WO2004100187A1 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

電子部品及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2004100187A1
WO2004100187A1 PCT/JP2004/006276 JP2004006276W WO2004100187A1 WO 2004100187 A1 WO2004100187 A1 WO 2004100187A1 JP 2004006276 W JP2004006276 W JP 2004006276W WO 2004100187 A1 WO2004100187 A1 WO 2004100187A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
base
electronic component
conductive film
absorbing layer
shock absorbing
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/006276
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hideki Tanaka
Tomoyuki Washizaki
Kiyoshi Ikeuchi
Toshiyuki Iwao
Yasuki Nagatomo
Kesato Iiboshi
Jiro Ota
Yasuhiro Izumi
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. filed Critical Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority to JP2005506013A priority Critical patent/JP4435734B2/ja
Priority to EP04730643A priority patent/EP1622174A4/en
Priority to US10/554,699 priority patent/US7884698B2/en
Publication of WO2004100187A1 publication Critical patent/WO2004100187A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/28Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
    • H01C17/281Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/02Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
    • H01C1/032Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure plural layers surrounding the resistive element
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49107Fuse making

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component used for various electronic devices and a method for manufacturing the same.
  • FIG. (A) of FIG. 4 is a perspective view of a circuit protection element as an example of a conventional electronic component
  • (b) of FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA in (a) of FIG.
  • the circuit protection element includes a base 1, a conductive film 2, a protective film 5, and a plating layer 7.
  • the base 1 has a columnar shape such as a cylinder or a prism, and is made of any one of ceramic, glass, and a mixture of ceramic and glass having an insulating property.
  • the conductive film 2 is made of copper, silver, nickel, or the like, and is formed on the entire surface of the base 1.
  • Electrodes 6 are formed from portions of conductive film 2 located at both ends of base 1, and plating layer 7 is formed on the surface of electrodes 6.
  • the protective film 5 is made of an epoxy resin or the like, and is formed so as to cover portions of the surface of the conductive film 2 other than the portions located at both ends of the base 1.
  • the resistance value adjusting groove 3 of approximately one turn whose leading ends overlap each other is formed on the conductive film 2.
  • the region between the overlapping portions at the tip of the resistance value adjusting groove 3 becomes the narrow portion 4.
  • an electronic component having such a groove for example, there is a chip component disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-307201.
  • the conductive film 2 is a portion that exhibits an electrical function of the circuit protection element.
  • the electronic component when it is a resistor, it becomes a resistor, and when the circuit protection element shown in FIG. Fusing portion.
  • constant when the above-described overcurrent is applied, the narrow portion 4 provided in the conductive film 2 generates heat and melts, thereby cutting off the current applied to the circuit protection element.
  • a conductive film 2 is formed on the entire surface of the base 1 by a plating process.
  • the conductive films 2 located at both ends of the base 1 constitute the electrodes 6.
  • a resistance adjusting groove 3 of approximately one turn whose leading ends overlap each other is formed.
  • a narrow portion 4 is formed in a region between the overlapping portions at the tip of the resistance value adjusting groove 3.
  • a protective film 5 made of epoxy resin or the like is formed so as to cover the surface of the conductive film 2 other than the portions located at both ends of the base 1. Finally, a plating layer ⁇ is formed on the surface of the electrode 6.
  • the resistance is measured or the resistance adjusting groove 3 is formed during the manufacturing process. In order to perform these measurements, it is necessary to hold the circuit protection element, and the circuit protection element is held by pressing the check against the electrode 6 to make contact therewith.
  • the contact resistance between the chuck and the electrode 6 becomes large, the contact resistance at this portion has an adverse effect on the resistance value measurement, and the resistance value adjustment cannot be performed accurately. For this reason, the contact resistance between the chuck and the electrode 6 must be as small as possible, and in order to reduce the contact resistance between the chuck and the electrode 6, it is necessary to press the chuck against the electrode 6 with a strong force. is there.
  • the conductive film 2 is formed on the entire surface of the base 1 so that the conductive film 2 and the electrodes 6 located at both ends of the base 1 are integrally formed.
  • the conductive film 2 and the electrode 6 are formed so as to be continuous, and electrical and mechanical connection stability can be achieved.
  • the film thickness of the conductive film 2 becomes thin depending on the resistance value of the circuit protection element, and the conductive film 2 becomes thin.
  • the thickness of pole 6 is also reduced.
  • the base 1 is made of ceramic, glass, or a mixture of ceramic and glass. As a result, the mechanical shock during pressing cannot be fully absorbed, and the corners at both ends of the base 1 are chipped. Mounting circuit protection elements with missing corners on a printed circuit board or the like does not provide a stable electrical connection, so it is necessary to eliminate the circuit protection elements with missing corners. However, the production yield is reduced. Disclosure of the invention
  • An object of the present invention is that even if a chuck is pressed with strong force against electrodes located at both ends of a base to hold electronic components, corners at both ends of the base will be chipped. It is an object of the present invention to provide an electronic component capable of preventing the occurrence of the problem and improving the yield, and a method of manufacturing the same.
  • An electronic component includes: a base having insulation; a shock absorbing layer formed to cover at least a corner of both ends of the base; and at least a part of a surface of the base and A conductive film formed so as to cover the surface of the shock absorbing layer.
  • the mechanical shock can be absorbed by the shock absorbing layer, so that the electronic component is held. Therefore, even if the chuck is pressed against the electrodes located at both ends of the base with a strong force, the corners at both ends of the base are prevented from being chipped, and the yield can be improved.
  • a method of manufacturing an electronic component according to another aspect of the present invention includes: a first step of forming a shock absorbing layer so as to cover at least corners of both ends of an insulating base; and at least one surface of the base. And a second step of forming a conductive film so as to cover the portion and the surface of the shock absorbing layer.
