JP4858622B2 - 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、主平面の平滑性と端部形状に優れる磁気記録媒体用ガラス基板を得るガラス基板の研磨方法と磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法に関する。
近年の磁気ディスクの高記録密度化にともない、磁気記録媒体用ガラス基板への要求特性は年々厳しくなっている。磁気ディスクの高記録密度化を達成するため、磁気ヘッドの浮上量を少なくする、ガラス基板の主平面の面積を有効活用するべく磁気ヘッドをガラス基板の端部まで通過させるなどの検討が行われている。
磁気ヘッドの浮上量を少なくする場合、磁気ディスクの主平面が平滑な面でないと、磁気ヘッドが磁気ディスクに接触し、障害が生じるおそれがある。また、磁気ヘッドをガラス基板の端部まで通過させる場合、磁気ディスクの主平面の端部形状の平坦性が高くないと、磁気ヘッドをガラス基板の端部まで通過させたとき、磁気ヘッドの浮上姿勢が乱され、磁気ヘッドが磁気ディスクに接触して障害が発生するおそれがある。
磁気記録媒体用ガラス基板の製造工程において、ガラス基板の主平面を平滑な鏡面に仕上げるために、研磨パッドと研磨液を用いたガラス基板の研磨が行われている。ガラス基板の研磨は、研磨装置の定盤表面にポリウレタン樹脂等からなる研磨パッドを装着し、該研磨パッドの研磨面をガラス基板の主平面に押し当てた状態で、砥粒を含有した研磨液をガラス基板と研磨パッドの間に供給しながら、ガラス基板と研磨パッドを相対的に移動させて、ガラス基板の主平面を研磨する。
研磨されたガラス基板の主平面の平滑性と端部形状は、研磨パッドの種類、研磨液に含有される砥粒の種類、研磨加工で除去されるガラス基板の板厚(研磨量)など、各種研磨条件により決定される。
同一研磨装置で同時に研磨されたガラス基板の特性が規格値を満たすようにガラス基板を研磨する、ガラス基板の研磨方法が提案されている(特許文献1)。
しかし、特許文献1に記載の研磨方法は、研磨されたガラス基板の主平面の微小うねり(波長1.5〜5mmの算術平均うねり)を0.6nm以下とするものであり、さらに小さな微小うねりμWa(50μm〜1000μmの周期を有する微小うねり)を向上させることについては記載も示唆もない。
また、特許文献1に記載のガラス基板の研磨方法は、硬質研磨パッドを用いた磁気記録媒体用ガラス基板の粗研磨工程に適用されるものであり、軟質研磨パッドを用いる仕上げ研磨工程に好適に適用されるものではない。硬質研磨パッドを用いたガラス基板の研磨では、研磨量が増えることにより、磁気記録媒体用ガラス基板の端部形状(ダブオフ)の悪化は実質的にない。そのため、ガラス基板の片側の主平面に対する研磨量は9μm以上に規定されている。磁気記録媒体用ガラス基板の仕上げ研磨工程において、ガラス基板の片側の主平面に対する研磨量を9μm以上(両主平面の総研磨量は18μm以上)とすると、仕上げ研磨工程では研磨されたガラス基板の主平面にキズを発生させない軟質研磨パッドを用いているため、研磨量が増えることによりガラス基板の端部形状(ダブオフ)が悪化するおそれがある。さらに、磁気記録媒体用ガラス基板の仕上げ研磨工程の研磨速度は低いため、研磨時間が長くなり生産性に劣るおそれがある。
特開2009−279696号公報
本発明は、主平面の平滑性と端部形状に優れる磁気記録媒体用ガラス基板を生産性高く研磨するガラス基板の研磨方法、及び該研磨方法を用いた研磨工程を有する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
本発明は、磁気記録媒体用ガラス基板の両主平面の記録再生領域における中間部にて、走査型白色干渉計を用いて測定される50μm〜1000μmの周期を有する微小うねりμWaの平均値が0.12nm以下であり、同一ロットで研磨されたガラス基板間の微小うねりμWaの平均値の差が0.05nm以下であり、
