TWI609382B - 介電材料組成物及含其之絕緣膜及電路板 - Google Patents

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Description

介電材料組成物及含其之絕緣膜及電路板
本發明係關於一種介電材料，特別係關於一種應用於高頻電子元件的介電材料。
近年來無線通訊技術的發展非常快速，而隨著所要求的傳輸速度與容量大幅的增加，訊號傳輸所使用的頻率也愈來愈高。在傳輸速度及傳輸量越大的裝置或技術，其使用的頻率都已落於GHz的頻段也就是毫米波的區域，因此毫米波將是下一代的主要通訊技術亦即現稱的5G系統，在所有的構件中負責連結各處理單元並傳輸訊號的印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB)則是相當重要的角色。
為了實現通訊裝置的適型化及輕量化的目標，軟式印刷電路板(Flexible Printed Circuit,FPC)則是目前開發主要的重點。相較於硬式電路板，軟式印刷電路板的結構則有許多優點，例如：質量輕體積小、延展伸縮性佳、及配線高密度的特性。因此，軟式印刷電路板可以進行三度空間佈線且外型可依空間的侷限做改變。此外，在伸縮性、重量控制等要求上，軟式電路在電子封裝上也較有經濟效益。然而，在移動通訊裝置(如衛星通 訊、行動裝置等)需要大數據量的高速傳輸時，信號必須高速以及高頻的操作狀態下在軟式印刷電路板上傳輸。此時如何維持信號完整性成為一個相當重要的課題。且當傳輸速度需求變的更快，數據量更大時，訊號失真這個問題則會越來越嚴重。因此，在高頻應用的電路板中，則需要使用低介電常數(Dk)與低消散因子(Df)的材料來連接線路，以確保訊息可完整傳遞。
除此之外，材料本身的熱穩定性則是另外需要考量的重要因素。在軟性電路板的製程中，其層壓溫度通常在200℃左右，因此必須要求材料在此製程溫度下可穩定達數個小時。
在高頻下，電流會更傾向於流通在線路表面。通常，銅箔會進行粗化處理，來增加其黏著力。但是在高頻條件下，粗糙的銅箔會導致更大的導電損耗，須改為使用具有光滑表面的銅箔，為此，介電材料要有更好的黏著力。
目前應用於軟性電路板且常見的低介電常數、低消散因子的材料主要可分成幾大類，分別有聚醯亞胺(Polyimides,PI)、聚芳基醚(Poly(arylethers))、聚苯醚(Poly(phenylene ethers),PPE)等。接下來則進一步探討這些材料的特性及優缺點。
聚醯亞胺(Polyimides,PI)：聚醯亞胺(PI)本身具有良好的熱穩定性、較高的玻璃轉移溫度和機械強度。由PMDA及ODA所合成出的聚醯亞胺主要是由杜邦(DuPont)首先所開發出的商用材料，目前被廣泛應用於不同的領域。在電子元件的領域中，聚醯亞胺通常可做為介電層(Dielectric layer)或保護層(Passivation layer)使用。而杜邦所合成出聚醯亞胺主要的問題 在於材料的吸濕率較高，其介電常數約3.1~3.5左右，主要會受環境的濕度所影響。除了介電常數之外，聚醯亞胺還有另一個問題需要克服，就是與銅箔的接著性不佳。為了解決一般聚醯亞胺吸濕率過高的問題，通常會導入氟化基團藉以降低材料的極性進一步降低材料的介電常數以及吸濕率。而目前已經開發出可合成氟化聚醯亞胺的單體，其介電常數約在2.3~2.8的範圍，其吸濕率大都可低於1%，相較於未氟化的聚醯亞胺材料已有大幅改善。
聚芳基醚(Poly(aryl ethers))：聚芳基醚材料最常見的是聚芳基醚酮(Poly(aryl-ether ketone),PAEK)以及聚醚碸(Poly(ether sulfones),PES)。PAEK及PES這兩種都是常見的工程塑膠，其熱穩定性及耐化性都非常的良好。但是其化學結構本身具有高極性的基團，因此材料本身的介電常數很高並不適合於高頻應用。因此AlliedSignal公司利用氟化基團修飾聚芳基醚材料，進而開發出氟化聚芳基醚(Fluorinated poly(aryl ethers),FLARE)。而氟化聚芳基醚的介電常數在乾燥狀態下約為2.5-2.8，玻璃轉移溫度約255-260℃左右。另一方面也有將聚芳基醚的主鏈上引入perfluoroalkyl基團，藉以降低材料的介電常數，而材料的介電常數約2.35。聚芳基醚材料雖具有熱穩定性及耐化性等許多優點，但材料本身仍具有許多帶有極性的基團。因此必須利用氟化基團去進行改質，然而在高溫環境下其材料本身可能會形成HF，這對使用上會造成嚴重的安全問題。
聚苯醚(Poly(phenylene ether),PPE)：聚苯醚材料具有良好的絕緣特性以及機械性質。在熱性質上，聚苯醚具有較低的玻璃轉移溫度(~ 210℃)和優良的熱穩定性，其熱裂解溫度高於360℃。此外更具有較低的熱膨脹係數以及較低的吸濕性(<0.5%)。在高頻的介電性質部分，聚苯醚在10GHz的操作頻率下其介電常數約2.5、消散因子約0.002。這些特性都有利於聚苯醚材料在高頻電子元件的應用。但聚苯醚存在黏度高、流動性低等缺點，因此對於直接導入工業應用有其難度。所以必須對於化學結構進行改質。奇異公司利用官能化的聚苯醚材料配合聚苯乙烯(polystyrene,PS)進行共混，開發出商品化的NORYLTM SA90及NORYLTM SA900。而這兩種材料的玻璃轉移溫度皆高於140℃，其介電特性在1MHz的操作頻率下，介電常數約2.54、消散因子約0.0007。後來不同公司更陸陸續續開發出低介電常數、低消散因子的聚苯醚材料進一步製成覆銅基板或預浸片，例如奇異公司的GETEK、Asahi KASEI公司的S系列、松下電子著名的Megtron系列、Toshiba Chemistry的TLG系列以及三菱氣體化學的CCL-HL系列等等。
綜合上述內容，目前仍須開發其他具有低介電常數、低消散因子、高耐熱性、高黏著性之介電材料。
因此，本發明之一主要目的在於提供一種介電材料組成物，其中包含芳甲烷基聯苯酚樹脂衍生物，其特徵在於該芳甲烷基聯苯酚樹脂(GPH)之羥基係部分轉換為含有雙鍵之結構。
於一較佳實施例中，其中該羥基取代為雙鍵之百分比為20%至90%。
於另一較佳實施例中，其中該芳甲烷基聯苯酚樹脂具有如下之結構式(I)或(II)：，其中，x+y=1； 其中，x+y=1。
於另一較佳實施例中，其中式(I)之x=0.78且y=0.22或x=0.52且y=0.48；式II中，x=0.15且y=0.85。
於另一較佳實施例中，其進一步包含一共聚物樹脂及/或一環氧樹脂。
於另一較佳實施例中，其中該共聚物樹脂為三元共聚物樹脂，且係一種或多種選自由聚丁二烯-苯乙烯-二乙烯基苯、聚丁二烯-丙烯腈-甲基丙烯酸所組成之群組。
於另一較佳實施例中，其進一步包含催化劑及/或無機填充物。
本發明之另一主要目的在於提供一種芳甲烷基聯苯酚樹脂，具有如下之結構式(I)或(II)：，其中，x+y=1； 其中，x+y=1。
本發明之另一主要目的在於提供一種絕緣膜，其特徵在於，其包含上述之介電材料組成物。
本發明之另一主要目的在於提供一種電路板，其特徵在於，其包含上述絕緣膜。
本發明之介電材料組成物及包含其之絕緣板及電路板由於其中包含上述特殊芳甲烷基聯苯酚樹脂衍生物，以及進一步可添加共聚物樹脂及/或一環氧樹脂等等之特定的組成及比例，使其具有十分穩定的交聯結構，達到低介電常數、低消散因子、高耐熱性、高黏著性，而成為能於高頻應用的介電材料。
本發明之介電材料組成物
本發明之一主要目的在於提供一種介電材料組成物，其中包含芳甲烷基聯苯酚樹脂衍生物，其特徵在於該芳甲烷基聯苯酚樹脂之羥基係部分轉換為含有雙鍵之結構。
於一較佳實施例中，其中該羥基取代為雙鍵之百分比較佳為20%至90%，更佳為22%、48%或85%。
於另一較佳實施例中，其中該芳甲烷基聯苯酚樹脂衍生物具有如下之結構式(I)或(II)：，其中，x+y=1； 其中，x+y=1。
於另一較佳實施例中，其中式(I)之x=0.78且y=0.22或x=0.52且y=0.48；式II中，x=0.15且y=0.85。
於另一較佳實施例中，其進一步包含一共聚物樹脂及/或一環氧樹脂。
上述「環氧樹脂」較佳係一種或多種選自由雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、雙酚S環氧樹脂、酚醛環氧樹脂、雙酚A酚醛環氧樹脂、鄰甲酚環氧樹脂、三官能基環氧樹脂、四官能基環氧樹脂、多官能基環氧樹脂、二環戊二烯環氧樹脂、含磷環氧樹脂、對二甲苯環氧樹脂、萘型環氧樹脂、苯並哌喃型環氧樹脂、聯苯酚醛環氧樹脂、酚基苯烷基酚醛環氧樹脂、含矽環氧樹脂、含氟環氧樹脂、含硼環氧樹脂、含鈦環氧樹脂、環氧化聚丁二烯樹脂、聚脂型環氧樹脂及具有馬來亞醯胺結構的環氧樹脂所組成之群組。
上述該「環氧樹脂」之含量較佳為以芳甲烷基聯苯酚樹脂衍生物之重量為100重量份為基準，較佳係添加40~60重量份、更佳添加50重量份之環氧樹脂。於本發明之介電材料中添加環氧樹脂，可有效提升介電材料之剝離強度。
於另一較佳實施例中，其中該共聚物樹脂為三元共聚物樹脂，且係一種或多種選自由聚丁二烯-苯乙烯-二乙烯基苯、聚丁二烯-丙烯腈-甲基丙烯酸所組成之群組。
上述該「三元共聚物樹脂」之含量較佳為以芳甲烷基聯苯酚樹脂衍生物之重量為100重量份為基準，較佳係添加50~150重量份、更佳為添加100重量份之三元共聚物樹脂。於本發明之介電材料中添加三元共聚物樹脂，亦可有效降低介電常數及消散因子。
於另一較佳實施例中，其進一步包含催化劑及/或無機填充物。
上述「催化劑」較佳係一種或多種選自由苯基膦硼鹽催化劑、三氟化硼胺複合物、氯化乙基三苯基鱗、2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、三苯基膦、4-二甲基胺基吡啶、尿素催化劑、咪唑環氧複合物及錳、鐵、鈷、鎳、銅或鋅的金屬鹽化合物所組成之群組。
上述該「催化劑」之含量較佳為以芳甲烷基聯苯酚樹脂衍生物之重量為100重量份為基準，較佳係添加2~10重量份、更佳添加5重量份之催化劑。
上述無機填充物較佳係一種或多種選自由二氧化矽、氧化鋁、氫氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鎂、碳酸鈣、氮化鋁、氮化硼、碳化鋁矽、碳化矽、碳酸鈉、二氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、石英、鑽石粉、類鑽石粉、石墨、碳酸鎂、鈦酸鉀、二乙基磷酸鋁、陶瓷纖維、雲母、勃姆石、鑰酸鋅、鑰酸銨、硼酸鋅、磷酸鈣、煅燒滑石、滑石、氮化矽、莫來石、煅燒高嶺土、黏土、鹼式硫酸鎂晶須、莫來石晶須、硫酸鋇、氫氧化鎂晶須、氧化鎂晶須、氧化鈣晶須、碳納米管及具有有機核外層殼為絕緣體修飾的粉體粒子所組成的群組。
上述該「無機填充物」之含量較佳為以芳甲烷基聯苯酚樹脂衍生物之重量為100重量份為基準，較佳係添加30~50重量份、更佳係添加40重量份之催化劑。
上述介電材料組成物可進一步包含一過氧化物及/或溶劑。
上述溶劑較佳為有機溶劑，舉例可為甲醇、乙醇、乙二醇單甲醚、丙酮、丁酮(甲基乙基酮)、甲基異丁基酮、環己酮、甲苯、二甲苯、 甲氧基乙基乙酸酯、乙氧基乙基乙酸酯、丙氧基乙基乙酸酯、乙酸乙酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、丙二醇甲基醚等溶劑或其混合溶劑。
本發明之芳甲烷基聯苯酚樹脂
本發明之另一主要目的在於提供一種芳甲烷基聯苯酚樹脂，具有如下之結構式(I)或(II)：，其中，x+y=1； 其中，x+y=1。
本發明之絕緣膜
本發明之另一主要目的在於提供一種絕緣膜，其特徵在於，其包含上述之介電材料組成物。
上述該絕緣膜可塗佈於聚醯亞胺膜(polyimide film)、PET膜(polyester film)、LCP膜(liquid crystal polymer film)、銅箔以及其餘電子業常用基材上。
本發明之電路板
本發明之另一主要目的在於提供一種電路板，其特徵在於，其包含上述絕緣膜。
本發明將以下實施例詳細加以說明，惟該等實施例僅為說明目的，而非用以限制本發明之範圍。
製備例
以下將芳甲烷基聯苯酚樹脂中22%的羥基轉換成帶有雙鍵結構的產物命名為GPH-22；芳甲烷基聯苯酚樹脂中48%的羥基轉換成帶有雙鍵結構的產物命名為GPH-48；芳甲烷基聯苯酚樹脂中85%的羥基轉換成帶有雙鍵結構的產物命名為GPH-85。
[製備GPH-22]
將5.440g的芳甲烷基聯苯酚樹脂(含有1當量的羥基)，1.5當量的碳酸鉀和40mL的溶劑二甲基甲醯胺均勻混合。混合溶液在空氣的環境中於室溫下攪拌45~60分鐘，然後加入0.25當量的4-氯甲基苯乙烯，將混合溶液攪拌15~30分鐘，反應溫度為50~70℃，反應時間8~12小時。將反應後的溶液倒入400mL的甲醇中析出，將析出物收集，並溶解於四氫呋喃中，使用矽凝膠的層析柱除去殘留的KCl及K2CO3，再用甲醇析出2~3次，收集產物並在60℃的真空烘箱中乾燥8~12小時，產率最佳可達80%以上。
[製備GPH-48]
將5.440g的芳甲烷基聯苯酚樹脂(含有1當量的羥基)，1.5當量的碳酸鉀和40mL的溶劑二甲基甲醯胺均勻混合。混合溶液在空氣的環境中於室溫下攪拌45~60分鐘，然後加入0.50當量的4-氯甲基苯乙烯，將混合 溶液攪拌15~30分鐘，反應溫度為50~70℃，反應時間8~12小時。將反應後的溶液倒入400mL的甲醇中析出，將析出物收集，並溶解於四氫呋喃中，使用矽凝膠的層析柱除去殘留的KCl及K2CO3，再用甲醇析出2~3次，收集產物並在60℃的真空烘箱中乾燥8~12小時，產率最佳可達80%以上。
GPH-22和GPH-48的1H NMR圖譜分析如下：1H NMR(400MHz,d6-DMSO,ppm)：δ=3.89-4.08(m,2H,-CH 2 -)；5.01-5.26,5.68-5.74(m,2H,-CH=CH 2 )；4.69-4.98(m,2H,-CH=CH 2 and-OH)；7.46-6.69(m,1H,-CH=CH2,ArH)。(1H NMR光譜係以距四甲基矽烷低磁場之ppm作報告，"m"意謂多重峰。)
GPH-22(x=0.78，y=0.22)、GPH-48(x=0.52，y=0.48)合成反應途徑如下列反應式1所示： 反應式1。
本案由1H NMR圖譜計算產物中含雙鍵結構的含量。在反應式1中，6.69-7.46ppm的訊號屬於苯環上的氫及雙鍵上a位置的氫，5.68-5.74ppm的訊號則屬於雙鍵上b位置的氫。此兩訊號的積分比為54.76：1，可以表示為(11x+16y)：y。由x+y=1，可以計算出x為0.78且y=0.22。所以GPH-22中是將22%的羥基改質成了含有雙鍵的結構。而GPH-48的兩訊號積分比為 27.84：1，使用同樣的方法，可以計算出GPH-48中是將48%的羥基改質成了含有雙鍵的結構。
[製備GPH-85]
將5.440g的芳甲烷基聯苯酚樹脂(含有1當量的羥基)，1.5當量的碳酸鉀和40mL的溶劑二甲基甲醯胺均勻混合。混合溶液在空氣的環境中於室溫下攪拌45~60分鐘，然後加入1.60當量的3-氯丙烯，將混合溶液攪拌15~30分鐘，反應溫度為50~70℃，反應時間8~12小時。將反應後的溶液倒入400mL的甲醇中析出，將析出物收集，並溶解於四氫呋喃中，使用矽凝膠的層析柱除去殘留的KCl及K2CO3，再用甲醇析出2~3次，收集產物並在60℃的真空烘箱中乾燥8~12小時，產率最佳可達80%以上。
GPH-85的1H NMR圖譜分析如下：1H NMR(400MHz,d2-CH2Cl2,ppm)：δ=3.89-4.08(m,2H,-CH 2 -)；5.24-5.45(m,2H,-CH=CH 2 )；6.07-6.12(m,1H,-CH=CH2)；4.23-4.31,4.52-4.57(m,1H,-OH)；7.54-6.82(m,ArH)。(1H NMR光譜係以距四甲基矽烷低磁場之ppm作報告，"m"意謂多重峰。)
GPH-85(x=0.15，y=0.85)合成反應途徑如下列反應式2所示： 反應式2。
本案由1H NMR圖譜計算產物中含雙鍵結構的含量。在反應式2中，苯環位置與a位置訊號的積分比為12.89：1，可以表示為(11x+11y)：y。由此可計算出GPH-85中是將85%的羥基改質成了含有雙鍵的結構。
實施例1、實施例1-1、實施例1-2、實施例1-3
將1重量份的GPH-22溶於2重量份的丁酮中，再分別加入0(實施例1)、0.5(實施例1-1)、1.0(實施例1-2)、1.5(實施例1-3)重量份的聚丁二烯-苯乙烯-二乙烯基苯的三元共聚物樹脂(產品名稱：Ricon 257)做比較，均勻攪拌15~45分鐘待其溶解後，使用間隙為250μm的模具將溶液塗佈於聚醯亞胺膜上，並置於空氣中乾燥。完全乾燥後，將薄膜於100℃下烘烤5~10分鐘，覆蓋另一層聚醯亞胺膜並於180~200℃、20~30kg/cm2的條件下熱壓20~40分鐘。
比較例1
同上實施例1之方式，但將實施例1所使用的GPH-22置換為未含雙鍵結構之GPH。
實施例2、實施例2-1、實施例2-2、實施例2-3
將1重量份的GPH-48溶於2重量份的丁酮中，再分別加入0(實施例2)、0.5(實施例2-1)、1.0(實施例2-2)、1.5(實施例2-3)重量份的聚丁二烯-苯乙烯-二乙烯基苯的三元共聚物樹脂Ricon 257做比較，均勻攪拌15~45分鐘待其溶解後，使用間隙為250μm的模具將溶液塗佈於聚醯亞胺膜(厚度為25μm)上，並置於空氣中乾燥。完全乾燥後，將薄膜於100℃下烘烤 5~10分鐘，覆蓋另一層聚醯亞胺膜並於180~200℃、20~30kg/cm2的條件下熱壓20~40分鐘。
上述薄膜製備實例總結於表1。
將實施例1至2、實施例1-1至1-3、實施例2-1至2-3及比較例1進行熱重分析儀(量測熱裂解溫度Td)、微差掃描熱卡計(量測玻璃轉移溫度Tg)、介電常數(Dk)、消散因子(Df)測試，其中定義Td為材料重量損失5%時的溫度，整理結果如表2所示。
由表2中得知所有的實施例Td皆在380℃以上，顯示有相當良好的熱穩定性，而所有的薄膜都不顯示任何的Tg溫度，表示本發明的介電材料有十分穩定的交聯結構，能供一般業界的印刷電路板所使用。
由上述表2中得知，隨著聚丁二烯-苯乙烯-二乙烯基苯的三元共聚物樹脂增加，能有效降低介電常數(Dk~2.5)及消散因子(Df~0.008)；而比較例1，因使用未含雙鍵結構之GPH，其介電常數及消散因子均較實施例1及2者來的高。
實施例3、實施例3-1
將1重量份的GPH-22高分子、1重量份的聚丁二烯-丙烯腈-甲基丙烯酸三元共聚物樹脂(商品名稱：Nipol 1072)(由Zeon Chemical製造)、0.4重量份的無機填充物二乙基磷酸鋁(商品名稱：OP 935)(由CLARIANT製造)、0.05份的催化劑三苯基磷TPP溶於丁酮，實施例3另外加入0.5重量份的雙酚A型環氧樹脂(商品名稱：BE 507)(由長春化工製造)，實施例3-1則不加，溶液濃度約為20~25w.t.%。均勻攪拌6~12小時待其溶解後，使用間隙為450μm的模具將溶液塗佈於聚醯亞胺膜(厚度為25μm)上，並置於空氣中乾燥。完全乾燥後，將薄膜於80℃下烘烤5~10分鐘，覆蓋另 一層銅箔並於180℃、20~30kg/cm2的條件下熱壓60秒，並於160℃下烘烤60分鐘。
實施例4、實施例4-1
將1重量份的GPH-48高分子、1重量份的聚丁二烯-丙烯腈-甲基丙烯酸三元共聚物樹脂(商品名稱：Nipol 1072)(由Zeon Chemical製造)、0.4重量份的無機填充物二乙基磷酸鋁(商品名稱：OP 935)(由CLARIANT製造)、0.05份的催化劑三苯基磷TPP溶於丁酮，實施例4另外加入0.5重量份的雙酚A型環氧樹脂(商品名稱：BE 507)(由長春化工製造)，實施例4-1則不加，溶液濃度約為20~25w.t.%。均勻攪拌6~12小時待其溶解後，使用間隙為450μm的模具將溶液塗佈於聚醯亞胺膜(厚度為25μm)上，並置於空氣中乾燥。完全乾燥後，將薄膜於80℃下烘烤5~10分鐘，覆蓋另一層銅箔並於180℃、20~30kg/cm2的條件下熱壓60秒，並於160℃下烘烤60分鐘。
實施例5、實施例5-1
將1重量份的GPH-85高分子、1重量份的聚丁二烯-丙烯腈-甲基丙烯酸三元共聚物樹脂(商品名稱：Nipol 1072)(由Zeon Chemical製造)、0.4重量份的無機填充物二乙基磷酸鋁(商品名稱：OP 935)(由CLARIANT製造)、0.05份的催化劑三苯基磷TPP溶於丁酮，實施例5另外加入0.5重量份的雙酚A型環氧樹脂(商品名稱：BE 507)(由長春化工製造)，實施例5-1則不加，溶液濃度約為20~25w.t.%。均勻攪拌6~12小時待其溶解後，使用間隙為450μm的模具將溶液塗佈於聚醯亞胺膜(厚度為25μm)上， 並置於空氣中乾燥。完全乾燥後，將薄膜於80℃下烘烤5~10分鐘，覆蓋另一層銅箔並於180℃、20~30kg/cm2的條件下熱壓60秒，並於160℃下烘烤60分鐘。
上述薄膜製備實例總結於表3。
將實施例3至5、實施例3-1至5-1進行剝離強度、介電常數(Dk)、消散因子(Df)測試，結果如表4所示。
由表4得知，混參聚丁二烯-丙烯腈-甲基丙烯酸三元共聚物樹脂能提升介電材料的剝離強度，比較實施例3至5與實施例3-1至5-1，添加雙酚A型環氧樹脂亦能有效提升介電材料的剝離強度，最佳可達1.9N/mm，但對介電常數及消散因子的影響不大。
本發明之介電材料組成物及包含其之絕緣板及電路板由於其中包含上述特殊芳甲烷基聯苯酚樹脂衍生物，使其具有十分穩定的交聯結構，達到低介電常數、低消散因子、高耐熱性、高黏著性，而成為能於高頻應用的介電材料。
綜上所述，本發明的介電材料，藉著包含特定的組成成分及比例，以達到低介電常數、低消散因子、高耐熱性、高黏著性之目的，使之能應用於高頻電子元件上。

Claims (8)

  1. 一種介電材料組成物，其中包含芳甲烷基聯苯酚樹脂衍生物，該芳甲烷基聯苯酚樹脂具有如下之結構式(I)或(II)： 其中，x+y=1； 其中，x+y=1，其特徵在於該芳甲烷基聯苯酚樹脂之羥基係部分轉換為含有雙鍵之結構，該羥基取代為雙鍵之百分比為20%至90%。
  2. 如請求項1之介電材料組成物，其中式(I)之x=0.78且y=0.22或x=0.52且y=0.48；式II中，x=0.15且y=0.85。
  3. 如請求項1之介電材料組成物，其進一步包含一共聚物樹脂及/或一環氧樹脂。
  4. 如請求項3之介電材料組成物，其中該共聚物樹脂為三元共聚物樹脂，且係一種或多種選自由聚丁二烯-苯乙烯-二乙烯基苯、聚丁二烯-丙烯腈-甲基丙烯酸所組成之群組。
  5. 如請求項3之介電材料組成物，其進一步包含催化劑及/或無機填充物。
  6. 一種芳甲烷基聯苯酚樹脂，具有如下之結構式(I)或(II)： 其中，x+y=1； 其中，x+y=1。
  7. 一種絕緣膜，其特徵在於，其包含請求項1至5任一項之介電材料組成物。
  8. 一種電路板，其特徵在於，其包含請求項7的絕緣膜。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101803483A (zh) * 2007-09-11 2010-08-11 味之素株式会社 多层印刷电路板的制造方法
TW201326297A (zh) * 2011-11-02 2013-07-01 Mitsubishi Gas Chemical Co 樹脂組成物、預浸體及疊層板
TW201420668A (zh) * 2012-07-13 2014-06-01 Nippon Kayaku Kk 鹼性顯影型樹脂，使用該樹脂的感光性樹脂組成物
TW201609853A (zh) * 2014-08-01 2016-03-16 Nippon Kayaku Kk 含環氧樹脂之清漆、含環氧樹脂組成物之清漆、預浸體、樹脂片、積層板、印刷配線基板、半導體裝置
TW201609947A (zh) * 2014-08-01 2016-03-16 Nippon Kayaku Kk 環氧樹脂組成物、樹脂片、預浸體及覆金屬積層板、印刷配線基板、半導體裝置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4514011B2 (ja) * 2001-09-13 2010-07-28 日本化薬株式会社 樹脂組成物、ソルダーレジスト樹脂組成物及びこれらの硬化物
JP5364050B2 (ja) * 2010-07-08 2013-12-11 日東電工株式会社 熱硬化性樹脂組成物硬化体の製法およびそれにより得られた硬化物
CN104903369B (zh) * 2013-02-05 2018-03-13 日本化药株式会社 烯丙基醚树脂及环氧树脂
JP6143332B2 (ja) * 2013-02-05 2017-06-07 日本化薬株式会社 アリルエーテル樹脂およびその製造方法
JP2015137344A (ja) * 2014-01-24 2015-07-30 住友ベークライト株式会社 封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101803483A (zh) * 2007-09-11 2010-08-11 味之素株式会社 多层印刷电路板的制造方法
TW201326297A (zh) * 2011-11-02 2013-07-01 Mitsubishi Gas Chemical Co 樹脂組成物、預浸體及疊層板
TW201420668A (zh) * 2012-07-13 2014-06-01 Nippon Kayaku Kk 鹼性顯影型樹脂，使用該樹脂的感光性樹脂組成物
TW201609853A (zh) * 2014-08-01 2016-03-16 Nippon Kayaku Kk 含環氧樹脂之清漆、含環氧樹脂組成物之清漆、預浸體、樹脂片、積層板、印刷配線基板、半導體裝置
TW201609947A (zh) * 2014-08-01 2016-03-16 Nippon Kayaku Kk 環氧樹脂組成物、樹脂片、預浸體及覆金屬積層板、印刷配線基板、半導體裝置

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