JP2008060287A - 端子電極および電子部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導電性材料を含みかつベース基板上に備えられて電気的接続を行う端子電極で、ベース基板2上に形成された下地電極層21と、この上に形成された主電極層22とを備え、主電極層22はめっき金属(例えば電解めっきCu)からなる主導体層14を含み、下地電極層21は主導体層14をめっき成長させるときの通電層となる下地導体層13(例えばスパッタCu膜)を含む。主導体層14は下地導体層13より厚い。下地電極層21は、ベース基板2と下地導体層13との間に介在されてベース基板への密着性を高める下地接合層12(スパッタCr膜等)を備えても良い。主電極層22を覆う電極表面層23を更に備え、この電極表面層23が外部導体(バンプ等)との接合性を高める外部接合層16(Sn膜等)と、バリア層15(Ni膜等)を有しても良い。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の一実施形態に係る端子電極を示す断面図である。同図に示すようにこの端子電極11は、電子部品1を配線基板(図示せず)に実装し電気的な接続を行うために当該電子部品1に備える外部接続端子であり、配線基板の接続パッドに対して例えばバンプを介して電気的・機械的に接続を可能とするためベース基板2の下面に配置される裏面電極と、この裏面電極と、ベース基板2の上面に設けられた各種の電気的な機能構成部から引き出された接続用の導体3(上部導体3aおよび下部導体3b)とを電気的に接続するためにベース基板2の側面に形成される側面電極とを含み、図示の例ではベース基板2の側面から底面に亘って連続しかつ後に述べる各層を備えた多層膜として形成している。
下地電極層21は、下地接合層12とその表面に形成した下地導体層13とからなる。下地接合層12は、ベース基板であるアルミナ基板2と強固な接合を得るため、スパッタにより形成したクロム(Cr)からなる薄膜であり、その表面に形成する下地導体層13は、同じくスパッタにより形成した銅(Cu)からなる薄膜である。ベース基板2上にCr膜をスパッタ成膜することにより、Cr粒子がベース基板の内部に入り込んだ(打ち込まれた)強固な接合が得られる。また、このCr膜の表面に成膜するCu膜はCrとの密着性が良く、さらに次にCuめっきにより形成する主導体層14(後述する)との接合性も高いから、ベース基板2に主導体層14を強固に固定することが出来る。
主電極層22は、Cuめっき膜である主導体層14からなる。すなわち、主導体層14は、前記下地導体層13を通電層として電解めっき(例えばバレルめっき)を行い、下地導体層13の表面にCuを析出させ、めっき成長させることにより成膜する。これにより、Cu同士の金属間接合によって下地電極層に強固に接合された電極本体(主電極層)を形成することが出来る。また、かかる主電極層の下地となる前記下地導体層のCuの粒径はスパッタ成膜によるから非常に小さく緻密であり、このCu粒を核としてCu膜が良好にめっき成長するから、界面の無い(又は部分的にしか存在しない)十分に厚さのある電気抵抗の低い機械強度優れた電極膜を形成することが出来る。尚、主導体層の成膜は、本実施形態では、製造コストおよび生産性の点で有利な電解めっきを用いるが、無電解めっきによることも可能である。
電極表面層23は、はんだ接合層(外部接合層)16とバリア層15とからなる。はんだ接合層16は、錫(Sn)めっき膜とし、バリア層15の表面に電解めっき(例えばバレルめっき)を施すことにより成膜する。はんだ接合層16を設けることにより、端子電極11のはんだ濡れ性を向上させ、リフロー実装時のはんだ付け性を良好にすることが出来る。
(1) 気相成膜法による下地膜(下地電極層)をまず成膜しその上にめっき成長によって主導体層を形成するから、電極を寸法精度良く形成することが出来る。
(2) 電解めっきにより主導体層を厚付けする。したがって、端子の機械的強度(耐衝撃性や耐熱衝撃性)を増すことができ、損傷を受けやすい部品角部の補強も図ることが出来る。また、電気抵抗を小さく信号損失を低減することができ、電子部品の特性向上(例えばフィルタであれば挿入損失の低減、インダクタであればQ特性の向上、各種デバイスの温度特性の改善等)を図ることが出来る。
