DE102015217279B4

DE102015217279B4 - Wafer-Poliervorrichtung

Info

Publication number: DE102015217279B4
Application number: DE102015217279.1A
Authority: DE
Inventors: Kee Yun Han
Original assignee: SK Siltron Co Ltd
Current assignee: SK Siltron Co Ltd
Priority date: 2014-09-11
Filing date: 2015-09-10
Publication date: 2024-05-16
Anticipated expiration: 2035-09-11
Also published as: US9744641B2; JP2016055421A; DE102015217279A1; KR101572103B1; CN105415154B; JP6059305B2; CN105415154A; US20160074990A1

Abstract

Wafer-Poliervorrichtung, die aufweist:
eine untere Flächenplatte (110);
eine obere Flächenplatte (140), die über der unteren Flächenplatte (110) angeordnet ist;
einen Träger (180-1, 180-2), der zwischen der unteren Flächenplatte (110) und der oberen Flächenplatte (140) angeordnet ist und einen Wafer (W1, W2) enthält; und
eine Hebeeinheit (190), die zur Anhebung und Absenkung des Trägers (180-1, 180-2) eingerichtet ist,
eine Steuereinheit (200) zur Steuerung der Hebeeinheit (190) für die Anhebung bzw. Absenkung des Trägers (180-1, 180-2), wobei
die Steuereinheit (200) dazu eingerichtet ist, die Hebeeinheit (190) so zu steuern, dass
- bei einer Anhebung des Trägers (180-1, 180-2) in einem Polierbetrieb des Wafers (W1, W2) eine obere Oberfläche des Trägers (180-1, 180-2) eine untere Oberfläche der oberen Flächenplatte (140) berührt, während eine untere Oberfläche des Trägers (180-1, 180-2) von einer oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte (110) beabstandet ist und
- bei einer Absenkung des Trägers (180-1, 180-2) in einem anderen Polierbetrieb des Wafers (W1, W2) eine untere Oberfläche des Trägers (180-1, 180-2) die obere Oberfläche der unteren Flächenplatte (110) berührt, während die obere Oberfläche des Trägers (180-1, 180-2) von der unteren Oberfläche der oberen Flächenplatte (140) beabstandet ist.

Description

Hintergrund der Erfindung
Gebiet der Erfindung
Ausführungsformen betreffen eine Wafer-Poliervorrichtung.
Diskussion der verwandten Technik
Typischerweise wird ein doppelseitiges Polierverfahren (DSP) in einer Weise durchgeführt, dass Wafer durch Reibung zwischen einem Pad und Wafern unter dem Druck von Flächenplatten unter Verwendung eines Polierschlamms als ein Schleifmittel poliert werden. Das DSP-Verfahren ist fähig, die Ebenheit der Wafer zu bestimmen.
Aus der JP S63-300857 A ist eine Vorrichtung zum Einstellen der Zuführungsmenge von Poliermittel bekannt, die ein Werkstück in einer bestimmten Höhenlage hält. Die Vorrichtung weist einen Träger zur Aufnahme eines Werkstücks auf einer unteren Platte auf, wobei sich der Träger durch Eingriff eines Sonnenrads und eines Innenrads dreht, die durch eine Welle angetrieben werden. Eine obere Platte wird von einer Welle auf das Werkstück gedrückt, und Poliermittel wird von einer Zuführungsöffnung zum Polieren der Vorder- und Rückseite des Werkstücks zugeführt. Der Träger ist auf Stützelementen gelagert und wird durch Einstellen von Stellschrauben angehoben oder abgesenkt. Wenn der Träger in der Mitte zwischen der oberen und unteren Platte positioniert ist, kann die Zuführungsmenge des Poliermittels nahezu gleich eingestellt werden, so dass die Arbeitsgeschwindigkeit für die Vorder- und Rückseiten gleich eingestellt werden kann.
Aus der JP H09- 239 657 A ist eine Vorrichtung bekannt, mit der ein Verschleiß eines Sonnenrads und eines Innenzahnrads während des Betriebs verhindert werden soll. Zum Drehen eines Sonnenrads wird mittels eines Stifts und einer darauf gelagerten Hülse Kraft zwischen dem Sonnenrad und einem Planetenrad übertragen. Die Kraft in der entgegengesetzten Richtung zur treibenden Kraft, die auf die Hülse in tangentialer Richtung wirkt, wird während der Drehung der Hülse vom Stiftkörper absorbiert, was zu geringer Reibung in der Hülse führt. Andererseits dreht sich auch im Zahnabschnitt eines Hohlrads eine Hülse um einen Stift, und steht mit einer Außenverzahnung des Planetenrads in Eingriff, wodurch der Verschleiß verringert wird.
Das DSP-Verfahren kann durch mechanisch-chemisches Polieren implementiert werden, das sowohl ein chemisches Verfahren unter Verwendung einer chemischen Wirkung zwischen dem Schlamm und der Oberfläche des Wafers als auch ein mechanisches Verfahren unter Verwendung von Reibung zwischen einem Pad und dem Wafer unter dem Druck von Flächenplatten einbezieht.
Zusammenfassung der Erfindung
Eine Ausführungsform stellt eine Wafer-Poliervorrichtung bereit, die fähig ist, die Ebenheit von Oberflächen, hinteren Oberflächen und Randabschnitten von polierten Wafern zu verbessern.
Eine Wafer-Poliervorrichtung gemäß einer Ausführungsform umfasst eine untere Flächenplatte, eine obere Flächenplatte, die über der unteren Flächenpatte angeordnet ist, einen Träger, der zwischen der unteren Flächenplatte und der oberen Flächenplatte angeordnet ist und einen Wafer enthält, und eine Hebeeinheit, die den Träger derart anhebt, dass eine obere Oberfläche des Trägers eine untere Oberfläche der oberen Flächenplatte berührt, oder den Träger absenkt, so dass eine untere Oberfläche des Trägers eine obere Oberfläche der unteren Flächenplatte berührt. Die Wafer-Poliervorrichtung weist eine Steuereinheit zum Steuern der Hebeeinheit auf, um zu bewirken, dass der Träger angehoben oder abgesenkt wird, wobei die Steuereinheit die Hebeeinheit steuert, um zu bewirken, dass beim Anheben des Trägers in einem Polierbetrieb des Wafers eine obere Oberfläche des Trägers eine untere Oberfläche der oberen Flächenplatte berührt, während eine untere Oberfläche des Trägers von einer oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte beabstandet ist bzw. beim Absenken des Trägers in einem anderen Polierbetrieb des Wafers die untere Oberfläche des Trägers die obere Oberfläche der unteren Flächenplatte berührt, während die obere Oberfläche des Trägers von der unteren Oberfläche der oberen Flächenplatte beabstandet ist.
Die Wafer-Poliervorrichtung kann ferner umfassen: ein Sonnenrad, das in einer Mitte der unteren Flächenplatte angeordnet ist, und ein Innenzahnrad, das um den Umfang der unteren Flächenplatte herum angeordnet ist, wobei der Träger ein Zahnrad umfassen kann, das um seine Außenumfangsoberfläche ausgebildet ist und mit dem Sonnenrad und dem Innenzahnrad eingreift, und die Hebeeinheit kann das Sonnenrad und das Innenzahnrad anheben oder absenken.
