JP5027808B2 - ガス流処理方法 - Google Patents
ガス流処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5027808B2 JP5027808B2 JP2008526530A JP2008526530A JP5027808B2 JP 5027808 B2 JP5027808 B2 JP 5027808B2 JP 2008526530 A JP2008526530 A JP 2008526530A JP 2008526530 A JP2008526530 A JP 2008526530A JP 5027808 B2 JP5027808 B2 JP 5027808B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- temperature
- gas
- heat transfer
- transfer fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
- H01J37/32844—Treating effluent gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32229—Waveguides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
Description
14 共鳴キャビティ 16 導波管
18 短絡回路 20 第1の本体部分
22 第2の本体部分 24 テーパ部分
25a 第1の端面 25b 第2の端面
25c 第1の側面 25d 第2の側面
26 端部プレート 27 チャンバ
28,30 プレート部材 29 同調器
32 平坦な側壁部分 34 湾曲した側壁部分
36 ガスチャンバ 38 第1のボア孔(ガス入口)
40 ガス入口ポート 42 第1のガス導管
44 ガス出口ポート 46 第2のガス導管
48 第2のボア孔 50 開口部
52 カバープレート 54 ボア孔
56 導電組立体 58 導電部材
60 ホルダー 62 管
64 チップ 65 開口部
66 第1の本体部分 68 スカート
70 フランジ状開口部 72 Oリング
74 クランプチェーン 76 環状リング
78 第2の本体部分 80 突起部
82 肩部 84 リム
86 バネ 88 第1の環状の突起部
90 ロックナット 92 第2の環状の突起部
94 通路 96 冷媒入口ポート
98 冷媒出口ポート 100 グロー放電電極組立体
102 グロー放電電極 104 コネクタ
106 ガス入口 108 ガス入口ポート
110 コネクタ 112 下面
120 流体キャビティ 122 流体入口ポート
124 第1の外部コネクタ 126 第2の外部コネクタ
130 チャンバ温度制御回路 132 ポンプ
134 センサ 136 第1の熱交換器
138 第2の熱交換器
Claims (18)
- 可変量の含ハロゲン化合物及び水蒸気を含有するガスの処理方法であって、
ガスを受けるガス入口とガス出口とを有するガスチャンバを備えてなるプラズマ減少装置を提供する段階と、
チャンバの内部のステンレス鋼表面に水が吸着されるのを阻止する温度にチャンバを加熱する段階と、
チャンバの内部で処理するためにガスをガスチャンバへ運ぶ段階と、を備え、
前記チャンバの内部のステンレス鋼表面に水が吸着されるのを阻止する温度は、120℃であり、
ガスの処理中に、チャンバを120〜180℃の温度範囲に維持し、
チャンバの温度を制御するためのチャンバ温度制御回路に熱伝達流体を流し、且つ、熱伝達流体の温度を制御することによって、チャンバを前記温度範囲に維持し、
チャンバ温度制御回路は、ガス出口のまわりに延びていることを特徴とする方法。 - ガスがチャンバに運ばれる前に、チャンバを少なくとも120℃に加熱することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- チャンバ温度制御回路は、その一部分が、チャンバ壁の中に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 熱伝達流体を熱交換手段に流し、熱伝達流体の温度を制御するように熱交換手段を制御することによって、熱伝達流体の温度を制御することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の方法。
- 熱伝達流体は、熱伝達流体を第1の熱伝達流体温度に選択的に冷却する第1の熱交換器と、熱伝達流体を第1の熱伝達流体温度に比べて高い第2の熱伝達流体温度に選択的に加熱する第2の熱交換器とのうち、少なくとも一方を通って運ばれることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 第1の熱伝達流体温度は120℃よりも低温であり、第2の熱伝達流体温度は少なくとも120℃以上であることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- チャンバにガスを供給する前に、チャンバは、熱伝達流体によって、前記チャンバの内部のステンレス鋼表面に水が吸着されるのを阻止する前記温度に加熱されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法。
- プラズマ減少装置は、マイクロ波プラズマ減少装置から構成されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の方法。
- 大気圧にて又は大気圧付近にて、ガスが処理されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の方法。
- 含ハロゲン化合物は、臭化水素、塩化水素、Br2、又はCl2であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の方法。
- プラズマ減少装置であって、
装置によって処理されるべきガスを受けるガス入口とガス出口とを有してなるガスチャンバと、
含ハロゲン化合物及び水蒸気を含有するガスの処理中に、チャンバの内部のステンレス鋼表面に水が吸着されるのを阻止する温度以上の所定の温度範囲にチャンバを維持する熱制御手段と、を備え、
前記チャンバの内部のステンレス鋼表面に水が吸着されるのを阻止する温度は、120℃であり、
熱制御手段は、ガスの処理中に、チャンバを、前記温度範囲である120℃〜180℃の温度範囲に維持し、
熱制御手段は、チャンバの温度を制御するためのチャンバ温度制御回路と、温度制御回路に熱伝達流体を流す手段と、熱伝達流体の温度を制御する制御手段と、を備えており、
