JP3961458B2

JP3961458B2 - 光ディスク装置

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Publication number: JP3961458B2
Application number: JP2003189857A
Authority: JP
Inventors: 渉丸山
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2003-07-01
Filing date: 2003-07-01
Publication date: 2007-08-22
Anticipated expiration: 2023-07-01
Also published as: US20050002316A1; CN1577540A; KR20050004063A; TW200504731A; JP2005026432A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、増幅回路に関する。この発明は特に、差動増幅回路の周波数特性を改善する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＣＤ駆動装置やＤＶＤ駆動装置などの光ピックアップで発生する戻り光ノイズを低減させるために、高周波重畳モジュールを用いる方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。一般に、ＣＤやＤＶＤなどの光ディスクから情報を読み取るために光ピックアップ用レーザ発光素子が使用されており、光ディスクからの反射光により発生する戻り光ノイズは、光ピックアップの再生信号に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで、高周波重畳モジュールは、レーザ発光素子の駆動電流に高周波電流を重畳してレーザ出力を安定させる。
【０００３】
【特許文献１】
特開平５−４８１８４号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、高周波重畳モジュールによりレーザ発光素子の駆動電流に高周波電流を重畳すると、ＥＭＩ（Electromagnetic Interference：電磁妨害）ノイズが発生しやすい。従来、メイン基板に対するＥＭＩノイズの影響を低減させるため、駆動電流の経路にフェライトビーズやコンデンサを設ける必要があった。しかしながら、フェライトビーズやコンデンサを設けることは光ピックアップのサイズ増大の原因にもなっていた。
【０００５】
本発明者は以上の認識に基づき本発明をなしたもので、その目的は、レーザ駆動回路におけるＥＭＩノイズの低減と小型化を両立することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のある態様は、レーザ駆動回路である。このレーザ駆動回路は、レーザ発光素子を駆動する駆動素子と、駆動素子により生起された駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路と、を同一パッケージに内蔵する。
【０００７】
本態様では、光ピックアップ回路に含まれる高周波重畳回路を１チップで構成するとともに、レーザ発光素子を駆動する駆動素子をその高周波重畳回路と同じチップに内蔵させてレーザ駆動回路として構成する。この場合、駆動電流のラインがメイン基板まで及ばないので、ＥＭＩノイズがメイン基板まで達することがなく、フェライトビーズやコンデンサを駆動電流のラインに設ける必要がない。したがって、ＥＭＩノイズの低減と回路の小型化を両立することができる。
【０００８】
本発明の別の態様もまた、レーザ駆動回路である。このレーザ駆動回路は、光検出素子による検出結果に基づいてレーザ発光素子のレーザ光出力を一定に制御する外部の自動出力制御回路から制御信号を入力する入力端子と、制御信号に基づいて外部のレーザ発光素子を駆動する駆動素子と、駆動素子により生起された駆動電流をレーザ発光素子へ出力する出力端子と、レーザ発光素子へ出力される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路と、を有する。
【０００９】
本態様では、メイン基板などに設けられる自動出力制御回路（以下、「ＡＰＣ回路」と表記する）によって駆動素子の動作が制御されるが、駆動素子がレーザ駆動回路内に設けられるので、高周波電流の重畳によって生ずるＥＭＩノイズが自動出力制御回路を含むメイン基板まで到達しない。したがって、自動出力制御回路と駆動素子の間にフェライトビーズやコンデンサを設ける必要がなく、ＥＭＩノイズの低減と回路の小型化を両立することができる。
【００１０】
本発明のさらに別の態様もまた、レーザ駆動回路である。このレーザ駆動回路は、光検出素子による検出結果に基づいてレーザ発光素子のレーザ光出力を一定に制御する外部の自動出力制御回路から、波長の異なる複数のレーザ発光素子に対する制御信号をそれぞれ入力する複数の入力端子と、制御信号に基づいて複数のレーザ発光素子をそれぞれ駆動する複数の駆動素子と、複数の駆動素子により生起されたそれぞれの駆動電流を複数のレーザ発光素子へそれぞれ出力する複数の出力端子と、複数のレーザ発光素子へ出力されるそれぞれの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路と、を有する。
【００１１】
本態様によれば、ＣＤ用のレーザ発光素子とＤＶＤ用のレーザ発光素子を個別に駆動および制御でき、それぞれについて高周波電流の重畳により生ずるＥＭＩノイズがメイン基板まで到達しない。したがって、ＣＤおよびＤＶＤの双方に対応したレーザ駆動回路においてもＥＭＩノイズの低減と回路の小型化を両立することができる。
【００１２】
本発明のさらに別の態様は、光ピックアップ回路である。この光ピックアップ回路は、レーザ駆動回路と、レーザ駆動回路の外部に接続されて高周波電流が重畳された駆動電流により駆動されるレーザ発光素子と、を備える。
【００１３】
本態様によれば、上記他の態様と同様にレーザ発光素子の駆動電流に高周波電流を重畳することによるＥＭＩノイズがメイン基板に到達しない。したがって、ＥＭＩノイズの低減と小型化を両立できる光ピックアップ回路を実現することができる。
