JPWO2009157306A1 - 磁気ディスク用ガラス基板の両面研磨装置、研磨方法及び製造方法 - Google Patents

磁気ディスク用ガラス基板の両面研磨装置、研磨方法及び製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2009157306A1
JPWO2009157306A1 JP2010517857A JP2010517857A JPWO2009157306A1 JP WO2009157306 A1 JPWO2009157306 A1 JP WO2009157306A1 JP 2010517857 A JP2010517857 A JP 2010517857A JP 2010517857 A JP2010517857 A JP 2010517857A JP WO2009157306 A1 JPWO2009157306 A1 JP WO2009157306A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass substrate
surface plate
polishing
polishing pad
magnetic disk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2010517857A
Other languages
English (en)
Inventor
満 堀江
満 堀江
正文 伊藤
正文 伊藤
下平 憲昭
憲昭 下平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Publication of JPWO2009157306A1 publication Critical patent/JPWO2009157306A1/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C19/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by mechanical means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

上定盤(22)の研磨パッド(24)と下定盤(23)の研磨パッド(25)とに溝(24a、25a)を設け、上定盤(22)と下定盤(23)とが回転していない状態において、研磨パッド(24、25)のガラス基板(10)との接触面積が、上定盤(22)の研磨パッド(24)の方が下定盤(23)の研磨パッド(25)より小さく設定されている。

Description

本発明は、磁気ディスク装置であるハードディスクドライブ(HDD)等に用いられる磁気ディスクを構成する磁気ディスク用ガラス基板の両面研磨装置、研磨方法及び製造方法に関する。
パーソナルコンピュータ(PC)などには、外部記憶装置としてハードディスクドライブ(HDD)などが設けられている。通常、このハードディスクドライブには、コンピュータ用ストレージなどとして知られた磁気ディスクが搭載されている。この磁気ディスクは、例えばアルミニウム系合金基板などのような適宜の基板上に、磁性層等が成膜された構成のものである。
近年、磁気ディスク用の基板には、脆弱な金属基板に代わって、高強度、かつ、高剛性な材料であるガラス基板が多用されてきている。また、サーバー用途としての磁気ディスク用基板としてガラス基板が注目されてきている。
また、ハードディスクの大容量化が進められる中、高密度記憶化や記録読み取り精度の向上等を図るために、この磁気ディスク用ガラス基板には、さらに高精度の平坦性が求められており、特に磁気ヘッドの浮上性能に大きく影響する微小うねりをより小さくすることが求められている。
このようなガラス基板を製造するための研磨装置として、特許文献1には、図6に示す両面研磨装置を開示している。この両面研磨装置100は、それぞれ所定の回転比率で回転駆動されるインターナルギヤ101とサンギヤ102を有する研磨用キャリア装着部と、この研磨用キャリア装着部を挟んで互いに逆回転駆動される上定盤103及び下定盤104とを有する。上定盤103と下定盤104のガラス基板105と対向する面には、それぞれ研磨パッド106が装着されている。インターナルギヤ101及びサンギヤ102に噛合するように装着した研磨用キャリア107は遊星歯車運動をする。この遊星歯車運動において研磨用キャリア107は自らの中心を軸に自転し、かつサンギヤ102を軸に公転しながら運動する。この遊星歯車運動による研磨パッド106とガラス基板105の摩擦を伴いながらガラス基板105の両面が同時に研磨される。この両面研磨機100においては、ガラス基板105を研磨した後、研磨したガラス基板105を取り出すために上定盤103を上昇させる必要がある。
一方で、ガラス基板の微小うねりを低減させ平坦性を確保するため、上定盤及び下定盤に装着された研磨パッドは粗いものから平坦なものへと移行し、これによりガラス基板の研磨精度を確保している。このような研磨パッドは弾性を有しており、例えば特許文献2に記載するように、表面に溝を形成したものが知られている。
日本国特開2008−103061号公報 日本国特開平11−77518号公報
