TWI523288B - 陶瓷封裝 - Google Patents

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TWI523288B TW101149965A TW101149965A TWI523288B TW I523288 B TWI523288 B TW I523288B TW 101149965 A TW101149965 A TW 101149965A TW 101149965 A TW101149965 A TW 101149965A TW I523288 B TWI523288 B TW I523288B
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Description

陶瓷封裝
本發明係有關一種安裝有例如石英晶體諧振器、半導體元件或壓電元件等電子零件且可確實進行開口部密封之具有腔室的陶瓷封裝。
例如，為了提高焊接於該開口部之金屬製密封環的焊接強度以便密封陶瓷封裝的腔室之開口部，而提出一種陶瓷封裝之密封構造，其在腔室的外周圍以層狀印刷第1層金屬噴敷圖案，在該圖案的表面且沿著內外方向的中間以一定寬度印刷高熔點金屬並形成作為焊材積存用的第2層厚膜圖案，沿著該兩者圖案的上方形成內外方向剖面為帽狀的薄的第3層金屬噴敷圖案，同時在該第3層圖案的上方，經由焊材焊接上述密封環(金屬框)後，在該環之上熔接蓋體(金屬製蓋體)而成(例如，參照專利文獻1)。
另外，亦提出一種電子零件收納用封裝，其在包圍俯視呈四角形且會收納有電子零件的凹陷部(腔室)之開口部的絕緣基體之幾乎整個表面，以框狀形成第1層金屬噴敷層，接著僅在上述表面的角落部之外的第1層金屬噴敷層之四邊的每一邊緣部分，形成呈帶狀且寬度小於第1層金屬噴敷層的第2層金屬噴敷層，藉由使第1層與第2層的金屬噴敷層全體厚度在邊緣部分與角落部之間亦均勻化，抑制在上述第1層與第2層金屬噴敷層上方經由焊材焊接的金屬框體之變形(例如，參照專利文獻2)。
然而，如前述專利文獻1，若沿著包圍腔室的開口部之整個整個周圍以一定的寬度形成前述第2層厚膜圖案，則在四角的角落部之厚度較四邊的邊緣部之厚度厚，因此，經由第3層薄金屬噴敷圖案而焊接密封環時，該環表面的高度呈現不均勻。結果，即使在該環表面上熔接金屬蓋，有時亦會無法密封腔室。而且，因為上述焊材在角落部較厚，所以由於焊接上述環時伴隨該焊材冷卻而來的熱應力或由於藉由上述熔接而接合的金屬蓋之熱收縮，有時在角落部表面附近的陶瓷會剝離。
另外，如前述專利文獻2，若僅在包圍腔室的開口部之四邊的邊緣部以帶狀形成第2層金屬噴敷層，則直線的邊緣部與角落部之間會產生階差。結果，沿著第1層及第2層金屬噴敷層之上焊接金屬框時，由於該金屬框會產生傾斜，有時無法藉由熔接於其上的金屬蓋而密封腔室。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本特開平9-139439號公報(第1~6頁、第1至6圖)
專利文獻2 日本特開2010-135711號公報(第1~15頁、第1至4圖)
本發明之課題在於提供一種解決在先前技術中說明的問題點、並安裝有石英晶體諧振器等電子零件、可於 開口部的周圍平坦地接合金屬框且可確實進行密封之具有腔室的陶瓷封裝。
為了解決前述課題構思完成了本發明，本發明係以如下方式形成：在包圍腔室開口部的封裝本體表面，於該表面的幾乎整體上，使寬度小於該第1金屬噴敷層的第2金屬噴敷層的寬度在直線的邊緣部與角落部之間有所不同。
亦即，按本發明的第1陶瓷封裝(申請專利範圍1)係具備：陶瓷製封裝本體，具有表面及背面，且具有在該表面開口的腔室；第1金屬噴敷層，形成於俯視為框狀的上述表面；及第2金屬噴敷層，在該第1金屬噴敷層表面形成為框狀，且沿著封裝本體的內外方向之寬度較該第1金屬噴敷層寬度狹窄，其特徵為：俯視時沿著上述表面的角落部之上述第2金屬噴敷層的上述內外方向之寬度，係較俯視時沿著上述角落部之外的區域之上述第2金屬噴敷層的上述內外方向之寬度狹窄。
藉此，前述第2金屬噴敷層係形成為在俯視時沿著前述框狀表面之角落部的內外方向之寬度，小於該俯視時沿著上述角落部之外之區域(直線狀的邊緣部)中的內外方向之寬度。因此，在角落部與除此之外的邊緣部之第2金屬噴敷層厚度係較如專利文獻1沿著表面的整個周面以同樣寬度形成時更均勻化。因此，易於將在第1及第2金屬噴敷層上方接著焊接的金屬框以平行於封裝本體表面的方式平坦地接合。
更且，因為位於角落部的第2金屬噴敷層厚度薄於前述以往的使寬度在全體表面為一定的形態下之厚度，因此該角落部與邊緣部的厚度差得以受到抑制，且第2金屬噴敷層的厚度在所有角落部與邊緣部兩者皆均勻化。因此，製造時要燒成將多個生胚片積層之燒成前(未燒成)的封裝本體時，可抑制角落部的表面上翹之事態。
而且，在前述角落部，於第1金屬噴敷層之上側且在第2金屬噴敷層之外側的位置，配備有用於接著焊接金屬框之焊材的空間(Space)之剖面形狀呈較以往厚度更薄且在內外方向變寬的形狀。結果，即使用於將金屬框接合於上述空間的焊材配備成與以往等量時，亦能藉由高焊接強度且該焊材無間隙之接合方式來接合金屬框，同時可降低由於伴隨上述焊接產生的熱應力造成之表面附近的陶瓷剝離。
尚且，前述陶瓷中包含氧化鋁等高溫燒成陶瓷或一種低溫燒成陶瓷的玻璃陶瓷等。
