JP4148624B2 - 誘電体薄膜及びその電子部品 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、層状ペロブスカイト構造の強誘電体薄膜及びそれを利用した強誘電体素子などの電子部品に関する。
【0002】
【背景技術】
ペロブスカイト構造をもつ酸化物薄膜材料は、強誘電性,高誘電率,電気光学効果,圧電効果,焦電効果,超伝導などの極めて多岐にわたる特長を有することから、コンデンサ素子,強誘電体メモリ素子,光学センサなどの広範な電子デバイスに応用されている。特に最近では、ペロブスカイト酸化物薄膜材料の高誘電率特性や強誘電特性に着目したメモリ素子の開発が脚光を浴び、キャパシタ面積の低減による高集積化を狙ったDRAM用キャパシタとしての応用、あるいは強誘電性に基づくヒステリシス特性を利用した高速動作可能な不揮発性強誘電体メモリとしての応用が精力的に検討されている。
【0003】
ところで、ペロブスカイト酸化物薄膜材料は、従来のSiO2やSi3N4のようなアモルファス系材料とは異なって結晶材料である。このため、所望の特性発現には、高度な薄膜結晶成長技術や欠陥制御技術が必要とされる。例えば、Pb(ZrxTi1−x)O3系材料は、大きな自発分極値をもつことから不揮発性強誘電体メモリ材料として用いられているが、Pbの揮発性に伴う陽イオン空孔の生成,Pt電極界面近傍での酸素欠陥の生成,あるいはパッシベーション膜形成などの半導体プロセスによる欠陥の導入などによって、特性が著しく劣化する。特に、分極反転サイクルに伴う自発分極の劣化,いわゆる疲労特性は上述した欠陥に深く起因するものであり、実用上大きな課題となっている。
【0004】
このような課題に対し、最近、プロセス上からの観点ではなく、材料系そのものを改良する試みが行われている。その代表的な例が、ビスマス系層状強誘電体酸化物薄膜を用いた強誘電体メモリに関する提案であり、層状ペロブスカイト構造をもつSrBi2Ta2O9材料(以下単に「SBTO」と略記する)の適用による著しい疲労特性の改善が報告されている。ここで、層状ペロブスカイト構造とは、擬ペロブスカイト構造をもつ層と他の結晶構造をもつ挿入層が、一方向に対してある周期で交互に種層された結晶構造であり、ビスマス系層状強誘電体酸化物では挿入層の陽イオンサイトがビスマスとなる。
【0005】
層状ペロブスカイト構造は、挿入層が存在するため、一般的なペロブスカイト構造の組成式である{A1}{A2}O3で表せられないものである。なお、{A1}は酸素12配位構造を持つ元素であり、{A2}は6配位構造を持つ元素である。「O」は酸素である。典型的なビスマス系層状誘電体酸化物は、(Bi2O2)({A1}n−1{A2}nO3n+1)の組成で表され、Bi2O2が挿入層,{A1}n−1{A2}nO3n+1が擬ペロブスカイト層である。
【0006】
図3(B)にはその様子が示されている。同図に示す構造においては、{A1}原子12と強誘電体特性の起源である{A2}O6酸素8面体10の頂点共有による3次元ネットワーク構造によって擬ペロブスカイト層14が形成されている。そして、これが、挿入層であるBi2O2層16によって分断されている。この分断により、分極反転に伴う結晶内の機械的歪みが挿入層部分で緩衝され、また、挿入層16が電荷移動や酸素空孔移動の障壁として機能する。このため、上述したような格子欠陥を主要因とする分極反転に伴う自発分極劣化や、リーク電流特性などの特性劣化が著しく低減される。
【0007】
このような利点がある反面、層状ペロブスカイト系材料においては、自発分極の値がPZTに比べて小さいことが不利な点として指摘されている。例えば、上述したSBTOは結晶異方性が強く、矢印F31で示すc軸方向には鏡面対称面が存在する。このため、c軸方向には強誘電性は現れず、c軸方向の実質的な自発分極Psは0μC/cm2であり、a−b面内ではPs=16μC/cm2以上の強誘電性が発現する。従って、SBTOの強誘電性を最大限に利用するためには、電極面に対して分極軸が垂直になる[100]軸方向に配向制御を行うと好都合である。
【0008】
