JP5169894B2 - 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、例えば半導体素子実装用のいわゆるインタポーザ配線板などに好適な半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法に関する。

従来、半導体装置用テープキャリアは、例えばポリイミド樹脂フィルムからなる薄手の絶縁性基板の表面に接着剤層を介して銅箔を貼り合わせ、その銅箔をパターニングして、配線や外部接続端子部等を有する導体パターンを形成し、その表面上に安定した接合性を与えるために無電解スズめっきを施した構造が採用されていた。このような構造の場合、耐熱性に優れたポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁性基板を使用しているにも関わらず、接着剤層の性能等に依存して、テープキャリア全体としての耐熱性が制限されてしまい、半導体素子実装技術の高密度化、微細ピッチ化、軽量化の上での支障が生じる場合があった。
このため、ポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁性基板の上にニッケルまたはニッケル−クロムスパッタ層をシード層として形成した後、電解銅めっきにより銅層を形成し、これを上記のような接着剤によって張り合わされた銅箔の代りとした銅張基板が開発されて、上記のような支障を回避することができるようになった。

ところが、ポリイミド樹脂フィルムのような絶縁性基板の表面上に形成された導体パターンに無電解スズめっきを施す際に、導体パターン側面のスパッタ層と銅箔との界面でスズの異常析出が発生し、隣り合うリード間に電気的短絡が発生するという不都合が顕在化してきた。
これに対処するため、無電解スズめっきを施す前にニッケルまたはニッケル−クロムスパッタ層を剥離除去してから無電解スズめっきを施す方法が提案されたが、この場合、スパッタ層の剥離処理時に銅も一部溶解されてしまうので、剥離処理後のリード表面の外観ムラやパターン寸法の変動もあり、必ずしも十分とはいえなかった。また、スズめっき液中のスズ濃度を高濃度化させるという方法や、スズめっきする際に最初にプレスズ層を形成し、その後スズめっき層を形成させる、といった方法等も提案されたが、建浴コストがかかる、工程が増加するなどの不都合があり、必ずしも実用的ではなかった。

そこで、本発明に係る発明者の一人は、絶縁フィルム基板上にニッケルまたはニッケル−クロムスパッタ層を介して銅層を形成し、その銅層の上にレジストパターンを形成してからその銅層をパターニングして配線パターンを形成し、レジストパターンを残した状態でニッケルまたはニッケル−クロムスパッタ層を除去する処理を行い、しかる後にレジストを除去して、配線パターン上に無電解めっきによりスズめっき層を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法を、過去に提案した。
これにより、無電解スズめっきの際に起きる配線パターン側面のスズの過剰析出を抑制し、高い信頼性を有する半導体装置用テープキャリアを実現することが可能となった（以上、特許文献１参照）。
また、さらに近年では、図５およびその導体パターン１０３とシード層１０２との積層部分付近１０８の拡大図である図６に示したように、例えば配線間スペースが１５μｍ以下のような、錫めっき層１０４で被覆された導体パターン１０３がいわゆる超ファイン化対応に設定されているテープキャリア製品等においては、隣り合う導体パターン１０３同士の間の、ポリイミド樹脂フィルム基板１０１の表面上に、微量な金属イオン(ニッケル
−クロム、スズ、銅など)が残渣として残り、これが耐マイグレーション性を低下させる
要因となって、導体パターン１０３間の絶縁性の低下を引き起こすものとして問題視されるようになってきた。
そこで、そのような導体パターン１０３間の絶縁信頼性を向上させるために、ポリイミド樹脂フィルム基板１０１の表面に残っていることが危惧されるニッケル−クロム、銅等の金属イオンの残渣を除去するために、例えば塩酸系の薬液を用いてニッケル−クロムを除去した後、過マンガン酸ナトリウム、またはカリウムを含有する処理液を用いて、ポリイミド樹脂フィルム基板１０１の表面に清浄化処理を施すようにしていた。

特開２００４−１８６５９７号公報

しかしながら、上記のような清浄化処理液を用いて、ポリイミド樹脂フィルム基板１０１の表面上のニッケル−クロムや銅などの金属イオンの残渣を除去する処理を施しているにも関わらず、導体パターン１０３間における耐マイグレーション性の低下や電気的短絡が発生するという問題があった。そしてこれは、配線間スペースが１５μｍ以下のようないわゆる超ファインパターンを有する配線板では、特に顕著に発現する問題となっていた。
本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、上記のような従来の技術で問題となっていた導体パターン間の耐マイグレーション性の低下や電気的短絡の発生を抑止して、高い信頼性を達成可能とした半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供することにある。

本発明の半導体装置用テープキャリアは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の上に形成されたニッケル膜またはニッケル−クロムスパッタ膜からなるシード層と、前記シード層の上に形成されためっき導体からなる導体パターンと、前記導体パターンの表面に施された錫めっき層とを有する半導体装置用テープキャリアであって、前記導体パターンの配線ピッチは、２５μｍ以下であり、前記シード層が、前記導体パターンの下面の外形寸法よりも小さな外形寸法を有して、当該シード層の側壁が前記導体パターンの下面で前記導体パターンの外形からその内側へと所定の距離に亘って奥まったアンダーカットを成すように形成されており、かつ前記錫めっき層が、前記導体パターンの表面および前記シード層の側壁を覆うように施されていることを特徴としている。
本発明の絶縁性基板上に形成されたニッケル膜またはニッケル−クロムスパッタ膜からなるシード層の上に、めっき導体からなる導体パターンを形成する工程と、少なくとも前記導体パターンの表面に錫めっき層を形成する工程とを有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記導体パターンの配線ピッチが２５μｍ以下となるよう前記導体パターンを形成した後、前記シード層の側壁が前記導体パターンの下面で前記導体パターンの外形からその内側へと所定の距離に亘って奥まったアンダーカットを成すように、当該シード層を前記導体パターンの下面で所定の距離に亘ってサイドエッチングする工程と、前記サイドエッチングを行った後、前記錫めっき層を、前記導体パターンの表面および前記シード層の側壁を覆うように、無電解めっきにより形成する工程とを含むことを特徴としている。

本発明によれば、シード層が、導体パターンの下面の外形寸法よりも小さな外形寸法を有して、そのシード層の側壁が導体パターンの下面で導体パターンの外形からその内側へと所定の距離に亘って奥まったアンダーカットを成すように形成されており、かつ錫めっき層が、導体パターンの表面およびシード層の側壁を覆うように施されているようにしたので、ニッケル膜またはニッケル−クロムスパッタ膜からなるシード層の側壁およびその近傍を発生源としたニッケルやクロム等の金属イオンが絶縁性基板表面上へと溶出〜拡散することに起因した、導体パターン間の耐マイグレーション性の低下や電気的短絡の発生
を抑止して、半導体装置用テープキャリアとしての高い信頼性を達成することが可能となる。

本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの主要部の構造を示す図である。 図１に示した半導体装置用テープキャリアにおける、特に導体パターンおよびその下面のシード層のアンダーカットされた部分を拡大して示す図である。 図１に示した半導体装置用テープキャリアの製造方法における、特にシード層にサイドエッチングを行ってアンダーカットを形成する工程を主要部とする流れを示す図である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアに半導体素子を実装した状態の一例を示す図である。 従来の半導体装置用テープキャリアの主要部の構造を示す図である。 図５に示した従来の半導体装置用テープキャリアにおける、特に導体パターンの下面にシード層が張り出した部分を拡大して示す図である。

以下、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの主要部の構造を示す図、図２は、図１に示した半導体装置用テープキャリアにおける、特に導体パターンおよびその下面のシード層のアンダーカット構造が形成された部分を拡大して示す図、図３は、図１に示した半導体装置用テープキャリアの製造方法における、特にシード層にサイドエッチングを行ってアンダーカット構造を形成する工程を主要部とする流れを示す図であり、図４は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアに半導体素子を実装した状態の一例を示す図である。

この半導体装置用テープキャリアは、図１に示したように、絶縁性基板１と、シード層２と、導体パターン３と、錫めっき層４とを、その主要部の構成要素として備えている。

絶縁性基板１は、例えばポリイミド樹脂フィルムのような所定の機械的強度を有する薄手の絶縁性材料からなるものである。この絶縁性基板１の表面上に、ニッケル膜またはニッケル−クロムスパッタ膜からなるシード層２が形成されている。

