KR101019103B1 - 상압 플라즈마 발생장치 및 상압 플라즈마 발생장치를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치 - Google Patents

상압 플라즈마 발생장치 및 상압 플라즈마 발생장치를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 대기압 하에서 별도의 점화수단 없이 낮은 소비전력으로도 반응가스로부터 플라즈마를 발생시킬 수 있는 상압 플라즈마 발생장치 및 상압 플라즈마 발생장치를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치를 제공한다. 본 발명에 따른 상압 플라즈마 표면처리장치는, 반응공간; 반응공간을 사이에 두고 상호 이격 배치되어 있는 전원전극과 접지전극; 전원전극과 상기 접지전극 사이에 배치되며, 전원전극 및 상기 접지전극과 이격 형성되어 있는 격벽 유전체; 격벽 유전체에 의해 분리 형성된 공간은 각각 반응공간으로 반응가스를 전달하는 가스공급포트 및 점화보조가스 도입통로가 되며, 상기 가스공급포트를 통해 상기 반응공간으로 도입되는 반응가스의 흐름에 의해서 진공상태가 유지되는 점화유도공간;을 포함하여 구성되는 것을 요지로 한다.
상압 플라즈마, 초기 점화, 점화유도공간, 진공

Description

상압 플라즈마 발생장치 및 상압 플라즈마 발생장치를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치{Atmospheric pressure plasma generating device and atmospheric pressure plasma device for treating the surface having the same}
본 발명은 상압 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치에 관한 것으로, 상세하게는 벤츄리 원리를 이용한 진공상태에서의 반응초기 점화를 통해, 대기압 하에서 별도의 점화수단 없이 낮은 소비전력으로도 반응가스로부터 플라즈마를 발생시킬 수 있는 상압 플라즈마 발생장치 및 상압 플라즈마 발생장치를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치에 관한 것이다.
플라즈마 발생장치는 금속 및 비금속물질의 표면개질, 전자부품과 반도체 웨이퍼의 세정공정 등 다양한 분야에 응용된다. 종래 대부분의 산업용 플라즈마 발생장치는 진공에 가까운 저압을 유지하여 플라즈마를 발생시키는 진공 플라즈마 장치 가 채택되고 있으나, 이는 진공을 이루기 위한 조건이 까다롭고, 장치가 대형화되는 등 많은 제약이 뒤따른다. 따라서 최근 들어 점차 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치로의 전환이 시도되고 있다.
종래 대기압 플라즈마 발생장치의 일예가 도 1에 도시되어 있다. 이 대기압 플라즈마 발생장치는 소정간격 이격 설치되는 전원극(10) 및 접지극(12)과, 이 전원극(10)과 접지극(12) 중 적어도 어느 일측의 내측면에 설치되는 유전체막(11)과, 상기 전원극(10)과 접지극(12) 사이에 설치되어 전원극(10)과 접지극(12) 사이에서 아크 방전이 일어나는 것을 방지하고 플라즈마가 발생되도록 하며 그 하부에 방전간극(g)을 형성하는 중간유전체(14)와, 상기 접지극(12) 내부에 형성되는 가스유입경로(16)와, 상기 가스유입경로(16)와 방전간극(g)을 연통시켜 가스유입경로(16)로 유입되는 주입가스를 방전간극(g)으로 고르게 공급하는 다수개의 가스방출용 오리피스(18)로 구성된다. 도면 중 미설명 부호 24는 고주파 전원(20)을 전원극(10)에 공급할 때 임피던스를 매칭시키는 블록이다.
상기한 구성의 대기압 플라즈마 발생장치는 전원극(10)에 고주파 전원(20)을 인가하면, 전원극(10)과 접지극(12) 사이에, 즉, 방전간극(g)에 전기장이 형성되고, 가스유입경로(16)를 통해 방전간극(g)으로 유입되는 주입가스가 전기장에 의해 해리되면서 플라즈마가 발생하게 된다. 이처럼 발생된 플라즈마는 장치 하측으로 이송되는 피처리 대상물(22)의 표면으로 분사되어 표면을 개질 하거나, 세정, 또는 살균처리 하는데 이용된다.
그런데, 상기 대기압 플라즈마 발생장치에서 초기에 주입가스를 점화시켜 주 입가스에 대한 전기적 반응이 일어나도록 하기 위해서는 매우 높은 개시전압이 필요하다. 이처럼 높은 개시전압을 만족시키기 위해서는 고주파 전원(20)을 사용해야 하지만 이 경우, 장치가 불안정해짐은 물론, 플라즈마를 일으키지 못하고 아크로 전이되는 문제가 있다. 또한, 높은 개시전압에 따른 아크로 인하여, 장치 과열 및 피처리 대상물(22)이 손상되는 등의 문제점이 발생되고 있다.
