WO2002080250A1 - Dispositif de traitement au plasma - Google Patents

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WO2002080250A1
WO2002080250A1 PCT/JP2002/003109 JP0203109W WO02080250A1 WO 2002080250 A1 WO2002080250 A1 WO 2002080250A1 JP 0203109 W JP0203109 W JP 0203109W WO 02080250 A1 WO02080250 A1 WO 02080250A1
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plasma
processing
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face
dielectric
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PCT/JP2002/003109
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Tadahiro Ohmi
Masaki Hirayama
Shigetoshi Sugawa
Tetsuya Goto
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Tokyo Electron Limited
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Definitions

  • the present invention generally relates to a plasma processing apparatus, and more particularly to a microphone mouth wave plasma processing apparatus.
  • the plasma processing step and the plasma processing apparatus are called ultra-submicron elements or so-called deep sub-quarter micron elements, and ultra-miniaturized semiconductor devices having a gate length close to 0.1 ⁇ or less.
  • This is an indispensable technology for the manufacture of high-resolution flat display devices including liquid crystal display devices.
  • Various types of plasma excitation methods have been used as plasma processing apparatuses used in the manufacture of semiconductor devices and liquid crystal display devices.
  • parallel plate type high-frequency excitation plasma processing apparatuses are inductively coupled.
  • a plasma treatment is generally used.
  • these conventional plasma processing systems have non-uniform plasma formation and limited areas with high electron density, making it difficult to perform a uniform process over the entire surface to be processed at a high processing speed, or throughput. Has the following problem.
  • a microwave plasma processing apparatus using a high-density plasma excited by a microphone mouth wave electric field without using a DC magnetic field has been proposed.
  • a flat antenna radial line slot antenna
  • a plasma processing apparatus has been proposed that excites plasma by ionizing the gas in a vacuum vessel.
  • a high plasma density can be realized over a wide area and area directly below the antenna, and uniform plasma processing can be performed in a short time.
  • the microwave plasma formed by such a method excites the plasma by microwaves, so that the number of electrons is low, and damage to the target plate and metal contamination can be avoided.
  • uniform plasma can be easily excited over a large area ⁇ ⁇ , it can be easily adapted to a semiconductor device manufacturing process using a large-diameter semiconductor substrate and a large-sized liquid crystal display device.
  • FIGS. 1A and 1B show the configuration of a conventional microwave mouth-wave plasma processing apparatus 100 using such a radial line slot antenna.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of the microphone mouth-wave plasma processing unit 100
  • FIG. 1B is a diagram showing the configuration of the radial line slot antenna.
  • the microphone mouth-wave plasma processing apparatus 100 has a processing chamber 101 exhausted from a plurality of exhaust ports 1 16, and the processing chamber 3
  • a holding table 1 15 for holding 1 1 4 is formed.
  • a ring-shaped space 101A is formed around the holding table 115, and the plurality of exhaust ports 116 are formed in the ring. By forming them at equal intervals so as to communicate with the space 101A, that is, axially symmetric with respect to the processing target S3 ⁇ 4, the self-processing chamber 101 is connected to the space 101A and the exhaust port 116. The air can be exhausted uniformly.
  • the processing chamber 101 is made of a low-loss dielectric as a part of the processing chamber 101 at a position corresponding to the substrate to be processed 114 on the holding table 115.
  • a plate-shaped shower plate 103 having a large number of openings 107 is formed via a seal ring 109, and a low-loss dielectric substance is also formed outside the shower plate 103.
  • the cover plate 102 is formed through another seal ring 108.
  • the shower plate 103 has a plasma gas passage 104 formed on the upper surface thereof, and each of the plurality of openings 107 is connected to the plasma gas passage 104. It is formed to pass through. Further, inside the shower plate 103, a plasma gas supply passage 108 communicating with a plasma gas supply port 105 provided in ⁇ of the processing vessel 101 is formed. The plasma gas such as Ar or r supplied to the plasma gas supply port 105 is supplied from the supply passage 108 to the opening 107 via the passage 104. Then, the gas is discharged from the opening 107 into a space 101 B immediately below the shower plate 103 inside the processing container 101 at a substantially uniform concentration.
  • a radial line slot antenna having a surface shown in FIG.1B on the processing container 101, further outside the cover plate 102, at a distance of 4 to 5 mm from the cover plate 102. 1 110 is provided.
  • the radial line slot antenna 110 is connected to an external microwave source (not shown) via a coaxial waveguide 11 O A, and the microwave from the microwave source generates a tiff self-space.
  • the radial line slot antenna 110 includes a flat disk-shaped antenna main body 110 B connected to an outer waveguide of the coaxial waveguide 11 OA, and an antenna main body 110 B.
  • the antenna main body 1 1 is composed of a large number of slots 110 a shown in FIG. 1B formed in the opening and an 3 ⁇ 4lt plate 110 C formed with a large number of slots 110 b perpendicular thereto. Between 0 B and the thigh plate 110 C, a delay plate 110 D made of a dielectric material having a constant thickness is inserted.
  • the microwave fed from the coaxial waveguide 110 is applied between the disk-shaped antenna body 110B and the radiation plate 110C. While spreading in the radial direction, the wavelength is compressed by the action of the retardation plate 110D. Therefore, by forming the slots 110a and 110b concentrically and perpendicularly to each other according to the wavelength of the microwave traveling in the direction as described above, A plane wave having circular polarization can be transmitted in a direction substantially perpendicular to the tilt plate 110C.
  • Uniform high-density plasma is formed in the space 101B directly below one plate 103.
  • the high-density plasma formed in this manner has a low electron temperature, so that the substrate to be processed 114 is not damaged, and metal contamination due to sputtering of the vessel wall of the processing vessel 101 is prevented. It does not occur.
  • an external processing gas source (not shown) is further provided between the tin self-shower plate 103 and the processing target 114 in the processing vessel 101.
  • plasma formed in the space 101 between the adjacent nozzles 113 and 113 is moved from the self-space 101B to the space 1
  • An opening having a size large enough to efficiently pass through is formed in 01 C by diffusion.
  • the processing gas was released into the space 101C from the structure 111 through the silt self-nos and the hole 113 as described above, and the released processing gas was discharged into the space 101C.
  • the uniform plasma processing is performed efficiently and quickly on the processing target 1 114 without damaging the substrate and the device structure on the substrate. It is done without polluting s3 ⁇ 4.
  • the microwave radiated from the tiiia radial line slot antenna 110 is subjected to PJjh by such a conductor structure 111 and will not damage the SS 114.
  • the impedance between the microwave antenna and the cooperating waveguide is such that, for example, a weak microphone mouthwave signal received by the microphone mouthwave antenna is injected into the waveguide without loss.
  • An alignment structure is provided.
  • the radial line slot antenna 110 used in the plasma processing apparatus 100 of FIG. 1 not only a large microphone mouth wave is supplied from the waveguide to the antenna, but also the supplied microphone.
  • the reflected wave formed by reflection of the mouth wave by the plasma formed in the processing vessel 101 is also the same as that described above. Since the antenna 110 and the waveguide exist in a superimposed state, if the impedance matching between the antenna main body 110 and the waveguide is inappropriate, the plasma processing is performed.
  • the present invention generally provides a new and useful plasma processing apparatus 3 that solves the above problems.
  • the present invention has a microwave antenna, and forms a plasma in the processing container by a microwave supplied from the microwave antenna into the processing container through a microphone mouth wave transmitting window.
  • the efficiency of power supply of microwaves from a microphone aperture waveguide to the microwave antenna is improved, and a tiriE microwave waveguide is provided. It is an object of the present invention to provide a plasma processing device that eliminates the problem of abnormal discharge caused by impedance mismatch at the connection with the microwave antenna.
  • Another subject of the present invention is:
  • a processing vessel provided with a holding table for holding the processed as3 ⁇ 4, an exhaust system coupled to the self-processing vessel,
  • a microphone opening wave crane window provided as a part of the ⁇ II so as to face a substrate to be processed on the holding table
  • a plasma gas supply unit for supplying the plasma gas into the fiif self-processing container
  • a microphone mouth wave antenna provided on the tUt self-processing container, corresponding to the self microphone mouth wave;
  • a tiff self-wave antenna is connected to the microwave 3 ⁇ 4, and is composed of an inner conductor core and an outer conductor tube surrounding it.
  • ⁇ ⁇ Consists of an antenna body provided at the end of the coaxial waveguide The first antenna body is coupled to the microphone mouthpiece window to form a microphone mouthpiece face, and a first conductor surface is opposed to the first conductor face via a dielectric plate. A second conductor surface connected to the first conductor surface at an outer peripheral portion of the plate,
  • the SiilE inner conductor core is connected to the WIS first conductor surface by a first contact
  • the outer conductor tube is connected to the second conductor surface by a second contact ⁇ , and the first connection portion is configured such that the outer diameter of the inner conductor core increases toward the first conductor surface. 1 to form a tapered part,
  • the second connection portion may include a plasma processing device characterized in that a second tapered portion is formed in which the inner diameter of the outer conductor tube increases toward the first conductor surface. .
  • a processing vessel provided with a holding table for holding the to-be-processed as®, an exhaust system coupled to the disgusting processing vessel,
  • a microphone opening window provided as a part of the ⁇ so as to face a substrate to be processed on the holding table
  • a plasma gas supply unit for supplying plasma gas into the Sift self-processing container
  • a microphone mouth wave antenna provided on the processing container corresponding to the microphone mouth wave
  • An IS microwave antenna is connected to the microwave 3 ⁇ 43 ⁇ 43 ⁇ 4, a coaxial waveguide comprising an inner conductor core and an outer conductor tube surrounding the inner conductor core,
  • It consists of an antenna body provided at the tip of a disgusting coaxial waveguide,
  • the antenna main body includes: a first conductor surface coupled to the microphone mouth wave transmitting window to form a microphone mouth wave radiation surface; and a dielectric plate made of a first dielectric material with respect to the first conductor surface. A second conductor surface connected to the first conductor surface at a distance from the outer periphery of the dielectric plate;
  • the inner conductor core is connected to the tiHS first conductor surface by a first contact
  • the outer conductor tube is connected to the tiilE second conductor surface by a second contact »
  • the space between the inner conductor core and the outer conductor tube includes a first end face and an IS
  • An object of the present invention is to provide a plasma processing device characterized by having a relative dielectric constant smaller than the relative dielectric constant of the body plate and higher than that of air.
  • the sudden change of the impedance at the connection part between the microphone mouth-wave waveguide connected to the high-power microphone mouth-wave source and the microphone mouth-wave antenna is avoided, and as a result, the reflection at the large connection part is prevented. Wave formation is effectively suppressed. Due to the suppression of the reflected wave at the connection 1, abnormal discharge at the strong connection and damage to the antenna due to abnormal discharge are avoided. Further, the suppression of the reflected wave stabilizes the supply of the microphone mouth wave to the Ml self-processing container through the microphone mouth wave transmitting window, and stably forms a desired plasma in the processing container. It becomes possible to do.
  • Figures 1A and 1B show the configuration of a conventional microwave plasma processing apparatus using a radial line slot antenna
  • FIGS. 2A and 2B are diagrams showing a configuration of a microwave plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention
  • 3A and 3B are diagrams showing a configuration example of a connection portion between a coaxial waveguide and a radial line slot antenna in the apparatus of FIG. 2;
  • Figure 4 is a diagram showing the reflection reduction effect of the configuration of Figure 3;
  • Figure 5 shows the measured results of the reflection coefficient when a microphone mouth-wave plasma is formed in the plasma processing apparatus of Figures 2A and 2B using the power supply structure of Figure 3;
  • Figure 6 is a diagram showing the configuration of the processing gas supply mechanism of the microphone mouth wave plasma processing apparatus of Figure 2A;
  • FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a microphone mouth wave coupled to the microphone mouth wave plasma processing apparatus of FIG. 2A;
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration of a microwave power supply structure according to a modification of the present embodiment;
  • Figure 11 is a diagram showing another modification of the microphone mouthpiece & tt ⁇ structure of Figure 9;
  • FIG. 12 is a diagram showing another modified example of the microphone mouthpiece supplying structure of FIG. 9;
  • FIG. 13 is a diagram showing still another modified example of the microphone mouth wave structure shown in FIG. 9;
  • FIG. 14 is a diagram showing another modified example of the microphone mouth wave structure f shown in FIG. 9;
  • 5 is a view showing a configuration of a microwave plasma processing apparatus 3 according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a diagram showing a configuration of a microphone mouth-wave plasma evacuation device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a diagram showing a configuration of a microwave plasma processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a diagram showing a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to a sixth embodiment of the present invention using the microwave plasma processing apparatus S of FIGS. 2A and 2B;
  • Fig. 19 shows the configuration of the air system of the semiconductor device of Figs. 18A and 18B
  • Fig. 20 shows the configuration of the molecular pump used in the exhaust system of Fig. 19: Figure
  • Figure 21 shows the configuration of the unequal pitch screw screw pump used in the exhaust system of Figure 19;
  • FIG. 22 is a diagram showing a configuration of a gas supply system used in the processing unit of FIG. 19;
  • FIG. 23 is a diagram showing a configuration of a flow diverting device used in the gas supply system of FIG. It is. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIGS. 2A and 2B show a configuration of a microwave plasma processing apparatus 10 according to a first embodiment of the present invention.
  • a self-microphone mouth-wave plasma processing device a 10 is provided in the processing container 11 and the processing container 11, and the substrate to be processed 12 is held by an electrostatic chuck.
  • a holder 1 3 consisting of A 1 N or A 1 2 0 3 which is formed by hot isostatic pressing (HIP), ⁇ ! TtifB holder 1 3 in his own processing chamber 1 1
  • HIP hot isostatic pressing
  • ⁇ ! TtifB holder 1 3 in his own processing chamber 1 1
  • a is formed.
  • the processing vessel 11 is depressurized through the exhaust port 11a by an unequal-pitch unequal-angle screw pump described later.
  • the Sfff self-treatment container 11 is preferably made of austenitic stainless steel containing A1, and a protective film made of aluminum oxide is formed on the inner wall surface by oxidation treatment. Also the object processing of the processing vessel 1 1 ⁇ II: ffiS ⁇ The portion corresponding to l 2, the dense A 1 2 O 3 than would a large number of the nozzle opening 1 4 A formed by the HIP method The formed disk-shaped shower plate 14 force is formed as a part of the ⁇ .
