DE112015000878T5 - Herstellungsverfahren eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und Verfahren zum doppelseitigen Polieren - Google Patents

Herstellungsverfahren eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und Verfahren zum doppelseitigen Polieren Download PDF

Info

Publication number
DE112015000878T5
DE112015000878T5 DE112015000878.0T DE112015000878T DE112015000878T5 DE 112015000878 T5 DE112015000878 T5 DE 112015000878T5 DE 112015000878 T DE112015000878 T DE 112015000878T DE 112015000878 T5 DE112015000878 T5 DE 112015000878T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
double
polishing apparatus
support
sided polishing
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE112015000878.0T
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuya Sato
Yuki Tanaka
Syuichi Kobayashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Publication of DE112015000878T5 publication Critical patent/DE112015000878T5/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

Die vorliegende Erfindung stellt ein Herstellungsverfahren für einen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren durch Ausführen eines Läppungsprozesses auf dem Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, der die Form eines Zahnrads und ein Halteloch zum Halten eines Halbleiterwafers hat, bereit; wobei das Verfahren folgende Schritte beinhaltet: Bereitstellen eines äußeren Trägers, der größer als der Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren ist und ein Loch hat, um den Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren zu halten, und dafür ausgebildet ist, die Mitte des Loches exzentrisch zur Mitte des äußeren Trägers anzuordnen; Halten des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren durch den äußeren Träger, wobei der Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren in das Loch eingeführt wird; und Ausführen eines Läppungsprozesses auf dem Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, wobei die Mitte des Loches zur Mitte des äußeren Trägers exzentrisch ist. Dies stellt ein Herstellungsverfahren für einen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren bereit, das die beim Läppen eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren entstehenden Schwankungen der Dickeverteilung verbessern kann, einen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und ein Verfahren zum doppelseitigen Polieren, das diesen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren verwendet.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Herstellungsverfahren eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, einen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und ein Verfahren zum doppelseitigen Polieren.
  • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • In einer Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren wird üblicherweise zum Ebnen eines Halbleiterwafers, wie beispielsweise eines Siliziumwafers, ein scheibenartiger Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren verwendet, der mit einem Halteloch versehen ist, um den Halbleiterwafer zu halten (siehe Patentdokument 1)
  • In einem Herstellungsprozess für diesen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren ist, obgleich es natürlich ist, die Schwankungen der Dicke in jedem Träger in einem Los niedrig zu halten, eine einheitliche Dicke eines Stückes, das heißt die Ebenheit, ein wichtiger Faktor beim doppelseitigen Polieren, um einen Halbleiterwafer durch Verwendung dieses Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren in hohem Maße zu ebnen.
  • Dementsprechend wird in einem Prozess zum Herstellen eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren ein Läppungsprozess ausgeführt, um die Schwankungen der Dicke innerhalb eines Loses niedrig zu halten (siehe Patentdokument 2). Bezüglich des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, auf den dieser Läppungsprozess angewendet wird, haben die Dicken der Trägerkörper (Hauptteil des Trägers), die anhand der Mittelwerte betrachtet werden, eine Schwankung von circa 2 μm innerhalb eines Loses.
  • LITERATURLISTE
  • PATENTLITERATUR
    • Patentdokument 1: Japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung (Kokai) Nummer 2001-30161
    • Patentdokument 2: Japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung (Kokai) Nummer 2009-135424
  • KURZBESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • TECHNISCHES PROBLEM
  • Wenn die Dicke eines Teils eines Trägerkörpers in den Bereichen (Differenz zwischen Maximum und Minimum) sämtlicher Daten, nicht die Mittelwerte betrachtet werden, hat sich jedoch gezeigt, dass der Bereich groß ist – 3 μm oder mehr – und eine charakteristische Dickeverteilung aufweist. Diese charakteristische Verteilung ist eine Verteilung, bei der der Mittelteil eines Trägerkörpers (wenn die Mitte eines Trägerkörpers in einem Arbeitsloch enthalten ist, um ein Werkstück darin einzusetzen, bezeichnet der Mittelteil den Teil am nächsten zum Rand des Arbeitsloches) dicker ist als die anderen Teile.
  • Wenn eine solche Dickeschwankung in einem Trägerkörper gebildet wird, wird auch eine Dickeschwankung an dem inneren Umfang des Arbeitsloches gebildet. Als Folge dieser Dickeschwankung entsteht ein Problem beim Bilden einer Dickeverteilung an dem Einsatz (der Einsatz ist ein Trägerelement aus Harz, das in den inneren Umfang des Arbeitsloches eingeführt wird, um den Randteil eines Halbleiterwafers zu schützen).
  • Die Dicke eines Einsatzes muss in der Umfangsrichtung des Arbeitsloches gleichmäßig sein, um einen Halbleiterwafer hochgradig eben zu machen, wobei jedoch die Dicke eines Einsatzes aufgrund der Dickeverteilung des Trägerkörpers nicht ausreichend einheitlich ist, was eine Verschlechterung der Ebenheit eines Halbleiterwafers bewirkt. Dennoch wurde bis jetzt noch keine Technologie zur Bewältigung der Dickeverteilung eines Trägerkörpers, insbesondere einer solchen Verteilung, bei der der Mittelteil eines Trägerkörpers dicker ist als die anderen Teile, entwickelt.
  • Die vorliegende Erfindung wurde in Anbetracht der vorstehend beschriebenen Probleme erdacht. Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung eines Herstellungsverfahrens eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, das die Schwankungen einer Dickeverteilung, die beim Läppen eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren bewirkt wird, verbessern kann, sowie auch eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und eines Verfahrens zum doppelseitigen Polieren unter Verwendung dieses Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren.
  • LÖSUNG DES PROBLEMS
  • Um die vorstehend beschriebene Aufgabe zu erfüllen, stellt die vorliegende Erfindung ein Herstellungsverfahren für einen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren durch Ausführen eines Läppungsprozesses auf dem Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren bereit, indem dieser gedreht und rotiert wird, wobei der Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren zwischen einem oberen und einem unteren Drehteller einer Läppungsvorrichtung angeordnet wird, wobei der Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren die Form eines Zahnrads und ein Halteloch hat, das zum Halten eines Halbleiterwafers ausgebildet ist; wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst:
    Bereitstellen eines äußeren Trägers, wobei der äußere Träger zahnradförmig und größer ist als der Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und ein Loch aufweist, das dazu ausgebildet ist, den Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren zu halten und dafür ausgebildet ist, die Mitte des Loches exzentrisch zur Mitte des äußeren Trägers anzuordnen;
    Halten des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren durch den äußeren Träger, wobei der Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren in das Loch eingeführt wird; und
    Ausführen eines Läppungsprozesses auf dem Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren durch Drehen und Rotieren des äußeren Trägers und des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, wobei die Mitte des Loches zur Mitte des äußeren Trägers exzentrisch ist, wobei der gehaltene Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren zwischen dem oberen und dem unteren Drehteller der Läppungsvorrichtung eingefügt wird.
