TWI547960B - 多層陶瓷電容器及用來安裝該陶瓷電容器的板件 - Google Patents

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Description

多層陶瓷電容器及用來安裝該陶瓷電容器的板件 相關申請案交互參照
本申請案主張2012年12月20日於韓國智慧財產局提出申請之第10-2012-149348號韓國專利申請案的優先權，其揭露係合併引用於本文中。
本發明係關於多層陶瓷電容器及用於安裝該多層陶瓷電容器的板件。
多層陶瓷電容器、積層晶片電子組件為安裝在如像是液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)等等之影像裝置(或視訊顯示裝置)、電腦、個人數位助理器(PDA)、攜帶型電話機等等之各種電子產品之印刷電路板(PCB)上用以充放電之晶片型電容器(condenser)。
具有諸如精巧、保障高電容、以及易於安裝等優點之多層陶瓷電容器(MLCC)可作為各種電子裝置之組件。
MLCC可包括複數介電層和內部電極，其結構在於具有不同極性之內部電極係在介電層之間交替層疊。
介電層具有壓電和電伸縮特性。因此，當直流(DC)或交流(AC)電壓施加於MLCC時，壓電現象在內部電極之間出現而產生振動。
振動可透過MLCC之外部電極轉移至其上安裝有MLCC之PCB，使整片PCB變成聲波輻射表面而產生振動聲音成為噪音。
振動聲音可對應於範圍從20Hz到2000Hz的音頻，造成使用者不舒服，以及此可造成使用者不舒服之振動聲音係已知為噪音，並且有必要深入研究降低噪音的方法。
而且，在MLCC中，小於陶瓷薄片並且具有預定厚度之內部電極係印製在陶瓷薄片上以及分別具有內部電極印製於其上之陶瓷薄片係予以層疊，無可避免地在邊際部位與其上形成有內部電極之介電層之間產生步階(step)，以及步階在內部電極最上方部位可為嚴重的(severe)。
有了步階，若施加熱衝擊(thermal shock)或者若施加具有MLCC安裝於其上之翹曲印刷電路板(PCB)所產生之應力，則介電層之部位呈現剝層或者可產生破裂。
接著，潮濕與其它異物因剝層或破裂而可滲入內部電極之曝露表面以減弱絕緣電阻、可靠度等等。此問題在具有大量積層薄片之高電容性產品中可惡化。
底下專利文件係關於其中，下包覆層厚於上包覆層之MLCC，但其未對於內部電極的最外側末端部位與外部電極的末端部位之間的距離揭露數值限制。
[相關技藝文件]
(專利文件1)日本專利第6-215978號公開案
在相關技藝中，與多層陶瓷電容器(MLCC)有關、藉由對邊際部位與其上形成有內部電極之介電層之間的步階進行補償、而能夠抑制熱衝擊或因MLCC安裝其上時印刷電路板翹曲所產生應力之類機械衝擊所造成之剝層或破裂、同時降低因壓電現象之振動所產生雜訊的新穎架構是有必要的。
根據本發明之一態樣，提供有多層陶瓷電容器，其包括：陶瓷體，其中層疊有複數介電層；主動層，包含複數內部電極，該複數內部電極經形成而交替曝露於該陶瓷體的兩末端表面，且具有該介電層插置於其間，並形成電容；上包覆層，在該主動層的上部位上形成；下包覆層，在該主動層的下部位上形成，並且具有大於上包覆層的厚度的厚度；以及外部電極，包覆該陶瓷體的兩末端表面和上與下表面的部位，其中，當從該主動層的最下方內部電極的末端部位到該外部電極包覆該陶瓷體的下表面部位之末端部位的距離為E、從該外部電極的末端部位到該主動層的最下方內部電極的最短距離為T、而該陶瓷體朝長度方向之邊際為F時，滿足1.2E/T和30μmF。
若該陶瓷體的總厚度之一半為A、該下包覆層之厚度為B、該主動層的總厚度之一半為C、而該上包覆層之厚度為D，則該主動層的中央部位偏離該陶瓷體的中央部位的比率(B+C)/A可滿足1.063(B+C)/A1.745。