  • the insulating base may be provided at both ends.
  • the conductive film is formed so as to cover at least a part of the surface of the base and the surface of the shock absorbing layer.
  • An impact absorbing layer can be formed between the film and the film.
  • the shock absorbing layer is formed before the conductive film is formed, the conductive film serving as a body of the electronic component is damaged during the formation of the shock absorbing layer, thereby deteriorating the characteristics of the electric component. Can be prevented beforehand.
  • FIG. 1A is a perspective view of a circuit protection element according to one embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1A.
  • FIG. 2 are manufacturing process diagrams for describing a method of manufacturing the circuit protection element shown in FIG.
  • FIG. 3 are manufacturing process diagrams for describing a method of manufacturing the circuit protection element shown in FIG.
  • FIG. 4 is a perspective view of a circuit protection element as an example of a conventional electronic component
  • (b) of FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA in (a) of FIG. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1A is a perspective view of a circuit protection element according to one embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1A.
  • a circuit protection element will be described as an example of an electronic component.
  • the electronic component to which the present invention is applied is not particularly limited to this example.
  • the present invention can be similarly applied to various chip components and the like.
  • the circuit protection device shown in FIGS. 1A and 1B includes a base 11, a shock absorbing layer 12, a conductive film 13, a protective film 17, and a plating layer 18.
  • the base 11 is made of a mixture of an insulating ceramic and glass, and has a prismatic shape and an iron array shape in which the thickness of the cross section at both ends is larger than the thickness of the cross section at the center.
  • the shock-absorbing layer 12 is made of ductile metal material, copper, and copper is electrolessly applied to the entire surface of both ends of the base 11, that is, both end surfaces of the base 11 and the side surfaces extending from both end surfaces. It is formed by sticking.
  • ductility means the property that an object is stretched without being destroyed.
  • the conductive film 13 is formed of a metal film formed by a sputtering method using titanium and copper, and is further formed of a multilayer film on which nickel, copper, and gold are sequentially deposited. 2 is formed to cover the entire surface. The part of the conductive film 13 that covers the surface of the shock absorbing layer 12 is used as the electrode 14.
  • An approximately one-turn resistance value adjusting groove 15 is formed, which overlaps at a predetermined interval.
  • a narrow portion 16 is formed in a region between the overlapping portions of the tip portions of the resistance value adjusting grooves 15, and the narrow portion 16 forms a fusing portion that functions as a fuse. Therefore, when an overcurrent exceeding a certain level is applied to the circuit protection element, the narrow portion 16 provided in the conductive film 13 generates heat and melts, thereby interrupting the current applied to the circuit protection element. .
  • the protective film 17 is made of epoxy resin or the like, and is formed so as to cover the entire surface of the central portion of the conductive film 13 to protect portions other than the conductive film 13 located on both ends of the base 11. I do.
  • the plating layer 18 includes a nickel plating layer and a tin plating layer, and is formed so as to cover a portion of the conductive film 13 that covers the surface of the shock absorbing layer 12, that is, a surface of the electrode 14. Note that in Figure 1 In (a), the protective film 17 is not shown to clearly show the resistance value adjusting groove 15 and the narrow portion 16.
  • the shock absorbing layer 12 is provided so as to cover at least a part of the corners at both ends of the base 11 made of a brittle material which is a mixture of insulating ceramic and glass.
  • the conductive film 13 is formed so as to cover the surfaces of the shock absorbing layer 12 and the base 11, and the portion of the conductive film 13 that covers the surface of the shock absorbing layer 12 is used as the electrode 14. .
  • the impact absorbing layer 12 provided between both ends of the base 11 and the electrodes 14 can absorb the mechanical shock during pressing, so that the corners at both ends of the base 11 can be absorbed. Partial loss can be prevented, and the yield can be improved.
  • the shock absorbing layer 12 is made of copper, which is a ductile metal material, the above-described mechanical shock can be reliably absorbed, and the conductive film is formed so as to cover at least the resistance adjusting groove 15. Since the protective film 17 is provided on the surface of 13, the resistance value adjusting groove 15 can also be reliably protected. Furthermore, since the plating layer 18 composed of the nickel plating layer and the tin plating layer is formed on the surface of the conductive film 13 located at both ends of the base 11, the circuit protection element can be surface-mounted. In addition, a circuit or the like on which the circuit protection element is mounted can be reduced in size and thickness.
  • the three-dimensional shape of the base 11 is not particularly limited to the above example, and other shapes than the prismatic shape, for example, a cylindrical shape, a sheet-like shape, or the like, may be used.
  • the one having the same cross-sectional thickness from one end to the other end may be used without changing the thickness of the cross-section and the thickness of the cross-section at the center.
  • the cross-sectional shape of the base 11 is not particularly limited to the above example, and various shapes such as a regular polygon, a circle, a rectangle, and an ellipse can be used.
  • the material of the base 11 is not particularly limited to the above example, and a single material such as insulating ceramic or glass may be used. Thus, the present invention can be suitably used.
  • the method of forming the shock absorbing layer 12 is not particularly limited to the above example, and various other forming methods such as a plating method, a sputtering method, and a printing method can be used. Also, the material of the shock absorbing layer 12 is not particularly limited to the above example, and a metal material having ductility such as gold, silver, platinum, nickel, chromium, palladium, or an alloy thereof can be used.
  • the portion where the shock absorbing layer 12 is formed on the base 11 is not particularly limited to the above-described example, and at least corner portions of both ends of the base 11 that are easily chipped by mechanical shock, that is, It may be provided so as to cover a portion where the end surface of the base 11 and the side surface extending from the end surface intersect (the edge portion at both ends).