このようなa又はb軸方向に成長の配向制御を行う従来手法としては、成長速度を早くすることによってBi,Srなどの陽イオンの供給過剰による過飽和成長状態をつくるか、あるいは成長過程において急速加熱と冷却を繰り返すことにより過冷却成長状態をつくる方法がある。しかしながら、これらの方法による配向度は十分なものではなく、制御も困難である。
【0009】
一方、強誘電特性の向上を図る場合、薄膜におけるサイズ効果の影響も考慮しなければならない。一般に、強誘電体素子用薄膜の場合、その膜厚が小さいほど実効的なメモリ容量及び印加電界か強くなり、高集積化が可能となる。しかしながら、現在の強誘電体素子のほとんどは、Pt,Ru,Irなどの多結晶金属電極薄膜に挟まれた構造となっている。このため、薄膜化した場合には、電極間の粒子数が減少しリーク電流が著しく増大してしまう。このリーク電流を抑制するため、電極間の構成粒子の粒径を小さくして粒子数を増大すると、逆に粒径減少に伴う強誘電性の低下、いわゆる3次元的なサイズ効果が発現してしまう。
【0010】
このような理由から、高集積メモリ素子用薄膜としては、無粒界の単結晶薄膜が最も望ましく、下地基板としては成長させる強誘電体薄膜と良好な格子整合性を示す単結晶バッファ薄膜あるいは単結晶基板を選択する必要がある。
【0011】
しかしながら、単結晶基板を用いた層状ペロブスカイト酸化物のa軸又はb軸配向のエピタキシャル薄膜を作製することは極めて困難である。また、格子整合性の高いSrTiO3の(100)面を基板として使った場合には、成膜条件によらず、c軸配向のエピタキシャル膜が優先的に形成され、[110]配向をもつドメインはほとんど形成されない。図1(B)にはその様子が示されており、層状ペロブスカイト構造の単位胞20は、矢印F21で示すc軸方向が基板22の形成面24と垂直となるように成長する。なお、矢印F22で示すように、層状ペロブスカイト層20の分極方向はc軸と直交する水平方向(基板表面方向)である。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以上の点に着目したもので、基板表面に対して垂直方向の自発分極成分をもつとともに、強誘電性の低下を招くことなく、電流のリーク及び耐疲労特性に優れた誘電体薄膜及びその電子部品を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明は、擬ペロブスカイト層に、他の結晶構造の挿入層を周期的に積層した誘電体薄膜であって、前記誘電体薄膜が形成される基板はペロブスカイト構造を有し、前記基板が立方晶SrTiO3と同じ単位胞をもつ擬立方晶であると見なした場合、前記基板の薄膜形成面は(110)面を有し、前記誘電体薄膜のc軸が基板表面垂直方向に対し、45度から2度以内のずれとなるように傾斜したことを特徴とする。
【0014】
主要な形態の一つは、前記基板として、導電性ペロブスカイト型単結晶基板,ペロブスカイト絶縁体酸化物基板,半導体基板上にバッファ層を介して形成したペロブスカイト導電性薄膜のいずれかを使用したことを特徴とする。
【0015】
更に他の形態は、{A1}を、Mg,Ca,Sr,Ba,Pb,K,Na,Biから選ばれた少なくとも1種の元素とし、{A2}を、Ta,Nb,W,Mo,Fe,Zr,Ti,Co,Crから選ばれた少なくとも1種の元素としたとき、前記誘電体薄膜の擬ペロブスカイト層が{A1}n−1{A2}nO3n+1であり、前記挿入層がBi2O2であることを特徴とする。
【0016】
あるいは、{A1a}を、Mg,Ca,Sr,Ba,Bi,Pb,Yから選ばれた少なくとも1種の元素とし、{A2a}を、Ti,Ta,Nb,Zr,W,Mo,Fe,Co,Crから選ばれた少なくとも1種の元素としたとき、前記誘電体薄膜の擬ペロブスカイト層が({A1a}n+1{A2a}nO3n+1)であり、{A4}を、Tl,Hg,Bi,Pb,Ca,Sr,Baから選ばれた少なくとも1種の元素としたとき、前記挿入層が{A4}Oの1層であることを特徴とする。
【0017】
本発明の電子部品は、前記いずれかの誘電体薄膜を使用したことを特徴とする。本発明の前記及び他の目的,特徴,利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
【0018】
【発明の実施の形態】
