TWI507090B - Gas passage construction and substrate processing device - Google Patents

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Daisuke Hayashi
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means

Description

氣體通路構造體及基板處理裝置
本發明係關於一種氣體通路構造體及基板處理裝置，特別是電極可動式之基板處理裝置中的氣體通路構造體及具有該氣體通路構造體之基板處理裝置。
針對作為基板的半導體晶圓(以下簡單稱為「晶圓」)施以電漿處理之基板處理裝置係具有容納晶圓且可將內部減壓之反應室(處理室)、設置於該反應室內部的下方之晶座(載置台)以及於反應室的內部而對向於晶座所設置之淋氣頭。晶座係用以載置晶圓，並作為連接於高頻電源而將高頻電功率施加至反應室內部之載置電極而發揮功能，淋氣頭係將處理氣體導入至反應室內部，並作為接地狀態之對向電極而發揮功能。於此種基板處理裝置中，係藉由高頻電功率來將供給至反應室內部之處理氣體激發以產生電漿，並利用該電漿來對晶圓施以電漿處理。
然而，為了使電漿適當地分佈在反應室內部的淋氣頭及晶座之間的空間，過去已開發有一種晶座為可動式結構而可調整淋氣頭及晶座間的空間之厚度(以下稱為「間隙」)之基板處理裝置。又，近年亦已評估有一種考量到處理裝置周邊之配置上的限制，並非將晶座而是將淋氣頭構成為可動式之基板處理裝置。
圖4係概略地顯示淋氣頭為可動式結構之習知基板處理裝置的結構之剖面圖。
圖4之基板處理裝置100中，於圓筒狀反應室101的內部中，對向於晶座102所設置之淋氣頭103係呈現具有與反應室101的內徑幾乎相等的外徑之略圓板狀，並藉由未圖示的升降機構而於反應室101的內部如活塞般地上下移動。又，圖4中，係以實線來表示下降最低時的淋氣頭103，而以虛線來表示上升最高時的淋氣頭103。
淋氣頭103係具有由氣體通路104、暫存室105或氣體孔106所構成之處理氣體導入系統，與連接於氣體供給源(未圖示)之氣體供給管107，該氣體供給源係用以將處理氣體從外部供給至該氣體導入系統。又，作為上下移動的電極而將淋氣頭103予以垂吊之軸件(shaft)部分111的外周部係同心圓狀地設置有具有真空遮斷功能之伸縮管112。如上所述，雖然淋氣頭103會上下移動，但通常由於氣體供給源係被固定而不會移動，故氣體供給管107必須隨著淋氣頭103的上下移動而彎曲。
已知有一種通常作為用以從固定的流體供給源朝向可動式結構物供給流體之供給管的軟管。例如，在宇宙環境試驗裝置中，為了從真空容器朝向可動式門部護罩(shroud)供給液態氮，係使用軟管來作為可撓性絕熱配管(例如，參照專利文獻1)。
然而，如圖5所示，由於軟管108係由施有複數個波形擠壓加工之薄金屬管109，與將該金屬管109的周圍加以覆蓋之金屬網編織物110所構成，故對彎曲的硬度較高而缺乏柔軟性。因此，當使其大大地彎曲時容易產生大的應力，而有在應用於位移量大的可動式結構物時會很快地斷裂之虞。因此，要將軟管108作為用以供給處理氣體之氣體供給管，而應用在上下方向的位移量為例如70mm地大且頻繁地上下移動之淋氣頭103實為困難。
亦即，軟管並非以重複彎曲為前提所設計者，且具有會不定期地斷裂的壽命。因此，1年左右即需定期更換，而有壽命上的安全性問題。又，並非以重複彎曲為前提之一體成型的伸縮管亦有與軟管相同的問題，故作為用以供給處理氣體之氣體供給管而應用在頻繁地上下移動之淋氣頭103實為困難。
另一方面，亦考慮了將旋轉接頭連接器應用在氣體供給管的可動部分，但由於旋轉接頭具有物理性滑動部，而難以避免微塵粒子的產生，而對微塵粒子的產生會大大地左右最終產品的品質之基板處理裝置來說並不具有實用性。
然而，亦考慮了使用伸縮管來取代軟管或旋轉接頭連接器。由於伸縮管係僅由多個縱剖面形狀為山形的圓環狀組件(以下，稱為「單元件(piece)」)所連結構成之金屬管所構成，故對彎曲的硬度較低而富有柔軟性。因此，即使是作為會頻繁且大大地位移之淋氣頭103的位移吸收組件使用，由於不會產生大的應力，故被認為不會很快地斷裂。
專利文獻1：日本特開2003-137200號公報
然而，即使是將對彎曲的硬度較低而富有柔軟性之伸縮管作為用以供給氣體至上下移動的淋氣頭之供給管，當僅僅係因為氣體配管而使用伸縮管時，則必須要有為了設置該伸縮管的空間，而難以確保搭載有特別多的機器之基板處理裝置之上部單元上部的設置場所，且會有設置上的問題。
又，由於伸縮管相較於軟管等價格較高，故必須儘可能地降低使用長度、使用數量等。
本發明之目的係提供一種可確保設置場所且無配置上的問題，並可隨著可動式電極來確實地供給氣體之可靠度高的氣體通路構造體及基板處理裝置。
為達成上述目的，申請專利範圍第1項之氣體通路構造體係透過氣體通路而將載置電極及對向電極之間所供給之處理氣體激發以產生電漿，並藉由該電漿來對被處理基板施以電漿處理之基板處理裝置的氣體通路構造體，其具有：處理室，係可將內部減壓；該載置電極，係設置於該處理室內而用以載置該被處理基板；該對向電極，係對向於該載置電極而設置；其中係包含有：支撐組件，係將該載置電極及對向電極的一側相對於另一側而可移動地支撐；環狀第1位移吸收壓力分隔壁，係與該支撐組件同心圓狀地設置於該支撐組件的外周部，以於該支撐組件將該處理室的壁面貫穿之貫穿部處吸收該電極之相對於該壁面的位移，並將該處理室內從該支撐組件周邊的氣氛遮斷；以及環狀第2位移吸收壓力分隔壁，係與該第1位移吸收壓力分隔壁同心圓狀地設置於該第1位移吸收壓力分隔壁的外周部；其中藉由該第1位移吸收壓力分隔壁與該第2位移吸收壓力分隔壁而形成有環狀第1氣體通路。
申請專利範圍第2項之氣體通路構造體係根據申請專利範圍第1項之氣體通路構造體，其中於該第2位移吸收壓力分隔壁的外周部設置有與該第2位移吸收壓力分隔壁同心圓狀的環狀第3或其以上的位移吸收壓力分隔壁，並於該第2位移吸收壓力分隔壁的外側形成有分別以鄰接之位移吸收壓力分隔壁所相互地挾置之環狀第2或其以上的氣體通路。
申請專利範圍第3項之氣體通路構造體係根據申請專利範圍第1項之氣體通路構造體，其中對向於該第1位移吸收壓力分隔壁的外周部而設置有用以限制該第1位移吸收壓力分隔壁朝與長度方向直交之方向彎曲之導件組件。
申請專利範圍第4項之氣體通路構造體係根據申請專利範圍第1項之氣體通路構造體，其中該位移吸收壓力分隔壁的剖面形狀為圓形、橢圓形或矩形。
申請專利範圍第5項之氣體通路構造體係根據申請專利範圍第1項之氣體通路構造體，其中該位移吸收壓力分隔壁為伸縮管。
為達成上述目的，申請專利範圍第6項之基板處理裝置係將載置電極及對向電極之間所供給之處理氣體激發以產生電漿，並藉由該電漿來對被處理基板施以電漿處理，其具有：處理室，係可將內部減壓；該載置電極，係設置於該處理室內而用以載置該被處理基板；該對向電極，係對向於該載置電極而設置；其中係具有將處理氣體供給至該載置電極及對該向電極之間之氣體通路構造體，且該氣體通路構造體為申請專利範圍第1至5項任一項之氣體通路構造體。
