TWI445218B - Light emitting diode package and manufacturing method thereof - Google Patents

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TWI445218B
TWI445218B TW099120114A TW99120114A TWI445218B TW I445218 B TWI445218 B TW I445218B TW 099120114 A TW099120114 A TW 099120114A TW 99120114 A TW99120114 A TW 99120114A TW I445218 B TWI445218 B TW I445218B
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diode package
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TW099120114A
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Satoshi Shimizu
Kazuhisa Iwashita
Teruo Takeuchi
Tetsuro Komatsu
Hiroaki Oshio
Tatsuo Tonedachi
Naoya Ushiyama
Kazuhiro Inoue
Gen Watari
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Toshiba Kk
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Description

發光二極體封裝及其製造方法
本發明之實施形態係有關LED(Light Emitting Diode：發光二極體)封裝及其製造方法。
CROSS-REFERENCE TO RELATED APPLICATIONS
This application is based upon and claims the benefit of priority from the prior Japanese Patent Application No‧2010-19768，filed on Jan uary 29，2010；the entire contents of which are incorporated herein by reference‧
以往，在搭載發光二極體晶片之發光二極體封裝中，將控制配光性，提昇來自發光二極體封裝的光之取出效率為目的，設置白色樹脂所成之碗狀的外圍器，於外圍器的底面上搭載發光二極體晶片，於外圍器的內部封入透明樹脂而埋入發光二極體晶片。並且，外圍器係多為經由聚醯胺系之熱可塑性樹脂加以形成。
但近年，伴隨發光二極體封裝的適用範圍之擴大，對於發光二極體封裝而言，要求更高耐久性。另一方面，伴隨發光二極體晶片之高輸出化，自發光二極體晶片所放射的光及熱則增加，而容易發展成封閉發光二極體晶片之樹脂部分的劣化。另外，伴隨發光二極體封裝的適用範圍的擴大，要求更一層成本之降低。
本發明之實施形態的目的係提供耐久性高，成本低之發光二極體封裝及其製造方法。
有關本發明之一形態的發光二極體封裝係具備：配置於同一平面上，相互隔離之第1及第2之引線框，和設置於前述第1及第2之引線框上方，一方的端子則連接於前述第1之引線框，而另一方的端子則連接於前述第2之引線框的發光二極體晶片，和樹脂體。前述樹脂體係被覆前述發光二極體晶片，被覆前述第1及第2之引線框的各上面，下面之一部分及端面的一部分，使前述下面的殘留部及前述端面的殘留部露出。
有關本發明之一形態的發光二極體封裝係具備：於上面形成第1及第2的溝之第1之引線框，和從前述第1之引線框隔離加以配置之第2之引線框，和搭載於前述第1之引線框，相互不同地配列於前述第1的溝與前述第2的溝之間的範圍，於各上面設置一對的端子之第1~第4之發光二極體晶片，和搭載於前述第2之引線框，下面端子則接合於前述第2之引線框的稽納二極體晶片，和一端則從在前述第1之引線框上面的前述第1的溝而視，接合於搭載有前述第1~第4之發光二極體晶片的範圍之相反側的範圍，另一端則接合於前述第1之發光二極體晶片之一方的前述端子之第1之導線，和一端則接合於前述第1之發光二極體晶片之另一方的前述端子，另一端則接合於前述第2之發光二極體晶片之一方的前述端子之第2之導線，和一端則接合於前述第2之發光二極體晶片之另一方的前述端子，另一端則接合於前述第3之發光二極體晶片之一方的前述端子之第3之導線，和一端則接合於前述第3之發光二極體晶片之另一方的前述端子，另一端則接合於前述第4之發光二極體晶片之一方的前述端子之第4之導線，和一端則接合於前述第4之發光二極體晶片之另一方的前述端子，另一端則接合於前述第2之引線框之第5之導線，和一端則從在前述第1之引線框上面的前述第2的溝而視，接合於搭載有前述第1~第4之發光二極體晶片的範圍之相反側的範圍，另一端則接合於前述稽納二極體晶片之上面端子之第6之導線，和被覆前述第1~第4之發光二極體晶片，前述稽納二極體晶片及前述第1~第6之導線，被覆前述第1及第2之引線框之各上面，下面之一部分及端面之一部分，使前述下面的殘留部及前述端面的殘留部露出之樹脂體。
有關本發明之其他之一形態的發光二極體封裝之製造方法係具備：經由從導電性材料所成之導電薄片選擇性地除去前述導電性材料之時，複數之元件範圍則配列成矩陣狀，在各前述元件範圍係形成有含有相互隔離之第1及第2之引線框的基本圖案，在前述元件範圍間之切割範圍係形成前述導電性材料則呈連繫鄰接之前述元件範圍間地殘留之引線框薄片之工程，和於前述引線框薄片上，於各元件範圍搭載發光二極體晶片之同時，將前述發光二極體晶片之一方的端子連接於前述第1之引線框，將另一方的端子連接於前述第2之引線框的工程，和於前述引線框薄片上，於前述引線框薄片之前述元件範圍上面，及被覆下面之一部分，形成埋入前述發光二極體晶片之樹脂板的工程，和除去配置於前述引線框薄片及在前述樹脂板之前述切割範圍的部分之工程。
以下，參照圖面之同時，對於本發明之實施形態加以說明。
首先，對於本發明之第1實施形態加以說明。
圖1係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的斜視圖，圖2(a)係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的剖面圖，(b)係例示引線框的平面圖。
如圖1及圖2所示，在有關本實施形態之發光二極體封裝1，係設置有一對之引線框11及12。引線框11及12的形狀係平板狀，配置於同一平面上，相互隔離。引線框11及12係由相同的導電性材料所成，例如，於銅板的上面及下面形成銀電鍍層而加以構成。然而，對於引線框11及12之端面上係未形成有銀電鍍層而露出有銅板。
以下，在本說明書中，在說明的方便上，導入XYZ垂直交叉座標系統。對於引線框11及12之上面而言，在平行方向之中從引線框11朝引線框12之方向，作為+X方向，對於引線框11及12之上面而言，在垂直方向之中從上方，即從引線框而視，搭載有後述發光二極體晶片14之方向，作為+Z方向，對於+X方向及+Z方向的雙方而言垂直交叉之方向之中一方，作為+Y方向。然而，將+X方向，+Y方向及+Z方向的相反方向，各作為-X方向，-Y方向及-Z方向。另外，例如，亦有總稱「+X方向」及「-X方向」而單稱作「X方向」。
在引線框11係從Z方向而視，設置有1個矩形的基底部11a，從其基底部11a延伸出有4支吊銷11b，11c，11d，11e。吊銷11b係從基底部11a之+Y方向的端緣之X方向中央部，朝向+Y方向而延伸出。吊銷11c係從基底部11a之-Y方向的端緣之X方向中央部，朝向-Y方向而延伸出。在X方向之吊銷11b及11c的位置係相互同一。吊銷11d及11e係從基底部11a之-X方向的端緣之兩端部，朝向-X方向而延伸出。如此，吊銷11b~11e係從基底部11a之相互不同之3邊各延伸出。
引線框12係與引線框11作比較，X方向的長度為短，Y方向的長度係為相同。在引線框12係從Z方向而視，設置有1個矩形的基底部12a，從其基底部12a延伸出有4支吊銷12b，12c，12d，12e。吊銷12b係從朝向基底部12a之+Y方向的端緣之-X方向側的端部，朝向+Y方向而延伸出。吊銷12c係從朝向基底部12a之-Y方向的端緣之-X方向側的端部，朝向-Y方向而延伸出。吊銷12d及12e係從朝向基底部12a之+X方向的端緣的兩端部，朝向+X方向而延伸出。如此，吊銷12b~12e係從基底部12a之相互不同之3邊各延伸出。引線框11之吊銷11d及11e之寬度係亦可與在引線框12之吊銷12d及12e之寬度相同，而不同亦可。但如將吊銷11d及11e之寬度與吊銷12d及12e之寬度作為不同，陽極與陰極的判別則變為容易。
對於在引線框11之下面11f的基底部11a之X方向中央部係形成有凸部11g。因此，引線框11的厚度係得到2水準的值，基底部11a之X方向中央部，即形成有凸部11g之部分係相對為厚，基底部11a之X方向兩端部及吊銷11b~11e係相對為薄。在圖2(b)係作為薄板部11t而顯示未形成有在基底部11a之凸部11g的部分。同樣地，對於在引線框12之下面12f的基底部12a之X方向中央部係形成有凸部12g。由此，引線框12的厚度亦得到2水準的值，基底部12a之X方向中央部係因形成有凸部12g之部分之故而相對為厚，基底部12a之X方向兩端部及吊銷12b~12e係相對為薄。在圖2(b)係作為薄板部12t而顯示未形成有在基底部12a之凸部12g的部分。換言之，對於基底部11a及12a之X方向兩端部下方，係各沿著基底部11a及12a之端緣，形成延伸於Y方向之缺口。然而，在圖2(b)中，在引線框11及12之相對為薄之部分，即各薄板部及各吊銷係附上虛線之陰影而顯示。
凸部11g及12g係形成於從在引線框11及12之相互對象之端緣隔離之範圍，含有此等端緣之範圍係成為薄板部11t及12t。引線框11之上面11h與引線框12之上面12h係位於同一平面上，引線框11之凸部11g之下面與引線框12之凸部12g之下面係位於同一平面上。在Z方向之各吊銷之上面的位置係與引線框11及12之上面的位置一致。隨之，各吊銷係配置於同一之XY平面上。
對於引線框11之上面11h之中，相當於基底部11a之範圍的一部分係被覆晶粒安裝材13。在本實施形態中，晶粒安裝材13係可為導電性，而亦可為絕緣性。晶粒安裝材13為導電性之情況，晶粒安裝材13係例如，經由銀電糊，焊料或共晶焊料等所形成。晶粒安裝材13為絕緣性之情況係晶粒安裝材13係例如，經由透明樹脂電糊所形成。
對於晶粒安裝材13上係設置有發光二極體晶片14。即，晶粒安裝材則經由將發光二極體晶片14固定安裝於引線框11之時，搭載發光二極體晶片14於引線框11。發光二極體晶片14係例如為於藍寶石基板上，層積氮化鎵(GaN)等所成之半導體層的構成，其形狀係例如為長方體，於其上面設置端子14a及14b。發光二極體晶片14係經由供給電壓至端子14a與端子14b之間之時，例如射出藍色的光。
對於發光二極體晶片14之端子14a係接合導線15之一端。導線15係從端子14a導出於+Z方向(正上方向)，朝-X方向與-Z方向之間的方向而彎曲，導線15之另一端係接合於引線框11之上面11h。由此，端子14a係藉由導線15而連接於引線框11。另一方面，端子14b係接合導線16之一端。導線16係從端子14b導出於+Z方向，朝+X方向與-Z方向之間的方向而彎曲，導線16之另一端係接合於引線框12之上面12h。由此，端子14b係藉由導線16而連接於引線框12。導線15及16係經由金屬，例如金或銀所形成。
