TWI700147B - 晶圓的雙面研磨方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種晶圓的雙面研磨方法，係於雙面研磨機中，在貼附有研磨布的上下定盤間配設載體，形成於載體的支承孔係支承晶圓，並將晶圓夾在上下定盤間而進行雙面研磨，其中載體再被配設於雙面研磨機之前，預先使用與用於雙面研磨晶圓的雙面研磨機相異的雙面研磨機而予以進行以一次研磨及二次研磨所構成的兩階段雙面研磨，一次研磨使用含有磨粒的泥漿，二次研磨使用不含磨粒的無機鹼溶液，並將進行兩階段雙面研磨的載體配設於用於雙面研磨晶圓的雙面研磨機而進行晶圓的雙面研磨。藉此能夠抑制載體配設於上下定盤間後研磨晶圓的傷痕的產生。

Description

晶圓的雙面研磨方法
本發明係關於一種晶圓的雙面研磨方法，係於一雙面研磨機中，在貼附有研磨布的上下定盤之間配設一載體，將一晶圓支承於形成在該載體的支承孔，並夾在該上下定盤之間而進行雙面研磨。
同時研磨晶圓的雙面時，係藉由雙面研磨機用的載體支承晶圓。此載體形成為厚度較晶圓薄，具有用以將晶圓支承於雙面研磨機的上定盤與下定盤之間的指定位置的一支承孔。晶圓被插入而受支承於此支承孔，以設置於上定盤及下定盤的對向面的研磨布等的研磨具夾住晶圓的上下表面，一邊供給研磨劑於研磨面而一邊進行研磨(專利文獻1)。 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
專利文獻1：日本特開2007-21680號公報
申請人發現，進行如此的雙面研磨方法時，有於被雙面研磨的晶圓產生傷痕的狀況。於此，對於此傷痕進行精心調查時，發現特別容易發生於將載體配置於上下定盤間緊接之後的數批中的研磨晶圓。
本發明鑒於前述問題，目的在於提供一種晶圓的雙面研磨方法，能夠抑制於上下定盤間配置載體緊接之後的研磨晶圓傷痕的產生。
為了達成前述目的，本發明提供一種晶圓的雙面研磨方法，係於一雙面研磨機中，在貼附有研磨布的上下定盤之間配設一載體，形成於該載體的支承孔係支承一晶圓，並將該晶圓夾在該上下定盤之間而進行雙面研磨，其中該載體在被配設於該雙面研磨機以前，係預先使用與用於雙面研磨該晶圓的該雙面研磨機相異的雙面研磨機而予以，進行以一次研磨及二次研磨所構成的兩階段雙面研磨，該一次研磨使用含有磨粒的泥漿，該二次研磨使用不含磨粒的無機鹼溶液，並將進行了該兩階段雙面研磨的載體配設於用於雙面研磨該晶圓的該雙面研磨機而進行晶圓的雙面研磨。
依照如此的雙面研磨方法，即使配設於雙面研磨機以前的載體表面形成有自然氧化膜、或是附著有泥漿殘渣、研磨殘渣等，亦能夠藉由上述的兩階段雙面研磨將其在配設以前除去。因此，藉由使用進行了此種兩階段雙面研磨的載體以進行晶圓的雙面研磨，能夠防止由於此些發塵物(顆粒)而於雙面研磨中的晶圓產生傷痕。特別是對防止載體配設緊接之後的研磨晶圓的傷痕的產生有效果。又，由於載體的兩階段雙面研磨與晶圓的雙面研磨於不同的雙面研磨機分別進行，因此載體於兩階段研磨所產生的微粒殘留於雙面研磨機內，亦不會在研磨晶圓時傷害晶圓。
此時，可於為了雙面研磨該晶圓而初次配設該載體以前，進行對配設於該雙面研磨機以前的該載體所進行的兩階段雙面研磨。
依此，即使於製造商出貨的新品載體表面已經形成有自然氧化膜等，亦能夠抑制起因於此的研磨晶圓的傷痕的產生。
又，可將經使用於該晶圓的雙面研磨後的載體自該雙面研磨機取出而暫時保管，在為了雙面研磨下一個晶圓而再度配設以前，進行對配設於該雙面研磨機以前的該載體所進行的兩階段雙面研磨。
雖然為了雙面研磨機的保養等會將載體暫時取出而保管，但此用於雙面研磨的載體的表面特別具有活性，容易於保管時形成自然氧化膜。又有可能吸附有泥漿殘渣、研磨殘渣等，經汙染的狀況。但是，依照如上方法，能夠抑制起因於此些的研磨晶圓的傷痕的產生。
又，該載體可為金屬製。
金屬製的載體的表面特別具有活性而不安定，容易形成自然氧化膜等。因此，能夠於雙面研磨以前預先除去此些的本發明特別有效。
又，於該載體的一次研磨中所使用的泥漿中的磨粒可為直徑70nm以上之物。
使用如此的磨粒，則能夠有效率地，且更加確實地除去於載體表面所形成的自然氧化膜等。
又，其中於該載體的兩階段雙面研磨中所使用的研磨布可為邵氏A硬度80以上的聚氨酯發泡墊。
使用如此之物作為研磨布，則能夠有效率地，且更加確實地除去於載體表面所形成的自然氧化膜等。
又，該載體的一次研磨的研磨量為單面30nm以上。
如此設定一次研磨中的研磨量，則能夠為足以除去形成於載體表面的自然氧化膜等的研磨量，而能夠更加確實地將其除去。
又，該載體的二次研磨中所使用的無機鹼溶液的溫度可為30℃以上。
若是如此，則於二次研磨中，能夠有效率地除去一次研磨所產生的殘渣，而能夠更確實地使其不殘留於載體表面。
如上所述，依據本發明，能夠將形成於載體表面的自然氧化膜等於配設以前預先除去，而能夠使用該載體進行晶圓的雙面研磨，因此能夠抑制起因於此些自然氧化膜等，於載體配設緊接之後的研磨晶圓的傷痕的產生。
以下雖參照圖式以說明本發明的實施例，但本發明並不限定於此。 首先，圖3係顯示能夠使用於本發明的雙面研磨方法的雙面研磨機的剖面圖之一例。又圖4係顯示雙面研磨機之一例的平面圖。此處雖以行星式之物說明，但本發明並未限定於此，亦可使用擺動式之物。 另外，本發明中雖然於晶圓研磨用及載體研磨用需要不同的雙面研磨機，但其基本構造可為相同，亦可為不同構造。只要為能夠適當將晶圓及載體雙面研磨之物即可。此處說明使用基本構造相同之物的狀況。 但是，載體本身係為共通。即經載體研磨用的雙面研磨機雙面研磨的載體，將會使用於以晶圓研磨用的雙面研磨機將晶圓雙面研磨時。
雙面研磨機1(使之為晶圓研磨用的雙面研磨機A，及載體研磨用的雙面研磨機B)，具有上下相對向設置的下定盤2及上定盤3，各定盤2、3的對向面側，分別貼附有研磨布4。又上定盤3的上部設置有用以供給泥漿等的噴嘴5、於上定盤設置有貫通孔6。並且上定盤3及下定盤2之間的中心部設置有太陽齒輪7，於周緣部設置有內齒輪8。支承於形成於載體9的支承孔10的晶圓W(晶圓W藉由圖中未顯示的插入構件支承於支承孔10)，被夾入於上定盤3與下定盤2之間。 另外，圖3、4的研磨對象為晶圓W。研磨對象為載體9時，將成為自圖3、4除去晶圓W的狀態。