  • Such HIP A 1 2 ⁇ 3 shower plate 1 4 formed under the law is formed using Y 2 O 3 as a sintering aid, substantially gas-holes Ya pinhole porosity 0.0 3% It does not contain, and has a very high thermal conductivity of 3 OW / m ⁇ K, as a ceramic.
  • the shower plate 14 is mounted on the processing vessel 11 via a seal ring 11 s, and a cover plate made of dense A12O3 formed by a similar HIP process on the shower plate 14. 1 to 15 force Provided via seal ring 11 to.
  • a recess 14 B is formed, which communicates with each of the nozzle openings 14 A and serves as a plasma gas flow path. B is formed inside the shower plate 14 and communicates with another plasma gas flow path 14 C communicating with a plasma gas inlet 11 p formed in the processing vessel 11.
  • the shower plate 14 is held by an overhang 11 b formed on the inner wall of the processing container 11, and a portion of the overhang 11 b that holds the shower plate 14 is provided. Roundness is formed to suppress abnormal discharge. Therefore, the plasma gas such as Ar or Kr supplied to the plasma gas inlet 11p passes through the flow paths 14C and 14B inside the shower plate 14 sequentially, and then the opening 14 Through the space A directly below the shower plate 14 through A 1 1 B Supplied to
  • a disk-shaped slot plate 16 in which a number of slots 16 a and 16 b are formed in close contact with the cover plate 15 and shown in FIG. 3B, and a disk holding the slot plate 16 Shaped antenna body 17, and a slow phase made of a low-loss dielectric material such as Al 2 O 3 , SiO 2 or Si 3 N 4 inserted between the ⁇ ⁇ slot plate 16 and the SiflE antenna body 17.
  • a radial line slot antenna 20 constituted by the plate 18 is provided.
  • the fijf self-radial slot line antenna 20 is mounted on the processing vessel 11 via a seal ring 11 u, and the radial line slot antenna 20 has a coaxial waveguide 21 having a rectangular or circular cross section.
  • a frequency of 2.45 GHz is supplied with 8.3 GHz microwaves.
  • the supplied microwave is leaked from the slots 16 a and 16 b on the slot plate 16 into the processing container 11 via the cover plate 15 and the shower plate 14, and a space immediately below the chassis plate 14.
  • ff excites plasma into the plasma gas supplied from the opening 14 A.
  • the cover plate 15 and the shield plate 14 are formed of Al 2 O 3 and function as efficient microwave windows.
  • the plasma gas is supplied in the flow paths 14 to 14C to about 6666 Pa :! It is maintained at a pressure of 3332Pa (about 50 ⁇ : O OTo rr).
  • the upper surface of the processing vessel 11 engaged with the slot plate 16 is formed.
  • a ring-shaped groove 11 g is formed in a part of the slot plate 16 and the cover plate 15 by exhausting the groove 11 g through an exhaust port 11 G communicating therewith.
  • the gap formed therebetween is decompressed, and the radial line slot antenna 20 can be pressed against the cover plate 15 by atmospheric pressure.
  • gaps include the slots 16a and 16b formed in the slot plate 16, but other than that, the gaps may be formed for various reasons such as minute irregularities on the surface of the cover plate 15. May be formed.
  • Such a gap is sealed by a seal ring 11 u between the tiff's own radial line slot antenna 20 and the processing container 11.
  • the cover between the slot plate 16 and the cover plate 15 is filled with an inert gas having a small molecular weight via the ttif exhaust ports 11 G and 15 g to fill the gap between the slot plate 16 and the cover plate 15.
  • an inert gas it is preferable to use He having a high thermal conductivity and a high ionizing energy.
  • He When filling the gap with He, it is preferable to set the pressure to 0.8 ⁇ ff fiber.
  • a valve 1 IV is connected to the air port 11 G for exhausting the groove 15 g and filling the groove 15 g with an inert gas.
  • the outer waveguide 21 A is connected to the disk-shaped antenna body 17, and the center conductor 21 B is formed on the slow wave plate 18 It is connected to the slot plate 16 through an opening. Therefore, the microwave supplied to the coaxial waveguide 21A travels in the radial direction between the antenna body 17 and the slot plate 16 while the fijf own slots 16a, 16b More.
  • FIG. 2B shows the slots 16 a and 16 b formed on the own slot plate 16.
  • the slots 16a are arranged concentrically, and corresponding to each slot 16a, a slot 16b orthogonal thereto is also formed concentrically.
  • the slots 16a and 16b are formed in the direction of the slot plate 16 at intervals corresponding to the wavelength of the microphone mouth wave compressed by the delay plate 18.
  • the microwave is radiated from the slot plate 16 as a substantially plane wave.
  • the microwave thus filtered is a circularly polarized wave including two orthogonally polarized components.
  • a cooling block 19 having a cooling water passage 19A is formed on the antenna main body 17 and the cooling block 19 is cooled.
  • the cooling water passage 19A is provided on the cooling block 19. It is formed in a spiral shape, and preferably, cooling water in which oxidized hydrogen is removed and the oxidation-reduction potential is controlled by passing H 2 gas is passed.
  • the processing is performed between the shower plate 14 and the processing target S2 on the self-holding table 13.
  • the processing gas is supplied from the processing gas inlet 11 r provided in; ⁇ of the container 11, and is supplied from the processing gas nozzle openings 3 1 B (see FIG. 4).
  • a processing gas supply structure 31 having 1 A is provided, and in a space 11 C between the self-processing gas supply structure 31 and the self-processed substrate 12, a desired uniform heat treatment is performed.
  • substrate processing includes plasma oxidation processing, plasma nitriding processing, plasma oxynitriding processing, plasma CVD processing, and the like.
  • a fluorocarbon gas such as C 4 F 8 , C 5 F 8, or C 4 F 6 that is easily dissociated, or an F system or a C 1 system is provided from the processing gas supply structure 31 to the space 11 C.
  • a fluorocarbon gas such as C 4 F 8 , C 5 F 8, or C 4 F 6 that is easily dissociated, or an F system or a C 1 system is provided from the processing gas supply structure 31 to the space 11 C.
  • microwave plasma treatment 10 by heating the outer wall of the processing vessel 11 to a temperature of 150 ° C., adhesion of reaction by-products and the like to the inner wall of the processing vessel is prevented. By avoiding it and performing dry cleaning once a day, it is possible to achieve steady and stable operation.
  • connection for connecting the coaxial waveguide 21 to the radial line slot antenna 20 A tapered portion 21 Bt is formed so that the diameter or cross-sectional area of the center conductor 21 B increases toward the gff self-slot plate 16, and also corresponds to the outer waveguide 21 A.
  • the inner diameter of the waveguide 21 A is formed so as to increase toward the antenna main body 17.
  • FIG. 3A shows the details of the connection between the coaxial waveguide 21 and the radial lines antenna 20 in the plasma processing apparatus 10 of FIG. It is an enlarged view shown in detail. For simplicity, the illustration of the slots 16 a and 16 b formed in the slot plate 16 is omitted.
  • the inner conductor 21B has a circular cross section having a diameter of 16.9 mm, and the retardation plate is provided between the slot plate 16 and the antenna body 17.
  • an alumina plate having a thickness of 4 mm and a relative permittivity ⁇ of 10.1 is formed.
  • the outer waveguide 21 1 ⁇ defines a space having a circular cross section with a diameter of 38.8 mm, and the tins inner conductor 21 B is disposed in a cylindrical space with force. I have.
  • the inner conductor 21 B increases its cross-sectional area toward the joint surface within a range of 7 mm from the joint surface with the slot plate 16.
  • the inner conductor 21 B has a circular shape with a diameter of 23 mm, located on the joint surface.
  • the antenna main body 17 also has 1 O mm (slow phase) from the joint surface between the inner conductor 21 B and the slot plate 16.
  • FIG. 4 shows that, for the combination of the radial line slot antenna 20 and the waveguide 21 having the configuration shown in FIG. 3A, microwaves were supplied from the waveguide 21 to the antenna 20;
  • the ratio of the reflected wave power returning to the tube 21 is obtained when the parameter a in FIG. 3A is set to 6.4 mm.
  • the percentage of the reflected wave is indicated by ⁇ .
  • the reflected wave in this figure includes not only the connection from the waveguide 21 and the radial line antenna 20 and the reflected wave from the feeder but also the reflected wave from the plasma.
  • the ratio of the reflected wave is 12 dB regardless of the frequency, and nearly 80% of the microwave is reflected to the waveguide 21 and the microphone mouthwave source connected to it. You can see it is back.
  • the ratio of the reflected wave depends on the frequency of the microphone mouth wave, and is particularly used for plasma excitation of 2.4 GHz.
  • the reflected power is a minimum of 1-23 dB (approximately 14%) at frequencies near z. You can see that.
  • FIG. 5 shows the plasma processing apparatus 10 of FIG. 2A using the antenna configuration of FIG. 3A, setting the internal pressure of the processing vessel 11 to 13 3 Pa (about l Torr), pre over sheet 1 4 power et al. a r and 0 2 were supplied at respective flow rates of 6 9 0 SC CM and 2 3 SC CM, further ⁇ waveguide 2 1 forces the frequency RLSA 2 0 2.
  • the figure shows the reflection coefficient of a micro mouth wave observed by a power monitor provided between the waveguide 21 and the microwave source when a microwave of 45 GHz is supplied at a power of 1.6 kW. Therefore, the reflection coefficient shown in FIG. 5 is not only reflected by the microwave at the connection between the waveguide 21 and the antenna 20 but also formed directly below the shower plate 14 in the processing vessel 11. It also includes the effect of reflection from the plasma.
  • the ratio of the reflected wave fluctuates greatly with time at around 80% (reflection coefficient 0.8). It can be seen that the ratio of the reflected wave is reduced to about 30% (reflection coefficient 0.3) and is almost constant by using the configuration of.
  • the reflection shown in Fig. 5 is about 30%. It can be seen that the reflection coefficient includes the effect of reflection from the plasma.
  • FIG. 6 is a bottom view showing the configuration of the processing gas supply structure 31 in the configuration of FIG. 2A.
  • the processing gas supply structure 31 is made of a conductor such as A1 alloy or A1 stainless steel containing ifMg. Is connected to the processing gas inlet 11 r at the processing gas supply port 31 R, and uniformly discharges the processing gas to the space 11 C from the multiple processing gas nozzle openings 31 B formed on the lower surface.
  • an opening 31 C is formed between adjacent processing gas passages 31 A through which plasma or a processing gas contained in the plasma passes.
  • the processing gas supply structure 31 is formed of an Mg-containing A1 alloy, it is preferable to form a fluoride film on the surface.
  • the processing gas supply structure 31 is made of A1 added stainless steel, In this case, it is desirable to form a passivation film of aluminum oxide on the surface.
  • the incident temperature of the plasma is small because the electron temperature in the excited plasma is low, and the large processing gas supply structure 31 is sputtered and processed. The problem of metal contamination in 1 2 is avoided.
  • the processing gas supply structure 31 can be formed of ceramics such as alumina.
  • the lattice-shaped processing gas passage 31A and the processing gas nozzle opening 31B are provided so as to cover an area slightly larger than the processing target substrate 12 shown by broken lines in FIG.
  • the processing gas is plasma-excited, and the processing gas is uniformly processed by the plasma-excited processing gas. Will be possible.
  • the distance between the front IE-shaped processing gas passages 31 A is set shorter than the wavelength of the microphone mouth wave, whereby The processing gas supply structure 31 forms a microwave emission surface.
  • the microphone mouth wave excitation of the plasma occurs only in the space 11C, and in the space 11C including the surface of the substrate 12 to be processed, it is diffused from the excitation space 11B.
  • the processing gas is activated by the generated plasma.
  • the substrate to be processed 12 can be prevented from being directly exposed to microwaves during plasma ignition, damage due to microphone mouth waves can also be prevented.
  • the supply of the processing gas is uniformly controlled by using the processing gas supply structure 31, so that the excess dissociation of the processing gas on the surface of the substrate 12 to be processed is prevented.
  • the problem can be solved, and even if a large structure having a high aspect ratio is formed on the surface of the processed S2, a desired substrate processing can be performed at the back of such a high-aspect structure. It is possible to implement up to. That is, the microwave plasma processing apparatus 10 is effective for manufacturing many generations of semiconductor devices having different design rules.
  • FIG. 7 shows a schematic configuration of a microphone mouth wave source connected to the coaxial waveguide 21 in the configuration of FIG. 2A.
  • the coaxial waveguide has a frequency of 2.45 GHz or 8.3 GHz.
  • the power monitor 23, and the tuner 22 Connected to the end of the waveguide extending from the oscillating unit 25 having the magnetron 25 A oscillated by the Sift self-oscillating unit 25 via the isolator 24, the power monitor 23, and the tuner 22 in this order.
  • the microwave reflected from the high-density plasma formed in the plasma processing apparatus 10 is transmitted to the tuner.
  • the radial line slot antenna 20 is returned to the above-mentioned state.
  • the isolator 24 is a directional element and acts to protect the magnetron 25 A in the Ml self-oscillation unit 25 from reflected waves.
  • the tapered sections 21 At and 21 Bt are provided at the connection portion between the coaxial waveguide 21 and the radial line slot antenna 20 or the power supply portion. , The sudden change in the impedance at the strong connection is mitigated. As a result, the reflection of the microphone mouth wave due to the sudden change in the impedance is suppressed, and the micro wave from the coaxial waveguide 21 to the antenna 20 is suppressed. It is possible to stabilize the supply of waves.
  • the tapered surfaces 21 At and 21 Bt are respectively curved surfaces 21 A r and 21Br can also be substituted.
  • the curved surface By forming the curved surface in this way, it is possible to further reduce the force and the impedance change at the connecting portion, and to more efficiently suppress the formation of the reflected wave.
  • the distance between the shower plate 14 exposed to the heat flux caused by the plasma and the cooling unit is reduced by the conventional microwave plasma processing apparatus shown in FIGS. 1A and 1B. It is significantly compared to its results, such as a 1 2 ⁇ 3 instead of larger a 1 New dielectric loss, suitably a microwave 3 ⁇ 4ii window, but the dielectric loss is small thermal conductivity Smaller materials can be used for the shower plate and the cover plate, and the temperature of the shower plate can be suppressed, and at the same time, the efficiency of the plasma processing and, therefore, the processing efficiency can be improved.
  • the substrate treatment reaction in the space 11 C is performed.
  • the resulting gas containing the reaction product is filled in the outer peripheral space 11 A stable flow to A is formed, so that tUIB reaction products are quickly removed from the space 11C.
  • the temperature of the processing container 11 at 150 ° C.
  • the adhesion of the reaction product to the inner wall of the processing container 11 is substantially completely removed.
  • the processing device 10 can quickly perform the next process.
  • FIG. 9 shows a configuration of a connection part and a power supply part between the coaxial waveguide 21 and the radial line antenna 20 according to the second embodiment of the present invention.
  • the parts described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • the outer waveguide 21A constituting the coaxial waveguide 21 and the main body 17 of the self-radial line antenna 20 are connected at a right angle, and the connection is bent at a right angle.
  • ⁇ A power supply unit is formed.
  • the inner conductor 21B is also connected to the slot plate 16 at right angles.
  • a ring-shaped member 18 # having a smaller relative permittivity, for example, made of Si ⁇ 2 is formed such that one end of the member 18 A is in contact with the retardation plate 18.
  • the length of the member 18A can be determined according to the characteristics of the antenna structure including the coaxial waveguide 21 and the antenna 20.
  • the second side end face opposed to the first side end face in contact with the retardation plate 18 is in contact with air
  • Teflon for example, having a smaller relative permittivity, such as Teflon
  • FIG. 12 shows a configuration of a connecting portion between a coaxial waveguide 21 and a radial line antenna 20 according to a modification of the present embodiment.
  • the parts described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • the second end face of the ring-shaped member 18 A is a tapered surface, and the thickness of the ring-shaped member 18 A is fiif It is configured to increase toward H.
  • the ring-shaped member 1 8 A such as A 1 2 O 3
  • the impedance of the connection and the power feeding portion toward the Rajiarura in slot antenna continuously The reflections associated with sudden changes in impedance are suppressed, and efficient and stable microwave supply is realized.
  • the tapered surface of the ring-shaped member 18A is formed by changing the thickness of the ring-shaped member 18A according to the characteristics of the connection and power supply section, as shown in a modification of FIG. A curved surface is also possible so that the thickness varies non-S.
  • the thickness of the above-mentioned ring-shaped »18 A can be increased exponentially.
  • the ring-shaped member 18 A of FIG. 9 can be combined with the configuration having the tapered surfaces 21 At and 21 Bt described above with reference to FIG. 3A. Noh.
  • the ring-shaped member 18A is not limited to the one shown in FIG. 9, and it is also possible to combine the configurations of the misalignments shown in FIGS. [Third embodiment]
  • FIG. 15 shows a configuration of a plasma processing apparatus 1OA according to a third embodiment of the present invention.
  • the previously described portions are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • the shower plate 14 is removed, and instead, a plurality of, preferably symmetrically, A plasma gas supply pipe 11 P is formed to communicate with the gas passage 11 p.
  • the configuration is simplified, and the manufacturing cost can be greatly increased.
  • connection between the tins radio antenna slot antenna 20 and the coaxial waveguide 21 should be made such that the taper surfaces 21 At and 2 IBt are formed in the power supply section.
  • anti-reflection is suppressed, power supply efficiency is improved, abnormal discharge due to reflected waves is suppressed, and plasma formation is stabilized.
  • the configuration of the connection section is not limited to the configuration shown in FIG. 3A, and any of the configurations shown in FIGS. 8 to 14 can be used.
  • FIG. 16 shows the configuration of a plasma processing apparatus 10B according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the parts described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • the lower shower plate 31 is removed. Further, the entire surface of the overhang portion 11 b holding the shower plate 14 is rounded.
  • the processing gas cannot be supplied separately from the plasma gas to perform film-forming etching.
  • the oxidizing gas together with the plasma gas from 4 in addition to the nitriding gas, it is possible to form an oxide film / nitride film or an oxynitride film on the surface of the substrate to be processed.
  • the reflection wave is suppressed by connecting the coaxial waveguide 21 and the radial line slot antenna 20 and forming the tapered surfaces 21 At and 21 Bt in the feeding portion. This improves power supply efficiency, suppresses abnormal discharge due to reflected waves, and stabilizes plasma formation. Further, even in the present embodiment, the configuration of the connection portion is not limited to the configuration shown in FIG. 3A, and any of the configurations in FIGS. 8 to 14 can be used.
  • connection thread structure according to the present invention is not limited to the plasma processing apparatus 10 or its modification shown in FIG. 2A, and is not limited to the conventional laser processing apparatus shown in FIGS. 1A and 1B.
  • the present invention is also applicable to a plasma processing apparatus 100 using a dual line slot antenna.
  • FIG. 17 shows a configuration of a plasma processing apparatus 100 A according to a fifth embodiment of the present invention using the connection / power supply structure of the present invention.
  • the same reference numerals are given to the parts described above, and the description is omitted.
  • the plasma processing apparatus 100A has substantially the same configuration as the conventional plasma processing apparatus 100, except that the coaxial waveguide 11OA and the radial line slot antenna main body are arranged. It can be seen that a tapered surface similar to the previous tapered surface 21 At or 21 Bt is formed at the connection portion with 110 B or the slot plate 110 D.
  • connection section is not limited to the configuration shown in FIG. 3A, and it is also possible to use the configuration of the misalignment shown in FIGS.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing the overall configuration of a semiconductor manufacturing apparatus 40 according to the sixth embodiment of the present invention including the microphone mouthpiece plasma processing apparatus S shown in FIGS. 2A and 2B.
  • the semiconductor manufacturing apparatus 40 includes a vacuum transfer chamber 401 provided with a robot 400 provided with a transfer arm 415, and the microwave plasma processing apparatus 10 includes:
  • the vacuum transfer chamber 401 is formed on the upper surface.
  • the holding table 13 is formed to be able to move up and down by an elevating cylinder 406 surrounded by a bellows 410.
  • the holding table 13 is lowered,
  • a load lock chamber 402 having an elevating stage 418 for holding a stack 404 of substrates to be processed is provided at another place on the upper surface thereof, The load lock chamber 402 is shut off from the vacuum transfer chamber 401 by a seal 417 when the elevating stage 418 is completely raised.
  • the elevating stage 418 is lowered, the substrate stack 404 is lowered into the vacuum transfer chamber 401, and the transfer arm 415 is moved from the processed stack 404. Pick up the substrate or return the processed S3 ⁇ 4 to it.
  • the substrate to be processed is put in and out of the microphone mouth-wave plasma processing apparatus 10 vertically without passing through the side wall surface.
  • the exhaust of the processing vessel is executed by a plurality of pumps from a plurality of exhaust ports arranged axisymmetrically, so that uniform plasma processing is guaranteed.
  • FIG. 19 shows the configuration of the air system of the processing unit A.
  • each exhaust port 11 a of the processing container 11 is connected to a duct Di and provided in an IB duct, and FIGS. 14A and 14B respectively.
  • a molecular pump Ph P 2 having the structure
  • the exhaust side of the thread groove molecular pump P 2 are other processing units B of the semiconductor manufacturing device 4 in 0 is connected to the exhaust line D 2 is provided in common is C, further tiifS exhaust line D 2 intermediate via the booster pump P 3, it is connected to the exhaust line D 3 which is connected in common with other similar semiconductor made 3t3 ⁇ 4 location.
  • Figure 2 OA shows the construction of the thread groove molecular pump P l5 P 2.
  • the thread groove molecular pump has a cylindrical main body 51, a pump inlet is provided at one end of the main body 51, and a pump is provided on a side wall surface near the bottom surface of the main body 51.
  • a pump outlet is formed.
  • a rotor 52 shown in FIG. 20B is provided in the main body 51, and an unequal pitch unequal tilt screw 52 A is formed on the mouth 52.
  • the unequal pitch screw 52 A has a structure in which the pitch is large at the pump inlet side and the pitch decreases toward the outlet side, and the tilt angle of the screw is accordingly changed from the inlet side to the outlet side. It gradually decreases toward the side. Also in the pump room ⁇ 3 ⁇ 4 also decreases gradually from the entrance to the exit.
  • the molecular pump of FIG. 20A further includes a motor 53 disposed in the rotor 52, an angular position detector 54 for detecting the angular position of the rotor 52, and the angular position detection.
  • the rotor 52 includes a magnet 55 cooperating with the container 54, and the rotor 52 is urged to the outlet side by a stone mechanism 56.
  • the powerful thread groove molecular pump has a simple configuration, operates in a wide pressure range from atmospheric pressure to several mTorr, operates at low pressure, consumes less power, and is larger than conventional turbo molecular pumps at 32 O mL / min. You can get pump speed.
  • FIG. 21 shows the configuration of the irregular pitch irregular angle screw pump (GLSP) 60 used as the intermediate booster pump P 3 in which the thread groove molecular pumps Pi and P 2 are taken in the configuration of FIG. .
  • GLSP irregular pitch irregular angle screw pump
  • an inlet 61 A is formed at one end, and outlets 63 A and 63 B are formed at the other end.
  • a pair of screw rotors 62A and 62B that gradually change the screw pitch from the inlet side to the outlet side are in a relationship where the respective screws work together.
  • the rotors 62A and 62B are driven by a motor 64 via gears 63A and 63B.
  • the unequal-pitch unequal-angle screw pump 60 with a powerful structure can operate in a wide pressure range from normal pressure to 1 (low pressure up to HT orr), and a very large flow rate up to 2500 L / min Can be realized.
  • FIG. 22 shows a configuration of a gas supply system cooperating with each of the processing units A to C in the semiconductor manufacturing apparatus 40 of FIG.
  • the processing unit shown in Fig. 19 Has W [that can completely erase the memory or history of the previous processing steps without special cleaning processing.
  • N 2, K r , A r, H 2, NF 3, C 4 F 8, CHF 3, O 2, CO, HB r one selected from S i C 1 4 like
  • the second gas force is supplied to the plasma gas supply port 11p provided on the processing vessel 11 through the first and Z or second flow control devices FCS1 and FSC2 and communicating with the shower plate 14 is, on the other hand, Silt himself N 2, K r, A r , H 2, NF 3, C 4 F 8, CHF 3, O 2, CO, HB r, one or more selected from S i C 1 4 like Is supplied to the processing gas supply port 11 r communicating with the ttflS processing gas supply structure 30 through the third to seventh flow transfer devices FCS 3 to FCS 7.
  • a control valve 71, a pressure gauge 72, a stop valve 73, and an orifice 74 shown in FIG. 23, which are sequentially formed in an SB-shaped pipe 70, are used.
  • the orifice 7 4 is controlled by the pressure gauge 7 2 so that the pressure P 2 on the downstream side is less than half of the pressure P 1 on the upstream side of the stop valve 7 3 ( ⁇ 2 P 2 ).
  • By controlling it is possible to supply the processing gas instantaneously at a predetermined flow rate because there is no dead space in the flow control device where the flow rate cannot be controlled.
  • the control device of FIG. 23 in the 22 gas supply system it becomes possible to instantaneously switch the plasma gas or the processing gas in accordance with the type of substrate processing in the processing unit.
  • the plasma processing unit 1 In the semiconductor manufacturing apparatus 40, the plasma processing unit 1
  • the present invention is not limited to the above specific embodiment, and various modifications and changes can be made within the gist of the present invention described in the claims.
  • Industrial applicability in the microwave plasma processing apparatus, the impedance at the connection between the coaxial waveguide for feeding the microwave and the microphone microwave antenna for radiating the microphone microwave into the processing vessel of the plasma processing apparatus. The change is mitigated, and as a result, the formation of reflected waves at the connection is suppressed, power supply efficiency is improved, and abnormalities due to reflected waves are suppressed, and a stable high-density plasma is formed in the processing vessel. It becomes possible.

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Description

明細書 プラズマ処職置 技術分野
本発明は一般にプラズマ処3¾置に係わり、 特にマイク口波プラズマ処3¾置 に関する。
プラズマ処理工程およびプラズマ処 ¾ ^置は、 近年のレ、わゆるディープサブミ クロン素子あるいはディープサブクォーターミクロン素子と呼ばれる 0 . 1 μ πι に近い、 あるいはそれ以下のゲート長を有する超微細化半導体装置の製 、 液 晶表示装置を含む高解 ^^平面表示装置の製造にとって、 不可欠の技術である。 半導体装置や液晶表示装置の製造に使われるプラズマ処¾¾置としては、 従来 より様々なプラズマの励起方式が使われているが、 特に平行平板型高周波励起プ ラズマ処理装置あるレ、は誘導結合型プラズマ処 a¾置が一般的である。 しかしこ れら従来のプラズマ処理装置は、 プラズマ形成が不均一であり、 電子密度の高い 領域が限定されているため大きな処理速度すなわちスループットで被処理 ¾δ全 面にわたり均一なプロセスを行うのが困難である問題点を有している。 この問題 は、 特に大径の を処理する に深刻になる。 しかもこれら従来のプラズマ 処理装置では、 電子温度が高いため被処理基板上に形成される半導体素子にダメ ージが生じ、 また処理室壁のスパッタリングによる金属汚染が大きいなど、 いく つかの本質的な問題を有している。 このため、 従来のプラズマ処理装置では、 半 導体装置や液晶表示装置のさらなる微細化およびさらなる生産性の向上に対する 厳しレ、要求を満たすことが困難になりつつある。
一方、 従来より直流磁場を用いずにマイク口波電界により励起された高密度プ ラズマを使うマイクロ波プラズマ処¾¾置が提案されている。 例えば、 均一なマ ィク口波を発生するように配列された多数のスロットを有する平面状のアンテナ (ラジアルラインスロットアンテナ） 力、ら処理容器内にマイクロ波を膽し、 こ のマイクロ波電界により真空容器内のガスを電離してプラズマを励起させる構成 のプラズマ処 S¾置が提案されている。例えば特開平 9— 6 3 7 9 3公報を参照。 このような手法で励起されたマイク口波プラズマではアンテナ直下の広レ、領域に わたって高いプラズマ密度を実現でき、 短時間で均一なプラズマ処理を行うこと が可能である。 しかもかかる手法で形成されたマイクロ波プラズマではマイクロ 波によりプラズマを励起するため電子 が低く、 被処3¾板のダメージゃ金属 汚染を回避することができる。 さらに大面積^ δ上にも均一なプラズマを容易に 励起できるため、 大口径半導体基板を使った半導体装置の製造工程や大型液晶表 示装置の製造にも容易に対応できる。 背景技術
図 1 Α， 1 Βは、 かかるラジアルラインスロットアンテナを使った従来のマイ ク口波プラズマ処理装置 1 0 0の構成を示す。 ただし図 1 Αはマイク口波プラズ マ処3¾置 1 0 0の断面図を、 また図 1 Bはラジアルラインスロットアンテナの 構成を示す図である。
図 1 Aを参照するに、 マイク口波ブラズマ処理装置 1 0 0は複数の排気ポート 1 1 6から排気される処理室 1 0 1を有し、 前記処3¾ 1 0 1中には被処
1 1 4を保持する保持台 1 1 5が形成されている。 tiflE処理室 1 0 1の均一な排 気を実現するため、 前記保持台 1 1 5の周囲にはリング状に空間 1 0 1 Aが形成 されており、 前記複数の排気ポート 1 1 6を前記空間 1 0 1 Aに連通するように 等間隔で、 すなわち被処理 S¾に対して軸対称に形成することにより、 l己処理 室 1 0 1を前記空間 1 0 1 Aおよび排気ポート 1 1 6を介して均一に排気するこ とができる。
前記処理室 1 0 1上には、 前記保持台 1 1 5上の被処理基板 1 1 4に対応する 位置に、 前記処理室 1 0 1の^^の一部として、 低損失誘電体よりなり多数の開 口部 1 0 7を形成された板状のシャワープレート 1 0 3がシールリング 1 0 9を 介して形成されており、 さらに前記シャワープレート 1 0 3の外側に同じく低損 失誘電体よりなるカバープレート 1 0 2力 別のシールリング 1 0 8を介して設 けられている。
前記シャワープレート 1 0 3にはその上面にプラズマガスの通路 1 0 4が形成 されており、 前記複数の開口部 1 0 7の各々は前記ブラズマガス通路 1 0 4に連 通するように形成されている。さらに、 ΙΐίΙΒシャワープレート 1 0 3の内部には、 前記処理容器 1 0 1の^^に設けられたプラズマガス供給ポ一ト 1 0 5に連通す るプラズマガスの供給通路 1 0 8が形成されており、 前記プラズマガス供給ポー ト 1 0 5に供給された A rや r等のプラズマガスは、 前記供給通路 1 0 8から 前記通路 1 0 4を介して前記開口部 1 0 7に供給され、 前記開口部 1 0 7から前 記処理容器 1 0 1内部の前記シャワープレ一ト 1 0 3直下の空間 1 0 1 Bに、 実 質的に一様な濃度で放出される。
前記処理容器 1 0 1上には、 さらに前記カバープレート 1 0 2の外側に、 前記 カバ一プレート 1 0 2から 4〜5 mm離間して、 図 1 Bに示す 面を有するラ ジアルラインスロットアンテナ 1 1 0が設けられている。 前記ラジアルラインス ロットアンテナ 1 1 0は外部のマイクロ波源 （図示せず） に同軸導波管 1 1 O A を介して接続されており、 前記マイクロ波源からのマイクロ波により、 tiff己空間
1 0 1 Bに放出されたプラズマガスを励起する。 前記カバープレート 1 0 2とラ ジアルラインスロットアンテナ 1 1 0の放射面との間の隙間は大気により充填さ れている。
前記ラジアルラインスロットアンテナ 1 1 0は、 前記同軸導波管 1 1 O Aの外 側導波管に接続された平坦なディスク状のアンテナ本体 1 1 0 Bと、 前記アンテ ナ本体 1 1 0 Bの開口部に形成された、 図 1 Bに示す多数のスロット 1 1 0 aお よびこれに直交する多数のスロット 1 1 0 bを形成された ¾lt板 1 1 0 Cとより なり、 前記ァンテナ本体 1 1 0 Bと前記腿板 1 1 0 Cとの間には、 厚さが一定 の誘電附及よりなる遅相板 1 1 0 Dが挿入されている。
力かる構成のラジアルラインスロットアンテナ 1 1 0では、 前記同軸導波管 1 1 0から給電されたマイクロ波は、 前記ディスク状のアンテナ本体 1 1 0 Bと放 射板 1 1 0 Cとの間を、 半径方向に広がりながら進行するが、 その際に前記遅相 板 1 1 0 Dの作用により波長が圧縮される。 そこで、 このようにして 方向に 進行するマイクロ波の波長に対応して前記スロット 1 1 0 aおよび 1 1 0 bを同 心円状に、 力つ相互に直交するように形成しておくことにより、 円偏波を有する 平面波を tilt己 板 1 1 0 Cに実質的に垂直な方向に ¾Ιίすることができる。 かかるラジアルラインスロットアンテナ 1 1 0を使うことにより、 前記シャヮ 一プレート 1 0 3直下の空間 1 0 1 Bに均一な高密度プラズマが形成される。 こ のようにして形成された高密度プラズマは電子温度が低く、 そのため被処理基板 1 1 4にダメージが生じることがなく、 また処理容器 1 0 1の器壁のスパッタリ ングに起因する金属汚染が生じることもない。
図 1のブラズマ処理装置 1 0 0では、 さらに前記処理容器 1 0 1中、 tin己シャ ワープレート 1 0 3と被処 «¾ 1 1 4との間に、外部の処理ガス源（図示せず） 力 ら前記処理容器 1 0 1中に形成された処理ガス通路 1 1 2を介して処理ガスを 供給する多数のノズル 1 1 3を形成された導体構造物 1 1 1が形成されており、 前記ノズル 1 1 3の各々は、 供給された処理ガスを、 前記導体構造物 1 1 1と被 処理基板 1 1 4との間の空間 1 0 1 Cに放出する。 嫌己導 造物 1 1 1には、 前記隣接するノズル 1 1 3と 1 1 3との間に、 前記空間 1 0 1 Βにおいて形成さ れたプラズマを Ιΐίϊ己空間 1 0 1 Bから前記空間 1 0 1 Cに拡散により、 効率よく 通過させるような大きさの開口部が形成されている。
そこで、 このように前記導 ^造物 1 1 1力 ら Silt己ノス、ノレ 1 1 3を介して処理 ガスを Ι ΐΞ空間 1 0 1 Cに放出した^、 放出された処理ガスは前記空間 1 0 1 Βにおいて形成された高密度プラズマにより励起され、 前記被処理 ¾¾ 1 1 4上 に、 一様なプラズマ処理が、 効率的かつ高速に、 しかも基板および基板上の素子 構造を損傷させることなく、 また s¾を汚染することなく行われる。 一方 tiiiaラ ジアルラインスロットアンテナ 1 1 0から放射されたマイクロ波は、 かかる導体 構造物 1 1 1により PJjhされ、 彼処 SS« 1 1 4を損傷させることはなレヽ。
ところで図 1のプラズマ処 置 1 0 0では、 図示されていないマイクロ波源 で形成された大パワーのマイクロ波を、 前記ラジアルラインスロットアンテナ 1 1 0に効率よく供給する必要がある。
一般に、 マイクロ波アンテナとこれに協働する導波管との間には、 例えばマイ ク口波アンテナで受信された微弱なマイク口波信号を損失なく導波管中に注入す るためにインピーダンス整合構造が設けられる。 一方、 図 1のプラズマ処3¾置 1 0 0で使われるラジアルラインスロットアンテナ 1 1 0では、 導波管から大パ ヮ一のマイク口波がアンテナに供給されるだけでなく、 供給されたマイク口波が 処理容器 1 0 1中に形成されたプラズマで反射されて形成された反射波も前記ァ ンテナ 1 1 0および導波管中に重畳された状態で存在しているため、 前記アンテ ナ本体 1 1 0と導波管との間のインピーダンス整合が不適切であると、 前記ブラ ズマ処 置 1 0 0の 中に、 前記ラジアルラインスロットァンテナ 1 1 0あ るいは同軸導波管中に異常放電が生じてしまう問題があった。 このため導波管と アンテナ本体 1 1 0とを結合する給電部におけるィンピ一ダンス整合は、 通常の アンテナの場合よりもはるかに重要になる。 発明の開示
そこで本発明は、 上記の を解決した、 新規で有用なプラズマ処3¾置を提 供することを概括的! ¾ とする。
本発明のより具体的な i¾ は、 マイクロ波アンテナを有し、 前記マイクロ波ァ ンテナから処理容器中にマイク口波透過窓を介して供給されるマイクロ波により、 前記処理容器中にプラズマを形成し、 前記ブラズマ中にぉレ、て被処理基板の処理 を行うプラズマ処理装置において、 マイク口波導波管から前記マイクロ波アンテ ナヘのマイクロ波の給電効率を向上させ、 また tiriEマイクロ波導波管と前記マイ クロ波アンテナとの接続部におけるインピーダンス不整合に伴う異常放電の問題 を解消したブラズマ処 a¾置を^^することにある。
本発明の他の課題は、
により画成され、 被処 as¾を保持する保持台を備えた処理容器と、 l己処理容器に結合された排気系と、
l己処理容器上に、 前記保持台上の被処理基板に対面するように、 前記^ IIの 一部として設けられたマイク口波鶴窓と、
fiif己処理容器中にブラズマガスを供糸^るブラズマガス供給部と、
tUt己処理容器上に、 l己マイク口波に対応して設けられたマイク口波アンテナ と、
tiff己マイク口波アンテナに電気的に結合されたマイク口波 ® ^とよりなり、 iff己マイクロ波アンテナは、 前記マイクロ波 ¾ に接続され、 内側導体コアと これを囲む外側導体管とよりなる同軸導波管と、
ΙίίΐΞ同軸導波管の先端に設けられたアンテナ本体とよりなり、 I己ァンテナ本体は、 前記マイク口波 窓に結合しマイク口波 ¾it面を形成 する第 1の導体面と、 前記第 1の導体面に対して誘電体板を隔てて対向し、 前記 誘電体板の外周部において前記第 1の導体面に接続される第 2の導体面とよりな り、
SiilE内側導体コアは WIS第 1の導体面に第 1の接^により接続され、
外側導体管は flit己第 2の導体面に第 2の接 βにより接続され、 前記第 1の接続部は、 前記内側導体コアの外径が前記第 1の導体面に向って増 大する第 1のテーパ部を形成し、
前記第 2の接続部は、 前記外側導体管の内径が前記第 1の導体面に向って増大 する第 2のテーパ部を形成することを特徴とするプラズマ処 as置を«するこ とにある。
本発明のその他の課題は、
により画成され、 被処 as®を保持する保持台を備えた処理容器と、 嫌己処理容器に結合された排気系と、
前記処理容器上に、 前記保持台上の被処理基板に対面するように、 前記舰の 一部として設けられたマイク口波碰窓と、
Sift己処理容器中にブラズマガスを供給するブラズマガス供給部と、
前記処理容器上に、 前記マイク口波に対応して設けられたマイク口波アンテナ と、
tilt己マイク口波アンテナに電気的に結合されたマイク口波！！^とよりなり、 ISマイクロ波アンテナは、 前記マイクロ波 ¾¾¾に接続され、 内側導体コアと これを囲む外側導体管とよりなる同軸導波管と、
嫌己同軸導波管の先端に設けられたァンテナ本体とよりなり、
前記アンテナ本体は、 前記マイク口波透過窓に結合しマイク口波放射面を形成 する第 1の導体面と、 前記第 1の導体面に対して第 1の誘電体材料よりなる誘電 体板を隔てて対向し、 前記誘電体板の外周部にぉレ、て前記第 1の導体面に接続さ れる第 2の導体面とよりなり、
ΙΐίΙΞ内側導体コアは tiHS第 1の導体面に第 1の接 により接続され、 肅己外側導体管は tiilE第 2の導体面に第 2の接 »により接続され、 前記内側導体コアと前記外側導体管との間の空間には、 第 1の端面と IS第
1の端面に対向する第 2の端面とにより画成された誘電体 が、 己第 1の端 面において lift己誘電体板に隣接するように設けられ、 tiff己誘電体 は、 filf己誘 電体板の比誘電率よりも小さく、 空気よりも大きい比誘電率を有することを特徴 とするプラズマ処 a¾置を ,することにある。
本発明によれば、 大出力マイク口波源に接続されたマイク口波導波管とマイク 口波アンテナとの間の接続部におけるィンピーダンスの急変が回避され、 その結 果カゝかる接続部における反射波の形成が効果的に抑制される。 前記接^ 1におけ る反射波の抑制にともない、 力かる接続部における異常放電および異常放電によ るアンテナの損傷が回避される。 また、 かかる反射波の抑制により、 Ml己処理容 器中への前記マイク口波透過窓を介したマイク口波の供給が安定し、 前記処理容 器中に所望のプラズマを、 安定して形成することが可能になる。
本発明のその他の特徴および利点は、 以下に図面を参照しながら行う発明を実 施するための最良の態様より明らかとなろう。 図面の簡単な説明
図 1 A， 1 Bは、 従来のラジアルラインスロットアンテナを使ったマイクロ波 プラズマ処理装置の構成を示す図；
図 2 A, 2 Bは、 本発明の第 1実施例によるマイクロ波プラズマ処 a¾置の構 成を示す図；
図 3 A， 3 Bは、 図 2の装置における同軸導波管とラジアルラインスロットァ ンテナの接続部の構成例を示す図；
図 4は、 図 3の構成による反射低減効果を示す図；
図 5は、 図 3の給電構造を使って図 2 A， 2 Bのプラズマ処理装置中にマイク 口波プラズマを形成した場合の反射係数の実測結果を示す図；
図 6は、 図 2 Aのマイク口波ブラズマ処理装置の処理ガス供給機構の構成を示 す図；
図 7は、 図 2 Aのマイク口波プラズマ処理装置に結合されるマイク口波 の 構成を示す図； 図 8は、 本実施例の一変形例によるマイクロ波給 S«造の構成を示す図； 図 9は、 本発明の第 2実施例によるマイク口波給 ^造の構成を示す図； 図 1 0は、 図 9のマイク口波 構造の一変形例を示す図；
図 1 1は、 図 9のマイク口波 &tt^造の別の変形例を示す図；
図 1 2は、 図 9のマイク口波給 ®t造の別の変形例を示す図；
図 1 3は、 図 9のマイク口波給 造のさらに別の変形例を示す図； 図 1 4は、 図 9のマイク口波給 ®f造のさらに別の変形例を示す図； 図 1 5は、 本発明の第 3実施例によるマイクロ波プラズマ処3¾置の構成を示 す図；
図 1 6は、 本発明の第 4実施例によるマイク口波プラズマ処難置の構成を示 す図；
図 1 7は、 本発明の第 5実施例によるマイクロ波プラズマ処¾ ^置の構成を示 す図；
図 1 8は、 図 2 A， 2 Bのマイクロ波プラズマ処 S¾置を使った本発明の第 6 実施例による半導体製造装置の構成を示す図；
図 1 9は、 図 1 8 A， 1 8 Bの半導体製 置のお気系の構成を示す図； 図 2 0は、 図 1 9の排気系で使われるネ、: ¾分子ポンプの構成を示す図； 図 2 1は、 図 1 9の排気系で使われる不等ピッチ不等傾角スクリュ一ポンプの 構成を示す図；
図 2 2は、図 1 9の処理ュニットにおレヽて使われるガス供給系の構成を示す図； 図 2 3は、図 2 2のガス供給系で使われる流翻御装置の構成を示す図である。 発明を実施するための最良の形態
以下に本発明を実施例をあげて詳細に説明する。
[第 1実施例]
図 2 A， 2 Bは、 本発明の第 1実施例によるマイクロ波プラズマ処理装置 1 0 の構成を示す。
図 2 Aを参照するに、 I己マイク口波プラズマ処 a¾置 1 0は処理容器 1 1と、 前記処理容器 1 1内に設けられ、 被処理基板 1 2を静電チャックにより保持する 好ましくは熱間等方圧加圧法 (H I P) により形成された A 1 Nもしくは A 1 20 3よりなる保持台 1 3とを含み、 ήίί!己処理容器 1 1内には ttifB保持台 1 3を囲む空 間 1 1 Aに等間隔に、 すなわち前記保持台 1 3上の被処理基板 1 2に対して略軸 対称な関係で少なくとも二箇所、 好ましくは三箇所以上に排気ポ一ト 1 1 aが形 成されている。 前記処理容器 1 1は、 かかる排気ポート 1 1 aを介して後ほど説 明する不等ピッチ不等傾角スクリユーポンプにより、 お気'減圧される。
Sfff己処理容器 1 1は好ましくは A 1を含有するオーステナイトステンレス鋼よ りなり、 内壁面には酸化処理により酸化アルミニウムよりなる保護膜が形成され ている。 また前記処理容器 1 1の^ IIのうち前記被処: ffiS^ l 2に対応する部分 には、 H I P法により形成された緻密な A 1 2O3よりなり多数のノズル開口部 1 4 Aを形成されたディスク状のシャワープレート 1 4力 前記^の一部として 形成される。 かかる H I P法により形成された A 1 2Ο3シャワープレート 1 4は Y203を焼結助剤として使って形成され、 気孔率が 0. 0 3 %以下で実質的に気 孔ゃピンホールを含んでおらず、 3 OW/m · Kに "る、 セラミックとしては 非常に大きな熱伝導率を有する。
前記シャワープレート 1 4は前記処理容器 1 1上にシールリング 1 1 sを介し て装着され、 さらに前記シャワープレート 1 4上には同様な H I P処理により形 成された緻密な A 1 2O3よりなるカバープレ一ト 1 5力 シールリング 1 1 tを 介して設けられている。 前記シャワープレート 1 4の前記カバープレート 1 5と 接する側には前記ノズル開口部 1 4 Aの各々に連通しプラズマガス流路となる凹 部 1 4 Bが形成されており、 fiit己凹部 1 4 Bは前記シャワープレート 1 4の内部 に形成され、 前記処理容器 1 1の に形成されたプラズマガス入口 1 1 pに連 通する別のプラズマガス流路 1 4 Cに連通している。
前記シャワープレート 1 4は前記処理容器 1 1の内壁に形成された張り出し部 1 1 bにより保持されており、 前記張り出し部 1 1 bのうち、 前記シャワープレ ート 1 4を保持する部分には異常放電を抑制するために丸みが形成されている。 そこで、 前記プラズマガス入口 1 1 pに供給された A rや K r等のプラズマガ スは前記シャワープレート 1 4内部の流路 1 4 Cおよび 1 4 Bを順次通過した後、 前記開口部 1 4 Aを介して前記シャワープレート 1 4直下の空間 1 1 B中に一様 に供給される。
前記カバープレート 15上には、 前記カバープレート 1 5に密接し図 3 Bに示 す多数のスロット 16 a， 16 bを形成されたディスク状のスロット板 16と、 前記スロット板 16を保持するディスク状のアンテナ本体 1 7と、 ί ΙΕスロット 板 16と SiflEアンテナ本体 17との間に麟された Al2O3， S i O2あるいは S i 3N4等の低損失誘電 料よりなる遅相板 18とにより構成されたラジアルラ インスロットアンテナ 20が設けられている。 fijf己ラジアルスロットラインアン テナ 20は前記処理容器 1 1上にシールリング 1 1 uを介して装着されており、 前記ラジアルラインスロットアンテナ 20には矩形あるいは円形断面を有する同 軸導波管 21を介して外部のマイク口波源 （図示せず） より周波数が 2. 45 G Hzあるレ、は 8. 3 GHzのマイクロ波が供給される。 供給されたマイクロ波は 前記スロット板 16上のスロット 1 6 a， 16 bから前記カバープレート 15お よびシャワープレート 14を介して前記処理容器 1 1中に漏され、 前記シャヮ 一プレート 14直下の空間 1 1 Bにおいて、 ff己開口部 14 Aから供給されたプ ラズマガス中にプラズマを励起する。 その際、 前記カバープレート 1 5およぴシ ャヮ一プレート 14は A l2O3により形成されており、 効率的なマイクロ波 窓として作用する。 その際、 Sift己プラズマガス流路 14 A〜l 4 Cにおいてブラ ズマが励起されるのを回避するため、 ΙίίΙΕプラズマガスは、 前記流路 14Α〜1 4 Cにおいて約 6666 P a〜：！ 3332P a (約 50〜：！ O OTo r r) の圧 力に保持される。
前記ラジアルラインスロットアンテナ 20と前記カバープレート 15との密着 性を向上させるため、 本実施例のマイクロ波プラズマ処 a¾置 10では前記スロ ット板 16に係合する前記処理容器 1 1の上面の一部にリング状の溝 1 1 gが形 成されており、 かかる溝 1 1 gを、 これに連通した排気ポート 1 1Gを介して排 気することにより、 前記スロット板 16とカバープレート 15との間に形成され た隙間を減圧し、 大気圧により、 前記ラジアルラインスロットアンテナ 20を前 記カバープレート 1 5にしつかりと押し付けることが可能になる。 かかる隙間に は、 前記ス口ット板 16に形成されたスロット 16 a， 16 bが含まれるが、 そ れ以外にもカバープレート 1 5表面の微細な凹凸など様々な理由により隙間が形 成されることがある。 かかる隙間は、 tiff己ラジアルラインスロットアンテナ 2 0 と処理容器 1 1との間のシールリング 1 1 uにより封止されている。
さらに ttif己排気ポ一ト 1 1 Gおよ 1 5 gを介して前記スロット板 1 6と前 記カバープレート 1 5との間の隙間に分子量の小さい不活性気体を充填すること により、 前記カバープレート 1 5から ΙίίΐΒスロット板 1 6への熱の輸送を促進す ることができる。 かかる不活性気体としては、 熱伝導率が大きくしかもイオンィ匕 エネルギの高い H eを使うのが好ましい。 前記隙間に H eを充填する場合には、 0. 8 ^ff纖の圧力に設定するのが好ましい。 図 3の構成では、 前記溝 1 5 g の排気および溝 1 5 gへの不活性気体の充填のため、 前記 気ポート 1 1 Gにバ ルブ 1 I Vが接続されている。
前記同軸導波管 2 1 Aのうち、 外側の導波管 2 1 Aは前記ディスク状のアンテ ナ本体 1 7に接続され、 中心導体 2 1 Bは、 前記遅波板 1 8に形成された開口部 を介して前記スロット板 1 6に接続されている。 そこで前記同軸導波管 2 1 Aに 供給されたマイクロ波は、 前記アンテナ本体 1 7とスロット板 1 6との間を径方 向に進行しながら、 fijf己スロッ ト 1 6 a， 1 6 bより 谢される。
図 2 Bは 己スロット板 1 6上に形成されたスロット 1 6 a， 1 6 bを示す。 図 2 Bを参照するに、 前記スロット 1 6 aは同心円状に配列されており、 各々 のスロット 1 6 aに対応して、 これに直行するスロット 1 6 bが同じく同心円状 に形成されている。 前記スロッ ト 1 6 a， 1 6 bは、 前記ス口ット板 1 6の雜 方向に、 前記遅相板 1 8により圧縮されたマイク口波の波長に対応した間隔で形 成されており、 その結果マイクロ波は前記スロット板 1 6から略平面波となって 放射される。 その際、 前記スロット 1 6 aおよび 1 6 bを相互の直交する関係で 形成しているため、 このようにしてお Cltされたマイクロ波は、 二つの直交する偏 波成分を含む円偏波を形成する。
さらに図 2 Aのプラズマ処 a¾置 1 0では、 前記ァンテナ本体 1 7上に、 冷却 水通路 1 9 Aを形成された冷却プロック 1 9が形成されており、 前記冷却プロッ ク 1 9を前記冷却水通路 1 9 A中の冷却水により冷却することにより、 前記シャ ヮ一プレート 1 4に蓄積された熱を、 前記ラジアルラインスロットアンテナ 2 0 を介して吸収する。 前記冷却水通路 1 9 Aは前記冷却ブロック 1 9上においてス パイラル状に形成されており、好ましくは H2ガスをパブリングすることで游酸 素を排除して且つ酸化還元電位を制御した冷却水が通される。
また、 図 2 Aのマイク口波プラズマ処 a¾置 1 0では、 前記処理容器 1 1中、 前記シャワープレート 1 4と 己保持台 1 3上の被処理 S« l 2との間に、 前記 処理容器 1 1の;^に設けられた処理ガス注入口 1 1 rから処理ガスを供給され これを多数の処理ガスノズル開口部 3 1 B (図 4参照） から放出する格子状の処 理ガス通路 3 1 Aを有する処理ガス供給構造 3 1が設けられ、 Ιΐίϊ己処理ガス供給 構造 3 1と l己被処理基板 1 2との間の空間 1 1 Cにおいて、 所望の均一な ¾反 処理がなされる。 かかる基板処理には、 プラズマ酸化処理、 プラズマ窒ィ匕処理、 プラズマ酸窒化処理、 プラズマ C VD処理等が含まれる。 また、 前記処理ガス供 給構造 3 1から前記空間 1 1 Cに C4 F 8、 C 5 F 8または C 4 F 6などの解離しやす いフルォロカーボンガスや、 F系あるいは C 1系等のエッチングガスを供給し、 前記保持台 1 3に高周波電源 1 3 Aから高周波電圧を印加することにより、 前記 被処 SS^ l 2に対して反応性イオンエッチングを行うことが可能である。
本実施例によるマイクロ波ブラズマ処 置 1 0では、 前記処理容器 1 1の外 壁は 1 5 0° C献の に加熱しておくことにより、 処理容器内壁への反応副 生成物等の付着が回避され、 一日に一回 のドライクリ一ユング行うことで、 定常的に、 安定して することが可能である。
ところで、 図 2 Aのブラズマ処 置 1 0におレヽては、 前記同軸導波管 2 1を ラジアルラインスロットアンテナ 2 0に接続する接続 ·給電部において、 編己中 心導体 2 1 Bに、 前記中心導体 2 1 Bの径ないし断面積が gff己スロット板 1 6に 向って増大するようにテーパ部 2 1 B tが形成されており、 また前記外側導波管 2 1 Aにも、 対応するテーパ部 2 1 A t力 前記導波管 2 1 Aの内径が.前記アン テナ本体 1 7に向って増大するように形成されている。 前記アンテナ接続'給電 部に力かるテーパ構造を形成することにより、 前記接続 ·給電部におけるィンピ 一ダンスの急変が緩和され、 その結果、 かかるインピ一ダンスの急変に起因する 反射波の形成が大きく される。
図 3 Αは、 図 2 Αのプラズマ処理装置 1 0における、 前記同軸導波管 2 1と前 記ラジアルラインス口ットアンテナ 2 0との接続 ·マイク口波給電部の構成を詳 細に示す拡大図である。 簡単のため、 前記スロット板 1 6に形成されたスロット 1 6 a , 1 6 bの図示は省略してある。
図 3 Aを参照するに、 前記内側導体 2 1 Bは直径が 1 6. 9 mmの円形状断面 を有し、 前記スロット板 1 6とァンテナ本体 1 7との間には、 前記遅相板 1 8と して、 厚さが 4 mmで比誘電率 εが 1 0. 1のアルミナ板が形成されている。 一 方、 前記外側導波管 2 1 Αは、 直径が 3 8. 8 mmの円形断面を有する空間を画 成し、 tins内側導体 2 1 Bは力、かる円筒形空間中に配設されている。
その際、 図 3 Aよりわかるように前記内側導体 2 1 Bは、 前記スロット板 1 6 との接合面から 7 mmの範囲の接合部にぉレヽて断面積を前記接合面に向つて増大 させており、 その結果、 前記内側導体 2 1 Bは、 前記接合面にぉレ、て径が 2 3 m mの円形状を有する。 また、 このようにして形成されたテーパ面 2 I B tに対応 して、 前記アンテナ本体 1 7にも、 前記内側導体 2 1 Bとスロット板 1 6との接 合面から 1 O mm (遅相板 1 8の厚さ 4 mm +アンテナ本体 1 7の厚さ 6 mm= 1 O mm) の位置から始まるテーパ面 2 1 A tが形成されている。
図 4は、 図 3 Aの構成のラジアルラインスロットアンテナ 2 0と導波管 2 1と の組み合わせについて、 マイクロ波を前記導波管 2 1からアンテナ 2 0に供給し た;^に前記導波管 2 1に戻る反射波電力の割合を、 図 3 A中のパラメータ aを 6. 4 mmに設定した場合について求めたものである。 図 4中、 前記反射波の割 合を♦で示す。 また図 4中には、 図 3 Bに示す、 図 3 Aの構成において前記テー パ部 2 1 A tおよび 2 1 B tを省略した構成について求めた反射波電力の割合を、 , *で示す。
図 4を参照するに、 この図における反射波は前記導波管 2 1とラジアルライン アンテナ 2 0との接続部 ·給電部からのものだけでなく、 ブラズマからの反射波 も含んでいるが、 図 3 Bの構成では反射波の割合が周波数にかかわらず一 2 d B になっており、 8 0 %近くのマイクロ波が反射されて導波管 2 1およびこれ に接続されたマイク口波源に戻っていることがわかる。
これに対して図 3 Aのテーパ面 2 1 A tおよび 2 1 B tを設けた構成では、 反 射波の割合はマイク口波の周波数に依存し、 特にブラズマ励起に使われる 2. 4 GH z近傍の周波数において反射電力が一 2 3 d B (約 1 4 %) と、 最小になる ことがわかる。
図 5は、 図 3 Aのアンテナ構成を使って図 2 Aのプラズマ処理装置 1 0を、 処 理容器 1 1中の内圧を 1 3 3 P a (約 l T o r r ) に設定し、 前記シャワープレ ート 1 4力 ら A rと 02をそれぞれ 6 9 0 S C CMおよび 2 3 S C CMの流量で 供給し、 さらに ΙίίϊΕ導波管 2 1力 前記ラジアルラインスロットアンテナ 2 0に 周波数が 2. 4 5 GH zのマイクロ波を 1 . 6 kWのパワーで供給した場合に、 前記導波管 2 1とマイクロ波源との間に設けたパワーモニタにより観測した、 マ イク口波反射係数を示す。 従って、 図 5の反射係数は、 前記導波管 2 1とアンテ ナ 2 0との接続部におけるマイクロ波の反射のみならず、 処理容器 1 1中におい て前記シャワープレート 1 4直下に形成されたプラズマからの反射の効果をも含 んでいる。
図 5を参照するに、 図 3 Bの接続部構成を使つた場合には、 反射波の割合が 8 0 %前後 （反射係数 0. 8 ) で時間とともに大きく変動するのに対し、 図 3 A の構成を使った には、 反射波の割合は約 3 0 % (反射係数 0. 3 ) まで減 少し、 しかもほとんど一定になっているのがわかる。 先の図 4では、 同軸導波管 2 1とラジァノレラインァンテナ 2 0の接続部における反射は約 1 4 %@ ^であつ たことを考えると， 図 5に見られる約 3 0 %の反射係数は、 プラズマからの反射 の効果を含んでいることがわかる。
図 6は、 図 2 Aの構成における処理ガス供給構造 3 1の構成を示す底面図であ る。
図 6を参照するに、 前記処理ガス供給構造 3 1は例え ifM gを含んだ A 1合金 や A 1添 ステンレススチール等の導電体より構成されており、 嫌己格子状処理 ガス通路 3 1 Αは前記処理ガス注入口 1 1 rに処理ガス供給ポート 3 1 Rにおい て接続され、 下面形成された多数の処理ガスノズル開口部 3 1 Bから処理ガスを 前記空間 1 1 Cに均一に放出する。 また、 前記処理ガス供給構造 3 1には、 隣接 する処理ガス通路 3 1 Aの間にプラズマやプラズマ中に含まれる処理ガスを通過 させる開口部 3 1 Cを形成されている。 前記処理ガス供給構造 3 1を M g含有 A 1合金により形成する場合には、 表面に弗ィヒ物膜を形成しておくのが好ましい。 また前記処理ガス供給構造 3 1を A 1添加ステンレススチールにより形成する場 合には、 表面に酸ィ匕アルミニウムの不動態膜を形成しておくのが望ましい。 本発 明によるプラズマ処 aig置 1 0では、 励起される励起されるプラズマ中の電子温 度が低いためプラズマの入射エネルギが小さく、 カゝかる処理ガス供給構造 3 1が スパッタリングされて被処理 ¾¾ 1 2に金属汚染が生じる問題が回避される。 前 記処理ガス供給構造 3 1は、 アルミナ等のセラミックスにより形成することも可 能である。
前記格子状処理ガス通路 3 1 Aおよび処理ガスノズル開口部 3 1 Bは図 4に破 線で示した被処理基板 1 2よりもやや大きレ、領域をカバーするように設けられて レヽる。 かかる処理ガス供給構造 3 1を前記シャワープレート 1 4と被処理 ¾¾ 1 2との間に設けることにより、 前記処理ガスをプラズマ励起し、 かかるプラズマ 励起された処理ガスにより、 均一に処理することが可能になる。
前記処理ガス供給構造 3 1を金属等の導体により形成する場合には、 前 IE¾子 状処理ガス通路 3 1 A相互の間隔を前記マイク口波の波長よりも短く設定するこ とにより、 Ιΐίϊ己処理ガス供給構造 3 1はマイクロ波の賺面を形成する。 この場 合にはプラズマのマイク口波励起は前記空間 1 1 Β中においてのみ生じ、 前記被 処理基板 1 2の表面を含む空間 1 1 Cにおいては前記励起空間 1 1 Bカゝら拡散し てきたプラズマにより、 処理ガスが活性化される。 また、 プラズマ着火時に前記 被処理基板 1 2が直接マイクロ波に曝されるのを防ぐことが出来るので、 マイク 口波による の損傷も防ぐことができる。
本実施例によるマイクロ波ブラズマ処 置 1 0では、 処理ガス供給構造 3 1 を使うことにより処理ガスの供給が一様に制御されるため、 処理ガスの被処理基 板 1 2表面における過剰解離の問題を解消することができ、 被処理 S¾ l 2の表 面にァスぺクト比の大きレヽ構造が形成されている場合でも、 所望の基板処理を、 かかる高ァスぺクト構造の奥にまで実施することが可能である。 すなわち、 マイ クロ波プラズマ処理装置 1 0は、 設計ルールの異なる多数の世代の半導体装置の 製造に有効である。
図 7は、 図 2 Aの構成中の同軸導波管 2 1に接続されるマイク口波源の概略的 構成を示す。
図 7を参照するに、 前記同軸導波管は、 2. 4 5 GH zあるいは 8. 3 GH z で発振するマグネトロン 2 5 Aを有する発振部 2 5から延在する導波管の端部に、 Sift己発振部 2 5から順にアイソレータ 2 4， パワーモニタ 2 3およびチューナ 2 2を介して接続されており、 tins発振器 2 5で形成されたマイク口波を前記ラジ アルラインスロットアンテナ 2 0に供給すると同時に、 プラズマ処理装置 1 0中 に形成された高密度プラズマから反射したマイクロ波を、 ΙϋΙΒチューナ 2 2にお いてインピーダンス調整を行うことにより、 前記ラジアルラインスロットアンテ ナ 2 0へと戻している。 また、 前記アイソレータ 2 4は方向性を有する要素で、 Ml己発振部 2 5中のマグネトロン 2 5 Aを反射波から保護するように作用する。 本実施例によるマイクロ波プラズマ処理装置 1 0では、 このように前記同軸導 波管 2 1とラジアルラインスロットアンテナ 2 0との接続部ないし給電部にテー パ部 2 1 A tおよび 2 1 B tを形成することにより、 力かる接続部におけるイン ピーダンスの急変が緩和され、 その結果、 インピーダンス急変にともなうマイク 口波の反射を抑制し、 また前記同軸導波管 2 1からアンテナ 2 0へのマイクロ波 の供給を安定化することが可能である。
なお、 本実施例のマイク口波プラズマ処 a¾置 1 0におレ、て、 図 8の変形例に 示すように、 前記テーパ面 2 1 A tおよび 2 1 B tをそれぞれ湾曲面 2 1 A rお よび 2 1 B rに置き換えることも可能である。 このように湾曲面を形成すること により、 力、かる接続部におけるインピーダンス変化をさらに緩和し、 もって反射 波の形成をさらに効率よく抑制することが可能になる。
本実施例によるマイクロ波プラズマ処理装置 1 0では、 プラズマに起因する熱 フラックスに曝されるシャワープレート 1 4と冷却部との距離が、 図 1 A， Bに 示す従来のマイクロ波ブラズマ処 a¾置に比べて大幅に されており、 その結 果、 誘電損失の大きい A 1 Νの代わりに A 1 2Ο3のような、 マイクロ波 ¾ii窓と して好適な、 誘電損失は小さいが熱伝導率も小さい材料をシャワープレートおよ びカバープレートに使うことが可能になり、 シャワープレートの昇温を抑制しつ つ、 同時にプラズマ処理の効率、 従って処 ¾ 度を向上させることができる。 また本実施例によるマイク口波プラズマ処 置 1 0では前記シャワープレー ト 1 4とこれに対向する被処 as板 1 2との間の間隔が狭いため、 前記空間 1 1 Cで基板処理反応の結果生じた反応生成物を含むガスは、 前記外周部の空間 1 1 Aへと流れる安定な流れを形成し、 その結果 tUIB反応生成物は前記空間 1 1 Cか ら速やかに除去される。 その際、 前記処理容器 1 1の;^を 1 5 0° Cの温 度に保持しておくことにより、 前記反応生成物の処理容器 1 1内壁への付着を実 質的に完全に除去することが可能になり、 前記処理装置 1 0は次の処理を速やか に行うことが可能になる。
なお、 本実施例においては特定の寸法の数値を挙げて説明をしたが、 本発明は これら特定の数値に限定されるものではない。
[第 2実施例]
図 9は、 本発明の第 2実施例による、 同軸導波管 2 1とラジアルラインアンテ ナ 2 0との接続部 ·給電部の構成を示す。 ただし図 9中、 先に説明した部分には 同一の参照符号を付し、 説明を省略する。
図 9を参照するに、 前記同軸導波管 2 1を構成する外側導波管 2 1 Aと l己ラ ジアルラインアンテナ 2 0の本体 1 7とは直角に結合され、 直角に屈曲する接 続 ·給電部が形成されている。 また前記内側導体 2 1 Bもスロット板 1 6と直角 に結合されている。
—方、図 9の構成では前記遅相板 1 8として比誘電率の大きい A 1 203を使い、 さらに^ it己外側導波管 2 1 Aと内側導体 2 1 Bとの間に、比誘電率のより小さい、 例えば S i〇2よりなるリング状の部材 1 8 Αを、前記部材 1 8 Aの一端が前記遅 相板 1 8に接するように形成する。
かかる構成によれば、 前記同軸導波管 2 1とラジアルラインスロットアンテナ 2 0との接続部において階段状のインピーダンス変化が出現し、 反射波の発生が 抑制される。 その際、 前記部材 1 8 Aの長さは、 前記同軸導波管 2 1およびアン テナ 2 0よりなるアンテナ構造の特性に合わせて、 に決定することができる。 図 9の実施例では、 前記リング状部材 1 8 Aのうち、 前記遅相板 1 8に接する 第 1の側の端面に対して対向する第 2の側の端面は空気に接しているが、 図 1 0 の変形例に示すように、 前記リング状部材 1 8 Aの前記第 2の端面に接するよう に、 より比誘電率の小さレ、、 例えばテフロンよりなる別のリング状部材 1 8 Bを 設け、 接続部における階段状のィンピーダンス変化の際の階段の数を増大させる ことも可能である。
さらに、 図 1 1の変形例に示すように、 tin己リング状部材 1 8 Aを誘電率の異 なる S i 02粒と S i 3N4粒の混合物を焼結したものにより構成し、その際 リ ング状謝 1 8八中の5 i O2と S i 3 N4の糸賊比を、その誘電率が前記第 1の端 面から第 2の端面に向って連続的に増大するように、 混合比を制御してもよい。 図 1 2は、 本実施例別の変形例による、 同軸導波管 2 1とラジアルラインアン テナ 2 0との接続部の構成を示す。 ただし図 1 2中、 先に説明した部分には同一 の参照符号を付し、 説明を省略する。
図 1 2を参照するに、 本変形例では、 前記リング状部材 1 8 Aの第 2の端面を テーパ面とし、 前記リング状辦才 1 8 Aの肉厚が、 fiif己遅相板 1 8に向って H 的に増大するように構成されている。
かかる構成では、 前記リング状部材 1 8 Aとして、 A 1 2O3など、 前記遅相板 1 8と同じ材料を使った場合、 前記接続 ·給電部のインピーダンスがラジアルラ インスロットアンテナに向って連続的に増大し、 インピーダンスの急変に伴う反 射が抑制され、 効率的で安定なマイクロ波の供給が実現される。
なお、 図 1 2の構成において前記リング状部材 1 8 Aのテーパ面を、 図 1 3の 変形例に示すように、 前記接続 ·給電部の特性に応じて前記リング状部材 1 8 A の肉厚が非 S 的に変化するように湾曲面とすることも可能である。 例えば、 前 記リング状 » 1 8 Aの肉厚を、 指数関数的に増大させることも可能である。 さらに、 図 1 4に示すように、 図 9のリング状部材 1 8 Aを、 先に図 3 Aで説 明した、 テーパ面 2 1 A tおよび 2 1 B tを有する構成に組み合わせることも可 能である。 その際、 前記リング状部材 1 8 Aは図 9のものに限定されるものでは なく、 図 9〜 1 3のレヽずれの構成を組み合わせることも可能である。 [第 3実施例]
図 1 5は、 本発明の第 3実施例によるプラズマ処 MS置 1 O Aの構成を示す。 ただし図 1 5中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。 図 1 5を参照するに、 プラズマ処理装置 1 0 Aでは前記シャワープレート 1 4 が撤去され、 その代わりに前記処理容器 1 1中に、 好ましくは対称的に、 複数の プラズマガス供給管 1 1 Pが、 前記ガス通路 1 1 pに連通して形成されている。 本実施例のプラズマ処理装置 1 O Aでは、 構成が簡素化され、 製造費用を大きく ί することが可能である。
かかる構成のプラズマ処理装置 1 O Aにおいても、 tinsラジアノレラインスロッ トアンテナ 2 0と同軸導波管 2 1との接続'給電部にテ一パ面 2 1 A t , 2 I B tを形成することにより、 反1¾が抑制され、 給電効率が向上し、 反射波による 異常放電が抑制され、 プラズマ形成が安定化する。 また本実施例においても、 前 記接続部の構成は図 3 Aに示したものに限定されるものではなく、 図 8〜1 4の いずれの構成を使うことも可能である。
[第 4実施例]
図 1 6は、 本発明の第 4実施例によるブラズマ処理装置 1 0 Bの構成を示す。 ただし図 1 6中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。 図 1 6を参照するに、 本実施例のプラズマ処理装置 1 0 Bでは、 前記下段シャ ワープレート 3 1が撤去されている。 また、 前記シャワープレート 1 4を保持す る ΙΞ張り出し部 1 1 bの全面に丸みが形成されている。
かかる構成のプラズマ処3¾置 1 0 Bでは、 前記下段シャワープレート 3 1力 S 省略されているためブラズマガスとは別に処理ガスを供給して成膜ゃェツチング を行うことはできないが、 前記シャワープレート 1 4からプラズマガスとともに 酸化ガスあるレ、は窒化ガスを供給することにより、 被処理基板表面に酸化膜ゃ窒 化膜、 あるいは酸窒化膜を形成することが可能である。
本実施例においても、 前記同軸導波管 2 1とラジアルラインスロットアンテナ 2 0との接続 ·給電部にテーパ面 2 1 A t， 2 1 B tを形成することにより、 反 射波が抑制され、 給電効率が向上し、 反射波による異常放電が抑制され、 プラズ マ形成が安定化する。 また本実施例にぉレ、ても、 前記接続部の構成は図 3 Aに示 したものに限定されるものではなく、 図 8〜1 4のいずれの構成を使うことも可 能である。
[第 5実施例] さらに本発明による接続 '糸^¾構造は、 図 2 Aのプラズマ処職置 1 0あるい はその変形例に限定されるものではなく、 先に図 1 A, 1 Bで説明した従来のラ ジアルラインスロットアンテナを使ったプラズマ処理装置 1 0 0に対しても適用 可能である。
図 1 7は、 本発明の接続 ·給電構造を使った本発明の第 5実施例によるプラズ マ処理装置 1 0 0 Aの構成を示す。 ただし図 1 7中、 先に説明した部分には同一 の参照符号を付し、 説明を省略する。
図 1 7を参照するに、 プラズマ処理装置 1 0 0 Aは前記従来のブラズマ処理装 置 1 0 0と実質的に同じ構成を有するが、 前記同軸導波管 1 1 O Aとラジアルラ インスロットアンテナ本体 1 1 0 Bあるいはスロット板 1 1 0 Dとの接続部に、 先のテーパ面 2 1 A tあるいは 2 1 B tと同様なテーパ面が形成されているのが わかる。
本実施例においても、 前記同軸導波管 1 1 O Aとラジアノレラインスロットアン テナとの接続部にテーパ面を形成することにより、 反射波が抑制され、 給電効率 が向上し、 反射波による異常放電が抑制され、 プラズマ形成が安定化する。 また 本実施例においても、 前記接続部の構成は図 3 Aに示したものに限定されるもの ではなく、 図 8〜 1 4のレヽずれの構成を使うことも可能である。
[第 6実施例]
図 1 8は、 図 2 A, Bのマイク口波ブラズマ処 S¾置 1 0を含む本発明の第 6 実施例による半導体製造装置 4 0の全体構成を示す断面図である。
図 1 8を参照するに、 半導体製造装置 4 0は搬送アーム 4 1 5を備えたロボッ ト 4 0 5が設けられた真空トランスファ室 4 0 1を含み、 前記マイクロ波プラズ マ処理装置 1 0は、 かかる真空トランスファ室 4 0 1の上面に形成されている。 その際、 前記保持台 1 3は、 ベローズ 4 1 0で囲まれた昇降シリンダ 4 0 6によ り昇降自在に形成されている。 前記保持台 1 3が下がりきつた状態で被処 a¾¾
1 2が Sift己搬送アーム 4 1 5により着脱され、 上がりきった状態で前記真空トラ ンスファ室 4 0 1からシール 4 1 O Aにより遮断され、 所望の基板処理が行われ る。 また前記真空トランスファ室 4 0 1上にはその上面の別の個所に、 被処理基板 のスタック 4 0 4を保持する昇降ステージ 4 1 8を備えたロードロック室 4 0 2 が設けられており、 前記ロードロック室 4 0 2は前記昇降ステージ 4 1 8が上が りきった状態でシール 4 1 7により真空トランスファ室 4 0 1から遮断されてい る。 一方、 前記昇降ステージ 4 1 8が下降した状態では、 前記被処理基板スタツ ク 4 0 4は真空トランスファ室 4 0 1中に下降し、 ΙίίϊΕ搬送アーム 4 1 5が前記 被処理 スタック 4 0 4から基板をピックアップし、 あるいはこれに処理済み の S¾を戻す。
力、かる構成の半導体製造装置 4 0ではマイク口波プラズマ処¾¾置 1 0への被 処理基板の出し入れが側壁面を介さず上下方向になされるため、 処理容器 1 1内 におレヽてプラズマが軸対称に形成され、 また処理容器の排気も軸対称に配設され た複数の排気ポートから複数のポンプにより実行されるため、 均一なプラズマ処 理が保証される。
図 1 9は前記処理ュニット Aのお気系の構成を示す。
図 1 9を参照するに、 前記処理ュニット Aにおいては処理容器 1 1の各々の排 気ポート 1 1 aはダクト Diに接続され、 IBダク に設けられた、 各々図 1 4 A, 1 4 Bに示 成を有するネ^分子ポンプ Ph P2によりお気される。 前記ネジ溝分子ポンプ P2の排気側は、 半導体製造装置 4 0中の他の処 理ユニット B， Cと共通に設けられている排気ライン D2に接続され、 さらに tiifS 排気ライン D2は中間ブースターポンプ P3を介して、 他の同様な半導体製 3t¾置 と共通に接続されている排気ライン D3に接続される。
図 2 O Aは、 前記ネジ溝分子ポンプ Pl5 P2の構成を示す。
図 2 0 Aを参照するに、 ネジ溝分子ポンプは円筒形状の本体 5 1を有し、 前記 本体 5 1の一端にポンプ入口が、 また前記本体 5 1の底面近傍の側壁面上にはポ ンプ出口が形成されている。 本体 5 1中には図 2 0 Bに示すロータ 5 2が設けら れており、 前記口一タ 5 2上には不等ピッチ不等傾角スクリュー 5 2 Aが形成さ れている。 不等ピッチ不等傾角スクリュー 5 2 Aは、 ポンプ入口側でピッチが大 きく出口側に向ってピッチが減少する構成を有しており、 またこれに応じてスク リユーの傾角も入口側から出口側に向って徐々に減少している。 またポンプ室の ^¾も、 入口側から出口側に向つて徐々に減少している。
図 2 0 Aのネ "^分子ポンプはさらに前記ロータ 5 2内に配設されたモータ 5 3と、 l己ロータ 5 2の角位置を検出する角位置検出器 5 4と、 前記角位置検出 器 5 4に協働するマグネット 5 5とを含んでおり、 ®¾石機構 5 6により、 前記 ロータ 5 2が出口側に付勢される。
力かるネジ溝分子ポンプは簡単な構成を有し、 大気圧から数 mT o r rまでの 広レ、圧力範囲において動作し、 消費電力が小さく、 従来のターボ分子ポンプより も大きな 3 2 O mL/m i nに igi "るポンプ速度を得ることができる。
図 2 1は、 図 1 9の構成において前記ネジ溝分子ポンプ Pi, P2を 気する中 間ブースターポンプ P3として使われる不等ピッチ不 頃角スクリユーポンプ（G L S P) 6 0の構成を示す。
図 2 1を参照するに、 前記不等ピッチ不等傾角スクリューポンプでは、 一端に 入口 6 1 Aが、 また他端に出口 6 3 A， 6 3 B形成されたポンプ本体 6 1中に、 各々が図 2 0B に示したような、 スクリューピッチを入口側から出口側に向って 徐々に変化させる一対のスクリューロータ 6 2 A， 6 2 B力 それぞれのスクリ ユーが互いに力み合うような関係に設けられており、 ロータ 6 2 A， 6 2 Bは、 モータ 6 4により、 歯車 6 3 A， 6 3 Bを介して駆動される。
力かる構成の不等ピッチ不等傾角スクリユーポンプ 6 0は常圧から 1 (HT o r rに至る低圧までの広い圧力範囲において動作可能であり、 2 5 0 0 L/m i nに達する非常に大きな流量を実現することができる。
また図 1 9の構成では、 他の半導体製造装置からの排気を、 かかる中間ブース ターポンプ P3を介して共通のバックポンプ P4で排気することにより、 Ιίίΐβバッ クポンプ Ρ4を最も効率的な動作圧力範囲で動作させることができ、消費電力を大 きく iS^することができる。
図 2 2は、 図 1 8の半導体製造装置 4 0において、 各々の処理ュニット A〜C に協働するガス供給系の構成を示す。
先にも説明したように、 前記半導体製造装置 4 0ではマイク口波プラズマ処理 装置 1 0の処理容器 1 1を 1 5 0° じ の に保持することで、 S¾処理に 伴い生じた反応生成物の付着を抑制している。 すなわち、 図 1 9の処理ユニット は、 特別なクリーニング処理をせずとも前の処理工程の記憶ないし履歴を完全に 消去できる W [を有している。
このため、 図 1 9の処理ユニットを使って、 プラズマガスおよび/または処理 ガスを切替ながら、異なった 処理工程を次々と実行することが可能であるが、 このためには、 迅速に処理ガスを切替できる構成のガス供給系が必要になる。 図 2 2を参照するに、 N2， K r , A r， H2, N F3, C4F8, CHF3， O2， C O, HB r， S i C 1 4等より選ばれた一または二のガス力 第 1および Zまたは 第 2の流量制御装置 F C S 1および F S C 2を通って前記処理容器 1 1上に設け られ前記シャワープレート 1 4に連通するプラズマガス供給ポート 1 1 pに供給 され、 一方、 Silt己 N2， K r , A r， H2， N F3, C4F8, CHF3， O2， CO, H B r， S i C 1 4等より選ばれた一または複数のガスが、第 3〜第 7の流翻御装 置 F C S 3〜F C S 7を通って、 ttflS処理ガス供給構造 3 0に連通した前記処理 ガス供給ポート 1 1 rに供給される。
その際、 図 2 3に示す、 制御弁 7 1と圧力計 7 2とストップバルブ 7 3とオリ フィス 7 4とを SB状の配管 7 0に順次形成した構成の流 «)J御装置を使レヽ、 前 記オリフィス 7 4下流側の圧力 P2が前記ストップバルブ 7 3上流側の圧力 P 1の 半分以下になるように（Ρι≥ 2 P2)制御弁 7 1を前記圧力計 7 2により制御する ことにより、処理ガスを所定の流量で瞬時に供^" Tることが可能になる。これは、 この流 御装置内に流量制御不能なデッドスペースが存在しないためである。 そこで、図 2 2のガス供給系において図 2 3の流 御装置を使うことにより、 プラズマガスあるいは処理ガスを、 前記処理ュニット中での基板処理の種類に応 じて瞬時に切替えることが可能になる。
なお、 前記半導体製造装置 4 0においては、 先に説明したプラズマ処3¾置 1
0のみならずその変形例によるブラズマ処 a¾置、 あるレ、は他の実施例によるプ ラズマ処 S¾置 1 O A, 1 0 Bを使うことも可能である。
本発明は上記特定の実施例に限定されるものではなく、 特許請求の範囲に記載 した本発明の要旨内において様々な変形 ·変更が可能である。 産業上の利用可能性 本発明によれば、 マイクロ波プラズマ処¾¾置において、 マイクロ波を給電す る同軸導波管とマイク口波をプラズマ処理装置の処理容器中に放射するマイク口 波アンテナと間の接続部においてインピーダンス変化が緩和され、 その結果かか る接続部における反射波の形成が抑制され、 給電効率が向上し、 また反射波によ る異常 が抑制され、 処理容器中に安定した高密度プラズマを形成することが 可能になる。

Claims

請求の範囲
1. 碰により画成され、彼処 as板を保持する保持台を備えた処理容器と、 処理容器に結合された排気系と、
前記処理容器上に、 Ιίίϊ己保持台上の被処理基板に対面するように、 前記碰の 一部として設けられたマイクロ波 窓と、
tin己処理容器中にブラズマガスを供^- るプラズマガス供給部と、
前記処理容器上に、 前記マイク口波に対応して設けられたマイク口波アンテナ と、
tut己マイク口波アンテナに電気的に結合されたマイクロ波 とよりなり、 編己マイクロ波アンテナは、 tiff己マイクロ波 ®ϋに接続され、 内側導体コアと これを囲む外側導体管とよりなる同軸導波管と、
前記同軸導波管の先端に設けられたアンテナ本体とよりなり、
前記ァンテナ本体は、 前記マイク口波透過窓に結合しマイク口波放射面を形成 する第 1の導体面と、 前記第 1の導体面に対して誘電体板を隔てて対向し、 前記 誘電体板の外周部において前記第 1の導体面に接続される第 2の導体面とよりな り、
前記内側導体コアは前記第 1の導体面に第 1の接続部により接続され、 前記外側導体管は 第 2の導体面に第 2の接^により接続され、 前記第 1の接続部は、 前記内側導体コアの外径が前記第 1の導体面に向って増 大する第 1のテーパ部を形成し、
前記第 2の接続部は、 前記外側導体管の内径が嫌己第 1の導体面に向って増大 する第 2のテ一パ部を形成することを,とするブラズマ処 a¾
2. 前記内側導体コアの外面と前記外側導体管の内面との間の間隔が、 前記 第 1の導体面に向って増大することを特徴とする請求項 1記載のプラズマ処3¾
3. 前記第 1のテーパ部は、 第 1の湾曲面により画成されており、 前記第 2 のテーパ部は第 2の湾曲面により画成されていることを特徴とする請求項 1記載 のプラズマ処
4. 前記内側導体コァと ΙίίΙΒ外側導体管との間の空間には、 第 1の端面と前 記第 1の端面に对向する第 2の端面とにより画成された誘電体部材が、 前記第 1 の端面において ΙίίΙΞ誘電体板に隣接するように設けられ、 前記誘電体部材は、 前 記誘電條の比誘電率よりも小さく、 空気よりも大きい比誘電率を有することを «とする請求項 1記載のブラズマ処
5. lift己誘電体部材は、 ttif己第 1の端面から前記第 2の端面まで、 糸！^を変 ィ匕させることを^ [とする請求項 4記載のプラズマ処 a¾Mo
6. 前記誘電体板は、 ァノレミナ、 酸化ケィ素， 酸窒化ケィ素および窒化ケィ 素のいずれかよりなり、 前記誘電体部材は、 酸化ケィ素よりなることを特徴とす る請求項 4記載のプラズマ処¾¾
7. 前記内側導体コアと IE外側導波管との間の空間には、 前記誘電体辦才 の前記第 2の端面に隣接して、 前記誘電体部材の比誘電率よりも小さく、 空気よ りも大きい比誘電率を有する別の誘電体部材が設けられることを特徴とする請求 項 4記載のブラズマ処 S¾go
8 . ΙΐίΙΕ誘電体部材は酸化ケィ素よりなり、 tilt己別の誘電体部材はテフロン よりなることを,とする請求項 7記載のブラズマ処 a¾Eo
9. 前記誘電体部材の前記第 2の端面はテーパ面を形成し、 前記誘電体部材 の は、 ttlt己第 1の端面からの距離とともに減少することを特徴とする請求項
4記載のプラズマ処 a¾go
1 0. 前記誘電体部材の維は、 前記第 1の端面からの距離とともに赚的 に減少することを«とする請求項 9記載のブラズマ処
1 1 . 前記誘電体部材の^ gは、 flit己第 1の端面からの距離とともに指数関 数的に減少することを特徴とする請求項 9記載のブラズマ処 a¾¾
1 2. 前記プラズマガス供給部は、 前記マイク口波 ¾1窓の内側に密接して 設けられた、 マイクロ波を透過させる材料よりなりプラズマガス源に接続可能な ブラズマガス通路およびこれに連通する複数の開口部を有するシャワープレート よりなることを とする請求項 1記載のプラズマ処
1 3. 前記マイク口波透過窓および前記シャワープレートは、 アルミナより なることを特徴とする請求項 1 2記載のブラズマ処 a¾m„
1 4. 前記ブラズマガス供給部は、 前記処理容器の；^に設けられたことを とする請求項 1記載のプラズマ処3
1 5. 前記ブラズマガス供給部は、 前記処理容器の;^ ϋに設けられた管より なることを とする請求項 1 4記載のプラズマ処3¾^0
1 6 · 前記マイク口波アンテナは、 前記第 1の導体面が前記マイクロ波碰 窓に接触するように設けられることを特徴とする請求項 1記載のブラズマ処艘
1 7. 前記マイクロ波ァンテナは、 前記第 1の導体面が前記マイク口波観 窓から離間するように設けられることを特徴とする請求項 1記載のプラズマ処理
1 8. さらに、 前記処理容器中には、 前記被処 as板と前記プラズマガス供 給部との間に、 前記被処理基板に対面するように処理ガス供給部が設けられ、 前 記処理ガス供給部には、 前記処理容器中に形成されたプラズマを通過させる第 1 の開口部と、 処理ガスを供給する第 2の開口部とが形成され、 前記第 2の開口部 は、 前記処理ガス供給部に形成され処理ガス源に接続される処理ガス通路に連通
Figure imgf000029_0001
1 9. により画成され、 被処理基板を保持する保持台を備えた処理容器 と、
ftiflB処理容器に結合された排気系と、
前記処理容器上に、 前記保持台上の被処理基板に対面するように、 前記 の 一部として設けられたマイクロ波 ¾1窓と、
SiilE処理容器中にブラズマガスを供^ 1"るブラズマガス供給部と、
前記処理容器上に、 IBマイク口波に対応して設けられたマイク口波アンテナ と、
マイク口波アンテナに電気的に結合されたマイク口波 とよりなり、 前記マイクロ波アンテナは、 前記マイクロ波 ¾¾¾に接続され、 内側導体コアと これを囲む外側導体管とよりなる同軸導波管と、
前記同軸導波管の先端に設けられたァンテナ本体とよりなり、
前記アンテナ本体は、 前記マイク口波透過窓に結合しマイク口波放射面を形成 する第 1の導体面と、 前記第 1の導体面に対して第 1の誘電体材料よりなる誘電 体板を隔てて対向し、 前記誘電体板の外周部において前記第 1の導体面に接続さ れる第 2の導体面とよりなり、
内側導体コアは IE第 1の導体面に第 1の接 βにより接続され、
ΙίίΙΗ外側導体管は ΙίίΙΒ第 2の導体面に第 2の接^^により接続され、
前記内側導体コアと前記外側導体管との間の空間には、 第 1の端面と Ι5第 1の端面に対向する第 2の端面とにより画成された誘電体部材が、 前記第 1の端 面において前記誘電体板に隣接するように設けられ、 前記誘電体部材は、 ttit己誘 電体板の比誘電率よりも小さく、 空気よりも大きい比誘電率を有することを特徴 とするプラズマ処
2 0. 前記第 1の接続部において、 前記内側導体コアは前記第 1の導体面に 実質的に直角に接続されることを特徴とする請求項 1 9記載のプラズマ処
2 1 . 前記第 2の接続部において、 前記外側導体コアは前記第 2の導体面に 実質的に直角に接続されることを特徴とする請求項 1
Figure imgf000030_0001
2 2. 前記誘電体部材は、 前記第 1の端面から Ιίίϊ己第 2の端面まで、 糸！^を 変ィ匕させることを赚とする請求項 1 9記載のプラズマ処¾¾¾>
2 3. 前記誘電体板は、 アルミナ、 酸化ケィ素， 酸窒ィ匕ケィ素および窒ィ匕ケ ィ素のいずれかよりなり、 前記誘電体部材は、 酸ィ匕ケィ素よりなることを と する請求項 1 9記載のプラズマ処理装
2 4. 前記内側導体コアと前記外側導波管との間の空間には、 前記誘電体部 材の前記第 2の端面に隣接して、 前記誘電体部材の比誘電率よりも小さく、 空気 よりも大きい比誘電率を有する別の誘電体部材が設けられることを特徴とする請 求項 2 1記載のブラズマ処 a¾go
2 5. 前記誘電体部材は酸化ケィ素よりなり、 fit己別の誘電体部材はテフ口 ンよりなることを W [とする請求項 2 4記載のプラ
Figure imgf000030_0002
2 6. 前記誘電体部材の前記第 2の端面はテーパ面を形成し、 前記誘電体部 材の は、 前記第 1の端面からの距離とともに減少することを特徴とする請求 項 2 1記載のブラズマ処理装
2 7. 前記誘電体部材の舰は、 前記第 1の端面からの距離とともに赚的 に減少することを w [とする請求項 26記載のプラズマ処 a¾Mo
2 8. 前記誘電体部材の舰は、 前記第 1の端面からの距離とともに指数関 数的に減少することを,とする請求項 2 6記載のプラズマ処3
2 9. ttft己ブラズマガス供給部は、 前記マイク口波 ¾1窓の内側に密接して 設けられた、 マイクロ波を ¾1させる材料よりなりプラズマガス源に接続可能な プラズマガス通路およびこれに連通する複数の開口部を有するシャワープレート よりなることを ¾とする請求項 1 9記載のプラズマ処 a¾Eo
3 0. 前記マイクロ波 ¾ 窓および前記シャワープレートは、 アルミナより なることを赚とする請求項2 9記載のプラズマ処3
3 1 . 前記プラズマガス供給部は、 前記処理容器の;^ IIに設けられたことを 特徴とする請求項 1 9記載のブラズマ処
3 2. 前記ブラズマガス供給部は、 前記処理容器の;^に設けられた管より なることを赚とする請求項3 1記載のプラズマ処 a¾Eo
3 3. 前記マイクロ波ァンテナは、 前記第 1の導体面が前記マイク口波透過 窓に接触するように設けられることを特徴とする請求項 1 9記載のプラズマ処理
3 4. 前記マイクロ波ァンテナは、 前記第 1の導体面が前記マイク口波透過 窓から離間するように設けられることを特徴とする請求項 1 9記載のプラズマ処
3 5. さらに、 前記処理容器中には、 前記被処理基板と Iff!己プラズマガス供 給部との間に、 前記被処理基板に対面するように処理ガス供給部が設けられ、 前 記処理ガス供給部には、 前記処理容器中に形成されたプラズマを通過させる第 1 の開口部と、 処理ガスを供給する第 2の開口部とが形成され、 前記第 2の開口部 は、 前記処理ガス供給部に形成され処理ガス源に接続される処理ガス通路に連通 することを赚とする請求項 1 9記載のプラズマ処職^
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Families Citing this family (272)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100447248B1 (ko) * 2002-01-22 2004-09-07 주성엔지니어링(주) Ｉｃｐ 에쳐용 가스 확산판
JP4338355B2 (ja) * 2002-05-10 2009-10-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR100780199B1 (ko) * 2003-08-15 2007-11-27 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP4413556B2 (ja) * 2003-08-15 2010-02-10 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、半導体装置の製造方法
KR20050079860A (ko) * 2004-02-07 2005-08-11 삼성전자주식회사 마이크로 웨이브 공급장치, 이를 이용한 플라즈마공정장치 및 플라즈마 공정방법
JP4451221B2 (ja) * 2004-06-04 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置および成膜装置
JP4344886B2 (ja) * 2004-09-06 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2006135303A (ja) * 2004-10-05 2006-05-25 Tokyo Electron Ltd プラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、並びにプラズマ成膜装置に用いられる記憶媒体
KR100798416B1 (ko) 2005-07-21 2008-01-28 한양대학교 산학협력단 플라즈마 처리장치
JP4852997B2 (ja) * 2005-11-25 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波導入装置及びプラズマ処理装置
JP2007335346A (ja) * 2006-06-19 2007-12-27 Tokyo Electron Ltd マイクロ波導入装置及びプラズマ処理装置
JP2008235611A (ja) * 2007-03-21 2008-10-02 Tohoku Univ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8197913B2 (en) * 2007-07-25 2012-06-12 Tokyo Electron Limited Film forming method for a semiconductor
KR100795037B1 (ko) * 2007-08-14 2008-01-15 송규창 과부하 보호기능을 구비한 영상고조파 저감장치
JP5552316B2 (ja) * 2007-10-04 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR20090068020A (ko) * 2007-12-21 2009-06-25 주식회사 하이닉스반도체 전하트랩층을 갖는 불휘발성 메모리소자의 게이트 형성방법
FR2930561B1 (fr) * 2008-04-28 2011-01-14 Altatech Semiconductor Dispositif et procede de traitement chimique en phase vapeur.
JP5421551B2 (ja) * 2008-06-11 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR101019103B1 (ko) * 2008-11-18 2011-03-07 주식회사 케이씨텍 상압 플라즈마 발생장치 및 상압 플라즈마 발생장치를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치
JP5222744B2 (ja) * 2009-01-21 2013-06-26 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
WO2011025143A2 (ko) * 2009-08-24 2011-03-03 한국기초과학지원연구원 플라즈마 발생용 마이크로웨이브 안테나
US9076634B2 (en) * 2009-09-10 2015-07-07 Lam Research Corporation Replaceable upper chamber parts of plasma processing apparatus
JP5479013B2 (ja) * 2009-09-30 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びこれに用いる遅波板
KR101594229B1 (ko) * 2010-09-06 2016-02-15 가부시키가이샤 이엠디 플라스마 처리장치
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
KR101513579B1 (ko) 2011-08-11 2015-04-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5839937B2 (ja) * 2011-10-31 2016-01-06 三菱重工業株式会社 真空処理装置
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP5793170B2 (ja) * 2013-09-30 2015-10-14 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP5805227B2 (ja) * 2014-01-28 2015-11-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9530621B2 (en) * 2014-05-28 2016-12-27 Tokyo Electron Limited Integrated induction coil and microwave antenna as an all-planar source
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
FR3042092B1 (fr) * 2015-10-05 2019-07-26 Sairem Societe Pour L'application Industrielle De La Recherche En Electronique Et Micro Ondes Dispositif elementaire de production d’un plasma avec applicateur coaxial
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
JP2019012656A (ja) * 2017-06-30 2019-01-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ発生ユニット及びプラズマ処理装置
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
CN109599248B (zh) * 2018-11-30 2021-05-25 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种1.8t紧凑型低功耗强场直流磁体
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
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TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
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CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000223298A (ja) * 1999-02-01 2000-08-11 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2000299198A (ja) * 1999-02-10 2000-10-24 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
WO2000074127A1 (fr) * 1999-05-26 2000-12-07 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement au plasma

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0754759B2 (ja) * 1987-04-27 1995-06-07 日本電信電話株式会社 プラズマ処理方法および装置並びにプラズマ処理装置用モード変換器
US5024716A (en) * 1988-01-20 1991-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus for etching, ashing and film-formation
JPH03191072A (ja) * 1989-12-21 1991-08-21 Canon Inc マイクロ波プラズマ処理装置
JP3056772B2 (ja) * 1990-08-20 2000-06-26 株式会社日立製作所 プラズマの制御方法ならびにプラズマ処理方法およびその装置
JPH0963793A (ja) 1995-08-25 1997-03-07 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US5698036A (en) * 1995-05-26 1997-12-16 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JPH09148097A (ja) * 1995-11-22 1997-06-06 Hitachi Ltd プラズマ生成装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法、半導体素子
US6358324B1 (en) 1999-04-27 2002-03-19 Tokyo Electron Limited Microwave plasma processing apparatus having a vacuum pump located under a susceptor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000223298A (ja) * 1999-02-01 2000-08-11 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2000299198A (ja) * 1999-02-10 2000-10-24 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
WO2000074127A1 (fr) * 1999-05-26 2000-12-07 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement au plasma

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