TWI808980B - 用於有機電子裝置之組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明關於包含電子傳輸主體及電洞傳輸主體之組成物、其在電子裝置之用途及含有此組成物之電子裝置。電子傳輸主體尤佳選自三-二苯并呋喃-咔唑系統之類或是三

Description

用於有機電子裝置之組成物
本發明關於包含電子傳輸主體(electron-transporting host)及電洞傳輸主體(hole-transporting host)之組成物、其在電子裝置之用途及含有此組成物之電子裝置。電子傳輸主體尤佳選自三-二苯并呋喃-咔唑系統之類或是三-二苯并噻吩-咔唑系統之類。電洞傳輸主體較佳選自雙咔唑類(biscarbazoles)。
採用有機半導體作為功能性材料之有機電致發光裝置(organic electroluminescent device)(例如OLED-有機發光二極體，或OLEC-有機發光電化學電池)的結構描述於例如US 4539507、US 5151629、EP 0676461及WO 98/27136。除了螢光發射體(fluorescent emitter)以外，於此越來越多使用的發射材料為展現磷光而非螢光的有機金屬錯合物(organometallic complex)((M. A. Baldo et al., Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 4-6))。由於量子力學之故，使用有機金屬化合物作為磷光發射體可能增加多達四倍的能量及功率效率。然而通常，在OLED的情況，尤其亦於展現三重態發光(triplet emission)(磷光)之OLED的情況，對例如關於效率、操作電壓及壽命的改善仍有需求。 　　有機電致發光裝置的性質不僅由所使用的發射體決定。在此尤其重要的還有特別是所使用的其他材料，諸如主體和基質材料、電洞阻擋材料(hole-blocking material)、電子傳輸材料(electron-transport material)、電洞傳輸材料(hole-transport material)及電子-或激子-阻擋材料，其中尤其是主體或基質材料。該等材料的改進可導致電致發光裝置顯著的改進。 　　用於有機電子裝置之主體材料為熟習此項技術領域者所熟知。術語基質材料(matrix material)在先前技術中亦常用於意指磷光發射體之主體材料。此術語的使用亦用於本發明。同時，已研發出多樣化的主體材料，用於螢光及磷光電子裝置二者。 　　根據先前技術，尤其利用酮(例如根據WO 2004/ 093207或WO 2010/006680)或膦氧化物(phosphine oxide)(例如根據WO 2005/003253)作為磷光發射體之基質材料。根據先前技術，更多基質材料為三𠯤(例如WO 2008/ 056746、EP 0906947、EP 0908787、EP 0906948)及內醯胺(lactam)(例如WO 2011/116865或WO 2011/137951)。此外，根據先前技術尤其利用咔唑衍生物(例如根據WO 2005/ 039246、US 2005/0069729或WO 2014/015931)、吲哚并咔唑(indolocarbazole)衍生物(例如根據WO 2007/063754或WO 2008/056746)或茚并咔唑(indenocarbazole)衍生物(例如根據WO 2010/136109或WO 2011/000455)作為磷光發射體之基質材料，尤其是那些經缺電子雜芳族基團(electron-deficient heteroaromatic group)(諸如三𠯤)取代者。WO 2011/057706揭示經兩個三苯基三𠯤基團取代之咔唑衍生物。WO 2011/046182揭示在三𠯤上經茀基取代之咔唑-伸芳基-三𠯤(carbazol-arylene-triazine)衍生物。WO 2009/ 069442揭示經缺電子雜芳族基團(例如吡啶、嘧啶或三𠯤)高度取代之三環化合物作為主體材料，諸如咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩。WO 2011/057706、WO 2015/014434及WO 2015/169412揭示更多主體材料尤其包括三-二苯并呋喃-咔唑衍生物及三-二苯并噻吩-咔唑衍生物，其中三視需要藉由連結基而鍵結至二苯并呋喃或二苯并噻吩。 　　改善電子裝置(尤其是有機電致發光裝置)的性能數據之另一可能在於使用二或更多材料(尤其是主體材料或基質材料)之組合。 　　US 6,392,250 B1揭示將由電子傳輸材料、電洞傳輸材料及螢光發射體所組成之混合物用於OLED的發光層。與先前技術相比，藉由此混合物可改善OLED之壽命。 　　US 6,803,720 B1揭示將包含磷光發射體及電洞傳輸材料和電子傳輸材料之混合物用於OLED的發光層。電洞傳輸材料和電子傳輸材料皆為小的有機分子。 　　US 9,601,698揭示將兩種主體材料及磷光發射體的混合物，例如pyridine-咔唑-二苯并噻吩衍生物、和三芳基胺基取代之雙咔唑(triarylamino-substituted biscarbazole)的混合物，用於OLED的發光層。 　　根據WO 2015/156587，特定咔唑衍生物與雙咔唑(biscarbazole)混合可用作主體材料。 　　根據WO 2015/169412，例如三-二苯并呋喃-咔唑衍生物及三-二苯并噻吩-咔唑衍生物亦可用於混合。因而例如描述製造OLED，命為E34，其於發光層中包含主體材料EG1、IC6及磷光發射體TEG1。所使用之化合物的結構如下所示：專利KR101744248 B1記載裝置中特定系列的兩發光層，其中各發光層包含兩種主體材料。第一發光層包含主體1-1及主體1-2。第二發光層包含主體2-1及主體2-2，其中主體1-2及主體2-1為相同材料。請求項7描述具體的1-2 主體材料。請求項10描述縮寫為如上之EG1的化合物作為2-2主體材料。 　　根據於本案優先權日之後公開的專利申請案KR20170113320，縮寫為如上之EG1的化合物(於文件H-6中提及)可用於和二(1,3-聯苯)-取代之雙咔唑(di(1,3-biphenyl)-substituted biscarbazole)一起混合。對應之雙咔唑(3-(9'-1,3-聯苯-9H-咔唑-3'-基)-9-(1,3-聯苯)-9H-咔唑(3-(9'-1,3-biphenyl-9H-carbazol-3'-yl)-9-(1,3-biphenyl)-9H-carbazole))在文件中稱為H-2。 　　然而對使用此等材料或使用材料之混合物仍有改進(尤其關於有機電子裝置之壽命(lifetime))的需求。
因此本發明之目的為提供適用於有機電子裝置(特別是有機電致發光裝置、特別是螢光或磷光OLED)、且獲致良好裝置性質(尤其關於改良壽命)的材料，且提供對應的電子裝置。 　　現已發現包含式(1)化合物(例如尤佳為三-二苯并呋喃-咔唑衍生物或三-二苯并噻吩-咔唑衍生物)、及式(2)之電洞傳輸主體(較佳為雙咔唑(biscarbazole))的組成物達此目的且克服先前技術的缺失。此類組成物獲致有機電子裝置(特別是有機電致發光裝置)之非常良好的性質(尤其關於壽命)，亦尤其發光組分以2至15重量%的濃度存在於發光層中。 　　因此本發明首先關於包含至少一式(1)化合物及至少一式(2)化合物之組成物 其中下列者適用於所使用的符號(symbol)及標記(index)： 　　X 在每次出現時相同地或不同地為CR0 或N，前提是至少一基團X代表N； 　　X1 在每次出現時相同地或不同地為CR或N； 　　X2 在每次出現時相同地或不同地為CR1 或N； 　　Y 係選自O或S； 　　L 在每次出現時相同地或不同地為單鍵或具有5至30個芳族環原子(aromatic ring atom)的芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多基團R3 取代，較佳為具有6至18個C原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多基團R3 取代； 　　Ar1 ，Ar2 於各情況中在每次出現時彼此獨立地為具有5至40個芳族環原子的芳基或雜芳基，其可經一或更多基團R3 取代； 　　Ar3 為具有6至40個芳族環原子的芳族環系統或具有10至40個芳族環原子的雜芳族環系統，其可經一或更多基團R3 取代； 　　Ar4 及Ar5 於各情況中彼此獨立地為具有6至40個芳族環原子的芳族環系統或具有10至40個芳族環原子的雜芳族環系統，其可經一或更多基團R3 取代，前提是Ar4 及Ar5 不可同時為苯基； 　　R0 ，R，R1 在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2 ，N(Ar)2 ，N(R2 )2 ，C(=O)Ar，C(=O)R2 ，P(=O)(Ar)2 ，P(Ar)2 ，B(Ar)2 ，Si(Ar)3 ，Si(R2 )3 ，具有1至20個C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫烷基(thioalkyl)或具有3至20個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基或具有2至20個C原子的烯基，其於各情況中可經一或更多基團R2 取代，其中一或更多非相鄰的CH2 基團可經R2 C=CR2 、Si(R2 )2 、C=O、C=S、C=NR2 、P(=O)(R2 )、SO、SO2 、NR2 、O、S或CONR2 置換且其中一或更多H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換，具有5至40個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其於各情況中可經一或更多基團R2 取代，或具有5至40個芳族環原子的芳氧基或雜芳氧基(heteroaryloxy group)，其可經一或更多基團R2 取代，或具有5至40個芳族環原子的芳烷基或雜芳烷基(heteroaralkyl group)，其可經一或更多基團R2 取代；鍵結至相同碳原子或相鄰碳原子的兩取代基R0 及/或R及/或R1 可隨意地(optionally)形成單環或多環、脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多基團R2 取代； 　　R2 在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2 ，N(Ar)2 ，NH2 ，N(R3 )2 ，C(=O)Ar，C(=O)H，C(=O)R3 ，P(=O)(Ar)2 ，具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至40個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基或具有2至40個C原子的烯基或炔基，其於各情況中可經一或更多基團R3 取代，其中一或更多非相鄰的CH2 基團可經HC=CH、R3 C=CR3 、C≡C、Si(R3 )2 、Ge(R3 )2 、Sn(R3 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR3 、P(=O)(R3 )、SO、SO2 、NH、NR3 、O、S、CONH或CONR3 置換且其中一或更多H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換，具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其於各情況中可經一或更多基團R3 取代，或具有5至60個芳族環原子的芳氧基或雜芳氧基，其可經一或更多基團R3 取代，或該等系統之組合，其中二或更多相鄰的取代基R2 可隨意地(optionally)形成單環或多環、脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多基團R3 取代； 　　R3 在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：H，D，F，CN，具有1至20個C原子的脂族烴基(aliphatic hydrocarbon radical)或具有5至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其中一或更多H原子可經D、F、Cl、Br、I或CN置換且其可經一或更多各具有1至4個碳原子的烷基取代；二或更多相鄰的取代基R3 可彼此形成單環或多環脂族環系統； 　　Ar 在每次出現時相同地或不同地為具有5至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多非芳族(non-aromatic)基團R3 取代；鍵結至相同N原子、P原子或B原子的兩基團Ar亦可藉由單鍵或選自N(R3 )、C(R3 )2 、O或S的橋(bridge)而彼此橋連(bridged)，以及 　　n及m，彼此獨立地表示0、1、2或3。 　　根據本發明，L較佳為具有6至18個C原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多基團R3 取代。具有6至18個C原子的芳族或雜芳族環系統較佳為選自下文所述之L-1至L-40的連結基(linker)，其可經一或更多基團R3 取代。根據本發明，L尤佳為具有6至18個C原子的芳族環系統，其可經一或更多基團R3 取代，更佳為選自伸苯基(phenylene)、伸萘基(naphthylene)、伸聯苯基(biphenylene)、伸菲基(phenanthrenylene)或伸聯伸三苯基(triphenylenylene)，其中，與其他取代基的鍵結並無限制。具有6至18個C原子的芳族環系統較佳為伸苯基(phenylene)，其中，與其他取代基的鍵結並無限制。此處，伸苯基(phenylene)可連接至二苯并呋喃/二苯并噻吩單元及咔唑單元，於鄰位 (ortho)、間位(meta)或對位(para)。L為伸苯基(phenylene)較佳係於間位(meta position)連接。 　　本發明進一步關於包含此類組成物之調配物、該等組成物在有機電子裝置中之用途、含有此類組成物(較佳為含有該組成物於層中)之有機電子裝置(較佳為電致發光裝置)、以及製造此類裝置之方法。本發明亦關於如下文所述之對應的較佳實施態樣。藉由已知材料的特定選擇，尤其關於式(1)之電子傳導材料(electron-conducting material)及式(2)之電洞傳輸材料(hole-transporting material)的選擇，可達成令人驚訝且有利的效果。 　　包含含有至少一式(1)化合物及至少一式(2)化合物的組成物(如上文所述或較佳如下文所述)之層尤其為發光層(emitting layer(EML))、電子傳輸層electron-transport layer (ETL)、電子注入層(electron-injection layer(EIL))及/或電洞阻擋層(hole-blocking layer(HBL))。 　　就發光層而言，此較佳為磷光層(phosphorescent layer)，其特徵在於除了含有如上文所述之式(1)及式(2)之基質材料的組成物以外其還包含磷光發射體。 　　就本發明之意義，相鄰的碳原子為彼此直接連結的碳原子。 　　就本說明而言，二或更多基團可彼此形成環的調配物尤其意欲指兩個基團係藉由化學鍵(形式上消除兩個氫原子)彼此連結。這由以下流程圖說明之：但此外，在兩基團中之一者代表氫的情況中，上述調配物亦意欲指第二基團係在鍵結氫原子的位置上鍵結以形成環。這意欲由以下流程圖說明之：就本發明之意義，芳基(aryl group)含有6至40個芳族環原子，較佳為C原子。就本發明之意義，雜芳基 (heteroaryl group)含有5至40個芳族環原子，其中環原子包括C原子及至少一雜原子(heteroatom)，前提是C原子與雜原子的總數至少為5。雜原子較佳係選自N、O及/或S。芳基或雜芳基在此為單純的芳族環(即衍生自苯之苯基)、或單純的雜芳族環(例如衍生自吡啶、嘧啶或噻吩)、或縮合(condensed)芳基或雜芳基(例如衍生自萘、蒽、菲、喹啉或異喹啉)。因此具有6至10個C原子的芳基較佳為苯基或萘基，其中芳基鍵結作為取代基並無限制。因此具有6至10個C原子的伸芳基(arylene group)較佳為伸苯基(phenylene)或伸萘基(naphthylene)，其中伸芳基連結作為連結基(linker)並無限制。 　　就本發明之意義，芳族環系統含有6至40個C原子於環系統中且可經一或更多基團R3 取代，其中R3 具有下文所述之意義。芳族環系統亦含有如上文所述之芳基。 　　就本發明之意義，雜芳族環系統含有5至40個環原子及至少一雜原子，且可經一或更多基團R3 取代，其中R3 具有下文所述之意義。較佳的雜芳族環系統具有10至40個環原子及至少一雜原子，且可經一或更多基團R3 取代，其中R3 具有下文所述之意義。雜芳族環系統亦含有如上文所述之雜芳基。在雜芳族環系統中的雜原子較佳係選自N、O及/或S。 　　就本發明之意義，芳族或雜芳族環系統意指未必僅含有芳基或雜芳基的系統，而是其中，另外，多個芳基或雜芳基可由非芳族單元(較佳為少於10%的非H之原子)(諸如C、N或O原子或羰基)所中斷。因此，例如，諸如9,9'-螺聯茀(9,9‘-spirobifluorene)、9,9'-二芳基茀(9,9- diarylfluorene)、三芳胺(triarylamine)、二芳基醚(diaryl ether)和茋(stilbene)等之系統亦意欲視為就本發明之意義的芳族或雜芳族環系統，且其中二或更多芳基係由例如直鏈或環狀烷基或由矽基(silyl group)所中斷之系統亦然。此外，其中二或更多芳基或雜芳基彼此直接鍵結之系統也為芳族或雜芳族環系統之定義所涵蓋，諸如聯苯、聯三苯(terphenyl)、聯四苯(quaterphenyl)或雙吡啶(bipyridine)。 　　亦可在各情況中經該基團R3 取代且可經由任何所欲位置與芳族或雜芳族環系統連結之具有5-40個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統意指例如由下列者所衍生之基團：苯、萘、蒽、苯并蒽(benzanthracene)、菲、苯并菲 (benzophenanthrene)、芘、(chrysene)、苝、丙二烯合茀(fluoranthene)、苯并丙二烯合茀(benzo­fluoranthene)、稠四苯(naphthacene)、稠五苯(pentacene)、苯并芘 (benzopyrene)、聯苯、伸聯苯(biphenylene)、聯三苯(terphenyl)、聯伸三苯(terphenylene)、茀、螺聯茀 (spirobifluorene)、二氫菲(dihydrophenanthrene)、二氫芘(dihydropyrene)、四氫芘、順-或反-茚并茀 (indenofluorene)、順-或反-單苯并茚并茀 (monobenzoindenofluorene)、順-或反-二苯并茚并茀、參茚并苯(truxene)、異參茚并苯(isotruxene)、螺參茚并苯(spirotruxene)、螺異參茚并苯(spiroisotruxene)、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑(indolocarbazole)、茚并咔唑(indenocarbazole)、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶(acridine)、啡啶 (phenanthridine)、苯并-5,6-喹啉(benzo-5,6-quinoline)、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、啡噻(phenothiazine)、啡 (phen­oxazine)、吡唑(pyrazole)、吲唑(indazole)、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑(naphthimidazole)、啡并咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶并咪唑(pyridimidazole)、吡并咪唑(pyrazinimidazole)、喹啉并咪唑 (quinoxalinimidazole)、唑、苯并唑、萘并唑 (naphthoxazole)、蒽并唑(anthroxazole)、菲并唑 (phenanthroxazole)、異唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、嗒、苯并嗒、嘧啶、苯并嘧啶、喹啉、1,5-二氮雜蒽(1,5-diazaanthracene)、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡、啡、啡 、啡噻、螢紅環(fluo­rubin)、啶(naphthyridine)、氮雜咔唑(azacarbazole)、苯并咔啉(benzocarboline)、菲啉 (phenanthroline)、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三、1,2,4-三、1,2,3-三、四唑、1,2,4,5-四、1,2,3,4-四、1,2,3,5-四、嘌呤、喋啶(pteridine)、吲(indolizine)及苯并噻二唑。 　　縮寫Ar 在每次出現時相同地或不同地為具有5至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多非芳族基團R3 取代；鍵結至相同N原子、P原子或B原子的兩基團Ar亦可藉由單鍵或選自N(R3 )、C(R3 )2 、O或S的橋(bridge)而彼此橋連(bridged)。取代基R3 已於上文說明或較佳為於下文說明。 　　就本發明之意義，環狀烷基、烷氧基或烷硫基(thioalkoxy group)意指單環、雙環或多環基團。 　　就本發明而言，其中，另外，個別氫原子或CH2 基團可由上述基團取代之C1 -至C20 -烷基係意指，例如，基團甲基、乙基、正丙基、異丙基、環丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、環丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級戊基、三級戊基、2-戊基、新戊基、環戊基、正己基、二級己基、三級己基、2-己基、3-己基、新己基、環己基、1-甲基環戊基，2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、環庚基、1-甲基環己基、正辛基、2-乙基己基、環辛基、1-雙環[2.2.2]辛基、2-雙環[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金剛烷基(adamantyl)、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基(1,1-dimethyl-n-hex-1-yl)，1,1-二甲基-正庚-1-基，1,1-二甲基-正辛-1-基，1,1-二甲基-正癸-1-基，1,1-二甲基-正十二-1-基(1,1-dimethyl-n-dodec-1-yl)，1,1-二甲基-正十四-1-基(1,1-dimethyl-n-tetradec-1-yl)，1,1-二甲基-正十六-1-基(1,1-dimethyl-n-hexadec-1-yl)，1,1-二甲基-正十八-1-基(1,1-dimethyl-n-octadec-1-yl)，1,1-二乙基-正己-1-基，1,1-二乙基-正庚-1-基，1,1-二乙基-正辛-1-基，1,1-二乙基-正癸-1-基，1,1-二乙基-正十二-1-基，1,1-二乙基-正十四-1-基，1,1-二乙基-正十六-1-基，1,1-二乙基-正十八-1-基，1-(正丙基)環己-1-基，1-(正丁基)環己-1-基，1-(正己基)環己-1-基，1-(正辛基)環己-1-基以及1-(正癸基)環己-1-基。 　　烯基係意指，例如，乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基或環辛二烯基(cyclooctadienyl)。 　　炔基意指，例如，乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。 　　C1 -至C20 -烷氧基係意指，例如，甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基或2-甲基丁氧基。 　　C1 -至C20 -硫烷基意指例如S-烷基，例如硫甲基、1-硫乙基、1-硫異丙基、1-硫正丙基、1-硫異丁基、1-硫正丁基或1-硫三級丁基(1-thio-t-butyl)。 　　具有5至40個芳族環原子的芳氧基或雜芳氧基表示O-芳基或O-雜芳基且意指芳基或雜芳基分別經由氧原子鍵結。 　　具有5至40個芳族環原子的芳烷基或雜芳烷基意指如上文所述之烷基係經由芳基或雜芳基取代。 　　就本發明之意義，磷光發射體為展現來自具相對高的自旋多重性(spin multiplicity)(即自旋態＞ 1)之激發態的發光、尤其是來自激發三重態的發光之化合物。就本案而言，含有過渡金屬或鑭系元素之所有發光錯合物 (luminescent complex)被認為是磷光發射體。更精確的定義於下文給出。 　　若採用包含至少一式(1)化合物(如前文所述或較佳如下文所述)、及至少一式(2)化合物(如前文所述或如下文所述)的組成物作為磷光發射體之基質材料，則其三重態能量較佳為不顯著低於磷光發射體之三重態能量(triplet energy)。下列者較佳適用於三重態能階：T1 (發射體)-T1 (基質)≤0.2 eV，尤佳為≤0.15 eV，更佳為≤0.1 eV。T1 (基質)在此為發光層中的基質材料之三重態能階，其中此條件適用於兩基質材料中之各者，而T1 (發射體)為磷光發射體之三重態能階。若發光層包含兩種以上的基質材料，則上文提及之關係較佳亦適用於各另外的基質材料。 　　式(1)之電子傳輸主體： 　　在本發明一實施態樣中，式(1)化合物係選擇為其中Y係選自O或S以及該取代基係於二苯并呋喃或二苯并噻吩的1、2、3或4位置鍵結，其中，X、X1 、Y、L、Ar1 、Ar2 、Ar3 、R、n及m具有如上文所指之意義或如下文所指之意義，且*表示與二苯并呋喃或二苯并噻吩連結的部位。 　　式(1)化合物中的符號X1 較佳表示兩次N，尤佳為表示一次N，其餘的基團X1 則表示CR，其中R於各情況中彼此獨立地具有上文所指之意義或下文較佳所指之意義。式(1)化合物中的X1 更佳為CR。 　　式(1)化合物，其中X1 在每次出現時相同地或不同地表示CR且該取代基係位於二苯并呋喃或二苯并噻吩的1或2位置，係由式(1a)及(1b)所示， 其中，X、Y、L、Ar1 、Ar2 、Ar3 、R、n及m具有如上文所指之意義或如下文所指之意義，且p及o於各情況中係彼此獨立地表示0、1、2或3。 　　式(1)化合物，其中X1 在每次出現時相同地或不同地表示CR且該取代基係位於二苯并呋喃或二苯并噻吩的3或4位置，係由式(1c)及(1d)所示， 其中，X、Y、L、Ar1 、Ar2 、Ar3 、R、n及m具有如上文所指之意義或如下文所指之意義，且p及o於各情況中係彼此獨立地表示0、1、2或3。 　　至少一式(1a)化合物，具有前文所述或較佳下文所述之取代基，較佳選擇用於該組成物。 　　至少一式(1b)化合物，具有前文所述或較佳下文所述之取代基，較佳選擇用於該組成物。 　　至少一式(1c)化合物，具有前文所述或較佳下文所述之取代基，較佳選擇用於該組成物。 　　至少一式(1d)化合物，具有前文所述或較佳下文所述之取代基，較佳選擇用於該組成物。 　　因此本發明進一步關於組成物(如前所述)，其中該式(1)化合物對應於式(1a)、(1b)、(1c)或(1d)化合物，較佳為式(1b)或(1c)。 　　式(1)、(1a)、(1b)、(1c)或(1d)化合物中的符號X較佳代表至少一次N，尤佳為至少兩次N，更佳為所有符號X皆表示N。其餘的基團X則表示CR0 ，尤其是CH。 　　R0 較佳在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：H、D、F或具有5至40個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統。R0 在每次出現時尤佳為H。 　　因此，式(1)、(1a)、(1b)、(1c)或(1d)化合物，其中該取代基表示三，係尤佳選擇用於該組成物。 　　於此實施態樣中，式(1e)化合物，其中，Y、L、Ar1 、Ar2 、Ar3 、R、n及m具有如上文所指之意義或如下文所指之意義， 　　三取代基係連結於1、2、3或4位置且p及o於各情況中係彼此獨立地表示0、1、2或3， 　　係較佳選擇用於該組成物。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物或者較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物中，Ar1 及Ar2 較佳於各情況中係彼此獨立地代表具有6至40個C原子的芳基(如前文所述或較佳所述)，其可經一或更多基團R3 取代。尤佳為，至少一Ar1 或Ar2 代表苯基且其他芳族取代基代表具有6至40個C原子的芳基，其可經一或更多基團R3 取代。尤佳為，至少一Ar1 或Ar2 代表苯基且其他芳族取代基代表苯基，其可經一或更多基團R3 取代。更佳地，兩基團Ar1 及Ar2 相同。更佳地，基團Ar1 及Ar2 皆代表苯基。 　　若式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物或者較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物中的Ar1 及Ar2 (如前文所述或較佳所述)表示芳基或雜芳基(其經一或更多基團R3 取代)，則取代基R3 較佳為在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：D，F或具有5至40個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統。就該/該等取代基R3 ，具有5至40個芳族環原子的雜芳族環系統較佳為衍生自二苯并呋喃或二苯并噻吩。就該/該等取代基R3 ，具有6至40個芳族環原子的芳族環系統較佳為苯基、聯苯基或聯三苯基，尤佳為苯基或[1,1',2',1"]-聯三苯-5'-基([1,1',2',1"]-terphenyl-5'-yl)。Ar1 及Ar2 中的芳基或雜芳基較佳於各情況中彼此獨立地為經R3 單取代 (monosubstituted)。Ar1 或Ar2 中的芳基或雜芳基尤佳為經R3 單取代。Ar1 及Ar2 中的芳基或雜芳基更佳為未經取代。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物或者較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物中，Y係選自O或S。Y尤佳為代表O。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物或者較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物中，n較佳為0或1，其中，R具有如上文所指之意義或如下文所指之意義。n尤佳為0。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物或或在較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物中，m較佳為0或1，其中R具有如上文所指之意義或如下文所指之意義。m尤佳為0。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物或者者在較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物中，n及m之總和，縮寫為(n+m)，較佳為0、1或2，其中R具有如上文所指之意義或如下文所指之意義。(n+m)尤佳為0或1。(n+m)更佳為0。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物或在較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物中，若n及m大於0或者n或m大於0，則取代基R較佳在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：D，F，具有1至40個C原子的烷基或具有5至40個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統。就此取代基R，具有5至40個芳族環原子的雜芳族環系統較佳為衍生自二苯并呋喃或二苯并噻吩。就此取代基R，具有6至40個芳族環原子的芳族環系統較佳為苯基、聯苯基(biphenyl)或聯三苯基(terphenyl)，尤佳為苯基或[1,1',2',1"]-聯三苯-5'-基。就此取代基R，具有1至40個C原子的烷基較佳為具有1至4個C原子的直鏈或支鏈烷基，尤佳為甲基、乙基、正丙基或正丁基，更佳為甲基。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物或者較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物中，L較佳在每次出現時相同地或不同地為單鍵或具有6至18個C原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多基團R3 取代。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物或者較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物中，L尤佳為具有6至18個C原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多基團R3 取代。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物或者較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物中，L更佳為具有6至18個C原子的芳族環系統，其可經一或更多基團R3 取代。R3 在此較佳為選自D或苯基所組成之群組。 　　具有6至18個C原子的芳族或雜芳族環系統較佳為選自L-1至L-40的連結基(linker)，其係未經取代或可經R3 取代(如前文所述)： 其中，W表示N-R0 、O、S或C(R0 )2 且R0 具有如前文所指或較佳所指之意義。W較佳為O或S。W尤佳為C(R0 )2 ，其中R0 尤佳為表示甲基或苯基。 　　具有6至18個C原子的芳族環系統以及因而連結基(linker)L係尤佳為選自伸苯基(phenylene)、伸萘基(naphthylene)、伸聯苯基(biphenylene)、伸菲基 (phenanthrenylene)或伸聯伸三苯基(triphenylenylene)，其中，與其他取代基的鍵結並無限制。具有6至18個C原子的芳族環系統尤其是伸苯基(phenylene)，其中，與其他取代基的鍵結並無限制。伸苯基(phenylene)在此可連結至二苯并呋喃/二苯并噻吩單元及咔唑單元，於鄰位、間位或對位。L為伸苯基(phenylene)較佳係連結於間位(meta position)。 　　L或連結基L-1至L-40中之一者較佳為未經取代。 在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物或者較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)或(1e)化合物中，L可連結於二苯并呋喃環或二苯并噻吩環之6、7、8或9位置。L(如前文所述或較佳所述)較佳為連結於二苯并呋喃環或二苯并噻吩環之6位置或8位置。L(如前文所述或較佳所述)尤佳為連結於二苯并呋喃環或二苯并噻吩環之8位置。 　　於此實施態樣中，若L連結於二苯并呋喃環或二苯并噻吩環之8位置，則式(1f)化合物，其中，Y、L、Ar1 、Ar2 、n及m具有如前文所指或較佳所指之意義，R具有如前文或下文所指之意義，三取代基係連結於1、2、3或4位置，Ar3 具有如前文所指或後文較佳所述之意義且p及o於各情況中彼此獨立地表示0、1、2或3， 　　係較佳選擇用於該組成物。 　　若L為單鍵，則式(1g)化合物，其中，Y、Ar1 、Ar2 、n及m具有如前文所指或較佳所指之意義，R具有如前文或下文所指之意義，三取代基係連結於1、2、3或4位置，Ar3 具有如前文所指或後文較佳所述之意義且p及o於各情況中彼此獨立地表示0、1、2或3， 　　係較佳選擇用於該組成物。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)或(1g)化合物或較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)或(1g)化合物中，L可鍵結至雜芳基(較佳為咔唑)，於任何所欲位置。L(如前文所述或較佳所述)較佳為連結於咔唑之3位置。 　　於此實施態樣中，式(1h)化合物，其中，Y、Ar1 、Ar2 、L、n及m具有如前文所指或較佳所指之意義，R具有如前文或下文所指之意義，三取代基係連結於1、2、3或4位置，Ar3 具有如前文所指或後文較佳所述之意義且p及o於各情況中彼此獨立地表示0、1、2或3， 　　係較佳選擇用於該組成物。 　　尤佳為所選擇式(1)化合物(如前文所述或較佳所述)對應於式(1i)，其中，Y、Ar1 、Ar2 、L、n及m具有如前文所指或較佳所指之意義，R具有如前文或下文所指之意義，Ar3 具有如前文所指或後文較佳所述之意義且p及o於各情況中彼此獨立地表示0、1、2或3。 　　尤佳為所選擇式(1)化合物(如前文所述或較佳所述)對應於式(1j)，其中，Y、Ar1 、Ar2 、L、n及m具有如前文所指或較佳所指之意義，R具有如前文或下文所指之意義，Ar3 具有如前文所指或後文較佳所述之意義且p及o於各情況中彼此獨立地表示0、1、2或3。 　　尤佳為所選擇式(1)化合物(如前文所述或較佳所述)對應於式(1k)，其中，Y、Ar1 、Ar2 、L、n及m具有如前文所指或較佳所指之意義，R具有如前文或下文所指之意義，Ar3 具有如前文所指或後文較佳所述之意義且p及o於各情況中彼此獨立地表示0、1、2或3。 　　尤佳為所選擇式(1)化合物(如前文所述或較佳所述)對應於式(1l)，其中，Y、Ar1 、Ar2 、L、n及m具有如前文所指或較佳所指之意義，R具有如前文或下文所指之意義，Ar3 具有如前文所指或後文較佳所述之意義且p及o於各情況中彼此獨立地表示0、1、2或3。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)、(1k)或(1l)化合物或者較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)、(1k)或(1l)化合物中，o較佳為0或1，其中，R具有如上文所指之意義或如下文所指之意義。o尤佳為0。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)、(1k)或(1l)化合物或者較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)、(1k)或(1l)化合物中，p較佳為0、1或2，其中，R於各情況中彼此獨立地具有如上文所指之意義或如下文所指之意義。p尤佳為0或1。p更佳為0。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)、(1k)或(1l)化合物或者較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)、(1k)或(1l)化合物中，若p大於0，則取代基R較佳在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：D，F，具有1至40個C原子的烷基或具有5至40個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統或者鍵結至相鄰碳原子之兩取代基R形成芳族或雜芳族環系統。於此R，具有5至40個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統較佳對應於Ar3 。Ar3 的較佳意義於下文描述。由兩取代基R形成之芳族或雜芳族環系統尤佳係對應於螺聯茀(spiro­bifluorene)。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)、(1k)或(1l)化合物或者較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)、(1k)或(1l)化合物中，若p大於0，則取代基R尤佳為在每次出現時相同地或不同地衍生自芳族或雜芳族環系統，來自基團咔唑、9-苯基咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、茀、聯三苯或螺聯茀，更佳為來自基團9-苯基咔唑及螺聯茀。 　　咔唑上之一起形成芳族或雜芳族環系統的兩取代基R較佳對應於式(A)，。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)、(1k)或(1l)化合物或者較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)、(1k)或(1l)化合物中，Ar3 較佳為選自具有6至40個芳族環原子的芳族環系統或具有10至40個芳族環原子的雜芳族環系統，其可經一或更多基團R3 取代，除了含有N之具有10至40個芳族環原子的雜芳族環系統。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)、(1k)或(1l)化合物或者較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)、(1k)或(1l)化合物中，Ar3 較佳為選自芳族或雜芳族環系統Ar-1至Ar-22， 其中，Y3 在每次出現時相同地或不同地表示O、S或C(R# )2 ，其中，R3 具有上文所給之意義或下文之較佳意義且虛線鍵結代表與N原子鍵結且其中R3 作為Ar3 之取代基不包含具有5至30個芳族環原子的雜芳族環系統。 　　基團R# 在每次出現時相同地或不同地為H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2 ，N(Ar)2 ，N(R2 )2 ，C(=O)Ar，C(=O)R2 ，P(=O)(Ar)2 ，P(Ar)2 ，B(Ar)2 ，Si(Ar)3 ，Si(R2 )3 ，具有1至20個C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至20個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基或具有2至20個C原子的烯基，其於各情況中可經一或更多基團R2 取代，其中一或更多非相鄰的CH2 基團可經R2 C=CR2 、Si(R2 )2 、C=O、C=S、C=NR2 、P(=O)(R2 )、SO、SO2 、NR2 、O、S或CONR2 置換且其中一或更多H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2 置換，具有5至40個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其於各情況中可經一或更多基團R2 取代，或具有5至40個芳族環原子的芳氧基或雜芳氧基，其可經一或更多基團R2 取代，或具有5至40個芳族環原子的芳烷基或雜芳烷基，其可經一或更多基團R2 取代；鍵結至相同碳原子或相鄰碳原子的兩取代基R# 可隨意地(optionally)形成單環或多環、脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多基團R2 取代。 　　Y3 較佳為O、S或C(CH3 )2 。Y3 尤佳為O。Y3 更佳為C(CH3 )2 。 　　結構Ar-1至Ar-22中的取代基R3 在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：H，D，F，CN，具有1至20個C原子的脂族烴基或具有6至30個芳族環原子的芳族環系統，其中一或更多H原子可經D、F、Cl、Br、I或CN置換且其可經一或更多各具有1至4個碳原子的烷基取代；二或更多相鄰的取代基R3 可彼此形成單環或多環脂族環系統。結構Ar-1至Ar-22中的取代基R3 較佳在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：H、F、CN、具有1至10個C原子的脂族烴基或具有6至30個芳族環原子的芳族環系統。結構Ar-1至Ar-22中的取代基R3 較佳為在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：H或具有6至30個芳族環原子的芳族環系統(如前文所述)，但較佳為二苯并呋喃、二苯并噻吩或螺聯茀。 　　兩取代基R及R3 (R具取代基於咔唑上且R3 為取代基於Ar3 上)亦可一起形成芳族或雜芳族環系統，其中彼等係透過連結基(linker)而相應地彼此連接，例如透過-O-、-S-或-C(R0 )2 -，其中，R0 具有如前文所指之意義或較佳意義，較佳係透過-O-或-C(CH3 )2 -。 　　結構Ar-1至Ar-22中的取代基R3 尤佳在每次出現時為H。 　　在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)、(1k)或(1l)化合物或者較佳所述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)、(1k)或(1l)化合物中，Ar3 尤佳為選自芳族或雜芳族環系統Ar-1、Ar-2、Ar-3、Ar-7、Ar-10、Ar-11、Ar-14、Ar-15、Ar-20、Ar-21及Ar-22，其中，取代基R3 及Y3 具有如前文所給或如較佳所述之意義。 　　尤其適合之化合物的實例(其係根據本發明選擇)為式(1f)、(1h)或(1i)化合物，其中，L具有較佳或尤佳所指之意義。 　　尤其適合之化合物的實例(其係根據本發明選擇)為式(1i)化合物，其中，L具有較佳或尤佳所指之意義。 　　適合之式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)、(1k)或(1l)化合物的實例(其係根據本發明選擇)為如下表1、2、3及4中所給之結構。 尤其適合之式(1)、(1b)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)或(1i)化合物(其係根據本發明選擇)為表5中之化合物1 至21 。用於根據本發明之組成物更尤其適合之化合物為式(1b)或(1i)化合物，其中，L具有較佳所述或尤佳所述意義中之一。 尤其適合之式(1)、(1a)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)或(1j)化合物(其係根據本發明選擇)為表6中之化合物23 至44 。 尤其適合之式(1)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)或(1k)化合物(其係根據本發明選擇)為表7中之化合物45 至66 。 尤其適合之式(1)、(1c)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)或(1l)化合物(其係根據本發明選擇)為表8中之化合物67 至88 。 式(1)化合物或較佳之式(1a)至(1l)化合物及化合物1 至88 的製備為熟習此技術領域者已知。可以熟習此技術領域者已知的合成步驟來製備化合物，諸如，例如，鹵化反應(halogenation)(較佳為溴化反應(bromination))，及後續的有機金屬偶合反應(organometallic coupling reaction)例如鈴木偶合(Suzuki coupling)、赫克偶合(Heck coupling)或哈特維希-布赫瓦爾德偶合(Hartwig-Buchwald coupling)。式(1)化合物或較佳之式(1a)至(1l)化合物及化合物1 至88 的製備可由特別是下列者獲知：WO 2015/169412，尤其是第63頁及第77至114頁的合成實例；以及WO 2011/057706，尤其是第92-94頁的合成實例。 　　式(1)或(1l)化合物的製備可根據以下流程圖1實施，其中，X、Y、Ar1 、Ar2 及Ar3 具有前文所指意義之一，流程圖1中的R表示具有1至4個C原子的烷基。。 　　式(1)或(1k)化合物的製備可根據以下流程圖2實施，其中，X、Y、Ar1 、Ar2 及Ar3 具有前文所指意義之一，流程圖2中的R 表示具有1至4個C原子的烷基。。 　　式(1)或(1j)化合物的製備可根據以下流程圖3實施，其中，X、Y、Ar1 、Ar2 及Ar3 具有前文所指意義之一，流程圖3中的R表示具有1至4個C原子的烷基。式(1)或(1i)化合物的製備可根據以下流程圖4實施，其中，X、Y、Ar1 、Ar2 及Ar3 具有前文所指意義之一，流程圖4中的R表示具有1至4個C原子的烷基。式(1)、(1b)或(1i)化合物的製備亦可根據以下流程圖5實施，其中，X、Y、Ar1 、Ar2 及Ar3 具有前文所指意義之一。。式(2)之電洞傳輸主體： 　　在本發明一實施態樣中，選擇式(2)化合物(如前所述)，其係用於與式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)、(1k)及(1l)化合物(如前文所述或較佳所述)組合，或與化合物1 至88 組合。 　　式(2)化合物中的符號X2 較佳代表兩次N，尤佳為一次N，而其餘基團X2 則代表CR1 ，其中，R1 於各情況中彼此獨立地具有上文所指之意義或下文較佳所指之意義。式(2)化合物中的X2 更佳為CR1 。 　　式(2)化合物，其中X2 在每次出現時相同地或不同地表示CR1 ，係由式(2a)所示，其中，R1 、Ar4 及Ar5 具有上文所給之意義或下文所述較佳意義，q及t於各情況中彼此獨立地表示0、1、2、3或4，r及s各情況中彼此獨立地表示0、1、2或3。 　　式(2a)化合物中，H係排除於取代基R1 的定義之外。此排除對應地適用於下文有q、t、s及r之所有式中。 　　因此，本發明進一步關於組成物(如上所述)，其中，式(2)化合物對應於式(2a)化合物。 　　於式(2)或(2a)化合物之一較佳實施態樣中，兩咔唑係在各情況中彼此連結於3位置。此實施態樣由式(2b)化合物所示，其中R1 、Ar4 及Ar5 具有上文所給之意義或下文所述較佳意義，q及t於各情況中彼此獨立地表示0、1、2、3或4，r及s於各情況中彼此獨立地表示0、1、2或3。 　　因此，本發明進一步關於組成物(如上所述)，其中，式(2)化合物式(2b)化合物。 　　於式(2)、(2a)或(2b)中，q較佳為0、1或2，其中，R1 具有如上文所指之意義或如下文所指之意義。q尤佳為0或1。q更佳為0。 　　式(2)、(2a)或(2b)化合物中，若q大於0，則取代基R1 較佳在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：D，F，具有1至40個C原子的烷基或具有5至40個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多基團R2 取代。於此R1 中具有5至40個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統較佳為衍生自苯、二苯并呋喃、二苯并噻吩、9-苯基咔唑、聯苯或聯三苯，其可經一或更多基團R2 取代。取代基[R1 ]q 的較佳位置為位置1、2、3或4或者位置1及4或1及3之組合，尤佳為1及3、2或3，更佳為3，其中，R1 具有前文所指較佳意義之一，q係大於0。[R1 ]q 中之尤佳取代基R1 為苯基及聯苯。 　　式(2)、(2a)或(2b)化合物中，r較佳為0、1或2，其中，R1 具有如上文所指之意義或如下文所指之意義。r尤佳為0或1，更佳為0。 　　式(2)、(2a)或(2b)化合物中，若r大於0，則取代基R1 較佳在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：D，F，具有1至40個C原子的烷基或具有5至40個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多基團R2 取代。於此R1 中之具有5至40個芳族環原子芳族或雜芳族環系統較佳為衍生自苯、二苯并呋喃、二苯并噻吩、9-苯基咔唑、聯苯及聯三苯，其可經一或更多基團R2 取代。取代基[R1 ]r 的較佳位置為位置1或2，尤佳為1，其中，R1 具有前文所指較佳意義之一，r係大於0。[R1 ]r 中之尤佳取代基R1 為苯基、9-苯基咔唑及9H-咔唑-9-基(9H-carbazol-9-yl)。 　　式(2)、(2a)或(2b)化合物中，s較佳為0、1或2，其中，R1 具有前文所指之意義或下文所指之意義。s尤佳為0或1，更佳為0。 　　式(2)、(2a)或(2b)化合物中，若s大於0，則取代基R1 較佳在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：D，F，具有1至40個C原子的烷基或具有5至40個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多基團R2 取代。於此R1 中之具有5至40個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統較佳為衍生自苯、二苯并呋喃、二苯并噻吩、9-苯基咔唑、聯苯或聯三苯，其可經一或更多基團R2 取代。取代基[R1 ]s 的較佳位置為位置1或2，尤佳為1，其中，R1 具有前文所指較佳意義之一，s係大於0。[R1 ]r 中之尤佳取代基R1 為苯基、9-苯基咔唑及9H-咔唑-9-基。 　　式(2)、(2a)或(2b)化合物中，t較佳為0、1或2，其中，R1 具有如上文所指之意義或如下文所指之意義。t尤佳為0或1。t更佳為0。 　　式(2)、(2a)或(2b)化合物中，若t大於0，則取代基R1 較佳在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：D，F，具有1至40個C原子的烷基或具有5至40個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多基團R2 取代。於此R1 中之具有5至40個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統較佳為衍生自苯、二苯并呋喃、二苯并噻吩、9-苯基咔唑、聯苯或聯三苯，其可經一或更多基團R2 取代。取代基[R1 ]q 的較佳位置為位置1、2、3或4或者位置1及4、1及3、1及2及3及4之組合，尤佳為1及3、2或3，更佳為2或3，其中，R1 具有前文所指較佳意義之一，t大於0。[R1 ]t 中之尤佳取代基R1 為苯基、聯苯及聯三苯。 　　取代基R2 較佳在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：D，F，Cl，Br，I，CN，NO2 ，N(Ar)2 ，NH2 ，N(R3 )2 ，C(=O)Ar，C(=O)H，C(=O)R3 ，P(=O)(Ar)2 ，具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至40個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基或具有2至40個C原子的烯基或炔基，其於各情況中可經一或更多基團R3 取代，或為具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其於各情況中可經一或更多基團R3 取代，或為具有5至60個芳族環原子的芳氧基或雜芳氧基，其可經一或更多基團R3 取代。取代基R2 於其出現時尤佳為如前所述之芳族或雜芳族環系統，較佳係選自下列群組：咔唑、9-苯基咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、茀、聯三苯或螺聯茀，更佳為衍生自二苯并呋喃。 　　在取代基R2 (如前所述)之一被取代基R3 取代的情況中，適用如前文所述或較佳所述之R3 的意義。 　　式(2)、(2a)或(2b)化合物中(如前所述)，Ar4 及Ar5 於各情況中彼此獨立地為具有6至40個芳族環原子的芳族環系統或具有10至40個芳族環原子的雜芳族環系統，其可經一或更多基團R3 取代，前提是Ar4 及Ar5 並不同時為苯基。基於所指之條件，根據本發明之組成物係不同於WO 2015/169412的組成物。 　　若根據本發明使用式(1f)、(1h)及(1i)化合物與式(2)、(2a)或(2b)化合物且式(1f)、(1h)及(1i)化合物中的L不代表單鍵，則除了前文所指之定義外，Ar4 及Ar5 皆可表示苯基。 　　就具有10至40個C原子的雜芳族環系統(其可經一或更多取代基R3 取代)而言，富含電子之環系統(electron-rich ring system)是尤佳的，其中該環系統(其隨意地(optionally)經R3 取代)較佳總共僅含有一個N原子或該環系統(其隨意地(optionally)經R3 取代)總共含有一或更多O及/或S原子。 　　式(2)、(2a)或(2b)化合物或較佳所述之式(2)、(2a)或(2b)化合物中，Ar4 及Ar5 較佳選自如上文所述之芳族或雜芳族環系統Ar-1至Ar-22，其中亦適用關於基團R# 、Y3 及R3 之註解，前提是Ar4 及Ar5 並不同時為苯基且較佳具有條件為Ar-12、Ar-13、Ar-14、Ar-15、Ar-20及Ar-21所示之雜芳族環系統(其隨意地(optionally)經R3 取代)總共僅含有一個N原子。 　　若根據本發明使用式(1f)、(1h)及(1i)化合物與式(2)、(2a)或(2b)化合物且式(1f)、(1h)及(1i)化合物中的L不代表單鍵，則除了前文所指之定義外，Ar4 及Ar5 皆可表示苯基。 　　於本發明之一較佳實施態樣中，選擇式(2)、(2a)或(2b)化合物，其中，取代基Ar4 及Ar5 中之一者表示具有6至40個芳族環原子的芳族環系統或具有10至40個芳族環原子的雜芳族環系統(其可經一或更多基團R3 取代)，而其他取代基表示具有6至40個芳族環原子的芳族環系統(其可經一或更多基團R3 取代)，前提是Ar4 及Ar5 並不同時為苯基。此前提並不適用於如前所述之其中L不代表單鍵的式(1f)、(1h)或(1i)化合物。 　　因此，本發明進一步關於如前文所述或較佳所述之組成物，其中，式(2)或(2a)或(2b)化合物中，取代基Ar4 及Ar5 中之一者表示具有6至40個芳族環原子的芳族環系統或具有10至40個芳族環原子的雜芳族環系統(其可經一或更多基團R3 取代)，且另一取代基表示具有6至40個芳族環原子的芳族環系統(其可經一或更多基團R3 取代)，前提是Ar4 及Ar5 並不同時為苯基。 　　於此實施態樣中，較佳為若一取代基Ar4 或Ar5 對應於如上文所述或較佳所述之結構Ar-1至Ar-22中之一者，而另一取代基對應於結構Ar-1至Ar-11或Ar-16至Ar-19或Ar-22中之一者，前提是Ar4 及Ar5 並不同時為苯基且較佳具以下條件：Ar-12、Ar-13、Ar-14、Ar-15、Ar-20及Ar-21所示之雜芳族環系統(其隨意地(optionally)經R3 取代)總共僅含有一個N原子。 　　本發明之一尤佳的實施態樣中，選擇式(2)、(2a)或(2b)化合物，其中取代基Ar4 及Ar5 於各情況中彼此獨立地表示具有6至40個芳族環原子的芳族環系統，其可經一或更多基團R3 取代，前提是Ar4 及Ar5 並不同時為苯基。 　　若Ar4 及Ar5 表示具有6至40個環原子的芳族環系統，則取代基R3 (於此實施態樣中存在時)較佳為芳族且不含有雜原子(heteroatom)。 　　因此，本發明進一步關於如前文所述或較佳所述之組成物，其中，式(2)或(2a)或(2b)化合物中，取代基Ar4 及Ar5 於各情況中彼此獨立地表示具有6至40個芳族環原子的芳族環系統(其可經一或更多基團R3 取代)，前提是Ar4 及Ar5 並不同時為苯基。 　　於此實施態樣中，較佳為若取代基Ar4 及Ar5 兩者於各情況中彼此獨立地對應於如前文所述或較佳所述之結構Ar-1至Ar-11或Ar-16至Ar-19或Ar-22中之一者，前提是Ar4 及Ar5 並不同時為苯基且較佳具以下條件：芳族環系統(其隨意地(optionally)經R3 取代)中之取代基R3 係選擇為使其不含有雜原子。 　　適合的式(2)、(2a)或(2b)化合物之實例(其係根據本發明選擇)為下表9中所示之結構。 尤其適合之式(2)、(2a)或(2b)化合物的實例(其係根據本發明選擇)為化合物89 至 101 (如前所述)。 　　式(2)化合物或較佳之式(2a)及(2b)化合物及表9之化合物的製備為熟習此技術領域者已知。可以熟習此技術領域者已知的合成步驟來製備化合物，諸如，例如，鹵化反應(較佳為溴化反應)，及後續的有機金屬偶合反應例如鈴木偶合(Suzuki coupling)、赫克偶合(Heck coupling)或哈特維希-布赫瓦爾德偶合(Hartwig-Buchwald coupling)。一些式(2)之雙咔唑(biscarbazole)為市售可得的(commercially available)。 　　式(2)化合物或較佳之式(2a)及(2b)化合物可根據例如流程圖6或流程圖7製備。 　　流程圖6，用於製備式(2)、(2a)或(2b)之不對稱雙咔唑(asymmetrical biscarbazole)：。 　　流程圖7，用於製備式(2)、(2a)或(2b)之對稱雙咔唑(symmetrical biscarbazole)(Ar1 及Ar2 為相同的且在流程圖中縮寫成Ar1 )：。 　　其他合成細節及其他文獻引證係於實驗部分說明。 　　上述式(1)、(1a)至(1l)之主體材料及其較佳所述之實施態樣或表1至8之化合物可根據本發明依所欲而與所述式(2)、(2a)及(2b)之主體材料及其較佳所述之實施態樣或表9之化合物進行組合。 　　用於根據本發明之組成物的式(1)之主體材料與式(2)之主體材料的尤佳混合物係藉由表5至8之化合物1 至88 與表9之化合物的組合而獲得。 　　式(1)之主體材料與式(2)之主體材料的更佳之混合物M1至M279係藉由表5之化合物1 至21 與表9之化合物89 至101 的組合而獲得，如下表10所示。 式(1)之主體材料與式(2)之主體材料的更佳之混合物M280至M565係藉由表6之化合物23 至44 與表9之化合物89 至101 的組合而獲得，如下表11所示。 式(1)之主體材料與式(2)之主體材料的更佳之混合物M566至M851係藉由表7之化合物45 至66 與表9之化合物89 至101 的組合而獲得，如下表12所示。 式(1)之主體材料與式(2)之主體材料的更佳之混合物M852至M1137係藉由表8之化合物67 至88 與表9之化合物89 至101 的組合而獲得，如下表13所示。 如前文所述或較佳所述之式(1)的電子傳輸主體在根據本發明之組成物中的濃度係於5重量%至90重量%的範圍，較佳係於10重量%至85重量%的範圍，更佳係於20重量%至85重量%的範圍，又更佳係於30重量%至80重量%的範圍，更特佳係於20重量%至60重量%的範圍，最佳係於30重量%至50重量%的範圍(以整體組成物為基準計)。 　　如前文所述或較佳所述之式(2)的電洞傳輸主體在組成物中的濃度係於10重量%至95重量%的範圍，較佳係於15重量%至90重量%的範圍，更佳係於15重量%至80重量%的範圍，又更佳係於20重量%至70重量%的範圍，更特佳係於40重量%至80重量%的範圍，最佳係於50重量%至70重量%的範圍(以整體組成物為基準計)。 　　如前文所述或較佳所述之式(2)的電洞傳輸主體在發光層(emitting layer)中的濃度較佳為於40%至45體積%的範圍(以發光層之所有成份為基準計)；如前文所述或較佳所述之式(1)的電子傳輸主體在發光層中的濃度較佳為於40%至45體積%的範圍(以發光層之所有成份為基準計)。 　　在發光層中的發射體濃度為小於10體積%的情況，式(2)之電洞傳輸化合物的體積比例較佳為高於式(1)的電子傳輸化合物(如前文所述或較佳所述)的體積比例(以發光層之所有成份為基準計)。式(2)之電洞傳輸化合物(如前文所述或較佳所述)的體積比例(proportion by volume)，於此實施態樣中，較佳為65至75%(以發光層之所有成份為基準計)。 　　在另一較佳的實施態樣中，根據本發明之組成物，除了作為電子傳輸主體或電子傳輸基質材料的至少一式(1)化合物(如前文所述或較佳所述)、及作為電洞傳輸主體或電洞傳輸基質材料的至少一式(2)化合物(如前文所述或較佳所述)，還可包含其他化合物，尤其是有機功能性材料(organic functional material)。於此實施態樣中，組成物較佳形成電子裝置中的有機層(如下文所述)。 　　因此，本發明亦關於組成物，該組成物除了上述材料之外還包含選自下列所組成之群組的至少一其他化合物：電洞注入材料(hole-injection material)、電洞傳輸材料(hole-transport material)、電洞阻擋材料(hole-blocking material)、寬能隙材料(wide bandgap material)、螢光發射體(fluorescent emitter)、磷光發射體、主體材料、電子阻擋材料(electron-blocking material)、電子傳輸材料(electron-transport material)及電子注入材料(electron-injection material)、n-摻雜劑(n-dopant)和p-摻雜劑(p-dopant)。熟習此技術領域者可無任何困難地由其已知的多種材料中選擇這些。 　　n-摻雜劑在此意指還原劑，即電子予體(electron donor)。n-摻雜劑之較佳實例為W(hpp)4 及根據WO 2005/ 086251 A2的其他富含電子之金屬錯合物、P=N化合物(例如WO 2012/175535 A1、WO 2012/175219 A1)、伸萘基碳二亞胺(naphthylenecarbodiimide)(例如WO 2012/168358 A1)、茀(例如WO 2012/031735 A1)、自由基和雙自由基(diradical)(例如EP 1837926 A1、WO 2007/107306 A1)、吡啶(例如 EP 2452946 A1、EP 2463927 A1)、N-雜環化合物(例如WO 2009/000237 A1)和吖啶(acridine)以及啡(phenazine)(例如US 2007/145355 A1)。 　　p-摻雜劑在此意指氧化劑，即電子受體(electron acceptor)。p-摻雜劑之較佳實例為F4 -TCNQ、F6 -TNAP、NDP-2(Novaled)、NDP-9(Novaled)、醌(quinone)(例如EP 1538684 A1、WO 2006/081780 A1、WO 2009/003455 A1、WO 2010/097433 A1)、軸烯(radialene)(例如 EP 1988587 A1、US 2010/102709 A1、EP 2180029 A1、WO 2011/ 131185 A1、WO 2011134458 A1、US 2012/223296 A1)、含S之過渡金屬錯合物(例如 WO 2007/134873 A1、WO 2008/ 061517 A2、WO 2008/061518 A2、DE 102008051737 A1、WO 2009/089821 A1、US 2010/096600 A1)、雙咪唑(bisimidazole)(例如WO 2008/138580 A1)、酞青素(phthalocyanine)(例如WO 2008/058525 A2)、硼四氮雜並環戊二烯(boratetraazapentalene)(例如WO 2007/115540 A1)、富勒烯(fullerene)(例如DE 102010046040 A1)以及主族鹵化物(main-group halide)(例如WO 2008/128519 A2)。 　　寬能隙材料(Wide bandgap material)在此意指US 7,294,849揭示內容之概念的材料，其特徵為至少3.5 eV之能隙，其中，能隙(bandgap)意指材料的HOMO與LUMO之間的能量差。 　　包含雙極性主體(bipolar host)及電子傳輸主體的根據本發明之組成物較佳另外包含至少一發光化合物或發射體，其中以磷光發射體特佳。 　　術語磷光發射體通常涵蓋透過從具相對高的自旋多重性(即自旋態＞ 1)之激發態的自旋禁止躍遷(spin-forbidden transition)而產生發光之化合物，例如透過從三重態或具更高自旋量子數(spin quantum number)之態(例如五重態(quintet state))的躍遷。此較佳意指從三重態躍遷。 　　適合的磷光發射體(=三重態發射體(triplet emitter))尤其是在適當激發時發光(較佳於可見光區)及另外含有至少一種原子序大於20(較佳為大於38及小於84，尤佳為大於56及小於80)之原子(尤其是具有此原子序的金屬)的化合物。所使用之磷光發射體較佳為含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪之化合物，尤其是含有銥或鉑之化合物。就本發明而言，含有上述金屬的所有發光化合物視為磷光化合物。 　　通常，適合的磷光錯合物為所有那些根據先前技術用於磷光OLED且為熟習有機電致發光裝置之領域者已知者。 　　所述發射體的實例揭露於以下申請案：WO 2016/ 015815、WO 00/70655、WO 2001/41512、WO 2002/ 02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373、US 2005/ 0258742、WO 2009/146770、WO 2010/015307、WO 2010/ 031485、WO 2010/054731、WO 2010/054728、WO 2010/ 086089、WO 2010/099852、WO 2010/102709、WO 2011/ 032626、WO 2011/066898、WO 2011/157339、WO 2012/ 007086、WO 2014/008982、WO 2014/023377、WO 2014/ 094961、WO 2014/094960、WO 2015/036074、WO 2015/ 104045、WO 2015/117718、WO 2016/015815、WO 2016/ 124304、WO 2017/032439、WO 2015/036074、WO 2015/ 117718及WO 2016/015815。 　　磷光發射體的較佳實例係示於下表14。 磷光多足發射體(phosphorescent polypodal emitter)之較佳實例係示於下表15。 在根據本發明之組成物中，各混合物 M1131, M1132, M1133, M1134, M1135, M1136或M1137較佳係與表14或15之化合物組合。 　　包含至少一磷光發射體的根據本發明之組成物較佳形成紅外線-、黃光-、橘光-、紅光-、綠光-、藍光-或紫外線-發射層，尤佳為黃光或綠光發射層，更佳為綠光發射層。 　　黃光發射層在此意指其光致發光最大值 (photoluminescence maximum)係在540至570 nm之範圍的層。橘光發射層意指其光致發光最大值係在570至600 nm之範圍的層。紅光發射層意指其光致發光最大值係在600至750 nm之範圍的層。綠光發射層意指其光致發光最大值係在490至540 nm之範圍的層。藍光發射層意指其光致發光最大值係在440至490 nm之範圍的層。層之光致發光在此係藉由在室溫下測量層厚度為50 nm的層之光致發光光譜(photoluminescence spectrum)而測定，其中，該層包含根據本發明的組成物，即，包含發射體及基質。 　　層之光致發光光譜係例如使用市售可得之光致發光光譜儀(photoluminescence spectrometer)來記錄。 　　所選擇之發射體的光致發光光譜通常係在10-5莫耳的無氧溶液(oxygen-free solution)中測量，其中，測量係在室溫下進行，且可使所選之發射體以所述濃度溶於其中的任何溶劑是適合的。尤其適合的溶劑通常為甲苯或2-甲基-THF，還有二氯甲烷。測量係使用市售可得之光致發光光譜儀進行。以eV計之三重態能量(triplet energy)T1 係從發射體之光致發光光譜測定。首先測定光致發光光譜之峰最大值(peak maximum)Plmax.(以奈米(nm)計)。接著根據下列以將峰最大值Plmax.(以nm計)轉換成以eV計：E(T1，以eV計)= 1240/E(T1，以nm計)= 1240/Plmax.(以nm計)。 　　因此，較佳的磷光發射體為紅外線發射體(infrared emitter)，較佳來自表14或15，其三重態能量T1 較佳為~1.9 eV至~1.0 eV。 　　因此，較佳的磷光發射體為紅光發射體(red emitter)，較佳來自表14或15，其三重態能量T1 較佳為~2.1 eV至~1.9 eV。 　　因此，較佳的磷光發射體為黃光發射體(yellow emitter)，較佳來自表14或15，其三重態能量T1 較佳為~2.3 eV至~2.1 eV。 　　因此，較佳的磷光發射體為綠光發射體(green emitter)，較佳來自表14或15，其三重態能量T1 較佳為~2.5 eV至~2.3 eV。 　　因此，較佳的磷光發射體為藍光發射體(blue emitter)，較佳來自表14或15，其三重態能量T1 較佳為~3.1 eV至~2.5 eV。 　　因此，較佳的磷光發射體為紫外線發射體 (ultraviolette Emitter)，較佳來自表14或15，其三重態能量T1 較佳為~4.0 eV至~3.1 eV。 　　因此，尤佳的磷光發射體為如前所述之綠光或黃光發射體(較佳來自表14或15)。 　　因此，更佳的磷光發射體為綠光發射體，較佳來自表14或15，其三重態能量T1 較佳為~2.5 eV至~2.3 eV。 　　更佳為選擇如前所述之綠光發射體(較佳來自表14或15)用於根據本發明的組成物或根據本發明的發光層。 　　較佳的螢光發射體(fluorescent emitter)係選自芳基胺(arylamine)類。就本發明之意義，芳基胺或芳族胺(aromatic amine)意指含有三個與氮直接鍵結的經取代或未經取代之芳族或雜芳族環系統的化合物。該等芳族或雜芳族環系統之至少一者較佳為縮合環系統(condensed ring system)，尤佳為具有至少14個芳族環原子。其較佳實例為芳族蒽胺(aromatic anthracenamine)、芳族蒽二胺(aromatic anthracenediamine)、芳族芘胺(aromatic pyrenamine)、芳族芘二胺(aromatic pyrenediamine)、芳族胺(aromatic chrysenamine)或芳族二胺(aromatic chrysenediamine)。芳族蒽胺意指其中一個二芳基胺基係與蒽基團直接鍵結(較佳於9位置)之化合物。芳族蒽二胺意指其中兩個二芳基胺基係與蒽基團直接鍵結(較佳於9、10位置)之化合物。芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族胺及芳族二胺係與其類似定義，其中二芳基胺基較佳於1位置或1、6位置與芘鍵結。其他較佳的螢光發射體為例如根據WO 2006/108497或WO 2006/122630之茚并茀胺(indenofluorenamine)或茚并茀二胺 (indenofluorenediamine)、例如根據WO 2008/006449之苯并茚并茀胺(benzoindenofluorenamine)或苯并茚并茀二胺(benzoindenofluorene­diamine)、及例如根據WO 2007/ 140847之二苯并茚并茀胺(dibenzoindeno­fluorenamine)或二苯并茚并茀二胺(dibenzoindenofluorenediamine)、以及在WO 2010/012328中揭示之含有縮合芳基之茚并茀(indenofluorene)衍生物。 　　在本發明另一較佳實施態樣中，根據本發明的組成物係用作為混合型基質系統(mixed-matrix system)之組分。混合型基質系統較佳包含三或四種不同的基質材料，尤佳為三種不同的基質材料(即除了根據本發明的組成物以外之其他基質組分)。可與根據本發明的組成物組合而用作為混合型基質系統的基質組分之特別適合的基質材料係選自寬能隙材料、電子傳輸材料(ETM)及電洞傳輸材料(HTM)。 　　混合型基質系統較佳用於磷光有機電致發光裝置中。混合型基質系統的更精確細節尤其提供於申請案WO 2010/108579。可與根據本發明的組成物組合而用作為磷光或螢光有機電致發光裝置中之混合型基質系統的基質組分之特別適合的基質材料係選自用於磷光發射體的下文所指之較佳基質材料或用於螢光發射體之較佳基質材料，其係取決於使用什麼類型的發射體。混合型基質系統較佳最適化(optimise)以用於表14或15之發射體。 　　除了上述根據本發明的組成物(尤佳包含選自M1至M1137之材料的混合物)以外，適合的其他主體材料(較佳用於螢光發射體)為各種類別的物質。較佳的其他主體材料係選自下列類別：寡聚伸芳基(oligoarylene)(例如根據EP 676461之2,2‘,7,7‘-四苯基螺聯茀(2,2‘,7,7‘- tetraphenylspirobifluorene)或二萘基蒽 (dinaphthylanthracene))(尤其是含有縮合芳族基團之寡聚伸芳基)，寡聚伸芳基伸乙烯基(oligoarylenevinylene)(例如根據EP 676461之DPVBi或螺-DPVBi (spiro-DPVBi))，多足金屬錯合物(polypodal metal com plex)(例如根據WO 2004/081017)，電洞傳導化合物(例如根據WO 2004/ 058911)，電子傳導化合物，尤其是酮、膦氧化物(phosphine oxide)、亞碸等(例如根據WO 2005/084081及WO 2005/084082)，構型異構物(atropisomer)(例如根據WO 2006/048268)，硼酸衍生物(例如根據WO 2006/117052)或苯并蒽(benzanthracene)(例如根據WO 2008/145239)。尤佳的基質材料係選自下列類別：含有萘、蒽、苯并蒽及/或芘之寡聚伸芳基或該等化合物之構型異構物，寡聚伸芳基伸乙烯基，酮，膦氧化物和亞碸。更佳的基質材料係選自下列類別：含有蒽、苯并蒽、苯并菲及/或芘之寡聚伸芳基或該等化合物之構型異構物。就本發明之意義，寡聚伸芳基意欲指其中至少三個芳基或伸芳基彼此鍵結之化合物。 　　除了上述根據本發明的組成物(尤佳包含選自M1至M1137之材料的混合物)以外，適合的其他基質材料(較佳用於磷光發射體)為各種類別的物質。較佳的其他基質材料係選自下列類別：例如根據US 2005/0069729之芳族胺(尤其是三芳胺)，咔唑衍生物(例如CBP、N,N-雙咔唑基聯苯(N,N-biscarbazolylbiphenyl))或根據WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851之化合物，例如根據WO 2011/088877及WO 2011/128017之橋連咔唑衍生物(bridged carbazole derivative)，例如根據WO 2010/136109及WO 2011/000455之茚并咔唑(indenocarbazole)衍生物，例如根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160之氮雜咔唑(azacarbazole)衍生物，例如根據WO 2007/063754或WO 2008/056746之吲哚并咔唑(indolocarbazole)衍生物，例如根據WO 2004/093207或WO 2010/006680之酮，例如根據WO 2005/003253之膦氧化物物(phosphine oxide)，亞碸和碸，寡聚伸苯基(oligophenylene)，例如根據WO 2007/ 137725之雙極性基質材料(bipolar matrix material)，例如根據WO 2005/111172之矽烷，例如根據WO 2006/117052之氮硼呃(azaborole)或硼酸酯(boronic ester)，例如根據WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746之三衍生物，例如根據EP 652273或WO 2009/062578之鋅錯合物(zinc complex)，鋁錯合物(例如BAlq)，例如根據WO 2010/054729之二氮矽呃(diazasilole)及四氮矽呃(tetraazasilole)衍生物，例如根據WO 2010/054730之二氮磷呃(diazaphosphole)衍生物，以及鋁錯合物(例如BAlQ)。 　　根據本發明一另外的實施態樣，除了電子傳輸主體及電洞傳輸主體之成分以外，組成物不包含其他成分，即，功能性材料。此實施態樣涉及材料混合物其係如此地用於有機層之製造。該系統亦如所知為預混合系統(premix system)，其係用作為氣相沉積(vapour deposition)時之唯一材料來源。此使得能以簡單且快速的方式達成具更均勻之組份分布的層之氣相沉積，無需非得精確控制多樣材料來源。 　　因此，本發明進一步關於由式(1)、(1a)至(1l)化合物或選自1 至88 之化合物以及式(2)、(2a)、(2b)化合物或選自89 至101 之化合物所組成之組成物。 　　如前文所述或較佳所述之根據本發明的組成物適用於有機電子裝置。有機電子裝置在此意指含有包含至少一有機化合物之至少一層的裝置。然而，裝置亦可含有無機材料或亦有完全由無機材料所構成之層。 　　因此，本發明進一步關於如前文所述或較佳所述之組成物(尤其是選自M1至M1137之混合物)於有機電子裝置之用途。 　　組成物之組份或成分可藉由氣相沉積(vapour deposition)或由溶液來加工。若組成物係由溶液來施加，則根據本發明的組成物之調配物需要包含至少一另外的溶劑。該等調配物可為例如溶液、分散液或乳液。出於此目的，可能較佳為使用二或更多溶劑之混合物。 　　因此，本發明進一步關於包含根據本發明之組成物及至少一溶劑的調配物(formulation)。 　　合適及較佳的溶劑為例如：甲苯，苯甲醚(anisole)，鄰-、間-或對-二甲苯，苄酸甲酯，(mesitylene)，四氫萘(tetralin)，藜蘆素(veratrol)，THF，甲基-THF，THP，氯苯，二㗁烷(dioxane)，苯氧基甲苯(phenoxytoluene)(尤其是3-苯氧基甲苯(3-phenoxytoluene))，(-)-葑酮，1,2,3,5-四甲基苯，1,2,4,5-四甲基苯，1-甲基萘，2-甲基苯并噻唑，2-苯氧基乙醇，2-吡咯啶酮，3-甲基苯甲醚，4-甲基苯甲醚，3,4-二甲基苯甲醚，3,5-二甲基苯甲醚，乙醯苯(acetophenone)，α-萜品醇(α-terpineol)，苯并噻唑，苄酸丁酯，異丙苯(cumene)，環己醇，環己酮，環己基苯，十氫萘，十二烷基苯，苄酸乙酯，二氫茚(indane)，苄酸甲酯，NMP，對-異丙甲苯(p-cymene)，苯乙醚(phenetol)，1,4-二異丙基苯(1,4-diisopropylbenzene)，二苄基醚(dibenzyl ether)，二乙二醇丁基甲醚(diethylene glycol butyl methyl ether)，三乙二醇丁基甲醚(triethylene glycol butyl methyl ether)，二乙二醇二丁醚(diethylene glycol dibutyl ether)，三乙二醇二甲醚(triethylene glycol dimethyl ether)，二乙二醇單丁醚(diethylene glycol monobutyl ether)，三丙二醇二甲醚(tripropylene glycol dimethyl ether)，四乙二醇二甲醚(tetraethylene glycol dimethyl ether)，2-異丙基萘(2-isopropylnaphthalene)，戊基苯，己基苯，庚基苯，辛基苯，1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷(1,1-bis(3,4-dimethylphenyl)ethane)、六甲基二氫茚(hexamethylindane)或該等溶劑之混合物。 　　調配物在此亦可包含同樣也用於電子裝置之至少一另外的有機或無機化合物(尤其是發射化合物(emitting compound)，特別是磷光發射體)及/或另外的基質材料。適合的發射化合物及另外的基質材料已於上文提及。 　　本發明亦關於根據本發明之組成物於有機電子裝置中之用途，較佳係於電子傳輸層及/或發光層中。 　　有機電子裝置較佳選自：有機積體電路(OIC)、有機場效電晶體(OFET)、有機薄膜電晶體(OTFT)、有機電致發光裝置、有機太陽能電池(OSC)、有機光學檢測器和有機感光器(organic photoreceptor)，其中以有機電致發光裝置(organic electroluminescent device)特佳。 　　關於根據本發明的組成物之用途，更佳的有機電致發光裝置為有機發光電晶體(organic light-emitting transistor，OLET)、有機場淬滅裝置(organic field-quench device，OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC、LEC、LEEC)、有機雷射二極體(O-雷射)以及有機發光二極體(OLED)，特佳為OLEC及OLED，最佳為OLED。 　　如前文所述或較佳所述之根據本發明的組成物較佳用於電子裝置之具有電子傳輸功能之層中。該層較佳為電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)、電洞阻擋層(HBL)及/或發光層(emission layer)(EML)，尤佳為ETL、EIL及/或EML。根據本發明的組成物尤佳為用於EML中，尤其是作為基質材料。 　　因此，本發明更進一步關於有機電子裝置，其尤其是選自上文所述電子裝置中之一者且其較佳於發光層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)及/或電洞阻擋層(HBL)中(更佳於EML、EIL及/或ETL中，特佳於EML中)含有如前文所述或較佳所述之根據本發明的組成物。 　　就發光層(emitting layer)而言，此尤佳為磷光層，其特徵在於除了如前文所述或較佳所述之組成物以外，其亦包含磷光發射體，尤其是連同表14或15的發射體或如前文所述之較佳的發射體。 　　在本發明一尤佳的實施態樣中，電子裝置因此為有機電致發光裝置(更佳為有機發光二極體(OLED))，其含有如前文所述或較佳所述之根據本發明的組成物與磷光發射體一起於發光層(EML)中。 　　根據本發明的組成物，根據較佳實施態樣及發射化合物，較佳包含99.9至1體積%(% by vol.)、更佳為99至10體積%、尤佳為98至60體積%、特佳為97至80體積%的基質材料，該基質材料包含至少一式(1)化合物及至少一式(2)化合物(根據較佳實施態樣)(以包含發射體及基質材料之整體組成物為基準計)。對應地，組成物較佳包含0.1至99體積%、更佳為1至90體積%、尤佳為2至40體積%、特佳為3至20體積%的發射體(以包含發射體及基質材料之整體組成物為基準計)。若化合物係由溶液加工，則較佳使用以重量%計之對應量代替以體積%計的上述之量。 　　除了陰極、陽極及包含根據本發明的組成物之層以外，電子裝置亦可包含其他的層。於各情況中，該等係選自例如一或更多的電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、電子阻擋層、激子阻擋層(exciton-blocking layer)、中間層、電荷產生層(charge-generation layer)(IDMC 2003, Taiwan; Session 21 OLED(5), T. Matsumoto, T. Nakada, J. Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J. Kido,Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer) 及/或有機或無機p/n接面(p/n junction)。然而，應陳明該等層各者不一定必須存在。 　　在有機電致發光裝置中的層順序較佳如下：陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極。 　　此層順序為一較佳順序。 　　在此應再陳明不是所有的該等層都必須存在，及/或可另外有其他的層存在。 　　含有根據本發明的組成物之有機電致發光裝置可包含多個發光層。在此例中，該等發光層尤佳為總共具有多個380 nm至750 nm的最大發光(emission maxima)，使整體結果為白光發射，即，將能夠發螢光或磷光且發射藍光或黃光或橘光或紅光的各種發射化合物用於發光層中。尤佳者為三層系統，即，具有三個發光層之系統，其中三個層展現藍光、綠光以及橘光或紅光發射(基本結構參見例如WO 2005/011013)。應陳明，就產生白光而言，一種個別使用的以寬波長範圍發光之發射體化合物亦可適於代替發有色光的多種發射體化合物。 　　可用於根據本發明的有機電致發光裝置之電洞注入層或電洞傳輸層或電子阻擋層中或電子傳輸層中之適合的電荷傳輸材料為例如Y. Shirota et al., Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010中揭示之化合物或或依照先前技術用於該等層中的其他材料。 　　可用於電子傳輸層之材料為所有根據先前技術用作為電子傳輸層中的電子傳輸材料之材料。特別適合的為鋁錯合物(aluminium complex)例如Alq3 、鋯錯合物例如Zrq4 、苯并咪唑衍生物、三衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡𠯤衍生物、喹啉衍生物、喹啉衍生物、二唑衍生物、芳族酮、內醯胺、硼烷、二氮磷呃衍生物以及膦氧化物衍生物。其他適合的材料為上文提及之化合物的衍生物，如揭示於JP 2000/053957、WO 2003/060956、WO 2004/028217、WO 2004/080975及WO 2010/072300。 　　較佳的電洞傳輸材料尤其為可用於電洞傳輸層、電洞注入層或電子阻擋層中的材料，諸如茚并茀胺衍生物(indenofluorenamine)衍生物(例如根據WO 06/122630或WO 06/100896)、EP 1661888揭露之胺衍生物、六氮雜聯伸三苯(hexaazatriphenylene)衍生物(例如根據WO 01/049806)、含有縮合芳族環之胺衍生物(例如根據US 5,061,569)、WO 95/09147揭示之胺衍生物、單苯并茚并茀胺 (monobenzoindenofluorenamine)(例如根據WO 08/006449)、二苯并茚并茀胺(dibenzoindenofluorenamine)(例如根據WO 07/140847)、螺聯茀胺(spirobifluorenamine)(例如根據WO 2012/034627或尚未公開之EP 12000929.5)、茀胺(fluorenamine)(例如根據WO 2014/015937、WO 2014/ 015938及WO 2014/015935)、螺二苯并吡喃胺 (spirodibenzopyranamine)(例如根據WO 2013/083216)以及二氫吖啶(dihydroacridine)衍生物(例如WO 2012/150001)。 　　其他適合的電洞傳輸材料為以下化合物： 電子裝置之陰極較佳包括具有低功函數(low work function)之金屬、金屬合金或包含各種金屬(諸如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素)(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)之多層結構。亦適合者為包含鹼金屬或鹼土金屬與銀之合金，例如包含鎂與銀之合金。就多層結構(multilayered structure)而言，除了所述金屬外，亦可使用具有相對高功函數之其他金屬，諸如Ag或Al，在此例子中，通常使用金屬的組合，諸如Ca/Ag、Mg/Ag或Ba/Ag。亦可較佳的是在金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常數之材料的薄中間層。適於此目的為，例如，鹼金屬氟化物或鹼土金屬氟化物，還有對應之氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li2 O、BaF2 、MgO、NaF、CsF、Cs2 CO3 ,等)。此外，可就此目的使用喹啉酸鋰(lithium quinolinate)(LiQ)。此層的層厚度較佳為0.5至5 nm。 　　陽極較佳包含具有高功函數之材料。陽極較佳具有相對於真空為大於4.5 eV之功函數。一方面，適於此目的者為具有高氧化還原電位之金屬，諸如Ag、Pt或Au。另一方面，金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiOx 、Al/PtOx )亦可為較佳的。對一些應用而言，電極中之至少一者必須為透明或部分透明，以助於有機材料之照射(有機太陽能電池)或取光(coupling-out of light)(OLED、O-雷射)。較佳的陽極材料在此為導電性混合型金屬氧化物(conductive mixed metal oxide)。尤其較佳者為銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。此外，又較佳者為導電性摻雜型有機材料(conductive，doped organic material)，尤其是導電性摻雜型聚合物(conductive doped polymer)。此外，陽極亦可由多個層所組成，例如內層ITO及外層金屬氧化物(較佳為氧化鎢、氧化鉬或氧化釩)。 　　製造期間，有機電子裝置係適當地結構化(structured) (取決於應用)、具備接點且最終密封，因為根據本發明的裝置在水及/或空氣的存在下會使壽命縮短。 　　在另一較佳實施態樣中，含有根據本發明之組成物的有機電子裝置之特徵在於利用昇華法(sublimation process)來施加包含根據本發明之組成物的一或更多有機層，其中，材料係在真空昇華單元中以低於10-5 mbar、較佳為低於10-6 mbar之初始壓力(initial pressure)藉由氣相沉積(vapour deposition)來施加。然而，在此亦可用甚至更低的初始壓力，例如低於10-7 mbar。 　　較佳者還有有機電致發光裝置，特徵在於，利用OVPD(有機氣相沉積(organic vapour phase deposition))方法或輔以載體氣體昇華法(carrier-gas sublimation)來施加一或更多層，其中，材料係於10-5 毫巴(mbar)至1巴(bar)的壓力施加。此方法的一特別例子為OVJP(有機蒸氣噴射印刷(organic vapour jet printing))方法，其中，材料係直接經由噴嘴施加且因而結構化(例如 M. S. Arnoldet al. ,Appl. Phys. Lett. 2008 ,92 , 053301)。 　　另外較佳者為有機電致發光裝置，特徵在於，一或更多層係由溶液製造諸如，例如藉由旋塗(spin coating)、或利用任何所欲印刷方法諸如，例如網版印刷(screen printing)、快乾印刷(flexographic printing)、噴嘴印刷(nozzle printing)或平版印刷(offset printing)，但尤佳為LITI(光誘致熱成像(light induced thermal imaging)、熱轉移印刷(thermal transfer printing))或噴墨印刷(ink-jet printing)。為此目的需要根據本發明的組成物之組份的可溶性化合物。可透過對應化合物之適當取代而達成高溶解度。由溶液加工(processing from solution)之優點為包含根據本發明的組成物之層可以非常簡單且不貴的方式來施加。此技術特別適於有機電子裝置之批量製造(mass production)。 　　亦有可能為混合方法(hybrid process)，其中，例如一或更多層係由溶液施加以及一或更多其他的層係以氣相沉積法(vapour deposition)施加。 　　該等方法通常為熟習此技術領域者所周知的且可用於有機電致發光裝置。 　　因此，本發明進一步關於含有如前文所述或較佳所述之根據本發明的組成物之有機電子裝置之製法，其特徵在於至少一包含根據本發明的組成物之有機層係以氣相沈積法(gas-phase deposition)來施加(尤其藉由昇華方法及/或利用OVPD(有機氣相沉積)方法及/或輔以載體氣體昇華法)施加、或由溶液來施加(尤其藉由旋塗或利用印刷方法)。 　　對利用氣相沈積法來製造有機電子裝置而言，基本上有兩可能性，關於如何使意欲包含根據本發明的組成物且可包含多個不同成分之有機層可施加或氣相沉積在任何所欲基板上。一方面，所使用的材料可各存在於一材料來源中且最終蒸發出各種材料來源(「共蒸發(co-evaporation)」)。另一方面，各種材料可預混合且混合物可存在於單一材料來源中，最終係由彼蒸發(「預混物蒸發(premix evaporation)」)。這使得能以簡單且快速的方式達成具更均勻之組份分布的層之氣相沉積而無需精確控制多種必要的材料來源。 　　因此，本發明進一步關於一種方法，其特徵在於：至少一式(1)化合物(如前文所述或較佳所述)、及至少一式(2)化合物(如前文所述或較佳所述)係相繼或同時從至少兩材料來源(隨意地(optionally)與另外的材料(如前文所述或較佳所述))氣相沉積且形成有機層。 　　於本發明一較佳實施態樣中，至少一有機層係利用氣相沈積法施加，其中，將組成物之成分預混合且由單一材料來源蒸發。 　　因此，本發明進一步關於一種方法，其特徵在於：根據本發明的組成物(如前文所述或較佳所述)係用作為氣相沈積之材料來源且形成有機層(隨意地(optionally)與另外的材料)。 　　本發明進一步關於含有根據本發明的組成物(如前文所述或較佳所述)之有機電子裝置的製法，其特徵在於使用如上文所述之根據本發明的調配物以施加有機層。 　　根據本發明的組成物或根據本發明的裝置因下列超越先前技術之驚人優點而與其有所區隔： 　　在有機電子裝置中(尤其在有機電致發光裝置中，且尤其在OLED或OLEC中)使用根據本發明的組成物，獲致顯著增加的裝置壽命。 　　如下文所示實施例1中可見，透過使用根據先前技術之化合物，例如化合物V1(在EML中的平均發射體濃度為10%)，可達到良好的電壓及效率。然而，組件壽命短。 　　透過根據本發明之式(1)化合物(如前文所述)與式(2)化合物(如前文所述)的組合達成在具相當的組件電壓(component voltage)及相當(comparable)或改進的組件效率(component efficiency)下之壽命改良(大於2倍)。 　　此在具相當的組件電壓及相當或改進的組件效率下之壽命改良(約大於2倍)的達成可較佳係透過根據本發明之式(1)化合物(如前文所述)與式(2)化合物(如前文所述)的組合，發光層中之發射體濃度為2至15重量%。 　　此優點之證實，就式(1)化合物代表性地，可透過使用化合物1 (縮寫為CbzT1)與雙咔唑(biscarbazole)89 (縮寫為BisC2)或90 (縮寫為BisC3)，於實施例E1及E2，發射體濃度(emitter concentration)為12%。 　　即使是較低的(在EML中，僅7%)發射體濃度(這通常會使OLED壽命下降)，根據本發明之組合所獲致之壽命，相較於先前技術，仍有顯著改進。此之證實，就式(1)化合物代表性地，可透過使用化合物1 (縮寫為CbzT1)與雙咔唑(biscarbazole)89 (縮寫為BisC2)或90 (縮寫為BisC3)，於實施例E3及E4中，以及，透過使用化合物9 、13 或15 與雙咔唑(biscarbazole)91 ，於實施例E5、E6及E7中(分別具有發射體濃度為7%)。 　　化合物9(代表的式(1)、(1f)、(1h)及(1i)化合物)與根據本發明之式(2)化合物(如前文所述)組合，展現最佳結果。 　　亦，就式(1)化合物代表性地，透過使用化合物69 與雙咔唑(biscarbazole)91 於實施例E8(具有發射體濃度為7%)中獲得證實。 　　與比較例之差異在於式(2)之雙咔唑中的取代基Ar4 及Ar5 之電子結構，彼等不同時為苯基。熟習此技術領域者無法預料到：較高的電子密度，取代基Ar4 及Ar5 中至少一者為具有10至40個環原子(尤其是12至40個環原子)的芳族環系統、或為具有10至40個環原子的富含電子之雜芳族環系統，可獲致改良的氣相沉積特性(vapour-deposition behaviour)且因此達成電子裝置(尤其是OLED)之壽命改良。改良變得明顯，因為與先前技術相比，壽命增加了，尤其約大於1.5倍、尤其約大於2倍、更尤其是2至3倍。 　　不欲受理論束縛，認為所選取代基Ar4 及Ar5 之結合(conjugation)亦具有影響。因為若將苯基改成聯苯，此結合亦有改良，且裝置會展現如前文所述之有利性質。若將聯苯改成雜芳族環系統如例如二苯并呋喃、二苯并噻吩或咔唑，則系統會因經由O原子、S原子或N原子之橋連(bridging)而平面化(planarise)且該結合又更改良。因此該優點亦可於使用富含電子之雜芳族環系統時達成之。 　　與先前技術之其他差異在於選擇特定式(1)化合物，其中該連結基L表示具有6至18個C原子的芳族環系統，於此，壽命又再驚人的改良了。 　　與先前技術之化合物(如前所述)相較，根據本發明之組成物極高度適用於發光層中且展現改良之性能數據，尤其是壽命。 　　根據本發明之組成物可容易地處理，因而極高度適用於商業用途之批量製造(mass production)。 　　根據本發明之組成物可預混合之及以單一材料來源氣相沉積，因此能以簡單且快速的方式製造所用組份均勻分布(uniform distribution)之有機層。 　　上述這些優點並未伴隨有對電子裝置之其他電性質的損害。 　　應陳明，本發明中所述之實施態樣的變化係落於本發明之範疇內。除非明確排除，否則本發明所揭示之各特徵係可以用於相同、相當或類似目的之其他特徵置換之。因此，除非另有陳述，否則本發明中所揭示之各特徵應視為大類之一實例或視為相當的或類似的特徵。 　　除非某些特徵及/或步驟相互排斥，否則本發明的所有特徵可以任何方式彼此組合。本發明之較佳特徵尤其如此。同樣地，可獨立(且非組合)使用非基本組合之特徵。 　　本發明揭示之技術作為的教示可予以抽取及與其他實例組合。 　　本發明係以下列實施例更詳細說明，但並未意欲藉此對其造成限制。
一般方法：軌域能量及電子態之測定 材料的HOMO和LUMO能量及三重態能階和單態能階係透過量子化學計算法(quantum-chemical calculation)測定。本案為此使用「Gaussian09, Revision D.01」套裝軟體(Gaussian Inc.)。為了計算無金屬之有機物質(以「org.」方法表示)，首先使用半實驗性方法(semi-empirical method)AM1(高斯輸入列(Gaussian input line)「# AM1 opt」)、電荷(charge) 0且多重性(multiplicity) 1，來進行幾何最優化(geometry optimisation)。隨後基於最優化幾何(optimised geometry)進行電子基態及三重態能階之能量計算(單點(single point))。在此使用TDDFT(時間依賴性密度泛函理論(time dependent density functional theory))方法B3PW91，以6-31G(d)基組(6-31G(d)base set)(高斯輸入列「# B3PW91/6-31G(d)td=(50-50,nstates=4)」)(電荷0，多重性1)。針對有機金屬化合物(以「org.-m」方法表示)，係使用哈崔-佛克法(Hartree-Fock method)及LanL2MB基組(高斯輸入列「# HF/LanL2MB opt」)(電荷0，多重性1)進行幾何最優化。能量計算之進行，如前所述，係類似於針對有機物質者，差別在於「LanL2DZ」基組係用於金屬原子且「6-31G(d)」基組係用於配位基(高斯輸入列「#B3PW91/gen pseudo=lanl2 td=(50-50,nstates=4)」)。能量計算給出HOMO，為經兩個原子佔據之最終軌域(last orbital)(α occ.特徵值(Alpha occ. eigenvalues))；及LUMO，為第一未佔據軌域(α virt.特徵值(alpha virt. eigenvalues))(以哈崔單位(hartree unit))，其中，HEh及LEh分別代表以哈崔單位計之HOMO能量及以哈崔單位計之LUMO能量。參照循環伏安法量測(cyclic voltammetry measurement)校準之HOMO及LUMO值(以電子伏特計)係由此定之如下： 　　HOMO(eV)=(HEh*27.212)*0.8308-1.118； 　　LUMO(eV)=(LEh*27.212)*1.0658-0.5049。 　　材料之三重態T1係定義為具有源於量子化學能量計算的最低能量之三重態的相對激發能量(relative excitation energy)(以eV計)。 　　單重態能階S1係定義為具有源於量子化學能量計算的第二最低能量之單重態的相對激發能量(以eV計)。 　　具最低能量的單重態稱為S0。 　　本文所述之方法無關於所使用之套裝軟體且總是給出相同的結果。出於此目的而常使用之程式的實例為「Gaussian09」(Gaussian Inc.)及Q-Chem 4.1(Q-Chem, Inc.)。在本案中，「Gaussian09, Revision D.01」套裝軟體係用於能量計算。 實施例1：OLED 之製造 於OLED中使用之根據本發明的材料組合呈示於以下的實施例E1至E10a(參見表16)。實施例 E1-E10a 的預處理： 在塗佈前，將塗有結構化ITO(銦錫氧化物)，50 nm厚，的玻璃板先以氧電漿(oxygen plasma)處理，接著以氬電漿(argon plasma)。該等經電漿處理之玻璃板形成要應用OLED之基板。 　　OLED基本上具有下列的層結構：基板/電洞注入層(HIL)/電洞傳輸層(HTL)/電子阻擋層(EBL)/發光層(EML)/隨意的(optional)電洞阻擋層(HBL)/電子傳輸層(ETL)/隨意的電子注入層(EIL)及最後的陰極。陰極係由厚度為100 nm的鋁層所形成。OLED之精確結構顯示於表16中。製造OLED所需之材料顯示於表17中。OLED之數據列於表18中。實施例V1為根據WO 2015/169412之比較例，實施例E1至E10a顯示根據本發明之OLED的數據。實施例E5、E10及E10a顯示根據本發明之較佳OLED。 　　所有的材料係在真空室(vacuum chamber)中以熱氣相沉積法(thermal vapour deposition)施加。發光層在此總是由至少一種基質材料(主體材料)(於本發明之概念為至少二種基質材料)及發射摻雜劑(emitting dopant)(發射體)所組成，該發射摻雜劑係藉由共蒸發(co-evaporation)而以特定的體積比例與基質材料摻合。如CbzT1:BisC1:TEG1 (45%:45%:10%)之表示在此意指材料CbzT1係以45%之體積比例存在於層中，BisC1係以45%之比例存在於層中及TEG1係以10%之比例存在於層中。類似地，電子傳輸層亦可由兩種材料之混合物組成。 　　OLED係以標準方法定性。基於此目的，測定電致發光光譜(electroluminescence spectra)、電流效率(current efficiency)(CE，測量為cd/A)及外部量子效率(external quantum efficiency)(EQE，測量為%)(為發光密度(luminous density)之函數)(計算自電流/電壓/發光密度特徵線(current/voltage/luminous density characteristic line)，採朗伯發射特徵(assuming Lambert emission characteristic))，且測定壽命。電致發光光譜係於1000 cd/m²之發光密度測定且由此計算CIE 1931 x及y色座標(colour coordinate)。在表18中的用語U1000表示1000 cd/m²發光密度所需之電壓。CE1000及EQE1000分別表示在1000cd/m²達成的電流效率及外部量子效率。 　　壽命(lifetime)LT所定義之時間為在那之後發光密度(於固定電流密度j0 操作)便由初始發光密度(initial luminous density)下降至特定比例L1。表18中的表述L1=80%意指欄位LT所示之壽命所對應之時間為在那之後發光密度便下降至其初始值(initial value)的80%。在 OLED 中使用根據本發明之混合物 根據本發明的材料組合可用於磷光OLED的發光層中。根據本發明之化合物CbzT1(對應於化合物1 )與BisC2(對應於化合物89 )或BisC3(對應於化合物90 )的組合係於實施例E1至E4中用作為發光層中的基質材料。根據本發明之化合物9 、13 及15 (於各例中)與化合物91 的組合係於實施例E5、E5a、E6、E7、E10及E10a中用作為發光層中的基質材料。根據本發明之化合物69 與化合物91 的組合係於實施例E8中用作為發光層中的基質材料。 實施例2：合成化合物1 (CbzT1)a)6- 溴 -2- 氟 -2'- 甲氧基聯苯 (6-Bromo-2-fluoro-2'-methoxybiphenyl) 200 g(664 mmol)之1-溴-3-氟-2-碘苯(1-bromo-3-fluoro-2-iodobenzene)、101 g(664 mmol)之2-甲氧基苯基硼酸(2-methoxy­phenylboronic acid)及137.5 g(997 mmol)之四硼酸鈉係溶於1000 ml的THF及600 ml的水中且除氣。添加9.3 g(13.3 mmol)之氯化雙(三苯基膦)鈀(II)(bis (triphenylphosphine)palladium(II)chloride)及1 g(20 mmol)之氫氧化(hydrazinium hydroxide)。反應混合物隨後於70℃在保護氣氛(protective-gas atmosphere)下攪拌48 h。將甲苯添加至冷卻的溶液中，其係以水清洗數次，乾燥，且蒸發之。產物係以管柱層析法(column chroma­tography)(矽膠，使用甲苯/庚烷(1:2))進行純化。產率(yield)：155 g(553 mmol)，83%之理論值。b)6'- 溴 -2'- 氟聯苯 -2- 醇 (6'-Bromo-2'- fluorobiphenyl-2-ol) 112 g(418 mmol)之6-溴-2-氟-2'-甲氧基聯苯係溶於2 l之二氯甲烷中且冷卻至5℃。在90 min.(分鐘)過程中將41.01 ml(431 mmol)之三溴化硼(boron tribromide)逐滴添加至此溶液且持續攪拌整夜。接著將水緩慢添加至此混合物，有機相係以水清洗三次，於Na2 SO4 乾燥且於旋轉蒸發器(rotary evaporator)中蒸發，產物係以層析法進行純化。產率：104 g(397 mmol)，98%之理論值。c)1- 溴二苯 并呋喃 (1-Bromodibenzofuran) 111 g(416 mmol)之6'-溴-2'-氟聯苯-2-醇係溶於2 l的SeccoSolv® DMF(max. 0.003%之H2 O)中且冷卻至5℃。將20 g(449 mmol)之氫化鈉(60%懸浮液，於石蠟油(paraffin oil)中)添加至此溶液，再持續攪拌20 min.。完成添加後，接著使混合物於100℃加熱45 min.。冷卻後，將500 ml乙醇緩慢添加至該混合物，混合物於旋轉蒸發器中蒸發，產物隨後以層析法進行純化。產率：90 g(367 mmol)，88.5%之理論值。d) 二苯并呋喃 -1- 硼酸 (Dibenzofuran-1-boronic acid) 180 g(728 mmol)之1-溴二苯并呋喃係溶於1500 ml的乾THF(dry THF)且冷卻至-78℃。305 ml(764 mmol/2.5 M，於己烷中)之正丁基鋰(n-butyllithium)係以約5 min.之過程於此溫度下添加，混合物隨後於-78℃再攪拌2.5 h(小時)。151 g(1456 mmol)之硼酸三甲酯(trimethyl borate)係於此溫度下儘可能快速地添加，使反應混合物緩慢回到室溫(約18 h)。以水清洗反應溶液，沈澱固體及有機相係與甲苯共沸乾燥(dried azeotropically)。粗產物(crude product)係於約40℃藉由以甲苯/二氯甲烷攪拌洗滌且以抽吸(suction)過濾出。產率：146 g(690 mmol)，95%之理論值。e)2- 二苯并呋喃 -1- 基 -4,6- 聯苯 -1,3,5- 三 (2-Dibenzofuran-1-yl-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 23 g(110.0 mmol)之二苯并呋喃-1-硼酸、29.5 g(110.0 mmol)之2-氯-4,6-聯苯-1,3,5-三及21 g(210.0 mmol)之碳酸鈉係懸浮於500 ml的乙二醇二胺醚(ethylene glycol damine ether)及500 ml的水中。於此懸浮液添加913 mg(3.0 mmol)之三鄰甲苯基膦(tri-o-tolylphosphine)及接著為112 mg(0.5 mmol)的乙酸鈀(II)(palladium(II)acetate)，反應混合物於回流(reflux)下加熱16 h。冷卻之後，分離出有機相(organic phase)，經由矽膠(silica gel)過濾，以200 ml水清洗三次，隨後蒸發至乾燥。所餘物從甲苯以及從二氯甲烷/庚烷再結晶(recrystallise)。產率為37 g(94 mmol)，對應於87%之理論值。f)2-(8- 溴二苯并呋喃 -1- 基 )-4,6- 聯苯 -1,3,5- 三 (2-(8-Bromodibenzofuran-1-yl)-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 70 g(190.0 mmol)之2-二苯并呋喃-1-基-4,6-聯苯-1,3,5-三係懸浮於2000 ml的乙酸(100%)及2000 ml的硫酸(95-98%)中。將34 g(190 mmol)之NBS逐份添加至此懸浮液，混合物於黑暗中攪拌2 h。接著添加水/冰，分離出固體且用乙醇潤洗。所餘物從甲苯再結晶。產率為80 g(167 mmol)，對應於87%之理論值。g)3-[9-(4,6- 聯苯 -1,3,5- 三 -2- 基 ) 二苯并呋喃 -2- 基 ]-9- 苯基 -9H- 咔唑 (-[9-(4,6-Diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl) dibenzofuran-2-yl]-9-phenyl-9H-carbazole) 75 g(156 mmol)之2-(8-溴二苯并呋喃-1-基)-4,6-聯苯-1,3,5-三、50 g(172 mmol)之N-苯基咔唑-3-硼酸 [854952-58-2]及36 g(340 mmol)之碳酸鈉係懸浮於1000 ml的乙二醇二胺醚(ethylene glycol diamine ether)及280 ml的水中。將1.8 g(1.5 mmol)之四(三苯基磷)鈀(0)(tetrakis (triphenylphosphine)palladium(0))添加至此懸浮液，反應混合物於回流下加熱16 h。冷卻之後，分離出有機相，經由矽膠(silica gel)過濾，以200 ml水清洗三次，隨後蒸發至乾燥。產物係以管柱層析法(矽膠，使用甲苯/庚烷(1:2))進行純化，接著於高真空(high vacuum)(p = 5 x 10-7 mbar)昇華(純度99.9%)。產率為50 g(78 mmol)，對應於50%之理論值。 　　以下化合物可類似地製備之。在此，純化亦可利用管柱層析法實施，或是其他常見溶劑諸如正庚烷、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、N,N-二甲基甲醯胺、四氫呋喃、乙酸乙酯、乙酸正丁酯或1,4-二烷可用於再結晶(recrystallisation)或熱萃取(hot extraction)。 實施例3：化合物89 (BisC2)及90 (BisC3)之合成 　　化合物89 可由文獻獲知且可以US 20150001488之類似方式製備。 　　化合物90 可由文獻獲知且可以Physical Chemistry Chemical Physics, 17(37), 2015, 24468-24474之類似方式製備。 實施例4： 　　以下化合物可以實施例2g)之類似方式製備。在此，純化亦可利用管柱層析法實施，或是其他常見溶劑諸如正庚烷、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、N,N-二甲基甲醯胺、四氫呋喃、乙酸乙酯、乙酸正丁酯或1,4-二烷可用於再結晶 (recrystallisation)或熱萃取(hot extraction)。 實施例5： 　　A) 　　溴中間物(bromine intermediate)之製備類似於實施例2f)，由2-(二苯并[b,d] 呋喃-3-基)-4,6-聯苯-1,3,5-三(2-(dibenzo[b,d]furan-3-yl)-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine)[1651203-47-2]起始。產率83%。B) 　　以下化合物可以實施例2g)之類似方式製備。在此，純化亦可利用管柱層析法實施，或是其他常見溶劑諸如正庚烷、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、N,N-二甲基甲醯胺、四氫呋喃、乙酸乙酯、乙酸正丁酯或1,4-二烷可用於再結晶或熱萃取。 實施例6： 　　以下化合物可以實施例2g)之類似方式製備。在此，純化亦可利用管柱層析法實施，或是其他常見溶劑諸如正庚烷、丁醇、丙酮、乙酸乙酯、乙腈、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、甲醇、N,N-二甲基甲醯胺、四氫呋喃、乙酸乙酯、乙酸正丁酯或1,4-二烷可用於再結晶或熱萃取。

Claims (19)

  1. 一種包含至少一式(1e)化合物以及至少一式(2)化合物之組成物
    Figure 107122748-A0305-02-0249-1
    Figure 107122748-A0305-02-0249-2
     其中下列者適用於所使用的符號及標記：X2 在每次出現時相同地或不同地為CR1或N；Y 係選自O或S；L 在每次出現時相同地或不同地為具有5至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多基團R3取代；Ar1，Ar2 於各情況中在每次出現時彼此獨立地為具有5至40個芳族環原子的芳基或雜芳基，其 可經一或更多基團R3取代；Ar3 為具有6至40個芳族環原子的芳族環系統或具有10至40個芳族環原子的雜芳族環系統，其可經一或更多基團R3取代；Ar4及Ar5 於各情況中彼此獨立地為具有6至40個芳族環原子的芳族環系統或具有10至40個芳族環原子的雜芳族環系統，其可經一或更多基團R3取代，前提是Ar4及Ar5不可同時為苯基；R，R1 在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar)2，N(R2)2，C(=O)Ar，C(=O)R2，P(=O)(Ar)2，P(Ar)2，B(Ar)2，Si(Ar)3，Si(R2)3，具有1至20個C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至20個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基或具有2至20個C原子的烯基，其於各情況中可經一或更多基團R2取代，其中一或更多非相鄰的CH2基團可經R2C=CR2、Si(R2)2、C=O、C=S、C=NR2、P(=O)(R2)、SO、SO2、NR2、O、S或CONR2置換且其中一或更多H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換，具有5至40個芳族環原子的芳 族或雜芳族環系統，其於各情況中可經一或更多基團R2取代，或具有5至40個芳族環原子的芳氧基或雜芳氧基，其可經一或更多基團R2取代，或具有5至40個芳族環原子的芳烷基或雜芳烷基，其可經一或更多基團R2取代；R2 在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar)2，NH2，N(R3)2，C(=O)Ar，C(=O)H，C(=O)R3，P(=O)(Ar)2，具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫烷基或具有3至40個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或硫烷基或具有2至40個C原子的烯基或炔基，其於各情況中可經一或更多基團R3取代，其中一或更多非相鄰的CH2基團可經HC=CH、R3C=CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR3、P(=O)(R3)、SO、SO2、NH、NR3、O、S、CONH或CONR3置換且其中一或更多H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO2置換，具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其於各情況中可經一或更多基團R3取代，或具有5至60個芳族環原子的芳氧基或雜芳氧基，其可經一或更多基團R3取代，或該等系統之組合，其中二或更多相鄰的取代基R2可隨意地(optionally)形成單環或多環之 脂族、芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多基團R3取代；R3 在每次出現時相同地或不同地選自下列所組成之群組：H，D，F，CN，具有1至20個C原子的脂族烴基或具有5至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其中一或更多H原子可經D、F、Cl、Br、I或CN置換且其可經一或更多各具有1至4個碳原子的烷基取代；二或更多相鄰的取代基R3可彼此形成單環或多環脂族環系統；Ar 在每次出現時相同地或不同地為具有5至30個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其可經一或更多非芳族基團R3取代；鍵結至相同N原子、P原子或B原子的兩基團Ar亦可藉由單鍵或選自N(R3)、C(R3)2、O或S的橋(bridge)而彼此橋連(bridged)，以及n及m，彼此獨立地表示0、1、2或3，且p及o於各情況中彼此獨立地表示0、1、2或3。
  2. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中，式(1e)化合物對應於式(1a)、(1b)、(1c)或(1d)，
    Figure 107122748-A0305-02-0253-3
    Figure 107122748-A0305-02-0253-4
    Figure 107122748-A0305-02-0253-5
    Figure 107122748-A0305-02-0253-6
     其中所用之符號及標記具有如申請專利範圍第1項中的意義；以及X為N。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之組成物，其中，式(2)化合物對應於式(2a)，
    Figure 107122748-A0305-02-0254-7
     其中所用之符號及標記具有如申請專利範圍第1項中的意義，q及t於各情況中彼此獨立地表示0、1、2、3或4，以及r及s於各情況中彼此獨立地表示0、1、2或3。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之組成物，其中，取代基Ar4或Ar5中之一者表示具有6至40個芳族環原子的芳族環系統或具有10至40個芳族環原子的雜芳族環系統，其可經一或更多基團R3取代，以及其他取代基表示具有6至40個芳族環原子的芳族環系統，其可經一或更多基團R3取代，且前提是Ar4及Ar5不可同時為苯基。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之組成物，其中，取代基Ar4及Ar5於各情況中彼此獨立地表示具有6至40個芳族環原子的芳族環系統，其可經一或更多基團R3取代，且前提是Ar4及Ar5不可同時為苯基。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之組成物，其中，L係選自L-1至L40，其係未經取代或可經R3取代，
    Figure 107122748-A0305-02-0255-8
    Figure 107122748-A0305-02-0256-9
     其中W為O、S或C(R0)2且C(R0)2中的R0為甲基或苯基。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之組成物，其中，該組成物包含選自下列所組成之群組的至少一其他化合物：電洞注入材料、電洞傳輸材料、電洞阻擋材料、寬能隙材料 (wide bandgap material)、螢光發射體、磷光發射體、主體材料、電子阻擋材料、電子傳輸材料及電子注入材料、n-摻雜劑及p-摻雜劑。
  8. 一種調配物，其包含如申請專利範圍第1至7項中任一項之組成物以及至少一溶劑。
  9. 一種如申請專利範圍第1至7項中任一項之組成物於有機電子裝置中之用途。
  10. 如申請專利範圍第9項之用途，其中，該有機電子裝置係選自以下群組：有機積體電路(OIC)、有機場效電晶體(OFET)、有機薄膜電晶體(OTFT)、有機電致發光裝置、有機太陽能電池(OSC)、有機光學檢測器以及有機感光器。
  11. 一種有機電子裝置，其含有至少一種如申請專利範圍第1至7項中任一項之組成物。
  12. 如申請專利範圍第11項之裝置，其中，其係選自以下群組：有機積體電路(OIC)、有機場效電晶體(OFET)、有機薄膜電晶體(OTFT)、有機電致發光裝置、有機太陽能電池(OSC)、有機光學檢測器以及有機感光器。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之裝置，其中，其為選自下列之電致發光裝置：有機發光電晶體(OLET)、有機場淬滅裝置(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC、LEC、LEEC)、有機雷射二極體(O-雷射)以及有機發光二極體(OLED)。
  14. 如申請專利範圍第11或12項之裝置，其中，其係於發光層(EML)、於電子傳輸層(ETL)、於電子注入層(EIL)及/或於電洞阻擋層(HBL)中含有如申請專利範圍第1至7項中任一項之組成物。
  15. 如申請專利範圍第11或12項之裝置，其中，其係於發光層中含有如申請專利範圍第1至7項中任一項之組成物以及連同磷光發射體。
  16. 一種製造如申請專利範圍第11至15項中任一項之裝置的方法，其特徵在於，包含如申請專利範圍第1至7項中任一項之組成物的至少一有機層係藉由氣相沉積或由溶液而施加。
  17. 如申請專利範圍第16項之方法，其中，如申請專利範圍第1至7項中之一項所述的至少一式(1e)化合物及至少一式(2)化合物係相繼或同時地由至少兩材料來源，隨意地和其他材料，而氣相沉積，且形成該有機層。
  18. 如申請專利範圍第16項之方法，其中，如申請專利範圍第1至7項中任一項之組成物係作為用於氣相沉積之材料來源且形成該有機層。
  19. 如申請專利範圍第16項之方法，其中，係使用如申請專利範圍第8項之調配物以施加該有機層。
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