JP2016215342A - ウェーハの回収方法及び両面研磨装置 - Google Patents

ウェーハの回収方法及び両面研磨装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2016215342A
JP2016215342A JP2015104749A JP2015104749A JP2016215342A JP 2016215342 A JP2016215342 A JP 2016215342A JP 2015104749 A JP2015104749 A JP 2015104749A JP 2015104749 A JP2015104749 A JP 2015104749A JP 2016215342 A JP2016215342 A JP 2016215342A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
surface plate
double
polishing
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015104749A
Other languages
English (en)
Inventor
佑宜 田中
Yuki Tanaka
佑宜 田中
小林 修一
Shuichi Kobayashi
修一 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP2015104749A priority Critical patent/JP2016215342A/ja
Publication of JP2016215342A publication Critical patent/JP2016215342A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】両面研磨後のウェーハを保持して回収する際に、ウェーハを保持した痕が、ウェーハの表面に付くことを防止することができるウェーハの回収方法を提供する。
【解決手段】キャリアに保持されたウェーハを、該ウェーハの表面が前記上定盤側となるように上下定盤に貼付された研磨布で挟み込み、前記キャリアを自転及び公転させ、スラリーを供給しつつ前記ウェーハの両面を同時に研磨した後の前記ウェーハの回収方法であって、両面研磨後の前記ウェーハが前記上定盤に吸着されたまま前記上定盤を上昇させる工程と、前記上定盤に吸着された前記ウェーハの裏面又はエッジを保持して前記ウェーハを回収する工程を含むことを特徴とするウェーハの回収方法。
【選択図】 図1

Description

本発明は、ウェーハの回収方法及び両面研磨装置に関する。
従来のウェーハの製造方法として、シリコンウェーハの製造方法を例に説明すると、例えば、先ず、チョクラルスキー法(Czochralski method:CZ法)等によってシリコン単結晶インゴットを成長させる。
得られたシリコン単結晶インゴットをスライスしてシリコンウェーハを作製した後、このシリコンウェーハに対して面取り、ラッピング、エッチング等の各工程が順次なされ、次いで少なくともウェーハの一主面を鏡面化する研磨工程が施される。
このウェーハの研磨工程において、例えばシリコンウェーハの両面を研磨する場合に、両面研磨装置が用いられることがある。
このような両面研磨装置としては、通常、中心部のサンギアと外周部のインターナルギアの間にウェーハを保持するキャリアが配置された遊星歯車構造を有するいわゆる4way方式の両面研磨装置が用いられている。
この4way方式の両面研磨装置は、例えば、ウェーハ保持孔が形成された複数のキャリアにシリコンウェーハを挿入・保持し、保持されたシリコンウェーハの上方から研磨スラリーを供給しながら、ウェーハの対向面に研磨布が貼付された上定盤および下定盤を各ウェーハの表裏面に押し付けて相対方向に回転させ、それと同時にキャリアをサンギアとインターナルギアとによって自転および公転させることで、シリコンウェーハの両面を同時に研磨することができるものである。
ここで、図6、7に、従来の両面研磨装置の一例を示す。両面研磨装置101は、研磨布102aが貼付された上定盤103a、研磨布102bが貼付された下定盤103bと、上下定盤103a、103bの間でウェーハWを保持するためのキャリア104と、スラリーを供給するためのノズル105と、研磨後のウェーハWを保持して回収するためのハンドリング装置106(図7参照)とを有している。
このような両面研磨装置101では、ウェーハWの両面研磨後に上定盤103a側から、ノズル105を介してウェーハW及びキャリア104に剥離水107を流し、上定盤103aからウェーハWとキャリア104が剥離される。この状態で上定盤103aを上昇させ、図7に示すように下定盤103b上に残ったウェーハWの上方から、該ウェーハWの表面をハンドリング装置106で吸着することで回収していた。以降において、ウェーハWの表面とは、後にデバイスを形成する側の面を示すものとし、その反対側の面を裏面と呼ぶこととする。