Das Sonnenrad kann ein erstes Stiftzahnrad mit mehreren ersten Stiften und eine erste Halterung zum Halten der mehreren ersten Stifte umfassen, wobei die Hebeeinheit die erste Halterung anheben oder absenken kann.
Das Innenzahnrad kann ein zweites Stiftzahnrad mit mehreren zweiten Stiften und eine zweite Halterung zum Halten der mehreren zweiten Stifte umfassen, wobei die Hebeeinheit die zweite Halterung anheben oder absenken kann.
Die Hebeeinheit kann die erste Halterung und die zweite Halterung gleichzeitig anheben oder absenken.
Das Sonnenrad kann ferner erste Halteringe umfassen, die von Außenumfangsoberflächen der mehreren jeweiligen ersten Stifte vorstehen.
Die ersten Halteringe können an unteren Enden der mehreren jeweiligen ersten Stifte bereitgestellt sein und können eine obere Oberfläche der ersten Halterung berühren.
Die ersten Halteringe können an Außenumfangsoberflächen zwischen den oberen und unteren Enden der mehreren jeweiligen ersten Stifte bereitgestellt sein und können von den oberen und unteren Enden der mehreren jeweiligen ersten Stifte beabstandet sein.
Die ersten Halteringe, die an den Außenumfangsoberflächen von zwei benachbarten ersten Stiften der mehreren ersten Stifte bereitgestellt sind, können voneinander beabstandet sein.
Das Innenzahnrad kann ferner zweite Halteringe umfassen, die von Außenumfangsoberflächen der mehreren jeweiligen zweiten Stifte vorstehen.
Die zweiten Halteringe können an unteren Enden der mehreren jeweiligen zweiten Stifte bereitgestellt sein und können eine obere Oberfläche der zweiten Halterung berühren.
Die zweiten Halteringe können an Außenumfangsoberflächen der mehreren jeweiligen zweiten Stifte zwischen den oberen und unteren Enden der mehreren jeweiligen zweiten Stifte bereitgestellt sein und können von den oberen und unteren Enden der mehreren jeweiligen zweiten Stifte beabstandet sein.
Die zweiten Halteringe, die an den Außenumfangsoberflächen von zwei benachbarten zweiten Stiften der mehreren zweiten Stifte bereitgestellt sind, können voneinander beabstandet sein.
Die untere Flächenplatte kann ein Mittelloch umfassen und die erste Halterung kann in dem Mittelloch der unteren Flächenplatte angeordnet sein.
Die Hebeeinheit kann einen ersten Hebeteil umfassen, der unter der ersten Halterung angeordnet ist, um die erste Halterung anzuheben oder abzusenken, und der zweite Hebeteil kann unter der zweiten Halterung angeordnet sein, um die zweite Halterung anzuheben oder abzusenken.
Jeder der ersten Halteringe kann einen größeren Außendurchmesser als eine Breite der ersten Halterung haben.
Eine Wafer-Poliervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform umfasst eine untere Flächenplatte, eine obere Flächenplatte, die über der unteren Flächenpatte angeordnet ist, ein Sonnenrad, das in der Mitte der unteren Flächenplatte angeordnet ist, ein Innenzahnrad, das um den Umfang der unteren Flächenplatte herum angeordnet ist, einen Träger, der zwischen der unteren Flächenplatte und der oberen Flächenplatte angeordnet ist und einen Wafer enthält, wobei der Träger ein Zahnrad umfasst, das an seiner Außenumfangsoberfläche ausgebildet ist und mit dem Sonnenrad und dem Innenzahnrad eingreift, und eine Hebeeinheit, die das Sonnenrad und das Innenzahnrad derart anhebt, dass eine obere Oberfläche des Trägers eine untere Oberfläche der oberen Flächenplatte berührt, oder das Sonnenrad absenkt, so dass eine untere Oberfläche des Trägers eine obere Oberfläche der unteren Flächenplatte berührt.
Das Sonnenrad kann umfassen: ein erstes Stiftzahnrad mit mehreren ersten Stiften und eine erste Halterung zum Halten der mehreren ersten Stifte, wobei das Innenzahnrad eine zweites Stiftzahnrad mit mehreren zweiten Stiften umfassen kann, und eine zweite Halterung zum Halten der mehreren zweiten Stifte, und wobei die Hebeeinheit die erste Halterung und die zweite Halterung gleichzeitig anheben oder absenken kann.
Die Steuereinheit kann die Hebeeinheit steuern, um zu bewirken, dass die erste Oberfläche des Trägers die eine der ersten Oberfläche der oberen Flächenplatte und der ersten Oberfläche der unteren Flächenplatte in einem dritten Polierbetrieb berührt.
Die Ausführungsformen können die Ebenheit von Oberflächen, hinteren Oberflächen und Randabschnitten von polierten Wafern verbessern.
Es versteht sich, dass sowohl die vorangehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung der Ausführungsformen beispielhaft und erläuternd sind und dafür gedacht sind, eine weitere Erklärung der Ausführungsformen wie beansprucht bereitzustellen.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Die begleitenden Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Ausführungsform bereitzustellen und in diese Anmeldung aufgenommen sind und einen Teil von ihr bilden, stellen Ausführungsformen dar und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, das Prinzip der Ausführungsformen zu erklären. In den Zeichnungen:

1 ist eine Querschnittansicht einer Wafer-Poliervorrichtung gemäß einer Ausführungsform;
2 ist eine schematische Perspektivansicht, die eine obere Flächenplatte, eine untere Flächenplatte, ein Innenzahnrad und ein Sonnenrad der in 1 gezeigten Wafer-Poliervorrichtung zeigt;
3A ist eine vergrößerte Perspektivansicht einer Ausführungsform des in 1 gezeigten Sonnenrads;
3B ist eine vergrößerte Perspektivansicht einer anderen Ausführungsform des in 1 gezeigten Sonnenrads;
4 ist eine Draufsicht eines Zahnrads eines Trägers, der auf den in 3A gezeigten ersten Haltering montiert ist;
5A ist eine vergrößerte Perspektivansicht einer Ausführungsform des in 1 gezeigten Innenzahnrads;
5B ist eine vergrößerte Perspektivansicht einer anderen Ausführungsform des in 1 gezeigten Innenzahnrads;
6 ist eine Draufsicht eines Zahnrads eines Trägers, der auf dem in 5A gezeigten zweiten Haltering montiert ist;
7A und 7B sind Querschnittansichten, die ein Verfahren zum Polieren von Wafern gemäß einer Ausführungsform zeigen;
8A bis 8C sind Querschnittansichten, die ein Verfahren zum Polieren von Wafern gemäß einer anderen Ausführungsform zeigen;
9A ist eine Ansicht, die Positionen der in 7A und 7B gezeigten Träger darstellt;
9B ist eine Ansicht, die Positionen der in 8A bis 8C gezeigten Träger darstellt; und
10 ist eine Querschnittansicht einer herkömmlichen Wafer-Poliervorrichtung.