(3) スパッタ等で下地電極層を形成した後にその上に主電極層をめっき成長させるから、段差部や突起部等の凹凸部への電極膜の追従性も良く、凹凸部における機械的接合性ならびに電気的接続性を向上させることが出来る。
(4) ベース基板から電極表面層までに順に配される各層間の接合性・密着性が高く、電極全体としてベース基板に対する強固な接合を得ることが出来る。特に、下地導体層とその表面に配する主導体層とを同一の導体材料(例えばCu)で構成することにより良好な接合を実現することが出来る。
(5) 電極表面層(バリア層及びはんだ接合層)を設けることにより、電極各層導体間の合金化・金属拡散を抑えてはんだ耐熱性を高めることが出来ると共に、はんだ付け性を向上させることが出来る。
2 ベース基板
3 接続用導体
3a 上部導体
3b 下部導体
4 平坦化膜
5 誘電体膜
6 絶縁膜
7 保護膜
8 界面
9 ボイド
11 端子電極
12 下地接合層
13 下地導体層
13a スパッタCu粒
14 主導体層
14a スパッタCu粒を核として粒成長したバレルめっきCu粒
14b バレルめっきCu粒
15 バリア層
16 外部接合層(はんだ接合層)
21 下地電極層
22 主電極層
23 電極表面層
Claims (14)
- 導電性材料を含みかつベース基板上に備えられて電気的な接続を行う端子電極であって、
前記ベース基板上に形成された下地電極層と、
この下地電極層の上に形成された主電極層と、
を備え、
前記主電極層は、めっき金属からなる主導体層を含み、
前記下地電極層は、当該主導体層をめっき成長させるときの通電層となる下地導体層を含む
ことを特徴とする端子電極。 - 前記主導体層は、前記下地導体層より厚さ寸法が大きい
請求項1に記載の端子電極。 - 前記下地電極層は、前記ベース基板と前記下地導体層との間に介在されて当該端子電極の前記ベース基板への密着性を高める下地接合層をさらに含む
請求項1または2に記載の端子電極。 - 前記下地接合層は、気相成膜法により形成されかつクロム、チタン、ニッケル、ニッケル‐クロム、タングステン、銅、および銀のうちのいずれかを主成分とする薄膜からなる
請求項3に記載の端子電極。 - 前記主電極層を覆う電極表面層をさらに備え、
この電極表面層は、当該端子電極の最上層に配置されて外部導体との接合性を高める外部接合層を有する
請求項1から4のいずれか一項に記載の端子電極。 - 前記電極表面層は、前記主導体層と前記外部接合層との間に介在されて前記主導体層および前記外部接合層間における材料の拡散を阻止するバリア層をさらに有する
請求項5に記載の端子電極。 - 前記下地導体層は、気相成膜法により形成された薄膜からなり、
前記主導体層は、液相成膜法により形成されためっき膜からなる
請求項1から6のいずれか一項に記載の端子電極。 - 前記下地導体層は、無電解めっきにより形成された無電解めっき膜からなり、
前記主導体層は、電解めっきにより形成された電解めっき膜からなる
請求項1から6のいずれか一項に記載の端子電極。 - 前記下地導体層および前記主導体層は、いずれも銅を主成分とする膜からなる
請求項1から8のいずれか一項に記載の端子電極。 - 前記下地導体層および前記主導体層は共に金属により形成され、前記下地導体層の平均粒径が、前記主導体層の平均粒径より小さい
請求項1から9のいずれか一項に記載の端子電極。 - 前記下地導体層の平均粒径が0.2μm以下である
請求項10に記載の端子電極。 - 前記下地導体層および前記主導体層は、共に、金属により形成されかつこれら導体層の境界を跨ぐように粒成長した金属粒を含む
請求項1から10のいずれか一項に記載の端子電極。 - 前記下地導体層と前記主導体層との間の少なくとも一部に界面が存在しない
請求項1から12のいずれか一項に記載の端子電極。 - ベース基板と、
当該ベース基板に実装された1つ以上の電気的機能素子と、
当該ベース基板に備えられた前記請求項1から13のいずれか一項に記載の1つ以上の端子電極と、
を備えた電子部品。
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