しかしながら、磁気ディスク用ガラス基板は薄くて軽いため、弾性を持つ研磨パッドに吸着しやすく、特許文献1の両面研磨機100を使用した場合、上定盤103を上昇させる際に、ガラス基板105が上定盤103に張り付き、上定盤103に張り付いたガラス基板105が落下し破損するおそれがあった。
本発明は、上記した事情に鑑み、ガラス基板の上定盤の研磨パッドへの張り付きを抑制し、ガラス基板の落下及び破損を防止することができる磁気ディスク用ガラス基板の両面研磨装置、研磨方法及び製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、それぞれ研磨パッドを備えた上定盤と下定盤との間に配設した磁気ディスク用ガラス基板の両面を同時に研磨する磁気ディスク用ガラス基板の両面研磨装置において、 前記上定盤の研磨パッドの前記ガラス基板との接触面積が、前記下定盤の研磨パッドの前記ガラス基板との接触面積より小さいことを特徴とする。
また、前記両面研磨装置において、前記上定盤の研磨パッドと前記下定盤の研磨パッドには、同一幅の溝が異なるピッチで格子状に形成されていることが好ましい。
また、本発明は、それぞれ研磨パッドを備えた上定盤と下定盤との間に配設した磁気ディスク用ガラス基板の両面を同時に研磨する磁気ディスク用ガラス基板の研磨方法において、前記上定盤の研磨パッドの前記ガラス基板との接触面積が、前記下定盤の研磨パッドの前記ガラス基板との接触面積より小さい研磨パッドを用いて研磨することを特徴とする。
また、本発明は、それぞれ研磨パッドを備えた上定盤と下定盤との間に磁気ディスク用ガラス基板を取り付ける取付工程と、前記磁気ディスク用ガラス基板の両面を同時に研磨する研磨工程と、前記上定盤と下定盤との間に配設された前記磁気ディスク用ガラス基板を取り出す取出工程と、を備えた磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、前記上定盤の研磨パッドの前記ガラス基板との接触面積が、前記下定盤の研磨パッドの前記ガラス基板との接触面積より小さいことを特徴とする。
なお、本発明において、研磨パッドのガラス基板との接触面積とは、ガラス基板に対し上定盤及び下定盤が静止した状態における研磨パッドのガラス基板との接触面積をいう。
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の両面研磨装置、研磨方法及び製造方法によれば、上定盤の研磨パッドのガラス基板との接触面積が、下定盤の研磨パッドのガラス基板との接触面積より小さいので、薄くて軽い性質を有する磁気ディスク用ガラス基板であっても、両面研磨装置を用いて研磨した後、ガラス基板を取り出すために上定盤を上昇させた際、ガラス基板が上定盤に装着された研磨パッドに張り付くことを抑制することができる。これにより、研磨パッドに張り付いたガラス基板が落下し、破損するのを防止することができる。
本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を示すフローチャート。 本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板の両面研磨装置の断面図。 上定盤の研磨パッドの正面図。 下定盤の研磨パッドの正面図。 正方形断面の研磨パッドの溝を示す断面図 台形断面の研磨パッドの溝を示す断面図。 本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板の両面研磨装置の処理手順を示すフローチャート。 特許文献1記載の両面研磨装置。
以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
本発明の磁気ディスク用ガラス基板10(以下、ガラス基板と呼ぶ。)の製造方法を図1を参照して説明する。このガラス基板10の製造方法は、
(1)形状加工工程(S1)と、
(2)第1ポリッシング工程(S2)と、
(3)第1洗浄工程(S3)と、
(4)第2ポリッシング工程(S4)と、
(5)第2洗浄工程(S5)と、を有している。
形状加工工程(S1)は、円形のガラス基板10(例えばφ65mmのガラス基板)を準備する工程であって、矩形の板ガラスの中央に貫通孔(内孔)を形成し、円形のガラスに加工する切り出し工程と、切り出した円形のガラスのエッジ(主表面と貫通孔を形成する内周端面との交線及び主表面と外周端面との交点)に面取り処理を施す面取り工程と、内周および外周を鏡面に研磨する工程と、ガラス基板の厚みを最終製品厚みの110%以下(最終板厚が635μmの場合には699μm以下)まで整える研削工程を有する。なお、主表面とは、ガラス基板10の表面及び裏面を含めた環状部分をいう。
第1ポリッシング工程(S2)では、後述の両面研磨装置20を用いて、ガラス基板10の主表面を研磨処理することで、形状加工工程(S1)において板状ガラスの主表面に形成されていた微細な凹凸形状を低減させ鏡面化された主表面を得ることができる。