Detaillierte Beschreibung der Erfindung
Ausführungsformen werden aus der folgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen unter Bezug auf die begleitenden Zeichnungen offensichtlich. In der folgenden Beschreibung von Ausführungsformen versteht sich, dass, wenn auf eine Schicht (ein Film), einen Bereich, ein Muster oder eine Struktur als „auf“ oder „unter“ einem anderen Element Bezug genommen wird, sie/er direkt auf oder unter dem anderen Element sein kann und auch ein oder mehrere Zwischenelemente dazwischen vorhanden sein können. Hier sollte der Bezug hinsichtlich „auf“ oder „unter“ einem Element basierend auf den Zeichnungen definiert werden.
Es sollte sich verstehen, dass der Einfachheit und Deutlichkeit der Erklärung halber die Größe der in den Zeichnungen gezeigten Elemente übertrieben gezeichnet oder weggelassen sein kann. Außerdem sollte sich verstehen, dass die in den Zeichnungen gezeigten Elemente nicht maßstabsgerecht gezeichnet sind und die gleichen Bezugsnummern, die über die verschiedenen Figuren hinweg verwendet werden, die gleichen oder ähnliche Komponenten bezeichnen.
1 ist eine Querschnittansicht einer Wafer-Poliervorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform, und 2 ist eine schematische Perspektivansicht, die eine obere Flächenplatte, eine untere Flächenplatte, ein Innenzahnrad und ein Sonnenrad der in 1 gezeigten Wafer-Poliervorrichtung zeigt.
Bezug nehmend auf 1 und 2 umfasst die Wafer-Poliervorrichtung 100 eine untere Flächenplatte 110, eine Dreheinrichtung 120 für die untere Flächenplatte, eine Halterung 130, eine obere Flächenplatte 140, eine Dreheinrichtung 150 für die obere Flächenplatte, ein Sonnenrad 160, ein Innenzahnrad 170, ein oder mehrere Träger 180-1 und 180-2, eine Hebeeinheit 190 und eine Steuereinheit 200.
Die untere Flächenplatte 110 kann als eine ringförmige Platte ausgeführt werden, die Wafer W1 und W2 hält, die auf den einen oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 geladen sind, und ein Mittelloch 111 hat. Die untere Flächenplatte 110 kann ein Polierpad umfassen, das auf ihre obere Oberfläche montiert ist, um die Wafer zu polieren.
Die Dreheinrichtung 120 der unteren Flächenplatte ist unter der unteren Flächenplatte 110 angeordnet, um sie zu drehen.
Die Dreheinrichtung 120 der unteren Flächenplatte kann eine erste Drehwelle 122 zum Drehen der unteren Flächenplatte 110 umfassen. Die erste Drehwelle 122 kann mit einer unteren Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 verbunden sein, um die untere Flächenplatte 110 zu halten und die untere Flächenplatte 110 in eine erste Richtung zu drehen.
Zum Beispiel kann die erste Drehwelle 122 durch die Drehung eines (nicht gezeigten) Antriebsmotors in die erste Richtung (z.B. gegen den Uhrzeigersinn) gedreht werden, und somit kann die untere Flächenplatte 110 durch die Drehkraft der ersten Drehwelle 122 in die erste Richtung (z.B. gegen den Uhrzeigersinn) gedreht werden.
Die obere Flächenplatte 140 ist über der unteren Flächenplatte 110 derart angeordnet, dass die untere Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 zugewandt ist. Die obere Flächenplatte 140 kann als eine ringförmige Platte mit einem Mittelloch ausgeführt sein. Die obere Flächenplatte 140 kann ein Polierpad umfassen, das an seiner unteren Oberfläche angebracht ist, um Wafer zu polieren.
Die Dreheinrichtung 150 der oberen Flächenplatte kann die obere Flächenplatte 140 drehen, um die obere Flächenplatte 140 weiter vertikal zu bewegen.
Die Dreheinrichtung 150 der oberen Flächenplatte kann eine zweite Drehwelle 152 umfassen, die mit der oberen Flächenplatte 140 verbunden ist, um die obere Flächenplatte 140 zu drehen.
Die zweite Drehwelle 152 kann mit der oberen Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 verbunden sein, um die obere Flächenplatte 140 in die zweite Richtung zu drehen. Die zweite Drehwelle 152 kann die obere Flächenplatte 140 vertikal bewegen, um das Gewicht der oberen Flächenplatte 140 zu steuern, das auf die Wafer W₁ und W₂ angewendet wird, die auf den einen oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 geladen sind. Die zweite Richtung kann die Richtung entgegengesetzt zu der ersten Richtung (z.B. die Richtung im Uhrzeigersinn) sein.
Zum Beispiel kann die zweite Drehwelle 152 mit einem (nicht gezeigten) Antriebsmotor verbunden sein. Die zweite Drehwelle 152 kann durch die Drehung des Antriebsmotors in die zweite Richtung gedreht werden, und die obere Flächenplatte 140 kann durch die Drehkraft der zweiten Drehwelle 152 in die zweite Richtung gedreht werden.
Die zweite Drehwelle 152 kann mit einem (nicht gezeigten) pneumatischen oder hydraulischen Zylinder verbunden sein, und das Gewicht der oberen Flächenplatte 140 kann durch den pneumatischen oder hydraulischen Zylinder gesteuert werden. Während des Polierens kann die obere Flächenplatte 140 einen Druck auf die Wafer W₁ und W₂ anwenden, die auf den einen oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 geladen sind. Zum Beispiel kann das Gewicht der oberen Flächenplatte 140, das auf die Wafer W₁ und W₂ angewendet wird, die auf den einen oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 geladen sind, durch den (nicht gezeigten) pneumatischen oder hydraulischen Zylinder gesteuert werden.
Das Sonnenrad 160 kann mehrere erste Stifte 162-1 bis 162-m (wobei m eine natürliche Zahl ist, die m > 1 erfüllt) und eine erste Halterung 161 zum Halten der mehreren ersten Stifte 162-1 bis 162-m umfassen.
Die erste Halterung 161 ist in dem Mittelloch 111 der unteren Flächenplatte 110 angeordnet und kann als eine ringförmige Platte ausgeführt sein. Jedoch ist die Form der ersten Halterung 161 nicht darauf beschränkt. Wenngleich die erste Halterung 161 zum Beispiel eine Ringform haben kann, ist sie nicht darauf beschränkt.
Die mehreren ersten Stifte 162-1 bis 162-m können in einer Linie mit Intervallen dazwischen angeordnet sein. Das in 2 gezeigte Sonnenrad 160 kann ein Stiftzahnrad umfassen, das die mehreren Stifte 162-1 bis 162-m und die erste Halterung 161 umfasst.
Das Innenzahnrad 170 kann um den Umfang der unteren Flächenplatte 110 herum positioniert sein. Zum Beispiel kann das Innenzahnrad 170 als eine ringförmige Platte ausgeführt sein, deren Innenumfangsoberfläche die Außenumfangsoberfläche der unteren Flächenplatte 110 umgibt.
