JP2004058201A - ワークの研磨方法および電子デバイス用基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数のワークを同時に研磨するワークの研磨方法であって、平坦度が良好な（具体的には０μｍ超０．５μｍ以下の）基板を少なくとも一つ確実に得るためのワークの研磨方法および電子デバイス用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】１枚のキャリアに設けられた１または複数の保持孔に複数のワークを保持し、研磨パッドを貼設した下定盤および上定盤により該ワークを保持した状態で上定盤を回転させ、該キャリアが自転しながら公転することにより、ワークの両面を同時に研磨するワークの研磨方法であって、複数のワークは、キャリアの中心に対して偏心した位置に配置されており、複数のワークは略同一の厚みを有し、且つ、１または複数のワークを中心として、中央に配置される１または複数のワークが受ける前記研磨パッドからの圧力が略均一となって平坦度の悪化を抑制するように、１または複数のワークの外周を他のワークが囲むように近接して（好ましくは各々のワークは１０ｍｍ以下の間隔で配置することを特徴とするワークの研磨方法および電子デバイス用基板の製造方法。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子デバイス用基板（マイクロエレクトロニクスデバイスの製造に使用されるマスクブランクス用の基板、例えば、フォトマスクブランクス用基板、位相シフトマスクブランクス用基板）などのワークを研磨する研磨方法および該研磨方法を用いた電子デバイス用基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、電子デバイス用等に使用される基板の研磨加工は、円板状のキャリアに設けられた複数の保持孔に基板を入れ、研磨装置における研磨パッドが貼設された下定盤および上定盤により基板を挟持した状態で、上下定盤を互いに逆回転させることにより行われる。ここで、キャリアの外周部にはギアが形成されており、このギアが研磨装置のインターナルギアおよびサンギアに噛合するようになっている。したがって、キャリアは、インターナルギアとサンギアとの回転数の差により遊星運動（キャリアが自転しながら公転する運動）を行い、これにより基板は両面を同時に研磨される。
【０００３】
上記のキャリアとしては、例えば、特開平１１−１５６７０７に開示されているものがある。このキャリアは、図９に示すように非円形薄板状ワークを１枚保持する第１円形キャリア（内キャリア５）と、複数枚の第１円形キャリアを夫々回転自在に保持するために円形ホールが開設された第２円形キャリア（キャリア２）とを備えたものである。このキャリアを使用することにより、厚さ勾配を解消できるとされ、特に非円形ワークに対しては、極めて良好な加工精度が得られるとして提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
近年の超ＬＳＩデバイスの高密度化、高精度化により、マスクブランクス用基板のような電子デバイス用基板に要求される形状精度（平坦度）は、使用される露光波長の短波長化になるに従い、年々厳しくなってきている。
具体的には、デザインルールが１００ｎｍに適用される次世代のマスクブランクス用基板として平坦度が０．５μｍ以下のものが要求されている。
しかし、上記のような従来のキャリアを使用して研磨されたマスクブランクス用基板は、キャリアの厚みがマスクブランクス用基板よりも薄いため、マスクブランクス用基板の周縁部は、研磨パッドの沈み込み等により、基板の周縁部にかかる研磨パッドからの圧力が大きくなるので、平坦度が悪く、マスクブランクス用基板表面全体として見たときの平坦度が０．５μｍ以下の良好なマスクブランクス用基板を確実に得ることは難しく、製造歩留まりが悪かった。
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決し、複数のワークを同時に研磨する研磨方法であって、平坦度が良好な（具体的には０μｍ超０．５μｍ以下）のワークを少なくとも一つ確実に得るためのワークの研磨方法および電子デバイス用基板の製造方法を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の（１）乃至（５）をその要旨とする。尚、（１）〜（５）はそれぞれ請求項１乃至請求項７に対応している。
【０００６】
（１）１枚のキャリアに設けられた１または複数の保持孔に複数のワークを保持し、研磨パッドを貼設した下定盤および上定盤により該ワークを挟持した状態で上下定盤を回転させ、前記キャリアが自転しながら公転することによりワークの主表面の両面を同時に研磨するワークの研磨方法であって、
前記複数のワークは、前記キャリアの中心に対して偏心した位置に配置されており、
前記複数のワークは略同一の厚みを有し、
且つ、
１または複数のワークを中心として、中央に配置される前記１または複数のワークが受ける前記研磨パッドからの圧力が略均一となって平坦度の悪化を抑制するように、前記１または複数のワークの外周を他のワークが囲むように近接して配置されていることを特徴とするワークの研磨方法。
【０００７】
上述のワークの研磨方法によれば、平坦度が良好なワークを少なくとも一つ確実に得るために、以下の３つの構成を用件とする。（尚、本明細書において、ワークとは、被研磨体のことをいう。）
要件▲１▼：複数のワークが、キャリアの中心に対して偏心した位置に配置されていること。
要件▲２▼：複数のワークは略同一の厚みを有していること。
要件▲３▼：１または複数のワークを中心として、中央に配置される前記１または複数のワークの内面における研磨パッドからの圧力が略均一となって平坦度の悪化を抑制するように、１または複数のワークの外周を他のワークが囲むように近接して配置されていること。
要件▲１▼により、複数のワークを定盤内で幅広い軌道で動かすことができ、定盤自体の平坦度の悪化を防ぎ、ワークの平坦度を良好にすることができる。
また、要件▲２▼において、複数のワークの厚みがばらついていると、各ワークに対する研磨パッドの圧力が均一にならない。従って、複数のワークにおける研磨パッドからの圧力が、研磨中、常に略同一に当たるようにするため、略同一の厚みを有することが必要である。
また、要件▲３▼は、中央に配置される１または複数のワークの内面における研磨パッドからの圧力が略均一となるように、１または複数のワークの外周を他のワークが囲むように近接して配置させる。これによって、近接配置した複数のワークがあたかも一つのワークのごとく表面形状が形成される。
上述の▲１▼〜▲３▼の条件により、中央に配置される１または複数のワークの周縁部は、外周に配置されるワークによって研磨パッドの沈み込みが抑制され、中央に配置されるワークの周縁部の平坦度が最も良好となり、確実に良好な平坦度を有する少なくとも一つのワークを得ることができる。
【０００８】
キャリアの具体的な態様としては、図２、３のようなものが挙げられる。図２は１枚のキャリアに複数保持孔を設け、複数の保持孔それぞれにワークを配置できるようにしたキャリアで、図３は１枚のキャリアに１個の保持孔を設け、１個の保持孔に複数のワークを配置できるようにしたキャリアである。
図２のキャリア２は、キャリア２の中心に対し偏心した位置に、ワーク１より若干大きい保持孔４が数ｍｍの間隔を隔てて設けられたものである。実際に研磨するときは、各保持孔にワーク１を配置する。
【０００９】
図３のキャリア２は、キャリア２の中心に対し偏心した位置に、９個の方形状の基板（ワーク１）が縦横３列に並べられるように、１個の大きな保持孔４（ワークと略相似形状）が設けられたものである。実際に研磨するときには、各基板間が当接して傷がつかないように弾性部材（例えば、研磨パッドなど）が基板端面に貼りつけた状態でこの保持孔に並べて配置される。
尚、上述の図２、図３および後述する本発明のキャリアは、ワークと当接する保持孔の内壁に、ワークに傷がつかないように弾性部材を設けたり、点接触または線接触するような突起を設けたりする工夫が施されている。
【００１０】
また、ワーク１に対して研磨液がスムーズに供給されるように、キャリアには１または複数の研磨液供給孔３を設けることが好ましい。
尚、キャリアの保持孔の数、大きさ、形状、位置は、このキャリアを用いてワークを研磨した時に、中央に配置される１または複数のワークの周縁部にかかる研磨パッドからの圧力が略均一となって平坦度が悪化しないようにする、つまり、複数のワーク２があたかも一つのワークのごとく表面形状が形成されるようにできれば、特に制限はない。
また、研磨機の大きさが許されれば、図４のように、図２や図３における複数のワーク１のかたまり（群）を、キャリア２の中心に対して偏心した位置に複数（図４の場合は４つのかたまり（群））設けても構わない。
尚、キャリア２の外周部は、両面研磨装置のサンギアとインターナルギアとを噛合させるために、これらのキャリアと同じピッチでギアが形成されている。
【００１１】
前記複数のワークは、１０ｍｍ以下の間隔で配置することが好ましい。
ワーク同士の間隔が１０ｍｍ超だと、キャリアの厚みがワークの厚みより薄い（小さい）ため、各ワークの間でワークの厚みとキャリアの厚みの差分に相当する研磨パッドの沈み込みが発生し、複数のワークがあたかも一つのワークのごとく表面形状が形成されにくくなり、研磨パッドの沈み込みによって、中心に配置される１または複数のワークを始めとする全てのワークの周縁部にかかる研磨パッドからの圧力が大きくなるので、個々のワークの周縁部における平坦度が悪化し、平坦度が０．５μｍ以下のワークを確実に得ることができない。
尚、例えば、図３にあるような１個の大きな保持孔（ワークと略相似形状）に複数の方形状の基板（ワーク）が縦横に並べられる場合において、基板の端面の傷を考慮しなくてもよい場合には、基板が当接した状態で並べて配置させても構わないのでその時のワーク同士の間隔は０ｍｍとなる。
【００１２】
（２）前記複数のワークは、少なくとも一つのワークを中心として、他のワークが対称に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のワークの研磨方法。
少なくとも一つのワークを中心として外周を囲む他のワークを対称（左右および／または上下、好ましくは左右および上下）に配置することにより、中央に配置する少なくとも一つのワークにかかる研磨パッドから受ける圧力を均一化することができ、平坦度が良好なワークが得られるとともに、外周を囲む他のワークについても研磨パッドから受ける圧力を均一化することができるので、キャリアに配置される全てのワークの平坦度を良好にすることができる。
（３）前記ワークは、方形状基板であることを特徴とする（１）または（２）に記載のワークの研磨方法。
ワークを方形状基板とすることにより、均等にかつ近接してワークを配置することができ、あたかも一つのワークのごとく表面形状が形成され易い。方形状とは、正方形、矩形状などの四角形を指す。
【００１３】
（４）前記キャリアには、前記ワークを保持する円形の内キャリアと、該内キャリアを回転自在に保持するための円形の孔が設けられていることを特徴とする（１）乃至（３）の何れか一に記載のワークの研磨方法。
ワークが方形状基板の場合、研磨時においてワークが回転自在にならないため、ワークの任意の点において、上下定盤に対し同一の軌跡をとることがある。この場合、同一の軌跡を通った上下定盤は、他の領域と比べ削れることになり定盤自体の平坦度が悪化する。その影響で、ワークの平坦度が悪化する。そこで、ワークが方形状基板の場合、上述のように内キャリアを研磨時において回転自在に保持するようにすることにより、ワークの任意の点において、上下定盤に対し同一の軌跡をとらないようにすることができるので、定盤の平坦度が維持され、ワークの平坦度も良好となるので好ましい。
【００１４】
キャリアの具体的な態様としては、図１、５、６、７のようなものが挙げられる。図５は１枚の内キャリア５に複数保持孔を設けたキャリアで、図６は１枚の内キャリアに１個の保持孔を設けたキャリアで、図７、７は複数のワークのかたまり（群）を、キャリア中心に対して偏心した位置に複数（図１、７の場合は４つのかたまり（群））設けたキャリアである。
内キャリア５の外径は、円形の孔径より若干小さくなるように設定する。研磨時に回転方向についてだけ自由度を持たせるため、内キャリアの外形と円形の孔径の差は、０．５〜２．０ｍｍとすることが好ましい。０．５ｍｍ未満では、研磨時における十分な回転ができず、２．０ｍｍ超では内キャリアのがたが大きいため、回転方向以外の方向にワークが動くことになるので、研磨加工時に振動が発生し、ワークにキズが発生しやすくなるので好ましくない。
【００１５】
（５）（１）乃至（４）の何れか一に記載のワークの研磨方法によって、電子デバイス用基板を製造する方法であって、