  • the portion on which the conductive film 13 is formed is not particularly limited to the above-described example, and covers portions other than the electrodes 14 located at both ends of the base 11, that is, the entire surface of the central portion of the base 11. It is not necessary, and it is formed so as to cover only a part of the surface of the central part of the base 11, that is, the part where the current concentrating part serving as the fusing part for realizing the fuse function is formed, and both ends of the base 11 It may be integrally formed so as to be continuous with the electrode 14 located on the side.
  • the material and the formation method of the conductive film 13 are not particularly limited to the above examples, and only a metal film formed by sputtering a titanium and copper film may be used, or nickel, copper, Use a multilayer film formed by plating one or two selected from gold, silver, etc., or use a plating method with one or more selected from Nigel, copper, gold, silver, etc. , Or various conductive films can be used. These conductive films are used for the purpose of use of the electric component, for example, determination of a resistance value range, prevention of surface oxidation of the conductive film 13, promotion of fusing of the narrow portion 16 made of the conductive film 13, and width. It is arbitrarily selected according to various purposes such as heat storage of the heat generated in the narrow portion 16.
  • the shape of the resistance value adjusting groove 15 is not particularly limited to the above example, and various shapes can be used.
  • the conductive film 13 is formed with a groove of approximately one turn so that the tips of the resistance value adjusting grooves face each other at intervals and do not overlap with each other. Tip of value adjustment groove A region between them may be used.
  • a resistance value adjusting groove in the conductive film 13 so as to be wound around the base 11 a plurality of turns, it can be used as an electronic component such as an inductor or a resistor.
  • the method of forming the resistance value adjusting groove 15 is not particularly limited to the above example, and the cut portion is formed by providing a cutout in the conductive film 13 by a mechanical cutting method using a trimming blade or the like. A narrow portion may be formed.
  • the material of the protective film 17 is not particularly limited to the above examples, and other resins such as a phenol resin, a polyimide resin, and a silicone resin may be used. You may. Further, the position where the protective film 17 is formed is not particularly limited to the above example. It is not always necessary to cover the entire surface of the central portion of the conductive film 13, and at least the portion where the resistance value adjusting groove 15 is formed. May be provided so as to cover.
  • FIGS. 2 (a), (c) and (e) are manufacturing process diagrams for explaining a method of manufacturing the circuit protection element shown in FIG. FIGS. 2 (a), (c) and (e), and FIGS. 3 (a), (c) and (e) are perspective views showing the steps of manufacturing the circuit protection device shown in FIG. , Fig. 2 (b), (d), (f) and Fig. 3 (b), (d), (f) are (a), (c), (e) and Fig. 3 ( FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line A-A in a), (c), and (e).
  • a resist film 19 is formed on the entire surface of the base 11 made of a mixture of insulating ceramic and glass except for both ends.
  • a shock absorbing layer 12 made of copper is formed by electroless plating so as to cover all surfaces of both ends of the base 11 except for the resist film 19.
  • the shock absorbing layer 12 or the conductive film 13 is formed by electroless plating, the entire surface of the base 11 is etched in advance, and an activation treatment having a catalytic action of electroless plating is performed.
  • an activation treatment having a catalytic action of electroless plating is performed.
  • the resist film 19 is peeled from the base 11.
  • the resist film 19 and the part The impact-absorbing layer 12 that adheres separately is peeled off at the same time.
  • the impact absorbing layer 12 remains only at both ends of the base 11, and the surface of the base 11 is exposed in other portions.
  • a conductive film 13 is formed so as to cover the entire surface of the exposed portion 11 and the entire surface of the shock absorbing layer 12.
  • the conductive film 13 is formed by forming a metal film by a sputtering method using titanium and copper, and further depositing nickel, copper and gold thereon.
  • the portion of the conductive film 13 covering the surface of the shock absorbing layer 12 is defined as the electrode 14, so that the conductive film 13 and the electrodes 14 located at both ends of the base 11 are separated from each other.
  • the electrode 14 are formed integrally so that the conductive film 13 and the electrode 14 are continuous. In this case, the conductive film 13 and the electrode 14 are formed continuously, and the stability of the electrical and mechanical connection between the conductive film 13 and the electrode 14 can be improved.
  • an epoxy resin or the like is used to cover portions of the surface of the conductive film 13 other than those located at both ends of the base 11.
  • a protective film 17 is formed.
  • a plating layer 18 composed of a nickel plating layer and a tin plating layer is formed on the surface of the electrode 14.
  • the shock absorbing layer 12 can be formed between both ends of the base 11 and the electrode 14 '.
  • the shock absorbing layer 12 can be formed between both ends of the base 11 and the electrode 14 '.
  • the shock absorbing layer 12 is formed before the conductive film 13 is formed, the electric function of the element body of the electronic component, that is, the circuit protection element, is formed when the shock absorbing layer 12 is formed. It can be prevented beforehand that the conductive film 13 serving as an active portion is damaged and the characteristics of the circuit protection element are deteriorated.
  • shock absorption is performed so as to cover the entire surfaces of both ends of the base 11. Since the resist film 19 is peeled off from the base 11 after forming the layer 12, the center of the base 11, that is, the part where the shock absorbing layer 12 does not need to be provided.
  • the impact absorbing layer 12 can be prevented from protruding, and the impact absorbing layer 12 can be formed only on necessary portions with high accuracy.
  • the shock absorbing layer 12 is formed only on both ends of the base 11 by the electroless plating method, but the shock absorbing layer 12 is formed by the resist film by the sputtering method. It may be formed so as to cover the entire surface of 19 and the entire surfaces of both ends of the base 11. In this case, since the shock absorbing layer 12 formed on the resist film 19 is simultaneously removed by peeling off the resist film 19, the case where the shock absorbing layer 12 is selectively formed by electroless plating Similarly, the shock absorbing layers 12 can be formed only at both ends of the base 11. Industrial applicability
  • both ends of the base made of any of ceramic, glass, and a mixture of ceramic and glass having insulating properties are reduced.
  • a shock absorbing layer is provided so as to cover the corners, a conductive film is formed so as to cover the surface of the bracket and the surface of the base, and a portion of the conductive film covering the surface of the shock absorbing layer.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Fuses (AREA)
  • Details Of Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

絶縁性を有するセラミックとガラスの混合物からなる基台の両端部の少なくともコーナー部を覆うように衝撃吸収層が設けられ、かつこの衝撃吸収層の表面及び基台の表面を覆うように導電膜が形成されるとともに、この導電膜における衝撃吸収層の表面を覆っている部分を電極とし、さらに導電膜における電極を構成する部分以外の一部に抵抗値調整溝を設ける。

Description

明 細 書
電子部品及びその製造方法 技術分野
本発明は、 各種電子機器に用いられる電子部品及びその製造方法に関 するものである。 背景技術
従来のこの種の電子部品について、 図 4を参照しながら説明する。 図 4の (a ) は、 従来の電子部品の一例である回路保護素子の斜視図であ り、 図 4の (b ) は、 図 4の (a ) における A— A線断面図である。 図 4の (a ) 及び (b ) に示すように、 回路保護素子は、 基台 1、 導 電膜 2、 保護膜 5及びめつき層 7から構成される。 基台 1は、 円柱又は 角柱等の柱状形状をなし、 絶縁性を有するセラミック、 ガラス、 及びセ ラミックとガラスとの混合物のいずれかから構成される。 導電膜 2は、 銅、 銀、 ニッケル等から構成され、 基台 1の全表面に形成される。 導電 膜 2のうち基台 1の両端部に位置する部分から電極 6が構成され、 電極 6の表面にめっき層 7が形成される。 保護膜 5は、 エポキシ樹脂等から 構成され、 導電膜 2の表面のうち基台 1の両端部に位置する部分以外の 部分を覆うように形成される。
また、 導電膜 2の一部をレ一ザ照射等の手段で切除することにより、 先端部同士がオーバ一ラップした略 1ターンの抵抗値調整溝 3が導電膜 2上に作成される。 抵抗値調整溝 3の先端部のオーバーラップしている 部分間の領域は、 幅狭部 4となる。 このような溝を有する電子部品とし ては、 例えば、 特開平 7— 3 0 7 2 0 1号公報に開示されるチップ部品 がある。
ここで、 導電膜 2は、 回路保護素子の電気的機能を発揮する部分であ り、 例えば、 電子部品が抵抗器の場合は抵抗体となり、 図 4に示す回路 保護素子の場合はヒューズ機能を有する溶断部となる。 この場合、 一定 以上の過電流が印加されると、 導電膜 2に設けた幅狭部 4が発熱して溶 断することにより、 回路保護素子に印加される電流が遮断される。
次に、 上記の回路保護素子の製造方法について説明する。 まず、 基台 1の全表面に導電膜 2がめつき処理により形成される。 この場合、 基台 1の両端部に位置する導電膜 2が電極 6を構成する。
次に、 導電膜 2にレーザを照射して導電膜 2の一部を切除することに より、 先端部同士がオーバーラップする略 1ターンの抵抗値調整溝 3が 形成される。 このとき、 抵抗値調整溝 3の先端部のオーバーラップして いる部分間の領域に幅狭部 4が形成される。
次に、 基台 1の両端部に位置する部分以外の導電膜 2の表面を覆うよ うにエポキシ榭脂等からなる保護膜 5が形成される。 最後に、 電極 6の 表面にめっき層 Ίが形成される。
上記のようにして製造される回路保護素子では、 製造工程中に抵抗値 を測定したり、 抵抗値調整溝 3を形成したりすることが行われる。 これ らの測定等を行うためには回路保護素子を保持する必要があり、 チヤッ クを電極 6に押し当てて接触させることにより回路保護素子が保持され る。
このとき、 チャックと電極 6との間の接触抵抗が大きくなると、 この 部分の接触抵抗が抵抗値測定に悪影響を及ぼし、 抵抗値調整を正確に行 うことができなくなる。 このため、 チャックと電極 6との間の接触抵抗 はできるだけ小さくしなければならず、 チャックと電極 6との間の接触 抵抗を小さくするために、 チャックを電極 6に強い力で押し当てる必要 がある。
一方、 上記の回路保護素子においては、 基台 1の全表面に導電膜 2を 形成することにより、 導電膜 2と基台 1の両端部に位置する電極 6とを 一体に形成している。 この場合、 導電膜 2と電極 6とが連続するように 形成され、 電気的かつ機械的な接続の安定性を図ることができる。
しかしながら、 導電膜 2と電極 6とが連続するように一体に形成した 場合、 回路保護素子の抵抗値によっては導電膜 2の膜厚が薄くなり、 電 極 6の部分の厚みも薄くなる。 このとき、 チャックと電極 6との間の接 触抵抗を小さくするために、 チャックを電極 6に強い力で押し当てると、 基台 1がセラミック、 ガラス、 セラミツクとガラスの混合物のいずれか から作成されているため、 押し当て時の機械的衝撃を吸収しきれず、 基 台 1の両端部のコーナー部が欠けてしまう。 このようにコーナー部が欠 けた回路保護素子をプリント板等に実装したのでは、 電気的な接続が安 定的に得られないため、 コーナー部の欠けた回路保護素子を排除する必 要があり、 製造時の歩留まりを低下させる。 発明の開示
本発明の目的は、 電子部品を保持するために基台の両端部側に位置す る電極にチャックを強い力で押し当てたとしても、 基台の両端部のコー ナ一部が欠けてしまうことを防止して歩留まりを向上させることができ る電子部品及びその製造方法を提供することである。
本発明の一局面に従う電子部品は、 絶縁性を有する基台と、 基台の両 端部のうち少なくともコーナー部を覆うように形成された衝撃吸収層と、 基台の表面の少なくとも一部及び衝撃吸収層の表面を覆うように形成さ れた導電膜とを備えるものである。
上記の電子部品においては、 電子部品を保持するときに基台の両端部 に機械的衝撃が加えられても、 この機械的衝撃を衝撃吸収層により吸収 することができるので、 電子部品を保持するためにチヤックを基台の両 端部側に位置する電極に強い力で押し当てたとしても、 基台の両端部の コーナー部が欠けてしまうことを防止して歩留まりを向上させることが できる。
本発明の他の局面に従う電子部品の製造方法は、 絶縁性を有する基台 の両端部の少なくともコーナー部を覆うように衝撃吸収層を形成する第 1の工程と、 基台の表面の少なくとも一部及び衝撃吸収層の表面を覆う ように導'電膜を形成する第 2の工程とを備えるものである。
上記の電子部品の製造方法において、 絶縁性を有する基台の両端部の 少なくともコーナー部を覆うように衝撃吸収層を形成した後、 基台の表 面の少なくとも一部及び衝撃吸収層の表面を覆うように導電膜を形成し ているので、 基台の両端部と導電膜との間に衝撃吸収層を形成すること ができる。 この結果、 電子部品を保持するときに基台の両端部に機械的 衝撃が加えられても、 この機械的衝撃を衝撃吸収層により吸収すること ができるので、 電子部品を保持するためにチャックを基台の両端部側に 位置する電極に強い力で押し当てたとしても、 基台の両端部のコーナ一 部が欠けてしまうことを防止して歩留まりを向上させることができる。 また、 導電膜を形成する前に衝撃吸収層を形成するようにしているので、 衝撃吸収層の形成時に、 電子部品の素体となる導電膜に傷を付けて電気 部品の特性を悪化させてしまうということも未然に防止することができ る。 図面の簡単な説明
図 1の (a ) は、 本発明の一実施例の回路保護素子の斜視図であり、 図 1の (b ) は、 図 1の (a ) における A— A線断面図である。
図 2の (a ) 〜 ( f ) は、 図 1に示す回路保護素子の製造方法を説明 するための製造工程図である。