太陽齒輪7及內齒輪8的各齒部嚙合於載體9的外周齒，隨著上定盤3及下定盤2藉由圖中未顯示的驅動源而被旋轉，載體9將一面進行自轉一面圍繞太陽齒輪7公轉。 此時載體9藉由上下的研磨布4而雙面同時被研磨。 又，晶圓W為研磨對象時，晶圓W被支承於載體9的支承孔10，藉由上下的研磨布4而雙面同時被研磨。 另外，各自於研磨時，載體研磨用的泥漿或晶圓研磨用的泥漿自噴嘴5經過貫通孔6而被供給。亦備有溫度調節器，而能夠將各泥漿以期望的溫度供給。
另外，載體9的材質雖沒有特別限定，但為金屬製時本發明特別有效。金屬製的載體的表面具活性而不安定，容易形成成為研磨晶圓的傷痕的起因的自然氧化膜。本發明能夠在為了研磨晶圓而將載體配設於上下定盤間之前，將容易形成於其表面的自然氧化膜等預先除去。
又，研磨布A雖無特別限定，但於載體研磨用的雙面研磨機B中，能夠使用例如邵氏A硬度在80以上的聚氨酯發泡墊。因為若使用如此硬度之物，於本發明的雙面研磨方法中，能夠有效率，且更確實地將形成於載體9的表面的自然氧化膜等除去。
接著，說明使用如圖3、4的雙面研磨機的本發明的晶圓的雙面研磨方法。 本發明的晶圓的雙面研磨方法，能夠應用於例如為了將晶圓雙面研磨而初次配設於雙面研磨機的狀況。可以設想為因載體交換，而使用製造商所出貨的新品載體的狀況(實施例1)。 又，能夠應用於將已使用於晶圓的雙面研磨的載體自雙面研磨機取出而暫時保管，並為了雙面研磨下一個晶圓而再度配設於該雙面研磨機的狀況。可以設想為使用為了研磨布等載體以外的元件的交換、維護等，而暫時自雙面研磨機取出的載體的狀況(實施例2)。 另外，本發明並不限定於此，只要是於雙面研磨機配設載體而雙面研磨晶圓的狀況皆可應用本發明。
(實施例1：為了雙面研磨晶圓而首次配設於雙面研磨機的狀況) 首先，參照圖1說明實施例1的狀況。 首先，為了交換載體而準備新品載體(步驟B1)。另外，如同前述，本發明雖對金屬製之物特別有效，但除此之外亦能為樹脂等其他材料之物。於自製造商出貨的新品載體通常形成有自然氧化膜。又，亦能設想附著有其他雜質的狀況。若是以此狀況而原封不動地使用於晶圓的雙面研磨，這些會於晶圓的雙面研磨中剝落，成為研磨晶圓表面的傷痕的原因。
在此，預先除去載體表面的自然氧化膜等。具體而言，將新品載體配設於雙面研磨機B(步驟B2)，一邊自噴嘴供給泥漿等，一邊驅動上下定盤及各齒輪，以研磨布將載體雙面研磨以除去自然氧化膜(步驟B3)。
此處，此步驟B3，以兩階段進行雙面研磨(一次研磨及二次研磨)。另外，關於此處所使用的雙面研磨機B的研磨布如同前述，能夠為例如邵氏A硬度80以上之物，藉此，能夠有效率地，且更確實地除去自然氧化膜。作為硬度的上限，只要有例如邵氏A硬度95即足夠。
一次研磨中使用含有磨粒的泥漿。藉此能夠剝離載體表面的自然氧化膜、或是多餘的雜質。使用的磨粒雖無特別限定，但為了有效率地除去自然氧化膜等，能夠使用例如直徑70nm以上之物。進一步以使用100nm以上之物為佳，作為上限，只要有200nm左右即足夠。能夠因應其時的晶圓的材質使用如二氧化矽等適當的材質之物。 又，關於此泥漿，能夠為例如磨粒濃度10wt%以上20%wt以下，且為pH10至pH11的無機鹼性溶液。
而作為研磨量，能夠為單面例如30nm以上。若是依此程度的研磨，能夠更確實地除去自然氧化膜等。作為上限，能夠為例如100nm。若是依此範圍的研磨量，則作為用以除去自然氧化膜等的研磨量即為充足。但是此研磨量當然並非限定之物，能夠依載體的自然氧化膜等的形成狀態而適當決定。 又，加工負重在一次研磨中能夠設定為例如100至200gf／cm2 。
接著，使用不含有磨粒的無機鹼性溶液進行二次研磨。作為無機鹼性溶液，能夠使用例如以pH10至pH11的KOH為基質之物。藉此，能夠除去於一次研磨附著於載體表面的殘渣及磨粒、研磨碎屑等。殘渣雖然一乾燥、凝固就會變得難以溶解而難以洗淨，但藉由如同前述於雙面研磨機B內於一次研磨後進行二次研磨並進行無機鹼洗淨，能夠有效率地除去此些雜質。
又，無機鹼性溶液雖然無特別限定，但能夠為例如30℃以上。作為上限，能夠為例如40℃。依照如此的溫度範圍，則能夠更加有效率地除去起因於一次研磨的殘渣等，能夠抑制在使用於之後的晶圓的雙面研磨時，就這樣附著於載體的殘渣成為原因而於晶圓上產生傷痕的狀況。又，加工負重於二次研磨中能夠設定為例如50至100gf／cm2 。將進行了如同前述的雙面研磨的載體自雙面研磨機B中取出(步驟B4)。
接著，於不同於雙面研磨機B，且使用於將晶圓雙面研磨的雙面研磨機A中，配設經進行上述的兩階段雙面研磨的載體(步驟A1)。以與雙面研磨機B不同的雙面研磨A進行晶圓的雙面研磨。若是晶圓研磨用與載體研磨用使用相同的雙面研磨機，則載體的兩階段研磨所產生的研磨屑等將殘留於雙面研磨機內而傷到晶圓。但是本發明由於使用不同的雙面研磨機因此能夠防止如此問題產生。
接著，將晶圓投入，即，將晶圓支承於載體的支承孔而夾於上下定盤間(步驟A2)，進行雙面研磨(步驟A3)。此雙面研磨的流程本身能夠與習知的流程相同。即，為了研磨晶圓，一邊自噴嘴供給適當的泥漿，一邊驅動上下定盤及各齒輪，以研磨布進行指定的研磨量的雙面研磨。 並且，回收研磨後的晶圓(步驟A4)。因應需求連續反覆(N次)進行步驟A2至步驟A4，進行晶圓的研磨、回收。
若是依照本發明的晶圓的雙面研磨方法，能夠在實際將載體配設於雙面研磨機A之前，藉由兩階段研磨將載體表面的自然氧化膜等除去。因此，能夠防止習知的原封不動地使用具有自然氧化膜等的狀態的新品載體時所產生的，起因於自然氧化膜等的微粒的產生。因此能夠防止研磨晶圓的表面產生刮痕等傷痕。雖然此傷痕在配設載體緊接之後的數批中產生次數特別多，但藉由防止其產生，能夠在配設緊接之後便可提供高品質的研磨晶圓。
(實施例2：將已使用於晶圓的雙面研磨的載體自雙面研磨機取下而暫時保管，並為了雙面研磨下一個晶圓而再度配設於該雙面研磨機的狀況) 接著，參照圖2說明實施例2。 由於研磨布的壽命、或其他各種維護，而將經使用於晶圓的雙面研磨的載體自雙面研磨機A中取出(步驟A5)、將雙面研磨機A完全停止(步驟A6)、進行雙面研磨機A的維護(步驟A7)
另一方面，關於自雙面研磨機A取出的載體，由於之後會再度使用，在因應需要進行洗淨等後，暫時保管(步驟B5)。保管方法並無特別限定。能夠於容器內自然乾燥保管，亦能夠保管於以指定溶液所填滿的水槽內。能夠以得以防止自然氧化膜的形成及其他雜質附著的方法適當保管。
而配合雙面研磨機A的維修結束的時機，使用雙面研磨機B對保管的載體進行兩階段雙面研磨(步驟B2至步驟B4)。關於步驟B2至步驟B4，能夠以與實施例1相同的流程進行。
將進行了兩階段雙面研磨的載體再度配設於維護結束後的雙面研磨機A(例如在自兩階段雙面研磨後一小時內配設)(步驟A1)，接著重複進行研磨的晶圓的投入、研磨、回收(步驟A2至步驟A4)。關於步驟A2至步驟A4，能夠以與實施例1相同的流程進行。
一經使用於研磨處理的載體的表面則特別具有活性，容易於保管時形成自然氧化膜。又可能吸附晶圓研磨時的泥漿殘渣、研磨殘渣而被汙染。本發明中，能夠於再度配設於雙面研磨機A以前，藉由於雙面研磨機B進行的兩階段雙面研磨將此些附著物除去。藉此，在研磨晶圓時，能夠防止緣於此些的微粒的產生，進一步防止晶圓的傷痕的產生。特別是於載體再度配置緊鄰之後的數批中十分具有效果。
另外，實施例1、2中，雖然分別說明新品載體的狀況及使用過的載體的狀況，但當然亦能組合運用。即，能夠例如如實施例1所述，首先於新品的載體進行兩階段雙面研磨而配設於雙面研磨機A，進行晶圓的雙面研磨。之後，接著如實施例2所述，為了維護雙面研磨機A，將該使用過的載體進行兩階段雙面研磨而再度配設於雙面研磨機A，進行晶圓的雙面研磨。 〔實施例〕
以下雖顯示實施例及比較例以具體說明本發明，但本發明並不限定於此。 〔實施例〕 依照圖2所示的本發明的晶圓的雙面研磨方法，使用圖3、4所示的雙面研磨機1(雙面研磨機A、雙面研磨機B)進行載體及晶圓的研磨。 為了研磨布的交換，將使用於晶圓的雙面研磨的載體取出，完全停止雙面研磨機A，交換研磨布。另一方面，取出的載體暫時保管，之後使用雙面研磨機B進行兩階段雙面研磨。之後，再度配設於雙面研磨機A，投入晶圓進行雙面研磨，並回收。另外，載體於再度配設後，進行10批晶圓的雙面研磨。一批為五片。 另外，載體於雙面研磨機B、晶圓於雙面研磨機A的研磨的各條件如以下所述。
〔關於載體的研磨〕 載體的研磨，係在實施晶圓研磨前的一小時內進行。 雙面研磨機B使用不二越機械工業股份有限公司製的DSP-20B。 研磨布使用邵氏A硬度86的聚氨酯發泡墊。 載體的基板為鈦金屬。插入構件使用玻璃纖維含浸環氧樹脂的FRP。 泥漿於一次研磨使用含有二氧化矽磨粒、平均粒徑89nm、磨粒濃度13wt%、以pH10.5的KOH為基質之物，於二次研磨使用不含二氧化矽磨粒、以pH11.0 KOH為基質、35℃之物。 加工負重於一次研磨設定為180gf／cm2 ，於二次研磨設定為 70gf／cm2 。 加工時間於一次研磨設定為使研磨量為30nm以上(具體而言為50nm)。於二次研磨定為5min。 各驅動部的旋轉速度，上定盤為-13.4rpn、下定盤為35rpm、太陽齒輪為25rpm、內齒輪為7rpm。 研磨布的修整，係藉由電沉積有鑽石磨粒的修整板一邊以指定壓力流過純水一邊滑接上下的研磨布以進行。
［關於晶圓研磨、洗淨］ 晶圓使用直徑300mm的P型單晶矽晶圓。 雙面研磨機A，使用不二越機械工業股份有限公司製的DSP-20B。此為與前述進行載體研磨的雙面研磨機B不同的另一台雙面研磨機。 研磨布使用邵氏A硬度在86的聚氨酯發泡墊。 載體使用經過上述的載體研磨的鈦金屬載體。 泥漿為含有二氧化矽磨粒、平均粒徑35nm、磨粒濃度1.0wt%、以pH10.5的KOH為基質之物。 加工負重設定為150gf／cm2 。 加工時間設定為使晶圓的厚度會變得與載體相同。 各驅動部的旋轉速度，上定盤為-13.4rpn、下定盤為35rpm、太陽齒輪為25rpm、內齒輪為7rpm。 研磨布的修整，係藉由電沉積有鑽石磨粒的修整板一邊以指定壓力流過純水一邊滑接上下的研磨布以進行。 作為晶圓的洗淨，以NH4 OH：H2 O2 ：H2 O = 1：1：15的比例進行SC-1洗淨。
［比較例］ 依照如圖5所示的習知的晶圓的研磨方法，以與如圖3、4所示的雙面研磨機相同的雙面研磨機進行晶圓的雙面研磨。如圖5所示，習知方法中，沒有進行如本發明的，於載體保管後的以雙面研磨機B的兩階段雙面研磨。即，將載體保管後，不進行兩階段雙面研磨，而原封不動地將鈦金屬載體再次配設於雙面研磨機，進行晶圓的雙面研磨，除此之外的條件與實施例相同。
關於如此而得的實施例及比較例的研磨晶圓(於載體的再度配設後被雙面研磨之物)，於上述洗淨後，檢查其表面。具體而言，以檢查裝置SP1(KLA-Tencor公司製)的200nm up測定，計測晶圓表面的刮痕。 該刮痕的一例(比較例)顯示於圖6。以虛線圈起的即是刮痕之一例。 又，監測各批的刮痕數的變化。各批的刮痕數的變遷顯示於圖7。另外，各批皆為五片的平均值。
如圖7所示，於沒有進行載體的研磨的習知方法的比較例中，載體的再度配設緊接之後的數批(1至3批)中，刮痕數多(11至3個)。這可以設想是由於一經使用而取出、保管的載體表面所形成的自然氧化膜及泥漿殘渣等，於晶圓雙面研磨時自載體剝離，於晶圓表面留下刮痕。
另一方面，得知實施本發明的實施例中，載體的再度配設緊接之後的數批(1至3批)中，與比較例相比刮痕數被大幅抑制(1至0個)。這可以設想是藉由本發明，將上述載體表面所形成的自然氧化膜及泥漿殘渣等，於再度配設於雙面研磨機A以前適當去除。
又，上述實施例雖然是關於經使用的載體再度使用的狀況，另外準備新品的載體，基於圖1所示的本發明的其他實施例1實施晶圓的雙面研磨方法，並亦於該研磨晶圓檢查刮痕數時，與上述實施例相同，能夠抑制在載體配設緊接之後的數批中的刮痕數。
另外，本發明並不為前述實施例所限制。前述實施例為例示，具有與本發明的申請專利範圍所記載的技術思想為實質相同的構成，且達成同樣作用效果者，皆包含於本發明的技術範圍。
1‧‧‧雙面研磨機2‧‧‧下定盤3‧‧‧上定盤4‧‧‧研磨布5‧‧‧噴嘴6‧‧‧貫通孔7‧‧‧太陽齒輪8‧‧‧內齒輪9‧‧‧載體10‧‧‧支承孔W‧‧‧晶圓
圖1係顯示本發明的晶圓的雙面研磨方法之一例的流程圖。 圖2係顯示本發明的晶圓的雙面研磨方法之另一例的流程圖。 圖3係顯示雙面研磨機之一例的縱剖面圖。 圖4係顯示雙面研磨機之一例的平面圖。 圖5係顯示習知的晶圓的雙面研磨方法之一例的流程圖。 圖6係顯示比較例中刮痕之一例的觀察圖。 圖7係顯示實施例及比較例中，各批的刮痕數的變化的量表圖。

Claims (23)

  1. 一種晶圓的雙面研磨方法，係於一雙面研磨機中，在貼附有研磨布的上下定盤之間配設一載體，形成於該載體的支承孔係支承一晶圓，並將該晶圓夾在該上下定盤之間而進行雙面研磨，其中 該載體在被配設於該雙面研磨機之前，係預先使用與用於雙面研磨該晶圓的該雙面研磨機相異的雙面研磨機而予以進行以一次研磨及二次研磨所構成的兩階段雙面研磨，該一次研磨使用含有磨粒的泥漿，該二次研磨使用不含磨粒的無機鹼溶液，並將進行了該兩階段雙面研磨的載體配設於用於雙面研磨該晶圓的該雙面研磨機而進行晶圓的雙面研磨。
  2. 如請求項1所述的晶圓的雙面研磨方法，其中於為了雙面研磨該晶圓而初次配設該載體之前，進行對配設於該雙面研磨機之前的該載體所進行的兩階段雙面研磨。
  3. 如請求項1所述的晶圓的雙面研磨方法，其中將經使用於該晶圓的雙面研磨後的載體自該雙面研磨機取出而暫時保管，在為了雙面研磨下一個晶圓而再度配設前，進行對配設於該雙面研磨機之前的該載體所進行的兩階段雙面研磨。
  4. 如請求項2所述的晶圓的雙面研磨方法，其中將經使用於該晶圓的雙面研磨後的載體自該雙面研磨機取出而暫時保管，在為了雙面研磨下一個晶圓而再度配設前，進行對配設於該雙面研磨機之前的該載體所進行的兩階段雙面研磨。
  5. 如請求項1所述的晶圓的雙面研磨方法，其中該載體為金屬製。
  6. 如請求項2所述的晶圓的雙面研磨方法，其中該載體為金屬製。
  7. 如請求項3所述的晶圓的雙面研磨方法，其中該載體為金屬製。
  8. 如請求項4所述的晶圓的雙面研磨方法，其中該載體為金屬製。
  9. 如請求項1所述的晶圓的雙面研磨方法，其中於該載體的一次研磨中所使用的泥漿中的磨粒為直徑70nm以上之物。
  10. 如請求項2所述的晶圓的雙面研磨方法，其中於該載體的一次研磨中所使用的泥漿中的磨粒為直徑70nm以上之物。
  11. 如請求項3所述的晶圓的雙面研磨方法，其中於該載體的一次研磨中所使用的泥漿中的磨粒為直徑70nm以上之物。
  12. 如請求項4所述的晶圓的雙面研磨方法，其中於該載體的一次研磨中所使用的泥漿中的磨粒為直徑70nm以上之物。
  13. 如請求項5所述的晶圓的雙面研磨方法，其中於該載體的一次研磨中所使用的泥漿中的磨粒為直徑70nm以上之物。
  14. 如請求項6所述的晶圓的雙面研磨方法，其中於該載體的一次研磨中所使用的泥漿中的磨粒為直徑70nm以上之物。
  15. 如請求項7所述的晶圓的雙面研磨方法，其中於該載體的一次研磨中所使用的泥漿中的磨粒為直徑70nm以上之物。
  16. 如請求項8所述的晶圓的雙面研磨方法，其中於該載體的一次研磨中所使用的泥漿中的磨粒為直徑70nm以上之物。
  17. 如請求項1至16中任一項所述的晶圓的雙面研磨方法，其中於該載體的兩階段雙面研磨中所使用的研磨布為邵氏A硬度80以上的聚氨酯發泡墊。
  18. 如請求項1至16中任一項所述的晶圓的雙面研磨方法，其中該載體的一次研磨的研磨量為單面30nm以上。
  19. 如請求項17所述的晶圓的雙面研磨方法，其中該載體的一次研磨的研磨量為單面30nm以上。
  20. 如請求項1至16中任一項所述的晶圓的雙面研磨方法，其中該載體的二次研磨中所使用的無機鹼溶液的溫度為30℃以上。
  21. 如請求項17所述的晶圓的雙面研磨方法，其中該載體的二次研磨中所使用的無機鹼溶液的溫度為30℃以上。
  22. 如請求項18所述的晶圓的雙面研磨方法，其中該載體的二次研磨中所使用的無機鹼溶液的溫度為30℃以上。
  23. 如請求項19所述的晶圓的雙面研磨方法，其中該載體的二次研磨中所使用的無機鹼溶液的溫度為30℃以上。
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