例えば、特許文献1には、ウェーハの両面研磨後に上定盤を上昇させ、加工時に使用した研磨液等の表面張力によって下定盤上に強固に貼り付いた状態になっているウェーハを、該ウェーハの中心部から偏位した箇所を吸着して持ち上げて回収することができる装置が開示されている。
特開平11−207611号公報
しかしながら、近年、両面研磨後のウェーハの面品質が改善してきたことによって、ウェーハを保持して回収する際にウェーハを保持した箇所の吸着痕が欠陥として検出されるようになってしまった。
そこで、本発明者らが調査したところ、ウェーハの表面が下定盤側になるようにして両面研磨をし、その後、ウェーハの裏面を保持して回収すれば、ウェーハの表面に吸着痕がつくことを防止できることが分かった。
しかしながら、ウェーハの表面が下定盤側になるようにして両面研磨を行ったウェーハの面品質を調査したところ、図8に示すような結果となることが分かった。すなわち、図8に示すように、スラリーが面内に直接供給される上側の面(すなわち、ウェーハの裏面)の方が、下側の面(ウェーハの表面)よりも、パーティクルカウンターで検出されたLPD(Light Point Defect)の個数が少なく、面品質が良好であることが分かった。従って、ウェーハの表面が上定盤側となるようにして、ウェーハの両面研磨を行う必要がある。
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、両面研磨後のウェーハを保持して回収する際に、ウェーハを保持した痕が、ウェーハの表面に付くことを防止することができるウェーハの回収方法及び両面研磨装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明によれば、キャリアに保持されたウェーハを、該ウェーハの表面が前記上定盤側となるように上下定盤に貼付された研磨布で挟み込み、前記キャリアを自転及び公転させ、スラリーを供給しつつ前記ウェーハの両面を同時に研磨した後の前記ウェーハの回収方法であって、
両面研磨後の前記ウェーハが前記上定盤に吸着されたまま前記上定盤を上昇させる工程と、前記上定盤に吸着された前記ウェーハの裏面又はエッジを保持して前記ウェーハを回収する工程を含むことを特徴とするウェーハの回収方法を提供する。
このようにすれば、両面研磨後のウェーハの表面に触れることなくウェーハを回収することができるので、両面研磨後のウェーハを保持して回収する際に、ウェーハを保持した痕が、ウェーハの表面に付くことを防止することができる。
このとき、前記上定盤を上昇させる工程は、前記上定盤側から前記キャリアに剥離水を流して、前記ウェーハが前記上定盤に吸着されたまま、前記キャリアを前記上定盤から剥離させること含むことが好ましい。
このようにすれば、ウェーハを上定盤に吸着させたまま、上定盤からキャリアだけを剥離させることが確実にできる。
またこのとき、前記下定盤に貼付する前記研磨布として、50mm以上200mm以下のピッチで形成された溝パターンを有するものを用いることが好ましい。
このように、200mm以下のピッチで形成された溝パターンとすることで、ウェーハが下定盤から剥離しやすくなる。さらに、50mm以上のピッチで形成された溝パターンとすることで、この溝パターンがウェーハ形状に転写されてしまうことを防ぐことができる。
また、本発明によれば、研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤の間でウェーハを保持するためのキャリアと、スラリーを供給するためのノズルと、研磨後の前記ウェーハを保持して回収するためのハンドリング装置とを有する両面研磨装置であって、
前記下定盤に貼付された前記研磨布は溝パターンが形成され、前記上定盤に貼付された研磨布は溝パターンが形成されておらず、
前記上定盤は、両面研磨後の前記ウェーハを吸着したまま上昇させることができ、
前記ハンドリング装置は、前記上定盤に吸着されたまま上昇した前記ウェーハの下から、該ウェーハの裏面又はエッジを保持して前記ウェーハを回収することができるものであることを特徴とする両面研磨装置を提供する。
このようなものであれば、下定盤に貼付された研磨布にのみ溝パターンが形成されているため、上定盤でウェーハを吸着したまま上定盤を上昇させることができる。そのため、両面研磨後のウェーハの表面に触れることなくウェーハを回収することができるので、両面研磨後のウェーハを保持して回収する際に、ウェーハを保持した痕が、ウェーハの表面に付くことを防止することができる。
このとき、前記ノズルは、前記ウェーハの両面研磨後に、前記上定盤側から前記キャリアにのみ剥離水を流すことができるものであることが好ましい。
このようなものであれば、ウェーハを上定盤に吸着させたまま、上定盤からキャリアだけを剥離させることが確実にできる。
またこのとき、前記下定盤に貼付された前記研磨布は、50mm以上200mm以下のピッチで形成された溝パターンが形成されたものであることが好ましい。