具体的に、第1ポリッシング工程(S2)では、後述の両面研磨装置20において、平均粒径が0.5μm〜2.0μmである酸化セリウムを含有するセリアスラリーを供給しながら、ウレタン製研磨パッド、例えば硬質発砲ウレタンパッドを用いて研磨する。なお、板厚の減少量(研磨量)は典型的には20μm〜65μmである。このように、この第1ポリッシング工程(S2)での研磨処理によりガラス基板10の主表面を研磨処理してから、後述する第2ポリッシング工程(S4)での研磨処理を行うことにより、より短時間で、鏡面化された主表面を得ることができる。
続いて、第1洗浄工程(S3)において、第1ポリッシング工程(S2)を終えたガラス基板10を洗浄する。例えば、水、洗剤、強酸もしくは強アルカリを用いた超音波洗浄を行う。
次に、第2ポリッシング工程(S4)、いわゆるファイナルポリッシングでは、主表面を所望の表面粗さとなるように研磨処理を行い、ガラス基板10の主表面を鏡面状に仕上げる。
具体的に、第2ポリッシング工程(S4)では、後述の両面研磨装置20を用いて、平均粒径が0.01μm〜0.1μmであるコロイダルシリカ砥粒を含有するコロイダルシリカスラリーを供給しながら、ウレタン製研磨パッド、例えばスエードパッドを用いて研磨し、AFM(原子間力顕微鏡)を用いて測定される表面粗さ(Ra)を例えば0.05nm〜0.2nmとする。なお、板厚の減少量(研磨量)は典型的には0.3μm〜3μmである。
続いて、第2洗浄工程(S5)において、第2ポリッシング工程4を終えたガラス基板10を洗浄する。例えば、水、洗剤、強酸もしくは強アルカリを用いた超音波洗浄を行う。
なお、本発明における磁気ディスク用ガラス基板10の製造方法はこのようなものに限定されず、少なくとも1回のポリッシング工程を備えていればよく、内周端面及び外周端面のポリッシング工程を含んでいてもよく、主表面の追加のポリッシング工程を含んでいても良い。
次に、上述の第1ポリッシング工程(S2)及び第2ポリッシング工程(S4)で使用される両面研磨装置20について説明する。
本発明の両面研磨装置20は、図2に示すように、ガラス基板10を保持するキャリア21と、ガラス基板10を挟んで互いに逆回転に駆動可能な上定盤22及び下定盤23とを備え、上定盤22と下定盤23のガラス基板10と対向する面には、それぞれ研磨パッド24、25が装着されている。
上定盤22は、研磨処理前後においてはガラス基板10の取り付け、取り出しのため下定盤23に対し上下方向に移動可能であり、研磨中においては研磨パッド24、25がそれぞれガラス基板10の主表面に当接しながら逆回転可能に構成されている。なお、図6の従来例の両面研磨装置100のように、それぞれ所定の回転比率で回転駆動されるインターナルギヤ101とサンギヤ102を用いて、上定盤22と下定盤23に対し、キャリア21を相対回転させてもよい。
上定盤22に装着される研磨パッド24及び下定盤23に装着される研磨パッド25は、図3A及び図3Bに示すように、それぞれ略同一の幅を有する溝24a、25aが等間隔に格子状に形成されており、研磨パッド24、25の溝24a、25aは略同一の幅を有し、溝間のピッチが上定盤22の研磨パッド24の方(例えばP1=10mm)が下定盤23の研磨パッド25(例えばP2=30mm)より小さく形成されている。
従って、上定盤22の研磨パッド24の方が下定盤23の研磨パッド25より溝の数が多く、研磨機作動前後の上定盤22と下定盤23とが回転していない状態において研磨パッド24、25がガラス基板10と接触しうる領域の面積が上定盤22の研磨パッド24の方が下定盤23の研磨パッド25より小さくなっている。
本実施形態においては、上定盤22の研磨パッド24の溝間ピッチP1が下定盤23の研磨パッド25の溝間ピッチP2の3倍に設定されているが、これに限定されるものではない。
また、研磨パッド24、25の表面に対する溝24a、25aの配置は、必ずしも格子状である必要はなく、研磨パッド24、25の中心から外径側に向かって直線又は曲線で放射状に伸びるように配置したり、中心から外形側に次第に径方向長さを大きくしてらせん状に配置したり、ガラス基板10との接触面積が上定盤22の研磨パッド24の方が下定盤23の研磨パッド25より小さい限り、任意の配置を採用することができる。さらに、上定盤22に装着される研磨パッド24の溝24aの配置と下定盤23に装着される研磨パッド25の溝25aの配置の組み合わせは必ずしも同一である必要はなく、ガラス基板10との接触面積が上定盤22の研磨パッド24の方が下定盤23の研磨パッド25より小さい限り、任意の組み合わせを採用することができる。
また、研磨パッド24、25の溝24a、25aの断面形状は図4Aに示す正方形や図4Bに示す台形等、任意の形状とすることができる。
研磨パッド24、25としては、前述した研磨パッドのほか、不織布、ベロア状、スエード状研磨パッド、その他繊維や樹脂材料、若しくはこれらの複合材料等全ての材質の研磨パッドを使用することができるが、特に表面粗さが0.05nm〜0.2nm程度の磁気記録媒体用ガラス基板の研磨パッドとしては、高分子発砲体、特に発砲ポリウレタンを使用したスエード状研磨パッドであって、0〜15%の圧縮率および80〜99%の圧縮弾性率を有することが好ましい。
次に、本発明の両面研磨装置20の処理手順を図5を参照して説明する。
この両面研磨装置20の処理手順は、図5に示すように、
・ 基板の取付け工程と(SA1)と、
・ 上定盤下降工程と(SA2)と、
・ 加圧・加速工程(SA3)と、
・ 本研磨工程(SA4)と、