主平面と外周面取り部の交点から0.85〜2.45mmの領域(1.6mm幅)において、該1.6mm幅領域の両端を結ぶ基準線からの最大値と最小値の差分の値(最大値−最小値)で表す端部形状(ダブオフ)が15nm以下である中心部に円孔を有する円盤形状の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、前記磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、板形状を有するガラス基板の形状付与工程と、該ガラス基板の主平面の研磨工程と、該ガラス基板の洗浄工程とを有し、前記研磨工程は、1次研磨工程及び2次研磨工程を有し、前記2次研磨工程は平均粒子直径が100nm以下の砥粒を含有する研磨液を用いて、ガラス基板の両主平面を研磨する仕上げ研磨工程であり、前記1次研磨工程後における、前記仕上げ研磨工程で研磨されるガラス基板は、同一ロット内で研磨されるガラス基板間の板厚偏差が1.5μm以下であり、前記仕上げ研磨工程で研磨されるガラス基板の両主平面の総研磨量が0.4〜3.0μmであることを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。
本発明は、磁気記録媒体用ガラス基板の両主平面を研磨する仕上げ研磨工程において、同一ロット内で研磨されるガラス基板間の板厚偏差を1.5μm以下とすることにより、主平面の平滑性と端部形状に優れる磁気記録媒体用ガラス基板を生産性高く製造することができる。
磁気記録媒体用ガラス基板の斜視図。 磁気記録媒体用ガラス基板の断面斜視図。 両面研磨装置の概略図。 磁気記録媒体用ガラス基板の端部形状(ダブオフ)の測定位置を示す概略図。 同一ロット内で研磨された磁気記録媒体用ガラス基板の研磨前の板厚偏差と総研磨量の関係を示すグラフ。 磁気記録媒体用ガラス基板の総研磨量と微小うねりμWaの関係を示すグラフ。 磁気記録媒体用ガラス基板の総研磨量と端部形状(ダブオフ)の関係を示すグラフ。
以下、本発明を実施するための形態について説明するが、本発明は以下に記載される実施形態に限らない。
一般に、磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気ディスクの製造工程は、以下の工程を含む。(1)フロート法またはプレス成形法で成形されたガラス素基板を、円盤形状に加工した後、内周側面と外周側面の面取り加工を行う。(2)ガラス基板の上下主平面に研削加工を行う。(3)ガラス基板の側面部と面取り部の端面研磨を行う。(4)ガラス基板の上下主平面に研磨を行う。研磨工程は、1次研磨のみでも良く、1次研磨と2次研磨を行っても良く、2次研磨の後に3次研磨を行っても良い。(5)ガラス基板の精密洗浄を行い、磁気記録媒体用ガラス基板を製造する。(6)磁気記録媒体用ガラス基板の上に磁性層などの薄膜を形成し、磁気ディスクを製造する。
なお、上記磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気ディスクの製造工程において、各工程間にガラス基板の洗浄(工程間洗浄)やガラス基板表面のエッチング(工程間エッチング)を実施してもよい。さらに、磁気記録媒体用ガラス基板に高い機械的強度が求められる場合、ガラス基板の表層に強化層を形成する強化工程(例えば、化学強化工程)を研磨工程前、または研磨工程後、あるいは研磨工程間で実施してもよい。
本発明において、磁気記録媒体用ガラス基板は、アモルファスガラスでもよく、結晶化ガラスでもよく、ガラス基板の表層に強化層を有する強化ガラス(例えば、化学強化ガラス)でもよい。また、本発明のガラス基板のガラス素基板は、フロート法で造られたものでも良く、プレス成形法で造られたものでもよい。
本発明は、(4)ガラス基板の上下主平面に研磨を行う研磨工程に関し、磁気記録媒体用ガラス基板の仕上げ研磨加工に係るものである。
本発明の磁気記録媒体用ガラス基板10の斜視図を図1に、磁気記録媒体用ガラス基板10の断面斜視図を図2に示す。図中、10は磁気記録媒体用ガラス基板、101は磁気記録媒体用ガラス基板の主平面、102は内周側面、103は外周側面、104は内周面取り部、105は外周面取り部、106は主平面と外周面取り部の交点、をそれぞれ示す。