該上包覆層之厚度D與該下包覆層之厚度B之間的 比率(D/B或D：B)可滿足0.021D/B0.422之範圍。
該下包覆層之厚度B對該陶瓷體的厚度之一半A的比率(B/A)可滿足0.329B/A1.522之範圍。
該主動層的厚度之一半C對該下包覆層之厚度B的比率(C/B)可滿足0.146C/B2.458之範圍。
由於施加電壓時於該主動層的中央部位產生之張力與於該下包覆層產生之張力之間的差異，於該陶瓷體的兩末端部位形成之反曲點(PI)可朝厚度方向在該陶瓷體的中央部位下方形成。
該第一與第二內部電極曝露於該陶瓷體的末端表面之部位可向內漸縮(tapered)。
該第一與第二內部電極未由該陶瓷體向外曝露之其它表面之轉角部位可向內漸縮。
根據本發明另一態樣，提供安裝板件，其允許多層陶瓷電容器(MLCC)安裝於其上，該安裝板件包括：印刷電路板，具有一對電極接墊形成於其上部位；以及多層陶瓷電容器，安裝在該印刷電路板上，其中，該多層陶瓷電容器包括：陶瓷體，其中層疊有複數介電層；主動層，包含複數內部電極，該複數內部電極係形成交替曝露於該陶瓷體的兩末端表面，且具有該介電層插置於其間，以形成電容；上包覆層，在該主動層的上部位上形成；下包覆層，在該主動層的下部位上形成，並且具有大於該上包覆層的厚度的厚度；以及第一與第二外部電極，包覆該陶瓷體的兩末端表面並且藉由焊料連接至該第一與第二電極接墊，其中，當從該主動層的最下方內部電極的末端部位到該外部電極包 覆該陶瓷體的下表面的末端部位的距離為E、從該外部電極的末端部位到該主動層的最下方內部電極的最短距離為T、而該陶瓷體朝長度方向之邊際為F時，滿足1.2E/T和30μmF。
由於施加電壓時該主動層的中央部位產生之張力與該下包覆層產生之張力之間的差異，於該陶瓷體的兩末端部位形成之反曲點(PI)可經形成而低於焊料高度。
50‧‧‧相鄰介電層
100‧‧‧多層陶瓷電容器(MLCC)
110‧‧‧陶瓷體
111‧‧‧介電層
112‧‧‧上包覆層
113、123‧‧‧下包覆層
115、150‧‧‧主動層
121‧‧‧第一內部電極
122‧‧‧第二內部電極
121a‧‧‧第一引出部位
122a‧‧‧第二引出部位
121b、122b、121c、122c‧‧‧轉角部位
131‧‧‧第一外部電極
132‧‧‧第二外部電極
200‧‧‧安裝板件
210‧‧‧PCB
221‧‧‧第一電極接墊
222‧‧‧第二電極接墊
230‧‧‧焊料
A‧‧‧陶瓷體的總厚度之一半
B‧‧‧下包覆層之厚度
C‧‧‧主動層的總厚度之一半
CLA‧‧‧主動層的中央部位
CLC‧‧‧陶瓷體的中央部位
D‧‧‧上包覆層之厚度
L‧‧‧長度方向
ST‧‧‧陶瓷體的上表面
SB‧‧‧陶瓷體的下表面
T‧‧‧厚度方向
W‧‧‧寬度方向
本發明之以上與其它態樣、特徵和其它優點將由底下之詳細說明搭配附加圖式而更得以清楚明瞭，其中：第1圖為根據本發明具體實施例多層陶瓷電容器(MLCC)之部份剖視示意透視圖；第2圖為第1圖MLCC採MLCC長度方向之剖面圖；第3圖為第1圖MLCC採MLCC長度方向用以朝長度方向表示MLCC中所包含組件尺寸關係的示意剖面圖；第4圖為表示第1圖MLCC安裝在印刷電路板PCB上的透視圖；第5圖為第4圖之MLCC與PCB採長度方向之剖面圖；第6圖表示第5圖MLCC安裝在PCB上隨電壓施加而變形之示意剖面圖；以及第7至13圖為描述應用於根據本發明具體實施例MLCC之各種內部電極改進的剖面圖。
現在將引用附加圖式詳細說明本發明之具體實施例。
然而，本發明可用許多不同形式予以具體實施而不應該推斷成侷限於本文所提之具體實施例。
反而，這些具體實施例係經提供以致本揭露將周密且完整，並且將完全傳達本發明之範疇給熟悉本技藝之人士。
在圖式中，元件形狀與尺寸可為了清晰而誇大，以及相同元件符號將通篇用於表示相同或相似組件。
而且，各別具體實施例之圖式中所示相同概念之範疇內具有相同功能之元件將使用相同元件符號予以說明。
