TWI474343B - Transparent conductive laminates and transparent touch panels - Google Patents

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Description

透明導電性層合體及透明觸控面板
本發明係關於透明導電性層合體、及具有如此透明導電性層合體之透明觸控面板。
載持顯示裝置(display)與作為輸入裝置的透明觸控面板的攜帶型情報終端開始廣泛普及。作為透明觸控面板多被使用的電阻膜方式透明觸控面板係為，形成透明導電層之2片透明電極基板被配置成約10μm～100μm之間隔下透明導電層彼此互相相對之構成所成，藉此僅以加入外力的部分，透明導電層的表面彼此互相接觸，作為開關作用者。所謂如此觸控面板，例如可進行顯示畫面上之目錄選擇、圖形‧文字輸入等。
近年來液晶顯示器等進行狹額緣化(narrow-frame)，與此同樣地透明觸控面板亦往狹額緣化進行。隨著該狹額緣化，除過去透明觸控面板被要求之耐書寫性以外，透明觸控面板端部之耐書寫性的耐端壓性亦有強烈被要求之傾向。
欲改善透明觸控面板所要求之耐書寫性，專利文獻1～3中有提案將2片透明高分子薄膜基材介著具有特定硬度(或楊氏率)之黏著劑或透明樹脂層進行層合的透明導電性層合體。任一方法皆可改善耐書寫性為已知，但將2片透明高分子薄膜介著黏著劑或透明樹脂層進行層合時，有著生產步驟成為複雜且生產效率變差之問題，且製造超過10英吋的大型透明觸控面板時，由構成上之觀點來看，因剛性較弱而有著透明導電性層合體彎曲之問題。
又，專利文獻4中提出作為可使製造成本減低化、量產化之電阻膜方式觸控面板，透明電極膜的至少一方可藉由噻吩系導電聚合物或聚苯胺系導電聚合物等透明導電聚合物材而形成為特徵之觸控面板。且專利文獻4中亦提出對於ITO膜與透明導電聚合物膜之層合體。然而，將導電性聚合物材作為透明電極使用的透明導電性層合體，構成透明觸控面板之被配置為對向的透明導電層彼此接觸時之接觸電阻較大，藉此有著透明觸控面板無法動作之問題、無法確保透過率、環境信賴性之問題等。
專利文獻5中提出於透明基板之透明電極表面上，形成含有導電性微粒子之高分子層的觸控面板。專利文獻6中提出以真空蒸鍍法、離子鍍法、或濺鍍法所形成之金屬及/或金屬氧化物的薄膜作為導電層而形成，其後層合含有導電性之塗料。
使用上述專利文獻4～6所提案之透明導電性層合體的透明觸控面板為透明導電層與高分子薄膜之間不具有硬化樹脂層。因此，將作為一般透明觸控面板之可動電極基板所使用之聚對苯二甲酸乙二醇酯作為高分子薄膜使用時，實施加熱處理等後，有著由高分子薄膜析出寡聚物成分之問題。又，因未特定透明導電層之膜質，故將這些透明導電性層合體使用於透明觸控面板時，有著無法確保於透明觸控面板為必要之耐書寫性的問題。
[專利文獻1]特開平2-66809號公報
[專利文獻2]特開平2-129808號公報
[專利文獻3]特開平8-192492號公報
[專利文獻4]特開2005-182737號公報
[專利文獻5]特開平7-219697號公報
[專利文獻6]特公平3-48605號公報
本發明係以提供提高自過去於透明觸控面板被要求之耐書寫性、及透明觸控面板端部區域之耐書寫性(耐端壓性)的透明觸控面板、即使用於如此透明觸控面板之較佳透明導電層合體為目的者。
一般於透明高分子基板上介著硬化樹脂層形成透明導電層之透明導電性層合體中，於耐端壓性試驗或耐書寫性試驗之間受到透明導電層彎曲的尺寸變化。彎曲所引起的透明導電層之尺寸變化為一定以上時，特別延長透明導電層時，於透明導電層或透明導電層下所具有的硬化樹脂層無法耐得住尺寸變化(延伸)，產生裂縫(微細裂縫)，藉此會惡化透明觸控面板之電氣特性為已知。
有關此，本發明者發現僅使用下述本發明之透明導電性層合體的觸控面板，可得到耐端壓性及導電層之透明性良好者。
即，本發明如下所示。
(1)高分子薄膜的至少一面上，以硬化樹脂層、透明導電層-1、及透明導電層-2之順序經層合的透明導電性層合體，
該透明導電層-1為未含有機成分之結晶質的透明導電層，且該透明導電層-2為含有電離放射線硬化型樹脂、熱塑性樹脂、烷氧基矽烷以外之金屬烷氧化物的聚合物、或熱硬化‧交聯型樹脂與至少1種類的平均1次粒徑100nm以下之導電性金屬氧化物或金屬之微粒子A為特徵之透明導電性層合體。
(2)微粒子A之含有量對於電離放射線硬化型樹脂、熱塑性樹脂、烷氧基矽烷以外之金屬烷氧化物的聚合物、或熱硬化‧交聯型樹脂100重量份而言為0.1重量份以上400重量份以下之上述(1)項所記載之透明導電性層合體。
(3)透明導電層-1的膜厚為5nm以上50nm以下之上述(1)項所記載的透明導電性層合體。
(4)透明導電層-2的膜厚為10nm以上1500nm以下之上述(1)項所記載的透明導電性層合體。
(5)透明導電層-2中含有平均1次粒徑將該透明導電層-2之膜厚作為基準為1.2倍以上、1.2μm以下的微粒子B之上述(1)～(4)項中任一項所記載之透明導電性層合體。
(6)微粒子B為導電性金屬氧化物或金屬微粒子之上述(5)項所記載之透明導電性層合體。
(7)硬化樹脂層與透明導電層-1之間進一步具有膜厚為0.5nm以上，未達5.0nm之金屬氧化物層的上述(1)～(6)項中任一項所記載之透明導電性層合體。
(8)硬化樹脂層的折射率為1.20～1.55，膜厚為0.05μm以上0.5μm以下之上述(1)～(7)項中任一項所記載之透明導電性層合體。
(9)硬化樹脂層為，於其表面具有凹凸，含有硬化樹脂成分與1種類或2種類以上的平均1次粒徑超過0.1μm之微粒子C，至少1種類之微粒子C的平均1次粒徑為硬化樹脂層膜厚之1.2倍以上的上述(1)～(8)項中任一項所記載的透明導電性層合體。
(10)硬化樹脂層為，於其表面具有凹凸，含有硬化樹脂成分與1種類或2種類以上之平均1次粒徑100nm以下的金屬氧化物或金屬氟化物金屬之微粒子D的上述(1)～(8)項中任一項所記載之透明導電性層合體。
(11)硬化樹脂層為含有硬化樹脂成分與微粒子C及微粒子D之上述(9)或(10)項所記載之透明導電性層合體。
(12)硬化樹脂層為，於其表面具有二種成分經相分離所形成之凹凸，且未含有賦予凹凸之微粒子，硬化樹脂層之藉由JIS B0601-1994之算術平均粗度(Ra)為0.05μm以上，未達0.5μm，藉由JIS B0601-1982之十點平均粗度(Rz)為0.5μm以上，未達2μm之範圍的上述(1)～(8)項中任一項記載之透明導電性層合體。
(13)形成硬化樹脂層之成分中第1成分為聚合物，第2成分為單體之上述(12)項所記載之透明導電性層合體。
(14)形成硬化樹脂層之第1成分與第2成分之SP值的差為0.5以上之上述(12)或(13)項所記載之透明導電性層合體。
(15)形成硬化樹脂層之第1成分為含有不飽和雙鍵之丙烯酸共聚物，第2成分為含有多官能性不飽和雙鍵之單體的上述(12)～(14)項中任一項所記載之透明導電性層合體。
(16)於高分子薄膜與透明導電層-1之間具有由至少1層低折射率層與至少1層高折射率層所成的光學干涉層，低折射率層與透明導電層-1銜接之上述(1)～(7)項中任一項所記載的透明導電性層合體。
(17)於高分子薄膜與金屬氧化物層之間具有由至少1層低折射率與至少1層高折射率層所成的光學干涉層，低折射率層與金屬氧化物層銜接的上述(1)～(16)項中任一項所記載之透明導電性層合體。
(18)於至少片面上設有透明導電層的2片透明電極基板被配置成透明導電層彼此互相相對所構成的觸控面板中，作為至少一方之透明電極基板使用上述(1)～(17)項中任一項所記載之透明導電性層合體為特徵之觸控面板。
[發明之效果]
所謂本發明為提供不會劣化於透明觸控面板被要求之光學特性與環境信賴性下，耐書寫性、特別為端部區域中之耐書寫性(耐端壓性)受到改善的透明觸控面板、及使用於如此透明觸控面板的較佳透明導電性層合體。
[實施發明的最佳形態]
以下對本發明做詳細說明。
本發明的透明導電性層合體為高分子薄膜的至少一面上，以硬化物樹脂層、透明導電層-1、及透明導電層-2之順序經層合者。
本發明的透明導電性層體，例如圖1中的號碼100所示者，其中於高分子薄膜(2)之一面上，層合具有凹凸之硬化樹脂層(3)、透明導電層-1(4)、及透明導電層-2(5)。該圖1所示之本發明透明導電性層體中，於高分子薄膜(2)之另一面上層合任意硬塗佈層(1)。
又，本發明之透明導電性層體為，例如圖2中如號碼200所示者，其中於高分子薄膜(2)之一面上，層合具有凹凸之硬化樹脂層(3)、金屬氧化物層(7)、透明導電層-1(4)、及透明導電層-2(5)。該圖2所示之本發明透明導電性層體中，於高分子薄膜(2)之另一面上層合任意硬塗佈層(1)。
且，圖1～4中，1為硬塗佈層，2為高分子薄膜，3為硬化樹脂層，4為透明導電層-1，5為透明導電層-2，6為玻璃基板，7為金屬氧化物層，8為導電性聚合物層，9為間隔點(Dot Spacer)，且100及200為透明導電性層體(可動電極基板)。
<高分子薄膜>
作為構成高分子薄膜之有機高分子，僅為耐熱性優良之透明有機高分子即可，並無特別限定。作為有機高分子，例如可舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯-2,6-萘酸酯、聚二烯丙基苯二甲酯等聚酯系樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、聚芳酯樹脂、丙烯酸樹脂、纖維素乙酸酯樹脂、環烯烴聚合物等。當然這些亦可作為均聚物、共聚物使用。又，將上述有機高分子可單獨下使用，亦可摻合後使用。
這些高分子薄膜可藉由一般熔融押出法或溶液流延法等而成形，但視必要可於成形之高分子薄膜實施一軸延伸或二軸延伸，而提高機械性強度、或提高光學性功能亦佳。
將本發明之透明導電層合體作為透明觸控面板之可動電極基板使用時，欲保持透明觸控面板作為開關作用的可撓性與平坦性之強度的觀點來看，厚度為75～400μm之高分子薄膜為佳。將本發明之透明導電層合體作為固定電極基板使用時，由欲保持平坦性之強度的觀點來看，厚度以0.4～4.0mm之薄片狀高分子薄膜為佳。然而，將本發明的透明導電層合體作為固定電極基板使用時，將厚度50～400μm之高分子薄膜與其他塑質薄片貼合，將全體厚度成為0.4～4.0mm之構成後使用為佳。
將本發明的透明導電層合體作為透明觸控面板之可動電極基板使用時，於固定電極基板上亦可使用前述塑質薄片、玻璃基板或高分子薄膜與玻璃基板之層合體或高分子薄膜與塑質薄片之層合體上形成透明導電層者。由透明觸控面板之強度、重量的觀點來看，由單層或層合體所成的固定電極基板之厚度以0.1～4.0mm為佳。
又，最近開發一種透明觸控面板之輸入側面，即於使用者側面上，層合偏光板或偏光板與相位差薄膜之構成的新型透明觸控面板。該構成之優點為主要藉由前述偏光板或、偏光板與相位差薄膜之光學作用，減低透明觸控面板內部中之外來光反射率至一半以下，可提高設置透明觸控面板之狀態下的顯示器之對比。
如此型式的透明觸控面板中，因偏光通過透明導電層合體，故作為高分子薄膜使用光學等方性優良者為佳，具體為將薄膜的遲相軸方向之折射率作為nx ，進相軸方向之折射率作為ny ，薄膜厚度作為d(nm)時，Re=(nx -ny )×d(nm)所示面內滯留值Re至少為30nm以下時為佳，20nm以下者為較佳。且，其中基板之面內滯留值可使用分光橢圓測厚儀(日本分光股份有限公司製M-150)進行測定之波長590nm所得值作表示。
將如此例示的透明導電性層合體通過偏光的型式之透明觸控面板用途上，透明電極基板之面內滯留值為非常重要，但除此外，透明電極基板之三次元折射率特性，即基板之膜厚方向的折射率作為nz 時，K={(nx +ny )/2-nz }×d中所示K值以-250～+150nm為佳，-200～+100nm之範圍時因可得到透明觸控面板優良之視野角特性，故較佳。