このようなものであれば、200mm以下のピッチで形成された溝パターンとすることで、ウェーハが下定盤から剥離しやすくなる。さらに、50mm以上のピッチで形成された溝パターンとすることで、この溝パターンがウェーハ形状に転写されてしまうことを防ぐことができる。
本発明のウェーハの回収方法及び両面研磨装置であれば、両面研磨後のウェーハの表面に触れることなくウェーハを回収することができるので、両面研磨後のウェーハを保持して回収する際に、ウェーハを保持した痕が、ウェーハの表面に付くことを防止することができる。
本発明のウェーハの回収方法の一例を示した工程図である。 本発明の両面研磨装置の一例を示した概略図である。 本発明の両面研磨装置におけるウェーハの回収の様子を示した概略図である。 実施例における回収後のウェーハの表面のLPD測定の結果を示した概略図である。 比較例における回収後のウェーハの表面のLPD測定の結果を示した概略図である。 従来の両面研磨装置の一例を示した概略図である。 従来の両面研磨装置において、下定盤上に残ったウェーハを回収する様子を示した概略図である。 ウェーハの表面が下定盤側になるようにして両面研磨を行ったウェーハの上側の面(ウェーハの裏面)及び下側の面(ウェーハの表面)のLPDの個数の測定結果を示したグラフである。
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
近年、ウェーハの両面研磨工程で、ウェーハを保持して回収する際にウェーハを保持した箇所の吸着痕が欠陥として検出されてしまうという問題があった。
そこで、本発明者らはこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、両面研磨後のウェーハが上定盤に吸着されたまま上定盤を上昇させ、上定盤に吸着されたウェーハの裏面又はエッジを保持してウェーハを回収すれば、両面研磨後のウェーハの表面に触れることなくウェーハを回収することができるので、ウェーハを保持した痕が、ウェーハの表面に付くことを防止することができることを見出した。そして、これらを実施するための最良の形態について精査し、本発明を完成させた。
まず、本発明の両面研磨装置について、図2、図3を参照しながら説明する。
図2に示すように、両面研磨装置1は、研磨布2aが貼付された上定盤3a、研磨布2bが貼付され下定盤3bと、上下定盤3a、3bの間でウェーハWを保持するためのキャリア4と、スラリー10を供給するための複数のノズル5a、5bと、研磨後のウェーハWを保持して回収するためのハンドリング装置6(図3参照)とを有している。
ウェーハWの研磨を行う際は、上定盤3a及び下定盤3bが駆動源(不図示)によって回転されるのに伴い、キャリア4は自転しつつサンギヤ(不図示)の周りを公転する。このとき、キャリア4に保持されたウェーハWにノズル5a、5bからスラリー10を供給する。このようにして、上下の研磨布2a、2bによって、その両面を同時に研磨する。
上定盤3aは昇降手段を備えており、自在に昇降することができるようになっている。下定盤3bに貼付された研磨布2bは溝パターン9が形成されている。一方で、上定盤3aに貼付された研磨布2aは溝パターンが形成されていない。
このように、下定盤3bに貼付された研磨布2bにのみ溝パターン9が形成されて、上定盤3aに貼付された研磨布2aには溝パターンが形成されていないので、両面研磨後に、ウェーハWが研磨布2bから剥離されやすく、かつ、研磨布2aにくっつきやすくなる。そのため、上定盤3aで両面研磨後のウェーハWを吸着したまま、すなわちウェーハWが上定盤3aに貼付された研磨布2aに付着したまま、上定盤3aを上昇させることができる。
下定盤3bに貼付された研磨布2bの溝パターン9は、具体的には、例えば、50mm以上200mm以下のピッチで形成されることが好ましい。
研磨布2bの溝パターン9を200mm以下のピッチで形成された溝パターンとすることで、ウェーハWを下定盤3bから剥離し易くなる。さらに、50mm以上のピッチで形成された溝パターンとすることで、溝パターン9がウェーハ形状に転写されてしまうことを防ぐことができる。
このとき、図2に示すように、ノズル5a、5bは、スラリー10を供給するだけでなく、ウェーハWの両面研磨後に、上定盤3a側からキャリア4にのみ剥離水7を流すことができるものであることが好ましい。この場合、研磨時にはタンク11にスラリー10を供給し、ウェーハ回収時にはタンク11に剥離水7を供給すれば良い。
このようなものであれば、ウェーハWを上定盤3aに吸着させたまま、上定盤3aからキャリア4だけを剥離させることが確実にできる。
具体的には、例えば、複数のノズル5a、5bのうち、ウェーハWのみに通じるノズル5aに繋がるラインを、例えば、蓋8によって閉じることができるような機構を設けることができる。ウェーハWへ通じるノズル5aのラインを蓋8によって閉じれば、ウェーハWには剥離水7を供給せず、ノズル5bを通じてキャリア4にだけ剥離水7を供給することができる。
