TWI541932B - A substrate processing apparatus and a substrate processing method - Google Patents

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TWI541932B TW101137422A TW101137422A TWI541932B TW I541932 B TWI541932 B TW I541932B TW 101137422 A TW101137422 A TW 101137422A TW 101137422 A TW101137422 A TW 101137422A TW I541932 B TWI541932 B TW I541932B
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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於用以對薄膜及片材等薄膜機板施以圖案化等高精度加工之基板處理裝置、以及薄膜基板之搬送裝置。又，本發明之目的在提供一種用以實施高精度加工之基板處理方法。
本申請案主張2011年11月4日申請之日本國特願2011-242788號之優先權，將其內容援用於此。
作為構成顯示器裝置等顯示裝置之顯示元件，例如以有液晶顯示元件、有機電激發光(有機EL)元件、用於電子紙之電泳元件等。作為製造此等元件之手法之一，例如有一種被稱為捲對捲(roll to roll)方式(以下，簡稱(捲繞方式))之手法(例如，參照專利文獻1)。
此種捲繞方式，係送出捲繞在基板供應側滾輪之一片片狀(sheet狀)基板(web)並將送出之基板以基板回收側滾輪一邊加以捲繞一邊搬送基板，在送出基板至被捲繞之期間，將顯示電路及驅動電路等圖案依序形成基板上之手法。近年來，已提出了一種形成高精度圖案之處理裝置。
先行技術文獻
[專利文獻1]國際公開第2006/100868號
然而，因應更高精度化之情形時，若僅要求處理裝置之圖案化精度(高解析、轉印圖案之低失真等)是不足夠的。
本發明態樣之目的，在提供一種可進行高精度處理之基板處理裝置、或精密搬送薄膜基板之裝置。此外，本發明另一態樣之目的，在提供一種可進行高精度處理之基板處理方法。
本發明第1態樣，提供一種基板處理裝置，係將基板搬送於第1方向並對該基板之被處理面進行處理，具備：將該基板引導於該第1方向的第1引導構件；與該第1引導構件分離配置、用以引導被該第1引導構件引導之該基板的第2引導構件；在該第1引導構件與該第2引導構件之間對該基板賦予張力，以使該基板在與該第1方向交叉之第2方向之尺寸縮小的張力賦予機構；以及在該第1引導構件與該第2引導構件之間，對該基板之被處理面進行處理的處理裝置。
本發明之第2態樣，提供一種基板處理方法，係將片狀之長條基板搬送於長度方向，於該基板上依序形成既定圖案，具備；取得使該基板之待形成該圖案之部分區域在與該長度方向正交之寬度方向收縮時之收縮程度相關之資訊的步驟；以及於該長度方向夾著該基板之部分區域的特定2處位置之間，根據與該收縮程度相關之資訊對該基板賦予長度方向之張力的步驟。
根據本發明之態樣，可提供一種能進行高精度處理之基板處理裝置。又，根據本發明之另一態樣，可提供一種能進行高精度處理之基板處理方法。
《第1實施形態》
以下，參照圖式說明本實施形態。
圖1係顯示本實施形態之基板處理裝置100之構成的示意圖。
如圖1所示，基板處理裝置100具有供應帶狀基板(例如，帶狀之片狀構件)S之基板供應部2、對基板S之表面(被處理面)Sa進行處理之基板處理部(圖案形成裝置)3、回收基板S之基板回收部4、以及控制此等各部之控制部CONT。基板處理部3，在將基板S從基板供應部2送出、至以基板回收部4回收基板S為止之期間，對基板S之表面實施各種處理。
此基板處理裝置100，可在基板S上形成例如有機EL元件、液晶顯示元件等顯示元件(電子裝置)之場合使用。
又，本實施形態中，如圖1所示，係設定一XYZ座標系，以下，適當的使用此XYZ座標系來進行說明。XYZ座標系中，例如係沿水平面設定X軸及Y軸、沿鉛直方向朝上設定Z軸。此外，基板處理裝置100，整體來說係沿X軸、從-側(-X軸側)往+側(+X軸側)搬送基板S。此時， 帶狀基板S之寬度方向(短邊方向)係設定為Y軸方向。
基板處理裝置100中，作為處理對象之基板S，可使用例如樹脂薄膜及不鏽鋼等之箔(foil)。例如樹脂薄膜可使用聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯乙烯基共聚物樹脂、聚氯乙烯樹脂、纖維素樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂等材料。
基板S，以例如承受200℃程度之熱其尺寸亦不會變化之熱膨漲係數小者較佳。如可將無機填料混於樹脂薄膜以降低熱膨漲係數。作為無機填料，例如有氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化矽等。此外，基板S可以是以浮式法等製造之厚度100μm程度之極薄玻璃單體、或於該極薄玻璃貼合上述樹脂薄膜及鋁箔的積層體。
基板S之寬度方向(短邊方向)尺寸係形成為例如1m~2m程度，長度方向(長邊方向)尺寸則形成為例如10m以上。當然，此尺寸僅為一例，並不限於此。例如，基板S之Y軸方向尺寸可以是1m以下或50cm以下，亦可以是2m以上。再者，基板S之X軸方向尺寸可以是10m以下。
基板S以具有可撓性之方式形成。此處，所謂可撓性，係指對基板施加自重程度之力亦不致斷開或破裂、可將前述基板加以撓曲之性質。此外，因自重程度之力而彎曲之性質亦包含於可撓性。又，上述可撓性可視前述基板之材質、大小、厚度、或温度等、或環境等變化。再者，基板S可以是使用一片帶狀基板之構成，亦可以是使用將複數單 位之基板加以連接形成為帶狀之構成。
基板供應部2，將捲成例如筒狀之基板S往基板處理部3送出加以供應。此場合，於基板供應部2設有捲繞基板S之軸部及使前述軸部旋轉之旋轉驅動裝置等。除此之外，亦可設置例如用以覆蓋捲成筒狀狀態之基板S之罩(cover)部等。
又，基板供應部2並不限於將捲繞成筒狀之基板S送出之機構，只要是包含將帶狀基板S於其長度方向依序送出之機構(例如夾持式驅動滾輪等)即可。
基板回收部4，將通過基板處理裝置100之基板S，例如捲成筒狀後加以回收。於基板回收部4，與基板供應部2同樣的，設定用以捲繞基板S之軸部及使前述軸部旋轉之旋轉驅動源、以及覆蓋回收之基板S之罩部等。又，若係在基板處理部3進行將基板S切成平板(panel)狀之情形時等，亦可以是例如將基板S以重疊狀態加以回收等，與捲成筒狀狀態不同之狀態回收基板S之構成。
基板處理部3，將從基板供應部2供應之基板S搬往基板回收部4，並於搬送過程對基板S之被處理面Sa進行處理。基板處理部3，具有對基板S之被處理面Sa進行加工處理的加工處理裝置(圖案形成部)10、與包含以對應加工處理形態之條件搬送基板S之驅動滾輪R等的搬送裝置(基板搬送部)20。
加工處理裝置10具有對基板S之被處理面Sa、例如用以形成有機EL元件之各種裝置。作為此種裝置，例如有用 以在被處理面Sa上形成間隔壁之印記(imprint)方式等的間隔壁形成裝置、用以形成電極的電極形成裝置、以及用以形成發光層的發光層形成裝置等。
具體而言，有液滴塗布裝置(例如噴墨型塗布裝置等)、成膜裝置(例如鍍金裝置、蒸鍍裝置、濺鍍裝置等)、曝光裝置、顯影裝置、表面改質裝置、洗淨裝置等。此等各裝置係沿基板S之搬送路徑適當設置，而能以所謂的捲對捲方式生產可撓顯示器之面板等。本實施形態中，作為加工處理裝置10係設置曝光裝置，並視需要線上(inline)設置負責其前後步驟(感光層形成步驟、感光層顯影步驟等)之裝置。
於基板處理部3，設有與作為曝光裝置之加工處理裝置10協力動作之對準攝影機5。對準攝影機5係個別的檢測例如沿基板S之-Y軸側端邊及+Y軸側端邊之各個形成之對準標記ALM(參照圖3)。對準攝影機5之檢測結果被送至控制部CONT。
圖2及圖3係顯示本實施形態之第1構成之基板處理部3之部分構成的圖。圖2係第1構成之基板處理部3之構成的前視圖。圖3係第1構成之基板處理部3之構成的俯視圖。
如圖2及圖3所示，基板處理部3具有第1滾輪11(旋轉滾輪)、夾持滾輪11a(旋轉滾輪)、第2滾輪12(旋轉滾輪)、夾持滾輪12a(旋轉滾輪)、筐體13及作為加工處理裝置10之曝光裝置EX。
第1滾輪11係朝筐體13側於+X軸方向引導基板S 之第1引導構件(基板引導構件)。第1滾輪11，係相對筐體13於基板S之搬送方向上流側(-X軸側)設成與Y軸平行，被設置成能以和Y軸平行之旋轉軸為中心藉馬達等而能旋轉。基板S被第1滾輪11與夾持滾輪11a夾持，而被支承為如箭頭Dx所示的朝+X軸方向搬送。
第2滾輪12，係將來自筐體13之基板S往+X軸側引導之第2引導構件(基板引導構件)。
第2滾輪12，係相對筐體13於基板S之搬送方向下流側(+X軸側)配置成與Y軸平行，可以和Y軸平行之旋轉軸為中心藉馬達等旋轉。基板S被第2滾輪12與夾持滾輪12a夾持，而被支承為如箭頭Dx所示的朝+X軸方向搬送。
筐體13配置在第1滾輪11與第2滾輪12之間。筐體13係例如形成為長方體狀。筐體13具有底部13B、壁部13W。底部13B構成筐體13之-Z軸側端面。壁部13W係由-X軸側之端面13Wa、+X軸側之端面13Wb、+Y軸側之端面13Wc及-Y軸側之端面13Wd構成。
又，於筐體13之+Z軸側，若係投影曝光方式時配置有投影光学系PL，若係近接曝光方式時則配置有光罩載台部MST。
在被壁部13Wa~13Wd及底部13B圍成之收容室13R內部，設有對基板S施以加工處理(此處係曝光)之基板載台機構(基板支承部)14。因此，於筐體13之-X軸側之端面13Wa形成有使從第1滾輪11搬入之基板S通過之開口部13m。又，於筐體13之+X軸側之端面13Wb，形成有將基 板S從收容室13R(基板載台機構14)往第2滾輪12搬出之開口部13n。
於底部13B之-Z軸側，形成有移動滾輪17。移動滾輪17係載置於導軌16。導軌16係支承於基板處理部3之未圖示的支承部、例如工廠之地面等。導軌16沿X軸方向(或Y軸方向)形成。筐體13係設置成可藉由未圖示之驅動機構沿導軌16於X軸方向(或Y軸方向)移動。此筐體13藉由移動滾輪17與導軌16之移動並非必須。
於收容部13R內，設有基板載台機構14、對準攝影機18(相當於圖1中之對準攝影機5)。基板載台機構14，為以非接觸方式支承基板S中之第1滾輪11與第2滾輪12間(以下，稱「滾輪間部分Sr」)之一部分，而具有例如形成為圓筒面狀之外周面14a，其外周面14a係以為了在與基板S之間形成流體軸承層之墊構件(多孔質空氣墊等)構成。
基板載台機構14，設有一邊使構成外周面14a之墊構件噴出流體(空氣、氮氣)、一邊吸引該噴出之流體的流體控制部115。
包含複數個馬達等驅動源之驅動部15，係用以使基板載台機構14(外周面14a)之位置及姿勢微量變化之構件，主要進行往Z軸、X軸、Y軸之各方向之微動、以及往θ Z方向(繞Z軸)與θ X(繞X軸)之各旋轉微動。驅動部15係以圖1中之控制部CONT之控制，與使用第1滾輪11、第2滾輪12之基板S之搬送控制同步，調整驅動量及時序等。
2個對準攝影機18，如圖3所示，係分別檢測形成在 基板S之Y軸方向(寬度方向)兩端部之對準標記ALM。對準標記ALM沿基板S中之+Y軸側之端邊及-Y軸側之端邊形成複數個。複數個對準標記ALM於X軸方向以等間距配置。對準攝影機18係朝向基板S中被基板載台機構14支承之部分，在曝光裝置EX之狹縫狀投影區域EA(參照圖3)的前方(-X軸方向)位置個別的檢測對準標記ALM。亦即，對準攝影機18係於基板S之搬送方向，在較投影區域EA之位置更上流位置，個別檢測對準標記ALM。對準攝影機18之檢測結果被送至控制部CONT。
對準攝影機18係將以顯微鏡放大之對準標記ALM之像，以CCD及CMOS等固態體攝影元件加以受光的顯微鏡攝影系統。該顯微鏡攝影系統於基板S上之觀察區域，係長寬約數十μm~數百μm程度之範圍。因此，為了能在此種狹小觀察區域內確實觀察到對準標記ALM，例如係在基板S上形成線寬數μm~20μm程度之線狀圖案、或將該等線狀圖案平行的排列數條之格子狀圖案。
又，如圖2所示，曝光裝置EX具有照明部IL及光罩載台MST。照明部IL係朝基板S於-Z軸方向照射狹縫狀照明光。光罩載台MST保持形成有既定圖案P之光罩M。於光罩載台MST設有能保持不同尺寸之光罩M的光罩保持部MH。光罩載台MST被設置成能藉由未圖示之驅動裝置移動於X軸方向，以和基板S之X軸方向搬送速度同步之速度移動。
光罩載台MST之移動可以控制部CONT加以控制。上 述曝光裝置EX，將從照明部IL照射、經由光罩M之曝光用光之像(投影曝光方式之場合為投影光学系PL形成之空間像、近接曝光方式之場合則為影像)投影至投影區域EA(參照圖3)。又，本實施形態中，投影區域EA之形狀係與基板載台機構14之圓筒狀外周面14a之稜線平行細長延伸之狹縫形狀。
如圖2所示，基板S在被第1滾輪11夾持後，以非接觸方式捲於基板載台機構14之外周面14a之既定角度分後，被第2滾輪12進給，如箭頭Dx般被搬送。本實施形態，如圖3所示，在第1滾輪11與第2滾輪12之間，係進行對基板S賦予搬送方向之張力F的搬送。
具體而言，由控制部CONT以第2滾輪12之旋轉速度(周速度)相對第1滾輪11之旋轉速度(周速度)略快之方式控制各馬達。此構成中，第1滾輪11與第2滾輪12、用以精密控制該等滾輪之周速度(或扭力)之驅動馬達、及該馬達之電氣控制系(含程式)，相當於張力賦予機構。
如前所述，當對基板S賦予X軸方向之張力F時，如圖3所示，若設進入第1滾輪11前之基板S之Y軸方向尺寸(寬度)為TD0的話，在第1滾輪11與第2滾輪12之間，該Y軸方向尺寸(寬度)即收縮而成為TD1。亦即，在X軸方向分開距離L(基板S之實長)之第1滾輪11與第2滾輪12之間，以張力F拉基板S時，基板S即有於X軸方向伸展、於Y軸方向收縮之傾向。
在距離L充分大於基板S之初期寬度TD0之場合，如 圖3所示，藉由模擬，得知在從第1滾輪11往+X軸方向至距離As為止之範圍、與至第2滾輪12前(-X軸方向)之距離Ae為止之範圍，收縮變化率(X軸方向每單位長之Y軸方向收縮量(收縮程度))雖較大，但在從第1滾輪11往+X軸方向至距離As為止之範圍與從第2滾輪12往-X軸方向至距離Ae為止之範圍之間的範圍，可獲得一收縮變化率(收縮程度)幾乎不變而安定之範圍。因此，本實施形態中，作出一基板S之Y軸方向之收縮變化率大致一定(大致為0)的安定區域，並將投影區域EA設定在該安定區域來進行曝光。
圖4係為該模擬，而以誇張方式說明基板之伸縮狀態的圖，顯示被夾持之第1滾輪11與第2滾輪12間之基板S之距離L，大於基板S之初期寬度TD0之情形時的狀態。當以張力F於X軸方向拉基板S時，在從第1滾輪11往+X軸方向至距離As之範圍，產生基板S之邊緣Es1、Es2較基板S之初期寬度TD0往內側縮入的變形，在從第2滾輪12往-X軸方向至距離Ae為止之範圍，則產生基板S之邊緣Ee1、Ee2回到基板S之初期寬度TD0的變形。
並在從第1滾輪11往+X軸方向至距離As之範圍與從第2滾輪12往-X軸方向至距離Ae之範圍間之距離Wx的範圍，獲得一基板S收縮至大致一定寬度TD1之安定區域。
安定區域係根據在投影區域EA之圖案轉印精度(相對的倍率誤差及重疊誤差之容許範圍)所決定的。本實施形態 中，作為模擬之一例，係以投影區域EA之Y軸方向尺寸為基板S之初期寬度TD0之80~90%程度、且轉印數μm以下尺寸之微細圖案的精密曝光為前提來進行說明。
例如，在初期寬度TD0為300mm、投影區域EA之設計上Y軸方向尺寸為260mm之場合，當經由前步驟之濕處理及乾燥處理而使基板S整體伸展50ppm程度時，對應基板S上投影區域EA之Y軸方向尺寸即伸展13.0μm。此值，代表了在將數μm尺寸之圖案以高精度定位後重疊曝光時，會導致最大13.0μm之位置誤差(重疊誤差)，此狀態下欲進行精密的曝光處理是非常困難。
典型的薄膜基板之PET薄膜之情形時，有時會因製程而伸展達100ppm程度。當為了製造大型顯示器而加大基板S之初期寬度TD0與投影區域EA，並設投影區域EA之設計上Y軸方向尺寸為520mm(TD0=600mm)，而基板S整體伸展100ppm時，Y軸方向之最大伸展量將超過50μm。
此外，一般而言，曝光裝置之重疊誤差及位置誤差之容許範圍，是待轉印之圖案尺寸(或線寬)的數分之一程度。因此，例如待轉印圖案之最小尺寸(線寬)為3μm的話，其重疊誤差及位置誤差之容許範圍為0.6μm。亦即，實際之曝光時，在投影區域EA內之Y軸方向任一點，皆須使重疊誤差及位置誤差在0.6μm以下。
因此，本實施形態中，在變更2個滾輪11、12間之基板S之距離L、基板S之初期寬度TD0、基板厚度t、張力F、帕松比(Poisson's ratio)、楊氏係數的情形下進行了各種 模擬，將滿足下述2條件之範圍設為安定區域。
(1)求出從2個滾輪(11、12)朝向基板S中央、於X軸方向每30mm節距之Y軸方向收縮量，該變化量為0.3μm以下〔收縮變化率大致為0〕。
(2)變化量為0.3μm以下之範圍全體中、收縮之基板S之寬度TD1之絶對值之變化寬度在1.5μm以內。
此等數值條件為模擬上之一例，實際數值係視製程造成之基板S之延伸、待轉印圖案之最小尺寸、重疊誤差及位置誤差之容許範圍等加以適當決定。
圖5係模擬將2個滾輪11、12間之基板S之距離L設為100cm、初期寬度TD0設為30cm、基板S之厚度t為100μm之PET薄膜(帕松比設定為0.35、楊氏係數設定為4GPa)為對象，張力F分別變更為20N、50N、100N、150N之情形時之收縮變形狀態(收縮量、收縮程度)的圖表。横軸位置0cm與100cm分別係第1滾輪11與第2滾輪12之夾持位置。
如圖5所示，最大收縮量與張力F之大小大致成正比變化。又，在收縮量大致一定之範圍、亦即安定區域之寬度隨著張力F變大而變窄。張力F為20N程度時，從兩端至10cm程度完止為非線性收縮，可獲得80cm程度之安定區域寬度。張力F為150N時，從兩端至20cm程度為止為非線性收縮，安定區域之寬度為60cm程度。
圖6係顯示與圖5之情形相較，將2個滾輪11、12間之基板S之距離L縮小至40cm之點外，其他條件皆相同時 之模擬結果的圖表。與圖5之情形相較，將距離L縮小至40%，於每一張力F所得之安定區域寬度亦相應變窄。此外，模擬上，隨距離L之減少，兩側之非線性收縮範圍有變大之傾向。
例如，張力F為20N時，圖5之條件下從兩端至10cm程度為非線性，但在圖6之情形時，從兩端至14~15cm程度為非線性。
圖7係模擬將2個滾輪11、12間之基板S之距離L設為100cm、基板S之厚度t為100μm之PET薄膜(帕松比設定為0.35、楊氏係數設定為4GPa)為對象，張力F設定為100N，而將初期寬度TD0分別變更為40cm、60cm、100cm之情形時之收縮變形狀態(收縮量、收縮程度)的圖表。
初期寬度為100cm之情形(亦即L=TD0)、未獲得合乎條件之安定區域，於距離L之整體呈現非線性之收縮。但隨著初期寬度TD0逐漸減少為60cm、40cm，即出現了安定區域。在TD0=60cm時之安定區域之寬度Wx1為略低於30cm、於TD0=40cm時之安定區域之寬度Wx2則約為60cm。
此外，亦變更不同之基板S之帕松比、楊氏係數、厚度t進行了模擬，但安定區域之出現傾向並無太大差異，由圖5~7所示模擬結果來看，可知對安定區域之出現有助益之主要原因為距離L與初期寬度TD0之比。
圖8係作為基板S以PET薄膜為對象，以初期寬度TD0相對夾持間距離L之比率(TD0/L)為縱軸、安定區域之寬 度Wx相對該距離L之比率(Wx/L)為横軸，將幾次模擬結果加以顯示的圖表。
圖表化之模擬結果係張力F皆設為100N之情形，連結縱軸之1.0與横軸之1.0之線BS代表理論上之交界，PET薄膜等樹脂性薄膜之場合，該傾向會出現於線BS之左下、而不會出現於右上。
圖8中之線Sim1係厚度t為200μm、帕松比為0.3、楊氏係數為6GPa時所得模擬結果之平均，線Sim2則係代表厚度t為100μm、帕松比為0.4、楊氏係數為4GPa時所得模擬結果之平均。代表性之PET薄膜之場合，在模擬下結果大致分布於線Sim1與線Sim2之間。
然而，在厚度t極端的薄、或表面積層有某種薄膜之情形時，雖有結果出現在線Sim2之左下方之情形，但不曾出現在交界線BS之右上。
從上述模擬結果之傾向，當可得知上述圖2、圖3所示裝置構成上之各數據，例如、在投影區域EA內所須之基板S之Y軸方向收縮量(收縮率、收縮程度)、與因此而所須之張力F之大小時，即能預先求出藉由該張力F可確保之最低限度之安定區域之寬度、距離L與初期寬度TD0三者之關係，因此能將第1滾輪11至第2滾輪12之基板搬送路長度(距離L)予以最佳化。
其次，說明使用以上述方式構成之基板處理裝置100製造有機EL元件、液晶顯示元件等顯示元件(電子元件)之步驟。基板處理裝置100依據設定於控制部CONT之配方(加 工條件、時序、驅動參數等)之控制，製造前述顯示元件。
首先，將捲於未圖示之滾輪之基板S捲繞於基板供應部2。控制部CONT使未圖示之滾輪旋轉以從此狀態將前述基板S從基板供應部2送出。並將通過基板處理部3之前述基板S以設於基板回收部4之未圖示之滾輪加以捲繞。
控制部CONT，在基板S從基板供應部2送出至以基板回收部4加以捲繞之期間，以基板處理部3之搬送裝置20在前述基板處理部3內適當的搬送基板S。
對在基板處理部3內搬送之基板S使用曝光裝置EX進行曝光處理時，首先，控制部CONT，在以第1滾輪11與夾持滾輪11a夾持基板S之狀態下，使基板S中較第1滾輪11更-X軸側之部分鬆弛。又，控制部CONT，在以第2滾輪12與夾持滾輪12a夾持基板S之狀態下，使基板S中較第2滾輪12更+X軸側之部分鬆弛。藉由此動作，即能相對基板S之其他部分獨立的調整滾輪間部分Sr之張力(張力F)。
之後，控制部CONT藉由第1滾輪11、夾持滾輪11a、第2滾輪12及夾持滾輪12a，一邊對滾輪間部分Sr附加既定張力、一邊以既定搬送速度於+X軸方向搬送基板S。
控制部CONT在搬送基板S之狀態下，從照明部IL照射曝光用光，並使光罩載台MST往+X軸方向移動。此時，控制部CONT使光罩載台MST之移動速度與基板S之搬送速度同步。
藉由此動作，對於往+X軸方向移動之基板S之被處理 面Sa，經由光罩M之曝光用光被投影於投影區域EA(參照圖3)，於前述被處理面Sa以掃描曝光方式形成光罩M之圖案P之像。
於進行此種曝光動作時，控制部CONT藉由對第1滾輪11與第2滾輪12之間賦予些微之旋轉速度差，對基板S賦予所需之X軸方向之張力F以使基板S之初期寬度TD0收縮，來調整 光罩M上之圖案區域之Y軸方向尺寸、與待轉印至基板S之被處理面Sa上之圖案區域(基板之部分區域)之Y軸方向尺寸的相對誤差(相對倍率誤差)。
又，本實施形態，由於係使用將投影區域EA作成延伸於Y軸方向之細長狹縫狀，於X軸方向進行掃描曝光之方式，因此該投影區域EA即係基板S上之實質被曝光區域。是故，基板S之Y軸方向尺寸調整(收縮補正)僅需至少對該被曝光區域(基板之部分區域)實施即可，並非必須對基板S上之1個圖案區域全體實施基板S之Y軸方向尺寸調整(收縮補正)。
本實施形態，如圖3所示，滾輪間部分Sr之下側係被基板載台機構14之外周面14a之流體軸承層支承，因此該處幾乎不存在實質的摩擦。是以，基板S之滾輪間部分Sr於加重方向之X軸方向會伸長，而在與加重方向交叉之Y軸方向，初期寬度TD0會收縮成TD1。
圖3中略誇張的顯示了基板S之滾輪間部分Sr之Y軸方向收縮，而基板載台機構14之外周面14a則被設定在能 同樣獲得收縮寬度TD1之安定區域的寬度內。
又，在通過第2滾輪12後，由於原本作用於基板S之張力F會消除，因此基板S會因彈性而恢復張力賦予前之形狀。亦即，基板S會從圖3之狀態往Y軸方向伸長並往X軸方向收縮。因此，在對圖3所示之收縮於Y軸方向之狀態之基板S轉印光罩M之圖案P後，當張力F消除時，被轉印至被處理面Sa之圖案區域(基板之部分區域)及以和基板S相同之比率於Y軸方向伸長、而於X軸方向則收縮。
本實施形態，係使用將投影區域EA作成於Y軸方向延伸之細長狹縫狀，於X軸方向進行掃描曝光之方式。因此，針對X軸方向之相對倍率誤差(定標(sacling)誤差)，可藉由對在投影區域EA之基板S之搬送速度Sv與光罩M之移動速度Mv的之本來的同步關係、Sv=k‧Mv(若係近接曝光方式則k為1、若係投影曝光方式則為投影系之倍率)賦予些微之速度差(對應基板S之X軸方向伸張率)來加以調整。
又，若於基板S之被處理面Sa作為底層之圖案區域(基板之部分區域)係以濕式製程(鍍敷步驟或蝕刻步驟等)等形成，並對該處將光罩M之圖案區域重疊曝光之情形時，基板S有可能於濕式製程產生較大的延伸。
此種情形時，尤其是習知之近接曝光方式中，將光罩M上之圖案區域與已形成在基板S之圖案區域(基板之部分區域)，至少於Y軸方向(與掃描曝光方向正交之方向)良好的加以重疊、亦即Y軸方向之定標誤差之補正是非常困難的。
本實施形態中，藉由以第1滾輪11與第2滾輪12對基 板S賦予搬送方向(X軸方向)之張力，而能使基板S之滾輪間部分Sr之Y軸方向尺寸在彈性變形之範圍收縮，以簡單的構成實現過去不易完成之Y軸方向之定標誤差之補正。
承上所述，控制部CONT，可藉由在確保安定區域之同時、一邊改變賦予基板S之張力F之大小來調整基板S之Y軸方向收縮量，以調整曝光圖案之Y軸方向尺寸與基板S之被處理面Sa之Y軸方向尺寸的相對比率。因此，實質上即能調整轉印至基板S之光罩圖案像之Y軸方向之相對倍率。
基板S往Y軸方向之收縮量係對應對基板S之X軸方向之張力F。因此，在控制基板S往Y軸方向之收縮量之場合，預先透過上述圖5~圖8之模擬及實驗等求出對基板S之X軸方向之張力F與Y軸方向之收縮量間的關係作為資料數據，控制第1滾輪11、第2滾輪12之動作以對基板S施加對應所須收縮量之張力F。
於進行上述動作時，控制部CONT以下述方式求出基板S之收縮量(或收縮率、收縮程度)。首先，控制部CONT，使用對準攝影機18檢測形成在基板S之-Y軸側端邊之對準標記ALM與形成在+Y軸側端邊之對準標記ALM。控制部CONT根據對準攝影機18之檢測結果算出對準標記ALM之Y軸方向距離，根據前述距離算出滾輪間部分Sr之Y軸方向尺寸(收縮後之寬度TD1)。之後，控制部CONT，使用算出結果與預先記録之對準標記ALM之Y軸方向間隔尺寸，算出基板S之收縮量(或收縮率、收縮程度)。
又，於上述實驗及模擬等中，作為數據資料預先求出對應基板S之Y軸方向收縮量之X軸方向伸長量，根據X軸方向伸長量調整光罩載台MST之移動速度及基板S之搬送速度，即能實質上調整光罩圖案像之X軸方向之相對倍率(定標誤差)。
控制部CONT，在調整光罩載台MST之移動速度及基板S之搬送速度之場合，設前述光罩載台MST往+X軸方向之移動速度為Mv、前述基板S之搬送速度(基板載台14之外周面14a之周方向速度)為Sv、X軸方向之定標誤差(伸張率)為A(ppm)的話，須滿足下式(1)。
Sv=k‧Mv‧(1+A)、或Sv‧(1-A)=k‧Mv………(1)
其中，若係近接曝光方式則k為1、若係投影曝光方式則k為投影系之倍率。
又，若係近接曝光方式的話，控制部CONT即藉由圖2中之驅動部15適當調整基板載台機構14(外周面14a)之姿勢及位置，以將基板S上之投影區域EA與光罩M間之間隙及平行度設定在一定範圍內。
如以上所述，根據本實施形態，在對基板S之被處理面Sa進行處理之基板處理部3，於將基板S搬送於X軸方向之第1滾輪11與第2滾輪12之間，在使基板S之Y軸方向尺寸安定的收縮之狀態下進行曝光處理，因此能簡單的調整相對倍率(定標誤差)，實現高精度之圖案化。
又，在處理裝置10係使用與曝光裝置EX不同之其他裝置之場合，亦能在搬送基板S之搬送側調整基板S之滾 輪間部分Sr、與藉由處理裝置10處理之範圍間的相對尺寸。
又，使用光罩之曝光裝置EX以外之處理裝置10，例如噴墨印表機、使用DMD等之無光罩曝光機、掃描雷射點以進行圖案描繪之雷射束印表機等亦皆能適用本實施形態。
本發明之技術範圍並限定於上述實施形態，在不脫離本發明之要旨範圍內，當然可適當的加以變更。
例如，上述圖2、圖3之構成中，對準攝影機18僅在投影區域EA之-X軸方向位置設置一組。但如圖9所示，亦可設置配置在投影區域EA之-X軸方向位置之一組對準攝影機18a,18d、配置在與投影區域EA大致相同X軸方向位置之一組對準攝影機18b,18e、以及配置在投影區域EA後方位置(+X軸方向之位置、或於基板S之搬送方向在投影區域EA之下游位置)之一組對準攝影機18c,18f的合計共6個對準攝影機(顯微鏡攝影系統)。
如圖9所示的配置複數個對準攝影機18a~18f時，包含投影區域EA之基板S之局部的面形狀變形(在XY面內之微小變形)，即能於對準標記ALM之X軸方向每一節距即時的、持續的加以測量。因此，能高精度的特定在投影區域EA內之基板S之些微的變形誤差及倍率誤差，並為緩和該誤差而即的調整賦予基板S之張力F之大小、及基板載台機構14之位置及姿勢。
如上所述，在配置複數個對準攝影機18a~18f之場合，各攝影機之標記檢測位置，亦最好是能包含在基板S 之安定區域Wx內。
又，作為驅動曝光裝置EX之光罩載台MST之驅動機構，可使用圖10、圖11所示之線性馬達機構LM。
圖10、圖11顯示了近接方式之掃描曝光裝置之構成，光罩載台MST係以具有固定子LMa與可動子LMb之線性馬達機構LM加以精密的驅動。
固定子LMa延伸於X軸方向。於固定子LMa，沿X軸方向排列配置有未圖示之複數個線圈。固定子LMa於Y軸方向隔著光罩載台MST設有一對。一對固定子LMa於光罩載台MST側具有槽部。此槽部沿X軸方向形成。
可動子LMb，分別設在光罩載台MST之+Y軸側側面及-Y軸側側面。各可動子LMb分別具有磁石。可動子LMb分別插入對應之固定子LMa之槽部。可動子LMb可沿前述槽部移動於X軸方向。於筐體13上部設有一對支承光罩載台MST之導引面13g，以藉由可動子LMb往X軸方向之移動，使光罩載台MST往X軸方向移動。
本實施形態之構成中，係設定為從第1滾輪11至第2滾輪12之間大致水平的搬送基板S，構成為旋轉圓桶之基板載台機構14之外周面14a，與基板S之背面在極小之區域接觸。亦即，使投影區域EA之X軸方向寬度盡可能的小，並將外周面14a與基板S之接觸區域之X軸方向寬度作成與狹縫狀投影區域EA之X軸方向寬度同程度的小。
進一步的，本實施形態，係以驅動部15控制使基板載台機構14(旋轉圓筒體)外周面之周速度、與第1滾輪11及 第2滾輪12之基板S往X軸方向之搬送速度同步。
此場合，由於基板載台機構14之外周面14a與基板S之接觸區域係於Y軸方向細長延伸之狹縫狀、且X軸方向寬度充分的窄，同時基板載台機構14(旋轉圓筒體)與基板S之搬送速度同步旋轉，因此當在第1滾輪11與第2滾輪12之間對基板S賦予X軸方向之張力F時，即如上述圖4所示，基板S於Y軸方向收縮。
當然，在基板S與基板載台機構14之外周面14a接觸之狹縫狀區域會產生摩擦。然而，若該區域之X軸方向寬度充分小的話，即能在幾乎不受該摩擦影響之情形下，基板S大致如圖4的收縮。
此圖10、圖11之構成中，藉控制基板S搬送時之張力F(X軸方向)即能使基板S之寬度(Y軸方向)收縮，而能調整圖案化時之相對的尺寸誤差(特別是Y軸方向之相對的定標誤差)。
又，本構成中，由於係使投影區域EA之X軸方向寬度充分的小，因此能使圖4、圖5~圖8所說明之安定區域Wx之寬度窄，第1滾輪11與第2滾輪12之間隔(距離L)亦能作的較短，因此能使裝置全體小型化。
又，如圖12所示，亦可以是於X軸方向設置複數個處理裝置之構成。圖12中，於X軸方向配置有2個具有與上述實施形態之曝光裝置EX(圖2、3之裝置或圖10、11之裝置)相同構成之處理裝置10A及10B。具有光罩M1之處理裝置10A與具有光罩M2之處理裝置10B之間，設有用以 遮斷基板S之張力之張力遮斷機構60。
使用2個處理裝置10A及10B對基板S進行曝光處理之場合，例如圖13所示，可將以處理裝置10A之光罩M1曝光之圖案區域(基板之部分區域)PA與以處理裝置10B之光罩M2曝光之圖案區域(基板之部分區域)PB於X軸方向交互排列之方式，於各處理裝置10A及10B相距一定間隔進行曝光處理。
此場合，例如可確保於X軸方向來回移動之光罩載台MST於曝光處理時往+X軸方向移動後、往-X軸方向返回之時間。
再者，此種構成中，安裝於處理裝置10A、10B之各個之光罩M1、M2之各圖案P，不一定必須是相同的。例如可以是於處理裝置10A進行36吋顯示面板用圖案之曝光，而於處理裝置10B則進行40吋顯示面板用圖案之曝光。
又，上述實施形態中，雖係舉投影區域EA為一條狹縫形狀之情形為例作了說明，但不限於此。例如亦可以是狹縫狀曝光區域於Y軸方向排列複數條形成，且該等曝光區域以交互的於X軸方向錯開之狀態配置之所謂鋸齒狀配置的構成。
此場合，配置成鋸齒狀之複數個曝光區域之全體(相對當於基板之部分區域)係設定成在根據想定之最大張力F所決定之安定區域Wx內。
又，如先前之說明，上述各實施態樣所示之用以使基板S於Y軸方向收縮之基板搬送之構成，可作為光曝光、 噴墨印刷、雷射描繪、靜電轉印等須要精密圖案化之各種處理裝置的搬送機構。不過，就量產性之觀點來看，以使用圓筒光罩之光曝光是最可期待的。
圖14，係將穿透型圓筒光罩MD與上述圖2、圖3之實施形態之基板搬送機構加以組合之近接曝光裝置的一例。
圖14中，圓筒光罩MD係厚度為數毫米以上之石英製中空圓筒，於該圓筒表面形成圖案P。圓筒光罩MD透過空氣軸承支承之墊CR等被保持於裝置內，以延伸於Y軸方向之軸CC為中心於XZ面內旋轉。其旋轉速度係以基板S之搬送速度與圓筒光罩MD之外周面(圖案P之形成面)之周速度同步之方式設定。於圓筒光罩MD內部配置有對圖案P投射於Y軸方向細長延伸之狹縫狀照明光的照明系IL。
基板S被與圖2相同之基板載台機構14透過氣體層(空氣軸承)116順著支承面14a(凸圓筒面)支承，並為使圓筒光罩MD之外周面最下面之部分與支承面14a上之基板S之被處理面Sa能保持既定近接、間隙(數十μm~數百μm)，而進行基板載台機構(支承墊部)14或圓筒光罩MD之Z軸方向位置之微調。
本實施形態中，基板載台機構14包含氣體供應裝置、氣體供應路及複數個供應口等作為氣體層形成部。
基板S之搬送機構係以非接觸式之空氣轉向桿(turn bar)ATB、第1滾輪11、夾持滾輪11a、第2滾輪12、夾持滾輪12a構成，本實施形態中亦係在第1滾輪11至第2滾 輪12之間對基板S賦予X軸方向之張力，據以使基板S收縮於Y軸方向。因此，控制各滾輪之驅動馬達，使第2滾輪12之周速度(轉矩)較第1滾輪11之周速度(轉矩)大既定量。
又，如圖14之構成中，圓筒光罩MD之外周面之曲率(半徑)與基板載台機構14之圓筒狀支承面14a之曲率並不一定須一致，支承面14a之曲率被定為能達成基板S之穩定支承與搬送，圓筒光罩MD之直徑則係根據待曝光之顯示器用面板之尺寸決定。
以上所說明之各實施形態中，作為處理裝置10，係以使用平面光罩M或圓筒光罩MD之掃描型曝光裝置為例。然而，本實施形態之搬送機構亦可適用於將形成顯示器用面板之基板S上之全區域暫時吸附於平面保持具以進行曝光之裝置。
圖15、圖16係顯示將基板S吸附於平面保持具以進行曝光處理之裝置之一例，如圖15之俯視圖所示，基板S上於X軸方向以一定間隔形成有複數個面板區域(基板之部分區域)PD。本實施形態，係以一個面板區域PD之X軸方向寬度能在基板S之Y軸方向收縮之安定區域Wx內的方式，設定第1滾輪11與第2滾輪12間之X軸方向間隔(距離L)。
又，為避免面板區域PD配置在從基板S之第1滾輪11至後方(+X軸方向)距離As為止之非線形區域與從第2滾輪12往-X軸方向之距離Ae為止之非線形區域，面板區域PD係於X軸方向之具有間隙Np(Np>As、Ae)之方式 排列。
本實施形態中，將基板S往X軸方向搬送而達到圖15所示狀態，亦即、基板S位於待曝光或描繪處理之一個面板區域PD在安定區域Wx內時，即停止第1滾輪11與第2滾輪12之驅動，暫時停止基板S之搬送。
如圖16所示，在第1滾輪11與第2滾輪12之間，基板S係以和平面保持具120上面之平坦的吸附面大致平行的被搬送於X軸方向。
於該狀態下，如圖16所示，平面保持具120(吸附面)之X軸方向寬度係設定為被包含在安定區域Wx，並吸附面板區域PD之全體。
當將面板區域PD定位於平面保持具120上方時，支承平面保持具120之基座構件113即藉由Z軸方向之驅動機構122而往上方(+Z軸方向)移動，在基板S之背面均勻的接觸於平面保持具120之吸附面時，停止Z軸方向之驅動。
並且，基板S之對應面板區域PD之背面部分，藉由真空吸附或靜電吸附暫時的被保持於平面保持具120。至此吸附保持之前一刻為止，對基板S賦予X軸方向之張力F以維持基板S之安定區域Wx以預先決定之量收縮於Y軸方向之狀態。
當基板S之面板區域PD之全體被均勻的吸附於平面保持具120時，被支承於設在基座構件113之Y軸方向兩端部之導軌113g、可往X軸方向(或Y軸方向)移動之加工頭HD，即在面板區域PD上進行1維或2維移動，進行所需 之曝光處理及描繪印刷處理。
作為加工頭HD，可利用DMD之無光罩光圖案產生器、噴墨印表機用頭、微透鏡陣列之光罩圖案投影器、雷射點之掃描描繪器等。
又，在從基座構件113支承加工頭HD之脚部126，為了將加工頭面與基板S之表面於Z軸方向之間隔及相對傾斜設定於最佳，安裝有以毫米級於Z軸方向上下動之致動器(壓電馬達及音圈馬達等)，加工頭HD之X軸、Y軸方向位置以測長用雷射干涉儀IFM或線性編碼器精密的加以測量。
亦可於此加工頭HD內，設置以光學方式檢測基板S上之對準標記ALM及面板區域PD內之特定圖案形狀的對準攝影機18、及其他對準感測器。
本實施形態之場合，如圖15所示，基板S上之面板區域PD係於X軸方向伴隨間隙(余白)Np而排列，設第1滾輪11之夾持位置與第2滾輪12之夾持位置間之距離為L、面板區域PD之X軸方向寬度為Xpd時，當設定於為下式(2)之關係時，在為進行加工處理而暫時停止基板S之搬送時，由於第1滾輪11、第2滾輪12之各個會在相鄰面板區域PD上而不會靜止，因此可降低對面板區域PD造成不須要的刮傷等。
Xpd<L<(Xpd+2Np)………(2)
又，如圖15、圖16所示，在能將基板S上之面板區域PD全體以良好精度吸附成平面之情形時，可準備一能覆蓋 面板區域PD全體之大型光罩，進行使用近接方式之一次靜止曝光。
以上各實施形態中，雖係設為在圖4(或圖9、圖15)所示之安定區域Wx中進行曝光處理，但若能使延伸於Y軸方向之狹縫狀曝光區域(投影區域EA)之X軸方向寬度充分狹窄的話，亦可在圖4中之距離As及距離Ae之非線形區域進行曝光。
又，於圖2、圖10、圖12、圖14、圖15之各個中所示之處理裝置(曝光裝置)中，係對作為第1引導構件(基板引導構件)之第1滾輪11(及夾持滾輪11a)與作為第2引導構件(基板引導構件)之第2滾輪12(及夾持滾輪12a)間之各周速度賦予些微差異之方法以構成張力賦予機構。然而，圖15所示之靜止型基板處理裝置(曝光裝置)之場合，亦可適用不利用第1滾輪11與第2滾輪12之周速度之差的張力賦予機構。
具體而言，於圖15、圖16中設置一驅動系，於搬送基板S時，控制成藉由第1滾輪11與第2滾輪12以較鬆弛之張力(例如10~20N程度)搬送基板S，在基板S之面板區域PD被定位於平面保持具120之上方空間而靜止後，在保持夾持狀態的情形下，移動第1滾輪11與夾持滾輪11a之組、或第2滾輪12與夾持滾輪12a之組中之任一組，以使該二組於X軸方向之間隔擴張。
或著，於圖15中，作成如下構成，亦即，於基板S之搬送方向(+X軸方向)在緊接著第1滾輪11後之位置與緊 接著第2滾輪12前之位置，分別設置於基板S之Y軸方向寬度全體強固的夾持基板S之棒狀夾持構件，在基板S被定位而靜止後，以該二處之夾持構件夾持基板S之間隙(余白)Np部分，之後，使任一夾持構件於X軸方向微動，據以使兩夾持構件之X軸方向間隔擴張。
此場合，由二處夾持構件、與改變兩夾持構件間之X軸方向間隔之驅動機構構成張力賦予機構。
上述各實施形態中，作為標記檢測系統係使用顯微鏡攝影系統(對準攝影機5、18等)來進行基板S上之對準標記ALM(例如cross bar形狀)之影像測量。因此，在以一定速度搬送基板S之狀態下，檢測標記ALM之影像之場合，所攝影之標記ALM之像的將成為問題。因此，亦可利用不使用CCD及CMOS等攝影元件(攝影機)之標記檢測系統。
其一例，係將不具有基板S之光感應層會感應之波長帶之雷射光束，整形為細長狹縫狀或干涉條紋狀後投射於基板S上，並對基板S上形成之繞射格子狀之對準標記橫過該狹縫狀或干涉條紋狀之光束時產生之繞射光進行光電檢測的方式。該繞射光之產生位置，可藉由設在搬送基板S之滾輪11、12或圖10中之滾輪14的旋轉編碼器加以求出。圖16之實施形態之場合，可於頭HD組裝對繞射光進行光電檢測之標記檢測系統，來求出藉測長用干涉儀IFM產生繞射光之位置。
5‧‧‧對準攝影機
10、10A、10B‧‧‧處理裝置
11‧‧‧第1滾輪
12‧‧‧第2滾輪
11a、12a‧‧‧夾持滾輪
13‧‧‧筐體
13B‧‧‧筐體之底部
13m、13n‧‧‧開口部
13R‧‧‧收容室
13Wa‧‧‧筐體之-X軸側端面
13Wb‧‧‧筐體之+X軸側端面
14‧‧‧基板載台機構
14a‧‧‧外周面
15‧‧‧驅動部
16‧‧‧導軌
17‧‧‧移動滾輪
18‧‧‧對準攝影機
113‧‧‧基座構件
113g‧‧‧導軌
115‧‧‧流體控制部
116‧‧‧氣體層(空氣軸承)
120‧‧‧平面保持具
122‧‧‧驅動機構
126‧‧‧加工頭之脚部
ALM‧‧‧對準標記
Ae、As‧‧‧距離
ATB‧‧‧空氣轉向桿
CC‧‧‧軸
CONT‧‧‧控制部
CR‧‧‧墊
Dx‧‧‧基板之搬送方向
EA‧‧‧投影區域
EX‧‧‧曝光裝置
Ee1、Ee2‧‧‧基板之邊緣
Es1、Es2‧‧‧基板之邊緣
F‧‧‧張力
HD‧‧‧加工頭
IFM‧‧‧測長用雷射干涉儀
IL‧‧‧照明部
LMa‧‧‧固定子
LMb‧‧‧可動子
M‧‧‧光罩
MD‧‧‧圓筒光罩
MH‧‧‧光罩保持部
MST‧‧‧光罩載台
Np‧‧‧間隙
P‧‧‧圖案
PA、PB‧‧‧圖案區域
PD‧‧‧面板區域
PL‧‧‧投影光学系
S‧‧‧基板
Sa‧‧‧被處理面
Sr‧‧‧滾輪間部分
TD‧‧‧基板之Y軸方向尺寸
Wx‧‧‧安定區域
圖1係本實施形態之基板處理裝置之全體構成的示意圖。
圖2係顯示本實施形態之處理裝置之第1構成的前視圖。
圖3係上方觀察圖2之第1構成的俯視圖。
圖4係顯示本實施形態之基板伸縮狀態的圖。
圖5係顯示以第1模擬進行之基板收縮之變化的圖表。
圖6係顯示以第2模擬進行之基板收縮之變化的圖表。
圖7係顯示以第3模擬進行之基板收縮之變化的圖表。
圖8係顯示從模擬結果求出基板收縮之條件的圖表。
圖9係顯示本實施形態之處理裝置之第2構成的俯視圖。
圖10顯示本實施形態之處理裝置之第3構成的前視圖。
圖11係從上方觀察圖10之第3構成的俯視圖。
圖12係顯示本實施形態之處理裝置之第4構成的圖。
圖13係顯示以圖12之第4構成進行處理之基板之狀態的圖。
圖14係顯示本實施形態之處理裝置之第5構成的俯視圖。
圖15係顯示本實施形態之處理裝置之第6構成的俯視圖。
圖16係從橫方向觀察圖15之第6構成的前視圖。
10(EX)‧‧‧加工處理裝置(曝光裝置)
11、12‧‧‧第1、第2滾輪
11a、12a‧‧‧夾持滾輪
13‧‧‧筐體
13B‧‧‧筐體之底部
13m、13n‧‧‧開口部
13R‧‧‧收容室
13Wa‧‧‧筐體之一X軸側端面
13Wb‧‧‧筐體之+X軸側端面
14‧‧‧基板載台機構
14a‧‧‧基板載台機構之外周面
15‧‧‧驅動部
16‧‧‧導軌
17‧‧‧移動滾輪
18‧‧‧對準攝影機
115‧‧‧流體控制部
Dx‧‧‧基板之搬送方向
IL‧‧‧照明部
M‧‧‧光罩
MH‧‧‧光罩保持部
MST‧‧‧光罩載台
P‧‧‧圖案
PL‧‧‧投影光学系
S‧‧‧基板
Sa‧‧‧基板表面(被處理面)

Claims (26)

  1. 一種基板處理裝置，係將基板搬送於第1方向並對該基板之被處理面進行處理，具備：第1引導構件，將該基板引導於該第1方向；第2引導構件，與該第1引導構件分離配置，用以引導被該第1引導構件引導之該基板；檢測部，檢測設於該基板之既定基準圖案；張力賦予機構，根據該檢測部之檢測結果，對在該第1引導構件與該第2引導構件之間賦予該基板之張力的大小進行控制，以使該基板在與該第1方向交叉之第2方向之尺寸縮小；以及處理裝置，在該第1引導構件與該第2引導構件之間，對該基板之被處理面進行處理。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其進一步具備支承從該第1引導構件至該第2引導構件之間搬送之該基板之一部分的基板支承部。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，該基板支承部形成為具有圓筒面或凸面之形狀。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，該基板支承部係以旋轉圓筒體構成。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其進一步具備使該旋轉圓筒體以對應該基板搬送速度之周速度旋轉的驅動部。
  6. 如申請專利範圍第2至5項中任一項之基板處理裝 置，其中，該基板支承部具有在與該基板之間形成支承該基板之氣體層的氣體層形成部。
  7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中，該基板處理裝置具有將經由光罩之曝光用光照射於該基板之曝光裝置；該曝光裝置具有使該光罩移動之光罩載台；並進一步具備根據該檢測部之檢測結果使該光罩載台移動之載台驅動部。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，該檢測部可檢測設於該基板上之複數處的該基準圖案。
  9. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中，該基板處理裝置具有將經由光罩之曝光用光照射於該基板之曝光裝置；該曝光裝置具有使該光罩移動之光罩載台；該光罩載台具有可保持形狀或尺寸不同之複數種光罩的光罩保持部。
  10. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中，該第1引導構件與該第2引導構件分別包含有於該基板之搬送方向分開距離L配置、與該基板摩擦接觸加以引導之驅動滾輪，該張力賦予機構以該驅動滾輪來賦予該第1方向之張力。
  11. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中，該基板處理裝置於該第1方向上設有複數個。
  12. 一種基板處理方法，係將片狀之長條基板搬送於 長度方向，於該基板上依序形成既定圖案，具備：取得使該基板之待形成該圖案之部分區域在與該長度方向正交之寬度方向收縮時之收縮程度相關之資訊的步驟；以及於該長度方向夾著該基板之部分區域的特定2處位置之間，對該基板之長度方向賦予根據與該收縮程度相關之資訊而調整之張力的步驟。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理方法，其係以具備在該基板上形成該圖案之圖案形成部、與將該基板相對圖案形成部移送於該長度方向之基板搬送部的圖案形成裝置來實施；該圖案形成部係在賦予該張力之步驟中之該基板之部分區域形成該圖案。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理方法，其中，該基板搬送部具備分別配置在將該基板之部分區域於該長度方向夾著的特定2處位置並接觸保持該基板之基板引導構件；賦予該張力之步驟，係在該2處之基板引導構件之間對該基板賦予長度方向之張力。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板處理方法，其中，該2處之基板引導構件之各個係藉由摩擦接觸來將該基板搬送於長度方向之一對旋轉滾輪構成，賦予該張力之步驟係藉由該一對旋轉滾輪之旋轉力矩之差來賦予。
  16. 一種圖案曝光方法，係將具有可撓性之長條的片 狀基板搬送於長度方向，對該片狀基板之被處理面曝光電子元件用圖案，包含以下階段：藉由引導構件支承該片狀基板之於長度方向分開距離L的2處之部分，並以該2處之部分之間於與該長度方向正交之寬度方向以既定之程度收縮的方式，對該片狀基板之該距離L之部分賦予該長度方向之張力；在該2處之部分之間，以幾乎無摩擦之狀態、或接觸區域十分小之狀態藉由基板支承構件支承該片狀基板之該被處理面背側之面之一部分；以及在以該既定之程度收縮之狀態下藉由該基板支承構件支承之該片狀基板之該被處理面上設定之曝光區域內，曝光該電子元件用之圖案。
  17. 如申請專利範圍第16項之圖案曝光方法，其中，該引導構件包含可以與該片狀基板之該被處理面或背側之面接觸之方式旋轉之滾輪、或夾持該片狀基板之夾持滾輪。
  18. 如申請專利範圍第17項之圖案曝光方法，其中，上述進行曝光的階段，係藉由以投影方式或近接方式曝光形成於光罩之該圖案的曝光裝置、使用DMD之無光罩曝光裝置、或掃描雷射點以進行圖案描繪之印表機之任一者實施。
  19. 如申請專利範圍第16至18項中任一項之圖案曝光方法，其中，在上述進行曝光的階段中，包含：將該曝光區域設定成該片狀基板之長度方向之寬較窄之狹縫狀曝光區域，在該片狀基板之該2處之部分之間將該狹縫狀之 曝光區域設定成該片狀基板之寬度方向之收縮變化率較大之部分。
  20. 如申請專利範圍第19項之圖案曝光方法，其中，該基板支承構件，具有以使該片狀基板之背側之面於該長度方向保有曲率之方式支承之支承面。
  21. 如申請專利範圍第20項之圖案曝光方法，其中，上述進行曝光的階段，包含一邊使該片狀基板於長度方向以既定之搬送速度移動、一邊於該曝光區域內掃描曝光該圖案的動作。
  22. 如申請專利範圍第19項之圖案曝光方法，其中，該基板支承構件，將該片狀基板之背側之面之一部分，以幾乎無摩擦之狀態、或接觸區域十分小之狀態支承呈平面狀或曲面狀。
  23. 一種元件製造方法，係將具有可撓性之長條的片狀基板搬送於長度方向，於該片狀基板之被處理面形成電子元件，包含以下階段：一邊藉由引導構件支承該片狀基板之於長度方向分開距離L的2處之部分之各個，一邊以該片狀基板之該2處之部分之間於與該長度方向正交之寬度方向以既定之程度收縮的方式對該片狀基板之該距離L之部分賦予該長度方向之張力；在該2處之部分之間，以幾乎無摩擦之狀態、或接觸區域十分小之狀態藉由基板支承構件支承該片狀基板之該被處理面背側之面之一部分呈平面狀或曲面狀；以及 與在以該既定之程度收縮之狀態下藉由該基板支承構件支承之該片狀基板之一部分對應而於該被處理面設定之曝光區域內，形成該電子元件用之圖案。
  24. 如申請專利範圍第23項之元件製造方法，其中，該引導構件包含可以與該片狀基板之該被處理面或背側之面接觸之方式旋轉之滾輪、或夾持該片狀基板之夾持滾輪。
  25. 如申請專利範圍第24項之元件製造方法，其中，上述形成圖案的階段，係藉由以投影方式或近接方式曝光形成於光罩之該圖案的曝光裝置、使用DMD之無光罩曝光裝置、掃描雷射點以進行圖案描繪之印表機、或噴墨印表機之任一者實施。
  26. 如申請專利範圍第24項之元件製造方法，其中，上述形成圖案的階段，係藉由以投影方式或近接方式曝光該圖案的曝光裝置、使用DMD之無光罩曝光裝置、或掃描雷射點以進行圖案圖案之印表機之任一者實施；包含：將該區域設定成該片狀基板之長度方向之寬較窄之狹縫狀曝光區域，在該片狀基板之該2處之部分之間將該狹縫狀之曝光區域設定成該片狀基板之寬度方向之收縮變化率較大之部分。
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