中心に配置される前記１または複数のワークの平坦度が、最も良好な平坦度となるように研磨され、前記平坦度が０μｍ超０．５μｍ以下のワークを抽出することを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。
（６）複数のワークの内、外周を囲まれたワークの平坦度が最も良好な平坦度となるように研磨することを特徴とする（５）に記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
（７）前記平坦度は、０μｍ超０．５μｍ以下であることを特徴とする（５）または（６）に記載の電子デバイス用基板の製造方法。
複数のワークの内、中心に配置される１または複数のワークの平坦度が最も良好な平坦度となる研磨条件は、例えば、以下の研磨条件で行うと良い。
【００１６】
キャリアの公転数をＫ（ｒｐｍ）、上定盤の回転数をＵ（ｒｐｍ）、下定盤の回転数をＤ（ｒｐｍ）、キャリアの公転方向と上定盤の回転方向が同じとした場合に、キャリアと同じ方向に回転させる上定盤は、｛設定回転数−Ｋ｝（ｒｐｍ）、キャリアと逆方向に回転させる下定盤は、｛設定回転数＋Ｋ｝（ｒｐｍ）とする。例えば、キャリアの公転数は、１〜１０ｒｐｍ、上定盤の回転数は、１０〜１００ｒｐｍ、下定盤の回転数は、２０〜１２０ｒｐｍ、キャリアの自転数は、１〜１０ｒｐｍの範囲で設定する。
また、研磨時におけるワークに対する加工圧力は、使用する研磨砥粒等によって適宜調整する。
電子デバイス用基板の平坦度を０．５μｍ以下とすることにより、電子デバイス用基板がマスクブランクス用基板の場合、半導体デバイスのデザインルールが１００ｎｍに適用できる次世代のマスクブランクス用基板、更には、０．２５μｍ以下とすることによりデザインルールが７０ｎｍのマスクブランクス用基板が得られる。
【００１７】
電子デバイス用基板は、マイクロエレクトロデバイスの製造に使用されるマスクブランクス用基板（例えば、フォトマスクブランクス用基板、位相シフトマスクブランクス用基板）や液晶ディスプレイ用基板、半導体ウエハー、情報記録媒体用基板などが挙げられ、これら各種用途の基板の製造方法に適用可能である。電子デバイス用基板の材料、大きさ等は特に限定されない。マスクブランクス用基板の場合、露光光に対し透明な材料であればよく、一般的にガラスが用いられる。例えば、合成石英ガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、低膨張ガラスなどが用いられる。
また、上述のキャリア（内キャリア、外キャリア）の材質は特に制限はない。ステンレス、はがね、鋳鉄、アラミド繊維、ガラスエポキシ、ポリカーボネートなどの材料を使用することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について以下に説明する。
＜キャリアの説明＞
ワークとして、マスクブランクス用ガラス基板（１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ）（以下、単にガラス基板と称す。）の場合のキャリアを例にとり、本実施例について説明する。以下のワークの研磨方法、電子デバイス用基板の製造方法で使用するキャリアとして上述の図５と図６と同様のタイプのキャリアを使用した。
【００１９】
キャリアは、ガラス基板と略同一形状でしかも若干大きい保持孔が複数（７個）設けられた円形の内キャリアと、円形の外径よりも若干大きい孔が設けられた外キャリアとからなる。外キャリアの外周部は、両面研磨装置のサンギアとインターナルギアと噛合させるために、これらのキャリアと同じピッチでギアが形成されている。円形の内キャリアを入れるための外キャリアに設けられた孔は、外キャリアの中心に対して偏心した位置に設けられており、キャリアに配置された全てのガラス基板は、キャリアの中心に対して偏心した位置に配置される。内キャリアに設けられた複数の保持孔は、各保持孔の間隔が２ｍｍとなるように、１つの保持孔を囲むように６個の保持孔が設けられ、合計７個の保持孔が近接して設けられている。内キャリアのワークと当接する内壁には、ワークの側面に傷を与えないように弾性体が設けられている（図示せず）。また、研磨時に内キャリアが自由に回転されるように、内キャリアの外周側面と、外キャリアに設けられた孔の内周側面は鏡面になっている。また、外キャリアには研磨時にワークに対し均等かつ十分に研磨液が供給されるように、研磨液供給孔が複数（６個）設けられている。尚、使用したキャリアは、外キャリアの外径は、約７００ｍｍ、内キャリアの外径は、約６００ｍｍのものを使用した。