図 3の (a ) 〜 ( f ) は、 図 1に示す回路保護素子の製造方法を説明 するための製造工程図である。
図 4の (a ) は、 従来の電子部品の一例である回路保護素子の斜視図 であり、 図 4の (b ) は、 図 4の (a ) における A— A線断面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の一実施例の回路保護素子について図面を参照しながら 説明する。 図 1の (a ) は、 本発明の一実施例の回路保護素子の斜視図 であり、 図 1の (b ) は、 図 1の (a ) における A— A線断面図である。 なお、 以下の説明では、 電子部品の一例として回路保護素子について説 明するが、 本発明が適用される電子部品は、 この例に特に限定されず、 種々のチップ部品等に同様に適用することができる。
図 1の (a ) 及び (b ) に示す回路保護素子は、 基台 1 1、 衝撃吸収 層 1 2、 導電膜 1 3、 保護膜 1 7及びめつき層 1 8から構成される。 基 台 1 1は、 絶縁性を有するセラミックとガラスとの混合物からなり、 角 柱状で且つ両端部の断面の厚みが中央部の断面の厚みより大きい鉄ァレ ィ形状を有している。
衝撃吸収層 1 2は、 延性を有する金属材料である銅からなり、 基台 1 1の両端部の全表面すなわち基台 1 1の両端面及び両端面から延出する 側面に銅を無電解めつきすることにより形成される。 ここで、 延性とは、 物体が破壊されずに引き延ばされる性質を意味する。
導電膜 1 3は、 チタン及び銅を用いてスパッ夕法により金属膜を形成 し、 さらにその上にニッケル、 銅、 金を順次めつきした多層膜からなり、 基台 1 1及び衝撃吸収層 1 2の全表面を覆うように形成される。 導電膜 1 3のうち衝撃吸収層 1 2の表面を覆っている部分が電極 1 4として用 いられる。
導電膜 1 3のうち基台 1 1の両端部側に位置する部分以外の部分、 例 えば、 中央部の一部をレーザ照射等のトリミング手法を用いて螺旋状に 切除することにより、 先端部同士が所定間隔を隔ててオーバ一ラップす る略 1ターンの抵抗値調整溝 1 5が形成される。 このとき、 抵抗値調整 溝 1 5の先端部のオーバ一ラップしている部分間の領域に幅狭部 1 6が 形成され、 幅狭部 1 6は、 ヒューズとして機能する溶断部を構成する。 したがって、 一定以上の過電流が回路保護素子に印加されると、 導電膜 1 3に設けた幅狭部 1 6が発熱して溶断することにより、 回路保護素子 に印加される電流が遮断される。
保護膜 1 7は、 エポキシ樹脂等から構成され、 導電膜 1 3の中央部の 表面全体を覆うように形成され、 基台 1 1の両端部側に位置する導電膜 1 3以外の部分を保護する。 めっき層 1 8は、 ニッケルめっき層及びス ズめっき層からなり、 導電膜 1 3のうち衝撃吸収層 1 2の表面を覆う部 分すなわち電極 1 4の表面を覆うように形成される。 なお、 図 1の ( a ) では、 抵抗値調整溝 1 5及び幅狭部 1 6を明示するため、 保護膜 1 7の図示を省略している。
上記のように、 本実施例では、 絶縁性を有するセラミックとガラスと の混合物である脆性材料からなる基台 1 1の両端部の少なくともコーナ 一部を覆うように衝撃吸収層 1 2が設けられ、 衝撃吸収層 1 2及び基台 1 1の表面を覆うように導電膜 1 3が形成され、 導電膜 1 3のうち衝撃 吸収層 1 2の表面を覆っている部分が電極 1 4として用いられる。
したがって、 抵抗値測定や抵抗値調整溝 1 5の形成時に、 回路保護素 子を保持するために基台 1 1の両端部側に位置する電極 1 4にチャック を強い力で押し当てたとしても、 基台 1 1の両端部と電極 1 4との間に 設けられた衝撃吸収層 1 2により押し当て時の機械的衝撃を吸収するこ とができるので、 基台 1 1の両端部のコーナ一部が欠けてしまうことを 防止することができ、 歩留まりを向上させることができる。
また、 衝撃吸収層 1 2として延性を有する金属材料である銅を用いて いるので、 上記した機械的衝撃を確実に吸収することができるとともに、 少なくとも抵抗値調整溝 1 5を覆うように導電膜 1 3の表面に保護膜 1 7を設けているので、 抵抗値調整溝 1 5も確実に保護することができる。 さらに、 基台 1 1の両端部側に位置する導電膜 1 3の表面にニッケル めっき層及びスズめっき層からなるめっき層 1 8を形成しているので、 回路保護素子を面実装することができ、 回路保護素子が実装される回路 等を小型化及び薄型化することができる。
なお、 基台 1 1の 3次元形状は、 上記の例に特に限定されず、 角柱状 以外の他の形状、 例えば円柱状、 シート状等の形状を用いてもよく、 ま た、 両端部の断面の厚みと中央部の断面の厚みを変えずに、 一方の端部 から他方の端部まで断面の厚みが同一のものを用いてもよい。 また、 基 台 1 1の断面形状も、 上記の例に特に限定されず、 正多角形、 円形、 長 方形、 楕円形等の種々の形状を用いることができる。 さらに、 基台 1 1 の材料も、 上記の例に特に限定されず、 絶縁性を有するセラミック、 ガ ラス等の単一材料を用いてもよく、 絶縁性を有する種々の脆性材料に対 して本発明を好適に用いることができる。
衝撃吸収層 1 2の形成方法も、 上記の例に特に限定されず、 他のめつ き法、 スパッタ法、 印刷法等の種々の形成方法を用いることができる。 また、 衝撃吸収層 1 2の材料も、 上記の例に特に限定されず、 金、 銀、 白金、 ニッケル、 クロム、 パラジウム又はこれらの合金等の延性を有す る金属材料を用いることができる。 さらに、 基台 1 1に対して衝撃吸収 層 1 2を形成する部分も、 上記の例に特に限定されず、 機械的衝撃によ り欠けやすい基台 1 1の両端部の少なくともコーナー部、 すなわち基台 1 1の端面と端面から延出する側面とが交わる部分 (両端部のエッジ部 分) を覆うように設ければよい。
導電膜 1 3を形成する部分も、 上記の例に特に限定されず、 基台 1 1 の両端部側に位置する電極 1 4以外の部分、 すなわち基台 1 1の中央部 の全表面を覆う必要はなく、 基台 1 1の中央部の表面の一部、 すなわち ヒューズ機能を実現する溶断部となる電流集中部が形成される部分のみ を覆うように形成して基台 1 1の両端部側に位置する電極 1 4と連続す るように一体形成してもよい。 また、 導電膜 1 3の材料及び形成方法も, 上記の例に特に限定されず、 チタンと銅をスパッ夕法により形成した金 属膜のみを用いたり、 この金属膜の上にニッケル、 銅、 金、 銀等の中か ら選択される一又は二をめつき法により形成した多層膜を用いたり、 二 ッゲル、 銅、 金、 銀等の中から選択される一又は二以上をめつき法によ り形成した金属膜を用いたり、 種々の導電膜を用いることができる。 こ れらの導電.膜は、 電気部品の使用目的、 例えば、 抵抗値レンジの決定、 導電膜 1 3の表面酸化防止、 導電膜 1 3からなる幅狭部 1 6の溶断化促 進、 幅狭部 1 6で発生した熱の蓄熱等の種々の目的に応じて任意に選択 される。
抵抗値調整溝 1 5の形状も、 上記の例に特に限定されず、 種々の形状 を用いることができる。 例えば、 抵抗値調整溝の先端部同士が間隔をお いて対向し、 かつオーバ一ラップしないように略 1ターン弱の溝を導電 膜 1 3に形成し、 溶断部を構成する幅狭部として抵抗値調整溝の先端部 間の領域を用いてもよい。 また、 基台 1 1の周囲を複数ターン卷回する ように抵抗値調整溝を導電膜 1 3に形成することにより、 インダクタや 抵抗器等の電子部品として用いることもできる。 また、 抵抗値調整溝 1 5の形成方法も、 上記の例に特に限定されず、 トリミング刃等を用いた 機械的な切除方法により導電膜 1 3に切り欠きを設けることにより、 溶 断部を構成する幅狭部を形成してもよい。
保護膜 1 7の材料も、 上記の例に特に限定されず、 フエノール樹脂、 ポリイミド榭脂、 シリコーン樹脂等の他の樹脂を用いてもよく、 また、 エポキシ樹脂も含むこれらの変性樹脂等を用いてもよい。 また、 保護膜 1 7の形成位置も、 上記の例に特に限定されず、 導電膜 1 3の中央部の 表面全体を必ずしも覆う必要はなく、 少なくとも抵抗値調整溝 1 5が形 成された部分を覆うように設ければよい。
次に、 図 1に示す回路保護素子の製造方法についてさらに詳細に説明 する。 図 2の (a) 〜 ( f ) 及び図 3の (a) 〜 ( ί) は、 図 1に示す 回路保護素子の製造方法を説明するための製造工程図である。 なお、 図 2の (a) 、 (c) 、 (e) 、 図 3の (a) 、 (c) 、 ( e ) は、 図 1に示 す回路保護素子の各製造工程における斜視図であり、 図 2の (b) 、 (d) 、 ( f ) 及び図 3の (b) 、 (d) 、 ( f ) は、 図 2の (a) 、 (c) 、 (e ) 及び図 3 (a) 、 (c) 、 ( e ) における A— A線断面 図である。
まず、 図 2の (a) 及び (b) を参照して、 絶縁性を有するセラミツ クとガラスとの混合物からなる基台 1 1の両端部を除く全表面にレジス ト膜 1 9を形成する。 次に、 レジスト膜 1 9を除く基台 1 1の両端部の 全表面を覆うように銅からなる衝撃吸収層 1 2を無電解めつきにより形 成する。 なお、 衝撃吸収層 1 2又は導電膜 1 3を無電解めつきで形成す る場合は、 あらかじめ基台 1 1の全表面をエッチングし、 無電解めつき の触媒作用を有する活性処理を行っておくことが好ましい。
次に、 図 2の ( c ) 及び (d) に示すように、; レジスト膜 1 9を基台 1 1から剥離する。 このとき、 レジスト膜 1 9とレジスト膜 1 9上に部 分的に付着する衝撃吸収層 1 2とが同時に剥離される。 この結果'、 基台 1 1の両端部のみに衝撃吸収層 1 2が残存するとともに、 それ以外の部 分では基台 1 1の表面が露出することになる。
次に、 図 2の ( e ) 及び ( f ) に示すように、 レジスト膜 1 9とレジ スト膜 1 9上に部分的に付着する衝撃吸収層 1 2とが同時に剥離されて 露出した基台 1 1の露出部分の全表面及び衝撃吸収層 1 2の全表面を覆 うように導電膜 1 3を形成する。 導電膜 1 3は、 チタン及び銅を用いて スパッ夕法により金属膜を形成し、 さらにその上にニッケル、 銅、 金を 順次めつきして形成される。 このとき、 導電膜 1 3のうち衝撃吸収層 1 2の表面を覆っている部分を電極 1 4とすることにより、 導電膜 1 3と 基台 1 1の両端部側に位置する電極 1 4とを一体に形成して、 導電膜 1 3と電極 1 4とが連続するようにしている。 この場合、 導電膜 1 3と電 極 1 4とが連続的に形成され、 導電膜 1 3と電極 1 4との電気的かつ機 械的な接続の安定性を向上することができる。
次に、 図 3の (a ) 及び (b ) に示すように、 導電膜 1 3の一部をレ 一ザ照射により切除することによって、 先端部同士がオーバ一ラップす る略 1ターンの抵抗値調整溝 1 5を形成する。 このとき、 抵抗値調整溝 1 5の先端部のオーバ一ラップしている部分間の領域に幅狭部 1 6が形 成される。
次に、 図 3の (c ) 及び (d ) に示すように、 導電膜 1 3の表面のう ち基台 1 1の両端部に位置する部分以外の部分を覆うようにエポキシ樹 脂等からなる保護膜 1 7を形成する。 最後に、 図 3の (e ) 及び ( f ) に示すように、 電極 1 4の表面にニッケルめっき層及びスズめっき層か らなるめっき層 1 8を形成する。
上記の回路保護素子の製造方法においては、 絶縁性を有する基台 1 1 の両端部を覆うように衝撃吸収層 1 2を形成した後、 基台 1 1及び衝撃 吸収層 1 2の表面を覆うように導電膜 1 3を形成しているので、 基台 1 1の両端部と電極 1 4との間に衝撃吸収層 1 2を形成することができる' この結果、 回路保護素子を保持するときに基台 1 1の両端部に機械的衝 撃が加えられても、 この機械的衝撃を衝撃吸収層 1 2により吸収するこ とができるので、 回路保護素子を保持するためにチャックを基台 1 1の 両端部側に位置する電極 1 4に強い力で押し当てたとしても、 基台 1 1 の両端部のコーナ一部が欠けてしまうことを防止して歩留まりを向上さ せることができる。
また、 導電膜 1 3を形成する前に衝撃吸収層 1 2を形成するようにし ているので、 衝撃吸収層 1 2の形成時に、 電子部品の素体、 すなわち回 路保護素子の電気的機能を発揮する部分となる導電膜 1 3に傷を付けて 回路保護素子の特性を悪化させてしまうということも未然に防止するこ とができる。
さらに、 絶縁性を有するセラミックとガラスの混合物からなる基台 1 1の両端部を除く表面の全面にレジスト膜 1 9を形成した後に、 基台 1 1の両端部の全面を覆うように衝撃吸収層 1 2を形成し、 その後、 レジ スト膜 1 9を基台 1 1から剥離しているので、 基台 1 1の中央部、 すな わち衝撃吸収層 1 2を設ける必要がない部分に衝撃吸収層 1 2がはみ出 すことを防止することができ、 衝撃吸収層 1 2を必要な部分のみに精度 良く形成できる。
なお、 上記の回路保護素子の製造方法においては、 衝撃吸収層 1 2を 無電解めつき法により基台 1 1の両端部のみに形成したが、 衝撃吸収層 1 2はスパッ夕法によってレジスト膜 1 9の全面及び基台 1 1の両端部 の全面を覆うように形成してもよい。 この場合、 レジスト膜 1 9を剥離 することによりレジスト膜 1 9上に形成された衝撃吸収層 1 2も同時に 取り除かれるため、 衝撃吸収層 1 2を無電解めつきにより選択的に形成 する場合と同様に基台 1 1の両端部のみに衝撃吸収層 1 2を形成するこ とができる。 産業上の利用可能性
以上のように本発明によれば、 絶縁性を有するセラミック、 ガラス、 セラミックとガラスの混合物のいずれかからなる基台の両端部の少なく ともコーナー部を覆うように衝撃吸収層を設け、 かっこの衝撃吸収層の 表面及び基台の表面を覆うように導電膜を形成するとともに、 この導電 膜における衝撃吸収層の表面を覆つている部分を電極としているため、 抵抗値測定時や抵抗値調整溝の形成時に、 電子部品を保持するためにチ ャックを基台の両端部側に位置する電極に強い力で押し当てたとしても、 基台の両端部と、 導電膜の一部により基台の両端部側に構成される電極 との間の衝撃吸収層によってその機械的衝撃を吸収することができ、 基 台の両端部のコーナ一部が欠けてしまうことはなく、 これにより、 歩留 まりを向上させることができる。

Claims

請求の範囲
1 . 絶縁性を有する基台と、
前記基台の両端部の少なくともコーナー部を覆うように形成された衝 撃吸収層と、
前記基台の表面の少なくとも一部及び前記衝撃吸収層の表面を覆うよ うに形成された導電膜とを備えることを特徴とする電子部品。
2 . 前記基台は、 セラミック、 ガラス、 及びセラミックとガラスと の混合物のうちの一から構成されることを特徴とする請求項 1記載の電 子部
3 . 前記衝撃吸収層は、 延性を有する金属材料から構成されること を特徴とする請求項 1記載の電子部品。
4 . 前記衝撃吸収層は、 前記基台の両端面及び両端面から延出する 側面に形成されることを特徴とする請求項 3記載の電子部品。
5 . 前記導電膜のうち前記衝撃吸収層の表面を覆っている部分を電 極として用いることを特徴とする請求項 1記載の電子部品。
6 . 前記導電膜のうち電極を構成する部分以外の一部に形成された 抵抗値調整溝をさらに備えることを特徴とする請求項 5記載の電子部品 c
7 . 前記抵抗値調整溝の先端部間に形成される幅狭部は、 ヒューズ として機能する溶断部であることを特徴とする請求項 6記載の電子部品 (
8 . 前記電子部品は、 回路保護素子であることを特徴とする請求項. 7記載の電子部品。
2
9 . 少なくとも前記抵抗値調整溝を覆うように前記導電膜の表面に 形成された保護膜をさらに備えることを特徴とする請求項 6記載の電子 π ロロ
1 0 . 前記導電膜のうち前記基台の両端部側に位置する部分に形成さ れためつき層をさらに備えることを特徴とする請求項 1記載の電子部品 c
1 1 . 絶縁性を有する基台の両端部の少なくともコーナー部を覆う ように衝撃吸収層を形成する第 1の工程と、
前記基台の表面の少なくとも一部及び前記衝撃吸収層の表面を覆うよ うに導電膜を形成する第 2の工程とを備えることを特徴とする電子部品 の製造方法。
1 2 . 前記第 1の工程は、
前記基台の両端部を除く全表面にレジスト膜を形成する工程と、 前記基台の両端部の全面を覆うように前記衝撃吸収層を形成する工程 とを含み、
前記第 2の工程は、
前記レジスト膜を前記基台から剥離する工程と、
前記レジスト膜が剥離されて露出した前記基台の露出部分の表面の少 なくとも一部及び前記衝撃吸収層の表面を覆うように前記導電膜を形成 する工程とを含むことを特徴とする請求項 1 1記載の電子部品の製造方 法。
1 3 . 前記第 1の工程は、 セラミック、 ガラス、 及びセラミックと ガラスとの混合物のうちの一から構成される基台の両端部の少なくとも コーナー部を覆うように前記衝撃吸収層を形成する工程を含むことを特 徴とする請求項 1 1記載の電子部品の製造方法。
1 4 . 前記第 1の工程は、 前記基台の両端部の少なくともコーナー 部を覆うように、 延性を有する金属材料から構成される衝撃吸収層を形 成する工程を含むことを特徴とする請求項 1 1記載の電子部品の製造方 法。
1 5 . 前記第 1の工程は、 前記基台の両端面及び両端面から延出す る側面に前記衝撃吸収層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項 1 4記載の電子部品。
1 6 . 前記第 2の工程は、 前記衝撃吸収層の表面を覆っている部分 が電極として用いられるように前記導電膜を形成する工程を含むことを 特徴とする請求項 1 1記載の電子部品の製造方法。
1 7 . 前記導電膜のうち電極を構成する部分以外の一部に抵抗値調 整溝を形成する第 3の工程をさらに備えることを特徴とする請求項 1 6 記載の電子部品の製造方法。
1 8 . 前記第 3の工程は、 前記抵抗値調整溝の先端部間に幅狭部を 形成することによりヒューズとして機能する溶断部を作成する工程を含 むことを特徴とする請求項 1 7記載の電子部品の製造方法。
1 9 . 少なくとも前記抵抗値調整溝を覆うように前記導電膜の表面 に保護膜を形成する第 4の工程をさらに備えることを特徴とする請求項 1 7記載の電子部品の製造方法。
2 0 . 前記導電膜のうち前記基台の両端部側に位置する部分にめつ き層を形成する第 5の工程をさらに備えることを特徴とする請求項 1 9 記載の電子部品の製造方法。
PCT/JP2004/006276 2003-05-08 2004-04-30 電子部品及びその製造方法 WO2004100187A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005506013A JP4435734B2 (ja) 2003-05-08 2004-04-30 電子部品及びその製造方法
EP04730643A EP1622174A4 (en) 2003-05-08 2004-04-30 ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
US10/554,699 US7884698B2 (en) 2003-05-08 2004-04-30 Electronic component, and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003130091 2003-05-08
JP2003-130091 2003-05-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004100187A1 true WO2004100187A1 (ja) 2004-11-18

Family

ID=33432096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/006276 WO2004100187A1 (ja) 2003-05-08 2004-04-30 電子部品及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7884698B2 (ja)
EP (1) EP1622174A4 (ja)
JP (1) JP4435734B2 (ja)
CN (1) CN100562949C (ja)
WO (1) WO2004100187A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060287A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Tdk Corp 端子電極および電子部品

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5287154B2 (ja) * 2007-11-08 2013-09-11 パナソニック株式会社 回路保護素子およびその製造方法
US9190235B2 (en) * 2007-12-29 2015-11-17 Cooper Technologies Company Manufacturability of SMD and through-hole fuses using laser process
JP5163565B2 (ja) * 2009-03-19 2013-03-13 株式会社村田製作所 回転センサ
US8442490B2 (en) * 2009-11-04 2013-05-14 Jeffrey T. Haley Modify function of driver's phone during acceleration or braking
WO2012137386A1 (ja) * 2011-04-06 2012-10-11 株式会社村田製作所 積層型インダクタ素子およびその製造方法
JP6477375B2 (ja) 2015-09-14 2019-03-06 株式会社村田製作所 コイル部品

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0499502U (ja) * 1991-01-24 1992-08-27
JPH0536559A (ja) * 1991-08-01 1993-02-12 Rohm Co Ltd 外装形電子部品及びその外装形成方法
JPH10335103A (ja) 1997-06-02 1998-12-18 Taiyo Yuden Co Ltd チップ部品
JP2002246211A (ja) 2001-02-20 2002-08-30 Koa Corp チップ型ヒューズ抵抗器及びその製造方法
JP2003115403A (ja) * 2001-10-03 2003-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の製造方法