・ 減圧・減速工程(SA5)と、
・ 上定盤上昇工程(SA6)と、
・ 基板の取出し工程(SA7)と、を有している。
始めに、ガラス基板10をキャリア21に取り付け(SA1)、ガラス基板10を取付け後、上定盤22を下降させる(SA2)。続いて、所定のスラリーを供給しながらガラス基板10に上定盤22の研磨パッド24と下定盤23の研磨パッド25を当接させ加圧しながら、上定盤22と下定盤23の回転を開始し加速する(SA3)。その後、所定時間の研磨処理を行なった後(SA4)、上定盤22と下定盤23の回転速度を減速するとともに減圧する(SA5)。停止後、上定盤22を上昇させて(SA6)、ガラス基板10をキャリア21からとりだす(SA7)。
本実施形態によれば、上定盤22の研磨パッド24と下定盤23の研磨パッド25とに溝24a、25aを設けることにより、研磨処理においてスラリーを複数のガラス基板10全体に行き渡らせることができるとともに、上定盤22と下定盤23とが回転していない状態において研磨パッド24、25のガラス基板10との接触面積が上定盤22の研磨パッド24の方が下定盤23の研磨パッド25より小さく設定されている。
従って、上定盤22の研磨パッド24と対向するガラス基板10の表面との間に滞留するスラリー等の液体成分による表面張力が、下定盤23の研磨パッド25と対向するガラス基板10の裏面との間に滞留するスラリー等の液体成分による表面張力より小さくなる。これにより、薄くて軽い性質を有する磁気ディスク用ガラス基板であり、かつ、高精度の平坦性をだすために柔らかく吸着しやすい研磨パッドを用いて研磨処理を行なった場合であっても、両面研磨装置20の上定盤22を上昇させる際(SA6)、ガラス基板10が上定盤22の研磨パッド24に張り付くことを抑制することができる。従って、両面研磨装置20の上定盤22を上昇させることに伴う、ガラス基板10の落下及び破損を防止することができる。
なお、上定盤22の研磨パッド24のガラス基板10との接触面積と下定盤23の研磨パッド25のガラス基板10との接触面積の比は、好ましくは1:1.005〜1:1.5であり、さらに好ましくは1:1.01〜1:1.3である。1:1.005より小さければ、上定盤22の研磨パッド24にガラス基板10が張り付く可能性があり、また、1:1.5より大きければガラス基板10の表面と裏面とで表面粗さ、端部形状、または微小うねりに違いがでる可能性がある。
また、本発明は、いずれの研磨工程(例えば、第1、第2ポリッシング工程)にも適用することができるが、表面粗さが小さければ小さいほど、柔らかく吸着しやすい研磨パッドを用いる必要があるため、最終研磨工程(第2ポリッシング工程)で特に有益である。
以下、本実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。なお、本発明は、これら実施例の構成に限定されるものではない。
[ディスク落下試験]
ディスク落下防止性能を検証するために、4枚のガラス基板を同時に両面研磨可能な小型両面研磨装置を用いて、以下の試験を行なった。実施例と比較例は、研磨パッドの溝ピッチを変更した以外、全て同一の条件で行ない、研磨終了(図5のSA1〜SA5)後、上定盤を上昇(図5のSA6)させて、上定盤の研磨パッドに張り付いたガラス基板の枚数を数えた。なお、試験は同一の条件で5回繰り返して行なった。
実施例1においては、上定盤の研磨パッドとして1mm幅の溝を10mmピッチで格子状に形成したもの、下定盤の研磨パッドとして1mm幅の溝を30mmピッチで格子状に形成したものを用いて、上定盤の研磨パッドと下定盤の研磨パッドの接触面積比が1:1.154となるように設定した。実施例2においては、上定盤の研磨パッドとして1mm幅の溝を20mmピッチで格子状に形成したもの、下定盤の研磨パッドとして1mm幅の溝を30mmピッチで格子状に形成したものを用いて、上定盤の研磨パッドと下定盤の研磨パッドの接触面積比が1:1.035となるように設定した。一方、比較例においては、上定盤と下定盤の研磨パッドとして、共通して1mm幅の溝を30mmピッチで格子状に形成したものを用いて、ガラス基板との接触面積が上定盤の研磨パッドと下定盤の研磨パッドで同一に設定した。なお、研磨パッドとして、ポリウレタン製スエードパッドを使用した。ディスク落下試験の結果を表1に示す。
Figure 2009157306
この比較実験によれば、比較例においては、5回の試験の合計から半分以上のガラス基板が上定盤の研磨パッドに張り付いていることがわかる。これに対し、本発明の実施例1においては、5回の試験を通して1枚もガラス基板が上定盤の研磨パッドに張り付くことがなかった。また実施例2においても5回の試験を通して2枚しか上定盤の研磨パッドに張り付くことはなかった。
以上の結果から、本発明においては、薄くて軽い性質を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、かつ、高精度の平坦性をだすために柔らかく吸着しやすい研磨パッドを用いて研磨処理を行なった場合であっても、研磨処理後、両面研磨装置の上定盤を上昇させる際、ガラス基板が上定盤の研磨パッドに張り付くことを抑制することができ、これにより、ガラス基板の落下及び破損を防止することができる。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施し得るものである。
