JP2018100868A - ガスセンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】ケーシング内のセンサ素子の周囲のガス置換を促進して応答性を向上させたガスセンサを提供する。
【解決手段】配線基板50と、配線基板に配置されて配線基板と複数の導電部材28で電気的に接続されるセンサ素子24と、センサ素子を収容し、導入口22a及び排出口22bが形成されるケーシング22と、被測定ガスG中の特定ガスの濃度を調整して導入口に流通させる前処理部と、を備えたガスセンサであって、導入口及び排出口は、センサ素子よりも外側かつ上方向に位置し、導入口から排出口へ向かう流路を狭めるようにケーシングの内側に向かって突出する突出部22pが設けられ、センサ素子から突出部の先端までの高さh1が、センサ素子から導入口及び排出口までの各高さh2、h3よりも低く、突出部は、複数の導電部材のそれぞれにおけるセンサ素子よりも上方向に位置する頂部28pよりも内側で、導電部材と非接触に配置されてなる。
【選択図】図3
【解決手段】配線基板50と、配線基板に配置されて配線基板と複数の導電部材28で電気的に接続されるセンサ素子24と、センサ素子を収容し、導入口22a及び排出口22bが形成されるケーシング22と、被測定ガスG中の特定ガスの濃度を調整して導入口に流通させる前処理部と、を備えたガスセンサであって、導入口及び排出口は、センサ素子よりも外側かつ上方向に位置し、導入口から排出口へ向かう流路を狭めるようにケーシングの内側に向かって突出する突出部22pが設けられ、センサ素子から突出部の先端までの高さh1が、センサ素子から導入口及び排出口までの各高さh2、h3よりも低く、突出部は、複数の導電部材のそれぞれにおけるセンサ素子よりも上方向に位置する頂部28pよりも内側で、導電部材と非接触に配置されてなる。
【選択図】図3
Description
本発明は、被測定ガスに含まれる特定ガス成分の濃度を検知するガスセンサに関する。
従来から、被測定ガスに含まれる特定ガス成分の濃度を検知するガスセンサが知られている(特許文献1)。
このガスセンサは、チャンバ内に被測定ガスとしての大気が一定量供給されるように構成され、チャンバ内でCO等の可燃性ガスを燃焼除去する前処理を行った後、被測定ガスをセンサ素子に接触させて、NOx濃度を検知している。
このガスセンサは、チャンバ内に被測定ガスとしての大気が一定量供給されるように構成され、チャンバ内でCO等の可燃性ガスを燃焼除去する前処理を行った後、被測定ガスをセンサ素子に接触させて、NOx濃度を検知している。
特許文献1では、大気導入管と大気導出管を有するチャンバ内にセンサ素子を配置しているが、チャンバ内の被測定ガスの流れが遅くなると、センサ素子周囲のガス置換が不十分になって応答性が低下するおそれがある。
そこで、本発明は、ケーシング内のセンサ素子の周囲のガス置換を促進して特定ガス検出の応答性を向上させたガスセンサを提供することを目的とする。
そこで、本発明は、ケーシング内のセンサ素子の周囲のガス置換を促進して特定ガス検出の応答性を向上させたガスセンサを提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明のガスセンサは、長手方向に延びる配線基板と、被測定ガスに含まれる特定ガスを検出するセンサ素子であって、前記配線基板の一方の面の外周よりも内側に配置されると共に、前記配線基板と複数の導電部材で電気的に接続されるセンサ素子と、前記センサ素子を収容する収容空間を形成するケーシングであって、前記収容空間に前記被測定ガスを導入する導入口、及び、前記収容空間から前記被測定ガスを排出する排出口が形成されるケーシングと、前記被測定ガス中の特定ガスの濃度を調整する前処理を行う前処理部であって、前記導入口に向けて前処理された前記被測定ガスを流通させる前処理部と、を備えたガスセンサであって、前記センサ素子の前記配線基板に面する方向を下方向と定義したときに、前記導入口及び前記排出口は、前記センサ素子の外周よりも外側に位置すると共に、前記センサ素子よりも上方向に位置しており、前記導入口から前記排出口へ向かう前記収容空間の流路の途中でかつ前記センサ素子に対向する位置に、前記流路を狭めるように前記ケーシングの内側に向かって突出する突出部が設けられ、前記センサ素子から前記突出部の先端までの前記配線基板の長手方向に直交する方向の高さが、前記センサ素子から前記導入口及び前記排出口までの前記配線基板の長手方向に直交する方向における各高さよりも低くなっており、前記突出部は、前記複数の導電部材のそれぞれにおける前記センサ素子よりも上方向に位置する頂部よりも内側で、前記導電部材と非接触に配置されてなることを特徴とする。
このガスセンサによれば、導入口から排出口へ向かう収容空間の流路を狭めるように突出部が設けられるので、センサ素子に対向する位置の流路における被測定ガスの流速がベンチュリ効果によって速くなり、センサ素子周囲のガス置換を促進して特定ガス検出の応答性を向上させることができる。
また、突出部が導電部材と28と非接触に配置されているので、両者が接触して導電部材が断線する等の不具合を抑制することができる。さらに、突出部と導電部材との間にクリアランスが形成されるので、突出部近傍における被測定ガスの流れを妨げることも抑制できる。
また、突出部が導電部材と28と非接触に配置されているので、両者が接触して導電部材が断線する等の不具合を抑制することができる。さらに、突出部と導電部材との間にクリアランスが形成されるので、突出部近傍における被測定ガスの流れを妨げることも抑制できる。
本発明のガスセンサであって、前記ケーシングは金属板からなり、前記突出部は前記ケーシングに一体に形成されてなっていてもよい。
このガスセンサによれば、ケーシングの耐熱性に優れると共に、ケーシングに突出部を別部品で取付ける場合に比べて生産性が向上し、部品点数も低減する。さらに、プレス成型等の場合は突出部の角部を面取りした滑らかな形状に容易に形成することができ、突出部近傍における被測定ガスの流れを妨げることをより一層抑制できる。
このガスセンサによれば、ケーシングの耐熱性に優れると共に、ケーシングに突出部を別部品で取付ける場合に比べて生産性が向上し、部品点数も低減する。さらに、プレス成型等の場合は突出部の角部を面取りした滑らかな形状に容易に形成することができ、突出部近傍における被測定ガスの流れを妨げることをより一層抑制できる。
この発明によれば、ケーシング内のセンサ素子の周囲のガス置換を促進して特定ガス検出の応答性を向上させたガスセンサが得られる。
以下に、本発明を、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態に係るガスセンサ1の全体構成を示すブロック図、図2はガスセンサ1の分解斜視図、図3は図2のA−A線に沿う断面図である。
図1において、ガスセンサ1は、前処理部10と、センサ部20と、前処理部10及びセンサ部20間を繋ぐ図示しないガス流通管と、を備えている。そして、被測定ガスG(例えば、人間の呼気)が前処理部10に導入され、前処理部10は被測定ガスG中の特定ガス(例えば、NO2)の濃度を調整した後、センサ部20の導入口22aに向けて前処理された被測定ガスを流通させる。なお、前処理部としては、被測定ガス中の特定ガスの濃度を調整可能な触媒が設置された公知の構成を採用すればよいため、本実施形態の詳細な説明は省略する。
一方、センサ部20は、前処理された被測定ガスに含まれる特定ガスを検出(詳細には、特定ガスの濃度を検出)し、排出口22bから被測定ガスGを排出する。以下、図2〜図3を参照し、センサ部20の構成について詳しく説明する。なお、図2〜図3において、センサ素子24の配線基板50に面する方向を下方向Dとする。
図1において、ガスセンサ1は、前処理部10と、センサ部20と、前処理部10及びセンサ部20間を繋ぐ図示しないガス流通管と、を備えている。そして、被測定ガスG(例えば、人間の呼気)が前処理部10に導入され、前処理部10は被測定ガスG中の特定ガス(例えば、NO2)の濃度を調整した後、センサ部20の導入口22aに向けて前処理された被測定ガスを流通させる。なお、前処理部としては、被測定ガス中の特定ガスの濃度を調整可能な触媒が設置された公知の構成を採用すればよいため、本実施形態の詳細な説明は省略する。
一方、センサ部20は、前処理された被測定ガスに含まれる特定ガスを検出(詳細には、特定ガスの濃度を検出)し、排出口22bから被測定ガスGを排出する。以下、図2〜図3を参照し、センサ部20の構成について詳しく説明する。なお、図2〜図3において、センサ素子24の配線基板50に面する方向を下方向Dとする。
図2に示すように、センサ部20は、略矩形箱状でフランジを有し下方向Dに向く下面が開口する金属製のケーシング22と、ケーシング22のフランジに接着される矩形枠状のシール材(パッキン)23と、ケーシング22内に収容されるセンサ素子24と、接着層26と、セラミック製の配線基板50と、を有している。そして、シール材23の枠体にケーシング22のフランジ及び配線基板50の上面の外周部分が接着剤(図示せず)を介して固着されることで、ケーシング22の開口を配線基板50が閉塞し、ケーシング22の内部空間が収容空間(チャンバ)C1を形成する。
ケーシング22の上面には、パイプ状の導入口22a及び排出口22bがそれぞれ離間して突出しており、導入口22a及び排出口22bの一端は収容空間C1に連通している。導入口22aは被測定ガスGを導入し、排出口22bは収容空間C1から被測定ガスGを排出する。
さらに、ケーシング22の上面における導入口22aと排出口22bの間の部位がプレス成型により略矩形箱状に凹んでおり、この凹部はケーシング22の内面では内側にて向かって突出する突出部22pを形成している(図3参照)。
ケーシング22の上面には、パイプ状の導入口22a及び排出口22bがそれぞれ離間して突出しており、導入口22a及び排出口22bの一端は収容空間C1に連通している。導入口22aは被測定ガスGを導入し、排出口22bは収容空間C1から被測定ガスGを排出する。
さらに、ケーシング22の上面における導入口22aと排出口22bの間の部位がプレス成型により略矩形箱状に凹んでおり、この凹部はケーシング22の内面では内側にて向かって突出する突出部22pを形成している(図3参照)。
センサ素子24は略矩形板状をなし、図3に示すように、ベース部24cの上面(図2の上方に向く面)側に検知部24aが配置され、ベース部24cの下面側にヒータ24bが配置されており、検知部24aとヒータ24bがベース部24cの上下に積層された一体構造となっている。
また、配線基板50の上面の中央には凹部50rが形成され、凹部50rに接着層26を介してヒータ24b側が接するようにしてセンサ素子24が配置されている。つまり、センサ素子24は配線基板50の上面の外周よりも内側に配置されている。ここで、配線基板50の上面が特許請求の範囲の「一方の面」に相当する。
また、配線基板50の上面の中央には凹部50rが形成され、凹部50rに接着層26を介してヒータ24b側が接するようにしてセンサ素子24が配置されている。つまり、センサ素子24は配線基板50の上面の外周よりも内側に配置されている。ここで、配線基板50の上面が特許請求の範囲の「一方の面」に相当する。
配線基板50は長手方向(図2の左右方向)に延び、配線基板50の端部50e(図2の左側)はケーシング22よりも狭幅とされて外側(図2の左側)へ延びている。そして、端部50eの上面及び下面には電極パッド50pが複数配置され、各電極パッド50pは配線基板50の上面及び下面に形成された配線(リード導体)50Lに電気的に接続されている。さらに、配線50Lの一端は、凹部50rを囲む複数の素子周辺パッド50sに接続されている。
なお、配線基板50の下面に形成された配線50Lは、図2に示すように、配線基板50の先端(端部50eの他端)で配線基板50の上面側に引き回され、配線基板50の上面側の素子周辺パッド50sに接続されている。
そして、検知部24aの出力端子、及びヒータ24bの通電端子は配線基板50の素子周辺パッド50sに対して、導電部材(具体的には、ワイヤ28で接合され、それぞれ電気的に接続されている。つまり、検知部24aの出力端子、及びヒータ24bの通電端子50のそれぞれは、対応する素子周辺パッド50sに対してワイヤボンディングされている。これにより、検知部24から出力された電気信号は配線基板50の配線50L、電極パッド50pを介して外部に出力され、電極パッド50p、配線50Lを介して外部から供給された電力によりヒータ24bが通電加熱する。
なお、配線基板50の下面に形成された配線50Lは、図2に示すように、配線基板50の先端(端部50eの他端)で配線基板50の上面側に引き回され、配線基板50の上面側の素子周辺パッド50sに接続されている。
そして、検知部24aの出力端子、及びヒータ24bの通電端子は配線基板50の素子周辺パッド50sに対して、導電部材(具体的には、ワイヤ28で接合され、それぞれ電気的に接続されている。つまり、検知部24aの出力端子、及びヒータ24bの通電端子50のそれぞれは、対応する素子周辺パッド50sに対してワイヤボンディングされている。これにより、検知部24から出力された電気信号は配線基板50の配線50L、電極パッド50pを介して外部に出力され、電極パッド50p、配線50Lを介して外部から供給された電力によりヒータ24bが通電加熱する。
このようにして、前処理部10を通過して特定ガスの濃度が調整された被測定ガスGは、検知部24aに接触して特定ガスの濃度が測定される。検知部24aは特定ガスの濃度に応じて電気的特性が変化し、その変化した電気信号を検知することで特定ガスの濃度を検出する。又、ヒータ24bは通電加熱により、検知部24aを所望の動作温度に加熱する。
ベース部24cは例えば絶縁性の配線基板を用いて構成することができる。又、検知部24aは例えば金属酸化物半導体を用いて構成することができる。ヒータ24bは、例えばベース部24cの表面に形成されたミアンダ状のパターンを有し、白金等からなる発熱抵抗体によって構成することができる。なお、検知部24aは、固体電解質体に一対の電極を設けた、公知の混成電位式のセンサ構成を採用してもよい。
ベース部24cは例えば絶縁性の配線基板を用いて構成することができる。又、検知部24aは例えば金属酸化物半導体を用いて構成することができる。ヒータ24bは、例えばベース部24cの表面に形成されたミアンダ状のパターンを有し、白金等からなる発熱抵抗体によって構成することができる。なお、検知部24aは、固体電解質体に一対の電極を設けた、公知の混成電位式のセンサ構成を採用してもよい。
ここで、図3に示すように、導入口22a及び排出口22bは、センサ素子24の外周24eよりも外側に位置すると共に、センサ素子24よりも上方向に位置している。
また、突出部22pは、導入口22aから排出口22bへ向かう収容空間C1の流路Fの途中で、かつセンサ素子24に対向する位置(外周24eよりも内側の位置)に、流路Fを狭めるようにケーシング22の内側に向かって突出している。
さらに、センサ素子24(の上端の検知部24a)から突出部22pの先端までの配線基板50の長手方向に直交する方向の高さh1が、センサ素子24から導入口22aまでの配線基板50の長手方向に直交する方向における高さh2、及びセンサ素子24から排出口22bまでの配線基板50の長手方向に直交する方向における高さh3よりも低くなっている。
また、突出部22pは、導入口22aから排出口22bへ向かう収容空間C1の流路Fの途中で、かつセンサ素子24に対向する位置(外周24eよりも内側の位置)に、流路Fを狭めるようにケーシング22の内側に向かって突出している。
さらに、センサ素子24(の上端の検知部24a)から突出部22pの先端までの配線基板50の長手方向に直交する方向の高さh1が、センサ素子24から導入口22aまでの配線基板50の長手方向に直交する方向における高さh2、及びセンサ素子24から排出口22bまでの配線基板50の長手方向に直交する方向における高さh3よりも低くなっている。
また、本実施形態では、突出部22pの幅寸法(図3における突出部22pの紙面奥から紙面手前に向けての長さ)が、収容空間C1の幅寸法と同じ長さに形成されている。言い換えると、突出部22pの幅寸法は、収容空間C1を構成する略矩形箱状のケーシング22における対向する2つの側面の内側間の寸法と同じ長さとなっている。これにより、導入口22aから排出口22bに向けて流れる被測定ガスGの流れに対して、略直交するように突出部22pが位置し、ガス導入口22a側に向く面に当たった被測定ガスGはセンサ素子24に向けて誘導されることになる。その結果、センサ素子24に対向する位置の流路Fにおける被測定ガスGの流速がベンチュリ効果によって速くなり、センサ素子24周囲のガス置換を促進して特定ガス検出の応答性を向上させることができる。
さらに、突出部22pは、複数の導電部材28のそれぞれにおけるセンサ素子24よりも上方向に位置する頂部28pよりも内側で、各導電部材28と非接触に配置されている。
これにより、突出部22pが導電部材28と接触して導電部材28が断線する等の不具合を抑制することができる。又、突出部22pと導電部材28との間にクリアランスが形成されるので、突出部22p近傍における被測定ガスGの流れを妨げることも抑制できる。
なお、導電部材28は、素子周辺パッド50sと、素子周辺パッド50sより内側のセンサ素子24の外周部との間を跨いで延び、かつ素子周辺パッド50sとセンサ素子24の間で上に凸の曲線状に形成され、頂部28pを有している。
これにより、突出部22pが導電部材28と接触して導電部材28が断線する等の不具合を抑制することができる。又、突出部22pと導電部材28との間にクリアランスが形成されるので、突出部22p近傍における被測定ガスGの流れを妨げることも抑制できる。
なお、導電部材28は、素子周辺パッド50sと、素子周辺パッド50sより内側のセンサ素子24の外周部との間を跨いで延び、かつ素子周辺パッド50sとセンサ素子24の間で上に凸の曲線状に形成され、頂部28pを有している。
なお、本実施形態においては、ケーシング22は金属板からなり、突出部22pはケーシング22にプレス成型により一体に形成されてなる。
これにより、ケーシング22の耐熱性に優れると共に、ケーシング22に突出部22pを別部品で取付ける場合に比べて生産性が向上し、部品点数も低減する。さらに、本実施形態のようにプレス成型等の場合は、突出部22pの角部を面取りした滑らかな形状に容易に形成することができ、突出部22p近傍における被測定ガスGの流れを妨げることをより一層抑制できる。
これにより、ケーシング22の耐熱性に優れると共に、ケーシング22に突出部22pを別部品で取付ける場合に比べて生産性が向上し、部品点数も低減する。さらに、本実施形態のようにプレス成型等の場合は、突出部22pの角部を面取りした滑らかな形状に容易に形成することができ、突出部22p近傍における被測定ガスGの流れを妨げることをより一層抑制できる。
本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の思想と範囲に含まれる様々な変形及び均等物に及ぶことはいうまでもない。
例えば、図4に示すように、ガスセンサ1Bのセンサ部30として、ケーシング32の側面に導入口32a及び排出口32bを突出させてもよい。つまり、導入口32a及び排出口32bは、センサ素子24の外周24eよりも外側に位置すると共に、センサ素子24よりも上方向に位置していればどのように配置されていてもよい。例えば、導入口32aと排出口32bとを、ケーシング32の対向する側面にそれぞれ配置してもよい。また、突出部32pは、導入口32aから排出口32bへ向かう収容空間C1の流路Fの途中で、かつセンサ素子24に対向する位置に、流路Fを狭めるようにケーシング32の内側に向かって突出している。さらに、突出部32pは、上記実施形態と同様に、複数の導電部材28のそれぞれにおけるセンサ素子24よりも上方向に位置する頂部よりも内側で、各導電部材28と非接触に配置されている。
なお、図4において、図2のセンサ部20と同一構成部分は同一符号を付している。
例えば、図4に示すように、ガスセンサ1Bのセンサ部30として、ケーシング32の側面に導入口32a及び排出口32bを突出させてもよい。つまり、導入口32a及び排出口32bは、センサ素子24の外周24eよりも外側に位置すると共に、センサ素子24よりも上方向に位置していればどのように配置されていてもよい。例えば、導入口32aと排出口32bとを、ケーシング32の対向する側面にそれぞれ配置してもよい。また、突出部32pは、導入口32aから排出口32bへ向かう収容空間C1の流路Fの途中で、かつセンサ素子24に対向する位置に、流路Fを狭めるようにケーシング32の内側に向かって突出している。さらに、突出部32pは、上記実施形態と同様に、複数の導電部材28のそれぞれにおけるセンサ素子24よりも上方向に位置する頂部よりも内側で、各導電部材28と非接触に配置されている。
なお、図4において、図2のセンサ部20と同一構成部分は同一符号を付している。
また、上記図2、図4の実施形態のガスセンサ1では、突出部22pを収容空間C1の幅寸法と同じ長さに形成したが、センサ素子24周囲のガス置換を促進して特定ガス検出の応答性を向上できる効果が発揮される範囲内であれば、図5に示す別実施形態のガスセンサ1Cのように、ケーシング22に設ける突出部としては、センサ素子24に対向する位置に配置されると共に、収容空間C1の幅寸法よりも短い幅寸法の突出部42pを設けるようにしてもよい。この突出部42pについても、上記実施形態と同様に、複数の導電部材28のそれぞれにおけるセンサ素子24よりも上方向に位置する頂部よりも内側で、各導電部材28と非接触に配置されている。なお、図5のガスセンサ1Cにおいて、図2のガスセンサ1と同一構成部分は同一符号を付している。
ガスセンサ、及びそれを構成する前処理部、ケーシング、センサ素子、導電部材、突出部の形状、材質、種類等は上記実施形態に限定されない。突出部の個数も限定されない。
また、上記実施形態では、シール材23の枠体にケーシング22のフランジ及び配線基板50の上面の外周部分を接着剤を介して固着させる構成を採ったが、ケーシング22、及び、シール材23、配線基板50の固着構造はこれに限定されない。例えば、接着剤を用いずに、ケーシング22の外側から他部材(例えば、ボルトとナット)を用いて配線基板50に向けて力(付勢力)を付与し、ケーシング22、シール材23、配線基板50の各部材が位置ずれしないよう固定してガスセンサ1を構成するようにしてもよい。
さらに、上記の各実施形態では、突出部22p、32p、42pを金属製のケーシング22、32にプレス成形により一体に形成するようにした。しかし、突出部22p、32p、42pの構成はこれに限定されず、例えば、天面がフラット形状にされたケーシングを準備し、このケーシングの天面の内側の所定位置に凸条片を接合(具体的には溶接)して取り付け、この凸条片を本発明の突出部として機能させるようにしてもよい。
また、上記実施形態では、シール材23の枠体にケーシング22のフランジ及び配線基板50の上面の外周部分を接着剤を介して固着させる構成を採ったが、ケーシング22、及び、シール材23、配線基板50の固着構造はこれに限定されない。例えば、接着剤を用いずに、ケーシング22の外側から他部材(例えば、ボルトとナット)を用いて配線基板50に向けて力(付勢力)を付与し、ケーシング22、シール材23、配線基板50の各部材が位置ずれしないよう固定してガスセンサ1を構成するようにしてもよい。
さらに、上記の各実施形態では、突出部22p、32p、42pを金属製のケーシング22、32にプレス成形により一体に形成するようにした。しかし、突出部22p、32p、42pの構成はこれに限定されず、例えば、天面がフラット形状にされたケーシングを準備し、このケーシングの天面の内側の所定位置に凸条片を接合(具体的には溶接)して取り付け、この凸条片を本発明の突出部として機能させるようにしてもよい。
1、1B、1C ガスセンサ
10 前処理部
22、32 ケーシング
22a、32a 導入口
22b、32b 排出口
22p、32p、42p 突出部
24 センサ素子
24e センサ素子の外周
28 導電部材
28p 導電部材のセンサ素子よりも上方向に位置する頂部
50 配線基板
C1 収容空間
D 下方向
F 流路
G 被測定ガス
h1 センサ素子から突出部の先端までの高さ
h2 センサ素子から導入口までの高さ
h3 センサ素子から排出口までの高さ
10 前処理部
22、32 ケーシング
22a、32a 導入口
22b、32b 排出口
22p、32p、42p 突出部
24 センサ素子
24e センサ素子の外周
28 導電部材
28p 導電部材のセンサ素子よりも上方向に位置する頂部
50 配線基板
C1 収容空間
D 下方向
F 流路
G 被測定ガス
h1 センサ素子から突出部の先端までの高さ
h2 センサ素子から導入口までの高さ
h3 センサ素子から排出口までの高さ
Claims (2)
- 長手方向に延びる配線基板と、
被測定ガスに含まれる特定ガスを検出するセンサ素子であって、前記配線基板の一方の面の外周よりも内側に配置されると共に、前記配線基板と複数の導電部材で電気的に接続されるセンサ素子と、
前記センサ素子を収容する収容空間を形成するケーシングであって、前記収容空間に前記被測定ガスを導入する導入口、及び、前記収容空間から前記被測定ガスを排出する排出口が形成されるケーシングと、
前記被測定ガス中の特定ガスの濃度を調整する前処理を行う前処理部であって、前記導入口に向けて前処理された前記被測定ガスを流通させる前処理部と、
を備えたガスセンサであって、
前記センサ素子の前記配線基板に面する方向を下方向と定義したときに、前記導入口及び前記排出口は、前記センサ素子の外周よりも外側に位置すると共に、前記センサ素子よりも上方向に位置しており、
前記導入口から前記排出口へ向かう前記収容空間の流路の途中でかつ前記センサ素子に対向する位置に、前記流路を狭めるように前記ケーシングの内側に向かって突出する突出部が設けられ、
前記センサ素子から前記突出部の先端までの前記配線基板の長手方向に直交する方向の高さが、前記センサ素子から前記導入口及び前記排出口までの前記配線基板の長手方向に直交する方向における各高さよりも低くなっており、
前記突出部は、前記複数の導電部材のそれぞれにおける前記センサ素子よりも上方向に位置する頂部よりも内側で、前記導電部材と非接触に配置されてなる
ことを特徴とするガスセンサ。 - 請求項1に記載のガスセンサであって、
前記ケーシングは金属板からなり、前記突出部は前記ケーシングに一体に形成されてなるガスセンサ。
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