TWI464799B - Mounting platform construction and processing device - Google Patents

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TWI464799B
TWI464799B TW097101801A TW97101801A TWI464799B TW I464799 B TWI464799 B TW I464799B TW 097101801 A TW097101801 A TW 097101801A TW 97101801 A TW97101801 A TW 97101801A TW I464799 B TWI464799 B TW I464799B
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Tomohito Komatsu
Hirohiko Yamamoto
Daisuke Toriya
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Tokyo Electron Ltd
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Description

載置台構造及處理裝置
本發明是關於對半導體晶圓等之被處理體施予熱處理或電漿處理之處理裝置及此所使用之載置台構造。
一般，為了製造IC(積體電路)等之半導體裝置，製造以使用電漿或不使用電漿，對半導體晶圓等之被處理體，重複執行成膜處理、蝕刻處理、熱處理、改質處理等之各種處理為目的之電路裝置等。例如，在對半導體晶圓每1片施予熱處理之葉片式處理裝置中，於可抽真空之處理容器內，設置內藏有電阻加熱器或靜電夾具之載置台構造，以載置半導體晶圓之狀態使特定處理氣體流向該載置台構造之上面，藉由使用或不使用電漿，在特定製程條件下對晶圓施予各種熱處理(參照日本特開昭63-278322號公報、日本特開平7-078766號公報、日本特開平06-260430號公報、日本特開2004-356624號公報、日本特開平10-209255號公報)。
於熱處理時，半導體晶圓暴露於高溫，再者，處理容器內使用潔淨氣體或蝕刻氣體等之腐蝕性氣體等。因為了要耐該嚴酷環境，在載置半導體晶圓之上述載置台構造，有傾向使用代表AlN(氮化鋁)之陶瓷，加熱器部或靜電夾具與陶瓷材料一體成形而埋入於其內部。
在此，說明以往之處理裝置及載置台構造之一例。第 14圖為表示以往之一般性之電漿處理裝置之概略構成圖。第15圖為表示載置台之供電部之放大剖面圖。如第14圖所示般，在設為筒體狀之處理容器2內，設置有用以將上面載置於半導體晶圓W之載置台構造4。在處理容器2之頂棚部設置噴淋頭6以當作氣體導入手段，自該下面之氣體噴射孔6a噴射所需之氣體。在噴淋頭6，連接有電漿產生用之例如13.56MHz之高頻電源8，將噴淋頭6當作上部電極使發揮功能。
在處理容器2之底部設置有排氣口10，成為可以排氣處理容器2內。載置台構造4係由用以載置晶圓W之載置台本體12，和為了支撐該載置台本體12，從容器底部豎立之支柱14所構成。該載置台本體12是由例如具有耐熱性及耐腐蝕性之AlN等之陶瓷所構成，在載置台本體12之內部一體性埋入施加高頻電力之下部電極(無圖式)，和成為靜電夾具之夾具電極之電極16。通過支柱14內之供電棒18之前端連接於電極16，可以藉由電源20因應所需供給電力。
相對於電極16之供電棒18之上端之連接構造是如第14圖中之A部之放大圖之第15圖所示相同(日本特開平10-209255號公報)。載置台本體12內之電極16是由例如Mo(鉬)、W(鎢)或是該些合金所構成，事先於電極16連接由Mo或其合金所構成之連接端子22。在載置台本體12下面形成有凹部狀之連接孔24，自連接孔24之深處，於連接孔24內露出有連接端子22。在連接孔24內插入有 含有供電用連接部26。供電用連接部26和含有Mo之連接端子22之間以吸收因熱膨脹差所產生之應力為目的，介存有例如含有Co(鈷)及/或含有Ni(鎳)之合金，例如由屬於Co-Fe-Ni合金之科伐合金(Kovar，註冊商標)所構成之應力緩和構件28。各個藉由例如Ni合金焊材30、32接合連接端子22和應力緩和構件28之間及該應力緩和構件28和供電連接部26之間。
於接合時，將上述構造全體放入高溫爐內以高溫燒結。供電棒18及供電用連接部26是由Ni(鎳)或其合金所構成。供電棒18之前端部形成有階差而形成縮徑部，該縮徑部成為供電用連接部26。在供電連接部26及應力緩和構件28之外周，例如由Ni所構成之筒體狀之引導構件34。
但是，當在高溫例如500℃以上重複使用上述載置台構造之時，應力緩和構件28中所含之金屬，例如Fe、Ni、Co等朝含有Mo之連接端子22側熱擴散而與Mo結合，產生在連接端子22和焊材30之接合面附近形成脆金屬間化合物之現象。以該脆金屬間化合物之部分產生剝離，有供電用連接部26自連接端子22偏移之問題。
該擴散之現象由於在Co原子及Ni原子中尤其顯著。第16圖是模式性表示第15圖中之B部之電子顯微鏡。在此，如圖式般，可以理解應力緩和構件28中之Co熱擴散至焊材30中，尤其含有Mo之連接端子22內之焊材之界面部分聚積多量Co元素36之狀況。並且，藉由分析確認 出應力緩和構件28及焊材30中之Ni也熱擴散而聚積於與連接端子22內之焊材的境界部分。上述脆化現象即使連接端子22之材料從Mo取代成W(鎢)應也同樣發生，期待其解除到來。
本發明是注目於以上之問題點，有效解決此而所創作出者。本發明之目的提供防止連接端子和供電用連接部之接合部中之金屬元素之熱擴散之產生，可以防止接合強度之降下之載置台構造及使用此之處理裝置。
為了達成上述目的，若藉由本發明之第1觀點，則提供一種載置台構造，具有：載置台本體，屬於陶瓷製之載置台本體，於上述載置台本體之內部埋設有被供電導體部，並且在上述載置台本體表面形成有凹部形態之連接孔，於上述連接孔內露出電性接合於上述被供電導體部之由高熔點金屬、其合金或是其化合物所構成之連接端子；供電用管線構件，為了對上述被供電導體部執行供電，具有前端被插入至上述連接孔內之供電用連接部；由導電性材料所構成之應力緩和構件，介存於上述連接端子和上述供電用連接部之間，用以緩和應力；和支柱，用以支撐上述載置台本體，其特徵為：上述應力緩和構件由不含鈷及鎳之金屬或其合金所構成，上述應力緩和構件和上述連接端子係藉由焊材接合。
若藉由此，對於藉由焊材接合上述應力緩和構件和連 接端子，因藉由不含鈷及鎳之金屬或其合金形成應力緩和構件，故可以抑制連接端子和供電用連接部之接合部中之金屬元素，尤其抑制產生鈷及鎳之熱擴散，防止隨著擴散所產生之接合強度下降。
在最佳之一實施形態中，上述應力緩和構件是由從不含鈷及鎳之因瓦(Invar)型合金、不含鈷及鎳之艾林瓦(Elinvar)型合金、Fe-Pd合金、Zr-Nb-Fe合金、Cr-Fe-Sn合金、Fe-B非晶質合金所構成之群中選擇出之1種以上之材料所構成。
再者，若藉由本發明之第2觀點時，則提供一種載置台構造，具有：載置台本體，屬於陶瓷製之載置台本體，於上述載置台本體之內部埋設有被供電導體部，並且在上述載置台本體表面形成有凹部形態之連接孔，於上述連接孔內露出電性接合於上述被供電導體部之由高熔點金屬、其合金或是其化合物所構成之連接端子；供電用管線構件，為了對上述被供電導體部執行供電，具有前端被插入至上述連接孔內之供電用連接部；由導電性材料所構成之應力緩和構件，介存於上述連接端子和上述供電用連接部之間，用以緩和應力；和支柱，用以支撐上述載置台本體，其特徵為：在上述應力緩和構件和上述連接端子之對向面內之至少任一方之面，設置阻障層，並且上述應力緩和構件和上述連接端子係藉由焊材接合。
若藉由此，對於藉由焊材接合上述應力緩和構件和連接端子，因在應力緩和構件和連接端子之對向面之內之至 少中之一方之面，設置有阻障層，故抑制藉由其阻障層抑制連接端子和供電用連接部之接合部中之金屬元素，尤其抑制產生鈷及鎳之熱擴散，防止隨著擴散所產生之接合強度下降。
在最佳之實施形態中，在上述應力緩和構件之全表面及/或上述連接端子之全表面，各設置有阻障層。最佳為上述阻障層係由從Re、鉑族金屬、金屬氮化物、金屬矽化物構成之群中選擇之1種以上之材料所構成。最佳為上述焊材不含有鎳。
若藉由本發明之第3觀點，則提供一種載置台構造，具有：載置台本體，屬於陶瓷製之載置台本體，於上述載置台本體之內部埋設有被供電導體部，並且在上述載置台本體表面形成有凹部形態之連接孔，於上述連接孔內露出電性接合於上述被供電導體部之由高熔點金屬、其合金或是其化合物所構成之連接端子；供電用管線構件，為了對上述被供電導體部執行供電，具有前端被插入至上述連接孔內之供電用連接部；由導電性材料所構成之應力緩和構件，介存於上述連接端子和上述供電用連接部之間，用以緩和應力；和支柱，用以支撐上述載置台本體，其特徵為：上述連接端子係由具有導電性及耐氧化性之金屬間化合物所構成，上述連接端子和上述應力緩和構件係藉由焊材接合。
若藉由此，因具有導電性及耐氧化性，依據藉由熱擴散鈷及鎳不被溶入之金屬間化合物形成連接端子，故即使 藉由焊材接合連接端子和應力緩和構件，亦可以抑制鈷及鎳之熱擴散產生，可以防止隨著擴散所產生之接合強度下降。
在最佳之一實施形態中，上述金屬間化合物係由MoSi2 或是Maxthal(註冊商標)所構成。在最佳之一實施形態中，上述供電用連接部和上述應力緩和構件之外周，係藉由筒體狀之引導構件包圍。
若藉由本發明之第4觀點，則提供一種載置台構造，具有：載置台本體，屬於陶瓷製之載置台本體，於上述載置台本體之內部埋設有被供電導體部，並且在上述載置台本體表面形成有凹部形態之連接孔，於上述連接孔內露出電性接合於上述被供電導體部之由高熔點金屬、其合金或是其化合物所構成之連接端子；供電用管線構件，為了對上述被供電導體部執行供電，具有前端被插入至上述連接孔內之供電用連接部；和支柱，用以支撐上述載置台本體，其特徵為：在上述連接端子之與上述供電用連接部的對向面設置阻止鈷及鎳擴散之阻障層，並且藉由焊材接合上述連接端子和上述供電用連接部。
若藉由此，對於藉由焊材接合上述應力緩和構件和連接端子，因在連接端子之與上述供電用連接部之對向面，設置有阻止鈷及鎳之擴散的阻障層，故藉由該阻障層，可以抑制連接端子和供電用連接部之應力緩和構件和連接端子之對向面之內之至少中之一方之面，設置有阻障層，故抑制藉由其阻障層抑制連接端子和供電用連接部之接合部 中之金屬元素，尤其抑制產生鈷及鎳之熱擴散，防止隨著擴散所產生之接合強度下降。並且，此時最佳為在連接端子和供電用連接部之間不介存有應力緩和構件。
若藉由本發明之第5觀點時，則提供一種載置台構造，具有：載置台本體，屬於陶瓷製之載置台本體，於上述載置台本體之內部埋設有被供電導體部，並且在上述載置台本體表面形成有凹部形態之連接孔，於上述連接孔內露出電性接合於上述被供電導體部之由高熔點金屬、其合金或是其化合物所構成之連接端子；供電用管線構件，為了對上述被供電導體部執行供電，具有前端被插入至上述連接孔內之供電用連接部；和支柱，用以支撐上述載置台本體，其特徵為：上述連接端子和上述供電用連接部構成藉由特定推壓力機械性接觸之狀態。
若藉由此，因構成藉由特定推壓力使連接端子和供電連接部機械性接觸，故抑制連接端子和供電用連接部之接合部中之金屬元素鈷及鎳之熱擴散，再者，即使暫時產生熱擴散，亦可以確保藉由機械性推壓力機械性接觸之連接端子和供電用連接部之導通。
若藉由本發明之第6觀點時，則提供一種載置台構造，具有：載置台本體，屬於陶瓷製之載置台本體，於上述載置台本體之內部埋設有被供電導體部，並且在上述載置台本體表面形成有凹部形態之連接孔，於上述連接孔內露出電性接合於上述被供電導體部之由高熔點金屬、其合金或是其化合物所構成之連接端子；供電用管線構件，為 了對上述被供電導體部執行供電，具有前端被插入至上述連接孔內之供電用連接部；和支柱，用以支撐上述載置台本體，其特徵為：上述連接端子和上述供電用連接部係由具有導電性及耐氧化性之金屬間化合物所構成，上述連接端子和上述供電用連接部係藉由溶接接合。
若藉由此，連接端子和供電用連接部由具有導電性及耐氧化性之金屬間化合物所構成，因藉由溶接接合連接端子和供電用連接部，故可以防止連接端子和供電用連接部之接合部中之金屬元素、尤其產生鈷及鎳之熱擴散，防止隨著擴散所產生之接合強度下降。
若藉由本發明之第7觀點時，則提供一種載置台構造，具有：載置台本體，屬於陶瓷製之載置台本體，於上述載置台本體之內部埋設有被供電導體部，並且在上述載置台本體表面形成有凹部形態之連接孔，於上述連接孔內露出電性接合於上述被供電導體部之由高熔點金屬、其合金或是其化合物所構成之連接端子；供電用管線構件，為了對上述被供電導體部執行供電，具有前端被插入至上述連接孔內之供電用連接部；和支柱，用以支撐上述載置台本體，其特徵為：上述連接端子係由具有導電性及耐氧化性之金屬間化合物所構成，上述連接端子和上述供電用連接部係藉由焊材接合。
若藉由此，對於藉由焊材接合連接端子和供電用連接部，因藉由具有導電性及耐氧化性之金屬間化合物形成連接端子，故可以抑制連接端子和供電用連接部之接合部中 之金屬元素，尤其抑制產生鈷及鎳之熱擴散，防止隨著擴散而產生之接合強度下降。
最佳為上述金屬間化合物係由MoSi2 或是Maxthal(註冊商標)所構成。
若藉由本發明之第8觀點，則提供一種載置台構造，具有：載置台本體，屬於陶瓷製之載置台本體，於上述載置台本體之內部埋設有被供電導體部，並且在上述載置台本體表面形成有凹部形態之連接孔，於上述連接孔內露出電性接合於上述被供電導體部之連接端子；供電用管線構件，為了對上述被供電導體部執行供電，具有前端被插入至上述連接孔內之供電用連接部；和支柱，用以支撐上述載置台本體，其特徵為：上述連接端子和上述供電用連接部皆由高熔點金屬所構成，上述連接端子和上述供電用連接部係藉由焊材接合。
若藉由此，連接端子和供電用連接部，因皆為由高熔點金屬所構成，故藉由焊材接合連接端子和供用連接部，可以防止連接端子和供電用連接部之接合部中之金屬元素之熱擴散產生，防止接合強度惡化。
最佳之一實施形態中，上述供電用連接部和上述供電用管線構件是藉由螺桿連結。此時，上述焊材為自藉由Au形成之Au焊材、由Ag及Ti形成之Ag-Ti焊材所構成之群中選擇出之1種焊材。
此時。最佳為上述高熔點金屬為由鉬(Mo)、鉬合金(Mo合金)、鎢(W)及鎢合金(W合金)構成之群所選擇之1 種以上之材料。
在一實施形態中，上述被供電導體部為屬於發熱體之加熱器。在其他一實施形態中，上述被供電導體部為靜電夾具之夾具電極。又在另一實施形態中，上述被供電導體部為相對於高頻電力之下部電極。
最佳為，藉由上述焊材所接合之各構件表面，事先形成有與上述焊材相同之材料之金屬膜。
又若藉由本發明，則提供一種處理裝置，用以對被處理體施予處理，其特徵為：具備有被設成可排氣之處理容器；為了載置被處理體，被設置在上述處理容器內之上述第1~8觀點中之任一項所記載之載置台構造；和將氣體導入至上述處理容器內之氣體導入手段。在一實施形態中，朝上述載置台構造內供給惰性氣體。
以下，根據附件圖面，詳細說明本發明所涉及之載置台構造及處理裝置之最佳之一實施形態。第1圖為表示本發明所涉及之處理裝置之構成圖，第2圖為表示處理裝置所使用之本發明所涉及之載置台構造的部分剖面圖，第3圖為表示載置台構造之第1實施形態之部分放大剖面圖，第4圖為表示載置台構造之分解狀態之部分放大剖面圖。
[第1實施形態]
在此，以平行平板型之電漿處理裝置為例說明發明所 涉及之處理裝置。如第1圖所示般，平行平板型之電漿處理裝置40具有藉由例如鋁合金等成型筒體狀之處理容器42。該處理容器42之底部之中央部於下方凹陷形成排氣空間44。排氣空間44藉由有底圓筒體46被區隔。有底圓筒體46之底部構成處理容器42之底部之一部分。在有底筒體46之側部設置有排氣口48，在該排氣口48連接有途中介設無圖式之壓力調整閥或真空泵等之排氣管50，可以使上述處理容器42內抽真空成所欲之壓力。
在處理容器42之側壁形成有將屬於被處理體之半導體晶圓W予以搬出搬入之搬出搬入口52，並且在該搬出搬入口52設置有於晶圓W之搬出搬入時開啟之閘閥54。
處理容器42之頂棚為開口，在該開口部經絕緣構件56設置有當作氣體導入手段之噴淋頭58。在噴淋頭58和絕緣構件56之間，為了維持處理容器42內之氣密性，介設有由例如O型環等所構成之密封構件60。在噴淋頭58之上部設置有氣體導入口62。在噴淋頭58之下面之氣體噴射面設置有多數氣體噴射孔64，使所需之處理氣體朝向處理空間S噴射。在圖式例中，雖然噴淋頭58內成為一個空間，但是也有不在內部空間區隔成多數空間在噴淋頭58內不混合由不同所構成之氣體，個別供給至處理空間S之形式的噴淋頭。
噴淋頭58具有當作電漿產生用之上部電極的功能。具體而言，該噴淋頭58經匹配電路66連接有電漿產生用之高頻電源68。該高頻電源68之頻率雖然例如為 13.56MHz，但是並不限定於該頻率。在處理容器42內為了載置半導體晶圓W，設置有本發明所涉及之載置台構造70。該載置台構造70主要是由直經將晶圓W載置在其上面之載置面的形成略圓板狀之載置台本體72，和為了支撐該載置台本體72，自容器底部豎立之圓筒狀之支柱71所構成。
在載置台本體72之下方，設置有於晶圓W之搬出搬入時，自下方使此提升而予以支撐之升降銷機構74。該升降銷機構74是沿著載置台本體72之周方向而以等間隔配置之例如3條(在圖式中僅記載兩條)之升降銷76，各升降銷76之下端部藉由例如圓弧狀之插銷基座板78被支撐。該插銷基座板78貫通處理容器42之底部藉由制動器82連結可上下移動之升降桿80。在升降桿80之處理容器42底部之貫通部設置有一邊維持處理容器42內之氣密性，一邊可伸縮容許升降桿80之上下移動之可伸縮的伸縮管84。
載置台本體72是對應於各升降銷76而設置有銷插通孔86，插通於插銷插通孔86內之升降銷76，可以藉由使升降桿80上下移動，而出沒於載置面上而將晶圓W上頂提起，或下降。載置台本體72之全體及支柱71之全體藉由無金屬污染，並且耐熱性優良之材料例如陶瓷所形成。支柱71之下端部為了維持處理容器42內之氣密性，經O型環等之密封構件88，藉由無圖式之螺栓連結於形成在處理容器42底部之開口90之周邊部分。作為上述陶瓷可 以使用氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al2 O3 )、碳化矽(SiC)、石英(SiO2 )等。
在載置台本體72上也如第2圖所示般，各埋入有當作第1被供電導體部之靜電夾具之夾具電極94，和當作第2被供電導體部之屬於發熱體的加熱器部96。夾具電極94是被設置在載置面正下方附近而藉由靜電力吸附保持晶圓W。在夾具電極94之下方設置加熱器部96而加熱晶圓W。
在所例示之實施形態中，夾具電極94也具有於電漿生成時，當作施加偏壓電壓之下部電極的功能。夾具電極94及加熱器部96是由W、Mo、V、Cr、Mn、Nb、Ta等之高熔點金屬、上述高熔點金屬或是含有上述高熔點金屬之合金所構成。在此，夾具電極94及加熱器部96主要是由Mo、W或是含有Mo或W中之至少1種的合金所形成。
在夾具電極94連接有供電用管路構件98。對於加熱器部96連接有供電用管線構件100、102。各供電用管線構件98、100、102從處理容器42之內部空間被插通至氣密隔離之圓筒狀之支柱1之內部空間而通過容器底部之開口90而延伸至下方。夾具電極94用之供電用管線構件98連接有夾具用之直流電源104和偏壓用之高頻電源106。在加熱器部96用之供電用管線構件100、102連接有加熱器電源108。並且，在例示之實施形態中，加熱器部96雖然被構成均等加熱載置台本體72(1區加熱)，但 是即使在載置台本體72之同心圓狀設置多數加熱區藉由多數加熱器部個別加熱各加熱區亦可。此時，對應於各加熱器部，設置供電用管線構件100、102。並且，即使因應所需，直接將供電用管線構件98連接於地面亦可。
與夾具電極94及加熱器部96對應之供電用管線構件98~102之上端部的連接構造完全相同。在此，參照第3圖及第4圖，以加熱器部96和供電用管線構造102之連接構造為代表予以說明。
也如第3圖及第4圖所示般，加熱器部96在事先連接連接端子110之狀態下埋入於載置台本體72。在載置台本體72之下面形成有凹部即是連接孔112。連接端子110之前端部(下端部)自連接孔112之深處(孔之上面)露出於連接孔112之內部空間。連接端子110可以藉由W、Mo、Nb、Ta等之高熔點金屬、或是上述高熔點金屬基座之合金或是含有上述高熔點金屬之金屬間化合物(例如，MoSi2 、Ti5 Si3 、NiAl、TiAl3 、NbAl3 、ZrAl3 、Mo3 Al8 、Nb3 Al)形成。在此，連接端子110主要是由含有Mo或是W之材料所形成。
在例示之實施形態中，供電用管線構件102其全體當作棒狀之供電棒被形成。在供電用管線構件102之上部設置有段部而自該段部至上方形成縮徑部，該縮徑部成為供電用連接部114。並且，不設置縮徑部，即使將供電用管線構件102之上端部當作供電用連接部亦可。供電用管線構件102例如藉由Ni而形成。在供電連接部114和連接 端子110之間介存有由用以緩和該些之間的應力之導電性材料所構成之應力緩和構件116。在應力緩和構件116和供電用連接部114之外周側，安裝有由例如Ti所構成之圓筒狀之引導構件118。連接端子110和應力緩和構件116及引導構件118之一端之間，例如不含Ni，並且藉由含有在Pd、Ag、Ti內至少1種之焊材120接合。應力緩和構件116和供電用連接部114之間，例如不含Ni，並且藉由含有在Pd、Ag、Ti內至少1種的焊材122接合。引導構件118之另一端和供電用管線構件102之間不含例如Ni，並且藉由含有在Pd、Ag、Ti內至少1種的焊材124接合。
應力緩和構件116為不含有鈷(Co)及鎳(Ni)之低熱膨脹材料。由金屬或是其合金所構成。具體而言，當作應力緩和構件116，可以使用從不含鈷及鎳之因瓦(Invar)型合金、不含鈷及鎳之艾林瓦(Elinvar)型合金、Fe-Pd合金、Zr-Nb-Fe合金、Cr-Fe-Sn合金、Fe-B非晶質合金所構成之群中選擇出之1種以上之材料。並且，可以使用Fe-46Pd合金或Fe-17at%B合金當作因瓦(Invar)型合金。如此一來，應力緩和構件116之材料不含有在與Mo之間生成脆化合物之鈷及鎳，並且在以Mo為主之構成材料之連接端子110中，阻止在以往載置台構造中所產生之鈷及鎳之擴散產生。
如第4圖所示般，在供電用管線構件102之前端部的供電用連接部114，暫時組裝引導應力緩和構件116、焊 材120、122、124及該些構件之組裝的引導構件118等，將該暫時組裝體插入置上述連接孔112內，並在其狀態加熱執行硬焊。依此，供電用管線構件102與由陶瓷所構成之載置台本體72連接。並且，如上述般，各供電用管線構件98、100、102之連接構造相同。並且，如第1圖所示般，在圓筒狀之支柱71內，藉由惰性氣體供給部128導入N2 等之惰性氣體(也包含Ar等之稀有氣體)，防止上述各金屬表面之氧化。
接著，針對以上般所構成之電漿處理裝置40之動作予以說明。首先，未處理之半導體晶圓W經被無圖式之搬運臂保持成為開啟狀態之閘閥54、搬出入口52而被搬入至處理容器42內。被轉交至使晶圓W上昇之升降銷76之後，使升降銷下降，依此晶圓W被載置在載置台構造70之載置台本體72之上面。
接著，一面對當作各種處理氣體例如成膜氣體予以流量控制，一面供給至噴淋頭58，藉由氣體噴射孔64噴射該氣體，導入至處理空間S。然後，雖然無圖示，但是藉由持續驅動設置在排氣管50之真空泵，使處理容器42內及排氣空間44內之環境抽真空，然後，調整壓力調整閥之閥開度而將處理空間S之環境維持至特定之製程壓力。此時，晶圓W之溫度維持在特應製程溫度。即是，藉由加熱器電源108經供電用管線構件100、102對載置台本體72之加熱器部96施加電力，加熱加熱器部96，依此加熱載置台本體72之全體。
其結果，對載置在載置台本體72上之晶圓W加熱。此時，藉由設置在載置台本體72之無圖式之熱電偶測量晶圓溫度，根據該測量值，執行溫度控制。再者，為了與此同時執行電漿處理，藉由驅動高頻電源68，對屬於上部電極之噴淋頭58和下部電極之載置台本體72之間施加高頻，並於處理空間S生成電漿。與此同時，對形成靜電夾具之夾具電極94施加電壓，並藉由靜電力吸附晶圓W。然後，在該狀態下執行特定電漿處理。再者，此時，藉由從偏壓用之高頻電源106對載置台本體72之夾具用電極94施加高頻，依此可以執行引入電漿離子。
當重複執行如此之晶圓W之處理時，每次載置台本體72暴露於高溫，該溫度雖然於處理態樣有所不同，但有上昇至700℃之情形。當曝曬於如此高溫時，構成各構件之材料中之各金屬元素因應其擴散係數，可產生熱擴散。對於以往之載置台，參照第15圖及第16圖所說明般，含於應力緩和構件28中之鈷及鎳，或是含於焊材之鎳擴散而到達至連接端子22側，在此形成脆金屬間化合物，有在該金屬間化合物和鈷及鎳無擴散之區域的境界部分，產生剝離等之問題。
但是，於本發明之第1實施形態之時，應力緩和構件116不含有鈷及鎳，即是該應力緩和構件116由不含鈷及鎳之金屬或是其合金所構成。因此，不形成因上述般之擴散鈷及擴散鎳所產生之脆金屬間化合物。再者，因焊材不含有鎳，故也不形成因鎳擴散所產生之脆金屬間化合物。 該結果，可以防止上述供電用管線構件102自連接端子110剝離。如此之有利效果在相同連接構造之各供電用管線構件98、100、102中也同樣取得。
如此一來，應力緩和構件116是由不含鈷及鎳之金屬或是其合金所構成，因應力緩和構件116和連接端子110構成藉由不含鎳之焊材接合，故可以防止連接端子110和供電用連接部114之接合部之金屬元素，尤其隨著鈷及鎳之熱擴散的接合強度之下降。
[第2實施形態]
接著，針對本發明之載置台構造之第2實施形態予以說明。第5圖為本發明所涉及之載置台構造之第2實施形態之重要部位放大剖面圖，第6圖為載置台構造之第2實施形態中之應力緩和構件和連接端子之變形例的圖式。並且，在第5圖及第6圖中，針對與第2圖至第4圖所示之部分相同之構成部分賦予相同符號，省略其說明。在先前第1實施形態之時，雖然自應力緩和構件116之材料中排除鈷及鎳，但是在該第2實施形態中，設置阻止鈷及鎳擴散之阻障層。
具體而言，如第5圖所示般，在上述應力緩和構件116和連接端子110之對向面，設置鎳及鈷之擴散防止用之阻障層130、132，防止來自應力緩和構件116側之鈷及鎳的擴散。然後，應力緩和構件116和連接端子110是由含有Ni、Pd、Ag、Ti中之至少1種的焊材120而接 合。
此時，由上述說明可知，當作應力緩和構件116即使使用在第1實施形態中所說明之不含鈷及鎳的應力緩和構件亦可，如第16圖之以往構造中所說明般，即使使用含有鈷及/或鎳之應力緩和構件亦可。
當作阻障層130、132可以使用由Re、鉑族、金屬氮化物、金屬矽化物所構成之群中所選擇之1種以上之材料。具體而言，Re(錸)以外之鉑族金屬，可以使用例如Ru(釕)、Ir(銥)、Pt(鉑)等，可以使用TiN、TaN等當作金屬氮化物，可以使用MoSi2 等當作金屬矽化物。尤其，連接端子110多含有Mo之時，以使用Re、Pt或是Re或是Pt為主成分之合金當作阻障層130、132為佳。連接端子110多含有W之時，以使用Re、Ru、Ir、Pt或是從Re、Ru、Ir、Pt中選擇出之兩種以上之金屬合金(例如Re-Ru合金、Re-Ir合金、Re-Pt合金、Ru-Ir合金、Ru-Pt合金、Ir-Pt合金、Re-Ru-Ir合金、Re-Ru-Pt合金、Re-Ir-Pt合金、Ru-Ir-Pt合金、Re-Ru-Ir-Pt合金)，當作阻障層130、132為佳。
此時，如第6圖所示般，即使以阻障132、130覆蓋連接端子110及/或應力緩和構件116之全表面亦可，此時可以更有效果防止因鈷及鎳之擴散所產生之脆金屬化合物之產生。
如此一來，在應力緩和構件116和連接端子110之對向面，設置阻障層130、132，並且因藉由焊材120接合 應力緩和構件116和連接端子110，故藉由阻障層130、132可以防止連接端子110和供電用連接部114之接合部中之金屬元素，尤其隨著鈷及鎳之熱擴散之接合強度之下降。在所例示之實施形態中，於應力緩和構件116及連接端子110之兩對向面，雖然各設置有阻障層130、132，但是即使僅設置阻障層132。此時，使焊材120不含Ni。
[第3實施形態]
接著，針對本發明之載置台構造之第3實施形態予以說明。第7圖為本發明所涉及之載置台構造之第3實施形態之重要部位放大剖面圖。並且，在第7圖中，針對與第2圖至第6圖所示之部分相同之構成部分，賦予相同符號，省略其說明。於先前之第1實施形態之時，雖然自應力緩和構件116之材料中，排除鈷及鎳，但是在該第3實施形態中，當作連接端子110之材料使用鈷及鎳熱擴散而不溶解之材料。
具體而言，如第7圖所示般，當作連接端子110之材料，使用具有導電性及耐氧化性之金屬間化合物。經焊材120接合連接端子110和應力緩衝構件116。在此，可以使用MoSi2 或是Maxthal(註冊商標)當作形成連接端子10之金屬間化合物。具體而言可以使用Maxthal312、211當作上述Maxthal。
此時，由上述說明可知，即使使用在第1實施形態所說明之不含有鈷及鎳之應力緩和構件，當作上述應力緩和 構件116亦可，即使使用第16圖之以往構造所說明之含有鈷及/或鎳之應力緩和構件亦可。
如此一來，藉由具有導電性及耐氧化性之金屬間化合物形成連接端子110，因藉由含有Ni、Pd、Ag、Ti中之至少1種的焊材120接合連接端子110和應力緩和構件116，故可以防止連接端子110和供電用連接部114之接合部中之金屬元素，尤其可以防止接合強度隨著鈷及鎳之熱擴散而下降之情形。並且，在上述第1~第3實施形態中，可省略引導構件118。
[第4實施形態]
接著針對本發明之載置台構造之第4實施形態予以說明。第8圖為本發明所涉及載置台構造之第4實施形態之重要部位擴大剖面圖。並且，在第8圖中，針對與第2至第7圖所示之部分相同構造部分賦予相同符號，省略其說明。在先前之第1~第3實施形態之時，雖然設置應力緩和構件116，但是在此不設置該應力緩和構件116，直接連接連接端子110和供電用連接部114。再者，在該第4實施形態中，在連接端子110之與供電用連接部114的對向面設置有阻止鈷及鎳之擴散的阻障層。
具體而言，如第8圖所示般，不設置在先前之實施形態所使用之應力緩和構件116，直接連接例如含有Mo之連接端子110和含有Ni之供電用連接部114。在連接端子110之與供電用連接部114的對向面，設置防止鈷及鎳 擴散之阻障層132，阻止來自供電用連接部114及焊材136之鈷及鎳擴散至連接端子110內。在此，連接端子110和供電用連接部114是藉由含有在例如Ni、Pd、Ag、Ti內中至少1種之焊材136。再者，在此也不設置引導構件118(參照第3圖)。此時，當作連接端子110之材料，即使如第3圖所示之第1實施形態中所說明般含有Mo之材料亦可，或是即使使用在第7圖所示之第3實施形態中所說明之金屬間化合物亦可。於該實施形態之時，由於不設置含有鈷及/或鎳之應力緩和構件116，故可以排除因鈷及/或鎳之熱擴散所引起之問題點。在此，可以使用與第2實施形態相同之材料當作阻障層132。
如此一來，在連接端子110之與供電用連接部114的對向面設置有阻障層132，並且因藉由焊材136接合連接端子110和供電用連接部114，故可以藉由阻障層132防止接合強度隨著連接端子110和供電用連接部114之接合部中之金屬元素尤其是鈷及鎳之熱擴散而下降。
[第5實施形態]
自上述第4實施形態之構造省略焊材136，如第9圖所示之第5實施形態所涉及之放大圖般，即使為直接性使連接端子110和供電連接部114機械性接觸之狀態亦可。此時，對棒狀之供電用管線構件1025，藉由由線圈彈簧、彈簧板、螺旋彈簧等所構成之彈發構件138，施予推壓力，安定性確保供電用管線構件102和連接端子110之 電性連接。
於此時，亦可以發揮與上述第4實施形態相同之作用效果，例如可以抑制連接端子110和供電用連接部114之接合部中之金屬元素之熱擴散之產生，並且即使於產生熱擴散，由於機械性接觸亦對電性連接無影響。並且，因不藉由焊材執行接合，故可以緩和因連接端子110和供電用連接部114之間的線膨脹數差。
[第6實施形態]
接著，針對本發明之載置台構造之第6實施形態予以說明。第10圖為本發明所涉及之載置台構造之第6實施形態之重要部位剖面圖。並且，在第10圖中，針對與第2圖至第9圖所示之部分相同構成部分，賦予相同符號，省略其說明。在該第6實施形態中，與第4及第5實施形態相同，不應力緩和構件116，直接性接合連接端子110和供電用連接部114。具體而言，以連接端子110和供電用連接部114，同時具有導電性及耐氧化性之金屬間化合物構成，並且不使用焊材等藉由例如電溶接(點溶接)直接接合，在境界部分形成溶接部140。在此，作為金屬間化合物，可以使用在先前第3實施形態中所說明之MoSi2 或Maxthal。
此時，即使以上述金屬間化合物形成棒狀之供電用管線構件102全體亦可，但是因MoSi2 或Maxthal為高價且比較缺乏韌性，故即使以金屬間化合物僅形成棒狀之供電 用管線構件102之前端部分(含有供電用連接部114)，其他部分以Ni等之耐蝕性金屬形成亦可。
如此一來，由連接端子110和供電用連接部114具有導電性及耐氧化性之金屬間化合物所構成，藉由溶接接合連接端子110和供電用連接部114之接合部中之金屬元素，尤其可以防止接合強度隨著鈷及鎳之熱擴散而下降。
[第7實施形態]
接著，針對本發明之載置台構造之第7實施形態予以說明。第11圖為本發明所涉及之載置台構造之第7實施形態之重要部位放大剖面圖。在第11圖中，針對與第2圖至第10圖所示之部分相同之構成部分，賦予相同符號，省略其說明。在該第7實施形態中，與先前之第4至第6實施形態相同不設置應力緩和構件116，連接端子110使用導電性及耐氧化性之金屬間化合物。即是，與由第7圖所示之第3實施形態之構成省略應力緩和構件116之構造相同。
具體而言，如第11圖所示般，使用金屬間化合物當作連接端子110，該連接端子110和供電連接部114藉由焊材136接合。在此，焊材136包含Ni、Pd、Ag、Ti中之至少1種。可以使用與第7圖所示之第3實施形態及第10圖所示之第6實施形態中所說明相同之材料，即是可以使用MoSi2 或Maxthal。此時，即使供電用連接部114與以往構造相同藉由Ni形成亦可，藉由金屬間化合物形 成亦可。
如此一來，連接端子110由具有導電性及耐氧化性之金屬間化合物所構成，因藉由焊材136接合連接端子110和供電用連接部114，故可以防止接合強度隨著連接端子110和供電用連接部114之接合部中之金屬元素，尤其鈷及鎳之熱擴散而下降。
[第8實施形態]
接著，針對本發明之載置台構造之第8實施形態予以說明。第12圖為本發明所涉及之載置台構造之第8實施形態之重要部位放大剖面圖，第13圖為第8實施形態之載置台構造之分解狀態的部分放大剖面圖。
於該第8實施形態之時，不使用應力緩和構件，並且藉由焊材接合兩者。具體而言，如第12圖及第13圖所示般，在此作為連接端子110和供電用連接部114之材料，使用高熔點金屬。在供電用連接部114形成內螺紋150，並且在對應於此之供電用管線構件102之上端部形成有外螺紋152，藉由螺合使兩者連結。藉由焊材154接合供電用連接部114之上端部和連接端子110。
此時，作為上述焊材154，使用由Au(金)所構成之Au焊材、由Ag(銀)和Ti(鈦)所構成之Ag-Ti焊材所構成之群中選擇出之1種焊材即可。在此，Au焊材是Au為100%左右。Ag-Ti焊材是Ti含有量為10wt%，該Ti發揮活性劑之功能。
在此，為了抑制金屬原子之熱擴散，以使用由純Au所構成之Au焊材為最佳，如後述般，於使用該Au焊材之時，因不使用成為擴散成分之Ni，故可以提高拉力，並且可以降低維氏硬度(Vickers diamond)縮小脆性。
為了組裝該載置台構造，螺合供電用連接部114之內螺紋150和供電用管線構件102之外螺紋152而連結兩者之後，可以藉由焊材154接合該供電用連接部114和連接端子110。或者，於藉由焊材154接合供電用連接部114和連接端子110之後，即使使供電用管線構件102之外螺紋152螺合於供電用連接部114之內螺紋而連結兩者亦可。
在本實施形態中，因連接端子和供電用連接部之連接部不使用以不使用容易熱擴散之Fe、Ni、Co等成為簡單構造，故可以抑制脆金屬間化合物產生，可以高維持接合強度。在此，雖然使用Mo當作高熔點金屬，但並不限定於此，可以使用由鉬(Mo)、鉬合金(Mo合金)、鎢(W)及鎢合金(W合金)所構成之群中所選擇出之1種以上之材料。
如此一來，連接端子110和供電用連接部114皆由高熔點金屬所構成，因藉由焊材154接合連接端子110和供電用連接部114，故可以防止連接端子110和供電用連接部114之接合部中之金屬元素之熱擴散產生，防止接合強度惡化。再者，上述般之連接構造即使在其他供電用管線構件98、100中也同樣採用。
接著，針對本發明之實施形態所涉及之載置台構造及 以往之載置台構造，執行接合部之維氏硬度(Vickers diamond)及拉力強度之試驗，故針對其結果予以說明。以本發明之實施形態而言，在第12圖所示之構造中，連接端子110及供電用連接部114之材料皆使用Mo，使用兩種類之焊材，即是Au焊材(純Au)及Ag-Ti焊材(含有10wt%的Ti)之接合構造。再者，以比較例而言，在第15圖所示之以往構造中，使Ni之供電用連接部26和Mo之連接端子22之間存在科伐合金之應力緩和構件28而作成以焊材30、32接合的接合構造。
針對接合部之維氏硬度，以往構造之時，為700~800[Hv]，硬度相當高為較脆狀態。對此，本發明之實施形態所涉及之構造之時，確認出於使用Au焊材之時為66[Hv]，於使用Au-Ti焊材之時為578[Hv]，兩者中之任一者時皆可以較以往構造縮小維氏硬度，減輕脆度。尤其，可以確認出於Au焊材之時，相對於以往構造，維氏硬度為1/10以下，可以大幅度改善脆性。
再者，接合部之抗張拉荷重是以往之構造時為100[kgf]。對此，本發明之實施形態所涉及之構造之時，確認出Au焊材之時為200~250[kgf]，Ag-Ti焊材之時為140[kgf]，兩者中之任一者皆提升拉力強度，尤其，確認出於Au焊材之時，可以提升較以往構造之時兩倍以上之拉力強度。
如同上述般在第1~第8實施形態中所說明之構造於其他供電用管線構件98、100之上端部之連接部也同樣適 用。並且，在第4~第7實施形態中，雖然不設置引導構件118，但是即使設置引導構件118當然亦可。
再者，在第1~第8實施形態中，於使用焊材120、122、124、136之時，藉由該焊材所接合之各構件即是連接端子110、供電用連接部114、應力緩和構件116之各表面，事先形成與接合所使用之焊材相同之材料的金屬膜即可。可以使電鍍處理、濺鍍處理、CVD成膜處理等當作該金屬膜之形成方法。事先形成如此金屬膜則如下述般。即是，以高溫度使用之焊材當然是熔點高，硬焊中之流動性差。因此，在硬焊部容易產生巢穴。
並且，本發明之一個特徵也有不含脆化原因之元素的焊材之流動性低於以往之焊材。但是，若在被硬焊之構件之雙方，或是兩者中之一方表面，事先藉由電鍍處理等形成與焊材相同材料之金屬膜時，則可以理想性改善相對於焊材之濕潤性。若濕潤性為良好，即使為流動性差之焊材，亦容易浸透至狹窄空隙，可以抑制如上述般之巢穴產生。並且，因在硬焊構件之雙方表面形成有上述金屬膜之時，可擴散接合，故可以將接合溫度抑制成低。
在上述實施形態中，雖然也持有當作用以將高頻施加至靜電夾具用之電極的下部電極的任務，但是即使使靜電夾具用之電極和下部電極當作個別構件亦可。再者，在上述實施形態中，電漿處理裝置雖然為平行平板型之電漿處理裝置，但是並不限定於此，可以設為使用高頻或微波之任意形式之電漿處理裝置。
藉由本發明之載置台構造，也可以適用於不使用電漿之處理裝置，例如熱CVD成膜裝置、熱氧化裝置、退火裝置、改質裝置等，於此時，不設置靜電夾具及下部電極。再者，在上述實施形態中，被處理體雖然為半導體晶圓，但是並不限定於此，即使為玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等之其他種類之基板亦可。
2‧‧‧處理容器
4‧‧‧載置台構造
6‧‧‧噴淋頭
6a‧‧‧氣體噴射孔
8‧‧‧高頻電源
10‧‧‧排氣口
12‧‧‧載置台本體
14‧‧‧支柱
16‧‧‧電極
18‧‧‧供電棒
20‧‧‧電源
22‧‧‧連接端子
24‧‧‧連接孔
26‧‧‧供電用連接部
28‧‧‧應力緩和構件
30、32‧‧‧焊材
34‧‧‧引導構件
36‧‧‧Co元素
40‧‧‧電漿處理裝置
42‧‧‧處理容器
44‧‧‧排氣空間
46‧‧‧有底圓筒體
48‧‧‧排氣口
50‧‧‧排氣管
52‧‧‧搬出搬入口
56‧‧‧絕緣構件
58‧‧‧噴淋頭
60‧‧‧密封構件
62‧‧‧氣體導入口
64‧‧‧氣體噴射孔
66‧‧‧匹配電路
68‧‧‧高頻電源
70‧‧‧載置台構造
71‧‧‧支柱
72‧‧‧載置台本體
74‧‧‧升降銷機構
76‧‧‧升降銷
78‧‧‧插銷基座板
80‧‧‧升降桿
82‧‧‧致動器
84‧‧‧伸縮管
86‧‧‧插銷插通孔
88‧‧‧密封構件
90‧‧‧開口
94‧‧‧夾具電極
96‧‧‧加熱器部
98‧‧‧供電用管線構件
100‧‧‧供電用管線構件
102‧‧‧供電用管線構件
104‧‧‧直流電源
106‧‧‧高頻電源
108‧‧‧加熱器電源
110‧‧‧連接端子
112‧‧‧連接孔
114‧‧‧供電用連接部
116‧‧‧應力緩和構件
118‧‧‧引導構件
120‧‧‧焊材
122‧‧‧焊材
124‧‧‧焊材
128‧‧‧氣體供給部
130‧‧‧阻障層
132‧‧‧阻障層
136‧‧‧焊材
138‧‧‧彈發構件
140‧‧‧溶接部
150‧‧‧內螺紋
152‧‧‧外螺紋
154‧‧‧焊材
第1圖為表示本發明所涉及之處理裝置之構成圖。
第2圖為表示處理裝置所使用之本發明所涉及之載置台構造之部分剖面圖。
第3圖為表示載置台構造之第1實施形態之部分放大剖面圖。
第4圖表示載置台構造之分解狀態之部分放大剖面圖。
第5圖為本發明所涉及之載置台構造之第2實施形態之重要部位大剖面圖。
第6圖為表示載置台構造之第2實施形態中之應力緩和構件和連接端子之變形例。
第7圖為本發明所涉及之載置台構造之第3實施形態之重要部位放大剖面圖。
第8圖為本發明所涉及之載置台構造之第4實施形態之重要部位放大剖面圖。
第9圖為本發明所涉及之載置台構造之第5實施形態 之重要部位放大剖面圖。
第10圖為本發明所涉及之載置台構造之第6實施形態之重要部位放大剖面圖。
第11圖為本發明所涉及之載置台構造之第7實施形態之重要部位放大剖面圖。
第12圖為表示本發明所涉及之載置台構造之第8實施形態之重要部位放大剖面圖。
第13圖為表示第8實施形態之載置台構造之分解狀態的部分放大剖面圖。
第14圖為表示使用以往之一般性電漿之處理裝置的概略構成圖。
第15圖為表示載置台構造之供電部之放大剖面圖。
第16圖為表示第15圖中之B部之電子顯微鏡照片之圖式。
72‧‧‧載置台本體
96‧‧‧加熱器部
102‧‧‧供電用管線構件
110‧‧‧連接端子
112‧‧‧連接孔
114‧‧‧供電用連接部
116‧‧‧應力緩和構件
118‧‧‧引導構件
120‧‧‧焊材
122‧‧‧焊材
124‧‧‧焊材

Claims (16)

  1. 一種載置台構造，具有：載置台本體，其係屬於陶瓷製之載置台本體，於上述載置台本體之內部埋設有被供電導體部，並且在上述載置台本體表面形成有凹部形態之連接孔，於上述連接孔內露出電性接合於上述被供電導體部之由高熔點金屬、其合金或是其化合物所構成之連接端子；供電用管線構件，其係為了對上述被供電導體部執行供電，具有前端被插入至上述連接孔內之供電用連接部；由導電性材料所構成之應力緩和構件，介存於上述連接端子和上述供電用連接部之間，用以緩和應力；和支柱，其係用以支撐上述載置台本體，該載置台構造之特徵為：上述應力緩和構件係由從不含鈷及鎳之Fe-Pd合金、Zr-Nb-Fe合金、Cr-Fe-Sn合金、Fe-B非晶質合金構成之群中選擇出之1種以上之材料所構成，上述應力緩和構件和上述連接端子係藉由不含鎳的焊材而接合。
  2. 一種載置台構造，具有：載置台本體，其係屬於陶瓷製之載置台本體，於上述載置台本體之內部埋設有被供電導體部，並且在上述載置台本體表面形成有凹部形態之連接孔，於上述連接孔內露出電性接合於上述被供電導體部之由高熔點金屬、其合金或是其化合物所構成之連接端子；供電用管線構件，其係為了對上述被供電導體部執行 供電，具有前端被插入至上述連接孔內之供電用連接部；由導電性材料所構成之應力緩和構件，其係介存於上述連接端子和上述供電用連接部之間，用以緩和應力；和支柱，其係用以支撐上述載置台本體，該載置台構造之特徵為：在上述應力緩和構件和上述連接端子之對向面內之至少任一方之面，設置由從金屬氮化物、金屬矽化物構成之群中選擇出之1種以上之材料所構成之阻障層，並且上述應力緩和構件和上述連接端子係藉由不含鎳的焊材而接合。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之載置台構造，其中，在上述應力緩和構件之全表面及/或上述連接端子之全表面，分別設置有阻障層。
  4. 如申請專利範圍第2項所記載之載置台構造，其中，上述阻障層係由從Re、鉑族金屬、金屬氮化物、金屬矽化物構成之群中選擇出之1種以上之材料所構成。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之載置台構造，其中，上述供電用連接部和上述應力緩和構件之外周，係藉由筒體狀之引導構件包圍。
  6. 一種載置台構造，具有：載置台本體，其係屬於陶瓷製之載置台本體，於上述載置台本體之內部埋設有被供電導體部，並且在上述載置台本體表面形成有凹部形態之連接孔，於上述連接孔內露出電性接合於上述被供電導體部之由高熔點金屬、其合金 或是其化合物所構成之連接端子；供電用管線構件，其係為了對上述被供電導體部執行供電，具有前端被插入至上述連接孔內之供電用連接部；由導電性材料所構成之應力緩和構件，其係介存於上述連接端子和上述供電用連接部之間，用以緩和應力；和支柱，其係用以支撐上述載置台本體，該載置台構造之特徵為：上述連接端子係藉由由MoSi2 或是Maxthal(註冊商標)所構成的具有導電性及耐氧化性之金屬間化合物而形成，上述連接端子和上述應力緩和構件係藉由焊材而接合。
  7. 一種載置台構造，具有：載置台本體，其係屬於陶瓷製之載置台本體，於上述載置台本體之內部埋設有被供電導體部，並且在上述載置台本體表面形成有凹部形態之連接孔，於上述連接孔內露出電性接合於上述被供電導體部之由高熔點金屬、其合金或是其化合物所構成之連接端子；供電用管線構件，其係為了對上述被供電導體部執行供電，具有前端被插入至上述連接孔內之供電用連接部；和支柱，其係用以支撐上述載置台本體，該載置台機構之特徵為：在上述連接端子之與上述供電用連接部的對向面，為了阻止鈷及鎳之擴散，設置由從金屬氮化物、金屬矽化物構成之群中選擇出之1種以上之材料所構成之阻障層，並 且藉由焊材接合上述連接端子和上述供電用連接部。
  8. 一種載置台構造，具有：載置台本體，其係屬於陶瓷製之載置台本體，於上述載置台本體之內部埋設有被供電導體部，並且在上述載置台本體表面形成有凹部形態之連接孔，於上述連接孔內露出電性接合於上述被供電導體部之由高熔點金屬、其合金或是其化合物所構成之連接端子；供電用管線構件，其係為了對上述被供電導體部執行供電，具有前端被插入至上述連接孔內之供電用連接部；和支柱，其係用以支撐上述載置台本體，該載置台構造之特徵為：上述連接端子係藉由具有導電性且存在耐氧化性之由MoSi2 或是Maxthal(註冊商標)所構成的金屬間化合物而形成，上述連接端子和上述供電用連接部係藉由焊材而接合。
  9. 一種載置台構造，具有：載置台本體，其係屬於陶瓷製之載置台本體，於上述載置台本體之內部埋設有被供電導體部，並且在上述載置台本體表面形成有凹部形態之連接孔，於上述連接孔內露出電性接合於上述被供電導體部之連接端子；供電用管線構件，其係為了對上述被供電導體部執行供電，具有前端被插入至上述連接孔內之供電用連接部；和 支柱，其係用以支撐上述載置台本體，該載置台構造之特徵為：在上述供電用連接部形成有內螺紋，對應此在上述供電用管線構件之上端部形成有外螺紋，藉由螺合上述內螺紋和上述外螺紋，連結上述供電用連接部和上述供電用管線構件，上述連接端子和上述供電用連接部皆由高熔點金屬所構成，上述連接端子和上述供電用連接部係藉由從由Au所構成之Au焊材，及由Ag和Ti所構成之Ag-Ti焊材構成之群中選擇出之1種焊材而接合。
  10. 如申請專利範圍第9項所記載之載置台構造，其中，上述高熔點金屬為由鉬(Mo)、鉬合金(Mo合金)、鎢(W)及鎢合金(W合金)構成之群中選擇出之1種以上之材料。
  11. 如申請專利範圍第1至10項中之任一項所記載之載置台構造，其中，上述被供電導體部為屬於發熱體之加熱器部。
  12. 如申請專利範圍第1至10項中之任一項所記載之載置台構造，其中，上述被供電導體部為靜電夾具之夾具電極。
  13. 如申請專利範圍第1至10項中之任一項所記載之載置台構造，其中，上述被供電導體部為相對於高頻電力之下部電極。
  14. 如申請專利範圍第1至10項中之任一項所記載之載置台構造，其中，藉由上述焊材所接合之各構件表面， 事先形成有與上述焊材相同之材料之金屬膜。
  15. 一種處理裝置，用以對被處理體施予處理，該處理裝置之特徵為：具備有被設成可排氣之處理容器；為了載置被處理體，被設置在上述處理容器內之如申請專利範圍第1至10項中之任一項所記載之載置台構造；和將氣體導入至上述處理容器內之氣體導入手段。
  16. 如申請專利範圍第15項所記載之處理裝置，其中，構成朝上述載置台構造內供給惰性氣體。
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