為了釐清本發明之具體實施例，六面體之方向可界定為：第1圖中標示之L、W、以及T分別表示長度方向、寬度方向、以及厚度方向。此處，厚度方向可用於與其中，層疊有介電層之積層方向具有相同概念。
而且，在本具體實施例，為了說明，其上形成有朝該陶瓷體的長度方向的第一與第二外部電極之表面係設為平行末端表面，而與之垂直之表面係設為左與右側表面。
多層陶瓷電容器(MLCC)
請參閱第1至2圖，根據本發明具體實施例之MLCC 100可包括陶瓷體110、具有第一與第二內部電極121與122之主動層115、上與下包覆層112與113、以及包覆陶瓷體110的兩末端表面之第一與第二外部電極131與132。
陶瓷體110係藉由層疊並隨後燒製複數介電層111予以形成，而陶瓷體110之配置與尺寸和介電層111之積層數量未侷限於本具體實施例所述積層數量。
而且，形成陶瓷體110之複數介電層111係處於燒 結狀態，而相鄰介電層50可予以整合以致其之間的分界若未使用掃描式電子顯微鏡(SEM)則可不顯而易見。
陶瓷體110可包括作為電容器中有助於形成電容之一部份的主動層115、以及作為邊際部位形成於主動層115上與下部位之上與下層112與113。
主動層115可藉由反覆層疊第一與第二內部電極121與122及插置於第一與第二內部電極121與122之間之介電層而予以形成。
此處，介電層111之厚度可根據MLCC 100之電容設計而隨意改變。較佳的是，介電層111之厚度範圍在燒製作業後可由0.1微米至10.0微米，但本發明不侷限於此。
而且，介電層111可由例如基於鈦酸鋇(BaTiO3)之粉末、基於鈦酸鍶(SrTiO3)之粉末或諸如此類具有高介電常數(或高K介電質)之陶瓷粉末予以製成，但本發明不侷限於此。
上與下包覆層112與123可由相同材料製成，並且具有與介電層111相同但未包括有內部電極之配置。
上與下包覆層112與123可藉由在主動層11的上與下表面層疊單一介電層或者兩或更多介電層予以形成，並且基本上用於防止因物理或化學應力而對第一與第二內部電極121與122造成的損害。
而且，下包覆層113之厚度藉由增加介電層積層數量到大於上包覆層112之積層數量可大於上包覆層112之厚度。
同時，第一與第二內部電極112與122為一對具有不同極性之電極，可藉由(在陶瓷生片上)印製包含導電材料之導 電膏到預定厚度予以形成，致使第一與第二內部電極121與122朝介電層111之積層方向交替曝露於兩末端表面，並且可藉由在其之間放置介電層111而彼此電絕緣。
也就是說，第一與第二內部電極121與122可經由其交替曝露於陶瓷體110的兩末端表面之部位電連接至第一與第二外部電極131與132。
因此，當電壓施加於第一與第二外部電極131與132時，電荷在彼此相向之第一與第二內部電極121與122之間累積，並且在此處，MLCC 100之電容與第一與及第二內部電極121及122互相重疊之區域成比例。
第一與第二內部電極之厚度可依據目的予以決定。例如，第一與第二內部電極之厚度可定在由0.2微米至1.0微米之範圍，但本發明未侷限於此。
而且，形成第一與第二內部電極121與122之導電膏內所包括之導電金屬可為鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)、或其合金，但本發明不侷限於此。
而且，導電膏可藉由使用篩選方式、凹版印刷法、或諸如此類的方法予以印製，但本發明不侷限於此。
第一與第二外部電極131與132可由含有導電金屬之導電膏予以製成並且可包覆陶瓷體110的兩末端表面和上與下表面部位，而導電金屬可為鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)、金(Au)或其合金，但本發明不侷限於此。
此處，步階主要是在MLCC安裝在印刷電路板(PCB)上時於第一及第二外部電極131及132與第一及第二內部電極121 及122的末端部位之間產生，故有必要調節其之間的距離以降低剝層和破裂的產生從而提升可靠度。
在第2圖中，所界定的是，從主動層115的最下方第二內部電極122的末端部位到第一外部電極131包覆陶瓷體110的下表面部位之末端部位的距離為E，從第一外部電極131的末端部位到最下方第二內部電極122的最短距離為T，以及陶瓷體110的末端表面朝長度方向到第二內部電極122的末端部位的邊際為F。
此處，藉由降低剝層和破裂之產生能夠提升可靠度的範圍可為1.2E/T。
若1.2>E/T，則其上因翹曲之PCB導致的應力之類的機械衝擊集中的部位可設為符合或接近陶瓷體110中形成有步階的部位，其增加翹曲破裂產生率。
而且，陶瓷體110朝長度方向之邊際F可設為等於或大於30μm，以防止剝層產生。
若陶瓷體100朝長度方向之邊際F小於30μm，則剝層之產生可因邊際不足而增加。
在下文中，將說明根據本具體實施例MLCC中所包含之組成元件與噪音之間的關係。
請參閱第3圖，其界定陶瓷體110的總厚度之一半為A，下包覆層113之厚度為B，主動層115的總厚度之一半為C，而上包覆層112之厚度為D。
此處，陶瓷體110之總厚度意指從陶瓷體110之上表面ST到其下表面SB的距離，而主動層115之總厚度意指從主動 層115的最上部位形成之第一內部電極之上表面到主動層115的最下部位形成之第二內部電極122之下表面的距離。
而且，下包覆層113之厚度B意指朝厚度方向由主動層115的最下部位形成之第二內部電極122之下表面至陶瓷體110之下表面SB的距離，而上包覆層112之厚度D意指朝厚度方向由主動層115的最上方形成之第一內部電極121之上表面至陶瓷體110之上表面ST的距離。
當不同極性之電壓施加於MLCC 100的兩末端部位上形成之第一與第二外部電極131與132時，陶瓷體110因介電層111之逆壓電效應而朝厚度方向擴張與收縮，而第一與第二外部電極131與132之兩末端部位則因帕松(Poisson)效應朝厚度方向與陶瓷體110之擴張與收縮反向進行收縮與擴張。
此處，主動層115之中央部位為朝第一與第二外部電極131與132的長度方向於陶瓷體110的兩末端部位作最大擴張與收縮造成噪音的部位。
也就是說，在本具體實施例，為了降低因施加電壓時主動層150的中央部位CLA產生之張力與下包覆層113產生之張力之間的差異所造成之噪音，反曲點(PI)可朝厚度方向於陶瓷體110的中央部位CLC下方陶瓷體之兩末端部位形成。
此處，為了進一步降低噪音，較佳的是，主動層115的中央部位CLA偏離陶瓷體110的中央部位之比率((B+C)：A)滿足1.063(B+C)/A1.745之範圍。
而且，陶瓷體110的厚度D之一半(A)與下包覆層113之厚度B之間的比率(B：A)(或B/A)可滿足範圍0.329B/A1.522。
而且，下包覆層113之厚度B與主動層115的厚度之一半(C)之間的比率(C：B)可滿足範圍0.146C/B2.458。
實驗性實施例
根據本發明具體實施例之多層陶瓷電容器(MLCC)及比較性實施例係製造如下。
根據本發明具體實施例之多層陶瓷電容器(MLCC)係透過下列步驟製造。
首先，含有如鈦酸鋇(BaTiO3)或諸如此類粉末之漿料係塗敷於載體膜並接著予以乾化以備製複數厚度為1.8微米之陶瓷生片。
其次，內部電極係利用濾網(screen)在陶瓷生片上之鎳內部電極塗敷導電膏予以形成。
大約層疊三百七十(370)片陶瓷生片，以及此處，其上形成有內部電極之陶瓷生片的下方比上方層疊更多無內部電極之陶瓷生片。此積層(或積層體)係在85℃以1000kgf/cm2之壓力條件予以等力加壓(isostatic-pressed)。加壓完成之陶瓷積層係切成個別晶片，並且藉由在空氣氣氛下以230℃之溫度使切割出的晶片維持60個小時以實施脫脂製程(debinding process)。
之後，晶片在還原氣氛(reduced atmosphere)致使內部電極不致於氧化的條件下以低於Ni/NiO均衡氧氣分壓之10-11atm至10-10atm氧氣分壓予以燒製。在燒製作業之後，積層晶片電容器之晶片尺寸(長度×寬度(L×W))為1.64mm×0.88mm(L×W，1608大小)。此處，製造允差係定為長度×寬度±0.1mm，以及滿足製造允差之晶片其噪音係在實驗中測量。
之後，晶片係受控於如外部電極形成製程、電鍍製程、以及諸如此類之製程以製造MLCC。
第1表內的資料係基於掃描式電子顯微鏡(SEM)所採取之影像藉由從第3圖所示朝寬度(W)方向陶瓷體110之中央部 位測量朝長度方向(L)與厚度方向(T)所採取MLCC 100陶瓷體110的中央部位一部份之尺寸。
此處，如上所述，A係界定為陶瓷體110的總厚度之一半，B係界定為下包覆層113之厚度，C係界定為主動層115的總厚度之一半，而D係界定為上包覆層112之厚度。
為了測量噪音，各板件用於測量噪音之單一樣本(MLCC)係朝垂直方向區別並且安裝在PCB上，以及接著，板件係安裝在測量夾具中。
之後，直流(DC)電壓及變動電壓係藉由功率直流電源供應器和信號產生器(或函數產生器)予以施加於安裝在測量夾具中之樣本的兩端。噪音係透過直接安裝在PCB上方之麥克風予以測量。
在第1表中，樣本1至3為具有包覆對稱性結構之比較性實施例，其中，下包覆層113之厚度與上包覆層D之厚度D實質(substantially)類似，以及樣本4至13為結構中上包覆層112之厚度D大於下包覆層之厚度B的比較性實施例。
樣本14、15、以及35至37為結構中下包覆層113之厚度B大於上包覆層112之厚度D的比較性實施例，以及樣本16至34為本發明之具體實施例。
此處，當(B+C)/A接近1時，意指主動層115之中央部位未大幅偏離陶瓷體110之中央部位。具有包覆對稱性結構，其中，下包覆層113之厚度B與上包覆層112之厚度D實質類似的樣本1至3之(B+C)/A值係接近1。
當(B+C)/A大於1，可意指主動層115之中央部位朝 上偏離陶瓷體110之中央部位，而當(B+C)/A小於1時，可意指主動層115之中央部位朝下偏離陶瓷體110之中央部位。
請參閱第1表，可看到的是，在主動層115之中央部位偏離陶瓷體110之中央部位的比率(B+C)/A滿足範圍1.063(B+C)/A1.745之樣本16至34中，噪音明顯降低到小於20 dB。
而且，主動層115之中央部位偏離陶瓷體110之中央部位的比率(B+C)/A小於1.063的樣本1至15具有主動層115之中央部位幾乎不偏離陶瓷體110之中央部位或主動層115之中央部位向下偏離陶瓷體110之中央部位的結構。
(B+C)/A小於1.063之樣本1至15具有範圍由25 dB至32.5 dB的噪音，因此可看到是，樣本1至15與本發明具體實施例相比不具有噪音降低功效。
而且，至於主動層115之中央部位偏離陶瓷體110之中央部位的比率(B+C)/A超過1.745的樣本35至37，電容低於目標值，造成瑕疵電容。
在第1表中，標示為’NG’之電容實現率(亦即，電容對目標電容值之比率)意指若目標電容值為100%，相對於目標電容值之電容小於80%。
而且，可看出的是，上包覆層112之厚度D與下包覆層113之厚度B之間的比率(D：B)滿足範圍0.021D/B0.422的具體實施例具有降低相當多之噪音。
同時，可看出的是，上包覆層112之厚度D與下包覆層113之厚度B之間的比率(D：B)超過0.422的比較性實施例對 於降低噪音沒有功效。
若上包覆層112之厚度D與下包覆層113之厚度B之間的比率(D/B)小於0.021，則下包覆層113之厚度B相對於上包覆層112之厚度D過大，可能產生破裂與剝層以及導因於對比於目標電容之低電容的瑕疵電容。
在具體實施例之中，可看到的是，在下包覆層113之厚度B對陶瓷體110的厚度之一半A的比率(B/A)及主動層115的厚度之一半C對下包覆層113之厚度B的比率(C/B)分別滿足範圍0.329B/A1.522及0.146C/B2.458的樣本19至34中，噪音進一步降低到低於18dB。
同時，可看到的是，在下包覆層113之厚度B對陶瓷體110之厚度A的比率(B/A)超過1.522或主動層115之厚度C對下包覆層113之厚度B的比率(C/B)小於0.146的樣本35至37中，相比於目標電容之電容低到產生瑕疵電容。
底下第2表根據從主動層115的最下方內部電極的末端部位到包覆陶瓷體110的下表面一部位之外部電極末端部位之距離E與從外部電極末端部位到主動層115的最下方內部電極之最短距離T之間的比率、以及陶瓷體110朝長度方向之邊際F表示MLCC 100中翹曲破裂及剝層的產生。對於第2表內翹曲破裂及剝層之數值，各種情況下50個樣本係經測試以及瑕疵樣本數係予以標示。
請參閱第2表，在樣本10至13和樣本24至26作為比較性實施例其中，從主動層115的最下方內部電極的末端部位到外部電極包覆陶瓷體110的下表面一部位之末端部位之距離E與從外部電極的末端部位到主動層115的最下方內部電極之最 短距離T之間的比率(E/T)小於1.2的情況下，可看到的是，其上應力因翹曲PCB而集中之部位符合或接近陶瓷體110中形成步階之部位，其產生翹曲破裂。
而且，在樣本1、2、14、以及15作為比較性實施例其中，比率E/T等於或大於1.2但陶瓷體朝長度方向之邊際F小於30 μm的情況下，可看到的是，翹曲破裂未產生但有出現剝層。
因此，由測試可看出，為了避免翹曲破裂和剝層之產生，從主動層115的最下方內部電極的末端部位到包覆陶瓷體110的下表面一部位之外部電極的末端部位之距離E與從外部電極的末端部位到主動層115的最下方內部電極之最短距離T之間的期望比率(E/T)等於或大於1.2以及陶瓷體110朝長度方向之期望邊際F等於或大於30 μm。
具有MLCC安裝其上之電路板
請參閱第4及5圖，根據本具體實施例MLCC 100之安裝板件200可包括其上水平安裝有MLCC 10之PCB 210以及在PCB 210上表面彼此相隔而形成之第一與第二電極接墊221與222。
此處，在MLCC 100之下包覆層113係置於底部，而第一和第二外部電極131和132係在第一和第二電極221和222上與第一和第二電極接墊221和222接觸的狀態中，MLCC 100可藉由焊料230電連接至PCB 210。
在MLCC 100安裝於PCB 210上的狀態中，噪音可在施加電壓時產生。
此處，第一與第二電極接墊221與222之尺寸可為 用於判斷連接第一與第二外部電極131與132和第一與第二電極接墊221與222之焊料230用量的指標，而噪音大小可依據焊料230之用量予以調節。
請參閱第6圖，對於安裝在PCB 210上之MLCC 100，當極性不同之電壓施加於MLCC 100的兩末端部位上形成之第一與第二外部電極131與132時，陶瓷體110因介電層111之逆壓電效應朝厚度方向擴張與收縮，而第一與第二外部電極131與132的兩末端部位則因帕松效應與陶瓷體110朝厚度方向之擴張與收縮反向而收縮與擴張。
此處，主動層115之中央部位為第一與第二外部電極131與132的兩末端部位中朝長度方向作最大擴張與收縮產生噪音的部位。
當MLCC 100之兩末端部位朝長度方向作最大擴張時，產生因擴張而向外推擠焊料230上部位的力道①，並且推擠外部電極之收縮力道②係藉由推向外側之力道在焊料230之下部位產生。
因此，在本具體實施例中，當形成於陶瓷體的兩末端部位之反曲點(PI)隨著電壓施加因主動層115的中央部位CLA中產生之張力與下包覆層113中產生之張力之間的差異而形成低於焊料之高度時，噪音可進一步降低。
同時，導電性異物、潮濕、如離子之類之雜質等等可透過經形成薄於其上曝露有內部電極之表面上的之央部位的轉角部位滲入，其降低絕緣電阻與可靠度。
為了解決此問題，具有瓶頸圖案之瓶頸式內部電極可予以使用，以及本具體實施例可應用於使用瓶頸式內部電極之情況。
第7至13圖為描述根據本發明具體實施例應用於MLCC之內部電極之各種改進的剖面圖。
請參閱第7圖，第一與第二內部電極121與122可具有分別延伸而交替曝露於介電層111的末端表面之第一與第二引出部位121a與122a，以及此處，其中，第一與第二引出部位121a與122a和第一與第二內部電極121與122係分別連接之轉角部位可具有斜面而分別向內漸縮。
而且，如第8圖所示，分別連接第一和第二引出部位121a和122a與第一和第二內部電極121和122的轉角部位可具有曲面。
而且，如第9圖所示，第一與第二引出部位121a與122a之寬度可不同地予以減少或增加，介電層111朝長度方向邊際部位之面積可確定與第一和第二引出部位121a和122a之寬度成反比。
同時，請參閱第10圖，連接第一和第二引出部位121a和122a與第一和第二內部電極121和122之轉角部位係做成凹陷部位以緊固介電層111轉角部位中邊際部位之較大區域，從而降低翹曲破裂和剝層的產生。
如第11圖所示，非形成引出部位，第一與第二內部電極121與122曝露於介電層111的末端表面之前端表面之兩轉角部位121c與122c可傾斜而向內漸縮。
此處，如第12圖所示，第一與第二內部電極121與122之轉角部位121c與122c亦可做成曲狀。
同時，如第13圖所示，第一與第二內部電極121與122未曝露之其它表面之轉角部位121b與122b可做成錐狀及斜狀。
此處，為了使剝層產生最小化，較佳的是，以轉角部位121b與122b起點與終點為基礎對於介電層111前端表面之邊際部位最長長度近似於最短長度的兩倍。
如上所述，根據本發之具體實施例，MLCC中產生之振動得以降低以減少印刷電路板(PCB)所產生之噪音，以及陶瓷體中之步階係經補償以抑制因熱衝擊或印刷電路板其上安裝MLCC時翹曲所產生應力之類的機械衝擊對於剝層或破裂之產生，藉以使潮濕或異物免於滲入內部電極之曝露表面，從而避免絕緣電阻之衰減並增強MLCC之可靠度。
儘管已連結具體實施例表示並說明本發明，不脫離本發明如申請專利範圍所界定之精神與範疇作修改及變化對於熟悉本技藝之人士仍將顯而易知。
100‧‧‧多層陶瓷電容器(MLCC)
110‧‧‧陶瓷體
112‧‧‧上包覆層
113‧‧‧下包覆層
131‧‧‧第一外部電極
132‧‧‧第二外部電極
L‧‧‧長度方向
ST‧‧‧陶瓷體的上表面
SB‧‧‧陶瓷體的下表面
T‧‧‧厚度方向
W‧‧‧寬度方向

Claims (12)

  1. 一種多層陶瓷電容器，其包含：陶瓷體，其中，層疊有複數介電層；主動層，包括複數內部電極，該複數內部電極經形成交替曝露於該陶瓷體的兩末端表面，且具有該介電層插置於其間，以形成電容；上包覆層，在該主動層上部位上形成；下包覆層，在該主動層下部位上形成並且具有大於該上包覆層的厚度的厚度；以及外部電極，包覆該陶瓷體的兩末端表面和上與下表面的部位，其中，當從該主動層的最下方內部電極之末端部位到該外部電極包覆該陶瓷體的下表面部位之末端部位的距離為E，從該外部電極的末端部位到該主動層的最下方內部電極的最短距離為T，而該陶瓷體朝長度方向之邊際為F時，滿足1.2E/T和30μmF，其中，若該陶瓷體的總厚度之一半為A，該下部位之厚度為B，該主動層的總厚度之一半為C，而該上包覆層之厚度為D，則該主動層的中央部位偏離該陶瓷體的中央部位的比率(B+C)/A滿足1.063(B+C)/A1.745。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電容器，其中，若該下包覆層之厚度為B，而該上包覆層之厚度為D，則該上包覆層之厚度D與該下包覆層之厚度B之間的比率(D/B)滿足0.021 D/B0.422之範圍。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電容器，其中，若該陶瓷體的總厚度之一半為A，而該下包覆層之厚度為B，則該下包覆層之厚度B對該陶瓷體的厚度之一半A的比率(B/A)滿足0.329B/A1.522。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電容器，其中，若該下包覆層之厚度為B，而該主動層的總厚度之一半為C，則該主動層的厚度之一半C對該下包覆層之厚度B的比率(C/B)滿足0.146C/B2.458之範圍。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電容器，其中，由於施加電壓時於該主動層的中央部位產生之張力與於該下包覆層產生之張力之間的差異，於該陶瓷體的兩末端部位形成之反曲點(PI)係朝厚度方向在該陶瓷體的中央部位下方形成。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電容器，其中，該第一與第二內部電極曝露於該陶瓷體的該等末端表面之部位係向內漸縮。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電容器，其中，該第一與第二內部電極未從該陶瓷體向外曝露之其它表面之轉角部位係向內漸縮。
  8. 一種安裝板件，用於允許多層陶瓷電容器安裝於其上，該安裝板件包含：印刷電路板，具有一對電極接墊形成於其上部位；以及多層陶瓷電容器，安裝在該印刷電路板上，其中，該多層陶瓷電容器包含：陶瓷體，其中層疊有複數 介電層；主動層，包含複數內部電極，該複數內部電極經形成交替曝露於該陶瓷體的兩末端表面，且具有該介電層插置於其間，並形成電容；上包覆層，在該主動層的上部位上形成；下包覆層，在該主動層的下部位上形成，並且具有大於該上包覆層的厚度的厚度；外部電極，包覆該陶瓷體的兩末端表面並且藉由焊料連接於該等第一與第二電極接墊，其中，當從該主動層的最下方內部電極的末端部位到該外部電極包覆該陶瓷體的下表面部位之末端部位的距離為E，從該外部電極的末端部位到該主動層的最下方內部電極的最短距離為T，而該陶瓷體朝長度方向之邊際為F時，滿足1.2E/T和30μmF，其中，若該陶瓷體的總厚度之一半為A，該下包覆層之厚度為B，該主動層的總厚度之一半為C，而該上包覆層之厚度為D，則該主動層的中央部位偏離該陶瓷體的中央部位的比率(B+C)/A滿足1.063(B+C)/A1.745。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之安裝板件，其中，該上包覆層之厚度D與該下包覆層之厚度B之間的比率(D/B或D：B)滿足0.021D/B0.422之範圍。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之安裝板件，其中，該下包覆層之厚度B對該陶瓷體的厚度之一半A的比率(B/A)滿足0.329B/A1.522。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之安裝板件，其中，該主動層的厚度之一半C對該下包覆層之厚度B的比率(C/B)滿足0.146C/B2.458之範圍。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之安裝板件，其中，由於施加電壓時於該主動層的中央部位產生之張力與於該下包覆層產生之張力之間的差異，於該陶瓷體的兩末端部位形成之反曲點(PI)係朝厚度方向在該陶瓷體的中央部位下方形成。
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