另外，對於發光二極體封裝1係設置有透明樹脂體17。透明樹脂體17係經由透明之樹脂，例如矽樹脂所形成。然而，對於「透明」係亦包含半透明。透明樹脂體17之外形係長方體，埋入引線框11及12，晶粒安裝材13，發光二極體晶片14，導線15及16，透明樹脂體17之外形則成為發光二極體封裝1的外形。引線框11之一部分及引線框12之一部分係在透明樹脂體17之下面及側面而露出。即，透明樹脂體17係被覆發光二極體晶片14，被覆引線框11及12之各上面，下面之一部分及端面之一部分，使下面之殘留部及端面之殘留部露出。然而，在本說明書中，「覆蓋」係指包含接觸於被覆覆蓋物之構成之情況與未接觸之情況的雙方之概念。
對於更詳細，引線框11之下面11f之中，凸部11g之下面係在透明樹脂體17之面而露出，吊銷11b~11e之前端面係在透明樹脂體17之側面而露出。另一方面，引線框11之上面11h的全體，下面11f之中凸部11g以外之範圍，即各吊銷及薄板部的下面，凸部11g之側面，基底部11a的端面係經由透明樹脂體17加以被覆。同樣地，引線框12之凸部12g的下面係在透明樹脂體17之下面露出，吊銷12b~12e之前端面係在透明樹脂體17之側面露出，上面12h的全體，下面12f之中凸部12g以外之範圍，即各吊銷及薄板部的下面，凸部12g之側面，基底部12a的端面係經由透明樹脂體17加以被覆。在發光二極體封裝1中，係在透明樹脂體17之下面露出的凸部11g及12g之下面則成為外部電極墊片。如此，從上方而視，透明樹脂體17之形狀係矩形，上述之複數支的吊銷之前端面係露出於透明樹脂體17之相互不同之3個側面。
對於透明樹脂體17之內部係分散有多數之螢光體18。各螢光體18係為粒狀，吸收自發光二極體晶片14所射出的光，發光成波長更長的光。例如，螢光體18係吸收自發光二極體晶片14所射出的藍色光的一部分，發光成黃色光。由此，從發光二極體封裝1係發光二極體晶片14所射出，未由螢光體18所吸收的藍色光，和從螢光體18所發光的黃色光則加以射出，而射出光係作為全體成為白色。然而，圖示之方便上，在圖1及圖3以後的圖中，未顯示螢光體18。另外，在圖2中，將螢光體18，較實際大且少地加以顯示。
作為如此之螢光體18係例如，可使用發光成黃綠色，黃色或橘色的光之矽酸鹽系的螢光體。矽酸鹽系的螢光體係可由以下的一般式而顯示。
(2-x-y)SrO‧x(Bau, Cav )O‧(1-a-b-c-d)SiO2 ‧aP2 O5 bAl2 O3 cB2 O3 dGeO2 ：yEu2+
但，0＜x，0.005＜y＜0.5，x+y≦1.6，0≦a，b，c，d＜0.5，0＜u，0＜v，u+v=1。
另外，作為黃色螢光體，亦可使用YAG系的螢光體。YAG系的螢光體係可由以下的一般式而顯示。
(RE1-x Smx )3 (Aly Ga1-y )5 O12 :Ce
但，0≦x＜1，0≦y≦1，RE係選自Y及Gd之至少一種元素。
或者，作為螢光體18，亦可混合矽鋁氧氮聚合材料之紅色螢光體及綠色螢光體而使用。即螢光體18係可作為吸收自發光二極體晶片14所射出的藍色光而發光成綠色光之綠色螢光體，及吸收藍色光而發光成紅色光之紅色螢光體。
矽鋁氧氮聚合材料之紅色螢光體係例如可由以下的一般式而顯示。
(M1-x, Rx )a1 AlSib1 Oc1 Nd1
但，M係除了Si及Al之至少一種金屬元素，特別是Ca及Sr之至少一方為佳。R係發光中心元素，特別是Eu為佳。x，a1，b1，c1，d1係0＜x≦1，0.6＜a1＜0.95，2＜b1＜3.9，0.25＜c1＜0.45，4＜d1＜5.7。
將如此之矽鋁氧氮聚合材料之紅色螢光體的具體例示於以下。
Sr2 Si7 Al7 ON13 ：Eu2+
矽鋁氧氮聚合材料之綠色螢光體係例如可由以下的一般式而顯示。
(M1-x, Rx )a2 AlSib2 Oc2 Nd2
但，M係除了Si及Al之至少一種金屬元素，特別是Ca及Sr之至少一方為佳。R係發光中心元素，特別是Eu為佳。x，a2，b2，c2，d2係0＜x≦1，0.93＜a2＜1.3，4.0＜b2＜5.8，0.6＜c2＜1，6＜d2＜11。
將如此之矽鋁氧氮聚合材料之綠色螢光體的具體例示於以下。
Sr3 Si13 Al3 O2 N21 ：Eu2+
接著，對於有關本實施形態之發光二極體封裝的製造方法加以說明。
圖3係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的製造方法之流程圖，圖4(a)~(d)，圖5(a)~(c)，圖6(a)及(b)係例示有關本實施形態之發光二極體封裝之製造方法的工程剖面圖，圖7(a)係例示在本實施形態之引線框薄片的平面圖，(b)係例示其引線框薄片之元件範圍的一部分擴大平面圖。
首先，如圖4(a)所示，準備由導電性材料所成之導電薄片21。其導電薄片21係為例如，於長條形之銅板21a的上下面施以鍍銀層21b之構成。接著，於其導電薄片21之上下面上，形成光罩22a及22b。對於光罩22a及22b係選擇性地形成開口部22c。光罩22a及22b係例如可經由印刷法而形成。
接著，經由將被覆光罩22a及22b之導電薄片21浸漬蝕刻液之時，濕蝕刻導電薄片21。由此，導電薄片21之中，蝕刻位置於開口部22c內之部分而加以選擇性除去。此時，經由例如調整浸漬時間而控制蝕刻量，從導電薄片21之上面側及下面側的蝕刻則於各單獨貫通導電薄片21之前，停止蝕刻。由此，從上下面側施以混合蝕刻。但從上面側及下面側雙方加以蝕刻的部分係呈作成為貫通導電薄片21。之後，除去光罩22a及22b。
由此，如圖3及圖4(b)所示，從導電薄片21選擇性地除去銅板21a及鍍銀層21b，形成引線框薄片23。然而，在圖示的方便上，在圖4(b)之後的圖中，未區別銅板21a及鍍銀層21b，而作為引線框薄片23一體地圖示。如圖7(a)所示，在引線框薄片23中，例如設定3個方塊B，對於各方塊B係例如設定有1000個程度之元件範圍P。如圖7(b)所示，元件範圍P係配列成矩陣狀，元件範圍P間係成為格子狀之切割範圍D。在各元件範圍P中，形成有包含相互隔離之引線框11及12的基本圖案。在切割範圍D中，形成導電薄片21之導電性材料則呈連繫鄰接之元件範圍P間地殘留。
即在元件範圍P內中，引線框11與引線框12係相互隔離，但屬於某個元件範圍P之引線框11係從其元件範圍P而視，連結於屬於位於-X方向之旁邊的元件範圍P之引線框12，對於兩框之間，係形成有朝向+X方向之凸字狀的開口部23a。另外，在Y方向屬於鄰接之元件範圍P的引線框11彼此係藉由橋接器23b而加以連結。同樣地，在Y方向屬於鄰接之元件範圍P的引線框12彼此係藉由橋接器23c而加以連結。由此，從引線框11及12之基底部11a及12a，朝向3方向延伸出4支的導電構件。更且，經由混合蝕刻從引線框薄片23的下面側之蝕刻，於引線框11及12之下面，各形成凸部11g及12g(參照圖2)。
接著，如圖3及圖4(c)所示，於引線框薄片23之下面，例如貼上聚醯亞胺所成之補強膠帶24。並且，於屬於引線框薄片23之各元件範圍P的引線框11上，被覆晶粒安裝材13。例如，將電糊狀之晶粒安裝材13，從吐出器吐出於引線框11上，或經由機械性手段而轉印於引線框11上。接著，於晶粒安裝材13上安裝發光二極體晶片14。接著，進行為了燒結晶粒安裝材13之熱處理(裝置乾化)。由此，在引線框薄片23之各元件範圍P，於引線框11上，藉由晶粒安裝材13而搭載發光二極體晶片14。
接著，如圖3及圖4(d)所示，例如經由超音波接合，將導線15之一端接合於發光二極體晶片14之端子14a，將另一端接合於引線框11上面。另外，將導線16之一端接合於發光二極體晶片14之端子14b，將另一端接合於引線框12上面12h。由此，端子14a則藉由導線15而連接於引線框11，端子14b則藉由導線16而連接於引線框12。
接著，如圖3及圖5(a)所示，準備下模具101。下模具101係與後述之上模具102同時構成一組的模具之構成，對於下模具101之上面係形成有長方體形狀之凹部101a。另一方向，於聚矽氧樹脂等之透明樹脂，混合螢光體18(參照圖2)，經由攪拌而調製液狀或半液狀之螢光體含有樹脂材料26。並且，經由分配器103，於下模具101之凹部101a內，供給螢光體含有樹脂材料26。
接著，如圖3及圖5(b)所示，將搭載上述之發光二極體晶片14的引線框薄片23，發光二極體晶片14則呈朝下方地，裝置於上模具102之下面。並且，將上模具102壓合於下模具101，壓制模具。由此，引線框薄片23則加以壓合於螢光體含有樹脂材料26。此時，螢光體含有樹脂材料26係亦侵入於被覆發光二極體晶片14，導線15及16，經由在引線框薄片23之蝕刻所除去之部分內。由如此作為，鑄模螢光體含有樹脂材料26。
接著，如圖3及圖5(c)所示，在於螢光體含有樹脂材料26壓合引線框薄片23之上面的狀態，進行熱處理(鑄模乾化)，使螢光體含有樹脂材料26硬化。之後，如圖6(a)所示，從下模具101分離上模具102。由此，於引線框薄片23上，被覆引線框薄片23之上面全體及下面的一部分，形成埋入發光二極體晶片14等之透明樹脂板29。對於透明樹脂板29係分散螢光體18(參照圖2)。之後，從引線框薄片23剝離補強膠帶24。由此，在透明樹脂板29的表面，露出有引線框11及12之凸部11g及12g(參照圖2)之下面。
接著，如圖3及圖6(b)所示，經由刀片104，將引線框薄片23及透明樹脂板29所成之結合體，從引線框薄片23側進行切割。即從-Z方向側朝向+Z方向進行切割。由此，除去配置於在引線框薄片23及透明樹脂板29之切割範圍D之部分。其結果，配置於在引線框薄片23及透明樹脂板29之元件範圍P之部分則加以個片化，製造圖1及圖2所示之發光二極體封裝1。然而，引線框薄片23及透明樹脂板29所成之結合體係亦可從透明樹脂體29側進行切割。
在切割後之各發光二極體封裝1中，從引線框薄片23分離引線框11及12。另外，分斷透明樹脂板29而成為透明樹脂體17。並且，延伸於在切割範圍D之Y方向的部分則經由通過引線框薄片23之開口部23a之時，於引線框11及12各形成吊銷11d，11e，12d，12e。另外，經由分斷橋接器23b之時，於引線框11形成吊銷11b及11c，經由分斷橋接器23c之時，於引線框12形成吊銷12b及12c。吊銷11b~11e及12b~12e之前端面係在透明樹脂體17的側面而露出。
接著，如圖3所示，在發光二極體封裝1，進行各種測試。此時，亦可作為測試用的端子而使用。？
接著，對於本實施形態之作用效果加以說明。
在有關本實施形態之發光二極體封裝1中，因未設置白色樹脂所成之外圍器之故，外圍器則未有吸收自發光二極體晶片14產生的光及熱而產生劣化。特別是，外圍器則經由聚醯胺系之熱可塑性樹脂所形成之情況係劣化則容易進展，但在本實施形態係未有其顧慮。因此，有關本實施形態之發光二極體封裝1係耐久性高。隨之，有關本實施形態之發光二極體封裝1係壽命長，信賴性高，可適用於廣泛的用途。
另外，在有關本實施形態之發光二極體封裝1中，經由聚矽氧樹脂而形成透明樹脂體17。聚矽氧樹脂係對於光及熱而言之耐久性為高之故，經由此，發光二極體封裝1之耐久性亦提昇。
更且，在有關本實施形態之發光二極體封裝1中，因未設置有被覆透明樹脂體17之側面的外圍器之故，而朝廣角度射出光線。因此，有關本實施形態之發光二極體封裝1係有必須以廣角度射出光之用途，例如在作為照明及液晶電視之背光而使用時為有利。
更且，在有關本實施形態之發光二極體封裝1中，透明樹脂體17則經由被覆引線框11及12之下面之一部分及端面的大部分之時，保持引線框11及12之周邊部。因此，從透明樹脂體17而使引線框11及12之凸部11g及12g之下面露出而實現外部電極墊片同時，可提昇引線框11及12之保持性。即經由於基底部11a及12a之X方向中央部，形成凸部11g及12g之時，於基底部11a及12a之下面的X方向之兩端部，實現缺口。並且，經由於其缺口內環繞有透明樹脂體17之時，可堅固地保持引線框11及12。此時，在切割時，引線框11及12則不易從透明樹脂體17剝離，可提昇發光二極體封裝1之產率。
更且，在有關本實施形態之發光二極體封裝1中，於引線框11及12之上面及下面形成鍍銀層。鍍銀層係因光的反射率為高之故，有關本實施形態之發光二極體封裝1係光的取出效率為高。
更且另外，在本實施形態中，可從1枚的導電性薄片21，一次製造多數，例如數千個程度之發光二極體封裝1。由此，可降低每1個發光二極體封裝之製造成本。另外，因未設置有外圍器之故，構件數及工程數為少，成本為低。
更且另外，在本實施形態中，經由濕蝕刻而形成引線框薄片23。因此，對在製造新的佈局之發光二極體封裝時，只準備光罩的原版即可，與經由藉由模具之衝壓等之方法而形成引線框薄片23之情況作比較，可降低抑制初期成本。
更且另外，在有關本實施形態之發光二極體封裝1中，從引線框11及12之基底部11a及12a，各延伸出有吊銷。由此，防止基底部本身露出在透明樹脂體17之側面，可降低引線框11及12之露出面積。其結果，可防止引線框11及12則從透明樹脂體17剝離。另外，亦可抑制引線框11及12之腐蝕。
從製造方法的點來看其效果時，如圖7(b)所示，在引線框薄片23中，呈介入存在於切割範圍D地，經由設置開口部23a，橋接器23b及23c之時，減少介入存在於切割範圍D之金屬部分。由此，切割則變為容易，可抑制切割刀片的磨耗。另外，在本實施形態中，從各引線框11及12，於3方向延伸出有4支吊銷。由此，如圖4(c)所示之發光二極體晶片14的安裝工程中，引線框11則經由旁邊的元件範圍P之引線框11及12，從3方向確實地加以支持之故，安裝性為高。同樣地，在圖4(d)所示之導線接合工程，導線之接合位置則從3方向確實地加以支持之故，例如施加於超音波接合時之超音波消失情況少，可良好地接合導線於引線框及發光二極體晶片。
更且另外，在本實施形態中，在圖6(b)所示之切割工程中，從引線框薄片23側進行切割。由此，形成引線框11及12之切斷端部之金屬材料則將透明樹脂體17之側面上，延伸於+Z方向。因此，其金屬材料則將透明樹脂體17之側面上，延伸於-Z方向而從發光二極體封裝1之下面突出，未產生有毛邊。隨之，在安裝發光二極體封裝1時，未有因毛邊引起而產生安裝不佳的情況。
接著，對於本實施形態之變形例加以說明。
本變形例係引線框薄片之形成方法的變形例。
即在本變形例中，圖4(a)所示之引線框薄片之形成方法則與前述之第1實施形態不同。
圖8(a)~(h)係例示在本變形例之引線框薄片之形成方法的工程剖面圖。
首先，如圖8(a)所示，準備銅板21a，洗淨此。
接著，如圖8(b)所示，對於銅板21a的兩面而言，施以光阻劑塗布，之後使其乾燥，形成光阻膜111。接著，如圖8(c)所示，於光阻膜111上配置光罩圖案112，照射紫外線而進行曝光。由此，光阻膜111之曝光部份則產生硬化，形成光阻光罩111a。接著，如圖8(d)所示，進行顯像，洗滌在光阻膜111之未硬化部分。由此，於銅板21a之上下面上，殘留有光阻圖案111a。接著，如圖8(e)所示，將光阻圖案111a作為光罩而實施蝕刻，從兩面除去在銅板21a之露出部分。此時，蝕刻深度係作成銅板21a之板厚之一半程度。由此，只從單面側加以蝕刻之範圍係加以混合蝕刻，從兩面側加以蝕刻之範圍係進行貫通。接著，如圖8(f)所示，除去光阻圖案111a。接著，如圖8(g)所示，經由光罩113而被覆銅板21a之端部，實施電鍍。由此，於銅板21之端部以外之部分的表面上，形成鍍銀層21b。接著，如圖8(h)所示，進行洗淨而除去光罩113。之後進行檢查。由如此作為，製作引線框薄片23。在本變形例之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第1實施形態相同。
接著，對於本發明之第2實施形態加以說明。
圖9係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的斜視圖。
圖10係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的側面圖。
如圖9及圖10所示，在有關本實施形態之發光二極體封裝2中，與有關前述第1實施形態之發光二極體封裝1(參照圖1)做比較，引線框11(參照圖1)則在X方向分割成2枚之引線框31及32的點則為不同。引線框32係配置於引線框31與引線框12之間。並且，對於引線框31係形成有相當於引線框11之吊銷11d及11e(參照圖1)之吊銷31d及31e，另外，形成有從基底部31a各延伸出於+Y方向及-Y方向之吊銷31b及31c。在吊銷31b及31c之X方向之位置係相互同一。更且，對於引線框31係接合導線15。另一方面，對於引線框32係形成有相當於引線框11之吊銷11b及11c(參照圖1)之吊銷32b及32c，藉由晶粒安裝材13而搭載發光二極體晶片14。另外，相當於引線框11之凸部11g之凸部係作為凸部31g及32g而分割成引線框31及32而加以形成。
在本實施形態中，引線框31及12係經由從外部施加電位之時，作為外部電極而發揮機能。另一方面，無需對於引線框32施加電位，而可作為散熱板專用之引線框而使用。由此，於搭載複數個之發光二極體封裝2於1個模組之情況，可將引線框32而連接於共通之散熱板。然而，對於引線框32係亦可施加接地電位，亦可作為浮游狀態。另外，在將發光二極體封裝2安裝於母板時，經由於引線框31，32及12各接合焊球之時，可抑制所謂曼哈頓現象。曼哈頓現象係指藉由複數個之焊球等安裝裝置等於基板時，因在迴焊爐之焊球的熔解時間的偏差及焊料的表面張力引起，裝置產生立起之現象，成為安裝不良的原因之現象。如根據本實施形態，經由將引線框的佈局，在X方向作為對稱，將焊球，在X方向緊密地加以配置之時，不易產生曼哈頓現象。
另外，在本實施形態中，引線框31則經由吊銷31b~31e而從3方向加以支持之故，導線15之接合性為良好。同樣地，引線框12則經由吊銷12b~12e而從3方向加以支持之故，導線16之接合性為良好。
如此之發光二極體封裝2係在前述圖4(a)所示之工程中，經由變更引線框薄片23之各元件範圍P的基本圖案之時，可以和前述第1實施形態同樣方法加以製造。即，如根據在前述第1實施形態說明之製造方法，只由變更光罩22a及22b之圖案，可製造各種佈局之發光二極體封裝。在本實施形態之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第1實施形態相同。
接著，對於本發明之第3實施形態加以說明。
圖11係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的斜視圖，圖12係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的剖面圖。
如圖11及圖12所示，在有關本實施形態之發光二極體封裝3中，加上於有關前述第1實施形態之發光二極體封裝1(參照圖1)之構成，設置有稽納二極體晶片36等，連接於引線框11與引線框12之間。即，於引線框12之上面上，被覆有焊料或銀電糊等之導電性材料所成之晶粒安裝材37，並於其上方設置有稽納二極體晶片36。由此，稽納二極體晶片36則藉由晶粒安裝材37而搭載於引線框12上之同時，稽納二極體晶片36之下面端子(無圖示)則藉由晶粒安裝材37而連接於引線框12。另外，稽納二極體晶片36之上面端子36a係藉由導線38而連接於引線框11。即，導線38之一端係連接於稽納二極體晶片36之上面端子36a，導線38係從上面端子36a導出於+Z方向，朝向-Z方向與-X方向之間的方向而彎曲，導線38的另一端係接合於引線框11的上面。
由此，在本實施形態中，可將稽納二極體晶片36，對於發光二極體晶片14而言並聯地加以連接。其結果，對於ESD(Electrostatic Discharge：靜電放電)而言之耐性則提昇。在本實施形態之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第1實施形態相同。
接著，對於本發明之第4實施形態加以說明。
圖13係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的斜視圖，圖14係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的剖面圖。
如圖13及圖14所示，在有關本實施形態之發光二極體封裝4係與有關前述第3實施形態之發光二極體封裝3(參照圖11)做比較，將稽納二極體晶片36搭載於引線框11的點為不同。此情況，稽納二極體晶片36之下面端子係藉由晶粒安裝材37而連接於引線框11，上面端子係藉由導線38而連接於引線框12。在本實施形態之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第3實施形態相同。
接著，對於本發明之第5實施形態加以說明。
圖15係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的斜視圖，圖16係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的剖面圖。
如圖15及圖16所示，在有關本實施形態之發光二極體封裝5係與有關前述第1實施形態之發光二極體封裝1(參照圖1)做比較，取代上面端子型之發光二極體晶片14，而設置上下導通形式之發光二極體晶片41的點則為不同。即，在有關本實施形態之發光二極體封裝5中，於引線框11的上面上，形成有焊料或銀電糊等之導電性材料所成之晶粒安裝材42，藉由晶粒安裝材42而搭載發光二極體晶片41。並且，發光二極體晶片41之下面端子(無圖示)係藉由晶粒安裝材42而連接於引線框11。另一方面，發光二極體晶片41之上面端子41a係藉由導線43而連接於引線框12。
在本實施形態中，經由採用上下導通形式之發光二極體晶片41，將導線的條數作成1條之時，可確實防止導線彼此之接觸同時，可簡略化導線接合工程。在本實施形態之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第1實施形態相同。
接著，對於本發明之第6實施形態加以說明。
圖17係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的斜視圖，圖18係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的剖面圖。
如圖17及圖18所示，在有關本實施形態之發光二極體封裝6係與有關前述第1實施形態之發光二極體封裝1(參照圖1)做比較，取代上面端子型之發光二極體晶片14，而設置倒裝形式之發光二極體晶片46的點則為不同。即在有關本實施形態之發光二極體封裝6中，於發光二極體晶片46之下面，設置有2個端子。另外，發光二極體晶片46係呈跨越引線框11與引線框12地配置成橋接狀。發光二極體晶片46之一方的下面端子係連接於引線框11，而另一方的下面端子係連接於引線框12。
在本實施形態中，經由採用倒裝形式之發光二極體晶片46而取消導線之時，可提昇對於上方之光的取出效率同時，可省略導線接合工程。另外，亦可防止因透明樹脂體17之熱應力而引起導線產生斷裂之情況。在本實施形態之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第1實施形態相同。
接著，對於本發明之第7實施形態加以說明。
圖19係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的斜視圖，圖20係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的剖面圖。
如圖19及圖20所示，在有關本實施形態之發光二極體封裝7中，加上於有關前述第1實施形態之發光二極體封裝1(參照圖1)之構成，於引線框11之上面11h形成有溝51的點則不同。溝51係延伸於Y方向，形成於搭載有在引線框11之上面11h的發光二極體晶片14之範圍，與接合有導線15之範圍之間。即從溝51而視，配置於發光二極體晶片14+X方向側，導線15係接合於-X方向側。溝51係未到達於引線框11之Y方向的兩端部，而亦未將引線框11貫通於厚度方向。溝51係例如在前述圖4(a)及(b)所示的工程中，可經由將導通薄片21從上面側進行混合蝕刻之時而形成。或者，亦可經由藉由模具之衝壓或研削等之機械性的方法而形成。
如根據本實施形態，經由於引線框11之上面形成溝51之時，在前述圖4(c)所示的工程中，在將電糊狀的晶粒安裝材13被覆於引線框11之上面時，晶粒安裝材13的供給量及供給位置即使不均，亦可防止晶粒安裝材13流出至導線15之接合預定範圍。由此，可防止導線15之接合預定範圍則經由晶粒安裝材13而加以污染情況，進而可確實地接合導線15與引線框11。在本實施形態之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第1實施形態相同。
接著，對於第7實施形態之第1變形例加以說明。
圖21係例示有關本變形例之發光二極體封裝的斜視圖。
如圖21所示，有關本變形例之發光二極體封裝7a係與有關前述之第7實施形態之發光二極體封裝7(參照圖19)做比較，取代溝51而形成貫通溝52的點則不同。貫通溝52係將引線框11貫通於厚度方向。在本變形例之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第7實施形態相同。
接著，對於第7實施形態之第2變形例加以說明。
圖22係例示有關本變形例之發光二極體封裝的斜視圖。
如圖22所示，在有關本變形例之發光二極體封裝7b中，加上於有關前述之第3實施形態之發光二極體封裝3(參照圖11)之構成，於引線框11之上面11h形成有溝51及53，於引線框12之上面12h形成有溝54的點則不同。溝51的構成係與前述之第1變形例相同。溝53係延伸於X方向，其-X方向側的端部則與溝51之+Y方向側的端部結合，經由溝51及53而形成1個L字型的溝。溝53係配置於搭載有在引線框11之上面11h的發光二極體晶片14之範圍，與接合有導線38之範圍之間。另一方面，溝53係未到達於引線框11之X方向的兩端部，而亦未將引線框11貫通於厚度方向。另外，溝54係延伸於X方向，形成於搭載有在引線框12之上面12h的稽納二極體晶片36之範圍，與接合有導線16之範圍之間。溝54係未到達於引線框12之X方向的兩端部，而亦未將引線框12貫通於厚度方向。
如根據本變形例，經由於引線框11之上面形成溝51之時，將晶粒安裝材13被覆於引線框11之上面時，晶粒安裝材13的被覆量及被覆位置即使不均，亦可防止晶粒安裝材13流出至導線15之接合預定範圍。另外，經由形成溝53之時，可防止晶粒安裝材13流出至導線38之形成預定範圍。更且，經由於引線框12之上面形成溝54之時，可防止晶粒安裝材37流出至導線16之形成預定範圍。其結果，可確實地接合導線15及38於引線框11之同時，可將導線16確實地接合於引線框12。在本變形例之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第3實施形態相同。
接著，對於第7實施形態之第3變形例加以說明。
圖23係例示有關本變形例之發光二極體封裝的斜視圖。
如圖23所示，有關本變形例之發光二極體封裝7c係與有關前述之第7實施形態之第2變形例之發光二極體封裝7b(參照圖22)做比較，取代溝51，53及54而形成貫通溝52，55及56的點則不同。貫通溝52及55係將引線框11貫通於厚度方向，貫通溝56係將引線框12貫通於厚度方向。在本變形例之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第7實施形態之第2變形例相同。
接著，對於第7實施形態之第4變形例加以說明。
圖24係例示有關本變形例之發光二極體封裝的斜視圖。
如圖24所示，在有關本變形例之發光二極體封裝7d中，加上於有關前述第1實施形態之發光二極體封裝1(參照圖1)之構成，於引線框11之上面11h形成有凹部57的點則不同。凹部57的形狀係從+Z方向而是為矩形狀，於其內部配置有晶粒安裝材13及發光二極體晶片14，於其外部接合有導線15。凹部57係例如在前述圖4(a)及(b)所示的工程中，可經由將導通薄片21從上面側進行混合蝕刻之時而形成。或者，亦可經由藉由模具之衝壓載研削等之機械性的方法而形成。
如根據本變形例，因於凹部57內供給晶粒安裝材13之故，未有晶粒安裝材13洩漏於凹部57之外部。因此，晶粒安裝材13的供給量及供給位置即使不均，亦未有晶粒安裝材13流出至導線15之接合預定範圍，另外也未有從引線框11的端緣落下。在本變形例之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第1實施形態相同。
接著，對於本發明之第8實施形態加以說明。
圖25(a)係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的平面圖，(b)係其剖面圖。
如圖25(a)及(b)所示，有關本實施形態之發光二極體封裝8係與有關前述之第1實施形態的發光二極體封裝1(參照圖1)做比較，發光二極體晶片14則設置複數個，例如8個的點則不同。此等8個發光二極體晶片14係射出相同色的光之相同規格的晶片。
8個發光二極體晶片14係所有搭載於引線框11上，各發光二極體晶片14的端子14a(參照圖1)係藉由導線15而連接於引線框11，各發光二極體晶片14的端子14b(參照圖1)係藉由導線16而連接於引線框12。由此，於引線框11與引線框12之間，8個發光二極體晶片14係則相互並聯地加以連接。另外，8個發光二極體晶片14係沿著X方向配列2個，沿著Y方向配列4個，但並非矩陣狀而相互不同地加以配列。即在配列於+X方向側，沿著Y方向加以配列之4個發光二極體晶片14所成的列之配列的位相，係對於在配列於-X方向側，沿著Y方向加以配列之4個發光二極體晶片14所成的列之配列的位相而言，作成半週期分偏移。
如根據本實施形態，經由於1個發光二極體封裝8，搭載複數個之發光二極體晶片14之時，可得到更大的光量。另外，經由相互不同地配列發光二極體晶片14之時，將發光二極體晶片14之最短距離作成一定值以上同時，可將發光二極體封裝8作為小型化。經由將發光二極體晶片14間之最短距離作成一定值以上之時，從某個發光二極體晶片14所射出的光則在到達至旁邊的發光二極體晶片14之前，由螢光體所吸收的機率變高，光的取出效率則提昇。另外，從某個發光二極體晶片14所放射的熱則不易由旁邊的發光二極體晶片14所吸收，可抑制因發光二極體晶片14的溫度上升而引起之發光效率的下降。在本實施形態之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第1實施形態相同。
接著，對於第8實施形態之第1變形例加以說明。
圖26係例示有關本變形例之發光二極體封裝的斜視圖。
圖27(a)係例示有關本變形例之發光二極體封裝的引線框，發光二極體晶片及導線之平面圖，(b)係例示發光二極體封裝的下面圖，(c)係例示發光二極體封裝的剖面圖。
然而，在圖26中，導線係在圖示中加以省略。
如圖26及圖27(a)~(c)所示，本變形例係組合前述之第2實施形態與第8實施形態的例。即，在有關本變形例之發光二極體封裝8a中，3枚之引線框61，62及63則相互隔離加以設置。在引線框61中，從將長度方向作為Y方向之長條形之基底部61a，於+Y方向延伸出吊銷61b，於-Y方向延伸出吊銷61c，於-X方向延伸出2支之吊銷61d及61e。在引線框62中，從將長度方向作為Y方向之長條形之基底部62a，於+Y方向延伸出2支之吊銷62b及62c，於-Y方向延伸出2支之吊銷62d及62e。引線框63的形狀係略將引線框61在X方向加以反轉之形狀，吊銷63d及63e係較吊銷61d及61e為細。
另外，在發光二極體封裝8a中，發光二極體晶片14則設置複數個，例如8個。在本變形例之發光二極體晶片14之配列狀態係與前述之第8實施形態同樣。即，發光二極體晶片14係沿著Y方向而加以配列4個的列則設置2列，在+X方向側的列與-X方向側的列，係配列的位相則成為半周期分偏移，成為相互不同。各發光二極體晶片14係藉由晶粒安裝材(未圖示)而搭載於引線框62，端子14a(參照圖1)係藉由導線65而連接於引線框61，端子14b(參照圖1)係藉由導線66而連接於引線框63。更且，在透明樹脂體17的下面中，露出有引線框61，62及63之各凸部61g，62g及63g的下面。對此，引線框61，62及63之各薄板部61t，62t及63t的下面係經由透明樹脂體17加以被覆。然而，在圖27(a)中，在引線框61，62及63之相對為薄之部分，即各薄板部及各吊銷係附上虛線之陰影而顯示。
經由本變形例，與前述之第8實施形態同樣地，經由設置8個發光二極體晶片14之時，可得到大的光量。另外，與前述之第2實施形態同樣地，經由設置3枚引線框之時，可得到電性獨立之散熱板同時，可抑制曼哈頓現象。更且，經由相互不同地配列發光二極體晶片14之時，可確保光的發光效率及取出效率的同時，可謀求發光二極體封裝8a之小型化。
以下，舉出具體的數值例，說明其效果。例如，將在發光二極體晶片14之X方向的長度作為0.60mm，將在Y方向之長度作為0.24mm，將在投影8個發光二極體晶片14於XZ平面情況之X方向的發光二極體晶片14間之距離作為0.20mm，將在投影於YZ平面情況之Y方向的發光二極體晶片14間之距離作為0.10mm之情況，如將發光二極體晶片14相互不同地配置，可將8個發光二極體晶片14，配置於在X方向之長度為1.6mm，在Y方向之長度為3.0mm之矩形狀的基底部42a上。此情況，發光二極體晶片14之最短距離係成為√(1.102 +0.202 )≒0.22mm。在本變形例之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第2及第8實施形態相同。
接著，對於第8實施形態之第2變形例加以說明。
圖28係例示有關本變形例之發光二極體封裝的斜視圖。
如圖28所示，有關本變形例之發光二極體封裝8b係與有關前述之第8實施形態的第1變形例之發光二極體封裝8a(參照圖26)做比較，屬於+X方向側的列之各發光二極體晶片14的端子14a則藉由各導線67，連接於屬於-X方向側的列之各發光二極體晶片14的端子14b的點則不同。由此，於引線框11與引線框12之間，2個之發光二極體晶片14則串聯地連接之電路，4條並聯地加以連接。在本變形例之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第8實施形態之第1變形例相同。
接著，對於第8實施形態之第3變形例加以說明。
圖29(a)係例示有關本變形例之發光二極體封裝的平面圖，(b)係其剖面圖。
如圖29(a)及(b)所示，在有關本變形例之發光二極體封裝8c中，加上於有關前述第8實施形態之發光二極體封裝8(參照圖25)之構成，設置有1個稽納二極體晶片36。稽納二極體晶片36係藉由導電性之晶粒安裝材37而搭載於引線框11上。稽納二極體晶片36之下面端子(未圖示)係藉由晶粒安裝材37而連接於引線框11，上面端子係藉由導線38而連接於引線框12。由此，稽納二極體晶片36係於引線框11與引線框12之間，對於8個發光二極體晶片14而言，並聯地加以連接。如根據本變形例，經由設置稽納二極體晶片36之時，可使對於ESD而言之耐性提昇。在本變形例之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第8實施形態相同。
接著，對於第8實施形態之第4變形例加以說明。
圖30(a)係有關本變形例之發光二極體封裝的平面圖，(b)係其剖面圖。
