WO2002032660A1 - Lamine metallique multicouche et procede d'elaboration - Google Patents

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Kinji Saijo
Kazuo Yoshida
Hiroaki Okamoto
Shinji Ohsawa
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    • Y10T428/12979—Containing more than 10% nonferrous elements [e.g., high alloy, stainless]

Definitions

  • the present invention relates to a multilayer metal laminate in which a metal plate and a metal foil are laminated by a method without using an adhesive, and a method for producing the same.
  • such an etching stop layer has been formed by a wet plating technique, a cladding technique of performing a thermal diffusion treatment after hot rolling and cold rolling, or the like.
  • a first object of the present invention is to provide a method for forming a thin metal film on a surface of a metal plate and a metal foil having a predetermined thickness by using a thin film forming method such as vacuum evaporation and sputtering in advance without using an adhesive.
  • An adhesive-less multilayer metal laminate having a predetermined thickness is provided.
  • a second object of the present invention is to provide a method for continuously manufacturing a multi-layer metal laminate in which a thin film and a metal foil are bonded to a metal plate.
  • the multilayer metal laminate of the present invention is characterized in that the first metal thin film surface formed on the metal plate surface is laminated so as to be in contact with the second metal thin film surface formed on the metal foil surface.
  • the metal plate be a copper plate
  • the first metal thin film be nickel
  • the metal foil be copper foil
  • the second metal thin film be nickel
  • the first metal thin film formed on the surface of the metal plate be laminated so as to be in contact with the surface of the metal foil.
  • the metal plate is a copper plate
  • the first metal thin film is aluminum
  • the metal foil is a copper foil
  • the metal plate is a stainless steel plate
  • the first metal thin film is silver
  • the metal foil is stainless steel
  • the method for producing a multilayer metal laminate according to the present invention includes the steps of: placing a metal plate on a metal plate rewind reel; placing metal foil on a metal foil rewind reel; Activating the surface of the unwound metal plate to form a first metal thin film on the surface of the metal plate; and activating the surface of the unwound metal foil from the metal foil unwinding reel to activate the unwound metal foil.
  • the method for producing a multilayer metal laminate comprises the steps of: placing a metal plate on a metal plate rewind reel; placing a metal foil on a metal foil rewind reel; Activating the surface of the rewinding metal plate to form a first metal thin film on the surface of the metal plate; activating the surface of the metal foil by rewinding the metal foil from the metal foil rewinding reel; It is characterized in that the method includes a step of pressing the metal thin film surface and the metal foil surface in 1).
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a multilayer metal laminate.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the metal thin-film laminate.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing the manufacturing method.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing the manufacturing method.
  • FIG. 5 is a schematic diagram illustrating the production method of the present invention. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a schematic view showing a cross-sectional structure of a multilayer metal laminate of the present invention.
  • a metal plate 22 is laminated on a metal foil 26 via a first metal thin film 24.
  • the material of the metal plate 22 is not particularly limited as long as the material can form a thin film on the metal plate. It is appropriately selected and used depending on the use of the multilayer metal laminate of the present invention.
  • the multilayer metal laminate of the present invention when used for a printed circuit board for mounting, as a material of the metal plate, a copper plate, a titanium plate, a stainless steel plate, an aluminum plate, or the like is preferably applied.
  • the thickness of the metal plate 22 varies depending on the application, it is preferably 1.0 to 200 ⁇ for a printed circuit board for mounting. Further, those having a range of 25 to 150 ⁇ are preferably applied.
  • the type of the material of the first or second metal thin film 23, 24 is not particularly limited as long as it is a material having good adhesion to the underlying metal plate.
  • the first and second metal thin films 23 and 24 may be Fe, Ni, Cr, Pd, Zr, Co, Au , Ag, Sn, Cu, A1, etc. are preferably applied. Further, a metal thin film having a plurality of layers of these metals may be used. Also, alloys of these metals are applied as thin films.
  • the thickness varies depending on the application, but for a printed circuit board for mounting, 0.01 to 1 / im is preferably applied. More preferably, it is in the range of 0.1 to 0.5 ⁇ . Applied.