  • Ein solches Verfahren ermöglicht die Niedrighaltung einer bei einem herkömmlichen Läppungsprozess bewirkten Dickeverteilung, insbesondere das Auftreten einer Verteilung, bei der der Mittelteil eines Trägerkörpers dicker wird als die anderen Teile, und die Herstellung eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, bei dem die Dickeverteilung unterdrückt wird.
  • In diesem Fall ist es vorzuziehen, dass das Loch eine Kreisform hat und eine Exzentrizität der Mitte des Loches zur Mitte des äußeren Trägers relativ zum Durchmesser des Loches auf 1/5 oder mehr eingestellt wird.
  • Dies ermöglicht die Herstellung eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, bei dem die Dickeschwankung noch weiter unterdrückt wird. Insbesondere wird der Dickebereich auf 2 μm oder weniger verringert.
  • In diesem Fall ist es auch möglich, das Loch mit einer Kreisform zu bilden und den Durchmesser des Loches um 0,5 mm bis 1,0 mm größer im Vergleich zu dem Kopfkreisdurchmesser des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren einzustellen.
  • Dies ermöglicht eine sichere Herstellung eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren mit einer geringen Dickeschwankung, da beim Läppen eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren das Drehen des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren in einem Loch nicht von dem äußeren Träger behindert wird.
  • In diesem Fall ist es vorzuziehen, dass der Kopfkreisdurchmesser des äußeren Trägers relativ zu dem Kopfkreisdurchmesser des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren auf das 1,5-Fache oder mehr eingestellt wird.
  • Dies ermöglicht die Herstellung eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, bei dem die Dickeschwankung noch weiter unterdrückt wird. Insbesondere wird der Dickebereich auf 2 μm oder weniger verringert.
  • Der äußere Träger kann aus einem Material hergestellt werden, das aus Kohlenstoff-Werkzeugstahl, Edelstahl und Titan ausgewählt ist. Diese Materialien sind als Materialien für den äußeren Träger geeignet.
  • Der Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren kann aus einem Material hergestellt werden, das aus Edelstahl und Titan ausgewählt wird.
  • Diese Materialien sind als Materialien für den Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren geeignet.
  • Um die vorstehend beschriebene Aufgabe zu erfüllen, stellt die vorliegende Erfindung einen mittels des vorstehend beschriebenen Herstellungsverfahrens hergestellten Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren bereit.
  • Ein solcher Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren hat eine Dickeverteilung mit einer geringen Schwankung, beispielsweise einen Dickebereich von 2 μm oder weniger, und kann dementsprechend ein Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren sein, der einen hochgradig ebenen Halbleiterwafer herstellen kann.
  • Um die vorstehend beschriebene Aufgabe zu erfüllen, stellt die vorliegende Erfindung auch ein Verfahren zum doppelseitigen Polieren eines Halbleiterwafers bereit, bei dem: beim Halten des Halbleiterwafers unter Verwendung des vorstehend beschriebenen Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren in einer Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren die obere und untere Oberfläche des gehalten Halbleiterwafers in Gleitkontakt mit dem oberen und unteren Drehteller gebracht werden, an denen jeweils eine Polierplatte befestigt ist, wodurch der Halbleiterwafer einem Prozess des doppelseitigen Polierens unterzogen wird.
  • Ein solches Verfahren zum doppelseitigen Polieren unter Verwendung eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren mit einer Dickeverteilung mit einer geringen Schwankung kann einen hochgradig ebenen Halbleiterwafer herstellen.
  • VORTEILHAFTE WIRKUNGEN DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung kann einen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren mit einer Dickeverteilung mit einer geringen Schwankung herstellen. Das Verfahren zum doppelseitigen Polieren unter Verwendung dieses Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren kann im Vergleich zu früheren Verfahren einen Halbleiterwafer mit einer besseren Ebenheit bereitstellen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 zeigt ein schematisches Diagramm, das ein Beispiel für eine Läppungsvorrichtung zeigt, die für das Herstellungsverfahren eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
  • 2 zeigt eine Draufsicht von oben, die ein Beispiel für einen unteren Drehteller einer Läppungsvorrichtung zeigt, die für das Herstellungsverfahren eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
  • 3 zeigt ein schematisches Diagramm, das ein Beispiel für einen äußeren Träger zeigt, der für das Herstellungsverfahren eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
  • 4 zeigt Graphen, die Ebenheitsverteilungen von Trägern für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren nach dem Läppen in den Beispielen und Vergleichsbeispiel zeigen;.
  • 5 zeigt ein schematisches Diagramm, das eine in dem Vergleichsbeispiel verwendete Läppungsvorrichtung zeigt;
  • 6(a) zeigt ein schematisches Diagramm, das ein Beispiel für einen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren mit der Größe 20B zeigt, (b) zeigt einen Graphen, der Abstände von Umfangspunkten des Arbeitsloches zur Mitte zeigt;
  • 7 zeigt einen Graphen, der eine Anpassungsgleichung von Exzentrizität X und Dickeverschiebung Y zeigt.
  • BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Bezüglich der vorliegenden Erfindung werden im Folgenden Ausführungsformen beschrieben, wobei die vorliegende Erfindung jedoch nicht auf diese beschränkt ist.
  • Wie vorstehend beschrieben, wird in einem herkömmlichen Läppungsprozess eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren der Mittelteil eines Trägerkörpers dick. Wenn eine Dickeverteilung des Trägerkörpers wie vorstehend beschrieben schwankt, bewirkt die Dicke eines Einsatzes, der in einem Nachbehandlungsschritt darin eingeführt wird, eine Schwankung. Beim doppelseitigen Polieren eines Halbleiterwafers unter Verwendung eines solchen Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, bei dem die Dicken des Einsatzes oder des Trägerkörpers nicht einheitlich sind, entsteht ein Problem der Verschlechterung der Ebenheit des Halbleiterwafers.
  • Dementsprechend haben die Erfinder den Grund für die vorstehend beschriebene Dickeschwankung erforscht, die bei einem Läppungsprozess eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren entsteht.
  • Dabei haben sie rausgefunden, dass die Verteilung mit dem dickeren Mittelteil in einem Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, bei dem das Arbeitsloch (ein Loch zum Halten eines Halbleiterwafers) des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren zur Mitte des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren exzentrisch ist, durch den kleineren Abstand von der Mitte des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren zum Mittelteil (Exzentrizität) im Vergleich zu den anderen Teilen beim Läppungsprozess bewirkt wird.