磁気記録媒体用ガラス基板10の主平面を平滑な鏡面に仕上げるために、研磨パッドと研磨液を使用したガラス基板の研磨が行われている。磁気記録媒体用ガラス基板10の両主平面を同時に研磨する、両面研磨装置20の概略図を図3に示す。図3において、10は磁気記録媒体用ガラス基板、30は上定盤の研磨面、40は下定盤の研磨面、50はキャリア、201は上定盤、202は下定盤、203はサンギア、204はインターナルギア、をそれぞれ示す。
両面研磨装置20は、サンギア203とインターナルギア204をそれぞれ所定の回転比率で回転駆動することにより、キャリア50を自転させながらサンギア203の周りを公転するように移動させ、上定盤201と下定盤202をそれぞれ所定の回転数で回転駆動し、ガラス基板の主平面を研磨する。
磁気記録媒体用ガラス基板10の主平面の研磨は、両面研磨装置20の上定盤201と下定盤202の対向する面にポリウレタン樹脂等からなる研磨パッドを装着し、該研磨パッドの研磨面(上定盤の研磨面30、下定盤の研磨面40)をドレス治具により所定の平坦度と表面粗さにドレス処理してから行う。磁気記録媒体用ガラス基板10は、キャリア50のガラス基板保持部に保持された状態で、上定盤の研磨面30と下定盤の研磨面40との間に狭持され、ガラス基板の両主平面に上定盤の研磨面30と下定盤の研磨面40を互いに押圧させた状態で、ガラス基板の両主平面に砥粒を含有する研磨液を供給するとともに、ガラス基板と研磨面を相対的に動かして、ガラス基板の両主平面を同時に研磨する。
本発明の仕上げ研磨工程において、研磨具としては軟質ウレタン製研磨パッドと平均粒子直径(以下、平均粒径と略す)が100nm以下の砥粒を含有する研磨液を用いる。仕上げ研磨工程の研磨具として硬質ウレタン製研磨パッドを用いると、研磨されたガラス基板の主平面にキズが発生してしまう、平滑性の高い主平面を有する磁気記録媒体用ガラス基板を得ることが難しくなるおそれがある。また、仕上げ研磨工程の研磨具として平均粒径が100nmを超える砥粒を含有する研磨液を用いると、平滑性の高い主平面を有する磁気記録媒体用ガラス基板を得ることができないおそれがある。
仕上げ研磨工程で用いる研磨液に含有される砥粒の平均粒径は100nm以下が好ましく、60nm以下がさらに好ましく、40nm以下が特に好ましい。本明細書において、砥粒の平均粒径は、動的光散乱方式の粒度分布測定機(例えば、大塚電子社製、製品名:FPAR−1000AS)を用いて測定される、または電子顕微鏡を用いて計測されるものである。
前記研磨液に含有される砥粒としては、特に限定されるものではなくコロイダルシリカ、酸化セリウム、酸化マンガン、酸化アルミニウムなどの中から選定できる。前記砥粒の中でも、ガラス基板の主平面を平滑性高く研磨できる、研磨したガラス基板の表面に付着した砥粒を洗浄除去し易いなどの理由から、コロイダルシリカを用いることが好ましい。
次に、磁気記録媒体用ガラス基板の表面特性について説明する。前記表面特性を表すものとしては、50μm〜1000μmの周期を有する微小うねりの算術平均粗さμWaと、主平面と外周面取り部の交点106から0.85〜2.45mmの領域(1.6mm幅)において、該1.6mm幅領域の両端を結ぶ基準線からの最大値と最小値の差分の値(最大値−最小値)で表す端部形状(ダブオフ)がある。
磁気記録媒体用ガラス基板の微小うねりμWaとしては、上下主平面の記録再生領域の中間部にて測定した微小うねりμWaの平均値が、0.12nm以下である。微小うねりμWaの平均値は、0.11nm以下が好ましく、0.10nm以下が更に好ましく、0.09nm以下が特に好ましい。さらに、同一ロットで研磨された磁気記録媒体用ガラス基板間の微小うねりμWaの平均値の差は、0.05nm以下である。微小うねりμWaの平均値の差は0.03nm以下が好ましく、0.02nm以下が更に好ましい。
なお、本明細書において、μWaは、走査型白色干渉計を用いて測定した50μm〜1000μmの周期を有する微小うねりの算術平均粗さであり、測定領域を1.0mm×0.7mmとした。