チャンバ温度制御回路は、ガス出口のまわりに延びていることを特徴とする装置。 - チャンバ温度制御回路は、その一部分が、チャンバ壁の中に配置されていることを特徴とする請求項11に記載の装置。
- 熱制御手段は、熱伝達流体が流れて通る熱交換手段を備え、制御手段は、熱伝達流体の温度を制御すべく熱交換手段を制御するように構成されていることを特徴とする請求項11又は12に記載の装置。
- 熱交換手段は、熱伝達流体を第1の熱伝達流体温度に選択的に冷却する第1の熱交換器と、熱伝達流体を第1の熱伝達流体温度に比べて高い第2の熱伝達流体温度に選択的に加熱する第2の熱交換器とを備えていることを特徴とする請求項13に記載の装置。
- 第1の熱伝達流体温度は、前記温度範囲に比べて低温であり、第2の熱伝達流体温度は少なくとも前記温度範囲内の温度であることを特徴とする請求項14に記載の装置。
- ガスチャンバは、ステンレス鋼から形成されていることを特徴とする請求項11乃至15のいずれか1項に記載の装置。
- マイクロ波プラズマ減少装置の形態であることを特徴とする請求項11乃至16のいずれか1項に記載の装置。
- ガスチャンバの中に突出している導電部材を備え、導電部材はステンレス鋼から形成されていることを特徴とする請求項17に記載の装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB0516695.4A GB0516695D0 (en) | 2005-08-15 | 2005-08-15 | Microwave plasma reactor |
GB0516695.4 | 2005-08-15 | ||
GB0521961.3 | 2005-10-27 | ||
GBGB0521961.3A GB0521961D0 (en) | 2005-08-15 | 2005-10-27 | Method of treating a gas stream |
PCT/GB2006/002795 WO2007020374A1 (en) | 2005-08-15 | 2006-07-27 | Method of treating a gas stream |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009504394A JP2009504394A (ja) | 2009-02-05 |
JP5027808B2 true JP5027808B2 (ja) | 2012-09-19 |
Family
ID=35098307
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008526530A Active JP5027808B2 (ja) | 2005-08-15 | 2006-07-27 | ガス流処理方法 |
JP2008526529A Active JP5600394B2 (ja) | 2005-08-15 | 2006-07-27 | マイクロ波プラズマ反応装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008526529A Active JP5600394B2 (ja) | 2005-08-15 | 2006-07-27 | マイクロ波プラズマ反応装置 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8518162B2 (ja) |
EP (1) | EP1915768B1 (ja) |
JP (2) | JP5027808B2 (ja) |
KR (1) | KR101286348B1 (ja) |
CN (2) | CN101248506B (ja) |
AT (1) | ATE509365T1 (ja) |
GB (2) | GB0516695D0 (ja) |
SG (1) | SG186661A1 (ja) |
TW (2) | TWI405239B (ja) |
WO (1) | WO2007020373A1 (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4611409B2 (ja) * | 2008-09-03 | 2011-01-12 | 晃俊 沖野 | プラズマ温度制御装置 |
KR100965491B1 (ko) * | 2009-11-02 | 2010-06-24 | 박영배 | 복합 플라스마 발생장치 |
US9500362B2 (en) | 2010-01-21 | 2016-11-22 | Powerdyne, Inc. | Generating steam from carbonaceous material |
US9338871B2 (en) | 2010-01-29 | 2016-05-10 | Applied Materials, Inc. | Feedforward temperature control for plasma processing apparatus |
US8916793B2 (en) | 2010-06-08 | 2014-12-23 | Applied Materials, Inc. | Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow |
US8880227B2 (en) * | 2010-05-27 | 2014-11-04 | Applied Materials, Inc. | Component temperature control by coolant flow control and heater duty cycle control |
GB2490355B (en) * | 2011-04-28 | 2015-10-14 | Gasplas As | Method for processing a gas and a device for performing the method |
US8653911B2 (en) | 2011-07-22 | 2014-02-18 | Triple Cores Korea | Atmospheric plasma equipment and waveguide for the same |
JP2013026118A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Triplecores Korea | 常圧プラズマ装置及びこのための導波管 |