  • Beispielsweise wird eine Exzentrizität in einem Träger W mit einer Standardgröße 20B (Kopfkreisdurchmesser: 525 mm) für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren an, wie in 6(a) gezeigt, angenommen. Der Abstand jedes Teils dieses Trägers W zur Mitte (Exzentrizität) beträgt circa 70 mm am Mindestpunkt, d. h. dem Mittelteil (in diesem Fall der Teil am Rand des Arbeitsloches 22, der der Mitte am nächsten ist), und circa 250 mm am Maximalpunkt. In 6(b) sind Abstände von den Umfangspunkten des Arbeitsloches 22 zur Mitte gezeigt.
  • Die Korrelation zwischen der Exzentrizität (Abstand von der Mitte) und der Dickeverschiebung Y in einem Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren in einer solchen Größe kann durch die folgende Gleichung (1) dargestellt werden als das Ergebnis des Anpassens (kurvenlineare Regression) der gemessenen Werte, wie in 7 gezeigt. Es ist anzumerken, dass die Dickeverschiebung Y auf der Grundlage eines Punktes eingestellt wird, an dem die Exzentrizität das Maximum beträgt Y = –7 × 10–5 × X2 + 0,0106X + 2,4102 Gleichung (1)
  • Wie in 7 und Gleichung (1) gezeigt, habe die Exzentrizität und die Ebenheit (Dickeverteilung) eine inverse Korrelation. Dies zeigt, dass es zur Verbesserung der Ebenheit wesentlich ist, die Exzentrizität am Mittelteil eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren zu gewährleisten.
  • In Anbetracht dieser Tatsache haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung zuerst die Durchführung des Läppungsprozesses durch Halten eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren durch ein Halteelement und durch Drehen und Rotieren desselben mit dem Halteelement erdacht, anders als im Stand der Technik, in dem der Läppungsprozess an beiden Seiten des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren durchgeführt wird. Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben ferner herausgefunden, dass die Verwendung eines Trägers, der ein Loch hat, in das der Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren eingeführt wird und das dazu ausgebildet ist, die Mitte des Loches exzentrisch zur Mitte des Halteelements anzuordnen (nachstehend wird dieses Halteelement als ein äußerer Träger bezeichnet), als das vorstehend beschriebene Halteelemente die Exzentrizität gewährleistet, die erforderlich ist, um die Dickeverteilung einheitlich zu machen, da die Exzentrizität der Mitte des Loches zur Mitte des äußeren Trägers zur Exzentrizität des zu läppenden Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren hinzugefügt wird; und dadurch die vorliegende Erfindung zum Abschluss gebracht.
  • Nachstehend wird das Herstellungsverfahren für einen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, der Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und das Verfahren zum doppelseitigen Polieren der vorliegenden Erfindung beschrieben.
  • Zuerst wird das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren durch Anführen eines Falles der Verwendung einer in 1 gezeigten Läppungsvorrichtung beschrieben. Im Folgenden wird ein Fall beschrieben, in dem ein Träger mit einer Größe von 20B (Kopfkreisdurchmesser: 525 mm) als der zu läppende Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und ein Träger mit einer Größe von 32B (Kopfkreisdurchmesser: 814 mm) für die Läppungsvorrichtung als der äußere Träger beschrieben wird, wobei die vorliegende Erfindung jedoch nicht darauf beschränkt ist.
  • Wie in 1 und 2 gezeigt, ist die Läppungsvorrichtung 10 mit einem oberen Drehteller 11, einem unteren Drehteller 12, einem Sonnenzahnrad 13, einem Innenzahnrad 14 und einer Düse 15 versehen.
  • Der Mittelteil des unteren Drehtellers 12 ist mit dem Sonnenzahnrad 13 versehen, und das Innenzahnrad 14 ist derart angeordnet, dass es dem Umfang des unteren Drehtellers 12 benachbart angeordnet ist. Von der Düse 15 wird in dem Läppungsprozess in den Raum zwischen dem oberen und dem unteren Drehteller 11 und 12 ein Slurry 16 durch das in dem oberen Drehteller 11 gebildete Loch zugeführt.
  • Zuerst wird eine solche Läppungsvorrichtung 10 mit einem äußeren Träger 1 versehen, wie in 1, 2 und 3 gezeigt. Als diesen äußeren Träger 1 stellt die vorliegende Erfindung bereit und verwendet denjenigen mit einem Loch 2, das dazu ausgebildet ist, den Träger W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren zu halten und dazu ausgebildet ist, die Mitte C2 des Lochs 2 exzentrisch zur Mitte C1 des äußeren Trägers 1, wie in 3, anzuordnen.
  • In diesem Fall kann das Material des äußeren Trägers 1 aus Kohlenstoff-Werkzeugstahl, Edelstahl und Titan ausgewählt werden.
  • Diese Materialien sind hochgradig verschleißfest und für den Läppungsprozess geeignet.
  • Dann greift der äußere Träger 1 in das Sonnenzahnrad 13 und das Innenzahnrad 14 in der Läppungsvorrichtung 10 und wird der Träger W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren in das Loch 2 des äußeren Trägers 1 eingebracht, um wie in 1 und 2 gezeigt gehalten zu werden.
  • Auf diese Weise greift der äußere Träger 1 in das Sonnenzahnrad 13 und das Innenzahnrad 14, und durch Drehen jedes dieser Zahnräder können der äußere Träger 1 und der Träger W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren eine planetenartige Bewegung (eine Dreh- und Rotationsbewegung) um das Sonnenzahnrad 13 ausführen.
  • Dann wird der äußere Träger 1 in Planetenbewegung durch das Sonnenzahnrad 13 und das Innenzahnrad 14 gebracht, während der obere Drehteller 11 und der untere Drehteller 12 in die entgegengesetzte Richtung gedreht werden, wobei die beiden Seiten des Trägers W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren zwischen dem oberen Drehteller 11 und dem unteren Drehteller 12 angeordnet werden, wobei ein Slurry 16 von der Düse 15 zugeführt wird. Auf diese Weise werden die beiden Seiten des Trägers W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren gleichzeitig geläppt, wobei die Mitte C2 des Lochs exzentrisch zu der Mitte C1 des äußeren Trägers 1 ist.
  • Durch den vorstehend beschriebenen Läppungsprozess zur Herstellung des Trägers W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren wird die Exzentrizität des äußeren Trägers 1 der ursprünglichen Exzentrizität des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren überlagert, wodurch die erforderliche Exzentrizität gewährleistet wird, um die Dickeverteilung einheitlich zu machen. Dadurch ist es möglich, die Schwankung der Dickeverteilung des Trägers W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren zu beheben und einen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren mit einer hochgradig gleichmäßigen Dicke bereitzustellen.
  • In diesem Fall ist es vorzuziehen, dass der Kopfkreisdurchmesser des äußeren Trägers 1 relativ zu dem Kopfkreisdurchmesser des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren auf das 1,5-Fache oder mehr eingestellt wird.
  • Dies ermöglicht die Herstellung eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, bei dem der Dickebereich auf 2 μm oder weniger verringert wird.
  • Außerdem ist es vorzuziehen, dass das Loch 2 eine Kreisform hat und eine Exzentrizität der Mitte des Loches 2 zur Mitte des äußeren Trägers 1 relativ zum Durchmesser des Loches 2 auf 1/5 oder mehr eingestellt wird.
  • Dies ermöglicht die Herstellung eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, bei dem der Dickebereich auf 2 μm oder weniger unterdrückt wird. Im Folgenden sind die Gründe dafür beschrieben.
  • In Anbetracht einer einheitlichen Ebenheit ist ein Dickebereich des Trägers W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren von 2 μm oder weniger wünschenswert. In einem Fall wie in diesem Muster ist beispielsweise unter Verwendung eines Trägers mit einer Größe von 20B (Kopfkreisdurchmesser: 525 mm) als der zu läppende Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und eines Trägers mit einer Größe von 32B (Kopfkreisdurchmesser: 814 mm) für die Läppungsvorrichtung als der äußere Träger, die Exzentrizität X, die erforderlich ist, um den Dickebereich auf Y ≤ 2 μm zu bringen, circa 180 mm auf Grundlage der Anpassungsgleichung (1) und 7.
  • In einem üblichen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren mit der Größe 20B mit einer Exzentrizität zu der Mitte des Arbeitsloches 2 von 85–90 mm, wie in 6(a) gezeigt, ist der Mindestabstand zwischen der Mitte des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und dem Rand des Arbeitsloches beispielsweise circa 70 mm, wie in 6(b) gezeigt.
  • Dementsprechend wird bei Verwendung eines äußeren Trägers 1, in dem die Mitte C2 des Lochs 2 zur Mitte C1 des äußeren Trägers 1 um circa 110 mm exzentrisch ist, wie in 3 gezeigt, die gesamte Exzentrizität auf circa 180 mm gebracht und kann der Dickebereich dadurch 2 μm oder weniger betragen.
  • Dies kann durch Verwendung eines Trägers für eine Läppungsvorrichtung mit einem Kopfkreisdurchmesser von 814 mm (Größe von 32B) als der äußere Träger in diesem Beispiel erreicht werden.
  • Der Fußkreisdurchmesser kann 49/50 zum Spitzendiameter betragen und der Fußkreisdurchmesser bei der Größe 32B kann 797,7 mm betragen, wobei dies jedoch von der Stiftzahnradgröße abhängt, die in den Träger greift. Dementsprechend wird die Exzentrizität, die den äußeren Träger überlagern kann, als (797,7 – 525)÷2 = 136,4 mm berechnet, was 110 mm ausreichend abdecken kann.
  • Wie vorstehend beschrieben, ist es bei der Auswahl eines äußeren Trägers 1 möglich, Bezug auf die Differenz zwischen dem Radius des äußeren Trägers 1 und dem Radius des Loches 2 zu nehmen.
  • Beim Läppen eines Trägers wie mit einer Größe von 20B (Kopfkreisdurchmesser: 525 mm) für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren wie vorstehend beschrieben, hat der äußere Träger 1 vorzugsweise eine Größe von 32B (Kopfkreisdurchmesser: 814 mm) oder mehr. Das bedeutet, nicht nur in diesem Fall, sondern auch in anderen Fällen kann die Exzentrizität, um den Dickebereich auf 2 μm oder weniger zu bringen, durch Einstellen des Kopfkreisdurchmessers des äußeren Trägers 1 auf das 1,5-Fache oder mehr relativ zu dem Kopfkreisdurchmesser des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren gewährleistet werden.
  • In diesem Fall ist es auch möglich, den Dickebereich von 2 μm oder weniger durch Einstellen der Mitte des Loches 2 exzentrisch zu der Mitte des Trägers um 110 mm oder mehr zu erreichen. Das bedeutet, nicht nur in diesem Fall, ist es möglich, die Exzentrizität, um den Dickebereich auf 2 μm oder weniger zu bringen, durch Einstellen der Exzentrizität der Mitte des Loches 2 zur Mitte des äußeren Trägers 1 auf das 1,5-Fache mehr relativ zu dem Durchmesser (in diesem Fall circa 525,5 mm, was fast der gleiche Kopfkreisdurchmesser des Trägers W wie für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren ist) des Loches 2 zu gewährleisten, das den Träger W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren hält.
  • In der vorliegenden Erfindung ist es vorzuziehen, dass das Loch 2 eine Kreisform hat und der Durchmesser des Loches 2 μm 0,5 mm bis 1,0 mm größer im Vergleich zu dem Kopfkreisdurchmesser des Trägers W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren eingestellt wird.
  • Wenn ein Abstand von 0,5 mm bis 1,0 mm zwischen dem zu läppenden Träger W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und dem inneren Umfang des Loches 2, das diesen aufnimmt und hält, gegeben ist, wird der Träger W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren beim Drehen in dem Loch 2 nicht behindert, so dass dementsprechend ein Träger W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren mit einer geringen Dickeschwankung sicher hergestellt werden kann.
  • In der vorliegenden Erfindung kann das Material des Trägers W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren aus Edelstahl und Titan ausgewählt werden.
  • Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren ist zur Herstellung eines Trägers W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren geeignet, der insbesondere aus diesem Material hergestellt ist.
  • Es ist anzumerken, dass bei der vorliegenden Erfindung der Läppungszustand ein herkömmlicher Zustand sein kann, wobei es beispielsweise möglich ist, übliche Materialien wie zum Beispiel GC#2000 als das Slurry 16 zu verwenden, um die vorgesehene Dicke unter dem vorgesehenen Druck zu erreichen. Es ist auch möglich, einen Träger W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren folgendermaßen herzustellen: Einsetzen eines Harzeinsatzes aus EG (Glasepoxidharz) oder Aramid in einen inneren Umfangsteil des Arbeitsloches 22 unter Druckbeaufschlagung nach Durchführung eines vorstehend beschriebenen Läppungsprozesses auf dem Träger W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren; und Durchführen eines abschließenden Polierprozesses zur Anpassung der Dicke eines Harzes.
  • Der vorstehend beschriebene Träger W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, der mittels des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens hergestellt wird, kann ein Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren mit einer geringen Schwankung der Dickeverteilung nach dem Läppungsprozess und mit einer hohen Ebenheit sein.
  • Ein solcher Träger kann die Ebenheit eines Halbleiterwafers bei der Verwendung für doppelseitiges Polieren des Halbleiterwafers in einer Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren verbessern.
  • Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Verfahren zum doppelseitigen Polieren eines Halbleiterwafers bereit, bei dem: während der Halbleiterwafer unter Verwendung des Trägers W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren in einer Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren gehalten wird, die obere und untere Oberfläche des gehaltenen Halbleiterwafers in Gleitkontakt mit dem oberen und unteren Drehteller gebracht werden, an denen jeweils eine Polierplatte befestigt ist, wodurch der Halbleiterwafer doppelseitigem Polieren unterzogen wird.
  • Ein solches Verfahren zum doppelseitigen Polieren unter Verwendung eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren mit einer geringen Dickeschwankung kann einen hochgradig ebenen Halbleiterwafer herstellen.
  • Es ist anzumerken, dass die vorstehende Erläuterung einen Fall beispielhaft darstellt, in dem ein Träger mit einer Größe von 20B für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren als Ziel des Läppungsprozesses verwendet wird und ein Träger mit einer Größe von 32B für die Läppungsvorrichtung als der äußere Träger 1 verwendet wird, wobei die vorliegende Erfindung jedoch nicht darauf beschränkt ist. Das Ziel des Läppungsprozesses ist nicht auf die vorstehend beschriebene Größe beschränkt. Bezüglich des äußeren Trägers ist es nicht notwendig, den Träger für eine Läppungsvorrichtung wie vorstehend beschrieben zu verwenden, solange die Mitte des Loches zum Halten des Gegenstandes für den Läppungsprozess zur Mitte des äußeren Trägers exzentrisch ist.
  • Die vorstehende Erläuterung stellt beispielhaft einen Fall dar, in dem ein Teil eines Trägers W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren in einer Läppungsvorrichtung 10, wie in 1 und 2 gezeigt, geläppt wird, wobei es jedoch auch möglich ist, einen Läppungsprozess auf mehreren Teilen eines Trägers W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren gleichzeitig durchzuführen, wodurch Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren effektiv hergestellt werden können.
  • BEISPIEL
  • Die vorliegende Erfindung wird nachstehend mit Bezugnahme auf ein Beispiel und ein Vergleichsbeispiel genauer beschrieben, wobei die vorliegende Erfindung jedoch nicht darauf beschränkt ist.
  • (Beispiel 1)
  • Bei Verwendung einer Läppungsvorrichtung, wie in Figur in 1 und 2 gezeigt, wurde ein Läppungsprozess auf beiden Seiten eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren aus Titan mit einer Größe von 20B (Kopfkreisdurchmesser: 525 mm, Fußkreisdurchmesser: 515 mm) ausgeführt.
  • In diesem Fall wurde ein Träger für eine Läppungsvorrichtung aus Kohlenstoff-Werkzeugstahl mit einer Größe von 32B (Kopfkreisdurchmesser: 814 mm, Fußkreisdurchmesser: 797,7 mm) als ein äußerer Träger verwendet. Das Loch dieses äußeren Trägers wurde kreisförmig mit einem Durchmesser von 525,5 mm gemacht. In diesem Fall wurde die Exzentrizität der Mitte des Loches zur Mitte des äußeren Trägers 1 auf 110 mm eingestellt.
  • Der Läppungsprozess wurde bis zur vorgesehenen Dicke unter Verwendung von GC#2000 als Slurry und einer konstanten Lastbedingung ausgeführt. Tabelle 1 zeigt die Bedingungen des zu läppenden Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und des äußeren Trägers in diesem Fall.
  • Dann wurde die Ebenheitsverteilung auf dem Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren aus Titan nach dem Läppungsprozess gemessen. Bei dieser Messung wurde die Ebenheitsverteilung am Umfangsteil des Arbeitsloches unter Verwendung eines Laser-Verdrängungszählers von KEYENCE CORPORATION gemessen.
  • Die Ergebnisse sind in 4 und Tabelle 2 gezeigt. Es ist anzumerken, dass die Winkel der Abszisse in den Graphen in 4 jeden Winkel des Messpunktes am Umfangsteil des Arbeitsloches repräsentieren, wie in 6(a) und (b) gezeigt. Wie in 4 gezeigt, war die Ebenheitsverteilung nach dem Läppungsprozess im Gegensatz zum nachstehend beschriebenen Vergleichsbeispiel, in dem der Mittelteil (die Nähe von 180°) im Vergleich zu den anderen Teilen extrem dick wurde, einheitlich. Der Dickebereich betrug 1,12 μm und die Abweichung der Dicke (Dickeschwankung) betrug 0,30 μm im Vergleich zu dem Vergleichsbeispiel, was auffällig hervorragende Werte waren.
  • Dann wurde ein Einsatz mit einem Innendurchmesser von 300,5 mm aus Aramidharz in den Innenumfang des Arbeitsloches des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren aus Titan nach dem Läppungsprozess eingesetzt. Der Einsatz wurde durch Pressen eingesetzt und einem abschließenden Polierprozess unterzogen, um die Dicke des Einsatzes an die Dicke des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren anzupassen, wodurch ein Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren hergestellt wurde.
  • Dies wurde zum doppelseitigen Polieren von Halbleitersiliziumwafern mit einem Durchmesser von 300 mm verwendet; unter Verwendung von DSP-20B, hergestellt von Fujikoshi Machinery Corp., als die Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, MH-S15A, hergestellt von Nitta Haas Incorporated, als die Polierplatte und GLANZOX2100, hergestellt von Fujimi Incorporated, als das Polierslurry. Beim doppelseitigen Polieren betrug die Anzahl von zu verarbeitenden Wafern 5 Stücke pro Los und wurden zehn Verarbeitungslose ausgeführt.
  • Dann wurde der ESFQR (Edge Site Frontsurface referenced least sQuares/Range) als die Ebenheit eines Halbleitersiliziumwafers nach einem Poliervorgang mit Wafersight M49mode/1mmEE, hergestellt von KLA-Tencor Corporation, gemessen.
  • Tabelle 3 zeigt Messergebnisse der Ebenheit der Halbleitersiliziumwafer. In Beispiel 1 war ESFQR max 31,24 nm und ESFQR sigma (Abweichung) 5,7. Der ESFQR wurde in den gemittelten Werten um 10% verbessert und die Abweichung wurde im Vergleich zu dem Vergleichsbeispiel um circa 50% verbessert, was eine verbesserte Ebenheit zeigt.
  • (Beispiel 2)
  • Unter den gleichen Bedingungen wie Beispiel 1, abgesehen davon, dass die Exzentrizität der Mitte des Loches zur Mitte des äußeren Trägers auf 90 mm eingestellt war, wurden Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren einem Läppungsprozess unterzogen und wurde die Ebenheitsverteilung gemessen. Tabelle 1 zeigt die Bedingungen des zu läppenden Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und des äußeren Trägers in diesem Fall.
  • Die Messergebnisse der Ebenheitsverteilung nach dem Läppungsprozess sind in 4 und Tabelle 2 gezeigt.
  • Wie in 4 gezeigt, war die Ebenheitsverteilung nach dem Läppungsprozess im Gegensatz zum nachstehend beschriebenen Vergleichsbeispiel, in dem der Mittelteil im Vergleich zu den anderen Teilen extrem dick wurde, einheitlich. Der Dickebereich betrug 1,75 μm und die Abweichung der Dicke (Dickeschwankung) betrug 0,36 μm, was im Vergleich zu dem Vergleichsbeispiel auffällig hervorragende Werte waren.
  • Anschließend wurde ein Einsatz in den Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren nach der Läppung wie in Beispiel 1 eingesetzt. Dann wurden unter Verwendung dieses Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren Halbleitersiliziumwafer einem Prozess zum doppelseitigen Polieren wie in Beispiel 1 unterzogen und wurde der ESFQR der Halbleitersiliziumwafer nach dem Polieren gemessen.
  • Diese Ergebnisse sind in Tabelle 3 gezeigt. Der Maximalwert des ESFQR betrug 33,00 nm, die Abweichung (Schwankung) betrug 7,56, was im Vergleich zu dem Vergleichsbeispiel kleiner ist, und die Ebenheit der Halbleiterwafer wurde stark verbessert.
  • (Beispiel 3)
  • Unter den gleichen Bedingungen wie Beispiel 1, abgesehen davon, dass der äußere Träger in einen Träger für eine Läppungsvorrichtung mit einer Größe von 30B (Kopfkreisdurchmesser: 743,8 mm, Fußkreisdurchmesser: 730,8 mm) geändert wurde und die Exzentrizität der Mitte des Loches zur Mitte des äußeren Trägers auf 90 mm eingestellt wurde, wurden Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren mit der Größe 20B einem Läppungsprozess unterzogen und wurde die Ebenheitsverteilung gemessen. Tabelle 1 zeigt die Bedingungen des zu läppenden Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und des äußeren Trägers 1 in diesem Fall. Die Messergebnisse der Ebenheitsverteilung nach dem Läppungsprozess sind in 4 und Tabelle 2 gezeigt.
  • Wie in 4 gezeigt, war die Ebenheitsverteilung nach dem Läppungsprozess im Gegensatz zum nachstehend beschriebenen Vergleichsbeispiel, in dem der Mittelteil im Vergleich zu den anderen Teilen extrem dick wurde, einheitlich. Der Dickebereich betrug 1,96 μm und die Abweichung der Dicke betrug 0,39 μm, was im Vergleich zu dem Vergleichsbeispiel auffällig hervorragende Werte waren.
  • Anschließend wurde ein Einsatz in den Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren nach der Läppung wie in Beispiel 1 eingesetzt. Dann wurden unter Verwendung dieses Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren Halbleitersiliziumwafer einem Prozess zum doppelseitigen Polieren wie in Beispiel 1 unterzogen und wurden der ESFQR der Halbleitersiliziumwafer nach dem Polieren gemessen.
  • Diese Ergebnisse sind in Tabelle 3 gezeigt.
  • Der Maximalwert des ESFQR betrug 33,17 nm, die Abweichung (Schwankung) betrug 7,9 nm, was weniger ist als in dem Vergleichsbeispiel, und die Ebenheit der Halbeleiterwafer wurde im Vergleich zu dem Vergleichsbeispiel stark verbessert.
  • (Vergleichsbeispiel 1)
  • Unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1, abgesehen davon, dass der zu läppende Träger W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren nicht von einem äußeren Träger gehalten wurde, wie in 5, und direkt in das Sonnenzahnrad 113 und das Innenzahnrad 114 in einer Läppungsvorrichtung 100 zum Läppen greift, wurden Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren einem Läppungsprozess unterzogen und die Ebenheitsverteilung gemessen. Tabelle 1 zeigt die Bedingungen des zu läppenden Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und des äußeren Trägers in diesem Fall.
  • Die Messergebnisse der Ebenheitsverteilung nach dem Läppungsprozess sind in 4 und Tabelle 2 gezeigt.
  • Wie in 4 gezeigt, wurden die Mittelteile des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren im Vergleichsbeispiel dick. Der Dickebereich betrug 3,4 μm und die Dickeschwankung betrug 0,81 μm, was im Vergleich zu Beispielen 1–3 stark verschlechtert war.
  • Anschließend wurde ein Einsatz in den Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren nach der Läppung wie in Beispiel 1 eingesetzt. Dann wurden unter Verwendung dieses Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren Halbleitersiliziumwafer einem Prozess zum doppelseitigen Polieren wie in Beispiel 1 unterzogen und wurde der ESFQR der Halbleitersiliziumwafer nach dem Polieren gemessen.
  • Diese Ergebnisse sind in Tabelle 3 gezeigt.
  • Im Vergleichsbeispiel betrug der Maximalwert des ESFQR 40,04 nm, betrug die Abweichung (Schwankung) 12,03, was weniger ist als in dem Vergleichsbeispiel, und wurde die Ebenheit der Halbeleiterwafer im Vergleich zu Beispielen 1 bis 3 stark verbessert. [Tabelle 1]
    Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren Äußerer Träger Größe des äußeren Trägers/Größe des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren Exzentrizität/Durchmesser der Loches
    Größe Kopfkreisdurchmesser [mm] Größe Kopfkreisdurchmesser [mm] Exzentrizität [mm]
    Beispiel 1 20B 525 32B 814 110 1,55 0,21
    Beispiel 2 20B 525 32B 814 90 1,55 0,17
    Beispiel 3 20B 525 32B 744 90 1,42 0,17
    Vergleichs-Beispiel 1 20B 525 -
    [Tabelle 2] Einheit: μm
    Beispiel 1 Beispiel 2 Beispiel 3 Vergleichsbeispiel 1
    Maximum 774,83 772,98 772,53 774,57
    Minimum 773,71 771,23 770,57 771,53
    Bereich 1,12 1,75 1,96 3,04
    Abweichung 0,30 0,46 0,39 0,81
    [Tabelle 3] Einheit: nm
    Beispiel 1 Beispiel 2 Beispiel 3 Vergleichsbeispiel 1
    ESFQR max 31,24 33 33,17 40,04
    ESFQR sigma 5,07 7,56 7,9 12,03
    N 50 50 50 50
  • Tabelle 4 zeigt eine Zusammenfassung der Bedingungen der Beispiele und des Vergleichsbeispiels, die gemessenen Werte der Dickebereiche der Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren nach der Läppung und den ESFQR des Halbeleiterwafers nach dem doppelseitigen Polieren. [Tabelle 4]
    Größe des äußeren Trägers/Größe des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren Exzentrizität/Durchmesser der Loches Dickebereich [μm] ESFQR max [nm] ESFQR sigma [nm]
    Beispiel 1 1,55 0,21 1,12 31,24 5,07
    Beispiel 2 1,55 0,17 1,75 33 7,56
    Beispiel 3 1,42 0,17 1,96 33,17 7,9
    Vergleichsbeispiel 1 - 3,04 40,04 12,03
  • Wie vorstehend beschrieben, wurden die Schwankung und der Bereich der Dickeverteilung der Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren in Beispiel 1–3, in denen das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren angewendet wurde, im Vergleich zum Vergleichsbeispiel stark verbessert.