如圖30(a)及(b)所示，有關本變形例之發光二極體封裝8d係與有關前述之第8實施形態的第3變形例之發光二極體封裝8c(參照圖29)做比較，稽納二極體晶片36則搭載於引線框12的點則不同。在本變形例之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第8實施形態之第3變形例相同。
接著，對於第8實施形態之第5變形例加以說明。
圖31(a)係例示有關本變形例之發光二極體封裝的平面圖，(b)係其剖面圖。
如圖31(a)及(b)所示，本變形例係組合前述之第5實施形態與第8實施形態的例。即，有關本變形例之發光二極體封裝8e係與有關前述之第8實施形態的發光二極體封裝8(參照圖25)做比較，取代8個之上面端子型之發光二極體晶片14，而設置8個之上下導通形式之發光二極體晶片41的點則不同。並且，與第5實施形態同樣地，各發光二極體晶片41之下面端子(未圖示)係藉由導電性之晶粒安裝材42而連接於引線框11，各發光二極體晶片41之上面端子41a係藉由導線16而連接於引線框12。在本變形例之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第5及第8實施形態相同。
接著，對於第8實施形態之第6變形例加以說明。
圖32(a)係有關本變形例之發光二極體封裝的平面圖，(b)係其剖面圖。
如圖32(a)及(b)所示，本變形例係組合前述之第6實施形態與第8實施形態的例。即，有關本變形例之發光二極體封裝8f係與有關前述之第8實施形態的發光二極體封裝8(參照圖25)做比較，取代8個之上面端子型之發光二極體晶片14，而設置5個之倒裝形式之發光二極體晶片46的點則不同。並且，與第6實施形態同樣地，各發光二極體晶片46係成跨越引線框11與引線框12地設置成橋接狀，一方之下面端子係連接於引線框11，另一方的下面端子係連接於引線框12。由此，於引線框11與引線框12之間，5個發光二極體晶片46則相互並聯地加以連接。在本變形例之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第6及第8實施形態相同。
接著，對於第8實施形態之第7變形例加以說明。
本變形例係前述第8實施形態及其變形例之製造方法的例。
如圖33(a)~(e)係例示在本變形例所使用之引線框薄片的元件範圍之平面圖，(a)係顯示於1個發光二極體封裝，搭載1個發光二極體晶片的情況，(b)係顯示搭載2個發光二極體晶片的情況，(c)係顯示搭載4個發光二極體晶片的情況，(d)係顯示搭載6個發光二極體晶片的情況，(e)係顯示搭載8個發光二極體晶片的情況。
然而，圖33(a)~(e)係以相同的比例而加以繪製。另外，在各圖中，元件範圍P係只顯示1個，但實際上有多數的元件範圍P加以配列成矩陣狀。更且，切割範圍D係在圖示中加以省略。
如圖33(a)~(e)所示，搭載於1個之發光二極體封裝的發光二極體晶片之數量則越多，1個之元件範圍P的面則變越大，含於1個之方塊B之元件範圍P的數量則減少。但即使發光二極體晶片的數量有變化，引線框薄片23的基本構造，即引線框薄片23的尺寸及方塊B的配置等係為同一，引線框薄片23之形成方法亦相同，使用引線框薄片23之發光二極體封裝的製造方法亦相同，單只變更方塊B內之佈局。
如此，如根據本變形例，由將有關前述第8實施形態及其變形例之發光二極體封裝，唯變更在引線框薄片23之各方塊B內之佈局而可分開製作。然而，搭載於1個之發光二極體封裝的發光二極體晶片數為任意，例如亦可作為7個或9個以上。
接著，對於本發明之第9實施形態加以說明。
圖34(a)係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的斜視圖，(b)~(e)係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的側面圖。
如圖34(a)~(e)所示，有關本實施形態之發光二極體封裝9之構成係與前述之第1實施形態同樣，但在本實施形態中，規定對於在XY平面之透明樹脂體17之側面17a~17d的全周長度L而言，露出有在此等側面之引線框之範圍的長度之合計值E之比例(E/L×100)%之範圍。以下，將此比例(E/L×100)%稱作「吊銷寬度總和比例」。
即，圖34(a)所示，將在透明樹脂體17之X方向之長度作為Lx，將在Y方向之長度作為Ly時，透明樹脂體17之側面17a~17d的全周長度L係成為L=2(Lx+Ly)。另一方面，將在吊銷11b~11e，12b~12e之各前端面的X方向或Y方向之長度，各作為E11b ~E11e ，E12b ~E12e 時，露出於在引線框11及12之透明樹脂體17的側面之範圍之X方向及Y方向的長度合計值E係成為
E=E11b +E11c +E11d +E11e +E12b +E12c +E12d +E12e 。以下，將其合計值E稱作「露出長度」。並且，在本實施形態中，吊銷寬度總和比例，即(E/L×100)%的值之範圍則21乃至91%，理想為30乃至88%。
一般，在如本實施形態之構成之發光二極體封裝中，對於為了提昇光的取出效率，係盡可能增加引線框之面積，增加經由引線框之反射光為佳。當增加引線框之面積時，因應於此，上述之露出長度亦變長。另外，對於為了提昇在對於引線框薄片及搭載於此之發光二極體晶片接合導線時之打線接合性，對於接合時必須堅固地支持引線框。此係因當接合部不安定時，為了接合而加以施加之超音波未效率佳地作用。為了堅固地支持引線框，加寬引線框薄片23之橋接器23b及23c(參照圖7(b))的寬度，另外增加條數為佳。當加寬橋接器的寬度而增加條數時，必然性地露出長度變長。
但露出長度變長，吊銷寬度總和比例變大時，在透明樹脂體之側面的引線框之露出範圍中，引線框與透明樹脂體則變得容易剝離。當引線框與透明樹脂體產生剝離而形成開口部時，發光二極體封裝之特性則產生劣化。例如，經由於引線框與透明樹脂體之間形成空氣層之時，光的反射效率則降低，以及經由從開口部浸入水份等之時，發展成引線框之腐蝕，以及經由從開口部浸入之水份等則到達至導線之時，導線則產生腐蝕。例如，經由從開口部浸入的氧及水份等而氧化或硫化引線框之鍍銀層時，經由引線框的光之反射率則降低。如此，當將吊銷寬度總和比例作為過大時，有著發光二極體封裝之特性降低之可能性。相反地將吊銷寬度總和比例作為過小時，導線接合性降低之同時，光的反射效率則降低。因此，對於吊銷寬度總和比例係存在有最佳的範圍。在本實施形態中，將吊銷寬度總和比例(E/L×100)的範圍作為21乃至91%。由此，抑制引線框與透明樹脂體之間的剝離同時，將導線接合性作成良好，且可確保光的反射效率。
以下，對於其效果，舉出具體之資料而加以說明。
首先，說明吊銷寬度總和比例對於發光二極體封裝之特性的劣化帶來的影響。
圖35係對於橫軸為吊銷寬度總和比例，對於縱軸為特性劣化率，例示吊銷寬度總和比例則對於發光二極體封裝的特性之劣化帶來的影響之圖表。
經由在前述第1實施形態所說明之方法，製作吊銷寬度總和比例相互不同之發光二極體封裝。此時，對於每吊銷寬度總和比例之各水準，製作複數個之發光二極體封裝。接著，對於此等之發光二極體封裝而言，進行168小時之通電試驗。在通電試驗之開始時點，所有發光二極體封裝則點燈，但伴隨著通電時間的經過，進展有發光二極體封裝之劣化，對於幾個之發光二極體封裝係亮度下降。並且，在提供於其通電試驗之發光二極體封裝，吊銷寬度總和比例為相同值之發光二極體封裝的總數之中，在168小時之通電試驗結束的時點，將各個發光二極體封裝之明亮度的下降率總和作為「特性劣化率」。例如，10個發光二極體封裝之中，1個則完全成為暗狀態，如9個發光二極體封裝的明亮度未產生變化，特性劣化率係為10%。
如圖35所示，對於吊銷寬度總和比例為97%之發光二極體封裝，其一部分則在168小時之通電試驗中，明亮度則下降。在成為暗狀態之發光二極體封裝中，從引線框的露出範圍，有著引線框及導線的腐蝕進展。對此，吊銷寬度總和比例為91%以下之發光二極體封裝係均在168小時之通電試驗後，未有明亮度下降。從其試驗的結果，吊銷寬度總和比例係了解到為91%以下為佳。
接著，對於吊銷寬度總和比例對於導線接合性帶來的影響加以說明。
圖36係對於橫軸為吊銷寬度總和比例，對於縱軸為打線接合試驗之良品率，例示吊銷寬度總和比例則對於打線接合性之帶來的影響之圖表。
經由在前述第1實施形態所說明之方法，製作橋接器的條數及寬度相互不同之複數種類的引線框薄片。圖36的橫軸所示的值係假定使用此等引線框薄片而製造發光二極體封裝情況之吊銷寬度總和比例的值。接著，對於此等引線框薄片而言，接合導線。導線的接合係經由超音波接合而進行。即，對於引線框薄片與導線之接觸部分而言，施加熱，加重及超音波，熔融導線的前端而接合於引線框。將如此之打線接合部，在各引線框薄片形成20個。接著，對於此等打線接合部而言，進行剝離試驗。即，使用鑷子拉開導線，將導線，從引線框薄片剝離。並且，經由顯微鏡從上方觀察剝離的痕跡，如於組織部，熔融後之導線材料則如在面積率殘留有(1/3)以上，判定為「良品」，如未達(1/3)，判定為「不良」。然而，如充分堅固地接合導線於引線框薄片，剝離導線時，導線部分則斷裂，導線材料的大部分係殘留於接合部。
如圖36所示，在吊銷寬度總和比例為14%之引線框薄片中，20個中5個打線接合部則成為不佳。即，良品率為75%。對此，在吊銷寬度總和比例為21%以上之引線框薄片中，所有的打線接合部則成為良品。即，良品率為100%。從其試驗的結果，吊銷寬度總和比例係了解到為21%以上為佳。
彙整圖35所示之試驗結果與圖36所示之試驗結果，示於表1。然而，示於表1之「-」係顯示無對應之資料。如表1所示，吊銷寬度總和比例係從特性劣化率的觀點，91%以下為佳，而從打線接合性的觀點，21%以上為佳。隨之，吊銷寬度總和比例為21乃至91%為佳。另外，作為設置考慮處理條件的變動等之程度的條件的邊際時，吊銷寬度總和比例為30乃至88%為更佳。
接著，對於本發明之第10實施形態加以說明。
圖37係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的剖面圖。
如圖37所示，在有關本實施形態之發光二極體封裝10中，加上於有關第1實施形態之發光二極體封裝1(參照圖2)之構成，於透明樹脂體17上設置透鏡71。透鏡71係由透明樹脂所成，凸面則朝向上方之平凸透鏡。透鏡71係例如經由於下模具101(參照圖5)的底面形成凹部而與透明樹脂體17一體地加以形成亦可，而在形成透明樹脂板29(參照圖6)之後，安裝於透明樹脂板29，之後切割透明樹脂板29亦可，而在切割透明樹脂板29之後，安裝於透明樹脂體17亦可。如根據本實施形態，因可從透明樹脂體17射出的光，經由透鏡71而集光於正上方向(+Z方向)之故，配向性則提昇。在本實施形態之上述以外之構成，製造方法及作用效果係與前述第1實施形態相同。
接著，對於本發明之第11實施形態加以說明。
圖38係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的斜視圖。
圖39係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的上面圖。
圖40係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的側面圖。
圖41係例示有關本實施形態之引線框的上面圖。
然而，在圖41中，將在引線框81及82之相對薄的部分，附上陰影線而顯示。即，除去引線框之下面側的部分係附上沿著一方向之斜線的陰影，除去引線框之上面側的部分係附上相互交叉斜線之陰影。
如圖38~圖40所示，在有關本實施形態之發光二極體封裝80，係設置有一對之引線框81及82。引線框81及82的形狀係平板狀，配置於同一平面上，相互隔離。引線框81及82係由相同的導電性材料所成，例如，於銅板的上面及下面形成鍍銀層而加以構成。然而，對於引線框81及82之端面上係未形成有鍍銀層而露出有銅板。
