JP6424809B2 - ウェーハの両面研磨方法 - Google Patents
ウェーハの両面研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6424809B2 JP6424809B2 JP2015241964A JP2015241964A JP6424809B2 JP 6424809 B2 JP6424809 B2 JP 6424809B2 JP 2015241964 A JP2015241964 A JP 2015241964A JP 2015241964 A JP2015241964 A JP 2015241964A JP 6424809 B2 JP6424809 B2 JP 6424809B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- double
- polishing
- wafer
- carrier
- sided
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 262
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 19
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 10
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 5
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 106
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B27/00—Other grinding machines or devices
- B24B27/0076—Other grinding machines or devices grinding machines comprising two or more grinding tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
また、キャリアの2段階両面研磨とウェーハの両面研磨を異なる両面研磨機で別に行うので、キャリアの2段階両面研磨で生じたパーティクルが両面研磨機内に残り、ウェーハを研磨する際にウェーハを傷つけることもない。
まず、図3に本発明の両面研磨方法に使用することができる両面研磨機の縦断面図の一例を示す。また図4は両面研磨機の平面図である。ここでは遊星式のものについて説明するが、本発明はこれに限定されず、揺動式のものとすることもできる。
なお、本発明においてはウェーハ研磨用とキャリア研磨用とで異なる両面研磨機が必要であるが、その基本的な構造は同じものとしても良いし、異なる構造としても良い。適切にウェーハやキャリアを両面研磨できるものであれば良い。ここでは基本的な構造が同様のものを使用する場合について説明する。
ただし、キャリア自体は共通である。すなわち、キャリア研磨用の両面研磨機で両面研磨されたキャリアが、ウェーハ研磨用の両面研磨機でウェーハを両面研磨する際に用いられることになる。
なお、図3、4は研磨対象がウェーハWの場合である。研磨対象がキャリア9の場合は、図3、4からウェーハWを除いた状態となる。
このときキャリア9は上下の研磨布4により両面を同時に研磨される。
また、ウェーハWが研磨対象である場合は、ウェーハWはキャリア9の保持孔10で保持されており、上下の研磨布4により両面が同時に研磨される。
なお、各々、研磨時には、ノズル5から貫通孔6を通してキャリア研磨用のスラリーまたはウェーハ研磨用のスラリーが供給される。温度調節器も備えられており、各スラリーは所望の温度で供給できるようになっている。
本発明のウェーハの両面研磨方法は、例えば、ウェーハを両面研磨するために初めて両面研磨機に配設する場合に適用することができる。キャリア交換で、メーカーから納品された新品のキャリアを用いる場合が考えられる(実施態様1)。
また、既にウェーハの両面研磨に用いたキャリアを両面研磨機から取り外して一旦保管し、次のウェーハを両面研磨するために、両面研磨機に再度配設する場合に適用することができる。研磨布などのキャリア以外の部品の交換、メンテナンス等のために、両面研磨機から一旦取り外したキャリアを用いる場合が考えられる(実施態様2)。
なお、本発明はこれらに限定されるものではなく、両面研磨機にキャリアを配設してウェーハを両面研磨する場合であれば本発明を適用することができる。
まず、実施態様1の場合について図1を参照して説明する。
まず、キャリア交換のための新品のキャリアを用意する(工程B1)。なお、上記のように、本発明は特に金属製のものに特に有効であるが、その他、樹脂等の別の材質のものとすることもできる。メーカーから納品された新品のキャリアには自然酸化膜が通常形成されてしまっている。また、他の不純物が付着している場合も考えられる。この状態でウェーハの両面研磨のためにそのまま使うと、ウェーハの両面研磨中にそれらが剥がれ、研磨ウェーハ表面のキズの原因となってしまう。
また、このスラリーに関して、例えば砥粒濃度は10wt%以上20wt%以下とすることができ、pH10−11の無機アルカリ溶液とすることができる。
また、加工荷重は1次研磨では例えば100−200gf/cm2に設定することができる。
また、加工荷重は2次研磨では例えば50−100gf/cm2に設定することができる。
上記のようにして2段階両面研磨を行ったキャリアを両面研磨機Bから取り出す(工程B4)。
なお、工程B4の後、工程A1を行って後述する両面研磨を行うのは1時間以内とするのがより良い。自然酸化膜がキャリア表面に再度形成されたり、不純物が付着するのを抑制するためである。
そして、研磨後のウェーハを回収する(工程A4)。必要に応じて、工程A2−工程A4を連続して繰り返し(N回)行い、ウェーハの研磨、回収を行う。
次に、実施態様2について図2を参照して説明する。
研磨布の寿命、その他各種メンテナンスのため、ウェーハの両面研磨に用いたキャリアを両面研磨機Aから取り出し(工程A5)、両面研磨機Aを完全停止して(工程A6)、両面研磨機Aのメンテナンスを行う(工程A7)。
そして、再び両面研磨機Aのメンテナンスを行う場合、キャリアを取り出し(工程A5)、上記のような工程を再び繰り返すことができる。
(実施例)
図2に示す本発明のウェーハの両面研磨方法に従い、図3、4に示す両面研磨機1(両面研磨機A、両面研磨機B)を用いてキャリアおよびウェーハの研磨を行った。
研磨布の交換のため、ウェーハの両面研磨に使用していたキャリアを取り出し、両面研磨機Aを完全停止し、研磨布を交換した。一方、取り出したキャリアは一旦保管し、その後に両面研磨機Bを用いて2段階両面研磨を行った。その後、再度両面研磨機Aに配設し、ウェーハを投入して両面研磨を行い、回収した。なお、キャリアの再度の配設後、ウェーハの両面研磨は10バッチ行った。1バッチあたり5枚である。
なお、両面研磨機Bにおけるキャリアの研磨、両面研磨機Aにおけるウェーハの研磨の各条件は以下の通りである。
キャリア研磨は、ウェーハ研磨を実施する前の1時間以内に行った。
両面研磨機Bは、不二越機械工業株式会社製のDSP−20Bを用いた。
