RU2479879C1 - Пленочный планарный вариконд - Google Patents

Пленочный планарный вариконд Download PDF

Info

Publication number
RU2479879C1
RU2479879C1 RU2011151261/07A RU2011151261A RU2479879C1 RU 2479879 C1 RU2479879 C1 RU 2479879C1 RU 2011151261/07 A RU2011151261/07 A RU 2011151261/07A RU 2011151261 A RU2011151261 A RU 2011151261A RU 2479879 C1 RU2479879 C1 RU 2479879C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
varicond
voltage variable
working electrodes
working
Prior art date
Application number
RU2011151261/07A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Давидович Аврутин
Виктор Давидович Дразнин
Галина Прохоровна Лаврик
Валентина Федоровна Филиппова
Original Assignee
Открытое Акционерное Общество "НИИ "Гириконд"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое Акционерное Общество "НИИ "Гириконд" filed Critical Открытое Акционерное Общество "НИИ "Гириконд"
Priority to RU2011151261/07A priority Critical patent/RU2479879C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2479879C1 publication Critical patent/RU2479879C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

Настоящее изобретение относится к пленочным планарным варикондам и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности в качестве управляемого напряжением емкостного элемента в устройствах СВЧ (например, в фазовращателях). Техническим результатом заявляемого изобретения является улучшение долговременной стабильности (надежности) варикондов. Пленочный планарный вариконд содержит диэлектрическую подложку, на поверхности которой находится слой сегнетоэлектрического материала, рабочие электроды и контактные площадки, выполненные на основе многослойных металлических структур из напыленных и гальванически выращенных слоев металлов, рабочие электроды вариконда выполнены в напыленном слое алюминия, нанесенном на слой сегнетоэлектрического материала. 6 ил., 1 табл.

