TWI548318B - Manufacturing method of multilayer printed circuit board - Google Patents

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Seiichiro Ohashi
Eiichi Hayashi
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Ajinomoto Kk
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Description

多層印刷電路板之製造方法
本發明係關於多層印刷電路板之製造方法，特別以使用預浸漬物之組裝方式之多層印刷電路板之製造方法。
先前，於形成多層印刷電路板之絕緣層上使用預浸漬物之情形中，一般經由單片，於內層電路基板上重疊預浸漬物，並且經由熱加壓和真空層合機，予以加壓、加熱則可進行。例如，於專利文獻1中，揭示將玻璃布預浸漬物和銅箔以真空加壓式層合機，經由單片於電路基板上形成絕緣層的方法。但是，隨著近年之電子機器的小型化、薄型化傾向，於多層構造之印刷電路板中，對於微細配線化的要求亦變高，而於應付此要求上，根據半加成法以鍍敷形成導體層，比經由銅箔形成導體層更為有利。又，以單片形成絕緣層，於生產性方面亦不能稱為令人滿足的方法。於專利文獻2中，揭示於纖維布基材中，將脫模薄膜之單面以加成用B階段樹脂組成物附著的薄片，予以層合接著所得之經由附有脫模薄膜之B階段樹脂組成物薄片，製造多層印刷電路板的方法，該方法雖可經由鍍敷形成導體層，但在形成絕緣層時，依舊使用真空加壓裝置，經由單片形成絕緣層，於生產性方面不能稱為令人滿足的方法。使用預浸漬物，形成多層印刷電路板之絕緣層時，欲不經由單片，且，可根據半加成法形成導體層的製法仍未被實 用化。
[專利文獻1]特開2003-332740號公報
[專利文獻2]特開2003-340952號公報
[專利文獻3]特開2005-154727號公報
本發明為以提供以預浸漬物形成多層印刷電路板之絕緣層的情形中，不經由單片，可連續性生產之多層印刷電路板之製造方法為其目的。
多層印刷電路板的製造技術，已知有經由交互重疊絕緣層和導體層之組裝方式的製造方法。又，形成多層印刷電路板之絕緣層的方法，已知經由支持體薄膜上形成熱硬化性樹脂層的接著薄膜，使用自動切片機和真空層合機連續形成絕緣層的方法。此方法因使用接著薄膜而非預浸漬物，故可不經由單片，連續性生產。於該方法中，一般，首先於自動切片機中，由捲成輥狀的接著薄膜，將接著薄膜搬送至電路基板上，令接著薄膜部分熱壓黏後，根據電路基板大小切開，且接著薄膜被暫黏至電路基板。其後，經由真空層合機將接著薄膜層合(積層)至電路基板，將支持體薄膜剝離後，經由熱硬化形成絕緣層。形成絕緣層後根據半加成法，則可以鍍敷形成導體層。
但是，如上述般，機械特性等與接著薄膜大為不同的預浸漬物，其多層印刷電路板的製造技術亦不同，一般經由單片形成絕緣層。又，亦如專利文獻1中所指出般，預浸漬物，一般，被預定使用於以板鏡夾住且加溫加壓予以多層化接著的方法，故將先前的預浸漬物應用於真空層合機的情形中，無法取得僅埋入內層電路基板上之電路凹凸的充分流動性。另一方面，將電路凹凸充分埋入般，確保預浸漬物中所含浸之樹脂組成物的流動性時，因為於真空層合後的熱硬化步驟中，樹脂的流動性變得過大，故引起樹脂的滲出，於絕緣層表面露出玻璃布等之纖維基材等，對於形成絕緣層造成障礙。因此，難於層合步驟和硬化步驟分離的上述方法中應用預浸漬物。例如，於特開2005-154727號公報(專利文獻3)中，揭示具有適於以真空層合機形成多層印刷電路板之絕緣層之熔融黏度值的熱硬化性樹脂組成物，及含浸彼等的預浸漬物，雖然記載該預浸漬物亦同接著薄膜經由真空層合法層合至電路基板後，進行加熱硬化亦可製造，但結果，於實施例中，僅以經由單片，透過脫模薄膜進行真空層合加壓的方法，製造多層印刷電路板。
鑑於此類狀況，本發明者等人致力檢討之結果，發現將支持體薄膜上形成預浸漬物的接著薄片，層合至電路基板後，未剝離支持體薄膜令預浸漬物熱硬化，形成絕緣層之情形中，即使將僅埋入電路凹凸之具有流動性的熱硬化性樹脂組成物使用於預浸漬物中之情形，亦不會於熱硬化步驟由預浸漬物中滲出樹脂，可形成絕緣層。
另一方面，未剝離支持體薄膜並將預浸漬物熱硬化之情形中，難於硬化後剝離支持體薄膜，故必須使用附有脫模層的支持體薄膜，並於硬化後之預浸漬物(絕緣層)與支持體薄膜間透過脫模層則可剝離，但根據本發明者等人之研究，發現於設置脫模層之情形中，以自動切片機，搬送接著片的過程中，於支持體薄膜與預浸漬物間引起剝離，出現難以連續生產的現象。於是，本發明者等人進一步致力檢討之結果，發現於硬化後支持體薄膜可由已硬化之預浸漬物剝離的附脫模層支持體薄膜中，將支持體薄膜由熱硬化前之預浸漬物的剝離強度設定成一定值以上，則可安定地連續生產。
本發明者等人為根據如上之發現而完成本發明。即，本發明為包含以下之內容。
[1]一種多層印刷電路板之製造方法，其特徵為包含
(1)將支持體薄膜上預浸漬物所形成的接著片，由捲繞成輥狀的輥狀接著片搬送接著片，令預浸漬物接觸電路基板的兩面或單面般配置接著片的暫黏準備步驟，
(2)將一部分接著片由支持體薄膜側，以加熱及加壓將接著片部分接著至電路基板後，將接著片根據電路基板的大小以刀片切開，並將接著片暫黏至電路基板的暫黏步驟，
(3)於減壓下，將暫黏的接著片予以加熱及加壓，於電路基板層合接著片的層合步驟，
(4)將預浸漬物熱硬化，形成絕緣層的熱硬化步驟，及
(5)於熱硬化步驟後剝離支持體薄膜的剝離步驟，
[2]如上述[1]記載之方法，其中於接著片中，於支持體薄膜與預浸漬物接觸面側具有脫模層，支持體薄膜由熱硬化前之預浸漬物的剝離強度為以180度剝離強度為1.5gf/50mm以上。
[3]如上述[1]或[2]記載之方法，其中於接著片中，支持體薄膜的厚度為20～50μm及預浸漬物的厚度為20～100μm。
[4]如上述[1]～[3]中任一項記載之方法，其中暫黏準備步驟及暫黏步驟為以自動切片機進行。
[5]如上述[1]～[4]中任一項記載之方法，其中層合步驟為以真空層合機進行。
[6]如上述[1]～[5]中任一項記載之方法，其中接著片為具備保護薄膜/預浸漬物/支持體薄膜的層構成，且於暫黏準備步驟搬送接著片時，一邊將保護薄膜捲繞一邊剝離。
[7]如上述[6]記載之方法，其中接著片中，保護薄膜的厚度為5～30μm。
[8]如上述[1]～[7]中任一項記載之方法，其中於層合步驟中，加熱及加壓為透過彈性材進行。
[9]如上述[8]記載之方法，其中於層合步驟後，進一步包含常壓下，經由金屬板，將接著片加熱及加壓的平滑化步驟。
[10]如上述[1]～[9]中任一項記載之方法，其中進一步包含於絕緣層挖孔的挖孔步驟，將該絕緣層粗化處理的粗化步驟，於經粗化之絕緣層表面經由鍍敷形成導體層的鍍敷步驟，及於導體層形成電路的電路形成步驟。
[11]如上述[1]~[10]中任一項記載之方法，其中於絕緣層挖孔的挖孔步驟，係於熱硬化步驟與剝離步驟之間進行。
[12]如上述[10]或[11]記載之方法，其中挖孔步驟中，軸承孔的形成係由支持體薄膜上照射二氧化碳氣體雷射而進行。
[13]如上述[12]記載之方法，其中二氧化碳氣體雷射之能量為1mJ以上。
[14]如上述[12]記載之方法，其中二氧化碳氣體雷射之能量為1mJ~5mJ。
[15]如上述[1]~[14]中任一項記載之方法，其中支持體薄膜為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。
[16]如上述[1]~[15]中任一項記載之方法，其中預浸漬物為於玻璃布中含浸熱硬化性樹脂組成物的預浸漬物。
若根據本發明之製造方法，則不經由單片，可經由預浸漬物連續製造多層印刷電路板的絕緣層。即，以真空層合機層合接著片，並且以熱硬化形成絕緣層之情形，亦不會因樹脂滲出而露出預浸漬物纖維等之不適，可形成電路凹凸之埋入性優良的絕緣層。又，於自動切片機等中，於支持體薄膜上預浸漬物所形成的接著片，可以捲繞成輥狀之狀態下使用，且於搬送中，支持體薄膜與預浸漬物不會剝離，可連續進行接著片對於電路基板的暫黏。更且，經由組合以半加成法等經塗敷形成導體層的步驟，則可呈現可使用預浸漬物的組裝形式，可提供生產性高之印刷電路板的製造方法。
因為以預浸漬物所形成的絕緣層為機械強度優良，故本發明特別有用於製造省略薄型核心基板和核心基板之無核心基板等之薄型化的多層印刷電路板。
以下，以較佳之實施形態說明本發明。
本發明中的預浸漬物可在片狀纖維基材，含浸熱硬化性樹脂組成物，並且將其加熱及乾燥則可取得。
片狀纖維基材可使用例如，玻璃布、芳醯胺非織布、液晶聚合物非織布等之被常用作為預浸漬物用基材者。特別以玻璃布為佳。又，使用於形成多層印刷電路板之絕緣層之情形中，以厚度為50μm以下的薄型物質為適於使用。
片狀纖維基材的具體例，於玻璃布基材可列舉例如，旭Suebel(股)製之Stail 1027MS(經紗密度75根/25mm、緯絲密度75根/25mm、布質量20g/m2 、厚度19μm)和1037MS(經紗密度70根/25mm、緯紗密度73根/25mm、布質量24g/m2 、厚度28μm)、(股)有澤製作所製之1037MS(經紗密度72根/25mm、緯紗密度69根/25mm、布質量23g/m2 、厚度21μm)、1027NS(經紗密度75根/25mm、緯紗密度75根/25mm、布質量19.5g/m2 、厚度16μm)、1015NS(經紗密度95根/25mm、緯紗密度95根/25mm、布質量17.5g/m2 、厚度15μm)等。
液晶聚合物非織布可列舉(股)Curale製之芳香族聚酯非織布之以熔體流動法的Beculus(目付量6～15g/m2 )和Becutran等。
熱硬化性樹脂組成物若應用於多層印刷電路板的絕緣層，則無特別限定可使用，例如，可使用於環氧樹脂、氰酸鹽酯樹脂、酚樹脂、雙馬來醯亞胺-三樹脂、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸系樹脂、乙烯基苄基樹脂等之熱硬化性樹脂中至少配合其硬化劑的組成物。熱硬化性樹脂以含有環氧樹脂的組成物為佳，例如，含有環氧樹脂、熱硬化性樹脂及硬化劑的組成物為佳。
環氧樹脂可列舉例如，雙酚A型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、含磷之環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、具有丁二烯構造之環氧樹脂、雙酚之二縮水甘油醚化物、萘二醇之二縮水甘油醚化物、酚類之縮水甘油醚化物、及醇類之二縮水甘油醚化物、及此等環氧樹脂的烷基取代體、鹵化物及氫化物等。此些環氧樹脂可使用任何一種或混合使用二種以上亦可。
環氧樹脂，其中，由耐熱性、絕緣信賴性、與金屬膜之密合性的觀點而言，以雙酚A型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、具有丁二烯構造之環氧樹脂為佳。具體而言，可列舉例如，液狀雙酚A型環氧樹脂(Japan Epoxy Resin(股)製「Epicoat 828EL」)、萘型二官能環氧樹脂(大日本油墨化學工業(股)製「HP4032」、「HP4032D」)、萘型四官能環氧樹脂(大日本油墨化學工業(股)製「HP47002」)、萘酚型環氧樹脂(東都化成(股)製「ESN-475V」)、具有丁二烯構造之環氧樹脂(Diacel化學工業(股)製「PB-3600」)、具有聯苯構造之環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC 3000H」、「NC 3000L」、Japan Epoxt Resin(股)製「YX4000」)等。
熱可塑性樹脂為在賦予硬化後組成物之適度可撓性之目的下配合，可列舉例如，苯氧基樹脂、聚乙烯基縮醛樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚碸、聚碸等。其可單獨使用任何一種或併用二種以上亦可。該熱可塑性樹脂之熱硬化性樹脂組成物的不揮發成分為100質量%時，配合0.5～60質量%之比例為佳，且更佳為3～50質量%。
苯氧基樹脂之具體例可列舉例如，東都化成(股)製之FX280、FX293、Japan Epoxy Resin(股)製之YX8100、YL6954、YL6974等。
聚乙烯基縮醛樹脂以聚乙烯基丁縮醛樹脂為佳，且聚乙烯基縮醛樹脂之具體例可列舉電氣化學工業(股)製之電化Butyral 4000-2、5000-A、6000-C、6000-EP、積水化學工業(股)製之Eslec BH系列、BX系列、KS系列、BL系列、BM系列等。
聚醯亞胺之具體例可列舉新日本理化(股)製之聚醯亞胺「Licacoat SN20」及「Licacoat PN20」。又，可列舉二官能性羥基終端聚丁二烯、令二異氰酸酯化合物及四元酸酐反應所得之線狀聚醯亞胺(特開2006-37083號公報記載者)、含有聚矽氧烷骨架之聚醯亞胺(特開2002-12667號公報、特開2000-319386號公報等記載者)等之改性聚醯亞胺。
聚醯胺醯亞胺之具體例可列舉東洋紡績(股)製之聚醯胺醯亞胺「Biromax HR11NN」及「Biromax HR16NN」。又，可列舉日本化成工業(股)製之含有聚矽氧烷骨架之聚醯胺醯亞胺「KS9100」、「KS9300」等之改性聚醯胺醯亞胺。
聚醚碸之具體例可列舉住友化學(股)製之聚醚碸「PES5003P」等。
聚碸之具體例可列舉Solvent Adrvanced Polymers(股)製之聚碸「P1700」、「P3500」等。
硬化劑可列舉例如，胺系硬化劑、胍胺系硬化劑、咪唑系硬化劑、酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、酸酐系硬化劑、或其環氧加成物和微膠囊化之氰酸鹽酯樹脂等。其中，亦以酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、氰酸鹽酯樹脂為佳。另外，於本發明中，硬化劑可為一種或併用二種以上亦可。
酚系硬化劑、萘酚系硬化劑之具體例可列舉例如，MEH-7700、MEH-7810、MEH-7851(明和化學(股)製)、NHN、CBN、GPH(日本化藥(股)製)、SN170、SN180、SN190、SN475、SN485、SN495、SN375、SN395(東都化成(股)製)、LA7052、LA7054、LA3018、LA1356(大日本油墨化學工業(股)製)等。
又，氰酸鹽酯樹脂之具體例可列舉例如，雙酚A二氰酸鹽、聚酚氰酸鹽(低(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸鹽)、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸鹽)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸鹽、六氟雙酚A二氰酸鹽、2,2-雙(4-氰酸鹽)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸鹽苯基甲烷)、雙(4-氰酸鹽-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸鹽苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸鹽苯基)硫醚、雙(4-氰酸鹽苯基)醚等之二官能氰酸鹽樹脂、苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等所衍生之多官能氰酸鹽樹脂、此等氰酸鹽樹脂為經一部分三嗪化之預聚物等。市售之氰酸鹽酯樹脂可列舉苯酚酚醛清漆型多官能氰酸鹽酯樹脂(Ronza Japan(股)製「PT30」、氰酸鹽當量124)和雙酚A二氰酸鹽之一部分或全部經三嗪化之三聚物的預聚物(Ronza Japan(股)製「BA230」、氰酸鹽當量232)等。
熱硬化性樹脂與硬化劑的配合比率可根據熱硬化性樹脂、硬化劑之種類等而適當選擇，例如，熱硬化性樹脂為環氧樹脂時，環氧樹脂與硬化劑的配合比率於酚系硬化劑或萘酚系硬化劑的情形，此些硬化劑之酚性羥基當量相對於環氧樹脂的1環氧當量為0.4～2.0之範圍比率為佳，且以0.5～1.0之範圍比率為更佳。氰酸鹽酯樹脂之情形，氰酸鹽當量相對於1環氧當量為0.3～3.3之範圍比率為佳，且以0.5～2之範圍比率為更佳。
另外，於熱硬化性樹脂組成物中，可進一步配合硬化促進劑。此類硬化促進劑可列舉咪唑系化合物、有機磷系化合物等。具體例可列舉例如，2-甲基咪唑、三苯膦等。使用硬化促進劑時，相對於環氧樹脂使用0.1～3.0質量%之範圍為佳。另外，於環氧樹脂硬化劑使用氰酸鹽酯樹脂之情形中，於縮短硬化時間之目的下，亦可添加以往併用環氧樹脂組成物和氰酸鹽化合物之系中使用作為硬化觸媒的有機金屬化合物。有機金屬化合物可列舉乙醯丙酮酸銅(II)等之有機銅化合物、乙醯丙酮酸鋅(II)等之有機鋅化合物、乙醯丙酮酸鈷(II)、乙醯丙酮酸鈷(III)等之有機鈷化合物等。有機金屬化合物之添加量相對於氰酸鹽酯樹脂，換算金屬通常為10～500ppm、較佳為25～200ppm之範圍。
又，於熱硬化性樹脂組成物中，為了令硬化後之組成物低熱膨脹化，可等有無機塡充劑。無機塡充劑可列舉例如，二氧化矽、氧化鋁、雲母、雲石、矽酸鹽、硫酸鋇、氫氧化鎂、氧化鈦等，且以二氧化矽、氧化鋁為佳，特別以二氧化矽為佳。另外，無機塡充劑由絕緣信賴性的觀點而言，以平均粒徑為3μm以下為佳，且以平粒徑為1.5μm以下為更佳。熱硬化性樹脂組成物中之無機塡充劑含量，於熱硬化性樹脂組成物之不揮發成分視為100質量%時，較佳為20～60質量%，更佳為20～50質量%。
於熱硬化性樹脂組成物中，視需要可配合其他成分。其他成分可列舉例如，有機磷系難燃劑、有機系含氮磷化合物、氮化合物、聚矽氧系難燃劑、金屬氫氧化物等之難燃劑、矽粉、尼龍粉、氟粉等之有機塡充劑、Orben、膨潤土等之增黏劑、聚矽氧系、氟系、高分子系之消泡劑或勻塗劑、咪唑系、噻唑系、三唑系、矽烷系偶合劑等之密合性賦予劑、酞菁藍、酞菁綠、碘綠、重氮黃、碳黑等之著色劑等。
預浸漬物可根據公知的熱熔融法、溶劑法等進行製造。熱熔融法為將樹脂組成物不溶解於有機溶劑，並將樹脂組成物暫時塗敷至與樹脂組成物之剝離性良好的脫模紙，且將其層合、或以型板塗敷器直接塗佈至片狀纖維基材，製造預浸漬物的方法。又，溶劑法為在樹脂組成物溶解於有機溶劑之樹脂組成物清漆中，浸漬片狀纖維基材，令樹脂組成物清漆含浸於片狀纖維基材，其後乾燥的方法。又，將支持體薄膜上層合之熱硬化性樹脂組成物所構成的接著薄膜，由片狀纖維基材兩面於加熱、加壓條件下，連續進行熱層合則亦可調製。調製清漆時的有機溶劑可列舉，例如，丙酮、甲基乙基酮、環己酮等之酮類、醋酸乙酯、醋酸丁酯、纖維素醋酸酯、丙二醇單甲醚醋酸酯、卡必醇醋酸酯等之醋酸酯類、溶纖劑、丁基卡必醇等之卡必醇類，甲苯、二甲苯等之芳香族烴類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮等。有機溶劑可為一種或組合使用二種以上。
乾燥條件雖無特別限定，但使用於層合電路基板之情形等，為了保持預浸漬物的接黏能力，於乾燥時重要為儘可能令熱硬化性樹脂組成物的硬化不會進行。又，若於預浸漬物內殘留許多有機溶劑，則於硬化後變成膨脹之原因，故有機溶劑於熱硬化性樹脂組成物中的含有比例通常為5質量%以下，較佳為2質量%以下般被乾燥。具體的乾燥條件亦根據熱硬化性樹脂組成物之硬化性和清漆中之有機溶劑量而異，例如於含有30～60質量%之有機溶劑的清漆中，通常於80～180℃下乾燥3～13分鐘左右。業者可根據簡單之實驗適當設定合適的乾燥條件。
於本發明中於支持體薄膜上形成預浸漬物之接著片的調製方法，可列舉例如，將預浸漬物及支持體搬送至輥式層合裝置，並以金屬輥或彈性材輥，將支持體薄膜的預浸漬物連續性加壓、加熱予以層合的方法。又，調製具有保護薄膜之接著片時，將預浸漬物、支持體及保護薄膜，以預浸漬物之單面接觸支持體薄膜、另一單面接觸保護薄膜般，於輥式層合裝置中搬送，並由支持體薄膜及保護薄膜兩者面，以金屬輥或彈性材輥予以加壓、加熱進行層合的方法。層合後，將所得之接著片捲繞成輥狀，調製輥狀的接著片。又，此些接著片的調製為於製造預浸漬物之步驟後連續進行，則可有效率製造。例如，將捲成輥狀的片狀纖維基材以輥連續搬送，於熱硬化性樹脂組成物之清漆中進行含浸及乾燥後，可就其原樣移送至接著片的調製步驟。
支持體薄膜可適當使用塑膠薄膜。塑膠薄膜可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(以下簡稱為「PET」)、聚萘甲酸乙二酯(以下簡稱為「PEN」)等之聚酯、聚碳酸酯(以下簡稱為「PC」)、丙烯基(PMMA)、環狀聚烯烴、三乙醯纖維素(TAC)、聚硫醚(PES)、聚醚酮、聚醯亞胺等。其中亦以聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘甲酸乙二酯薄膜為佳，特別以廉價之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜為佳。支持體薄膜亦可於預浸漬物側面施以無光處理、光暈處理。預浸漬物熱硬化後，為了可剝離支持體薄膜，以使用支持體薄膜與預浸漬物接觸面側具有脫模層之附脫模層的支持體薄膜，作為支持體薄膜為佳。
另外，使用附脫模層之支持體薄膜時，於自動切片機，搬送接著片之過程中，於支持體薄膜與預浸漬物間易引起剝離(浮起)。發生剝離之情形，於其後之層合步驟中於支持體薄膜上產生皺摺，並於預浸漬物中加入空隙等不適。為了抑制此類剝離，重要為令預浸漬物熱硬化後可剝離支持體薄膜，另一方面，支持體薄膜由熱硬化前之預浸漬物之剝離強度以180度剝離強度為1.5gf/50mm以上。此類剝離強度(180度剝離強度)為1.6gf/50mm以上為更佳，更且為1.7gf/50mm以上為更佳。此類剝離強度的上限並無特別限定，於接著片中，若於預浸漬物熱硬化後可剝離支持體薄膜，則一般而言認為集中至5gf/50mm以下之範圍。
附脫模層之支持體薄膜的脫模層所使用的脫模劑，若於預浸漬物熱硬化後可剝離支持體薄膜，且預浸漬物熱硬化前之支持體薄膜的180度剝離強度為1.5gf/50mm以上，則無特別限定，較佳者可列舉例如，醇酸樹脂系脫模劑等。另外，脫模層所常用之聚矽氧系模脫劑，一般為脫模性優良，使用將其作為主成分之脫模層時，難令預浸漬物熱硬化前之支持體薄膜的剝離強度以180度剝離強度為1.5gf/50mm上。但，經由配合甲基纖維素、乙基纖維素、乙醯纖維素等之纖維素衍生物和醇酸樹脂等，則可控制聚矽氧系脫模劑的脫模性，故經由此類脫模性的控制，則亦可調製成預浸漬物之熱硬化前及支持體薄膜之180度剝離強度為1.5gf/50mm以上的脫模層。
另外，附脫模層之支持體薄膜中的脫模層厚度一般為0.01～1μm左右，較佳為0.01～0.2μm。
又，於本發明中，附脫模層之支持體薄膜可使用市售品，可列舉例如，具有以醇酸樹脂系脫模劑作為主成分之脫模層的PET薄膜，Lintech(股)製之SK-1、AL-5、AL-7等。
上述剝離強度(即，預浸漬物熱硬化前之支持體薄膜與預浸漬物間的剝離強度)為支持體薄膜之厚度愈大則有愈增大之傾向。但是，若支持體薄膜的厚度過大，則於自動切片機中因真空吸黏令薄膜搬送變為困難等，難以連續生產的傾向。又，支持體薄膜的厚度若過小，則剝離強度有變得過小的傾向，引起暫黏之接著片捲成輥狀(彎曲)之現象等，難以連續生產的傾向。因此，於本發明中，支持體薄膜之厚度為20～50μm之範圍為佳，且以20～45μm之範圍為更佳，以23～40μm之範圍為特佳。另外，本發明中支持體薄膜之厚度，於支持體為具有脫模層時，係包含該脫模層的厚度。
預浸漬物之熱硬化前之支持體薄膜與預浸漬物間的剝離強度(180度剝離強度)的測定可根據下列方法進行。將接著片切成50mm寬。另外，於存在保護薄膜之情形中將其剝離。其次，將預浸漬物側以兩面膠帶接黏至補強板，並以拉伸試驗機測定支持體薄膜以180度方向拉剝時的剝離強度。拉伸試驗機可列舉例如，(股)島津製所製之Autograph AGS-J系列等。拉剝速度例如採用200mm/分鐘。
於本發明中，預浸漬物的厚度為20～100μm為佳。預浸漬物的厚度若未達20μm，則具有難以平坦層合至電路基板的傾向，若超過100μm，則多層印刷電路板的薄型化不佳，於自動切片機中因真空吸黏令薄膜搬送亦有變為困難之傾向。
本發明中之接著片具有保護薄膜為佳。即，接著片具有保護薄膜/預浸漬物/支持體薄膜之層構成為佳。保護薄膜具有在安裝附有支持體薄膜之預浸漬物至自動切片機時，保護預浸漬物表面免受物理性損傷、或防止塵埃等異物附著等優點。保護薄膜可列舉聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯等之聚烯烴、PET、PEN等之聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚醯亞胺等。另外，保護薄膜亦與支持體薄膜同樣，除了無光處理、光暈處理以外，亦可施以脫模處理。保護薄膜之厚度為5～30μm之範圍為佳。若未達5μm，則因易薄延伸，故於製造時有難以良好密黏貼合至預浸漬物表面的傾向，若超過30μm，則於費用上不利且為不佳。
說明關於本發明之暫黏準備步驟及暫黏步驟。於暫黏準備步驟中，首先將預先切成電路基板寬的輥狀接著片，安裝至自動切片機。於電路兩面層合之情形，係將輥狀接著片上下安裝2片，於僅單面層合之情形，係安裝1片。接著片為具有保護薄膜之情形，一邊以輥捲取該保護薄膜一邊由預浸漬物面剝離。接著片的搬送為由支持體薄膜側，以真空吸黏吸附固定接著片後，機械性進行。搬送接著片，令支持體薄膜為外側般，即，預浸漬物面為接觸配置至電路基板的兩面或單面。於暫黏步驟中，例如，於基板搬送方向前方一部分、未重疊必須層合電路的不要部分中，將接著片的一部分由支持體薄膜側進行加熱及加壓，令接著片部分接著至電路基板。接著條件亦根據預浸漬物中所使用之熱硬化性樹脂組成物和其熔融黏度特性而異，通常以60～130℃之溫度下，壓黏1～10秒左右。其後，接著片為與電路基板同時被搬送，以切片根據基板大小切出接著片，令接著片暫黏至電路基板。切開時，於減低發生樹脂組成物之切渣(樹脂片)的目的下，設置以40～80℃範圍加溫的切斷支援加熱器為佳。
本發明中之暫黏準備步驟及暫黏步驟為以市售之自動切片機連續進行。市售之自動切片機可列舉伯東(股)製乾膜層合器Mach系列、新榮機工(股)Autocutter FAC-500、SAC-500/600等。
其次說明層合步驟。將暫黏至電路基板的接著片，於減壓下，加熱及加壓，將接著片層合至電路基板。於層合步驟中，加熱及加壓為由支持體薄膜側，將已加熱之SUS鏡板等之金屬板予以加壓則可進行，但以不直接加壓金屬板，且接著片可充分追隨電路基板之電路凹凸般，透過耐熱橡膠等之彈性材料進行加壓為佳。加壓溫度較佳為70～140℃、壓力較佳為1～11kgf/cm2 (9.8×104 ～107.9×104 N/m2 )之範圍進行。空氣壓較佳以20mmHg(26.7hPa)以下之減壓下進行。層合步驟後，較佳以金屬板予以熱加壓，則可進行層合之接著片的平滑化。該平滑化步驟為於常壓下(大氣壓下)，經由已加熱之SUS鏡板等之金屬板，將接著片加熱及加壓則可進行。加熱及加壓條件可使用與上述層合步驟同樣之條件。
本發明中的層合步驟及平滑化步驟可經由市售之真空層合器連續進行。市售之真空層合器可列舉例如，(股)名機製作所製之真空加壓式層合器，Nichigo Moton(股)製Vacuum Applicator等。
層合步驟後，或平滑化步驟後，進行熱硬化步驟。於熱硬化步驟中，將預浸漬物熱硬化，並形成絕緣層。熱硬化條件亦根據熱硬化性樹脂組成物之種類等而異，一般硬化溫度為170～190℃左右、硬化時間為15～60分鐘左右。
於本發明之多層印刷電路板的製造方法中，進一步包含由熱硬化之預浸漬物(絕緣層)剝離支持體薄膜的步驟。支持體薄膜的剝離可以手動剝離，且亦可經由自動剝離裝置予以機械性剝離。
於本發明之多層印刷電路板的製造方法中，亦可進一步包含於絕緣層挖孔的挖孔步驟、將該絕緣層粗化處理的粗化步驟、於已粗化之絕緣層表面經鍍敷形成導體層的鍍敷步驟，及於導體層形成電路的電路形成步驟。此些步驟為業者公知的。可根據多層印刷電路板製造中所用的各種方法進行。
挖孔步驟為例如於絕緣層，經由鑽孔機、二氧化碳氣體雷射、YAG雷射等之雷射、電漿等形成軸承孔(隱蔽軸承blind bear)、貫穿孔(貫通孔)等之孔則可進行。隱蔽軸承為於高密度配線中以雷射形成為佳。但，UV-YAG雷射為玻璃布的加工性良好，但由費用和加工速度的觀點而言，不一定令人滿足。另一方面，二氧化碳氣體雷射為於加工速度和費用方面比UV-YAG雷射更優良，但加工性不良。例如，對預浸漬物照射二氧化碳氣體雷射形成隱蔽軸承等之情形中，由於玻璃布與熱硬化性樹脂的加工性不同，故玻璃布由隱蔽軸承側壁突出，產生壁面的凹面變大的現象。此類隱蔽軸承側面的凹凸成為令導通信賴性降低的要因，特別於孔徑為100μm以下之高密度印刷電路板中，成為顯著的問題。另一方面，為了提高玻璃布的加工性而提高二氧化碳氣體雷射的能量時，絕緣層表面的損傷變大，且孔表面的孔徑(軸承頂部徑)被加工成大孔徑，且孔周邊的絕緣層表面凹凸變大，不適於微細配線化。相對地，將支持體薄膜上形成預浸漬物的接著片層合至電路基板後，不剝離支持體薄膜令預浸漬物熱硬化形成絕緣層，並由該支持體薄膜上照射二氧化碳氣體雷射，形成隱蔽軸承(軸承孔)之情形中，即使照射高能量的二氧化碳氣體雷射時，亦可抑制絕緣層表面的損傷，玻璃布被良好加工。因此，隱蔽軸承的形成，於熱硬化步驟與剝離步驟之間進行為佳，將預浸漬物熱硬化形成絕緣層後，由支持體薄膜上照射二氧化碳氣體雷射並形成隱蔽軸承為佳。又，支持體薄膜為如上述般，以塑膠薄膜為佳，特別以聚對苯二甲酸乙二酯薄膜為佳。另外，使用不存在纖維基材的接著薄膜形成絕緣層時，因可以較低能量進行加工，故不會發生此類問題。
二氧化碳氣體雷射一般使用9.3～10.6μm之波長。二氧化碳氣體雷射之能量為1mJ以上為佳。若能量過低，則因纖維基材的加工性降低，使得纖維基材由孔側壁突出，且壁面之凹凸變大的傾向顯著。又，因減少射擊數故加工速度亦難提高。能量的上限若過高，則隱蔽軸承的頭道導電層受到損害，故自行決定。雖然亦根據射擊數和隱蔽軸承的深度等而異，但一般為5mJ以下、較佳為4.5mJ以下，更佳為4mJ以下，尤佳為3.5mJ以下。
又，射擊數雖亦根據隱蔽軸承的深度、孔徑而異，但通常於1～10次射擊間選擇。於加速加工速度上，以射擊數較少者為佳，若採用高能量值，則於隱蔽軸承之情形以1～2次射擊加工亦可，可大為提高多層印刷電路板的生產性。因此，由加工速度的觀點而言，二氧化碳氣體雷射的能量為1.5mJ以上為更佳，且以2mJ以上為再佳。以複數之射擊加工時，因連續射擊的爆發型式於孔內引起加工熱，故易發生纖維基材與熱硬化性樹脂組成物的加工性差異，孔側壁的凹凸有變大的傾向，故以具有時間間隔之複數射擊的循環型式為佳。
二氧化碳氣體雷射的脈衝寬度並無特別限定，可由28μs之中程範圍至4μs左右之短脈衝為止之廣泛範圍中選擇。
另外，所謂二氧化碳氣體雷射的能量，係指每1射擊之絕緣層表面的雷射能量值，於二氧化碳氣體雷射裝置中，可經由振動機的輸出功率，瞄準透鏡(調整能量用透鏡)、光罩徑等而加以調整。另外，光罩徑為根據加工之隱蔽軸承徑而選擇。能量值為於進行雷射加工之座台上，放置測定器(功率感應器)，經由實測加工電路基板之絕緣層表面高度中的能量則可測定。另外，於市售之二氧化碳氣體雷射裝置中裝備測定裝置，則可輕易測定照射對象表面的能量。市售之二氧化碳氣體雷射裝置可列舉例如，三菱電機(股)之ML605GTWII、日立Bear Mechanic(股)之LC-G系列、松下溶接系統(股)之基板挖孔雷射加工機等。
視需要，亦可於已形成絕緣層的電路基板形成貫穿孔。可使用先前公知之方法形成貫穿孔。於多層印刷電路板中，一般於核心基板進行形成貫穿孔，已被組裝的絕緣層一般為以隱蔽軸承進行導通。又，一般使用機械鑽孔機形成貫穿孔。以雷射於核心基板形成貫穿孔的方法亦為已知，此時，因銅箔反射雷射，故通常使用將銅箔表面予以化學性加工後，照射雷射的方法。又，將含有提高雷射能量吸收成分的挖孔用輔助片設置於銅箔表面，並進行雷射照射的方法亦為已知。以二氧化碳氣體雷射形成貫穿孔時，必須更大的能量，雖然亦根據銅箔和核心基板的厚度而異，但可採用例如10～60mJ的能量。於薄型的電路基板中，亦考慮例如如本發明中形成隱蔽軸承般，由密黏至絕緣層表面的支持體薄膜上，照射二氧化碳氣體雷射，形成貫穿孔等，由已組裝的絕緣層上經由雷射形成貫穿孔。
於本發明之多層印刷電路板的製造方法中，進一步包含由已熱硬化之預浸漬物(絕緣層)，剝離支持體薄膜的剝離步驟。支持體薄膜的剝離可為手動剝離，且亦可經由自動剝離裝置予以機械性剝離。支持體薄膜的剝離為於形成隱蔽軸承後進行為佳。又，形成貫穿孔時，於形成隱蔽軸承後、或形成隱蔽軸承和貫穿孔後進行為佳。
粗化步驟為例如以鹼性過錳酸水溶液等之氧化劑，處理絕緣層表面則可進行。該粗化步驟有時為兼具軸承孔、貫穿孔等之孔的去污步驟。於鹼性過錳酸水溶液前以泡脹液進行泡脹處理為佳。於泡脹泡，可列舉例如，Atotech Japan股份有限公司製之Swelling Dip Securiganth P，Swelling Dip Securiganth SBU等。泡脹處理通常於加熱至60～80℃左右之泡脹液中將絕緣層處理5～10分鐘左右則可進行。鹼性過錳酸水溶液可列舉例如，於氫氧化鈉水溶液中溶解過錳酸鉀和過錳酸鈉的溶液。以鹼性過錳酸水溶液的粗化處理通常以60～80℃，進行10～30分鐘左右。鹼性過錳酸水溶液可列舉市售品Atotech Japan(股)製之Concentrate Compact CP、Dozing Solution Securiganth P等。又，氧化劑(鹼性過錳酸水溶液)處理後，以還原劑進行中和處理為佳，此類還原劑(中和液)可列舉例如，Atotech Japan(股)製之Reduction Solution Securiganth P。中和處理通常於加熱至25～60℃左右之中和液中進行2～7分鐘。
鍍敷步驟為例如對於因粗化處理形成凹凸固定物(anchor)的絕緣層表面，以組合無電解鍍敷和電解鍍敷之方法形成導體層則可進行。導體層以鍍銅層為佳。鍍銅層為組合無電解鍍銅和電解鍍銅的方法，或形成與導電體相反圖型的鍍敷光阻，並僅以無電解鍍銅形成導體層。無電解鍍敷層的厚度較佳為0.1～3μm、更佳為0.3～2μm。另一方面，電解鍍敷層的厚度與無電解鍍敷層的厚度之合計厚度較佳為3～35μm、更佳為5～20μm之厚度。另外，形成導體層後，以150～200℃退火處理20～90分鐘，則可進一步提高導體層的剝離強度，且安定化。
形成電路步驟可例如使用減去法(Substractive)、半加成法(Semi-additive)等。於形成細線上，以半加成法為佳，且於無電解鍍敷層上施以圖型光阻，形成所欲厚度之電解鍍敷層(圖型鍍敷層)後，剝離圖型光阻，並以沖洗蝕刻除去無電解鍍敷層，則可形成電路。
製造本發明之多層印刷電路板所用的電路基板，主要係指玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板等之基板的單面或兩面形成已加工圖型的導體層(電路)者。又，製造多層印刷電路板時，進一步形成絕緣層及/或導體層之中間製造物的內層電路基板，亦被包含於本發明所謂的電路基板。另外，導體電路層表面經由黑化處理預先施以粗化處理者，就絕緣層對於電路基板的密合性觀點而言為佳。
以下，示出實施例及比較例更加具體說明本發明。另外，於下列記載中的「份」為意指「質量份」。
[實施例1]
將液狀雙酚A型環氧樹脂(環氧當量180，Japun Epoxy Resin(股)製「Epicoat 828EL」)28份、與萘型四官能環氧樹脂(環氧當量163，大日本油墨化學工業(股)製「HP4700」)28份於甲基乙基酮15份、環己酮15份之混合液中一邊攪拌一邊加熱溶解。於其中，混合萘酚系硬化劑(東都化成(股)製「SN-485」、酚性羥基當量215)之固形成分50%的甲基乙基酮溶液110份、硬化觸媒(四國化成工業(股)製、「2E4MZ」)0.1份、球形二氧化矽(平均粒徑0.5μm、「SO-C2」Adomatex公司製)70份、聚乙烯基丁縮醛樹脂溶液(積水化學工業(股)製「KS-1」之固形成分15%的乙醇與甲苯的1：1溶液)30份，並以高速迴轉混合器均勻分散，調整熱硬化性樹脂組成物清漆。
將該清漆，含浸於厚度19μm之玻璃布(旭Suebel(股)製1027MS)，並以80～120℃乾燥6分鐘，取得厚度50μm的預浸漬物(殘留溶劑量為不含有玻璃布之熱硬化性樹脂組成物中1wt%)。將來自預浸漬物單側之表1記載之厚度25μm的附脫模層PET(Lintech(股)製AL5：醇酸樹脂系脫模劑)、與來自另一側之厚度16μm之聚丙烯保護薄膜予以熱層合，並捲成輥狀。其後，以寬335mm切開，取得捲成50公尺之輥狀接著片2捲。其後，安裝至新榮機工股份有限公司製Autocutter FAC-500，對於已形成電路(電路導體厚18μm)之厚度0.2mm的貼銅層合板進行暫黏試驗。暫黏的溫度為以100℃進行3秒鐘。
對於良好進行暫黏者，以(股)名機製作所製真空層合器，以溫度120℃，壓力7kgf/cm2 ，氣壓5mmHg以下之條件層合至層合板的兩面，再以連續性溫度120℃、壓力5kgf/cm2 ，大氣壓之條件以SUS鏡板進行熱加壓。其次以附PET薄膜之狀態於180℃、熱硬化30分鐘，並於基板兩面形成絕緣層。其後，以手動剝離評價PET薄膜的剝離性良否。
[支持體薄膜與預浸漬物(熱硬化前)之剝離強度的測定]
支持體薄膜與預浸漬物的剝離強度，係將接著片以50mm寬度切開，剝離保護薄膜後，以兩面膠帶將預浸漬物接著至補強板，並以180度方向拉剝支持體薄膜時之以拉伸試驗機所測定的剝離強度。表中之值為3次測定之平均值。拉伸試驗機為使用(股)島津製作所製之Autograph AGS-500，並以拉剝速度200mm/分鐘測定。
[實施例2]
除了以表1記載之厚度38μm之附脫模層的PET(Lintech(股)製AL5：醇酸樹脂系脫模劑)進行以外，進行與實施例1同樣之操作，並且進行與實施例1同樣之評價。
<比較例1>
除了以表1記載之厚度16μm之附脫模層的PET(Lintech(股)製AL5：醇酸樹脂系脫模劑)進行以外，進行與實施例1同樣之操作，並且進行與實施例1同樣之評價。
表1中之支持體薄膜與預浸漬物的剝離強度(gf/50mm)為預浸漬物熱硬化前的剝離強度。
表1中，支持體薄膜與預浸漬物間之剝離(浮起)的評價，係將捲成輥狀的接著片拉引約1公尺時，以自視觀察該接著片之長邊兩端1公分部分是否有支持薄膜剝離則可進行評價。全部區域於支持體薄膜與預浸漬物間未發生剝離及浮起者視為合格(○)，發生剝離及浮起者視為不可(×)。
又，暫黏後之預浸漬物的彎曲評價，係將捲成輥狀的接著片拉引以50公分之長度切斷，並以支持薄膜為上側放置於平坦機上，將另一前端部的邊固定於機上，測定反側前端部的邊因捲曲而縮短的長度則可進行評價。縮短長度(彎曲量)為5公分以下之情形視為合格(○)，超過5公分之情形視為不可(×)。
又，以自動切片機傳送薄膜的評價，係將該捲成輥狀的接著片設置於「SAC-500(新榮機工(股)製Autocutter)」，並於該裝置內，由輥所送出的接著片經由自動切片機部分，搬送至暫黏步驟為止的步驟，於支持體薄膜與預浸漬物間，以目視觀察全面是否發生剝離(浮起)則可進行評價。全面無剝離者(無浮起者)視為合格(○)，有剝離者(有浮起者)視為不可(×)。
又，熱硬化後之支持體薄膜的剝離評價，係將暫黏接著片的基板，通過(股)名機製作所製真空層合機，將接著片層合至基板，再將此基板以「SPHH-101(ESPEC公司製Gear Oven)」，以180℃加熱30分鐘，進行接著片之硬化，並以目視觀察硬化後之支持體薄膜的狀態則可進行評價。即使硬化後支持體薄膜亦接著至預浸漬物表面者視為合格(○)，支持體薄膜由預浸漬物表面剝離者視為不可(×)。另外，比較例1之熱硬化後之支持體薄膜的剝離評價為(-)，係意指其在硬化前的階段發生浮起，無法評價熱硬化後之支持體薄膜的剝離。
[實施例3] 多層印刷電路板之製造
將實施例2所得之附支持體薄膜之預浸漬物的暫黏基板，以(股)名機製作所製真空層合機，於溫度120℃、壓力7kgf/cm2 、氣壓5mmHg以下之條件層合兩面，再以連續性溫度120℃、壓力5kgf/cm2 之條件以SUS鏡板進行熱加壓。其次以附有脫模PET薄膜之狀態於180℃加熱30分鐘，令預浸漬物熱硬化，於基板兩面形成絕緣層。其後，將脫膜PET薄膜剝離，並以雷射進行開孔，形成軸承孔，兼具去污步驟之絕緣層的表面處理步驟，係使用Atotech Japan公司製之下列藥液。
氧化劑「Concentrate Compact CP」(過錳酸鹼溶液)
還原劑「Reduction solution Secutiganth P-500」
將絕緣層於溫度80℃下以10分鐘氧化劑溶液進行表面處理。其次，於溫度40℃下以5分鐘還原劑溶液進行中和處理。其次於絕緣層表面進行賦予無電解鍍銅的觸媒後，進行無電解及電解鍍敷，將最外層的銅經由蝕刻形成電路，取得4層印刷電路板。其後，再以180℃進行30分鐘退火處理。所得導體層之導體鍍敷厚度為約30μm，剝離強度為0.8kgf/cm。剝離強度為根據日本工業規格(JIS)C6481評價測定。所得之多層印刷電路板即使以255℃×15分鐘烘烤亦不會彎曲。
<比較例2>
同實施例3進行層合及熱加壓後，剝離脫模PET薄膜，並於180℃過熱30分鐘，令預浸漬物熱硬化。於熱硬化後之樹脂表面沿著玻璃布的縫孔而發生凹凸(3μm左右)，無法使用於其後之評價。另外，實施例3的樹脂表面為同支持體薄膜的平坦面，其凹凸於電路上亦為良好至1μm左右。表面平坦性為使用非接觸型表面粗度計(Veeko Instrurments公司製WYKO NT3300)，以VSI接觸型式，10倍透鏡之測定範圍為1.2mm角，以絕緣層表面之Rt值(Peak-to-valley)評價凹凸。
[實施例4]
將實施例1所得之樹脂清漆，含浸於厚度16μm之玻璃布(股)有澤製作所製1027NS)，並以80～120℃乾燥6分鐘取得厚度50μm的預浸漬物(殘留溶劑量為不含玻璃布之熱硬化性樹脂組成物中1wt%)。其次，將來自該預浸漬物單側之38μm的脫模PET薄膜(Lintech(股)製AL5：醇酸樹脂系脫模劑)、與來自反側之厚度16μm的聚丙烯保護薄膜予以熱層合，捲成輥狀。其後，以寬335mm切開取附有輥狀塑膠薄膜的預浸漬物。其後，將附有塑膠薄膜之預浸漬物以500mm之長度切開，暫黏至已形成電路(電路導體層18μm)之510mm×340mm大小、厚度0.2mm之貼銅層合板兩面，並以(股)名機製作所製真空層合機，以溫度120℃、壓力7kgf/cm2 、氣壓5mmHg以下之條件層合至兩面，再以連續性溫度120℃、壓力5kgf/cm2 之條件以SUS鏡板進行熱加壓。其次以附有脫模PET薄膜之狀態於180℃、30分鐘之條件下熱硬化，於電路基板兩面形成絕緣層。
冷卻至室溫後，未剝離脫模PET薄膜，由其上以三菱電機(股)製二氧化碳氣體雷射(ML605GTWII-P)，以圖1之實施例4欄中記載之條件進行挖孔形成複數的隱蔽軸承(假設頂部徑70μm)。另外，為了令假設頂部徑70μm與比較例相同，令光罩徑為相對於後述比較例之脫模PET薄膜無挖孔時之1.0mm若干大至1.1mm。
其後，以掃描型電子顯微鏡(SEM)((股)日本High Technology製，型式「SU-1500」)進行隱蔽軸承的觀察，並且進行雷射加工性的評價。又，於兼具絕緣層之粗化處理步驟的去污步驟後，亦以掃描型電子顯微鏡(SEM)進行隱蔽軸承的觀察。粗化處理步驟為使用Atotech公司之粗化液(Swelling Securiganth P(泡脹)、Concentrate Compact P(氧化)、Reduction Solution Securiganth P(中和)，通過泡脹60℃×5分鐘、氧化80℃×20分鐘、中和40℃×5分鐘之步驟進行。
[實施例5]
除了以圖1之實施例5欄記載之條件進行挖孔以外，進行與實施例4同樣之操作，並且進行與實施例4同樣之評價。
[實施例6]
除了以圖1之實施例6欄記載之條件進行挖孔以外，進行與實施例4同樣之操作，並且進行與實施例4同樣之評價。
<比較例3～5>
將實施例4所製作之兩面形成絕緣層的電路基板，冷卻至室溫後，將脫模PET薄膜剝離後，以三菱電機(股)製二氧化碳氣體雷射(ML605GTWII-P)，以圖2(比較例3～5)記載之條件進行挖孔(光罩徑1.0mm)。其他為進行與實施例4同樣之操作，並且進行與實施例4同樣之評價。
結果示於圖1及圖2。SEM照片為以玻璃布密度高處為代表揭載。
如圖1所示般，由支持體薄膜上以二氧化碳氣體雷射所形成的隱蔽軸承，均為軸承的正圓度優良，且即使以超過1mJ的高能量亦為樹脂損傷少，去污後，於軸承周邊絕緣層亦為均為的粗面。又，於使用高能量下，即使減少射擊數亦可進行軸承加工，可知本發明之方法為適於令軸承形成高速化的形成孔方法。
另一方面，將支持體薄膜剝離後，對絕緣層直接照射二氧化碳氣體雷射形成隱蔽軸承的圖2可知，能量低的比較例3、4為加工性降低，且玻璃布的突出變得顯著。又，比較例5為能量較高至1mJ，雖較可抑制玻璃布突出，但軸承的正圓度差，軸承周邊絕緣層表面的樹脂損傷亦大，故去污後軸承頂部徑的變寬顯著。
本案為以日本申請之特願2007-235621及特願2007-239671為基礎，其內含全部被包含於本說明書。
圖1為包含示出實施例4～6結果之掃描型電子顯微鏡(SEM)的照片圖。
圖2為包含示出比較例3～5結果之掃描型電子顯微鏡(SEM)的照片圖。

Claims (30)

  1. 一種多層印刷電路板之製造方法，其特徵為包含(1)將支持體薄膜上預浸漬物所形成的接著片，由捲繞成輥狀的輥狀接著片搬送接著片，令預浸漬物面接觸電路基板的兩面或單面般配置接著片的暫黏準備步驟，(2)將一部分接著片由支持體薄膜側，以加熱及加壓將接著片部分接著至電路基板後，將接著片根據電路基板的大小以刀片切開，並將接著片暫黏至電路基板的暫黏步驟，(3)於減壓下，將暫黏的接著片予以加熱及加壓，於電路基板層合接著片的層合步驟，(4)將預浸漬物熱硬化，形成絕緣層的熱硬化步驟，及(5)於熱硬化步驟後剝離支持體薄膜的剝離步驟；前述接著片為具備保護薄膜/預浸漬物/支持體薄膜的層構成，且於前述暫黏準備步驟搬送接著片時，一邊將保護薄膜捲繞一邊剝離。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中於接著片中，於支持體薄膜與預浸漬物接觸面側具有脫模層。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中於接著片中，於支持體薄膜與預浸漬物接觸面側具有脫模層，支持體薄膜由熱硬化前之預浸漬物的剝離強度為以180度剝離強度為1.5gf/50mm以上。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中於接著片中，於支持體薄膜與預浸漬物接觸面側具有脫模層，支持體薄膜由熱硬化前之預浸漬物的剝離強度為以180度剝離強度 為1.5gf/50mm以上且5gf/50mm以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中於接著片中，於支持體薄膜與預浸漬物接觸面側具有醇酸樹脂系脫模層。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中於接著片中，支持體薄膜的厚度為20~50μm及預浸漬物的厚度為20~100μm。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中暫黏準備步驟及暫黏步驟為以自動切片機進行。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中層合步驟為以真空層合機進行。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中接著片中，保護薄膜的厚度為5~30μm。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中於層合步驟中，加熱及加壓為透過彈性材進行。
  11. 如申請專利範圍第10項之方法，其中於層合步驟後，進一步包含常壓下，經由金屬板，將接著片加熱及加壓的平滑化步驟。
  12. 如申請專利範圍第1項~第11項中任一項之方法，其中進一步包含於絕緣層挖孔的挖孔步驟，將該絕緣層粗化處理的粗化步驟，於經粗化之絕緣層表面經由鍍敷形成導體層的鍍敷步驟，及於導體層形成電路的電路形成步驟。
  13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中於絕緣層挖 孔的挖孔步驟，係於熱硬化步驟與剝離步驟之間進行。
  14. 如申請專利範圍第12項之方法，其中挖孔步驟中，通孔的形成係由支持體薄膜上照射二氧化碳雷射而進行。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中二氧化碳雷射之能量為1mJ以上。
  16. 如申請專利範圍第14項之方法，其中二氧化碳雷射之能量為1mJ~5mJ。
  17. 如申請專利範圍第14項之方法，其中支持體薄膜為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。
  18. 如申請專利範圍第1項之方法，其中預浸漬物為於玻璃布中含浸熱硬化性樹脂組成物的預浸漬物。
  19. 一種輥狀接著片，其係支持體薄膜上預浸漬物所形成的接著片為捲繞成輥狀的輥狀接著片，其特徵為該接著片為具備保護薄膜/預浸漬物/支持體薄膜的層構成，且於支持體薄膜與預浸漬物接觸面側具有脫模層，該預浸漬物為包含片狀纖維基材與熱硬化性樹脂組成物，該接著片中，支持體薄膜由熱硬化前之預浸漬物的剝離強度為以180度剝離強度為1.5gf/50mm以上。
  20. 如申請專利範圍第19項之輥狀接著片，其中，支持體薄膜的厚度為20~50μm。
  21. 如申請專利範圍第19項之輥狀接著片，其中，支持體薄膜的厚度為20~50μm及預浸漬物的厚度為20~ 100μm。
  22. 如申請專利範圍第19項之輥狀接著片，其中保護薄膜的厚度為5~30μm。
  23. 如申請專利範圍第19項之輥狀接著片，其中，支持體薄膜為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。
  24. 如申請專利範圍第19項之輥狀接著片，其中脫模層為以醇酸樹脂系脫模劑為主成分的脫模層。
  25. 如申請專利範圍第19項之輥狀接著片，其中脫模層的厚度為0.01~1μm。
  26. 如申請專利範圍第19項之輥狀接著片，其中預浸漬物為於玻璃布中含浸熱硬化性樹脂組成物的預浸漬物。
  27. 如申請專利範圍第19項之輥狀接著片，其中預浸漬物之熱硬化性樹脂組成物中，殘留溶劑的含有比例為5質量%以下。
  28. 如申請專利範圍第19項之輥狀接著片，其中片狀纖維基材的厚度為50μm以下。
  29. 如申請專利範圍第19項~第28項中任一項之輥狀接著片，其係多層印刷電路板之絕緣層形成用。
  30. 如申請專利範圍第19項~第28項中任一項之輥狀接著片，其係安裝至自動切片機以供給於多層印刷電路板之製造。
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