위와 같은 문제점을 해결하기 위하여 별도의 점화수단으로서 이그나이터를 채택함으로써 낮은 소비전력으로 플라즈마를 발생시킬 수 있고, 초기 점화 시 아크로 인한 피처리 대상물의 손상을 방지할 수 있는 대기압 플라즈마 발생장치가 대한민국 등록특허 제572848호를 통해 제안된 바 있다. 그러나 상기 대한민국 등록특허 제572848호는 주입가스에 대한 초기 전기적 반응을 위해 이그나이터와 같은 별도의 점화수단이 요구되어야만 하는 문제가 있으며, 이러한 점화수단의 경우 소모품인 관계로 주기적인 교체 및 관리가 요구되는 단점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 이그나이터와 같은 별도의 점화수단 없이도 대기압 하에서 낮은 개시전압으로도 주입가스에 대한 초기 전기적 반응을 이끌어 낼 수 있고, 초기 점화 시 아크로 인한 피처리 대상물의 손상을 방지할 수 있는 상압 플라즈마 발생장치 및 상압 플라즈마 발생장치를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치를 제공하는 데에 있다.
상기한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 양태에 따르면, 플라즈마 가스가 생성되고, 생성된 플라즈마 가스가 분출 가능하도록 개구된 가스 방출구를 일측단에 갖는 반응공간; 상기 반응공간을 사이에 두고 상호 이격 배치되어 있는 전원전극과 접지전극; 상기 전원전극과 상기 접지전극 사이에 배치되며, 상기 전원전극 및 상기 접지전극과 이격 형성되어 있는 격벽 유전체; 상기 격벽 유전체에 의해 분리 형성된 공간은 각각 상기 반응공간으로 반응가스를 전달하는 가스공급포트 및 점화보조가스 도입통로가 되며, 상기 가스공급포트를 통해 상기 반응공간으로 도입되는 반응가스의 흐름에 의해서 진공상태가 유지되는 점화유도공간;을 포함하는 상압 플라즈마 발생장치를 제공한다.
여기서 상기 점화유도공간 일측에는 점화보조가스 도입을 위한 입구를, 타측에는 상기 가스공급포트와 연통되고 상기 반응공간을 향하는 출구를 형성하고 있 다.
이때, 점화보조가스 도입을 위한 상기 입구는, 격벽 유전체 상부의 상기 격벽 유전체와 전원전극이 상호 이격되어 형성된 간극일 수 있으며, 이 경우에 상기 입구를 통해 점화유도공간으로 도입되는 점화보조가스로는 저전압 진공상태에서 전기적 반응성이 우수한 아르곤(Ar) 가스가 채택될 수 있다.
이와는 다르게, 점화보조가스 도입을 위한 상기 입구는, 가스공급포트와 상기 점화유도공간을 연통시키는 격벽 유전체 상의 바이패스 유로일 수 있다. 이 경우에는 상기 점화보조가스로서 가스공급포트를 통해 공급되는 일반적인 플라즈마 생성을 위한 반응가스 예컨대, 질소(N2) 가스가 채택될 수 있다.
바람직하게는, 상기 접지전극 또는 상기 전원전극을 감싸는 유전체;를 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 가스 방출구는 피처리 대상물이 존재하는 방향에 가까워 질수록 직경이 점차 좁아지도록 구성함으로써, 상기 가스 방출구를 통해 방출되는 플라즈마 가스가 피처리 대상물 표면처리에 적합한 소정의 압력과 속도를 가지도록 함이 바람직하다.
나아가, 상기 상압 플라즈마 발생장치를 통해 발생된 플라즈마 가스를 이용하여 피처리 대상물에 대한 표면처리를 수행함에 있어, 장치 과열 및 피처리 대상물의 표면 손상을 줄일 수 있도록, 상기 전원전극 또는 접지전극 내지는 전원전극 및 접지전극 모두에 냉각수 공급라인을 형성함이 바람직하다.