Das Innenzahnrad 170 kann mehrere zweite Stifte 172-1 bis 172-n (wobei n eine natürliche Zahl ist, die n > 1 erfüllt) und eine zweite Halterung 171 zum Halten der mehreren zweiten Stifte 172-1 bis 172-n umfassen.
Die zweite Halterung 171 kann als eine ringförmige Platte ausgeführt sein, die um den Umfang der unteren Flächenplatte 110 herum angeordnet ist. Wenngleich die zweite Halterung 171 zum Beispiel eine Ringform haben kann, ist sie nicht darauf beschränkt.
Die mehreren zweiten Stifte 172-1 bis 172-n können in einer Linie auf der oberen Oberfläche der zweiten Halterung 171 mit Intervallen dazwischen angeordnet sein. Das in 2 gezeigte Innenzahnrad 170 kann ein Stiftzahnrad mit mehreren zweiten Stiften 172-1 bis 172-n und die zweite Halterung 171 umfassen.
Der eine oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 sind zwischen der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 und der unteren Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 angeordnet, in denen die Wafer W₁ und W₂, die poliert werden sollen, aufgenommen oder auf diese geladen sind.
Jeder der einen oder mehreren Träger 180-1 und 180-2 kann einen Trägerkörper 180 (siehe 4) mit einem Wafer-Montageloch 183, in dem der Wafer W₁ oder W₂ aufgenommen wird, und wenigstens einem Schlammloch 184, das von dem Wafer-Montageloch 183 beabstandet ist, und durch das Schlamm geht, und ein Zahnrad 188, das an der Außenumfangsoberfläche des Trägerkörpers 180 bereitgestellt ist, umfassen.
Die Schlammlöcher 184 können den gleichen Durchmesser wie den des Wafer-Montagelochs 183 oder verschiedene Durchmesser haben.
Der eine oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 können aus Epoxidglas, SUS, Urethan, Keramik oder Polymer hergestellt sein.
Wenngleich der Trägerkörper 180 eine Scheibenform haben kann, ist er nicht darauf beschränkt.
Das an der Außenumfangsoberfläche des Trägers 180-1 oder 180-2 ausgebildete Zahnrad 188 kann sowohl mit den ersten Stiften 162-1 bis 162-m des Sonnenrads 160 als auch den zweiten Stiften 172-1 bis 172-n des Innenzahnrads 170 eingreifen. Der eine oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 können sowohl mit dem Sonnenrad 160 als auch dem Innenzahnrad 170 eingreifen, um dadurch während des Polierverfahrens gedreht zu werden.
Die Hebeeinheit 190 kann aufgebaut sein, um den einen oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2, die auf der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 angeordnet sind, anzuheben oder abzusenken.
Die Hebeeinheit 190 kann das Sonnenrad 160 und das Innenzahnrad 170 anheben oder absenken. Zum Beispiel kann die Hebeeinheit 190 das Sonnenrad 160 und das Innenzahnrad 170 gleichzeitig anheben oder absenken.
Die Hebeeinheit 190 kann auch das Sonnenrad 160 und das Innenzahnrad 170 anheben und absenken, während Wafer, die in den Trägern 180-1 und 180-2 aufgenommen sind, die aufgrund der Drehung der oberen Flächenplatte 140 und der unteren Flächenplatte 110 zwischen dem Sonnenrad 160 und dem Innenzahnrad 170 gedreht werden, poliert werden.
Die Hebeeinheit 190 kann erste Hebeteile 192-1 und 192-2 zum Heben oder Absenken des Sonnenrads 160 und zweite Hebeteile 194-1 und 194-2 zum Heben oder Absenken des Innenzahnrads 170 umfassen.
Zum Beispiel können die ersten und zweiten Hebeteile 192-1 und 192-2 unter der ersten Halterung 161 angeordnet sein, um die erste Halterung 161 anzuheben oder abzusenken.
Die ersten Hebeteile 192-1 und 192-2 können ein oder mehrere erste Hebeteile umfassen. Zum Beispiel können die ersten Hebeteile 192-1 und 192-2 mehrere erste Hebeteile umfassen, und die mehreren ersten Hebeteile können verschiedene Abschnitte des ersten Halteteils 161 gleichzeitig anheben oder absenken.
Die zweiten Hebeteile 194-1 und 194-2 können unter der zweiten Halterung 171 angeordnet sein, um die zweite Halterung 171 anzuheben oder abzusenken.
Die zweiten Hebeteile 194-1 und 194-2 können einen oder mehrere zweite Hebeteile umfassen. Zum Beispiel können die zweiten Hebeteile 194-1 und 194-2 mehrere zweite Hebeteile umfassen, und die mehreren zweiten Hebeteile können die verschiedenen Abschnitte der zweiten Halterung 171 gleichzeitig anheben oder absenken.
Die ersten Hebeteile 192-1 und 192-2 und die zweiten Hebeteile 194-1 und 194-2 können jeweils einen pneumatischen oder hydraulischen Zylinder umfassen und können die erste Halterung 161 oder die zweite Halterung 171 unter Verwendung von Druck, der von dem pneumatischen oder hydraulischen Zylinder geliefert wird, anheben oder absenken.
In einer anderen Ausführungsform kann jeder der ersten Hebeteile 192-1 und 192-2 und der zweiten Hebeteile 194-1 und 194-2 einen Auf-Ab-Motor umfassen, der aufgebaut ist, um die durch den Antrieb des Motors erzeugte Drehkraft in eine vertikale lineare Bewegung umzuwandeln, und somit die erste Halterung 161 und die zweite Halterung 171 durch die vertikale lineare Bewegung anzuheben oder abzusenken.
Während die erste Halterung 161 angehoben oder abgesenkt wird, können die an der ersten Halterung 161 befestigten ersten Stifte 162-1 bis 162-m und die an der zweiten Halterung 171 befestigten zweiten Stifte 172-1 bis 172-n damit ebenfalls angehoben oder abgesenkt werden.
Wenn die erste Halterung 161 und die zweite Halterung 171 außerdem angehoben oder abgesenkt werden, können der eine oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2, die mit den ersten Stiften 162-1 bis 162-m und den zweiten Stiften 172-1 bis 172-m eingreifen, ebenfalls damit angehoben oder abgesenkt werden.
Kraft der ersten Hebeteile 192-1 und 192-2 und der zweiten Hebeteile 194-1 und 194-2 können die erste Halterung 161 und die zweite Halterung 171 damit angehoben oder abgesenkt werden, womit der eine oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 angehoben oder abgesenkt werden.
Obwohl der eine oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 angehoben oder abgesenkt werden, werden die in den Wafer-Montagelöchern 183 aufgenommenen Wafer W1 und W2 nicht angehoben oder abgesenkt, sondern werden auf der unteren Flächenplatte 110 gehalten.
3A ist eine vergrößerte Perspektivansicht einer Ausführungsform 160-1 des in 1 gezeigten Sonnenrads.
Bezug nehmend auf 3A kann das Sonnenrad 3A ferner einen ersten Haltering 310 umfassen, der von der Außenumfangsoberfläche jedes der ersten Stifte 162-1 bis 162-m vorsteht.