図4に、端部形状(ダブオフ)の測定領域の一例を示す。図中、101は主平面、105は外周面取り部、106は主平面と外周面取り部の交点、Dは端部形状(ダブオフ)測定領域をそれぞれ示す。本明細書において、端部形状(ダブオフ)測定領域Dは、主平面と外周面取り部の交点106から0.85〜2.45mmの領域(1.6mm幅)に設定し、測定を行っているが、端部形状(ダブオフ)測定領域はこれに限られるものではない。
磁気記録媒体用ガラス基板の端部形状(ダブオフ)は、小さいほど好ましく、磁気ヘッドをガラス基板の端部まで通過させたとき、磁気ヘッドの浮上姿勢が乱されることがなく、磁気ディスクへの記録再生が安定して行える。磁気記録媒体用ガラス基板の端部形状(ダブオフ)は、15nmである。端部形状(ダブオフ)は12nmがさらに好ましく、10nmが特に好ましい。なお、本明細書において、端部形状(ダブオフ)は、走査型白色干渉計を用いて測定した。
磁気記録媒体用ガラス基板の表面特性としては、磁気記録媒体用ガラス基板の記録再生領域の中間部において測定した微小うねりμWaの平均値が0.12nm以下であり、端部形状(ダブオフ)が15nmである。
磁気記録媒体用ガラス基板10の主平面の仕上げ研磨工程において、研磨加工で除去されるガラス基板の板厚(研磨量)が多いほど微小うねりμWaの値は小さくなる、つまり平滑性に優れる磁気記録媒体用ガラス基板を得ることができるようになる。しかし、研磨加工で除去されるガラス基板の板厚(研磨量)が多いほど、端部形状(ダブオフ)の値は大きくなるといった問題が生じるおそれがある。
微小うねりμWaと端部形状(ダブオフ)に優れる磁気記録媒体用ガラス基板を得るには、仕上げ研磨工程におけるガラス基板の両主平面の総研磨量を0.4〜3.0μmとする。ガラス基板の両主平面の総研磨量が0.4μm未満であると、微小うねりμWaの平均値が0.12nm以下の磁気記録媒体用ガラス基板を得ることが難しくなるおそれがある。ガラス基板の両主平面の総研磨量が3.0μmを超えると、端部形状(ダブオフ)の値が15nmの磁気記録媒体用ガラス基板を得ることが難しくなるおそれがある。
仕上げ研磨工程におけるガラス基板の両主平面の総研磨量は0.4〜3.0μmである。総研磨量は0.4〜2.5μmがさらに好ましく、0.4〜2.0μmが特に好ましい。


磁気記録媒体用ガラス基板10の仕上げ研磨工程において、研磨加工で除去されるガラス基板の板厚(研磨量)は、同一ロット内で研磨されるガラス基板間の板厚偏差が大きいと、ロット内のガラス基板間でバラツキが大きくなる。その結果、微小うねりμWaや端部形状(ダブオフ)などの磁気記録媒体用ガラス基板の表面特性についても、ロット内のガラス基板間でバラツキが大きくなってしまう。
同一ロット内で研磨されるガラス基板間の板厚偏差が大きい場合、ガラス基板の研磨量を多くすることにより、微小うねりμWaの値は小さくなり、ロット内のガラス基板間でバラツキも小さくなる。しかし、ガラス基板の研磨量を多くすると、端部形状(ダブオフ)は悪化するおそれがある。さらに、ガラス基板の主平面の研磨量を多くするために、研磨時間を長く設定し、磁気記録媒体用ガラス基板の製造工程の生産性が劣るおそれもある。
同一ロット内で研磨されるガラス基板間の板厚偏差は1.5μm以下である。同一ロット内で研磨されるガラス基板間の板厚偏差が1.5μmを超える場合、研磨加工で除去されるガラス基板の板厚(研磨量)のロット内バラツキが大きくなり、微小うねりμWaや端部形状(ダブオフ)など、表面特性のロット内バラツキが大きくなるおそれがある。同一ロット内で研磨されるガラス基板間の板厚偏差は1.5μm以下であり、1.0μm以下が好ましく、0.5μm以下が特に好ましい。
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に説明するが、本発明はこれにより何ら制限されるものではない。
[磁気記録媒体用ガラス基板の調整]
外径65mm、内径20mm、板厚0.635mmの磁気記録媒体用ガラス基板用に、フロート法で成形されたSiOを主成分とするガラス基板をドーナツ状円形ガラス基板(中央部に円孔を有する円盤状ガラス板)に加工した。
このドーナツ状円形ガラス基板の内周側面と外周側面を、面取り幅0.15mm、面取り角度45°の磁気記録媒体用ガラス基板となるように面取り加工し、その後アルミナ砥粒を用いて、ガラス基板上下主平面をラッピングし、砥粒を洗浄除去した。
次に、内周側面と内周面取り部を研磨ブラシと酸化セリウム砥粒を用いて研磨し、内周側面と内周面取り部のキズを除去し、鏡面となるように内周端面を研磨加工した。内周端面研磨を行ったガラス基板は、アルカリ性洗剤を用いたスクラブ洗浄、アルカリ性洗剤溶液への浸漬した状態での超音波洗浄により、砥粒を洗浄除去した。
内周端面研磨後のガラス基板の外周側面と外周面取り部を研磨ブラシと酸化セリウム砥粒を用いて研磨し、外周側面と外周面取り部のキズを除去し、鏡面となるように外周端面を研磨加工した。外周端面研磨後のガラス基板は、アルカリ性洗剤を用いたスクラブ洗浄と、アルカリ性洗剤溶液への浸漬した状態での超音波洗浄により、砥粒を洗浄除去する。
[磁気記録媒体用ガラス基板の1次〜3次研磨]
端面加工後のガラス基板は、研磨具として硬質ウレタン製の研磨パッドと酸化セリウム砥粒を含有する研磨液(平均粒径が約1.1μmの酸化セリウムを主成分した研磨液組成物)を用いて、両面研磨装置により上下主平面を1次研磨し、その後、酸化セリウムを洗浄除去した。
1次研磨後のガラス基板は、研磨具として軟質ウレタン製の研磨パッドと上記の酸化セリウム砥粒よりも平均粒径が小さい酸化セリウム砥粒を含有する研磨液(平均粒径約0.5μmの酸化セリウムを主成分とする研磨液組成物)を用いて、両面研磨装置により上下主平面を研磨し、酸化セリウムを洗浄除去した。
1次研磨、2次研磨後のガラス基板は、仕上げ研磨(3次研磨)を行う。仕上げ研磨(3次研磨)の研磨具として軟質ウレタン製研磨パッドとコロイダルシリカを含有する研磨液(一次粒子の平均粒径が20〜30nmのコロイダルシリカを主成分とする研磨液組成物)を用いて、両面研磨装置により上下主平面を研磨加工した。
3次研磨を行ったガラス基板は、アルカリ性洗剤によるスクラブ洗浄、アルカリ性洗剤溶液に浸漬した状態での超音波洗浄、純水に浸漬した状態での超音波洗浄、を順次行い、イソプロピルアルコール蒸気にて乾燥した。洗浄乾燥した磁気記録媒体用ガラス基板は、研磨加工で除去した板厚(研磨量)と、主平面の微小うねりμWaと端部形状(ダブオフ)を測定される。
研磨加工で除去した板厚(研磨量)の測定は、精密電子天秤(エー・アンド・デイ社製、型式:HR−202i)を用い、研磨加工前後の質量変化量を測定することにより行った(質量法)。研磨加工前後の質量変化量を、ガラス基板の比重と主平面の面積で除することにより、研磨加工で除去した板厚(総研磨量)を算出した。ガラス基板の片側の主平面の研磨量を算出したい場合、研磨加工前後の質量変化量を、ガラス基板の比重と両主平面の面積(主平面の面積×2)で除する。
微小うねりμWaと端部形状(ダブオフ)は、走査型白色干渉計(Zygo社製、製品名:Zygo New View 5032)を用いて測定した。微小うねりμWaの測定領域は、ガラス基板の記録再生領域の中間部にある、縦0.7mm、横1.0mmの領域内とし、測定点数は両面の2箇所の位置で測定した。端部形状(ダブオフ)の測定領域は、図4に示すように、ガラス基板の主平面と外周面取り部の交点106から0.85〜2.45mmの領域(1.6mm幅)とし、測定点数は両面の2箇所の位置で測定した。
まず、9B型両面研磨装置(スピードファム社製、製品名:DSM−9B−5PV−4MH)を用いて、ロット内の板厚偏差とガラス基板の総研磨量の関係(図5)と、ガラス基板の総研磨量と微小うねりμWaの関係(図6)と、ガラス基板の総研磨量と端部形状(ダブオフ)の関係(図7)を調べた結果について説明する。
9B型両面研磨装置によるガラス基板の研磨は、1ロットのガラス基板の枚数25枚、メインの研磨加工圧力120g/cm、定盤回転数40rpm、研磨時間は所望の研磨量となるように設定して実施した。
ロット内の板厚偏差とガラス基板の総研磨量の関係について調べた結果を図5に示した。研磨前のガラス基板間の板厚偏差が3.6μmのロットを準備し、研磨時間を20分に設定し、ガラス基板の両主平面を研磨した。ロット内23枚のガラス基板について、研磨前の板厚と研磨後の研磨量をそれぞれ測定し、横軸に同一ロットで研磨するガラス基板間の板厚偏差(ロット内で最も薄いガラス基板の板厚からの差)、縦軸に研磨加工で除去されたガラス基板の板厚(主平面の総研磨量)をプロットした。同一ロットで板厚が厚いガラス基板(板厚偏差値が大きい)の研磨量は多く、板厚が薄いガラス基板(板厚偏差値が小さい)の研磨量は少なくなっており、ロット内の板厚偏差が大きくなると、同一ロットで研磨されるガラス基板間の研磨量のバラツキが大きくなることが分かる。
研磨前のガラス基板間の板厚偏差が1.0μm以下のロットを準備し、研磨時間を1分、2分、5分、10分、20分に設定してガラス基板を研磨し、ガラス基板の総研磨量と微小うねりμWaの関係と、ガラス基板の総研磨量と端部形状(ダブオフ)の関係について調べた。研磨されたガラス基板は、主平面の総研磨量と、微小うねりμWaと端部形状(ダブオフ)を測定される。測定は、各ロット5枚のガラス基板を用いて行った。
主平面の総研磨量と微小うねりμWaをプロットしたグラフを図6に、主平面の総研磨量と端部形状(ダブオフ)をプロットしたグラフを図7に示す。研磨量を多くすると、微小うねりμWaは小さくなり良化する。一方、研磨量を多くすると、端部形状(ダブオフ)は大きくなり悪化する。
9B型両面研磨装置を用いてガラス基板を仕上げ研磨した結果から、研磨前のガラス基板間の板厚偏差が1.0μm以下のロットを研磨する場合、微小うねりμWaの平均値が0.12nm以下、端部形状(ダブオフ)が15nmの磁気記録媒体用ガラス基板を得るには、研磨加工で除去するガラス基板の板厚(総研磨量)は0.4μm〜3.0μmが好ましいことが分かる。
次に、22B型両面研磨装置(スピードファム社製、製品名:DSM22B−6PV−4MH)を用い、同一ロットで研磨するガラス基板の枚数を180枚と増やし、ロット内の板厚偏差と微小うねりμWaの関係を調べた。
22B型両面研磨装置によるガラス基板の研磨は、1ロットのガラス基板の枚数180枚、メインの研磨加工圧力80g/cm、定盤回転数40rpm、研磨時間を20分に設定して実施した。研磨前のガラス基板の板厚(ロット内の板厚偏差)と、研磨後のガラス基板の微小うねりμWaは、ロット内5枚のガラス基板を用いて測定した。
研磨前のガラス基板の板厚は、マイクロメータ(ミツトヨ社製、製品名:MDC−25MJ)を用いて測定した。ガラス基板の板厚は、磁気記録媒体用ガラス基板の中心部から20mm(記録再生領域の中間領域)の位置において、0°、90°、180°、270°の計4箇所で測定し、その平均値を求めた。同一ロット内で研磨されるガラス基板間の板厚偏差は、板厚平均値の最大値と最小値の差から求めた。
研磨前のガラス基板間の板厚偏差が0.5μm(例1)、1.0μm(例2)、2.8μm(例3)、3.0μm(例4)、3.3μm(例5)、4.0μm(例6)のロットをそれぞれ準備し、各ロットのガラス基板を研磨し、微小うねりμWaを測定した結果を表1に示す。表1において、例1と例2は実施例、例3〜例6は比較例である。
研磨前のガラス基板間の板厚偏差が0.5μm(例1)と1.0μm(例2)のロットは、研磨されたガラス基板の微小うねりμWaが0.11nm以下であり、ガラス基板間の微小うねりμWaの平均値の差は0.02nm以下であった。
Figure 0004858622
本発明は、板形状を有するガラス基板の研磨工程を有するガラス基板の製造方法に適用できる。板形状を有するガラス基板として、磁気記録媒体用、フォトマスク用、液晶や有機EL等のディスプレイ用、光ピックアップ素子や光学フィルタ等の光学部品用などのガラス基板が具体的なものとして挙げられる。
10:磁気記録媒体用ガラス基板、101:磁気記録媒体用ガラス基板の主平面、102:内周側面、103:外周側面、104:内周面取り部、105:外周面取り部、106:主平面と外周面取り部の交点
20:両面研磨装置、30:上定盤の研磨面、40:下定盤の研磨面、50:キャリア、201:上定盤、202:下定盤、203:サンギア、204:インターナルギア
D:端部形状(ダブオフ)測定領域。

Claims (3)

  1. 磁気記録媒体用ガラス基板の両主平面の記録再生領域における中間部にて、走査型白色干渉計を用いて測定される50μm〜1000μmの周期を有する微小うねりμWaの平均値が0.12nm以下であり、同一ロットで研磨されたガラス基板間の微小うねりμWaの平均値の差が0.05nm以下であり、
    主平面と外周面取り部の交点から0.85〜2.45mmの領域(1.6mm幅)において、該1.6mm幅領域の両端を結ぶ基準線からの最大値と最小値の差分の値(最大値−最小値)で表す端部形状(ダブオフ)が15nm以下である中心部に円孔を有する円盤形状の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法であって
    前記磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、板形状を有するガラス基板の形状付与工程と、該ガラス基板の主平面の研磨工程と、該ガラス基板の洗浄工程とを有し、
    前記研磨工程は、1次研磨工程及び2次研磨工程を有し、前記2次研磨工程は平均粒子直径が100nm以下の砥粒を含有する研磨液を用いて、ガラス基板の両主平面を同時に研磨する仕上げ研磨工程であり、
    前記1次研磨工程後における、前記仕上げ研磨工程で研磨されるガラス基板は、同一ロット内で研磨されるガラス基板間の板厚偏差が1.5μm以下であり、
    前記仕上げ研磨工程で研磨されるガラス基板の両主平面の総研磨量が0.4〜3.0μmであることを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
  2. 磁気記録媒体用ガラス基板の両主平面の記録再生領域における中間部にて、走査型白色干渉計を用いて測定される50μm〜1000μmの周期を有する微小うねりμWaの平均値が0.12nm以下であり、同一ロットで研磨されたガラス基板間の微小うねりμWaの平均値の差が0.05nm以下であり、
    主平面と外周面取り部の交点から0.85〜2.45mmの領域(1.6mm幅)において、該1.6mm幅領域の両端を結ぶ基準線からの最大値と最小値の差分の値(最大値−最小値)で表す端部形状(ダブオフ)が15nm以下である中心部に円孔を有する円盤形状の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法であって
    前記磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、板形状を有するガラス基板の形状付与工程と、該ガラス基板の主平面の研磨工程と、該ガラス基板の洗浄工程とを有し、
    前記研磨工程は、1次研磨工程、2次研磨工程及び3次研磨工程を有し、前記3次研磨工程は平均粒子直径が100nm以下の砥粒を含有する研磨液を用いて、ガラス基板の両主平面を同時に研磨する仕上げ研磨工程であり、
    前記2次研磨工程後における、前記仕上げ研磨工程で研磨されるガラス基板は、同一ロット内で研磨されるガラス基板間の板厚偏差が1.5μm以下であり、
    前記仕上げ研磨工程で研磨されるガラス基板の両主平面の総研磨量が0.4〜3.0μmであることを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
  3. 前記仕上げ研磨工程で用いる研磨液に含有される砥粒は、コロイダルシリカである請求項1または2に記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
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