WO2004107575A1 - 発振回路 - Google Patents

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WO2004107575A1
WO2004107575A1 PCT/JP2004/007270 JP2004007270W WO2004107575A1 WO 2004107575 A1 WO2004107575 A1 WO 2004107575A1 JP 2004007270 W JP2004007270 W JP 2004007270W WO 2004107575 A1 WO2004107575 A1 WO 2004107575A1
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WO
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signal
current
oscillation
circuit
oscillation signal
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/007270
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Sho Maruyama
Takeshi Wakii
Original Assignee
Rohm Co., Ltd.
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Publication date
Application filed by Rohm Co., Ltd. filed Critical Rohm Co., Ltd.
Publication of WO2004107575A1 publication Critical patent/WO2004107575A1/ja
Priority to US11/192,656 priority Critical patent/US7205855B2/en

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/03Astable circuits
    • H03K3/0315Ring oscillators
    • H03K3/0322Ring oscillators with differential cells
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/03Astable circuits
    • H03K3/0315Ring oscillators

Definitions

  • the present invention relates to an oscillation circuit.
  • it relates to an oscillation circuit that oscillates a signal of a predetermined frequency.
  • a voltage-controlled oscillation circuit is used, for example, in an optical pickup or a PLL (Phase Locked Loo P), and generally sets an oscillation frequency by changing the oscillation frequency in accordance with a control voltage applied thereto. Oscillation output.
  • An example of a voltage-controlled oscillator according to the related art is connected so as to make a circuit through an inverting amplifier, a first charge / discharge circuit, and a second charge / discharge circuit. In this configuration, the phase of the inverted voltage signal from the inverting amplifier is stepwise delayed by the first charging and discharging circuit and the second charging and discharging circuit, and the output of the second charging and discharging circuit is again input to the inverting amplifier. Is done.
  • the voltage-controlled oscillator can continuously oscillate by repeating the above processing.
  • the oscillation frequency of the voltage controlled oscillator is mainly determined according to the magnitude of the charge / discharge current in the first charge / discharge circuit and the second charge / discharge circuit. It is controlled by a control current having a larger current value level and easy to control (for example, see Patent Document 1).
  • Patent Document 1 JP-A-6-37599
  • the LSI can be used for general purposes in order to obtain a mass production effect.
  • set makers who incorporate LSIs into devices, etc. want oscillator circuits that can variably set the amplitude of output signals according to the requirements of the devices and can operate with low power consumption. Therefore, the oscillation circuit is required to have appropriate characteristics with respect to the amplitude of the output signal, power consumption, and the like. Further, when the set maker applies the oscillation circuit to a predetermined device and sets the amplitude of the output signal to be large, it is necessary that the waveform distortion or the EMI characteristic satisfy predetermined requirements.
  • An object of the present invention is to provide an oscillation circuit capable of variably outputting the amplitude of an oscillation signal and having improved waveform distortion characteristics. It is.
  • One embodiment of the present invention is an oscillation circuit.
  • This oscillation circuit includes an oscillation signal generation circuit that outputs the oscillation signal as a differential signal, a differential amplifier that amplifies the differential signal output from the oscillation signal generation circuit, and a differential amplifier that is amplified by the differential amplifier. It includes a conversion circuit for converting a signal into a voltage signal and a current signal, and a drive circuit for variably outputting a drive current for operating the conversion circuit with a magnitude corresponding to an externally input setting signal.
  • the amplification factor in the “differential amplifier” may be set as appropriate according to the circuit. For example, when the amplification factor is larger than “1”, when the amplification factor is "1", the amplification factor is "1". This shall include cases where the value is smaller than "1".
  • the conversion circuit It may be configured to increase the amplitude of the converted current signal.
  • This oscillation circuit includes an oscillation signal generation circuit that outputs the oscillation signal as a differential signal, a differential amplifier that amplifies the differential signal output from the oscillation signal generation circuit, and a differential amplifier that is amplified by the differential amplifier. It includes a conversion circuit for converting a signal into a voltage signal and a current signal, and a drive circuit for variably outputting a drive current for operating the differential amplifier with a magnitude corresponding to an externally input setting signal.
  • the differential amplifier may be configured to increase the operation speed.
  • the current that flows unnecessarily can be reduced by adjusting the magnitude of the drive current that flows through the differential amplifier in accordance with the requirement for the magnitude of the amplitude of the converted current signal, thereby increasing the conversion efficiency. it can. If the required amplitude of the current signal is small, the drive current is adjusted to reduce the amplitude of the differential signal output from the differential amplifier. As the noise added to the moving signal becomes smaller, a current signal with less influence of the noise can be output.
  • the amplitude of an oscillation signal can be output variably, and the waveform distortion characteristics can be improved.
  • the LSI vendor manufactures the oscillator so that the amplitude of the oscillation signal can oscillate variably, and the set maker sets the predetermined amplitude and sets a predetermined device.
  • the present invention relates to a high-frequency oscillating circuit that is presumed to be incorporated in a high-frequency oscillator.
  • the high-frequency oscillation circuit according to the present embodiment emits an oscillation signal having an oscillation frequency according to the applied control voltage.
  • the amplifying FET is called “amplifying FET”
  • the amplifying FET since the oscillation and amplification of the oscillation signal are based on the differential signal, the signal distortion can be canceled and the distortion component of the signal waveform can be reduced. Furthermore, since the magnitude of the drive current flowing through the conversion FET is directly adjusted to adjust the amplitude of the oscillation signal converted to current, conversion efficiency is improved and power consumption can be reduced.
  • FIG. 1 shows a high-frequency oscillation circuit 100 according to the first embodiment.
  • the high-frequency oscillation circuit 100 includes an oscillation signal generation circuit 10, a differential amplifier 12, a conversion circuit 14, and a drive circuit 16.
  • the oscillation signal generation circuit 10 includes a variable current source 20, a first inverter 22, a second inverter 24, a third inverter 26, a fourth inverter 28, and transistors Trl to Trl3.
  • the current source 30 includes the transistors Trl4 to Trl9
  • the conversion circuit 14 includes the transistors Tr20 to Tr27
  • the drive circuit 16 includes the variable current source 32.
  • the signals include an oscillator drive current 200, a first generation oscillation signal 202, a second generation oscillation signal 204, a first amplification oscillation signal 206, a second amplification oscillation signal 208, a first current oscillation signal 210, and a second current oscillation signal 212.
  • the oscillation signal generation circuit 10 generates a first generation oscillation signal 202 and a second generation oscillation signal 204, which are differential signals, as oscillation signals.
  • the variable current source 20 supplies a current whose magnitude changes in accordance with the applied control voltage. Since the transistor Trl and the transistor Tr2 form a current mirror circuit, an oscillator driving current 200 proportional to the magnitude of the current output from the variable current source 20 flows.
  • the transistor Tr3 to the transistor Tr8 constitute a current mirror circuit
  • the transistor Tr9 to the transistor Trl3 also constitute a current mirror circuit. From these current mirror circuits, a current proportional to the oscillator drive current 200 is generated by a differential output ring oscillator composed of the first inverter 22, the second inverter 24, the third inverter 26, and the fourth inverter 28, respectively. Is washed away. In other words, if the oscillator driving current 200 increases, the current flowing through the differential output type ring oscillator increases, so the first generation oscillation signal 202 and the second generation oscillation signal 202 output from the differential output type ring oscillator High oscillation frequency of 204 become.
  • the first generation oscillation signal 202 and the second generation oscillation signal 204 repeatedly cause a maximum value and a minimum value to appear repeatedly in a fixed period like a sine wave, for example, and these constitute a differential signal with each other.