なお、本出願は、2008年6月25日出願の日本出願(特願2008−165853)に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
10 ガラス基板
20 両面研磨装置
22 上定盤
23 下定盤
24、25 研磨パッド
24a、25a 溝

Claims (4)

  1. それぞれ研磨パッドを備えた上定盤と下定盤との間に配設した磁気ディスク用ガラス基板の両面を同時に研磨する磁気ディスク用ガラス基板の両面研磨装置において、
    前記上定盤の研磨パッドの前記ガラス基板との接触面積が、前記下定盤の研磨パッドの前記ガラス基板との接触面積より小さいことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の両面研磨装置。
  2. 前記上定盤の研磨パッドと前記下定盤の研磨パッドには、同一幅の溝が異なるピッチで格子状に形成されていることを特徴とする請求項1記載の磁気ディスク用ガラス基板の両面研磨装置。
  3. それぞれ研磨パッドを備えた上定盤と下定盤との間に配設した磁気ディスク用ガラス基板の両面を同時に研磨する磁気ディスク用ガラス基板の研磨方法において、
    前記上定盤の研磨パッドとして前記下定盤の研磨パッドよりも前記ガラス基板との接触面積が小さい研磨パッドを用いて研磨することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の研磨方法。
  4. それぞれ研磨パッドを備えた上定盤と下定盤との間に磁気ディスク用ガラス基板を取り付ける取付工程と、
    前記磁気ディスク用ガラス基板の両面を同時に研磨する研磨工程と、
    前記上定盤と下定盤との間に配設された前記磁気ディスク用ガラス基板を取り出す取出工程と、
    を備えた磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、
    前記上定盤の研磨パッドの前記ガラス基板との接触面積が、前記下定盤の研磨パッドの前記ガラス基板との接触面積より小さいことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
JP2010517857A 2008-06-25 2009-06-09 磁気ディスク用ガラス基板の両面研磨装置、研磨方法及び製造方法 Withdrawn JPWO2009157306A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008165853 2008-06-25
JP2008165853 2008-06-25
PCT/JP2009/060554 WO2009157306A1 (ja) 2008-06-25 2009-06-09 磁気ディスク用ガラス基板の両面研磨装置、研磨方法及び製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2009157306A1 true JPWO2009157306A1 (ja) 2011-12-08

Family

ID=41444375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010517857A Withdrawn JPWO2009157306A1 (ja) 2008-06-25 2009-06-09 磁気ディスク用ガラス基板の両面研磨装置、研磨方法及び製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPWO2009157306A1 (ja)
WO (1) WO2009157306A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5536481B2 (ja) * 2010-02-03 2014-07-02 Hoya株式会社 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体の製造方法
WO2011121903A1 (ja) 2010-03-29 2011-10-06 コニカミノルタオプト株式会社 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP5967999B2 (ja) * 2011-03-31 2016-08-10 Hoya株式会社 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
JP5853408B2 (ja) * 2011-05-09 2016-02-09 旭硝子株式会社 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法および磁気記録媒体用ガラス基板
WO2013146134A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 コニカミノルタ株式会社 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6299072A (ja) * 1985-10-22 1987-05-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウエ−ハの加工方法
