TWI593512B - Method for manufacturing carrier for double-side polishing apparatus and double-side polishing apparatus Carrier and double-sided grinding method - Google Patents

Method for manufacturing carrier for double-side polishing apparatus and double-side polishing apparatus Carrier and double-sided grinding method Download PDF

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TWI593512B TW104104984A TW104104984A TWI593512B TW I593512 B TWI593512 B TW I593512B TW 104104984 A TW104104984 A TW 104104984A TW 104104984 A TW104104984 A TW 104104984A TW I593512 B TWI593512 B TW I593512B
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Description

雙面研磨裝置用載體之製造方法及雙面研磨裝置用 載體以及雙面研磨方法
本發明係關於一種雙面研磨裝置用載體之製造方法及雙面研磨裝置用載體以及雙面研磨方法。
通常在用於使矽晶圓等的半導體晶圓平坦化的雙面研磨裝置中，一般使用設置有用於支承半導體晶圓的支承孔的圓盤狀的雙面研磨裝置用載體(參考專利文獻1)。
於此雙面研磨裝置用載體的製造過程中，使1批量(lot)內載體相互之間在厚度變動的控制是理所當然的，而使每一片的厚度變動(即，平面度)均等，進行使用此雙面研磨裝置用載體以對半導體晶圓進行高平坦度化的雙面研磨乃是一個重要的要素。
於是，在此雙面研磨裝置用載體的製造過程中，為了控制批量內的厚度變動而進行研磨加工(參考專利文獻2)。此一經施以研磨加工的雙面研磨裝置用載體的載體主體的厚度以平均值來看，批量內的厚度變動約為2μm左右。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
專利文獻1：日本特開2001-30161號公報
專利文獻2：日本特開2009-135424號公報
然而，載體主體1片的厚度並非是平均值，而是在以所有資料的範圍(最大值與最小值的差)來看的狀況下範圍擴大為3μm以上，並具有特徵的厚度分布。所謂的特徵的厚度分布係為載體主體的中央部(所謂中央部的意思係為載體主體的中心包含收納工件的工件洞的狀態下，最為接近工件洞周緣部中心的部分)與其他的部分相比變厚的分布。
一旦於載體主體發生此種厚度變動，工件洞的內周部也會發生厚度變動，並且在嵌件也會發生隨著此厚度變化而形成厚度分布的問題(所謂嵌件乃是為了保護半導體晶圓的邊緣部分而嵌入工件洞內周部之樹脂製的載體構成構件。)。
為了半導體晶圓的高平坦化，嵌件的厚度於工件洞的圓周方向必須均等，然而因載體主體的厚度分布使得嵌件的厚度不均等，因而導致半導體晶圓的平坦度惡化。儘管如此，對於載體主體的厚度分布，特別是關於載體主體中央部的厚度比其他的部分較厚而進行對策的技術到目前為止並沒有開發。
鑑於上述此種的問題，本發明的目的為提供一種雙面研磨裝置用載體之製造方法及雙面研磨裝置用載體、以及使用此雙面研磨裝置用載體並用之雙面研磨方法，而能改善在雙面研磨裝置用載體進行研磨時所發生的厚度分布的變動。