  • a differential signal is also called a “balanced signal”, while a normal signal based on a constant potential such as ground is sometimes called an “unbalanced signal”.
  • Differential amplifier 12 differentially amplifies first generated oscillation signal 202 and second generated oscillation signal 204, respectively, and outputs first amplified oscillation signal 206 and second amplified oscillation signal 208. Note that the differential amplification is performed for the purpose of improving the drive capability of the transistor Tr20 and the transistor Tr21 described below.
  • the transistors Trl4 to Trl9 constituting the differential amplifier 12 are driven by the amplifier driving current 216 from the constant current source 30, and the first generation oscillation signal 202 and the second generation oscillation signal 204 are connected to the gates of the transistors Trl8 and Trl9.
  • the first amplified oscillation signal 206 and the second amplified oscillation signal 208 of the differential signal having the same waveform as the first generated oscillation signal 202 and the second generated oscillation signal 204 are respectively applied to the terminals and differentially amplified. Is output. Note that the transistors Trl4 to Trl9 correspond to the aforementioned amplification FET.
  • the variable current source 32 converts a voltage of the first amplified oscillation signal 206 and the voltage of the second amplified oscillation signal 208 into a current, and converts a driving current 218 for driving a transistor Tr20 and a transistor Tr21 to be described later. Flow. As will be described later in detail, the value of the variable resistor included in the variable current source 32 can be adjusted externally to adjust the magnitude of the conversion drive current 218.
  • the conversion circuit 14 converts the first amplified oscillation signal 206 and the second amplified oscillation signal 208 into an output current oscillation signal 214 in which a sink current and a source current are alternately switched.
  • the output current oscillation signal 214 includes a “sink current” and a “source current”.
  • the transistor Tr20 converts the first amplified oscillation signal 206 applied to the gate terminal into a first current oscillation signal 210.
  • the transistor Tr20 is an n-channel type, the value of the first current oscillation signal 210 becomes closer to the value of the conversion drive current 218 as the value of the first amplified oscillation signal 206 increases.
  • the transistor Tr21 performs the same operation as the transistor Tr20, and converts the second amplified oscillation signal 208 into the second current oscillation signal 212.
  • the transistor Tr22 and the transistor Tr23 form a current mirror circuit, and convert the current to a first output current signal having a proportional relationship with the first current oscillation signal 210.
  • the transistor Tr24 and the transistor Tr25, and the transistor Tr26 and the transistor Tr27 also constitute a power mirror circuit, respectively, and convert to a second output current signal having a proportional relationship with the second current oscillation signal 212.
  • the first output current signal and the second output current signal become an output current oscillation signal 214 in which the sink current and the source current are switched by switching the transistor Tr20 and the transistor Tr21.
  • FIG. 2 shows a configuration of the variable current source 32.
  • the variable current source 32 includes a reference voltage source 40, an op amp 42, a variable resistor 44, and transistors Tr28 to Tr30. Also, the setting signal 220 is included as a signal.
  • the variable resistor 44 is a resistor for converting a predetermined constant voltage into a current, and its value is adjusted according to a setting signal 220 input from outside.
  • the reference voltage source 40, the operational amplifier 42, and the transistor Tr28 stabilize the value of the current converted by the variable resistor 44.
  • the transistor Tr28 since the gate voltage of the transistor Tr28 is amplified by the operational amplifier 42, the transistor Tr28 is used in a saturation region of the drain current characteristic.
  • the transistor Tr29 and the transistor Tr30 form a current mirror circuit, and output a drive current 218 for conversion. That is, if the value of the variable resistor 44 is changed, the value of the conversion drive current 218 is also changed.
  • the operation of the high-frequency oscillation circuit 100 having the above configuration is as follows.
  • the oscillator drive current 200 flowing from the variable current source 20 is also increased.
  • the ring oscillator of the differential output type composed of the first inverter 22 to the fourth inverter 28 has a first generation oscillation signal 202 and a second generation oscillation signal 204 having a higher oscillation frequency as the oscillator driving current 200 increases. Is output.
  • the differential amplifier 12 amplifies the first generated oscillation signal 202 and the second generated oscillation signal 204 into a first amplified oscillation signal 206 and a second amplified oscillation signal 208 having sufficiently large amplitudes, respectively.
  • the transistor T20 and the transistor Tr21 convert the first amplified oscillation signal 206 and the second amplified oscillation signal 208 into a first current oscillation signal 210 and a second current oscillation signal 212, respectively.
  • the variable current source 32 allows a drive current 218 for conversion set from outside to flow through the transistor Tr20 and the transistor Tr21.
  • Transistors Tr22 to Tr27 output the first current oscillation signal 21 0 and the value of the second current oscillation signal 212 are converted respectively, and the output current oscillation signal 214 is obtained by switching between the transistor Tr20 and the transistor Tr21.
  • FIG. 3 shows a configuration of a high-frequency oscillation circuit 150 for comparing characteristics with the high-frequency oscillation circuit 100 of FIG.
  • the high-frequency oscillation circuit 150 includes an oscillation signal generation circuit 110, a buffer 112, and a conversion circuit 114.
  • the oscillation signal generation circuit 110 includes a variable current source 120, a first inverter 122, a second inverter 124, and a third inverter. 126, including the transistor Tr50 to the transistor Tr66, the buffer 112 includes the fourth inverter 128, the fifth inverter 130, the first resistor 132, the second resistor 134, the third resistor 136, the fourth resistor 138, and the transistor Tr68 to the transistor Tr74.
  • the conversion circuit 114 includes a variable current source 140, a variable current source 142, a transistor Tr76, and a transistor Tr78.
  • the oscillation signal generation circuit 110 corresponds to the oscillation signal generation circuit 10 of the high-frequency oscillation circuit 100, and the variable current source 120 flows a current that changes according to the applied control voltage.
  • the transistor Tr50 to the transistor Tr58 form a current mirror circuit
  • the transistor Tr60 to the transistor Tr66 also form a current mirror circuit.
  • the current force proportional to the output current of the variable current source 120 by one of these current mirror circuits is applied to the ring oscillator constituted by the first inverter 122, the second inverter 124, and the third inverter 126, respectively, and the current is applied.
  • An oscillation signal having an oscillation frequency corresponding to the magnitude of the signal is output. Note that, unlike the first generation oscillation signal 202 and the second generation oscillation signal 204 of the oscillation signal generation circuit 10, the oscillation signal is not a differential signal.
  • the buffer 112 corresponds to the differential amplifier 12 of the high-frequency oscillation circuit 100, and outputs the oscillation signal output from the oscillation signal generation circuit 110 to the fourth inverter 128 and the first resistor 132, the transistor Tr68, the transistor Tr70, The signal is amplified by the second resistor 134 to the extent that at least the drive capability for the transistor Tr76 described later is enhanced.
  • the fifth inverter 130, the third resistor 136, the transistor Tr72, the transistor Tr74, and the fourth resistor 138 perform the same operation.
  • the conversion circuit 114 corresponds to the conversion circuit 14 of the high-frequency oscillation circuit 100, and converts the oscillation signal amplified by the buffer 112 from a voltage signal to a current signal.
  • the transistor Tr76 is a p-channel type and the transistor Tr78 is an n-channel type, It is turned on alternately by the input oscillation signal, and as a result, the oscillation signal that switches the sink current and the source current is finally output.
  • FIGS. 4 (a) and 4 (b) are diagrams showing output waveforms of the high-frequency oscillation circuit 100 of FIG. 1 and the high-frequency oscillation circuit 150 of FIG. 3, respectively, based on experimental results.
  • FIG. 4A shows an output current oscillation signal 214 of the high-frequency oscillation circuit 100 in FIG. 1, which has an oscillation frequency of 344.98 MHz and an amplitude of 42.2 mA, and has a waveform with a small signal distortion component.
  • FIG. 4 (b) shows the output of the high-frequency oscillation circuit 150 of FIG. 2, which is equivalent to FIG. 4 (a) with an oscillation frequency of 283.22 MHz and an amplitude of 40.0 mA.
  • the waveform contains more distortion components.
  • This waveform distortion is caused by an error in the switching timing of the transistor Tr76 and the transistor Tr78, and when the oscillation signal of the ring oscillator included in the high-frequency oscillation circuit 150 becomes close to a square wave, the oscillation signal becomes It occurs because many high frequency components are included.
  • the signal waveform of Fig. 4 (b) tends to contain many distortion components and many harmonic components of the signal. Therefore, the EMI characteristics of the high-frequency oscillation circuit 150 are lower than those of the high-frequency oscillation circuit 100.
  • the distortion components of the signals are canceled out, so that the distortion components included in the signals also decrease.
  • the distortion component included in the output current signal can be reduced. Also, when the signal distortion is reduced, the device incorporating the high-frequency oscillation circuit can operate stably. In addition, since the amplitude of the output current signal is adjusted by adjusting the magnitude of the driving current flowing at the stage where the voltage signal is finally converted to the current signal, the operation efficiency of the circuit increases, Power consumption is reduced.
  • the second embodiment relates to a high-frequency oscillation circuit having a configuration similar to that of the first embodiment.
  • the magnitude of the driving current flowing through the conversion FET is variable by an external setting signal.
  • the magnitude of the drive current flowing through the amplifying FET is variably adjusted by an external setting signal.
  • the high-frequency oscillation circuit according to the present embodiment adjusts the magnitude of the drive current flowing through the amplification FET included in the differential amplifier. Then, the amplitude of the voltage signal for switching the replacement FET is changed to change the amplitude of the finally output current signal. Also, when the drive current is reduced, the amplitude of the differential signal output from the differential amplifier is reduced, so that noise generated between the power supply and the ground of the differential amplifier and added to the differential signal is reduced. Become.
  • FIG. 5 shows a configuration of the high-frequency oscillation circuit 100 according to the second embodiment.
  • the differential amplifier 50, the driving circuit 52, and the conversion circuit 54 included in the high-frequency oscillation circuit 100 in FIG. 5 are combined with the differential amplifier 12, the conversion circuit 14, and the driving circuit 16 included in the high-frequency oscillation circuit 100 in FIG. different.
  • the differential amplifier 50 has the constant current source 30 removed from the differential amplifier 12, the conversion circuit 54 has a constant current source 58 added to the conversion circuit 14, and the newly added drive circuit 52 has And a variable current source 56.
  • variable current source 56 allows the amplifier drive current 216 to flow through the differential amplifier 50 as in the case of the constant current source 30 in FIG.
  • the variable current source 56 has a configuration similar to that of the variable current source 32 in FIG. 2, and adjusts the value of the variable resistor 44 (not shown) included therein by an external setting signal 220 (not shown). The magnitude of the amplifier drive current 216 can be adjusted.
  • the conversion circuit 54 converts the first amplified oscillation signal 206 and the second amplified oscillation signal 208 into an output current oscillation signal 214 in which a sink current and a source current are switched, and converts the voltage signal into a current signal.
  • the magnitude of the conversion drive current 218 flowing through the transistor Tr20 and the transistor Tr21 used for conversion is fixed because it is based on the constant current source 58.
  • a differential amplifier is used instead of directly adjusting the magnitude of the conversion drive current 218 to flow through the transistor Tr 20 and the transistor Tr 21.
  • the magnitude of the amplifier drive current 216 to be passed through 50 is adjusted based on an external setting signal, and the amplitude of the output current oscillation signal 214 is adjusted.
  • the magnitude of the amplifier drive current 216 can be reduced to a necessary level, so that it occurs between the power supply and the ground of the differential amplifier 50 and the drive circuit 52, and the first amplified oscillation signal 206 and the second amplified Noise added to the oscillation signal 208 can be reduced, and an output current oscillation signal 214 that is less affected by noise can be output.
  • the operation of the high-frequency oscillation circuit 100 having the above configuration is as follows.
  • the oscillator drive current 200 flowing from the variable current source 20 is also increased.
  • 1st invar The ring oscillator of the differential output type composed of the inverter 22 to the fourth inverter 28 outputs the first oscillation signal 202 and the second oscillation signal 204 having a higher oscillation frequency as the oscillator driving current 200 increases.
  • the differential amplifier 50 amplifies the first generated oscillation signal 202 and the second generated oscillation signal 204 into a first amplified oscillation signal 206 and a second amplified oscillation signal 208 having sufficiently large amplitudes, respectively.
  • the variable current source 56 supplies an amplifier drive current 216 according to an external setting to the transistors Trl8 and Trl9 so as to satisfy the required operation speed of the differential amplifier 50.
  • the transistor Tr20 and the transistor Tr21 convert the first amplified oscillation signal 206 and the second amplified oscillation signal 208 into a first current oscillation signal 210 and a second current oscillation signal 212, respectively.
  • the constant current source 58 supplies the conversion drive current 218 to the transistor Tr20 and the transistor Tr21.
  • the transistors Tr22 to Tr27 convert the values of the first current oscillation signal 210 and the second current oscillation signal 212, respectively, and become the output current oscillation signal 214 by switching between the transistor Tr20 and the transistor Tr21.
  • the distortion component of the signal can be reduced.
  • the drive current flowing through the differential amplifier is reduced, a current signal that is less affected by noise can be output.
  • Embodiment 3 describes the configuration of an apparatus or LSI to which the high-frequency oscillation circuit according to Embodiments 1 and 2 is applied.
  • FIG. 6A shows a configuration of an optical pickup 300 in an application example of the high-frequency oscillation circuit 100 according to the third embodiment.
  • the optical pickup 300 includes a high-frequency oscillation circuit 100, a semiconductor laser chip 302, a monitoring photodiode 304, and a light receiving photodiode 308.
  • the optical pickup 300 reads or writes a signal to or from a disk serving as a recording medium in an information recording / reproducing device such as an optical disk device or a magneto-optical disk device.
  • the semiconductor laser chip 302 emits a laser beam according to a current supplied from the high-frequency oscillation circuit 100 described later.
  • the high-frequency oscillation circuit 100 controls the semiconductor laser based on a control signal indicated by a voltage from an APC (Automatic Power Control) circuit 306 described later.
  • a current signal is supplied to the one chip 302.
  • the optical system 310 irradiates a laser beam emitted from the semiconductor laser chip 302 onto a disk (not shown) of a recording medium as a light spot, and guides reflected light from the disk to a light-receiving photodiode 308 described later.
  • the light receiving photodiode 308 converts the reflected light into a current signal. Further, the current signal is converted into a voltage signal.
  • the monitoring photodiode 304 converts a part of the laser beam emitted from the semiconductor laser chip 302 into a current signal.
  • a part of the laser beam means a laser beam emitted from the side of the semiconductor laser chip 302 where the optical system 310 does not exist.
  • the APC circuit 306 outputs a control signal to the high-frequency oscillation circuit 100 based on the current signal output from the monitoring photodiode 304 so that the laser beam is always output from the semiconductor laser chip 302 at a constant power. That is, feedback control of the semiconductor laser chip 302 is performed.
  • the APC circuit 306 is provided for the following reason. It is necessary to maintain the voltage signal level output from the optical pickup 300 at a predetermined level. However, since the power of the laser beam output from the semiconductor laser chip 302 has individual differences and is sensitive to temperature change, If the same control is performed only on the laser chip 302, the power of the laser beam will not be constant, and therefore, the output level of the voltage signal cannot be kept constant.
  • high-frequency oscillation circuit 100 can increase the amplitude of output current oscillation signal 214 as described in Embodiments 1 and 2, so that semiconductor laser chip 302 can stably emit a laser beam. is there.
  • FIG. 6B shows a configuration of a frequency conversion circuit 330 in an application example of the high-frequency oscillation circuit 100 according to the third embodiment.
  • Frequency conversion circuit 330 includes high-frequency oscillation circuit 100, multiplication circuit 322, BPF (Bandpass Filter) 324, and amplifier 326.
  • the frequency conversion circuit 330 converts a signal to be transmitted into a signal for transmission in the communication device. More specifically, the radio transmitting apparatus frequency-converts a baseband signal to be transmitted or an intermediate frequency signal obtained by frequency-converting the baseband signal into a radio frequency signal.
  • Signal generation section 320 generates a signal to be transmitted as a baseband signal, The band signal is frequency-converted to an intermediate frequency.
  • the high-frequency oscillation circuit 100 inputs a voltage corresponding to a radio frequency used for transmission, and outputs a radio-frequency signal.
  • Multiplication circuit 322 converts the frequency of the intermediate frequency signal with a radio frequency signal.
  • the BPF324 reduces the effects of harmonics generated by frequency conversion.
  • the amplifier 326 amplifies the output signal of the BPF 324 to a predetermined power in order to transmit the output signal on a radio channel.
  • high-frequency oscillation circuit 100 can output a current signal having a large value according to the setting even at a high oscillation frequency, and The 330 can stably output a radio frequency signal.
  • FIG. 6C shows a configuration of PLL 340 in an application example of high-frequency oscillation circuit 100 according to the third embodiment.
  • the PLL 340 includes a high-frequency oscillation circuit 100, a phase comparator 350, a loop filter 3 52, and a frequency divider 354.
  • Phase comparator 350 compares the phase and frequency of a reference clock signal input from outside with a reference clock signal input from frequency divider 354, and outputs a DC signal proportional to the difference.
  • the loop filter 352 removes a high-frequency component of an input signal and outputs a control voltage.
  • the high-frequency oscillation circuit 100 outputs a clock signal having a frequency according to the input control voltage.
  • a clock signal having a frequency N times the frequency of the reference clock signal is output.
  • the output clock signal is frequency-divided by the frequency divider 354 into 1 / N, and input to the phase comparator 350 as a reference clock signal.
  • the high-frequency oscillation circuit that can adjust the amplitude of the output current signal and can reduce the distortion component of the signal can be applied to various devices and LSIs.
  • the present invention has been described based on the embodiments. This embodiment is an exemplification, and it is understood by those skilled in the art that various modifications can be made to the combination of each component and each processing process, and that such modifications are also within the scope of the present invention. By the way.
  • the differential amplifier 12 and the differential amplifier 50 are each configured by one differential amplifier.
  • the present invention is not limited to this, and may be configured by, for example, a plurality of differential amplifiers.
  • the first amplified oscillation signal 206 and the second amplified The amplitude of the width oscillation signal 208 can be further increased. That is, the number of differential amplifiers according to the values required for the first amplified oscillation signal 206 and the second amplified oscillation signal 208 output from the differential amplifier 12 or the differential amplifier 50 may be provided.
  • the drive circuit 16 variably outputs the magnitude of the conversion drive current 218 to be passed to the conversion circuit 14 in response to the external setting signal 220.
  • the drive circuit 52 variably outputs the magnitude of the amplifier drive current 216 to be passed to the differential amplifier 50 in response to a setting signal 220 from outside.
  • the present invention is not limited to this, and for example, a form in which both are combined may be used.
  • the driving circuit 52 variably outputs the magnitude of the conversion driving current 218 to be passed to the conversion circuit 14 in response to the external setting signal 220, while the driving circuit 52 responds to the external setting signal 220. Accordingly, the magnitude of the amplifier drive current 216 to be passed through the differential amplifier 50 is variably output. According to this modification, more detailed settings can be made. In other words, it is sufficient that the high-frequency oscillation circuit 100 is set so as to satisfy the required amplitude magnitude, distortion component, and power consumption of the output current oscillation signal 214. Industrial applicability
  • the amplitude of the oscillation signal can be variably output, and the waveform distortion characteristics can be improved.
  • FIG. 1 is a diagram showing a high-frequency oscillation circuit according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a variable current source in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a high-frequency oscillation circuit to be compared with the high-frequency oscillation circuit of FIG. 1.
  • FIGS. 4 (a) and 4 (b) are diagrams showing output waveforms of the high-frequency oscillation circuit shown in FIGS. 1 and 3;
  • FIG. 5 is a diagram showing a high-frequency oscillation circuit according to Embodiment 2; .
  • FIGS. 6 (a) to 6 (c) are diagrams showing an application example of the high-frequency oscillation circuit according to the third embodiment.

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

 発振信号のひずみ成分を低減する。発振信号生成回路10は、発振信号として、互いに差動信号の関係にある第1生成発振信号202と第2生成発振信号204を生成する。差動増幅器12は、第1生成発振信号202と第2生成発振信号204をそれぞれ差動増幅処理し、第1増幅発振信号206と第2増幅発振信号208を出力する。変換回路14は、第1増幅発振信号206と第2増幅発振信号208をシンク電流とソース電流が交互に切替えられた形の出力電流発振信号214に変換する。可変電流源32は、第1増幅発振信号206と第2増幅発振信号208の電圧を電流に変換するために、変換回路14を駆動するための変換用駆動電流218を流す。また、外部から可変電流源32に含まれた可変抵抗の値を調節して、変換用駆動電流218の大きさを調節できる。

Description

明 細 書
発振回路
技術分野
[0001] 本発明は発振回路に関する。特に所定の周波数の信号を発振する発振回路に関 する。
^景技術
[0002] 電圧制御型の発振回路は、例えば、光ピックアップや PLL (Phase Locked Loo P)に使用され、一般に印加される制御電圧に応じて発振周波数を変化させて設定し 、当該発振周波数の信号を発振出力する。従来技術における電圧制御発振器の一 例は、反転アンプ、第 1の充放電回路、第 2の充放電回路を一巡するように接続して いる。この構成において、反転アンプからの反転電圧信号の位相は、第 1の充放電 回路と第 2の充放電回路で段階的に遅れ、さらに、第 2の充放電回路の出力が再び 反転アンプに入力される。一巡した反転電圧信号の位相は当初の位相と再び同一 になるため、電圧制御発振器は以上の処理の繰返しによって継続して発振可能とな る。なお、電圧制御発振器の発振周波数は、主に第 1の充放電回路と第 2の充放電 回路における充放電電流の大きさに応じて決定され、さらに充放電電流の大きさは、 充放電電流よりも大きな電流値レベルであって、かつ制御が容易な制御電流によつ て制御される(例えば、特許文献 1参照。)。
特許文献 1:特開平 6 - 37599号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] 従来の技術においては、充放電電流が非常に小さくても、制御は制御電流によつ てなされるため、制御のための電流値レベルの安定化によって、低い発振周波数に おいても安定して発振可能である。一方、一般的に高い発振周波数を発振するため には、さらに以下の課題の検討が必要である。高い発振周波数の発振信号を発振し 、さらに当該発振信号を電界効果トランジスタ(FET : Field effect transistor)に よって電流信号に変換する (以下、当該 FETを「変換用 FET」という)場合、一般的に 変換による発振信号のひずみが生じやすくなる。また、そのひずみによって、高調波 成分が高次まで及ぶ場合、電磁妨害(EMI : Electromagnetic Interf erance)特 性が悪化する傾向にある。また、最終的に発振回路から出力される発振信号の発振 周波数を高ぐかつ当該発振信号の振幅を大きくする場合には、一般に消費電力が 高くなる。バッテリー駆動の装置等に発振回路を組み込む場合、消費電力は低いほ うが望ましいが、消費電力を低くするためには、電圧信号から電流信号への変換効 率を改善する必要がある。
[0004] 一方、発振回路を LSI (Large- Scale Integrated circuit)等に内蔵して提供す る LSIベンダにとっては、量産効果を得るために、当該 LSIは汎用的に使用できる方 が望ましい。また、 LSIを装置等に組み込むセットメーカは、装置での要求条件に応 じて出力信号の振幅の大きさを可変に設定でき、低い消費電力で動作できるような 発振回路を望む。そのために発振回路は、出力される信号の振幅、消費電力などに 対して適正な特性が要求される。さらに、セットメーカが発振回路を所定の装置内に 適用し、出力信号の振幅を大きくするように設定する場合、波形のひずみまたは EM I特性が所定の要件を満たす必要もある。
[0005] 本発明者はこうした状況を認識して、本発明をなしたものであり、その目的は発振 信号の振幅を可変に出力でき、かつ波形のひずみ特性を改善した発振回路を提供 することである。
課題を解決するための手段
[0006] 本発明のある態様は、発振回路である。この発振回路は、発振信号を差動信号とし て出力する発振信号生成回路と、発振信号生成回路から出力された差動信号を増 幅する差動増幅器と、差動増幅器によって増幅された差動信号を電圧信号力も電流 信号へ変換する変換回路と、外部から入力した設定信号に応じた大きさで、変換回 路を動作せしめる駆動電流を可変に出力する駆動回路とを含む。
[0007] 「差動増幅器」における増幅率は、回路に応じて適宜設定されればよぐ例えば、増 幅率が「1」より大きい場合、増幅率が「1」の場合、増幅率が「1」より小さい場合も含 むものとする。
駆動回路に入力した設定信号によって、駆動電流を大きくした場合、変換回路は、 変換した電流信号の振幅を大きくするよう構成されてもよい。
[0008] 以上の発振回路により、差動信号を処理対象としているため、信号に含まれたひず み成分が相殺され、信号波形のひずみ成分を低減できる。また最終的に、電圧信号 力 電流信号に変換するための駆動電流の大きさを可変にして、変換した電流信号 の振幅の大きさを調節するため、変換効率が向上し、消費電力を低くできる。
[0009] 本発明の別の態様も、発振回路である。この発振回路は、発振信号を差動信号とし て出力する発振信号生成回路と、発振信号生成回路から出力された差動信号を増 幅する差動増幅器と、差動増幅器によって増幅された差動信号を電圧信号力も電流 信号へ変換する変換回路と、外部から入力した設定信号に応じた大きさで、差動増 幅器を動作せしめる駆動電流を可変に出力する駆動回路とを含む。
[0010] 駆動回路に入力した設定信号によって、駆動電流を大きくした場合、差動増幅器 は、動作速度を高めるよう構成されてもよい。
以上の発振回路により、変換した電流信号の振幅の大きさに対する要求に応じて、 差動増幅器に流す駆動電流の大きさを調節することによって、不要に流れる電流を 小さくできるため、変換効率を高くできる。また、要求された電流信号の振幅が小さい 場合、駆動電流の調節によって、差動増幅器から出力される差動信号の振幅を小さ くするため、差動増幅器の電源とグランド間に生じ、かつ差動信号に付加される雑音 が小さくなつて、雑音の影響の小さい電流信号を出力できる。
発明の効果
[0011] 本発明によれば、発振信号の振幅を可変に出力でき、かつ波形のひずみ特性を改 善できる。
発明を実施するための最良の形態
[0012] (実施の形態 1)
実施の形態 1は、 LSIベンダが汎用性を目的として、発振信号の振幅の大きさを可 変に発振できるように製造し、またセットメーカが所定の振幅の大きさを設定して所定 の装置に組み込むことを前提にした高周波発振回路に関する。本実施の形態にお ける高周波発振回路は、印加された制御電圧に応じた発振周波数の発振信号を発 振する。また、発振信号の電圧の振幅は FETによって、後段の変換用 FETをスイツ きる程度まで増幅され(以下、増幅させるための FETを「増幅用 FET」という )、さらに増幅された発振信号は変換用 FETによって電圧信号から電流信号に変換 される。特に本実施の形態では、発振信号の発振と増幅が、差動信号にもとづくため 、信号のひずみを相殺して、信号波形のひずみ成分を低減できる。さらに、電流に変 換した発振信号の振幅の調節に、変換用 FETに流す駆動電流の大きさを直接調節 するために、変換効率が改善されて、消費電力を低減できる。
[0013] 図 1は、実施の形態 1に係る高周波発振回路 100を示す。高周波発振回路 100は 、発振信号生成回路 10、差動増幅器 12、変換回路 14、駆動回路 16を含む。また、 発振信号生成回路 10は、可変電流源 20、第 1インバータ 22、第 2インバータ 24、第 3インバータ 26、第 4インバータ 28、トランジスタ Trlからトランジスタ Trl 3を含み、差 動増幅器 12は、定電流源 30、トランジスタ Trl4からトランジスタ Trl 9を含み、変換 回路 14は、トランジスタ Tr20からトランジスタ Tr27を含み、駆動回路 16は、可変電 流源 32を含む。また信号として、発振器駆動電流 200、第 1生成発振信号 202、第 2 生成発振信号 204、第 1増幅発振信号 206、第 2増幅発振信号 208、第 1電流発振 信号 210、第 2電流発振信号 212、出力電流発振信号 214、増幅器駆動電流 216、 変換用駆動電流 218を含む。
[0014] 発振信号生成回路 10は、発振信号として、差動信号である第 1生成発振信号 202 と第 2生成発振信号 204を生成する。可変電流源 20は、印加された制御電圧に応じ て大きさが変化する電流を流す。トランジスタ Trlとトランジスタ Tr2はカレントミラー回 路を構成しているため、可変電流源 20から出力された電流の大きさに比例した発振 器駆動電流 200が流される。
[0015] トランジスタ Tr3からトランジスタ Tr8はカレントミラー回路を構成しており、さらにトラ ンジスタ Tr9からトランジスタ Trl3もカレントミラー回路を構成している。これらのカレ ントミラー回路から、発振器駆動電流 200に比例した電流が、それぞれ第 1インバー タ 22、第 2インバータ 24、第 3インバータ 26、第 4インバータ 28で構成された差動出 力型のリング発振器に流される。つまり、発振器駆動電流 200が大きくなれば、差動 出力型のリング発振器に流される電流が大きくなるため、差動出力型のリング発振器 から出力される第 1生成発振信号 202と第 2生成発振信号 204の発振周波数が高く なる。ここで、第 1生成発振信号 202や第 2生成発振信号 204は、例えば、正弦波の ように最大値と最小値を一定期間で繰返し出現させるが、これらは互いに差動信号 を構成する。なお、差動信号は、「バランス信号」とも呼ばれ、一方、グランド等の定電 位を基準にした通常の信号は、「アンバランス信号」と呼ばれる場合もある。
[0016] 差動増幅器 12は、第 1生成発振信号 202と第 2生成発振信号 204をそれぞれ差動 増幅し、第 1増幅発振信号 206と第 2増幅発振信号 208を出力する。なお、差動増 幅は、後述のトランジスタ Tr20やトランジスタ Tr21におけるドライブ能力の向上を目 的として実行される。差動増幅器 12を構成するトランジスタ Trl4からトランジスタ Trl 9は、定電流源 30からの増幅器駆動電流 216によって駆動され、第 1生成発振信号 202と第 2生成発振信号 204がトランジスタ Trl8とトランジスタ Trl9のゲート端子に それぞれ印加されて、差動増幅され、第 1生成発振信号 202や第 2生成発振信号 20 4と同様の波形を有した差動信号の第 1増幅発振信号 206や第 2増幅発振信号 208 を出力する。なお、トランジスタ Trl4からトランジスタ Trl 9が前述の増幅用 FETに相 当する。
[0017] 可変電流源 32は、第 1増幅発振信号 206と第 2増幅発振信号 208の電圧を電流 に変換するために、後述のトランジスタ Tr20とトランジスタ Tr21を駆動するための変 換用駆動電流 218を流す。また、詳細は後述するが、外部から可変電流源 32に含ま れた可変抵抗の値を調節して、変換用駆動電流 218の大きさを調節できる。
[0018] 変換回路 14は、第 1増幅発振信号 206と第 2増幅発振信号 208をシンク電流とソ ース電流が交互に切替えられた形の出力電流発振信号 214に変換する。以後、出 力電流発振信号 214は、「シンク電流」と「ソース電流」を含むものとする。トランジスタ Tr20は、ゲート端子に印加される第 1増幅発振信号 206を第 1電流発振信号 210に 変換する。ここで、トランジスタ Tr20は nチャネル型であるため、第 1増幅発振信号 20 6の値が大きくなれば、第 1電流発振信号 210の値は変換用駆動電流 218の値に近 くなる。トランジスタ Tr21は、トランジスタ Tr20と同一の動作を行レ、、第 2増幅発振信 号 208を第 2電流発振信号 212に変換する。
[0019] トランジスタ Tr22とトランジスタ Tr23はカレントミラー回路を構成しており、第 1電流 発振信号 210と比例関係を有する第 1の出力電流信号に変換する。また、 タ Tr24とトランジスタ Tr25、およびトランジスタ Tr26とトランジスタ Tr27もそれぞれ力 レントミラー回路を構成しており、第 2電流発振信号 212と比例関係を有する第 2の出 力電流信号に変換する。さらに、第 1の出力電流信号と第 2の出力電流信号は、トラ ンジスタ Tr20とトランジスタ Tr21の切替によって、前述のシンク電流とソース電流が 切替えられた出力電流発振信号 214になる。
[0020] 図 2は、可変電流源 32の構成を示す。可変電流源 32は、参照電圧源 40、ォペア ンプ 42、可変抵抗 44、トランジスタ Tr28からトランジスタ Tr30を含む。また、信号とし て、設定信号 220を含む。
可変抵抗 44は、所定の定電圧を電流に変換するための抵抗であり、その値は、外 部から入力された設定信号 220に応じて調節される。
[0021] 参照電圧源 40、オペアンプ 42、トランジスタ Tr28は、可変抵抗 44で変換された電 流の値を安定化させる。ここで、オペアンプ 42によってトランジスタ Tr28のゲート電 圧が増幅されるために、トランジスタ Tr28は、ドレイン電流特性の飽和領域で使用さ れる。
[0022] トランジスタ Tr29とトランジスタ Tr30は、カレントミラー回路を構成しており、変換用 駆動電流 218を出力する。すなわち、可変抵抗 44の値を変更すれば、変換用駆動 電流 218の値も変更される。
[0023] 以上の構成による高周波発振回路 100の動作は、以下の通りである。制御電圧を 大きくすると、可変電流源 20が流す発振器駆動電流 200も大きくなる。第 1インバー タ 22から第 4インバータ 28によって構成される差動出力型のリング発振器は、発振器 駆動電流 200が大きくなればより高い発振周波数の第 1生成発振信号 202と第 2生 成発振信号 204を出力する。差動増幅器 12は第 1生成発振信号 202と第 2生成発 振信号 204を十分大きい振幅の第 1増幅発振信号 206と第 2増幅発振信号 208にそ れぞれ増幅する。
[0024] トランジスタ T 20とトランジスタ Tr21は、第 1増幅発振信号 206と第 2増幅発振信 号 208を第 1電流発振信号 210と第 2電流発振信号 212にそれぞれ変換する。可変 電流源 32は、トランジスタ Tr20とトランジスタ Tr21に、外部から設定された変換用駆 動電流 218を流す。トランジスタ Tr22からトランジスタ Tr27は、第 1電流発振信号 21 0と第 2電流発振信号 212の値をそれぞれ変換し、さらにトランジスタ Tr20とトランジ スタ Tr21の切替によって出力電流発振信号 214になる。
[0025] 図 3は、図 1の高周波発振回路 100と特性を比較するための高周波発振回路 150 の構成を示す。高周波発振回路 150は、発振信号生成回路 110、バッファ 112、変 換回路 114を含み、発振信号生成回路 110は、可変電流源 120、第 1インバータ 12 2、第 2インバータ 124、第 3インノ ータ 126、トランジスタ Tr50からトランジスタ Tr66 を含み、バッファ 112は、第 4インバータ 128、第 5インバータ 130、第 1抵抗 132、第 2抵抗 134、第 3抵抗 136、第 4抵抗 138、トランジスタ Tr68からトランジスタ Tr74を 含み、変換回路 114は、可変電流源 140、可変電流源 142、トランジスタ Tr76、トラ ンジスタ Tr78を含む。
[0026] 発振信号生成回路 110は、高周波発振回路 100の発振信号生成回路 10に対応し 、可変電流源 120は、印加された制御電圧に応じて変化する電流を流す。トランジス タ Tr50からトランジスタ Tr58はカレントミラー回路を構成しており、さらにトランジスタ Tr60からトランジスタ Tr66もカレントミラー回路を構成している。これらのカレントミラ 一回路によって可変電流源 120の出力電流に比例した電流力 それぞれ第 1インバ ータ 122、第 2インバータ 124、第 3インバータ 126によって構成されたリング発振器 に流され、流された電流の大きさに応じた発振周波数の発振信号が出力される。な お、発振信号生成回路 10の第 1生成発振信号 202や第 2生成発振信号 204と異な つて、発振信号は差動信号でない。
[0027] バッファ 112は、高周波発振回路 100の差動増幅器 12に対応し、発振信号生成回 路 110から出力された発振信号が第 4インバータ 128および第 1抵抗 132、トランジス タ Tr68、トランジスタ Tr70、第 2抵抗 134によって、少なくとも後述のトランジスタ Tr7 6に対するドライブ能力を高める程度まで増幅される。また、第 5インバータ 130およ び第 3抵抗 136、トランジスタ Tr72、トランジスタ Tr74、第 4抵抗 138も同一の動作を 行う。
[0028] 変換回路 114は、高周波発振回路 100の変換回路 14に対応し、バッファ 112で増 幅された発振信号を電圧信号から電流信号に変換する。ここで、トランジスタ Tr76は pチャネル型であり、トランジスタ Tr78は nチャネル型であるため、それらはゲートに入 力される発振信号によって交互にオンし、その結果、シンク電流とソース電流が切替 えられる発振信号が最終的に出力される。
[0029] 図 4 (a)— (b)は、実験結果にもとづいた図 1の高周波発振回路 100および図 3の高 周波発振回路 150の出力波形をそれぞれ示す図である。図 4 (a)は、図 1の高周波 発振回路 100の出力電流発振信号 214であり、発振周波数 344. 98MHz、振幅 42 . 2mAであり、信号のひずみ成分の少ない波形となっている。一方、図 4 (b)は、図 2 の高周波発振回路 150の出力であり、発振周波数 283. 02MHz,振幅 40. 0mAの 図 4 (a)と同等の値になっているが、図 4 (a)と比較して、ひずみ成分を多く含んだ波 形となっている。この波形のひずみは、トランジスタ Tr76、トランジスタ Tr78の切替タ イミングの誤差が影響を及ぼしているためや、高周波発振回路 150に含まれたリング 発振器の発振信号が矩形波に近くなつて、発振信号に多くの高周波成分が含まれ ているために生じる。同程度の発振周波数の図 4 (a)と(b)を比較すると、図 4 (b)の 信号波形にはひずみ成分が多く含まれ、信号の高調波成分が多く含まれる傾向にあ る。そのため、高周波発振回路 150の EMI特性は、高周波発振回路 100よりも低下 する。一方、図 1の高周波発振回路 100で伝送している差動信号間においては、信 号のひずみ成分が相殺されてるため、信号に含まれたひずみ成分も低下する。
[0030] 本実施の形態によれば、発振信号の生成および増幅が差動信号にもとづくため、 出力される電流信号に含まれたひずみ成分を小さくできる。また、信号のひずみが小 さくなると高周波発振回路を組み込んだ装置を安定に動作できる。また、最終的に電 圧信号から電流信号に変換される段階で流される駆動電流の大きさを調節して、出 力される電流信号の振幅を調節するため、回路の動作効率が高くなり、消費電力が 小さくなる。
[0031] (実施の形態 2)
実施の形態 2は、実施の形態 1と同様の構成を有した高周波発振回路に関し、実 施の形態 1では、変換用 FETに流す駆動電流の大きさが外部からの設定信号によつ て可変に調節されていたが、実施の形態 2では、増幅用 FETに流す駆動電流の大き さが外部からの設定信号によって可変に調節される。本実施の形態に係る高周波発 振回路は、差動増幅器に含まれた増幅用 FETに流す駆動電流の大きさの調節によ つて、交換用 FETをスイッチングするための電圧信号の振幅を変化させて、最終的 に出力する電流信号の振幅を変化させる。また、駆動電流を小さくすれば、差動増 幅器から出力される差動信号の振幅が小さくなるため、差動増幅器の電源とグランド 間に生じ、かつ差動信号に付加される雑音が小さくなる。
[0032] 図 5は、実施の形態 2に係る高周波発振回路 100の構成を示す。図 5の高周波発 振回路 100に含まれた差動増幅器 50、駆動回路 52、変換回路 54が、図 1の高周波 発振回路 100に含まれた差動増幅器 12、変換回路 14、駆動回路 16と異なる。差動 増幅器 50は、差動増幅器 12から定電流源 30が除かれており、変換回路 54は、変 換回路 14に定電流源 58が加えれらており、新たに追加された駆動回路 52は、可変 電流源 56を含む。
[0033] 可変電流源 56は、図 1の定電流源 30と同様に差動増幅器 50に増幅器駆動電流 2 16を流す。ここで可変電流源 56は、図 2の可変電流源 32と同様の構成を有し、内部 に含まれた図示しない可変抵抗 44の値を外部からの図示しない設定信号 220によ つて調節して、増幅器駆動電流 216の大きさを調節できる。
[0034] 変換回路 54は、第 1増幅発振信号 206と第 2増幅発振信号 208をシンク電流とソ ース電流が切替えられた出力電流発振信号 214に変換するが、電圧信号から電流 信号への変換に使用のトランジスタ Tr20とトランジスタ Tr21に流される変換用駆動 電流 218の大きさは、定電流源 58にもとづくため、固定される。
[0035] 図 5では、出力電流発振信号 214の振幅の大きさを調節するために、トランジスタ T r20とトランジスタ Tr21に流すべき変換用駆動電流 218の大きさを直接調整するの ではなぐ差動増幅器 50に流すべき増幅器駆動電流 216の大きさを外部からの設 定信号にもとづいて調節し、出力電流発振信号 214の振幅の大きさを調節する。以 上の構成によって、増幅器駆動電流 216の大きさを必要な程度まで小さくできるため 、差動増幅器 50と駆動回路 52の電源とグランド間で生じ、かつ第 1増幅発振信号 20 6と第 2増幅発振信号 208に付加され雑音を低減でき、雑音の影響の小さい出力電 流発振信号 214を出力できる。
[0036] 以上の構成による高周波発振回路 100の動作は、以下の通りである。制御電圧を 大きくすると、可変電流源 20が流す発振器駆動電流 200も大きくなる。第 1インバー タ 22から第 4インバータ 28によって構成される差動出力型のリング発振器は、発振器 駆動電流 200が大きくなればより高い発振周波数の第 1生成発振信号 202と第 2生 成発振信号 204を出力する。差動増幅器 50は第 1生成発振信号 202と第 2生成発 振信号 204を十分大きい振幅の第 1増幅発振信号 206と第 2増幅発振信号 208にそ れぞれ増幅する。
[0037] 可変電流源 56は、トランジスタ Trl8とトランジスタ Trl9に、要求される差動増幅器 50の動作速度を満足するように、外部設定に応じた増幅器駆動電流 216を流す。ト ランジスタ Tr20とトランジスタ Tr21は、第 1増幅発振信号 206と第 2増幅発振信号 2 08をそれぞれ第 1電流発振信号 210と第 2電流発振信号 212に変換する。定電流 源 58は、トランジスタ Tr20とトランジスタ Tr21に変換用駆動電流 218を流す。トラン ジスタ Tr22からトランジスタ Tr27は、第 1電流発振信号 210と第 2電流発振信号 21 2の値をそれぞれ変換し、さらにトランジスタ Tr20とトランジスタ Tr21の切替によって 出力電流発振信号 214になる。
[0038] 本実施の形態によれば、発振信号の生成および増幅が差動信号にもとづくため、 信号のひずみ成分を低減できる。また、差動増幅器に流す駆動電流を小さくすれば 、雑音の影響の小さい電流信号を出力できる。
[0039] (実施の形態 3)
実施の形態 3は、実施の形態 1や 2における高周波発振回路を適用した装置あるい は LSIの構成について説明する。
[0040] 図 6 (a)は、実施の形態 3に係る高周波発振回路 100の適用例のうち、光ピックアツ プ 300の構成を示す。光ピックアップ 300は、高周波発振回路 100、半導体レーザチ ップ 302、モニタ用フォトダイオード 304、受光用フォトダイオード 308を含む。光ピッ クァップ 300は、光ディスク装置あるいは光磁気ディスク装置などの情報記録再生装 置において、記録媒体であるディスクに対して信号の読み出しあるいは書き込みを行 う。
[0041] 半導体レーザチップ 302は、後述の高周波発振回路 100から供給される電流に応 じてレーザビームを出射する。高周波発振回路 100は、後述の APC (Automatic Power Control)回路 306からの電圧で示された制御信号にもとづいて半導体レ 一ザチップ 302に電流信号を供給する。
[0042] 光学系 310は、半導体レーザチップ 302から出射されるレーザビームを図示しない 記録媒体のディスクに光スポットとして照射し、また、ディスクからの反射光を後述の 受光用フォトダイオード 308へ導く。
[0043] 受光用フォトダイオード 308は、反射光を電流信号に変換する。さらに当該電流信 号は電圧信号に変換される。モニタ用フォトダイオード 304は、半導体レーザチップ 3 02から出射されるレーザビームの一部を電流信号に変換する。なお、ここでレーザビ ームの一部とは、半導体レーザチップ 302の光学系 310が存在しない側から出射さ れるレーザビームをいう。
[0044] APC回路 306は、モニタ用フォトダイオード 304が出力する電流信号にもとづいて 、半導体レーザチップ 302からレーザビームが常に一定のパワーで出力されるように 、高周波発振回路 100へ制御信号を出力する、すなわち、半導体レーザチップ 302 のフィードバック制御を行う。ここで、 APC回路 306は、以下の理由のために備えら れる。光ピックアップ 300が出力する電圧信号レベルを所定のレベルに保つ必要が あるが、半導体レーザチップ 302が出力するレーザビームのパワーは個体差があると ともに温度変化に対して敏感に反応するので、半導体レーザチップ 302に対して同 一の制御を行うだけではレーザビームのパワーが一定にならず、したがって、電圧信 号の出力レベルを一定に保つことができない。
[0045] 一方、高周波発振回路 100は、実施の形態 1や 2で記載したとおり、出力電流発振 信号 214の振幅を大きくできるため、半導体レーザチップ 302は、安定してレーザビ 一ムを出射可能である。
[0046] 図 6 (b)は、実施の形態 3に係る高周波発振回路 100の適用例のうち、周波数変換 回路 330の構成を示す。周波数変換回路 330は、高周波発振回路 100、乗算回路 322、 BPF (Bandpass Filter) 324、増幅器 326を含む。周波数変換回路 330は、 通信装置において、送信すべき信号を伝送するための信号に変換する。より具体的 には、無線送信装置において、送信すべきベースバンド信号または当該ベースバン ド信号を周波数変換した中間周波数信号を無線周波数信号に周波数変換する。
[0047] 信号生成部 320は、送信すべき信号をベースバンド信号として生成し、当該ベース バンド信号を中間周波数に周波数変換する。
高周波発振回路 100は、送信に使用する無線周波数に応じた電圧を入力し、無線 周波数の信号を出力する。
[0048] 乗算回路 322は、中間周波数の信号を無線周波数の信号によって周波数変換す る。さらに、 BPF324は周波数変換によって発生した高調波の影響を低減する。 増幅器 326は、 BPF324の出力信号を無線伝搬路において送信するために、所 定の電力まで増幅する。
[0049] ここで、高周波発振回路 100は、実施の形態 1や 2で記載したとおり、高い発振周 波数に対しても、設定に応じて大きい値の電流信号を出力可能なため、周波数変換 回路 330は、無線周波数の信号を安定して出力可能である。
[0050] 図 6 (c)は、実施の形態 3に係る高周波発振回路 100の適用例のうち、 PLL340の 構成を示す。 PLL340は、高周波発振回路 100、位相比較器 350、ループフィルタ 3 52、分周器 354を含む。
[0051] 位相比較器 350は、外部から入力される基準クロック信号と分周器 354から入力さ れる参照クロック信号との位相および周波数を比較して、その差に比例した直流信号 を出力する。ループフィルタ 352は、入力される信号の高周波成分を除去し、制御電 圧を出力する。高周波発振回路 100は、入力される制御電圧に応じた周波数のクロ ック信号を出力する。ここでは、基準クロック信号の周波数の N倍の周波数を有するク ロック信号を出力する。出力されたクロック信号は、分周器 354において 1/Nに分周 され、参照クロック信号として、位相比較器 350に入力される。
[0052] 本実施の形態によれば、出力する電流信号の振幅を調節でき、信号のひずみ成分 を低減できる高周波発振回路をさまざまな装置や LSIにおいて適用可能である。 以上、本発明を実施の形態をもとに説明した。この実施の形態は例示であり、それ らの各構成要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこと、また そうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
[0053] 実施の形態 1および 2において、差動増幅器 12と差動増幅器 50はひとつの差動増 幅器によってそれぞれ構成されている。し力、しこれに限らず例えば、複数の差動増幅 器によって構成されてもよい。この変形例によれば、第 1増幅発振信号 206と第 2増 幅発振信号 208の振幅をさらに大きくできる。つまり、差動増幅器 12または差動増幅 器 50から出力される第 1増幅発振信号 206と第 2増幅発振信号 208に要求される値 に応じた数の差動増幅器が設けられればよい。
[0054] 実施の形態 1では、駆動回路 16が、外部からの設定信号 220に応じて変換回路 1 4に流すべき変換用駆動電流 218の大きさを可変に出力し、実施の形態 2では、駆 動回路 52が、外部からの設定信号 220に応じて差動増幅器 50に流すべき増幅器 駆動電流 216の大きさを可変に出力している。し力、しこれに限らず例えば、両者を組 み合わせた形であってもよい。その場合、駆動回路 16が、外部からの設定信号 220 に応じて変換回路 14に流すべき変換用駆動電流 218の大きさを可変に出力しつつ 、駆動回路 52が、外部からの設定信号 220に応じて差動増幅器 50に流すべき増幅 器駆動電流 216の大きさを可変に出力している。本変形例によれば、さらに詳細な 設定が可能になる。つまり、高周波発振回路 100が要求される出力電流発振信号 2 14の振幅の大きさ、ひずみ成分、消費電力を満足するように設定されればよい。 産業上の利用可能性
[0055] 本発明によれば、発振信号の振幅を可変に出力でき、かつ波形のひずみ特性を改 善できる。
図面の簡単な説明
[0056] [図 1]実施の形態 1に係る高周波発振回路を示す図である。
[図 2]図 1の可変電流源の構成を示す図である。
[図 3]図 1の高周波発振回路に対する比較対象の高周波発振回路の構成を示す図 である。
[図 4]図 4 (a)— (b)は、図 1および図 3の高周波発振回路の出力波形を示す図である [図 5]実施の形態 2に係る高周波発振回路を示す図である。
[図 6]図 6 (a) - (c)は、実施の形態 3に係る高周波発振回路の適用例を示す図である 符号の説明
[0057] 10 発振信号生成回路、 12 差動増幅器、 14 変換回路、 16 駆動回路、 20 可変電流源、 22 第 1インバータ、 24 第 2インバータ、 26 第 3インバータ 、 28 第 4インバータ、 30 定電流源、 32 可変電流源、 40 参照電圧源、 4 2 オペアンプ、 44 可変抵抗、 50 差動増幅器、 52 駆動回路、 54 変換回 路、 56 可変電流源、 58 定電流源、 100 高周波発振回路、 Trl一 Tr30、 Tr50 Tr78 トランジスタ。

Claims

請求の範囲
[1] 発振信号を差動信号として出力する発振信号生成回路と、
前記発振信号生成回路から出力された差動信号を増幅する差動増幅器と、 前記差動増幅器によって増幅された差動信号を電圧信号力 電流信号へ変換す る変換回路と、
外部から入力した設定信号に応じた大きさで、前記変換回路を動作せしめる駆動 電流を可変に出力する駆動回路と、
を含むことを特徴とする発振回路。
[2] 前記駆動回路に入力した設定信号によって、前記駆動電流を大きくした場合、前 記変換回路は、前記変換した電流信号の振幅を大きくするよう構成されていることを 特徴とする請求項 1に記載の発振回路。
[3] 発振信号を差動信号として出力する発振信号生成回路と、
前記発振信号生成回路から出力された差動信号を増幅する差動増幅器と、 前記差動増幅器によって増幅された差動信号を電圧信号力 電流信号へ変換す る変換回路と、
外部から入力した設定信号に応じた大きさで、前記差動増幅器を動作せしめる駆 動電流を可変に出力する駆動回路と、
を含むことを特徴とする発振回路。
[4] 前記駆動回路に入力した設定信号によって、前記駆動電流を大きくした場合、前 記差動増幅器は、動作速度を高めるよう構成されていることを特徴とする請求項 3に 記載の発振回路。
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