【００２０】
また、別のキャリアは、ガラス基板と略相似形状でしかもガラス基板が縦横３列（計９個）配置できるように１つの大きい保持孔が設けられた円形の内キャリアと、円形の外径よりも若干大きい孔が設けられた外キャリアとからなる。外キャリアの外周部は、両面研磨装置のサンギアとインターナルギアと噛合させるために、これらのキャリアと同じピッチでギアが形成されている。円形の内キャリアを入れるための外キャリアに設けられた孔は、外キャリアの中心に対して偏心した位置に設けられており、キャリアに配置された全てのガラス基板は、キャリアの中心に対して偏心した位置に配置される。内キャリアのワークと当接する内壁には、ワークの側面に傷を与えないように弾性体が設けられている（図示せず）。また、研磨時に内キャリアが自由に回転されるように、内キャリアの外周側面と、外キャリアに設けられた孔の内周側面は鏡面になっている。また、外キャリアには研磨時にワークに対し均等かつ十分に研磨液が供給されるように、研磨液供給孔が複数（６個）設けられている。尚、使用したキャリアは、外キャリアの外径は、約７００ｍｍ、内キャリアの外径は、約６００ｍｍ、保持孔の大きさは、約４６０ｍｍ×約４６０ｍｍのものを使用した。
【００２１】
＜ワークの研磨方法の説明＞
図１、図８を用いて本発明のワークの研磨方法を説明する。図１は研磨装置にキャリアを装着したときの模式図である。研磨装置は、それぞれ所定の回転数で回転駆動されるサンギアおよびインターナルギアを有するキャリア装着部と、このキャリア装着部を挟んで互いに逆回転駆動される上定盤および下定盤とを有する。キャリア装着部に複数のキャリア（本実施例では５枚）をセットすると、これらのキャリアのギアがインターナルギアおよびサンギアと噛み合わされるようになっている。各キャリアの保持孔にワークであるガラス基板をセット（このとき、研磨用キャリアにセットされたガラス基板は、１枚のガラス基板の外周を囲むように複数枚のガラス基板が近接して配置される。）し、研磨を開始すると、キャリアはインターナルギアとサンギアとの回転数の差により遊星運動を行う。同時に、ガラス基板に研磨液を供給しながら、上定盤および下定盤は互いに逆回転し、それらに設けた研磨パッドによってガラス基板の表裏の面が研磨される。尚、保持孔を有する内キャリアは研磨時においては、回転自由運動となる。
【００２２】
上述のワークの研磨方法によって研磨されたガラス基板は、例えば、図８に示すようにキャリアに保持された複数のガラス基板があたかも大きな１枚のガラス基板のごとく研磨される。
上述のワークの研磨方法に従って、この大きな１枚の基板を研磨した場合、この仮想の大きな基板の平坦度は、中心から０．２５μｍ、０．５μｍ、１．０μｍ、１．５μｍとなる。
従って、外周を囲まれた中心部に配置されているガラス基板の平坦度が０．２５μｍと一番良好となり、そのガラス基板の外側に配置されている基板の平坦度は１．０μｍとなる。
【００２３】
＜電子デバイス用基板の製造方法の説明＞
＜実施例＞
マスクブランク用ガラス基板（１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ）（以下、単にガラス基板と称す。）の端面を面取り加工、および両面ラッピング装置によって研削加工を終えた７枚のガラス基板を、図５のキャリアに装着し、上述のワークの研磨方法に従って研磨を行った。尚、加工荷重は２０〜３００ｇ／ｃｍ２、研磨液は酸化セリウム（平均粒径１μｍ）＋水とし、研磨パッドは、スウェードタイプの軟質ポリシャを使用した。また、上定盤回転数は＋２８ｒｐｍ、下定盤回転数は−３２ｒｐｍ、公転数は−２ｒｐｍ、自転数は＋１ｒｐｍとした。（＋、−は回転方向を示し、時計回りを＋とした。）
【００２４】
得られた７枚のガラス基板の平坦度は、中心部に配置したガラス基板が０．２５μｍ、中心部に配置したガラス基板の外側に配置したガラス基板（６枚）が１．０μｍとなった。ここに、平坦度は、基板主表面の測定面から最小二乗法で算出される仮想絶対平面に対する測定面の最大高さと最小高さの差をいい、平坦度測定機（トロッペル社製ＦＭ２００）を用いて測定した。
