶液を用いて 65°Cで 30秒間処理した。

[0083] 上記のようにして配線パターンを形成した後、接続端子および外部接続端子を露出するようにソルダーレジスト層を形成した。

他方、ソルダーレジスト層から露出している内部接続端子および外部接続端子に、 0. 45 μ m厚の Snメツキを行、加熱して所定の純 Sn層（純 Sn層厚さ； 0. 2 m)を形成した。 Snメツキ後に FE-SEMで無作為に場所を変えて 10箇所観察したところ、配線の基材金属間の最短距離は 16. O /z mであり、基材金属層の突起や線間に独立して残存する基材金属層は観察されなかった。

[0084] こうして櫛形電極が形成されたプリント配線基板を 85°C85%RHの条件で 40Vの電圧を印加して 1000時間導通試験 (HHBT)を行った。また、絶縁信頼試験前の絶縁抵抗は比較例に比較して高く 5 X 10¹⁴ Ωであり、絶縁信頼性試験後に測定した絶縁抵抗は 3 Χ 10" Ωであり、両者の間に電圧を印加したことに伴う絶縁抵抗の実質的な差は認められなかった。

[0085] 結果を表 1に示す。

実施例 4

[0086] 実施例 2において、平均厚さ 75 mのポリイミドフィルム (宇部興産 (株)製、ユーピレックス S)を使用し、ポリイミドフィルムの一方の表面を逆スパッタにより粗ィ匕処理した後、実施例 1と同様にして、ニッケル 'クロム合金をスパッタリングして平均厚さ 30nm のクロム ·二ッケル合金層を形成して基材金属層とした。

[0087] 上記のようにして形成されたスパッタリング銅層の表面に、電気メツキ法により、銅を析出させて厚さ 8 μ mの電解銅層（導電性金属層）を形成した。

こうして形成された銅層の表面に感光性榭脂を塗布し、露光'現像して、配線ピッチ力 S30 μ mとなるように櫛形電極のパターンを形成し、このパターンをマスキング材として、銅層を HC1 ; lOOg/リットルを含む濃度 12%の塩ィ匕第 2銅エッチング液を用いて 30秒間エッチングして配線パターンを製造した。

[0088] NaOH +Na CO溶液で 40°C X 30秒間処理し、配線パターン上の感光性榭脂で

2 3

形成されたマスキング材を除去し、次いで酸洗液として HC1溶液を使用して、 30°C X 10秒処理し、銅層と基材金属層（Ni— Cr合金）とを酸洗した。 [0089] 次に、第 1処理液である濃度 13g/リットルの HC1+ 13g/リットルの H SOとを含

2 4 む溶液を用いて、 55°C X 20秒間かけて Ni— Cr合金カゝらなる基材金属層の Niを溶解した。

[0090] 次!、で、マイクロエッチング液として K S O +H SOを用いて、 30°C X 10秒間 Cu

2 2 8 2 4

を深さ方向にエッチング (W3 = 0. 5 /z m)した。

さらに、第 2処理液として、 40g/リットルの KMnO + 20g/リットルの KOH溶液を

4

用いて 65°Cで 30秒間処理した。

[0091] 上記のようにして配線パターンを形成した後、接続端子および外部接続端子を露出するようにソルダーレジスト層を形成した。

[0092] こうして櫛形電極が形成されたプリント配線基板を 85°C85%RHの条件で 40Vの電圧を印加して 1000時間導通試験 (HHBT)を行った。また、絶縁信頼試験前の絶縁抵抗は比較例に比較して高く 5 X 10¹⁴ Ωであり、絶縁信頼性試験後に測定した絶縁抵抗は 2 Χ 10" Ωであり、両者の間に電圧を印加したことに伴う絶縁抵抗の実質的な差は認められなかった。

[0093] 結果を表 1に示す。

実施例 5

[0094] 実施例 1において、マイクロエッチングにより Cu導体を深さ方向に 1. 0 /z m溶解した以外は同様にしてプリント配線基板を製造した。

こうして櫛形電極が形成されたプリント配線基板を 85°C85%RHの条件で 40Vの電圧を印加して 1000時間導通試験 (HHBT)を行った。また、絶縁信頼試験前の絶縁抵抗は比較例に比較して高く 6 X 10¹⁴ Ωであり、絶縁信頼性試験後に測定した絶縁抵抗は 5 Χ 10" Ωであり、両者の間に電圧を印加したことに伴う絶縁抵抗の実質的な差は認められなかった。 [0095] 結果を表 1に示す。