剥離水7は、例えば、純水とすることができる。あるいは、研磨に用いるスラリーであっても良い。
ハンドリング装置6は、ウェーハWを真空吸着し保持することができるものであることが好ましい。そして、図3に示すように、ハンドリング装置6で、上定盤3aに吸着されたまま上昇したウェーハWの下から、該ウェーハWの裏面又はエッジを保持してウェーハWを回収する。
ハンドリング装置6は、例えば、従来の両面研磨装置101におけるハンドリング装置106を上下逆転させて配置したものとすることができる。このようなものであれば非常に低コストである。
このような両面研磨装置1であれば、両面研磨後のウェーハWの表面に触れることなくウェーハWを回収することができるので、両面研磨後のウェーハWを保持して回収する際に、ウェーハWを保持した痕が、ウェーハWの表面に付くことを防止することができる。
次に、本発明のウェーハの回収方法について、上述した図2、図3に示す本発明の両面研磨装置1を用いた場合を例として、図1に示す工程図を用いて説明する。
(両面研磨工程:図1のSP1)
まず、キャリア4に保持されたウェーハWを、ウェーハWの表面が上定盤3a側となるように上下定盤3a、3bに貼付された研磨布2a、2bで挟み込む。そして、キャリア4を自転及び公転させ、ノズル5a、5bからスラリーを供給しつつウェーハWの両面を同時に研磨する。この際、図2に示す蓋8を除去して、ノズル5aのラインを開けることにより、ノズル5aからスラリー10を供給することができるようになる。
このとき、上記したように、下定盤3bに貼付する研磨布2bの溝パターン9を、50mm以上200mm以下のピッチで形成することが好ましい。
溝パターン9を200mm以下のピッチで形成された溝パターンとすることで、後述する上定盤上昇工程(図1のSP2)で、ウェーハWが下定盤3bから剥離しやすくなる。さらに、50mm以上のピッチで形成された溝パターンとすることで、溝パターン9がウェーハ形状に転写されてしまうことを防ぐことができる。
(上定盤上昇工程:図1のSP2)
次に、両面研磨後のウェーハWが上定盤3aに吸着されたまま上定盤3aを上昇させる。
このとき、上定盤3a側からキャリア4aに剥離水7を流して、ウェーハWが上定盤3aに吸着されたまま、キャリア4を上定盤3aから剥離させることが好ましい。
このようにすれば、ウェーハWを上定盤3aに吸着させたまま、上定盤3aからキャリア4だけを剥離させることがより確実にできる。
(ウェーハ回収工程:図1のSP3)
そして、ハンドリング装置6で、上定盤3aに吸着されたウェーハWの裏面又はエッジを保持してウェーハWを回収する。
このような本発明のウェーハの回収方法であれば、両面研磨後のウェーハWを保持して回収する際に、両面研磨後のウェーハWの表面に触れることがないので、ウェーハWを保持した痕が、ウェーハWの表面に付くことを防止することができる。
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例)
上定盤、下定盤、サンギア、インターナルギアの各駆動部を有する4way式の両面研磨装置の本体として、DSP−20B(不二越機械工業製)を用いて、直径300mmのP型シリコン単結晶ウェーハの両面研磨を行った。
上下定盤3a、3bに貼り付ける研磨布2a、2bは、発泡ポリウレタンパッドを用いた。上定盤3aに貼り付ける研磨布2aには、溝パターンが形成されていない。下定盤3bに貼り付ける研磨布2bには、100mmピッチで深さ0.5mmの溝パターンを形成した。
ウェーハWを保持するキャリア4はチタン製で、ウェーハWの周縁部と接するインサートにはガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸したFRPを用いた。スラリーは、シリカ砥粒含有のKOH水溶液を用いた。
ウェーハWの両面研磨後に、ウェーハWのみに通じるノズル5aのラインに蓋8をして、ノズル5bを介して上定盤3a側からキャリア4にのみ剥離水7を流して、ウェーハWを上定盤3aに吸着させたまま、上定盤3aからキャリア4だけを剥離させた。
このとき、剥離水は4.0L/minで30秒間供給した。また、剥離水7を流す時点でのウェーハWに対する加圧は、30gf/cm(=2940Pa)とした。
そして、ウェーハWを上定盤3aに吸着させたまま、上定盤3aを上昇させ、ハンドリング装置6で、上定盤3aで吸着されたまま上昇したウェーハWの下から、該ウェーハWの裏面を真空吸着して保持し、ウェーハWを回収した。ハンドリング装置6としては、ロボットハンドを用いた。
そして、回収後のウェーハWに対して、一般的なRCA洗浄、もしくはオゾン&フッ酸などの機能水を用いた洗浄を行った。RCA洗浄工程中のSC−1洗浄は、条件NHOH:H:HO=1:1:15で行った。
そして、洗浄・乾燥処理した後のウェーハWの表面のLPDを、Surfscan SP3(KLA−Tencor社製)にて測定した。この時、設定粒子径は70nm以上とした。
その結果、実施例における回収後のウェーハWの表面の様子は、図4に示すような、吸着痕のない良好な表面であった。
なお、上記実施例では、ハンドリング装置6で、ウェーハWの裏面を真空吸着して保持してウェーハWを回収したが、ウェーハWのエッジを保持した場合も同様に、吸着痕のない良好な表面であった。
(比較例)
まず、図6に示すような従来の両面研磨装置101を用いてウェーハWの両面研磨を行った。この両面研磨装置101の上定盤103aに貼付された研磨布102a及び、下定盤103bに貼付された研磨布102bには、共に溝パターンが形成されていない。
ウェーハWの両面研磨後、ノズル105からウェーハW及びキャリア104に剥離水107を供給し、図7に示すように上定盤103aからウェーハWとキャリア104を剥離した状態で上定盤103aを上昇させ、下定盤103b上に残ったウェーハWの上方から、ハンドリング装置106でウェーハWの表面を真空吸着して保持し、ウェーハWを回収した。上記以外の条件は実施例と同様にした。
そして、回収後のウェーハWを、実施例と同様にして洗浄・乾燥処理した後、その表面のLPDを測定した。このときの結果を図5に示した。
その結果、比較例における回収後のウェーハWの表面の様子は、図5に示すように、吸着痕が形成されたものとなり、実施例と比べてウェーハの面品質が悪かった。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
1…両面研磨装置、 2a…(上定盤に貼付された)研磨布、
2b…(下定盤に貼付された)研磨布、 3a…上定盤、 3b…下定盤、
4…キャリア、 5a、5b…ノズル、 6…ハンドリング装置、 7…剥離水、
8…蓋、 9…溝パターン、 10…スラリー、 11…タンク、 W…ウェーハ。

Claims (6)

  1. キャリアに保持されたウェーハを、該ウェーハの表面が前記上定盤側となるように上下定盤に貼付された研磨布で挟み込み、前記キャリアを自転及び公転させ、スラリーを供給しつつ前記ウェーハの両面を同時に研磨した後の前記ウェーハの回収方法であって、
    両面研磨後の前記ウェーハが前記上定盤に吸着されたまま前記上定盤を上昇させる工程と、前記上定盤に吸着された前記ウェーハの裏面又はエッジを保持して前記ウェーハを回収する工程を含むことを特徴とするウェーハの回収方法。
  2. 前記上定盤を上昇させる工程は、前記上定盤側から前記キャリアに剥離水を流して、前記ウェーハが前記上定盤に吸着されたまま、前記キャリアを前記上定盤から剥離させること含むことを特徴とする請求項1に記載のウェーハの回収方法。
  3. 前記下定盤に貼付する前記研磨布として、50mm以上200mm以下のピッチで形成された溝パターンを有するものを用いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のウェーハの回収方法。
  4. 研磨布が貼付された上下定盤と、該上下定盤の間でウェーハを保持するためのキャリアと、スラリーを供給するためのノズルと、研磨後の前記ウェーハを保持して回収するためのハンドリング装置とを有する両面研磨装置であって、
    前記下定盤に貼付された前記研磨布は溝パターンが形成され、前記上定盤に貼付された研磨布は溝パターンが形成されておらず、
    前記上定盤は、両面研磨後の前記ウェーハを吸着したまま上昇させることができ、
    前記ハンドリング装置は、前記上定盤に吸着されたまま上昇した前記ウェーハの下から、該ウェーハの裏面又はエッジを保持して前記ウェーハを回収することができるものであることを特徴とする両面研磨装置。
  5. 前記ノズルは、前記ウェーハの両面研磨後に、前記上定盤側から前記キャリアにのみ剥離水を流すことができるものであることを特徴とする請求項4に記載のウェーハの両面研磨装置。
  6. 前記下定盤に貼付された前記研磨布は、50mm以上200mm以下のピッチで形成された溝パターンが形成されたものであることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の両面研磨装置。
JP2015104749A 2015-05-22 2015-05-22 ウェーハの回収方法及び両面研磨装置 Pending JP2016215342A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015104749A JP2016215342A (ja) 2015-05-22 2015-05-22 ウェーハの回収方法及び両面研磨装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015104749A JP2016215342A (ja) 2015-05-22 2015-05-22 ウェーハの回収方法及び両面研磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016215342A true JP2016215342A (ja) 2016-12-22

Family

ID=57577936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015104749A Pending JP2016215342A (ja) 2015-05-22 2015-05-22 ウェーハの回収方法及び両面研磨装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2016215342A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107650004A (zh) * 2017-11-02 2018-02-02 北京陆星科技有限公司 双面精抛机
JP2019034400A (ja) * 2017-08-10 2019-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板裏面研磨部材のドレッシング装置及びドレッシング方法
CN111558895A (zh) * 2019-02-14 2020-08-21 胜高股份有限公司 晶圆回收装置、研磨系统及晶圆回收方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0966448A (ja) * 1995-08-31 1997-03-11 Showa Alum Corp 研磨装置
JPH09253994A (ja) * 1996-03-21 1997-09-30 Nippon Light Metal Co Ltd 磁気ディスク用基板の研磨方法
JPH11179649A (ja) * 1997-12-16 1999-07-06 Speedfam Co Ltd ワークの取出方法及びワーク取出機構付き平面研磨装置
JPH11188615A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Kashiwara Machine Mfg Co Ltd ウエーハ研磨装置及びウエーハ移載装置
JPH11207611A (ja) * 1998-01-21 1999-08-03 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面研磨装置におけるワークの自動搬送装置
JP2000079560A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Speedfam-Ipec Co Ltd 平面研磨装置
JP2002016025A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Mitsubishi Materials Silicon Corp 半導体ウェーハの製造方法及び製造装置
JP2004146471A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Showa Denko Kk 研磨装置、研磨ワークキャリア及びワークの研磨方法
JP2007122849A (ja) * 2005-09-28 2007-05-17 Hoya Corp 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
JP2013082612A (ja) * 2011-09-28 2013-05-09 Hoya Corp マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法、並びにインプリントモールドの製造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0966448A (ja) * 1995-08-31 1997-03-11 Showa Alum Corp 研磨装置
JPH09253994A (ja) * 1996-03-21 1997-09-30 Nippon Light Metal Co Ltd 磁気ディスク用基板の研磨方法
JPH11179649A (ja) * 1997-12-16 1999-07-06 Speedfam Co Ltd ワークの取出方法及びワーク取出機構付き平面研磨装置
JPH11188615A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Kashiwara Machine Mfg Co Ltd ウエーハ研磨装置及びウエーハ移載装置
JPH11207611A (ja) * 1998-01-21 1999-08-03 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面研磨装置におけるワークの自動搬送装置
JP2000079560A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Speedfam-Ipec Co Ltd 平面研磨装置
JP2002016025A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Mitsubishi Materials Silicon Corp 半導体ウェーハの製造方法及び製造装置
JP2004146471A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Showa Denko Kk 研磨装置、研磨ワークキャリア及びワークの研磨方法
JP2007122849A (ja) * 2005-09-28 2007-05-17 Hoya Corp 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
JP2013082612A (ja) * 2011-09-28 2013-05-09 Hoya Corp マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法、並びにインプリントモールドの製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019034400A (ja) * 2017-08-10 2019-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板裏面研磨部材のドレッシング装置及びドレッシング方法
JP7169769B2 (ja) 2017-08-10 2022-11-11 東京エレクトロン株式会社 基板裏面研磨部材のドレッシング装置及びドレッシング方法
CN107650004A (zh) * 2017-11-02 2018-02-02 北京陆星科技有限公司 双面精抛机
CN111558895A (zh) * 2019-02-14 2020-08-21 胜高股份有限公司 晶圆回收装置、研磨系统及晶圆回收方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9991110B2 (en) Method for manufacturing semiconductor wafer
KR102182910B1 (ko) 웨이퍼의 엣지 연마 장치 및 방법
US9293318B2 (en) Semiconductor wafer manufacturing method
KR100826768B1 (ko) 박리수단 및 박리장치
TW201608631A (zh) 黏著帶剝離方法及黏著帶剝離裝置
WO2006028017A1 (ja) シリコンウェーハの製造方法
KR20160141656A (ko) 처리 대상물을 보유 지지하기 위한 테이블 및 당해 테이블을 갖는 처리 장치
JP2016215342A (ja) ウェーハの回収方法及び両面研磨装置
JP6027346B2 (ja) 半導体ウェーハの製造方法
JP6719271B2 (ja) 処理対象物を保持するためのテーブルおよび該テーブルを有する処理装置
TW202046391A (zh) 處理裝置及處理方法
CN108290268B (zh) 晶圆的双面研磨方法
TW201943812A (zh) 黏著帶剝離方法及黏著帶剝離裝置
JP2010205828A (ja) ウエーハの剥離方法及びその装置
TWI244691B (en) Process for polishing a semiconductor wafer
JP2010131683A (ja) シリコンウェーハの研磨方法
CN108807138A (zh) 硅晶圆及其制造方法
WO2013027762A1 (ja) 半導体ウェーハの製造方法
KR100899336B1 (ko) 화학적 기계적 연마 장치의 연마 헤드
JP2013131644A (ja) サファイア基板の製造方法及びサファイア基板
JP2011091143A (ja) シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2008091594A (ja) 半導体ウエハの枚葉研磨装置
KR100423755B1 (ko) 실리콘 웨이퍼 핸들러
KR20150069683A (ko) 패드 컨디셔닝 전용 장치 및 방법
TW202302274A (zh) 矽片雙面研磨裝置的靜壓板及矽片雙面研磨裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170519

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180306

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180419

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180703