根據申請專利範圍第1項所記載之氣體通路構造體及申請專利範圍第6項所記載之基板處理裝置，氣體通路構造體係包含有：支撐組件，係將載置電極及對向電極的一側相對於另一側而可移動地支撐；環狀第1位移吸收壓力分隔壁，係與支撐組件同心圓狀地設置於支撐組件的外周部，以於該支撐組件將處理室的壁面貫穿之貫穿部處吸收電極之相對於壁面的位移，並將處理室內從支撐組件周邊的氣氛遮斷；以及環狀第2位移吸收壓力分隔壁，係與第1位移吸收壓力分隔壁同心圓狀地設置於第1位移吸收壓力分隔壁的外周部；其中藉由第1位移吸收壓力分隔壁與第2位移吸收壓力分隔壁而形成有環狀第1氣體通路，故可將隨著可動式電極而將吸收其位移之氣體通路設置在處理室內。藉此，可確保設置場所而無配置上的問題，且可確實地吸收可動式電極的位移而穩定地供給氣體，並提高作為氣體通路構造體的可靠度。
根據申請專利範圍第2項所記載之氣體通路構造體，第2位移吸收壓力分隔壁的外周部係設置有與第2位移吸收壓力分隔壁同心圓狀的環狀第3或其以上的位移吸收壓力分隔壁，並於第2位移吸收壓力分隔壁的外側形成有分別以鄰接之位移吸收壓力分隔壁所相互地挾置之環狀第2或其以上的氣體通路，故可應用在使用多系統的處理氣體之基板處理裝置。
根據申請專利範圍第3項所記載之氣體通路構造體，係對向於第1位移吸收壓力分隔壁的外周部而設置有用以限制第1位移吸收壓力分隔壁朝與長度方向直交之方向彎曲之導件組件，故可抑制曝露在內側大氣、外側真空之第1位移吸收隔壁的翹曲(Buckling)。
根據申請專利範圍第4項所記載之氣體通路構造體，係將位移吸收壓力分隔壁的剖面形狀形成為圓形、橢圓形或矩形，故可增加適用之位移吸收壓力分隔壁的變化性。
根據申請專利範圍第5項所記載之氣體通路構造體，可利用伸縮管來作為位移吸收壓力分隔壁，故可隨著可動式電極來吸收其位移、可確實地供給氣體、可提高作為氣體通路構造體的可靠度，並盡量降低微塵粒子的產生。
以下，針對本發明之實施形態，參照圖式加以說明。
圖1係概略地顯示具有本發明實施形態之氣體通路構造體的基板處理裝置的結構之剖面圖。該基板處理裝置係能夠對晶圓實施乾蝕刻處理施之結構。
圖1中，基板處理裝置10係具有用以容納直徑為例如300mm的晶圓W之圓筒狀反應室11(處理室)，該反應室11內部的圖中下方係設置有用以載置半導體元件用晶圓W的圓板狀晶座12(載置電極)，反應室11的圖中上端係藉由可自由開閉的圓板狀蓋部13而被加以覆蓋。
反應室11內部係藉由TMP(Turbo Molecular Pump)及DP(Dry Pump)(兩者皆未圖示)等而被減壓，又，反應室11內部的壓力係藉由APC閥(未圖示)而被加以控制。
又，半導體元件即使是附著有奈米等級的微塵粒子仍會成為缺陷的原因，故反應室11內部係在乾蝕刻處理前，先實施清潔處理來將微塵粒子加以去除。
晶座12係透過第1匹配器15而連接有第1高頻電源14，並透過第2匹配器17而連接有第2高頻電源16，第1高頻電源14係對晶座12施加較低的頻率(例如3.2MHz的高頻電功率(偏壓電功率))，第2高頻電源16係對晶座12施加較高的頻率(例如40MHz的高頻電功率(電漿產生電功率))。然後，晶座12會對反應室11內部施加電漿產生電功率。
晶座12的上部係設置有內部具有靜電電極18之靜電夾具19。靜電夾具19係由圓板狀陶瓷組件所構成，靜電電極18係連接有直流電源20。當靜電電極18被施加正的直流電壓時，晶圓W之靜電夾具19側的面(以下稱為「內面」。)會產生有負的電位，而在靜電電極18及晶圓W內面之間產生電位差，藉由因該電位差所造成的庫倫力或強生-拉貝克力(Johnson-Rahbek)，則晶圓W會被吸附保持在靜電夾具19。