  • a single-layer foil such as a copper foil, a nickel foil, an aluminum foil, and an iron foil, a laminated foil (cladding material) thereof, an alloy foil, and a rolled thin plate can be applied. Further, it is also possible to apply a plating foil or the like having these surfaces plated.
  • the thickness varies depending on the application. For example, for a printed circuit board for mounting, a thickness of 3 to 100 ⁇ m is preferably applied. Further, the range of 10 to 35 ⁇ m is preferably applied.
  • a slightly thicker one having a thickness of 50 to 100 ⁇ m is preferably applied in order to improve heat transfer.
  • a metal plate 22 is set on a rewind reel 62, and the surface of the metal plate 22 is placed on a multilayer metal laminate manufacturing apparatus 50. Activation is performed using the activation treatment device 70 installed therein.
  • Activation here refers to the removal of foreign substances such as metal oxide ⁇ adsorbed garbage and oil adhering to the surface of the metal thin film on the metal plate, and to improve the adhesion with the metal foil in the later process. Surface treatment. Similarly, the surface of the metal foil 26 is also activated using the activation processing device 80.
  • the activation treatment device 70, 80 can be suitably used as long as it has a mechanism capable of cleaning the surface.
  • the method of performing the activation treatment by the sputter etching treatment is as follows: (1) 1 X 10 i X l In an extremely low pressure inert gas atmosphere of O— 3 Pa, (2) the metal plate 22 and the metal foil 26 are each used as one electrode A (72) grounded to ground, and An AC of 1 to 50 MHz is applied between the electrode B and the electrode B to cause a glow discharge, and (3) an electrode roll exposed in the plasma generated by the glow discharge. (A) Force to be performed by sputter etching treatment, which is 1/3 or less of the area b of the electrodes 74, 84, respectively.
  • ion bombardment occurs preferentially on the electrode A side, which is the material to be etched, and hardly occurs on the electrode B side.
  • the surface activation treatment can also be performed using an ion gun or the like that can achieve surface activation at high speed.
  • a thin film forming unit 90 for forming the first metal thin film 24 on the metal plate 22 is installed in the vacuum vessel 52 in a subsequent step of the activation processing device 70.
  • an AC of l to 50 MHz is applied between the one electrode A (electrode roll 72) grounded and the other electrode B (76) supported insulated. To cause a glow discharge.
  • the surface of the metal plate 22 is not etched.
  • a first metal thin film 24 is formed on the surface.
  • the opposing area ratio of the electrode a and the electrode b is reversed from that in the case of the activation process.
  • ion impact can be applied to the target side, and a thin film is formed on the metal plate.
  • a sputter tub used as an example of the thin film forming unit 90 used in the present invention will be described with reference to FIG.
  • the sputter unit 90 is composed of a target electrode 94 electrically floating and a water-cooled electrode roll 72 grounded to ground.
  • a target 92 for forming the first metal thin film 24 is provided on the target electrode 94, and a magnet 98 is provided to improve the efficiency of sputtering by a magnetic field.
  • the target electrode 94 Can be water-cooled.
  • a high-frequency power source 96 is applied to the target electrode 94 to generate plasma between the target electrode 94 and the electrode roll 72, and ion bombard the target 92.
  • the target atoms emitted thereby form a first metal thin film 24 on the metal plate 22.
  • the metal foil 26 to be laminated is also subjected to an activation treatment using the activation treatment device 80, and the metal foil 26 using the same thin film formation unit 95 as the thin film formation unit 90 described above.
  • a second metal thin film 23 is formed on the surface of the substrate.
  • a plurality of electrodes 76 are provided and a plurality of thin film forming units 91 are arranged so that the second metal thin film 23 can be multilayered.
  • Such metal thin films may be of the same type or of different types. Even if a large number of electrodes 76 are provided, it is possible to prevent the formation of a metal thin film at all by turning off the power to these electrodes. Also, by turning off some power supplies, thin films of any number of layers can be formed.
  • a method for forming the first and second metal thin films known methods such as a sputtering method, an ion plating method, and a vacuum evaporation method (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-231717) can be used. .
  • the pressure welding is preferably light pressure welding that does not damage the metal foil / metal thin film.
  • the numerical value is expressed in terms of the reduction ratio, it is preferable to set it to about 0.1 to 10%.
  • a copper plate having a thickness of 100 m was used as the metal plate.
  • a copper foil with a thickness of 18 ⁇ m was used as the metal foil.
  • the copper plate 2 2 unwound from the metal plate rewind reel 6 2 and the copper foil 2 6 unwound from the metal foil rewind reel 6 4 are used for the water-cooled electrode roll 7 2 in the vacuum vessel 52. , And 82, respectively, and were subjected to an active treatment by a sputter etching method in the activation treatment unit 70. After activating the copper plate 22, it was sent to a sputter unit 90 while being wound on a water-cooled electrode roll 72, and a nickel thin film having a thickness of 0.2 ⁇ m was formed as a metal thin film 24.
  • the copper foil 26 was wound around a water-cooled electrode roll 82 and sent to a sputtering unit 95 to form a nickel thin film having a thickness of 0.2 ⁇ as the metal thin film 23.
  • the joining surface of the copper plate 22 with the nickel metal thin film 24 formed on the surface and the copper foil 26 with the nickel metal thin film 23 formed on the surface is superimposed on each other. Cold-welded at a specific rate to produce a multilayer metal laminate consisting of four layers: a copper plate, a Huckel thin film, a nickel thin film, and a copper foil.
  • Example 2 A copper plate having a thickness of 100; zm was used as the metal plate. A 35- ⁇ m thick copper foil was used as the metal foil.
  • the copper plate 2 2 unwound from the metal sheet rewind reel 6 2 and the copper foil 2 6 unwound from the metal foil unwind reel 6 4 are used for the water-cooled electrode roll 7 2 in the vacuum vessel 5 2.
  • And 82 respectively, and activated in the activation treatment unit 70 by a sputter etching method.
  • the copper foil 26 was activated, it was passed through the sputter unit 95 while being wound on the water-cooled electrode roll 82, but the power was turned off, and no metal thin film was formed.
  • a copper plate 22 having a metal thin film 24 of aluminum thin film formed on its surface and a copper foil 26 whose surface has been subjected to an activation treatment are overlapped with each other, and are cold-welded at a low reduction rate of about 0.5%. Then, a multilayer metal laminate consisting of three layers, a copper plate, an aluminum thin film, and a copper foil, was manufactured.
  • the multilayer metal laminate of the present invention is pressed in a vacuum vessel without using an adhesive, a metal foil and a metal plate can be manufactured with a uniform thickness.
  • the apparatus can be made compact.

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Description

多層金属積層板及びその製造方法
技術分野
本発明は、 金属板と金属箔とを接着剤を用いない方法で積層した多層金属積層 板、 及びその製造方法に関する。 '
明 背景技術 田
従来、 金属板と金属板とを積層した金属板積層体が、 数多く提案されている。 従来の金属板積 Ϊ体の用途は主に構造材であった。
近年、 金属板積層体の用途も多岐にわたるようになり、 エッチングして微細な形 状を形成するための用途に用いられる特殊な材料の供給が求められている。 エッチング用途の材料では、 エッチングで微細な形状を形成するために、 エツ チング層ノエッチングストップ層 zエッチング層のように、 エッチング層とエツ チンダストップ層との交互の積層が必要である。
従来、 このようなエッチングストップ層の形成は、 湿式めつき技術や熱間圧延 •冷間圧延後の熱拡散処理を行うクラッド技術などで行われていた。
しかし、 このような技術は工程が煩雑であり、 また、 微細で精度を必要とする 金属板積層体には適していないという問題がある。
本発明の第一の課題は、 予め真空蒸着、 スパッタリング等の薄膜形成方法によ り、 表面に金属薄膜を形成した金属板と、 所定の厚みをもった金属箔とを、 接着 剤を用いずに接合し、 所定の厚みを有する接着剤レスの多層金属積層板を提供す ることである。
また、 本発明の第二の課題は、 金属板上への薄膜形^^と金属箔とを接合する多 層金属積層板の製造を連続化した方法を提供することを課題とする。 発明の開示 .