在引線框81中，設置有1個基底部81a。從Z方向而視，基底部81a的形狀係去除-X方向側之2個角部的略矩形。從基底部81a係延伸出有6支吊銷81b，81c，81d，81e，81f，81g。吊銷81b係從朝向基底部81a之+Y方向的端緣之+X方向側的部分，朝向+Y方向而延伸出。吊銷81c係從朝向基底部81a之+Y方向的端緣之-X方向側的部分，朝向+Y方向而延伸出。吊銷81d係從朝向基底部81a之-Y方向的端緣之+X方向側的部分，朝向-Y方向而延伸出。吊銷81e係從朝向基底部81a之-Y方向的端緣之-X方向側的部分，朝向-Y方向而延伸出。吊銷81f係從朝向基底部81a之-X方向的端緣之+Y方向側的部分，朝向-X方向而延伸出。吊銷81g係從朝向基底部81a之-X方向的端緣之-Y方向側的部分，朝向-X方向而延伸出。如此，吊銷81b~81g係從基底部81a之相互不同之3邊各延伸出。在X方向之吊銷81b及81d的位置係相互同一。另外，在X方向之吊銷81c及81e的位置亦相互同一。
引線框82係與引線框81作比較，X方向的長度為短，Y方向的長度係為相同。在引線框82中，設置有1個基底部82a。從Z方向而視，基底部82a的形狀係去除+X方向側之2個角部的略矩形。從基底部82a係延伸出有4支吊銷82b，82c，82d，82e。吊銷82b係從基底部82a之+Y方向的端緣，朝向+Y方向而延伸出。吊銷82c係從基底部82a之-Y方向的端緣，朝向-Y方向而延伸出。吊銷82d係從朝向基底部82a之+X方向的端緣之+Y方向側的部分，朝向+X方向而延伸出。吊銷82e係從朝向基底部82a之+X方向的端緣之-Y方向側的部分，朝向+X方向而延伸出。如此，吊銷82b~82e係從基底部82a之相互不同之3邊各延伸出。在Y方向之吊銷81f及82d的位置係相互同一。另外，在Y方向之吊銷81g及82e的位置亦相互同一。
如圖38~圖41所示，在引線框81之上面81j中，於吊銷81c與吊銷81e之間的範圍，形成有延伸於Y方向的溝81k。另外，對於在引線框81之上面81j之+X-Y方向側的角部，係形成有L字型的溝81m。延伸於在溝81m之Y方向的部分係配置於吊銷81b與吊銷81d之間的範圍，從此部分之+Y方向側的端部，朝向+X方向而延伸出有延伸於X方向之部分。延伸於在溝81m之X方向的部分係配置於吊銷81g與吊銷81e之間的範圍。溝81k及81m係形成於基底部81a，並未到達至引線框81之外緣，而未將引線框81貫通於厚度方向。
在引線框81之下面81n中，於+X方向側的端部，形成有延伸於Y方向的缺口，其缺口之正上方區域係成為薄板部81t。薄板部81t之下面係位置於較在基底部81a之薄板部81t以外的部分下面為上方。另外，吊銷81b~81g之下面係位於與薄板部81t之下面相同高度，隨之，位置於較在薄板部81t以外的部分下面為上方。因此，在引線框81之薄板部81t及吊銷81b~81g之厚度係較在基底部81a之薄板部81t以外的部分厚度為薄。
對於引線框82之上面82j係未形成有溝，上面82j係為平坦面。另一方面，在引線框82之下面82n中，於-X方向側的端部，形成有延伸於Y方向的缺口，其缺口之正上方區域係成為薄板部82t。薄板部82t之下面係位置於較在基底部82a之薄板部82t以外的部分下面為上方。另外，吊銷82b~82e之下面係位於與薄板部82t之下面相同高度，位置於較在基底部82a之薄板部82t以外的部分下面為上方。隨之，在引線框82之薄板部82t及吊銷82b~82e之厚度係較在基底部82a之薄板部82t以外的部分之厚度為薄。如此，對於引線框81及82，係有板厚相對為厚之部分，與板厚相對為薄之部分。相對為厚之部分係除了在基底部之薄板部的部分，相對為薄之部分係薄板部及吊銷。
換言之，在各引線框之下面中，對於相當於薄板部以外之基底部之範圍係可說是形成有凸部。此等凸部係形成於從在引線框81及82之相互對向之端緣隔離的範圍。另外，引線框81之上面81j與引線框82之上面82j係構成同一平面，引線框81之凸部的下面與引線框82之凸部的下面亦構成同一平面，引線框81之薄板部及吊銷之下面與引線框82之薄板部及吊銷之下面亦構成同一平面。隨之，在引線框81及82之各吊銷係配置於同一之XY平面上。
引線框81之上面81j之中，對於在基底部81a的溝81k與溝81m之間的範圍之一部分係被覆有晶粒安裝材83a~83d。從Z方向而視，晶粒安裝材83a~83d之形狀係相互相等，較X方向長度，Y方向的長度為長之矩形。另外，晶粒安裝材83a~83d係相互隔離，相互不同地加以配置。即，晶粒安裝材83a係基底部81a之-Y方向側的部分，配置於溝81k與溝81m之間。晶粒安裝材83b係從晶粒安裝材83a而視為+X+Y方向側，從溝81m而視而配置於+Y方向側。晶粒安裝材83c係從晶粒安裝材83b而視為-X+Y方向側，從晶粒安裝材83a而視而配置於+Y方向側。晶粒安裝材83d係從晶粒安裝材83c而視為+X+Y方向側，從晶粒安裝材83b而視而配置於+Y方向側。在本實施形態中，晶粒安裝材83a~83d係可為導電性，而亦可為絕緣性。
對於晶粒安裝材83a~83d上係各設置有發光二極體晶片84a~84d。即，發光二極體晶片84a~84d係藉由晶粒安裝材83a~83d而搭載於引線框81。發光二極體晶片84a~84d係相同規格的發光二極體晶片，其形狀係長方體，於其上面係各設置一對的端子84e及84f。在各發光二極體晶片中，端子84f係較端子84e配置於+Y方向側。發光二極體晶片84a~84d係經由供給電壓至端子84e與端子84f之間之時，例如射出藍色的光。
與晶粒安裝材83a~83d同樣地，發光二極體晶片84a~84d係於在引線框81之上面81j的溝81k與溝81m之間的範圍，相互不同地加以配置。即，發光二極體晶片84a係配置於基底部81a之-Y方向側部分，發光二極體晶片84b係從發光二極體晶片84a而視而配置於+X+Y方向側，發光二極體晶片84c係從發光二極體晶片84b而視而配置於-X+Y方向側，從發光二極體晶片84a而視而配置於+Y方向側，發光二極體晶片84d係從發光二極體晶片84c而視而配置於+X+Y方向側，從發光二極體晶片84b而視而配置於+Y方向側。
在發光二極體封裝80中，設置有連接引線框與發光二極體晶片，及發光二極體晶片彼此之導線85a~85e。導線85a之一端係從在引線框81之上面81j的溝81k而視，搭載有發光二極體晶片84a~84d之範圍的相反側範圍，即基底部81a之-X-Y方向側的角部，從溝81k而視，接合於-X方向側之部分的上面，另一端係接合於發光二極體晶片84a之端子84e。導線85a係從引線框81略垂直地導出於+Z方向，之後，彎曲成略直角而朝+X方向，略水平地到達至發光二極體晶片84a之端子84e。因此，導線的導出角度，即對於XY平面而言導出導線之方向所成角度，係導線85a之引線框81側之端部則較發光二極體晶片84a側的端部為大。
導線85b之一端係接合於發光二極體晶片84a之端子84f，另一端係接合於發光二極體晶片84b之端子84e。導線85b係從發光二極體晶片84a之端子84f導出於略+X+Z方向，之後彎曲成銳角，朝-Z方向，略垂直地到達至發光二極體晶片84b之端子84e。因此，導線85b之發光二極體晶片84a側的導出角度係較發光二極體晶片84b側的導出角度為小。
導線85c之一端係接合於發光二極體晶片84b之端子84f，另一端係接合於發光二極體晶片84c之端子84e。導線85c係從發光二極體晶片84b之端子84f導出於略-X+Z方向，之後彎曲成銳角，朝-Z方向，略垂直地到達至發光二極體晶片84c之端子84e。因此，導線85c之發光二極體晶片84b側的導出角度係較發光二極體晶片84c側的導出角度為小。
導線85d之一端係接合於發光二極體晶片84c之端子84f，另一端係接合於發光二極體晶片84d之端子84e。導線85d係從發光二極體晶片84c之端子84f導出於+X+Z方向之斜上方，之後彎曲成銳角，朝-Z方向，略垂直地到達至發光二極體晶片84d之端子84e。因此，導線85d之發光二極體晶片84c側的導出角度係較發光二極體晶片84d側的導出角度為小。
導線85e之一端係接合於發光二極體晶片84d之端子84f，另一端係接合於在引線框82之基底部82a的+Y方向側之端部的上面。導線85e係從發光二極體晶片84d之端子84f略水平地導出於+X方向，之後，彎曲成略直角而朝-Z方向，略垂直地到達至引線框82。因此，導線85e之發光二極體晶片84d側的導出角度係較引線框82側的導出角度為小。
由如此作為，經由導線85a~85e，於引線框81與引線框82之間，串聯地連接4個之發光二極體晶片84a~84d。另外，接合在引線框81之導線85a之範圍係從溝81k而視，位於晶粒安裝材83a~83d之相反側。
另外，對於發光二極體封裝80係設置有稽納二極體晶片86及導線87。稽納二極體晶片86係搭載於在引線框82之基底部82a之-Y方向側的端部。對於稽納二極體晶片86之上面係設置有上面端子86a，對於下面係設置有下面端子(未圖示)。稽納二極體晶片86之下面端子係接合於引線框82之上面，經由此，連接於引線框82。
另一方面，稽納二極體晶片86之上面端子86a係接合於導線87之一端，導線87之另一端係從在引線框81之上面81j的溝81m而視，搭載有發光二極體晶片84a~84d之範圍的相反側的範圍，即，基底部81a之+X-Y方向側之角部，較溝81m接合於+X-Y方向側之部分上面。導線87係從稽納二極體晶片86之上面端子84a略水平地導出於-X方向，之後，彎曲成略直角而朝-Z方向，略垂直地到達至引線框81。因此，導線87之稽納二極體晶片86側的導出角度係較引線框81側的導出角度為小。
由如此作為，經由導線87，於引線框81與引線框82之間，連接有1個稽納二極體晶片86。另外，接合在引線框81之導線87之範圍係從溝81m而視，位於晶粒安裝材83a~83d之相反側。
另外，對於發光二極體封裝80係設置有透明樹脂體17。透明樹脂體17係經由透明之樹脂，例如聚矽氧樹脂所形成。透明樹脂體17之外形係長方體，埋入引線框81及82，晶粒安裝材83a~83d，發光二極體晶片84a~84d，導線85a~85e及87，稽納二極體晶片86，透明樹脂體17之外形則成為發光二極體封裝80之外形。引線框81之一部分及引線框82之一部分係在透明樹脂體17之下面及側面而露出。即，透明樹脂體17係被覆發光二極體晶片84a~84d，被覆引線框81及82之各上面，下面之一部分及端面之一部分，使下面之殘留部及端面之殘留部露出。
更詳細，引線框81之中，板厚相對厚的部分，即在基底部81a之薄板部81t以外的部分之下面係露出在透明樹脂體17之下面，吊銷81b~81g的前端面係露出在透明樹脂體17之側面。另一方面，引線框81之上面81j的全體，在引線框81之板厚相對薄的部分，即薄板部81t及吊銷81b~81g的下面，板厚相對厚的部分之側面，吊銷81b~81g的側面，基底部81a之端面係經由透明樹脂體17而加以被覆。
同樣地，引線框82之中，板厚相對厚的部分，即在基底部82a之薄板部82t以外的部分之下面係露出在透明樹脂體17之下面，吊銷82b~81e的前端面係露出在透明樹脂體17之側面。另一方面，引線框82之上面82j的全體，在引線框82之板厚相對薄的部分，即薄板部82t及吊銷82b~81e的下面，板厚相對厚的部分之側面，吊銷82b~82e的側面，基底部82a之端面係經由透明樹脂體17而加以被覆。
對於透明樹脂體17之內部係分散有多數之螢光體18(參照圖2)。各螢光體18係為粒狀，吸收自發光二極體晶片84a~84d所射出的光，發光成波長更長的光。例如，螢光體18係為吸收自發光二極體晶片84a~84d所射出的藍色光而發光成綠色光之綠色螢光體，及吸收藍色光而發光成紅色光之紅色螢光體。或者，螢光體18係亦可為吸收自發光二極體晶片84a~84d所射出的藍色光而發光成黃色光之黃色螢光體。由此，發光二極體封裝80的射出光係作為全體而成為白色。在本實施形態之上述以外之構成係與前述第1實施形態相同。
有關本實施形態之發光二極體封裝80係可經由與有關前述第1實施形態之發光二極體封裝1同樣的方法加以製造。此情況，對於引線框薄片係如在第8實施形態之第7變形例所說明地，可使用圖33(c)所示之引線框薄片。另外，在圖4(a)及(b)所示之工程，經由將導通薄片21，從上面側進行混合蝕刻，可形成溝81k及81m。在圖41中，引線框81及82之中，從上面側加以混合蝕刻之範圍，即溝81k及81m係附上相互交叉的斜線而顯示。另外，從下面側加以混合蝕刻之範圍，即薄板部及吊銷係附上延伸於一方向之斜線而顯示。在本實施形態之上述以外之製造方法係與前述第1實施形態相同。
接著，對於本實施形態之作用效果加以說明。
在有關之本實施形態之發光二極體封裝80中，設置有4個發光二極體晶片84a~84d之故，可得到大的光量。另外，經由相互不同地配列發光二極體晶片之時，將發光二極體晶片間之最短距離作成一定值以上同時，可將發光二極體封裝80作為小型化。經由將發光二極體晶片間之最短距離作成一定值以上之時，從某個發光二極體晶片所射出的光則在到達至旁邊的發光二極體晶片之前，由螢光體所吸收的機率變高，光的取出效率則提昇。另外，從某個發光二極體晶片所放射的熱則不易由旁邊的發光二極體晶片所吸收，可抑制因發光二極體晶片的溫度上升而引起之發光效率的下降。
另外，在有關之本實施形態之發光二極體封裝80中，於引線框81與引線框82之間，連接有稽納二極體晶片86之故，對於ESD而言之耐性為高。另外，稽納二極體晶片86係因搭載於與搭載發光二極體晶片84a~84d之引線框81不同之引線框82之故，可有效地利用引線框上的空間，可謀求發光二極體封裝80之小型化。
更且，如根據本實施形態，因於引線框81之上面形成溝81k之故，經由溝81k而分離被覆晶粒安裝材83a~83d之範圍，和接合導線85a之範圍。因此，在前述圖4(c)所示之工程中，在將電糊狀之晶粒安裝材83a及83c被覆於引線框81上面時，即使晶粒安裝材之供給量及供給位置產生不均，亦可防止晶粒安裝材流出至導線85a之接合預定範圍。由此，可防止導線85a之接合預定範圍則經由晶粒安裝材而加以污染情況，進而可確實地接合導線85a與引線框81。
同樣地，因於引線框81之上面形成溝81m之故，在前述圖4(c)所示之工程中，在將電糊狀之晶粒安裝材83a及83b被覆於引線框81上面時，即使晶粒安裝材之供給量及供給位置產生不均，亦可防止晶粒安裝材流出至導線87之接合預定範圍。由此，可防止導線87之接合預定範圍則經由晶粒安裝材而加以污染情況，進而可確實地接合導線87與引線框81。
更且另外，在本實施形態中，將各導線之一端，從發光二極體晶片及稽納二極體晶片之上面，略水平方向地導出之故，可降低導線的迴圈高度。由此，透明樹脂體17則經由溫度變化而重複膨脹及收縮時，降低導線由透明樹脂體17所拉引而產生變位的量，可確實地防止導線被切斷，以及接合部分被斷裂之情況。
更且另外，在本實施形態中，引線框81之基底部81a的形狀則成為去除-X方向側之2個角部的形狀，引線框82之基底部82a的形狀則成為去除+X方向側之2個角部的形狀。由此，在發光二極體封裝80之角部附近，因去除直角或銳角的角部之故，此等角部則未成為樹脂剝離或龜裂的基點。其結果，作為發光二極體封裝80全體，可抑制樹脂剝離或龜裂的產生。
更且另外，在有關本實施形態之發光二極體封裝80中，因未設置白色樹脂所成之外圍器之故，外圍器則未有吸收自發光二極體晶片產生的光及熱而產生劣化。隨之，有關本實施形態之發光二極體封裝80係壽命長，信賴性高，可適用於廣泛的用途。另外，經由聚矽氧樹脂而形成透明樹脂體17之時，更提昇發光二極體封裝80之耐久性。
更且另外，在有關本實施形態之發光二極體封裝80中，因未設置有被覆透明樹脂體17之側面的外圍器之故，而朝廣角度射出光線。因此，有關本實施形態之發光二極體封裝80係對於有必要以廣角度射出光的用途為特佳。
更且另外，在有關本實施形態之發光二極體封裝80中，透明樹脂體17則經由被覆引線框81及82之下面之一部分及端面的大部分之時，保持引線框81及82之周邊部。因此，將引線框81及82之下面的一部分，從透明樹脂體17露出而實現外部電極墊片之同時，可提昇引線框81及82之保持性。由此，在切割時，引線框81及82則不易從透明樹脂體17剝離，可提昇發光二極體封裝80之產率。
更且另外，在有關本實施形態之發光二極體封裝80中，從引線框81及82之基底部81a及82a，各延伸出有吊銷。由此，防止基底部本身露出在透明樹脂體17之側面，可降低引線框81及82之露出面積。其結果，可防止引線框81及82則從透明樹脂體17剝離。另外，亦可抑制引線框81及82之腐蝕。在本實施形態之上述以外之作用效果係與前述第1實施形態相同。
如根據以上說明之實施形態，可實現耐久性高，成本低之發光二極體封裝及其製造方法。
以上，參照實施形態及其變形例而說明過本發明，但本發明並不限於此等實施形態及變形例。前述各實施形態及其變形例係可相互組合而實施。例如，如前述第8實施形態及其變形例，在搭載複數個之發光二極體晶片之發光二極體封裝中，如前述第7實施形態，於在引線框之上面的搭載發光二極體晶片之範圍間，形成溝亦可，於其內部，形成搭載發光二極體晶片之凹部亦可。另外，如前述第9實施形態，規定比(E/L)的值之範圍。更且，如前述第10實施形態，設置透鏡亦可。
另外，對於前述之各實施形態或各變形例而言，該業者乃適當進行構成要素之追加，刪除或設計變更，或進行工程的追加，省略或條件變更，只要具備本發明之主旨，均包含於本發明之範圍。
例如，在前述第1實施形態中，例示過經由濕蝕刻而形成引線框薄片23的例，但本發明並不限於此，例如亦可經由衝壓等之機械性的手段而形成。另外，在前述第1實施形態中，例示過在引線框中，於銅板之上下面上形成鍍銀層的例，但本發明並不限於此。例如，於銅板之上下面上形成鍍銀層，於至少一方之鍍銀層上，形成鍍銠(Rh)層亦可。另外，於銅板與鍍銀層之間，形成鍍銅(Cu)層亦可。更且，於銅板之上下面上形成鍍鎳(Ni)層，於鍍鎳層上，形成鍍金與銀的合金(Au-Ag合金)層亦可。
例外，在前述之各實施形態或各變形例中，顯示過將發光二極體晶片作為射出藍色光的晶片，將螢光體作為吸收光成藍色而發光成黃色光的螢光體，將從發光二極體晶片所射出的光色作為白色的例，但本發明並不限於此。發光二極體晶片係亦可為射出藍色以外顏色的可視光之構成，而射出紫外線或紅外線之構成亦可。螢光體亦未限定於發光成黃色光的螢光體，例如發光成藍色光，綠色光或紅色光的螢光體亦可。
作為發光成藍色光的螢光體，例如可舉出以下的構成。
(RE1-x Smx )3 (Aly Ga1-y )5 O12 ：Ce
但，0≦x<1，0≦y≦1，RE係選自Y及Gd之至少一種元素。
ZnS：Ag
ZnS：Ag+Pigment
ZnS：Ag，Al
ZnS：Ag，Cu，Ga，Cl
ZnS：Ag+In2 03
ZnS：Zn+In2 03
(Ba，Eu)MgAl10 O17
(Sr，Ca，Ba，Mg)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu
Sr10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu
(Ba，Sr，Eu)(Mg，Mn)Al10 O17
10(Sr，Ca，Ba，Eu)‧6PO4 ‧Cl2
BaMg2 Al16 O25 ：Eu
作為發光成綠色光的螢光體，除了前述之矽鋁氧氮聚合材料之綠色螢光體的其他，例如可舉出以下的構成。
ZnS：Cu，Al
ZnS：Cu，Al+Pigment
(Zn，Cd)S：Cu，Al
ZnS：Cu，Au+Al+Pigment
Y3 Al5 O12 ：Tb
Y3 (Al，Ga)5 O12 ：Tb
Y2 SiO5 ：Tb
Zn2 SiO4 ：Mn
(Zn，Cd)S：Cu
ZnS：Cu
Zn2 SiO4 ：Mn
ZnS：Cu+Zn2 SiO4 ：Mn
Gd2 O2 S：Tb
(Zn，Cd)S：Ag
ZnS：Cu，Al
Y2 O2 S：Tb
ZnS：Cu，Al+In2 03
(Zn，Cd)S：Ag+In2 03
(Zn，Mn)2 SiO4
BaAl12 O19 ：Mn
(Ba，Sr，Mg)O‧aAl2 O3 ：Mn
LaPO4 ：Ce，Tb
Zn2 SiO4 ：Mn
ZnS：Cu
3(Ba，Mg，Eu，Mn)O‧8Al2 O3
La2 O3 ‧0.2SiO2 ‧0.9P2 O5 ：Ce，Tb
CeMgAl11 O19 ：Tb
作為發光成紅色光的螢光體，除了前述之矽鋁氧氮聚合材料之紅色螢光體的其他，例如可舉出使用以下的構成。
CaAlSiN3 ：Eu2+
Y2 O2 S：Eu
Y2 O2 S：Eu+Pigment
Y2 O3 S：Eu
Zn3 (PO4 )2 ：Mn
(Zn，Cd)S：Ag+In2 03
(Y，Gd，Eu)BO3
(Y，Gd，Eu)2 O3
YVO4 ：Eu
La2 O2 S：Eu，Sm
作為發光成黃色光的螢光體，除了前述之矽酸鹽系之螢光體的其他，例如可使用以一般式：Mex Si12-(m+n) Al(m+n) On N16-n ：Rely Re2z (但式中的x，y，z，m及n係係數)所表示，固溶於α-Sialon之金屬Me(Me係Ca及Y之中1種或2種)之一部分或全部則由成為發光中心之鑭族元素金屬Rel(Rel係Pr，Eu，Tb，Yb及Er之中1種以上)或2種類之鑭族元素金屬Re1及作為共賦活劑之Re2(Re2係Dy)所置換之螢光體。
另外，發光二極體封裝全體射出的光色亦不限定於白色。對於如上述之紅色螢光體，綠色螢光體及藍色螢光體，經由調節此等重量比R：G：B之時，可實現任意的色調。例如，從白色燈泡至白色螢光燈的白色發光係R：G：B重量比，可由作為1：1：1~7：1：1及：1：1：1~1：3：1及1：1：1~1：1：3任一而實現。
更且，對於發光二極體封裝係未設置有螢光體亦可。此情況係從發光二極體晶片所射出的光則從發光二極體封裝所射出。
1，3，5，7a~7d，8a~8f，80．．．發光二極體封裝
11，12，31，61~63，81，82．．．引線框
11a，12a，61a，81a．．．基底部
11b~11e，12b~12e，31b~31e，61c，81b~81f，82b~82e．．．吊銷
11g，12g．．．凸部
13，37，42，83a~83d．．．晶粒安裝材
14，41，46，84a~84d．．．發光二極體晶片
14a，14b．．．端子
15，16，38，67，85a~85e，87．．．導線
17．．．透明樹脂體
18．．．螢光體
21．．．導電薄片
21a．．．銅板
21b．．．鍍銀層
22a，22b．．．光罩
23．．．引線框薄片
23a．．．開口部
23b，23c．．．橋接器
24．．．補強膠帶
26．．．螢光體含有樹脂材料
29．．．透明樹脂板
36，86．．．稽納二極體晶片
51，53，54，81k，81m．．．溝
52，55，56．．．貫通溝
61g~63g．．．凸部
101．．．下模具
101a．．．凹部
102．．．上模具
104．．．刀片
111．．．光阻膜
111a．．．光阻圖案
圖1係例示有關第1實施形態之發光二極體封裝的斜視圖。
圖2(a)係例示有關第1實施形態之發光二極體封裝的剖面圖，(b)係例示引線框的平面圖。
圖3係例示有關第1實施形態之發光二極體封裝的製造方法之流程圖。
圖4(a)~(d)係例示有關第1實施形態之發光二極體封裝之製造方法的工程剖面圖。
圖5(a)~(c)係例示有關第1實施形態之發光二極體封裝之製造方法的工程剖面圖。
圖6(a)及(b)係例示有關第1實施形態之發光二極體封裝之製造方法的工程剖面圖。
圖7(a)係例示在第1實施形態之引線框薄片的平面圖，(b)係例示其引線框薄片之元件範圍的一部分擴大平面圖。
圖8(a)~(h)係例示在第1實施形態之變形例的引線框薄片之形成方法的工程剖面圖。
圖9係例示有關第2實施形態之發光二極體封裝的斜視圖。
圖10係例示有關第2實施形態之發光二極體封裝的側面圖。
圖11係例示有關第3實施形態之發光二極體封裝的斜視圖。
圖12係例示有關第3實施形態之發光二極體封裝的剖面圖。
圖13係例示有關第4實施形態之發光二極體封裝的斜視圖。
圖14係例示有關第4實施形態之發光二極體封裝的剖面圖。
圖15係例示有關第5實施形態之發光二極體封裝的斜視圖。
圖16係例示有關第5實施形態之發光二極體封裝的剖面圖。
圖17係例示有關第6實施形態之發光二極體封裝的斜視圖。
圖18係例示有關第6實施形態之發光二極體封裝的剖面圖。
圖19係例示有關第7實施形態之發光二極體封裝的斜視圖。
圖20係例示有關第7實施形態之發光二極體封裝的剖面圖。
圖21係例示有關第7實施形態之第1變形例之發光二極體封裝的斜視圖。
圖22係例示有關第7實施形態之第2變形例之發光二極體封裝的斜視圖。
圖23係例示有關第7實施形態之第3變形例之發光二極體封裝的斜視圖。
圖24係例示有關第7實施形態之第4變形例之發光二極體封裝的斜視圖。
圖25(a)係例示有關第8實施形態之發光二極體封裝的平面圖，(b)係其剖面圖。
圖26係例示有關第8實施形態之第1變形例之發光二極體封裝的斜視圖。
圖27(a)係例示有關第8實施形態之第1變形例之發光二極體封裝的引線框薄片，發光二極體晶片及導線之平面圖，(b)係例示發光二極體封裝的下面圖，(c)係例示發光二極體封裝的剖面圖。
圖28係例示有關第8實施形態之第2變形例之發光二極體封裝的斜視圖。
圖29(a)係例示有關第8實施形態之第3變形例的發光二極體封裝的平面圖，(b)係其剖面圖。
圖30(a)係例示有關第8實施形態之第4變形例的發光二極體封裝的平面圖，(b)係其剖面圖。
圖31(a)係例示有關第8實施形態之第5變形例的發光二極體封裝的平面圖，(b)係其剖面圖。
圖32(a)係例示有關第8實施形態之第6變形例的發光二極體封裝的平面圖，(b)係其剖面圖。
圖33(a)~(e)係例示在第8實施形態之第7變形例所使用之引線框薄片的元件範圍之平面圖。
圖34(a)係例示有關第9實施形態之發光二極體封裝的斜視圖，(b)~(e)係例示有關本實施形態之發光二極體封裝的側面圖。
圖35係對於橫軸為吊銷寬度總和比例，對於縱軸為特性劣化率，例示吊銷寬度總和比例則對於發光二極體封裝的特性之劣化帶來的影響之圖表。
圖36係對於橫軸為吊銷寬度總和比例，對於縱軸為打線接合試驗之良品率，例示吊銷寬度總和比例則對於打線接合性之帶來的影響之圖表。
圖37係例示有關第10實施形態之發光二極體封裝的剖面圖。
圖38係例示有關第11實施形態之發光二極體封裝的斜視圖。
圖39係例示有關第11實施形態之發光二極體封裝的上面圖。
圖40係例示有關第11實施形態之發光二極體封裝的側面圖。
圖41係例示有關第11實施形態之引線框的上面圖。
11，12．．．引線框
11a，12a．．．基底部
11b~11e，12b~12e．．．吊銷
11g，12g．．．凸部
11h．．．引線框11之上面
12h．．．引線框12之上面
13．．．晶粒安裝材
14．．．發光二極體晶片
14a，14b．．．端子
15，16．．．導線
17．．．透明樹脂體

Claims (20)

  1. 一種發光二極體封裝，其特徵係具備：相互隔離之第1及第2之引線框.和設於前述第1及第2之引線框之上方，一方之端子連接於前述第1之引線框，另一方之端子連接於前述第2之引線框的發光二極體晶片；前述第1及第2之引線框係各別具有：基底部.和從前述基禢部延伸出之複數條之吊銷；在於自前述第1之引線框之前述第2之引線框遠離側之端部，設置至少2條之前述吊銷，在於自前述第2之引線框之前述第1之引線框遠離側之端部，設置至少2條之前述吊銷，前述第1之引線框之前述2條之吊銷之間隔係與前述第2之引線框之前述2條之吊銷之間隔不同，前述基底部之下面之一部分及側面以及前述吊銷之下面及側面，係經由樹脂加以被覆，前述基底部之下面之殘留部分及前述吊銷之前端面，係未經由樹脂加以被覆，前述第1及第2之引線框之相互對向之端部，係經由樹脂加以被覆。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光二極體封裝，其中，前述基底部之下面之一部及前述吊銷之下面，係位於較前述基底部之下面之殘留部之上方。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光二極體封裝，其中，更具備：連接於前述一方之端子與前述第1之引線框間的其他之發光二極體晶片.和將前述一方之端子 連接於其他之發光二極體晶片之端子的導線。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光二極體封裝，其中，更具備：連接於前述第1之引線框與前述第2之引線框間的稽納二極體晶片.和被覆於前述第2之引線框之上面的晶粒安裝材.和將前述另一方之端子連接於前述第2之引線框的導線；前述稽納二極體晶片係隔著前述晶粒安裝材，搭載於前述第2之引線框，於被覆有前述第2之引線框之上面之前述晶粒安裝材的領域、與接合前述導線之領域間，形成有溝者。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光二極體封裝，其中，前述第1之引線框之基底部係自前述第2之引線框遠離側之角部被落下之形狀，前述第2之引線框之基底部係自前述第1之引線框遠離側之角部被落下之形狀。
  6. 一種發光二極體封裝，其特徵係具備：相互隔離之第1及第2之引線框.和搭載於前述第1及第2之引線框上的第1及第2之發光二極體晶片.和搭載於前述第2之引線框上的稽納二極體晶片；前述第1之引線框係具有：第1基底部.和從前述第1基底部，對於前述第1及第2之引線框之排列方向加以正交，相互向相反之2方向延伸出之2條之第1吊銷.和自前述第1基底部之第2之引線框遠離側之端部，向前述排列方向延伸出之其他之2條之第1吊銷； 前述第2之引線框係具有：第2基底部.和從前述第2基底部，對於前述排列方向加以正交，相互向相反之2方向延伸出之2條之第2吊銷.和自前述第2基底部之第1之引線框遠離側之端部，向前述排列方向延伸出之其他之2條之第2吊銷；前述其他之2條之第1吊銷之間隔係與前述其他之2條之第2吊銷之間隔不同，前述第1及第2之發光二極體晶片係直接連接於前述第1之引線框與前述第2之引線框間，前述第1基底部及前述第2基底部之下面之一部分及側面以及前述第1吊銷及前述第2吊銷之下面及側面，係經由樹脂加以被覆，前述第1基底部及前述第2基底部之下面之殘留部分以及前述第1吊銷及前述第2吊銷之前端面，係未經由樹脂加以被覆，前述第1及第2之引線框之相互對向之端部，係經由樹脂加以被覆。
  7. 如申請專利範圍第6項之發光二極體封裝，其中，將前述第1之發光二極體晶片之端子連接於前述第1之引線框的第1之導線.和將前述第2之發光二極體晶片之端子連接於前述第2之引線框的第2之導線.和將前述稽納二極體晶片之上面端子連接於前述第1之引線框的第3之導線.和被覆於前述第2之引線框之上面，將前述納二極體晶片之下面端子連接於前述第2之引線框的晶粒安裝材； 於被覆有前述第2之引線框之上面之前述晶粒安裝材的領域、與接合前述第2之導線之領域間，形成有溝者。
  8. 如申請專利範圍第6項或第7項之發光二極體封裝，其中，前述第1基底部係自前述第2之引線框遠離側之角部被落下之形狀，前述第2基底部係自前述第1之引線框遠離側之角部被落下之形狀。
  9. 一種發光二極體封裝之製造方法，其特徵係具備：由導電性材料所成，複數之元件領域則排列成矩陣狀，於各前述元件領域中，形成含有相互隔離之第1及第2之引線框的基本圖案，於前述第1及第2之引線框，各別設置從前述元件領域之外緣隔離之基底部，於鄰接之前述元件領域，在於各別所屬之前述第1之引線框與前述第2之引線框間，形成前述第1之引線框側之部分之寬度與前述第2之引線框側之部分之寬度互為不同之開口部，於前述元件領域間之切割領域，在設有從前述基底部通過前述切割領域向相鄰之前述元件領域延伸之複數條之連結部分的引線框薄片上，於每一前述元件領域，搭載發光二極體晶片的同時，將前述發光二極體之一方之端子，連接於前述第1之引線框，將另一方之端子，連接於前述第2之引線框的工程.和至少，被覆位於前述發光二極體、以及前述引線框薄片之前述元件領域之部分之上面，前述基底部之端面及前述連結部分之下面，隔著前述開口部，形成相互連結配置於前述引線框薄片之上方的部分與配置於下方之部分的樹脂板的工程.和經由除去配置於前述引線框薄片及 前述樹脂板之前述切割領域的部分，單片化配置於前述引線框薄片及前述樹脂板之前述元件領域的部分之工程；將前述單片化之部分之外形成為該外形者。
  10. 如申請專利範圍第9項之發光二極體封裝之製造方法，其中，於前述引線框薄片之各前述元件領域中，於前述第1及第2之引線框之相互對向之部分，形成薄板部，形成前述樹脂板之工程中，將前述薄板部之下面，經由前述樹脂板加以被覆。
  11. 如申請專利範圍第9項或第10項之發光二極體封裝之製造方法，其中，於前述第1之引線框與前述第2之引線框間，形成第3之引線框，將前述發光二極體晶片搭載於前述第3之引線框者。
  12. 如申請專利範圍第9項或第10項之發光二極體封裝之製造方法，其中，前述引線框薄片中，前述第1之引線框之基底部係自前述第2之引線框遠離側之角部被落下之形狀，前述第2之引線框之基底部係自前述第1之引線框遠離側之角部被落下之形狀。
  13. 如申請專利範圍第9項或第10項之發光二極體封裝之製造方法，其中，更具備：將前述導電性材料所成導電薄片，從上面側及下面側各別選擇性蝕刻，至少令從前述下面側之蝕刻，在貫通前述導電薄片之前加以停止，經由從前述導電薄片選擇性除去前述導電性材料，形成前述引線框薄片的工程。
  14. 如申請專利範圍第9項或第10項之發光二極體封 裝之製造方法，其中，於前述引線框薄片，於前述第1之引線框之下面及前述第2之引線框之下面，各別形成有凸部，於形成前述樹脂板之工程中，令前述凸部之下面，在前述樹脂板之下面加以露出者。
  15. 如申請專利範圍第9項或第10項之發光二極體封裝之製造方法，其中，於前述引線框薄片中，從前述基底部延伸出3條以上之前述連結部分，前述3條以上之前述連結部分中之3條係向互為不同之方向延伸而出者。
  16. 如申請專利範圍第9項或第10項之發光二極體封裝之製造方法，其中，於前述引線框薄片中，於前述第1之引線框之上面，形成有溝，前述連接之工程係具有：於前述第1之引線框之上面之前述溝之一方側，被覆晶粒安裝材的工程.和於前述晶粒安裝材，接合前述發光二極體晶片的工程.和將導線之一端，接合於前述一方之端子的工程.和將前述導線之另一端，接合於前述第1之引線框之上面之前述溝之另一方側的工程。
  17. 如申請專利範圍第9項或第10項之發光二極體封裝之製造方法，其中，於前述引線框薄片中，於前述第1之引線框之上面，形成有凹部，前述連接之工程係具有：於前述第1之引線框之上面之前述凹部之內部，被覆晶粒安裝材的工程.和於前述晶粒安裝材，接合前述發光 二極體晶片的工程.和將導線之一端，接合於前述一方之端子的工程.和將前述導線之另一端，接合於前述第1之引線框之上面之前述凹部之外部的工程。
  18. 如申請專利範圍第9項或第10項之發光二極體封裝之製造方法，其中，形成前述樹脂板的工程係具有：於模具之凹部內，供給液狀或半液狀之樹脂的工程和於前述樹脂，在按壓前述引線框之上面之狀態下，硬化前述樹脂的工程。
  19. 如申請專利範圍第18項之發光二極體封裝之製造方法，其中，形成前述樹脂板的工程係更具有：於前述引線框薄片之下面，黏貼膠帶之工程；硬化前述樹脂板之工程，係於前述引線框薄片之下面，在黏貼前述膠帶之狀態下加以實施者。
  20. 如申請專利範圍第9項或第10項之發光二極體封裝之製造方法，其中，於除去配置於前述引線框薄片及前述樹脂板之前述切割領域之部分的工程中，從前述引線框薄片之下面側，進行切割者。
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