又，晶座12係載置有如同將所吸附保持之晶圓W圍繞般之環狀組件(聚焦環21)。聚焦環21係由導電體(例如與晶圓W的構成材料相同之單晶矽)所構成。由於聚焦環21係由導電體所構成，故電漿的分佈域不只是在晶圓W上甚至會擴大到該聚焦環21上，而將晶圓W周緣部上的電漿密度維持在與該晶圓W中央部上的電漿密度相同的程度。藉此，可維持施予在晶圓W整面之乾蝕刻處理的均勻性。
晶座12的圖中上部係設置有與晶座12呈對向之淋氣頭22。淋氣頭22係具備有具有多個氣體孔23之導電性上部電極24、將該上部電極24可裝卸地垂吊之冷卻板25及更進一步地將該冷卻板25予以垂吊而作為支撐組件的軸件26。上部電極24為接地狀態，並作為相對於施加在反應室11內部的電漿產生電功率之接地電極(對向電極)而發揮功能。上部電極24的外徑係與反應室11的內徑大致相等，上部電極24係以能移動結合之型態而設置於反應室11的內部。
軸件26係貫穿蓋部13(壁面)，該軸件26的上部係連接至設置在基板處理裝置10的上方之升降機構(未圖示)。該升降機構雖係使軸件26在圖中的上下方向移動，但此時，具有上部電極24之淋氣頭22會在反應室11內部中如活塞般地上下移動。藉此，可調整淋氣頭22及晶座12間的空間之厚度(間隙)。淋氣頭22在圖中之上下方向的移動量最大值為例如70mm。
軸件26有可能會與蓋部13摩擦，而成為微塵粒子的產生來源。因此，軸件26外周面係以作為第1位移吸收隔壁之第1伸縮管31來加以覆蓋。軸件26係呈圓柱狀，圓筒狀第1伸縮管31係與軸件26同心圓狀地設置。第1伸縮管31之圖中上方的一端係接合至蓋部13的下面，而圖中下方的一端係接合至淋氣頭22之冷卻板25的上面。藉此，軸件26會在將蓋部13予以貫穿之貫穿部處吸收相對於蓋部13(壁面)之電極的位移，並將軸件26周邊的氣氛與處理室11內加以遮蔽，以保持反應室11內部與大氣之隔絕狀態。
以和第1伸縮管31鄰接之方式而於其外周部同心圓狀地設置有剖面為圓形來作為第2位移吸收壓力分隔壁之第2伸縮管32。第2伸縮管32係具有與第1伸縮管31之間的特定空隙之直徑。第2伸縮管32之圖中上方的一端係接合至蓋部13的下面，而圖中下方的一端係接合至淋氣頭22之冷卻板25的上面。第1伸縮管31與第2伸縮管32之間的間隙則成為氣體通路35。氣體通路35係透過將蓋部13予以貫穿之處理氣體供給管36而連接至氣體供給系統(未圖示)。又，氣體通路35係透過氣體孔38而與冷卻板25內部的暫存室29相連通。暫存室29係藉由複數個氣體孔23而與反應室11內部相連通。處理氣體係從氣體供給系統而經由處理氣體供給管36流入至第1伸縮管31與第2伸縮管32所形成之氣體通路35後，再經由氣體孔38而流入至冷卻板25內部的暫存室29，並經由複數個氣體孔23被導入至反應室11內部。
圖2為圖1之第1伸縮管(第2伸縮管亦相同)的部分放大圖。圖2中，左半側係顯示剖面，右半側係顯示側面。
圖2中，第1伸縮管31係在長度方向連結多個由縱剖面(沿著長度方向之剖面)形狀為山形之圓環狀組件(以下稱為「單元件(piece)」。)31a所構成之金屬管所形成。各單元件31a係藉由將形成為錐狀之2個金屬圓環板31b的下緣與下緣予以焊接而被加以接合。亦即，山形的頂部係只以焊接部31c而被加以接合，故相對於圖中箭頭A方向的伸縮之硬度較低而富有柔軟性，且易於向箭頭A方向伸縮。又，由於垂直於各單元件31a的長度方向之剖面形狀為圓環，且各單元件31a係由金屬所構成，故第1伸縮管31幾乎不會扭曲。