又，前述表面的角落部係指與位在腔室6的側面8、8間之每一內角且俯視時為R面的兩端交叉且互相正交的2條沿著內外方向之假想的一對單點鏈線夾住的區域。換言之，角落部之外的區域係指不包含角落部的封裝本體之表面(邊緣部)。
或者，前述封裝本體及腔室俯視時呈扁圓形之形態的角落部，係指相向的一對直線狀邊緣部之外的一對半圓形部分之俯視時為4分之1圓形的扇形區域。
更且，前述內外方向係指在前述封裝本體的俯視時連結腔室的中央部與包圍該腔室之開口部的前述框狀之表面的放射方向。
又，前述第1金屬噴敷層及第2金屬噴敷層在前述陶瓷為高溫燒成陶瓷時，適用W或Mo及其等之合金，上述陶瓷為低溫燒成陶瓷時，適用Ag或Cu等。
更且，前述第1陶瓷封裝中，角落部的第2金屬噴敷層之寬度為邊緣部的第2金屬噴敷層之寬度的20~80%。
又，在前述第1及第2金屬噴敷層的表面(露出面)，被覆有Ni鍍膜或者Au鍍膜。
再者，前述第1陶瓷封裝亦可為將多個該封裝在俯視時縱橫鄰接且一併設置之採用多個的形態。
又，按本發明的第2陶瓷封裝(申請專利範圍2)係具備：陶瓷製封裝本體，具有表面及背面，且具有在該表面開口的腔室；第1金屬噴敷層，形成於俯視為框狀的上述表面；帶狀第2金屬噴敷層，在該第1金屬噴敷層表面之各角落部之外的區域形成，且沿著封裝本體的內外方向之寬度較該第1金屬噴敷層之寬度狹窄；及俯視為圓形第3金屬噴敷層，形成於各角落部且與鄰接的上述帶狀第2金屬噴敷層隔離，其特徵為：俯視時上述圓形第3金屬噴敷層之直徑小於沿著上述帶狀第2金屬噴敷層之內外方向的寬度。
藉此，前述帶狀第2金屬噴敷層係沿著俯視時前述框狀表面的角落部之外的區域(邊緣部)之第1金屬噴敷 層表面形成，且在角落部，圓形的第3金屬噴敷層係以與鄰接的帶狀第2金屬噴敷層隔離的方式形成，該圓形的第3金屬噴敷層俯視為圓形且其直徑小於帶狀第2金屬噴敷層之寬度的圓形。結果，位在每個角落部的圓形第3金屬噴敷層與位在邊緣部的帶狀第2金屬噴敷層之厚度較均勻化。因此，易於將接著焊接在第1及第2金屬噴敷層上方的金屬框以平行於封裝本體表面的方式平坦地接合。
更且，因為位在角落部的圓形第3金屬噴敷層之厚度薄於以往的使寬度在全體表面為一定的形態下之厚度，所以該角落部與邊緣部的厚度差得以受到抑制，且第2及第3金屬噴敷層厚度在所有角落部與邊緣部兩者皆均勻化。因此，製造時要燒成將多個生胚片積層之未燒成的封裝本體時，可抑制角落部上翹之事態。
而且，在前述角落部，於第1金屬噴敷層上側且在圓形第3金屬噴敷層外側的位置，配備有用於接著焊接金屬框之焊材的空間(Space)之剖面形狀較以往厚度更薄且在內外方向成為變寬的形狀。結果，即使用於將金屬框接合於上述空間的焊材配備成與以往等量時，亦能藉由高焊接強度且該焊材無間隙之接合方式來接合金屬框，同時可降低由於該金屬框之焊接而產生之熱應力所造成的表面附近之陶瓷剝離。
尚且，前述第2陶瓷封裝的封裝本體之前述表面及背面在俯視時主要呈矩形(正方形或長方形)，但並不限定該矩形。又，在前述第2陶瓷封裝，角落部的圓形第 3金屬噴敷層之直徑小於邊緣部的帶狀第2金屬噴敷層之寬度，具體而言，為該第2金屬噴敷層的20~80%。更且，從後述之確保焊材流動性之點來看，由位於前述圓形第3金屬噴敷層和與此鄰接的帶狀第2金屬噴敷層之間的前述第1金屬噴敷層所構成之間隙，設為上述第3金屬噴敷層之直徑的3倍以下較佳。
再者，前述第2陶瓷封裝亦可為將多個該封裝在俯視時縱橫鄰接並一併設置之採用多個的形態。
更且，按本發明之第3陶瓷封裝(申請專利範圍3)具備：陶瓷製封裝本體，具有表面及背面，且具有在該表面開口的腔室；第1金屬噴敷層，形成於俯視為框狀的上述表面；第2金屬噴敷層，在該第1金屬噴敷層表面形成為框狀，且沿著封裝本體的內外方向之寬度較該第1金屬噴敷層之寬度狹窄；及金屬框，在上述第1金屬噴敷層及第2金屬噴敷層上方經由焊材接合，其特徵為：俯視時位在上述表面的角落部之上述第1金屬噴敷層上側及在第2金屬噴敷層外側之上述焊材的外側面與上述第1金屬噴敷層表面之間夾的傾斜角度，係低於俯視時位在上述角落部之外的表面之上述第1金屬噴敷層上側及在第2金屬噴敷層外側之上述焊材的外側面與上述第1金屬噴敷層表面之間夾的傾斜角度。
藉此，位在前述表面的角落部之第1金屬噴敷層上側及第2金屬噴敷層外側的上述焊材之外側面與第1金屬噴敷層表面之間夾的傾斜角度，係設成低於俯視時在角落部之外的邊緣部表面之第1金屬噴敷層上側及在第 2金屬噴敷層外側之上述焊材的外側面與第1金屬噴敷層表面之間夾的傾斜角度。換言之，位在角落部及第2金屬噴敷層外側的焊材係薄於邊緣部的同樣位置之焊材且沿著內外方向變長，並伴有較高的焊接強度接合第1金屬噴敷層與金屬框。因此，可以使金屬框平坦且穩固地接合在封裝本體表面，同時可對該金屬框確實施行藉由金屬蓋熔接等的密封。更且，因為可抑制熔融在角落部之焊材流量不足，所以可在封裝本體的表面整個周面防止由於焊材不足造成的間隙缺陷。
尚且，前述第3陶瓷封裝亦可為對前述第1陶瓷封裝進一步在前述第1金屬噴敷層及第2金屬噴敷層上方經由焊材接合金屬框而得。
又，在前述第3陶瓷封裝，各角落部之前述焊材的外側面係為側視時向下凸的彎曲面(通稱內圓角)。對此，邊緣部的前述焊材之外側面係為側視時向上凸起或向下凸起彎曲面的任一者。該外側面亦可為其上端部到達前述第2金屬噴敷層外側面或在垂直剖面的中間為彎曲的形態。