  • Außerdem wurde beim doppelseitigen Polieren unter Verwendung des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren in Beispiel 1–3 die Ebenheit des Wafers stark verbessert.
  • Außerdem ergab Beispiel 1 bessere Ergebnisse im Vergleich zu den Beispielen 2 und 3, da die Exzentrizität der Mitte des Loches zur Mitte des äußeren Trägers relativ zu dem Durchmesser des Loches auf 1/5 (= 0,20) oder mehr eingestellt wurde und der Kopfkreisdurchmesser des äußeren Trägers relativ zu dem Kopfkreisdurchmesser des Trägers W für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren auf das 1,5-Fache oder mehr eingestellt wurde.
  • Beispiel 2 ergab bessere Ergebnisse als Beispiel 3, da der Kopfkreisdurchmesser des äußeren Trägers relativ zu dem Kopfkreisdurchmesser des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren auf das 1,5-Fache oder mehr eingestellt wurde, obgleich die Exzentrizität der Mitte des Loches zur Mitte das äußeren Trägers nicht relativ zum Durchmesser des Loches auf 1/5 oder mehr eingestellt wurde.
  • Es ist anzumerken, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehend beschriebene Ausführungsform beschränkt ist. Die Ausführungsform ist lediglich ein Beispiel und sämtliche Beispiele mit im Wesentlichen den gleichen Merkmalen und den gleichen Funktionen und Wirkungen wie jenen des in den Ansprüchen der vorliegenden Erfindung beschriebenen technischen Konzeptes sind in den technischen Umfang der vorliegenden Erfindung einbezogen.

Claims (8)

  1. Herstellungsverfahren für einen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren durch Ausführen eines Läppungsprozesses auf dem Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, indem dieser gedreht und rotiert wird, wobei der Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren zwischen einem oberen und einem unteren Drehteller einer Läppungsvorrichtung eingefügt ist, wobei der Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren die Form eines Zahnrads und ein Halteloch hat, das zum Halten eines Halbleiterwafers ausgebildet ist; wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Bereitstellen eines äußeren Trägers, wobei der äußere Träger zahnradförmig und größer ist als der Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren ist und ein Loch aufweist, das dazu ausgebildet ist, den Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren zu halten, und dazu ausgebildet ist, die Mitte des Loches exzentrisch zur Mitte des äußeren Trägers anzuordnen; Halten des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren durch den äußeren Träger, wobei der Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren in das Loch eingeführt wird; und Ausführen eines Läppungsprozesses auf dem Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren durch Drehen und Rotieren des äußeren Trägers und des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, wobei die Mitte des Loches zur Mitte des äußeren Trägers exzentrisch ist, wobei der gehaltene Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren zwischen dem oberen und dem unteren Drehteller der Läppungsvorrichtung eingefügt ist.
  2. Herstellungsverfahren für einen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren nach Anspruch 1, wobei das Loch eine Kreisform hat und eine Exzentrizität der Mitte des Loches zur Mitte des äußeren Trägers relativ zum Durchmesser des Loches auf 1/5 oder mehr eingestellt wird.
  3. Herstellungsverfahren für einen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Loch eine Kreisform hat und der Durchmesser des Loches im Vergleich zu dem Kopfkreisdurchmesser des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren um 0,5 mm bis 1,0 mm größer eingestellt wird.
  4. Herstellungsverfahren für einen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Kopfkreisdurchmesser des äußeren Trägers relativ zu dem Kopfkreisdurchmesser des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren auf das 1,5-Fache oder mehr eingestellt wird.
  5. Herstellungsverfahren für einen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Material des äußeren Trägers aus Kohlenstoff-Werkzeugstahl, Edelstahl und Titan ausgewählt ist.
  6. Herstellungsverfahren für einen Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Material des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren aus Edelstahl und Titan ausgewählt ist.
  7. Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, der mittels des Herstellungsverfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 6 hergestellt wird.
  8. Verfahren zum doppelseitigen Polieren eines Halbleiterwafers, in dem: beim Halten des Halbleiterwafers unter Verwendung des Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren nach Anspruch 7 in einer Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren die obere und untere Oberfläche das gehalten Halbleiterwafers in Gleitkontakt mit dem oberen und dem unteren Drehteller gebracht werden, an denen jeweils eine Polierplatte befestigt ist, wodurch der Halbleiterwafer einem Prozess des doppelseitigen Polierens unterzogen wird.
