TWI488200B - 多層陶瓷電容器及用於安裝該多層陶瓷電容器的板件 - Google Patents
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Description
本申請案主張2012年12月13日於韓國智慧財產局提出申請之第10-2012-0145169號韓國專利申請案的優先權，其揭露係合併引用於本文中。
本發明係關於多層陶瓷電容器及用於安裝該多層陶瓷電容器的板件。
多層陶瓷電容器、積層晶片電子組件為安裝在如像是液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)等等之影像裝置(或視訊顯示裝置)、電腦、個人數位助理器(PDA)、攜帶型電話機等等之各種電子產品之印刷電路板(PCB)上用以充放電之晶片型電容器(condenser)。
具有諸如精巧、保障高電容、以及易於安裝等優點之多層陶瓷電容器(MLCC)可作為各種電子裝置之組件。
MLCC可包括複數介電層和內部電極，其結構在於具有不同極性之內部電極係在介電層之間交替層
疊。
介電層具有壓電和電伸縮特性。因此，當直流(DC)或交流(AC)電壓施加於MLCC時，壓電現象在內部電極之間出現而產生振動。
振動可透過MLCC之外部電極轉移至其上安裝有MLCC之PCB，使整片PCB變成聲波輻射表面而產生振動聲音成為噪音。
振動聲音可對應於範圍從20Hz到2000Hz的音頻，造成使用者不舒服，而此可造成使用者不舒服之振動聲音係已知為噪音，並且有必要深入研究降低噪音的方法。
而且，相關技藝MLCC在安裝於印刷電路板(PCB)上時不具有高黏著強度，其導致有可能非預期地自PCB分離。
底下專利文件1係關於下包覆層厚於上包覆層之MLCC，但其未揭露關於外部電極與陶瓷體強度之間比率的內容。
(專利文件1)日本專利第6-215978號公開案。
在相關技藝中，與多層陶瓷電容器(MLCC)有關能夠在MLCC安裝於印刷電路板(PCB)上時增加黏著強度以防止從PCB分離而又降低因壓電現象由振動產生之雜訊的新穎架構是有必要的。
根據本發明之一態樣，提供有多層陶瓷電容器，其包括：陶瓷體，其中層疊複數介電層；主動層，包含複數第一與第二內部電極且形成電容，該複數第一與第二內部電極是形成以交替曝露於陶瓷體的兩末端表面，並且介電層插置於其間；上包覆層，在主動層的上部位形成；下包覆層，在主動層的下部位形成並且具有大於上包覆層的厚度的厚度；以及第一與第二外部電極，其包覆陶瓷體的兩末端表面並且藉由焊料連接至第一與第二電極接墊，其中，若陶瓷體的上部位的長度、中部位的長度與下部位的長度之平均值為I，而第一外部電極的上部位的長度、中部位的長度與下部位的長度和第二外部電極的上部位的長度、中部位的長度與下部位的長度加總所得數值之平均數為BW，則BW/I滿足0.105BW/I1.049之範圍。
若陶瓷體的總厚度之一半為A，下包覆層之厚度為B，主動層的總厚度之一半為C，上包覆層之厚度為D，則主動層的中央部位偏離陶瓷體的中央部位之比率(B+C)/A可滿足1.063(B+C)/A1.745。
上包覆層之厚度D與下包覆層之厚度B之間的比率(D/B或D：B)可滿足0.021D/B0.422之範圍。
下包覆層之厚度B對陶瓷體的厚度之一半A的比率(B/A)可滿足0.329B/A1.522之範圍。
主動層的厚度之一半C對下包覆層之厚度B的比率(C/B)可滿足0.146C/B2.458之範圍。
由於施加電壓時產生於主動層的中央部位
之張力與產生於下包覆層之張力之間的差異，於陶瓷體的兩末端部位形成之反曲點(PI)可在陶瓷體的中央部位下方朝厚度方向形成。