상기한 기술적 과제를 해결하기 위한 다른 양태로서 본 발명은, 플라즈마 가스를 이용하여 피처리 대상물에 대한 표면처리를 수행하는 장치로서, 상기한 상압 플라즈마 발생장치; 및 상기 상압 플라즈마 발생장치의 가스 방출구를 통해 분사되는 플라즈마 가스에 피처리 대상물의 표면이 노출되도록 피처리 대상물을 이송하는 이송수단;를 포함하는 상압 플라즈마 표면처리장치를 제공한다.
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여기서 상기 상압 플라즈마 발생장치는, 상기 피처리 대상물 표면으로 분사되는 플라즈마 가스의 분사각도를 조절하는 각도조절장치;를 더 포함할 수 있다.
상기한 구성의 본 발명에 의하면, 벤츄리 원리를 이용한 진공상태에서의 반응초기 점화 및 상기 초기점화에 의한 반응공간 내에서의 반응가스에 대한 연쇄적 인 전기적 반응으로 플라즈마 가스가 발생될 수 있다. 즉, 종래 진공 플라즈마 장치에서와 같이 진공에 가까운 저압상태를 형성시키기 위한 별도의 진공형성수단 없이도 플라즈마 가스 생성에 적합한 환경을 조성할 수 있으며, 초기점화를 위한 별도의 점화수단 없이도 대기압 상태에서 플라즈마 가스를 발생시킬 수 있다는 효과가 발현된다..
또한, 이그나이터와 같은 별도의 점화수단이 요구되지 않음에 따라, 장치 소형화를 기대할 수 있고, 따라서 상대적으로 종래 진공 또는 대기압 플라즈마 발생장치에 비해 설치에 따른 공간상의 제약을 현저히 줄일 수 있다.
또, 진공상태에서의 초기점화를 통해 낮은 개시전압으로도 도입된 반응가스에 대한 초기 전기적 반응을 이끌어 낼 수 있어서, 소비전력을 또한 크게 낮출 수 있어 경제적이며, 낮은 전압 사용으로 인해 초기 점화 시 아크가 발생하지 않음에 따라, 장치 과열 및 그에 따른 피처리 대상물의 손상 또한 방지할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 상압 플라즈마 표면처리장치의 전반적인 구성을 개략적으로 나타낸 개략 구성도이며, 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 상압 플라즈마 표면처리장치의 전반적인 구성을 개략적으로 나타낸 개략 구성도이다.
도 2 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 상기 상압 플라즈마 표면처리장치는 플라즈마 가스를 이용하여 피처리 대상물에 대한 표면처리를 수행하는 장치로서, 상압 플라즈마 발생장치(100) 및 상기 상압 플라즈마 발생장치에서 방출되는 플라즈마 가스의 분사영역으로 피처리 대상물을 이송시키는 이송수단(200)을 포함한다. 상기 상압 플라즈마 발생장치(100)는 대향 전극간의 고주파 전계에 따라 외부에서 도입된 반응가스를 플라즈마화 시키고, 상기 이송수단(200)은 상기 상압 플라즈마 발생장치(100)와 이격된 위치에서 상기 상압 플라즈마 발생장치(100)를 통해 방출되는 플라즈마 가스에 피처리 대상물(10)을 노출시키면서 일측으로 이송시킨다.
도 2 내지 도 3을 다시 참조하면, 상기 상압 플라즈마 발생장치(100)는 플라즈마 가스가 생성되고, 생성된 플라즈마 가스가 분출 가능하도록 개구된 가스 방출구(112)를 일측단에 갖는 반응공간(110), 상기 반응공간(110)을 사이에 두고 상호 이격 배치되어 있는 전원전극(120)과 접지전극(130), 상기 반응공간(110)으로 반응가스 도입을 위한 유로를 형성하는 가스공급포트(140) 및 상기 가스공급포트(140)를 통해 상기 반응공간(110)으로 도입되는 반응가스의 흐름에 의해서 순간적으로 진공상태를 유지하는 점화유도공간(160)을 포함하는 구성으로 이루어진다.
상기 전원전극(120)은 전기적 반응성이 우수한 금속을 소재로 제작되고, 상기 접지전극(130)과 대면하는 일면은 접지전극(130)과의 안정적인 전기적 반응을 위해 유전체(125)를 통해 둘러싸여 있다. 이러한 전원전극(120)은 상기 접지전극(130)과 전기적으로 반응하여 플라즈마를 생성할 수 있을 정도의 반응면적을 가 지며, 상기 접지전극(130) 사이의 반응공간(110)에서 외부로부터 도입된 반응가스에 대한 전기적 반응이 일어날 수 있도록, 외부의 고주파 저전압의 전원과 연결되어 전원을 제공받는다.