Description

Настоящее изобретение относится к пленочным планарным варикондам и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности в качестве управляемого напряжением емкостного элемента в устройствах СВЧ (например, в фазовращателях).
Пленочный планарный вариконд (фиг.1, «Сегнетоэлектрики в технике СВЧ» под ред. О.Г.Вендика, М.: Советское радио, 1979, с.101) обычно представляет собой диэлектрическую подложку, на поверхности которой имеется слой сегнетоэлектрического (СЭ) материала, являющегося рабочим диэлектриком вариконда. Диэлектрическая проницаемость такого материала зависит от величины приложенного к нему электрического поля, что и обеспечивает возможность управления емкостью вариконда. На поверхности СЭ материала имеются рабочие электроды, выполненные из металла с высокой электрической проводимостью (что способствует уменьшению потерь энергии в вариконде), и контактные площадки, выполненные из материалов, обеспечивающих возможность контактирования варикондов.
Рабочие электроды совместно с прилегающими областями СЭ материала, (так называемая рабочая зона вариконда) служат для образования емкости вариконда и для приложения электрического поля к СЭ материалу и, соответственно, для управления величиной емкости вариконда.
Контактные площадки образуют зону контактирования вариконда. Контактирование - это создание электрического соединения вариконда с другими элементами радиоэлектронного устройства (с помощью, например, пайки или сварки) или подключение вариконда к измерительным устройствам с целью контроля электрических параметров.
Емкость вариконда определяется, главным образом, диэлектрической проницаемостью материалов СЭ слоя и подложки, размерами электродов и величиной зазора между ними в рабочей зоне.
Эффект управления емкостью обеспечивается приложением к СЭ материалу достаточно большой напряженности электрического поля. Таким образом, чем меньше зазор между электродами, тем меньше может быть приложенное к вариконду напряжение.
Работа при высокой напряженности поля создает одну из основных проблем варикондов - проблему долговременной стабильности (надежности), так как при высокой напряженности поля в СЭ материале могут происходить различные деструктивные процессы, приводящие к отказу вариконда.
Для реализации рабочих электродов и контактных площадок обычно применяют различные металлы или сложные металлические структуры, содержащие кроме основного металлического слоя с высокой электропроводностью дополнительные слои для обеспечения адгезии к подложке и для защиты его внешней поверхности. Эта металлическая структура формируется методами тонкопленочной технологии.
Для обеспечения возможности контактирования варикондов в радиоэлектронном устройстве используются поверхностные покрытия, например золото или припои на основе олова.
Известен сегнетоэлектрический планарный конденсатор, заявленный в патенте РФ на изобретение №2271046 (заявл. 08.08.2004, опубл. 27.02.2010, кл. Н01С 7/02).
Согласно изобретению сегнетоэлектрический конденсатор содержит диэлектрическую подложку из СЭ материала и сформированные на ней электроды, а диэлектрическая подложка изготовлена из полярного молекулярного сегнетоэлектрического кристалла, содержащего биполярные анизотропно-мобильные молекулы.
Данное техническое решение позволяет создать миниатюрные конденсаторы в планарном исполнении без дополнительного подэлектродного слоя.
Известны также аналогичные по конструкции вариконды (фиг.2), разработанные фирмой Paratec Microwave, Inc. (www.paratec.com) на основе запатентованных СЭ материалов PARASCAN™ Composites на основе бария-стронция титаната.
Наиболее близким к заявляемому изобретению техническим решением, взятым в качестве прототипа, является разработанный в ОАО «НИИ «Гириконд» вариконд КН1-8 (АДПК.673553.00 ТУ).
Конструкция вариконда-прототипа представлена на фиг.3 (эскиз многослойной структуры) и фиг.4 (эскиз рабочей зоны).
Конструкция вариконда КН1-8 (фиг.3) содержит:
- диэлектрическую подложку из ситалла СТ50-1 толщиной 0,6 мм;
- слой СЭ материала БСТО толщиной 0,8 мкм, нанесенный вакуумным радиочастотным распылением;
- адгезионный подслой хрома толщиной 0,08 мкм, нанесенный магнетронным распылением и обеспечивающий адгезию к слою рабочего диэлектрика наносимого далее слоя меди;
- слой меди толщиной 0,6 мкм, нанесенный магнетронным распылением;
- защитный слой хрома толщиной 0,08 мкм, нанесенный магнетронным распылением (для защиты поверхности нанесенного в вакууме медного слоя в процессе технологических воздействий);
- гальванически выращенные слои меди толщиной 6 мкм и сплава олово-висмут толщиной 15 мкм (только на контактных площадках).
Рабочие электроды и контактные площадки выполняются фотолитографическими методами, при этом рабочие электроды выполнены в виде гребенчатой структуры в слоях хром-медь-хром, а контактные площадки прямоугольной формы дополнительно содержат гальванически выращенные слои меди и сплава олово-висмут. Защитный слой хрома удаляется для осуществления процесса гальванического наращивания меди.
Минимальный зазор между электродами в рабочей зоне равен 5 мкм, что при номинальном напряжении 200В соответствует среднему значению рабочей напряженности электрического поля 40В/мкм (для сравнения: в монолитных керамических конденсаторах на основе СЭ материалов величина напряженности электрического поля составляет 2÷4 В/мкм). Высокая напряженность поля способствует деструкции (старению) СЭ материала, что приводит к возникновению отказа вариконда.
Основной недостаток конструкции-прототипа - это неудовлетворительная долговременная стабильность варикондов вследствие деструкции СЭ материала, причиной которой является, в первую очередь, миграция в процессе длительной эксплуатации кислородных вакансий в рабочем диэлектрике. Кислородные вакансии образуются вследствие взаимодействия ионов кислорода, входящего в состав окислов, образующих СЭ материал, с металлами, образующими электроды вариконда. Наиболее склонны к взаимодействию с ионами кислорода металлы, обычно используемые в качестве адгезионного подслоя, в первую очередь такие, как титан, ванадий, хром.
Техническим результатом заявляемого изобретения является улучшение долговременной стабильности (надежности) варикондов при сохранении достигнутых параметров варикондов по сравнению с прототипом.
Указанный технический результат достигается за счет применения для рабочих электродов, непосредственно соприкасающихся с рабочим диэлектриком (СЭ материалом), слоя металла, в минимальной степени взаимодействующего (образующего кислородные вакансии в кристаллической структуре СЭ материала) с окислами, входящими в состав СЭ материала. К таким металлам относятся благородные металлы и медь, а также, в известной мере, и алюминий.
Однако нанесение благородных металлов, а также меди без адгезионного подслоя практически невозможно в связи с крайне низкой адгезией к подложке, а наличие адгезионного слоя, как упоминалось выше, является основной причиной возникновения кислородных вакансий.
Нанесение же слоя алюминия (без адгезионного подслоя) на окислосодержащий слой рабочего диэлектрика обеспечивает приемлемую адгезию, а минимальное взаимодействие с окислами, характерное для алюминия, приводит к незначительной деструкции рабочего диэлектрика и, соответственно, к уменьшению числа отказов.
Заявляемый отличительный признак является новым для пленочных варикондов, а заявляемое техническое решение соответствует критерию «новизна».
На фиг.5 показана многослойная структура заявляемого вариконда.
Конструкция заявляемого вариконда содержит:
- диэлектрическую подложку из ситалла СТ50-1 толщиной 0,6 мм (соответствует прототипу);
- слой СЭ материала БСТО толщиной 0,8 мкм, нанесенный вакуумным радиочастотным распылением (соответствует прототипу);
- слой алюминия толщиной 0,8 мкм, нанесенный магнетронным распылением;
- адгезионный подслой хрома толщиной 0,08 мкм (только на контактных площадках);
- слой меди толщиной 0,6 мкм, нанесенный магнетронным распылением (только на контактных площадках);
- гальванически выращенные слои меди толщиной 6 мкм и сплава олово-висмут толщиной 15 мкм (только на контактных площадках, соответствует прототипу).
На фиг.6 представлен общий вид (эскиз) заявляемого пленочного планарного вариконда, который, так же как и вариконд-прототип, имеет рабочие электроды, выполненные в виде гребенчатой структуры, где:
1 - диэлектрическая подложка;
2 - слой сегнетоэлектрического материала;
3 - рабочие электроды;
4 - зазор между рабочими электродами;
5 - контактные площадки.
Рабочие электроды и контактные площадки выполняются фотолитографическими методами, при этом рабочие электроды выполнены в виде гребенчатой структуры в слое алюминия, а контактные площадки прямоугольной формы дополнительно содержат адгезионный слой хрома, слой вакуумной меди, а также гальванически выращенные слои меди и сплава олово-висмут.
Главное отличие заявляемого технического решения вариконда от прототипа - это то, что находящиеся в рабочей зоне вариконда рабочие электроды выполнены в слое (пленке) алюминия, являющегося единственным металлическим покрытием, соприкасающимся с поверхностью СЭ материала. Алюминий (без адгезионного слоя) является достаточно пассивным металлом в отношении образования кислородных вакансий в кристаллической структуре СЭ материала рабочего диэлектрика.
Заявленный отличительный признак обеспечивает «изобретательский уровень».
Заявленная конструкция вариконда реализуется путем последовательного проведения следующих основных операций:
- нанесение слоя СЭ материала на подложку (вакуумное);
- нанесение многослойной тонкопленочной металлической структуры, состоящей из слоев алюминия, меди и хрома (вакуумное);
- локальное травление слоев хрома и меди в рабочей зоне, исключающее возможность попадания частиц хрома и меди на поверхность слоя СЭ материала при последующем формировании рисунка электродов (фотолитография);
- формирование рисунка электродов, включая зазор между электродами в слое алюминия в рабочей зоне (фотолитография);
- нанесение защитного покрытия и формирование рисунка в защитном слое (фотолитография);
- формирование контактных узлов (гальваническое наращивание слоя меди и слоя сплава олово-висмут) в зоне контактирования.
В качестве доказательства промышленной применимости заявленного решения в табл.1 представлены результаты сравнительных испытаний варикондов-прототипов и варикондов заявленной конструкции на длительную наработку в предельных условиях эксплуатации (номинальное напряжение постоянного тока 200 В и повышенная температура +55°С).
Таблица 1
Количество отказов при сравнительных испытаниях варикондов-прототипов и варикондов заявленной конструкции на длительную наработку
Временной интервал проведения испытаний, ч Вариконды-прототипы (80 шт.) Вариконды заявленной конструкции (80 шт.)
0…100 2 0
100…500 3 0
500…1000 5 0
1000…2000 8 0
2000…5000 25 0
ВСЕГО ОТКАЗОВ: 43 0
Как видно из приведенных данных, заявленное решение существенно превосходит по стабильности вариконды-прототипы.
Имеющаяся в ОАО «НИИ «Гириконд» научная и технологическая база в области керамических конденсаторов и материалов обеспечивает высокий технический уровень заявляемых варикондов.
Пленочный планарный вариконд
Фиг.1 - Эскиз пленочного планарного вариконда.
Фиг.2 - Пленочный планарный вариконд фирмы Paratec Microwave, Inc.
Фиг.3 - Пленочный планарный вариконд KH1-8 - прототип (разрез структуры).
Фиг.4 - Пленочный планарный вариконд KH1-8 - прототип (эскиз рабочей зоны).
Фиг.5 - Пленочный планарный вариконд заявляемой конструкции (разрез структуры).
Фиг.6 - Пленочный планарный вариконд заявляемой конструкции (эскиз).

Claims (1)

  1. Пленочный планарный вариконд, содержащий диэлектрическую подложку, находящийся на ее поверхности слой сегнетоэлектрического материала, рабочие электроды и контактные площадки, выполненные на основе многослойных металлических структур из напыленных и гальванически выращенных слоев металлов, отличающийся тем, что рабочие электроды вариконда выполнены в напыленном слое алюминия, нанесенном на слой сегнетоэлектрического материала.
RU2011151261/07A 2011-12-14 2011-12-14 Пленочный планарный вариконд RU2479879C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011151261/07A RU2479879C1 (ru) 2011-12-14 2011-12-14 Пленочный планарный вариконд

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011151261/07A RU2479879C1 (ru) 2011-12-14 2011-12-14 Пленочный планарный вариконд

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2479879C1 true RU2479879C1 (ru) 2013-04-20

Family

ID=49152807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011151261/07A RU2479879C1 (ru) 2011-12-14 2011-12-14 Пленочный планарный вариконд

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2479879C1 (ru)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU321885A1 (ru) * В. И. Ступарь , Ж. Якушев Всесоюзная |-1лт?нтно-технн^^егш 1 е'иблиотека
US3231426A (en) * 1960-11-14 1966-01-25 Electro Optical Systems Inc Continuous concentration cell
SU1057993A1 (ru) * 1982-08-02 1983-11-30 Предприятие П/Я Р-6082 Нелинейный диэлектрический элемент
US4857421A (en) * 1988-11-14 1989-08-15 Thermacore, Inc. Alkali metal thermoelectric genreator
RU2074460C1 (ru) * 1994-10-04 1997-02-27 Ракетно-космическая корпорация "Энергия" им.С.П.Королева Преобразователь тепловой энергии непосредственно в электрическую
WO2004061917A1 (en) * 2003-01-07 2004-07-22 Infineon Technologies Ag Encapsulation of ferroelectric capacitors
RU2271046C1 (ru) * 2004-08-06 2006-02-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" Сегнетоэлектрический планарный конденсатор

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU321885A1 (ru) * В. И. Ступарь , Ж. Якушев Всесоюзная |-1лт?нтно-технн^^егш 1 е'иблиотека
SU167546A1 (ru) * В. М. Петров Свч-вариконд
US3231426A (en) * 1960-11-14 1966-01-25 Electro Optical Systems Inc Continuous concentration cell
SU1057993A1 (ru) * 1982-08-02 1983-11-30 Предприятие П/Я Р-6082 Нелинейный диэлектрический элемент
US4857421A (en) * 1988-11-14 1989-08-15 Thermacore, Inc. Alkali metal thermoelectric genreator
RU2074460C1 (ru) * 1994-10-04 1997-02-27 Ракетно-космическая корпорация "Энергия" им.С.П.Королева Преобразователь тепловой энергии непосредственно в электрическую
WO2004061917A1 (en) * 2003-01-07 2004-07-22 Infineon Technologies Ag Encapsulation of ferroelectric capacitors
RU2271046C1 (ru) * 2004-08-06 2006-02-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" Сегнетоэлектрический планарный конденсатор

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100355534B1 (ko) 가요성 박막 콘덴서 및 그 제조방법
JP2022523497A (ja) 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ
US9153380B2 (en) Shapeable short circuit resistant capacitor
WO2008138127A1 (en) Systems and methods for a thin film capacitor having a composite high-k thin film stack
KR20120079689A (ko) 플렉시블 적층형 박막 커패시터를 이용한 임베디드 인쇄회로기판
JP2006310744A (ja) 薄膜キャパシタ及び半導体装置
JP2022525314A (ja) 広帯域性能を有するコンパクトな薄膜表面実装可能結合器
JP2006521224A (ja) 積層構造体の製造方法
JP2009293119A (ja) メッキ層の形成方法
RU120509U1 (ru) Пленочный планарный вариконд
Tateyama et al. Dependency of direct and inverse transverse piezoelectric properties on composition in self-polarized epitaxial (KxNa1− x) NbO3 films grown via a hydrothermal method
RU2479879C1 (ru) Пленочный планарный вариконд
US20180233330A1 (en) Variable power capacitor for rf power applications
JP2006303389A (ja) 薄膜コンデンサ素子および薄膜コンデンサアレイ
JPH06325970A (ja) コンデンサ及びその製造方法
US10290426B2 (en) Capacitor component
JPWO2017026295A1 (ja) コンデンサ
He et al. Bismuth zinc niobate thin film multilayer capacitors with Cu electrodes fabricated at low temperature by RF magnetron sputtering
JP2013168526A (ja) 積層型電子部品及びその製造方法
Lee Investigation of thin film end-termination on multilayer ceramic capacitors
EP4333002A1 (en) Dielectric, capacitor, electrical circuit, circuit board, and device
EP4333005A1 (en) Dielectric, capacitor, electric circuit, circuit board, and apparatus
EP4206635A1 (en) Piezoelectric sensor, fabrication method therefor, and haptic feedback device
JP2006093322A (ja) 可変容量コンデンサ
RU2550090C2 (ru) Тонкопленочный вариконд