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL71719C (ja) * 1948-05-01
US3391371A (en) * 1966-07-06 1968-07-02 Erie Technological Prod Inc Overvoltage protective device
US4159458A (en) * 1977-08-01 1979-06-26 Wiebe Gerald L Encapsulated electrically conducting component with reservoir end caps
US4458294A (en) * 1982-07-28 1984-07-03 Corning Glass Works Compliant termination for ceramic chip capacitors
JP2832074B2 (ja) * 1990-06-29 1998-12-02 関西日本電気株式会社 温度ヒューズの製造方法
JP3028568B2 (ja) 1990-08-20 2000-04-04 カシオ計算機株式会社 気体タンク付靴
JPH056559A (ja) 1990-08-29 1993-01-14 Toshiba Corp 光デイスク装置
JP3112328B2 (ja) * 1992-01-29 2000-11-27 ローム株式会社 厚膜チップ抵抗器
US5166656A (en) * 1992-02-28 1992-11-24 Avx Corporation Thin film surface mount fuses
JPH0653005A (ja) * 1992-07-30 1994-02-25 Rohm Co Ltd チップ抵抗器
JPH0653003A (ja) * 1992-07-30 1994-02-25 Rohm Co Ltd チップ抵抗器
US5441783A (en) * 1992-11-17 1995-08-15 Alliedsignal Inc. Edge coating for amorphous ribbon transformer cores
JPH06295801A (ja) * 1993-02-10 1994-10-21 Rohm Co Ltd チップ抵抗器及びその製造方法
JPH06342623A (ja) * 1993-06-01 1994-12-13 S O C Kk チップヒューズ
US5680092A (en) * 1993-11-11 1997-10-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Chip resistor and method for producing the same
US5432378A (en) * 1993-12-15 1995-07-11 Cooper Industries, Inc. Subminiature surface mounted circuit protector
US5729423A (en) * 1994-01-31 1998-03-17 Applied Materials, Inc. Puncture resistant electrostatic chuck
JP3329964B2 (ja) 1994-03-18 2002-09-30 太陽誘電株式会社 チップ部品及びその製造方法
US5664320A (en) * 1994-04-13 1997-09-09 Cooper Industries Method of making a circuit protector
US5440802A (en) * 1994-09-12 1995-08-15 Cooper Industries Method of making wire element ceramic chip fuses
US5726621A (en) * 1994-09-12 1998-03-10 Cooper Industries, Inc. Ceramic chip fuses with multiple current carrying elements and a method for making the same
US5929741A (en) * 1994-11-30 1999-07-27 Hitachi Chemical Company, Ltd. Current protector
JPH09129115A (ja) * 1995-10-30 1997-05-16 Kyocera Corp チップヒューズ
JPH09246001A (ja) * 1996-03-08 1997-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗組成物およびこれを用いた抵抗器
US5907274A (en) * 1996-09-11 1999-05-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Chip resistor
US6013358A (en) * 1997-11-18 2000-01-11 Cooper Industries, Inc. Transient voltage protection device with ceramic substrate
US6087920A (en) * 1997-02-11 2000-07-11 Pulse Engineering, Inc. Monolithic inductor
WO1998044520A1 (fr) * 1997-03-28 1998-10-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Puce d'inductance et procede de fabrication
US5841624A (en) * 1997-06-09 1998-11-24 Applied Materials, Inc. Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same
US6094123A (en) * 1998-09-25 2000-07-25 Lucent Technologies Inc. Low profile surface mount chip inductor
US6087921A (en) * 1998-10-06 2000-07-11 Pulse Engineering, Inc. Placement insensitive monolithic inductor and method of manufacturing same
US6078245A (en) * 1998-12-17 2000-06-20 Littelfuse, Inc. Containment of tin diffusion bar
US6034589A (en) * 1998-12-17 2000-03-07 Aem, Inc. Multi-layer and multi-element monolithic surface mount fuse and method of making the same
KR100328255B1 (ko) * 1999-01-27 2002-03-16 이형도 칩 부품 및 그 제조방법
TW469456B (en) * 1999-06-30 2001-12-21 Murata Manufacturing Co LC component
WO2001078092A1 (fr) * 2000-04-12 2001-10-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Procede de fabrication d'une puce d'inductance
US6864774B2 (en) * 2000-10-19 2005-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Inductance component and method of manufacturing the same
TW541556B (en) * 2000-12-27 2003-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Circuit protector
CN1327467C (zh) * 2001-06-11 2007-07-18 维克曼工厂有限公司 熔断器件及其制造方法
JP4904656B2 (ja) * 2001-09-27 2012-03-28 パナソニック株式会社 薄膜圧電体素子およびその製造方法
US20040025322A1 (en) * 2002-08-06 2004-02-12 Michael Binnard Waffle wafer chuck apparatus and method
US7367114B2 (en) * 2002-08-26 2008-05-06 Littelfuse, Inc. Method for plasma etching to manufacture electrical devices having circuit protection
US6940181B2 (en) * 2003-10-21 2005-09-06 Micron Technology, Inc. Thinned, strengthened semiconductor substrates and packages including same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0499502U (ja) * 1991-01-24 1992-08-27
JPH0536559A (ja) * 1991-08-01 1993-02-12 Rohm Co Ltd 外装形電子部品及びその外装形成方法
JPH10335103A (ja) 1997-06-02 1998-12-18 Taiyo Yuden Co Ltd チップ部品
JP2002246211A (ja) 2001-02-20 2002-08-30 Koa Corp チップ型ヒューズ抵抗器及びその製造方法
JP2003115403A (ja) * 2001-10-03 2003-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1622174A4 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060287A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Tdk Corp 端子電極および電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
CN100562949C (zh) 2009-11-25
US20060255897A1 (en) 2006-11-16
CN1784754A (zh) 2006-06-07
JPWO2004100187A1 (ja) 2006-07-13
JP4435734B2 (ja) 2010-03-24
US7884698B2 (en) 2011-02-08
EP1622174A4 (en) 2009-11-11
EP1622174A1 (en) 2006-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7461422B2 (ja) チップ抵抗器
JP6476417B2 (ja) 抵抗器の製造方法
JP4138215B2 (ja) チップ抵抗器の製造方法
JP5256544B2 (ja) 抵抗器
JP2004214032A (ja) 保護素子
JP2009302494A (ja) チップ抵抗器およびその製造方法
JP2003115403A (ja) 電子部品の製造方法
JP2001118701A (ja) 電流検出用低抵抗器及びその製造方法
WO2004100187A1 (ja) 電子部品及びその製造方法
TW541556B (en) Circuit protector
KR20010075626A (ko) 칩형 ptc 서미스터 및 그 제조 방법
US6656304B2 (en) Method for manufacturing a PTC element
JP2007227718A (ja) 抵抗素子を有する電子部品およびその製造法
JP4306892B2 (ja) 回路保護素子の製造方法
JP2004186248A (ja) チップ抵抗器およびその製造方法
JPH01189102A (ja) 回路部品の電極製造方法
JP4569152B2 (ja) 回路保護素子の製造方法
CN110911069B (zh) 电子组件及其制造方法
JP2005108865A (ja) チップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法
JP2007141908A (ja) 抵抗器の製造方法
JP2008103462A (ja) チップ型ネットワーク抵抗器と面実装部品およびその製造方法
JP2001116771A (ja) 電流検出用低抵抗器及びその製造方法
EP1414280A2 (en) The multilayer electronic substrate and its method of manufacturing
JP2006019669A (ja) クラッド材を使用した低抵抗器および製造方法
JP4799916B2 (ja) チップ抵抗器

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005506013

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004730643

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006255897

Country of ref document: US

Ref document number: 10554699

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20048119994

Country of ref document: CN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004730643

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10554699

Country of ref document: US