이때, 상기 전원전극(120)을 둘러싸는 유전체(125)는 각 전극사이의 절연을 확보하여 상기 전원전극(120)과 접지전극(130) 사이의 안정적인 전기적 반응을 유도하고, 금속재질로 이루어진 상기 전원전극(120)과 접지전극(130)에 의해 생성된 플라즈마 가스가 피처리 기판을 오염시키는 방지하는 역할을 주요하게 수행한다. 본 실시예에서는 상기 유전체(125)가 전원전극(120)에만 형성된 것을 도시하고 있으나, 보다 안정적인 전기적 반응을 유도하기 위해서는 전원전극(120)과 반응공간(110)을 사이에 두고 대향되는 접지전극(130) 일면에도 유전체(미도시)를 형성함이 바람직하다.
상기 접지전극(130)은 반응공간(110)을 사이에 두고 상기 전원전극(120)과 이격 설치되며, 상기 전원전극(120)으로 공급되는 전원에 의해 상기 전원전극(120)과 반응하여 그 사이의 반응공간(110)에는 전기장이 형성된다. 이에 따라, 상기 가스공급포트(140)를 통해 반응공간(110)으로 반응가스가 도입되면, 상기 전원전극(120)과 접지전극(130) 사이의 전기적 반응에 의해 상기 도입된 반응가스는 플라즈마 상태로 변환되고 플라즈마 가스가 분출 가능하도록 개구된 반응공간(110) 일측의 가스 방출구(112)를 통해 이송수단(200) 상의 피처리 대상물(10) 표면에 분사된다.
여기서, 상기 가스 방출구(112)는 도면에는 도시하지 않았지만, 이송수 단(200) 상의 피처리 대상물(10)이 존재하는 방향에 가까워 질수록 그 직경이 점차 좁아지도록 구성함이 바람직하다. 이처럼 가스 방출구(112)가 외부를 향하는 출구측으로 갈수록 그 직경이 점차 좁아지는 구성을 가지도록 구성하면, 상기 가스 방출구(112)를 통해 배출되는 플라즈마 가스가 소정의 압력과 속도를 가지게 됨에 따라 처리효율을 보다 향상시킬 수 있다.
상기 반응공간(110)에서 반응가스를 플라즈마 상태로 변환시키기 위해서는 피처리 대상물(10)의 표면처리, 세정, 또는 살균처리 등의 공정 초기에 반응가스를 점화시키는 공정이 필요하다. 이와 같은 반응가스 초기 점화를 위하여 본 발명에서는 상기한 점화유도공간(160)을 채택하고 있다. 본 발명의 실시예에 있어 상기 점화유도공간(160)은 상기 가스공급포트 및 반응공간과 연통된 구성을 가져, 상기 가스공급포트(140)로부터 반응공간(110)으로 도입되는 반응가스의 흐름에 의한 벤츄리 작용에 의해 순간적으로 진공상태를 유지한다.
상기 점화유도공간(160)은 구체적으로, 상기 전원전극(120)과 접지전극(130) 사이의 이격 공간에 설치되는 격벽 유전체(150)를 통해 상기 가스공급포트(140)와는 분리 구획되고, 이처럼 분리 구획된 점화유도공간(160) 일측에는 점화보조가스 도입을 위한 입구(162)가, 타측에는 상기 가스공급포트(140)와 연통되고 상기 반응공간(110)을 향하는 출구(164)가 형성되어 있다. 이에 따라, 상기 가스공급포트(140)를 통해 상기 반응공간(110)으로 반응가스가 도입될 경우에, 그 반응가스의 흐름에 의해서 상기 점화유도공간(160)은 반응가스 초기점화에 유리한 진공상태를 형성하게 된다.
이때, 점화보조가스 도입을 위한 상기 입구(162)는 도 2에서와 같이, 격벽 유전체(150) 상부의 상기 격벽 유전체(150)와 전원전극(120)이 상호 이격되어 형성된 간극일 수 있고, 이와는 다르게, 도 3에서와 같이, 가스공급포트(140)와 상기 점화유도공간(160)을 연통시키는 격벽 유전체(150) 상의 바이패스 유로일 수 있으며, 상기 점화유도공간(160)에 대한 진공형성에 유리하도록, 상기 점화유도공간(160)에 형성된 출구(164)는 상기 가스공급포트(140)를 통해 상기 반응공간(110)으로 도입되는 반응가스 흐름방향으로 경사진 기울기를 가지도록 함이 바람직하다.
도 2에 도시된 일 실시예와 같이, 상기 점화유도공간(160)이 가스공급포트(140)와 독립되어 있고 점화보조가스 도입을 위한 입구(162) 역시 따로 마련된 경우라면, 상기 입구를 통해 점화유도공간(160)으로 도입되는 점화보조가스로는 저전압 진공상태에서 전기적 반응성이 우수한 아르곤(Ar) 가스를 채택하는 것이 바람직하며, 도 3에 도시된 다른 실시예와 같이 상기 입구(162)가 바이패스 유로인 경우에는, 상기 점화보조가스로서 가스공급포트(140)를 통해 공급되는 일반적인 플라즈마 생성을 위한 반응가스 예컨대, 질소(N2) 가스를 공유하므로, 별도의 점화보조가스를 사용하지 않아도 된다.
상기한 상압 플라즈마 발생장치(100)를 통해 수행되는 상압 플라즈마 가스를 발생시키는 과정에 대해 살펴보면, 상기 점화유도공간(160)으로 점화보조가스를 도입시키고, 상기 점화유도공간(160)과 분리 구획된 가스공급포트(140)를 통해서는 상기 점화유도공간(160) 및 가스공급포트(140)와 연통되고 일측에 가스 방출 구(112)를 갖는 반응공간(110)을 향하도록 반응가스를 도입시킴으로써, 상기 반응공간(110)을 향하는 반응가스의 흐름에 의해 상기 점화유도공간(160)이 순간적으로 진공상태가 되도록 한다.
그 상태에서 상기 전원전극(120)에 전원을 인가하면, 진공상태에 있는 상기 점화유도공간(160)에서의 점화보조가스에 대한 초기점화가 이루어지고, 상기 반응공간(110)에서는 상기 점화보조가스의 초기점화에 의해 반응가스에 연쇄적인 전기적 반응이 일어나 플라즈마 가스가 발생될 수 있다.
위와 같은 과정을 통해 발생된 플라즈마 가스를 이용하여 피처리 대상물(10)에 대한 표면처리를 수행함에 있어서는, 상기 전극간의 전기적 반응과정에서 장치가 과열될 우려가 있고, 상기 가스 방출구(112)를 통해 피처리 대상물(10)에 분사되는 플라즈마 가스의 온도가 높아져 피처리 대상물을 손상시킬 우려가 있다. 따라서 상기 전원전극(120) 또는 접지전극(130)에는 냉각수 공급라인(미도시)을 형성하여, 상기 상압 플라즈마 발생장치(100)를 통해 발생된 플라즈마 가스를 이용하여 피처리 대상물에 대한 표면처리를 수행함에 있어, 장치 과열 및 피처리 대상물(10)의 표면 손상이 예방될 수 있도록 함이 좋을 것이다.
한편, 이송수단(200)에 놓인 피처리 대상물(10) 표면으로 분사되는 플라즈마 가스의 분사각도를 조절하면, 피처리 대상물(10) 표면으로 분사되는 플라즈마 분사면적 및 플라즈마 가스를 통해 표면처리할 수 있는 처리면적을 조절할 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예에 있어 상기 상압 플라즈마 발생장치(100)는 각도조절장치(미도시)를 통해 상기 이송수단(200)에 의해 이송되는 피처리 대상물(10) 표면에 대한 경사각을 자유로이 조절가능하도록 구성함이 바람직하다.
상기한 본 발명의 실시예에 따르면, 벤츄리 원리를 이용한 진공상태에서의 반응초기 점화 및 상기 초기점화에 의한 반응공간 내에서의 반응가스에 대한 연쇄적인 전기적 반응으로 플라즈마 가스가 발생될 수 있다. 즉, 종래 진공 플라즈마 장치에서와 같이 진공에 가까운 저압상태를 형성시키기 위한 별도의 진공형성수단 없이도 플라즈마 가스 생성에 적합한 환경을 조성할 수 있으며, 초기점화를 위한 별도의 점화수단 없이도 대기압 상태에서 플라즈마 가스를 발생시킬 수 있다.
결과적으로, 이그나이터와 같은 별도의 점화수단이 요구되지 않음에 따라, 장치 소형화를 기대할 수 있고, 따라서 상대적으로 종래 진공 또는 대기압 플라즈마 발생장치에 비해 설치에 따른 공간상의 제약을 현저히 줄일 수 있다. 또한, 진공상태에서의 초기점화를 통해 낮은 개시전압으로도 도입된 반응가스에 대한 초기 전기적 반응을 이끌어 낼 수 있어, 소비전력을 또한 크게 낮출 수 있어 경제적이며, 낮은 전압 사용으로 인해 초기 점화 시 아크가 발생하지 않음에 따라, 장치 과열 및 그에 따른 피처리 대상물의 손상 또한 방지할 수 있다.
이상에서는 본 발명과 관련하여 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구의 범위에 의해 마련되는 본 발명의 기술적 사상이나 분야를 벗어나지 않는 한도내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있음을 밝혀두고자 한다.
도 1은 종래 일반적인 상압 플라즈마 표면처리 장치의 개략 구성도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 상압 플라즈마 표면처리장치의 전체적인 구성을 개략적으로 도시한 개략 구성도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 상압 플라즈마 표면처리장치의 구성을 개략적으로 도시한 개략 구성도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
10...피처리 대상물 100...상압 플라즈마 발생장치
110...반응공간 112...가스 방출구
120...전원전극 125...유전체
130...접지전극 140...가스공급포트
150격벽 유전체 160점화유도공간
200...이송수단

Claims (11)

  1. 대향 전극간의 고주파 전계에 따라 도입된 반응가스를 플라즈마화 하는 상압 플라즈마 발생장치로서,
    플라즈마 가스가 생성되고, 생성된 플라즈마 가스가 분출 가능하도록 개구된 가스 방출구를 일측단에 갖는 반응공간;
    상기 반응공간을 사이에 두고 상호 이격 배치되어 있는 전원전극과 접지전극;
    상기 전원전극과 상기 접지전극 사이에 배치되며, 상기 전원전극 및 상기 접지전극과 이격 형성되어 있는 격벽 유전체;
    상기 격벽 유전체에 의해 분리 형성된 공간은 각각 상기 반응공간으로 반응가스를 전달하는 가스공급포트 및 점화보조가스 도입통로가 되며, 상기 가스공급포트를 통해 상기 반응공간으로 도입되는 반응가스의 흐름에 의해서 진공상태가 유지되는 점화유도공간;을 포함하며,
    상기 점화유도공간은,
    일측에는 점화보조가스 도입을 위한 입구를, 타측에는 상기 가스공급포트와 연통되고 상기 반응공간을 향하는 출구를 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    점화보조가스 도입을 위한 상기 입구는,
    격벽 유전체 상부의 상기 격벽 유전체와 전원전극이 상호 이격되어 형성된 간극인 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 입구를 통해 점화유도공간으로 도입되는 점화보조가스는 아르곤(Ar) 가스인 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    점화보조가스 도입을 위한 상기 입구는,
    가스공급포트와 상기 점화유도공간을 연통시키는 격벽 유전체 상의 바이패스 유로인 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 접지전극 또는 상기 전원전극을 감싸는 유전체;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 방출구는,
    피처리 대상물이 존재하는 방향에 가까워 질수록 직경이 점차 좁아지는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전원전극 및 접지전극 중 어느 하나 이상에는 냉각수 공급라인이 형성됨을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.
  9. 삭제
  10. 플라즈마 가스를 이용하여 피처리 대상물에 대한 표면처리를 수행하는 장치로서,
    반응공간과, 반응공간을 사이에 두고 상호 이격 배치되어 있는 전원전극과 접지전극과, 전원전극 및 상기 접지전극 사이로 이들 전극과 이격 형성된 격벽 유전체와, 격벽 유전체에 의해 상기 전극 사이로 형성되는 가스공급포트와, 격벽 유전체에 의해 상기 전극 사이로 형성되며 가스공급포트를 통해 반응공간으로 도입되는 반응가스의 흐름에 의해서 진공상태가 유지되는 점화유도공간을 포함하며, 상기 점화유도공간은, 일측에는 점화보조가스 도입을 위한 입구를, 타측에는 상기 가스공급포트와 연통되고 상기 반응공간을 향하는 출구를 형성한 상압 플라즈마 발생장치; 및
    상기 상압 플라즈마 발생장치의 가스 방출구를 통해 분사되는 플라즈마 가스에 피처리 대상물의 표면이 노출되도록 피처리 대상물을 이송하는 이송수단;를 포함하는 상압 플라즈마 표면처리장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 상압 플라즈마 발생장치는,
    상기 피처리 대상물 표면으로 분사되는 플라즈마 가스의 분사각도를 조절하는 각도조절장치;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 표면처리장치.
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