シード層２は、少なくとも配線パターン部および外部接続用端子パターン部を有する導体パターン３の下面の外形寸法よりも小さな外形寸法を有するように形成されている。すなわち、シード層２は、図２にそのアンダーカット構造の部分８を抽出・拡大して示したように、その側壁が導体パターン３の下面の外形（周端辺）から内側へと所定の距離Ｄに亘って奥まった位置に来るように、いわゆるアンダーカット構造を成すように形成されている。このアンダーカット構造は、後述するように、シード層２に対して選択的にエッチング処理を施して、そのシード層２の側壁を導体パターン３の下面でその導体パターン３の内側向き（中心向き）に所定の距離Ｄに亘ってサイドエッチングを進めることによって、形成されたものである。
シード層２における、導体パターン３の外形からその内側へと向かう、アンダーカットの距離Ｄは、０．１μｍ以上〜１μｍ以下（０．１μｍ≦Ｄ≦１μｍ）とすることが好ましい。これは、距離Ｄが０．１μｍ未満であると、後述するような金属イオンの溶出抑止効果を得ることが困難なものとなる虞が高くなり、また１μｍ超であると、シード層２の上面と導体パターン３の下面との密着強度の低下が顕著なものとなる虞が高くなるからである。

導体パターン３は、シード層２の上に、例えば電気銅めっきによって形成された、配線パターンや外部接続用端子パターン等の所定のパターンからなるものである。この導体パターン３自体の構成や材質については、一般的なもので構わない。但し、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法は、特に、この導体パターン３の配線ピッチ（導体パターン間ピッチ）Ｃｐが２０μｍ〜２５μｍあるいはそれ以下、換言すると、通常のパターン設計ルールに従えば配線間スペース（導体パターン間スペース）Ｃｓが１０μｍ〜１５μｍあるいはそれ以下のような、いわゆる超ファイン化対応のものである場合に、特に顕著な効果を発揮することができる。蓋し、本発明の適用対象は、斯様な数値的態様のみには限定されないことは勿論である。

錫めっき層４は、導体パターン３の表面ほぼ全面およびシード層２の側壁ほぼ全面を覆うように施されている。この錫めっき層４の厚さは、特にシード層２の側壁付近については、０．３μｍ〜１．０μｍ程度の厚さを確保することが望ましい。これは、この錫めっき層４でシード層２の側壁を覆うことによって、後述するような金属イオンの溶出抑止効果を確保するためには、少なくともそのシード層２の側壁部分の厚さについては上記のような０．３μｍ〜１．０μｍ程度の厚さが必要であることが見込まれるからである。

この半導体装置用テープキャリアには、半導体素子６が実装される。すなわち、図４に示したように、いわゆるデバイスホール部に半導体素子６が配置されて、その半導体素子６の金バンプ７が、導体パターン３におけるインナーリード部の錫めっき層４の表面上に加熱圧着されることで、導体パターン３上の錫めっき層４と金バンプ７とが溶融して金−錫合金が形成されて、それら両者が接合される。なお、図４では、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアとその外部の半導体素子６とを図示の上で明確に区別するために、半導体素子６および金バンプについてはハッチングを付さずに側面図的に示してある。

次に、この半導体装置用テープキャリアの製造方法について説明する。
図３（ａ）に示したように、絶縁性基板１の表面ほぼ全面上を覆うように形成されたニッケル膜またはニッケル−クロムスパッタ膜からなるシード層２の表面上に、めっき導体からなる導体パターン３を形成する。
この導体パターン３の形成過程は、さらに具体的には、大別すると２通りの方式がある。そのいずれについても図示は省略するが、ここで両者を手短に説明すると、第１の方式は、シード層２の表面全面上に、一つの連続したいわゆるベタな導体層を、例えば電気銅めっきによって形成し、その導体層をフォトリソグラフィプロセスおよびエッチングプロセスによってパターン加工することで導体パターン３を得る、というものである。第２の方式は、シード層２の表面に、所望の開口パターンを有するレジスト層を形成し、その開口パターンにて露出している部分のシード層２の表面を電極として用いた電気めっきによって、その開口パターンに導体を析出〜充填させることによって導体パターン３を得る、といものである。本実施の形態に係る製造方法では、そのどちらの方式を用いても構わない。いずれの場合についても、導体パターン３が形成された時点では、図３（ａ）に示したように、連続した一枚のシード層２の上に導体パターン３が形成された状態となっている。なお、図３（ａ）では、上記の２つの方式のうちの、第１の方式による場合、すなわちめっき導体からなる一枚の連続した導体層をエッチング等によりパターン加工して導体パターン３を形成した場合を示している。それ故、図３（ａ）〜（ｄ）では、導体パターン３の断面形状を、いわゆるエッチングファクタ等を加味した台形状に模式的に描いてある。

続いて、上記のように連続した一枚のシード層２の上に導体パターン３が形成されている状態では、隣り合う導体パターン３同士は未だ電気的に分離されていないので、隣り合
う導体パターン３同士の間に存在しているシード層２を選択的にエッチング除去する。このエッチング工程で、隣り合う導体パターン３同士の間に存在していたシード層２が除去されて、図３（ｂ）に示したように、隣り合う導体パターン３同士が分離した状態となる。但しこの時点では、シード層２は各導体パターン３の下面の外形（周端辺）よりも外側に若干はみ出した状態となっている。

続いて、図３（ｂ）に示したような状態にあるシード層２を、シード層２の側壁が導体パターン３の下面でその導体パターン３の外形から内側へと所定の距離Ｄに亘って奥まったアンダーカット構造を成すように、シード層２にその側方から所定の距離Ｄに亘ってサイドエッチングを施すことで、図３（ｃ）に示したような、導体パターン３の下面に対するシード層２のアンダーカット構造を形成する。
このサイドエッチングを行うウェットエッチング工程では、シード層２の形成材料であるニッケル膜またはニッケル−クロムスパッタ膜を選択的にエッチング可能なエッチャント（エッチング処理用薬液）を用いることが望ましい。そのようなエッチャントとしては、例えば、皮膜溶解剤、酸化剤、銅の腐食抑制剤、界面活性剤、錯化剤、アミン化合物等のうち、いずれか一つ以上を含む塩酸系の薬液などを好適に用いることが可能である。

このようにしてアンダーカット構造を形成した後、図３（ｄ）に示したように、例えば銅の錯化剤を含有するめっき液を用いた置換析出型の無電解錫めっきによって、錫めっき層４を、導体パターン３の表面全面およびシード層２の側壁全面を覆うように形成する。このとき、導体パターン３の下面に対してシード層２がアンダーカット構造となっているので、図５、図６に示した従来の構造の場合のようなシード層１０２の側壁に錫めっき層１０４が付着できずにそのシード層１０２の側壁および肩部分等が露出したまま残されてしまうといった状態とは全く異なり、錫めっき層４を、導体パターン３の下面付近でシード層２のアンダーカット構造による空所へと回り込むように析出させることが可能となる。これにより、導体パターン３およびシード層２の側壁を連続的に錫めっき層４で完全に覆った状態とすることができる。

次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法の作用について説明する。
従来の半導体装置用テープキャリアでは、図５および図６に示したように、シード層１０２の外形寸法が、導体パターン１０３の外形寸法よりも大きく、従ってその導体パターン１０３の下面からシード層１０２の側壁およびその近傍が外側へと張り出した構造となっていた。そして、このようにシード層１０２が張り出した構造であることに起因して、無電解めっきによって形成される錫めっき層１０４は、導体パターン１０３の表面にはよく付着するが、シード層１０２の表面には良好な付着状態が得られない。このため、特にシード層１０２の側壁およびその近傍は、錫めっき層１０４で覆われておらず、ほほ完全に露出したままの状態となっていた。また、その側壁の近傍には、シード層１０２の形成材料であるニッケルやクロム等の微量な残渣や金属イオン等が、そのシード層の１０２の側壁と連なるようにして残存していた。
そうすると、錫めっき層１０４が形成された後、例えば信頼性試験時や、その他各種の薬液等を用いたウェットプロセスを含んだ処理工程を経るごとに、あるいは製品として実際に使用されている間にその使用環境における湿気等の影響を受けるごとに、錫めっき層１０４では覆われておらずに露出した部分であるシード層１０２の側壁およびその近傍から、ニッケルやクロム等の金属イオンが溶出して、ポリイミド樹脂フィルム基板（絶縁性基板）１０１の表面上に拡散し、隣り合う導体パターン１０３同士の間での耐マイグレーション性の低下や電気的短絡を引き起こす要因となっていた。

本発明者は、このような要因によって従来の半導体装置用テープキャリアにおける耐マイグレーション性の低下や電気的短絡が発生していたものであることを、種々の実験およ
び考察等を行うことにより解明した。そして、このような知見に基づいて、シード層２の側壁が導体パターン３の外形よりも外側へと張り出すのではなく、むしろ奥まらせるようにアンダーカット構造を構成することで、そのシード層２の側壁を、錫めっき層４によって導体パターン３と共に完全に覆って、シード層２の側壁からその形成材料であるニッケルやクロム等の金属イオンが絶縁性基板１の表面上へと溶出〜拡散することを防ぐようにすること、およびそのアンダーカット構造を形成するためのサイドエッチングを施す工程で絶縁性基板１におけるシード層２の側壁近傍の表面上に残存していたニッケルやクロム等の残渣や金属イオンを除去することが、極めて効果的な解決手段となることを想到した。そして、そのような解決手段によれば、実際に、シード層２からニッケルやクロム等の金属イオンが溶出〜拡散して絶縁性基板１の表面を汚染することを防止することができることを、下記の実施例で詳述するような実験等を行って、実証的に確認したのであった。

すなわち、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法によれば、シード層２を、導体パターン３の下面の外形寸法よりも小さな外形寸法を有して、そのシード層２の側壁が導体パターン３の下面で導体パターン３の外形からその内側へと所定の距離Ｄに亘って奥まったアンダーカット構造を成すように形成し、かつ導体パターン３の表面およびシード層２の側壁を錫めっき層４で完全に覆うようにしたことにより、ニッケル膜またはニッケル−クロムスパッタ膜からなるシード層２の側壁およびその近傍を発生源としたニッケルやクロム等の金属イオンが絶縁性基板１の表面上へと溶出〜拡散あるいは残存することを、確実に防ぐことができる。その結果、シード層２の側壁およびその近傍からニッケルやクロム等の金属イオンが絶縁性基板１の表面へと溶出〜拡散することに起因した導体パターン３同士の間の耐マイグレーション性の低下や電気的短絡の発生を抑止して、半導体装置用テープキャリアとしての高い信頼性を達成することが可能となる。

上記の実施の形態で説明したような、導体パターン３に対するシード層２のアンダーカット構造を備えた半導体装置用テープキャリアを作製し、信頼性評価試験を実施して、その耐マイグレーション性を評価した。

まず、ポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁性基板１上に、ニッケル膜またはニッケル−クロムスパッタ膜からなるシード層２を形成し、さらにそのシード層２の上に、そのシード層２を電極として用いた電解銅めっきにより、一枚の連続した導体層を形成した。
続いて、フォトレジストを塗布し乾燥させた後、所定の配線パターン等を有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィプロセスにより露光〜現像を行って、レジストパターンを形成した。続いて、レジストパターンをエッチングマスクとして用いたエッチングプロセスにより導体層にパターン加工を施して、導体パターン３を形成した。
そして、塩酸系の薬液を用いて導体パターン３同士の間の不要な部分のシード層２を選択的に除去した後、引き続いて、塩酸系の薬液を用い、液温を４０℃に設定すると共に、処理時間０秒、３０秒、６０秒、９０秒、１２０秒、１５０秒の各時間設定で、それぞれシード層２にサイドエッチング処理を施して、アンダーカット構造を形成した。

続いて、フォトレジストの剥膜処理を行った後、絶縁性基板１の露出している表面を過マンガン酸系の薬液で処理し、さらに脱脂、酸洗により銅表面を清浄化した。そして、無電解スズめっきを０．５μｍ〜０．６μｍの厚さにとなるように施して、錫めっき層４を形成した。その後、導体パターン３の配線本体部を覆うようにソルダレジスト５を塗布した。

このようにして作製した、本実施例に係る半導体装置用テープキャリアの導体パターン３の断面を観察し、サイドエッチング量（距離Ｄ）を測定した。
また、別途に信頼性試験用試料として、平面視で櫛歯状に交互に形成された導体パターン３を備えた半導体装置用テープキャリアを作製し、それにアンダーフィルレジンを塗布して、温度８５℃、湿度８５％、印加電圧６０Ｖの環境下で、１０００時間の絶縁性評価試験を実施した。この試験における評価基準としては、処理時間経過後に測定された絶縁抵抗が１ＭΩ以上の場合は「絶縁性良好」で○、一部に絶縁劣化が見受けられた場合には△、明らかな電気的短絡が生じた場合または絶縁抵抗が１ＭΩ未満となった場合には×とした。

その結果、表１に示したように、サイドエッチング量（距離Ｄ）が０．１μｍ以上であるとき、耐マイグレーション性が良好なものとなることが確認された。但し、サイドエッチング量（距離Ｄ）が、１．３９μｍの場合のように、１μｍ超になると、導体パターン３とシード層２との間およびシード層２と絶縁性基板１との間での密着性が低下することに起因した絶縁劣化や電気的短絡等の信頼性の低下が生じることが確認された。

以上のような信頼性試験の結果から、０．１μｍ≦Ｄ≦１μｍの範囲内でシード層２をサイドエッチングしてアンダーカット構造を形成することにより、隣り合う導体パターン３同士の間の良好な絶縁信頼性を達成することができることが、実験的にも確証された。

１ 絶縁性基板
２ シード層
３ 導体パターン
４ 錫めっき層
５ ソルダレジスト

Claims (6)

1. 絶縁性基板と、前記絶縁性基板の上に形成されたニッケル膜またはニッケル−クロムスパッタ膜からなるシード層と、前記シード層の上に形成されためっき導体からなる導体パターンと、前記導体パターンの表面に施された錫めっき層とを有する半導体装置用テープキャリアであって、
   前記導体パターン間のピッチは、２５μｍ以下であり、
   前記シード層が、前記導体パターンの下面の外形寸法よりも小さな外形寸法を有して、当該シード層の側壁が前記導体パターンの下面で前記導体パターンの外形からその内側へと所定の距離に亘って奥まったアンダーカットを成すように形成されており、
   かつ前記錫めっき層が、前記導体パターンの表面および前記シード層の側壁を覆うように施されている
   ことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
2. 請求項１記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、
   前記シード層のアンダーカットは、当該シード層を前記導体パターンの下面で所定の距離に亘ってサイドエッチングしてなるものである
   ことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
3. 請求項１または２記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、
   前記シード層のアンダーカットは、前記導体パターンの外形から当該導体パターンの内側へと０．１μｍ以上〜１μｍ以下の距離に亘って奥まった位置まで至るように形成されている
   ことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
4. 絶縁性基板上に形成されたニッケル膜またはニッケル−クロムスパッタ膜からなるシード層の上に、めっき導体からなる導体パターンを形成する工程と、少なくとも前記導体パターンの表面に錫めっき層を形成する工程とを有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、
   前記導体パターン間のピッチが２５μｍ以下となるよう前記導体パターンを形成した後、前記シード層の側壁が前記導体パターンの下面で前記導体パターンの外形からその内側へと所定の距離に亘って奥まったアンダーカットを成すように、当該シード層を前記導体パターンの下面で所定の距離に亘ってサイドエッチングする工程と、
   前記サイドエッチングを行った後、前記錫めっき層を、前記導体パターンの表面および前記シード層の側壁を覆うように、無電解めっきにより形成する工程と
   を含むことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
5. 請求項４記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
   前記シード層のアンダーカットは、当該シード層の側壁が前記導体パターンの外形から当該導体パターンの内側へと０．１μｍ以上〜１μｍ以下の距離に亘って奥まった位置に至るまで前記サイドエッチングを進めることによって形成する
   ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
6. 請求項４または５記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
   前記シード層をサイドエッチングする工程では、当該シード層を選択的にエッチングするエッチャントを用いる
   ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。

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