研磨布は、ショアA硬度86の発泡ポリウレタンパッドを用いた。
キャリアは、基板をチタンとした。インサート材には、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸したFRPを用いた。
スラリーは1次研磨にシリカ砥粒含有・平均粒径89nm・砥粒濃度13wt%・pH10.5・KOHベースのものを用い、2次研磨にシリカ砥粒無し・pH11.0・KOHベース・35℃のものを用いた。
加工荷重は1次研磨では180gf/cm2、2次研磨では70gf/cm2に設定した。
加工時間は1次研磨の取り代が30nm以上(具体的には、50nm)となるように設定した。2次研磨では、5minとした。
各駆動部の回転速度は、上定盤は−13.4rpm、下定盤は35rpm、サンギヤは25rpm、インターナルギヤは7rpmに設定した。
研磨布のドレッシングは、ダイヤ砥粒が電着されたドレスプレートを所定圧で純水を流しながら上下の研磨布に摺接させることで行った。
ウェーハは直径300mmのP型シリコン単結晶ウェーハを用いた。
両面研磨機Aは、不二越機械工業株式会社製のDSP−20Bを用いた。これは、上記キャリア研磨を行った両面研磨機Bとは別の両面研磨機である。
研磨布は、ショアA硬度86の発泡ポリウレタンパッドを用いた。
キャリアは、上記のキャリア研磨を行った後のチタンキャリアを使用した。
スラリーはシリカ砥粒含有・平均粒径35nm・砥粒濃度1.0wt%・pH10.5・KOHベースのものを用いた。
加工荷重は150gf/cm2に設定した。
加工時間はウェーハ厚みがキャリアと同一になるように設定した。
各駆動部の回転速度は、上定盤は−13.4rpm、下定盤は35rpm、サンギヤは25rpm、インターナルギヤは7rpmに設定した。
研磨布のドレッシングは、ダイヤ砥粒が電着されたドレスプレートを所定圧で純水を流しながら上下の研磨布に摺接させることで行った。
ウェーハの洗浄として、SC−1洗浄を、NH4OH:H2O2:H2O = 1:1:15で行った。
図5に示す従来のウェーハの研磨方法に従い、図3、4に示す両面研磨機と同様の両面研磨機を用いてウェーハの両面研磨を行った。図5に示すように、従来法では、本発明のような、キャリア保管後の両面研磨機Bを用いた2段階両面研磨は行わなかった。すなわち、キャリアを保管した後、2段階両面研磨は行わず、そのままチタンキャリアを両面研磨機に再度配設し、ウェーハの両面研磨を行った。それ以外の条件は実施例と同様にした。
そのスクラッチの一例(比較例)を図6に示す。点線で丸く囲まれたものがスクラッチの一例である。
また、バッチごとのスクラッチ数の推移をモニタリングした。バッチごとのスクラッチ数の推移を図7に示す。なお、各バッチとも、5枚の平均値である。
5…ノズル、 6…貫通孔、 7…サンギヤ、 8…インターナルギヤ、
9…キャリア、 10…保持孔、 W…ウェーハ。
Claims (8)
- 両面研磨機において研磨布が貼付された上下定盤の間にキャリアを配設し、該キャリアに形成された保持孔にウェーハを保持して、前記上下定盤の間に挟み込んで両面研磨するウェーハの両面研磨方法であって、
前記両面研磨機に配設する前のキャリアに、予め、前記ウェーハを両面研磨するのに用いる両面研磨機とは異なる両面研磨機を用いて、砥粒を含むスラリーを用いた1次研磨と、砥粒を含まない無機アルカリ溶液を用いた2次研磨からなる2段階両面研磨を行い、該2段階両面研磨を行ったキャリアを前記ウェーハを両面研磨するのに用いる両面研磨機に配設してウェーハの両面研磨を行うことを特徴とするウェーハの両面研磨方法。 - 前記両面研磨機に配設する前に行うキャリアへの2段階両面研磨を、
前記ウェーハを両面研磨するために初めて配設する前に行うことを特徴とする請求項1に記載のウェーハの両面研磨方法。 - 前記両面研磨機に配設する前に行うキャリアへの2段階両面研磨を、
前記ウェーハの両面研磨に用いたキャリアを前記両面研磨機から取り外して一旦保管し、次のウェーハを両面研磨するために再度配設する前に行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のウェーハの両面研磨方法。 - 前記キャリアを金属製のものとすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のウェーハの両面研磨方法。
- 前記キャリアの1次研磨において用いるスラリー中の砥粒を、直径70nm以上のものとすることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のウェーハの両面研磨方法。
- 前記キャリアの2段階両面研磨において用いる研磨布を、ショアA硬度80以上の発泡ポリウレタンパッドとすることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のウェーハの両面研磨方法。
- 前記キャリアの1次研磨における研磨取り代を、片面あたり30nm以上とすることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のウェーハの両面研磨方法。
- 前記キャリアの2次研磨において用いる無機アルカリ溶液の温度を、30℃以上とすることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のウェーハの両面研磨方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015241964A JP6424809B2 (ja) | 2015-12-11 | 2015-12-11 | ウェーハの両面研磨方法 |
CN201680069349.8A CN108290268B (zh) | 2015-12-11 | 2016-11-22 | 晶圆的双面研磨方法 |
SG11201804539YA SG11201804539YA (en) | 2015-12-11 | 2016-11-22 | Method for double-side polishing wafer |
DE112016005348.7T DE112016005348T5 (de) | 2015-12-11 | 2016-11-22 | Verfahren zum doppelseitigen Polieren von Wafern |
KR1020187015445A KR102568201B1 (ko) | 2015-12-11 | 2016-11-22 | 웨이퍼의 양면연마방법 |
PCT/JP2016/004942 WO2017098691A1 (ja) | 2015-12-11 | 2016-11-22 | ウェーハの両面研磨方法 |
US15/779,141 US11298796B2 (en) | 2015-12-11 | 2016-11-22 | Method for double-side polishing wafer |
TW105138413A TWI700147B (zh) | 2015-12-11 | 2016-11-23 | 晶圓的雙面研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015241964A JP6424809B2 (ja) | 2015-12-11 | 2015-12-11 | ウェーハの両面研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017104958A JP2017104958A (ja) | 2017-06-15 |
JP6424809B2 true JP6424809B2 (ja) | 2018-11-21 |
Family
ID=59013992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015241964A Active JP6424809B2 (ja) | 2015-12-11 | 2015-12-11 | ウェーハの両面研磨方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11298796B2 (ja) |
JP (1) | JP6424809B2 (ja) |
KR (1) | KR102568201B1 (ja) |
CN (1) | CN108290268B (ja) |
DE (1) | DE112016005348T5 (ja) |
SG (1) | SG11201804539YA (ja) |
TW (1) | TWI700147B (ja) |
WO (1) | WO2017098691A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102287116B1 (ko) | 2017-08-31 | 2021-08-05 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 웨이퍼의 양면 연마 방법 |
JP6977657B2 (ja) * | 2018-05-08 | 2021-12-08 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアの保管方法及びウェーハの両面研磨方法 |
JP7435436B2 (ja) | 2020-12-24 | 2024-02-21 | 株式会社Sumco | キャリアプレートの研磨方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6190868A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-09 | Toshiba Corp | 研磨装置 |
US6595831B1 (en) * | 1996-05-16 | 2003-07-22 | Ebara Corporation | Method for polishing workpieces using fixed abrasives |
AU739948B2 (en) * | 1996-12-27 | 2001-10-25 | Duke University | Methods of conferring PPO-inhibiting herbicide resistance to plants by gene manipulation |
US5882245A (en) * | 1997-02-28 | 1999-03-16 | Advanced Ceramics Research, Inc. | Polymer carrier gears for polishing of flat objects |
DE10196115B4 (de) * | 2000-04-24 | 2011-06-16 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. | Verfahren zum Polieren eines Halbleiterwafers |
US6454635B1 (en) * | 2000-08-08 | 2002-09-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for a wafer carrier having an insert |
WO2002035593A1 (fr) * | 2000-10-26 | 2002-05-02 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procede de production de plaquettes, appareil de polissage et plaquette |
JP2004283929A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ保持用キャリア並びにそれを用いた両面研磨装置及びウエーハの両面研磨方法 |
JPWO2006001340A1 (ja) * | 2004-06-23 | 2008-04-17 | Sumco Techxiv株式会社 | 両面研磨用キャリアおよびその製造方法 |
JP2007021680A (ja) | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハの両面研磨方法 |
KR100898821B1 (ko) * | 2007-11-29 | 2009-05-22 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼 캐리어의 제조방법 |
JP4605233B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2011-01-05 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
JP2010221362A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Showa Denko Kk | 円盤状基板の製造方法 |
JP5233888B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2013-07-10 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法 |
KR101209271B1 (ko) * | 2009-08-21 | 2012-12-06 | 주식회사 엘지실트론 | 양면 연마 장치와 양면 연마 장치용 캐리어 |
SG185085A1 (en) * | 2010-04-30 | 2012-12-28 | Sumco Corp | Method for polishing silicon wafer and polishing liquid therefor |
DE102010032501B4 (de) * | 2010-07-28 | 2019-03-28 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Abrichten der Arbeitsschichten einer Doppelseiten-Schleifvorrichtung |
US20130017765A1 (en) * | 2011-07-11 | 2013-01-17 | 3M Innovative Properties Company | Lapping carrier and method of using the same |
