KR20050102642A - 적층 구조물의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 적층 구조물의 제조방법에 관한 것이다. 당해 방법은 적어도 제1 연성 구조물 및 제2 연성 구조물을 제공하는 단계, 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물의 적어도 일부분에 피복물을 도포하여 제1 피복된 연성 구조물 및 제2 피복된 연성 구조물을 얻는 단계, 및 제1 피복된 연성 구조물의 피복면과 제2 피복된 연성 구조물의 피복면을 접합시키고 제1 피복된 연성 구조물과 제2 피복된 연성 구조물을 함께 압착하여 제1 피복된 연성 구조물과 제2 피복된 연성 구조물 사이에 냉간 용접부를 생성시키는 단계를 포함한다. 본 발명은 또한 냉간 용접을 통해 결합된제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물을 포함하는 적층 구조물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 적층 구조물의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 당해 방법에 의해 얻어진 적층 구조물 및 당해 적층 구조물의 캐패시터(capacitor) 또는 초전도체(superconductor)로서의 용도에 관한 것이다.
두 개의 피복된 연성 기판으로 이루어진 적층 구조물을 얻기 위해서, 흔히 아교(glue) 또는 유기 수지와 같은 접착제를 사용한다. 그러나, 이러한 방법은 피막이 접착제에 의해 손상될 수 있는 결점이 있다.
본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명될 것이다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따르는 적층 구조물의 제조방법을 대략적으로 보여주고,
도 3 내지 도 7은 상이한 양태의 캐패시터를 보여주며,
도 8은 고온 초전도체로서 사용되는 본 발명에 따르는 적층 구조물을 보여준다.
본 발명의 목적은 선행기술의 문제점이 없는 적층 구조물의 제조방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 적층 구조물 및 당해 적층 구조물의 캐패시터 또는 초전도체로서의 용도를 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 양태에 있어서, 적층 구조물의 제조방법이 제공된다. 당해 방법은 적어도 제1 연성 구조물 및 제2 연성 구조물을 제공하는 단계, 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물의 적어도 일부분에 피복물을 도포하여 제1 피복된 연성 구조물 및 제2 피복된 연성 구조물을 얻는 단계, 및 제1 피복된 연성 구조물의 피복면과 제2 피복된 연성 구조물의 피복면을 접합시키고 제1 피복된 연성 구조물과 제2 피복된 연성 구조물을 함께 압착하여 제1 피복된 연성 구조물과 제2 피복된 연성 구조물 사이에 냉간 용접부를 생성시키는 단계를 포함한다.
제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물 위의 피복물은 당해 기술분야에 공지되어 있는 기술, 예를 들면, 습식 화학 증착 기술 또는 진공 증착 기술에 의해 도포될 수 있다. 바람직하게는, 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물 위의 피복물은 스퍼터링(예: 마그네트론 스퍼터링, 이온 빔 스퍼터링 및 이온 보조 스퍼터링), 증발, 레이저 어블레이션(laser ablation) 또는 화학 증착(예: 플라즈마 화학 기상 증착)과 같은 진공 증착 기술을 통해 도포된다.
금속 피복물은 모든 금속 또는 금속 합금을 포함할 수 있다. 바람직한 금속 층은, 예를 들면, Al, Ti, V, Cr, Co, Ni, Cu, Zn, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Ir, Pt, Au, Pb 또는 이들의 합금을 포함한다.
바람직하게는, 제1 연성 구조물에 도포된 피복물은 제2 연성 구조물에 도포된 피복물과 동일하다.
제1 연성 구조물 위의 피복물과 제2 연성 구조물 위의 피복물은 하나의 증착원 또는 두 개의 상이한 증착원에 의해 도포될 수 있다. 하나의 증착원에 의한 도포가 바람직하다.
냉간용접은 두 개의 청정한 금속 표면이 친밀하게 접촉된 경우에 일어날 수 있다. 냉간용접을 이루기 위해서, 금속 표면에는 산화물, 질화물, 흡수된 기체 또는 유기 오염물과 같은 오염물이 존재하지 않아야 한다. 또한, 금속 표면은 충분히 높은 기계력하에 접합되어 원자들이 계면에서 친밀하게 접촉되도록 해야한다.
오염물은 금속 표면을 세정함으로써 제거할 수 있다.
바람직한 양태에 있어서, 피복물의 도포 및 제1 피복된 연성 구조물과 제2 피복된 연성 구조물의 냉간용접은 피복 단계와 냉간용접 단계 사이에 진공 차단없이 진공 중에서 수행된다. 공정 단계들 전체에 걸쳐 진공을 유지함으로써 표면 산화물 및 기타 오염물의 형성을 방지할 수 있다. 또한, 상이한 공정 단계들을 하나의 공정 챔버에서 수행함으로써 상이한 공정 챔버들 사이에서 연성 구조물들을 재배치하거나 이동시킬 필요성이 없다.
제1 연성 구조물 및 제2 연성 구조물은 당해 기술분야에 공지되어 있는 모든 연성 기판, 예를 들면, 연성 금속 기판 또는 연성 중합체 기판을 포함할 수 있다.
바람직한 연성 금속 기판은, 예를 들면, 금속 테이프 또는 박편 또는 금속화 테이프 또는 박편을 포함한다. 금속은 바람직하게는 강, 니켈 또는 니켈 합금, 또는 티탄 또는 티탄 합금을 포함한다.
금속 기판은 바람직하게는 두께가 1 내지 100㎛, 예를 들면, 10㎛이다.
금속화 테이프 또는 박편은 바람직하게는 양면이 금속 층으로 피복된 중합체 테이프 또는 박편을 포함한다.
바람직한 연성 중합체 기판은, 예를 들면, 폴리에스테르(PET), 폴리프로필렌(예: 연신된 폴리프로필렌(OPP), 이축연신된 폴리프로필렌(BOPP)), 폴리에테르이미드 또는 폴리이미드(예: Kapton®, Upilex®) 테이프 또는 박편과 같은 중합체 테이프 또는 박편을 포함한다.
바람직한 양태에 있어서, 제1 연성 구조물 및/또는 제2 연성 구조물은 피복된 연성 기판, 예를 들면, 세라믹 층으로 피복된 금속 테이프 또는 박편 또는 금속화 테이프 또는 박편, 또는 금속 층으로 피복된 중합체 박편 또는 테이프를 포함한다.
제1 연성 구조물 및 제2 연성 구조물은 동일한 재료를 포함하거나 상이한 재료를 포함할 수 있다.
세라믹 층은 바람직하게는 산화물, 티타네이트, 니오베이트, 지르코네이트 및 (Re)-Ba-Cu-옥사이드와 같은 고온 초전도체로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. (Re)는 하나 이상의 희토류 원소, 예를 들면, Y 또는 Nd를 포함할 수 있다. 캐패시터용으로 사용되는 통상적인 티타네이트는 CaTiO3, SrTiO3, BaTiO3 및 PbTiO3, (Ba,Sr)TiO3, PbZr(1-x)TixO3, Sr(1-x)BixTiO3, NbxTiO3, BiBi2NbTiO9, BaBi4Ti4O15, Bi4Ti3O12, SrBi4Ti4O15, BaBi4Ti4O15, PbBi4Ti4O15 또는 PbBi4Ti4O15를 포함한다. 니오베이트는 CaBi2Nb2O9, SrBi2Nb2O9, BaBi2Nb2O9, PbBi2Nb2O9, (Pb,Sr)Bi2Nb2O9, (Pb,Ba)Bi2Nb2O9, (Ba,Ca)Bi2Nb2O9, (Ba,Sr)Bi2Nb2O9, BaBi2Nb2O9, PbBi2Nb2O9, SrBi2Nb2O9, Ba0 .75B2.25Ti0 .25Nb1 .75O9, Ba0 .5Bi2 .5Ti0 .5Nb1 .5O9, Ba0.25Bi2.75Ti0.75Nb1.25O9, Bi3TiNbO9, Sr0 .8Bi2 .2Ti0 .2Nb1 .8O9, Sr0 .6Bi2 .4Ti0 .4Nb1 .6O9, Bi3TiNbO9, Pb0 .75Bi2 .25Ti0 .25Nb1 .75O9, Pb0 .5Bi2 .5Ti0 .5Nb1 .5O9, Pb0 .25Bi2 .75Ti0 .75Nb1 .25O9 또는 Bi3TiNbO9를 포함한다. 통상적인 옥사이드는 Ta2O5, SiO2, Al2O3, TiO2 및 (Re)-Ba-Cu-옥사이드를 포함한다. 납 지르코네이트 티타네이트 (PZT) 및 납 지르코네이트 란타늄 개질된 티타네이트(PZLT)를 포함하는 세라믹 층도 사용될 수 있다.
세라믹 층은 스퍼터링(예:마그네트론 스퍼터링, 이온 빔 스퍼터링 및 이온 보조 스퍼터링), 증발, 레이저 어블레이션, 화학 증착 또는 플라즈마 화학 증착과 같은 상이한 다수의 기술에 의해 증착될 수 있다.
제1 연성 구조물 및/또는 제2 연성 구조물은 연성 기판과 세라믹 층 사이에 중간 층을 포함할 수 있다. 이러한 중간 층은, 예를 들면, 완충 층을 포함한다. 완충 층은 이트륨 안정화 지르코늄 층, CeO2 층 또는 Y2O3 층과 같은 귀금속 층 또는 산화물 층을 포함할 수 있다.
위에서 기재한 방법은 캐패시터를 제조하거나 초전도체를 제조하는 데 특히 적합하다.
본 발명에 따르는 방법의 큰 이점은 아교와 같은 유기 접착제를 사용하지 않고 적층 구조물을 제조할 수 있다는 것이다.
세라믹 층, 보다 구체적으로, 초전도체용으로 사용되는 세라믹 층은 부서지기 쉽고 재료의 굴곡에 의한 균열이 심각할 수 있음은 당해 기술분야에 알려져 있다. 본 발명에 따르는 방법은 적층 구조물 내에 세라믹 층을 위치시킴으로써 세라믹 층에 대한 응력을 감소시킨다. 세라믹 층은 상이한 층 두께 및/또는 상이한 층의 영률(Young's modulus)을 선택함으로써 소위 중성 축에 근접할 수 있다. 중성 축은 굴곡하에 압축되지도 신장되지도 않는 적층 구조물의 축으로서 정의된다.
또한, 본 발명에 따르는 방법은 제1 연성 구조물, 제2 연성 구조물 및 피복층 사이에 우수한 전기기계적 접촉을 제공한다.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서, 적층 구조물이 제공된다. 당해 적층 구조물은 제1 연성 구조물 및 제2 연성 구조물을 포함한다. 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물은 금속 층에 의해 서로 결합된다. 금속 피복물을 제1 연성 구조물의 적어도 일부분에 도포하고 금속 피복물을 제2 연성 구조물의 적어도 일부분에 도포한 후, 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물의 피복면을 접합시키고, 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물을 함께 압착시켜 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물 사이에 냉간 용접부를 생성시킴으로써 금속 층을 도포한다.
냉간 용접부를 형성하는 금속 피복물에는 오염물이 없다.
본 발명에 따르는 적층 구조물은 아교와 같은 유기 접착제를 사용하지 않는다. 이는 유기 접착제가 기판 또는 기판에 도포된 피막을 손상시킬 수 있기 때문에 대단히 유리하다.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서, 캐패시터로서의 적층 구조물의 용도가 제공된다.
바람직한 캐패시터는 위에서 기재한 적층 구조물을 포함하는 권취 캐패시터(wound capacitor)이다.
권취 캐패시터는 당해 기술분야에 알려져 있다. 일반적으로, 이러한 캐패시터는 롤로 권취된 한 쌍의 금속화 중합체 필름을 포함한다. 금속화 필름은 얇은 전도성 물질 층을 중합체 필름에 증착시킴으로써 얻어진다.
그러나, 이러한 유형의 캐패시터는 다수의 결점이 있다. 당해 중합체 필름은 제한된 상대 유전율 εr을 특징으로 한다. 또한, 중합체 필름(디엘렉트리쿰(dielectricum))의 두께는 특정 최소값, 일반적으로 0.7㎛ 미만이 아닐 수 있다. 캐패시터의 전기 용량이 수학식(여기서, S는 캐패시터의 면적이고, dd는 디엘렉트리쿰의 두께(두 금속 층간의 거리)이고, ε0는 진공의 유전율이고, εr은 디엘렉트리쿰의 상대 유전율이다)로서 결정되는 경우, 단지 중간 정도의 전기용량 값이 수득될 수 있다.
본 발명에 따르는 바람직한 권취 캐패시터는 제1 연성 기판과 제2 연성 기판을 갖는 적층 구조물을 포함한다. 제1 연성 기판과 제2 연성 기판은 금속 기판과 세라믹 층(유전층)을 포함한다. 세라믹 층은 바람직하게는 진공 증착 기술을 통해 증착된다. 제1 연성 기판과 제2 연성 기판은 금속 층을 통해 서로 결합된다.
금속 층은 바람직하게는 금속 피복물을 제1 연성 구조물의 적어도 일부분에 도포하고 금속 피복물을 제2 연성 구조물의 적어도 일부분에 도포한 후, 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물의 피복면을 접합시키고, 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물을 함께 압착시켜 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물 사이에 냉간 용접부를 생성시킴으로써 도포된다.
제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물 위의 피복물은 당해 기술분야에 공지되어 있는 기술, 예를 들면, 습식 화학 증착 기술 또는 진공 증착 기술에 의해 도포될 수 있다. 바람직하게는, 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물 위의 피복물은 스퍼터링(예: 마그네트론 스퍼터링, 이온 빔 스퍼터링 및 이온 보조 스퍼터링), 증발, 레이저 어블레이션 또는 화학 증착(예: 플라즈마 화학 증착)과 같은 진공 증착 기술을 통해 도포된다.
금속 피복물은 모든 금속 또는 금속 합금을 포함할 수 있다. 바람직한 금속 층은, 예를 들면, Al, Ti, V, Cr, Co, Ni, Cu, Zn, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Ir, Pt, Au, Pb 또는 이들의 합금을 포함한다.
바람직하게는, 제1 연성 구조물에 도포된 피복물은 제2 연성 구조물에 도포된 피복물과 동일하다.
제1 연성 구조물 위의 피복물과 제2 연성 구조물 위의 피복물은 하나의 증착원 또는 두 개의 상이한 증착원에 의해 도포될 수 있다. 하나의 증착원에 의한 도포가 바람직하다.
본 발명에 따르는 권취 캐패시터는 많은 이점이 있다. 이들 이점 중 일부는 세라믹 층의 증착과 관련된다.
우선, 상대 유전율 εr이 높은 유전체를 진공 증착으로 얻을 수 있다. 위에서 기재한 바와 같이, 유전체의 상대 유전율 εr은 바람직하게는 20보다 크다. 그러나, 상대 유전율 εr이 훨씬 큰 유전체가 얻어질 수 있다. 유전율의 통상적인 범위는 20 내지 100, 100 내지 1000, 1000 내지 10000, 10000 내지 20000 및 20000 초과이다.
또 다른 이점은 얇은 유전층이 증착될 수 있다는 것이다. 유전층의 두께는 공지된 금속화 필름 캐패시터에서의 유전층의 두께(즉, 중합체 필름의 두께)보다 훨씬 작을 수 있다.
공지된 금속화 필름 캐패시터에 도달할 수 있는 최소 두께는 일반적으로 0.7㎛인 것으로 받아들여진다. 진공 증착에 의해 0.001㎛의 층이 증착될 수 있다. 일반적으로, 진공 증착된 유전층의 두께는 0.001 내지 10㎛, 예를 들면, 1㎛, 0.1㎛ 또는 0.01㎛이다.
상대 유전율 εr의 증가 및 유전체의 두께 감소 둘 모두는 캐패시터의 전기용량에 긍정적인 영향을 미친다.
진공 증착 기술로 증착된 유전체의 또 다른 이점은 양질의 유전체가 수득될 수 있다는 점과 유전체의 두께 조절이 용이하다는 것이다.
또한, 유전체를 금속 기판에 증착시킴으로써 금속화 중합체 필름에 비해 고온에 도달할 수 있다.
본 발명에 따르는 권취 캐패시터에 있어서, 제1 구조물과 제2 구조물은 금속 층을 통해 결합된다. 이는 아교와 같은 유기 접착제의 사용이 불필요함을 의미한다.
본 발명의 또 다른 양태에 있어서, 초전도체로서의 적층 구조물의 용도가 제공된다.
도 1은 본 발명에 따른 방법을 대략적으로 보여준다. 세라믹 층으로 피복된 금속 박을 포함하는 두 개의 연성 구조물(12)을 진공 챔버 속에서 제공한다. 두 개의 연성 구조물(12)은 증착원(16)에 의해 금속 피복층(14)으로 피복된다. 그 다음, 두 개의 피복된 연성 구조물을 두 개의 롤(18) 사이에서 함께 압착시킴으로써 일체화한다. 두 피복면 사이에는 냉간 접촉부가 생성된다.
연성 구조물(12)의 피복 및 두 개의 연성 구조물의 피복층(14)에 의한 일체화는 바람직하게는 진공의 중단없이 진공 챔버 속에서 수행된다.
이어서, 가열, 피복, 슬리팅(slitting), 또 다른 적층 공정과 같은 공정 단계가 수행될 수 있다.
도 2는 두 개의 연속 연성 구조물(22) 사이에 증착원(26)으로부터 금속 피복물(24)을 도포하고 적층 구조물을 두 개의 롤(28) 사이에서 압착시킴으로써 세 개의 연성 구조물(22)을 일체화하는 본 발명에 따르는 방법을 대략적으로 보여준다.
당해 기술분야의 숙련가라면 적층 구조물을 이루는 연성 구조물의 수는 증가될 수 있음을 알 것이다. 일반적으로, 적층 구조물을 이루는 연성 구조물의 수는 2 내지 10이다.
도 3 내지 도 7은 상이한 양태의 캐패시터를 보여준다. 적층된 연성 구조물(31,33)을 도 3A 내지 도 7A에 도시한다.
도 3B 내지 도 7B는 금속 피복층(36)을 통해 서로 결합된 연성 구조물(31, 33)을 포함하는 적층 구조물(35)을 보여준다. 도 3C 내지 도 7C는 전극(39)을 포함하는 적층 구조물(35)의 스택(37)을 보여준다.
연성 구조물(31,33)은 연성 기판(40)과 세라믹 층(42)을 포함한다. 연성 구조물(31)과 연성 구조물(33) 중 하나 또는 둘 모두는 기판(40)과 세라믹 층(42) 사이에 완충 층(44)을 포함한다. 완충 층(44)은, 예를 들면, 귀금속(예: Pd, Pt, Au 또는 Ag) 층과 같은 금속 층을 포함한다. 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물에 완충 층(44)을 포함하는 양태의 한 예를 도 5에 도시한다.
도 3 내지 도 6에 도시된 양태들에서, 연성 기판은 금속 테이프 또는 금속화 테이프를 포함한다. 도 7에 도시된 양태에서, 제1 연성 구조물의 연성 기판은 중합체 테이프를 포함한다.
본 발명에 따르는 캐패시터의 이점을 입증하기 위해서, 본 발명에 따르는 캐패시터의 체적당 전기용량을 당해 기술분야에 공지되어 있는 금속화 필름 캐패시터의 체적당 전기용량과 비교한다. 체적당 전기용량은 다음과 같이 정의된다:
여기서, ε0는 진공의 유전율이고,
εr은 유전체의 상대 유전율이고,
dd는 유전체의 두께(두 금속 층간의 거리)이고,
dcap는 dd + dθ(여기서, dθ는 금속 층(전극)의 두께이다)이다.
금속화 필름 캐패시터는 롤에 권취되어 캐패시터를 형성하는 금속화 중합체 필름을 포함한다. 금속화 중합체 필름은 얇은 전도성 물질 층을 중합체 필름에 증착시킴으로써 형성시킨다. 예로서 고려되는 금속화 필름 캐패시터는 상대 유전율 εr1이 3인 중합체 필름(디엘렉트리쿰)을 포함한다. 중합체 필름의 두께 dd1으로서, 당해 기술분야에 공지된 최소 두께는 0.7㎛가 고려된다.
중합체 필름 위의 금속 층이 스퍼터링을 통해 중합체 필름에 증착되는 경우, 금속 층의 두께는 매우 작은 것으로 생각될 수 있다. 그러므로, 위의 수학식에서 dcap는 dd1과 동일한 것으로 간주된다. 금속화 필름의 체적당 전기용량은 다음과 같이 계산될 수 있다:
.
본 발명에 따르는 캐패시터로서, 각각 금속 기판과 당해 금속 기판 위에 증착된 유전체를 포함하는 제1 구조물과 제2 구조물을 포함하는 캐패시터가 고려된다. 유전체는 상대 유전율 εr2가 500이고 유전체 두께 dd2는 0.01㎛이다. 금속 기판(전극)은 두께가 10㎛이다. 체적당 전기용량은 다음과 같다:
.
상기 예들로부터 두번째 캐패시터의 체적당 전기용량은 첫번째 캐패시터의 체적당 전기용량보다 약 800배 높다는 결론에 이를 수 있다.
위에서 언급한 계산은 한 예로서 고려될 수 있을 뿐이라는 것은 분명하다. 본 발명에 따르는 캐패시터의 유전체의 상대 유전율 εr은 실시예에서 취한 것보다 훨씬 높을 수 있고 유전체의 두께가 실시예에서 고려한 두께보다 작을 수 있기 때문에 체적당 전기용량이 훨씬 높은 캐패시터가 본 발명에 따라서 얻어질 수 있다.
도 8은 고온 초전도체로서 사용되는 본 발명에 따르는 적층 구조물을 보여준다.
(Re)-Ba-Cu-옥사이드와 같은 고온 초전도체(HTS)는 취성 세라믹 재료이다. 취성 초전도체 층의 균열이 전류 전도 용량(임계 전류 Jc)을 극적으로 감소시킬 수 있다. 이러한 Jc의 감소를 방지하기 위해서, 비적층 피복된 전도체의 굴곡 반경을 적층 구조물의 HTS 피막의 두께에 좌우되는 임계값보다 크게 함으로써 상기 효과를 최소화하여 보다 작은 굴곡 반경으로 굴곡될 수 있는 전도체를 얻을 수 있어야 한다. HTS 피막을 적층 구조물 내에 배치함으로써 상기 효과를 최소화하여 보다 작은 굴곡 반경으로 굴곡될 수 있는 전도체를 얻을 수 있어야 한다.
도 8은 HTS에 대한 굴곡 응력이 최소인 적층 구조물(80)의 한 예를 보여준다. 적층 구조물(80)은 두 개의 연성 구조물(81, 82)을 포함한다. 각각의 연성 구조물은 금속 박 또는 중합체 박(83, 84) 및 HTS 피막(85, 86)과 같은 연성 기판을 포함한다. 금속 박(83, 84)과 HTS 피막(85, 86) 사이에 완충 층(87, 88)이 증착된다. 두 개의 연성 구조물(81, 82)은 피복 층(89)을 통해 일체화된다.
연성 기판(83, 84)이 존재함으로써 HTS 피막(85, 86)은 소위 중성 축에 더욱 근접한다. 중성 축은 각 층의 두께 및 영률 ε에 의해 결정된다.
Claims (26)
- 적어도 제1 연성 구조물 및 제2 연성 구조물을 제공하는 단계;제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물의 적어도 일부분에 금속 피복물을 도포하여 제1 피복된 연성 구조물 및 제2 피복된 연성 구조물을 얻는 단계;제1 피복된 연성 구조물의 피복면과 제2 피복된 연성 구조물의 피복면을 접합시키고 제1 피복된 연성 구조물과 제2 피복된 연성 구조물을 함께 압착하여 제1 피복된 연성 구조물과 제2 피복된 연성 구조물 사이에 냉간 용접부를 생성시키는 단계;를 포함하는 적층 구조물의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물 위의 피복물이 진공 증착 기술에 의해 도포되는 방법.
- 제2항에 있어서, 상이한 공정 단계가 공정 단계들 간에 진공 중단없이 진공 중에서 수행되는 방법.
- 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물이 연성 금속 기판, 연성 중합체 기판 또는 연성 금속화 중합체 기판을 포함하는 방법.
- 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물이 피복된 연성 기판을 포함하는 방법.
- 제5항에 있어서, 피복된 연성 기판이 세라믹 층으로 피복된 금속 박 또는 테이프를 포함하는 방법.
- 제6항에 있어서, 세라믹 층이 산화물, 티타네이트, 니오베이트 및 지르코네이트로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
- 제6항에 있어서, 세라믹 층이 고온 초전도체를 포함하는 방법.
- 제5항에 있어서, 피복된 연성 기판이 금속 층으로 피복된 중합체 박 또는 테이프를 포함하는 방법.
- 제5항에 있어서, 제1 연성 구조물 및/또는 제2 연성 구조물이 연성 기판과 당해 연성 기판 위에 도포된 피막 사이에 중간 층을 포함하는 방법.
- 제10항에 있어서, 중간 층이 이트륨 안정화된 지르코늄 층, CeO2 층 또는 Y2O3 층을 포함하는 완충 층을 포함하는 방법.
- 제1 연성 구조물 및 제2 연성 구조물을 포함하는 적층 구조물로서,제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물이 금속 층에 의해 서로 결합되고, 금속 피복물을 제1 연성 구조물의 적어도 일부분에 도포하고 금속 피복물을 제2 연성 구조물의 적어도 일부분에 도포한 후, 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물의 피복면을 접합시키고, 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물을 함께 압착시켜 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물 사이에 냉간 용접부를 생성시킴으로써 금속 층을 도포하는, 적층 구조물.
- 제12항에 있어서, 아교를 함유하지 않는 적층 구조물.
- 제12항 또는 제13항에 있어서, 연성 구조물이 연성 금속 기판, 연성 중합체 기판 또는 연성 금속화 중합체 기판을 포함하는 적층 구조물.
- 제12항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 있어서, 제1 연성 구조물 및 제2 연성 구조물이 피복된 연성 기판을 포함하는 적층 구조물.
- 제15항에 있어서, 피복된 연성 기판이 세라믹 층으로 피복된 금속 박 또는 테이프를 포함하는 적층 구조물.
- 제16항에 있어서, 세라믹 층이 산화물, 티타네이트, 니오베이트 및 지르코네이트로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적층 구조물.
- 제16항에 있어서, 세라믹 층이 고온 초전도체를 포함하는 적층 구조물.
- 제15항에 있어서, 피복된 연성 기판이 금속 층으로 피복된 중합체 박 또는 테이프를 포함하는 적층 구조물.
- 제15항에 있어서, 제1 연성 구조물 및/또는 제2 연성 구조물이 연성 기판과 당해 연성 기판 위에 도포된 피막 사이에 중간 층을 포함하는 적층 구조물.
- 제20항에 있어서, 중간 층이 이트륨 안정화된 지르코늄 층, CeO2 층 또는 Y2O3 층을 포함하는 완충 층을 포함하는 적층 구조물.
- 제12항 내지 제21항 중의 어느 한 항에 따르는 적층 구조물을 포함하는 캐패시터(capacitor).
- 제22항에 있어서, 제12항 내지 제21항 중의 어느 한 항에 따르는 적층 구조물을 포함하는 권취 캐패시터인 캐패시터.
- 제23항에 있어서, 적층 구조물이 제1 연성 구조물 및 제2 연성 구조물을 포함하고, 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물이 금속 층에 의해 서로 결합되고, 금속 피복물을 제1 연성 구조물의 적어도 일부분에 도포하고 금속 피복물을 제2 연성 구조물의 적어도 일부분에 도포한 후, 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물의 피복면을 접합시키고, 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물을 함께 압착시켜 제1 연성 구조물과 제2 연성 구조물 사이에 냉간 용접부를 생성시킴으로써 금속 층이 도포되는 캐패시터.
- 제24항에 있어서, 제1 연성 기판과 제2 연성 기판이 금속 기판과 세라믹 층을 포함하고, 세라믹 층의 상대 유전율 εr이 20보다 크고 두께가 1㎛보다 작은 캐패시터.
- 제12항 내지 제21항 중의 어느 한 항에 따르는 적층 구조물을 포함하는 초전도체.
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