Der erste Haltering 310 kann an dem unteren Ende jedes der ersten Stifte 162-1 bis 162-m bereitgestellt sein, um die obere Oberfläche der ersten Halterung 161 zu berühren.
Der erste Haltering 310 dient als eine Auflagehalterung zum Halten des Zahnrads 188, das auf der Außenumfangsoberfläche jedes der Träger 180-1 und 180-2 ausgebildet ist.
Die ersten Halteringe 310, die an benachbarten ersten Stiften bereitgestellt sind, können voneinander beabstandet sein. Um das Zahnrad 188, das auf der Außenumfangsoberfläche jedes der Träger 180-1 und 180-2 ausgebildet ist, zuverlässig zu halten, kann der Durchmesser D1 der Außenumfangsoberfläche des ersten Halterings 310 größer als die Breite P1 der ersten Halterung 161 sein. Jedoch ist diese Ausführungsform nicht darauf beschränkt.
4 ist eine Draufsicht des Zahnrads 188 des Trägers 180-1, das auf dem in 3A gezeigten ersten Haltering 310 angeordnet ist.
Bezug nehmend auf 4 vergrößert der erste Haltering 310 den Berührungsbereich mit dem Zahnrad 188, das auf der Außenumfangsoberfläche jedes der Träger 180-1 und 180-2 ausgebildet ist. Folglich kann der erste Haltering 310 die Träger 180-1 und 180-2 zuverlässig halten, wenn die Träger 180-1 und 180-2 mit Hilfe der Hebeeinheit 190 angehoben oder abgesenkt werden
3B ist eine vergrößerte Perspektivansicht einer anderen Ausführungsform 160-2 des in 1 gezeigten Sonnenrads.
Bezug nehmend auf 3B kann das Sonnenrad 160-2 ferner einen ersten Haltering 320 umfassen, der von einem Außenumfangsoberflächenabschnitt, der zwischen den oberen und unteren Enden jedes der ersten Stifte 162-1 und 162-m positioniert ist, vorsteht.
Der erste Haltering 320 kann derart angeordnet sein, dass er von den oberen und unteren Enden des ersten Stifts (zum Beispiel 162-1) beabstandet ist. Wenngleich der Durchmesser des ersten Halterings 320 größer als die Breite der ersten Halterung 161 sein kann, ist er nicht darauf beschränkt.
5A ist eine vergrößerte Perspektivansicht einer Ausführungsform 170-1 des in 1 gezeigten Innenzahnrads 170-1.
Bezug nehmend auf 5A kann das Innenzahnrad 170-1 ferner einen zweiten Haltering 330 umfassen, der von der Außenumfangsoberfläche jedes der zweiten Stifte 172-1 bis 172-n nach außen vorsteht.
Der zweite Haltering 330 kann an dem unteren Ende jedes der zweiten Stifte 172-1 bis 172-n bereitgestellt sein und kann die obere Oberfläche der zweiten Halterung 171 berühren.
Der zweite Haltering 330 dient als eine Auflagehalterung zum Halten des Zahnrads 188, das auf der Außenumfangsoberfläche jedes der Träger 180-1 und 180-2 ausgebildet ist.
Die zweiten Halteringe 330, die an zwei der zweiten Stifte bereitgestellt sind, die benachbart zueinander sind, können voneinander beabstandet sein. Um das auf der Außenumfangsoberfläche jedes der Träger 180-1 und 180-2 ausgebildete Zahnrad 188 zuverlässig zu halten, kann der Durchmesser D1 der Außenumfangsoberfläche des zweiten Halterings 330 größer als die Breite P1 der zweiten Halterung 171 sein. Jedoch ist die Ausführungsform nicht darauf beschränkt.
6 ist eine Draufsicht des Zahnrads 188 des Trägers 180-1, der auf dem in 5A gezeigten zweiten Haltering 330 angeordnet ist.
Bezug nehmend auf 6 vergrößert der zweite Haltering 330 die Berührungsfläche mit dem Zahnrad 188, das auf der Außenumfangsoberfläche jedes der Träger 180-1 und 180-2 ausgebildet ist. Folglich kann der zweite Haltering 330 die Träger 180-1 und 180-2 zuverlässig unterstützen, wenn die Träger 180-1 und 180-2 mit Hilfe der Hebeeinheit 190 angehoben oder abgesenkt werden.
5B ist eine vergrößerte Perspektivansicht einer anderen Ausführungsform 170-2 des in 1 gezeigten Innenzahnrads.
Bezug nehmend auf 5B kann das Innenzahnrad 170-2 ferner einen zweiten Halterring 340 umfassen, der von dem Außenumfangsoberflächenabschnitt, der zwischen den oberen und unteren Enden jedes der zweiten Stifte 172-1 bis 172-n positioniert ist, nach au-ßen vorsteht.
Der zweite Haltering 340 kann derart angeordnet sein, dass er von den oberen und unteren Enden des zweiten Stifts (zum Beispiel 172-1) beabstandet ist. Wenngleich der Durchmesser des zweiten Halterings 340 größer als die Breite der zweiten Halterung 171 ist, ist sie nicht darauf beschränkt.
Die Steuereinheit 200 steuert die Hebeeinheit 190, um zu bewirken, dass der eine oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 angehoben oder abgesenkt werden.
Zum Beispiel kann die Steuereinheit 200 die ersten Hebeteile 192-1 und 192-2 steuern, um zu bewirken, dass die erste Halterung 161 angehoben oder abgesenkt wird, und kann die zweite Halterung 171 steuern, um zu bewirken, dass die zweiten Hebeteile 194-1 und 194-2 angehoben oder abgesenkt werden.
10 ist eine Querschnittansicht einer typischen Wafer-Poliervorrichtung.
Bezug nehmend auf 10 verwendet das herkömmliche Verfahren zum Polieren von Wafern W1 und W2 einen Aufbau, so dass Träger 30-1 und 30-2, welche die darin aufgenommenen Wafer W1 und W2 enthalten, zwischen dem Sonnenrad 40 und einem Innenzahnrad 50 positioniert sind, um damit einzugreifen, und auf der oberen Oberfläche einer unteren Flächenplatte 10 montiert sind, wobei auf diese Weise die Wafer W1 und W2 unter Verwendung der oberen Flächenplatte 20 und der unteren Flächenplatte 10 poliert werden.
Dank der Differenz zwischen der Dicke der Träger 30-1 und 30-2 und der Anfangsdicke der Wafer, die keinem Polieren unterzogen wurden, wird die Wirklast 70, die auf den Rand der oberen Oberfläche des Wafers, der die obere Flächenplatte 20 berührt, erhöht, so dass sie höher als die Wirklast ist, die auf andere Abschnitte der oberen Oberfläche des Wafers angewendet wird, und somit kann die Ebenheit der oberen Oberfläche des Wafers verschlechtert werden.
7A und 7B stellen das Verfahren zum Polieren von Wafern gemäß einer Ausführungsform dar.
Das Verfahren zum Polieren von Wafern gemäß der Ausführungsform umfasst einen in 7A gezeigten ersten Polierbetrieb und einen in 7B gezeigten zweiten Polierbetrieb.
Bezug nehmend auf 7A sind der eine oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2, die die Wafer W1 und W2 enthalten, auf der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 montiert.
An diesem Punkt kann die Anfangsdicke (t1) der Wafer, die keinem Polieren unterzogen wurden, verschieden von der Dicke (t2) der Träger 180-1 und 180-2 sein. Zum Beispiel kann die Anfangsdicke (t1) der Wafer W1 und W2, die nicht dem Polieren unterzogen wurde, größer als die Dicke (t2) wenigstens eines der Träger 180-1 und 180-2 sein (t1 > t2).
Dank der Differenz zwischen der Anfangsdicke t1 der Wafer, die nicht dem Polieren unterzogen wurden, und der Dicke (t2) der Träger 180-1 und 180-2 können die oberen Oberflächen der Wafer, die auf der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 angeordnet sind, höher positioniert werden als die oberen Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2.
Wenn mit anderen Worten die untere Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 dazu gebracht wird, die oberen Oberflächen der der in den Trägern 180-1 und 180-2 aufgenommenen Wafer W1 und W2 zu berühren, können die oberen Oberflächen der Wafer die untere Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 berühren, aber die oberen Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 können von der unteren Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 beabstandet sein.
Anschließend wird die untere Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 dazu gebracht, die oberen Oberflächen der Wafer W1 und W2, die in den Trägern 180-1 und 180-2 aufgenommen sind, zu berühren.
Der eine oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 werden mit Hilfe der Hebeeinheit 190 angehoben, so dass die oberen Oberflächen des einen oder der mehreren Träger 180-1 und 180-2, die auf die untere Flächenplatte 110 montiert sind, in Berührung mit der unteren Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 kommen, und die unteren Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 von der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 beabstandet sind.
Zum Beispiel bewirkt das Anheben der ersten Halterung 161 und der zweiten Halterung 171 durch die ersten und zweiten Hebeteile 192-1, 192-2, 194-1 und 194-2, dass die oberen Oberflächen des einen oder der mehreren Träger 180-1 und 180-2, die auf der unteren Flächenplatte 110 montiert sind, in Berührung mit der unteren Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 kommen, während bewirkt wird, dass die unteren Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 von der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 beabstandet sind.
Die Wafer W1 und W2, die in dem einen oder den mehreren Trägern 180-1 und 180-2 aufgenommen sind, werden poliert, während die oberen Oberflächen des einen oder der mehreren Träger 180-1 und 180-2 in Berührung mit der unteren Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 sind.
Der erste Polierbetrieb kann durchgeführt werden, bis die polierten Wafer eine erste Dicke haben. Zum Beispiel kann die erste Dicke in einem Bereich von 10% bis 60% der Differenz zwischen der Anfangsdicke (t1) der Wafer, die nicht dem Polieren unterzogen wurden, und der gewünschten abschließenden Zieldicke der Wafer W1 und W2 sein.
Da die oberen Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2, wie in 7A gezeigt, die untere Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 in dem ersten Polierbetrieb berühren, ist die Wirklast 710, die auf die Ränder der oberen Oberflächen der Wafer W1 und W2 angewendet wird, niedriger als die Wirklast 720, die auf die Ränder der unteren Oberflächen der Wafer W1 und W2 angewendet wird.
Der hier verwendete Begriff „Wirklast“ kann sich auf die Kraft beziehen, die von der oberen Flächenplatte 140 auf die Wafer W1 und W2 angewendet wird. In einigen Fällen, wenn ein erstes Polierpad auf der oberen Flächenplatte 140 montiert ist und ein zweites Polierpad auf der unteren Flächenplatte 110 montiert ist, kann sich die Wirklast auf die Reibungslast zwischen den Wafern W1 und W2 und den ersten und zweiten Polierpads beziehen.
Da die auf die Ränder der oberen Oberflächen der Wafer W1 und W2 angewendete Wirklast 710 niedriger als die auf die Ränder der oberen Oberflächen der in 10 gezeigten Wafer angewendete Wirklast 70 ist, kann die Ebenheit der oberen Oberflächen der Wafer W1 und W2, die in dem ersten Polierbetrieb poliert wurden, verbessert werden.
Wie in 7B gezeigt, werden der eine oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 nach dem ersten Polierbetrieb mit Hilfe der Hebeeinheit 190 abgesenkt, so dass die unteren Oberflächen des einen oder der mehreren Träger 180-1 und 180-2 in Berührung mit der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 kommen.
Zum Beispiel bewirkt das Absenken der ersten Halterung 161 und der zweiten Halterung 171 durch die ersten und zweiten Hebeeinheiten 192-1, 192-2, 194-1 und 194-2, dass die unteren Oberflächen des einen oder der mehreren Träger 180-1 und 180-2 in Berührung mit der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 kommen.
Die Wafer W1 und W2, die in dem ersten Polierbetrieb poliert werden, werden als zweites auf die gewünschte abschließende Zieldicke der Wafer W1 und W2 poliert, während die unteren Oberflächen des einen oder der mehreren Träger 180-1 und 180-2 in Berührung mit der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 sind.
Zum Beispiel können die Wafer W1 und W2, die in dem ersten Polierbetrieb poliert wurden, als zweites um die Differenz zwischen der ersten Dicke und der abschließenden Zieldicke poliert werden.
Da die unteren Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 in dem zweiten Polierbetrieb in Berührung mit der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 sind, ist die Wirklast 720-1, die auf die Ränder der unteren Oberflächen der Wafer W1 und W2 angewendet wird, niedriger als die Wirklast 720, die auf die Ränder der unteren Oberflächen der Wafer W1 und W2 in dem ersten Polierbetrieb angewendet wird.
Da die auf die Ränder der unteren Oberflächen der Wafer W1 und W2 angewendete Wirklast 720-1 in dem zweiten Polierbetrieb verringert wird, so dass sie niedriger als die in dem ersten Polierbetrieb ist, kann die Ebenheit der unteren Oberflächen der Wafer W1 und W2 verbessert werden.
Die Ausführungsform kann die Ebenheit der oberen Oberflächen der Wafer W1 und W2 verbessern, indem die Träger 180-1 und 180-2 angehoben werden, um zu bewirken, dass die oberen Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 die untere Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 in dem ersten Polierbetrieb berühren. Außerdem kann die Ausführungsform die Ebenheit der unteren Oberflächen der Wafer W1 und W2 verbessern, indem die Träger 180-1 und 180-2 abgesenkt werden, um zu bewirken, dass die unteren Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 die obere Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 in dem zweiten Polierbetrieb berühren.
8A bis 8C stellen das Polierverfahren gemäß einer anderen Ausführungsform dar.
Das Verfahren zum Polieren von Wafern gemäß dieser Ausführungsform kann einen in 8A gezeigten ersten Polierbetrieb, einen in 8B gezeigten zweiten Polierbetrieb und einen in 8C gezeigten dritten Polierbetrieb umfassen.
Die Hebeeinheit 190 wird in dem ersten Polierbetrieb gesteuert, um zu bewirken, dass die Träger 180-1 und 180-2 derart bewegt werden, dass die ersten Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 in Berührung mit einer ersten Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 oder einer ersten Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 kommen.