実施例 6

[0096] 実施例 2において、マイクロエッチングにより Cu導体を深さ方向に 1. 0 /z m溶解した以外は同様にしてプリント配線基板を製造した。

こうして櫛形電極が形成されたプリント配線基板を 85°C85%RHの条件で 40Vの電圧を印加して 1000時間導通試験 (HHBT)を行った。また、絶縁信頼試験前の絶縁抵抗は比較例に比較して高く 6 X 10¹⁴ Ωであり、絶縁信頼性試験後に測定した絶縁抵抗は 5 Χ 10"Ωであり、両者の間に電圧を印加したことに伴う絶縁抵抗の実質的な差は認められなかった。

[0097] 結果を表 1に示す。

〔比較例 1〕

厚さ 25 μ mのポリイミドフィルム（東レ 'デュポン社製、商品名「カプトン 100ENJの片面を、 30%ヒドラジン KOH水溶液中で 60秒間処理した。その後、純水で 10分間洗浄し室温で乾燥させた。このポリイミドフィルムを、真空蒸着装置に設置し、ブラズマ処理後、スパッタリングにて Ni'Cr合金を 40nm蒸着し、さらに、メツキ法で銅を 8 μ m成膜して金属被覆ポリイミド基板を得た。

[0098] 得られた基板を塩化第 2鉄溶液 40° Be (ボーメ）を用いて 40 μ mピッチ（ライン幅 2 0 m、スペース幅 20 μ m)の櫛形パターンを形成し、 35°Cの過マンガン酸カリウム 0 . 5重量％、水酸化カリウム 0. 5重量％水溶液で洗浄後、水洗、乾燥し、 85°C85%R H雰囲気の恒温恒湿槽内で、サンプルに 40Vのバイアスをかけて絶縁信頼性試験（ HHBT)を行ったところ、保持時間は 1000時間以上であり、絶縁信頼性試験開始時の絶縁抵抗は 5 X 10¹² Ωであったが、 1000時間経過後の絶縁抵抗は 2 X 10¹⁰ Ωに低下しており、長時間電圧を印加することにより経時的に絶縁抵抗の低下が見られた。

[0099] [表 1]

産業上の利用可能性

[0100] 上記のように本発明のプリント配線基板は、配線パターンを形成する基材金属層の側面が、メツキ層で隠蔽されているので、この基材金属層力マイグレーションが発生しにくい。さらにこのようなプリント配線基板に電子部品を実装した回路装置は、配線パターン間で長期間安定した絶縁状態が維持される。

[0101] また、長時間電圧を印加し続けることによつても配線パターン間の絶縁抵抗は変動せず、経時的に見て電気的に非常に安定したプリント配線基板が得られる。

Claims

請求の範囲

[1] 絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に、基材金属層と該基材金属層上に形成された導電性金属層とからなる配線パターンを有するプリント配線基板であって、該配線パターンの断面における導電性金属層の下端部の幅力該断面における基材金属層の上端部の幅よりも小さいことを特徴とするプリント配線基板。

[2] 上記絶縁フィルムに形成された最狭間隔部分における隣接する配線パターンとの平均距離が 5— 40 mの範囲内にあり、絶縁フィルムに接して配線パターンを構成する基材金属層は、導電性金属層からなる配線パターンの周囲を縁取るように輪郭状に張り出すと共に、該輪郭状に張り出した基材金属層からなる配線パターンには不連続な突起が形成されておらず、且つ、各配線パターン間の絶縁フィルム上には、独立した基材金属層が実質的に残存していないことを特徴とする請求項第 1項記載のプリント配線基材。

[3] 上記基材金属層が、 2種以上の異なる特性を有する金属カゝらなる合金または積層体からなることを特徴とする請求項第 1項記載のプリント配線基板。

[4] 上記基材金属層が、 Niおよび Zまたは Crを含有する層、またはこれらの合金層である請求項第 3項記載のプリント配線基板。

[5] 上記配線パターンの断面形状が、基材金属層による段部を有し、この基材金属層による段部が導電性金属層の配線パターン周囲に輪郭状に張り出すように形成されていることを特徴とする請求項第 1項記載のプリント配線基板。

[6] 上記配線パターンの断面における導電性金属層の下端部（ボトム）の幅が、該断面における輪郭状基材金属層を含む導電性金属層下端部の幅よりも 0. 1— 4 /z mの範囲内で小さく形成されている請求項第 1項記載のプリント配線基板。

[7] 上記配線パターンの周囲に輪郭状に張り出して露出する基材金属層の表面が、隠蔽メツキ層で被覆されていることを特徴とする請求項第 1項記載のプリント配線基板。

[8] 上記隠蔽メツキ層が、スズメツキ層、金メッキ層、ニッケル金メッキ層、ハンダメツキ層、鉛フリーハンダメツキ層、 Pdメツキ層、 Niメツキ層、 Znメツキ層、および、 Crメツキ層よりなる群力選ばれる少なくとも一種類のメツキ層であることを特徴とする請求項第 7項記載のプリント配線基板。

[9] 上記配線パターンの表面全体にメツキ層が形成されていると共に、配線パターン上に、その端子部を除いてソルダーレジスト層が形成されていることを特徴とする請求項第 1項記載のプリント配線基板。

[10] 上記配線パターンの表面全体にメツキ層が形成されていると共に、配線パターン上に、その端部を除いてソルダーレジスト層が形成され、該端子部にさらに第 2のメツキ層が形成されていることを特徴とする請求項第 1項記載のプリント配線基板。

[11] 上記配線パターン上に、その端子部を除いてソルダーレジスト層が形成され、該ソルダーレジスト層から露出した端子部にメツキ層が形成されていることを特徴とする請求項第 1項記載のプリント配線基板。

[12] 上記基材金属層の表面に、スパッタリング銅層を介して導電性金属層が形成されていることを特徴とする請求項第 1項記載のプリント配線基板。

[13] 絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に基材金属層を析出させた後、該基材金属層表面に導電性金属を析出させて導電性金属層を形成し、次いで、基材金属層と導電性金属層とを選択的にエッチングして配線パターンを形成する工程を有するプリント配線基板の製造方法であり、該基材金属層と導電性金属層とを、導電性金属を溶解するエッチング液と接触させて、配線パターンを形成した後、基材金属層を形成する金属を溶解する第 1処理液と接触させ、次いで導電性金属を選択的に溶解するマイクロエッチング液と接触させた後、第 1処理液とは異なる化学組成を有し、且つ導電性金属に対するよりも基材金属層形成金属に対して高い選択性で作用する第 2処理液と接触させることを特徴とするプリント配線基板の製造方法。

[14] 上記第 2処理液が、基材金属層を選択的に溶解除去すると共に、残存する基材金属層形成金属を不働態化するものであることを特徴とする請求項第 13項記載のプリント配線基板の製造方法。

[15] 上記導電性金属を溶解するエッチング液と接触させて形成された配線パターンを、第 1処理液と接触する前にマイクロエッチングすることを特徴とする請求項第 13項記載のプリント配線基板の製造方法。

[16] 絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に Niおよび Crを含む基材金属層を析出させた後、該基材金属層表面に導電性金属を析出させて導電性金属層を形成し、次いで、基材金属層と導電性金属層とを選択的にエッチングして配線パターンを形成する工程を有するプリント配線基板の製法であり、該基材金属層と導電性金属層とを、導電性金属を溶解するエッチング液と接触させて、配線パターンを形成した後、基材金属層を形成する金属のうち、 Niを溶解する第 1処理液と接触させ、次いで、該形成された配線パターンを、導電性金属を溶解するマイクロエッチング液と接触させて導電性金属層を後退させ配線パターンの周囲に輪郭状に基材金属層を露出させた後、 Crを溶解させるか、または残存した僅かな Crを不導体膜に変化させる第 2処理液と接触させることを特徴とする請求項第 13項記載のプリント配線基板の製造方法。

[17] 上記配線パターンを第 2処理液と接触させた後、該配線パターンの少なくとも基材金属層を被覆するように隠蔽メツキ層を形成することを特徴とする請求項第 13項記載のプリント配線基板の製造方法。

[18] 上記隠蔽メツキ層が、スズメツキ層、金メッキ層、ニッケル金メッキ層、ハンダメツキ層、鉛フリーハンダメツキ層、 Pdメツキ層、 Niメツキ層、 Znメツキ層、および、 Crメツキ層よりなる群力選ばれる少なくとも一種類のメツキ層であることを特徴とする請求項第 17項記載のプリント配線基板の製造方法。

[19] 上記基材金属の表面に、スパッタリング銅層を介して、導電性金属層が形成されていることを特徴とする請求項第 13項記載のプリント配線基板の製造方法。

[20] 上記請求項第 1項記載のプリント配線基板に、電子部品が実装されている回路装置。