為達成上述的目的，本發明提供一種雙面研磨裝置用載體之製造方法，係在將形成有用於支承半導體晶圓的支承孔的齒輪形的雙面研磨裝置用載體以研磨裝置的上平板及下平板予以夾持的同時，藉由使該雙面研磨裝置用載體公轉及自轉而進行研磨加工，該製造方法包含：使該雙面研磨裝置具有用於支承該雙面研磨裝置用載體的洞，並備有較該雙面研磨裝置用載體的尺寸為大的齒輪形的外載體，將該外載體以該洞之中心為相對於該外載體的中心為偏心的方式而設置，藉由將該雙面研磨裝置用載體收納於該洞，而以該外載體支承該雙面研磨裝置用載體，以及於該洞的中心相對於該外載體的中心為偏心的狀態下，在將經支承的該雙面研磨裝置用載體以研磨裝置的上平板和下平板予以夾持的同時，藉由使該外載體及該雙面研磨裝置用載體公轉及自轉而進行該雙面研磨裝置用載體的研磨加工。
如此一來，將習知在研磨工程所發生的厚度的分布，特別是發生在載體主體中央部之與其他的部分相比為較厚的分布予以抑制，而能製造厚度變動抑制為小的雙面研磨裝置用載體。
此時，較佳地，將該洞的形狀設為圓形，並將該洞的中心的該外載體的中心所相對的偏心量設為該洞的直徑的1/5以上。如此一來，能製造使厚度變動抑制為更小，特別是厚度範圍抑制為2μm以下的雙面研磨裝置用載體。
另外此時，能將該洞的形狀設為圓形，並將該洞的直徑設為比該雙面研磨裝置用載體的齒頂圓直徑更大0.5mm~1.0mm。 如此一來，在雙面研磨裝置用載體的研磨時，由於外載體不會對在洞內之雙面研磨裝置用載體的自轉造成阻礙，因而能確實製造厚度變動較少的雙面研磨裝置用載體。
此時，較佳的，將該外載體的齒頂圓直徑設為該雙面研磨裝置用載體的齒頂圓直徑的1.5倍以上。如此一來，能製造使厚度變動抑制為更小，特別是厚度範圍抑制為2μm以下的雙面研磨裝置用載體。
另外此時，能將該外載體的材質設為碳素工具鋼、不鏽鋼、或鈦。此些材質適用於作為外載體的材料。
此時，能將該雙面研磨裝置用載體的材質設為不鏽鋼或鈦。此些材質適用於作為雙面研磨裝置用載體的材料。
另外，為達成上述目的，本發明係提供以上述的製造方法製造的雙面研磨裝置用載體。藉由此雙面研磨裝置用載體，舉例來說由於其厚度範圍為2μm以下之物，且其厚度分布的變動較小，因此成為能製造高平坦的半導體晶圓的雙面研磨裝置用載體。
另外，為達成上述目的，本發明提供一種半導體晶圓的雙面研磨方法，係於雙面研磨裝置中，使用上述的雙面研磨裝置用載體來支承半導體晶圓的同時，藉由使該支承的半導體晶圓的上下面滑動接觸於黏貼有研磨布之上平板和下平板，而對半導體晶圓進行雙面研磨。
使用上述厚度分布的變動較小的雙面研磨裝置用載體的雙面研磨方法，即能製造高平坦的半導體晶圓。
通過本發明，能夠製造厚度分布的變動較小的雙面研磨裝置用載體，於使用此雙面研磨裝置用載體的雙面研磨中，能得到高於以往平坦度的半導體晶圓。
1‧‧‧外載體
2‧‧‧洞
10、110‧‧‧研磨裝置
11‧‧‧上平板
12‧‧‧下平板
13、113‧‧‧太陽齒輪
14、114‧‧‧內接齒輪
15‧‧‧噴嘴
16‧‧‧漿液
22‧‧‧工件洞
W‧‧‧載體
第1圖為顯示使用本發明的雙面研磨裝置用載體之製造方法的研磨裝置的一例的概略圖。
第2圖為顯示使用本發明的雙面研磨裝置用載體之製造方法的研磨裝置的下平板的一例的俯視圖。
第3圖為顯示使用本發明的雙面研磨裝置用載體之製造方法的外載體的一例的概略圖。
第4圖為顯示實施例、比較例中研磨後的雙面研磨裝置用載體之平面度分布的示意圖。
第5圖為顯示比較例中所使用的研磨裝置的概略圖。
第6a圖為顯示20B大小的雙面研磨裝置用載體的一例的概略圖。
第6b圖為顯示工件洞周緣部的相對於中心的距離的示意圖。
第7圖為顯示偏心量X與厚度變位Y的擬合方程式的曲線圖。
以下，說明關於本發明的實施例，但本發明並未被限定於此實施例。如上所述，習知在對雙面研磨裝置用載體進行研磨加工的狀況下，載體主體的中央部會變的較厚。如此，載體主體若具有厚度分布的變動，則導致後期加工中所嵌入嵌件的厚度也會產生變動。在雙面研磨半導體晶圓時，使用此厚度不均的嵌件及載體主體的雙面研磨裝置用載體，會有半導體晶圓的平坦度惡化的問題。
因此，本發明人等對於在雙面研磨裝置用載體之研磨加工所發生的上述厚度變動的發生原因進行調查。其結果發現雙面研磨裝置用載體的中央部形成較厚分布的原因在於雙面研磨裝置用載體的工件洞(收納半導體晶圓的孔)自雙面研磨裝置用載體的中心偏心，在研磨加工時，發現中央部與其他的部分相比，其自雙面研磨裝置用載體的中心的距離(偏心量)為較少。
如第6a圖所示，係舉20B尺寸(齒頂圓直徑525mm)的標準雙面研磨裝置用載體W中的偏心量為例。此載體W的各部相對於中心的距離(偏心量)，其最小的位置，即中央部(此狀況下，為工件洞22周緣部的最接近中心的部分)約為70mm，最大的位置約為250mm。第6b圖為顯示工件洞22周緣部的相對於中心的距離的示意圖。
在此尺寸的雙面研磨裝置用載體中，偏心量(自中心的距離)X與厚度變位Y的關係，如第7圖顯示實測值的擬合方程式(曲線回歸)的結果，係以下述數學式1來表示。此外，係以偏心量為最大的點的厚度作為厚度變位Y的基準。
【數學式1】Y=-7×10-5×X2+0.0106X+2.4102
如第7圖及數學式1所示，偏心量與平面度(厚度分布)為負相關關係。因此得知，因為即使在雙面研磨裝置用載體的中央部中，偏心量被確保，因有改善平面度必要的條件。
從以上可以得知，與習知不同，本發明人想到在對雙面研磨裝置用載體的兩面進行研磨加工時，以支承構件來支承雙面研磨裝置用載體，使其與支承構件共同公轉及自轉來進行研磨加工。並且想到，作為此支承構件，透過使用具有收納雙面研磨裝置用載體的洞，且令洞之中心相對於支承構件的中心為偏心而設置的物件(以下將此支承構件稱為外載體)，來使相對於外載體中心的洞的中心的偏心量重疊於研磨對象的雙面研磨裝置用載體的偏心量，而能確保使厚度分布的均一化所須的偏心量，進而完成本發明。
以下，說明關於本發明的雙面研磨裝置用載體的製造方法、雙面研磨裝置用載體、雙面研磨方法。首先，以使用顯示於第1圖的研磨裝置的狀況為例，而說明本發明的雙面研磨裝置用載體的製造方法。另外，在此，雖然研磨對象的雙面研磨裝置用載體以使用20B(齒頂圓直徑525mm)尺寸的物品為例，作為外載體則以使用32B(齒頂圓直徑814mm)尺寸的研磨裝置用載體為例而進行說明，但並未被限定於此。
如第1圖、第2圖，研磨裝置10具備上平板11、下平板12、太陽齒輪13、內接齒輪14、噴嘴15。 太陽齒輪13被設置於下平板12上的中心部分，內接齒輪14則設置為鄰接於下平板12的周緣部。另外，研磨加工時，噴嘴15自設置於上平板11的孔供給漿液16至上平板11和下平板12之間。
在此研磨裝置10中，首先備好如第1圖、第2圖、第3圖所示的外載體1。本發明中，作為此外載體1，具有支承雙面研磨裝置用載體W的洞2，如第3圖所示，備好使洞2的中心C2相對於外載體1的中心C1偏心的物件，並使用。
此時，能將該外載體1的材質設為碳素工具鋼、不鏽鋼、或鈦。此些材料由於耐磨耗性高因此適用在研磨加工。
而且，如第1圖、第2圖所示，使外載體1嚙合於研磨裝置10的太陽齒輪13與內接齒輪14，將雙面研磨裝置用載體W收納支承於外載體1的洞2內。藉由外載體1嚙合於太陽齒輪13與內接齒輪14，而成為能夠使此些齒輪分別自轉，且使外載體1與雙面研磨裝置用載體W以太陽齒輪13作為中心的行星運動(公轉及自轉運動)的狀態。
其後，如第1圖所示，將雙面研磨裝置用載體W的雙面以上平板11及下平板12予以夾持，自噴嘴15供給漿液16的同時，藉由太陽齒輪13與內接齒輪14而使外載體1行遊星運動，同時使上平板11及下平板12旋轉於相對方向。如此，在洞2的中心C2以對外載體1的中心C1為偏心的狀態下，同時對雙面研磨裝置用載體W的雙面進行研磨加工。
藉由這樣的研磨加工而製造雙面研磨裝置用載體W，使外載體的偏心量重疊於原本的雙面研磨裝置用載體W的偏心量，而確保厚度分布的均一化所需的偏心量。其結果，消除了雙面研磨裝置用載體W的厚度分布的變動，而能得到厚度均一性高的雙面研磨裝置用載體。
此時，較佳地，將該外載體1的齒頂圓直徑設為雙面研磨裝置用載體W的齒頂圓直徑的1.5倍以上。如此一來，能製造出厚度範圍抑制為2μm以下的雙面研磨裝置用載體。
另外此時，較佳地，將洞2的形狀設為圓形，並將洞2的中心相對於外載體1的中心的偏心量設為洞2的直徑的1/5以上。如此一來，能製造出其厚度範圍抑制為2μm以下的雙面研磨裝置用載體。以下說明此些原由。
從平坦度的均一性的觀點來看，期望其雙面研磨裝置用載體的厚度範圍在2μm以下。如本實施例，例如作為研磨對象的雙面研磨裝置用載體，係使用20B(齒頂圓直徑525mm)尺寸的物件，作為外載體則以使用32B(齒頂圓直徑814mm)尺寸的研磨裝置用載體的狀況下，自上述的數學式1及第7圖得知，為了使厚度範圍Y≦2μm所需的偏心量X約為180mm。
如第6a圖所示，係舉以20B尺寸且相對於工件洞22的中心的偏心量為85~90mm的一般的雙面研磨裝置用載體W為例而予以描述，如第6b圖所示，自雙面研磨裝置用載體中心至工件洞周緣部的最小距離係為約70mm。因此，只要使用如第3圖所示的使外載體1的中心C1與洞2的中心C2約110mm偏心的外載體1，即能使合計的偏心量為180mm，厚度範圍為2μm以下。
即，使用本例的齒頂圓直徑814mm(32B尺寸)的研磨裝置用載體作為外載體便能滿足。取決於與載體嚙合之針齒輪尺寸，可將齒頂圓直徑相對於齒底圓直徑設為49/50，並能將32B尺寸的齒底圓直徑設為797.7mm。因此，計算與外載體可重疊的偏心量後係為(797.7-525)÷2=136.4mm，而能將110mm予以充分覆蓋。如此，於選擇外載體1之際，能參照外載體1的半徑與洞2的半徑的差。
並且，在將20B尺寸(齒頂圓直徑525mm)的雙面研磨裝置用載體W進行研磨時，外載體1以32B(齒頂圓直徑814mm)尺寸以上為較佳。即，並不限於此狀況在其他狀況下亦同，將外載體1的齒頂圓直徑設為雙面研磨裝置用載體的齒頂圓直徑的1.5倍以上，而能確保使厚度範圍成為2μm以下的偏心量。
另外此狀況下，藉由使洞2的中心自載體中心偏心110mm以上而能達成厚度範圍在2μm以下。即，並不限於此狀況下，將洞2的中心的外載體1的中心所相對的偏心量設為收納雙面研磨裝置用載體W的洞2的直徑(此狀況下，與雙面研磨裝置用載體W的齒頂圓直徑略同約525.5mm)的1/5以上，能確保滿足厚度範圍在2μm以下的偏心量。
再者，本發明中，較佳地將洞2的形狀設為圓形，並將洞2的直徑設為比雙面研磨裝置用載體W的齒頂圓直徑更大0.5mm~1.0mm。如此，只要進行研磨的雙面研磨裝置用載體W與將其收納支承的洞2的內周有0.5mm~1.0mm的間隙，由於不會阻礙雙面研磨裝置用載體W在洞2內自轉，因而能確實製造厚度變動較少的雙面研磨裝置用載體。
另外，本發明能將雙面研磨裝置用載體W的材質設為不鏽鋼或鈦。 本發明的製造方法，特別適用於此些材料的雙面研磨裝置用載體W的製造。
再者，本發明中，研磨條件以一般的條件即可，漿液16係使用例如GC#2000等一般的物品，以預定壓力與預定厚度來完成即可。在進行了上述的雙面研磨裝置用載體W的研磨加工之後，亦可對EG(玻璃環氧樹脂)或芳酰胺製的樹脂製嵌件予以加壓，並嵌人工件洞22的內周部分而進行使樹脂厚度均一的整理的拋光加工，以進行雙面研磨裝置用載體W的製作。
只要是以上述本發明的製造方法所製造出的雙面研磨裝置用載體W，即能成為研磨加工後幾乎沒有厚度分布變動之平坦度高的雙面研磨裝置用載體。
憑藉此雙面研磨裝置用載體，在雙面研磨裝置中用於半導體晶圓的雙面研磨時，使半導體晶圓的平坦度良好。
另外，本發明中提供一種半導體晶圓的雙面研磨方法，係於雙面研磨裝置中，使用上述的雙面研磨裝置用載體W來支承半導體晶圓的同時，藉由使支承於黏貼有研磨布之上平板和下平板的半導體晶圓的上下面滑動，而對半導體晶圓進行雙面研磨。
只要藉由使用上述厚度變動小的雙面研磨裝置用載體的雙面研磨方法，即能製造高平坦的半導體晶圓。
再者，上述的說明中，作為研磨加工的對象，係舉使用20B尺寸的雙面研磨裝置用載體為例，作為外載體則舉使用32B尺寸的研磨裝置用載體的狀況為例來說明，但並不限定於此。研磨加工的對象不限定於上述尺寸的物件，另外，作為外載體，只要是可將研磨加工的對象進行收納的洞的中心相對於外載體的中心為偏心，亦能不使用上述的研磨裝置用載體。
另外，上述的說明中，如第1圖、第2圖，研磨裝置10中，雖舉研磨一片雙面研磨裝置用載體W的狀況為例，但並不限於此，亦可同時研磨加工複數片的雙面研磨裝置用載體W，通過這樣做能有效率的製造研磨裝置用載體。
【實施例】
以下，係顯示本發明的實施例及比較例而更具體的說明本發明，但本發明並未被限定於此實施例。
<第1實施例>
係將20B(齒頂圓直徑525mm、齒底圓直徑515mm)尺寸的鈦製的雙面研磨裝置用載體，以第1圖、第2圖所顯示的研磨裝置進行了雙面研磨加工。此時，作為外載體所使用的是32B(齒頂圓直徑814mm、齒底圓直徑797.7mm)尺寸的碳素工具鋼的研磨裝置用載體。另外，此外載體的洞係設為直徑525.5mm的圓形。此時，將洞的中心相對於外載體的中心的偏心量設為110mm。
研磨漿液所使用的為GC#2000，並以固定載重條件研磨加工至固定厚度。此時的研磨對象的雙面研磨裝置用載體及外載體的條件係顯示於表1。
其次，量測研磨加工後的鈦製的雙面研磨裝置用載體的平面度分布。再者，於量測所使用的為KEYENCE製的雷射位移計，對工件洞周緣部的平面度分布進行量測。其結果顯示於第4圖及表2。再者，第4圖的曲線的橫軸角度，與第6a、6b圖的狀況相同，為顯示工件洞周緣部中所量測部分的角度。如第4圖所示，研磨加工後的平面度分布為均勻，並無如後述比較例的中央部(180°附近)較其他部分極端變厚的情況。另外，厚度範圍為1.12μm，厚度的偏差(厚度變動)為0.30μm，與比較例相比為極其良好的數值。
之後，將芳酰胺樹脂製的內徑300.5mm的嵌件，嵌合於研磨加工後的鈦製的雙面研磨裝置用載體的工件洞內周中。在將嵌件押壓並嵌合的同時，進行使嵌件的厚度與雙面研磨裝置用載體的厚度均一的拋光研磨加工，而完成雙面研磨裝置用載體的製作。
使用此雙面研磨裝置用載體來進行直徑300mm的半導體矽晶圓的雙面研磨加工。所使用的雙面研磨機為不二越機械製的DSP-20B，研磨墊為Nitta Haas製的MH-S15A，研磨漿液為日商福吉米股份有限公司製的GLANZOX2100。1批量的雙面研磨加工的晶圓加工片數為5片，各進行10批量加工。其後，作為研磨後的半導體矽晶圓的平面度係以KLA-Tencor製的Wafersight M49mode 1mmEE而量測出ESFQR(Edge Site Frontsurface referenced least sQuares/Range)。
半導體矽晶圓的平面度量測結果顯示於表3。第1實施例中，ESFQRmax為31.24nm，ESFQRsigma(偏差)為5.07。此外，與比較例相比，ESFQR的平均值約有10%改善，偏差約有50%改善，平面度為良好。
<第2實施例>
除了將洞的中心相對於外載體的中心的偏心量設為90mm以外，以與第1實施例相同的條件研磨加工20B尺寸的雙面研磨裝置用載體，並量測其平面度分布。此時的研磨對象的雙面研磨裝置用載體及外載體的條件顯示於表1。另外，研磨加工後的平面度分布的量測結果顯示於第4圖及表2。 如第4圖所示，研磨加工後的平面度分布為均勻，並無如後述比較例的中央部較其他部分極端變厚的情況。另外，此厚度範圍為1.75μm，厚度的偏差(厚度變動)為0.46μm的值，與比較例相比為良好的數值。
其次，與第1實施例相同，將嵌件嵌合於研磨後的雙面研磨裝置用載體中。其後，使用此雙面研磨裝置用載體，與第1實施例相同進行半導體矽晶圓的雙面研磨加工，並量測研磨後的半導體晶圓的ESFQR。其結果顯示於表3。與比較例相比，ESFQR的最大值縮小為33.00nm，偏差(變動)縮小為7.56，大幅改善半導體晶圓的平面度。
<第3實施例>
除了將外載體變更為30B(齒頂圓直徑743.8mm、齒底圓直徑730.8mm)尺寸的研磨裝置用載體，以及將洞的中心相對於外載體的中心的偏心量設為90mm以外，以與第1實施例相同的條件研磨加工20B尺寸的雙面研磨裝置用載體，並量測其平面度分布。此時的研磨對象的雙面研磨裝置用載體及外載體的條件係顯示於表1。另外，研磨加工後的平面度分布的量測結果顯示於第4圖及表2。如第4圖所示，研磨加工後的平面度分布為均勻，並無如後述比較例的中央部較其他部分極端變厚的情況。另外，此厚度範圍為1.96μm，厚度的偏差為0.39μm的值，與比較例相比為良好的數值。
其次，與第1實施例相同，將嵌件嵌合於研磨後的雙面研磨裝置用載體中。其後，使用此雙面研磨裝置用載體，與第1實施例相同進行半導體矽晶圓的雙面研磨加工，並量測研磨後的半導體晶圓的ESFQR。 其結果顯示於表3。與比較例相比，ESFQR的最大值縮小為33.17nm，變動(偏差)縮小為7.9nm，大幅改善半導體晶圓的平面度。
<第1比較例>
如第5圖，除了不以外載體支承研磨對象的雙面研磨裝置用載體W，以及直接使研磨裝置110的太陽齒輪113及內接齒輪114相嚙合進行研磨加工以外，以與第1實施例相同的條件研磨加工雙面研磨裝置用載體，並量測其平面度分布。此時研磨對象的雙面研磨裝置用載體及外載體的條件顯示於表1。另外，研磨加工後的平面度分布的量測結果顯示於第4圖及表2。如第4圖所示，比較例中雙面研磨裝置用載體的中央部變得較厚。另外，與第1-3實施例相比，厚度範圍為0.34μm與厚度變動為0.81μm的值為大幅惡化。
其次，與第1實施例相同，將嵌件嵌合於研磨後的雙面研磨裝置用載體中。其後，使用此雙面研磨裝置用載體，進行與第1實施例相同的半導體矽晶圓的雙面研磨加工，並量測研磨後的半導體晶圓的ESFQR。其結果顯示於表3。與比較例相比，ESFQR的最大值為40.04nm，變動(偏差)為12.03nm，與第1-3實施例相比其半導體晶圓的平面度為大幅惡化。
【表1】
表4所顯示的為整合實施例、比較例的條件、研磨後的雙面研磨裝置用載體的厚度範圍的量測值、雙面研磨後的半導體晶圓的ESFQR的表。
【表4】
如上所述，比較於比較例，應用本發明的製造方法之第1-3實施例，其雙面研麼裝置用載體的厚度分布的變動及範圍獲得大幅的改善。並且，在雙面研磨中，使用以第1-3實施例所製造出的雙面研磨裝置用載體，半導體晶圓的平面度也得到大幅改善。
另外，第1實施例中由於將洞的中心相對於外載體的中心的偏心量設為洞的直徑的1/5(=0.20)以上，將外載體的齒頂圓直徑設為雙面研磨裝置用載體的齒頂圓直徑的1.5倍以上，因此相較於第2、3實施例，第1實施例成為更良好的結果。雖然第2實施例中沒有將洞的中心相對於外載體的中心的偏心量設為洞的直徑的1/5(=0.20)以上，但將外載體的齒頂圓直徑設為雙面研磨裝置用載體的齒頂圓直徑的1.5倍以上，因此相較於第3實施例，第2實施例成為更良好的結果。
此外，本發明並未被限定於上述實施例，上述實施例為例示，凡具有與本發明的申請專利範圍所記載的技術思想實質上相同的構成，能得到同樣的作用效果者，皆被包含在本發明的技術範圍內。
1‧‧‧外載體
10‧‧‧研磨裝置
11‧‧‧上平板
12‧‧‧下平板
13‧‧‧太陽齒輪
14‧‧‧內接齒輪
15‧‧‧噴嘴
16‧‧‧漿液
W‧‧‧載體

Claims (13)

  1. 一種雙面研磨裝置用載體之製造方法，係在將形成有用於支承半導體晶圓的支承孔的齒輪形的雙面研磨裝置用載體以研磨裝置的上平板及下平板予以夾持的同時，藉由使該雙面研磨裝置用載體公轉及自轉而進行研磨加工，該製造方法包含： 使該雙面研磨裝置具有用於支承該雙面研磨裝置用載體的洞，並備有較該雙面研磨裝置用載體的尺寸為大的齒輪形的外載體，將該外載體以該洞之中心為相對於該外載體的中心為偏心的方式而設置； 藉由將該雙面研磨裝置用載體收納於該洞，而以該外載體支承該雙面研磨裝置用載體；以及 於該洞的中心相對於該外載體的中心為偏心的狀態下，在將經支承的該雙面研磨裝置用載體以研磨裝置的上平板和下平板予以夾持的同時，藉由使該外載體及該雙面研磨裝置用載體公轉及自轉而進行該雙面研磨裝置用載體的研磨加工。
  2. 如請求項1所述之雙面研磨裝置用載體的製造方法，其中 將該洞的形狀設為圓形，並將該洞的中心相對於該外載體的中心的偏心量設為該洞的直徑的1/5以上。
  3. 如請求項1所述之雙面研磨裝置用載體的製造方法，其中 將該洞的形狀設為圓形，並將該洞的直徑設為比該雙面研磨裝置用載體的齒頂圓直徑更大0.5mm~1.0mm。
  4. 如請求項2所述之雙面研磨裝置用載體的製造方法，其中 將該洞的形狀設為圓形，並將該洞的直徑設為比該雙面研磨裝置用載體的齒頂圓直徑更大0.5mm~1.0mm。
  5. 如請求項1所述之雙面研磨裝置用載體的製造方法，其中 將該外載體的齒頂圓直徑設為該雙面研磨裝置用載體的齒頂圓直徑的1.5倍以上。
  6. 如請求項2所述之雙面研磨裝置用載體的製造方法，其中 將該外載體的齒頂圓直徑設為該雙面研磨裝置用載體的齒頂圓直徑的1.5倍以上。
  7. 如請求項3所述之雙面研磨裝置用載體的製造方法，其中 將該外載體的齒頂圓直徑設為該雙面研磨裝置用載體的齒頂圓直徑的1.5倍以上。
  8. 如請求項4所述之雙面研磨裝置用載體的製造方法，其中 將該外載體的齒頂圓直徑設為該雙面研磨裝置用載體的齒頂圓直徑的1.5倍以上。
  9. 如請求項1至8中任一項所述之雙面研磨裝置用載體的製造方法，其中 將該外載體的材質設為碳素工具鋼、不鏽鋼、或鈦。
  10. 如請求項1至8中任一項所述之雙面研磨裝置用載體的製造方法，其中 將該雙面研磨裝置用載體的材質設為不鏽鋼或鈦。
  11. 如請求項9所述之雙面研磨裝置用載體的製造方法，其中 將該雙面研磨裝置用載體的材質設為不鏽鋼或鈦。
  12. 一種雙面研磨裝置用載體，係以如請求項1至8中任一項所述之製造方法所製造。
  13. 一種半導體晶圓的雙面研磨方法，係於雙面研磨裝置中，係在使用如請求項12所述之雙面研磨裝置用載體來支承半導體晶圓的同時，藉由使該支承的半導體晶圓的上下面滑動接觸於黏貼有研磨布之上平板和下平板，而對半導體晶圓進行雙面研磨。
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