回到圖1，使淋氣頭22在上下方向移動時，係使升降機構(省略圖式)稼働。藉由升降機構的稼働，雖然連結於軸件26之淋氣頭22相對於晶座12的相對位置會變化，但形成氣體通路35之第1伸縮管31及第2伸縮管32會分別會隨著淋氣頭22之上下方向的移動而伸縮，並吸收相對位置的變化。其結果為，即使淋氣頭22在圖中的上下方向移動，氣體通路35仍可經常地供給處理氣體而連接於處理氣體導入系統。
上述基板處理裝置10的各構成組件(例如第1高頻電源14或第2高頻電源16)的動作係基板處理裝置10所具備的控制部(未圖示)之CPU根據對應於乾蝕刻處理的程式來加以控制。
在此種結構的基板處理裝置10中，首先，為了使電漿適當地分佈，係驅動升降機構(未圖示)來使軸件26在圖1中之上下方向移動，以調整晶座12與淋氣頭22之間的間隙。接著，經由處理氣體供給管36來將處理氣體供給至反應室11內。在處理氣體供給管36內所流動的處理氣體，係藉由例如處理氣體供給管36的中途所設置之過濾器來去除微塵粒子後，而流入至氣體通路35，之後再經由冷卻板25內部的暫存室29及氣體孔23而流入至反應室11內部。流入至反應室11內的處理氣體係藉由施加在反應室11內部的電漿產生電功率而被激發成為電漿。
電漿中的陽離子會因施加在晶座12之偏壓電功率所造成的負偏壓電位而朝向晶座12所載置之晶圓W被吸引，以對該晶圓W施予乾蝕刻處理。
本實施形態係藉由在用以支撐淋氣頭22之軸件26周圍同心圓狀地設置之可自由伸縮的第1伸縮管31及第2伸縮管32，來形成用以將處理氣體導入至基板處理裝置10的晶座12與淋氣頭22之間之氣體通路，故較易確保氣體通路的設置場所，並可隨著淋氣頭22之上下方向的移動來吸收其位移，藉此可穩定處理氣體，並確實地供給至淋氣頭，且亦可提高可靠度。
本實施形態係將預先設置之將反應室內的空間從大氣加以隔絕而作為壓力分隔壁的第1伸縮管31作為伸縮之氣體通路35的構成組件，應用在淋氣頭會上下移動之結構的基板處理裝置，故可將使氣體通路加以伸縮之構造與吸收淋氣頭的上下移動之結構一體成型，藉此，可將組件數量的增加抑制在所需之最小限度。又，由於伸縮氣體通路35係設置在反應室內，故反應室上方的結構不會變得複雜。
本實施形態中，第1伸縮管31與第2伸縮管32較佳係使用內徑為例如100mmΨ以上者。藉此，和通常的氣體管相比，氣體通路35的傳導度會變大，且可盡量縮小例如第1伸縮管31與第2伸縮管32之間的間隙。亦即，第1伸縮管31與第2伸縮管32之間隙的設定大部分係與伸縮管之動作限度的設計具有相關性。但是，可對應於妨礙翹曲等垂直動作之現象的最小間隙則必須確保在例如10mm左右。
本實施形態中，由於伸縮管相對於伸縮富有柔軟性，且伸縮時不會產生大的應力，故可防止氣體通路35很快地斷裂，並提高可靠度。
本實施形態中，係將第1伸縮管31及第2伸縮管32的剖面形狀構成為圓形，但除了圓形以外，亦可為例如橢圓形、矩形等。
本實施形態中，只有第1伸縮管31具有作為將反應室內的空間從大氣加以隔絕之壓力分隔壁的功能。因此，第1伸縮管31相較於第2伸縮管32，必須要能夠對「內壓>>外壓」之壓力狀態具有耐受性，故必須留意翹曲防止的對策(例如設置導件)。因此，較佳係在第1伸縮管的外周部設置翹曲防止用導件組件。
第2伸縮管32係用以形成氣體通路35者，氣體通路35係與反應室11內相連通，而與反應室11內部同樣地被減壓。因此，對第2伸縮管32並未被特別要求要與用以隔絕真空與大氣之第1伸縮管31有相同程度的功能。又，即使是為了形成多系統氣體通路而同心圓狀地設置有3個或其以上的伸縮管之情況，針對第1伸縮管以外的伸縮管加以作用之真空應力仍不會極端地增大。
本實施形態中，雖係使用伸縮管來作為位移吸收分隔壁，但亦可取代伸縮管而使用具有磁性流體遮蔽件之滑動遮蔽構造。但由於滑動遮蔽構造具有滑動部，故必須施予微塵粒子對策。
本實施形態中，雖係針對淋氣頭22在上下方向移動之情況加以說明，本發明亦可同樣地適用在例如，反應室11內部下方所設置之晶座12在上下方向移動之情況。具體而言，晶座12在上下方向移動，且必須從外部向該晶座12供給氣體時，可將複數伸縮管同心圓狀地設置在可移動地支撐晶座12之軸件，來形成連接於外部的氣體供給源之基板處理裝置內的氣體通路。
圖3係概略地顯示本發明實施形態之變形例的結構之剖面圖。
圖3中，該基板處理裝置係將圖1之基板處理裝置的處理氣體供給系統及氣體通路形成為2個系統，而對反應室11內供給2個系統的氣體。圖3中，係針對與圖1相同的結構則賦予相同的符號，而省略其說明。
該基板處理裝置50與圖1之相異點在於第2伸縮管32的外周部處係相隔特定間隔而設置有第3伸縮管33，並以第2伸縮管32與第3伸縮管33之間隙來作為第2氣體通路45。此外，係將暫存室29區劃為內側暫存室29a與外側暫存室29b，而使第1氣體通路35透過氣體孔38與內側暫存室29a相連通，並使第2氣體通路45透過氣體孔39而與外側暫存室29b相連通。
在此種結構的基板處理裝置50中，各自相異的2個系統之處理氣體會經由處理氣體供給管36及46而被供給至第1氣體通路35及第2氣體通路45。處理氣體供給管36及46的中途係設置有例如用以將處理氣體中所含有的微小且微量的微塵粒子去除之過濾器。第1系統的處理氣體藉由過濾器而被去除微塵粒子後，會流入至氣體通路35，之後再經由氣體孔38、暫存室29a及氣體孔23而被導入至反應室11內部。又，第2個系統的處理氣體藉由過濾器而被去除微塵粒子後，會流入至氣體通路45，之後再經由氣體孔39、暫存室29b及別的氣體孔23而被導入至反應室11內部。被導入至反應室11內之2個系統的處理氣體係藉由施加在反應室11內部的電漿產生電功率而被激發成為電漿。
電漿中的陽離子會因施加在晶座12之偏壓電功率所造成的負偏壓電位而朝向晶座12所載置之晶圓W被吸引，以對該晶圓W施予乾蝕刻處理。
本實施形態亦與上述實施形態同樣地，可較易確保氣體通路的設置場所，並且可隨著淋氣頭22之上下方向的移動而吸收其位移、穩定處理氣體並確實地導入至淋氣頭，故可提高可靠度。
本實施形態中，氣體通路不限於2個系統，藉由依序地增加同心圓狀地設置之伸縮管的數量，而可對應於3個系統或其以上。
又，以上所述之本實施形態中，雖係將施有乾蝕刻處理之基板作為半導體元件用晶圓來加以說明，但施有乾蝕刻處理之基板不限於此，而亦可為包含有例如LCD(Liquid Crystal Display)之FPD(Flat Panel Display)等玻璃基板。
W．．．晶圓
10．．．基板處理裝置
11．．．反應室
12．．．晶座
13．．．蓋部
14．．．第1高頻電源
15．．．第1匹配器
16．．．第2高頻電源
17．．．第2匹配器
18．．．靜電電極
19．．．靜電夾具
20．．．直流電源
21．．．聚焦環
22．．．淋氣頭
23．．．氣體孔
24．．．上部電極
25．．．冷卻板
26．．．軸件
29．．．暫存室
29a．．．內側暫存室
29b．．．外側暫存室
31．．．第1伸縮管
31a．．．單元件
31b．．．圓環板
31c．．．焊接部
32．．．第2伸縮管
33．．．第3伸縮管
35．．．第1氣體通路
36、46．．．處理氣體供給管
38、39．．．氣體孔
45．．．第2氣體通路
50．．．基板處理裝置
100．．．基板處理裝置
101．．．圓筒狀反應室
102．．．晶座
103．．．淋氣頭
104．．．氣體通路
105．．．暫存室
106．．．氣體孔
107．．．氣體供給管
108．．．軟管
109．．．金屬管
110．．．編織物
111．．．軸件部分
112．．．伸縮管
圖1係概略地顯示具有本發明實施形態之氣體通路構造體的基板處理裝置的結構之剖面圖。
圖2為圖1之第1伸縮管(第2伸縮管亦相同)的部分放大圖。
圖3係概略地顯示本發明實施形態之變形例的結構之剖面圖。
圖4係概略地顯示淋氣頭為可動式結構之習知基板處理裝置的結構之剖面圖。
圖5為軟管的部分放大圖。
W．．．晶圓
10．．．基板處理裝置
11．．．反應室
12．．．晶座
13．．．蓋部
14．．．第1高頻電源
15．．．第1匹配器
16．．．第2高頻電源
17．．．第2匹配器
18．．．靜電電極
19．．．靜電夾具
20．．．直流電源
21．．．聚焦環
22．．．淋氣頭
23．．．氣體孔
24．．．上部電極
25．．．冷卻板
26．．．軸件
29．．．暫存室
31．．．第1伸縮管
32．．．第2伸縮管
35．．．第1氣體通路
36．．．處理氣體供給管
38．．．氣體孔

Claims (6)

  1. 一種氣體通路構造體，係透過氣體通路而將載置電極及對向電極之間所供給之處理氣體激發以產生電漿，並藉由該電漿來對被處理基板施以電漿處理之基板處理裝置的氣體通路構造體，該基板處理裝置係具有：處理室，係可將內部減壓；該載置電極，係設置於該處理室內而用以載置該被處理基板；該對向電極，係對向於該載置電極而設置；其特徵在於係包含有：支撐組件，係將該載置電極及對向電極的一側相對於另一側而可移動地支撐；環狀第1位移吸收壓力分隔壁，係與該支撐組件同心圓狀地設置於該支撐組件的外周部，以於該支撐組件將該處理室的壁面貫穿之貫穿部處吸收該電極之相對於該壁面的位移，並將該處理室內從該支撐組件周邊的氣氛遮斷；以及環狀第2位移吸收壓力分隔壁，係與該第1位移吸收壓力分隔壁同心圓狀地設置於該第1位移吸收壓力分隔壁的外周部；其中藉由該第1位移吸收壓力分隔壁與該第2位移吸收壓力分隔壁而形成有環狀第1氣體通路。
  2. 如申請專利範圍第1項之氣體通路構造體，其中於該第2位移吸收壓力分隔壁的外周部設置有與該第2位移吸收壓力分隔壁同心圓狀的環狀第3或其 以上的位移吸收壓力分隔壁，並於該第2位移吸收壓力分隔壁的外側形成有分別以鄰接之位移吸收壓力分隔壁所相互地挾置之環狀第2或其以上的氣體通路。
  3. 如申請專利範圍第1項之氣體通路構造體，其中對向於該第1位移吸收壓力分隔壁的外周部而設置有用以限制該第1位移吸收壓力分隔壁朝與長度方向直交之方向彎曲之導件組件。
  4. 如申請專利範圍第1項之氣體通路構造體，其中該位移吸收壓力分隔壁的剖面形狀為圓形、橢圓形或矩形。
  5. 如申請專利範圍第1項之氣體通路構造體，其中該位移吸收壓力分隔壁為伸縮管。
  6. 一種基板處理裝置，係將載置電極及對向電極之間所供給之處理氣體激發以產生電漿，並藉由該電漿來對被處理基板施以電漿處理，其具有：處理室，係可將內部減壓；該載置電極，係設置於該處理室內而用以載置該被處理基板；該對向電極，係對向於該載置電極而設置；其特徵在於：係具有將處理氣體供給至該載置電極及對該向電極之間之氣體通路構造體，且該氣體通路構造體為申請專利範圍第1至5項任一項之氣體通路構造體。
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