In dem zweiten Polierbetrieb wird die Hebeeinheit 190 gesteuert, um zu bewirken, dass die Träger 180-1 und 180-2 derart bewegt werden, dass die zweiten Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 mit der anderen der ersten Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 und der ersten Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 in Berührung kommen.
In dem dritten Polierbetrieb wird die Hebeeinheit 190 gesteuert, um zu bewirken, dass die Träger 180-1 und 180-2 derart bewegt werden, dass die ersten Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 wieder in Berührung mit der einen der ersten Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 und der ersten Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 kommen.
Die ersten Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 können gegenüber den zweiten Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 sein. Wenn die erste Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 deren obere Oberfläche ist, kann die erste Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 deren untere Oberfläche sein und umgekehrt. Die Bewegungsrichtung der Träger 180-1 und 180-2 in dem ersten Polierbetrieb kann entgegengesetzt zu der Bewegungsrichtung der Träger 180-1 und 180-2 in dem zweiten Polierbetrieb sein. Außerdem kann die Bewegungsrichtung der Träger 180-1 und 180-2 in dem dritten Polierbetrieb entgegengesetzt zu der Bewegungsrichtung der Träger 180-1 und 180-2 in dem zweiten Polierbetrieb sein.
Bezug nehmend auf 8A werden die Positionen der Träger 180-1 und 180-2 von der Hebeeinheit 190 derart gesteuert, dass die unteren Oberflächen der Träger in Berührung mit der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 kommen.
Zum Beispiel können die erste Halterung 161 und die zweiten Halterung 171 von den ersten und zweiten Teilen 192-1, 192-2, 194-1 und 194-2 derart abgesenkt werden, dass die unteren Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 in Berührung mit der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 kommen.
Die in dem einen oder den mehreren Trägern 180-1 und 180-2 aufgenommenen Wafer W1 und W2 werden zuerst poliert, während die unteren Oberflächen des einen oder der mehreren Träger 180-1 und 180-2 in Berührung mit der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 sind.
Der erste Polierbetrieb kann durchgeführt werden, bis die polierten Wafer eine zweite Dicke haben. Zum Beispiel kann die zweite Dicke in einen Bereich von 10% bis 80% der Differenz zwischen der Anfangsdicke (t1) der Wafer, die nicht dem Polieren unterzogen wurden, und der gewünschten Endzieldicke der Wafer W1 und W2 sein.
Da die Wirklast 820, die auf die Ränder der unteren Oberflächen der Wafer W1 und W2 angewendet wird, niedriger als die Wirklast 810 ist, die auf die Ränder der oberen Oberflächen der Wafer W1 und W2 in dem ersten Polierbetrieb angewendet wird, kann die Ebenheit der unteren Oberflächen der Wafer im Vergleich zu den oberen Oberflächen der Wafer verbessert werden.
Bezug nehmend auf 8B werden der eine oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 nach dem ersten Polierbetrieb von der Hebeeinheit 190 angehoben, so dass die oberen Oberflächen des einen oder der mehreren Träger 180-1 und 180-2 in Berührung mit der unteren Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 kommen, während die unteren Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 von der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 beabstandet sind.
Die Wafer W1 und W2 werden als zweites poliert, während die oberen Oberflächen des einen oder der mehreren Träger 180-1 und 180-2 in Berührung mit der unteren Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 sind. Der zweite Polierbetrieb kann durchgeführt werden, bis die Wafer W1 und W2 eine dritte Dicke haben. Zum Beispiel kann die dritte Dicke in einem Bereich von 10% bis 70% der Differenz zwischen der dritten Dicke und der zweiten Dicke sein.
Da die Wirklast, die auf die Ränder der oberen Oberflächen der Wafer W1 und W2 in dem zweiten Polierbetrieb angewendet wird, niedriger als die in dem ersten Polierbetrieb ist, kann die Ebenheit der oberen Oberflächen der Wafer im Vergleich zu der in dem ersten Polierbetrieb verbessert werden.
Die Wirklast 820-1, die auf die Ränder der unteren Oberflächen der Wafer W1 und W2 angewendet wird, ist höher als die in dem ersten Polierbetrieb, kann aber niedriger als die Wirklast sein, die auf die Ränder der unteren Oberflächen der in 7A gezeigten Wafer angewendet wird, da die Differenz zwischen der Dicke der Wafer und der Dicke der Träger verringert wird. Folglich kann die Ebenheit der unteren Oberflächen der Wafer in dem zweiten Polierbetrieb im Vergleich zu der Ebenheit der unteren Oberflächen der in 7A gezeigten Wafer verbessert werden.
Bezug nehmend auf 8C werden die Träger 180-1 und 180-2 nach dem zweiten Polierbetrieb durch die Hebeeinheit 190 derart abgesenkt, dass die unteren Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 in Berührung mit der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 kommen.
Die Wafer W1 und W2, die als zweites poliert wurden, werden als drittes poliert, während die unteren Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 in Berührung mit der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 sind, bis die Wafer W1 und W2 die abschließende Zieldicke haben.
Da in dem dritten Polierbetrieb die unteren Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 in Berührung mit der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 sind, kann die Wirklast 820-1, die auf die Ränder der Wafer angewendet wird, die als zweites poliert wurden, verringert werden, und somit kann die Ebenheit der unteren Oberflächen der Wafer W1 und W2 verbessert werden.
Da außerdem die Differenz zwischen der Dicke der Wafer W1 und W2 und der Dicke der Träger 180-1 und 180-2 weiter verringert wird, kann die Differenz zwischen der Wirklast der Ränder der oberen Oberflächen der Wafer und der Wirklast anderer Abschnitte der oberen Oberflächen der Wafer verringert werden, und somit kann die Ebenheit der oberen Oberflächen der Wafer ebenfalls verbessert werden.
9A stellt die Positionen der in 7A und 7B gezeigten Träger dar.
In der Zeichnung bezeichnet die x-Achse die Polierzeit und die y-Achse bezeichnet die Höhe der Träger.
Bezug nehmend auf 9A können der eine oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 in dem ersten Polierbetrieb (Abschnitt 0 - t1) angehoben werden, und die Höhe der oberen Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 gegenüber der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 kann eine erste Höhe (H1) sein. Zum Beispiel kann die erste Höhe (H1) der Abstand von der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 zu den oberen Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 sein, wenn die oberen Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 die untere Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 berühren.
In dem zweiten Polierbetrieb (Abschnitt t1 - t2) können der eine oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 abgesenkt werden, und die Höhe der oberen Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 gegenüber der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 kann eine zweite Höhe (H2) sein. Zum Beispiel kann die zweite Höhe (H2) ein Abstand von der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 zu den oberen Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 sein, wenn die unteren Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 die obere Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 berühren.
9B stellt die Positionen der in 8A und 8B gezeigten Träger dar.
Bezug nehmend auf 9B kann in dem ersten Polierbetrieb (Abschnitt 0 - t3) die Höhe der oberen Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 gegenüber der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 eine zweite Höhe (H2) sein.
