TWI756373B - 曝光裝置、曝光裝置之動作方法及基板黏附防止膜 - Google Patents

Abstract

在防止高黏著性的基板黏附於載台時，能避免發生基板的形狀缺陷、垃圾排放，減少運轉成本上的負擔，且使安裝、更換變容易，對於基板的位置偏移也能有效地對應。

樹脂製的基板黏附防止膜(1)，係在與載台(2)之各基板用真空吸附孔(21)對應的位置具有基板吸附孔(11)，且配置成覆蓋載台(2)之基板載置區域(R)的狀態。載台(2)內的感測器(3)，是檢測設置於基板黏附防止膜(1)之標記(12)的偏移。當基板黏附防止膜(1)發生位置偏移的情況，基板(W)的搬入動作中止。基板黏附防止膜(1)是通過膜用真空吸附孔(25)而被真空吸附於載台(2)。

Description

曝光裝置、曝光裝置之動作方法及基板黏附防止膜

本發明是關於在各種製品的製造步驟中之基板的操作，特別是關於在載台(platen)上載置基板而進行操作的技術。

在各種製品的製造中，經常操作作為基礎的板狀構件(本發明中總稱為基板)。基板包含：像印刷基板、液晶基板那樣在最終製品中仍存留的情況、在製造過程被除去而不存留的情況。

在操作如此般的基板之製造步驟，基板經常被載置於稱為載台之構件的表面。在本發明中，載台是用於載置基板之台狀構件的總稱。

例如，用於在基板形成微細形狀的光微影中，是使用對基板照射既定圖案的光而將基板曝光之曝光裝置。曝光裝置具備有載台，對於載台上所載置的基板，使用遮罩(mask)等來照射既定圖案的光。

[專利文獻1]日本特開2001-133986號公報

在具備上述般載台的裝置中，基板可能黏附於載台，而發生要從載台將基板移除的作業等變困難的問題。作為一例，在形成有微細電路之印刷基板，抗焊膜(solder resist)等之高黏著性的被膜可能會形成於基板的表面。被膜大多在與載台接觸之基板的背面也會形成，當載置於載台時，很容易因黏著力而發生黏附。在此情況，當處理結束後要將基板從載台移除時，可能變得無法移除，或因勉強拉開而使被膜剝落。當被膜剝落時可能發生：在該部分產生形狀缺陷、剝落的被膜碎片成為垃圾等的問題。

考慮到這樣的問題點，在操作表面黏著性高的基板之裝置所採用的構造，是將經由氟系塗料被覆(coating)等之非黏著性處理後的金屬板安裝於載台，並在其上方載置基板。

然而，經由非黏著性處理後的金屬板，因為表面硬度較低，若長期間使用可能發生：其表面的非黏著層剝落、被緊壓於基板邊緣的結果而形成凹陷、溝槽的問題。若在金屬板的表面非黏著層形成有凹陷、溝槽，其等可能轉印到基板側，而使製品的外觀減損、性能降低。因此，金屬板必須在一定程度的期間使用後就更換。然而，這種經由表面處理後的金屬板價格高，運轉成本上的負擔大。

此外，基板經常必須載置於高平坦性的表面，因此具有高平坦性的表面之載台成為必需的。關於這點，經由非黏著性表面處理後的金屬板，其平坦性大多不佳，對於高平坦性的載台之表面，大多採用一邊用螺絲鎖固等的手段矯正一邊進行固定的方法。因此，安裝、更換很麻煩，造成作業性差。

考慮到這樣的問題，應可取代經由非黏著性處理後的金屬板，而使用在PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜等的樹脂膜實施非黏著性處理者。然而，依據發明人的研究得知，因為這種樹脂膜無法進行螺絲鎖固，必須用真空吸附等的方法固定於載台，固定有可能不夠充分，而容易在載台上發生偏移。若樹脂膜偏移，其上方的基板也會發生位置偏移，在進行曝光處理等之要求高位置精度的處理的情況，容易成為不良品的原因。

本發明是為了解決上述習知技術的問題而開發完成的，其目的在於，縱使是在操作黏著性高的基板的情況，仍能避免在載台上黏附基板，縱使在此情況，仍能避免發生基板的形狀缺陷、垃圾排放。此外，其目的在於，減少運轉成本上的負擔，且使安裝、更換變容易，對於基板的位置偏移也能有效地對應。

為了解決上述問題，請求項1所記載的發明是一種基板黏附防止膜，係覆蓋用於載置待處理的基板的 載台之基板載置區域，其在與載台之基板用真空吸附孔對應的位置具有用於將基板真空吸附之基板吸附孔，且在偏離基板吸附孔的位置設置用於檢測相對於載台的位置偏移之標記。

此外，為了解決上述問題，請求項2所記載的發明，是在前述請求項1的構成中，前述基板吸附孔是比前述載台所具有的前述基板用真空吸附孔更小。

此外，為了解決上述問題，請求項3所記載的發明，是在前述請求項1的構成中，前述基板吸附孔是比前述載台所具有的前述基板用真空吸附孔更大。

此外，為了解決上述問題，請求項4所記載的發明是一種載台，係被前述請求項1至3中任一項所記載的基板黏附防止膜覆蓋基板載置區域，其具有：將基板進行真空吸附之基板用真空吸附孔、及將基板黏附防止膜進行真空吸附之膜用真空吸附孔，基板用真空吸附孔和膜用真空吸附孔連通於彼此不同的系統的排氣路徑。

此外，為了解決上述問題，請求項5所記載的發明是一種基板搬運方法，係將基板搬運到被前述請求項1至3中任一項所記載的基板黏附防止膜覆蓋住基板載置區域之載台，在進行基板的搬運前利用感測器檢查前述標記是否發生偏移，當發生偏移的情況將搬運中止。

此外，為了解決上述問題，請求項6所記載的發明，是在前述請求項5的構成中，在進行基板的搬運前檢查前述膜用真空吸附孔是否閉鎖，當未閉鎖的情況將搬運中 止。

如以下所說明，依據請求項1所記載的基板黏附防止膜，由於在與載台之基板用真空吸附孔對應的位置具有用於將基板真空吸附之基板吸附孔，縱使為了防止基板的黏附而將載台的基板載置區域覆蓋住時，仍不致阻礙基板的真空吸附。此外，由於在偏離基板吸附孔的位置設置用於檢測相對於載台的位置偏移之標記，可藉由檢測標記的偏移來檢測防止膜的位置偏移。

此外，依據請求項2所記載的基板黏附防止膜，除了上述效果以外，由於基板吸附孔比載台的基板用真空吸附孔更小，可獲得縱使基板的背面柔軟的情況仍不容易留下痕跡的效果。

此外，依據請求項3所記載的基板黏附防止膜，除了上述效果以外，由於基板吸附孔比載台的基板用真空吸附孔更大，可獲得偏移容許度變大的效果。

此外，依據請求項4所記載的載台，由於基板用真空吸附孔和膜用真空吸附孔連通於彼此不同的系統之排氣管，能夠與基板之吸附保持動作獨立地進行防止膜之真空吸附。

此外，依據請求項5所記載的基板搬運方法，由於利用感測器檢查標記是否發生偏移，當發生偏移的情況將搬運中止，可防範無法進行真空吸附卻將基板載置於載台的 錯誤發生於未然。

此外，依據請求項6所記載的發明，除了上述效果以外，由於一邊確認基板黏附防止膜正被真空吸附於載台一邊將基板搬運，可防止因載置基板時的反彈造成基板黏附防止膜偏移的問題。

1:基板黏附防止膜

11:基板吸附孔

12:標記

2:載台

21:基板用真空吸附孔

22:基板用連通路徑

23:基板用排氣管

24:基板用開閉閥

25:膜用真空吸附孔

26:膜用連通路徑

27:膜用排氣管

28:膜用開閉閥

29:貫通孔

3:感測器

4:光照射單元

5:搬運系統

6:控制器

W:基板

R:基板載置區域

圖1係實施形態的基板黏附防止膜、及使用該基板黏附防止膜之實施形態的載台之立體概略圖。

圖2係顯示基板黏附防止膜的使用狀態之前視剖面概略圖。

圖3係實施形態的基板黏附防止膜、及作為載台的使用例之曝光裝置的前視概略圖。

圖4係顯示組裝於控制器的順序程式的概略之流程圖。

圖5(1)~(3)係顯示圖3的曝光裝置的動作之概略圖。

圖6(A)~(B)係顯示對應於基板吸附孔的尺寸之技術意義的前視剖面概略圖。

接下來，針對用於實施本發明的形態(以下稱為實施形態)做說明。

圖1係實施形態的基板黏附防止膜、及使用該基板黏 附防止膜的實施形態之載台的立體概略圖。圖2係顯示基板黏附防止膜的使用狀態之前視剖面概略圖。

圖1及圖2所示的基板黏附防止膜1，係覆蓋用於載置待處理的基板之載台2的基板載置區域。該基板黏附防止膜(以下簡稱為防止膜)1，是PET等的透明樹脂製，厚度為50~350μm左右。

載台2，在本實施形態呈方形的台狀，是在上表面載置基板。所載置的基板也假定為方形，因此基板載置區域呈方形。基板載置區域是指，在載台2的上表面中，所載置的基板所占的區域。也有可能載置尺寸形狀不同的基板，而將最大的基板所占的區域設為基板載置區域。圖1中，將基板載置區域R用虛線表示。

如圖1所示般，防止膜1也呈方形，具有比基板載置區域R更大的尺寸。但防止膜1具有比載台2的上表面更小的尺寸。

此外，載台2，是將所載置的基板進行真空吸附而讓其位置固定。如圖1所示般，在載台2之基板載置區域R形成有基板用真空吸附孔21。複數個基板用真空吸附孔21是隔著均等的間隔設置。各基板用真空吸附孔21是通過設置於載台2內之基板用連通路徑22而連接於基板用排氣管23。基板用排氣管23是與未圖示的真空泵相連，在基板用排氣管23設有基板用開閉閥24。

如圖1所示般，防止膜1也具有複數個孔11。孔11是用於將基板真空吸附的孔，以下稱為基板吸附孔。 在防止膜1覆蓋載台2之基板載置區域R的狀態下，基板吸附孔11設置在與載台2之基板用真空吸附孔21對應的位置。亦即，防止膜1之基板吸附孔11是以與載台2之基板用真空吸附孔21相同數量且相同配置的方式設置。在本實施形態，基板用真空吸附孔21設置成與載台2的輪廓相同方向之縱橫棋盤格狀。防止膜1之基板吸附孔11也設呈棋盤格狀，且以與載台2之基板用真空吸附孔21同間隔的方式設置在相同位置。

如此般的防止膜1，相對於載台2是被真空吸附而位置是固定的，可發揮防止基板黏附的功能。亦即，載台2具有：用於將防止膜1真空吸附之真空吸附孔(以下稱為膜用真空吸附孔)25。

基板用真空吸附孔21和膜用真空吸附孔25是連通於彼此不同系統的排氣管。在載台2連接著與基板用排氣管23不同的膜用排氣管27。如圖2所示般，在載台2內形成有與基板用連通路徑22不同的膜用連通路徑26，膜用連通路徑26是將膜用真空吸附孔25與膜用排氣管27連接。在膜用排氣管27設有膜用開閉閥28。

如此般的防止膜1，考慮到可能在載台2上發生的偏移而設有標記12。

標記12，在本實施形態設有複數個。具體而言，如圖1所示般，標記12設置於方形的各角部。各標記12呈圓形，在本實施形態成為將光反射的反射部。可使用將黑、銀等顏色的反射部藉由印刷、成膜等的方法而形成者，來 作為各標記12。

另一方面，為了判斷防止膜1是否發生位置偏移，載台2係具備用於檢測各標記12的偏移之感測器3。如圖2所示般，在載台2設有貫通孔29，感測器3設置於貫通孔29。作為感測器3，在本實施形態是使用光纖感測器。光纖感測器，是在光纖的前端具備光出射部及光入射部，藉由捕捉所射出的光之反射光來進行對象物(在此為標記12)的檢測。

貫通孔29及感測器3的配置位置，是位於當防止膜1被配置在正確位置時面對各標記12的位置。例如，如圖1所示般，防止膜1的方形輪廓中心和載台2之上表面的方形輪廓中心位於同一鉛直線上，各方形的邊分別為相同方向的位置及姿勢正確的位置。亦即，在本實施形態中，「偏移」也包含旋轉方向的偏移。當配置於該位置時，來自光纖感測器3的光經由標記12反射回來而被捕捉，藉此檢測出標記12。亦即，貫通孔29及感測器3設置於：與防止膜1之四個標記12所形成的方形相同形狀尺寸的方形之角部的位置。

接下來，針對本實施形態之防止膜1及載台2的使用例做說明。實施形態的防止膜1及載台2，可在用於操作基板之各種裝置中使用，在以下的說明，作為一例是舉出用於將基板曝光之曝光裝置。

圖3係作為實施形態之防止膜1及載台2的使用例之曝光裝置的前視概略圖。圖3所示的曝光裝置係具備：載台 2、對載台2上所載置的基板W照射既定圖案的光而進行曝光之光照射單元4、以及將基板W搬入載台2且在曝光後將基板W從載台2搬出之搬運系統5。

光照射單元4，是按照曝光方式而選擇搭載適宜者。圖3的例子是成為接觸方式，光照射單元4係具備：與基板W相同程度的大小之遮罩41、讓載台2上所載置的基板W密合於遮罩41之載台驅動機構20、以及通過遮罩41進行既定圖案的光照射之照射光學系統42等。遮罩41成為藉由框架411保持的狀態。近接方式的情況，除了遮罩驅動機構將遮罩配置在靠近基板W的位置以外，基本上是與接觸方式相同。投影曝光方式的情況，光照射單元構成為，讓透過遮罩後的光在基板W上成像之投影光學系統。此外也能採用：使用DMD(數位微鏡裝置)等的空間光調變元件將照射圖案不透過遮罩而直接形成之DI(直接成像)曝光方式。

作為搬運系統5，在圖3的例子，是輸送機51,52和搬運手臂53,54的組合。輸送機51,52及搬運手臂53,54的組件，是隔著載台2設置於搬入側及搬出側。各搬運手臂53,54係具備：在下側將基板W藉由真空吸附予以保持之吸附墊531,541。在各搬運手臂53,54附設：讓保持著基板W之搬運手臂沿水平方向及上下方向移動之手臂驅動機構530,540。

曝光裝置係具備：配置於載台2之未圖示的對準手段。對準手段係包含：拍攝在載台2上所配置的基 板W的對準標記之攝像機、根據對準標記的拍攝結果來驅動載台2而進行基板W的對準之載台驅動機構20等。

此外，裝置係具備用於控制各部分之控制器6。在控制器6組裝有：以既定順序讓各部分動作之順序程式。在本例特別是構成為，讓來自載台2的各感測器3之信號輸入控制器6，使用該等信號作為控制資訊而給與順序程式。

更具體的說，在本實施形態，各感測器3檢測是否有反射光。如果捕捉到反射光的話，感測器3的輸出開啟(ON)，如果沒有捕捉到的話，輸出關閉(OFF)。從各感測器3將開啟(ON)或關閉(OFF)的信號送往控制器6。

圖4顯示組裝於控制器6之順序程式的概略之流程圖。順序程式被程式化成，對一個批次(lot)之各基板W反覆進行搬入動作、曝光、搬出動作。這時，在搬入動作開始之前，確認來自各感測器3的信號，判斷是否從任一感測器3送來關閉(OFF)信號。順序程式被程式化成，如果被送來的話就將搬入動作停止。在此情況，順序程式輸出錯誤信號而結束。

接下來，參照圖5來說明，兼作為基板W搬運方法的發明之實施形態的說明，即圖3所示的曝光裝置之動作。圖5顯示圖3的曝光裝置的動作之概略圖。

執行順序程式的控制器6，將信號送往搬入側輸送機51，如圖5(1)所示般，搬運基板W直到其位於搬入側之搬運手臂(搬入手臂)53的下方之搬入待機位置為止。在此時 點，控制器6確認來自各感測器3的輸入信號。當所有信號皆為開啟(ON)的情況，控制器6將信號送往搬入手臂53的手臂驅動機構530，如圖5(2)所示般，搬運基板W直到其位於載台2為止。基板W載置於被防止膜1覆蓋之載台2的基板載置區域R。

接下來，控制器6將基板用開閉閥24打開。藉此，利用通過各基板用真空吸附孔21的負壓而在載台2上真空吸附基板W。然後，讓載台驅動機構20動作，如圖5(3)所示般，使遮罩41成為密合於基板W的狀態。

在此狀態下，控制器6將信號送往未圖示的對準手段，讓基板W的對準進行。當對準結束時，控制器6將信號送往光照射單元4，以既定的圖案照射光。藉此，將基板W進行曝光。當既定時間的曝光結束時，控制器6將信號送往搬出側的搬運手臂(搬出手臂)54，讓基板W的搬出動作進行。基板W被往搬出側輸送機52搬出，從搬出側輸送機52送往下個步驟。而且，當下個基板W位於搬入待機位置時，反覆同樣的動作。

在上述動作中，在基板W位於搬入待機位置的時點，當來自任一感測器3的信號為關閉(OFF)的情況，如上述般輸出錯誤信號，而不進行基板W的搬入動作。在此情況，裝置成為停止狀態。在此情況，該基板W之前的基板W，可能已經從載台2搬出而位於搬出側輸送機53。在此情況，僅搬出側輸送機53之搬出動作能夠在裝置停止後也進行。

在上述曝光裝置中，在裝置運轉中，控制器6是對膜用開閉閥28始終發送開啟信號。因此在裝置運轉中，防止膜1成為始終被真空吸附於載台2的狀態。

依據上述實施形態的防止膜1，在與載台2之基板用真空吸附孔21對應的位置具有用於將基板W真空吸附之基板吸附孔11，縱使為了防止基板W黏附而覆蓋載台2之基板載置區域R時，仍不致阻礙基板W的真空吸附。而且，依據實施形態的防止膜1，在與基板吸附孔11不同的位置設置用於檢測相對於載台2的位置偏移之標記12，可藉由檢測標記12的偏移來檢測防止膜1的位置偏移。

若未設置標記12而無法檢測防止膜1的位置偏移，防止膜1可能會發生位置偏移，而以將載台2之基板用真空吸附孔21堵塞的狀態載置基板W。在此情況，真空吸附力無法作用於所載置的基板W，或成為真空吸附不足的狀態。結果，會產生基板W無法對準等之嚴重問題。

另一方面，實施形態的防止膜1，由於如上述般具備標記12，藉由設置用於檢測標記12的偏移之任意手段，可輕易地檢測防止膜1的位置偏移，可防範無法進行真空吸附卻將基板W載置於載台2的錯誤於未然。

此外，實施形態的載台2係具備膜用真空吸附孔25，而將防止膜1進行真空吸附，因此不須將防止膜1進行螺絲鎖固。因此，能夠使用PET等之便宜的樹脂膜，而將運轉成本上的負擔大幅減輕。而且，僅將真空吸附關閉(OFF)即可卸除，又在安裝方面，僅須配置於既定位置 再將真空吸附開啟(ON)即可，極為簡便。

再者，實施形態的載台2，由於基板用真空吸附孔21和膜用真空吸附孔25連通於彼此不同系統的排氣管23,27，能夠與基板W的吸附保持動作獨立地始終將防止膜1進行真空吸附。若基板用真空吸附孔21和膜用真空吸附孔25不是連通於彼此不同系統的排氣管，當基板W之真空吸附時防止膜1的真空吸附也會成為開啟(ON)，因此在此之前防止膜1並未被真空吸附，而容易發生位置偏移。雖也能考慮讓兩者的真空吸引持續動作，但會成為在被真空吸引的吸附孔上載置基板W，而存在載置動作變得不穩定的問題。實施形態的載台2，因為不存在這樣的問題，實施形態的載台2在這點具有優勢。

此外，用於檢測防止膜1的標記12之感測器3設置於載台2這點，可將搭載載台2的裝置構造單純化。作為防止膜1的標記12之檢測手段，也能考慮在載台2以外的場所設置感測器3的構造。例如也能考慮：在載台2的上方配置感測器(例如攝像機等的影像感測器)，而從上方監視標記12的偏移。

然而，在載台2的上方，大多配置有用於操作或處理載台2上所載置的基板W之構造物。前述曝光裝置之光照射單元4就是一例。因為存在這樣的構造物，在載台2的上方要配置感測器3等的位置偏移檢測手段變困難，或不可能的情況很多。例如在前述曝光裝置，雖可考慮在載台2的上方配置攝像機，且附設有在光照射單元4動 作時讓其退避的進退機構之構造，但構造變得龐大，動作也變複雜且耗費時間。相較於此，具備感測器3之實施形態的載台2，能使裝置整體的構造、動作單純化，在這點具有優勢。

此外，實施形態的防止膜1，是在設有基板吸附孔11的區域之外側具有標記12。「設有基板吸附孔的區域」，是相當於載置基板W時被基板W覆蓋之防止膜1的區域。在該區域之外側設置標記12是指，縱使在載置基板W的狀態下，標記12也不會被基板W覆蓋。該構造所具有的意義，是能夠輕易地進行標記12的持續檢測。

假使標記12位於被基板W覆蓋的位置，由於實施形態的載台2之感測器3是用於捕捉反射光，縱使標記12發生偏移，仍會捕捉來自基板W的反射光而輸出開啟(ON)信號。亦即，縱使防止膜1偏移，仍判斷未發生偏移。為了能在與基板W重疊的狀態下也能檢測標記12，雖可考慮使用彩色影像感測器等之高性能的感測器3，但除了存在成本高的問題以外，還會有影像資料處理變煩雜、耗費時間的問題。因此，在未被基板W覆蓋的位置形成標記12之實施形態的防止膜1，係具有利用簡易的構造可輕易地檢測偏移之技術意義。

在圖3所示的曝光裝置，遮罩41之框架411位於載台2的上方。基板W曝光中，遮罩是與基板W接觸，框架411位於載台2的緊臨上方。曝光中，在防止膜1之標記12的背後存在框架的狀態下，縱使標記12偏移，來自框架 411的反射光仍有可能被感測器3捕捉。因此，在圖3所示的曝光裝置較佳為，在框架411與載台2分離的狀態下，確認來自感測器3的信號。

但當框架411位於偏離感測器3及貫通孔29的位置的情況、或沒有框架的構造(例如投影曝光方式的情況)，如此般的考慮是不需要的，能夠始終監視防止膜1的位置偏移。

此外，在本實施形態，防止膜1具備有複數個標記12。因此，能夠確實地檢測位置偏移。雖僅設有一個標記12也能進行位置偏移的檢測，但無法檢測出以該標記12為中心之旋轉方向的位置偏移。起因於這樣的位置偏移也有可能造成載台2之基板用真空吸附孔21堵塞，因此較佳為能檢測出。藉由設置複數個標記12來進行檢測，可輕易地進行該檢測。在上述例子標記12有四個，但亦可為二個、三個。

在上述基板搬運方法的實施形態中更佳為，確認膜用真空吸附孔25閉鎖之後才進行基板W的搬運。具體而言，在膜用排氣管27上設置壓力感測器，壓力感測器的輸出往控制器6輸入。控制器6上的順序程式被程式化成，根據壓力感測器的輸出來檢查膜用真空吸附孔25的閉鎖，當確認閉鎖(亦即，防止膜1被真空吸附)之後才進行基板W的搬運動作。

雖標記12被正確地檢測出而未發生防止膜1的偏移，但也有可能因某個錯誤造成防止膜1的真空吸附 未發揮作用。若在此狀態下將基板W搬運而載置於載台1，可能起因於載置時的反彈造成防止膜1偏移。若發生該偏移，防止膜1會將基板用真空吸附孔21堵塞而導致基板W的真空吸附無法進行，或發生基板W的位置偏移。如上述般，只要事先確認防止膜1的真空吸附開啟(ON)，這樣的問題就不會發生。

在上述實施形態的防止膜1中，基板吸附孔11是比載台2之基板用真空吸附孔21小。這點，在像具有抗焊膜的基板那樣之表面柔軟的基板的情況特別是意義。相反的，當基板吸附孔11比載台2之基板用真空吸附孔21更大的情況，係具有防止膜1的偏移之容許度變大的意義。關於這幾點，使用圖6做說明。圖6顯示，對應於基板吸附孔的尺寸之技術意義的前視剖面概略圖。

基板W包括具有柔軟表面的情況。典型的例子為具有抗焊膜之基板的情況，連在背面也被覆抗焊膜的情況很多。另一方面，若在樹脂薄片實施穿孔加工來形成基板吸附孔11，不管怎樣都會形成毛邊而容易成為周緣尖銳者。因此，若用某種程度的力量緊壓於具有抗焊膜的基板等之柔軟表面的基板W，在基板W的表面容易留下基板吸附孔11的周緣之痕跡。若留下痕跡，其作為製品的外觀變差，且還可能發生性能上的問題。

實施形態的防止膜1，如前述般是厚度50~350μm左右的樹脂膜而具有柔軟性。因此，當載置基板W而被真空吸附時，如圖6(A)所示般，基板吸附孔11的 周緣會受到真空吸引力而朝向基板用真空吸附孔21的裡側撓曲。因此，真空吸附孔11的周緣所致的痕跡不容易留在基板W的背面。因為基板吸附孔11越小撓曲量越多，該效果變得更確實，但當過小時，由於真空吸引時的氣導(conductance)變小，必須留意。當基板吸附孔11為圓形的情形，實用上較佳為不小於直徑2mm。

相反的，當基板吸附孔11比載台2之基板用真空吸附孔21更大的情況，如圖6(B)所示般，縱使是防止膜1發生若干偏移的情況，仍不會將基板用真空吸附孔21堵塞。亦即，偏移的容許度提高。在此情況，基板吸附孔11越大則偏移的容許度越大，但當基板吸附孔11變大時，由於未覆蓋載台2的區域變大，基板W的黏附防止效果之局部降低變得無法忽視。因此，當基板吸附孔11及基板用真空吸附孔21為圓形的情況，實用上較佳為，基板吸附孔11的直徑比基板用真空吸附孔21的直徑大2mm以下。

當基板吸附孔11比基板用真空吸附孔21更大時，在具有抗焊膜之基板的情況雖可能產生上述問題，藉由將抗焊膜燒結等而使抗焊膜的硬度提高，能夠避免該問題發生。

在上述實施形態，防止膜1全體呈透明，標記12為反射部，反過來也可以。例如亦可利用被覆等的方法使防止膜1全體成為不透明，並在局部留下透明的部位而作為標記12。此外，將局部切除而作為標記12亦可。在此情況，感測器3未捕捉到反射光的狀態是正常情形，當捕捉到反射光的情況，判斷發生位置偏移。

此外，作為感測器3，除上述般之光纖形式的光電感測器以外，也能利用磁感測器、近接感測器等之其他方式的感測器。

再者，本發明之防止膜1及載台2，除了前述曝光裝置以外，可使用於處理基板之各種裝置。不限定於處理裝置，縱使為了進行各種檢查、試驗等而將基板處理時，也能使用本發明的防止膜1及載台2。這點，對於基板搬運方法的發明也是同樣的。

1:基板黏附防止膜

2:載台

11:基板吸附孔

12:標記

21:基板用真空吸附孔

25:膜用真空吸附孔

29:貫通孔

R:基板載置區域

Claims (7)

1. 一種曝光裝置，係對基板照射既定圖案的光而將基板曝光之曝光裝置，其特徵在於，係具備：用於載置待處理的基板的載台、對於載台上所載置的基板照射既定圖案的光而將基板曝光之光照射單元、以及覆蓋載台之基板載置區域的基板黏附防止膜，載台係具有：用於將基板真空吸附之基板用真空吸附孔、及用於將基板黏附防止膜真空吸附之膜用真空吸附孔，基板黏附防止膜，係在與載台之基板用真空吸附孔對應的位置具有用於將基板真空吸附之基板吸附孔，且在偏離基板吸附孔的位置設置用於檢測相對於載台的位置偏移之標記，該曝光裝置進一步具備：檢測基板黏附防止膜的標記之感測器、及根據感測器的檢測結果來判斷基板黏附防止膜相對於載台是否發生位置偏移之控制器。
2. 如請求項1所述之曝光裝置，其中，前述基板吸附孔是比前述載台所具有的前述基板用真空吸附孔更小。
3. 如請求項1所述之曝光裝置，其中， 前述基板吸附孔是比前述載台所具有的前述基板用真空吸附孔更大。
4. 一種曝光裝置之動作方法，係讓如請求項1至3中任一項所述之曝光裝置動作之方法，其特徵在於，前述曝光裝置具備搬運系統，前述基板用真空吸附孔和前述膜用真空吸附孔連通於彼此不同的系統的排氣路徑，通過前述膜用真空吸附孔的吸引，除了曝光中以外，在曝光後將前述基板藉由前述搬運系統從前述載台搬出時也持續進行。
5. 如請求項4所述之曝光裝置之動作方法，其中，在藉由前述搬運系統朝前述載台搬運基板之前，利用前述感測器檢查前述標記是否發生偏移，當發生偏移的情況將搬運中止。
6. 如請求項4或5所述之曝光裝置之動作方法，其中，在藉由前述搬運系統朝前述載台搬運基板之前，檢查前述膜用真空吸附孔是否閉鎖，當未閉鎖的情況將搬運中止。
7. 一種基板黏附防止膜，係使用於如請求項1至3中任一項所述之曝光裝置的基板黏附防止膜，其設置有用於檢測相對於載台的位置偏移之標記， 前述標記設置在成為前述基板載置區域的外側之位置。

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