JP2889519B2 - セラミックパッケージの封止構造 - Google Patents
セラミックパッケージの封止構造Info
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- JP2889519B2 JP2889519B2 JP7293884A JP29388495A JP2889519B2 JP 2889519 B2 JP2889519 B2 JP 2889519B2 JP 7293884 A JP7293884 A JP 7293884A JP 29388495 A JP29388495 A JP 29388495A JP 2889519 B2 JP2889519 B2 JP 2889519B2
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、小型化されたセラ
ミックパッケージに対して金属製のキャップを接合して
セラミックパッケージのキャビティを封止するセラミッ
クパッケージの封止構造に関するものである。
ミックパッケージに対して金属製のキャップを接合して
セラミックパッケージのキャビティを封止するセラミッ
クパッケージの封止構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば水晶振動子等の小型素
子を収納する小型のセラミックパッケージの封止構造
は、図７に示すように、セラミックパッケージ１のキャ
ビティ２の外周囲に、タングステン、モリブデン等の高
融点金属ペーストでシール用メタライズパターン３を印
刷し焼成した後、このシール用メタライズパターン３に
シームウエルド用のシールリング４をろう材５で接合
し、このシールリング４に金属製のキャップ６をシーム
ウエルド法等で溶着した構成となっている。
子を収納する小型のセラミックパッケージの封止構造
は、図７に示すように、セラミックパッケージ１のキャ
ビティ２の外周囲に、タングステン、モリブデン等の高
融点金属ペーストでシール用メタライズパターン３を印
刷し焼成した後、このシール用メタライズパターン３に
シームウエルド用のシールリング４をろう材５で接合
し、このシールリング４に金属製のキャップ６をシーム
ウエルド法等で溶着した構成となっている。
【０００３】この封止構造のシール性を高めるには、シ
ール用メタライズパターン３とシールリング４とのろう
付け強度を高める必要があり、そのろう付け強度は、ろ
う材５のメニスカス５ａ（ろう材５の表面が作る湾曲し
た面）が大きくなるほど強くなる特徴がある。このた
め、図７に示すように、シール用メタライズパターン３
をシールリング４の外側にはみ出させてろう材５のメニ
スカス５ａを大きく取るようにしていた。
ール用メタライズパターン３とシールリング４とのろう
付け強度を高める必要があり、そのろう付け強度は、ろ
う材５のメニスカス５ａ（ろう材５の表面が作る湾曲し
た面）が大きくなるほど強くなる特徴がある。このた
め、図７に示すように、シール用メタライズパターン３
をシールリング４の外側にはみ出させてろう材５のメニ
スカス５ａを大きく取るようにしていた。
【０００４】しかし、近年来の高密度実装の要求からセ
ラミックパッケージ１の小型化が進み、図８に示すよう
に、シール用メタライズパターン３の幅がシールリング
４の幅と同程度までしか取れなくなってきている。この
ものでは、ろう材５のメニスカス５ａが非常に小さくな
り、ろう付け強度が弱くなってしまう欠点がある。この
欠点を解決するため、図９に示すように、シールリング
４の下面側に切欠溝７を加工することで、ろう材５のろ
う材溜まり５ｂを拡大することが考えられている。
ラミックパッケージ１の小型化が進み、図８に示すよう
に、シール用メタライズパターン３の幅がシールリング
４の幅と同程度までしか取れなくなってきている。この
ものでは、ろう材５のメニスカス５ａが非常に小さくな
り、ろう付け強度が弱くなってしまう欠点がある。この
欠点を解決するため、図９に示すように、シールリング
４の下面側に切欠溝７を加工することで、ろう材５のろ
う材溜まり５ｂを拡大することが考えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、小さな
シールリング４に切欠溝７を切削やエッチング等での加
工は手間がかかり、加工費が高くつき、低コスト化の要
求に反する。
シールリング４に切欠溝７を切削やエッチング等での加
工は手間がかかり、加工費が高くつき、低コスト化の要
求に反する。
【０００６】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たものであり、従ってその目的は、セラミックパッケー
ジの小型化に対して安価な方法でろう材のメニスカスに
かわる、ろう材溜まりを十分に確保することができ、ろ
う付け強度向上とコスト削減とを両立させることができ
るセラミックパッケージの封止構造を提供することにあ
る。
たものであり、従ってその目的は、セラミックパッケー
ジの小型化に対して安価な方法でろう材のメニスカスに
かわる、ろう材溜まりを十分に確保することができ、ろ
う付け強度向上とコスト削減とを両立させることができ
るセラミックパッケージの封止構造を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のセラミックパッケージの封止構造は、セラ
ミックパッケージのキャビティの外周囲にろう付け用メ
タライズパターンを形成し、このろう付け用メタライズ
パターンにろう材で接合されたシールリングに金属製の
キャップを溶着することで、前記セラミックパッケージ
のキャビティを前記キャップで気密に封止するものにお
いて、前記ろう付け用メタライズパターンの形成領域を
部分的に盛り上がらせる凸部を厚膜法で形成し、この凸
部によってろう付け用メタライズパターンからシールリ
ングを浮き上がらせることで、両者を接合するろう材の
ろう材溜まり（シールリングとメタライズパターンとの
間隔）を拡大してろう付け強度を確保するものである。
このものは、ろう材溜まりを拡大するための凸部を、生
産性・コスト性に優れた厚膜法で形成するため、従来
（図９）のようにシールリングに切欠溝を切削やエッチ
ング等で加工する場合と比較して、生産性・コスト性を
向上できる。
に、本発明のセラミックパッケージの封止構造は、セラ
ミックパッケージのキャビティの外周囲にろう付け用メ
タライズパターンを形成し、このろう付け用メタライズ
パターンにろう材で接合されたシールリングに金属製の
キャップを溶着することで、前記セラミックパッケージ
のキャビティを前記キャップで気密に封止するものにお
いて、前記ろう付け用メタライズパターンの形成領域を
部分的に盛り上がらせる凸部を厚膜法で形成し、この凸
部によってろう付け用メタライズパターンからシールリ
ングを浮き上がらせることで、両者を接合するろう材の
ろう材溜まり（シールリングとメタライズパターンとの
間隔）を拡大してろう付け強度を確保するものである。
このものは、ろう材溜まりを拡大するための凸部を、生
産性・コスト性に優れた厚膜法で形成するため、従来
（図９）のようにシールリングに切欠溝を切削やエッチ
ング等で加工する場合と比較して、生産性・コスト性を
向上できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図１
乃至図４に基づいて説明する。まず、図１に基づいてセ
ラミックパッケージ全体の構造を説明する。セラミック
パッケージ１１は、例えばアルミナ、窒化アルミニウム
等のセラミック材料を用いてグリーンシート積層法によ
り形成され、その上面側には、半導体素子や水晶発振子
等の小型の素子１２を搭載するキャビティ１３が形成さ
れている。このセラミックパッケージ１１の上面には、
キャビティ１３の外周囲を取り囲むようにろう付け用メ
タライズパターン１４が形成されている。このろう付け
用メタライズパターン１４は、タングステン、モリブデ
ン等の高融点金属ペーストをスクリーン印刷して形成し
たものである。
乃至図４に基づいて説明する。まず、図１に基づいてセ
ラミックパッケージ全体の構造を説明する。セラミック
パッケージ１１は、例えばアルミナ、窒化アルミニウム
等のセラミック材料を用いてグリーンシート積層法によ
り形成され、その上面側には、半導体素子や水晶発振子
等の小型の素子１２を搭載するキャビティ１３が形成さ
れている。このセラミックパッケージ１１の上面には、
キャビティ１３の外周囲を取り囲むようにろう付け用メ
タライズパターン１４が形成されている。このろう付け
用メタライズパターン１４は、タングステン、モリブデ
ン等の高融点金属ペーストをスクリーン印刷して形成し
たものである。
【０００９】このろう付け用メタライズパターン１４の
形成領域には、その形成領域を部分的に盛り上がらせる
凸部１５が印刷法で形成されている。この凸部１５のパ
ターンは、図２（ａ）に示すように、ろう付け用メタラ
イズパターン１４の中央に沿って全周に形成したり、或
は、同図（ｂ）に示すように蛇行状に形成したり、或
は、同図（ｃ）に示すように断続的に形成しても良い。
凸部１５を断続的に形成する場合には、ろう付け用メタ
ライズパターン１４の全周に凸部１５がほぼ均等に分散
した構成とすることが好ましい。この実施形態の凸部１
５の構造は、ろう付け用メタライズパターン１４上にろ
う材溜まり用厚膜パターン１６を高融点金属又は絶縁体
のペーストによって印刷し、更にその上からろう材溜ま
り用厚膜パターン１６を覆うように高融点金属ペースト
でメタライズパターン１７を印刷して、凸部１５を形成
したものである。
形成領域には、その形成領域を部分的に盛り上がらせる
凸部１５が印刷法で形成されている。この凸部１５のパ
ターンは、図２（ａ）に示すように、ろう付け用メタラ
イズパターン１４の中央に沿って全周に形成したり、或
は、同図（ｂ）に示すように蛇行状に形成したり、或
は、同図（ｃ）に示すように断続的に形成しても良い。
凸部１５を断続的に形成する場合には、ろう付け用メタ
ライズパターン１４の全周に凸部１５がほぼ均等に分散
した構成とすることが好ましい。この実施形態の凸部１
５の構造は、ろう付け用メタライズパターン１４上にろ
う材溜まり用厚膜パターン１６を高融点金属又は絶縁体
のペーストによって印刷し、更にその上からろう材溜ま
り用厚膜パターン１６を覆うように高融点金属ペースト
でメタライズパターン１７を印刷して、凸部１５を形成
したものである。
【００１０】そして、メタライズパターン１４，１７上
には、コバール金属や４２アロイ等の金属で形成された
溶接用のシールリング１８がＡｇ−Ｃｕ等のろう材１９
でろう付けされている。このシールリング１８に対し
て、コバール金属や４２アロイ等の金属で形成されたキ
ャップ２０がシームウエルド法等により溶着され、これ
によってセラミックパッケージ１１のキャビティ１３が
キャップ２０で気密に封止されている。
には、コバール金属や４２アロイ等の金属で形成された
溶接用のシールリング１８がＡｇ−Ｃｕ等のろう材１９
でろう付けされている。このシールリング１８に対し
て、コバール金属や４２アロイ等の金属で形成されたキ
ャップ２０がシームウエルド法等により溶着され、これ
によってセラミックパッケージ１１のキャビティ１３が
キャップ２０で気密に封止されている。
【００１１】次に、図３に基づいてセラミックパッケー
ジ１１のキャビティ１３をキャップ２０で封止する製造
工程を説明する。図３（ａ）に示すように、グリーンシ
ートにタングステン、モリブデン等の高融点金属ペース
トを使用してろう付け用メタライズパターン１４をスク
リーン印刷、乾燥し、スルホールや配線等が高融点金属
ペーストで印刷、乾燥された他のグリーンシートと積層
して、キャビティ１３を持ったセラミックパッケージ１
１を形成する。
ジ１１のキャビティ１３をキャップ２０で封止する製造
工程を説明する。図３（ａ）に示すように、グリーンシ
ートにタングステン、モリブデン等の高融点金属ペース
トを使用してろう付け用メタライズパターン１４をスク
リーン印刷、乾燥し、スルホールや配線等が高融点金属
ペーストで印刷、乾燥された他のグリーンシートと積層
して、キャビティ１３を持ったセラミックパッケージ１
１を形成する。
【００１２】次の工程では、図３（ｂ）に示すように、
ろう付け用メタライズパターン１４上に、ろう材溜まり
用厚膜パターン１６を高融点金属又は絶縁体のペースト
によってスクリーン印刷して乾燥する。この際、ろう材
溜まり用厚膜パターン１６の厚みを確保するために乾燥
後のペースト上に重ね印刷するようにしても良い。この
後、図３（ｃ）に示すように、ろう材溜まり用厚膜パタ
ーン１６上に、下層のメタライズパターン１４と同じ高
融点金属ペーストを使用して上層のメタライズパターン
１７をスクリーン印刷して乾燥する。
ろう付け用メタライズパターン１４上に、ろう材溜まり
用厚膜パターン１６を高融点金属又は絶縁体のペースト
によってスクリーン印刷して乾燥する。この際、ろう材
溜まり用厚膜パターン１６の厚みを確保するために乾燥
後のペースト上に重ね印刷するようにしても良い。この
後、図３（ｃ）に示すように、ろう材溜まり用厚膜パタ
ーン１６上に、下層のメタライズパターン１４と同じ高
融点金属ペーストを使用して上層のメタライズパターン
１７をスクリーン印刷して乾燥する。
【００１３】この後、これらメタライズパターン１４，
１７とろう材溜まり用厚膜パターン１６とを同時焼成し
て、メタライズパターン１４の形成領域を部分的に盛り
上がらせる凸部１５を形成する。尚、これら各パターン
１４，１６，１７の焼成をセラミックパッケージ１１の
焼成と同時に行っても良いし、セラミックパッケージ１
１の焼成後に各パターン１４，１６，１７の印刷・乾燥
を繰り返して各パターン１４，１６，１７のみを同時焼
成するようにしても良い。焼成後、図３（ｄ）に示すよ
うにメタライズパターン１７上にＮｉメッキを行った
後、溶接用のシールリング１８を乗せ、ろう付け用メタ
ライズパターン１４とシールリング１８とをＡｇ−Ｃｕ
等のろう材１９でろう付けする。
１７とろう材溜まり用厚膜パターン１６とを同時焼成し
て、メタライズパターン１４の形成領域を部分的に盛り
上がらせる凸部１５を形成する。尚、これら各パターン
１４，１６，１７の焼成をセラミックパッケージ１１の
焼成と同時に行っても良いし、セラミックパッケージ１
１の焼成後に各パターン１４，１６，１７の印刷・乾燥
を繰り返して各パターン１４，１６，１７のみを同時焼
成するようにしても良い。焼成後、図３（ｄ）に示すよ
うにメタライズパターン１７上にＮｉメッキを行った
後、溶接用のシールリング１８を乗せ、ろう付け用メタ
ライズパターン１４とシールリング１８とをＡｇ−Ｃｕ
等のろう材１９でろう付けする。
【００１４】この後、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキ等を行っ
た後、キャビティ１３に素子１２を搭載し、ワイヤボン
ディングした後、キャップ２０をシールリング１８上に
乗せ、両者をシームウエルド法等により溶着すれば、セ
ラミックパッケージ１１のキャビティ１３がキャップ２
０で気密に封止された状態となる。
た後、キャビティ１３に素子１２を搭載し、ワイヤボン
ディングした後、キャップ２０をシールリング１８上に
乗せ、両者をシームウエルド法等により溶着すれば、セ
ラミックパッケージ１１のキャビティ１３がキャップ２
０で気密に封止された状態となる。
【００１５】以上説明した実施形態によれば、ろう付け
用メタライズパターン１４の形成領域を部分的に盛り上
がらせる凸部１５を形成したので、この凸部１５によっ
てシールリング１８をメタライズパターン１４から浮き
上がらせることができて、シールリング１８とメタライ
ズパターン１４との間に十分な間隔を形成することがで
き、その隙間によってろう材１９のろう材溜まり１９ａ
を拡大することができて、十分なろう付け強度を確保す
ることができる。
用メタライズパターン１４の形成領域を部分的に盛り上
がらせる凸部１５を形成したので、この凸部１５によっ
てシールリング１８をメタライズパターン１４から浮き
上がらせることができて、シールリング１８とメタライ
ズパターン１４との間に十分な間隔を形成することがで
き、その隙間によってろう材１９のろう材溜まり１９ａ
を拡大することができて、十分なろう付け強度を確保す
ることができる。
【００１６】図４は、従来例〜（図７、図８、図
９）のろう付け強度と本実施形態のろう付け強度とを
比較するためにメニスカス部またはろう材溜まり部（矢
印部）に作用する応力の測定結果を示している。従来例
（図８）のメニスカス部は非常に小さいため、メニス
カス部に応力が集中して応力が大きくなり、ろう付け強
度が弱くなってしまう。一方、従来例，（図７、図
９）はメニスカス部あるいはろう材溜まり部を十分に確
保できるため、メニスカス部あるいはろう材溜まり部に
作用する応力が分散し、十分なろう付け強度を確保する
ことができる。（但し、従来例の形態は、小型化され
たセラミックパッケージでは採用することができず、
のような形態となる。また、従来例は、シールリング
に切欠溝を切削加工等する加工費が高くつく欠点があ
る）。
９）のろう付け強度と本実施形態のろう付け強度とを
比較するためにメニスカス部またはろう材溜まり部（矢
印部）に作用する応力の測定結果を示している。従来例
（図８）のメニスカス部は非常に小さいため、メニス
カス部に応力が集中して応力が大きくなり、ろう付け強
度が弱くなってしまう。一方、従来例，（図７、図
９）はメニスカス部あるいはろう材溜まり部を十分に確
保できるため、メニスカス部あるいはろう材溜まり部に
作用する応力が分散し、十分なろう付け強度を確保する
ことができる。（但し、従来例の形態は、小型化され
たセラミックパッケージでは採用することができず、
のような形態となる。また、従来例は、シールリング
に切欠溝を切削加工等する加工費が高くつく欠点があ
る）。
【００１７】これに対し、本実施形態では、凸部によ
りろう材溜まり部を十分に確保できるため、ろう材溜ま
り部に作用する応力が分散し、十分なろう付け強度を確
保することができる。しかも、本実施形態では、ろう材
溜まりを拡大するための凸部を、生産性・コスト性に優
れた印刷法で形成するため、従来例（図９）のように
シールリングに切欠溝を切削加工等する場合と比較し
て、生産性・コスト性を向上でき、ろう付け強度向上と
コスト削減とを両立させることができる。
りろう材溜まり部を十分に確保できるため、ろう材溜ま
り部に作用する応力が分散し、十分なろう付け強度を確
保することができる。しかも、本実施形態では、ろう材
溜まりを拡大するための凸部を、生産性・コスト性に優
れた印刷法で形成するため、従来例（図９）のように
シールリングに切欠溝を切削加工等する場合と比較し
て、生産性・コスト性を向上でき、ろう付け強度向上と
コスト削減とを両立させることができる。
【００１８】尚、ろう材溜まりを拡大するための凸部の
形成方法は、上記実施形態以外にも種々の方法が考えら
れ、例えば図５又は図６のいずれかを採用しても良い。
図５の実施形態では、セラミックパッケージ１１の上面
にろう材溜まり用厚膜パターン２２を高融点金属又は絶
縁体のペーストによってスクリーン印刷し、その上か
ら、ろう付け用メタライズパターン２３を高融点金属ペ
ーストによってスクリーン印刷して焼成し、凸部２４を
形成する。この後、メタライズパターン２３上に溶接用
のシールリング１８を乗せ、両者をＡｇ−Ｃｕ等のろう
材１９でろう付けする。
形成方法は、上記実施形態以外にも種々の方法が考えら
れ、例えば図５又は図６のいずれかを採用しても良い。
図５の実施形態では、セラミックパッケージ１１の上面
にろう材溜まり用厚膜パターン２２を高融点金属又は絶
縁体のペーストによってスクリーン印刷し、その上か
ら、ろう付け用メタライズパターン２３を高融点金属ペ
ーストによってスクリーン印刷して焼成し、凸部２４を
形成する。この後、メタライズパターン２３上に溶接用
のシールリング１８を乗せ、両者をＡｇ−Ｃｕ等のろう
材１９でろう付けする。
【００１９】また、図６の実施形態では、セラミックパ
ッケージ１１の上面に形成されたろう付け用メタライズ
パターン１４上に、ろう材溜まり用厚膜パターン２５を
高融点金属ペーストによってスクリーン印刷（１４，２
５の順序は逆でも可）して焼成し、この厚膜パターン２
５のみで凸部２６を構成する。そして、この厚膜パター
ン２５上に溶接用のシールリング１８を乗せ、ろう付け
用メタライズパターン１４とシールリング１８とをＡｇ
−Ｃｕ等のろう材１９でろう付けする。
ッケージ１１の上面に形成されたろう付け用メタライズ
パターン１４上に、ろう材溜まり用厚膜パターン２５を
高融点金属ペーストによってスクリーン印刷（１４，２
５の順序は逆でも可）して焼成し、この厚膜パターン２
５のみで凸部２６を構成する。そして、この厚膜パター
ン２５上に溶接用のシールリング１８を乗せ、ろう付け
用メタライズパターン１４とシールリング１８とをＡｇ
−Ｃｕ等のろう材１９でろう付けする。
【００２０】尚、本発明の凸部の高さ、幅はろう材溜ま
りが確保できれば、特に限定するものではなく、セラミ
ックパッケージの形状、大きさ、材質によって適宜決定
すれば良い。また、上記各実施形態では、凸部１５，２
４，２６を印刷法で形成したが、ディスペンサー法等、
他の厚膜法で形成するようにしても良い。
りが確保できれば、特に限定するものではなく、セラミ
ックパッケージの形状、大きさ、材質によって適宜決定
すれば良い。また、上記各実施形態では、凸部１５，２
４，２６を印刷法で形成したが、ディスペンサー法等、
他の厚膜法で形成するようにしても良い。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ろう付け用メタライズパターンの形成領域に
凸部を厚膜法で形成したので、ろう付け用メタライズパ
ターンとシールリングとの間の間隔を拡大することがで
きて、セラミックパッケージの小型化に対して厚膜法と
いう安価な方法でろう材溜まりを十分に確保することが
でき、ろう付け強度向上とコスト削減とを両立させるこ
とができる。
によれば、ろう付け用メタライズパターンの形成領域に
凸部を厚膜法で形成したので、ろう付け用メタライズパ
ターンとシールリングとの間の間隔を拡大することがで
きて、セラミックパッケージの小型化に対して厚膜法と
いう安価な方法でろう材溜まりを十分に確保することが
でき、ろう付け強度向上とコスト削減とを両立させるこ
とができる。
【図１】本発明の一実施形態を示すセラミックパッケー
ジ全体の縦断面図
ジ全体の縦断面図
【図２】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれメタライズパターン
上の凸部の形成パターンについて異なる実施形態を示す
平面図
上の凸部の形成パターンについて異なる実施形態を示す
平面図
【図３】製造工程を示す工程図
【図４】本発明の実施形態と従来例のろう付け強度とを
比較するためのメニスカス部あるいはろう材溜まり部の
応力測定結果を示す図
比較するためのメニスカス部あるいはろう材溜まり部の
応力測定結果を示す図
【図５】本発明の他の実施形態を示す封止構造部分の縦
断面図
断面図
【図６】本発明の更に異なる実施形態を示す封止構造部
分の縦断面図
分の縦断面図
【図７】従来例を示すセラミックパッケージ全体の縦断
面図
面図
【図８】他の従来例を示すセラミックパッケージ全体の
縦断面図
縦断面図
【図９】従来の改良された封止構造を示すセラミックパ
ッケージ全体の縦断面図
ッケージ全体の縦断面図
１１…セラミックパッケージ、１２…素子、１３…キャ
ビティ、１４…ろう付け用メタライズパターン、１５…
凸部、１６…ろう材溜まり用厚膜パターン、１７…メタ
ライズパターン、１８…シールリング、１９…ろう材、
１９ａ…ろう材溜まり、２０…キャップ、２２…ろう材
溜まり用厚膜パターン、２３…ろう付け用メタライズパ
ターン、２４…凸部、２５…ろう材溜まり用厚膜パター
ン、２６…凸部。
ビティ、１４…ろう付け用メタライズパターン、１５…
凸部、１６…ろう材溜まり用厚膜パターン、１７…メタ
ライズパターン、１８…シールリング、１９…ろう材、
１９ａ…ろう材溜まり、２０…キャップ、２２…ろう材
溜まり用厚膜パターン、２３…ろう付け用メタライズパ
ターン、２４…凸部、２５…ろう材溜まり用厚膜パター
ン、２６…凸部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/00 - 23/10
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミックパッケージのキャビティの外
周囲にろう付け用メタライズパターンを形成し、このろ
う付け用メタライズパターンにろう材で接合されたシー
ルリングに金属製のキャップを溶着することで、前記セ
ラミックパッケージのキャビティを前記キャップで気密
に封止するセラミックパッケージの封止構造において、 前記ろう付け用メタライズパターンの形成領域を部分的
に盛り上がらせる凸部を厚膜法で形成することで、前記
ろう付け用メタライズパターンと前記シールリングとを
接合するろう材のろう材溜まりを拡大したことを特徴と
するセラミックパッケージの封止構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7293884A JP2889519B2 (ja) | 1995-11-13 | 1995-11-13 | セラミックパッケージの封止構造 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP7293884A JP2889519B2 (ja) | 1995-11-13 | 1995-11-13 | セラミックパッケージの封止構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139439A JPH09139439A (ja) | 1997-05-27 |
| JP2889519B2 true JP2889519B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=17800405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7293884A Expired - Lifetime JP2889519B2 (ja) | 1995-11-13 | 1995-11-13 | セラミックパッケージの封止構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2889519B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3226285A4 (en) * | 2014-11-26 | 2018-11-14 | KYOCERA Corporation | Electronic component housing package, multi-piece wiring board, and method of manufacturing electronic component housing package |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4794074B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2011-10-12 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 |
| JP4503398B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2010-07-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体パッケージ |
| JP2009010864A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイスの本体筐体部材、圧電振動デバイス、および圧電振動デバイスの製造方法 |
| JP5175078B2 (ja) * | 2007-11-05 | 2013-04-03 | 日本特殊陶業株式会社 | パッケージ |
| JP5409066B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2014-02-05 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージ |
| JP5274434B2 (ja) * | 2009-11-24 | 2013-08-28 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージ |
| JP5836796B2 (ja) | 2011-12-28 | 2015-12-24 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックパッケージ |
| CN103718288B (zh) | 2012-03-14 | 2016-08-17 | 日本特殊陶业株式会社 | 陶瓷基板及其制造方法 |
| JP6119108B2 (ja) * | 2012-04-10 | 2017-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子機器、ベース基板の製造方法および電子デバイスの製造方法 |
| JP5944224B2 (ja) * | 2012-05-15 | 2016-07-05 | Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 | 電子部品素子収納用パッケージ及びその製造方法 |
| JP6129491B2 (ja) * | 2012-08-06 | 2017-05-17 | Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 | 多数個取り配線基板 |
| JP6108734B2 (ja) * | 2012-09-18 | 2017-04-05 | Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 | 電子部品素子収納用パッケージ |
| JP6305713B2 (ja) * | 2013-09-24 | 2018-04-04 | Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 | 電子部品収納用パッケージの製造方法 |
-
1995
- 1995-11-13 JP JP7293884A patent/JP2889519B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3226285A4 (en) * | 2014-11-26 | 2018-11-14 | KYOCERA Corporation | Electronic component housing package, multi-piece wiring board, and method of manufacturing electronic component housing package |
| US10182508B2 (en) | 2014-11-26 | 2019-01-15 | Kyocera Corporation | Electronic component housing package, multi-piece wiring substrate, and method for manufacturing electronic component housing package |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09139439A (ja) | 1997-05-27 |
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