JP2006159353A (ja) * 2004-12-08 2006-06-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 研磨方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6299072A (ja) * 1985-10-22 1987-05-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウエ−ハの加工方法
JP2006159353A (ja) * 2004-12-08 2006-06-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 研磨方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009157306A1 (ja) 2009-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4790973B2 (ja) 研磨パッドを使用した情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及びその方法で得られた情報記録媒体用ガラス基板
JP5622481B2 (ja) 磁気記録媒体用基板の製造方法
JP4234991B2 (ja) 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及びその製造方法によって製造される情報記録媒体用ガラス基板
JP2006198751A (ja) 磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法及び研磨装置
WO2009157306A1 (ja) 磁気ディスク用ガラス基板の両面研磨装置、研磨方法及び製造方法
JP2003145412A (ja) 情報記録媒体用ガラス基板の研磨方法及び情報記録媒体用ガラス基板
JP5365522B2 (ja) ガラス基板の研磨方法及び製造方法
JP2012064295A (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
WO2017072919A1 (ja) 研磨パッド、研磨パッドを用いた研磨方法及び該研磨パッドの使用方法
JP2012089221A (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP2015035245A (ja) ガラス基板用キャリア、磁気記録媒体用ガラス基板の研磨方法、及び、磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP4749700B2 (ja) 研磨クロス,ウェーハ研磨装置及びウェーハ製造方法
JP2012234604A (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法および磁気記録媒体用ガラス基板
JP2012027976A (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP7018292B2 (ja) キャリアおよび当該キャリアを用いた基板の製造方法
JP4858622B2 (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP2009154232A (ja) 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
JP2001191247A (ja) ディスク状基板の両面研削方法、情報記録媒体用基板の製造方法、及び情報記録媒体の製造方法
JP5312911B2 (ja) 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
JP2005251851A (ja) 研磨パッドおよび研磨方法
JP6063044B2 (ja) キャリア、磁気ディスク用基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
JP3225815U (ja) 不織布からなる2層構造の研磨パッド
JP2007111852A (ja) 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法及び研磨布
JP5613723B2 (ja) キャリアプレートおよび円盤状基板の製造方法、円盤状基板の両面加工装置
JP4384591B2 (ja) 平面研磨加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120206

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130716

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20130731