CN102905456B (zh) * | 2011-07-27 | 2015-05-20 | 韩国三重核心株式会社 | 大气等离子体设备和用于该设备的波导 |
US10274270B2 (en) | 2011-10-27 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | Dual zone common catch heat exchanger/chiller |
KR101382003B1 (ko) * | 2011-11-04 | 2014-04-21 | (주)트리플코어스코리아 | 플라즈마 반응기 및 이를 이용한 가스스크러버 |
US9410452B2 (en) | 2012-09-05 | 2016-08-09 | Powerdyne, Inc. | Fuel generation using high-voltage electric fields methods |
KR101581263B1 (ko) | 2012-09-05 | 2015-12-31 | 파워다인, 인코포레이티드 | 피셔-트롭슈 촉매 및 플라즈마 소스를 사용하는 연료 재료를 생성하는 시스템 |
WO2014039711A1 (en) | 2012-09-05 | 2014-03-13 | Powerdyne, Inc. | Fuel generation using high-voltage electric fields methods |
US9273570B2 (en) | 2012-09-05 | 2016-03-01 | Powerdyne, Inc. | Methods for power generation from H2O, CO2, O2 and a carbon feed stock |
WO2014039695A1 (en) | 2012-09-05 | 2014-03-13 | Powerdyne, Inc. | Methods for generating hydrogen gas using plasma sources |
BR112015004834A2 (pt) | 2012-09-05 | 2017-07-04 | Powerdyne Inc | método para produzir combustível |
BR112015004836A2 (pt) | 2012-09-05 | 2017-07-04 | Powerdyne Inc | método para sequestrar particulados de toxina |
CN102933016A (zh) * | 2012-11-28 | 2013-02-13 | 吉林大学 | 车载燃料的等离子体微波功率合成系统 |
SG11201507152RA (en) | 2013-03-14 | 2015-10-29 | Mks Instr Inc | Toroidal plasma abatement apparatus and method |
KR101427720B1 (ko) | 2013-03-27 | 2014-08-13 | (주)트리플코어스코리아 | 단차부 및 블록부를 이용한 플라즈마 도파관 |
GB2516267B (en) * | 2013-07-17 | 2016-08-17 | Edwards Ltd | Head assembly |
US9240308B2 (en) * | 2014-03-06 | 2016-01-19 | Applied Materials, Inc. | Hall effect enhanced capacitively coupled plasma source, an abatement system, and vacuum processing system |
CN103968882B (zh) * | 2014-05-22 | 2016-05-18 | 哈尔滨工业大学 | 微波与弱磁等离子体相互作用的测试装置 |
KR102235612B1 (ko) | 2015-01-29 | 2021-04-02 | 삼성전자주식회사 | 일-함수 금속을 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
US10153133B2 (en) | 2015-03-23 | 2018-12-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having digital control over rotation frequency of a microwave field with direct up-conversion |
US10340124B2 (en) | 2015-10-29 | 2019-07-02 | Applied Materials, Inc. | Generalized cylindrical cavity system for microwave rotation and impedance shifting by irises in a power-supplying waveguide |
EP3309815B1 (de) * | 2016-10-12 | 2019-03-20 | Meyer Burger (Germany) AG | Plasmabehandlungsvorrichtung mit zwei, miteinander gekoppelten mikrowellenplasmaquellen sowie verfahren zum betreiben einer solchen plasmabehandlungsvorrichtung |
US10712005B2 (en) | 2017-07-14 | 2020-07-14 | Goodrich Corporation | Ceramic matrix composite manufacturing |
US10480065B2 (en) * | 2017-09-19 | 2019-11-19 | Goodrich Corporation | Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration |
US10818479B2 (en) * | 2017-11-12 | 2020-10-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Grounding cap module, gas injection device and etching apparatus |
US11469077B2 (en) * | 2018-04-24 | 2022-10-11 | FD3M, Inc. | Microwave plasma chemical vapor deposition device and application thereof |
US11634323B2 (en) | 2018-08-23 | 2023-04-25 | Transform Materials Llc | Systems and methods for processing gases |
US11633710B2 (en) | 2018-08-23 | 2023-04-25 | Transform Materials Llc | Systems and methods for processing gases |
CN114560443B (zh) * | 2022-03-02 | 2023-07-07 | 瓮福(集团)有限责任公司 | 一种同时制备氟化氢及晶体硅产品的微波等离子体装置 |
CN115665914B (zh) * | 2022-12-22 | 2023-03-10 | 河北科技大学 | 多源微波加热装置 |
CN117373964B (zh) * | 2023-12-05 | 2024-03-12 | 天津吉兆源科技有限公司 | 一种用于微波远程等离子体源自动点火装置 |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2002002A (en) * | 1931-11-20 | 1935-05-21 | Deere & Co | Tractor |
JPS59103340A (ja) | 1983-09-21 | 1984-06-14 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JPS62155934A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-10 | Canon Inc | 気相励起装置 |
US4866346A (en) * | 1987-06-22 | 1989-09-12 | Applied Science & Technology, Inc. | Microwave plasma generator |
KR960014434B1 (ko) | 1987-12-09 | 1996-10-15 | 후세 노보루 | 플라즈마 처리장치 |
US4893584A (en) * | 1988-03-29 | 1990-01-16 | Energy Conversion Devices, Inc. | Large area microwave plasma apparatus |
JPH03193880A (ja) | 1989-08-03 | 1991-08-23 | Mikakutou Seimitsu Kogaku Kenkyusho:Kk | 高圧力下でのマイクロ波プラズマcvdによる高速成膜方法及びその装置 |
US5144199A (en) | 1990-01-11 | 1992-09-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave discharge light source device |
DE4132558C1 (ja) * | 1991-09-30 | 1992-12-03 | Secon Halbleiterproduktionsgeraete Ges.M.B.H., Wien, At | |
US5349154A (en) * | 1991-10-16 | 1994-09-20 | Rockwell International Corporation | Diamond growth by microwave generated plasma flame |
JPH0653170A (ja) | 1992-03-18 | 1994-02-25 | Nec Corp | Ecrプラズマエッチング装置 |
JPH0673567A (ja) | 1992-08-28 | 1994-03-15 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JP3328844B2 (ja) | 1992-09-24 | 2002-09-30 | 株式会社日立製作所 | プラズマプロセス装置 |
FR2695944B1 (fr) * | 1992-09-24 | 1994-11-18 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Appareil de dépôt chimique en phase vapeur activé par un plasma micro-ondes. |
DE4235914A1 (de) | 1992-10-23 | 1994-04-28 | Juergen Prof Dr Engemann | Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen |
GB9224745D0 (en) | 1992-11-26 | 1993-01-13 | Atomic Energy Authority Uk | Microwave plasma generator |
JP3337266B2 (ja) | 1993-04-15 | 2002-10-21 | 三菱重工業株式会社 | 電子サイクロトロン共鳴プラズマの科学蒸着装置 |
US5453125A (en) * | 1994-02-17 | 1995-09-26 | Krogh; Ole D. | ECR plasma source for gas abatement |
GB9414561D0 (en) * | 1994-07-19 | 1994-09-07 | Ea Tech Ltd | Method of and apparatus for microwave-plasma production |
US5793013A (en) * | 1995-06-07 | 1998-08-11 | Physical Sciences, Inc. | Microwave-driven plasma spraying apparatus and method for spraying |
US6045618A (en) * | 1995-09-25 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
US5825485A (en) * | 1995-11-03 | 1998-10-20 | Cohn; Daniel R. | Compact trace element sensor which utilizes microwave generated plasma and which is portable by an individual |
US5902404A (en) * | 1997-03-04 | 1999-05-11 | Applied Materials, Inc. | Resonant chamber applicator for remote plasma source |
TW376547B (en) * | 1997-03-27 | 1999-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for plasma processing |
FR2766321B1 (fr) | 1997-07-16 | 1999-09-03 | Air Liquide | Dispositif d'excitation d'un gaz par plasma d'onde de surface |
US6390019B1 (en) * | 1998-06-11 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Chamber having improved process monitoring window |
JP2000133494A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | マイクロ波プラズマ発生装置及び方法 |
AU741947B2 (en) * | 1999-04-12 | 2001-12-13 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Organic halogen compound decomposing device and operation control method therefor, and organic halogen compound decomposing method |
US20020007912A1 (en) * | 1999-04-12 | 2002-01-24 | Mohammad Kamarehi | Coolant for plasma generator |
US6263830B1 (en) * | 1999-04-12 | 2001-07-24 | Matrix Integrated Systems, Inc. | Microwave choke for remote plasma generator |
WO2000061286A1 (fr) * | 1999-04-12 | 2000-10-19 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Procede de traitement par decomposition d'un compose halogene organique et dispositif de decomposition |
JP2000296326A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 有機ハロゲン化合物分解装置の運転制御方法 |
DE19943953A1 (de) * | 1999-09-14 | 2001-04-12 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines lokalen Plasmas durch Mikrostrukturelektrodenentladungen mit Mikrowellen |
KR100767762B1 (ko) | 2000-01-18 | 2007-10-17 | 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 | 자가 세정을 위한 원격 플라즈마 소스를 구비한 cvd 반도체 공정장치 |
JP4252702B2 (ja) | 2000-02-14 | 2009-04-08 | 株式会社荏原製作所 | 反応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法 |
JP4377510B2 (ja) | 2000-03-02 | 2009-12-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6673323B1 (en) * | 2000-03-24 | 2004-01-06 | Applied Materials, Inc. | Treatment of hazardous gases in effluent |
AU2001265093A1 (en) * | 2000-05-25 | 2001-12-11 | Russell F. Jewett | Methods and apparatus for plasma processing |
DE60132089T2 (de) | 2000-05-29 | 2008-12-11 | ADTEC Plasma Technology Co., Ltd., Fukuyama City | Vorrichtung zur behandlung von gasen miitels plasma |
EP1448030A4 (en) * | 2002-08-30 | 2006-11-22 | Sekisui Chemical Co Ltd | PLASMA PROCESSING SYSTEM |
JP2004216231A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Toshiba Corp | 高周波プラズマによる化合物分解方法および化合物分解装置 |
US6872909B2 (en) * | 2003-04-16 | 2005-03-29 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas and plasma source having a dielectric vacuum vessel |
GB0309932D0 (en) | 2003-04-30 | 2003-06-04 | Boc Group Plc | Apparatus and method for forming a plasma |
-
2005
- 2005-08-15 GB GBGB0516695.4A patent/GB0516695D0/en not_active Ceased