<本発明の概要>……最初に、本発明の理解を容易にするため、本発明の概要について説明する。図1(A)には、本発明の基本形態が示されている。この形態は、ペロブスカイト単結晶基板の結晶面を選択することにより、基板表面垂直方向に自発分極成分をもつ強誘電体薄膜を得るようにしたものである。同図において、層状ペロブスカイト構造単位胞100は、基板102の膜形成面104上に、矢印F23で示すようにc軸が傾いて形成される。このため、分極方向は矢印F24方向となり、基板表面104に対して垂直方向の分極成分が生ずるようになる。
【0019】
図2(A)には、本発明の主要な形態の一つが示されている。この形態は、c軸傾斜配向Bi層状エピタキシャル薄膜204の作製において、基板200の膜形成面200Aの傾斜度を制御することにより、薄膜内に形成された双晶ドメイン(双晶粒界)204Cを減少させるようにしたものである。これにより、強誘電性を低下させることなく、電流のリークや耐疲労特性に優れた強誘電体薄膜及びその素子を得ることができる。
【0020】
図3(A)には、他の主要な形態の一つが示されている。図3(B)に示した従来例は、{A3}2O2(ここではA3=Bi)で示される挿入層16をもつSrBi2(Ta1−xNbx)2O9あるいはBi4Ti3O12に代表されるオリビリウス族の層状強誘電体酸化物である。しかし、本形態では、{A4}Oの1層(ただしA4=Bi,T1,Mgなどの金属元素)による挿入層300が擬ペロブスカイト層14に積層された構造となっている。このような層状強誘電体を用いることにより、低温でc軸傾斜配向エピタキシャル成長が可能な強誘電体薄膜及びその素子を得ることができる。
【0021】
<基本形態>……次に、本発明の基本形態について説明する。この形態では、薄膜の下地として、ペロブスカイト構造をもち、かつそれら構造を立方晶SrTiO3と同じ単位胞をもつ擬立方晶と見なした場合の(110)面(以下、「(110)cubic」と表現する)を表面とする
▲1▼導電性ペロブスカイト型単結晶基板,
▲2▼ペロブスカイト絶縁体酸化物基板,
▲3▼半導体基板上にバッファ層を介して形成したペロブスカイト導電性薄膜,
を使用する。これにより、c軸が基板主面垂直方向に対し約45度傾いた(116)配向エピタキシャル(Bi2O2)({A1}n−1{A2}nO3n+1)薄膜が得られる。この薄膜上に上部電極を形成することで、強誘電体素子が得られる。ただし、{A1}は、Mg,Ca,Sr,Ba,Pb,K,Na,Biからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素である。また、{A2}は、Ta,Nb,W,Mo,Fe,Zr,Ti,Fe,Co,Crからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素である。なお、上部電極としては、電極として機能するPtなどの十分低い抵抗値を示すものを用いる。
【0022】
図4(A)には、本形態の強誘電性キャパシタ素子の実施例が示されている。基板400として(110)SrTiO3単結晶基板を用いている。この(110)SrTiO3単結晶基板400上に、例えば(110)cubic配向SrRuO3による導電性ペロブスカイト酸化物薄膜が下部電極402として形成される。そして、この下部電極402上に、SrBi2Ta2O9による層状ペロブスカイト強誘電体薄膜が誘電体層404として形成される。この誘電体層404上には、Ptによる薄膜が上部電極406として形成される。導電性ペロブスカイト酸化物薄膜402及び層状ペロブスカイト強誘電体薄膜404は、いずれも下地である(110)SrTiO3単結晶基板400に対してエピタキシャル成長し、それぞれ(110)cubic配向,(116)配向する。
【0023】
詳述すると、SrBi2Ta2O9(斜方晶、空間群A21am,a=0.5522nm,b=0.5524nm,c=2.5026nm)の(SrTa2O7)2−の擬ペロブスカイト構造層を構成する立方晶{A1}{A2}○3ペロブスカイト単位胞に対応する結晶ユニットのa−b面内の格子定数は0.3905nmで、基板400であるSrTiO3の格子定数0.3905nmとほぼ完全に整合する。従って、(110)SrTiO3単結晶基板400上におけるSrBi2Ta2O9の結晶は、それらペロブスカイトユニットが整合するように成長する。
【0024】
この場合、[100]SrTiO3//[001]SrBi2Ta2O9,[010]SrTiO3//[001]SrBi2Ta2O9,及び界面内で[001]SrTiO3//[110]SrBi2Ta2O9の結晶学的関係をもつ(116)配向エピタキシャル成長が優勢となる。ただし、(116)配向エピタキシャルSrBi2Ta2O9薄膜でのc軸の傾きは、結晶学的考察から厳密には45度から約2度ずれることとなる。
【0025】
この関係を示すと、図5に示すようになる。図示の例では、下地基板として(110)SrTiO3単結晶基板を用いている((110)cubicSrRuO3も同様である)。この図において、層状ペロブスカイト強誘電体薄膜404は、擬ペロブスカイト層404Aが挿入層404Bによって分断された構造となっている。このような層状ペロブスカイト強誘電体薄膜404は、(110)SrTiO3単結晶基板400に対してペロブスカイトユニットが整合するように、すなわち図上では四角形が連続するように成長する。このため、図1(A)に示したように、c軸が傾いて形成される(矢印F23参照)。一方、分極方向はc軸に直交する方向(矢印F24方向,[100]方向)であるから、基板表面に対して垂直方向の分極成分が生ずるようになる。なお、分極方向は、紙面内のc軸に対し45°傾いた方向ではなく、更に紙面垂直方向Mに45°傾いている。
【0026】
次に、前記実施例の製造方法の一例を説明する。下部電極402である導電性ペロブスカイト酸化物薄膜及び誘電体層404である層状ペロブスカイト強誘電体薄膜は、例えばMOCVD法によって作製することができる。上部電極406であるPt薄膜は、例えば一般的なスパッタリング法によって作製することができる。
【0027】
まず、下部電極402である(110)配向SrRuO3導電性ペロブスカイト酸化物薄膜層の形成から説明する。原料であるSr(C11H1902)2(C8H23N5)2及びRu(C11H1902)3有機金属を、縦型コールドウオールタイプのMOCVD装置にキャリアガスN2によって導入する。そして、基板温度750℃,酸素雰囲気圧力1.3kPaに設定して成膜を行う。膜厚を150nmとしたときの抵抗値は、電極として十分な280μΩcmであった。この下部電極402であるSrRuO3成膜時の成膜温度と膜厚は、電極として十分低い抵抗値を示し、かつ良好なエピタキシャル成長が確保できる値,具体的には温度を600℃以上、膜厚を100nm以上とすることが好ましい。
【0028】
次に、誘電体層404であるSrBi2Ta2O9強誘電体薄膜層の形成は、上記SrRuO3導電性ペロブスカイト酸化物薄膜層の形成後、引き続き行われる。原料として[Bi(CH3)3]及びSr[Ta(OC2H5)6]2有機金属をキャリアガスN2を用いて導入し、基板温度820℃,圧力1.3kPaの酸素雰囲気下で200nmの膜厚に形成する。その後、スパッタリングなどで上部電極406としてPtによる薄膜を形成し、図4(A)に示した強誘電性キャパシタ素子を得る。
【0029】
次に、以上のようにして得た層状ペロブスカイト強誘電体薄膜404の結晶学的構造及び微細構造について説明する。作製したSrBi2Ta2O9強誘電体薄膜に対してX線回折測定(XRD)及び透過型電子顕微鏡観察(TEM)を行ったところ、下地基板に対しては[100]SrTiO3//[001]SrBi2Ta2O9,[010]SrTiO3//[001]SrBi2Ta2O9,界面内では[001]SrTiO3//[110]SrBi2Ta2O9の結晶学的関係をもってエピタキシャル成長していることが確認された。
【0030】
すなわち、本強誘電体薄膜は(116)配向しており、SrBi2Ta2O9のc軸は薄膜表面垂直方向からおよそ45度傾いていた(図5参照)。また、本薄膜を高分解能TEMによって観察したところ、2種類の結晶学的に等価な(116)配向ドメインによって形成されており、それらの双晶ドメイン粒界から多量のc/6の結晶のズレをもつ変位境界が発生していることが確認された。図6にその様子が示されている。
【0031】
次に、本形態の強誘電性キャパシタ素子のリーク電流特性,強誘電特性,及び疲労特性の測定を行った結果を、それぞれ図7〜8に示す。図7には、リーク電流特性が示されている。同図中、縦軸はリーク電流(A/cm2)であり、横軸は電界(kV/cm)である。同図に示すように、リーク電流は、印加電界350kV/cm付近で10−8A/cm2程度であるが、それ以上に更に印加電界を増大すると著しく増大する。
【0032】
次に、図8には強誘電特性が示されている。同図中、縦軸は分極P(μC/cm2)であり、横軸は電界(kV/cm)である。同図に示すように、本実施例は、良好な分極−電界のヒステリシス曲線を描き、残留分極Prは11.4(μC/cm2),抗電界Ecは80kV/cmと優れた特性を示す。
【0033】
次に、図9には、疲労特性が示されている。同図中、縦軸は残留分極Pr(μC/cm2)であり、横軸はスイッチング回数である。100Hz,8Vの方形波を繰り返し印加して測定を行なった。その結果、同図に示すように、5x109回繰り返しスイッチングを行なっても疲労がみられず、強誘電体素子として極めて優秀な性能が得られた。
【0034】
ところで、上述した基本形態の層状ペロブスカイト強誘電体薄膜404である(116)配向エピタキシャル(Bi2O2)({A1}n−1{A2}nO3n+1)薄膜の微細構造は、2種類の結晶学的に等価な(116)配向ドメインより形成されており、図2(B)に示すように、その双晶ドメイン粒界404Cから多量のc/6の結晶ズレをもつ変位境界が発生していることが確認されている(図6参照)。この変位境界では、強誘電性発現の源泉である2次元的に頂点共有したBO68面体の2重ネットワーク構造が1重となっており、かつ電荷を持ったキャリアの移動経路ともなりうるため、強誘電性の劣化が危惧される。
【0035】
一方、該薄膜404と基板400の界面に着目すると、オリビリウスBi系層状ペロブスカイト酸化物では、{A2}O6で示される擬ペロブスカイトユニットの相対位置が、Bi2O2層を挟んで層に平行な面内で図5に示すように半周期ずれている。このため、周期的な格子不整合領域404Dをもつ。この不整合領域404Dの形成には高温を必要とし、c軸傾斜配向エピタキシャル成長の低温下を困難にする一因となっている。また、双晶ドメインは多くの場合、薄膜を貫通して形成されるため、リークパスとなって耐圧特性の低下をもたらす。以下の実施形態1,2は、このような不都合を改善するためのものである。
【0036】
<実施形態1>……次に、本発明の実施形態1について説明する。本実施形態は、前記(110)cubicから若干傾斜した表面をもつペロブスカイト単結晶基板を用いることを特徴とする。これにより、双晶形成を押さえるとともに、強誘電性の劣化を抑制したc軸傾斜配向(Bi2O2)({A1}n−1{A2}nO3n+1)薄膜を形成することができる。
【0037】
図2(A)には、本形態の積層の様子が示されている。同図に示すように、(110)SrTiO3単結晶基板200の膜形成面200Aは、(110)cubicから傾斜した面となっている。そして、この傾斜面200A上に、層状ペロブスカイト強誘電体薄膜204が形成される。結晶異方性の高いBi系の層状ペロブスカイト強誘電体薄膜は、c軸方向の成長速度に比べて、a−b面内の成長速度が数倍以上高い。このため、層状ペロブスカイト強誘電体薄膜204における双晶ドメインのc軸傾斜度を異なるものとすることにより、一方のドメインが優先的に成長し、単一ドメインに近い構造となる。これによって、双晶境界204Cの形成が抑制され、それに伴うc/6変化境界の形成にともなう強誘電性の劣化が防止される。
【0038】
<実施形態2>……次に、本発明の実施形態2について説明する。本実施形態は、誘電体層として、上述したBi系層状ペロブスカイト強誘電体薄膜のようなオリビリウス族のものではなく、{A4}O(ただし{A4}は、Tl,Hg,Bi,Pb,Ca,Sr,Baからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素)で示される1層の挿入層をもつ層状ペロブスカイトを用いる。これにより、前記実施形態と同様の手法を使って低温成長可能なc軸傾斜配向Bi系層状ペロブスカイト強誘電体薄膜を得ることができる。
【0039】
上述したSrBi2Ta2O9に代表されるオリビリウス族Bi系層状ペロブスカイトは、フローライト構造をもつBi2O2絶縁層によって分断され、SrBi2Ta2O9の疑似ペロブスカイト層はBi2O2層に沿って半周期シフトする。このため、基板である(110)SrTiO3との界面構造は、必ずしも安定とはいえない。
【0040】
一方、高温超伝導酸化物で知られるTl系層状ペロブスカイトは、ペロブスカイト構造中にTlO単層を挿入した構造をもち、擬ペロブスカイト層のシフトはもたず、(110)SrTiO3単結晶基板と結晶学的に整合する。また、この構造では、c軸方向の並進対称周期がオリビリウス族より短くなり、格子はより安定な構造をとる。このような理由から、本形態では、強誘電体薄膜として{A4}O単層を挿入した層状ペロブスカイトである({A4}O)({A1a}n+1{A2a}nO3n+1)が用いられる。このようなc軸傾斜配向層状強誘電体薄膜によって、低温で高品位の薄膜結晶が得られる。
【0041】
ここで、前記{A4}としては、Tl,Hgが一般的によく知られているが、異なる電荷数をもつBi等も、{A1a}及び{A2a}元素を適宜選択することによって本構造を安定的に形成しうることか知られている。よって、{A4}は、Tl,Hg,Bi,Pb,Ca,Sr,Baからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素であり、{A1a}は、Mg,Ca,Sr,Ba,Bi,Pb,Yからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素であり、{A2a}は、Ti,Ta,Nb,Zr,Fe,Co,Cr,W,Moからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素である。
【0042】
なお、オリビリウス族層状酸化物で見られるフローライト構造層Bi2O2は変形しにくいため、擬ペロブスカイト層の構造的制約が大きい。このため、元素固溶範囲が狭く、強誘電性向上に強い関連がある格子歪みを与えにくい。しかしながら、上記{A4}O単層をもつ層状ペロブスカイト構造においては、{A4}O層の拘束力が極めて小さいため、擬ペロブスカイト層の異種原子固溶などによる構造変調が容易であり、前記実施形態の素子構造と合わせることにより、高い強誘電性を利用することが可能となる。
【0043】
<実施形態3>……次に、本発明の実施形態3について説明する。この実施形態は、本発明を強誘電体不揮発性メモリ素子に適用した例である。メモリ素子の下部電極としては、ペロブスカイト構造をもち、格子整合性が良好なものであれば、どのようなものでもよいが、▲1▼格子整合性をもつ絶縁体単結晶基板上にエピタキシャル成長させた導電性ペロブスカイト酸化物薄膜(図4(A)参照),▲2▼導電性のペロブスカイト酸化物単結晶基板(図4(B)参照),▲3▼半導体基板上にエピタキシャル酸化物バリア層を介して成長させた導電性ペロブスカイト酸化物薄膜(図4(C)参照),などが用いられる。
【0044】
まず、前記▲1▼の下部電極としては、MgO,SrTiO3,LaAlO3,LaAlO3−Sr2AlTaO6,LaSrAlO4などの絶縁性ペロブスカイト単結晶基板上にエピタキシャル成長した導電性酸化物であるCa{A6}O3(ただし{A6}=V,Cr,Fe,Ru)、Sr{A7}O3(ただし{A7}=V,Cr,Fe,Ru)、La{A8}O3(ただし{A8}=Ti,Co,Ni,Cu)、La1−xSrx{A9}O3(ただし{A9}=V,Mn,Co,x>0.23)、BaPbO3、SrRuO3、SrIrO3、Sr2RuO4、Sr2IrO4、(La1−xSrx)2CuO4(ただしx<0.3)が挙げられる。これらの下部電極を使用した素子構造は、前記図4(A)に示したとおりである。
【0045】
次に、前記▲2▼の下部電極としては、NbあるいはLaを添加した導電性SrTiO3ペロブスカイト酸化物基板が挙げられる。図4(B)には、このような下部電極を使用した素子構造が示されており、NbあるいはLaを添加した導電性SrTiO3ペロブスカイト酸化物基板410上に誘電体層404及び上部電極406が積層形成される。
【0046】
次に、前記▲3▼の下部電極としては、半導体Si基板上のバリア層、MgA12O4、MgO、CeO2、α−Al2O3、YSZ(イットリウム安定化ジルコニウム)などのエピタキシャル酸化物上にエピタキシャル成長した導電性酸化物が挙げられる。この導電性酸化物としては、Ca{A10}O3(ただし{A10}=V,Cr,Fe,Ru)、Sr{A11}O3(ただし{A11}=V,Cr,Fe,Ru)、La{A12}O3(ただし{A13}=Ti,Co,Ni,Cu)、La1−xSrx{A14}O3(ただし{A14}=V,Mn,Co,x>0.23)、BaPbO3、SrRuO3、SrIrO3、Sr2RuO4、Sr2IrO4、(La1−xSrx)2CuO4(ただしx<0.3)などが挙げられる。
【0047】
図4(C)には、このような下部電極を使用した素子構造が示されており、半導体Si基板420上に、エピタキシャル酸化物によるバッファ層422が形成される。そして、このバッファ層422上に、導電性酸化物によって下部電極402が形成され、これに誘電体層404,上部電極406が積層形成される。この半導体Si基板を用いた▲3▼の下部電極を有する強誘電体素子は実用上極めて有効であり、以下に詳述する。
【0048】
図4(C)において、(110)Siによる基板420上に、(110)MgAl2O4薄膜によるバッファ層422が形成される。そして、このバッファ層422上に、(110)配向SrRuO3導電性ペロブスカイト酸化物薄膜による下部電極402が形成される。そして、この下部電極402上に、c軸がおよそ45度傾斜したBi層状ペロブスカイト強誘電体薄膜であるSrBi2Ta2O9を、誘電体層404としてエピタキシャル成長させる。更に、上部電極406として、本形態ではSrRuO3が形成される。なお、Pt,Au,Ir,Ru系の金属を上部電極としてもよい。
【0049】
このような構成の強誘電体素子においては、バッファ層422であるMgAl2O4薄膜がSi基板420に対して完全な面方位関係を持っている。このため、バッファ層422が基板420上にエピタキシャル成長し、その上に更に上部電極402であるSrRuO3が成長している。このように、下部電極層として格子整合性の良好なペロブスカイト構造をもつ導電性酸化物電極が用いられており、これが(110)配向している。従って、SrBi2Ta2O9による層状ペロブスカイト誘電体層404が、良好に(116)配向でエピタキシャ成長するようになる。
【0050】
以上のように、本形態の強誘電体素子によれば、層状ペロブスカイト薄膜の強誘電性を有効に利用でき、完全に格子整合した強誘電体薄膜−酸化物電極界面の実現により、Pt電極を用いた場合に見られる強誘電体薄膜−電極間の密着性低下やリーク電流発生,あるいは疲労特性劣化を誘発する構成元素,特に酸素の拡散を回避できる。
【0051】
なお、前記バッファ層422としては、使用する導電性基板の格子整合性に応じて、Si基板420にエピタキシャル成長する酸化物であるMgO、CeO2、α−Al2O3、YSZ(イットリウム安定化ジルコニウム)が使用可能である。また、バッファ層上にエピタキシャル形成される下部電極402としての導電性酸化物に関しても、上部層状ペロブスカイト強誘電体薄膜404及び下部バッファ層422との格子整合性を考慮して、ペロブスカイト構造をもつ各種酸化物、例えば、Ca{A20}O3(ただし{A20}=V,Cr,Fe,Ru)、Sr{A21}O3(ただし{A21}=V,Cr,Fe,Ru)、La{A22}O3(ただし{A22}=Ti,Co,Ni,Cu)、La1−xSrx{A23}O3(ただし{A23}=V,Mn,Co,x>0.23)、BaPbO3、SrRuO3、SrIrO3、Sr2RuO4、Sr2IrO4、(La1−xSrx)2CuO4(x<0.3)などの高温超伝導材料が考えられる。
【0052】
本発明には数多くの実施形態があり、以上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。例えば、次のようなものも含まれる。
(1)薄膜の形成方法としては、例えば、レーザアブレーション法,MBE(Molecular Beam Epitaxy)法,CVD(Chemical Vapor Deposition)法,ゾルゲル法,スパッタリング法など、各種の公知の方法を適用してよい。
(2)前記実施形態を組み合わせるようにしてもよい。例えば、実施形態1に実施形態2を適用するという具合である。また、本発明の誘電体薄膜は、キャパシタ素子,メモリ素子など、各種の電子部品に適用可能である。
【0053】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ペロブスカイト構造を擬立方晶と見なした場合の(110)面を表面とする基板上に、該基板表面垂直方向に対しc軸が、45度から2度以内のずれとなるように傾斜した誘電体薄膜を形成することとしたので、基板表面に対して垂直方向の自発分極成分を得ることができるとともに、強誘電性の低下を防止し、低温成長可能で電流のリークや耐疲労特性に優れた強誘電体薄膜及びその電子部品を得ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基本形態における基板上の誘電体層成長の様子を示す図である。
【図2】基板と誘電体層成長の様子を示す図である。
【図3】ペロブスカイト強誘電体薄膜の構造を示す図である。
【図4】強誘電体メモリ素子の積層構造を示す図である。
【図5】前記基本形態における層状ペロブスカイト強誘電体薄膜の成長の様子を示す図である。
【図6】前記基本形態における層状ペロブスカイト強誘電体薄膜中の結晶ズレの様子を示す図である。
【図7】前記基本形態におけるリーク電流特性を示すグラフである。
【図8】前記基本形態における分極特性を示すグラフである。
【図9】前記基本形態における疲労特性を示すグラフである。
【符号の説明】
10…{A2}O68面体
12…{A1}原子
14…擬ペロブスカイト層
16…挿入層
20…層状ペロブスカイト層単位胞
22…基板
24…形成面
100…層状ペロブスカイト構造単位胞
102…基板
104…膜形成主面
200…単結晶基板
204C…双晶境界
204…層状ペロブスカイト強誘電体薄膜
300…挿入層
400…単結晶基板
402…下部電極
404…層状ペロブスカイト強誘電体薄膜
404A…擬ペロブスカイト層
404B…挿入層
404C…双晶ドメイン粒界
404D…格子不整合領域
406…上部電極
410…ペロブスカイト酸化物基板
420…基板
422…バッファ層
Claims (5)
- 擬ペロブスカイト層に、他の結晶構造の挿入層を周期的に積層した誘電体薄膜であって、
前記誘電体薄膜が形成される基板はペロブスカイト構造を有し、
前記基板が立方晶SrTiO3と同じ単位胞をもつ擬立方晶であると見なした場合、前記基板の薄膜形成面は(110)面を有し、
前記誘電体薄膜のc軸が基板表面垂直方向に対し、45度から2度以内のずれとなるように傾斜したことを特徴とする誘電体薄膜。 - 前記基板として、導電性ペロブスカイト型単結晶基板,ペロブスカイト絶縁体酸化物基板,半導体基板上にバッファ層を介して形成したペロブスカイト導電性薄膜,のいずれかを使用したことを特徴とする請求項1記載の誘電体薄膜。
- {A1}を、Mg,Ca,Sr,Ba,Pb,K,Na,Biから選ばれた少なくとも1種の元素とし、{A2}を、Ta,Nb,W,Mo,Fe,Zr,Ti,Co,Crから選ばれた少なくとも1種の元素としたとき、前記誘電体薄膜の擬ペロブスカイト層が{A1}n−1{A2}nO3n+1であり、前記挿入層がBi2O2であることを特徴とする請求項1又は2記載の誘電体薄膜。
- {A1a}を、Mg,Ca,Sr,Ba,Bi,Pb,Yから選ばれた少なくとも1種の元素とし、{A2a}を、Ti,Ta,Nb,Zr,W,Mo,Fe,Co,Crから選ばれた少なくとも1種の元素としたとき、前記誘電体薄膜の擬ペロブスカイト層が({A1a}n+1{A2a}nO3n+1)であり、{A4}を、Tl,Hg,Bi,Pb,Ca,Sr,Baから選ばれた少なくとも1種の元素としたとき、前記挿入層が{A4}Oの1層であることを特徴とする請求項1又は2記載の誘電体薄膜。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の誘電体薄膜を使用したことを特徴とする電子部品。
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