作為彼等光學等方性優良的高分子薄膜，例如可舉出聚碳酸酯、非晶性聚芳酯、聚醚碸、聚碸、三乙醯基纖維素、二乙醯基纖維素、環烯烴聚合物及彼等變性物或與別種材料之共聚合物等成型基板、環氧系樹脂等熱硬化性樹脂之成形基板或丙烯酸樹脂等電離放射線硬化性樹脂之成形基板等。由成形性或製造成本、熱的安定性等觀點來看，例如可舉出聚碳酸酯、非晶性聚芳酯、聚醚碸、聚碸、環烯烴聚合物及彼等變性物或與別種材料之共聚合物等成型基板為最佳。
更具體為，作為聚碳酸酯，例如可舉出將至少1種選自雙酚A、1,1-二(4-酚)環亞己基、3,3,5-三甲基-1,1-二(4-酚)環亞己基、芴基-9,9-二(4-酚)、芴基-9,9-二(3-甲基-4-酚)等所成群之成分作為單體單位之聚合物或共聚物、或將至少1種選自上述群的成分作為單體單位之聚合物或共聚物之混合物，其平均分子量約15000～100000之範圍的聚碳酸酯(作為商品，例如可舉出帝人化成股份有限公司製「潘來多」或Bayer公司製「Apec HT」等)之成型基板為佳。
又，作為非晶性聚芳酯的商品，可例舉出股份有限公司Kaneka製「愛路眉克」、unitika股份有限公司製「U聚合物」、衣索那貝公司製「依沙利祿」等成型基板。
又，作為環烯烴聚合物之商品可例舉出日本zeon股份有限公司製「Zeonoa」或JSR股份有限公司製「阿頓」等成型基板。
又，作為彼等高分子材料之成形方法，可例舉出熔融押出法或溶液流延法、射出成型法等方法，由可得到優良光學等方性之觀點來看，特別使用溶液流延法或熔融押出進行成形為佳。
<透明導電層-1>
本發明中，透明導電層-1為未含有有機成分之結晶質的導電層，例如可舉出結晶質之金屬層或結晶質之金屬化合物層。
且，本發明中，所謂“未含有有機成分”表示未含有0.5重量%以上之有機成分，作為構成透明導電層-1之成分，例如可舉出氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫等金屬氧化物之層。彼等中以氧化銦及/或氧化錫的金屬氧化物層為特佳。
且，透明導電層-1以將氧化銦作為主成分之結晶質的膜時為佳，特別以使用結晶質之ITO(氧化銦‧錫)所成的層為佳。
結晶粒徑雖無必須特別限定其上限，但以3000nm以下為佳。結晶粒徑超過3000nm時，會使耐書寫性惡化故不佳。其中所謂結晶粒徑被定義為，以透過型電子顯微鏡(TEM)下所觀察之多角形狀或長圓狀各區域中之對角線或直徑中最大者。
本發明中所謂“將氧化銦作為主成分”表示，作為摻合物含有錫、鍗、鎘、鉬、鎢、氟、鋅等的氧化銦、或作為摻合物含有錫以外，進一步含有矽、鈦、鋅等之氧化銦。
又，所謂“結晶質之膜”表示含有摻合物之氧化銦所成的層的50%以上，較佳為75%以上，更佳95%以上，特佳為幾乎100%為結晶相所佔有者。
透明導電層-1可以公知手法而形成，例如可使用DC磁控濺鍍法、RF磁控濺鍍法、離子鍍法、真空蒸鍍法、脈衝雷射蒸鍍法等物理形成法(physical Vapor Deposition，以下為PVD)等。若著眼於可形成對於大面積之均一膜厚的金屬化合物層之工業生產性時，以DC磁控濺鍍法為佳。且，除上述物理形成法(PVD)以外，可使用Chemical Vapor Deposition(以下、CVD)、凝膠法等化學形成法，由膜厚控制之觀點來看仍然以濺鍍法為佳。
透明導電層-1的膜厚由透明性與導電性之觀點來看以5～50nm為佳。更佳為5～30nm。透明導電層-1之膜厚未達5nm時，電阻值會有經時性安定性劣化之傾向，且超過50nm時，表面電阻值會降低故作為觸控面板並不佳。
將本發明的透明導電性層合體使用於透明觸控面板時，由透明觸控面板之消費電力減低與回路處理上之必要等來看，使用於膜厚10～30nm中之透明導電層-1的表面電阻值以100～2000Ω/□(Ω/sq)為佳，較佳為140～1000Ω/□(Ω/sq)之範圍的透明導電層為佳。
本發明中之透明導電層-1必須為結晶質之膜。透明導電層-1為結晶質的膜時，作為基板之高分子薄膜與透明導電層-1之密著性或環境信賴性可比其他透明導電層更優良。其結果，將本發明的透明導電性層合體使用於透明觸控面板時，可顯著改善於透明觸控面板必要之環境信賴性或透明觸控面板之耐書寫性。
<透明導電層-2>
本發明中之透明導電層-2含有電離放射線硬化型樹脂、熱塑性樹脂、烷氧基矽烷以外之金屬烷氧化物的聚合物、或熱硬化‧交聯型樹脂與至少1種類的平均1次粒徑100nm以下之導電性金屬氧化物或金屬微粒子A。
透明導電層-2的膜厚以10nm以上1500nm以下為佳。更佳為50nm以上1000nm以下，較佳為100nm以上1000nm以下。膜厚未達5nm時，將本發明的透明導電性層合體作為觸控面板用之透明導電層時，難得到耐端壓性之提高效果。又，膜厚超過1500nm時，透明觸控面板中，配置成對向之透明導電層彼此接觸時的接觸電阻會顯著變大，難作為透明觸控面板作用。
<透明導電層-2(電離放射線硬化型樹脂)>
本發明中，透明導電層-2為由含有電離放射線硬化型樹脂(至少藉由電子線或紫外線照射經硬化之樹脂)與微粒子A之塗料所形成。具體為含有光聚合性預聚物、光聚合性單體、光聚合啟始劑與微粒子A，且視必要可含有增感劑、非反應性樹脂、塗平劑等添加劑、溶劑。
光聚合性預聚物之結構、分子量與電離放射線硬化型塗料之硬化有關，決定電離放射線硬化型樹脂之接著性、硬度、耐裂縫性等特性者。光聚合性預聚物藉由導入於骨架中的丙烯醯基以電離放射線照射下進行自由基聚合。藉由自由基聚合進行硬化者為硬化速度較快，樹脂設計之自由度亦較大，故特佳。
作為光聚合性預聚物，以具有丙烯醯基之丙烯酸系預聚物為特佳，此為1分子中具有2個以上之丙烯醯基，成為3次元網目結構之故。作為丙烯酸系預聚物，例如可使用尿烷丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、三聚氰胺丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯。
光聚合性單體為，稀釋高黏度光聚合性預聚物，使黏度降低，提高作業性，又作為交聯劑使用於賦予透明導電層-2之強度。
作為賦予電離放射線硬化型樹脂之單體，例如可舉出多元醇丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、尿烷丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、變性苯乙烯丙烯酸酯、三聚氰胺丙烯酸酯、含矽之丙烯酸酯等單官能及多官能丙烯酸酯。
作為具體單體，例如可舉出三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷環氧乙烷變性丙烯酸酯、三羥甲基丙烷環氧丙烷變性丙烯酸酯、三聚異氰酸環氧化物變性丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二丙烯酸酯、三丙二醇三丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、環氧變性丙烯酸酯、尿烷變性丙烯酸酯、環氧變性丙烯酸酯等多官能單體。這些可使用1種、或使用2種以上。
又，光聚合性單體之混合量變多時，透明導電層-2因會硬化至必要以上，故欲得到所望硬度、或所望可撓性，可適宜選擇混合比率。例如將本發明之透明導電性層合體使用於彎曲觸控面板等層合體的用途時，藉由混合可撓性優良的熱硬化性、熱塑性丙烯酸樹脂、環氧樹脂等非反應性樹脂，可調節硬度。
光聚合啟始劑可藉由電離放射線之照射，將丙烯醯基的反應於短時間下開始，欲促進反應而添加，具有觸媒作用。光聚合啟始劑特別於藉由紫外線照射進行硬化時為必要，亦有照射較高能量之電子線時為不必要之情況。作為光聚合啟始劑之種類，以藉由進行開裂而進行自由基聚合者、藉由吸出氫而進行自由基聚合者、或藉由產生離子而進行陽離子聚合者。
作為光聚合啟始劑，例如可使用苯偶因醚系、酮縮醇系、乙醯苯系、噻噸酮系等自由基型光聚合啟始劑、疊氮鎓鹽、二芳基碘鎓鹽、三芳基鎏鹽等或複合系陽離子型光聚合啟始劑。這些可使用1種、或使用2種以上。光聚合啟始劑對於樹脂固體成分而言，例如可使用混合2～10重量%，較佳為混合3～6重量%後使用。
硬化電離放射線硬化型塗料時為照射電子線或紫外線。照射電子線時，使用掃描型或簾幕型之電子線加速器，以具有加速電壓1000keV以下，較佳為具有100～300keV之能量，可藉由100nm以下波長區域的電子線進行照射。照射紫外線時，使用超高壓水銀燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、碳弧燈、金屬鹵化燈等，以100～400nm為佳，較佳為200～400nm之波長區域下照射具有50～300kcal/mol之能量的紫外線。
電離放射線硬化型樹脂一般為將於適當有機溶劑中進行溶解、稀釋的塗佈液塗佈於透明導電層-1上。於透明導電層-1上所形成之塗佈層藉由電離放射線進行硬化。
作為有機溶劑，以醇系、烴系之溶劑、例如以乙醇、異丙基醇、丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、己烷、環己烷、石油醚等為佳。其他亦可使用二甲苯、甲苯、環己酮、甲基異丁基酮、乙酸異丁酯等極性溶劑。彼等可獨或作為2種類以上之混合溶劑使用。
又，塗佈可使用刮刀塗佈、棒塗佈、凹版輥塗佈、簾幕塗佈、切刀塗佈、轉動塗佈等公知的塗佈機械所使用之方法、噴霧法、浸漬法等。
<透明導電層-2(熱塑性樹脂)>
作為使用於透明導電層-2之熱塑性樹脂，例如可例舉出聚酯系樹脂、聚醯胺樹脂、聚亞胺樹脂、聚醚系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚烯烴系樹脂等。
彼等熱塑性樹脂可單獨下使用，或使用2種以上的相異種類，使用2種以上時以同種類者為佳。上述熱塑性樹脂可使用藉由公知方法進行而合成者。
本發明中之透明導電層-2的形成可依據過去已知、或斯業界所累積的方法而製造。例如可將含有熱塑性樹脂與微粒子A之水溶液或水分散液等塗液塗佈於透明導電層-1表面，經乾燥後而形成。
或可將含有熱塑性樹脂、微粒子A與溶劑之塗液塗佈於透明導電層-1表面，溶劑經加熱蒸散後而形成。
又，透明導電層-2之形成可為於透明導電層-1之表面上將熱塑性樹脂以押出塗佈之方法、含有構成高分子薄膜之高分子樹脂材料、與微粒子A之熱塑性樹脂層經共押出而層合的方法等。
彼等中，使用水溶液或水分散液等塗液的方法可安全地形成薄厚度的透明導電層-2，故特佳。
作為塗佈方法雖無特別限定，例如可舉出輥塗佈法、塑模塗佈法等。
<透明導電層-2(烷氧基矽烷以外的金屬烷氧化物之聚合物)>
使用於透明導電層-2的烷氧基矽烷以外之金屬烷氧化物為下述一般式所示化合物：
(R3 O)n MR4 m-n
其中，上述一般式中的R3 及R4 各表示甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、乙酸基等，M表示金屬元素，較佳為Al、Ti、Zr。又，上述式中，m表示金屬元素M之價數，n表示加成於金屬元素M之烷氧基數，n為與m相同或較小之數。這些化合物中亦以可水解之物質為佳。
作為金屬烷氧化物，例如可舉出烷氧化鈦、烷氧化鋯。
作為鈦烷氧化物，例如可舉出四異丙氧化鈦、四-n-丙基原鈦酸、四-n-丁氧化鈦、肆(2-乙基己氧基)鈦酸等。又，作為烷氧化鋯，例如可舉出四異丙氧化鋯、四-n-丁氧化鋯等。
欲可有效率地進行上述烷氧基矽烷之水解/縮合，必須使用觸媒。作為觸媒可使用酸性觸媒或鹼性觸媒。作為酸性觸媒，可適用乙酸、鹽酸、硝酸等無機酸、乙酸、檸檬酸、丙酸、草酸、p-甲苯磺酸等有機酸等。作為鹼性觸媒可適用氨、三乙胺、三丙胺等有機胺化合物、甲氧化鈉、甲氧化鉀、乙氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化鉀等鹼金屬化合物。
欲形成透明導電層-2，可使用含有烷氧基矽烷以外之金屬烷氧化物、與至少1種類的平均1次粒徑為100nm以下的導電性金屬氧化物或金屬微粒子所成之微粒子A之塗佈組成物。作為使用於塗佈組成物可舉出苯、甲苯、二甲苯等芳香族烴類、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸異丁酯等酯類甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類、四氫呋喃等醚類、甲醇、乙醇、異丙基醇、n-丁醇、丙二醇等醇類等，其中亦以醇類、酮類、醚類、酯類為佳。
一般欲使烷氧基矽烷的水解/縮合可更效率地進行，必須進行適當之加熱處理，塗佈步驟中，100℃以上的溫度下實施數分鐘以上之熱處理為佳。
又，塗佈可使用刮刀塗佈、棒塗佈、凹版輥塗佈、簾幕塗佈、切刀塗佈、轉動塗佈等公知塗佈機械之方法、噴霧法、浸漬法等。
<透明導電層-2(熱硬化‧交聯樹脂成分)>
本發明中，作為構成透明導電層-2之熱硬化‧交聯樹脂成分，可舉出有機矽烷系熱硬化性樹脂、三聚氰胺系熱硬化性樹脂、異氰酸酯系熱硬化性樹脂、酚系熱硬化性樹脂、環氧系熱硬化性樹脂、二甲苯樹脂、呋喃樹脂、氰酸酯樹脂、等公知熱硬化性樹脂。彼等熱硬化性樹脂中，將甲基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷等矽烷化合物作為單體的有機矽烷系熱硬化性樹脂、將醚化羥甲基三聚氰胺等作為單體的三聚氰胺系熱硬化性樹脂於低溫且短時間下可硬化故特佳。
可將這些熱硬化性樹脂經單獨或複數組合後使用。又，視必要可混合熱塑性樹脂。且，藉由熱進行樹脂層之交聯時，可適量添加公知反應促進劑、硬化劑。
本發明中，使用於熱硬化‧交聯樹脂成分之有機矽烷系熱硬化性樹脂，例如藉由將具有胺基之烷氧基矽烷經水解後所得之有機矽烷及/或有機矽烷的縮合物與多元羧酸酐進行反應所得之成分作為主成分的硬化性組成物而得到。
作為具有胺基之烷氧基矽烷，可舉出一般式RnSi(OR′)4-n所示具有胺基之烷氧基矽烷。式中R、R′表示氫或有機基。
本發明中，於熱硬化‧交聯樹脂成分所使用的三聚氰胺系熱硬化性樹脂，例如可舉出將三聚氰胺與甲醛進行縮合所得之羥甲基三聚氰胺衍生物、於彼等衍生物將作為低級醇之甲基醇、乙基醇、異丙基醇等進行反應而經烷基醚化的化合物及這些混合物為佳。具體作為羥甲基三聚氰胺系衍生物，例如可舉出單羥甲基三聚氰胺、二羥甲基三聚氰胺、三羥甲基三聚氰胺、四羥甲基三聚氰胺、五羥甲基三聚氰胺，六羥甲基三聚氰胺等。
本發明中，使用於熱硬化‧交聯樹脂成分之異氰酸酯系熱硬化性樹脂，例如可舉出聚異氰酸酯化合物、多元醇、與低分子量聚酯樹脂之加成物、或聚異氰酸酯化合物彼此之環化聚合物、以及異氰酸酯‧雙縮脲體等。作為聚異氰酸酯化合物，例如可舉出甲次苯基二異氰酸酯、4,4-二苯基甲烷二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、三苯基甲烷三異氰酸酯、聯間甲苯胺二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、賴胺酸二異氰酸酯、三甲基六伸甲基二異氰酸酯、二聚酸二異氰酸酯、六伸甲基二異氰酸酯、二環己基甲烷二異氰酸酯、異氟爾酮二異氰酸酯等。彼等中，特別以六伸甲基二異氰酸酯、異氟爾酮二異氰酸酯等脂肪族聚異氰酸酯化合物或脂肪族聚異氰酸酯化合物與多元醇、低分子量聚酯樹脂之加成物、脂肪族聚異氰酸酯化合物彼此之環化聚合物等為佳。
本發明中，使用於熱硬化‧交聯樹脂成分的酚系熱硬化性樹脂為漆用酚醛型酚樹脂、甲酚型酚樹脂等公知酚樹脂。例如可舉出酚、甲酚、p-t-丁基酚、壬基酚、p-苯基酚等烷基取代酚、萜烯、二環戊二烯等環狀烷基變性酚、具有含有硝基、鹵素基、氰基、胺基等雜原子之官能基者、具有萘、蒽等骨架者、由雙酚F、雙酚A、雙酚S、間苯二酚、焦棓酚等多官能性酚所成之樹脂。
本發明中，使用於熱硬化‧交聯樹脂成分的環氧系熱硬化性樹脂為，分子內具有2個以上之環氧基的聚環氧化合物、或單環氧化合物亦可，但以含有聚環氧化合物者為佳。
作為聚環氧化合物，例如可舉出山梨糖醇聚環氧丙基醚、聚甘油聚環氧丙基醚、季戊四醇聚環氧丙基醚、二甘油聚環氧丙基醚、三環氧丙基參(2-羥基乙基)異氰酸酯、甘油聚環氧丙基醚、三羥甲基丙烷聚環氧丙基醚、N,N,N’,N’-四環氧丙基甲基伸苯二甲基二胺、N,N,N’,N’-四環氧丙基-4,4’-二胺基二苯基甲烷、N,N,N’,N’-四環氧丙基-1,3-雙胺基甲基環己烷等3官能以上之聚環氧化合物、及例如新戊二醇二環氧丙基醚、1,6-己二醇二環氧丙基醚、間苯二酚二環氧丙基醚、乙二醇二環氧丙基醚、聚乙二醇二環氧丙基醚、丙二醇二環氧丙基醚、聚丙二醇二環氧丙基醚、聚四甲二醇二環氧丙基醚等二環氧化合物。一方面作為單環氧化合物，例如可舉出烯丙基環氧丙基醚、2-乙基己基環氧丙基醚、苯基環氧丙基醚等。其中亦以N,N,N’,N’-四環氧丙基間苯二甲胺、N,N,N’,N’-四環氧丙基-4,4’-二胺基二苯基甲烷、N,N,N’,N’-四環氧丙基-1,3-雙胺基甲基環己烷為佳。
熱硬化‧交聯樹脂成分一般為將溶解、稀釋於適當有機溶劑之塗佈液塗佈於透明導電層-1上。於透明導電層-1上所形成之塗佈層可藉由加熱處理而進行硬化。加熱處理為依據塗佈步驟中所使用的熱硬化‧交聯樹脂成分而相異，但於100℃以上之溫度下實施數分鐘以上的熱處理為佳。又依據情況，可並行前述熱處理，以紫外線等活性光線照射於塗佈層時，可進一步提高交聯度。
作為有機溶劑，可舉出醇系、烴系溶劑、例如以乙醇、異丙基醇、丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、己烷、環己烷、石油醚等為佳。其他亦可使用二甲苯、甲苯、環己酮、甲基異丁基酮、乙酸異丁酯等極性溶劑。彼等可單獨或作為2種類以上之混合溶劑使用。
又，塗佈可使用刮刀塗佈、棒塗佈、凹版輥塗佈、簾幕塗佈、切刀塗佈、轉動塗佈等公知塗佈機械的方法、噴霧法、浸漬法等。
<透明導電層-2(微粒子A)>
本發明中之透明導電層-2中必須以電離放射線硬化型樹脂、熱塑性樹脂、烷氧基矽烷以外之金屬烷氧化物的聚合物、或熱硬化‧交聯型樹脂、與至少1種類之平均1次粒徑100nm以下的導電性金屬氧化物或金屬之微粒子A作為成分。
微粒子A為金屬氧化物時，例如可舉出氧化銦、二氧化錫、氧化鋅、氧化鎘、銦氧化鎘(Cd/In2 O4 )、氧化錫鎘(Cd2 SnO4 )、氧化錫鋅(Zn2 SnO4 )、氧化銦等。彼等中以氧化銦及/或氧化錫之金屬氧化物為佳。
微粒子A為金屬微粒子時，金屬微粒子及合金微粒子中任一為金屬系粒子即可，並無特別限定，依目的可適宜地選擇。
構成金屬微粒子之金屬，並無特別限定，依目的可適宜地選擇。可為金屬、或金屬硫屬化物、金屬鹵素化合物等。作為前述金屬，可舉出Ti、Fe、Co、Ni、Zr、Mo、Ru、Rh、Ag、Cd、Sn、Ir、pt、Au、pb、Bi、彼等合金等。
作為前述合金，並無特別限定，依據的可適宜地選擇，但可舉出作為前述金屬所例示者與選自Sc、Y、Ti、Zr、V、Nb、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、鑭系列元素及錒系列元素者之合金等。
上述微粒子A之平均一次粒徑必須為100nm以下，較佳為75nm以下、更佳為50nm。微粒子A之平均一次粒徑比100nm大時，有著所形成之透明導電層會白化，損害到透明觸控面板之透明性的問題。
透明導電層-2中之微粒子A的含有量對於電離放射線硬化型樹脂、熱塑性樹脂、烷氧基矽烷以外的金屬烷氧化物之聚合物、或熱硬化‧交聯型樹脂100重量份，以0.1重量份以上400重量份以下為佳。更佳為0.5重量份以上200重量份以下，較佳為0.5重量份以上100重量份以下。
微粒子A之含有量對於電離放射線硬化型樹脂、熱塑性樹脂、烷氧基矽烷以外之金屬烷氧化物的聚合物、或熱硬化‧交聯型樹脂100重量份而言，比0.1重量份少時，透明觸控面板中配置成對向的兩透明導電層表面彼此於接觸時的接觸電阻會顯著變大，使得難作為透明觸控面板作用。又，微粒子A之含有量對於電離放射線硬化型樹脂、熱塑性樹脂、烷氧基矽烷以外之金屬烷氧化物的聚合物、或熱硬化‧交聯型樹脂100重量份而言，比400重量份多時，難以充分確保透明導電層-2之膜強度，使得確保於透明觸控面板所要求之耐書寫性等難以實施。
<透明導電層-2(微粒子B)>
透明觸控面板中配置成對向之透明導電層的兩層表面於實質上為平坦時，配置成對向之兩透明導電層表面彼此於接觸時，兩透明導電層表面彼此會因吸附現象，而有著透明導電層劣化，透明觸控面板會錯誤動作之問題。欲防止該兩透明導電層表面彼此吸附之現象，可於透明導電層-2中含有微粒子B。
又，即使透明導電層表面於實質上非平坦，將改善透明導電層表面之滑順性作為目的，於透明導電層-2中可含有微粒子B。
微粒子B之平均1次粒徑將透明導電層-2之膜厚作為基準，以1.2倍以上1.2μm以下者為佳。微粒子B之平均一次粒徑未達透明導電層-2之膜厚1.2倍時，透明導電層-2表面難以進行粗面化，且難以防止構成透明觸控面板之兩透明導電層表面彼此吸附的現象。一方面，微粒子B之平均一次粒徑比1.2μm大時，微粒子B之平均一次粒徑對於透明導電層-2之膜厚而言為極端大，故微粒子B比透明導電層-2更容易脫落，難以確保於透明觸控面板所要求之耐書寫性等信賴性。
作為透明導電層-2中之微粒子B的含有量，將形成透明導電層-2之電離放射線硬化型樹脂、熱塑性樹脂、烷氧基矽烷以外的金屬烷氧化物之聚合物、或熱硬化‧交聯型樹脂與微粒子A之合計作為100重量份時，2.5重量份以下為佳，更佳為1.5重量份以下。使微粒子B之含有量為2.5重量份以下時，不會損害到透明觸控面板中配置成對向之兩透明導電層表面彼此吸附之現象所引起的透明觸控面板之錯誤動作抑制效果，且可形成無白濁之良好透明導電層。將過剩微粒子A含於透明導電層中時，微粒子A比透明導電層容易脫落或與透明導電層-1之密著性會降低，而損害到於透明觸控面板所要求之耐書寫性的信賴性。
微粒子B中平均一次粒徑僅為上述範圍之微粒子即可，並無特別限定其成分，可依據目的而適宜選擇。例如可舉出無機化合物、有機化合物、金屬氧化物、金屬微粒子等。
微粒子B係以導電性金屬氧化物或金屬微粒子者為佳，不僅可防止構成透明觸控面板之配置成對向的兩透明導電層表面彼此吸附之現象，亦可防止兩透明導電層表面於接觸時的接觸電阻劣化。此時，微粒子B的平均一次粒徑必須為比前述欲使透明導電層-2的導電性良好而所配合的平均1次粒徑100nm以下之微粒子A的平均一次粒徑更顯著大。
微粒子B為導電性金屬氧化物時，例如可舉出氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫等金屬氧化物之微粒子。彼等中亦以氧化銦及/或氧化錫之金屬氧化物微粒子為特佳。
又，微粒子B為金屬微粒子時，例如以Ti、Fe、Co、Ni、Zr、Mo、Ru、Rh、Ag、Cd、Sn、Ir、pt、Au、pb、Bi、彼等之合金等為佳。
<金屬氧化物層>
本發明的透明導電性層合體為高分子薄膜與透明導電層-1之間可進一步具有膜厚0.5nm以上，未達5.0nm之金屬氧化物層。
將高分子薄膜、膜厚經控制之金屬氧化物層、透明導電層-1依順序進行層合而可大幅度改善各層間之密著性。使用如此透明導電性層合體的透明觸控面板與無金屬氧化物層之情況作比較，進一步提高近年透明觸控面板所要求之耐書寫性。金屬氧化物層之膜厚為5.0nm以上時，由金屬氧化物層顯示作為連續體之機械物性為始，於透明觸控面板所要求之耐端壓性並未提高。另一方面，未達0.5nm之膜厚中，膜厚難以控制以外，高分子薄膜與透明導電層-1之密著性無法充分表現，於透明觸控面板所要求之耐書寫性並未充分提高。
作為構成金屬氧化物層之成分，例如可舉出氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫等金屬氧化物之層。
彼等金屬氧化物層可藉由公知方法而形成，例如可舉出DC磁控濺鍍法、RF磁控濺鍍法、離子鍍法、真空蒸鍍法、脈衝雷射蒸鍍法等物理的形成法(physical Vapor Deposition，以下為PVD)等，著眼於形成對於大面積而言為均一膜厚之金屬氧化物層的工業生產性時，使用DC磁控濺鍍法為佳。且除上述物理形成法(PVD)以外，亦可使用Chemical Vapor Deposition(以下為CVD)、凝膠法等化學形成法，但由膜厚控制之觀點來看，仍然以濺鍍法為佳。
使用於濺鍍之標的為使用金屬標的較佳，廣泛使用反應性濺鍍法。此為作為金屬氧化物層所使用的元素的氧化物多為絕緣體，金屬化合物標的之多數情況無法適用DC磁控濺鍍法之故。又，近年來，使2個陰極(Cathode)同時放電，抑制對標的之絕緣體的形成下的電源已被開發，而可適用擬似性RF磁控濺鍍法。
本發明中，使用金屬標的藉由DC磁控濺鍍法進行上述金屬氧化物層之製膜時，使製膜金屬氧化物層的真空槽中之壓力(背壓)一旦至1.3×10-4 Pa以下，其次藉由導入惰性氣體及氧的製造方法下可形成。使製膜金屬氧化物層的真空槽中之壓力一旦至1.3×10-4 Pa以下，但殘留於真空槽中，且恐怕對金屬氧化物層之形成過程產生影響之分子種的影響可被減低故較佳。較佳為5×10-5 Pa以下，更佳為2×10-5 Pa以下。
其次，作為經導入之惰性氣體，例如已知使用He、Ne、Ar、Kr、Xe等原子量較大的惰性氣體等時，所形成之對金屬氧化物層的傷害較少，且提高表面平坦性。然而，考慮到成本面時以Ar為佳。該惰性氣體欲調整吸附於層中的氧濃度時，亦可添加分壓換算下為1.3×10-3 ～7×10-2 Pa之氧。且除氧以外，可配合目的使用O3 、N2 、N2 O、H2 O、NH3 等。
又，本發明中，將製膜金屬氧化物層之真空槽中的水分壓設定為1.3×10-4 Pa以下，其次可藉由導入惰性氣體及氧之製造方法而形成。水的分壓較佳可控制至4×10-5 Pa以下，更加為可控制至2×10-5 Pa以下。藉由膜中吸收氫氣，可緩和金屬氧化物層內部之應力，即使故意將水導入至1.3×10-4 ～3×10-2 pa之範圍亦可。該調整可一旦形成真空後，使用可變漏閥或質量流量控制器導入水而進行。又，亦可藉由控制真空槽之背壓而實施。
決定本發明中之水分壓時，可使用差動排氣型內流程監視器。或使用動態範圍較廣，於0.1pa台之壓力下亦可測定之四重極質量分析計。又，一般於1.3×10-5 pa程度之真空度下，形成該壓力者為水。藉此，亦可將經由真空計所測定之值直接視為水分壓。
本發明中，因作為基板使用高分子薄膜，故無法將形成金屬氧化物層時的基板溫度比高分子薄膜之軟化點溫度更上昇。因此，欲形成金屬氧化物層，必須將基板溫度設定於室溫以下程度至軟化點溫度以下。
作為代表性高分子薄膜之聚對苯二甲酸乙二醇酯，於未進行特別處理時將基板溫度保持於80℃以下之溫度下形成金屬氧化物層為佳。較佳為保持於50℃以下之基板溫度，更佳為保持於20℃以下。又，即使於高分子薄膜基板上，由高分子薄膜基板之漏氣控制之觀點來看，以80℃以下為佳，較佳為50℃以下，更佳為20℃以下之基板溫度下形成。
<硬化樹脂層>
本發明的透明導電性層合體為，高分子薄膜與透明導電層-1之間、或高分子薄膜與前述金屬氧化物層之間必須設置硬化樹脂層。
作為使用於硬化樹脂層之硬化樹脂，可舉出電離放射線硬化性樹脂或熱硬化性樹脂等。
作為電離放射線硬化性樹脂可使用與作為有關透明導電層-2之電離放射線硬化型樹脂所舉出的相同樹脂。
這些可單獨使用，亦可混合數種類使用，又依情況，可適量添加各種烷氧基矽烷之水解物。且，藉由電離放射線進行樹脂層之聚合時，可適量添加公知光聚合啟始劑。又，視必要可添加適量光增感劑。
作為光聚合啟始劑，可舉出乙醯苯、二苯甲酮、苯偶因、苯甲醯苯甲酸酯、噻噸酮類等，作為光增感劑，可舉出三乙胺、三-n-丁基膦等。
作為熱硬化性樹脂，可使用與構成透明導電層-2之熱硬化‧交聯樹脂成分同樣者。例如可舉出將甲基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷等矽烷化合物作為單體的有機矽烷系熱硬化性樹脂或將醚化羥甲基三聚氰胺等作為單體之三聚氰胺系熱硬化性樹脂、異氰酸酯系熱硬化性樹脂、酚系熱硬化性樹脂、環氧系熱硬化性樹脂等。這些熱硬化性樹脂可單獨或組合複數後使用。又，視必要可混合熱塑性樹脂。且，藉由熱進行樹脂層之交聯時，可添加適量的公知反應促進劑、硬化劑。
作為反應促進劑，例如可舉出三伸乙基二胺、二丁基錫二月桂酸酯、苯甲基甲胺、吡啶等。作為硬化劑，例如可舉出甲基六氫無水苯二酸、4,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基-3,3'-二乙基二苯基甲烷、二胺基二苯基碸等。
硬化樹脂層之膜厚雖未特別設定下限值，但由可撓性、耐摩擦性之觀點來看，以10μm以下為佳，更佳為5μm以下。
欲進一步強化硬化樹脂層、與透明導電層-1或金屬氧化物層之密著性，於硬化樹脂層中可含有平均1次粒徑100nm以下之氧化矽微粒子。且，並用含有矽原子之有機化合物與平均一次粒徑100nm以下之氧化矽微粒子時，因氧化矽微粒子的金屬氧化物微粒子於表面成為偏析的硬化樹脂層，而可提高上述密著性之改善效果。作為含有矽原子之有機化合物，其為一般含有Si原子之界面活性劑或UV硬化樹脂成分。此時的氧化矽微粒子之含有量對於硬化樹脂成分100重量份而言，以1重量份以上400重量份以下為佳，更佳為1重量份以上200重量份以下，較佳5重量份以上100重量份以下。
構成透明觸控面板的配置成對向的透明導電層表面皆為平坦時，有時觀察到來自所製作之透明觸控面板的可動電極基板(上部電極基板)之反射光與來自固定電極基板(下部電極基板)之反射光的干涉所引起的牛頓環。已有將反射光藉由經光學性散亂而欲防止牛頓環時，於透明導電層表面上形成凹凸之方法。作為於透明導電層表面形成凹凸之方法，其可將硬化樹脂層表面進行粗面化。
作為粗面化硬化樹脂層之方法，可舉出下述(1)～(4)之方法。
(1)於硬化樹脂層中含有硬化樹脂成分、與1種類或平均一次粒徑為相異的平均一次粒徑超過0.1μm的微粒子C，且藉由含有至少1種類之微粒子C的平均一次粒徑為硬化樹脂層膜厚之1.2倍以上進行硬化樹脂層之粗面化的方法。
以該方法(1)進行硬化樹脂層之粗面化時，含於硬化樹脂層之微粒子C的含有量對於硬化樹脂成分100重量份而言，以0.1重量份以上30重量份以下為佳，較佳為1重量份以上20重量份以下，更佳為3重量份以上15重量份以下。微粒子C的含有量若比0.1重量份少時，無法充分進行硬化樹脂層之粗面化，故無防止牛頓環表現的效果。又，微粒子C之含有量比30重量份多時，因硬化樹脂層的霧值變為極端大，故無法確保透明性，介著透明觸控面板於透明觸控面板下所設置之畫面無法清楚看到。
(2)藉由於硬化樹脂層中含有硬化樹脂成分、與1種類或2種類以上的平均1次粒徑100nm以下之金屬氧化物或金屬氟化物金屬的微粒子D進行硬化樹脂層之粗面化的方法。
該方法(2)下使硬化樹脂層進行粗面化時，含於硬化樹脂層之微粒子D的含有量，對於硬化樹脂成分100重量份，以0.1重量份以上100重量份以下為佳，較佳為0.5重量份以上50重量份以下，更佳為1重量份以上30重量份以下。微粒子D之含有量為0.1重量份以下時，硬化樹脂層無法充分地粗面化，故無防止牛頓環表現之效果。又，微粒子D之含有量比100重量份多時，硬化樹脂層之霧值變得極端大，故無法確保透明性，藉由透明觸控面板於透明觸控面板下所設置的畫面無法清楚見到。
(3)藉由於硬化樹脂層中含有硬化樹脂成分、與合併微粒子C及微粒子D進行硬化樹脂層之粗面化的方法。
以該方法(3)進行硬化樹脂層之粗面化時，含於硬化樹脂層之微粒子C與微粒子D的含有量與前述所記載的含有量相同。
以上述方法(1)～(3)的方法將硬化樹脂層進行粗面化時，以JIS B0601-1982所定義的十點平均粗度(Rz)較佳為100nm以上，未達1000nm，較佳100nm以上，未達800nm，更佳為150nm以上，未達500nm。十點平均粗度(Rz)若未達100nm時，透明觸控面板之可動電極基板與固定電極基板間有時容易產生牛頓環，十點平均粗度(Rz)為1000nm以上時，霧值變大，於高精細顯示器上設置透明觸控面板時，由產生畫素的色分離而引起閃爍等理由得知其為不佳。
又，以JIS B0601-1994為準所定義的算術平均粗度(Ra)較佳為30nm以上，未達500nm，較佳40nm以上，未達400nm，更佳為50nm以上，未達300nm。算術平均粗度(Ra)未達30nm時，透明觸控面板的可動電極基板與固定電極基板間有時容易產生牛頓環。算術平均粗度(Ra)成為500nm以上時，霧值會變大，高精細顯示器上設置透明觸控面板時，由產生畫素的色分離而引起閃爍等理由得知其為不佳。
經粗面化的硬化樹脂層與以高分子薄膜為準的JIS K7136所定義之霧值為1%以上，未達8%，較佳為1%以上，未達5%，更佳為1%以上，未達3%。霧值未達1%時，透明觸控面板之可動電極基板與固定電極基板間容易產生牛頓環，故不佳。另一方面，霧值為8%以上時，將透明觸控面板設置於顯示器上時，影像或文字等情報會模糊而不佳。
(4)混合2種類以上之硬化性樹脂成分使其相分離的方法、及添加硬化樹脂成分與進行相分離的熱塑性樹脂成分之方法。更具體為，於硬化樹脂層中未含有欲使表面進行粗面化的微粒子下，二種成分經相分離後形成凹凸，硬化樹脂層藉由JIS B0601-1994之算術平均粗度(Ra)為0.05μm以上，未達0.5μm，藉由JIS B0601-1982之十點平均粗度(Rz)為0.5μm以上，未達2μm之範圍的方法。
以該方法(4)進行硬化樹脂層之粗面化時，形成硬化樹脂層之成分中，第1成分為聚合物，第2成分為單體時為佳。形成硬化樹脂層之第1成分與第2成分之SP值差以0.5以上時為佳。形成硬化樹脂層之第1成分為含有不飽和雙鍵之丙烯酸共聚物，第2成分以含有多官能性不飽和雙鍵之單體為佳。形成硬化樹脂層之成分以聚矽氧烷丙烯酸嵌段共聚物與丙烯酸共聚物者為佳。
以該方法進行粗面化時，本發明之透明導電性層合體可達到以JIS K7136所定義之霧值為1%以上未達20%。
更具體為，以該方法(4)，硬化樹脂層具有二種成分經相分離所形成之凹凸，而未含有賦予凹凸之微粒子。該凹凸為，將含有第1成分及第2成分之組成物塗佈於基材上時，藉由第1成分及第2成分之物性差，兩者經相分離後於表面上隨機產生凹凸而形成。硬化樹脂層為將組成物塗佈於基材上形成凹凸後，藉由硬化可形成。形成硬化樹脂層之二種成分中，第1成分為聚合物，第2成分為單體者為佳。
前述第1成分為透明性優良的硬化性聚合物為佳，以熱硬化性聚合物、電離放射線硬化性聚合物為較佳。聚合物可使用公知者，例如可舉出國際公開第2005/073763號手冊所記載之聚合物。作為第1成分，以含有不飽和雙鍵之丙烯酸共聚物(以下有時稱為共聚物(1))為佳。作為共聚物(1)，例如可舉出(甲基)丙烯酸單體等具有酸基之聚合性不飽和單體經聚合或共聚合的樹脂或具有該酸基的聚合性不飽和單體經聚合或共聚合的樹脂與具有其他乙烯性不飽和雙鍵之單體經共聚合的樹脂、與具有乙烯性不飽和雙鍵及環氧基之單體進行反應的共聚物、具有該酸基之聚合性不飽和單體與具有其他乙烯性不飽和雙鍵及異氰酸酯基之單體進行反應所得之共聚物等。
作為含有不飽和雙鍵之丙烯酸共聚物的具體調整方法之一例，例如可舉出具有酸基之聚合性不飽和單體、與其他聚合性不飽和單體經共聚合，其次將所得之共聚物的酸基與含有環氧基之乙烯性不飽和單體的環氧基進行反應之方法。
作為具有酸基之聚合性不飽和單體，例如可舉出如丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、2-(甲基)-丙烯醯氧乙基琥珀酸、2-(甲基)丙烯醯氧乙基苯二酸及2-(甲基)丙烯醯氧乙基六氫苯二酸的單羧酸、如馬來酸、富馬酸、檸康酸、中康酸及衣康酸的二羧酸、如馬來酸酐及衣康酸酐的酸酐及如馬來酸單乙酯、富馬酸單乙酯及衣康酸單乙酯的二羧酸之單酯、或藉由彼等α-位的鹵化烷基、烷氧基、鹵素、硝基或氰基所取代之取代衍生物、o-、m-、p-乙烯安息香酸或藉由彼等烷基、烷氧基、鹵素、硝基、氰基、醯胺或酯所取代之取代衍生物等。這些可僅使用一種、或並用2種以上。
作為其他聚合物不飽和單體，例如可使用苯乙烯或苯乙烯之α-、o-、m-、p-烷基、烷氧基、鹵素、鹵化烷基、硝基、氰基、醯胺、酯所取代之取代衍生物、丁二烯、異戊二烯、辛戊二烯等烯烴類、o-、m-、p-羥基苯乙烯或彼等之烷基、烷氧基、鹵素、鹵化烷基、硝基、氰基、醯胺、酯或羧基所取代之取代衍生物、乙烯氫醌、5-乙烯焦棓酚、6-乙烯焦棓酚、1-乙烯間苯三酚等聚羥基乙烯酚類、甲基丙烯酸或丙烯酸之甲基、乙基、n-丙基、i-丙基、n-丁基、sec-丁基、ter-丁基、戊基、新戊基、異戊基己基、環己基、金剛烷基、烯丙基、炔丙基、苯基、萘基、蒽基、蒽醌、胡椒基、水楊基、環己基、苯甲基、苯乙基、甲苯基、環氧丙基、異莰基、三苯基甲基、二環戊基、枯基、3-(N,N-二甲胺基)丙基、3-(N,N-二甲胺基)乙基、呋喃基或糠酯、甲基丙烯酸或丙烯酸之醯替苯胺或醯胺、或N,N-二甲基、N,N-二乙基、N,N-二丙基、N,N-二異丙基或蒽基醯胺、丙烯腈、丙烯醛、甲基丙烯腈、氯化乙烯、氯化亞乙烯、氟化乙烯、氟化亞乙烯、N-乙烯吡咯烷酮、乙烯吡啶、乙酸乙烯酯、N-苯基馬來酸酐縮亞胺、N-(4-羥基苯基)馬來酸酐縮亞胺、N-甲基丙烯醯基酞醯亞胺、N-丙烯醯基酞醯亞胺等。
作為環氧含有乙烯性不飽和單體，例如可舉出環氧丙基(甲基)丙烯酸酯、β-甲基環氧丙基(甲基)丙烯酸酯及3,4-環氧環己腈(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基丙烯酸酯環氧丙基醚等。因其為具有平衡性硬化性與顯示貯藏安定性之組成物，故使用環氧丙基(甲基)丙烯酸酯為佳。
又，作為含有不飽和雙鍵之丙烯酸共聚物之具體調整方法，例如可舉出含有環氧基之乙烯性不飽和單體、與其他聚合性不飽和單體經共聚合，其次所得之共聚物的環氧基、與具有酸基之聚合性不飽和單體的酸基進行反應之方法。
本發明中，作為第1成分所使用之含有不飽和雙鍵之丙烯酸共聚物的重量平均分子量係以500～100,000為佳，以1,000～50,000為較佳。本說明書中之重量平均分子量係表示聚苯乙烯換算所算出的重量平均分子量。又，含有不飽和雙鍵之丙烯酸共聚物可單獨使用1種或並用2種以上。
前述第2成分為，與共聚物(1)混合時為相分離的單體即可。單體可使用公知者，例如可舉出國際公開第2005/073763號手冊所記載之單體。
作為第2成分，以含有多官能性不飽和雙鍵之單體(以下有時稱為單體(2))為佳。作為單體(2)，可舉出多元醇與(甲基)丙烯酸酯之脫醇反應物。具體可舉出季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等。其他亦可使用聚乙二醇#200二丙烯酸酯(共榮公司化學股份有限公司製)等具有聚乙二醇骨架之丙烯酸酯單體。彼等之含有多官能性不飽和雙鍵之單體可單獨使用1種、或混合2種以上後使用。
形成硬化樹脂層之二種成分中，第1成分為含有不飽和雙鍵之丙烯酸共聚物，第2成分為含有多官能性不飽和雙鍵之單體為佳。
形成硬化樹脂層之成分係以聚矽氧烷丙烯酸嵌段共聚物與丙烯酸共聚物為佳。
又，第1成分及第2成分之各成分的溶解度參數值(SP值)有差距者為佳，如上述。第1成分為共聚物(1)，第2成分為單體(2)時，第1成分之SP值(SP1)及第2成分之SP值(SP2)以滿足SP1<SP2為佳。第1成分及第2成分之SP值差以0.5以上為佳。
特別以第1成分為共聚物(1)，第2成分為單體(2)時，將本發明的透明導電性層合體使用於觸控面板時，無閃爍且霧值低，其摺動耐久性、耐端壓性可飛躍地提高故較佳。
本發明的透明導電性層合體之硬化樹脂層藉由JIS B0601-1994之算術平均粗度(Ra)以0.05μm以上，未達0.5μm。又，硬化樹脂層之藉由JIS B0601-1982之十點平均粗度(Rz)為，0.5μm以上，未達2μm。
Ra及Rz為該範圍時，將透明導電性層合體使用於觸控面板時，防眩性、抗牛頓環性、指紋擦拭性會特別良好，閃爍之減低亦顯著。欲使上述特性更良好，Ra之範圍為0.1μm以上，未達0.4μm者為佳，0.1μm以上，未達0.35μm者為特佳。又，Rz之範圍為0.7μm以上，未達1.5μm者為佳，0.7μm以上，未達1.3μm者為特佳。
硬化樹脂層之厚度以10μm以下為佳。厚度超過10μm時，柔軟性會不足，使用於觸控面板時的摺動耐久性、耐端壓性會變的不良。欲使上述特性更良好，使硬化樹脂層之厚度為8μm以下時為佳，6μm以下時為特佳。
前述硬化樹脂層為將含有第1成分及第2成分之塗佈液塗佈於高分子薄膜，視必要進行乾燥後，藉由電離放射線照射或加熱處理等使其硬化而形成。塗佈液為含有有機溶劑者為佳。
作為硬化樹脂層之形成方法，可使用刮刀塗佈、棒塗佈、凹版輥塗佈、簾幕塗佈、切刀塗佈、轉動塗佈等使用公知塗佈機械的方法、噴霧法、浸漬法等。作為實際塗佈法，可舉出將前述硬化性樹脂成分溶解於各種有機溶劑，將調整濃度或黏度之塗佈液，塗佈於透明有機高分子基板上後，藉由放射線照射或加熱處理等形成層之方法。
作為有機溶劑可舉出醇系、烴系之溶劑，例如以乙醇、異丙基醇、丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、己烷、環己烷、石油醚等為佳。特別使用二甲苯、甲苯、酮類、例如使用甲基乙基酮、甲基異丁基酮等為佳。其他亦可使用環己酮、乙酸丁酯、乙酸異丁酯等極性溶劑。彼等可單獨使用、或使用作為2種類以上之混合溶劑。
欲防止硬化樹脂層之熱或光劣化，可添加抗紫外線劑、抗氧化劑、抗老化劑等。
藉由調整硬化樹脂層之膜厚或折射率，可調整透明導電性層合體之光學特性(透過率或色調)。此時的硬化樹脂層之膜厚係以0.05μm以上，0.5μm以下者為佳，更佳為0.05μm以上，0.3μm以下。
欲調整硬化樹脂層之折射率，可將平均一次粒徑100nm以下之金屬氧化物或金屬氟化物的微粒子D或/及氟系樹脂以單獨或複數組合下添加於硬化樹脂層中。此時的硬化樹脂層之折射率比高分子薄膜之折射率小，且折射率為1.20以上1.55以下者為佳，更佳為1.20以上1.45以下。
硬化樹脂層於視必要下亦可層合材質或硬度相異的2種類以上硬化樹脂層。然而，例如於(A)高分子薄膜上層合膜厚2.0μm之含有微粒子C與微粒子D的具有凹凸之硬化樹脂層後。於硬化樹脂層上層合折射率為1.4，膜厚為0.1μm之低折射硬化樹脂層時，於(B)高分子薄膜上層合膜厚10μm之混合橡膠狀乳液的硬化樹脂層後，於橡膠狀乳液層上層合膜厚為2μm的2～4官能之紫外線硬化樹脂所構成之紫外線硬化樹脂層下可層合硬化樹脂層。
<硬化樹脂層(微粒子C)>
含於硬化樹脂層之微粒子C的平均一次粒徑比0.1μm大，作為微粒子C之具體例子，例如可舉出二氧化矽微粒子等無機微粒子、交聯丙烯酸微粒子、交聯聚苯乙烯等有機微粒子。
<硬化樹脂層(微粒子D)>
微粒子D之平均1次粒徑以100nm以下為佳，較佳為75nm以下，更佳為50nm以下。僅將微粒子D之1次粒徑控制於100nm以下時，塗佈層不會有白化。
作為微粒子D，例如可舉出Bi2 O3 、CeO2 、In2 O3 、(In2 O3 ‧SnO2 )、HfO2 、La2 O3 、MgF2 、Sb2 O5 、(Sb2 O5 ‧SnO2 )、SiO2 、SnO2 、TiO2 、Y2 O3 、ZnO、ZrO2 等金屬氧化物或金屬氟化物之超微粒子。
<光學干涉層>
本發明的透明導電性層合體為，高分子薄膜或硬化樹脂層與透明導電層-1或金屬氧化物層之間具有由至少1層之低折射率層與至少1層之高折射率層所成，可具有低折射率層為銜接金屬氧化物層或透明導電層-1之光學干涉層。
如上述，光學干涉層係由至少一層高折射率層與至少一層之低折射率層所構成。可使高折射率層與低折射率層之組合單位為二個以上。光學干涉層係由一層高折射率層與一層低折射率層所構成時，光學干涉層之膜厚以30nm～300nm為佳，更佳為50nm～200nm。光學干涉層為改善上述層間之密著性及透明導電性層合體的光學特性，特別為改善透過率與色調。
<光學干涉層(高折射率層)>
高折射率層為，例如將金屬烷氧化物進行水解以及進行縮合聚合所形成之層、或將金屬烷氧化物經水解以及縮合聚合所成之成分或/及熱硬化性樹脂成分或/及電離放射線硬化性樹脂成分中，由至少1種類與至少平均1次粒徑100nm以下的金屬氧化物或金屬氟化物所成之微粒子D所成的層。
作為金屬烷氧化物，例如可舉出烷氧化鈦、烷氧化鋯、烷氧基矽烷。
作為烷氧化鈦，例如可舉出四異丙氧化鈦、四-n-丙基原鈦酸、四-n-丁氧化鈦、肆(2-乙基己氧基)鈦酸等。又，作為烷氧化鋯，例如可舉出四異丙氧化鋯、四-n-丁氧化鋯等。
作為烷氧基矽烷，例如可舉出四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、乙烯三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基二甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷等。
高折射率層中可添加適量的單獨或2種類以上前述記載之平均1次粒徑100nm以下的金屬氧化物或金屬氟化物之微粒子D。藉由添加微粒子D，可調整高折射率層之折射率。
於高折射率層中添加微粒子D時，微粒子D與金屬烷氧化物或/及熱硬化性樹脂或/及電離放射線硬化性樹脂之重量比率以0：100～66.6：33.3者為佳，更佳為0：100～60：40。微粒子D與金屬烷氧化物之聚合物或/及熱硬化性樹脂或/及電離放射線硬化性樹脂之重量比率超過66.6：33.3時，光學干涉層為必要之強度或密著性會不足而不佳。
高折射率層之厚度較佳為15～250nm，更佳30～150nm。又，高折射率層之折射率如後述的低折射率層及比第1硬化樹脂層之折射率大，其差以0.2以上者為佳。
<光學干涉層(低折射率層)>
構成本發明之光學干涉層的低折射率層為，可使用與透明導電層-2相關的電離放射線硬化型樹脂、熱硬化‧交聯樹脂等所舉出的樹脂而形成。以強化與透明導電層-1或金屬氧化物層之密著性或調整折射率作為目的，可添加適量的單獨或2種類以上之平均一次粒徑100nm以下的金屬氧化物或金屬氟化物所成之微粒子D。作為此時所使用的微粒子D，以折射率較低的微粒子，例如以SiO2 或MgF2 等微粒子為適當。低折射率層之厚度，較佳為15～250nm，更佳30～150nm。
<硬塗佈>
將本發明之透明導電性層合體作為可動電極基板使用時，使用於觸控面板時，外力加入的面，即透明導電層為反對側高分子薄膜面上設有硬塗佈層為佳。作為形成硬塗佈層之材料，例如可舉出甲基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷等有機矽烷系熱硬化性樹脂、醚化羥甲基三聚氰胺等三聚氰胺系熱硬化性樹脂、多元醇丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、尿烷丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯等多官能丙烯酸酯系紫外線硬化性樹脂等。
又，視必要可使用於彼等中可混合SiO2 或MgF2 等微粒子等者。此時的微粒子於硬塗佈層內呈均一分散。又，硬塗佈層之厚度由可撓性、耐摩擦性之觀點來看以2～5μm為佳。
硬塗佈層可藉由塗佈法形成。作為實際之塗佈法，使用將前述化合物溶解於各種有機溶劑，調節濃度或黏度之塗佈液，於透明有機高分子薄膜上進行塗佈後，藉由放射線照射或加熱處理等使層硬化。作為塗佈方式，例如可使用微凹版塗佈法、Mayer bar塗佈法、直接凹版塗佈法、逆輥塗佈法、簾幕塗佈法、浸漬塗佈法、雙輥塗佈法、塑模塗佈法、刀塗佈法、轉動塗佈法等各種塗佈方法。
且，硬塗佈層為高分子薄膜上直接、或適切地介著錨釘層(Anchor Layer)進行層合。作為錨釘層(Anchor Layer)，例如可舉出具有可提高硬塗佈層與高分子薄膜之密著性的功能之層、或具有K值為負值之三次元折射率特性的層等各種相位補償層、具有防止水分或空氣透過之功能或具有吸收水分或空氣之功能的層、具有吸收紫外線或紅外線之功能的層或具有使薄膜之靜電性降低之功能的層等。
<觸控面板>
配置成透明導電層彼此成對向所構成之觸控面板中，至少作為透明電極基板使用本發明透明導電性層合體時，可提高耐書寫性，特別為可得到端部區域之耐書寫性(耐端壓性)經提高之透明觸控面板。
本發明之觸控面板係如圖1或圖2所示者，其中作為可動電極基板所使用的透明導電性層體(100或200)被配置成與具有間隔點(Dot Spacer)(9)之固定電極基板(4、6)成對面。其中，固定電極基板(4、6)中，於玻璃基板(6)之一面上，層合如ITO層之透明導電層-1(4)，其上配置間隔點(Dot Spacer)(9)。
[實施例]
以下舉出本發明之具體例做說明，但本發明並非受到此限定。以下實施例中之線性度測定方法、耐端壓性試驗方法、全光線透過率測定方法、環境信賴性評估方法如下所示。
<線性度測定方法>
於可動電極基板上或固定電極基板上之平行電極間外加直流電壓5V。平行電極與垂直方向以5mm間隔進行電壓之測定。測定開始位置A之電壓作為EA ，測定終了位置B之電壓作為EB ，目A之距離X中的電壓賣測值作為EX ，理論值作為ET ，線性度為L，藉由下述式而求得。
ET =(EB -EA )×X/(B-A)+EA
L(%)=(|ET -EX |)/(EB -EA )×100
<耐端壓性試驗方法>
由所製作之透明觸控面板的可動電極基板周圍之絕緣層至2.0mm及1.5mm的位置與絕緣層平行的先端使用0.8R的聚甲醛製筆，以450g荷重進行直線10萬次往復的耐書寫性試驗，測定線性度變化量。耐端壓性試驗前後的線性度變化量為1.5%以上者為NG。
<耐書寫性(中央部)試驗方法>
將製作之透明觸控面板的中央都使用先端為0.8R的聚甲醛製筆，以450g荷重進行直線10萬次往復的耐書寫性試驗，測定線性度變化量。耐書寫性(中央部)試驗前後之線性度變化量為1.5%以上者為NG。
<全光線透過率之測定>
全光線透過率使用日本電色工業公司製A300進行測定。
<環境信賴性評估(高溫高濕信賴性)>
透明導電性層合體的透明導電層面之表面電阻值R1於室溫進行測定。其次將透明導電性層合體於60℃ 90%相對濕度(Relative Humidity(RH))之環境下放置240hr後，於室內取出並於室溫下測定透明導電層面的表面電阻值R2。由所得之R2、R1之值計算出表面電阻值變化率(R2/R1)。表面雷阻值變化率僅為0.8至1.2的範圍即可，高溫高濕信賴性為良好。
<環境信賴性評估(高溫信賴性)>
透明導電性層合體之透明導電層面的表面電阻值R1於室溫下進行測定。其次將透明導電性層合體於80℃ Dry(絕乾)之環境下放置240hr後，於室內取出，於室溫下測定透明導電層面的表面電阻值R2。由所得之R2、R1的值計算表面電阻值變化率(R2/R1)。表面電阻值變化率僅為0,8至1.2之範圍即可，高溫信賴性為良好。
<微粒子之平均一次粒徑>
微粒子之平均一次粒徑使用雷射繞射散亂式粒度分佈測定裝置進行測定。
<SP(溶解度參數)>
依據“Properties of Polymers”(Elsevier,Amsterdam(1976))所記載之Van Klevin的方法算出。
<Ra(算術平均粗度)>
使用Sloan公司製之觸針段差計DERTAR3進行測定。測定依據JIS B0601-1994年版進行。
<Rz(十點平均粗度)>
使用小板研究所股份有限公司製的Surfcorder SE-3400進行測定。測定依據JIS B0601-1982年版進行。
<實施例I-1～I-6、及比較例I-1～I-20>
以下實施例I-1～I-6、及比較例I-1～I-20中，對於透明導電層-2為含有電離放射線硬化型樹脂與導電性金屬氧化物或金屬之微粒子A的本發明之形態做檢討。
[實施例I-1]
(硬塗佈層之形成)
於厚度188μm之聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(Teijindupontfilms股份有限公司製「OFW」)的片面上，使用紫外線硬化型多官能丙烯酸酯樹脂塗料，形成膜厚4μm之硬塗佈層。
(硬化樹脂層之形成)
將4官能丙烯酸酯「阿羅尼克斯」M400(東亞合成股份有限公司製)100重量份、「Irgacure」184(CIBA Specialty Chemicals公司製)5重量份、氧化矽微粒子(宇部日東化成股份有限公司製「Hipresica」3.0μm品(GradeN3N))0.7重量份溶解於異丙醇與1-甲氧基-2-丙醇的1：1混合溶劑，其後將平均一次粒徑30nm之MgF2 超微粒子(斯安化成股份有限公司製(20重量%乙基醇‧n-丁基醇混合溶劑分散液))對於硬化樹脂成分100重量份混合至固體成分為5重量份，製作成塗佈液I-A。
形成硬塗佈層之反面上，將塗佈液I-A藉由棒塗佈法塗佈至膜厚2.0μm，於50℃進行1分鐘乾燥後，照射紫外線形成具有凹凸之硬化樹脂層。
(透明導電層-1之形成)
以氧化銦與氧化錫為重量比95：5之組成藉由使用填充密度98%之氧化銦-氧化錫標的的濺鍍法，於硬化樹脂層上形成作為透明導電層-1之ITO層。所形成之透明導電層-1的膜厚約20nm，製膜後之表面電阻值約350Ω/□(Ω/sq)。
(透明導電層-2之形成)
將作為電離放射線硬化型樹脂之季戊四醇三丙烯酸酯100重量份、光聚合啟始劑「Irgacure」184(CIBA Specialty Chemicals公司製)7重量份、及平均一次粒徑20nm之結晶質ITO奈米粒子(斯安化成股份有限公司製)分散於甲苯的15%分散液(CI化成股份有限公司製)50重量份(固體成分換算)，溶解於重量比為1：1的異丙基醇與異丁基醇之混合溶劑中至固體成分為5%重量%，製作出塗佈液I-B。
其次，將所製作之塗佈液I-B以棒塗佈法於透明導電層-1之表面塗佈至膜厚約200nm，於50℃進行1分鐘乾燥後，照射紫外線，形成透明導電層-2，製造出作為可動電極基板使用的透明導電性層合體。層合透明導電層-1與透明導電層-2後之表面電阻值約270Ω/□(Ω/sq)。
(可動電極基板)
於製作之可動電極基板進行150℃下90分鐘的熱處理，使透明導電層-1(ITO層)結晶化。ITO層經晶化後的表面電阻值約210Ω/□(Ω/sq)。作為可動電極基板所使用的透明導電性層合體之環境信賴性特性如表I-1所示。且，藉由TEM所觀察之ITO層的結晶粒徑皆為50nm～200nm之範圍。
實施例I-1的可動電極基板係如圖1中號碼100所示者，其中於聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜之高分子薄膜(2)的一面上、於高分子薄膜(2)之另一面上層合具有凹凸之硬化樹脂層(3)、ITO層之透明導電層-1(4)、及含有ITO奈米粒子之透明導電層-2(5)，又，於高分子薄膜(2)之另一面上，層合紫外線硬化型多官能丙烯酸酯樹脂之硬塗佈層(1)。
(固定電極基板之製作)
於厚度1.1mm之玻璃板兩面上進行SiO2 浸漬塗佈後，藉由濺鍍法，以同樣方法形成厚度18nm之ITO層。其次於ITO層上形成高度7μm、直徑70μm、及間距1.5mm之間隔點(Dot Spacer)，而製造出固定電極基板。
實施例I-1之固定電極基板係如圖1所示者，其中於玻璃基板(6)之一面上，層合ITO層之透明導電層-1(4)，其上配置間隔點(Dot Spacer)(9)。
(透明觸控面板之製作)
使用製作之固定電極基板與可動電極基板，製作出圖1之透明觸控面板。進行製作之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。試驗前後之線性度如表I-1所示。
[實施例I-2]
(金屬氧化物層之形成)
藉由使用Si標的之濺鍍法，將作為金屬氧化物層之膜厚約2.0nm的SiOx 層，除於硬化樹脂層上形成以外，與實施例I-1同樣下，製造出作為可動電極基板所使用的透明導電性層合體。該透明導電性層合體之環境信賴性特性如表I-1所示。且，由TEM所觀察之SiOx 層的結晶粒徑皆為50nm～200nm之範圍。
與實施例I-1同樣下，製造出固定電極基板。使用製作之固定電極基板與可動電極基板製作出圖2之透明觸控面板。進行製作之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。試驗前後之線性度如表I-1所示。
[實施例I-3]
(硬塗佈層之形成)
與實施例I-1同樣下，於厚度188μm之聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(Teijindupontfilms股份有限公司製「OFW」)的片面上形成膜厚4μm之硬塗佈層。
(硬化樹脂層之形成)
將4官能丙烯酸酯「阿羅尼克期」M400(東亞合成股份有限公司製)100重量份、「Irgacure」184(CIBA Specialty Chemicals公司製)5重量份溶解於異丙醇與1-甲氨基-2-丙醇為1：1之混合溶劑，製作出塗佈液I-C。
於形成硬塗佈層之反面上，將塗佈液I-C藉由棒塗佈法塗佈至膜厚為3.5μm，於50℃進行1分鐘乾燥後，照射紫外線後形成硬化樹脂層。
(金屬氧化物層之形成)
藉由使用Si標的之濺鍍法，使作為金屬氧化物層之膜厚約2.0nm的SiOx 層形成於硬化樹脂層上。
(透明導電層-1之形成)
於作為金屬氧化物層的SiOx 層上，以氧化銦與氧化錫之重量比97：3的組成下使用填充密度98%之氧化銦-氧化錫標的，藉由濺鍍法形成ITO層。所形成之ITO層的膜厚約20nm，製膜後之表面電阻值約550Ω/□(Ω/sq)。
(透明導電層-2之形成)
於實施例I-1所使用的塗佈液I-B中，對於電離放射硬化型樹脂成分100重量份，進一步混合平均1次粒徑為0.2μm之氧化矽微粒子1.0重量份，製作出塗佈液I-D。
取代塗佈液I-B使用塗佈液I-D以外，與實施例I-1同樣下，形成透明導電層-2，製作出作為可動電極基板所使用的透明導電性層合體。
(可動電極基板)
於製作之可動電極基板進行150℃下60分鐘的熱處理，使透明導電層-1(ITO層)進行結晶化。ITO層經結晶化後的表面電阻值約370Ω/□(Ω/sq)。作為可動電極基板所使用的透明導電性層合體之環境信賴性特性如表I-1所示。且，由TEM觀察之ITO層的結晶粒徑為50nm～200nm之範圍。
(固定電極基板之製作)
與實施例I-1同樣地製作出固定電極基板。
(透明觸控面板之製作)
使用製作之固定電極基板與可動電極基板製作出圖2之透明觸控面板。進行製作之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。試驗前後之線性度如表I-1所示。
[實施例I-4～I-6]
作為硬化樹脂層，未含有使表面粗面化的微粒子，且使用二種成分經相分離後形成表面凹凸的硬化樹脂層以外，與實施例I-1～I-3同樣下，做成可動電極基板及透明觸控面板。進行作成之透明觸控面板的耐書寫性與耐端壓性試驗。試驗前後之線性度如表I-2所示。
且，未含有彼等實施例所使用的硬化樹脂層，即未含使表面粗面化的微粒子，且二種成分經相分離形成表面之凹凸的硬化樹脂層如下述製造。
於厚度188μm之聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜(Teijindupontfilms(股)製OFW)的兩面使用下述塗佈液X，藉由棒塗佈法進行塗佈，於70℃進行1分鐘乾燥後，照射紫外線使其硬化後，形成厚度3.5μm之硬化樹脂層。該硬化樹脂層為，該表面具有二種成分經相分離所形成之凹凸，且未含有賦予凹凸之微粒子。又，該硬化樹脂層之表面粗度為Ra=0.125μm、及Rz=0.7μm。
塗佈液X為，將作為第1成分之含有不飽和雙鍵之丙烯酸共聚物(Sp值：10.0、Tg：92℃)4重量份、作為第2成分之季戊四醇三丙烯酸酯(Sp值：12.7)100重量份、光聚合啟始劑Irgacure184(CIBA Specialty Chemicals公司製)7重量份溶解於異丁基醇溶劑至固體成分為40重量%而製作。
且，含有不飽和雙鍵之丙烯酸共聚物(Sp值：10.0、Tg：92℃)如下述進行調整。
提供異莰基甲基丙烯酸酯171.6g、甲基甲基丙烯酸酯2.6g、及甲基丙烯酸9.2g所成之混合物。將該混合液於具備攪拌翼、氮導入管、冷卻管及滴下漏斗之1000ml反應容器中，於氮氣環境下與含有第三丁基過氧-2-乙基己酸酯1.8g之丙二醇單甲基醚80.0g溶液同時，以3小時的時間等速地滴入於加溫至110℃的丙二醇單甲基醚330.0g，其後以110℃進行30分鐘反應。
其後，滴入含有第三丁基過氧-2-乙基己酸酯0.2g之丙二醇單甲基醚17.0g的溶液，加入含有四丁基銨溴化物1.4g與氫醌0.1g之5.0g的丙二醇單甲基醚溶液，一邊吹入空氣，一邊將4-羥基丁基丙烯酸酯環氧丙基醚22.4g與丙二醇單甲基醚5.0g之溶液經2小時滴下，其後進行5小時的反應。
得到數平均分子量5,500、重量平均分子量18,000之含有不飽和雙鍵之丙烯酸共聚物。該樹脂為Sp值：10.0、Tg：92℃、表面張力：31dyn/cm。
[比較例I-1]
(可動電極基板)
未層合透明導電層-2以外與實施例I-1同樣地，製作出作為可動電極基板所使用的可動電極基板。該透明導電性層合體之環境信賴性特性如表I-2所示。且，由TEM觀察到的結晶粒徑為50nm～200nm之範圍。
(固定電極基板)
與實施例I-1同樣下製作出固定電極基板。
(透明觸控面板之製作)
使用製作之固定電極基板與可動電極基板，製作出圖3之透明觸控面板。進行製作之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。試驗前後之線性度如表I-2所示。
[比較例I-2]
(硬塗佈層之形成)
與實施例I-2同樣下，於厚度188μm之聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(Teijindupontfilms股份有限公司製「OFW」)的片面上形成膜厚4μm之硬塗佈層。
(硬化樹脂層之形成)
於形成硬塗佈層之反面上，使用實施例I-1所使用之塗佈液I-A形成具有凹凸之硬化樹脂層。
(透明導電層之形成)
於所形成之硬化樹脂層上，作為透明導電層使用聚噻吩系導電性聚合物，使透明導電層形成後之表面電阻值約500Ω/□(Ω/sq)，形成透明導電層，製作出作為可動電極基板所使用的透明導電性層合體。形成之透明導電膜的膜厚約150nm。
作為可動電極基板所使用的透明導電性層合體之環境信賴性特性如表I-2所示。
(固定電極基板)
與實施例I-1同樣地製作出固定電極基板。使用製作之固定電極基板與可動電極基板製作出圖4之透明觸控面板。進行製作之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。試驗前後之線性度如表I-2所示。
[比較例I-3]
(可動電極基板)
作為透明導電層-2層合聚噻吩系導電性聚合物以外，與實施例I-1同樣下製作出作為可動電極基板所使用的透明導電性層合體。層合透明導電層-1與透明導電層-2後的表面電阻值約310Ω/□(Ω/sq)。對於製作之透明導電性層合體進行150℃下90分鐘的熱處理，使透明導電層-1(ITO層)結晶化。ITO層經結晶化後的表面電阻值約240Ω/□(Ω/sq)。
作為可動電極基板所使用的透明導電性層合體之環境信賴性特性如表I-2所示。且由TEM所觀察之結晶粒徑為50nm～200nm之範圍。
(固定電極基板)
與實施例I-1同樣下製作出固定電極基板。
(透明觸控面板)
使用製作之固定電極基板與可動電極基板製作出圖1之透明觸控面板。進行製作之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。試驗前後之線性度如表I-3所示。
[比較例I-4～I-6]
(可動電極基板)
比較例I-4～I-6中，作為各透明導電層-1使用非晶質透明導電膜IZO(銦‧鋅氧化物)以外，與實施例I-1～I-3同樣地，製作出作為可動電極基板所使用的透明導電性層合體。形成IZO層後之表面電阻值約230Ω/□(Ω/sq)，膜厚約20nm。層合透明導電層-2後之表面電阻值約170Ω/□(Ω/sq)。將製作之透明導電性層合體的環境信賴性特性如表I-4所示。且由TEM觀察時未確認到結晶。
(固定電極基板)
與實施例I-1同樣下製作出固定電極基板。
(透明觸控面板)
使用製作之固定電極基板與可動電極基板製作出圖1～2之透明觸控面板。進行製作之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。試驗前後之線性度如表I-4所示。
[比較例I-7～I-9]
(可動電極基板)
比較例I-7～I-9中，未層合各硬化樹脂層以外，與實施例I-1～I-3同樣下，製作出作為可動電極基板所使用的透明導電性層合體。製作之任一透明導電性層合體皆進行欲使ITO膜結晶化的熱處理後，由PET基材之寡聚物成分析出會使ITO膜白化，故無法作為透明導電性層合體使用。因此，對於比較例I-7～I-9進行以上評估。
[比較例I-10]
(可動電極基板)
將透明導電層-2之膜厚變更為2.0μm以外，與實施例I-1同樣下，製作出作為可動電極基板所使用的透明導電性層合體。製作之透明導電性層合體的環境信賴性特性如表I-4所示。
(固定電極基板)
與實施例I-1同樣下製作出固定電極基板。
(透明觸控面板)
使用製作之固定電極基板與可動電極基板，製作出圖1之透明觸控面板。進行製作之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。試驗前後之線性度如表I-5所示。
[比較例I-11～I-13]
比較例I-11～I-13之透明觸控面板為，作為硬化樹脂層為實施例1-4～I-6所使用的相同硬化樹脂層，即未含有使表面粗面化的微粒子，且使用二種成分經相分離形成表面的凹凸之硬化樹脂層以外，與比較例I-1～I-3之透明觸控面板相同。進行比較例I-11～I-13之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。試驗前後的線性度如表I-6所示。
[比較例I-14～I-20]
比較例I-14～I-20之透明觸控面板為，作為硬化樹脂層為實施例I-4～I-6所使用的相同硬化樹脂層，即未含使表面粗面化的微粒子，且使用二種成分經相分離形成表面的凹凸之硬化樹脂層以外，與比較例I-4～I-10之透明觸控面板相同。
進行比較例I-14～I-20之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。將試驗前後的線性度如表I-7及I-8所示。且，比較例I-17～I-19中，欲製作之任一透明導電性層合體皆進行欲使ITO膜結晶化的熱處理後，由PET基材之寡聚物成分析出會使ITO膜白化，故無法作為透明導電性層合體使用。因此，對於比較例I-17～I-19無法進行以上的評估。
[評估]
由上述結果得知，作為可動電極基板使用的本發明之透明導電性層合體於耐端壓性、透明性、環境信賴性上皆為良好。另一方面，比較例I-1之透明導電性層合體為耐端壓性不良，比較例I-2之透明導電性層合體為無法確認上下導通，無法作為透明觸控面板作用，又比較例I-3之透明導電性層合體為透明性不良。
<實施例II-1～II-3、及比較例II-1～II-10>
以下實施例II-1～II-3、及比較例II-1～II-10中，對於透明導電層-2為含有熱塑性樹脂與導電性金屬氧化物或金屬微粒子A之本發明的形態進行檢討。
[實施例II-1～II-3]
實施例II-1及II-2中，使用於作為可動電極基板使用之導電性層合體的透明導電層-2之形成中，取代塗佈液I-B，使用如下述所製作之塗佈液II-B以外，其他皆與各實施例I-1及I-2同樣下製作出透明觸控面板。
又，實施例II-3中，使用於作為可動電極基板所使用之導電性層合體的透明導電層-2之形成中，取代將對於樹脂100重量份為1.0重量份的0.2μm之氧化矽微粒子添加於塗佈液I-B，將對於樹脂100重量份為1.0重量份之1.0μm的氧化矽微粒子添加於如下述所製作之塗佈液II-B中以外，與實施例I-3同樣下製作出透明觸控面板。
其中，塗佈液II-B為，將分子量50,000之聚酯樹脂(荒川化學工業股份有限公司製)100重量份、及平均一次粒徑20nm的結晶質ITO奈米粒子分散於甲苯的15%分散液(斯安化成股份有限公司製)50重量份(固體成分換算)混合於甲苯與甲基異山梨酮之混合比為1：1的混合液中而製得。
進行製作之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。試驗前後的線性度(linearity)如表II-1所示。
[比較例II-1～II-3]
比較例II-1～II-3的透明觸控面板與比較例I-1～I-3之透明觸控面板相同。進行比較例II-1～II-3的透明觸控面板之耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。作為參考，試驗前後的線性度如表II-2所示。
[比較例II-4～II-10]
比較例II-4～II-10中，與各比較例I-4～I-10對於實施例I-1～I-3之透明觸控面板所進行之相同變更，進行對實施例II-1～II-3之透明觸控面板的變更而製造出透明觸控面板。
進行製作之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。試驗前後之線性度如表II-3及II-4所示。且，比較例II-7～II-9中，於製作之任一透明導電性層合體，於使ITO膜結晶化的熱處理後，因由PET基材析出寡聚物成分，而使ITO膜白化，無法作為透明導電性層合體使用。因此，無法對於比較例II-7～II-9進行以上之評估。
[評估]
由上述結果得知，作為可動電極基板使用的本發明之透明導電性層合體於耐端壓性、透明性、環境信賴性上皆良好。另一方面，比較例II-1之透明導電性層合體為耐端壓性不良，比較例II-2之透明導電性層合體為，無法確保上下導通，無法作為透明觸控面板作用，且比較例II-3之透明導電性層合體為透明性不良。
<實施例III-1～III-3、及比較例III-1～III-10>
以下的實施例III-1～III-3、及比較例III-1～III-10中，對於透明導電層-2為含有熱塑性樹脂與導電性金屬氧化物或金屬微粒子A的本發明形態做檢討。
[實施例III-1及III-2]
實施例III-1及III-2中，使用於作為可動電極基板所使用之導電性層合體的透明導電層-2之形成中，取代塗佈液I-B，使用如下述所製作之塗佈液III-B、及該塗佈液I-B之燒成時間由2分鐘變更為5分鐘以外，與各實施例I-1及I-2同樣下，製作出透明觸控面板。
其中，塗佈液III-B為將四丁氧基鈦酸(日本曹達(股)製「B-4」)以石油醚(和光純藥工業(股)製(特級品))與丁醇(和光純藥工業(股)製(特級品))之混合溶劑進行稀釋，於該稀釋溶液混合將平均一次粒徑30nm之ZnO奈米粒子分散於異丙基醇之15%分散液(斯安化成(股)製)50重量份(固體成分換算)而得到。
進行製作之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。試驗前後的線性度如表III-1所示。
[比較例III-1～III-3]
比較例III-1～III-3的透明觸控面板為與比較例I-1～I-3之透明觸控面板相同。進行比較例III-1～III-3之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。參考上，試驗前後之線性度如表III-2所示。
[比較例III-4~III-8]
比較例III-4~III-8中，與各比較例I-4、I-5、I-7及I-8於實施例I-1及I-2的透明觸控面板進行之變更同樣下，於實施例III-1及III-2之透明觸控面板進行變更，製作出透明觸控面板。
進行製作之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。試驗前後的線性度如表III-3及III-4所示。且，比較例III-6及III-7中，所製作之任一透明導電性層合體，於使ITO膜結晶化的熱處理後，由PET基材析出的寡聚物成分會使ITO膜白化，故無法作為透明導電性層合體使用。因此，對於比較例III-6及III-7無法進行以上評估。
[評估]
如上述結果得知，作為可動電極基板所使用的本發明之透明導電性層合體於耐端壓性、透明性、環境信賴性皆良好。另一方面，比較例III-1之透明導電性層合體為耐端壓性不良，比較例III-2之透明導電性層合體無法確保上下導通，作為透明觸控面板無法作用，又比較例III-3之透明導電性層合體為透明性不良。
<實施例IV-1～IV-3、及比較例IV-1～IV-10>
以下實施例IV-1～IV-3、及比較例IV-1～IV-10中，對於透明導電層-2為含有熱硬化‧交聯型樹脂與導電性金屬氧化物或金屬微粒子A之本發明形態做檢討。
[實施例IV-1～IV-3]
實施例IV-1及IV-2中，使用於作為可動電極基板所使用之導電性層合體的透明導電層-2之形成中，取代塗佈液I-B，使用如下述所製作之塗佈液IV-B、及將該塗佈液IV-B之燒成條件由130℃下2分鐘變更為150℃下10分鐘以外，與各實施例I-1及I-2同樣下製作出透明觸控面板。
又，實施例IV-3中，使用於作為可動電極基板所使用之導電性層合體的透明導電層-2之形成中，對於樹脂100重量份而言，將1.0重量份的0.2μm之氧化矽微粒子由塗佈液I-B取代，將對於樹脂100重量份為1.0重量份之1.0μm的氧化矽微粒子添加於如下述所製作之塗佈液IV-B、及該塗佈液IV-B之燒成條件由130℃下2分鐘變更為150℃下10分鐘以外，與實施例I-3同樣下製作出透明觸控面板。
其中，塗佈液IV-B為，將m-甲酚/p-甲酚比為6：4之漆用酚醛系酚樹脂100重量份、作為交聯劑之羥甲基三聚氰胺10重量份、及平均一次粒徑20nm之結晶質ITO奈米粒子分散於甲苯之15%分散液(斯安化成股份有限公司製)50重量份(固體成分換算)混合於甲苯與甲基異山梨酮之混合比為1：1的混合液中而得到。
進行製作之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。試驗前後的線性度如表IV-1所示。
[比較例IV-1～IV-3]
比較例IV-1～IV-3的透明觸控面板與比較例I-1～I-3之透明觸控面板為相同。進行比較例IV-1～IV-3的透明觸控面板之耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。參考上，試驗前後之線性度如表IV-2所示。
[比較例IV-4～IV-10]
比較例IV-4～IV-10中，與各比較例I-4～I-10於實施例I-1～I-3之透明觸控面板進行之變更同樣下，於實施例IV-1～IV-3之透明觸控面板進行變更，製作出透明觸控面板。
進行製作之透明觸控面板的耐書寫性試驗與耐端壓性試驗。試驗前後的線性度如表IV-3及IV-4所示。且，比較例IV-7～IV-9中，製作之任一透明導電性層合體亦於使ITO膜結晶化的熱處理後，因由PET基材所析出的寡聚物成分，使ITO膜白化，無法作為透明導電性層合體使用。因此，對於比較例IV-7～IV-9無法進行以上的評估。
[評估]
由上述結果得知，作為可動電極基板使用的本發明之透明導電性層合體於耐端壓性、透明性、環境信賴性皆為良好。另一方面，比較例IV-1之透明導電性層合體為耐端壓性不良，比較例IV-2之透明導電性層合體無法確保上下導通，作為透明觸控面板無法作用，又比較例IV-3之透明導電性層合體為透明性不良。
100、200．．．透明導電性層體
1．．．硬塗佈層
2．．．高分子薄膜
3．．．具有凹凸之硬化樹脂層
4．．．透明導電層-1
5．．．透明導電層-2
6．．．玻璃基板
7．．．金屬氧化物層
8．．．導電性聚合物層
9．．．間隔點
[圖1]將本發明的透明觸控面板之構成例子以模式形式表示的截面圖。
[圖2]將本發明的透明觸控面板之構成例子以模式形式表示的截面圖。
[圖3]將過去的透明觸控面板之構成例以模式形式表示的截面圖。
[圖4]將過去的透明觸控面板之構成例以模式形式表示的截面圖。
100．．．透明導電性層體
1．．．硬塗佈層
2．．．高分子薄膜
3．．．具有凹凸之硬化樹脂層
4．．．透明導電層-1
5．．．透明導電層-2
6．．．玻璃基板
9．．．間隔點

Claims (18)

  1. 一種透明導電性層合體，其為高分子薄膜的至少一面上，以硬化樹脂層、透明導電層-1、及透明導電層-2之順序經層合的透明導電性層合體，其特徵為該透明導電層-1為未含0.5質量%以上的有機成分之結晶質的透明導電層，且該透明導電層-2為含有電離放射線硬化型樹脂、熱塑性樹脂、烷氧基矽烷以外之金屬烷氧化物的聚合物、或熱硬化．交聯型樹脂、與至少1種類的平均1次粒徑100nm以下之導電性金屬氧化物或金屬微粒子A者，該透明導電層-2中之該微粒子A的含有量對於該電離放射線硬化型樹脂、該熱塑性樹脂、烷氧基矽烷以外的金屬烷氧化物之聚合物、或該熱硬化．交聯型樹脂100重量份，以0.1重量份以上400重量份以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之透明導電性層合體，其中微粒子A之含有量對於電離放射線硬化型樹脂、熱塑性樹脂、烷氧基矽烷以外的金屬烷氧化物之聚合物、或熱硬化．交聯型樹脂100重量份而言為0.1重量份以上400重量份以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之透明導電性層合體，其中透明導電層-1之膜厚為5nm以上50nm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項之透明導電性層合體，其中透明導電層-2之膜厚為10nm以上1500nm以下。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之透明導電性層合體，其中透明導電層-2中含有平均1次粒徑為 將該透明導電層-2之膜厚作為基準下1.2倍以上、1.2μm以下的微粒子B。
  6. 如申請專利範圍第5項之透明導電性層合體，其中微粒子B為導電性金屬氧化物或金屬微粒子。
  7. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之透明導電性層合體，其中硬化樹脂層與透明導電層-1之間更具有膜厚為0.5nm以上，未達5.0nm之金屬氧化物層。
  8. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之透明導電性層合體，其中硬化樹脂層的折射率為1.20~1.55，膜厚為0.05μm以上，0.5μm以下。
  9. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之透明導電性層合體，其中硬化樹脂層為，於該表面具有凹凸，含有1種類或2種類以上的硬化樹脂成分與平均1次粒徑超過0.1μm之微粒子C，至少1種類之微粒子C的平均1次粒徑為硬化樹脂層膜厚之1.2倍以上。
  10. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之透明導電性層合體，其中硬化樹脂層為，於該表面具有凹凸，含有硬化樹脂成分與1種類或2種類以上之平均1次粒徑100nm以下的金屬氧化物或金屬氟化物金屬之微粒子D。
  11. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之透明導電性層合體，其中硬化樹脂層為含有硬化樹脂成分、1種類或2種類以上之微粒子C及1種類或2種類以上之微粒子D，該微粒子C的平均一次粒徑超過0.1μm，且至少1種類之微粒子C的平均一次粒徑為硬化樹脂層膜厚之 1.2倍以上，而該微粒子D為平均1次粒徑100nm以下之金屬氧化物或金屬氟化物金屬的微粒子。
  12. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之透明導電性層合體，其中硬化樹脂層為，於該表面具有二種成分經相分離所形成之凹凸，且未含有賦予凹凸之微粒子，硬化樹脂層之藉由JIS B0601-1994之算術平均粗度(Ra)為0.05μm以上，未達0.5μm，藉由JIS B0601-1982之十點平均粗度(Rz)為0.5μm以上，未達2μm之範圍。
  13. 如申請專利範圍第12項之透明導電性層合體，其中形成硬化樹脂層之成分中，第1成分為聚合物，第2成分為單體。
  14. 如申請專利範圍第12項之透明導電性層合體，其中形成硬化樹脂層的第1成分與第2成分之溶解度參數值(SP值)的差為0.5以上。
  15. 如申請專利範圍第12項之透明導電性層合體，其中形成硬化樹脂層之第1成分為含有不飽和雙鍵之丙烯酸共聚物，第2成分為含有多官能性不飽和雙鍵之單體。
  16. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之透明導電性層合體，其中高分子薄膜與透明導電層-1之間具有由至少1層低折射率層與至少1層高折射率層所成之光學干涉層，低折射率層與透明導電層-1銜接。
  17. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之透明導電性層合體，其中高分子薄膜與金屬氧化物層之間具有由至少1層低折射率層與至少1層高折射率層所成之光學 干涉層，低折射率層與金屬氧化物層銜接。
  18. 一種觸控面板，其為於至少片面上設有透明導電層之2片透明電極基板，被配置成透明導電層彼此互相對向而構成之觸控面板，其特徵為作為至少一方透明電極基板使用如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之透明導電性層合體。
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