また、得られたガラス基板の表面粗さは、平均表面粗さＲａで０．２ｎｍであった。
この実施例によって、平坦度が０．５μｍ以下のガラス基板を確実に１枚得ることができた。
【００２５】
＜比較例＞
図９の従来のキャリアを用いて研磨した以外は、上述の実施例と同様にしてマスクブランクス用ガラス基板（４枚）を作製した。
得られた４枚のガラス基板の平坦度は、１．０μｍであった。また、得られたガラス基板の表面粗さは、平均表面粗さＲａで０．２ｎｍであった。
本比較例においては、平坦度０．５μｍ以下のガラス基板を得ることができなかった。
尚、本発明のワークの研磨方法、電子デバイス用基板の製造方法は、上述の実施例に限ったものではなく、複数のワーク（電子デバイス用基板）を中心に配置し、その複数のワークの外周を囲むように、さらに複数のワークを配置するようにしてもよい。
【００２６】
【発明の効果】
本発明によれば、複数のワークを同時に研磨する方法であって、平坦度が良好な（具体的には０μｍ超０．５μｍ以下の）ワークを少なくとも一つ確実に得るためのワークの研磨方法および電子デバイス用基板の製造方法を提供することができ、産業上有用な著しい効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における複数のワークのかたまり（群）を、キャリア中心に対して偏心した位置に複数設けたキャリアを研磨装置に装着したときの模式図である。
【図２】本発明におけるキャリアに複数の保持孔を設けた実施形態を示す図である。
【図３】本発明におけるキャリアに１個の保持孔を設けた実施形態を示す図である。
【図４】本発明の図２の実施形態における複数のワークのかたまり（群）を、キャリア中心に対して偏心した位置に設置した実施形態を示す図である。
【図５】本発明における１枚の内キャリアに複数保持孔を設けたキャリアを示す図である。
【図６】本発明における１枚の内キャリアに１個の保持孔を設けたキャリアを示す図である。
【図７】本発明における複数のワークのかたまり（群）を、キャリア中心に対して偏心した位置に複数設けたキャリアを示す図である。
【図８】本発明におけるワークの研磨方法を説明する図である。
【図９】従来のワークの研磨方法を示す図である。

Claims (5)

1. １枚のキャリアに設けられた１または複数の保持孔に複数のワークを保持し、研磨パッドを貼設した下定盤および上定盤により該ワークを挟持した状態で上下定盤を回転させ、前記キャリアが自転しながら公転することによりワークの主表面の両面を同時に研磨するワークの研磨方法であって、
   前記複数のワークは、前記キャリアの中心に対して偏心した位置に配置されており、
   前記複数のワークは略同一の厚みを有し、
   且つ、
   １または複数のワークを中心として、中央に配置される前記１または複数のワークが受ける前記研磨パッドからの圧力が略均一となって平坦度の悪化を抑制するように、前記１または複数のワークの外周を他のワークが囲むように近接して配置されていることを特徴とするワークの研磨方法。
2. 前記複数のワークは、少なくとも一つのワークを中心として、他のワークが対称に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のワークの研磨方法。
3. 前記ワークは、方形状基板であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のワークの研磨方法。
4. 前記キャリアには、前記ワークを保持する円形の内キャリアと、該内キャリアを回転自在に保持するための円形の孔が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載のワークの研磨方法。
5. 請求項１乃至請求項４の何れか一に記載のワークの研磨方法によって、電子デバイス用基板を製造する方法であって、
   中心に配置される前記１または複数のワークの平坦度が、最も良好な平坦度となるように研磨され、前記平坦度が０μｍ超０．５μｍ以下のワークを抽出することを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。

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