In dem zweiten Polierbetrieb (Abschnitt t3 - t4) können der eine oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 angehoben werden, und die Höhe der oberen Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 gegenüber der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 kann eine dritte Höhe (H3) sein. Zum Beispiel kann die dritte Höhe (H3) der Abstand von der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 110 zu den oberen Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 sein, wenn die oberen Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2, die die als zweites polierten Wafer enthalten, die untere Oberfläche der oberen Flächenplatte 140 berühren.
In dem dritten Polierbetrieb (Abschnitt t4 - t2) können der eine oder die mehreren Träger 180-1 und 180-2 abgesenkt werden, und die Höhe der oberen Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 gegenüber der oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte 11 kann eine zweite Höhe (H2) sein.
Die Ausführungsformen können die Ebenheit von Oberflächen, hinteren Oberflächen und Randabschnitten polierter Wafer verbessern, indem die Differenz zwischen den oberen Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 und den oberen Oberflächen der Wafer W1 und W2 und die Differenz zwischen den unteren Oberflächen der Träger 180-1 und 180-2 und den unteren Oberflächen der Wafer W1 und W2 durch Anheben und Absenken der Träger 180-1 und 180-2 verringert werden.

Claims

Wafer-Poliervorrichtung, die aufweist: eine untere Flächenplatte (110); eine obere Flächenplatte (140), die über der unteren Flächenplatte (110) angeordnet ist; einen Träger (180-1, 180-2), der zwischen der unteren Flächenplatte (110) und der oberen Flächenplatte (140) angeordnet ist und einen Wafer (W1, W2) enthält; und eine Hebeeinheit (190), die zur Anhebung und Absenkung des Trägers (180-1, 180-2) eingerichtet ist, eine Steuereinheit (200) zur Steuerung der Hebeeinheit (190) für die Anhebung bzw. Absenkung des Trägers (180-1, 180-2), wobei die Steuereinheit (200) dazu eingerichtet ist, die Hebeeinheit (190) so zu steuern, dass - bei einer Anhebung des Trägers (180-1, 180-2) in einem Polierbetrieb des Wafers (W1, W2) eine obere Oberfläche des Trägers (180-1, 180-2) eine untere Oberfläche der oberen Flächenplatte (140) berührt, während eine untere Oberfläche des Trägers (180-1, 180-2) von einer oberen Oberfläche der unteren Flächenplatte (110) beabstandet ist und - bei einer Absenkung des Trägers (180-1, 180-2) in einem anderen Polierbetrieb des Wafers (W1, W2) eine untere Oberfläche des Trägers (180-1, 180-2) die obere Oberfläche der unteren Flächenplatte (110) berührt, während die obere Oberfläche des Trägers (180-1, 180-2) von der unteren Oberfläche der oberen Flächenplatte (140) beabstandet ist.
Wafer-Poliervorrichtung nach Anspruch 1, die ferner aufweist: ein Sonnenrad (160), das in einer Mitte der unteren Flächenplatte (110) angeordnet ist; und ein Innenzahnrad (170), das um den Umfang der unteren Flächenplatte (110) herum angeordnet ist, wobei der Träger (180-1, 180-2) ein Zahnrad (188) umfasst, das um seine Außenumfangsoberfläche ausgebildet ist und mit dem Sonnenrad (160) und dem Innenzahnrad (170) eingreift, und die Hebeeinheit (190) zur Anhebung oder Absenkung des Sonnenrads (160) und des Innenzahnrads (170) eingerichtet ist.
Wafer-Poliervorrichtung nach Anspruch 2, wobei das Sonnenrad (160) aufweist: ein erstes Stiftzahnrad mit mehreren ersten Stiften (162-1, ..., 162-m); und eine erste Halterung (161) zum Halten der mehreren ersten Stifte (162-1, ..., 162-m), wobei die Hebeeinheit (130) zur Anhebung oder Absenkung der ersten Halterung (161) eingerichtet ist.
Wafer-Poliervorrichtung nach Anspruch 3, wobei das Innenzahnrad (170) aufweist: ein zweites Stiftzahnrad mit mehreren zweiten Stiften (172-1, ..., 172-n); und eine zweite Halterung (171) zum Halten der mehreren zweiten Stifte (172-1, ..., 172-n), wobei die Hebeeinheit (190) zur Anhebung oder Absenkung der zweiten Halterung (171) eingerichtet ist.
Wafer-Poliervorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Hebeeinheit (190) zur gleichzeitigen Anhebung oder Absenkung der ersten Halterung (161) und der zweiten Halterung (161) eingerichtet ist.
Wafer-Poliervorrichtung nach Anspruch 3, wobei das Sonnenrad (160) ferner erste Halteringe (310, 320) aufweist, die von Außenumfangsoberflächen der mehreren jeweiligen ersten Stifte (162-1, ..., 162-m) vorstehen.
Wafer-Poliervorrichtung nach Anspruch 6, wobei die ersten Halteringe (310) an unteren Enden der mehreren jeweiligen ersten Stifte (162-1, ..., 162-m) bereitgestellt sind und eine obere Oberfläche der ersten Halterung (161) berühren.
Wafer-Poliervorrichtung nach Anspruch 6, wobei die ersten Halteringe (320) an Außenumfangsoberflächen zwischen den oberen und unteren Enden der mehreren jeweiligen ersten Stifte (162-1, ..., 162-m) bereitgestellt sind und von den oberen und unteren Enden der mehreren jeweiligen ersten Stifte (162-1, ..., 162-m) beabstandet sind.
Wafer-Poliervorrichtung nach Anspruch 6, wobei die ersten Halteringe (310, 320), die an den Außenumfangsoberflächen von zwei benachbarten ersten Stiften (162-1, ..., 162-m) der mehreren ersten Stifte (162-1, ..., 162-m) bereitgestellt sind, voneinander beabstandet sind.
Wafer-Poliervorrichtung nach Anspruch 4, wobei das Innenzahnrad (170) ferner zweite Halteringe (330, 340) umfasst, die von Außenumfangsoberflächen der mehreren jeweiligen zweiten Stifte (172-1, ..., 172-n) vorstehen.
Wafer-Poliervorrichtung nach Anspruch 10, wobei die zweiten Halteringe (330) an unteren Enden der mehreren jeweiligen zweiten Stifte (172-1, ..., 172-n) bereitgestellt sind und eine obere Oberfläche der zweiten Halterung (171) berühren.
Wafer-Poliervorrichtung nach Anspruch 10, wobei die zweiten Halteringe (340) an Außenumfangsoberflächen der mehreren jeweiligen zweiten Stifte (172-1, ..., 172-n) zwischen den oberen und unteren Enden der mehreren jeweiligen zweiten Stifte (172-1, ..., 172-n) bereitgestellt sind und von den oberen und unteren Enden der mehreren jeweiligen zweiten Stifte (172-1, ..., 172-n) beabstandet sind.
Wafer-Poliervorrichtung nach Anspruch 10, wobei die zweiten Halteringe (330, 340), die an den Außenumfangsoberflächen von zwei benachbarten zweiten Stiften (172-1, ..., 172-n) der mehreren zweiten Stifte (172-1, ..., 172-n) bereitgestellt sind, voneinander beabstandet sind.