【００１４】
なお、以上の構成要素の任意の組合せや、本発明の構成要素や表現を方法、装置、回路などの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１においては、一対のレーザ発光素子および光検出素子を備えた光ディスク装置を提供する。この一対のレーザ発光素子および光検出素子は光ピックアップ回路内に設けられるとともに、レーザ発光素子を駆動する駆動素子は光ピックアップ回路内に搭載すべきレーザ駆動回路に内蔵させる。
【００１６】
図７は、本発明の実施の形態１に係る光ディスク装置の構成を示す。光ディスク装置６０は、メイン基板６１と光ピックアップ回路６２を備える。メイン基板６１は、ＡＰＣ回路６５を主に有する。光ピックアップ回路６２は、レーザ発光素子ＬＤ、光検出素子ＰＤ、およびレーザ駆動回路６３を主に有する。レーザ発光素子ＬＤは、電流を加えると発光する半導体レーザダイオードである。レーザ発光素子ＬＤはレーザ駆動回路６３の出力端子６８に接続され、レーザ駆動回路６３により駆動されてレーザ光を出力する。光検出素子ＰＤは、受光すると光を電気信号に変換するフォトダイオードである。光検出素子ＰＤはレーザ発光素子ＬＤから出力されたレーザ光の一部を検出して光検出信号を第１端子６９から出力する。第１端子６９から出力された光検出信号は、第１コネクタ７３を介してメイン基板６１の第２端子７０に入力される。ＡＰＣ回路６５は、光検出素子ＰＤによるレーザ光の検出結果に基づき、レーザ発光素子ＬＤのレーザ光出力を一定に制御するためのフィードバック制御をする回路である。ＡＰＣ回路６５は、第２端子７０から入力された光検出信号と参照電圧との電位差を増幅し、その出力である制御信号を第３端子７１から出力する。第３端子７１から出力された制御信号は、第２コネクタ７４を介して光ピックアップ回路６２の第４端子７２に入力される。
【００１７】
光ピックアップ回路６２の第４端子７２から入力された制御信号は、レーザ駆動回路６３へ入力端子６７を介して入力される。レーザ駆動回路６３は、レーザ発光素子ＬＤを駆動する駆動素子としてのトランジスタＴｒと、トランジスタＴｒにより生起された駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路６４とが同一パッケージに内蔵された回路である。トランジスタＴｒは、例えばｐチャネルＭＯＳトランジスタであり、そのゲートが入力端子６７に接続され、ソースが電源端子６６に接続され、ドレインが出力端子６８に接続される。電源端子６６は、電圧源Ｖ_ＤＤに接続される。入力端子６７から入力された制御信号の電圧はトランジスタＴｒのゲートに印加され、トランジスタＴｒは印加された電圧に応じてソース−ドレイン間に駆動電流を生起する。トランジスタＴｒにより生起された駆動電流は、高周波重畳回路６４により高周波電流が重畳されると、出力端子６８からレーザ発光素子ＬＤへ出力される。これにより、ＡＰＣ回路６５によるレーザ発光素子ＬＤへのフィードバック制御が実現される。
【００１８】
ここで、レーザ発光素子ＬＤを駆動するトランジスタＴｒがレーザ駆動回路６３ではなくメイン基板６１に内蔵されることを想定すると、駆動電流のラインはメイン基板６１からコネクタを介して光ピックアップ回路６２内のレーザ発光素子ＬＤへかけて形成されることとなる。その場合、高周波重畳回路６４により高周波電流が駆動電流に重畳される結果、発生するＥＭＩノイズは駆動電流のラインを通じてメイン基板６１まで波及するおそれがある。したがって、駆動電流のラインにフェライトビーズやコンデンサを設けてＥＭＩノイズを低減させる必要が生じてしまう。
【００１９】
一方、本実施の形態では、トランジスタＴｒをレーザ駆動回路６３に内蔵させることによって、メイン基板６１へのＥＭＩノイズの波及を遮断することができる。したがって、駆動電流のラインにフェライトビーズやコンデンサを設ける必要もなく、光ピックアップ回路６２の小型化を実現できる。
【００２０】
（実施の形態２）
本実施の形態における光ディスク装置は、レーザ発光素子、光検出素子、ＡＰＣ回路、および駆動素子としてのトランジスタをそれぞれ複数有する点で本発明の実施の形態１と異なる。本実施の形態では特にレーザ発光素子などの各素子または各回路をＣＤ用とＤＶＤ用とで２つずつ有する。以下、本発明の実施の形態１との相違点を中心に説明する。
【００２１】
図８は、本発明の実施の形態２に係る光ディスク装置の構成を示す。メイン基板６１は、第１ＡＰＣ回路７５および第２ＡＰＣ回路７６を主に有する。光ピックアップ回路６２は、第１レーザ発光素子ＬＤ１、第２レーザ発光素子ＬＤ２、第１光検出素子ＰＤ１、第２光検出素子ＰＤ２、およびレーザ駆動回路６３を主に有する。第１レーザ発光素子ＬＤ１および第２レーザ発光素子ＬＤ２は、互いに波長の異なる半導体レーザダイオードである。第１レーザ発光素子ＬＤ１はレーザ駆動回路６３の第１出力端子７９に接続される。第１光検出素子ＰＤ１は、第１レーザ発光素子ＬＤ１から出力されたレーザ光の一部を検出して、光検出信号を第１端子８１から出力する。第１端子８１から出力された光検出信号は、第２コネクタ８６を介してメイン基板６１の第２端子８２に入力される。第１ＡＰＣ回路７５は、第２端子８２から入力された光検出信号と参照電圧との電位差を増幅し、その出力である制御信号を第３端子８３から出力する。第３端子８３から出力された制御信号は、第１コネクタ８５を介して光ピックアップ回路６２の第４端子８４に入力される。
【００２２】
光ピックアップ回路６２の第４端子８４から入力された制御信号は、レーザ駆動回路６３へ第１入力端子７７を介して入力される。レーザ駆動回路６３は、第１レーザ発光素子ＬＤ１を駆動する第１トランジスタＴｒ１と、第２レーザ発光素子ＬＤ２を駆動する第２トランジスタＴｒ２と、高周波重畳回路６４とが同一パッケージに内蔵された回路である。第１トランジスタＴｒ１は、そのゲートが第１入力端子７７に接続され、ソースが電源端子６６に接続され、ドレインが第１出力端子７９に接続される。第１入力端子７７から入力された制御信号の電圧は第１トランジスタＴｒ１のゲートに印加され、第１トランジスタＴｒ１は印加された電圧に応じてソース−ドレイン間に駆動電流を生起する。第１トランジスタＴｒ１により生起された駆動電流は、高周波重畳回路６４により高周波電流が重畳されると、第１出力端子７９から第１レーザ発光素子ＬＤ１へ出力される。これにより、第１ＡＰＣ回路７５による第１レーザ発光素子ＬＤ１に対するフィードバック制御が実現される。
【００２３】
第２レーザ発光素子ＬＤ２はレーザ駆動回路６３の第２出力端子８０に接続される。第２光検出素子ＰＤ２は、第２レーザ発光素子ＬＤ２から出力されたレーザ光の一部を検出して、光検出信号を第５端子８７から出力する。第５端子８７から出力された光検出信号は、第４コネクタ９２を介してメイン基板６１の第６端子８８に入力される。第２ＡＰＣ回路７６は、第６端子８８から入力された光検出信号と参照電圧との電位差を増幅し、その出力である制御信号を第７端子８９から出力する。第７端子８９から出力された制御信号は、第３コネクタ９１を介して光ピックアップ回路６２の第８端子９０に入力される。
【００２４】
光ピックアップ回路６２の第８端子９０から入力された制御信号は、レーザ駆動回路６３へ第２入力端子７８を介して入力される。第２トランジスタＴｒ２は、そのゲートが第２入力端子７８に接続され、ソースが電源端子６６に接続され、ドレインが第２出力端子８０に接続される。第２入力端子７８から入力された制御信号の電圧は第２トランジスタＴｒ２のゲートに印加され、第２トランジスタＴｒ２は印加された電圧に応じてソース−ドレイン間に駆動電流を生起する。第２トランジスタＴｒ２により生起された駆動電流は、高周波重畳回路６４により高周波電流が重畳されると、第２出力端子８０から第２レーザ発光素子ＬＤ２へ出力される。高周波重畳回路６４が高周波電流を重畳する対象となる駆動電流は、第１トランジスタＴｒ１により生起された駆動電流と、第２トランジスタＴｒ２により生起された駆動電流のうちいずれかがスイッチＳＷの切替によって選択される。
【００２５】
本実施の形態においても、本発明の実施の形態１と同様に、第１トランジスタＴｒ１および第２トランジスタＴｒ２をレーザ駆動回路６３へ内蔵させる。これにより、ＥＭＩノイズのメイン基板６１への波及を遮断でき、フェライトビーズやコンデンサの設置を不要にして光ピックアップ回路６２の小型化を実現することができる。
【００２６】
（実施の形態３〜５）
本発明の実施の形態１、２における高周波重畳回路６４および光ピックアップ回路６２は、以下の実施の形態３〜５の通り実施してもよい。
【００２７】
（実施の形態３〜５の前提）
従来の電圧制御型の発振回路は、例えば、光ピックアップやＰＬＬ（Phase Locked Loop）に使用され、一般に印加される制御電圧に応じて発振周波数を変化させて設定し、当該発振周波数の信号を発振出力する。従来技術における電圧制御発振器の一例は、反転アンプ、第１の充放電回路、第２の充放電回路を一巡するように接続している。この構成において、反転アンプからの反転電圧信号の位相は、第１の充放電回路と第２の充放電回路で段階的に遅れ、さらに、第２の充放電回路の出力が再び反転アンプに入力される。一巡した反転電圧信号の位相は当初の位相と再び同一になるため、電圧制御発振器は以上の処理の繰返しによって継続して発振可能となる。なお、電圧制御発振器の発振周波数は、主に第１の充放電回路と第２の充放電回路における充放電電流の大きさに応じて決定され、さらに充放電電流の大きさは、充放電電流よりも大きな電流値レベルであって、かつ制御が容易な制御電流によって制御される。
【００２８】
従来の技術においては、充放電電流が非常に小さくても、制御は制御電流によってなされるため、制御のための電流値レベルの安定化によって、低い発振周波数においても安定して発振可能である。一方、一般的に高い発振周波数を発振するためには、さらに以下の課題の検討が必要である。高い発振周波数の発振信号を発振し、さらに当該発振信号を電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field effect transistor）によって電流信号に変換する（以下、当該ＦＥＴを「変換用ＦＥＴ」という）場合、一般的に変換による発振信号のひずみが生じやすくなる。また、そのひずみによって、高調波成分が高次まで及ぶ場合、電磁妨害（ＥＭＩ：Electromagnetic Interferance）特性が悪化する傾向にある。また、最終的に発振回路から出力される発振信号の発振周波数を高く、かつ当該発振信号の振幅を大きくする場合には、一般に消費電力が高くなる。バッテリー駆動の装置等に発振回路を組み込む場合、消費電力は低いほうが望ましいが、消費電力を低くするためには、電圧信号から電流信号への変換効率を改善する必要がある。
【００２９】
一方、発振回路をＬＳＩ（Large-Scale Integrated circuit）等に内蔵して提供するＬＳＩベンダにとっては、量産効果を得るために、当該ＬＳＩは汎用的に使用できる方が望ましい。また、ＬＳＩを装置等に組み込むセットメーカは、装置での要求条件に応じて出力信号の振幅の大きさを可変に設定でき、低い消費電力で動作できるような発振回路を望む。そのために発振回路は、出力される信号の振幅、消費電力などに対して適正な特性が要求される。さらに、セットメーカが発振回路を所定の装置内に適用し、出力信号の振幅を大きくするように設定する場合、波形のひずみまたはＥＭＩ特性が所定の要件を満たす必要もある。
【００３０】
本発明の実施の形態３〜５の目的は発振信号の振幅を可変に出力でき、かつ波形のひずみ特性を改善した発振回路を提供することである。
【００３１】
実施の形態３〜５における課題を解決するための手段としてのある態様は、発振回路である。この発振回路は、発振信号を差動信号として出力する発振信号生成回路と、発振信号生成回路から出力された差動信号を増幅する差動増幅器と、差動増幅器によって増幅された差動信号を電圧信号から電流信号へ変換する変換回路と、外部から入力した設定信号に応じた大きさで、変換回路を動作せしめる駆動電流を可変に出力する駆動回路とを含む。
【００３２】
「差動増幅器」における増幅率は、回路に応じて適宜設定されればよく、例えば、増幅率が「１」より大きい場合、増幅率が「１」の場合、増幅率が「１」より小さい場合も含むものとする。
駆動回路に入力した設定信号によって、駆動電流を大きくした場合、変換回路は、変換した電流信号の振幅を大きくするよう構成されてもよい。
【００３３】
以上の発振回路により、差動信号を処理対象としているため、信号に含まれたひずみ成分が相殺され、信号波形のひずみ成分を低減できる。また最終的に、電圧信号から電流信号に変換するための駆動電流の大きさを可変にして、変換した電流信号の振幅の大きさを調節するため、変換効率が向上し、消費電力を低くできる。
【００３４】
実施の形態３〜５における課題を解決するための手段としての別の態様も、発振回路である。この発振回路は、発振信号を差動信号として出力する発振信号生成回路と、発振信号生成回路から出力された差動信号を増幅する差動増幅器と、差動増幅器によって増幅された差動信号を電圧信号から電流信号へ変換する変換回路と、外部から入力した設定信号に応じた大きさで、差動増幅器を動作せしめる駆動電流を可変に出力する駆動回路とを含む。
【００３５】
駆動回路に入力した設定信号によって、駆動電流を大きくした場合、差動増幅器は、動作速度を高めるよう構成されてもよい。
以上の発振回路により、変換した電流信号の振幅の大きさに対する要求に応じて、差動増幅器に流す駆動電流の大きさを調節することによって、不要に流れる電流を小さくできるため、変換効率を高くできる。また、要求された電流信号の振幅が小さい場合、駆動電流の調節によって、差動増幅器から出力される差動信号の振幅を小さくするため、差動増幅器の電源とグランド間に生じ、かつ差動信号に付加される雑音が小さくなって、雑音の影響の小さい電流信号を出力できる。
【００３６】
（実施の形態３）
実施の形態３は、ＬＳＩベンダが汎用性を目的として、発振信号の振幅の大きさを可変に発振できるように製造し、またセットメーカが所定の振幅の大きさを設定して所定の装置に組み込むことを前提にした高周波発振回路に関する。本実施の形態における高周波発振回路は、印加された制御電圧に応じた発振周波数の発振信号を発振する。また、発振信号の電圧の振幅はＦＥＴによって、後段の変換用ＦＥＴをスイッチングできる程度まで増幅され（以下、増幅させるためのＦＥＴを「増幅用ＦＥＴ」という）、さらに増幅された発振信号は変換用ＦＥＴによって電圧信号から電流信号に変換される。特に本実施の形態では、発振信号の発振と増幅が、差動信号にもとづくため、信号のひずみを相殺して、信号波形のひずみ成分を低減できる。さらに、電流に変換した発振信号の振幅の調節に、変換用ＦＥＴに流す駆動電流の大きさを直接調節するために、変換効率が改善されて、消費電力を低減できる。
【００３７】
図１は、実施の形態３に係る高周波発振回路１００を示す。高周波発振回路１００は、発振信号生成回路１０、差動増幅器１２、変換回路１４、駆動回路１６を含む。また、発振信号生成回路１０は、可変電流源２０、第１インバータ２２、第２インバータ２４、第３インバータ２６、第４インバータ２８、トランジスタＴｒ１からトランジスタＴｒ１３を含み、差動増幅器１２は、定電流源３０、トランジスタＴｒ１４からトランジスタＴｒ１９を含み、変換回路１４は、トランジスタＴｒ２０からトランジスタＴｒ２７を含み、駆動回路１６は、可変電流源３２を含む。また信号として、発振器駆動電流２００、第１生成発振信号２０２、第２生成発振信号２０４、第１増幅発振信号２０６、第２増幅発振信号２０８、第１電流発振信号２１０、第２電流発振信号２１２、出力電流発振信号２１４、増幅器駆動電流２１６、変換用駆動電流２１８を含む。
【００３８】
発振信号生成回路１０は、発振信号として、差動信号である第１生成発振信号２０２と第２生成発振信号２０４を生成する。可変電流源２０は、印加された制御電圧に応じて大きさが変化する電流を流す。トランジスタＴｒ１とトランジスタＴｒ２はカレントミラー回路を構成しているため、可変電流源２０から出力された電流の大きさに比例した発振器駆動電流２００が流される。
【００３９】
トランジスタＴｒ３からトランジスタＴｒ８はカレントミラー回路を構成しており、さらにトランジスタＴｒ９からトランジスタＴｒ１３もカレントミラー回路を構成している。これらのカレントミラー回路から、発振器駆動電流２００に比例した電流が、それぞれ第１インバータ２２、第２インバータ２４、第３インバータ２６、第４インバータ２８で構成された差動出力型のリング発振器に流される。つまり、発振器駆動電流２００が大きくなれば、差動出力型のリング発振器に流される電流が大きくなるため、差動出力型のリング発振器から出力される第１生成発振信号２０２と第２生成発振信号２０４の発振周波数が高くなる。ここで、第１生成発振信号２０２や第２生成発振信号２０４は、例えば、正弦波のように最大値と最小値を一定期間で繰返し出現させるが、これらは互いに差動信号を構成する。なお、差動信号は、「バランス信号」とも呼ばれ、一方、グランド等の定電位を基準にした通常の信号は、「アンバランス信号」と呼ばれる場合もある。
【００４０】
差動増幅器１２は、第１生成発振信号２０２と第２生成発振信号２０４をそれぞれ差動増幅し、第１増幅発振信号２０６と第２増幅発振信号２０８を出力する。なお、差動増幅は、後述のトランジスタＴｒ２０やトランジスタＴｒ２１におけるドライブ能力の向上を目的として実行される。差動増幅器１２を構成するトランジスタＴｒ１４からトランジスタＴｒ１９は、定電流源３０からの増幅器駆動電流２１６によって駆動され、第１生成発振信号２０２と第２生成発振信号２０４がトランジスタＴｒ１８とトランジスタＴｒ１９のゲート端子にそれぞれ印加されて、差動増幅され、第１生成発振信号２０２や第２生成発振信号２０４と同様の波形を有した差動信号の第１増幅発振信号２０６や第２増幅発振信号２０８を出力する。なお、トランジスタＴｒ１４からトランジスタＴｒ１９が前述の増幅用ＦＥＴに相当する。
【００４１】
可変電流源３２は、第１増幅発振信号２０６と第２増幅発振信号２０８の電圧を電流に変換するために、後述のトランジスタＴｒ２０とトランジスタＴｒ２１を駆動するための変換用駆動電流２１８を流す。また、詳細は後述するが、外部から可変電流源３２に含まれた可変抵抗の値を調節して、変換用駆動電流２１８の大きさを調節できる。
【００４２】
変換回路１４は、第１増幅発振信号２０６と第２増幅発振信号２０８をシンク電流とソース電流が交互に切替えられた形の出力電流発振信号２１４に変換する。以後、出力電流発振信号２１４は、「シンク電流」と「ソース電流」を含むものとする。トランジスタＴｒ２０は、ゲート端子に印加される第１増幅発振信号２０６を第１電流発振信号２１０に変換する。ここで、トランジスタＴｒ２０はｎチャネル型であるため、第１増幅発振信号２０６の値が大きくなれば、第１電流発振信号２１０の値は変換用駆動電流２１８の値に近くなる。トランジスタＴｒ２１は、トランジスタＴｒ２０と同一の動作を行い、第２増幅発振信号２０８を第２電流発振信号２１２に変換する。
【００４３】
トランジスタＴｒ２２とトランジスタＴｒ２３はカレントミラー回路を構成しており、第１電流発振信号２１０と比例関係を有する第１の出力電流信号に変換する。また、トランジスタＴｒ２４とトランジスタＴｒ２５、およびトランジスタＴｒ２６とトランジスタＴｒ２７もそれぞれカレントミラー回路を構成しており、第２電流発振信号２１２と比例関係を有する第２の出力電流信号に変換する。さらに、第１の出力電流信号と第２の出力電流信号は、トランジスタＴｒ２０とトランジスタＴｒ２１の切替によって、前述のシンク電流とソース電流が切替えられた出力電流発振信号２１４になる。
【００４４】
図２は、可変電流源３２の構成を示す。可変電流源３２は、参照電圧源４０、オペアンプ４２、可変抵抗４４、トランジスタＴｒ２８からトランジスタＴｒ３０を含む。また、信号として、設定信号２２０を含む。
可変抵抗４４は、所定の定電圧を電流に変換すための抵抗であり、その値は、外部から入力された設定信号２２０に応じて調節される。
【００４５】
参照電圧源４０、オペアンプ４２、トランジスタＴｒ２８は、可変抵抗４４で変換された電流の値を安定化させる。ここで、オペアンプ４２によってトランジスタＴｒ２８のゲート電圧が増幅されるために、トランジスタＴｒ２８は、ドレイン電流特性の飽和領域で使用される。
【００４６】
トランジスタＴｒ２９とトランジスタＴｒ３０は、カレントミラー回路を構成しており、変換用駆動電流２１８を出力する。すなわち、可変抵抗４４の値を変更すれば、変換用駆動電流２１８の値も変更される。
【００４７】
以上の構成による高周波発振回路１００の動作は、以下の通りである。制御電圧を大きくすると、可変電流源２０が流す発振器駆動電流２００も大きくなる。第１インバータ２２から第４インバータ２８によって構成される差動出力型のリング発振器は、発振器駆動電流２００が大きくなればより高い発振周波数の第１生成発振信号２０２と第２生成発振信号２０４を出力する。差動増幅器１２は第１生成発振信号２０２と第２生成発振信号２０４を十分大きい振幅の第１増幅発振信号２０６と第２増幅発振信号２０８にそれぞれ増幅する。
【００４８】
トランジスタＴｒ２０とトランジスタＴｒ２１は、第１増幅発振信号２０６と第２増幅発振信号２０８を第１電流発振信号２１０と第２電流発振信号２１２にそれぞれ変換する。可変電流源３２は、トランジスタＴｒ２０とトランジスタＴｒ２１に、外部から設定された変換用駆動電流２１８を流す。トランジスタＴｒ２２からトランジスタＴｒ２７は、第１電流発振信号２１０と第２電流発振信号２１２の値をそれぞれ変換し、さらにトランジスタＴｒ２０とトランジスタＴｒ２１の切替によって出力電流発振信号２１４になる。
【００４９】
図３は、図１の高周波発振回路１００と特性を比較するための高周波発振回路１５０の構成を示す。高周波発振回路１５０は、発振信号生成回路１１０、バッファ１１２、変換回路１１４を含み、発振信号生成回路１１０は、可変電流源１２０、第１インバータ１２２、第２インバータ１２４、第３インバータ１２６、トランジスタＴｒ５０からトランジスタＴｒ６６を含み、バッファ１１２は、第４インバータ１２８、第５インバータ１３０、第１抵抗１３２、第２抵抗１３４、第３抵抗１３６、第４抵抗１３８、トランジスタＴｒ６８からトランジスタＴｒ７４を含み、変換回路１１４は、可変電流源１４０、可変電流源１４２、トランジスタＴｒ７６、トランジスタＴｒ７８を含む。
【００５０】
発振信号生成回路１１０は、高周波発振回路１００の発振信号生成回路１０に対応し、可変電流源１２０は、印加された制御電圧に応じて変化する電流を流す。トランジスタＴｒ５０からトランジスタＴｒ５８はカレントミラー回路を構成しており、さらにトランジスタＴｒ６０からトランジスタＴｒ６６もカレントミラー回路を構成している。これらのカレントミラー回路によって可変電流源１２０の出力電流に比例した電流が、それぞれ第１インバータ１２２、第２インバータ１２４、第３インバータ１２６によって構成されたリング発振器に流され、流された電流の大きさに応じた発振周波数の発振信号が出力される。なお、発振信号生成回路１０の第１生成発振信号２０２や第２生成発振信号２０４と異なって、発振信号は差動信号でない。
【００５１】
バッファ１１２は、高周波発振回路１００の差動増幅器１２に対応し、発振信号生成回路１１０から出力された発振信号が第４インバータ１２８および第１抵抗１３２、トランジスタＴｒ６８、トランジスタＴｒ７０、第２抵抗１３４によって、少なくとも後述のトランジスタＴｒ７６に対するドライブ能力を高める程度まで増幅される。また、第５インバータ１３０および第３抵抗１３６、トランジスタＴｒ７２、トランジスタＴｒ７４、第４抵抗１３８も同一の動作を行う。
【００５２】
変換回路１１４は、高周波発振回路１００の変換回路１４に対応し、バッファ１１２で増幅された発振信号を電圧信号から電流信号に変換する。ここで、トランジスタＴｒ７６はｐチャネル型であり、トランジスタＴｒ７８はｎチャネル型であるため、それらはゲートに入力される発振信号によって交互にオンし、その結果、シンク電流とソース電流が切替えられる発振信号が最終的に出力される。
【００５３】
図４（ａ）−（ｂ）は、実験結果にもとづいた図１の高周波発振回路１００および図３の高周波発振回路１５０の出力波形をそれぞれ示す図である。図４（ａ）は、図１の高周波発振回路１００の出力電流発振信号２１４であり、発振周波数３４４．９８ＭＨｚ、振幅４２．２ｍＡであり、信号のひずみ成分の少ない波形となっている。一方、図４（ｂ）は、図２の高周波発振回路１５０の出力であり、発振周波数２８３．０２ＭＨｚ、振幅４０．０ｍＡの図４（ａ）と同等の値になっているが、図４（ａ）と比較して、ひずみ成分を多く含んだ波形となっている。この波形のひずみは、トランジスタＴｒ７６、トランジスタＴｒ７８の切替タイミングの誤差が影響を及ぼしているためや、高周波発振回路１５０に含まれたリング発振器の発振信号が矩形波に近くなって、発振信号に多くの高周波成分が含まれているために生じる。同程度の発振周波数の図４（ａ）と（ｂ）を比較すると、図４（ｂ）の信号波形にはひずみ成分が多く含まれ、信号の高調波成分が多く含まれる傾向にある。そのため、高周波発振回路１５０のＥＭＩ特性は、高周波発振回路１００よりも低下する。一方、図１の高周波発振回路１００で伝送している差動信号間においては、信号のひずみ成分が相殺されてるため、信号に含まれたひずみ成分も低下する。
【００５４】
本実施の形態によれば、発振信号の生成および増幅が差動信号にもとづくため、出力される電流信号に含まれたひずみ成分を小さくできる。また、信号のひずみが小さくなると高周波発振回路を組み込んだ装置を安定に動作できる。また、最終的に電圧信号から電流信号に変換される段階で流される駆動電流の大きさを調節して、出力される電流信号の振幅を調節するため、回路の動作効率が高くなり、消費電力が小さくなる。
【００５５】
（実施の形態４）
実施の形態４は、実施の形態３と同様の構成を有した高周波発振回路に関し、実施の形態３では、変換用ＦＥＴに流す駆動電流の大きさが外部からの設定信号によって可変に調節されていたが、実施の形態４では、増幅用ＦＥＴに流す駆動電流の大きさが外部からの設定信号によって可変に調節される。本実施の形態に係る高周波発振回路は、差動増幅器に含まれた増幅用ＦＥＴに流す駆動電流の大きさの調節によって、交換用ＦＥＴをスイッチングするための電圧信号の振幅を変化させて、最終的に出力する電流信号の振幅を変化させる。また、駆動電流を小さくすれば、差動増幅器から出力される差動信号の振幅が小さくなるため、差動増幅器の電源とグランド間に生じ、かつ差動信号に付加される雑音が小さくなる。
【００５６】
図５は、実施の形態４に係る高周波発振回路１００の構成を示す。図５の高周波発振回路１００に含まれた差動増幅器５０、駆動回路５２、変換回路５４が、図１の高周波発振回路１００に含まれた差動増幅器１２、変換回路１４、駆動回路１６と異なる。差動増幅器５０は、差動増幅器１２から定電流源３０が除かれており、変換回路５４は、変換回路１４に定電流源５８が加えれらており、新たに追加された駆動回路５２は、可変電流源５６を含む。
【００５７】
可変電流源５６は、図１の定電流源３０と同様に差動増幅器５０に増幅器駆動電流２１６を流す。ここで可変電流源５６は、図２の可変電流源３２と同様の構成を有し、内部に含まれた図示しない可変抵抗４４の値を外部からの図示しない設定信号２２０によって調節して、増幅器駆動電流２１６の大きさを調節できる。
【００５８】
変換回路５４は、第１増幅発振信号２０６と第２増幅発振信号２０８をシンク電流とソース電流が切替えられた出力電流発振信号２１４に変換するが、電圧信号から電流信号への変換に使用のトランジスタＴｒ２０とトランジスタＴｒ２１に流される変換用駆動電流２１８の大きさは、定電流源５８にもとづくため、固定される。
【００５９】
図５では、出力電流発振信号２１４の振幅の大きさを調節するために、トランジスタＴｒ２０とトランジスタＴｒ２１に流すべき変換用駆動電流２１８の大きさを直接調整するのではなく、差動増幅器５０に流すべき増幅器駆動電流２１６の大きさを外部からの設定信号にもとづいて調節し、出力電流発振信号２１４の振幅の大きさを調節する。以上の構成によって、増幅器駆動電流２１６の大きさを必要な程度まで小さくできるため、差動増幅器５０と駆動回路５２の電源とグランド間で生じ、かつ第１増幅発振信号２０６と第２増幅発振信号２０８に付加され雑音を低減でき、雑音の影響の小さい出力電流発振信号２１４を出力できる。
【００６０】
以上の構成による高周波発振回路１００の動作は、以下の通りである。制御電圧を大きくすると、可変電流源２０が流す発振器駆動電流２００も大きくなる。第１インバータ２２から第４インバータ２８によって構成される差動出力型のリング発振器は、発振器駆動電流２００が大きくなればより高い発振周波数の第１生成発振信号２０２と第２生成発振信号２０４を出力する。差動増幅器５０は第１生成発振信号２０２と第２生成発振信号２０４を十分大きい振幅の第１増幅発振信号２０６と第２増幅発振信号２０８にそれぞれ増幅する。
【００６１】
可変電流源５６は、トランジスタＴｒ１８とトランジスタＴｒ１９に、要求される差動増幅器５０の動作速度を満足するように、外部設定に応じた増幅器駆動電流２１６を流す。トランジスタＴｒ２０とトランジスタＴｒ２１は、第１増幅発振信号２０６と第２増幅発振信号２０８をそれぞれ第１電流発振信号２１０と第２電流発振信号２１２に変換する。定電流源５８は、トランジスタＴｒ２０とトランジスタＴｒ２１に変換用駆動電流２１８を流す。トランジスタＴｒ２２からトランジスタＴｒ２７は、第１電流発振信号２１０と第２電流発振信号２１２の値をそれぞれ変換し、さらにトランジスタＴｒ２０とトランジスタＴｒ２１の切替によって出力電流発振信号２１４になる。
【００６２】
本実施の形態によれば、発振信号の生成および増幅が差動信号にもとづくため、信号のひずみ成分を低減できる。また、差動増幅器に流す駆動電流を小さくすれば、雑音の影響の小さい電流信号を出力できる。
【００６３】
（実施の形態５）
実施の形態５は、実施の形態３や４における高周波発振回路を適用した装置あるいはＬＳＩの構成について説明する。
【００６４】
図６（ａ）は、実施の形態５に係る高周波発振回路１００の適用例のうち、光ピックアップ３００の構成を示す。光ピックアップ３００は、高周波発振回路１００、半導体レーザチップ３０２、モニタ用フォトダイオード３０４、受光用フォトダイオード３０８を含む。光ピックアップ３００は、光ディスク装置あるいは光磁気ディスク装置などの情報記録再生装置において、記録媒体であるディスクに対して信号の読み出しあるいは書き込みを行う。
【００６５】
半導体レーザチップ３０２は、後述の高周波発振回路１００から供給される電流に応じてレーザビームを出射する。高周波発振回路１００は、後述のＡＰＣ（Automatic Power Control）回路３０６からの電圧で示された制御信号にもとづいて半導体レーザチップ３０２に電流信号を供給する。
【００６６】
光学系３１０は、半導体レーザチップ３０２から出射されるレーザビームを図示しない記録媒体のディスクに光スポットとして照射し、また、ディスクからの反射光を後述の受光用フォトダイオード３０８へ導く。
【００６７】
受光用フォトダイオード３０８は、反射光を電流信号に変換する。さらに当該電流信号は電圧信号に変換される。モニタ用フォトダイオード３０４は、半導体レーザチップ３０２から出射されるレーザビームの一部を電流信号に変換する。なお、ここでレーザビームの一部とは、半導体レーザチップ３０２の光学系３１０が存在しない側から出射されるレーザビームをいう。
【００６８】
ＡＰＣ回路３０６は、モニタ用フォトダイオード３０４が出力する電流信号にもとづいて、半導体レーザチップ３０２からレーザビームが常に一定のパワーで出力されるように、高周波発振回路１００へ制御信号を出力する、すなわち、半導体レーザチップ３０２のフィードバック制御を行う。ここで、ＡＰＣ回路３０６は、以下の理由のために備えられる。光ピックアップ３００が出力する電圧信号レベルを所定のレベルに保つ必要があるが、半導体レーザチップ３０２が出力するレーザビームのパワーは個体差があるとともに温度変化に対して敏感に反応するので、半導体レーザチップ３０２に対して同一の制御を行うだけではレーザビームのパワーが一定にならず、したがって、電圧信号の出力レベルを一定に保つことができない。
【００６９】
一方、高周波発振回路１００は、実施の形態３や４で記載したとおり、出力電流発振信号２１４の振幅を大きくできるため、半導体レーザチップ３０２は、安定してレーザビームを出射可能である。なお、本実施の形態における各構成は、それぞれ実施の形態１、２における以下の各構成に相当する。すなわち、光ピックアップ３００は光ピックアップ回路６２に相当し、半導体レーザチップ３０２はレーザ発光素子ＬＤ、第１レーザ発光素子ＬＤ１、第２レーザ発光素子ＬＤ２に相当し、モニタ用フォトダイオード３０４は光検出素子ＰＤ、第１光検出素子ＰＤ１、第２光検出素子ＰＤ２に相当する。同様に、ＡＰＣ回路３０６はＡＰＣ回路６５、第１ＡＰＣ回路７５、第２ＡＰＣ回路７６に相当し、高周波発振回路１００は高周波重畳回路６４に相当する。
【００７０】
図６（ｂ）は、実施の形態５に係る高周波発振回路１００の適用例のうち、周波数変換回路３３０の構成を示す。周波数変換回路３３０は、高周波発振回路１００、乗算回路３２２、ＢＰＦ（Bandpass Filter）３２４、増幅器３２６を含む。周波数変換回路３３０は、通信装置において、送信すべき信号を伝送するための信号に変換する。より具体的には、無線送信装置において、送信すべきベースバンド信号または当該ベースバンド信号を周波数変換した中間周波数信号を無線周波数信号に周波数変換する。
【００７１】
信号生成部３２０は、送信すべき信号をベースバンド信号として生成し、当該ベースバンド信号を中間周波数に周波数変換する。
高周波発振回路１００は、送信に使用する無線周波数に応じた電圧を入力し、無線周波数の信号を出力する。
【００７２】
乗算回路３２２は、中間周波数の信号を無線周波数の信号によって周波数変換する。さらに、ＢＰＦ３２４は周波数変換によって発生した高調波の影響を低減する。
増幅器３２６は、ＢＰＦ３２４の出力信号を無線伝搬路において送信するために、所定の電力まで増幅する。
【００７３】
ここで、高周波発振回路１００は、実施の形態３や４で記載したとおり、高い発振周波数に対しても、設定に応じて大きい値の電流信号を出力可能なため、周波数変換回路３３０は、無線周波数の信号を安定して出力可能である。
【００７４】
図６（ｃ）は、実施の形態５に係る高周波発振回路１００の適用例のうち、ＰＬＬ３４０の構成を示す。ＰＬＬ３４０は、高周波発振回路１００、位相比較器３５０、ループフィルタ３５２、分周器３５４を含む。
【００７５】
位相比較器３５０は、外部から入力される基準クロック信号と分周器３５４から入力される参照クロック信号との位相および周波数を比較して、その差に比例した直流信号を出力する。ループフィルタ３５２は、入力される信号の高周波成分を除去し、制御電圧を出力する。高周波発振回路１００は、入力される制御電圧に応じた周波数のクロック信号を出力する。ここでは、基準クロック信号の周波数のＮ倍の周波数を有するクロック信号を出力する。出力されたクロック信号は、分周器３５４において１／Ｎに分周され、参照クロック信号として、位相比較器３５０に入力される。
【００７６】
本実施の形態によれば、出力する電流信号の振幅を調節でき、信号のひずみ成分を低減できる高周波発振回路をさまざまな装置やＬＳＩにおいて適用可能である。
【００７７】
実施の形態３および４において、差動増幅器１２と差動増幅器５０はひとつの差動増幅器によってそれぞれ構成されている。しかしこれに限らず例えば、複数の差動増幅器によって構成されてもよい。この変形例によれば、第１増幅発振信号２０６と第２増幅発振信号２０８の振幅をさらに大きくできる。つまり、差動増幅器１２または差動増幅器５０から出力される第１増幅発振信号２０６と第２増幅発振信号２０８に要求される値に応じた数の差動増幅器が設けられればよい。
【００７８】
実施の形態３では、駆動回路１６が、外部からの設定信号２２０に応じて変換回路１４に流すべき変換用駆動電流２１８の大きさを可変に出力し、実施の形態４では、駆動回路５２が、外部からの設定信号２２０に応じて差動増幅器５０に流すべき増幅器駆動電流２１６の大きさを可変に出力している。しかしこれに限らず例えば、両者を組み合わせた形であってもよい。その場合、駆動回路１６が、外部からの設定信号２２０に応じて変換回路１４に流すべき変換用駆動電流２１８の大きさを可変に出力しつつ、駆動回路５２が、外部からの設定信号２２０に応じて差動増幅器５０に流すべき増幅器駆動電流２１６の大きさを可変に出力している。本変形例によれば、さらに詳細な設定が可能になる。つまり、高周波発振回路１００が要求される出力電流発振信号２１４の振幅の大きさ、ひずみ成分、消費電力を満足するように設定されればよい。
【００７９】
（実施の形態３〜５の効果）
実施の形態３〜５によれば、発振信号の振幅を可変に出力でき、かつ波形のひずみ特性を改善できる。
【００８０】