本発明の多層金属積層板は、 金属板表面に形成された第 1の金属薄膜面が、 金 属箔表面に形成された第 2の金属薄膜面と接するように積層されていることを特 徴とする。
このような多層金属積層板は、 金属板が銅板であり、 第 1の金属薄膜がニッケ ルであり、 金属箔が銅箔であり、 第 2の金属薄膜がニッケルであることが望まし い。
このような多層金属積層板は、 金属板表面に形成された第 1の金属薄膜面が、 金属箔表面と接するように積層されていることが望ましい。
このような多層金属積層板は、 金属板が銅板であり、 第 1の金属薄膜がアルミ ニゥムであり、 金属箔が銅箔であることが望ましい。
このような多層金属積層板は、 金属板がステンレス板であり、 第 1の金属薄膜 が銀であり、 金属箔がステンレスであることが望ましい。
本発明の多層金属積層板の製造方法は、 金属板を金属板巻き戻しリールに設置 する工程と、 金属箔を金属箔卷き戻しリールに設置する工程と、 金属板を金属板 巻き戻しリールから卷き戻し金属板表面を活性化して金属板表面に第 1の金属薄 膜を形成する工程と、 金属箔を金属箔巻き戻しリールから卷き戻し金属箔表面を 活性化して金属板表面に第 2の金属薄膜を形成する工程と、 活性化した第 1の金 属薄膜面と第 2の金属薄膜面とを圧接する工程を有することを特徴とする。 本発明の多層金属積層板の製造方法は、 金属板を金属板巻き戻しリールに設置 する工程と、 金属箔を金属箔巻き戻しリールに設置する工程と、 金属板を金属板 卷き戻しリールから巻き戻し金属板表面を活性化して金属板表面に第 1の金属薄 膜を形成する工程と、 金属箔を金属箔巻き戻しリールから巻き戻し金属箔表面を 活性化する工程と、 活性化した第 1の金属薄膜面と金属箔面とを圧接する工程を 有することを特^¾とする。 図面の簡単な説明
図 1は、 多層金属積層板の断面図である。 図 2は、 金属薄膜積層板の断面図 である。 図 3は、 製造方法を示す概略図である。 図 4は、 製造方法を示す概略図 である。 図 5は、 本発明の製造方法を示す概略図である。 発明を実施するための最良の形態
図 1は、 本発明の多層金属積層板の断面構造を示す概略図である。
図 1において、 金属板 22は、 第 1の金属薄膜 24を介して、 金属箔 26に積層 されている。 金属板 22の材質としては、 金属板上に薄膜形成が可能な素材であ れば特にその種類は限定されない。 本発明の多層金属積層板の用途により適宜選 択して用いる。
例えば、 本発明の多層金属積層板が、 実装用プリント基板用途であれば、 金属 板の素材としては、 銅板、 チタン板、 ステンレス板、 アルミニウム板等が好まし く適用される。
金属板 22の厚みは用途により異なるが、 実装用プリント基板用途であれば 1、 0〜200 μπιが好ましく適用される。 さらに 25〜 1 50 μπιの範囲のものが 好ましく適用される。
第 1又は第 2の金属薄膜 23， 24の材質としては、 下地となる金属板との密 着性がよい材質のものであれば特にその種類は限定されない。
例えば、 金属板 22が銅板やステンレス板の場合であれば、 第 1又は第 2の金 属薄膜 23， 24としては、 F e、 N i、 C r、 P d、 Z r、 C o、 Au、 Ag、 S n、 Cu、 A 1等が好ましく適用される。 また、 これらの金属を複層にした金 属薄膜でもよい。 又、 これらの金属の合金も薄膜として適用される。
厚みは、 用途により異なるが、 実装用プリント基板用途であれば、 0. 01〜1 /imが好ましく適用される。 さらに 0. 1〜0. 5 μπιの範囲のものが好ましく 適用される。
金属箔 2 6の材質としては、 例えば、 銅箔、 ニッケル箔、 アルミ箔、 鉄箔など の単層箔、 及びこれらの積層箔 （クラッド材）、 合金箔、 圧延薄板などが適用で きる。 また、 これらの表面にめっきを施しためっき箔などの適用も可能である。 厚みは、 用途により異なるが、 例えば実装用プリント基板用途であれば、 3〜1 0 0 μ mが好ましく適用される。 さらに 1 0〜3 5 μ mの範囲が好ましく適用 される。
また、 本発明の多層金属積層板を放熱板用途に適用する場合は、 伝熱性を向上 させるため少し厚めの 5 0〜1 0 0 0 μ mの範囲のものが好ましく適用される。 次に、 本発明の多層金属積層板の製造方法を説明する。
まず、 第一の製造方法としては、 図 3に示すように、 金属板 2 2を巻き戻しリー ル 6 2に設置し、 その金属板 2 2の表面を、 多層金属積層板製造装置 5 0の中に 設置した活性化処理装置 7 0を用いて活性化する。
ここでいう活性化とは、 金属板上の金属薄膜表面に付着している、 金属酸化物 ゃゴミ吸着物、 油などの異物を除去し、 後工程での金属箔との密着性を向上させ るための表面処理をいう。 同じく金属箔 2 6の表面も活性化処理装置 8 0を用い て活性化される。
活性化処理装置 7 0、 8 0は、 表面清浄できる機構のものであれば好適に採用 できるが、 本発明の実施例では、 圧接しょうとする材料のそれぞれの接合面をス パッタエツチング処理する装置を適用する。
すなわち、 図 3に示すように、 スパッタエッチング処理して活性化処理する方 法は、 本出願人が先に特開平 1-224184号公報で開示したように、 （ 1 ) 1 X 1 0 i X l O— 3 P aの極低圧不活性ガス雰囲気中で、 （2 ) 金属板 2 2と金属箔 2 6とを、 それぞれアース接地した一方の電極 A ( 7 2 ) とし、 絶縁支持された他 の電極 B ( 7 4 )との間に 1〜5 0 MH zの交流を印加してグロ一放電を行わせ、 ( 3 ) かつ、 前記グロ一放電によって生じたプラズマ中に露出される電極ロール 7 2， 8 2の面積 a力 電極 7 4 , 8 4の面積 bの、それぞれ 1 / 3以下で、 （ 4 ) スパッタエツチング処理することによって行うこと力 高速で表面活性化できる ので好ましい。 上記のような構造にすることにより、 イオン衝撃は被エッチング 材である電極 A側で優先的におこり、 電極 B側で起こることはほとんどない。 なお、 表面活性化処理は、 高速で表面活性化が得られるイオンガン等を用いて 行うこともできる。
次に、 前記金属板 2 2の表面に第 1の金属薄膜 2 4を形成し、 金属箔 2 6の表 面に第 2の金属薄膜 2 3を形成する方法を説明する。
このため、 金属板 2 2に第 1の金属薄膜 2 4を形成する薄膜形成ュニット 9 0 を、 真空容器 5 2の中、 活性化処理装置 7 0の後工程に設置する。
すなわち、 図 3に示すように、 前記アース接地した一方の電極 A (電極ロール 7 2 ) と、 絶縁支持された他の電極 B ( 7 6 ) との間に、 l〜5 0 MH zの交流 を印加してグロ一放電を行わせる。
この場合、 グロ一放電によって生じたプラズマ中に露出される電極ロール 7 2 の面積 aを、 電極 7 6の面積 bの 3倍以上にすることにより、 金属板 2 2の表面 はエッチング処理されないで、 表面に第 1の金属薄膜 2 4が形成される。
すなわち、 薄膜形成を行うスパッタュニットは、，活性化処理の場合と電極 aと 電極 bの対抗する面積比を逆にする。 それによりターゲット側にイオン衝撃を与 えることができ、 金属板上に薄膜が形成される。
本発明で用いる薄膜形成ュニット 9 0の一例として用いるスパッタュ-ットを 図 4を用いて説明する。
スパッタュニット 9 0は、 電気的にフローティングされたターゲット電極 9 4 と、 アース接地された水冷の電極ロール 7 2との組み合わせで構成される。 ター ゲット電極 9 4には第 1の金属薄膜 2 4を形成するターゲット 9 2が設置され、 また、 マグネット 9 8を設置して磁場によりスパッタリングの効率を向上させて いる。 さらに、 ターゲット 9 2の異常加熱を防止するため、 ターゲット電極 9 4 を水冷できるようにしてある。
スパッタ処理を行う場合は、 1 X 1 0— 3 P a 以下に保持した後、 真空容器 52 内にアルゴン、 ネオン、 キセノン、 クリプトン等の不活性ガスの他、 酸素な どのガスを導入し、 1 X 1 0丄〜 1 X 1 0 -3 Pa程度のガス雰囲気とする。
その後、 ターゲット電極 94 に高周波電源 9 6を負荷することで、 ターゲット 電極 9 4と電極ロール 7 2間にプラズマを発生させ、 ターゲット 9 2にイオン衝 撃を与える。
それにより放出されたターゲット原子を、 金属板 2 2上に第 1の金属薄膜 2 4を 形成する。
同様に、 積層する金属箔 2 6についても、 活性化処理装置 8 0を用いて活性化 処理を行い、 上記の薄膜形成ュニット 9 0と同様の薄膜形成ュニット 9 5を用い て、 金属箔 2 6の表面に第 2の金属薄膜 2 3を形成する。
また、 図 5に示すように、 電極 7 6を複数個設置し薄膜形成ュニット 9 1を複数 台並べることで、 第 2の金属薄膜 2 3を多層化することもできる。 このような金 属薄膜は、 同種類でもよく、 異なった種類のものでもよい。 また、 このように電 極 7 6を多数設置しても、 この電極の電源を切っておくことにより、 金属薄膜を 全く形成させないようにすることもできる。 また、 何台かの電源を切断しておく ことにより、 任意の層数の薄膜を形成することもできる。
第 1及び第 2の金属薄膜の形成方法としては、 スパッタリング法、 イオンプレ 一ティング法、真空蒸着法等の公知の方法（特開平 8— 2 3 1 7 1 7号公報参照） を用いることができる。
また、 金属板 2 2や金属箔 2 6の表面を粗面化しておくと金属薄膜との密着強 度が向上し好ましい。
次に、 前記の活性化処理面同士を重ね合わせて、 圧接ユニット 6 0によって圧 接することにより接合させ、 多層金属積層板 2 0を同一真空容器内で一工程で製 造する。 圧接は、 金属箔ゃ金属薄膜を損傷させないような軽圧接が好ましい。 例えば、 圧 下率で数値化すれば、 0 . 1〜 1 0 %程度にすることが好ましい。 実施例
以下に、 実施例を図面に基づいて説明する。
(実施例 1 )
金属板として 1 0 0 m厚みの銅板を用いた。 また、 金属箔として 1 8 μ m 厚みの銅箔を用いた。
①活性化処理
金属板巻き戻しリール 6 2から巻き戻された銅板 2 2、 および、 金属箔卷き戻 しリール 6 4から巻き戻された銅箔 2 6は、 真空容器 5 2内の水冷の電極ロール 7 2 , 8 2にそれぞれ巻き付け、 活性化処理ュニット 7 0内で、 スパッタエツチ ング法により活十生ィ匕処理した。 銅板 2 2を活性化処理した後に、 水冷の電極ロール 7 2に卷き付けたままスパ ッタユニット 9 0に送り、 金属薄膜 2 4として 0 . 2 ^u m厚みのニッケル薄膜を 形成した。
また、 銅箔 2 6を活性化処理した後に、 水冷の電極ロール 8 2に巻き付けたま まスパッタユニット 9 5に送り、 金属薄膜 2 3として 0 . 2 μ πι厚みのニッケル 薄膜を形成した。
③圧接
表面にニッケルの金属薄膜 2 4が形成された銅板 2 2と、 表面にニッケルの金 属薄膜 2 3が形成された銅箔 2 6の接合面同士を重ねて、 0 . 5 %程度の低圧下 率で冷間圧接し、 銅板、 ュッケル薄膜、 ニッケル薄膜、 銅箔の 4層からなる多層 金属積層板を製造した。
(実施例 2 ) 金属板として 1 0 0 ;z m厚みの銅板を用いた。 また、 金属箔として 3 5 μ m 厚みの銅箔を用いた。
①活性化処理
金属板巻き戻しリール 6 2から卷き戻された銅板 2 2、 および、 金属箔巻き戻 しリール 6 4から巻き戻された銅箔 2 6は、 真空容器 5 2内の水冷の電極ロール 7 2， 8 2にそれぞれ巻き付け、 活性化処理ュ-ット 7 0内で、 スパッタエツチ ング法により活性化処理した。
②金属薄膜形成
銅板 2 2を活性化処理した後に、 水冷の電極ロール 7 2に卷き付けたままスパ ッタユニット 9 0に送り、 金属薄膜 2 4として 0 . 5 m厚みのアルミニウム薄 膜を形成した。
また、 銅箔 2 6を活性化処理した後に、 水冷の電極ロール 8 2に巻き付けたま まスパッタュニット 9 5を通過させたが、 電源を切り、 金属薄膜は形成しなかつ た。
③圧接
表面にアルミニウム薄膜の金属薄膜 2 4が形成された銅板 22 と、 表面の活性 化処理を行つた銅箔 2 6の接合面同士を重ねて、 0 . 5 %程度の低圧下率で冷間 圧接し、 銅板、 アルミニウム薄膜、 銅箔の 3層からなる多層金属積層板を製造し た。 産業上の利用可能性
本発明の多層金属積層板は、 接着剤を用いないで真空容器内で圧接したもので あるので、 金属箔と金属板を均一の厚みで製造できる。
また、 一工程で、 表面活性化処理、 金属薄膜形成、 圧接を行うので、 多層金属 積層板を容易に得ることができる。 さらに、 表面活性化処理と金属薄膜形成を、 同一の電極ロールに対して行うので、 装置をコンパクトにできる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 金属板表面に形成された第 1の金属薄膜面が、 金属箔表面に形成された第 2の金属薄膜面と接するように積層されている多層金属積層板。
2 . 前記金属板が銅板であり、 前記第 1の金属薄膜がニッケルであり、 前記金 属箔が銅箔であり、 前記第 2の金属薄膜がニッケルである請求項 1記載の多層金
3 . 金属板表面に形成された第 1の金属薄膜面が、 金属箔表面と接するように 積層されている多層金属積層板。
4 . 前記金属板が銅板であり、 前記第 1の金属薄膜がアルミニウムであり、 前 記金属箔が銅箔である請求項 3記載の多層金属積層板。
5 . 前記金属板がステンレス板であり、 前記第 1の金属薄膜が銀であり、 前記 金属箔がステンレスである請求項 3記載の多層金属積層板。
6 . 金属板を金属板巻き戻しリールに設置する工程と、
金属箔を金属箔卷き戻しリールに設置する工程と、
前記金属板を金属板卷き戻しリールから巻き戻し金属板表面を活性化して金属板 表面に第 1の金属薄膜を形成する工程と、
前記金属箔を金属箔巻き戻しリールから巻き戻し金属箔表面を活性化して金属板 表面に第 2の金属薄膜を形成する工程と、
前記活性化した第 1の金属薄膜面と第 2の金属薄膜面とを圧接する工程を有する 多層金属積層板の製造方法。
7 . 金属板を金属板卷き戻しリールに設置する工程と、
金属箔を金属箔卷き戻しリールに設置する工程と、
前記金属板を金属板卷き戻しリールから卷き戻し金属板表面を活性化して金属板 表面に第 1の金属薄膜を形成する工程と、
前記金属箔を金属箔卷き戻しリールから巻き戻し金属箔表面を活性化する工程 と、
前記活性化した第 1の金属薄膜面と金属箔面とを圧接する行程を有する多層金属 積層板の製造方法。
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