更且，就前述金屬框(環型金屬配件)而言，例如鐵鎳鉻合金(Fe-29wt%Ni-17wt%Co)、42合金(Fe-42wt%Ni)或194合金(Cu-2.3wt%Fe-0.03wt%P)係適用於該前述金屬框。更且，在前述焊材使用例如Ag焊料(Ag-15wt%Cu)。
再者，前述第1金屬噴敷層表面係用於決定前述傾斜角度的虛擬水平面，且位在第2金屬噴敷層外側的前述焊材之外側面係從該外側面的外端緣沿著內外方向且向上傾斜的虛擬切線。
又，本發明中，前述第2金屬噴敷層係在前述第1金屬噴敷層表面，於前述封裝本體的內外方向，形成在較該封裝本體的第1金屬噴敷層外側面側之端部更靠前述腔室側之端部的位置，同時在上述第2金屬噴敷層的角落部之上述內外方向的位置亦包含陶瓷封裝(申請專利範圍4)，其形成在較上述表面的角落部之外的區域之上述第2金屬噴敷層的上述內外方向之位置更靠上述腔室側的端部之位置。
藉此，第2金屬噴敷層係形成於俯視時在第1金屬噴敷層表面靠近前述腔室側的端部之位置，同時在角落部形成於較該角落部之外的區域更靠腔室側的端部之位置。結果，配合在前述角落部寬度的狹窄程度，於第1金屬噴敷層上側且在第2金屬噴敷層外側的位置，配備有用於接著焊接金屬框的焊材之空間的剖面形狀係較以往更薄且在內外方向呈變寬的形狀。因此，即使用於將金屬框接合於上述空間的焊材配備成與以往等量時，亦能藉由高焊接強度且該焊材無間隙之接合方式來接合金屬框，同時可確實防止由於焊接該金屬框而產生之熱應力所造成的表面附近之陶瓷剝離。
尚且，前述區域係指在前述第1金屬噴敷層表面各角落部之外的邊緣部。
更且，本發明中，前述封裝本體亦包含在前述背面亦具有與在前述表面開口的前述腔室對稱之前述同樣腔室的陶瓷封裝(申請專利範圍5)。
藉此，在封裝本體的表面側與背面側兩者形成有腔室，因此，在該背面開口的腔室之底面(頂面)，如同安裝在在在表面開口的腔室中的石英晶體諧振器一般，可安裝不需要密封的IC晶片等電子零件。
尚且，亦可為採用在封裝本體的表面側具有腔室、第1、第2金屬噴敷層、焊材及焊接之金屬框，同時具有在該封裝本體的背面開口之腔室的多個陶瓷封裝之形態。
以下說明用於實施本發明的形態。
第1圖為表示按本發明的第1陶瓷封裝1之俯視圖，第2圖的左側為沿著第1圖中X-X線的箭頭之邊緣部分的部分擴大剖面圖，第3圖的左側為沿著第1圖中Y-Y線的箭頭之角落部的部分擴大剖面圖。
第1陶瓷封裝1如第1圖至第3圖所示，具有俯視為框狀的表面3及俯視為長方形(矩形)的背面4，其中具備：封裝本體2，具有在該表面3開口的腔室6；及第1金屬噴敷層11及第2金屬噴敷層12，沿著上述表面3形成。
上述封裝本體2包含四邊的外側面5，係積層有由例如氧化鋁等的陶瓷S所構成的多個陶瓷層的箱狀體。又，前述腔室6係由以下項目構成：底面7，俯視為長方形且夾住四角的R邊；4個側面8，夾住四角的R面；一對台座9，與位於第1圖左側的短邊側面8鄰接且突出。在該一對台座9的每一上面，形成有與接著安裝的 石英晶體諧振器等電子零件之外部端子連接的電極(皆未圖示)。該電極由例如W或Mo等所構成。
如第1圖及第2圖的左側與第3圖的左側所示，第1金屬噴敷層11在前述表面3的幾乎整個表面以較均勻的厚度形成。
另外，在表面3的4處之角落部C之外的區域(以下稱作邊緣部)形成之第2金屬噴敷層12沿著封裝本體2的內外方向之寬度w1係小於第1金屬噴敷層11，且沿著位在每一角落部C之第2金屬噴敷層12a的內外方向之寬度w2係變成小於上述寬度w1。具體而言，角落部C的第2金屬噴敷層12a之寬度w2係為邊緣部的第2金屬噴敷層之寬度w1的20~80%。俯視時角落部C的第2金屬噴敷層12a係以相較邊緣部的第2金屬噴敷層12，俯視時外側的曲面更接近內側的曲線之圖案所形成。
而且，如第2圖的左側所示，位在表面3的邊緣部之第2金屬噴敷層12在沿著封裝本體2的內外方向之第1金屬噴敷層11的內外方向上，形成於靠近腔室6側的端部之位置且與腔室6側的端部隔開距離L1，其中L1的距離比至封裝本體2的外側面5側之端部為止的距離L2短。又，如第3圖的左側所示，位在表面3的角落部C之第2金屬噴敷層12a在沿著封裝本體2的內外方向之第1金屬噴敷層11的內外方向上，以至封裝本體2的外側面5側的端部為止之距離L3變成大於從腔室6側的端部之距離L1的方式，形成於較封裝本體2的外側面5更靠腔室6側的端部之位置。
尚且，前述第1及第2金屬噴敷層11、12、12a亦由W或Mo等所構成，在其表面(露出面)，僅被覆Ni鍍膜或被覆有Ni鍍膜與Au鍍膜之兩者。又，如第1圖中的右上側例示，前述角落部C係指與位在腔室6的側面8、8間之每一內角且俯視時為R面的兩端交叉且互相正交的2條沿著內外方向之假想的一對單點鏈線夾住的區域。
更且，在第1金屬噴敷層11，連接有沿著垂直方向貫通封裝本體2中包圍腔室6之至少一側壁的通路導體之一端，該通路導體與亦和前述台座9的各端子導通之背面4側的外部端子(皆未圖示)電性連接。
再者，在前述框狀表面3，使第1金屬噴敷層11形成在稍微遠離封裝本體2的四邊之外側面5的位置之原因在於，在採用多個陶瓷封裝1的形態之情況下，該型態係配置多個陶瓷封裝1使其俯視時縱橫互相鄰接，將在鄰接的陶瓷封裝1、1的第1及第2金屬噴敷層11、12的上方所配備的下述焊材熔融以便在其上接合金屬框時，可預防該焊材以架橋狀彼此相連的不良情況。
如第2圖及第3圖的右側所示，對如前述的第1陶瓷封裝1，在橫跨形成於框狀表面3且在表面進行Ni鍍的第1及第2金屬噴敷11、12、12a之上方，配置預先成形為板框形的焊材，並在該焊材之上載置金屬框20後，加熱並熔融上述焊材。尚且，上述焊材係由例如Ag-15wt%Cu的Ag焊料所構成，上述金屬框20係由例如鐵鎳鉻合金所構成，且俯視呈矩形框狀。
結果，如圖示，在第1金屬噴敷層11的上側且經由第2金屬噴敷層12、12a的外側及內側之焊材14、16，可得到接合俯視為矩形框狀的金屬框(環)20之第3陶瓷封裝1b。其中，在表面3的邊緣部及角落部C的第2金屬噴敷層12、12a之內側，焊材16係在由第1及第2金屬噴敷層11、12、12a與金屬框20所包圍的空間凝固，焊材16係分別具備同樣剖面且具有面向腔室6側的縱長彎曲面17。
另外，如第2圖的右側與第3圖的右側所示，在表面3的邊緣部及角落部C之第2金屬噴敷層12、12a的外周側，由該第2金屬噴敷層12、12a、第1金屬噴敷層11的表面10及金屬框20所包圍，且在第1金屬噴敷層11的最外部與金屬框20的最外部之間具有向下凸彎曲外側面15之焊材14凝固。
而且，如圖示，角落部C的焊材14之第1金屬噴敷層11的表面10與相切外側面15之最外緣部的切線s之間夾的傾斜角度θ2變成低於邊緣部的焊材14之第1金屬噴敷層11的表面10與相切外側面15之最外緣部的切線s之間夾的傾斜角度θ1。
前述傾斜角度θ2變成低於傾斜角度θ1的原因在於，角落部C的第2金屬噴敷層12a之寬度w2較邊緣部的第2金屬噴敷層12之寬度w1狹窄，且角落部C的第2金屬噴敷層12a在表面3的內外方向較邊緣部的第2金屬噴敷層12更靠腔室6側形成，並在角落部C的第2金屬噴敷層12a之外側形成較寬的空間。而且，在角 落部C的第2金屬噴敷層12a之外側，相較金屬框20的外側面，第1金屬噴敷層11沿著內外方向比邊緣部更朝外側突出，因此，在該第1金屬噴敷層11的表面10，較薄的焊材14伴隨傾斜度較低的外側面15而形成。
結果，可提高由角落部C之焊材14帶來的的第1金屬噴敷層11與金屬框20的接合強度，同時亦可在表面3的整個周面無間隙地連續形成外側的焊材14。
尚且，第1金屬噴敷層11的前述表面10係為平行於封裝本體2的表面3之假想線。又，包含外側面15的焊材14之最外側的薄壁部分係稱為所謂的內圓角。
若根據如前述的第1陶瓷封裝1，第2金屬噴敷層12、12a沿著俯視為框狀的表面3之角落部C的內外方向之寬度w2係較沿著在邊緣部的內外方向之寬度w1狹窄，因此，在角落部C與邊緣部的第2金屬噴敷層12、12a之厚度較均勻化。結果，可在第1及第2金屬噴敷層11、12的上方以平行於封裝本體2的表面3之方式接合接著要焊接的金屬框20。
更且，因為角落部C的第2金屬噴敷層12a之厚度薄於以往的使寬度在全體表面為一定之形態，且角落部C與邊緣部的厚度差得以抑制，所以第2金屬噴敷層12、12a之厚度在全體表面3均勻化。因此，製造時要燒成積層了多個生胚片之未燒成的封裝本體時，可抑制角落部C的表面3上翹之事態。
而且，在前述角落部C的第2金屬噴敷層12a之外側的位置，配備用於接著焊接金屬框20的焊材14之空 間的形狀較以往更薄且在內外方向稍微變寬，因此，即使用於將金屬框20接合於上述空間的焊材14配備成與以往等量時，亦能以高焊接強度並且焊材14無間隙地接合金屬框20，同時可降低由於伴隨該焊接的熱應力而造成之表面3附近的陶瓷S剝離。
另外，根據在第1陶瓷封裝1焊接金屬框20的前述第3陶瓷封裝1b，如前述傾斜角度的關係(θ2<θ1)中所示，位在角落部C之第2金屬噴敷層12a的外側之焊材14薄於邊緣部的同樣位置之焊材14且沿著內外方向較長，因此，藉由較高的焊接強度接合第1金屬噴敷層11與金屬框20。因此，可使金屬框20平坦且接合於封裝本體2的表面3，同時對該金屬框20確實施行熔接金屬蓋等密封。而且，在角落部C的第2金屬噴敷層12a之外側，可抑制伴隨焊材14熔融而生之流量不足，因此，可沿著封裝本體2的表面3之整個周面防止因焊材不足而產生之充填不足。
第4圖、第5圖係關於與前述封裝1相異的形態之第1陶瓷封裝1a，以及在該封裝1a將前述金屬框20以前述同樣方式焊接並接合之相異的形態之第3陶瓷封裝1c。
如第4圖的左側所示，第1陶瓷封裝1a於封裝本體2的表面3之邊緣部的全部表面形成有第1金屬噴敷層11，在該邊緣部的第1金屬噴敷層11之表面10上，與前述相同的寬度w1的第2金屬噴敷層12，係與腔室6側的端部隔開與前述相同的較短距離L1，同時隔開至封裝本體2的外側面5之端部為止的較長距離L4而形成。
又，如第5圖的左側所示，第1陶瓷封裝1a於封裝本體2的表面3之角落部C的全部表面亦形成有第1金屬噴敷層11，在該角落部C的第1金屬噴敷層11之表面10上，與前述相同寬度w1的第2金屬噴敷層12a係與腔室6側的端部隔開較短距離L1，同時隔開至封裝本體2的外側面5之端部為止的更長距離L5而形成。按如上所述的第1陶瓷封裝1a，亦可發揮與前述封裝1同樣的效果。
如第4圖及第5圖的右側所示，對如前述陶瓷封裝1a，在橫跨形成於框狀表面3且在表面施加了鍍Ni的第1及第2金屬噴敷層11、12、12a之上方，配置預製好的焊材，在該焊材之上載置金屬框20後，加熱並熔融上述焊材。
結果，如第4圖、第5圖的右側所示，在第1金屬噴敷層11的上側且經由第2金屬噴敷層12、12a的外側及內側之焊材14、16，可得到接合俯視為矩形框狀的金屬框20之相異形態的第3陶瓷封裝1c。亦即，如第4圖、第5圖的右側所示，焊材14在表面3的邊緣部及角落部C的第2金屬噴敷層12、12a之外周側凝固，該焊材14由該第2金屬噴敷層12、12a與第1金屬噴敷層11的表面10與金屬框20所包圍，且在第1金屬噴敷層11的最外部與金屬框20的最外部之間具有向下凸彎曲外側面15a或中間彎曲的外側面15b。
更且，角落部C的焊材14之第1金屬噴敷層11的表面10與相切外側面15最外緣部的切線s之間夾的傾 斜角度θ4低於邊緣部的焊材14之第1金屬噴敷層11的表面10與相切外側面15最外緣部的切線s之間夾的傾斜角度θ3(θ3>θ4)，其理由與前述相同。按如上述的第3陶瓷封裝1c，亦能發揮與前述封裝1b同樣的效果。
第6圖為表示前述第1陶瓷封裝1的角落部C之相異形態的第2金屬噴敷層12b之部分俯視圖。亦即，如第6圖所示，在封裝本體2的框狀表面3之幾乎全部表面形成的第1金屬噴敷層11之上，而且沿著在表面3的內外方向靠近腔室6側的端部之位置於每個邊緣部形成有帶狀第2金屬噴敷層12，同時在角落部C的第2金屬噴敷層12b，鄰接的兩個第2金屬噴敷層12以直角連接，同時在該連接部分的外側形成有俯視為圓弧形的凹部18。
又，第7圖為表示前述第1陶瓷封裝1的角落部C之更不同形態的第2金屬噴敷層12c之部分俯視圖。
亦即，如第7圖所示，於表面3以前述同樣方式形成的第1金屬噴敷層11之上，且沿著在內外方向靠近腔室6側的端部之位置於每個邊緣部形成有帶狀第2金屬噴敷層12，且在角落部C的第2金屬噴敷層12c，俯視時鄰接的兩個第2金屬噴敷層12以直角連接，同時在該連接部分的外側，形成有俯視時以傾斜約45度交叉的倒角19。
更且，第8圖為表示前述第1陶瓷封裝1的角落部C之相異形態的第2金屬噴敷層12d之部分俯視圖。
亦即，如第8圖所示，在表面3以前述同樣方式形成的第1金屬噴敷層11之上，而且沿著在內外方向靠近腔室6側的端部之位置於每一邊形成有帶狀第2金屬噴敷層12，且在角落部C的第2金屬噴敷層12d，俯視時鄰接的兩個第2金屬噴敷層12以直角連接，在這樣的連接部分的外側形成有前述同樣的倒角19以及從其中間朝外側以圓弧形稍微突出且與內周側平行彎曲的凸部22。
如上述的角落部C之第2金屬噴敷層12b、12c、12d在表面3的內外方向之寬度亦小於邊緣部的第2金屬噴敷層12之內外方向的寬度w1，因此，沿著表面3的整個周面，第2金屬噴敷層12、12b~12d的厚度較使整個周面以相同寬度形成時均勻化。
結果，可發揮與在角落C形成前述第2金屬噴敷層12a之前述第1陶瓷封裝1同樣的效果，同時利用經由前述焊材14、16將前述金屬框20在各金屬噴敷層11、12上接合，可發揮與前述第3陶瓷封裝1b、1c同樣的效果。
第9圖為表示按本發明的第2陶瓷封裝1d之俯視圖。
如第9圖所示，該第2陶瓷封裝1d係具備：前述同樣的封裝本體2；第1金屬噴敷層11，在俯視為框狀的表面3以前述同樣方式形成；帶狀第2金屬噴敷層12，在表面3之角落部C之外的每個邊緣部之第1金屬噴敷層11上的長方向，且在內外方向靠近腔室6側的端部平 行形成；及俯視為圓形的第3金屬噴敷層24，在表面3之各角落部C的第1金屬噴敷層11之上形成，且與鄰接之各帶狀第2金屬噴敷層12隔離。
上述圓形第3金屬噴敷層24的直徑d係設定成小於沿著帶狀第2金屬噴敷層12的內外方向之寬度w1。具體而言，角落部C的圓形第3金屬噴敷層24的直徑d係為邊緣部的第2金屬噴敷層12之寬度w1的20~80%。
尚且，在確保沿著角落部C的適量前述焊材之內外方向的流動性之點上，前述圓形第3金屬噴敷層24與鄰接的各帶狀第2金屬噴敷層12之間隙至少為上述直徑d以上且該直徑d的3倍以下之範囲較佳。又，從上述觀點與用於外側的焊材16之寬度而言，圓形第3金屬噴敷層24的中心設為在延伸以正交狀鄰接的一對帶狀第2金屬噴敷層12之內側面的假想延長線彼此交叉的位置附近較佳。
對於如前述的第2陶瓷封裝1d，經由載置於框狀表面3的第1金屬噴敷層11、帶狀第2金屬噴敷層12及圓形第3金屬噴敷層24之上方的前述同樣焊材，而配置前述同樣金屬框20且使該焊材熔融及凝固。
結果，如前述第2圖至第5圖的各右側所示，可得到前述同樣的第3陶瓷封裝，其分別位於邊緣部或角落部C的前述第2、第3金屬噴敷層12、24的外側，且包含具有前述同樣傾斜角度θ1~θ4的外側面15、15a、15b之焊材14。
即使在如前述的第2陶瓷封裝1d，角落部C的圓形第3金屬噴敷層24與邊緣部的帶狀第2金屬噴敷層12之厚度會較均勻化，因此，在第1、第2及第3金屬噴敷層11、12、24上方，可將接著焊接的金屬框20以平行於封裝本體2的表面3之方式確實接合。
更且，位於角落部C的圓形第3金屬噴敷層24之厚度薄於以往的使寬度在全體表面為一定的形態，角落部C與邊緣部的厚度差得以抑制，因此，在封裝本體2的全體表面3，第2及第3金屬噴敷層12、24的厚度均勻化。因此，製造時要燒成將多個生胚片層積層的未燒成封裝本體時，可抑制角落部C上翹之事態。
而且，在角落部C的第2金屬噴敷層外側，接著接合金屬框20的焊材14之配備空間的形狀在內外方向較寬，因此，即使在該空間較薄地配備與以往大致等量的用於接合金屬框20之焊材14時，亦可藉由擁有高焊接強度的焊材14無間隙接合金屬框20，同時可降低伴隨該焊接的熱應力所造成之表面3附近的陶瓷S剝離。
尚且，前述圓形第3金屬噴敷層24係亦可在相同角落部C將2個以上彼此隔離併設。又，第3金屬噴敷層24亦可作成「長徑沿著鄰接的一對第2金屬噴敷層12、12之端部間的最短距離，且短徑沿著內外方向之俯視為扁圓形或橢圓形」之形態。
第10圖為表示作為前述第1陶瓷封裝1之應用形態的陶瓷封裝30之俯視圖。如第10圖所示，該陶瓷封裝30由前述同樣陶瓷所構成，其中具備：封裝本體32，具 有俯視為扁圓形的表面33及背面34；俯視為扁圓形的腔室36，俯視時在扁圓框形的表面33開口；第1金屬噴敷層41，形成於上述表面33的幾乎全部表面；及寬度狹窄的第2金屬噴敷層42、42a，在該第1金屬噴敷層41之上且沿著上述腔室36側形成。
上述腔室36係由俯視為扁圓形的底面37與從該底面37的周邊豎立設置之扁圓筒形的側面38、39所構成。第10圖中，俯視呈半圓形之左右一對側面39位在上下一對平坦側面38、38之間，沿著包含該側面39之內外方向有2處的角落部C連接。例如發光元件的裝配部40位在上述底面37的中央部。
尚且，前述封裝本體32亦具有一對平坦外側面35與一對半圓筒形的外側面35r。
如第10圖所示，俯視時在形成在為扁圓框狀的表面33上的第1金屬噴敷層41上的邊緣部，形成有較外側面35更靠腔室36側的端部、呈帶狀且寬度較寬的第2金屬噴敷層42，而在左右的角落部C、C，形成有較外側面35r更靠腔室36的側面39側、呈半圓形且寬度較上述第2金屬噴敷層42狹窄的第2金屬噴敷層42a。因應上述兩寬度間的差之斜邊43位在在該第2金屬噴敷層42、42a間的外側。尚且，第1金屬噴敷層41或第2金屬噴敷層42、42a亦由前述同樣的W或Mo所構成。
即使按照如上述的第1陶瓷封裝30，亦可達成與前述第1陶瓷封裝1、1a同樣的效果，接著將發光二極體等發光元件安裝於腔室36時，亦可在該發光元件的上方形成透光的密封樹脂並確實密封。
尚且，在前述第1及第2金屬噴敷層41、42、42a的表面(露出面)，以前述同樣方式僅被覆Ni鍍膜或Ni鍍膜與Au鍍膜兩者。又，在該第1及第2金屬噴敷層41、42、42a的上方，經由前述同樣焊材，接著接合俯視呈扁圓形框體的金屬框。
第11圖為表示作為前述第1陶瓷封裝1之相異應用形態的陶瓷封裝1e之垂直剖面圖。如第11圖所示，該封裝1e具備封裝本體2a，該封裝本體2a除了設置在前述同樣的表面3開口的腔室6以外，更進一步設有在背面4亦對稱開口的腔室6。
尚且，陶瓷隔板4a位在一對腔室6、6的底面7、7之間，且有未圖示的導通導體貫通於其間。
根據如上述的陶瓷封裝1c，在背面4側開口的腔室6之底面7，可進一步安裝不需要密封的IC晶片等電子零件。
尚且，在前述陶瓷封裝30的背面34亦對稱形成與在表面33開口的腔室36相同的腔室36之形態亦可。
本發明並不限定以上說明之各形態。
例如，構成前述封裝本體之陶瓷，除了前述氧化鋁，亦可為多鋁紅柱石或氮化鋁等高溫燒成陶瓷，或者一種低溫燒成陶瓷的玻璃陶瓷。
又，前述陶瓷由低溫燒成陶瓷所構成時，在前述第1及第2金屬噴敷層等導體，適用Ag或Cu。
更且，具有包含俯視為扁圓形的表面33及背面34之封裝本體32的前述陶瓷封裝30中，亦可為在俯視呈 半圓形之兩個連續角落部C的第1金屬噴敷層41之上，配備俯視呈圓形、扁圓形或楕圓形且互相隔離的多個第2金屬噴敷層之形態。
而且，前述陶瓷封裝1、1a~1d亦可為俯視時縱橫一併設置多個的採用多個形態。
[產業上的可利用性]
若按本發明，可確實提供一種安裝有壓電元件等電子零件、可於開口部的周圍平坦地接合金屬框且可確實進行開口部密封之具有腔室的陶瓷封裝。
1、1a、1e、30‧‧‧第1陶瓷封裝
1b、1c‧‧‧第3陶瓷封裝
1d‧‧‧第2陶瓷封裝
2、2a、32‧‧‧封裝本體
3、33‧‧‧表面
4、34‧‧‧背面
5、35‧‧‧外側面
6、36‧‧‧腔室
10‧‧‧第1金屬噴敷層的表面
11、41‧‧‧第1金屬噴敷層
12、42‧‧‧邊緣部的第2金屬噴敷層
12a~12c、42a‧‧‧角落部的第2金屬噴敷層
14‧‧‧焊材
15、15a、15b‧‧‧焊材的外側面
20‧‧‧金屬框
24‧‧‧角落部的第3金屬噴敷層
S‧‧‧陶瓷
C‧‧‧角落部
w1、w2‧‧‧寬度
θ1、θ2、θ3、θ4‧‧‧傾斜角度
d‧‧‧直徑
第1圖為表示按本發明的第1陶瓷封裝之俯視圖。
第2圖為表示沿著第1圖中X-X線的箭頭之邊緣部分的部分擴大剖面圖及同部分的第3陶瓷封裝之部分剖面圖。
第3圖為表示沿著第1圖中的Y-Y線之箭頭的角落部之部分擴大剖面圖及同部分的第3陶瓷封裝之部分剖面圖。
第4圖為表示與不同形態之第1陶瓷封裝的第2圖同樣的部分擴大剖面圖以及同部分的第3陶瓷封裝之部分剖面圖。
第5圖為表示與不同形態之第1陶瓷封裝的第3圖同樣的部分擴大剖面圖以及同部分的第3陶瓷封裝之部分剖面圖。
第6圖為表示角落部之不同形態的第2金屬噴敷層之部分俯視圖。
第7圖為表示角落部之其他形態的第2金屬噴敷層之部分俯視圖。
第8圖為表示角落部之不同形態的第2金屬噴敷層之部分俯視圖。
第9圖為表示按本發明的第2陶瓷封裝之俯視圖。
第10圖為表示不同形態的第1陶瓷封裝之俯視圖。
第11圖為表示第1陶瓷封裝的應用形態之垂直剖面圖。
1‧‧‧第1陶瓷封裝
2‧‧‧封裝本體
3‧‧‧表面
4‧‧‧背面
5‧‧‧外側面
6‧‧‧腔室
7‧‧‧底面
8‧‧‧側面
9‧‧‧台座
11‧‧‧第1金屬噴敷層
12‧‧‧邊緣部的第2金屬噴敷層
12a‧‧‧角落部的第2金屬噴敷層
C‧‧‧角落部
w1、w2‧‧‧寬度

Claims (6)

  1. 一種陶瓷封裝，其中具備：陶瓷製封裝本體，具有表面及背面，且具有在該表面開口的腔室；第1金屬噴敷層，形成於俯視為框狀的上述表面；及第2金屬噴敷層，在該第1金屬噴敷層的表面形成為框狀，且沿著封裝本體的內外方向之寬度較該第1金屬噴敷層之寬度狹窄，其特徵為：俯視時沿著上述表面的角落部之上述第2金屬噴敷層的上述內外方向之寬度，係較俯視時沿著上述角落部之外的區域之上述第2金屬噴敷層的上述內外方向之寬度狹窄。
  2. 一種陶瓷封裝，其中具備：陶瓷製封裝本體，具有表面及背面，且具有在該表面開口的腔室；第1金屬噴敷層，形成於俯視為框狀的上述表面；帶狀第2金屬噴敷層，在該第1金屬噴敷層的表面之各角落部之外的區域形成為帶狀，且沿著封裝本體的內外方向之寬度較該第1金屬噴敷層之寬度狹窄；及俯視為圓形的第3金屬噴敷層，形成於各角落部且與鄰接的上述帶狀第2金屬噴敷層隔離，其特徵為：俯視時上述圓形第3金屬噴敷層之直徑小於沿著上述帶狀第2金屬噴敷層之內外方向的寬度。
  3. 一種陶瓷封裝，其中具備：陶瓷製封裝本體，具有表面及背面，且具有在該表面開口的腔室； 第1金屬噴敷層，形成於俯視為框狀的上述表面；第2金屬噴敷層，在該第1金屬噴敷層的表面形成為框狀，且沿著封裝本體的內外方向之寬度較該第1金屬噴敷層的寬度狹窄；及金屬框，在上述第1金屬噴敷層及第2金屬噴敷層的上方經由焊材接合，其特徵為：俯視時位在上述表面的角落部之上述第1金屬噴敷層上側及第2金屬噴敷層外側之上述焊材的外側面與上述第1金屬噴敷層的表面之間夾的傾斜角度，係低於俯視時位在上述角落部之外的表面之上述第1金屬噴敷層上側及第2金屬噴敷層外側之上述焊材的外側面與上述第1金屬噴敷層表面之間夾的傾斜角度。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項的陶瓷封裝，其中前述第2金屬噴敷層係在前述第1金屬噴敷層表面，於前述封裝本體的內外方向，形成在較該封裝本體的第1金屬噴敷層外側面側之端部更靠前述腔室側的端部之位置，同時上述第2金屬噴敷層之角落部的上述內外方向之位置，係形成在較上述表面的角落部之外的區域之上述第2金屬噴敷層的上述內外方向之位置更靠上述腔室側的端部之位置。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項的陶瓷封裝，其中前述封裝本體在前述背面亦具有與在前述表面開口的前述腔室對稱之前述同樣的腔室。
  6. 如申請專利範圍第4項的陶瓷封裝，其中前述封裝本體在前述背面亦具有與在前述表面開口的前述腔室對稱之前述同樣的腔室。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6305713B2 (ja) * 2013-09-24 2018-04-04 Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 電子部品収納用パッケージの製造方法
JP2015159204A (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 日本特殊陶業株式会社 セラミックパッケージ
FR3019375B1 (fr) * 2014-03-31 2016-05-06 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un boitier hermetique destine a l'encapsulation d'un dispositif implantable et boitier correspondant
JP6499886B2 (ja) * 2015-03-11 2019-04-10 田中貴金属工業株式会社 電子部品封止用キャップ
JP6450612B2 (ja) * 2015-03-11 2019-01-09 日本特殊陶業株式会社 電子部品装置およびその製造方法
JP2017022334A (ja) * 2015-07-15 2017-01-26 Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 多数個取り配線基板及びその製造方法
WO2020004184A1 (ja) * 2018-06-25 2020-01-02 日本電気硝子株式会社 蓋部材の製造方法、蓋部材、及び電子部品パッケージの製造方法
JP6784317B2 (ja) * 2018-10-15 2020-11-11 三菱マテリアル株式会社 パッケージ用蓋材及びパッケージの製造方法
KR102334781B1 (ko) * 2018-10-15 2021-12-02 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 패키지용 뚜껑재 및 패키지
CN109698135B (zh) * 2018-12-21 2020-06-02 中国电子科技集团公司第四十七研究所 带金锡合金焊料环的集成电路密封结构的密封方法
JP2022169064A (ja) * 2021-04-27 2022-11-09 Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 パッケージおよび電子装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3417608B2 (ja) * 1993-08-03 2003-06-16 日本特殊陶業株式会社 半導体パッケージ用のセラミック製リッド基板
JPH08213499A (ja) * 1995-02-07 1996-08-20 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk セラミック製パッケージ基体、セラミック製パッケージ及び前記パッケージ基体を用いた封着方法
JP2889519B2 (ja) 1995-11-13 1999-05-10 株式会社住友金属エレクトロデバイス セラミックパッケージの封止構造
JPH11260949A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc セラミックパッケージ及びその製造方法
US6229404B1 (en) * 1998-08-31 2001-05-08 Kyocera Corporation Crystal oscillator
JP2001148436A (ja) * 1999-11-22 2001-05-29 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミックパッケージ及びセラミックパッケージの製造方法
JP2002158305A (ja) * 2000-11-21 2002-05-31 Kyocera Corp 電子部品収納用パッケージ
US20040070462A1 (en) * 2002-10-10 2004-04-15 Iyad Alhayek Oscillator package
KR100476564B1 (ko) * 2003-01-21 2005-03-18 삼성전기주식회사 수정진동자 세라믹 패키지
JP2005093675A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Kyocera Corp 蓋体およびこれを用いた光半導体素子収納用パッケージ
JP2005286273A (ja) * 2004-03-31 2005-10-13 Sohki:Kk 回路基板、回路基板の製造方法、電子デバイス、電子デバイスの製造方法
JP4144036B2 (ja) * 2004-05-21 2008-09-03 株式会社大真空 電子部品用パッケージ及び当該電子部品用パッケージを用いた圧電振動デバイス
JP2008028050A (ja) * 2006-07-19 2008-02-07 Soode Nagano Co Ltd パッケージ用蓋体の製造方法
JP2008192700A (ja) * 2007-02-01 2008-08-21 Alps Electric Co Ltd 電子部品
JP2009088024A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Citizen Finetech Miyota Co Ltd 電子部品封止体の蓋体、及びそれを用いた電子部品封止体
JP5175078B2 (ja) * 2007-11-05 2013-04-03 日本特殊陶業株式会社 パッケージ
JP5554473B2 (ja) * 2008-03-14 2014-07-23 株式会社大真空 電子部品用パッケージおよび圧電振動デバイス
JP4668291B2 (ja) 2008-04-16 2011-04-13 日本電波工業株式会社 表面実装用の水晶デバイス
JP5388601B2 (ja) 2008-10-28 2014-01-15 京セラ株式会社 電子部品収納用パッケージ
JP2010161100A (ja) * 2009-01-06 2010-07-22 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 電子部品収納用セラミックパッケージ
TW201143152A (en) 2010-03-31 2011-12-01 Asahi Glass Co Ltd Substrate for light-emitting element and light-emitting device employing it
TWM403601U (en) 2010-10-14 2011-05-11 Optromax Corp Light emitting diode device
JP2013016660A (ja) * 2011-07-04 2013-01-24 Seiko Epson Corp 電子デバイス用パッケージの製造方法、電子デバイスおよび電子機器

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