JP5847789B2 (ja) | 2013-02-13 | 2016-01-27 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法 |
DE102013202488B4 (de) * | 2013-02-15 | 2015-01-22 | Siltronic Ag | Verfahren zum Abrichten von Poliertüchern zur gleichzeitig beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben |
JP6244962B2 (ja) * | 2014-02-17 | 2017-12-13 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP6056793B2 (ja) | 2014-03-14 | 2017-01-11 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨方法 |
JP6443370B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2018-12-26 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用のキャリアの製造方法およびウェーハの両面研磨方法 |
-
2015
- 2015-12-11 JP JP2015241964A patent/JP6424809B2/ja active Active
-
2016
- 2016-11-22 WO PCT/JP2016/004942 patent/WO2017098691A1/ja active Application Filing
- 2016-11-22 DE DE112016005348.7T patent/DE112016005348T5/de active Pending
- 2016-11-22 CN CN201680069349.8A patent/CN108290268B/zh active Active
- 2016-11-22 SG SG11201804539YA patent/SG11201804539YA/en unknown
- 2016-11-22 KR KR1020187015445A patent/KR102568201B1/ko active IP Right Grant
- 2016-11-22 US US15/779,141 patent/US11298796B2/en active Active
- 2016-11-23 TW TW105138413A patent/TWI700147B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108290268A (zh) | 2018-07-17 |
CN108290268B (zh) | 2020-12-11 |
KR102568201B1 (ko) | 2023-08-18 |
US20180272497A1 (en) | 2018-09-27 |
JP2017104958A (ja) | 2017-06-15 |
US11298796B2 (en) | 2022-04-12 |
TW201729938A (zh) | 2017-09-01 |
DE112016005348T5 (de) | 2018-08-02 |
WO2017098691A1 (ja) | 2017-06-15 |
SG11201804539YA (en) | 2018-06-28 |
TWI700147B (zh) | 2020-08-01 |
KR20180087275A (ko) | 2018-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101947614B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 제조 방법 | |
US9630295B2 (en) | Mechanisms for removing debris from polishing pad | |
JP4813185B2 (ja) | ウェハの洗浄装置及び洗浄方法 | |
JP6424809B2 (ja) | ウェーハの両面研磨方法 | |
JP6027346B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
KR100690098B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 연마방법 및 반도체 웨이퍼의 연마장치 | |
JP2016043471A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6468037B2 (ja) | 研磨装置 | |
WO2015182316A1 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6065802B2 (ja) | 研磨布の洗浄方法及びウェーハの研磨方法 | |
JP2016215342A (ja) | ウェーハの回収方法及び両面研磨装置 | |
JP6705362B2 (ja) | 研磨ヘッドおよび研磨装置 | |
WO2013027762A1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JPWO2006035865A1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハ | |
JP6330735B2 (ja) | ウェーハの両面研磨方法 | |
JP6146375B2 (ja) | 研磨パッドの洗浄方法及びウェーハの研磨方法 | |
KR100847836B1 (ko) | 화학적 기계적 연마 장치 및 연마 방법 | |
KR100883511B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 연마 방법 및 장치 | |
JP6581915B2 (ja) | 洗浄部材の初期化方法 | |
KR101487412B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 장치 | |
JP2016043472A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20070022924A (ko) | 화학적 기계적 연마 장치와 화학적 기계적 연마 방법 | |
JP2011230219A (ja) | ウェーハの研磨方法、研磨パッド、研磨装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180925 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181008 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6424809 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |