TWI470097B - 有機蒸鍍材料用蒸鍍裝置以及有機薄膜之製造方法 - Google Patents
有機蒸鍍材料用蒸鍍裝置以及有機薄膜之製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI470097B TWI470097B TW96117925A TW96117925A TWI470097B TW I470097 B TWI470097 B TW I470097B TW 96117925 A TW96117925 A TW 96117925A TW 96117925 A TW96117925 A TW 96117925A TW I470097 B TWI470097 B TW I470097B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- organic
- container
- mounting groove
- thin film
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 150
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims description 15
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims description 15
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 290
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 81
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 39
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 30
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 26
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 26
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 16
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 59
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003339 best practice Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/246—Replenishment of source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5893—Mixing of deposited material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本發明係關於有機薄膜的技術領域，特別是有關於製造出品質優異的有機薄膜之技術。
有機EL元件是近年來最受到注目的顯示元件之一，具有：高亮度、反應速度快之優異的特性。有機EL元件係在玻璃基板上配置著：以紅、綠、藍的三種不同的顏色來顯色的發光領域。發光領域係依照：陽極電極膜、電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層以及陰極電極膜的順序疊層在一起，利用添加在發光層中的顯色劑，顯現出紅色、綠色或藍色。
第8圖中的元件符號203係：習用技術的有機薄膜形成裝置，在真空槽211的內部係配置著蒸鍍容器212。蒸鍍容器212係具有容器本體221，該容器本體221的上部係利用一個蓋部222來塞住，該蓋部222上係形成了一個至複數個釋放口224，圖號215是真空排氣系統。
在蒸鍍容器212的內部，係配置著粉體的有機蒸鍍材料200。
在蒸鍍容器212的側面與底面係配置著加熱器223，將真空槽211內予以真空排氣，加熱器223發熱的話，蒸鍍容器212就會昇溫，而將蒸鍍容器212內的有機蒸鍍材料200予以加熱。
有機蒸鍍材料200被加熱至蒸發溫度以上的溫度的話，在蒸鍍容器212內將會充滿有機材料蒸氣，而從釋放口224釋放到真空槽211內。
在釋放口224的上方係配置著基板搬運裝置214，在夾持具210上夾持著基板205，並且讓基板搬運裝置214作動的話，基板205將會通過釋放口224的正上方位置，從釋放口224釋放出來的有機材料蒸氣將會抵達基板205表面，而形成電洞注入層、電洞輸送層等等的有機薄膜。
正在釋放有機材料蒸氣的狀態下，讓基板205一片一片地通過釋放口224正上方的位置的話，即可在複數片的基板205上，逐一地形成有機薄膜。
上述的這種蒸鍍容器係記載於下列的專利文獻1當中。
〔專利文獻1〕日本特開2003-293120號公報
然而，想要以上述的方式，在複數片的基板205形成薄膜，必須在蒸鍍容器212內配置大量的有機蒸鍍材料200，在開始加熱而且已經在複數的基板205上形成薄膜之後的狀態下，殘存在蒸鍍容器212內的有機蒸鍍材料200因為長時間曝露在高溫下，所以將會與蒸鍍容器中的水分產生反應而變質，或者因加熱而產生分解現象，與加熱初期的狀態相較之下，有機蒸鍍材料200會劣質化。
第7圖係顯示劣質化狀態的圖表，横軸係表示時間、縦軸係表示從釋放口224釋放出來的有機材料蒸氣的分子量(剛加熱之後的分子量被視為100%)。
又，將混合了：用以形成發光層的母材之有機化合物、與顯色劑的有機化合物之有機蒸鍍材料配置在蒸鍍容器212的內部來進行形成薄膜過程的話，蒸發溫度較低的有機化合物的這一方，比較容易釋放出蒸氣，因此，在對於複數的基板205形成薄膜之後，兩種有機化合物的含有比例將會與加熱初期狀態時的含有比例有所不同，而會產生所謂：加熱初期與對於複數的基板205形成薄膜之後，從釋放口224釋放出來的有機材料蒸氣中的母材與顯色劑的含有比例大不相同之問題。
因此，習用技術的蒸鍍裝置，母材的蒸發容器與顯色劑的蒸發容器必須在同一個真空槽內，分別地配置。
為了解決上述課題，本發明的蒸鍍裝置，係具有：真空槽、配置在前述真空槽的內部，具有複數個釋放口之蒸鍍容器、被配置蒸鍍材料之供給裝置、連接前述蒸鍍容器與前述供給裝置之搭載槽、製作成可在前述搭載槽內與前述真空槽內之間移動，當位於前述搭載槽內時，係從前述供給裝置被供給前述蒸鍍材料，將前述蒸鍍材料搬運到前述蒸鍍容器的內部之搬運裝置、用以加熱前述蒸鍍容器，令位於前述蒸鍍容器內的前述蒸鍍材料產生材料蒸氣，從
前述釋放口釋放到前述真空槽內之加熱裝置。
又，本發明的蒸鍍裝置之中，前述供給裝置係具有：用以貯存前述蒸鍍材料之貯存槽、用以連接前述貯存槽的內部與前述搭載槽的內部，令前述貯存槽內部的前述蒸鍍材料移動到前述搭載槽內部之連接用裝置。
又，本發明的蒸鍍裝置之中，前述貯存槽係配置在前述搭載槽上，並且是配置成：一旦前述貯存槽的內部與前述搭載槽的內部相連接的話，前述貯存槽內部的前述蒸鍍材料就會落下到前述搭載槽內部的前述搬運裝置上。
又，本發明的蒸鍍裝置之中，係具有：可從前述蒸鍍容器的內部氛圍隔離出前述搭載槽的內部氛圍之隔離板。
又，本發明的蒸鍍裝置之中，係在前述真空槽內，配置了：用來夾持成膜對象物，使其通過面對前述釋放口的位置之搬運機構。
又，本發明的有機薄膜之製造方法，係在被配置於真空槽內的蒸鍍容器內配置有機蒸鍍材料，將前述蒸鍍容器予以加熱，令其從前述蒸鍍容器的複數個釋放口釋放出前述有機蒸鍍材料的有機材料蒸氣，而在與前述釋放口相面對的前述成膜對象物上形成有機薄膜的有機薄膜之製造方法，
係在前述蒸鍍容器內配置前述有機蒸鍍材料，在開始釋放前述有機材料蒸氣，開始在前述成膜對象物上形成有機薄膜之後，在將前述蒸鍍容器配置於前述真空槽內的狀態下，對於前述蒸鍍容器內供給前述有機蒸鍍材料。
又，本發明的有機薄膜之製造方法，係就每一個前述成膜對象物，分別將前述有機蒸鍍材料供給到前述蒸鍍容器。
又，本發明的有機薄膜之製造方法，供給到前述蒸鍍容器的前述有機蒸鍍材料係預先保管在：較之前述有機蒸鍍材料的蒸發溫度更低溫的真空氛圍中。
又，本發明的有機薄膜之製造方法，前述有機蒸鍍材料係以粉體的狀態進行供給。
又，本發明的有機薄膜之製造方法，被供給到前述蒸鍍容器的前述有機蒸鍍材料的粉體係混合了不同種類的有機化合物。
又，本發明的有機薄膜之製造方法，前述有機蒸鍍材料係將粉體凝固後的錠劑。
又，本發明的有機薄膜之製造方法，在被製作成前述錠劑的前述有機蒸鍍材料的粉體中係混合了不同種類的有機化合物。
本發明的蒸鍍裝置，係具有：真空槽、配置在前述真空槽的內部，具有在與成膜對象物相面對的面所設的複數個釋放口的蒸鍍容器、用以貯存蒸鍍材料的貯存槽、連接於前述蒸鍍容器與前述貯存槽之搭載槽、使預定量的前述蒸鍍材料從前述貯存槽移動到前述搭載槽的連接用裝置、將前述蒸鍍材料從前述搭載槽搬運到前述蒸鍍容器的內部的搬運裝置、以及加熱前述蒸鍍容器，將前述材料蒸氣從前述蒸鍍容器的前述釋放口釋
放到前述真空槽內之加熱裝置。
又，本發明的有機薄膜之製造方法，係對於被配置於真空槽的內部且具有與成膜對象物相對向的複數個釋放口的蒸鍍容器內部，供給有機蒸鍍材料，加熱前述蒸鍍容器，令其從前述蒸鍍容器的複數個釋放口釋放出前述有機蒸鍍材料的有機材料蒸氣，而在與前述釋放口相面對的前述成膜對象物上形成有機薄膜的有機薄膜之製造方法，係在前述蒸鍍容器內配置前述有機蒸鍍材料，開始釋放前述有機材料蒸氣，在對於一枚或所決定的複數枚的成膜對象物完成有機薄膜形成之後，在下次成膜對象物的開始成膜處理之前，在將前述蒸鍍容器配置於前述真空槽內的狀態下，對於前述蒸鍍容器內供給前述有機蒸鍍材料。
因為有機蒸鍍材料不會長時間暴露在高溫中，因此，有機蒸鍍材料不會分解或變質。
此外，只要在蒸鍍容器內，就每一個基板分別供給有機蒸鍍材料的話，有機蒸鍍材料中即使混合了不同的有機化合物的情況下，對於各個基板之不同的有機化合物的混合比例依然不會改變。
茲佐以圖面來說明本發明。
第1圖的立體圖、第2圖的概略剖面圖中的元件符號1係本發明的實施例，係表示：有機薄膜形成用的第一例的蒸鍍裝置。
這個蒸鍍裝置1係具有：真空槽11、蒸鍍容器12、一台至複數台的供給裝置13a、13b(第1圖中省略了真空槽11)。
蒸鍍容器12係被配置在真空槽11的內部。
蒸鍍容器12係具有：細長的容器本體21、細長的板狀蓋部22。容器本體21係受到蓋部22所覆蓋。
蒸鍍容器12係連接著一台至複數台的搭載槽32a、32b。此處的搭載槽32a、32b係兩台，搭載槽32a、32b係分別配製在容器本體21的長軸方向的兩端部。
在容器本體21的側壁的一部分上(此處是在長軸方向的兩端的側壁上)與在搭載槽32a、32b的一部分上，係形成有開口，容器本體21的開口與搭載槽32a、32b的開口係互相連通，容器本體21的內部與搭載槽32a、32b的內部係互相連接在一起。
供給裝置13a、13b係具有：搭載槽32a、32b；貯存槽34a、34b；連接用裝置39a、39b。
貯存槽34a、34b的內部與搭載槽32a、32b的內部係可經由連接用裝置39a、39b而連接在一起。
貯存槽34a、34b係配置在搭載槽32a、32b的上方。
連接用裝置39a、39b處於關閉狀態的話，就將貯存槽34a、34b的底部閉塞住，將貯存槽34a、34b的內部與
搭載槽32a、32b的內部隔開，連接用裝置39a、39b處於開放狀態的話，就將貯存槽34a、34b的內部與搭載槽32a、32b的內部連接在一起。連接用裝置39a、39b處於關閉狀態的時候，貯存槽34a、34b的底部就被閉塞住，貯存槽34a、34b的內部就可以貯存粉體、液體等的具有流動性的有機蒸鍍材料40a、40b。此處的有機蒸鍍材料40a、40b係粉體。
連接用裝置39a、39b的開閉、以及通過連接用裝置39a、39b的有機蒸鍍材料40a、40b的份量係受到電腦等的控制裝置所控制，連接用裝置39a、39b處於開放狀態的話，有機蒸鍍材料40a、40b就利用其本身的重量而落下，有機蒸鍍材料40a、40b將會通過連接用裝置39a、39b而從貯存槽34a、34b移動到搭載槽32a、32b的內部。
此時，有機蒸鍍材料40a、40b係只有被控制裝置所設定的份量通過連接用裝置39a、39b。移動後，連接用裝置39a、39b又處於關閉狀態。所供給的有機蒸鍍材料40a、40b係可依一定的重量來供給，也可以依一定的體積來供給。
在各搭載槽32a、32b的內部係分別配置著搬運裝置(舟皿)30a、30b。在各搬運裝置30a、30b的上部，分別形成收容部31a、31b。收容部31a、31b在此處，雖然是形成在搬運裝置30a、30b上的凹部，但是也可以採用：在搬運裝置30a、30b的上部設置承盤，利用承盤來構
成收容部31a、31b。
收容部31a、31b係朝向鉛直方向的上方，且位於搭載槽32a、32b與貯存槽34a、34b的連接部分的下方。落下到搭載槽32a、32b內的有機蒸鍍材料係落下到收容部31a、31b上，而被配置在收容部31a、31b上。
搬運裝置30a、30b係連接著移動機構37a、37b，移動機構37a、37b若將連桿伸長的話，搬運裝置30a、30b就從搭載槽32a、32b內被移動到蒸鍍容器12的內部，移動機構37a、37b若將連桿連桿縮短的話，搬運裝置30a、30b就從蒸鍍容器12的內部被移動到搭載槽32a、32b內。
在蒸鍍容器12的內部，係與蓋22呈平行地，配置著：平板狀的充滿板26。
被移動到蒸鍍容器12內的搬運裝置30a、30b係位於充滿板26與容器本體21的底面之間。
在容器本體21的底面外側與側面外側，配置了加熱裝置23。加熱裝置23上設置了藉由通電即可發熱之電阻發熱體，一旦，加熱裝置23發熱的話，容器本體21、充滿板26、蓋22就被加熱而昇溫。容器本體21、充滿板26、蓋22係由：碳石墨、金屬製的高熱傳導性的物質所構成的。
加熱裝置23，不僅是電阻發熱體而已，亦可廣泛地包含利用電磁感應來加熱蒸鍍容器12的裝置、利用紅外線輻射來加熱蒸鍍容器12的裝置、利用昇溫後的熱媒體
的熱傳導來加熱蒸鍍容器12的裝置、利用帕耳帖(電熱)效應來加熱的裝置等之可對於蒸鍍容器12進行加熱的裝置。
如後所述，係將包含：蒸鍍容器12、搭載槽32a、32b的內部在內的真空槽11的內部，預先抽成真空氛圍，位在蒸鍍容器12內的搬運裝置30a、30b將會承受到由容器本體21所釋放出來的輻射熱以及受到充滿板26所反射的該輻射熱而被加熱，使得配置在收容部31a、31b上的有機蒸鍍材料的溫度上昇。
有機蒸鍍材料昇溫到達可釋放蒸氣溫度以上的溫度的話，就會從有機蒸鍍材料釋放出有機材料蒸氣。
在蓋部22與充滿板26上，分別形成有一個或複數個釋放口24、27，釋放出來的有機材料蒸氣係將蒸鍍容器12的內部的充滿板26與容器本體21的底面之間的空間予以充滿，並且流出到充滿板26與蓋部22之間的空間，一面將該空間予以充滿，一面通過釋放口24釋放到真空槽11的內部。有機材料蒸氣並不會從蒸鍍容器12的釋放口24以外的部分漏洩出去。
蓋部22的釋放口24與充滿板26的釋放口27，係可調節兩者的相對位置，使得有機材料蒸氣大致保持一定的濃度，充滿於由充滿板26與蓋部22所包圍的部分的空間內，以使得無論從蓋部22的哪一個釋放口24都可以釋放出同等程度的釋放量之有機材料蒸氣。
在真空槽11的內部，係配置著：基板搬運機構14。
在基板搬運機構14係安裝有：夾持具10。在夾持具10上夾持著成膜對象物的基板，使該夾持具10往真空槽11內移動的話，基板將會通過面對於蓋部22的釋放口24的位置。
釋放口24、27係沿著蓋部22、充滿板26的長軸方向配置，基板係朝與蓋部22的長軸方向垂直相交的方向移動。基板的寬度係較之配置有釋放口27的領域的長度更短，從釋放口24釋放到真空槽11的內部的有機材料蒸氣將會均勻地到達基板表面而形成有機薄膜。
其次，說明使用本發明的第一例的蒸鍍裝置1來對於複數的成膜對象物(基板)逐一地形成有機薄膜的過程。
在真空槽11、搭載槽32a、32b、貯存槽34a、34b係分別連接著真空排氣系15，令真空排氣系15作動的話，真空槽11、搭載槽32a、32b、貯存槽34a、34b就被進行真空排氣。藉由這種真空排氣，蒸鍍容器12的內部的氣體將會通過真空槽11而被排出去。
各槽11、32a、32b、34a、34b係可利用同一個真空排氣系15來進行真空排氣，也可以各自個別地設置真空排氣系。
貯存槽34a、34b亦可製作成：經由搭載槽32a、32b的內部來進行真空排氣。
真空槽11、蒸鍍容器12、搭載槽32a、32b、貯存槽34a、34b的內部進行真空排氣，直到相同程度的真空氛圍之後，對加熱裝置23通電使其發熱，以將蒸鍍容器12予
以加熱。
搬運裝置30a、30b係預先配置在搭載槽32a、32b的內部，且製作成：即使加熱裝置23發熱時，該搬運裝置30a、30b也不昇溫。
在貯存槽34a、34b係預先配置了有機蒸鍍材料40a、40b，將連接用裝置39a、39b開放時，會使得貯存槽34a、34b內的有機蒸鍍材料40a、40b落下預先設定好的份量，而配置在搬運裝置30a、30b的收容部31a、31b上。
第3圖(a)的元件符號41a、41b係代表被配置在收容部31a、31b上的有機蒸鍍材料(第3圖、第4圖中，係省略了真空槽11、後述保管槽35a、35b的標示)。
夾持具10上係夾持著成膜對象物也就是基板5，並且使得基板5的成膜面係朝向面對著釋放口24的方向。
基板5在到達蒸鍍容器12之前，係如第3圖(b)所示般地，搬運裝置30a、30b係乘載著有機蒸鍍材料41a、41b的狀態，在蒸鍍容器12的內部移動，搬運裝置30a、30b的熱容量很小，所以搬運裝置30a、30b上的有機蒸鍍材料41a、41b接受到容器本體21等的蒸鍍容器12所放射出來的輻射熱，在短時間內就昇溫到蒸發溫度，而釋放出有機材料蒸氣。基板5到達已經釋放有機材料蒸氣的狀態的蒸鍍容器12，通過面對蓋部22的釋放口24的位置時，就在基板5的表面形成有機薄膜。
此處，係將複數的基板5，每次一片地使其通過面對蒸鍍容器12的釋放口24的位置。
有機蒸鍍材料41a、41b釋放出有機材料蒸氣的話，將會逐漸地昇華而減少。被配置在搬運裝置30a、30b上的有機蒸鍍材料41a、41b的量，係被設定成：基板5未通過之前，有機蒸鍍材料不會消失，基板5通過之後，馬上就消失的量，有機蒸鍍材料消失後，在下一個基板到達蒸鍍容器12之前，係將搬運裝置30a、30b送回到搭載槽32a、32b，以下列的方式，將有機蒸鍍材料補充到搬運裝置30a、30b上。
在搬運裝置30a、30b之靠近蒸鍍容器12這一側的端部，係配置著：密閉板33a、33b。
密閉板33a、33b的直徑係較之連接搬運裝置30a、30b的內部與搭載槽32a、32b的內部之開口部分更大，在開口部分的周圍或在密閉板33a、33b的邊緣附近，係配置了O型環。
當搬運裝置30a、30b被收容在搭載槽32a、32b的內部的狀態下，密閉板33a、33b與容器本體21之間係利用O型環而密封在一起，搭載槽32a、32b的內部係與蒸鍍容器12的內部隔開。
搭載槽32a、32b係連接著氣體供給系17，在搭載槽32a、32b內導入冷卻用氣體(氬氣之類的稀有氣體、氮氣之類的鈍氣)，利用氣體的熱傳導來對於搬運裝置30a、30b進行冷卻，使得搬運裝置30a、30b的溫度比蒸氣釋放到溫度更低。在利用密閉板33a、33b來使得搭載槽32a、32b的內部與蒸鍍容器12的內部隔開的狀態下，被導入於
搭載槽32a、32b內的冷卻用氣體並不會進入到蒸鍍容器12內。
此外，搭載槽32a、32b大致係保持在室溫，搬運裝置30a、30b的熱容量很小，所以藉由搬運裝置30a、30b本身所放射出去的輻射熱，搬運裝置30a、30b的溫度可以很容易地降低。
因此，即使是不必導入冷卻用氣體而利用自然冷卻的方式，亦可使得搬運裝置30a、30b的溫度降低到較之蒸發溫度更低。這種情況下的冷卻時間係較之使用了冷卻用氣體來進行冷卻的冷卻時間更長。
搬運裝置30a、30b被冷卻到預定的溫度的話，就停止導入冷卻用氣體，將搭載槽32a、32b內進行真空排氣，直到與蒸鍍容器12、貯存槽34a、34b的壓力相同程度之後，就將連接用裝置39a、39b開放，從貯存槽34a、34b落下預定量的有機蒸鍍材料，而其配置在搬運裝置30a、30b上。
然後，與上述過程同樣地，將搬運裝置30a、30b移動到蒸鍍容器12內，使其昇溫而釋放出有機材料蒸氣之後，讓下一個基板通過面對釋放口24的位置，而在該基板上形成有機薄膜。
貯存槽34a、34b的周圍係室溫，配置在其內部的有機蒸鍍材料40a、40b也是維持在室溫。又，貯存槽34a、34b的內部係被進行真空排氣。
因此，配置在貯存槽34a、34b內的有機蒸鍍材料40a
、40b係被保管於室溫下的真空氛圍中，不會進行氧化或分解，所以可將毫無劣質化的有機蒸鍍材料40a、40b供給到搬運裝置30a、30b。
又，有機蒸鍍材料係只有在位於蒸鍍容器12內的時候被加熱。這個時間係基板5通過的時間，被加熱的時間很短，在蒸鍍容器12內的劣質化非常少。在貯存槽34a、34b、後述的保管槽35a、35b內時，並不會劣質化。因此，不會有因分解或劣質化所形成的有機化合物的蒸氣釋放到真空槽11內的情事發生。
貯存在貯存槽34a、34b的內部的有機蒸鍍材料40a、40b中，係將：作為有機EL元件的發光層的母材之有機化合物的粉體、與作為發光層的顯色劑的有機化合物的粉體，預先依照預定的比例混合在一起，即使不將：母材的蒸鍍容器與顯色劑的蒸鍍容器分開地配置在真空槽11內，亦可在基板5表面上形成有機發光層。
母材的有機化合物的粉體與顯色劑的有機化合物的粉體係均勻地混合在一起，對於一片基板表面開始形成顯色層(有機薄膜)起訖形成結束為止的期間是很短的時間，所以釋放到真空槽11內的有機材料蒸氣中的母材的有機化合物蒸氣與顯色劑的有機化合物蒸氣的含有比例的變化很少，而且即使發生了變化，也又因為就針對於每一個基板5，在蒸鍍容器12內分別地供給和配置有機蒸鍍材料41a、41b的緣故，所以每一個基板5都可以形成相同組成分的發光層。
在上述實施例中，雖然是在：將有機蒸鍍材料41a、41b乘載於搬運裝置30a、30b上的狀態下，使其產生有機材料蒸氣的，但是，也可以是將乘載著有機蒸鍍材料41a、41b的搬運裝置30a、30b插入蒸鍍容器12內之後，如第4圖(a)所示般地，採用可使搬運裝置30a、30b旋轉等等的方法，將搬運裝置30a、30b上下反轉，以使收容部31a、31b朝向鉛直方向的下方，使得有機蒸鍍材料41a、41b從收容部31a、31b落下到蒸鍍容器12的底面上，除了利用輻射熱之外，亦可利用來自蒸鍍容器12的熱傳導，來對於有機蒸鍍材料41a、41b進行加熱。
配置在蒸鍍容器12的底面上的有機蒸鍍材料41a、41b的溫度上昇到達蒸發溫度以上的溫度的話，就會從蓋部22的釋放口24釋放出有機材料蒸氣，而在通過面對釋放口24的位置的基板的表面上形成有機薄膜。
將有機蒸鍍材料41a、41b落下之後，就將搬運裝置30a、30b送回到搭載槽32a、32b，只要在蒸氣釋放過程中，將搬運裝置30a、30b收容到搭載槽32a、32b內的話，搬運裝置30a、30b就不會昇溫，所以在收容搬運裝置30a、30b之前，或者在收容之後，將搬運裝置30a、30b的上下反轉狀態恢復到原本的狀態，使收容部31a、31b朝向鉛直方向的上方，並且將收容部31a、31b配置在可承接從貯存槽34a、34b將有機蒸鍍材料落下到搭載槽32a、32b內的位置的話，即使不進行冷卻，也可以將新的有機蒸鍍材料配置到搬運裝置30a、30b上。
根據上述蒸鍍裝置2，係如第4圖(b)所示般地，可一面利用被配置在容器本體21的底面上的有機蒸鍍材料41a、41b在基板表面上形成薄膜，一面又在搬運裝置30a、30b上配置另外一個有機蒸鍍材料42a、42b，因此可縮短先行的基板5與後行的基板5之處理時間的間隔。
此外，可以在有機蒸鍍材料41a、41b落下位置的容器本體21的底面上，配置承盤。
以上所述的蒸鍍裝置1、2，係針對所通過的每一個基板，從貯存槽34a、34b朝搭載槽32a、32b內落下預定量的有機蒸鍍材料，所以原本貯存在貯存槽34a、34b內的有機蒸鍍材料40a、40b會減少。
貯存槽34a、34b係如第1圖、第2圖所示般地，藉由移動管36a、36b來與保管槽35a、35b相連接。在保管槽35a、35b的內部係配置著有機蒸鍍材料。
在移動管36a、36b上係設有：開闔閥38a、38b。
貯存槽34a、34b內係真空氛圍，當保管槽35a、35b的內部暴露在大氣壓的時候，開闔閥38a、38b將會關閉，以使得外氣不會從保管槽35a、35b進入到貯存槽34a、34b內。
貯存槽34a、34b內的有機蒸鍍材料40a、40b減少的話，就對於保管槽35a、35b內進行真空排氣，使得保管槽35a、35b內的壓力降低到與貯存槽34a、34b內的壓力同等程度之後，又開放開闔閥38a、38b，以使得保管槽35a、35b內的有機蒸鍍材料經由移動管36a、36b移動到
貯存槽34a、34b。
貯存槽34a、34b內的有機蒸鍍材料増加到達預定量之後，就將開闔閥38a、38b關閉，將貯存槽34a、34b的內部與保管槽35a、35b隔開。在這種狀態下，保管槽35a、35b的內部係暴露在大氣的狀態下，可將有機蒸鍍材料搬入該保管槽35a、35b內。
此外，貯存槽34a、34b係設置有攪拌裝置51a、51b。為了不要在貯存槽34a、34b內的有機蒸鍍材料40a、40b產生空洞，當從貯存槽34a、34b將有機蒸鍍材料供給到搬運裝置30a、30b的時候，係利用攪拌裝置51a、51b來進行攪拌。
亦可在於從保管槽35a、35b將有機蒸鍍材料供給到貯存槽34a、34b內的時候，利用攪拌裝置51a、51b進行攪拌。
此外，亦可藉由連接用裝置39a、39b或其他的閥，來使得貯存槽34a、34b的內部與搭載槽32a、32b的內部分隔開，而在搭載槽32a、32b的內部處於真空氛圍的狀態下，將大氣導入貯存槽34a、34b。這種情況下，係可在搭載槽32a、32b的內部與貯存槽34a、34b的內部分隔開的狀態下，一面讓貯存槽34a、34b的內部暴露在大氣下，一面將有機蒸鍍材料搬入該貯存槽34a、34b內。
這種情況下，只要在將貯存槽34a、34b內的有機蒸鍍材料40a、40b供給到搭載槽32a、32b之前，預先將貯存槽34a、34b的內部進行真空排氣的話，大氣就不會進
入到搭載槽32a、32b內。
上述蒸鍍裝置1雖然係製作成：釋放口24係配置在蒸鍍容器12的上部，基板5係以成膜面(形成有機薄膜的這一面)朝向鉛直方向下方的狀態，通過蒸鍍容器12的上方，但是本發明並不侷限於這種蒸鍍裝置1，例如也可以將釋放口配置在鉛直方向上，而將基板的成膜面朝向鉛直方向。
第5圖的元件符號2就是這種結構的本發明之蒸鍍裝置，係本發明的第二例。這種第二例的蒸鍍裝置2，係在真空槽111內配置細長的蒸鍍容器112。蒸鍍容器112具有：細長的容器本體121、板狀的蓋部122。
容器本體121係配置成：其長軸方向朝向鉛直方向，因此，開口係朝向側方。
容器本體121的開口係被朝向鉛直方向配置的蓋部122所覆蓋。蓋部122係沿著長軸方向開設了一個至複數個釋放口124。蓋部122的長軸方向係朝鉛直方向，因此，釋放口124係配置於鉛直方向上。
在蒸鍍容器112的內部係配置有與蓋部122呈平行的細長的充滿板126，該充滿板126的長軸方向係朝鉛直方向。這個充滿板126也是開設有：沿著長軸方向之一個至複數個釋放口127。
在真空槽111內係配置有：基板搬運機構114。在基板搬運機構114上安裝著：夾持具110，成膜對象的基板105係被夾持具110夾持成朝向鉛直方向的狀態下，通過
面對蓋部122的釋放口124的位置。
這個第二例的蒸鍍裝置2也是具有與第一例的蒸鍍裝置1相同的供給裝置13a、13b。針對於這個供給裝置13a、13b，與第一例的蒸鍍裝置1相同的構件都標註相同的元件符號，並且省略其說明。
這種蒸鍍容器112，底面係構成蒸鍍容器112的一側壁，在於容器本體121的底面也就是蒸鍍容器112的一側壁上，在上下方向上並列配置了一個至複數個供給裝置13a、13b。
此處的供給裝置13a、13b係兩個，其中一方是配置在蒸鍍容器112的上端側，另一方是配置在下端側。
在容器本體121的底面的一部分(此處，是上端附近與下端附近的位置)與在搭載槽32a、32b的一部分上，係形成有開口，容器本體121的開口與搭載槽32a、32b的開口係相連通，容器本體121的內部與搭載槽32a、32b的內部係連接在一起。
配置於搭載槽32a、32b內的搬運裝置30a、30b係可插入到容器本體121內的容器本體121的底面與充滿板126之間的位置。
容器本體121係利用加熱裝置123來進行昇溫。
貯存槽34a、34b的內部與搭載槽32a、32b的內部係經由連接用裝置39a、39b而可相連接，在連接用裝置39a、39b打開的狀態下，搬運裝置30a、30b的收容部31a、31b上乘載著預先設定好的量的有機蒸鍍材料41a、41b的
狀態下，插入到蒸鍍容器112的內部的話，有機蒸鍍材料41a、41b將接受到容器本體121等的蒸鍍容器112的輻射熱而在短時間內就昇溫到達蒸發溫度以上的溫度，就會從搬運裝置30a、30b上的有機蒸鍍材料41a、41b釋放出有機材料蒸氣。
有機材料蒸氣充滿在蒸鍍容器112內，從蓋部122的釋放口124釋放出均勻的蒸氣的狀態下，利用基板搬運裝置114將朝鉛直方向配置的基板105的成膜面一邊面對釋放口124，一邊通過該位置的話，就會在基板105表面形成有機薄膜。
基板105通過之後，收容部31a、31b上的有機蒸鍍材料41a、41b將因為蒸發而消失。
消失後，將搬運裝置30a、30b送回到搭載槽32a、32b內，以冷卻用氣體來進行冷卻，或者利用自然冷卻，讓搬運裝置30a、30b降溫到比蒸氣釋放溫度更低溫之後，又從貯存槽34a、34b將預先設定好的量的有機蒸鍍材料落下到搬運裝置30a、30b的收容部31a、31b，與上述過程同樣地，對於其他的基板的表面進行形成有機薄膜的處理。
此外，上述第一、第二例的蒸鍍裝置1、2雖然係將具有流動性的粉體或液體的有機蒸鍍材料40a、40b從貯存槽34a、34b落下而配置在搬運裝置30a、30b上，但是，本發明並不限定在以落下的方式來搬運或者移動有機蒸鍍材料，亦可在貯存槽34a、34b與搭載槽32a、32b之間
設置材料搬運機構，不是讓有機蒸鍍材料40a、40b落下，而是從貯存槽34a、34b的內部往搭載槽32a、32b朝水平方向或斜方向移動到真空氛圍中的方式來配置搬運裝置30a、30b。
這種情況，有機蒸鍍材料不必具有流動性，亦可如第6圖所示般地，以壓縮等的方式將粉末打錠成形而獲得錠劑狀的有機蒸鍍材料60，將其供給到搬運裝置30a、30b。
這種情況，預先將錠劑狀的有機蒸鍍材料60的份量設定成：與在一片基板表面上形成有機薄膜時的量相同的量，或者該份量的幾分之一的份量的話，即可針對於每一片基板，對於蒸鍍容器12內部每一次供給一粒至數粒該錠劑狀的有機蒸鍍材料60來形成有機薄膜。
這種錠劑狀的有機蒸鍍材料60也是可以：讓母材的有機化合物與顯色劑的有機化合物等之不同的有機化合物以一定的比例均勻分散地含有。
此外，以上所述的，係就：使用了母材的有機化合物與顯色劑的有機化合物等之二種類以上的不同種類的有機化合物(實施例中係二種類)依一定的比例混合的粉體的有機蒸鍍材料41a、41b或錠劑狀的有機蒸鍍材料60的情況加以說明，但是，也可以是將由單一種類的有機化合物所構成的有機蒸鍍材料配置在蒸鍍容器12、112內來釋放有機材料蒸氣。
又，所謂「不同的化合物」也並不限定為母材和顯色
劑。
此外，上述實施例係利用本發明的蒸鍍裝置來形成有機薄膜，但是，本發明的蒸鍍裝置係可適用於：令蒸鍍材料(該蒸鍍材料會因為受到長時間的加熱而劣質化者)在真空氛圍內蒸發，以便在複數的成膜對象物上，逐一地形成薄膜之製造方法，而在蒸鍍容器內產生蒸氣的蒸鍍材料也不限定為有機化合物。也就是說，本發明的蒸鍍裝置除了可使用於：形成有機化合物的薄膜之外，亦可使用於形成無機薄膜、複合材料薄膜。
1、2‧‧‧蒸鍍裝置
5、105‧‧‧成膜對象物(基板)
11、111‧‧‧真空槽
12、112‧‧‧蒸鍍容器
13a、13b‧‧‧供給裝置
14、114‧‧‧基板搬運機構
23、123‧‧‧加熱裝置
24、124‧‧‧釋放口
30a、30b‧‧‧搬運裝置
32a、32b‧‧‧搭載槽
33a、33b‧‧‧密閉板
第1圖係用以說明：本發明的第一例的蒸鍍裝置之立體圖。
第2圖係用以說明：該蒸鍍裝置的內部之示意剖面圖。
第3圖(a)、(b)係用以說明：使用本發明的蒸鍍裝置來進行形成有機薄膜的步驟之過程圖。
第4圖(a)、(b)係用以說明：將有機蒸鍍材料配置到蒸鍍容器底面的情況的步驟之過程圖。
第5圖係用以說明：本發明的第二例的蒸鍍裝置之示意剖面圖。
第6圖係顯示本發明可以採用的錠劑狀的有機蒸鍍材料之立體圖。
第7圖係用以說明：釋放到習用技術的蒸鍍裝置的真
空槽內的有機材料蒸氣的劣質化演變之圖表。
第8圖係習用技術的蒸鍍裝置。
1‧‧‧蒸鍍裝置
10‧‧‧夾持具
11‧‧‧真空槽
12‧‧‧蒸鍍容器
13a、13b‧‧‧供給裝置
14‧‧‧基板搬運機構
15‧‧‧真空排氣系
17‧‧‧氣體供給系
21‧‧‧容器本體
23‧‧‧加熱裝置
24‧‧‧釋放口
26‧‧‧充滿板
27‧‧‧釋放口
30a‧‧‧搬運裝置
30b‧‧‧搬運裝置
31a、31b‧‧‧收容部
32a、32b‧‧‧搭載槽
33a、33b‧‧‧密閉板
34a、34b‧‧‧貯存槽
35a、35b‧‧‧保管槽
36a、36b‧‧‧移動管
37a、37b‧‧‧移動機構
38a、38b‧‧‧開闔閥
39a、39b‧‧‧連接用裝置
40a、40b‧‧‧有機蒸鍍材料
51a、51b‧‧‧攪拌裝置
Claims (13)
- 一種蒸鍍裝置，其特徵為：係具有：真空槽、配置在前述真空槽的內部，具有複數個釋放口的蒸鍍容器、被配置蒸鍍材料的供給裝置、連接於前述蒸鍍容器與前述供給裝置之搭載槽、被製作成可在前述搭載槽內與前述真空槽內之間移動，當位於前述搭載槽內時，就被從前述供給裝置供給前述蒸鍍材料，將前述蒸鍍材料搬運到前述蒸鍍容器的內部之搬運裝置、用以加熱前述蒸鍍容器，令位於前述蒸鍍容器內的前述蒸鍍材料產生材料蒸氣，而從前述釋放口將前述材料蒸氣釋放到前述真空槽內之加熱裝置，當前述搬運裝置位置前述搭載槽的內部時，前述搭載槽的內部是與前述蒸鍍容器的內部隔開。
- 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍裝置，其中，前述供給裝置係具有：用以貯存前述蒸鍍材料的貯存槽、用以連接前述貯存槽的內部與前述搭載槽的內部，可將前述貯存槽內部的前述蒸鍍材料移動到前述搭載槽內部之連接用裝置。
- 如申請專利範圍第2項所述的蒸鍍裝置，其中，前述貯存槽係被配置在前述搭載槽上，並且是被配置成：一旦前述貯存槽的內部與前述搭載槽的內部相連接的話，前述貯存槽內部的前述蒸鍍材料就會落下到前述搭載槽內部的前述搬運裝置上。
- 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍裝置，其中，具 有可從前述蒸鍍容器的內部氛圍隔離出前述搭載槽的內部氛圍之隔離板。
- 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍裝置，其中，在前述真空槽的內部配置了：用以夾持成膜對象物，使其通過面對複數個前述釋放口的位置之搬運機構。
- 一種有機薄膜之製造方法，係在被配置於真空槽的內部的蒸鍍容器內配置有機蒸鍍材料，加熱前述蒸鍍容器令其從前述蒸鍍容器的複數個釋放口釋放出前述有機蒸鍍材料的有機材料蒸氣，而在與前述釋放口相面對的前述成膜對象物上形成有機薄膜的有機薄膜之製造方法，其特徵為：在前述搭載槽與前述蒸鍍容器之間呈隔開的狀態下，從供給裝置將前述有機蒸鍍材料移動至配置在連接於前述蒸鍍容器的搭載槽之內部的搬運裝置，之後從前述搭載槽的內部將前述搬運裝置移動至前述蒸鍍容器的內部，係在前述蒸鍍容器內配置藉由前述搬運裝置進行移動的前述有機蒸鍍材料，在開始釋放前述有機材料蒸氣，開始對於前述成膜對象物形成有機薄膜之後，在前述搭載槽與前述蒸鍍容器之間呈隔開的狀態下，從供給裝置將前述有機蒸鍍材料移動至送回前述搭載槽之內部的前述搬運裝置，之後從前述搭載槽的內部將前述搬運裝置移動至前述蒸鍍容器的內部，在將前述蒸鍍容器配置於前述真空槽內的狀態下，對於前述蒸鍍容器內供給藉由前述搬運裝置進行移動的前述有機蒸鍍材料。
- 如申請專利範圍第6項所述的有機薄膜之製造方法，其中，係就每一個前述成膜對象物，從前述搬運裝置將前述有機蒸鍍材料供給到前述蒸鍍容器。
- 如申請專利範圍第6項所述的有機薄膜之製造方法，其中，供給到前述蒸鍍容器的前述有機蒸鍍材料係預先保管於較之前述有機蒸鍍材料的蒸發溫度更低溫的真空氛圍中。
- 如申請專利範圍第6項所述的有機薄膜之製造方法，其中，前述有機蒸鍍材料係以粉體的狀態進行供給。
- 如申請專利範圍第9項所述的有機薄膜之製造方法，其中，被供給到前述蒸鍍容器的前述有機蒸鍍材料的粉體係混合了不同種類的有機化合物。
- 如申請專利範圍第6項所述的有機薄膜之製造方法，其中，前述有機蒸鍍材料係將粉體予以凝固的錠劑。
- 如申請專利範圍第11項所述的有機薄膜之製造方法，其中，被製作成前述錠劑的前述有機蒸鍍材料的粉體係混合了不同種類的有機化合物。
- 一種有機薄膜之製造方法，係對於被配置於真空槽的內部且具有與成膜對象物相對向的複數個釋放口的蒸鍍容器內部，供給有機蒸鍍材料，加熱前述蒸鍍容器，令其從前述蒸鍍容器的複數個釋放口釋放出前述有機蒸鍍材料的有機材料蒸氣，而在與前述釋放口相面對的前述成膜對象物上形成有機薄膜的有機薄膜之製造方法，其 特徵為：在前述搭載槽與前述蒸鍍容器之間呈隔開的狀態下，從供給裝置將前述有機蒸鍍材料移動至配置在連接於前述蒸鍍容器的搭載槽之內部的搬運裝置，之後從前述搭載槽的內部將前述搬運裝置移動至前述蒸鍍容器的內部，係在前述蒸鍍容器內配置藉由前述搬運裝置進行移動的前述有機蒸鍍材料，開始釋放前述有機材料蒸氣，在對於一枚或所決定的複數枚的成膜對象物完成有機薄膜形成之後，在下次成膜對象物的開始成膜處理之前，將前述搭載槽與前述蒸鍍容器之間予以隔開，從供給裝置將前述有機蒸鍍材料移動至送回前述搭載槽之內部的前述搬運裝置，之後在將前述蒸鍍容器配置於前述真空槽內的狀態下，從前述搭載槽的內部將前述搬運裝置移動至前述蒸鍍容器的內部，對於前述蒸鍍容器內供給藉由前述搬運裝置進行移動的前述有機蒸鍍材料。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006140793 | 2006-05-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200806802A TW200806802A (en) | 2008-02-01 |
| TWI470097B true TWI470097B (zh) | 2015-01-21 |
Family
ID=38723183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW96117925A TWI470097B (zh) | 2006-05-19 | 2007-05-18 | 有機蒸鍍材料用蒸鍍裝置以及有機薄膜之製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8308866B2 (zh) |
| EP (1) | EP2025774B1 (zh) |
| JP (1) | JP4815447B2 (zh) |
| KR (1) | KR101071605B1 (zh) |
| CN (1) | CN101356296B (zh) |
| TW (1) | TWI470097B (zh) |
| WO (1) | WO2007135870A1 (zh) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2008310584A1 (en) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | University Of Delaware | Thermal evaporation sources for wide-area deposition |
| WO2009107733A1 (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-03 | 株式会社アルバック | 成膜源、蒸着装置、有機ｅｌ素子の製造装置 |
| JP5114288B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2013-01-09 | 株式会社アルバック | 成膜装置、有機薄膜形成方法 |
| US7945344B2 (en) * | 2008-06-20 | 2011-05-17 | SAKT13, Inc. | Computational method for design and manufacture of electrochemical systems |
| US9249502B2 (en) * | 2008-06-20 | 2016-02-02 | Sakti3, Inc. | Method for high volume manufacture of electrochemical cells using physical vapor deposition |
| WO2010098308A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 株式会社アルバック | 有機化合物蒸気発生装置及び有機薄膜製造装置 |
| US8609193B2 (en) | 2009-03-24 | 2013-12-17 | Drexel University | Poly(ethylene glycol) and poly(ethylene oxide) by initiated chemical vapor deposition |
| US8357464B2 (en) | 2011-04-01 | 2013-01-22 | Sakti3, Inc. | Electric vehicle propulsion system and method utilizing solid-state rechargeable electrochemical cells |
| JP4782219B2 (ja) * | 2009-07-02 | 2011-09-28 | 三菱重工業株式会社 | 真空蒸着装置 |
| DE102009029236B4 (de) | 2009-09-07 | 2023-02-16 | Robert Bosch Gmbh | Verdampfer, Anordnung von Verdampfern sowie Beschichtungsanlage |
| JP5410235B2 (ja) * | 2009-10-15 | 2014-02-05 | 小島プレス工業株式会社 | 有機高分子薄膜の形成方法及び形成装置 |
| US8252117B2 (en) * | 2010-01-07 | 2012-08-28 | Primestar Solar, Inc. | Automatic feed system and related process for introducing source material to a thin film vapor deposition system |
| KR101525813B1 (ko) * | 2010-12-09 | 2015-06-05 | 울박, 인크 | 유기 박막 형성 장치 |
| US20120028393A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-02-02 | Primestar Solar, Inc. | Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a doped thin film layer on a substrate |
| US20120052617A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-03-01 | General Electric Company | Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a doped thin film layer on a substrate |
| JP5697500B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2015-04-08 | 株式会社アルバック | 真空蒸着装置及び薄膜の形成方法 |
| US10770745B2 (en) | 2011-11-09 | 2020-09-08 | Sakti3, Inc. | Monolithically integrated thin-film solid state lithium battery device having multiple layers of lithium electrochemical cells |
| WO2012175128A1 (en) | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Aixtron Se | Vapor deposition system and supply head |
| EP2723914B1 (en) | 2011-06-22 | 2018-09-26 | Aixtron SE | Method and apparatus for vapor deposition |
| WO2012175124A1 (en) | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Aixtron Se | Vapor deposition material source and method for making same |
| DE102011051260A1 (de) | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Aixtron Se | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs |
| TW201321535A (zh) * | 2011-07-05 | 2013-06-01 | Tokyo Electron Ltd | 成膜裝置 |
| US8677932B2 (en) * | 2011-08-03 | 2014-03-25 | First Solar, Inc. | Apparatus for metering granular source material in a thin film vapor deposition apparatus |
| US8301285B2 (en) | 2011-10-31 | 2012-10-30 | Sakti3, Inc. | Computer aided solid state battery design method and manufacture of same using selected combinations of characteristics |
| US9127344B2 (en) | 2011-11-08 | 2015-09-08 | Sakti3, Inc. | Thermal evaporation process for manufacture of solid state battery devices |
| US20130115372A1 (en) * | 2011-11-08 | 2013-05-09 | Primestar Solar, Inc. | High emissivity distribution plate in vapor deposition apparatus and processes |
| US20130220546A1 (en) * | 2011-11-09 | 2013-08-29 | Sakti 3, Inc. | High throughput physical vapor deposition apparatus and method for manufacture of solid state batteries |
| US20120055633A1 (en) * | 2011-11-09 | 2012-03-08 | Sakti3, Inc. | High throughput physical vapor deposition apparatus and method for manufacture of solid state batteries |
| US9627717B1 (en) | 2012-10-16 | 2017-04-18 | Sakti3, Inc. | Embedded solid-state battery |
| KR101461738B1 (ko) * | 2012-12-21 | 2014-11-14 | 주식회사 포스코 | 가열장치 및 이를 포함하는 코팅 시스템 |
| JP6222929B2 (ja) * | 2013-01-15 | 2017-11-01 | 日立造船株式会社 | 真空蒸着装置 |
| JP5728560B2 (ja) * | 2013-11-05 | 2015-06-03 | 小島プレス工業株式会社 | 有機高分子薄膜の形成方法及び形成装置 |
| US9627709B2 (en) | 2014-10-15 | 2017-04-18 | Sakti3, Inc. | Amorphous cathode material for battery device |
| JP6490435B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2019-03-27 | 株式会社オプトラン | 成膜方法及び成膜装置 |
| TWI541612B (zh) * | 2014-12-30 | 2016-07-11 | Organic vacuum coating system and film forming method | |
| CN108138309B (zh) * | 2015-10-06 | 2020-08-14 | 株式会社爱发科 | 材料供给装置及蒸镀装置 |
| KR102340575B1 (ko) | 2016-03-08 | 2021-12-21 | 테라파워, 엘엘씨 | 핵분열 생성물 게터 |
| CN106119781B (zh) | 2016-07-27 | 2018-10-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸发装置、蒸镀设备和蒸镀方法 |
| JP6595421B2 (ja) | 2016-08-24 | 2019-10-23 | 東芝メモリ株式会社 | 気化システム |
| CN207038182U (zh) | 2017-03-29 | 2018-02-23 | 泰拉能源有限责任公司 | 铯收集器 |
| KR20220051165A (ko) * | 2019-08-23 | 2022-04-26 | 테라파워, 엘엘씨 | 나트륨 기화기 및 나트륨 기화기의 사용 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3563202A (en) * | 1969-06-25 | 1971-02-16 | Pennwalt Corp | Mobile vbaporative firing source |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3554512A (en) * | 1969-03-24 | 1971-01-12 | George H Elliott | Crucible for holding molten semiconductor materials |
| DE3908265A1 (de) * | 1989-03-14 | 1990-09-20 | Leybold Ag | Chargiervorrichtung fuer schmelzanlagen |
| JP3189038B2 (ja) * | 1997-01-14 | 2001-07-16 | 住友重機械工業株式会社 | 真空成膜装置の材料供給装置 |
| JPH11200014A (ja) * | 1998-01-13 | 1999-07-27 | Kao Corp | 真空成膜方法、及び真空成膜装置 |
| JP4312289B2 (ja) * | 1999-01-28 | 2009-08-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | 有機薄膜形成装置 |
| ATE497028T1 (de) * | 2000-06-22 | 2011-02-15 | Panasonic Elec Works Co Ltd | Vorrichtung und verfahren zum vakuum-ausdampfen |
| US6551405B1 (en) * | 2000-09-22 | 2003-04-22 | The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Tool and method for in situ vapor phase deposition source material reloading and maintenance |
| DE10100670A1 (de) * | 2001-01-09 | 2002-08-14 | Univ Braunschweig Tech | Zuführvorrichtung für eine CVD-Anlage |
| JP4599727B2 (ja) * | 2001-02-21 | 2010-12-15 | 株式会社デンソー | 蒸着装置 |
| TWI264473B (en) * | 2001-10-26 | 2006-10-21 | Matsushita Electric Works Ltd | Vacuum deposition device and vacuum deposition method |
| JP2003160856A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸着装置と薄膜形成方法およびそれらを用いた表示装置 |
| JP4153713B2 (ja) * | 2002-04-01 | 2008-09-24 | 株式会社アルバック | 蒸発源及びこれを用いた薄膜形成装置 |
| WO2004105095A2 (en) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Svt Associates Inc. | Thin-film deposition evaporator |
| US8123862B2 (en) * | 2003-08-15 | 2012-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition apparatus and manufacturing apparatus |
| US7501151B2 (en) * | 2004-09-21 | 2009-03-10 | Eastman Kodak Company | Delivering particulate material to a vaporization zone |
| US7501152B2 (en) * | 2004-09-21 | 2009-03-10 | Eastman Kodak Company | Delivering particulate material to a vaporization zone |
| FI118803B (fi) * | 2005-04-22 | 2008-03-31 | Beneq Oy | Lähde, järjestely lähteen asentamiseksi sekä menetelmä lähteen asentamiseksi ja poistamiseksi |
-
2007
- 2007-05-11 WO PCT/JP2007/059723 patent/WO2007135870A1/ja active Application Filing
- 2007-05-11 CN CN2007800013758A patent/CN101356296B/zh active Active
- 2007-05-11 JP JP2007540847A patent/JP4815447B2/ja active Active
- 2007-05-11 EP EP07743158.3A patent/EP2025774B1/en active Active
- 2007-05-11 KR KR1020087012130A patent/KR101071605B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-18 TW TW96117925A patent/TWI470097B/zh active
-
2008
- 2008-09-17 US US12/212,030 patent/US8308866B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3563202A (en) * | 1969-06-25 | 1971-02-16 | Pennwalt Corp | Mobile vbaporative firing source |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101356296B (zh) | 2011-03-30 |
| EP2025774B1 (en) | 2014-03-05 |
| JP4815447B2 (ja) | 2011-11-16 |
| KR20080078644A (ko) | 2008-08-27 |
| TW200806802A (en) | 2008-02-01 |
| WO2007135870A1 (ja) | 2007-11-29 |
| KR101071605B1 (ko) | 2011-10-10 |
| US20090061090A1 (en) | 2009-03-05 |
| EP2025774A1 (en) | 2009-02-18 |
| JPWO2007135870A1 (ja) | 2009-10-01 |
| CN101356296A (zh) | 2009-01-28 |
| US8308866B2 (en) | 2012-11-13 |
| EP2025774A4 (en) | 2012-07-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI470097B (zh) | 有機蒸鍍材料用蒸鍍裝置以及有機薄膜之製造方法 | |
| JP5114288B2 (ja) | 成膜装置、有機薄膜形成方法 | |
| KR101167546B1 (ko) | 증착 장치 | |
| JP5008624B2 (ja) | 成膜方法、蒸着装置 | |
| KR101784253B1 (ko) | 코팅 장치, 그리고 차폐 플레이트를 구비한 코팅 장치를 작동시키기 위한 방법 | |
| US6275649B1 (en) | Evaporation apparatus | |
| US20150247234A1 (en) | Method for reloading an evaporation cell | |
| TW200907078A (en) | Deposition source, deposition apparatus, and film forming method | |
| TWI428456B (zh) | 有機材料蒸氣產生裝置，成膜源，成膜裝置 | |
| TW201002840A (en) | Deposition source, deposition device, and device for manufacturing organic electroluminescence device | |
| KR20110005636A (ko) | 성막 장치와 그 증발원 장치 및 그 증발원 용기 | |
| JP4342868B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JP5203584B2 (ja) | 成膜装置、成膜システムおよび成膜方法 | |
| JP2015209593A (ja) | 蒸発セル | |
| JP2010111916A (ja) | 真空蒸着装置、蒸着源、成膜室、蒸着容器交換方法 | |
| US6473564B1 (en) | Method of manufacturing thin organic film | |
| JP7241604B2 (ja) | 加熱装置、蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 | |
| KR100518147B1 (ko) | 증착장치,유기증발원및유기박막제조방법 | |
| JP2005179764A (ja) | 蒸着装置 | |
| JPH10158820A (ja) | 蒸着装置、有機蒸発源、有機薄膜製造方法 | |
| KR20120043570A (ko) | 진공 증착 장치 | |
| TW409150B (en) | Evaporation apparatus, organic material evaporation source and method of manufacturing thin organic film | |
| JP5697500B2 (ja) | 真空蒸着装置及び薄膜の形成方法 | |
| JP2010144212A (ja) | 材料供給装置及び材料供給方法 | |
| JP2013108123A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 |