根據本發明之另一態樣，提供安裝板件，其允許多層陶瓷電容器(MLCC)安裝於其上，該安裝板件包括：印刷電路板，具有第一與第二電極接墊形成於其上部位；MLCC，安裝於PCB上，其中，MLCC包括：陶瓷體，其中層疊有複數介電層；主動層，包含複數第一與第二內部電極且形成電容，該複數第一與第二內部電極是形成以交替曝露於陶瓷體的兩末端表面，並且有介電層插置於其間；上包覆層，在主動層的上部位形成；下包覆層，在主動層的下部位形成並且具有大於上包覆層的厚度之厚度；以及第一與第二外部電極，其包覆陶瓷體的兩末端表面並且藉由焊料連接至第一與第二電極接墊，其中，若陶瓷體的上部位的長度、中部位的長度與下部位的長度之平均值為I，而第一外部電極的上部位的長度、中部位的長度與下部位的長度和第二外部電極的上部位的長度、中部位的長度與下部位的長度加總所得數值之平均數為BW，則BW/I滿足0.105BW/I1.049之範圍。
由於施加電壓時產生於主動層的中央部位之張力與產生於下包覆層之張力之間的差異，於陶瓷體的兩末端部位形成之反曲點(PI)可低於焊料之高度。
50‧‧‧相鄰介電層
100‧‧‧多層陶瓷電容器(MLCC)
110‧‧‧陶瓷體
111‧‧‧介電層
112‧‧‧上包覆層
113‧‧‧下包覆層
115‧‧‧主動層
121‧‧‧第一內部電極
122‧‧‧第二內部電極
123‧‧‧下包覆層
131‧‧‧第一外部電極
132‧‧‧第二外部電極
150‧‧‧主動層
200‧‧‧安裝板件
210‧‧‧PCB
221‧‧‧第一電極接墊
222‧‧‧第二電極接墊
230‧‧‧焊料
A‧‧‧陶瓷體總厚度之一半
B‧‧‧下包覆層之厚度
C‧‧‧主動層總厚度之一半
CLA
‧‧‧主動層中央部位
CLC
‧‧‧陶瓷體中央部位
D‧‧‧上包覆層之厚度
L‧‧‧長度方向
ST
‧‧‧陶瓷體上表面
SB
‧‧‧陶瓷體下表面
T‧‧‧厚度方向
W‧‧‧寬度方向
本發明之以上與其它態樣、特徵和其它優
點將由底下之詳細說明搭配附加圖式而更得以清楚明瞭，其中，第1圖為根據本發明一具體實施例多層陶瓷電容器(MLCC)之部份剖視示意透視圖；第2圖為第1圖MLCC採MLCC長度方向之剖面圖；第3圖為第1圖MLCC採MLCC長度方向用以表示陶瓷體長度與MLCC外部電極長度之間關係的示意剖面圖；第4圖為第1圖MLCC採MLCC長度方向用以表示包含於MLCC之組件之尺寸關係的示意剖面圖；第5圖為描述第1圖MLCC安裝在印刷電路板(PCB)上的透視圖；第6圖為第5圖MLCC與PCB採長度方向之剖面圖；以及第7圖為描述第4圖安裝於PCB上隨電壓施加而變形之MLCC的示意剖面圖。
本發明之具體實施例將引用附加圖式予以詳細說明。
然而，本發明可用許多不同形式予以具體實施，而不應該推斷成侷限於本文所提之具體實施例。
反而，這些具體實施例係經提供以致本揭露將周密且完整，並且將完全傳達本發明之範疇給熟悉本技藝之人士。
在圖式中，元件形狀與尺寸可為了清晰而
誇大，並且相同元件符號將通篇用於表示相同或相似組件。
而且，各別具體實施例之圖式中所示相同概念之範疇內具有相同功能之元件將使用相同元件符號予以說明。
為了釐清本發明之具體實施例，六面體之方向可界定為：第1圖中標示之L、W、以及T分別表示長度方向、寬度方向、以及厚度方向。此處，厚度方向可用於具有與其中層疊有介電層之積層方向相同的概念。
而且，在本具體實施例，為了說明的目的，其上有朝陶瓷體的長度方向形成之第一與第二外部電極之表面係設為平行末端表面，而與之垂直之表面係設為左與右側表面。
請參閱第1至2圖，根據本發明一具體實施例之MLCC 100可包括陶瓷體110、具有第一與第二內部電極121與122之主動層115、上與下包覆層112與113、以及包覆陶瓷體110的兩末端表面之第一與第二外部電極131與132。
陶瓷體110係藉由層疊並隨後燒製複數介電層111予以形成，而陶瓷體110之配置與尺寸和介電層111之積層數量未侷限於本具體實施例所述的積層數量。
而且，形成陶瓷體110之複數介電層111係處於燒結狀態，並且相鄰介電層50可予以整合，以致其之間的分界若未使用掃描式電子顯微鏡(SEM)則可不顯而
易見。
陶瓷體110可包括作為電容器中有助於形成電容之一部份的主動層115、以及作為邊際部位形成於主動層115的上與下部位之上與下層112與113。
主動層115可藉由反覆層疊第一與第二內部電極121與122及插置於第一與第二內部電極121與122之間之介電層而予以形成。
此處，介電層111之厚度可根據MLCC 100之電容設計而隨意改變。較佳的是，介電層111之厚度範圍在燒製作業後可由0.1微米至10.0微米，但本發明不侷限於此。
而且，介電層111可由例如基於鈦酸鋇(BaTiO3
)之粉末、基於鈦酸鍶(SrTiO3
)之粉末或諸如此類具有高介電常數(或高K介電質)之陶瓷粉末予以製成，但本發明不侷限於此。
上與下包覆層112與123可由相同材料製成並且具有與介電層111相同但未包括有內部電極之配置。
上與下包覆層112與123可藉由在主動層115的上與下表面層疊單一介電層或者兩或更多介電層予以形成，並且基本上用於防止因物理或化學應力而對第一與第二內部電極121與122造成的損害。
而且，下包覆層113之厚度藉由增加介電層積層數量到大於上包覆層112之積層數量可大於上包覆層112之厚度。
同時，第一與第二內部電極112與122為一對具有不同極性之電極，並且可藉由(在陶瓷生片上)印製包含導電材料之導電膏到預定厚度予以形成，致使第一與第二內部電極121與122朝介電層111之積層方向交替曝露於兩末端表面，並且可藉由在其之間放置介電層111而彼此電絕緣。
也就是說，第一與第二內部電極121與122可經由其交替曝露於陶瓷體110的兩末端表面之部位電連接至第一與第二外部電極131與132。
因此，當電壓施加於第一與第二外部電極131與132時，電荷在彼此相向之第一與第二內部電極121與122之間累積，並且在此處，MLCC 100之電容與第一與及第二內部電極121及122互相重疊之區域成比例。
第一與第二內部電極之厚度可依據目的予以決定。例如，第一與第二內部電極之厚度可定在由0.2微米至1.0微米之範圍，但本發明未侷限於此。
而且，形成第一與第二內部電極121與122之導電膏內所包括之導電金屬可為鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)、或其合金，但本發明不侷限於此。
而且，導電膏可藉由使用篩選方式、凹版印刷法、或諸如此類的方法予以印製，但本發明不侷限於此。
第一與第二外部電極131與132可由含有導電金屬之導電膏予以製成，而導電金屬可為鎳(Ni)、銅
(Cu)、鈀(Pd)、金(Au)或其合金，但本發明不侷限於此。
第一與第二外部電極131與132在安裝於印刷電路板(PCB)上時必需具有高於特定程度之黏著強度，以致MLCC 100免於非預期地從PCB分離。
請參閱第3圖，其界定陶瓷體110的上部位的長度為I1，陶瓷體110的中部位的長度為I2，陶瓷體110的下部位的長度為I3，並且這三個部位的長度之平均值((I1+I2+I3)/3)為I。理由在於陶瓷體110的上部位、中部位、以及下部位之長度在誤差範圍內可具有不同數值，而非完全相同。
而且，界定第一外部電極131的上部位的長度為E1，第一外部電極131的中部位的長度為E2，第一外部電極131的下部位的長度為E3，第二外部電極132的上部位的長度為F1，第二外部電極132的中部位的長度為F2，第二外部電極132的下部位的長度為F3，以及這六個部位的長度之平均值(E1+E2+E3+F1+F2+F3)/6為BW(帶寬)。
此處，外部電極131與132之上部位、中部位、以及下部位在誤差範圍用可具有不同數值，而非完全相同。
此處，為了使第一與第二外部電極131與132在安裝於PCB上時具有高於預定程度之黏著強度以避免MLCC 100非預期分離及產生瑕疵安裝，BW/I可滿足0.105BW/I1.049之範圍。
在下文中，將說明根據本具體實施例MLCC中所包含之組成元件與噪音之間的關係。
請參閱第4圖，其界定陶瓷體110的總厚度之一半為A，下包覆層113之厚度為B，主動層115的總厚度之一半為C，上包覆層112之厚度為D。
此處，陶瓷體110之總厚度意指從陶瓷體110之上表面ST
到其下表面SB
的距離，而主動層115之總厚度意指從主動層115的最上部位形成之第一內部電極之上表面到主動層115的最下部位形成之第二內部電極122之下表面的距離。
而且，下包覆層113之厚度B意指朝厚度方向由主動層115的最下部位形成之第二內部電極122之下表面至陶瓷體110之下表面SB
的距離，而上包覆層112之厚度D意指朝厚度方向由主動層115的最上方形成之第一內部電極121之上表面至陶瓷體110之上表面ST
的距離。
當不同極性之電壓施加於MLCC 100的兩末端部位上形成之第一與第二外部電極131與132時，陶瓷體110因介電層111之逆壓電效應而朝厚度方向擴張與收縮，而第一與第二外部電極131與132之兩末端部位則因帕松(Poisson)效應朝厚度方向與陶瓷體110之擴張與收縮反向進行收縮與擴張。
此處，主動層115之中央部位為朝第一與第二外部電極131與132的長度方向於陶瓷體110的兩末端部位作最大擴張與收縮造成噪音的部位.
也就是說，在本具體實施例，為了降低因施加電壓時主動層150的中央部位CLA
產生之張力與下包覆層113產生之張力之間的差異所造成之噪音，反曲點(PI)可朝厚度方向於陶瓷體110的中央部位CLC
下方的陶瓷體之兩末端部位形成。
此處，為了進一步降低噪音，較佳的是，主動層115的中央部位CLA
偏離陶瓷體110的中央部位之比率((B+C)：A)滿足1.063(B+C)/A1.745之範圍。
而且，陶瓷體110的厚度D之一半(A)與下包覆層113之厚度B之間的比率(B：A)(或B/A)可滿足範圍0.329B/A1.522。
而且，下包覆層113之厚度B與主動層115的厚度之一半(C)之間的比率(C：B)可滿足範圍0.146C/B2.458。
根據本發明具體實施例之多層陶瓷電容器(MLCC)及比較性實施例係製造如下。
根據實施例之MLCC係透過底下步驟予以製造。
首先，含有如鈦酸鋇(BaTiO3
)或諸如此類粉末之漿料係塗敷於載體膜，並接著予以乾化，以備製複數厚度為1.8微米之陶瓷生片。
其次，內部電極係利用濾網(screen)在陶瓷生片上之鎳內部電極塗敷導電膏予以形成。
大約層疊三百七十(370)片陶瓷生片，以及此處，其上形成有一內部電極之陶瓷生片的下方比上方層疊更多無內部電極之陶瓷生片。此積層(或積層體)係在85℃以1000kgf/cm2
之壓力條件予以等力加壓(isostatic-pressed)。加壓完成之陶瓷積層係切成個別晶片，並且藉由在空氣氣氛下以230℃之溫度使切割出的晶片維持60個小時以實施脫脂製程(debinding process)。
之後，晶片在還原氣氛(reduced atmosphere)致使內部電極不致於氧化的條件下以低於Ni/NiO均衡氧氣分壓之10-11
atm至10-10
atm氧氣分壓予以燒製。在燒製作業之後，積層晶片電容器之晶片尺寸(長度×寬度(L×W))為1.64mm×0.88mm(L×W，1608大小)。此處，製造允差係定為長度×寬度±0.1mm，以及滿足製造允差之晶片其噪音係在實驗中測量。
之後，晶片係受控於如外部電極形成製程、電鍍製程、以及諸如此類之製程以製造MLCC。
第1表內的資料係基於掃描式電子顯微鏡(SEM)所採取之影像藉由從第3圖所示朝寬度(W)方向陶瓷體110的之中央部位測量朝長度方向(L)與厚度方向(T)所採取MLCC 100陶瓷體110的中央部位一部份之尺寸。
此處，如上所述，A係界定為陶瓷體110的總厚度之一半，B係界定為下包覆層113之厚度，C係界定為主動層115的總厚度之一半，以及D係界定為上包覆層112之厚度。
為了測量噪音，各板件用於測量噪音之單一樣本(MLCC)係朝垂直方向區別並且安裝在PCB上，以及接著，板件係安裝在測量夾具中。
之後，直流(DC)電壓及變動電壓係藉由功率直流電源供應器和信號產生器(或函數產生器)予以施加於安裝在測量夾具中之樣本的兩端。噪音係透過直接安裝在PCB上方之麥克風予以測量。
在第1表中，樣本1至3為具有包覆對稱性結構之比較性實施例，其中，下包覆層113之厚度與上包覆層D之厚度D實質(substantially)類似，而樣本4至13為結構中上包覆層112之厚度D大於下包覆層之厚度B的比較性實施例。
樣本14、15、以及35至37為結構中下包覆層113之厚度B大於上包覆層112之厚度D的比較性實施例，以及樣本16至34為本發明之具體實施例。
此處，當(B+C)/A接近1時，意指主動層115
之中央部位未大幅偏離陶瓷體110之中央部位。具有包覆對稱性結構，其中，下包覆層113之厚度B與上包覆層112之厚度D實質類似的樣本1至3之(B+C)/A值係接近1。
當(B+C)/A大於1，可意指主動層115之中央部位朝上偏離陶瓷體110之中央部位，以及當(B+C)/A小於1時，可意指主動層115之中央部位朝下偏離陶瓷體110之中央部位。
請參閱第1表，可看到的是，在主動層115之中央部位偏離陶瓷體110之中央部位的比率(B+C)/A滿足範圍1.063(B+C)/A1.745之樣本16至34中，噪音明顯降低到小於20 dB。
而且，主動層115之中央部位偏離陶瓷體110之中央部位的比率(B+C)/A小於1.063的樣本1至15具有主動層115之中央部位幾乎不偏離陶瓷體110之中央部位或主動層115之中央部位向下偏離陶瓷體110之中央部位的結構。
(B+C)/A小於1.063之樣本1至15具有範圍由25 dB至32.5 dB的噪音，因此可看到是，樣本1至15與本發明具體實施例相比不具有操音降低功效。
而且，至於主動層115之中央部位偏離陶瓷體110之中央部位的比率(B+C)/A超過1.745的樣本35至37，電容低於目標值，造成瑕疵電容。
在第1表中，標示為‘NG’之電容實現率(亦即，電容對目標電容值之比率)意指若目標電容值為
100%，相對於目標電容值之電容小於80%。
而且，可看出的是，上包覆層112之厚度D與下包覆層113之厚度B之間的比率(D：B)滿足範圍0.021D/B0.422的具體實施例具有降低相當多之噪音。
同時，可看出的是，上包覆層112之厚度D與下包覆層113之厚度B之間的比率(D：B)超過0.422的比較性實施例對於降低噪音沒有功效。
若上包覆層112之厚度D與下包覆層113之厚度B之間的比率(D/B)小於0.021，則下包覆層113之厚度B相對於上包覆層112之厚度D過大，可能產生破裂與剥層以及導因於對比於目標電容之低電容的瑕疵電容。
在具體實施例之中，可看到的是，在下包覆層113之厚度B對陶瓷體110的總厚度之一半A的比率(B/A)及主動層115的總厚度之一半C對下包覆層113之厚度B的比率(C/B)分別滿足範圍0.329B/A1.522及0.146C/B2.458的樣本19至34中，噪音進一步降低到低於18dB。
同時，可看到的是，在下包覆層113之厚度B對陶瓷體110之厚度A的比率(B/A)超過1.522或主動層115之厚度C對下包覆層113之厚度B的比率(C/B)小於0.146的樣本35至37中，相比於目標電容之電容低到產生瑕疵電容。
底下第2表根據陶瓷體110與外部電極強度之間的比率表示MLCC與PCB中的黏著強度及安裝缺陷。
在第2表中，BW為外部電極之平均長度，以及I為陶瓷體110之平均長度。
請參閱第2表，對於外部電極的平均長度對陶瓷體的平均長度之比率(BW/I)小於0.105作為比較性實施例的實施例1至4，外部電極之長度對於陶瓷體過小，在黏著強度測試與安裝測試中產生缺陷。
而且，對於BW/I超出1.049作為比較性實施例的樣本21至25，第一與第二外部電極之間的間距太窄，在安裝測試中產生缺陷。
因此，可確定的是，要不在黏著強度與安裝測試中產生缺陷，陶瓷體110之長度與外部電極之間的期望比率範圍為0.105至1.049。
請參閱第5及6圖，根據本具體實施例MLCC 100之安裝板件200可包括其上水平安裝有MLCC 10之PCB 210以及在PCB 210的上表面彼此相隔而形成之第一與第二電極接墊221與222。
此處，在MLCC 100之下包覆層113係置於底部以及第一和第二外部電極131和132係在第一和第二電極221和222上與第一和第二電極接墊221和222接觸的狀態中，MLCC 100可藉由焊料230電連接至PCB 210。
在MLCC 100安裝於PCB 210上的狀態中，噪音可在施加電壓時產生。
此處，第一與第二電極接墊221與222之尺
寸可為用於判斷連接第一與第二外部電極131與132和第一與第二電極接墊221與222之焊料230的用量的指標，以及噪音大小可依據焊料230之用量予以調節。
請參閱第8圖，對於安裝在PCB 210上之MLCC 100，當極性不同之電壓施加於MLCC 100的兩末端部位上形成之第一與第二外部電極131與132時，陶瓷體110因介電層111之逆壓電效應朝厚度方向擴張與收縮，而第一與第二外部電極131與132的兩末端部位則因帕松效應與陶瓷體110朝厚度方向之擴張與收縮反向而收縮與擴張。
此處，主動層115之中央部位為第一與第二外部電極131與132的兩末端部位中朝長度方向作最大擴張與收縮產生噪音的部位。
當MLCC 100之兩末端部位朝長度方向作最大擴張時，產生因擴張而向外推擠焊料230上部位的力道□，並且推擠外部電極之收縮力道□係藉由推向外側之力道在焊料230之下部位產生。
因此，在本具體實施例中，當形成於陶瓷體的兩末端部位之反曲點(PI)隨著電壓施加因主動層115的中央部位CLA中產生之張力與下包覆層113中產生之張力之間的差異而形成低於焊料之高度時，噪音可進一步降低。
如上所述，根據本發明之具體實施例，MLCC中產生之振動得以降低，以及因而當MLCC安裝在
PCB上時，噪音可降低，以及另外，可增加對PCB之黏著強度以避免安裝在PCB上之MLCC非預期地自PCB分離。
儘管已連結具體實施例表示並說明本發明，不脫離本發明如申請專利範圍所界定之精神與範疇作修改及變化對於熟悉本技藝之人士仍將顯而易知。
100‧‧‧多層陶瓷電容器(MLCC)
110‧‧‧陶瓷體
112‧‧‧上包覆層
113‧‧‧下包覆層
131‧‧‧第一外部電極
132‧‧‧第二外部電極
L‧‧‧長度方向
SB
‧‧‧陶瓷體下表面
ST
‧‧‧陶瓷體上表面
T‧‧‧厚度方向
W‧‧‧寬度方向
Claims (10)
- 一種多層陶瓷電容器，其包含：陶瓷體，其中，層疊有複數介電層；主動層，包括有複數第一與第二內部電極且形成電容，該複數第一與第二內部電極經形成以交替曝露於該陶瓷體的兩末端表面，並且具有該介電層插置於其間；上包覆層，在該主動層的上部位形成；下包覆層，在該主動層的下部位形成並且具有大於該上包覆層的厚度的厚度；以及第一與第二外部電極，其包覆該陶瓷體的兩末端表面，其中，若該陶瓷體的上部位的長度、中部位的長度與下部位的長度之平均值為I，而該第一外部電極的上部位的長度、中部位的長度與下部位的長度和該第二外部電極的上部位的長度、中部位的長度和下部位的長度加總所得數值之平均值為BW，則BW/I滿足0.105BW/I1.049之範圍，以及其中，若該陶瓷體的總厚度之一半為A，而該下包覆層之厚度為B，則該下包覆層之厚度B對該陶瓷體的厚度之一半A的比率(B/A)滿足0.329B/A1.522。
- 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電容器，其中，若該陶瓷體的總厚度之一半為A，該下部位之厚度為B，該主動層的總厚度之一半為C，該上包覆層之厚度 為D，則該主動層的中央部位偏離該陶瓷體的中央部位的比率(B+C)/A滿足1.063(B+C)/A1.745。
- 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電容器，其中，若該下包覆層之厚度為B，且並該上包覆層之厚度為D，則該上包覆層之厚度D與該下包覆層之厚度B之間的比率(D/B)滿足0.021D/B0.422之範圍。
- 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電容器，其中，若該下包覆層之厚度為B，而該主動層的總厚度之一半為C，則該主動層的厚度之一半C對該下包覆層之厚度B的比率(C/B)滿足0.146C/B2.458之範圍。
- 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電容器，其中，由於施加電壓時於該主動層的中央部位產生之張力與於該下包覆層產生之張力之間的差異，於該陶瓷體的兩末端部位形成之反曲點(PI)係朝厚度方向在該陶瓷體的中央部位下方形成。
- 一種安裝板件，其允許多層陶瓷電容器(MLCC)安裝於其上，該板件包含：印刷電路板，具有第一與第二電極接墊形成於其上部位；以及多層陶瓷電容器，安裝在該印刷電路板上，其中，該多層陶瓷電容器包含：陶瓷體，其中層疊有複數介電層；主動層，包含有複數第一與第二內 部電極具形成電容，該複數第一與第二內部電極經形成以交替曝露於該陶瓷體的兩末端表面，並且具有該介電層插置於其間；上包覆層，在該主動層的上部位形成；下包覆層，在該主動層的下部位形成並且具有大於該上包覆層的厚度之厚度；以及第一與第二外部電極，其包覆該陶瓷體的兩末端表面並且藉由焊料連接於該第一與第二電極接墊，若該陶瓷體的上部位的長度、中部位的長度與下部位的長度之平均值為I，而該第一外部電極的上部位的長度、中部位的長度與下部位的長度和該第二外部電極的上部位的長度、中部位的長度與下部位的長度加總所得數值之平均值為BW，則BW/I滿足0.105BW/I1.049之範圍，以及其中，該下包覆層之厚度B對該陶瓷體的厚度之一半A的比率(B/A)滿足0.329B/A1.522。
- 如申請專利範圍第6項所述之安裝板件，其中，若該陶瓷體的總厚度之一半為A，該下包覆層之厚度為B，該主動層的總厚度之一半為C，該上包覆層之厚度為D，則該主動層的中央部位偏離該陶瓷體的中央部位的比率(B+C)/A滿足1.063(B+C)/A1.745。
- 如申請專利範圍第6項所述之安裝板件，其中，該上包覆層之厚度D與該下包覆層之厚度B之間的比率(D/B或D：B)滿足0.021D/B0.422之範圍。
- 如申請專利範圍第6項所述之安裝板件，其中，該主動層的厚度之一半C對該下包覆層之厚度B的比率(C/B)滿足0.146C/B2.458之範圍。
- 如申請專利範圍第6項所述之安裝板件，其中，由於施加電壓時於該主動層的中央部位產生之張力與於該下包覆層產生之張力之間的差異，於該陶瓷體的兩末端部位形成之反曲點(PI)係朝厚度方向在該陶瓷體的中央部位下方形成。
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