以上、本発明を実施の形態をもとに説明した。各実施の形態は例示であり、その各構成要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。以下、変形例を挙げる。
【００８１】
本発明の実施の形態１、２においては、光検出素子ＰＤ、第１光検出素子ＰＤ１、第２光検出素子ＰＤ２を光ピックアップ回路６２に内蔵させた。変形例においては、これら各光検出素子を光ピックアップ回路６２ではなくメイン基板６１に設けてもよい。また、本発明の実施の形態１、２においては、ＡＰＣ回路６５、第１ＡＰＣ回路７５、第２ＡＰＣ回路７６をメイン基板６１に設けた。変形例においては、これら各ＡＰＣ回路を光ピックアップ回路６２に内蔵させてもよい。
【００８２】
実施の形態３〜５を特許請求の範囲の形式で以下記載する。
（１）発振信号を差動信号として出力する発振信号生成回路と、
前記発振信号生成回路から出力された差動信号を増幅する差動増幅器と、
前記差動増幅器によって増幅された差動信号を電圧信号から電流信号へ変換する変換回路と、
外部から入力した設定信号に応じた大きさで、前記変換回路を動作せしめる駆動電流を可変に出力する駆動回路と、
を含むことを特徴とする発振回路。
（２）前記駆動回路に入力した設定信号によって、前記駆動電流を大きくした場合、前記変換回路は、前記変換した電流信号の振幅を大きくするよう構成されていることを特徴とする（１）に記載の発振回路。
（３）発振信号を差動信号として出力する発振信号生成回路と、
前記発振信号生成回路から出力された差動信号を増幅する差動増幅器と、
前記差動増幅器によって増幅された差動信号を電圧信号から電流信号へ変換する変換回路と、
外部から入力した設定信号に応じた大きさで、前記差動増幅器を動作せしめる駆動電流を可変に出力する駆動回路と、
を含むことを特徴とする発振回路。
（４）前記駆動回路に入力した設定信号によって、前記駆動電流を大きくした場合、前記差動増幅器は、動作速度を高めるよう構成されていることを特徴とする請求項（３）に記載の発振回路。
【００８３】
【発明の効果】
本発明によれば、光ピックアップ回路を含む装置において、ＥＭＩノイズの低減と回路の小型化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態３に係る高周波発振回路を示す図である。
【図２】可変電流源の構成を示す図である。
【図３】図１の高周波発振回路と特性を比較するための高周波発振回路の構成を示す図である。
【図４】（ａ）−（ｂ）は、実験結果にもとづいた図１の高周波発振回路および図３の高周波発振回路の出力波形をそれぞれ示す図である。
【図５】実施の形態４に係る高周波発振回路の構成を示す図である。
【図６】実施の形態５に係る高周波発振回路の適用例のうち、光ピックアップの構成を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る光ディスク装置の構成を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る光ディスク装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
６０光ディスク装置、６１メイン基板、６２光ピックアップ回路、６３レーザ駆動回路、６４高周波重畳回路、６５ＡＰＣ回路、６６電源端子、６７入力端子、６８出力端子、７５第１ＡＰＣ回路、７６第２ＡＰＣ回路、７７第１入力端子、７８第２入力端子、７９第１出力端子、８０第２出力端子、ＬＤ１第１レーザ発光素子、ＬＤ２第２レーザ発光素子、ＰＤ１第１光検出素子、ＰＤ２第２光検出素子、Ｔｒトランジスタ、Ｔｒ１第１トランジスタ、Ｔｒ２第２トランジスタ。

Claims

レーザ発光素子と、
前記レーザ発光素子から出力されたレーザ光を検出し、光検出信号を出力する光検出素子と、
レーザ駆動回路と、
前記光検出素子による検出結果にもとづいて前記レーザ発光素子のレーザ光出力を一定に制御する自動出力制御回路が設けられ、駆動電流のラインが接続されるとＥＭＩノイズの影響を受けるメイン基板と、
を備え、前記レーザ駆動回路は、
前記自動出力制御回路からの制御信号が入力される入力端子と、
前記制御信号にもとづいて前記レーザ発光素子を駆動する駆動素子と、
前記駆動素子により生起された駆動電流を前記レーザ発光素子へ出力する出力端子と、
前記駆動素子により生起された駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路と、
を含み、同一チップに内蔵することを特徴とする光ディスク装置。
波長の異なる複数のレーザ発光素子と、
前記複数のレーザ発光素子から出力されたレーザ光を検出し、光検出信号を出力する複数の光検出素子と、
レーザ駆動回路と、
前記光検出素子による検出結果にもとづいて前記レーザ発光素子のレーザ光出力を一定に制御する自動出力制御回路が設けられ、駆動電流のラインが接続されるとＥＭＩノイズの影響を受けるメイン基板と、
を備え、前記レーザ駆動回路は、
前記自動出力制御回路から前記複数のレーザ発光素子に対する制御信号がそれぞれ入力される複数の入力端子と、
前記制御信号にもとづいて前記複数のレーザ発光素子をそれぞれ駆動する複数の駆動素子と、
前記複数の駆動素子により生起された駆動電流を前記複数のレーザ発光素子にそれぞれ出力する複数の出力端子と、
前記複数の駆動素子により生起されたそれぞれの駆動電流に、高周波電流を重畳する高周波重畳回路と、
を含み、同一チップに内蔵されることを特徴とする光ディスク装置。
前記高周波重畳回路は、
発振信号を差動信号として出力する発振信号生成回路と、
前記発振信号生成回路から出力された差動信号を増幅する差動増幅器と、
前記差動増幅器によって増幅された差動信号を電圧信号から電流信号へ変換する変換回路と、
外部から入力した設定信号に応じた大きさで、前記変換回路を動作せしめる駆動電流を可変に出力する駆動回路と、
を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の光ディスク装置。
前記駆動回路に入力した設定信号によって、前記駆動電流を大きくした場合、前記変換回路は、前記変換した電流信号の振幅を大きくするよう構成されていることを特徴とする請求項３に記載の光ディスク装置。