DE112015000878.0T 2014-03-14 2015-02-13 Herstellungsverfahren eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und Verfahren zum doppelseitigen Polieren Withdrawn DE112015000878T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014051332A JP6056793B2 (ja) 2014-03-14 2014-03-14 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨方法
JP2014-051332 2014-03-14
PCT/JP2015/000662 WO2015136840A1 (ja) 2014-03-14 2015-02-13 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨装置用キャリア並びに両面研磨方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112015000878T5 true DE112015000878T5 (de) 2016-11-10

Family

ID=54071303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112015000878.0T Withdrawn DE112015000878T5 (de) 2014-03-14 2015-02-13 Herstellungsverfahren eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und Verfahren zum doppelseitigen Polieren

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20170069502A1 (de)
JP (1) JP6056793B2 (de)
KR (1) KR20160133437A (de)
CN (1) CN106061679B (de)
DE (1) DE112015000878T5 (de)
SG (1) SG11201607115QA (de)
TW (1) TWI593512B (de)
WO (1) WO2015136840A1 (de)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6707831B2 (ja) * 2015-10-09 2020-06-10 株式会社Sumco 研削装置および研削方法
JP6424809B2 (ja) 2015-12-11 2018-11-21 信越半導体株式会社 ウェーハの両面研磨方法
JP6443370B2 (ja) * 2016-03-18 2018-12-26 信越半導体株式会社 両面研磨装置用のキャリアの製造方法およびウェーハの両面研磨方法
JP6665827B2 (ja) * 2017-04-20 2020-03-13 信越半導体株式会社 ウェーハの両面研磨方法
CN107584407B (zh) * 2017-07-08 2019-02-19 合肥嘉东光学股份有限公司 一种激光晶体双面抛光装置
JP6935635B2 (ja) * 2017-09-06 2021-09-15 スピードファム株式会社 両面研磨装置用の被研磨物保持用キャリア
JP7088522B2 (ja) * 2017-09-27 2022-06-21 スピードファム株式会社 ワークキャリアの製造方法及びワークキャリアの研磨用拡幅部材
JP6937428B2 (ja) * 2018-03-30 2021-09-22 積水化成品工業株式会社 ハイドロゲル
JP7070010B2 (ja) * 2018-04-16 2022-05-18 株式会社Sumco キャリアの製造方法および半導体ウェーハの研磨方法
JP7425411B2 (ja) * 2020-10-12 2024-01-31 株式会社Sumco キャリア測定装置、キャリア測定方法、及びキャリア管理方法
JP7435436B2 (ja) * 2020-12-24 2024-02-21 株式会社Sumco キャリアプレートの研磨方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000153453A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Ngk Insulators Ltd ガラス基板の研磨方法
JP2001030161A (ja) * 1999-07-16 2001-02-06 Toshiro Doi 研磨加工装置のキャリア
JP3791302B2 (ja) * 2000-05-31 2006-06-28 株式会社Ｓｕｍｃｏ 両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法
JP2004058201A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Hoya Corp ワークの研磨方法および電子デバイス用基板の製造方法
JP4241164B2 (ja) * 2003-04-23 2009-03-18 日立電線株式会社 半導体ウェハ研磨機
JP2005014178A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Kyocera Kinseki Corp 研磨装置用ダブルキャリア
JP4154526B2 (ja) * 2003-08-26 2008-09-24 株式会社村田製作所 ラップ加工用キャリアの厚み加工方法
EP1852900B1 (de) * 2005-02-25 2011-09-21 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Träger für eine doppelseitige poliermaschine und diesen verwendende doppelseitige poliermaschine und verfahren zum doppelseitigen polieren
KR100898821B1 (ko) * 2007-11-29 2009-05-22 주식회사 실트론 웨이퍼 캐리어의 제조방법
JP4985451B2 (ja) * 2008-02-14 2012-07-25 信越半導体株式会社 ワークの両頭研削装置およびワークの両頭研削方法
JP2009285768A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Sumco Corp 半導体ウェーハの研削方法および研削装置
JP2010023217A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Kyocera Chemical Corp 被研磨物保持用キャリアディスク
JP5233888B2 (ja) * 2009-07-21 2013-07-10 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法
KR101209271B1 (ko) * 2009-08-21 2012-12-06 주식회사 엘지실트론 양면 연마 장치와 양면 연마 장치용 캐리어
JP2011143477A (ja) * 2010-01-12 2011-07-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
JP5056961B2 (ja) * 2010-02-01 2012-10-24 旭硝子株式会社 磁気記録媒体用ガラス基板及びその製造方法
DE102010063179B4 (de) * 2010-12-15 2012-10-04 Siltronic Ag Verfahren zur gleichzeitigen Material abtragenden Bearbeitung beider Seiten mindestens dreier Halbleiterscheiben

Also Published As

Publication number Publication date
US20170069502A1 (en) 2017-03-09
SG11201607115QA (en) 2016-10-28
TWI593512B (zh) 2017-08-01
TW201544245A (zh) 2015-12-01
WO2015136840A1 (ja) 2015-09-17
CN106061679A (zh) 2016-10-26
JP6056793B2 (ja) 2017-01-11
JP2015174168A (ja) 2015-10-05
KR20160133437A (ko) 2016-11-22
CN106061679B (zh) 2017-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112015000878T5 (de) Herstellungsverfahren eines Trägers für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, Träger für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren und Verfahren zum doppelseitigen Polieren
DE102013202488B4 (de) Verfahren zum Abrichten von Poliertüchern zur gleichzeitig beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben
EP1602445B1 (de) Verfahren, Werkzeug und Bearbeitungsmachine zur Herstellung von Zahnersatzteilen
DE112009002008B4 (de) Träger für eine Doppelseitenpoliervorrichtung, Doppelseitenpoliervorrichtung, die diesen verwendet, und Doppelseitenpolierverfahren
DE102007040894B4 (de) Werkzeug und Verfahren zum diskontinuierlichen Profilschleifen
DE112010004989B4 (de) Halbleiterwafer und Verfahren zur Herstellung desselben
DE112016002162T5 (de) Vorrichtung zum Bearbeiten eines Werkstücks
EP2293900B1 (de) Verfahren zum bearbeiten eines brillenglasrohlings und brillenglasrohling mit verbindungsmasse und blockstück
DE112015006224B4 (de) Einzelwaferverarbeitungsverfahren zum polieren einer seite eines halbleiterwafers und einzelwaferverarbeitungsvorrichtung zum polieren einer seite eines halbleiterwafers
DE10208414B4 (de) Vorrichtung mit einem verbesserten Polierkissenaufbereiter für das chemisch mechanische Polieren
DE112013006351T5 (de) Träger zur Verwendung in doppelseitiger Poliervorrichtung und Verfahren zum doppelseitigen Polieren des Wafers
DE102016005305A1 (de) Verfahren zum Hartfeinbearbeiten der Verzahnung eines Zahnrads oder eines zahnradähnlichen Profils eines Werkstücks
DE112013003038T5 (de) Doppelseitenschleifmaschine und Doppelseitenschleifverfahren für Werkstücke
DE102017210423A1 (de) Verfahren, Steuerungssystem und Anlage zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe sowie Halbleiterscheibe
DE112013003643T5 (de) Zweiseiten-Polierverfahren
DE112014001031T5 (de) Halterungsbaugruppe und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102006007787A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum spanabhebenden Herstellen einer kalottenförmigen Ausnehmung in einem Werkstück
DE112017005728T5 (de) Träger für doppelseitige Poliervorrichtung, doppelseitige Poliervorrichtung und doppelseitiges Polierverfahren
DE102013202509A1 (de) Verfahren und schleifwerkzeug zum hochgenauen centerless-schleifen von wellenteilen mit hoher oberflächengüte
DE102007043384B4 (de) Verfahren zum Abrichten eines für die Feinbearbeitung der Zähne eines Zahnrades bestimmten Werkzeugs
DE102015217279B4 (de) Wafer-Poliervorrichtung
DE112014003809T5 (de) Vorrichtung zum Richten eines Urethanschaum-Tuchs zum Polieren
DE19963897B4 (de) Verfahren zur drallfreien spanenden Bearbeitung von rotationssymmetrischen Flächen
DE102006048218A1 (de) Optimierung der Kantenprofile von Halbleiterscheiben
DE112014002107T5 (de) Werkstück-Poliergerät

Legal Events

Date Code Title Description
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee