TWI580507B - Laser processing device and laser processing method - Google Patents

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Description

雷射加工裝置及雷射加工方法
本發明，是有關於在加工對象物形成改質領域用的雷射加工裝置及雷射加工方法。
習知的雷射加工裝置，已知是藉由將彼此之間波長不同的第1及第2雷射光集光在加工對象物，將加工對象物切斷。例如下述專利文獻1的雷射加工裝置，是使用第1紫外光波長的第1放射脈衝及比第1紫外光波長更長的第2紫外光波長的第2放射脈衝將基板的一部分切除。且，例如下述專利文獻2的雷射加工裝置，是使用雷射光的振盪波及其高調波將加工對象物切斷。
且，近年來，例如下述專利文獻3的雷射加工裝置，是使脈衝雷射光集光在加工對象物，在加工對象物的內部沿著切斷預定線形成複數改質點，藉由複數改質點形成改質領域。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平2-182389號公報
[專利文獻2]日本專利第2604395號公報
[專利文獻3]日本特開2004-337903號公報
在此，在如上述的雷射加工裝置中，被要求提高改質點的控制性。即被期望例如對應加工對象物的厚度和材質等，精度佳控制改質點的大小和從改質點發生的龜裂的長度(以下只是稱為「龜裂長度」)。
在此，本發明的課題是提供一種雷射加工裝置及雷射加工方法，可以提高改質點的控制性。
為了解決上述課題，本發明的雷射加工裝置，是將複數脈衝雷射光集光在加工對象物，在加工對象物的內部沿著切斷預定線形成複數改質點，藉由複數改質點形成改質領域，其特徵為，具備：將具有第1波長的第1脈衝雷射光射出的第1雷射光源；及將具有與第1波長不同的第2波長的第2脈衝雷射光射出的第2雷射光源；及使第1脈衝雷射光的偏光方向變化的第1的1/2波長板；及使第2脈衝雷射光的偏光方向變化的第2的1/2波長板；及偏光分離手段，使由第1的1/2波長板使偏光方向變化的第1脈衝雷射光、及由第2的1/2波長板使偏光方向變化的第2脈衝雷射光偏光分離；及集光透鏡，使由偏光分離手段被偏光分離的第1及第2脈衝雷射光集光在加工對象物；及光強度控制手段，藉由使在第1及第2的1/2波長板變化的第1及第2脈衝雷射光的偏光方向可變，來控制第1及第2脈衝雷射光的強度。
且，本發明的雷射加工裝置，是將複數脈衝雷射光集光在加工對象物，在加工對象物的內部沿著切斷預定線形成複數改質點，藉由複數改質點形成改質領域，其特徵為，具備：將具有第1波長的第1脈衝雷射光射出的第1雷射光源；及第1脈衝雷射光被入射，使該第1脈衝雷射光及具有與第1波長不同的第2波長的第2脈衝雷射光射出的非線形光學結晶；及使第1脈衝雷射光的偏光方向變化的第1的1/2波長板；及使第2脈衝雷射光的偏光方向變化的第2的1/2波長板；及偏光分離手段，由第1的1/2波長板使偏光方向變化的第1脈衝雷射光、和由第2的1/2波長板使偏光方向變化的第2脈衝雷射光偏光分離；及集光透鏡，將由偏光分離手段被偏光分離第1及第2脈衝雷射光集光在加工對象物；及光強度控制手段，藉由使由第1及第2的1/2波長板變化的第1及第2脈衝雷射光的偏光方向可變，來控制第1及第2脈衝雷射光的強度。
在如此的本發明中，藉由光強度控制手段使由第1及第2的1/2波長板變化的第1及第2脈衝雷射光的偏光方向可變的話，由偏光分離手段偏光分離的第1及第2脈衝雷射光的比率就可變。其結果，第1及第2脈衝雷射光的強度各別被調整。因此，例如第1及第2脈衝雷射光的脈衝寬度不會大變更，第1及第2脈衝雷射光的強度就可各別所期地被控制。因此，可以精度佳地形成改質點的大小和龜裂長度最佳品質的改質點。即，依據本發明，可提高改質點的控制性。
在此，具備脈衝寬度控制手段，可控制從第1雷射光源被射出的第1脈衝雷射光的脈衝寬度，脈衝寬度控制手段，是藉由變更第1脈衝雷射光的脈衝寬度，從非線形光學結晶使第2脈衝雷射光不被射出的方式使非線形光學結晶的高調波變換效率下降較佳。此情況，只有將第1脈衝雷射光集光在加工對象物就可形成改質點。
且，具備同軸化手段，可將第1及第2脈衝雷射光同軸化較佳。此情況，第1及第2脈衝雷射光的光學系的構成可以簡易化。
且，偏光分離手段，也有包含：將由第1的1/2波長板使偏光方向變化的第1脈衝雷射光偏光分離的第1偏光光束分配器、及將由第2的1/2波長板使偏光方向變化的第2脈衝雷射光偏光分離的第2偏光光束分配器。
且，在光強度控制手段中，第1脈衝雷射光的強度的可控制寬度是比第2脈衝雷射光的強度的可控制寬度更大較佳。此情況，品質佳的改質點可以最佳地形成於加工對象物。
且，光強度控制手段，是使第1脈衝雷射光的強度，在只有將第1脈衝雷射光集光在加工對象物的情況時，比形成有改質點的強度門檻值更小的方式進行控制較佳。此情況，有關改質點的形成，第2脈衝雷射光是作為主要的脈衝雷射光作用，並且第1脈衝雷射光是作為補助的脈衝雷射光作用。且，第1脈衝雷射光可對於第2脈衝雷射光無不良影響的方式最佳地作用。其結果，可以將品質佳的改質點形成於加工對象物。
且，本發明的雷射加工裝置，是將複數脈衝雷射光集光在加工對象物，在加工對象物的內部沿著切斷預定線形成複數改質點，藉由複數改質點形成改質領域，其特徵為，具備：將具有第1波長的第1脈衝雷射光射出的第1雷射光源；及將具有與第1波長不同的第2波長的第2脈衝雷射光射出的第2雷射光源；及集光透鏡，將第1及第2脈衝雷射光集光在加工對象物；第1脈衝雷射光的強度，是在只有將第1脈衝雷射光集光在加工對象物的情況時，比形成有改質點的強度門檻值更小。
且，本發明的雷射加工裝置，是將複數脈衝雷射光集光在加工對象物，在加工對象物的內部沿著切斷預定線形成複數改質點，藉由複數改質點形成改質領域，其特徵為，具備：將具有第1波長的第1脈衝雷射光射出的第1雷射光源；及非線形光學結晶，使第1脈衝雷射光被入射，將該第1脈衝雷射光及具有與第1波長不同的第2波長的第2脈衝雷射光射出；及集光透鏡，使第1及第2脈衝雷射光集光在加工對象物；第1脈衝雷射光的強度，是在只有將第1脈衝雷射光集光在加工對象物的情況時，比形成有改質點的強度門檻值更小。
且，本發明的雷射加工方法，是將複數脈衝雷射光集光在加工對象物，在加工對象物的內部沿著切斷預定線形成複數改質點，藉由複數改質點形成改質領域，其特徵為：包含將具有第1波長的第1脈衝雷射光、及具有與第1波長不同的第2波長的第2脈衝雷射光由集光透鏡集光在加工對象物的過程；在過程中，使第1脈衝雷射光的強度，在只有將第1脈衝雷射光集光在加工對象物的情況時，比形成有改質點的強度門檻值更小。
在如此的本發明中，第1及第2脈衝雷射光是被集光在加工對象物而形成複數改質點，藉由這些改質點形成改質領域。此時，第1脈衝雷射光的強度，是在只有將第1脈衝雷射光集光在加工對象物的情況時比形成有改質點的強度門檻值更小。因此，此情況，有關改質點的形成，第2脈衝雷射光是作為主要的脈衝雷射光作用，並且第1脈衝雷射光是作為補助的脈衝雷射光作用。且，第1脈衝雷射光，是對於第2脈衝雷射光無不良影響的方式最佳地作用。其結果，可以將品質佳的改質點形成於加工對象物。
且，第1脈衝雷射光的波長，是具有比第2脈衝雷射光的波長更長的情況。
依據本發明，可提高改質點的控制性。
以下，對於本發明的最佳的實施例，參照圖面詳細說明。又，在各圖中對於同一或相當要素中附加同一符號，並省略重複說明。
在本實施例的雷射加工裝置及雷射加工方法中，使複數脈衝雷射光同時集光在加工對象物，在加工對象物的內部沿著切斷預定線形成複數改質點，藉由這些複數改質點，形成成為切斷起點的改質領域。在此，首先，對於改質領域的形成，參照第1圖～第5圖說明。
如第1圖所示，在加工對象物1中，設定將加工對象物1切斷用的切斷預定線5。切斷預定線5，是朝直線狀延伸的假想線。在加工對象物1的內部形成改質領域的情況，如第2圖所示，在加工對象物1的內部對準集光點P的狀態下，使雷射光L沿著切斷預定線5(即朝第1圖的箭頭A方向)相對地移動。由此，如第3圖～第5圖所示，改質領域7就會沿著切斷預定線5形成於加工對象物1的內部，使沿著切斷預定線5被形成的改質領域7成為切斷起點領域8。
加工對象物1，是使用半導體材料和壓電材料等，在此是使用玻璃基板。又，集光點P，是雷射光L集光處。且，切斷預定線5，不限定於直線狀曲線狀也可以，不限定於假想線而加工對象物1的表面3實際劃出的線也可以。且，改質領域7，也有連續形成的情況，也有間斷地形成的情況。且，改質領域7是列狀或點狀也可以，即改質領域7只要是形成於至少加工對象物1的內部即可。且，也具有以改質領域7為起點形成龜裂的情況，龜裂及改質領域7，是露出加工對象物1的外表面(表面、背面或外周面)也可以。
順便，在此的雷射光L，是透過加工對象物1並且特別在加工對象物1的內部的集光點附近被吸收，由此，在加工對象物1形成有改質領域7(即內部吸收型雷射加工)。因此，在加工對象物1的表面3中雷射光L幾乎未被吸收，加工對象物1的表面3不會被熔融。一般，形成有從表面3被熔融且被除去的如孔和溝等的除去部(表面吸收型雷射加工)的情況，加工領域是從表面3側漸漸地朝背面側進行。
但是在本實施例形成的改質領域，是指密度、曲折率、機械強度和其他的物理的特性成為與周圍不同的狀態的領域。改質領域，是具有例如熔融處理領域、龜裂領域、絕緣破壞領域、曲折率變化領域等，也有這些混合的領域。進一步，改質領域，具有：在加工對象物的材料中改質領域的密度與非改質領域的密度相比較有變化的領域、和形成有格子缺陷的領域(也將這些總稱為高密度轉移領域)。
且，熔融處理領域和曲折率變化領域、及改質領域的密度與非改質領域的密度相比較有變化的領域、及形成有格子缺陷的領域，也有在那些領域的內部、和改質領域及非改質領域之間的界面內包龜裂(破裂、微龜裂)的情況。被內包的龜裂具有橫跨改質領域的全面的情況、及只有形成於一部分和複數部分的情況。
且，在本實施例中，藉由沿著切斷預定線5形成複數改質點(加工痕)，而形成改質領域7。改質點，是由脈衝雷射光的1脈衝的照射(即1脈衝的雷射照射)而形成的改質部分，改質點是藉由集中而成為改質領域7。改質點，可舉例：龜裂束點、熔融處理束點或曲折率變化束點，或是混合這些的至少1個者等。
對於此改質點，考慮所要求的切斷精度、所要求的切斷面的平坦性、加工對象物的厚度、種類、結晶方位等，適宜控制其大小和發生的龜裂的長度(以下也稱為「龜裂長度」)較佳。
即，改質點過大及龜裂長度是過長的話，改質點大小和龜裂長度的參差不一(差異)會變大，沿著切斷預定線5的加工對象物1的切斷的精度會變差。且，加工對象物1的切斷面的凹凸因為變大，所以該切斷面的平坦性變差。另一方面，改質點極度過小的話，加工對象物的切斷成為困難。
對於此，若將改質點的大小及龜裂長度適切形成的話，就可以將這些均一地形成且可抑制從切斷預定線5偏離。進一步，可以提高沿著切斷預定線5的加工對象物1的切斷精度和切斷面的平坦性。
第6圖，是說明脈衝雷射光的強度及改質點的關係用的圖。如第6圖所示，改質點S，可以藉由調節脈衝雷射光的強度(電源(動力功率))進行控制。具體而言，減小脈衝雷射光的強度的話，可以控制減小改質點S的大小和龜裂C的長度。另一方面，加大脈衝雷射光的強度的話，可以控制加大改質點S的大小和龜裂C的長度。又，脈衝雷射光的強度，是例如可以由對於每1脈衝的尖峰電源(動力功率)密度、每1脈衝的能量(J)或每1脈衝的能量乘上脈衝雷射光的頻率的平均輸出(W)顯示。
且，在此，由波長為1064nm的脈衝雷射光(以下稱為第1脈衝雷射光)單獨集光在加工對象物1的情況，其第1脈衝雷射光的強度是強度門檻值α以上時，形成改質點S1。且，例如，由波長比第1脈衝雷射光更短的波長532nm的脈衝雷射光(以下稱為第2脈衝雷射光)單獨集光在加工對象物1的情況，其第2脈衝雷射光的強度是強度門檻值β以上時，形成改質點S2。
又，其中一例，是強度門檻值α為15μJ，強度門檻值β為6μJ的情況。強度門檻值，是由該強度在加工對象物1形成改質點的雷射光的強度。順便，在此的改質點S的形成，是意圖使構成成為切斷起點的改質領域的改質點適切地形成(以下相同)。
且，將第1及第2脈衝雷射光同時集光在加工對象物1的情況，比將第1及第2脈衝雷射光單獨集光時強度更小時，也會形成改質點S3。且，此改質點S3，是與將超短脈衝(例如數psec等)的脈衝雷射光集光在加工對象物而形成的改質點具有同樣的特徵，即，具有由比較小的改質點使龜裂C的長度適切(使半切斷或是全切斷發生)的特徵。
第7圖，是顯示使用第1及第2脈衝雷射光形成於加工對象物的改質點的例的圖。圖中的各照片，是顯示形成有改質點S的加工對象物1的擴大平面圖。在此，第1及第2脈衝雷射光的脈衝間距為50μm，將其偏光方向作為掃描方向(圖中的上下方向)。且，強度為0μJ時的第1脈衝雷射光不會集光在加工對象物1(即第2脈衝雷射光單獨照射)的意思。強度為0μJ時的第2脈衝雷射光不會集光在加工對象物1(即第1脈衝雷射光單獨照射)的意思。又，加工對象物1，是使用載玻片(slide glass)。
如第7圖所示，第2脈衝雷射光的強度為0μJ時，無法在加工對象物形成改質點S，成為不可加工。且，第2脈衝雷射光的強度為6μJ以下時，無法連續精度佳地形成改質點S，會產生所謂落空(miss)的現象。特別是，第2脈衝雷射光的強度為4μJ時，依據第1脈衝雷射光的強度(第1脈衝雷射光的強度為0～10μJ時)，落空現象會變大。因此，可知控制第2脈衝雷射光的強度的話，特別可以抑制落空現象。即，比第1脈衝雷射光的波長短的波長的第2脈衝雷射光，在改質點S的形成中是作為主要素使用。
且，可知隨著第1脈衝雷射光的強度變大的話，改質點S的大小會變大，龜裂C也會多數發生，龜裂長度也會變長。因此可知，控制第1脈衝雷射光的強度的話，特別可以調整改質點S的大小。且，第1脈衝雷射光的雷射強度，是藉由在比其雷射光中的加工對象物1的強度門檻值(將該雷射光單獨照射的情況的加工對象物1的強度門檻值)更小的強度的範圍使用，就容易進行改質點S的大小的控制。
[第1實施例]
接著，說明本發明的第1實施例。第8圖，是顯示本發明的第1實施例的雷射加工裝置的概略構成圖。如第8圖所示，雷射加工裝置100，具備：將有關於第1及第2脈衝雷射光的光學系收容的框體111、及將第1及第2脈衝雷射光集光在加工對象物1的集光透鏡112、及將使由集光透鏡112被集光的脈衝雷射光L1、L2被照射的加工對象物1支撐用的支撐台113、及將支撐台113朝X、Y、Z軸方向移動用的平台114、及控制平台114的移動用的平台控制部115。
且，雷射加工裝置100，是為了精度佳地將脈衝雷射光L1、L2集光在加工對象物1的內部的預定位置而形成改質領域7，而具備自動對焦組件116。由此，在雷射加工裝置100中，例如從加工對象物1的表面3和背面被集光在一定位置的方式使脈衝雷射光L1、L2被控制。
第9圖，是顯示第8圖的雷射加工裝置的要部的概略構成圖。如第9圖所示，雷射加工裝置100，具備：第1及第2脈衝雷射光源101、102、及雷射光源控制部103、及1/2波長板104、105、及偏光光束分配器106、107。
第1脈衝雷射光源(第1雷射光源)101，是由例如波長1064nm將脈衝寬度23nsec的第1脈衝雷射光(第1脈衝雷射光)L1射出。第2脈衝雷射光源(第2雷射光源)102，是比第1脈衝雷射光L1更短的波長也就是脈衝雷射光，由例如波長532nm將脈衝寬度15nsec的第2脈衝雷射光(第2脈衝雷射光)L2射出。且，在此的各脈衝雷射光源101、102，是將偏光方向為紙面上下方向的脈衝雷射光L1、L2各別射出。脈衝雷射光源101、102，可以使用例如纖維雷射等。
雷射光源控制部103，是與第1脈衝雷射光源101連接，調節從該第1脈衝雷射光源101被射出的脈衝雷射光L1的脈衝寬度和脈衝時間點等。且，雷射光源控制部103，也與第2脈衝雷射光源102連接，調節脈衝雷射光L2的脈衝時間點等。且，藉由雷射光源控制部103，各別控制脈衝雷射光源101、102的各雷射光的脈衝時間點的調整。
1/2波長板104、105，是在各脈衝雷射光L1、L2的光軸(光路)中各別被配置於脈衝雷射光源101、102的後段。1/2波長板(第1的1/2波長板)104，是使從第1脈衝雷射光源101被射出的第1脈衝雷射光L1的偏光方向變化。1/2波長板(第2的1/2波長板)105，是使從第2脈衝雷射光源102被射出的第2脈衝雷射光L2的偏光方向變化。
偏光光束分配器(第1偏光光束分配器)106，是在第1脈衝雷射光L1的光軸中被配置於1/2波長板104的後段。此偏光光束分配器106，是偏光分離由1/2波長板104使偏光方向變化的第1脈衝雷射光L1。具體而言，偏光光束分配器106，是讓第1脈衝雷射光L1之中的紙面上下方向的偏光方向成分透過，並且讓紙面垂直方向的偏光方向成分反射。
偏光光束分配器(第2偏光光束分配器)107，是在第2脈衝雷射光L2的光軸中被配置於1/2波長板105的後段。此偏光光束分配器107，是偏光分離由1/2波長板105使偏光方向變化的第2脈衝雷射光L2。具體而言，偏光光束分配器107，是讓第2脈衝雷射光L2之中的紙面上下方向的偏光方向成分透過，並且是讓紙面垂直方向的偏光方向成分反射。
且，雷射加工裝置100，是進一步具備光強度控制部121。光強度控制部121，是藉由致動器等各別控制1/2波長板104、105的旋轉角，各別使由1/2波長板104、105變化的脈衝雷射光L1、L2的偏光方向可變。
在此光強度控制部121中，使由1/2波長板104變化的第1脈衝雷射光L1的偏光方向可變域，是比由1/2波長板105變化使第2脈衝雷射光L2的偏光方向可變域更大。因此，在光強度控制部121中，第1脈衝雷射光L1的強度的可控制寬度是成為比第2脈衝雷射光L2的強度的可控制寬度更大。
對於使用如以上構成的雷射加工裝置100的雷射加工方法，一邊參照第10圖所示的流程圖一邊說明。
在本實施例的雷射加工裝置100中，如第8、9圖所示，首先，在玻璃基板或藍寶石基板也就是加工對象物1的背面21貼附擴展帶，將加工對象物1載置在平台114上。接著，將表面3作為雷射光照射面將集光點P對準在加工對象物1的內部，從脈衝雷射光源101、102各別將脈衝雷射光L1、L2同時照射。此時，藉由雷射光源控制部103，使脈衝雷射光L1、L2的各脈衝的至少一部分彼此之間重疊的方式控制脈衝時間點。
從第1脈衝雷射光源101被射出的第1脈衝雷射光L1，是通過1/2波長板104被偏光調整後，藉由偏光光束分配器106被偏光分離(S2、S3)。且，透過偏光光束分配器106的第1脈衝雷射光L1，是藉由分色鏡108～110依序被反射，並被入射至集光透鏡112。
且，從第2脈衝雷射光源102被射出的第2脈衝雷射光L2，是通過1/2波長板105被偏光調整後，藉由偏光光束分配器107被偏光分離(S2、3)。且，透過偏光光束分配器107的第2脈衝雷射光L2，是通過分色鏡109被作成及第1脈衝雷射光L1同軸，在此同軸的狀態下藉由分色鏡110被反射，並入射至集光透鏡112。由此，在將掃描方向作為偏光方向的狀態下，脈衝雷射光L1、L2被集光在加工對象物1的內部(S4)。又，分色鏡110，為了觀察加工對象物1，最好讓由加工對象物1反射的光透過並由照相機裝置(未圖示)觀察的情況時使用，無此照相機裝置的情況時，只是反射鏡子也無妨。
與這種脈衝雷射光L1、L2的照射一起將平台114驅動，將加工對象物1對於脈衝雷射光L1、L2沿著切斷預定線5相對移動(掃描)，在加工對象物1的內部形成複數沿著切斷預定線5的改質點S，藉由這些的改質點S形成改質領域7(S5、S6)。其後，藉由將擴展帶擴張，將改質領域7作為切斷的起點，沿著切斷預定線5將加工對象物1切斷。
在此，本實施例的雷射加工裝置100具備光強度控制部121。因此，在雷射加工裝置100中，使此光強度控制部121作動，藉由使通過1/2波長板104、105的脈衝雷射光L1、L2的偏光方向可變，就可以使由偏光光束分配器106、107偏光分離的脈衝雷射光L1、L2的比率可變。其結果，在脈衝雷射光L1、L2，使透過偏光光束分配器106、107的偏光方向成分的比率各別適宜地被調整。因此，由集光透鏡112被集光的脈衝雷射光L1、L2的強度，可各別被調整成所期的強度。
此點，如習知的雷射加工裝置，將例如脈衝雷射光L1、L2的輸入調整來控制強度的情況，在脈衝雷射光源101、102的構成上，欲加大其輸入範圍調整是困難的。
對於此，在本實施例中，如上述，脈衝雷射光L1、L2的輸入範圍不需大變更，就可以如所期地各別控制脈衝雷射光L1、L2的強度。因此，依據本實施例，其大小和龜裂長度品質最佳的改質點S可精度佳地形成在加工對象物1，可以提高改質點S的控制性。
特別是，在本實施例中，如上述，藉由將具有不同波長的2個脈衝雷射光L1、L2同時集光使形成改質點S。因此，與將各脈衝雷射光L1、L2的任一單獨集光來形成改質點S的情況時相比，可減少脈衝雷射光的總強度(第6圖參照)。
且，習知，將脈衝雷射光L1、L2的任一單獨集光來形成改質點S的情況，其脈衝寬度有需要成為超短脈衝(例如數psec)，脈衝雷射光源有需要特殊的雷射光源。對於此，在本實施例中，可以減少脈衝雷射光L1、L2的脈衝寬度極小化的需要性，甚至特殊的雷射光源的需要性，可使用通常一般的雷射光源。因此，可低成本化，且可以提高信賴性及泛用性。
且，通常，欲將脈衝雷射光L1、L2同時集光使精度佳地形成改質點S的情況，使第1脈衝雷射光L1的強度比第2脈衝雷射光L2的強度更大較佳(第7圖參照)。此點，在本實施例中，如上述，第1脈衝雷射光L1的強度的可控制寬度是成為比第2脈衝雷射光L2的強度的可控制寬度更大。因此，可以進行適應形成改質點S時的脈衝雷射光L1、L2的強度關係最佳的雷射加工，可將品質佳的改質點S最佳地形成於加工對象物1。
且，在本實施例中，如上述，因為將脈衝雷射光L1、L2同軸化，所以脈衝雷射光L1、L2的光學系的構成可以簡易化。
又，第2脈衝雷射光L2，是如上述使用作為改質點S的形成的主要素，如本實施例，第2脈衝雷射光L2的脈衝寬度是比第1脈衝雷射光L1的脈衝寬度更小較佳。
但是在本實施例中，照射脈衝雷射光L1、L2並集光在加工對象物1時，使光強度控制部121及雷射光源控制部103的至少一方作動，使第1脈衝雷射光L1的強度比強度門檻值α(第6圖參照)更小也可以。
具體而言，第1脈衝雷射光L1的強度，在只有將第1脈衝雷射光L1集光在加工對象物1的情況時，成為比形成改質點S的強度門檻值α更小也可以。換言之，第1脈衝雷射光L1的強度，在將第1脈衝雷射光L1單獨集光在加工對象物1時，成為不形成改質點S的預定的強度範圍內也可以。
此情況，有關改質點S的形成，第2脈衝雷射光L2是作為主要的脈衝雷射光作用，並且第1脈衝雷射光L1是作為補助的脈衝雷射光作用。且，第1脈衝雷射光L1，是成為對於第2脈衝雷射光L2無不良影響的方式最佳地作用。其結果，可以將品質佳的改質點S形成於加工對象物1。即，此情況，可進行使多波長同時照射的脈衝雷射光L1、L2最佳協動的優異的雷射加工。
在此，一般將脈衝雷射光集光使加工對象物1的內部形成改質點S的情況，依據加工對象物1的種類等，所要求的脈衝雷射光的波長、脈衝寬度、尖峰電源(動力功率)等不同。例如，在矽基板也就是加工對象物1形成改質點S的情況，將脈衝雷射光的波長作為1064nm使脈衝寬度較長(100～200nsec)較佳。且，如本實施例在玻璃基板和藍寶石基板也就是加工對象物1形成改質點S的情況，減小脈衝雷射光的脈衝寬度並提高強度(尖峰能量)較佳。
此點，本實施例的雷射加工裝置100，不只是可在如上述玻璃基板和藍寶石基板等的加工對象物1精度佳形成改質點S，且也可以在矽基板也就是加工對象物1精度佳地形成改質點S。具體而言，在第2脈衝雷射光L2的光軸上設置濾波器等使第2脈衝雷射光L2不被集光在加工對象物1。並且將例如脈衝寬度200nsec的第1脈衝雷射光L1集光在加工對象物1。
因此，在本實施例中，可以由1台的雷射加工裝置100兼用各種基板的加工用裝置。且，對於矽基板及玻璃基板的貼配合基板等的加工對象物1，也可容易由1台的雷射加工裝置100對應。
以上，在本實施例中，偏光光束分配器106、107是構成偏光分離手段，光強度控制部121是構成光強度控制手段。且，分色鏡108、109是構成同軸化手段，雷射光源控制部103是構成脈衝寬度控制手段。
[第2實施例]
接著，說明本發明的第2實施例。又，在本實施例的說明中，主要說明與上述第1實施例不同的點。
第11圖，是顯示本發明的第2實施例的雷射加工裝置的要部的概略構成圖。如第11圖所示，本實施例的雷射加工裝置200中與上述雷射加工裝置100不同的點，是取代偏光光束分配器106、107(第9圖參照)而具備偏光光束分配器201，並且進一步具備1/2波長板202的點。
偏光光束分配器(第1及第2偏光光束分配器)201，是在第1脈衝雷射光L1的光軸中被配置於1/2波長板104的後段，且在第2脈衝雷射光L2的光軸被配置於1/2波長板105的後段。此偏光光束分配器201，是對應2波長者，用來偏光分離由1/2波長板104使偏光方向變化的第1脈衝雷射光L1、及由1/2波長板105使偏光方向變化的第2脈衝雷射光L2。
具體而言，偏光光束分配器201，是讓第1脈衝雷射光L1之中的紙面上下方向的偏光方向成分直接透過，並且讓紙面垂直方向的偏光方向成分反射。且，讓第2脈衝雷射光L2之中的紙面上下方向的偏光方向成分與第1脈衝雷射光L1同軸地透過，並且讓紙面垂直方向的偏光方向成分反射。
1/2波長板202，是在第1脈衝雷射光L1的光軸中被配置於偏光光束分配器201的後段。此1/2波長板202，是使由偏光光束分配器201被反射第1脈衝雷射光L1的偏光方向變化，並且將透過偏光光束分配器201的第2脈衝雷射光L2直接透過。在此，1/2波長板202，是使第1脈衝雷射光L1中的紙面垂直方向的偏光方向，朝紙面上下方向的偏光方向變化。
在如此構成的雷射加工裝置200中，從第1脈衝雷射光源101被射出的第1脈衝雷射光L1，是通過1/2波長板104被偏光調整後，由分色鏡203被反射，藉由偏光光束分配器201被偏光分離。且，由偏光光束分配器201被反射的第1脈衝雷射光L1，是通過1/2波長板202被偏光調整，由分色鏡110被反射後，入射至集光透鏡112。
且，從第2脈衝雷射光源102被射出的第2脈衝雷射光L2，是通過1/2波長板105被偏光調整後，藉由偏光光束分配器201被偏光分離。且，透過偏光光束分配器201的第2脈衝雷射光L2，是被作成與第1脈衝雷射光L1同軸，在此同軸的狀態下讓1/2波長板202直接通過。其後，藉由分色鏡110被反射，入射至集光透鏡112。由此，在掃描方向為偏光方向的狀態下，使脈衝雷射光L1、L2被集光在加工對象物1的內部。
以上，在本實施例，也可達成提高改質點S的控制性的與上述效果同樣的效果。且，本實施例也與上述第1實施例同樣，由1台的雷射加工裝置200就可以兼用作為各種基板的雷射加工裝置。
以上，在本實施例中，偏光光束分配器201是構成偏光分離手段，偏光光束分配器201及分色鏡203是構成同軸化手段。
[第3實施例]
接著，說明本發明的第3實施例。又，在本實施例的說明中，主要說明與上述第1實施例不同的點。
第12圖，是顯示本發明的第3實施例的雷射加工裝置的要部的概略構成圖。如第12圖所示，本實施例的雷射加工裝置300，是對於具備2個脈衝雷射光源101、102的上述雷射加工裝置100，主要是脈衝雷射光源為1個的點相異。具體而言，雷射加工裝置300，未具備第2脈衝雷射光源102，而是進一步具備非線形光學結晶301(Nonlinear optical crystal)。
非線形光學結晶301，是進行脈衝雷射光L1的波長變換者，在此，使用KTP結晶作為使光高調波發生的第2高調波發生元件(SHG結晶)。
此非線形光學結晶301，具體而言，若作為基本波的 波長1064nm的第1脈衝雷射光L1被入射的話，將作為第2高調波的波長532nm的第2脈衝雷射光L2與第1脈衝雷射光L1同軸地射出。在此的非線形光學結晶301，是藉由使對於紙面朝上下方向45°傾斜的方向的偏光方向的第1脈衝雷射光L1被入射，將此第1脈衝雷射光L1及紙面垂直方向的偏光方向的第2脈衝雷射光L2同軸地射出。
且，在第1脈衝雷射光L1的光軸中在非線形光學結晶301的前段中，設有使第1脈衝雷射光L1的偏光方向變化的1/2波長板302。此1/2波長板302，是將入射至1/2波長板302的第1脈衝雷射光L1的紙面上下方向的偏光方向，使在對於紙面朝上下方向45°傾斜的方向朝偏光方向變化。
藉由此雷射加工裝置300在玻璃基板和藍寶石基板也就是加工對象物1的內部形成改質點S的情況，從第1脈衝雷射光源101被射出的第1脈衝雷射光L1，是通過1/2波長板302被偏光調整後，被入射至非線形光學結晶301並被波長變換。且，從非線形光學結晶301使脈衝雷射光L1、L2同軸地被射出。
從非線形光學結晶301被射出的第1脈衝雷射光L1，是通過分色鏡303，通過1/4波長板144將橢圓偏光直線偏光地調整，通過1/2波長板104被偏光調整後，藉由偏光光束分配器106被偏光分離。且，透過偏光光束分配器106的第1脈衝雷射光L1，是藉由分色鏡108~109依序被反射，並入射至集光透鏡112。
從非線形光學結晶301被射出的第2脈衝雷射光L2，是 藉由分色鏡303、304依序被反射，通過1/2波長板105被偏光調整後，藉由偏光光束分配器107被偏光分離。且，透過偏光光束分配器107的第2脈衝雷射光L2，是通過分色鏡109被作成與第1脈衝雷射光L1同軸，在此同軸的狀態下藉由分色鏡110被反射，並入射至集光透鏡112。由此，在掃描方向為偏光方向的狀態下，脈衝雷射光L1、L2成為被集光在加工對象物1的內部。
以上，在本實施例也可達成提高改質點S的控制性的與上述效果同樣的效果。且，在本實施例中，因為使用1個第1脈衝雷射光源101將脈衝雷射光L1、L2集光在加工對象物1，所以容易使脈衝雷射光L1、L2的各脈衝彼此之間重疊的方式設定脈衝時間點。
且，在本實施例的雷射加工裝置300中，不只可在玻璃基板和藍寶石基板等的加工對象物1精度佳形成改質點S，也可以在矽基板也就是加工對象物1精度佳地形成改質點S。
具體而言，藉由雷射光源控制部103，變更從第1脈衝雷射光源101被射出的第1脈衝雷射光L1的脈衝寬度。在此，將第1脈衝雷射光L1的脈衝寬度，設成比在玻璃基板和藍寶石基板等的加工對象物1形成改質點S的情況的脈衝寬度更長的脈衝寬度(例如200nsec)。由此，非線形光學結晶301的高調波變換效率下降，從非線形光學結晶301只有第1脈衝雷射光L1被射出(換言之，第2脈衝雷射光L2實質上不被射出)。其結果，只有脈衝雷射光L1被集光在 加工對象物1的內部，形成改質點S。
因此，在本實施例中，1台的雷射加工裝置300可以兼用作為各種的基板的加工用裝置。且，對於矽基板及玻璃基板的貼合基板等的加工對象物1，也可容易由1台的雷射加工裝置300對應。
以上，在本實施例中，非線形光學結晶301及分色鏡108、109是構成同軸化手段。
[第4實施例]
接著，說明本發明的第4實施例。又，在本實施例的說明中，主要說明與上述第3實施例不同的點。
第13圖，是顯示本發明的第4實施例的雷射加工裝置的要部的概略構成圖。如第13圖所示，本實施例的雷射加工裝置400，是對於上述雷射加工裝置300，主要是使脈衝雷射光L1、L2的光軸維持同軸(完全同軸地)的構成的點相異。具體而言，雷射加工裝置400，是取代非線形光學結晶301(第12圖參照)而具備非線形光學結晶401，取代偏光光束分配器106、107(第12圖參照)而具備偏光光束分配器402。
非線形光學結晶401，是進行脈衝雷射光L1的波長變換者，在此，使用BBO結晶。此非線形光學結晶401，若第1脈衝雷射光L1被入射的話，將脈衝雷射光L1、L2同軸地射出。在此的非線形光學結晶401，是藉由使紙面上下方向的偏光方向的第1脈衝雷射光L1被入射，將此第1脈衝雷射光L1及紙面垂直方向的偏光方向的第2脈衝雷射光L2同軸地射出。
偏光光束分配器(第1及第2偏光光束分配器)402，是對應2波長者，在脈衝雷射光L1、L2的光軸前被配置於1/2波長板104、105的後段。此偏光光束分配器402，是由1/2波長板104、105使偏光方向變化的脈衝雷射光L1、L2各別被偏光分離。具體而言，偏光光束分配器402，是讓各脈衝雷射光L1、L2之中的紙面上下方向的偏光方向成分直接透過，並且讓紙面垂直方向的偏光方向成分反射。
在如此構成的雷射加工裝置400中，從第1脈衝雷射光源101被射出的第1脈衝雷射光L1被入射至非線形光學結晶401並被波長變換，從非線形光學結晶401使脈衝雷射光L1、L2被同軸地射出。
從非線形光學結晶401被射出的第1脈衝雷射光L1，是通過1/2波長板104被偏光調整，並且直接通過1/2波長板105，藉由偏光光束分配器402被偏光分離。另一方，從非線形光學結晶401被射出的第2脈衝雷射光L2，是直接通過1/2波長板104，並且通過1/2波長板105並被偏光調整，藉由偏光光束分配器402被偏光分離。且，透過偏光光束分配器402的脈衝雷射光L1、L2，是藉由分色鏡110被反射，入射至集光透鏡112。由此，在掃描方向為偏光方向的狀態下，脈衝雷射光L1、L2成為被集光在加工對象物1的內部。
以上，本實施例也可達成提高改質點S的控制性的與上述效果同樣的效果。且，由本實施例也與上述第3實施例同樣，由1台的雷射加工裝置400就可以兼用作為各種基板的雷射加工裝置。
且，在本實施例中，如上述，因為脈衝雷射光L1、L2的光軸是維持同軸的方式構成，所以脈衝雷射光L1、L2的光學系的構成可以更簡易化，並且更容易使脈衝雷射光L1、L2的各脈衝彼此之間重疊的方式設定脈衝時間點。
以上，在本實施例中，偏光光束分配器402是構成偏光分離手段，非線形光學結晶401是構成同軸化手段。
以上，雖說明了本發明的最佳的實施例，但是本發明的雷射加工裝置，不限定於實施例的上述雷射加工裝置100、200、300、400，且，本發明的雷射加工方法，不限定於實施例的上述雷射加工方法。本發明當然也包含未實質變更各請求項範圍的變形、或可以適用於其他裝置等。
[產業上的利用可能性]
依據本發明，可提高改質點的控制性。
1．．．加工對象物
5．．．切斷預定線
7．．．改質領域
100、200、300、400．．．雷射加工裝置
101．．．第1脈衝雷射光源(第1雷射光源)
102．．．第2脈衝雷射光源(第2雷射光源)
103．．．雷射光源控制部(脈衝寬度控制手段)
104．．．1/2波長板(第1的1/2波長板)
105．．．1/2波長板(第2的1/2波長板)
106．．．偏光光束分配器(第1偏光光束分配器、偏光分離手段)
107．．．偏光光束分配器(第2偏光光束分配器、偏光分離手段)
112．．．集光透鏡
108、109、203．．．分色鏡(同軸化手段)
121．．．光強度控制部(光強度控制手段)
201．．．偏光光束分配器(第1及第2偏光光束分配器、偏光分離手段、同軸化手段)
301、401．．．非線形光學結晶(同軸化手段)
402．．．偏光光束分配器(第1及第2偏光光束分配器、偏光分離手段)
L1．．．第1脈衝雷射光(第1脈衝雷射光)
L2．．．第2脈衝雷射光(第2脈衝雷射光)
S．．．改質點
α．．．強度門檻值
[第1圖]顯示成為改質領域的形成對象的加工對象物的一例的平面圖。
[第2圖]第1圖的加工對象物的II-II線的剖面圖。
[第3圖]雷射加工後的加工對象物的平面圖。
[第4圖]第3圖的加工對象物的IV-IV線的剖面圖。
[第5圖]第3圖的加工對象物的V-V線的剖面圖。
[第6圖]說明脈衝雷射光的強度及改質點的關係用的圖。
[第7圖]顯示使用第1及第2脈衝雷射光形成於加工對象物的改質點的例的圖。
[第8圖]顯示本發明的第1實施例的雷射加工裝置的概略構成圖。
[第9圖]顯示第8圖的雷射加工裝置的要部的概略構成圖。
[第10圖]顯示使用第8圖的雷射加工裝置的雷射加工方法的處理的流程圖。
[第11圖]顯示本發明的第2實施例的雷射加工裝置的要部的概略構成圖。
[第12圖]顯示本發明的第3實施例的雷射加工裝置的要部的概略構成圖。
[第13圖]顯示本發明的第4實施例的雷射加工裝置的要部的概略構成圖。
1．．．加工對象物
3．．．表面
7．．．改質領域
100．．．雷射加工裝置
101．．．第1脈衝雷射光源(第1雷射光源)
102．．．第2脈衝雷射光源(第2雷射光源)
103．．．雷射光源控制部(脈衝寬度控制手段)
104．．．1/2波長板(第1的1/2波長板)
105．．．1/2波長板(第2的1/2波長板)
106．．．偏光光束分配器(第1偏光光束分配器、偏光分離手段)
107．．．偏光光束分配器(第2偏光光束分配器、偏光分離手段)
110．．．分色鏡
112．．．集光透鏡
108、109．．．分色鏡(同軸化手段)
121．．．光強度控制部(光強度控制手段)
L1．．．第1脈衝雷射光(第1脈衝雷射光)
L2．．．第2脈衝雷射光(第2脈衝雷射光)
S．．．改質點

Claims (28)

  1. 一種雷射加工裝置，是將複數脈衝雷射光集光在加工對象物，在前述加工對象物的內部沿著切斷預定線形成複數改質點，藉由複數前述改質點形成改質領域，其特徵為，具備：將具有第1波長的第1脈衝雷射光射出的第1雷射光源；及將具有與前述第1波長不同的第2波長的第2脈衝雷射光射出的第2雷射光源；及使前述第1脈衝雷射光的偏光方向變化的第1的1/2波長板；及使前述第2脈衝雷射光的偏光方向變化的第2的1/2波長板；及偏光分離手段，使由前述第1的1/2波長板使偏光方向變化的前述第1脈衝雷射光、及由前述第2的1/2波長板使偏光方向變化的前述第2脈衝雷射光偏光分離；及集光透鏡，使由前述偏光分離手段被偏光分離的前述第1及第2脈衝雷射光集光在前述加工對象物；及光強度控制手段，藉由使在前述第1及第2的1/2波長板變化的前述第1及第2脈衝雷射光的偏光方向可變，來控制前述第1及第2脈衝雷射光的強度。
  2. 一種雷射加工裝置，是將複數脈衝雷射光集光在加工對象物，在前述加工對象物的內部沿著切斷預定線形成複數改質點，藉由複數前述改質點形成改質領域，其特徵 為，具備：將具有第1波長的第1脈衝雷射光射出的第1雷射光源；及前述第1脈衝雷射光被入射，使該第1脈衝雷射光及具有與前述第1波長不同的第2波長的第2脈衝雷射光射出的非線形光學結晶(Nonlinear optical crystal)；及使前述第1脈衝雷射光的偏光方向變化的第1的1/2波長板；及使前述第2脈衝雷射光的偏光方向變化的第2的1/2波長板；及偏光分離手段，由前述第1的1/2波長板使偏光方向變化的前述第1脈衝雷射光、和由前述第2的1/2波長板使偏光方向變化的前述第2脈衝雷射光偏光分離；及集光透鏡，將由前述偏光分離手段被偏光分離之前述第1及第2脈衝雷射光集光在前述加工對象物；及光強度控制手段，藉由使由前述第1及第2的1/2波長板變化的前述第1及第2脈衝雷射光的偏光方向可變，來控制前述第1及第2脈衝雷射光的強度。
  3. 如申請專利範圍第2項的雷射加工裝置，其中，具備脈衝寬度控制手段，可控制從前述第1雷射光源被射出的前述第1脈衝雷射光的脈衝寬度，前述脈衝寬度控制手段，是藉由變更前述第1脈衝雷射光的脈衝寬度，從前述非線形光學結晶使前述第2脈衝雷射光不被射出的方式使前述非線形光學結晶的高調波變 換效率下降。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項的雷射加工裝置，其中，具備同軸化手段，可將前述第1及第2脈衝雷射光同軸化。
  5. 如申請專利範圍第1~3項中任一項的雷射加工裝置，其中，前述偏光分離手段，包含：將由前述第1的1/2波長板使偏光方向變化的前述第1脈衝雷射光偏光分離的第1偏光光束分配器、及將由前述第2的1/2波長板使偏光方向變化的前述第2脈衝雷射光偏光分離的第2偏光光束分配器。
  6. 如申請專利範圍第1~3項中任一項的雷射加工裝置，其中，在前述光強度控制手段中，前述第1脈衝雷射光的強度的可控制寬度是比前述第2脈衝雷射光的強度的可控制寬度更大。
  7. 如申請專利範圍第1~3項中任一項的雷射加工裝置，其中，前述光強度控制手段，是使前述第1脈衝雷射光的強度，在只有將前述第1脈衝雷射光集光在前述加工對象物的情況時，比形成有前述改質點的強度門檻值更小的方式進行控制。
  8. 一種雷射加工裝置，是將複數脈衝雷射光集光在加工對象物，在前述加工對象物的內部沿著切斷預定線形成複數改質點，藉由複數前述改質點形成改質領域，其特徵為，具備：將具有第1波長的第1脈衝雷射光射出的第1雷射光 源；及將具有與前述第1波長不同的第2波長的第2脈衝雷射光射出的第2雷射光源；及使前述第1脈衝雷射光的偏光方向變化的第1的1/2波長板；及使前述第2脈衝雷射光的偏光方向變化的第2的1/2波長板；及偏光分離手段，使由前述第1的1/2波長板使偏光方向變化的前述第1脈衝雷射光、及由前述第2的1/2波長板使偏光方向變化的前述第2脈衝雷射光偏光分離；及集光透鏡，使由前述偏光分離手段被偏光分離的前述第1及第2脈衝雷射光集光在前述加工對象物；及光強度控制手段，藉由使在前述第1及第2的1/2波長板變化的前述第1及第2脈衝雷射光的偏光方向可變，來控制前述第1及第2脈衝雷射光的強度，前述第1脈衝雷射光的波長，是比前述第2脈衝雷射光的波長更長，前述第2脈衝雷射光的脈衝寬度，是比前述第1脈衝雷射光的脈衝寬度小，前述第1脈衝雷射光及前述第2脈衝雷射光的各脈衝的至少一部分是相互重疊。
  9. 一種雷射加工裝置，是將複數脈衝雷射光集光在加工對象物，在前述加工對象物的內部治著切斷預定線形成複數改質點，藉由複數前述改質點形成改質領域，其特徵為，具備： 將具有第1波長的第1脈衝雷射光射出的第1雷射光源；及前述第1脈衝雷射光被入射，使該第1脈衝雷射光及具有與前述第1波長不同的第2波長的第2脈衝雷射光射出的非線形光學結晶(Nonlinear optical crystal)；及使前述第1脈衝雷射光的偏光方向變化的第1的1/2波長板；及使前述第2脈衝雷射光的偏光方向變化的第2的1/2波長板；及偏光分離手段，由前述第1的1/2波長板使偏光方向變化的前述第1脈衝雷射光、和由前述第2的1/2波長板使偏光方向變化的前述第2脈衝雷射光偏光分離；及集光透鏡，將由前述偏光分離手段被偏光分離之前述第1及第2脈衝雷射光集光在前述加工對象物；及光強度控制手段，藉由使由前述第1及第2的1/2波長板變化的前述第1及第2脈衝雷射光的偏光方向可變，來控制前述第1及第2脈衝雷射光的強度，前述第1脈衝雷射光的波長，是比前述第2脈衝雷射光的波長更長，前述第2脈衝雷射光的脈衝寬度，是比前述第1脈衝雷射光的脈衝寬度小，前述第1脈衝雷射光及前述第2脈衝雷射光的各脈衝的至少一部分是相互重疊。
  10. 如申請專利範圍第9項的雷射加工裝置，其中，具備脈衝寬度控制手段，可控制從前述第1雷射光源被射 出的前述第1脈衝雷射光的脈衝寬度，前述脈衝寬度控制手段，是藉由變更前述第1脈衝雷射光的脈衝寬度，從前述非線形光學結晶使前述第2脈衝雷射光不被射出的方式使前述非線形光學結晶的高調波變換效率下降。
  11. 如申請專利範圍第8~10項中任一項的雷射加工裝置，其中，具備同軸化手段，可將前述第1及第2脈衝雷射光同軸化。
  12. 如申請專利範圍第8~10項中任一項的雷射加工裝置，其中，前述偏光分離手段，包含：將由前述第1的1/2波長板使偏光方向變化的前述第1脈衝雷射光偏光分離的第1偏光光束分配器、及將由前述第2的1/2波長板使偏光方向變化的前述第2脈衝雷射光偏光分離的第2偏光光束分配器。
  13. 如申請專利範圍第11項中任一項的雷射加工裝置，其中，前述偏光分離手段，包含：將由前述第1的1/2波長板使偏光方向變化的前述第1脈衝雷射光偏光分離的第1偏光光束分配器、及將由前述第2的1/2波長板使偏光方向變化的前述第2脈衝雷射光偏光分離的第2偏光光束分配器。
  14. 如申請專利範圍第8~10項中任一項的雷射加工裝置，其中，在前述光強度控制手段中，前述第1脈衝雷射光的強度的可控制寬度是比前述第2脈衝雷射光的強度的可控制寬度更大。
  15. 如申請專利範圍第11項中任一項的雷射加工裝置，其中，在前述光強度控制手段中，前述第1脈衝雷射光的強度的可控制寬度是比前述第2脈衝雷射光的強度的可控制寬度更大。
  16. 如申請專利範圍第12項中任一項的雷射加工裝置，其中，在前述光強度控制手段中，前述第1脈衝雷射光的強度的可控制寬度是比前述第2脈衝雷射光的強度的可控制寬度更大。
  17. 如申請專利範圍第13項中任一項的雷射加工裝置，其中，在前述光強度控制手段中，前述第1脈衝雷射光的強度的可控制寬度是比前述第2脈衝雷射光的強度的可控制寬度更大。
  18. 如申請專利範圍第8~10項中任一項的雷射加工裝置，其中，前述光強度控制手段，是使前述第1脈衝雷射光的強度，在只有將前述第1脈衝雷射光集光在前述加工對象物的情況時，比形成有前述改質點的強度門檻值更小的方式進行控制。
  19. 如申請專利範圍第11項中任一項的雷射加工裝置，其中，前述光強度控制手段，是使前述第1脈衝雷射光的強度，在只有將前述第1脈衝雷射光集光在前述加工對象物的情況時，比形成有前述改質點的強度門檻值更小的方式進行控制。
  20. 如申請專利範圍第12項中任一項的雷射加工裝置，其中，前述光強度控制手段，是使前述第1脈衝雷射 光的強度，在只有將前述第1脈衝雷射光集光在前述加工對象物的情況時，比形成有前述改質點的強度門檻值更小的方式進行控制。
  21. 如申請專利範圍第13項中任一項的雷射加工裝置，其中，前述光強度控制手段，是使前述第1脈衝雷射光的強度，在只有將前述第1脈衝雷射光集光在前述加工對象物的情況時，比形成有前述改質點的強度門檻值更小的方式進行控制。
  22. 如申請專利範圍第14項中任一項的雷射加工裝置，其中，前述光強度控制手段，是使前述第1脈衝雷射光的強度，在只有將前述第1脈衝雷射光集光在前述加工對象物的情況時，比形成有前述改質點的強度門檻值更小的方式進行控制。
  23. 如申請專利範圍第15項中任一項的雷射加工裝置，其中，前述光強度控制手段，是使前述第1脈衝雷射光的強度，在只有將前述第1脈衝雷射光集光在前述加工對象物的情況時，比形成有前述改質點的強度門檻值更小的方式進行控制。
  24. 如申請專利範圍第16項中任一項的雷射加工裝置，其中，前述光強度控制手段，是使前述第1脈衝雷射光的強度，在只有將前述第1脈衝雷射光集光在前述加工對象物的情況時，比形成有前述改質點的強度門檻值更小的方式進行控制。
  25. 如申請專利範圍第17項中任一項的雷射加工裝 置，其中，前述光強度控制手段，是使前述第1脈衝雷射光的強度，在只有將前述第1脈衝雷射光集光在前述加工對象物的情況時，比形成有前述改質點的強度門檻值更小的方式進行控制。
  26. 一種雷射加工裝置，是將複數脈衝雷射光集光在加工對象物，只在前述加工對象物的內部沿著切斷預定線形成複數改質點，藉由複數前述改質點只在前述加工對象物的內部形成改質領域，其特徵為，具備：將具有第1波長的第1脈衝雷射光射出的第1雷射光源；及將具有與前述第1波長不同的第2波長的第2脈衝雷射光射出的第2雷射光源；及集光透鏡，將前述第1及第2脈衝雷射光只集光在前述加工對象物的內部；前述第1脈衝雷射光的強度，是在只有將前述第1脈衝雷射光集光在前述加工對象物的情況時，比形成有前述改質點的強度門檻值更小，前述第1脈衝雷射光的波長，是比前述第2脈衝雷射光的波長更長，前述第2脈衝雷射光的脈衝寬度，是比前述第1脈衝雷射光的脈衝寬度小，前述第1脈衝雷射光及前述第2脈衝雷射光的各脈衝的至少一部分是相互重疊。
  27. 一種雷射加工裝置，是將複數脈衝雷射光集光在加工對象物，只在前述加工對象物的內部沿著切斷預定線 形成複數改質點，藉由複數前述改質點只在前述加工對象物的內部形成改質領域，其特徵為，具備：將具有第1波長的第1脈衝雷射光射出的第1雷射光源；及非線形光學結晶(Nonlinear optical crystal)，使前述第1脈衝雷射光被入射，將該第1脈衝雷射光及具有與前述第1波長不同的第2波長的第2脈衝雷射光射出；及集光透鏡，將前述第1及第2脈衝雷射光只集光在前述加工對象物的內部；前述第1脈衝雷射光的強度，是在只有將前述第1脈衝雷射光集光在前述加工對象物的情況時，比形成有前述改質點的強度門檻值更小，前述第1脈衝雷射光的波長，是比前述第2脈衝雷射光的波長更長，前述第2脈衝雷射光的脈衝寬度，是比前述第1脈衝雷射光的脈衝寬度小，前述第1脈衝雷射光及前述第2脈衝雷射光的各脈衝的至少一部分是相互重疊。
  28. 一種雷射加工方法，是將複數脈衝雷射光集光在加工對象物，只在前述加工對象物的內部沿著切斷預定線形成複數改質點，藉由複數前述改質點只在前述加工對象物的內部形成改質領域，其特徵為：包含將具有第1波長的第1脈衝雷射光、及具有將與前述第1波長不同的第2波長的第2脈衝雷射光由集光透鏡只集光在前述加工對象物的內部的過程； 在前述過程中，使前述第1脈衝雷射光的強度，在只有將前述第1脈衝雷射光集光在前述加工對象物的情況時，比形成有前述改質點的強度門檻值更小，前述第1脈衝雷射光的波長，是比前述第2脈衝雷射光的波長更長，前述第2脈衝雷射光的脈衝寬度，是比前述第1脈衝雷射光的脈衝寬度小，前述第1脈衝雷射光及前述第2脈衝雷射光的各脈衝的至少一部分是相互重疊。
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2796758B1 (fr) * 1999-07-22 2003-02-14 France Telecom Procede de correction des effets topographiques sur substrat en micro electronique
US8933367B2 (en) * 2011-02-09 2015-01-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Laser processing method
JP2013063454A (ja) * 2011-09-16 2013-04-11 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US20140245608A1 (en) * 2011-10-07 2014-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for laser-beam processing and method for manufacturing ink jet head
CN102689092A (zh) * 2012-06-15 2012-09-26 合肥知常光电科技有限公司 一种使用双激光光束的太阳能晶圆精密加工方法及装置
CN104619453B (zh) * 2012-08-09 2016-08-24 罗芬-拉萨格股份公司 用于利用激光束加工工件的系统
US10114157B2 (en) * 2012-09-20 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Pulse width controller
JP6121733B2 (ja) * 2013-01-31 2017-04-26 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US10286487B2 (en) * 2013-02-28 2019-05-14 Ipg Photonics Corporation Laser system and method for processing sapphire
US9764427B2 (en) * 2014-02-28 2017-09-19 Ipg Photonics Corporation Multi-laser system and method for cutting and post-cut processing hard dielectric materials
US10343237B2 (en) 2014-02-28 2019-07-09 Ipg Photonics Corporation System and method for laser beveling and/or polishing
EP3110592B1 (en) 2014-02-28 2020-01-15 IPG Photonics Corporation Multple-laser distinct wavelengths and pulse durations processing
JP6320799B2 (ja) * 2014-03-07 2018-05-09 住友重機械工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP6328468B2 (ja) * 2014-03-31 2018-05-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置および検査方法
US10239155B1 (en) * 2014-04-30 2019-03-26 The Boeing Company Multiple laser beam processing
KR20150130835A (ko) * 2014-05-14 2015-11-24 주식회사 이오테크닉스 금속층이 형성된 반도체 웨이퍼를 절단하는 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP6218770B2 (ja) * 2014-06-23 2017-10-25 三菱電機株式会社 レーザ加工装置
WO2016033494A1 (en) 2014-08-28 2016-03-03 Ipg Photonics Corporation System and method for laser beveling and/or polishing
EP3186030B1 (en) * 2014-08-28 2023-02-22 IPG Photonics Corporation Multi-laser system and method for cutting and post-cut processing hard dielectric materials
DE102015103118A1 (de) * 2014-10-06 2016-04-07 Siltectra Gmbh Splitting-Verfahren und Verwendung eines Materials in einem Splitting-Verfahren
WO2016083609A2 (de) * 2014-11-27 2016-06-02 Siltectra Gmbh Laserbasiertes trennverfahren
CN104630899B (zh) * 2015-01-17 2017-09-22 王宏兴 金刚石层的分离方法
GB201502149D0 (en) * 2015-02-09 2015-03-25 Spi Lasers Uk Ltd Apparatus and method for laser welding
JP6559442B2 (ja) * 2015-03-05 2019-08-14 新日本工機株式会社 レーザ加工装置
JP6478821B2 (ja) * 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6679229B2 (ja) * 2015-06-30 2020-04-15 キヤノン株式会社 被検体情報取得装置及び光源装置
JP6567949B2 (ja) * 2015-10-21 2019-08-28 フタバ産業株式会社 加工装置及びプログラム
JP2017107903A (ja) * 2015-12-07 2017-06-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN106041313B (zh) * 2016-06-22 2018-02-23 中南大学 一种透明介质微结构均匀改性加工的方法
JP7148513B2 (ja) * 2016-11-18 2022-10-05 アイピージー フォトニクス コーポレーション 物質のレーザー処理用のシステム及び方法
TW201819085A (zh) * 2016-11-28 2018-06-01 盟立自動化股份有限公司 雷射加工系統
US20180210561A1 (en) * 2017-01-24 2018-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input unit, input method, input system, and input support system
JP7023629B2 (ja) * 2017-07-07 2022-02-22 株式会社ディスコ レーザー加工装置
KR102582733B1 (ko) * 2017-09-19 2023-09-27 주식회사 탑 엔지니어링 스크라이빙 장치
KR102582734B1 (ko) * 2017-09-27 2023-09-27 주식회사 탑 엔지니어링 기판 절단 장치
US20190151993A1 (en) * 2017-11-22 2019-05-23 Asm Technology Singapore Pte Ltd Laser-cutting using selective polarization
JP7188886B2 (ja) * 2018-01-29 2022-12-13 浜松ホトニクス株式会社 加工装置
JP7137065B2 (ja) * 2018-10-23 2022-09-14 日亜化学工業株式会社 合成装置又は発光装置
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
CN109817761B (zh) * 2019-01-02 2021-10-15 武汉帝尔激光科技股份有限公司 一种多波长激光分时消融太阳能电池介质膜的方法及系统
KR102174928B1 (ko) * 2019-02-01 2020-11-05 레이저쎌 주식회사 멀티 빔 레이저 디본딩 장치 및 방법
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
DE112020003796T8 (de) * 2019-08-06 2022-06-30 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lasersysteme mit zwei Wellenlängen und Materialbearbeitung unter Verwendung solcher Systeme
TWI733588B (zh) 2020-09-11 2021-07-11 財團法人工業技術研究院 雷射加工系統
CN112404706B (zh) * 2021-01-22 2021-04-23 武汉大学 激光加工检测装置及方法、激光加工设备及调焦控制方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005099957A2 (en) * 2004-03-31 2005-10-27 Imra America, Inc. Pulsed laser processing with controlled thermal and physical alterations
CN1720117A (zh) * 2002-12-06 2006-01-11 浜松光子学株式会社 激光加工装置及激光加工方法
TW200800456A (en) * 2006-04-27 2008-01-01 Hitachi Shipbuilding Eng Co Laser processing method and laser processing apparatus
CN101293307A (zh) * 2007-04-27 2008-10-29 彩覇阳光株式会社 基于激光的加工方法及激光加工装置
CN101407912A (zh) * 2007-10-08 2009-04-15 无锡浩波光电子有限公司 双束双波长激光三维微熔覆制造混合集成电路基板的设备

Family Cites Families (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3787440T2 (de) * 1986-11-20 1994-01-13 Nec Corp Verfahren und Vorrichtung um eine Linie auf einem strukturierten Substrat zu schreiben.
JP2604395B2 (ja) 1988-01-22 1997-04-30 松下電器産業株式会社 レーザー加工方法
EP0365754B1 (en) 1988-10-28 1994-11-09 International Business Machines Corporation Enhandement of ultraviolet laser ablation and etching of organic solids
US5272309A (en) * 1990-08-01 1993-12-21 Microelectronics And Computer Technology Corporation Bonding metal members with multiple laser beams
US5101090A (en) * 1990-11-19 1992-03-31 At&T Bell Laboratories Methods and apparatus for making optical fiber couplers
DE4102936A1 (de) * 1991-01-31 1992-08-13 Max Planck Gesellschaft Verfahren und einrichtung zur materialbearbeitung durch einen polarisationsmodulierten laserstrahl
JP3293136B2 (ja) * 1993-06-04 2002-06-17 セイコーエプソン株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
KR100265066B1 (ko) * 1997-08-28 2000-09-01 윤종용 비접촉 납땜을 이용한 광부품의 고정장치 및그 방법
US5920668A (en) * 1997-10-24 1999-07-06 Imra America, Inc. Compact fiber laser unit
US6518540B1 (en) * 1998-06-16 2003-02-11 Data Storage Institute Method and apparatus for providing ablation-free laser marking on hard disk media
US6324195B1 (en) * 1999-01-13 2001-11-27 Kaneka Corporation Laser processing of a thin film
JP3945951B2 (ja) * 1999-01-14 2007-07-18 日立ビアメカニクス株式会社 レーザ加工方法およびレーザ加工機
JP2000252574A (ja) 1999-03-03 2000-09-14 Toshiba Corp レーザ光源装置
TW482705B (en) * 1999-05-28 2002-04-11 Electro Scient Ind Inc Beam shaping and projection imaging with solid state UV Gaussian beam to form blind vias
WO2001039920A1 (de) * 1999-11-29 2001-06-07 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung zum bearbeiten von substraten und verfahren unter verwendung einer solchen vorrichtung
US7723642B2 (en) * 1999-12-28 2010-05-25 Gsi Group Corporation Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers
US20040134894A1 (en) * 1999-12-28 2004-07-15 Bo Gu Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers
US7671295B2 (en) * 2000-01-10 2010-03-02 Electro Scientific Industries, Inc. Processing a memory link with a set of at least two laser pulses
US6541731B2 (en) * 2000-01-25 2003-04-01 Aculight Corporation Use of multiple laser sources for rapid, flexible machining and production of vias in multi-layered substrates
DE10006516C2 (de) * 2000-02-15 2002-01-10 Datacard Corp Verfahren zum Bearbeiten von Werkstücken mittels mehrerer Laserstrahlen
WO2001064591A1 (en) * 2000-03-01 2001-09-07 Heraeus Amersil, Inc. Method, apparatus, and article of manufacture for determining an amount of energy needed to bring a quartz workpiece to a fusion weldable condition
JP3522654B2 (ja) * 2000-06-09 2004-04-26 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置及び加工方法
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
US6689985B2 (en) * 2001-01-17 2004-02-10 Orbotech, Ltd. Laser drill for use in electrical circuit fabrication
US6639177B2 (en) * 2001-03-29 2003-10-28 Gsi Lumonics Corporation Method and system for processing one or more microstructures of a multi-material device
US6600132B2 (en) * 2001-07-31 2003-07-29 John James Horsting Method and apparatus to generate orifice disk entry geometry
JP4209615B2 (ja) * 2001-12-28 2009-01-14 株式会社ニデック レーザ加工装置
DE10201476B4 (de) * 2002-01-16 2005-02-24 Siemens Ag Laserbearbeitungsvorrichtung
JP3925209B2 (ja) * 2002-01-21 2007-06-06 日立電線株式会社 導波路の製造方法
EP2216128B1 (en) 2002-03-12 2016-01-27 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
ATE534142T1 (de) 2002-03-12 2011-12-15 Hamamatsu Photonics Kk Verfahren zum auftrennen eines substrats
TWI326626B (en) * 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
JP2004055771A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Nec Lcd Technologies Ltd 半導体薄膜の製造方法及びレーザ照射装置
US20040017431A1 (en) 2002-07-23 2004-01-29 Yosuke Mizuyama Laser processing method and laser processing apparatus using ultra-short pulse laser
TWI221102B (en) 2002-08-30 2004-09-21 Sumitomo Heavy Industries Laser material processing method and processing device
TWI520269B (zh) * 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
JP3822188B2 (ja) * 2002-12-26 2006-09-13 日立ビアメカニクス株式会社 多重ビームレーザ穴あけ加工装置
FR2852250B1 (fr) * 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
US8685838B2 (en) * 2003-03-12 2014-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
US7763179B2 (en) * 2003-03-21 2010-07-27 Digimarc Corporation Color laser engraving and digital watermarking
JP2004337903A (ja) 2003-05-14 2004-12-02 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
WO2005018064A2 (en) * 2003-08-19 2005-02-24 Electro Scientific Industries, Inc Generating sets of tailored laser pulses
JP4601965B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP3708104B2 (ja) 2004-01-13 2005-10-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4348199B2 (ja) * 2004-01-16 2009-10-21 日立ビアメカニクス株式会社 レーザ加工方法およびレーザ加工装置
US7282666B2 (en) * 2004-05-07 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus to increase throughput of processing using pulsed radiation sources
US8148211B2 (en) * 2004-06-18 2012-04-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis delivered simultaneously
US7633034B2 (en) * 2004-06-18 2009-12-15 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure
US7508850B2 (en) * 2004-09-02 2009-03-24 Coherent, Inc. Apparatus for modifying CO2 slab laser pulses
GB0421863D0 (en) * 2004-10-01 2004-11-03 Retainagroup Ltd Apparatus for marking a vehicle
JP4917257B2 (ja) * 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4256840B2 (ja) * 2004-12-24 2009-04-22 株式会社日本製鋼所 レーザ切断方法及びその装置
JP4198123B2 (ja) * 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4822737B2 (ja) * 2005-04-22 2011-11-24 ミヤチテクノス株式会社 レーザ溶接方法及びレーザ溶接装置
JP4838531B2 (ja) * 2005-04-27 2011-12-14 サイバーレーザー株式会社 板状体切断方法並びにレーザ加工装置
JP4776994B2 (ja) * 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4599243B2 (ja) * 2005-07-12 2010-12-15 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US9138913B2 (en) * 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
CN1962154A (zh) * 2005-11-10 2007-05-16 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 模仁加工装置及加工方法
US7728955B2 (en) * 2006-03-21 2010-06-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, radiation supply and device manufacturing method
JP2007268581A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Sunx Ltd レーザ加工装置
JP4977412B2 (ja) * 2006-07-13 2012-07-18 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP4514767B2 (ja) * 2007-03-28 2010-07-28 日立ビアメカニクス株式会社 レーザエネルギ測定装置とレーザ加工装置
JP5010978B2 (ja) * 2007-05-22 2012-08-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5449665B2 (ja) * 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8318536B2 (en) * 2007-12-31 2012-11-27 Intel Corporation Utilizing aperture with phase shift feature in forming microvias
EP2252426A4 (en) * 2008-03-21 2014-08-06 Imra America Inc METHODS AND SYSTEMS FOR LASER MATERIAL PROCESSING
JP5491761B2 (ja) * 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5473414B2 (ja) * 2009-06-10 2014-04-16 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP5410250B2 (ja) * 2009-11-25 2014-02-05 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5670647B2 (ja) * 2010-05-14 2015-02-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5552373B2 (ja) * 2010-06-02 2014-07-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5840215B2 (ja) * 2011-09-16 2016-01-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP6059059B2 (ja) * 2013-03-28 2017-01-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1720117A (zh) * 2002-12-06 2006-01-11 浜松光子学株式会社 激光加工装置及激光加工方法
WO2005099957A2 (en) * 2004-03-31 2005-10-27 Imra America, Inc. Pulsed laser processing with controlled thermal and physical alterations
TW200800456A (en) * 2006-04-27 2008-01-01 Hitachi Shipbuilding Eng Co Laser processing method and laser processing apparatus
CN101293307A (zh) * 2007-04-27 2008-10-29 彩覇阳光株式会社 基于激光的加工方法及激光加工装置
CN101407912A (zh) * 2007-10-08 2009-04-15 无锡浩波光电子有限公司 双束双波长激光三维微熔覆制造混合集成电路基板的设备

Also Published As

Publication number Publication date
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