- 2005-10-27 GB GBGB0521961.3A patent/GB0521961D0/en not_active Ceased
-
2006
- 2006-07-27 JP JP2008526530A patent/JP5027808B2/ja active Active
- 2006-07-27 KR KR1020087003633A patent/KR101286348B1/ko active IP Right Grant
- 2006-07-27 AT AT06765117T patent/ATE509365T1/de not_active IP Right Cessation
- 2006-07-27 JP JP2008526529A patent/JP5600394B2/ja active Active
- 2006-07-27 EP EP06765116.6A patent/EP1915768B1/en active Active
- 2006-07-27 WO PCT/GB2006/002794 patent/WO2007020373A1/en active Application Filing
- 2006-07-27 CN CN2006800296377A patent/CN101248506B/zh active Active
- 2006-07-27 CN CN2006800294583A patent/CN101243534B/zh active Active
- 2006-07-27 SG SG2012092565A patent/SG186661A1/en unknown
- 2006-07-27 US US11/990,255 patent/US8518162B2/en active Active
- 2006-07-27 US US11/990,257 patent/US8776719B2/en active Active
- 2006-08-15 TW TW095129835A patent/TWI405239B/zh active
- 2006-08-15 TW TW095129837A patent/TWI399454B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007020373A1 (en) | 2007-02-22 |
TW200727325A (en) | 2007-07-16 |
CN101248506B (zh) | 2011-09-07 |
CN101243534B (zh) | 2010-05-26 |
SG186661A1 (en) | 2013-01-30 |
KR101286348B1 (ko) | 2013-07-23 |
ATE509365T1 (de) | 2011-05-15 |
TW200712249A (en) | 2007-04-01 |
US8518162B2 (en) | 2013-08-27 |
CN101243534A (zh) | 2008-08-13 |
GB0516695D0 (en) | 2005-09-21 |
CN101248506A (zh) | 2008-08-20 |
TWI399454B (zh) | 2013-06-21 |
JP2009504394A (ja) | 2009-02-05 |
KR20080033408A (ko) | 2008-04-16 |
US8776719B2 (en) | 2014-07-15 |
EP1915768B1 (en) | 2014-09-10 |
EP1915768A1 (en) | 2008-04-30 |
US20100006227A1 (en) | 2010-01-14 |
TWI405239B (zh) | 2013-08-11 |
GB0521961D0 (en) | 2005-12-07 |
JP2009504393A (ja) | 2009-02-05 |
JP5600394B2 (ja) | 2014-10-01 |
US20110197759A1 (en) | 2011-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5027808B2 (ja) | ガス流処理方法 | |
TWI417931B (zh) | 電漿清除設備 | |
US6689252B1 (en) | Abatement of hazardous gases in effluent | |
KR100372186B1 (ko) | 환경적으로유해한화합물의분해장치및분해방법 | |
JP5269770B2 (ja) | Cvdシステム排出のイン・シトゥー洗浄 | |
US20020182131A1 (en) | Heated catalytic treatment of an effluent gas from a substrate fabrication process | |
KR20090080671A (ko) | 플라즈마 반응기와 이를 이용한 플라즈마 스크러버 | |
KR101026457B1 (ko) | 저압 및 대기압 플라즈마를 이용한 폐가스 제거 시스템 | |
EP1915769B1 (en) | Method of treating a gas stream | |
KR102452085B1 (ko) | 배기용 플라즈마 리액터 | |
JPS6157222A (ja) | ハロゲンを含有する有害物質を浄化する装置 | |
KR102483353B1 (ko) | 배기가스 정화 시스템 | |
KR20170050622A (ko) | 점화전극부 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090629 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110425 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110722 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110926 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120618 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120622 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5027808 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |