TWI444947B - 電漿顯示器面板及場發射顯示器 - Google Patents

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TWI444947B TW096146137A TW96146137A TWI444947B TW I444947 B TWI444947 B TW I444947B TW 096146137 A TW096146137 A TW 096146137A TW 96146137 A TW96146137 A TW 96146137A TW I444947 B TWI444947 B TW I444947B
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Jiro Nishida
Yuji Egi
Takeshi Nishi
Shunpei Yamazaki
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Description

電漿顯示器面板及場發射顯示器
本發明有關於各自具有抗反射功能的電漿顯示器面板和場發射顯示器。
在各種顯示器中(電漿顯示器面板(之後稱為PDP)、場發射顯示器(之後稱為FED)、和其他)，可能存有由於來自外部的入射光的表面反射之周遭反射所導致觀看顯示螢幕的影像變為困難的例子，使得減低可視性。這是值得考量的問題，尤其針對於顯示裝置的尺寸增大或其戶外使用增加時。
為了要避免此來自外部的入射光之反射，已使用一種用於提供PDP和FED的顯示螢幕(其各自具有抗反射膜)之方法。例如，存有一種用於提供抗反射膜之方法，該抗反射膜具有由具有不同折射率的堆疊層之多層結構，以使得可應用於寬波長範圍之可見光(例如，參見參考文件1：日本公開專利申請案No. 2003-248102)。藉由多層結構，在該些堆疊層之間的各界面上反射的來自外部的入射光係干涉並彼此抵銷，其提供抗反射效應。
作為抗反射結構，係配置細微的圓錐狀或角錐狀凸出物在基板的上方，並減低該基板的表面之反射率(例如，參見參考文件2：日本公開專利申請案No. 2004-85831)。
然而，藉由上述多層結構，在界面上反射之來自外部的光無法抵銷之光被發射至觀看者側，作為反射光。為了要達成來自外部的入射光之相互抵銷，已需要精確地控制堆疊之薄膜的材料之光特性、厚度、以及其他，且針對來自外部的所有入射光(其係從各種角度入射)之抗反射處理已為困難的。再者，圓錐狀或角錐狀抗反射結構並非已具有足夠的抗反射功能。
有鑑於前述，習知抗反射膜具有功能性限制，已需要各自具有較高抗反射功能之PDP和FED。
本發明的目的之一在於提供PDP和FED，其各自具有高可視性以及可進一步減低來自外部的入射光之反射的抗反射功能。
本發明提供各自具有抗反射層的PDP和FED，該抗反射層可藉由幾何地包括複數個具有角錐狀的相鄰凸出物(之後稱之為錐狀凸出物)而避免光的反射。本發明的特點之一在於藉由從作為顯示螢幕之用的基板之表面朝外部(空氣側)突伸之錐狀凸出物的實體形狀，而改變來自外部之入射光的折射率。再者，另一特點在於提供由具有比錐狀凸出物之折射率的較低折射率的材料所形成之保護層，以使填充複數個錐狀凸出物之間的間隔。該複數個錐狀凸出物之間的間隔係指由於錐狀凸出物之配置所形成的凹處。
作為錐狀凸出物，具有角錐狀(其具有六角形基底)之凸出物(之後亦稱為六角形錐狀凸出物)是較佳的。複數個六角形錐狀凸出物可被堆積一起而沒有任何間隔，且光可在數個方向上有效地擴散，因為錐狀凸出物的六個側表面相對於基底係面向不同方向。一錐狀凸出物的周圍係由另一錐狀凸出物所圍繞，且在一錐狀凸出物中形成角錐狀的基底之各個側邊係與另一相鄰錐狀凸出物中形成錐狀凸出物的基底共用。
在本發明的抗反射層中之具有角錐狀之凸出物(具有六角形基底)可具有緊密堆疊結構而沒有任何間隔，且光可在數個方向上有效地擴散，因為具有此一形狀的錐狀凸出物具有最大數量之錐狀凸出物的側表面。因此，在本發明的抗反射層中之具有角錐狀之凸出物(具有六角形基底)具有高抗反射功能。
至於本發明的抗反射層，複數個錐狀凸出物之尖頂之間的距離係較佳為350nm或更少，且複數個錐狀凸出物之高度係為800nm或更高。再者，在作為顯示螢幕之用的基板上方，每單位面積之複數個錐狀凸出物的基底之填充因子(在作為顯示螢幕之用的基板上方之填充(佔有)比例)係較佳為80%或更多，以及更為較佳為90%或更多。填充因子係為在作為顯示螢幕之用的基板中六角形錐狀凸出物之形成區域所覆蓋的總面積之比例。當填充因子係為80%或更多，其中未形成在作為顯示螢幕之用的基板上方的六角形錐狀凸出物之平面部分的比率係為20%或更 少。再者，錐狀凸出物之基底的高度和寬度之間的比率係較佳為5或大於1。
在本發明中，保護層(其係設置以使填充複數個錐狀凸出物之間的間隔)的厚度可等於錐狀凸出物之高度，或是可高於錐狀凸出物的高度，以使覆蓋錐狀凸出物。在此例中，由於錐狀凸出物所導致的表面不平坦藉由保護層而被平面化。可選擇地，保護層的厚度可低於錐狀凸出物的高度，且在此例中，較接近基底之側邊的錐狀凸出物之部分係選擇性地覆蓋，且較接近尖頂之凸出物的部分係暴露在表面上。
因為其形狀，錐狀凸出物可進一步減低來自外部之入射光的反射。然而，當錐狀凸出物之間存有外來物質(例如：空氣中的灰塵和塵土)，外來物質導致來自外部的入射光之反射，且因此，存有其中無法獲得針對來自外部之入射光之足夠的抗反射效應之例子。在本發明中，由於保護層係形成在錐狀凸出物之間的間隔，可避免污物(例如：灰塵)進入至錐狀凸出物之間隔。因此，可避免由於灰塵或其他的進入所導致在抗反射功能上的減低，且可藉由填充錐狀凸出物之間的間隔而增加抗反射薄膜的物理強度。因此，可改善可靠度。
由於填充錐狀凸出物之間的間隔之保護層係使用具有比用於錐狀凸出物之材料較低折射率的材料所形成，空氣的折射率以及用於保護層之材料的折射率之間的差，係小於空氣的折射率以及用於錐狀凸出物之材料的折射率之間 的差，且可進一步抑制在界面上之反射。
本發明可提供各自具有抗反射層的PDP和FED，該抗反射層包括複數個相鄰錐狀凸出物，且因此，本發明可提供高抗反射功能。
在本發明中，PDP包括顯示面板的主體，該顯示面板具有放電元件和顯示裝置，撓性印刷電路板(FPC)及/或印刷佈線板(PWB)係附接至該顯示裝置上，且該電路板或佈線板上設置有IC、電阻器、電容器、電感器、電晶體之中的一或多個。再者，可包括光學濾波器，其具有電磁場屏蔽功能或近紅外線屏蔽功能。
FED包括顯示面板的主體，該顯示面板具有發光元件和顯示裝置，撓性印刷電路板(FPC)及/或印刷佈線板(PWB)係附接至該顯示裝置上，且該電路板或佈線板上設置有IC、電阻器、電容器、電感器、電晶體之中的一或多個。再者，可包括光學濾波器，其具有電磁場屏蔽功能或近紅外線屏蔽功能。
本發明的PDP和FED係各自設置有抗反射層，該抗反射層具有複數個配置的錐狀凸出物而在表面上沒有任何間隔。由於錐狀凸出物的側表面並未平行於顯示螢幕，來自外部的入射光未被反射至觀看者側，而是反射至另一相鄰錐狀凸出物或是在錐狀凸出物之間行進。再者，六角形錐狀凸出物具有緊密堆疊結構而沒有任何間隔，且具有在此類形狀之間的最佳形狀(其具有最大數量的錐狀凸出物之側表面)，以及可在數個方向上將光有效地擴散的高抗 反射功能。入射光的一部分進入錐狀凸出物，且入射光的其他部分接著入射至相鄰錐狀凸出物上，作為反射光。在此方式中，在錐狀凸出物之側邊的表面上反射之來自外部的入射光係重複地入射在相鄰錐狀凸出物上。
換言之，在入射至抗反射層上之來自外部的入射光之中，該光入射至抗反射層的錐狀凸出物上的次數係增加；因此，進入抗反射層之錐狀凸出物之來自外部的入射光之量係增加。因此，可減低反射至觀看者側之來自外部之入射光的量，並且可避免導致在可視性上的減低(例如：反射)。
此外，在本發明中，由於保護層係形成在錐狀凸出物之間的間隔，可避免污物(例如：灰塵)進入至錐狀凸出物之間的間隔。因此，可避免由於灰塵或其他的進入所導致在抗反射功能上之減低，並且可藉由填充錐狀凸出物之間的間隔而增加PDP和FED之物理強度。因此，可改善可靠度。
因此，可製造各自具有較高品質和較高性能之PDP和FED。
之後，將參照伴隨之圖式而敘述本發明的實施例模式。然而，本發明可以各種模式來實施。如熟悉此技藝之人士所能輕易理解的，本發明的該些模式和細節可以各種方式變化，而不脫離本發明的精神和範圍。因此，本發明 不應被解釋為侷限在實施例模式的下述敘述中。注意的是，可使用相同的參考數字來標示在不同圖式中相同部份以及具有相似功能的部分，用以參考圖式來說明實施例模式的結構，並省略其個別的說明。
(實施例模式1)
在此實施例模式中，將敘述抗反射層的例子，其係針對具有可進一步減低來自外部的入射光之反射的抗反射功能以及增加可視性之目的。
第1A圖顯示此實施例模式的抗反射層(其使用本發明)之頂視圖，且第1B至1D圖分別顯示此實施例模式的抗反射層(其使用本發明)之橫剖面圖。在第1A至1D圖中，在基板上設置有複數個六角形錐狀凸出物451和保護層452，該基板可作為PDP或FED 450的顯示螢幕之用。抗反射層係由複數個六角形錐狀凸出物451和保護層452所形成。第1A圖係為此實施例模式的PDP或FED之頂視圖。第1B圖係為沿著從第1A圖的G-H線所取得的橫剖面圖。第1C圖係為沿著從第1A圖的I-J線所取得的橫剖面圖。第1D圖係為沿著從第1A圖的M-N線所取得的橫剖面圖。如第1A至1D圖所示，錐狀凸出物451係彼此相鄰來設置，以使得填充作為顯示螢幕之用的基板的表面。注意的是，此處的顯示螢幕係意指設置於最靠近形成顯示裝置的複數個基板之觀看者側之該側上的基板之表面。
至於抗反射層，當相對於來自外部之入射光存有平面部分(平行於顯示螢幕的表面)時，來自外部的入射光反射至觀看者側；因此，小平面部分具有較高抗反射功能。再者，較佳係抗反射層的表面係為錐狀凸出物的複數個側表面(其面向不同的方向)所形成，用於進一步擴散來自外部的入射光。
此實施例中的六角形錐狀凸出物可具有緊密堆積結構而沒有間隔，且各個六角形錐狀凸出物具有此類型狀之中的最佳形狀，其具有最大數量的錐狀凸出物之側表面，以及可在數個方向上有效地擴散光之高抗反射功能。
複數個錐狀凸出物全部彼此接觸，以使成為幾何上連續，並且一錐狀凸出物的基底之各側係接觸另一相鄰錐狀凸出物的基底之一側。因此，此實施例模式中如第1A圖所示，複數個錐狀凸出物覆蓋作為顯示螢幕之用的基板之表面，而沒有錐狀凸出物之間的任意間隔。因此，如第1B至1D圖所示，因為基板的表面係由複數個錐狀凸出物所覆蓋，未有平行於顯示螢幕的平面部分，且來自外部之入射光進入複數個錐狀凸出物的傾斜表面；因此可減低在該平面部分上來自外部的入射光之反射。由於有數個錐狀凸出物之側表面，該些側表面各自相對於該錐狀凸出物的基底具有不同角度，入射光可在數個方向上進一步擴散，其係為較佳的。
此外，六角形錐狀凸出物係在該基底的頂點上與該複數個六角形錐狀凸出物之基底的頂點接觸，並且被複數個 錐狀凸出物之側表面(其相對於基底係面向不同方向)所圍繞；因此，光可在數個方向上被輕易地反射。因此，具有該基底上之數個頂點的六角形錐狀凸出物達成高抗反射功能。
由於此實施例模式的所有複數個錐狀凸出物451係從相鄰複數個錐狀凸出物的頂點以等距離設置，提供具有如第1B至1D圖所示之相同形狀的橫剖面。
第3A圖顯示本發明的錐狀凸出物(其彼此相鄰以堆積一起)之範例的頂視圖，且第3B圖顯示沿著從第3A圖的K-L線所取得的橫剖面圖。六角形錐狀凸出物5000係與周圍錐狀凸出物5001a至5001f的各個之基底的一側(形成六角形之基底的一側)相接觸。再者，錐狀凸出物5000以及圍繞著錐狀凸出物5000堆積的錐狀凸出物5001a至5001f中的各個之基底係為正六角形，從尖頂5100和尖頂5101a至5101f之垂直線，分別交叉於六角錐狀凸出物5000和5001a至5001f之基底之正六角形的中心。因此，從錐狀凸出物5000的尖頂5100到相鄰錐狀凸出物5001a至500f的尖頂5101a至5101f的距離係彼此相等。在此例中，如第3B圖所示，錐狀凸出物的尖頂之間的距離p以及錐狀凸出物的寬度a係彼此相等。
作為比較範例，第25A圖顯示其中相同形狀的圓錐狀凸出物係設置為彼此相鄰之例子；第25B圖顯示其中相同形狀的四角形錐狀凸出物係設置為彼此相鄰之例子；第25C圖顯示其中相同形狀的三角形錐狀凸出物係設置為彼 此相鄰之例子。第25A圖顯示其中圓錐狀凸出物堆積一起的結構；第25B圖顯示其中四角形錐狀凸出物堆積一起的結構；第25C圖顯示其中三角形錐狀凸出物堆積一起的結構。第25A至25C圖係為其中從上表面觀看的圓錐狀或錐狀凸出物之頂視圖。如第25A圖所示，圍繞著位於該中心周圍的圓錐狀凸出物5200，圓錐狀凸出物5201a至5201f係配置為具有緊密堆積結構。然而，即使當使用緊密堆積結構時，基底是圓形；因此，存有圓錐狀凸出物5200以及圓錐狀凸出物5201a至5201f之間的間隔，並且露出作為顯示螢幕之用的基板之平面部分。由於來自外部之入射光係從平面部分反射至觀看者側，係減低圓錐狀凸出物的相鄰抗反射膜之抗反射功能。
在第25B圖中，四角形錐狀凸出物5231a至5231h係配置為堆積一起並接觸位於中心的四角形錐狀凸出物5230之基底的正方形。以相同的方式，在第25C圖中，三角形錐狀凸出物5251a至5251l係配置為堆積一起並接觸位於中心的三角形錐狀凸出物5250之基底的正三角形。由於四角形錐狀凸出物和三角形錐狀凸出物的側表面之數量係低於六角形錐狀凸出物的側表面之數量，光並非容易地在數個方向上擴散。儘管相鄰六角形錐狀凸出物之尖頂之間的距離可配置為彼此相等，比較範例中的四角形錐狀凸出物或正三角形錐狀凸出物無法被配置，使得所有錐狀的尖頂(如第25A至25C圖中的虛線所示)之間之距離彼此相等。
至於圓錐狀凸出物、四角形錐狀凸出物、和此實施例模式的六角形錐狀凸出物，之後光學計算的結構係如圖所示。注意的是，至於圓錐狀凸出物、四角形錐狀凸出物、和此實施例模式的六角形錐狀凸出物，藉由提供錐狀凸出物所形成的凹處係由保護層來填充。此實施例模式中的計算係藉由使用用於光學裝置的光學計算模擬器之繞射MOD(係由RSoft Design Group, Inc.所製造)來達成。反射率的計算係藉由執行三維的光學計算來達成。第26圖顯示在圓錐狀凸出物、四角形錐狀凸出物、和六角形錐狀凸出物中之各個，光的波長以及反射率之間的關係。針對X和Y方向的諧量(其係為上述計算模擬器的參數)被設定為3，作為計算條件。再者，在使用圓錐狀凸出物或六角形錐狀凸出物之例子中，當圓錐狀凸出物或是六角形錐狀凸出物的尖頂之間的距離係為p，並且圓錐狀凸出物或是六角形錐狀凸出物之高度係為b，指數Res.(其係為上述計算模擬器的參數)被設定為下述：針對X方向的數值係以(×p/128)來計算；針對Y方向的數值係以(p/128)來計算；以及針對Z方向的數值係以(b/80)來計算。在使用如第25B圖所示的四角形錐狀凸出物的例子中，當四角形錐狀凸出物的尖頂之間的距離係為q，指數Res.(其係為上述計算模擬器的參數)被設定為下述：針對X方向和Y方向的各個之數值係以(q/64)來計算；以及針對Z方向的數值係以(b/80)來計算。
在第26圖，正方形資料標示器係標示圓錐狀凸出物 之資料，三角形資料標示器係標示四角形錐狀凸出物之資料，以及菱形資料標示器係標示六角形錐狀凸出物之資料，並且各個係顯示波長和反射率之間的關係。從光學計算結果，可確認的是，相較於其中圓錐狀凸出物或四角形錐狀凸出物被堆積一起的比較範例，其中此實施例模式的六角形錐狀凸出物被堆積一起的模式係顯示，平均上隨著波長的變動之反射率的較小變動寬度以及較低反射率，在380nm至780nm的波長範圍上，並且大幅地減低反射率。注意的是，圓錐狀凸出物、四角形錐狀凸出物、和六角形錐狀凸出物的折射率、高度、和寬度係分別皆為1.492、1500nm和300nm。再者，保護層的折射率係為1.05，且保護層覆蓋凸出物達至其尖頂，使得由於圓錐狀凸出物或錐狀凸出物所導致的不平坦被平面化。
當顯示螢幕的表面中(亦即，作為顯示螢幕的基板之表面)之每單位面積的複數個六角形錐狀凸出物之基底的填充因子係為80%或更多，較佳為90%或更多，由於來自外部的入射光(其入射至平面部分上)的比率是減低的，可避免來自外部的入射光被反射至觀看者側，其係為較佳的。填充因子係為基板(其作為顯示螢幕)被六角形錐狀凸出物的形成區域所覆蓋的總面積之比例。當填充因子係為80%或更多，平面部分(其中六角形錐狀凸出物未被形成在作為顯示螢幕的基板上)之比率係為20%或更少。
同樣地，在其中六角形錐狀凸出物堆積一起的模式中，針對由於改變六角形錐狀凸出物的寬度a和高度b所 導致的，相對於各個波長之在反射率上的變化之計算結果係在之後如圖所示。在第27圖，相對於某些波長的光在反射率上的變化係如圖所示，係在當六角形錐狀凸出物的寬度a係為300nm之時，以及高度b係為400nm(正方形資料標示器)、600nm(菱形資料表示器)、以及800nm(三角形資料表示器)之例子中。當高度b從400nm增加，經過600nm，並至800nm，根據已量測之波長減低反射率。在其中高度b為800nm之例子中，隨著波長的反射率變動亦是減低，並且反射率在已量測波長的完整範圍中係約為0.1%或更少，其係在可見光區域中。
此外，第28圖顯示相對於某些波長的光之光學反射率計算之結果，係在當六角形錐狀凸出物的寬度a係為300nm之時，以及高度b係在1000nm(正方形資料標示器)、1200nm(菱形資料表示器)、1400nm(三角形資料表示器)、1600nm(x形資料標示器)、1800nm(星狀資料標示器)、以及2000nm(圓形資料標示器)之間變化。如第28圖所示，當寬度a是300nm且高度b是1000nm或更高時，已量測波長(300nm至780nm)的反射率被抑制至如同0.1%一般低或更低。當高度b係為1600nm或更高，隨著波長的變化之寬度的變動是小的，並且針對所有已量測之波長反射率平均上被抑制至低的。
第29圖顯示相對於某些波長的光在折射率上的變化，其係在當六角形錐狀凸出物的高度b是800nm之時，以及寬度a係變動至100nm(正方形資料標示 器)、150nm(菱形資料標示器)、200nm(三角形資料表示器)、250nm(x形資料標示器)、300nm(星狀資料標示器)、350nm(交叉狀資料標示器)、以及400nm(圓形資料標示器)。係確認當寬度a從400nm縮減至350nm和300nm，隨著波長之變化的寬度的變動係減低，以聚集於各種曲線圖上。
第30圖顯示相對於某些波長的光之從六角形錐狀凸出物的基底側透射至其尖頂的光之透射率的光學計算，其係在當六角形錐狀凸出物的高度b是800nm之時，以及寬度a係在100nm(正方形資料標示器)、150nm(菱形資料標示器)、200nm(三角形資料標示器)、250nm(x形資料標示器)、300nm(星狀資料標示器)、350nm(交叉狀資料標示器)、以及400nm(圓形資料標示器)之間變化。如第30圖所示，係確認當高度b係為800nm時，當寬度a從400nm縮減至350nm，在其中透射率幾乎為100%之波長範圍的左端被移位至低波長側，以及當寬度a是300nm或更低時，具有從300nm至780nm的量測波長範圍之所有波長的光的幾乎100%被透射，以及在可見光區域中的光被足夠地透射。
如上所述，在複數個相鄰錐狀凸出物之尖頂之間的距離係較佳為350nm或更低(更為較佳地，大於或等於100nm以及小於或等於300nm)，且複數個錐狀凸出物之各個的高度係較佳為800nm或更多(更為較佳地，1000nm或更多，且甚而更為較佳地，大於或等於1600 nm以及小於或等於2000nm)。
第6A和6B圖顯示六角形錐狀凸出物的基底之其他範例。當利用如第6A和6B圖所示之六角形錐狀凸出物5300和六角形錐狀凸出物5301，所有六個側邊的長度以及六個內角之量值非必要地彼此相等。錐狀凸出物可被設置為彼此相鄰，以使堆積一起而沒有任何間隔，並且來自外部的入射光可在數個方向上擴散，即使使用六角形錐狀凸出物5300和六角形錐狀凸出物5301。
第2A和2B圖顯示具有如第1A至1D圖中的抗反射結構之錐狀凸出物之放大視圖。第2A圖係為錐狀凸出物的頂視圖，且第2B圖係為沿著從第2A圖的之O-P線所得的橫剖面視圖。O-P線係為垂直於一側邊並且通過錐狀凸出物的基底之中心的線。在如第2B圖所示之錐狀凸出物的橫剖面中，錐狀凸出物的側邊以及基底呈一角度(θ)。在此說明書中，垂直於該基底之側邊並且通過該錐狀凸出物的基底之中心的線之長度稱為六角形錐狀凸出物的基底之寬度a。再者，從該基底至六角形錐狀凸出物的尖頂之長度係稱為六角形錐狀凸出物之高度b。
在此實施例模式的錐狀凸出物中，高度b對錐狀凸出物的基底之寬度b的比例係較佳為5或是大於1。
第5A至5C顯示錐狀凸出物之形狀的範例。第5A圖顯示具有上表面(寬度a2)和基底(寬度a1)之形狀，其並非如同錐狀凸出物之具有點狀頂部的形狀。因此，在垂直於該基底之平面上的橫剖面視圖係為梯形。如第5A 圖所示，在設於基板490(其作為顯示螢幕)的表面上的錐狀凸出物491中，基底和上表面之間的距離稱為本發明之高度b。
第5B圖顯示其中具有設於基板470(其作為顯示螢幕)之表面上的圓形頂部之錐狀凸出物471之範例。在此方式中，錐狀凸出物可具有一具有圓形頂部之形狀，並且該頂部具有曲率。在此例中，錐狀凸出物的高度b係對應於基底和頂點部分的最高點之間的距離。
第5C圖顯示其中錐狀凸出物481設於基板480(其作為顯示螢幕)之表面上的範例，該錐狀凸出物481係以六角形錐狀凸出物之側表面和基底係在橫剖面上呈複數個角度θ1 和θ2 之方式來形成。在此方式中，錐狀凸出物可具有稜柱狀(錐狀凸出物的側表面相對於基底之角度被設定為θ2 )以及錐狀凸出物(錐狀凸出物之側表面相對於基底之角度被設定為θ1 )之堆疊的形狀。在此例中，θ1 和θ2 (其係為錐狀凸出物的側表面和基底之間的角度)係彼此不同，並且滿足0∘<θ1 <θ2 。在如第5C圖所示之錐狀凸出物481的例子中，錐狀凸出物的高度b係對應於錐狀凸出物的斜側邊之高度。
第1A至1D圖顯示其基底係彼此接觸的複數個錐狀凸出物堆積一起的結構；然而，可使用其中錐狀凸出物係設於薄膜(基板)之上部的表面上之結構。第8A至8D圖顯示其中錐狀凸出物之側表面未達到顯示螢幕以及包括複數個六角形錐狀凸出物之薄膜486係如第1A至1D圖 設置在一表面上(亦即，非中斷之連續薄膜)之範例。本發明的抗反射層可具有包括錐狀凸出物(其係彼此相鄰而堆積一起)之結構，並且錐狀凸出物可直接地形成在薄膜(基板)之表面上，以成為非中斷之連續結構；例如，可處理薄膜(基板)之表面以及可形成錐狀凸出物。例如，具有錐狀凸出物的形狀可藉由噴印法(例如：奈米壓印)而選擇性地形成。再者，錐狀凸出物可藉由另一步驟而形成在薄膜(基板)上方。此外，藉由使用黏著劑，六角形錐狀凸出物可附接至薄膜(基板)之表面。在此方式中，本發明的抗反射層可藉由施加各種形狀而形成，其各自具有複數個六角形錐狀凸出物。
作為設有錐狀凸出物的基板(亦即，作為顯示螢幕之基板)，可使用玻璃基板、石英基板、或其他。再者，可使用撓性基板。撓性基板意謂可被彎曲的(撓性)基板；例如，給定由聚乙烯對苯二甲酸酯、聚醚碸、聚苯乙烯、聚奈二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚亞醯胺、全芳族聚酯、或其他所形成的塑性基板；彈性體，其係為具有高分子重量的材料、或其他，可具有在高溫下為彈性而被成型並相似於塑性的性質，以及在室溫下為類似橡膠的彈性體之性質。再者，可使用薄膜(由聚丙烯、聚酯、乙烯、聚氟乙烯、氯乙烯、無機氣相沈積薄膜、或其他所形成)。
在本發明中，保護層的形狀並未加以限制，只要其設置於錐狀凸出物之間的間隔中。第7A至7D圖顯示保護層的形狀之範例。設置以填充錐狀凸出物之間的間隔之保 護層的厚度可以等於各個錐狀凸出物的高度，或可高於各個錐狀凸出物的高度，以使得覆蓋各個錐狀凸出物，如第7A和7B圖所示。在此例中，由於錐狀凸出物所導致的表面不平坦藉由保護層而減低以及平面化。第7A圖顯示其中藉由提供保護層492以完整地覆蓋錐狀凸出物491之間的間隔而平面化由於設置於基板(其作為顯示螢幕之用)的表面上之錐狀凸出物491所導致的表面不平坦以及其步驟之例子。
第7B圖顯示其中設置有保護層493以使完整地覆蓋設置於基板490(其作為顯示螢幕之用)的表面上之錐狀凸出物491之間的間隔以及其頂部，雖不完整地平面化保護層493的表面，然而反映錐狀凸出物491的不平坦形狀至某種程度。
可選擇地，保護層的厚度可小於錐狀凸出物的高度，且在此例中，選擇性地覆蓋較接近基底的側邊之一部分的錐狀凸出物，並將較接近尖頂的錐狀凸出物之頂點部分暴露在表面上。第7C圖顯示其中選擇性地覆蓋設置於基板490(其作為顯示螢幕之用)的表面上之錐狀凸出物491之保護層494以使填充錐狀凸出物491之間的間隔，以及各個錐狀凸出物491的頂點部分係暴露在表面上之結構。當使用其中錐狀凸出物491係暴露在表面上的此結構時，來自外部的入射光直接地進入錐狀凸出物491，而不通過保護層。因此，可增強抗反射功能。
形成在基板490(其作為顯示螢幕之用)上方之錐狀 凸出物491之間的間隔的保護層495，依據保護層的形成方法而定，可具有其中厚度係隨著錐狀凸出物之間的間隔所形成的凹部而減低的形狀，如第7D圖所示。
任何材料是可接受的，只要保護層係使用至少一材料而形成，該材料係具有比用於具有抗反射功能的錐狀凸出物之材料較低折射率之材料。因此，如適當時，可設定用於保護層的材料，因為其係相對於形成PDP和FED的顯示螢幕之基板以及形成在該基板上的錐狀凸出物的材料而決定。
錐狀凸出物可藉由其形狀而進一步減低來自外部的入射光之反射。然而，當在錐狀凸出物之間的間隔中存有外來物質(例如：空氣中的灰塵或塵土)時，外來物質導致來自外部的入射光之反射，且因此，存有其中無法獲得針對來自外部的入射光之足夠的抗反射效應的例子。在本發明中，由於保護層係形成在錐狀凸出物之間的間隔，可避免污物(例如：灰塵)進入至錐狀凸出物之間隔。因此，可避免由於灰塵或其他的進入所導致在抗反射功能上的減低，且可藉由填充錐狀凸出物之間的間隔而增加抗反射薄膜的物理強度。因此，可改善可靠度。
由於填充錐狀凸出物之間的間隔之保護層係使用具有比用於錐狀凸出物之材料較低折射率的材料所形成，空氣的折射率以及用於保護層之材料的折射率之間的差，係小於空氣的折射率以及用於錐狀凸出物之材料的折射率之間的差，且可進一步抑制在界面上之反射。
錐狀凸出物和保護層可各自非由具有非均勻折射率之材料所形成，而是其折射率係在從錐狀凸出物的尖頂部分至較接近基板(作為顯示螢幕之用)之方向上改變的材料所形成。例如，可使用其中較接近各個錐狀凸出物的尖頂部分之一部分係由具有等於空氣或保護層的折射率之折射率的材料所形成的結構，以減低來自外部的入射光之反射，其係從各個錐狀凸出物的表面上之空氣入射至各個錐狀凸出物上。同時，複數個錐狀凸出物可由其折射率較接近作為顯示螢幕之用的基板之折射率的材料所形成，使得在各個錐狀凸出物內部所傳送以及入射至該基板上的光之入射係在錐狀凸出物和基板之間的界面上被進一步地減低。當使用玻璃基板作為基板時，空氣或保護層的折射率係低於玻璃基板的折射率。因此，各個錐狀凸出物可具有一結構，該結構係以較接近各個錐狀凸出物的尖頂部分之一部分係由具有一較低折射率的材料所形成，以及較接近各個錐狀凸出物的基底之一部分係由具有較高折射率的材料所形成之方式(亦即，折射率在從尖頂部分至各個錐狀凸出物的基底之方向上增加)來形成。
用於形成錐狀凸出物的材料(例如：矽、氮、氟、氧化物、氮化物、或氟化物)之組成物，可根據形成顯示螢幕之表面的基板之材料而適當地選擇。氧化物可為氧化矽、氧化硼、氧化鈉、氧化鎂、氧化鋁(礬土)、氧化鉀、氧化鈣、三氧化二砷(氧化砷)、氧化鍶、氧化銻、氧化鋇、銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅、銦鋅氧化物 (IZO)(其中氧化銦和氧化鋅混合)、導電材料(其中氧化銦和氧化矽、有機銦、有機錫、含有氧化鎢的氧化銦、含有氧化鎢的銦鋅氧化物、含有氧化鈦的氧化銦、含有氧化鈦的銦錫氧化物、或其他。氮化物可為氮化鋁、氮化矽、或其他。氟化物可為氟化鋰、氟化鈉、氟化鎂、氟化鈣、氟化鑭、或其他。用於形狀錐狀凸出物的材料之組成可包括一或多種上述之矽、氮、氟、氧化物、氮化物、或氟化物。可依據各基板的成份之比率(組成比率)而適當地設定其混合比率。
可藉由濺鍍法、真空蒸鍍法、PVD(物理氣相沈積)法、或CVD(化學氣相沈積)法，例如低壓CVD(LPCVD)、或電漿CVD法來形成薄膜並接著蝕刻該薄膜至所欲之形成而形成錐狀凸出物。可選擇地，可使用液滴排放法(藉由該方法可選擇性地形成圖案)、印刷法(藉由該方法可將圖案轉印或繪製，用於形成圖案的方法，例如：網印法、或偏置印刷法)、塗佈法(例如：旋轉塗佈法、浸泡法、施配法、刷佈法、噴霧法、流體塗佈法、或其他)。另外可選擇地，可使用藉由轉印技術可形成奈米尺度的三維結構之壓印技術或奈米壓印技術。壓印和奈米壓印係為藉由該方法可形成細微三維結構而不需使用光微影製程之技術。
可使用用於形成錐狀凸出物之材料、或其他來形成保護層。作為具有較低折射率之材料，可使用矽土、礬土、含有碳的空氣膠、或其他。其製造方法係較佳為濕製程， 並且可使用液滴排放法(藉由該方法可選擇性地形成圖案)、印刷法(藉由該方法可將圖案轉印或繪製，用於形成圖案的方法，例如：網印法、或平板印刷法)、塗佈法(例如：旋轉塗佈法、浸泡法、施配法、刷佈法、噴霧法、流體塗佈法、或其他)。
此實施例模式之具有複數個錐狀凸出物的抗反射層之抗反射功能係參考第4圖敘述。在第4圖，相鄰六角形錐狀凸出物411a、411b、411c和411d係設置為堆積一起在作為顯示螢幕之用的基板410之表面，且保護層416係形成在其上。來自外部之入射光線414的一部分被反射，作為保護層416的表面上之反射光線415，然而透射光線412a係入射至錐狀凸出物411c上。透射光線412a的一部分進入錐狀凸出物411c，作為透射光線413a，且其他部分係在錐狀凸出物411c的側邊之表面上反射，作為反射光線412b。反射光線412b係再次地入射至相鄰於錐狀凸出物411c之錐狀凸出物411b上。反射光線412b的一部分進入錐狀凸出物411b，作為透射光線413b，且其他部分係在錐狀凸出物411b的側邊之表面上反射，作為反射光線412c。反射光線412c再次地入射至相鄰凸出物411c上。反射光線412c的一部分進入錐狀凸出物411c，作為透射光線413c，且其他部分係在錐狀凸出物411c的側表面之表面上反射，作為反射光線412d。反射光線412d再次地入射至相鄰於錐狀凸出物411c的錐狀凸出物411b上，且反射光線412d的一部分進入錐狀凸出物，作 為透射光線413d。
在此方式中，此實施例模式的抗反射層包括複數個錐狀凸出物。來自外部之入射光未被反射至觀看者側，而是反射至另一相鄰錐狀凸出物，因為各個錐狀凸出物之側表面並非平行於顯示螢幕。可選擇地，入射光在錐狀凸出物之間傳送。入射光的一部分進入相鄰錐狀凸出物，且入射光的其他部分接著入射至相鄰錐狀凸出物上，作為反射光。在此方式中，在錐狀凸出物之側表面上之來自外部的入射光係重複地入射至另一相鄰錐狀凸出物上。
換言之，在入射至抗反射層上之來自外部的入射光之中，該光入射至抗反射層的錐狀凸出物上的次數係增加；因此，進入抗反射層之錐狀凸出物之來自外部的入射光之量係增加。因此，可減低反射至觀看者側之來自外部之入射光的量，並且可避免在可視性上減低之原因(例如：反射)。
此外，在此實施例模式中，由於保護層係形成在錐狀凸出物之間的間隔，可避免污物(例如：灰塵)進入至錐狀凸出物之間的間隔。因此，可避免由於灰塵或其他的進入所導致在抗反射功能上之減低，並且可藉由填充錐狀凸出物之間的間隔而增加抗反射膜(基板)和顯示裝置之物理強度。因此，可改善可靠度。
此實施例模式可藉由提供具有複數個相鄰錐狀凸出物之抗反射層至其表面以及提供保護層在錐狀凸出物之間的間隔，而提供PDP和FED，其各自具有高可視性以及可 進一步減低來自外部的入射光之反射的抗反射功能。因此，可製造各自具有品質和較高性能之PDP和FED。
(實施例模式2)
在此實施例模式中，將敘述針對具有可進一步減低來自外部之入射光的反射之抗反射功能以及增加可視性之目的之PDP的範例。亦即，將詳細地敘述PDP之結構，其包括一對基板、設置於該對基板之間的一對電極、設置於該對電極之間的螢光體層、以及設置於該對基板之一基板的外側邊上之抗反射層。
在此實施例模式中，如圖所示為交流電放電類型(AC類型)之表面放射PDP。如第9圖所示，在PDP中，前基板110和後基板120係彼此面向配置，且前基板110和後基板120之周圍係以密封劑(圖未示)來密封。再者，由前基板110、後基板120、以及密封劑所圍繞的區域係以放電氣體來填充。
顯示部的放電元件係以矩陣來配置，且各個放電元件係設置在前基板110上的顯示電極以及後基板120上的位址電極之間的交叉點上。
前基板110係形成使得在第一方向上延伸的顯示電極係形成在第一光透射基板111之一表面上。顯示電極係由光透射導電層112a和112b、掃描電極113a、和維持電極113b所形成。係形成覆蓋第一光透射基板111、光透射導電層112a和112b、掃描電極113a、和維持電極113b之 光透射絕緣層114。再者，保護層115係形成在光透射絕緣層114上。
在第一光透射基板111的另一表面上，形成抗反射層100。抗反射層100包括錐狀凸出物101和保護層102。針對包括在抗反射層100中的錐狀凸出物101和保護層102，可個別地使用如實施例模式1所述之錐狀凸出物和保護層。
背基板120係形成使得在第二方向上(係與第一方向交錯)延伸之資料電極122係形成在第二光透射基板121的一表面上。係形成覆蓋第二光透射基板121和資料電極122的介電層123。用於區分各個放電元件之隔片(肋部)124係形成在介電層123的上方。螢光體層125係形成在由隔片(肋部)124以及介電層123所圍繞的一區域中。
由螢光體層125和保護層115所圍繞的間隔係以放電氣體來填充。
第一光透射基板111和第二光透射基板121可使用玻璃基板(其具有高應變點)或蘇打石灰玻璃基板(其可抵抗在超過500℃的溫度下所執行的烘烤製程)、或其他來形成。
形成在第一光透射基板111上的光透射導電層112a和112b較佳係各自具有光透射性質，以將從螢光體發出的光透射，並且係使用ITO或氧化錫來形成。再者，光透射導電層112a和112b可為矩形或T形狀。光透射導電層 112a和112b可藉由濺鍍法、塗佈法、或其他而將導電層形成在第一光透射基板111上並接著選擇性蝕刻之方式來加以形成。可選擇地，光透射導電層112a和112b可藉由液滴排放法、印刷法、或其他而選擇性地施加一組成物並接著烘烤之方式來加以形成。又可選擇地，光透射導電層112a和112b可藉由剝離法而形成。
掃描電極113a和維持電極113b係較佳地由具有低電阻值的導電層來形成並且可使用鉻、銅、銀、鋁、金、或其他來形成。再者，可使用銅、鉻、和銅的堆疊，或是鉻、鋁、和鉻的堆疊。作為形成掃描電極113a和維持電極113b的方法，如適當時，可使用形成光透射導電層112a和112b之方法的相似方法。
可使用含有鉛或鋅的具有低熔點之玻璃來形成光透射絕緣層114。作為形成光透射絕緣層114的方法，可使用印刷法、塗佈法、胚片層壓法、或其他。
保護層115係提供用以保護以免介電層的放電電漿以及用以幫助二次電子的發射。因此，係較佳使用具有低離子濺鍍率、高二次電子發射係數、低放電開始電壓、和高表面絕緣性質的材料。此一材料的典型粒子係為氧化鎂。作為形成保護層115的方法，可使用電子束蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法、蒸鍍法、或其他。
注意的是，彩色濾光器和黑矩陣可設置於第一光透射基板111以及光透射導電層112a和112b之間的界面上、光透射導電層112a和112b以及光透射絕緣層114之間的 界面上、光透射絕緣層114中、光透射絕緣層114和保護層115之間的界面上、或其他。提供彩色濾光器和黑矩陣使得改善亮和暗之間的對比是可行的，並且可改善螢光體的發出顏色之色彩純度。相對於發光元件的發射波譜之彩色層係設置用於彩色濾光器。
作為彩色濾光器的材料，存有其中無機顏料係分佈於具有低熔點的光透射玻璃、彩色組成係為金屬或金屬氧化物的彩色玻璃、以及其他的材料。針對於無機顏料，可使用鐵氧化物為基的材料(紅)、鉻為基的材料(綠)、釩-鉻為基的材料(綠)、鈷-鋁為基的材料(藍)、或是釩-鋯為基的材料(藍)。另外，針對黑矩陣的無機顏料，可使用鐵-鈷-鉻為基的材料。除了無機顏料之外，如適當時，可混合著色劑，作為RGB的所欲之彩色色調或所欲之黑矩陣。
資料電極122可以如同掃描電極113a和維持電極113b之相同方式而形成。
介電層123較佳係為具有高反射率的白色，以使有效地擷取從螢光體所發出的光至前基板側。介電層123可使用含有鉛、氧化鋁、二氧化鈦或其它之具有低熔點的玻璃而形成。作為形成介電層123的方法，如適當時，可使用形成光透射絕緣層114之方法的相似方法。
隔片(肋部)124係使用含有鉛之具有低熔點的玻璃和陶瓷所形成。當隔片(肋部)係以十字形狀而形成時，隔片(肋部)可避免在相鄰放電元件之間的發射光之顏色 混合，以及改善彩色純度。作為形成隔片(肋部)124之方法，可使用網印法、噴沙法、附加法、光敏黏著法、壓力形成法、或其他。儘管在第9圖中隔片(肋部)124係以十字形狀而形成，可使用多邊形或圓形來替代。
螢光體層125可使用各種螢光材料(其可藉由紫外線輻射而發出光)而形成。例如，存有作為藍色螢光材料的BaMgAl14 O23 :Eu、作為紅色螢光材料的(Y.Ga)BO3 :Eu、以及作為綠色螢光材料的Zn2 SiO4 :Mn；然而，若適當時，可使用其他螢光材料。螢光體層125可藉由印刷法、施配法、光學黏接法、螢光體乾膜法(藉由該方法，其中分佈有螢光體粉末的乾膜光阻係被層壓)、或其他而形成。
針對於放電氣體，可使用氖和氬的混合氣體；氦、氖和氙的混合氣體；氦、氙和氪的混合氣體；或其他。
接著，之後如圖所示為形成PDP之方法。
在後基板120的周圍中，密封用玻璃藉由印刷方法而印刷且然後預烘烤。接著，對準前基板110和後基板120、暫時地彼此固定、以及接著加熱。因此，密封用玻璃被熔融並冷卻，因而前基板110和後基板120被附接一起，以使得製造一面板。接著，當面板正被加熱時，面板的內部被抽至真空。接著，在放電氣體從設置於後基板120中的排氣管而被導入至面板的內部之後，排氣管的開端被堵住，且面板的內部藉由加熱設置於後基板120中的排氣管而被氣密地密封。之後，將面板之元件放電，並在放電持續直至發光性質和放電特性變為穩定之期間，執行 熟化。因此，可完成該面板。
作為此實施例模式的PDP，如第10A圖所示，與具有密封的前基板110和後基板120一同形成之光學濾波器130，其中電磁波屏蔽層133和近紅外線屏蔽層132係形成在光透射基板131之一表面上，且如實施例模式1所述之抗反射層100係形成在光透射基板131的另一表面上。注意的是，在第10A圖，如圖所示係為其中抗反射層100未形成在前基板110的第一光透射基板111之一表面上的模式；然而，如實施例模式1所述之抗反射層可亦被設置於前基板110的第一光透射基板111之該表面上。藉由此一結構，可進一步減低來自外部的入射光之反射率。
當在PDP之內部產生電漿時，電磁波、紅外線、和其他被釋放在PDP之外部。電磁波係對人體有害的。再者，紅外線導致遠端控制氣的故障。針對此原因，光學濾波器130係較佳使用於屏蔽免於電磁波和紅外線。
抗反射層100可藉由如實施例模式1所述之製造方法而形成在光透射基板131的上方。可選擇地，光透射基板131的表面可為抗反射層。更可選擇地，抗反射層100可使用UV硬化黏著劑或其他而被附接至光透射基板131。
作為電磁波屏蔽層133之典型範例，存有金屬網材、金屬纖維網材、其中有機樹脂纖維係以金屬層來塗布之網材、和其他。金屬網材和金屬纖維網材係由金、銀、鉑、鈀、銅、鈦、鉻、鉬、鎳、鋯、或其他。在光阻遮罩形成在光透射基板131的上方之後，可藉由電鍍法、無電電鍍 法、或其他而形成金屬網材。可選擇地，金屬網材可以下述之方式而形成，導電層係形成在光透射基板131的上方，且接著，導電層藉由使用由光微影製程所形成的光阻遮罩而被選擇性蝕刻。再者，當適當時，金屬網材可藉由使用印刷法、液滴排放法、或其他而形成。注意的是，形成在樹脂纖維的表面上之金屬網材、金屬纖維網材、和金屬層中的各個之表面係較佳處理為黑色，以使減低可見光的反射率。
有機樹脂纖維(其表面係以金屬層來覆蓋)可由聚酯、尼龍、二氯乙烯、醯胺、維尼綸、纖維素、或其他。再者，有機樹脂纖維的表面上之金屬層可使用用於金屬網材之材料中的任一者而形成。
針對電磁波屏蔽層133，可使用具有10Ω/或更低(較佳為4Ω/，且更為較佳為2.5Ω/或更少)的表面電阻的光透射導電層。針對光透射導電層，可使用由ITO、氧化錫、氧化鋅、或其他所形成的光透射導電層。考量到表面電阻和光透射性質，光透射導電層的厚度係較佳大於或等於100nm以及小於或等於5μm。
再者，作為電磁波屏蔽層133，可使用光透射導電膜。作為光透射導電膜，可使用其中分佈有導電粒子的塑性膜。針對導電粒子，存有碳、金、銀、鉑、鈀、銅、鈦、鉻、鉬、鎳、鋯、或其他之粒子。
此外，作為電磁波屏蔽層133，可提供具有如第10B圖所示之錐狀的複數個電磁波吸收體135。作為電磁波吸 收體，可使用多邊形椎體，例如：三角形椎體、四角形椎體、十角形椎體、或六角形椎體；圓形椎體；或其它。可使用和光透射導電膜之方法的相似材料而形成電磁波吸收體。此外，電磁波吸收體可形成，以使得由ITO或其他所形成之光透射導電膜被處理為圓形椎體或多邊形椎體。另外，電磁波吸收體可以下述之方式而形成，圓形椎體或多邊形椎體係使用和光透射導電膜之材料的相似材料而形成，且接著光透射導電層形成在圓形椎體或多邊形椎體之表面上。注意的是，電磁波吸收體的頂角係面向第一光透射基板111側，因而可增加電磁波之吸收。
注意的是，電磁波屏蔽層133可使用黏著劑(例如：丙烯酸為基的黏著劑、矽氧烷為基的黏著劑、或氨基鉀酸酯為基的黏著劑)而附接至近紅外線屏蔽層132。
注意的是，電磁波屏蔽層133的端部係接地至接地端。
近紅外線屏蔽層132係為其中一或多種具有最大吸收波長(其在800nm至1000nm的波長範圍中)的染料被溶解至有機樹脂中的一層。作為染料，存有花青素為基的化合物、酞花青素為基的化合物、萘花青素為基的化合物、萘醌為基的化合物、蔥醌為基的化合物、二硫酚為基的化合物、和其他。
作為有機樹脂(其可用於近紅外線屏蔽層132)，當適當時，可使用聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、或其他。再者，當適當時，可使用溶劑，用於將染料 溶解。
可由以銅為基的材料、酞花青素為基的化合物、氧化鋅、銀、ITO、或其他所形成的光透射導電層；或鎳錯合物層之中擇一形成在光透射基板131之表面上以作為近紅外線屏蔽層132。注意的是，在利用該材料來形成近紅外線屏蔽層132之例子中，近紅外線屏蔽層132具有光透射性質並以足以阻擋近紅外線之厚度而形成。
作為形成近紅外線屏蔽層132的方法，可藉由印刷法、塗佈法、或其他而施加組成物，並藉由熱或光輻射而硬化。
針對光透射基板131，可使用玻璃基板、石英基板、或其他。再者，亦可使用撓性基板。撓性基板係為可被彎曲的(撓性)基板；例如，給定由聚乙烯對苯二甲酸酯、聚醚碸、聚苯乙烯、聚奈二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚亞醯胺、全芳族聚酯、或其他所形成的塑性基板或其他。可選擇地，可使用薄膜(由聚丙烯、聚酯、乙烯、聚氟乙烯、氯乙烯、聚醯胺無機氣相沈積薄膜、或其他所形成)。
注意的是，在第10A圖，前基板110和光學濾波器130係設置有插設於其間的間隔134；然而，如第11圖所示，光學濾波器130和前基板110可使用黏著劑136而附接至彼此。針對黏著劑136，當適當時，可使用具有光透射性質的黏著劑，且典型地，存有丙烯酸為基的黏著劑、矽氧烷為基的黏著劑、或氨基鉀酸酯為基的黏著劑。
尤其，當塑膠係用於光透射基板131且光學濾波器130係藉由使用黏著劑136而設置於前基板110的表面上時，可達成電漿顯示器的厚度上和重量上的減低。
注意的是，此處電磁波屏蔽層133和近紅外線屏蔽層132係使用不同的層而形成；然而，電磁波屏蔽層133和近紅外線屏蔽層132可由具有電磁波屏蔽功能和近紅外線屏蔽功能的一功能層來替代。在此方式中，可減低光學濾波器130的厚度，且可達成PDP之重量上和厚度上之減低。
接著，參照第12、13和14圖而敘述PDP模組和其驅動方法。第12圖係為放電元件的橫剖面圖。第13圖係為PDP模組的透視圖。第14圖係為PDP模組的概要圖。
如第13圖所示，在PDP模組中，前基板110和後基板120之周圍係以密封用玻璃141來加以密封。掃描電極驅動器電路142(其驅動掃描電極)和維持電極驅動器電路143(其驅動維持電極)係設置於第一光透射基板(其係為前基板110的部分)的上方。掃描電極驅動器電路142係連接至掃描電極，且維持電極驅動器電路143係連接至維持電極。
資料電極驅動器電路144(其驅動資料電極)係設置於第二光透射基板(其係為後基板120的部分)的上方，並連接至資料電極。此處，資料電極驅動器電路144係設置於佈線板146的上方，並經由FPC 147而連接至資料電極。儘管未圖示，控制電路(其控制掃描電極驅動器電路 142、維持電極驅動器電路143、和資料電極驅動器電路144)係設置於第一光透射基板111或第二光透射基板121的上方。
如第14圖所示，顯示部145的放電元件150係根據輸入之影像資料而由控制部來選擇，並且等於放電開始電壓或更多之電壓的脈衝電壓被施加至放電元件150之掃描電極113a和資料電極122，以在電極之間執行放電。由於放電之緣故，壁電荷係累積在保護層的表面上，且產生壁電壓。接著，藉由在顯示電極之間(在掃描電極113a和維持電極113b之間)施加用於保持放電之脈衝電壓，在如第12圖所示之前基板110側上產生電漿116，以保持放電。再者，當後基板的螢光體層125的一表面上係以從電漿中之放電氣體所產生的紫外線117來照射時，螢光體層125被激發，以導致螢光體發出光，且該光係發射至前基板側，作為發射光118。
注意的是，因為沒有用於掃描顯示部145之內部的維持電極113b的需要，維持電極113b可作為共用電極。再者，藉由作為共用電極之用的維持電極，可減低驅動器IC的數量。
作為此實施例模式中的PDP，係敘述AC型反射型表面發射PDP；然而，本發明並不侷限於此。在AC放電型透射發射PDP中，可提供抗反射層100。再者，在直流(DC)放電型PDP中，可提供抗反射層100。
此實施例模式中所述之PDP係包括在其表面上的抗 反射層。抗反射層包括複數個錐狀凸出物，且來自外部的入射光未被反射至觀看者側，而是反射至另一相鄰錐狀凸出物，因為各個錐狀凸出物的側邊並非垂直於來自外部之入射光的入射方向。可選擇地，來自外部之入射光的反射光係在相鄰錐狀凸出物之間傳送。入射光的一部分進入相鄰錐狀凸出物，且入射光的另一部分接著入射至相鄰錐狀凸出物上，作為反射光。在此方式中，在錐狀凸出物的側邊之表面上所反射之來自外部的入射光係重複地入射至相鄰錐狀凸出物上。
換言之，來自外部之入射光的入射，其被入射至PDP之錐狀凸出物上的次數係增加；因此，進入錐狀凸出物之來自外部的入射光之量係增加。因此，可減低反射至觀看者側之來自外部之入射光的量，並且可避免導致在可視性上的減低(例如：反射)。
在顯示螢幕中，當相對於來自外部之入射光存有平面部分(平行於顯示螢幕的表面)時，由於來自外部之入射光係反射至觀看者側，小平面區域具有高抗反射功能。再者，較佳為錐狀凸出物(相對於基底具有面向不同方向的錐狀凸出物之複數個側表面)係形成在作為顯示螢幕之用的基板之一表面上，用於進一步擴散來自外部的入射光。
此實施例模式中的六角形錐狀凸出物可具有緊密堆積結構而沒有間隔，並具有由此種形狀之中的最佳形狀，其具有最大數量之錐狀凸出物的側邊，以及可在數個方向上有效地擴散光之高抗反射功能。
複數個相鄰錐狀凸出物的尖頂之間的距離較佳係為350nm或更小，並且該複數個錐狀凸出物的高度較佳係為800nm或更高。再者，在作為顯示螢幕之用的基板之表面上，每單位面積之該複數個六角形錐狀凸出物的基底之填充因子係為80%或更多，較佳係為90%或更多，由於入射至平面部分上的來自外部之入射光的比率係減低，光可被避免反射至觀看者側，其為較佳的。
錐狀凸出物可非由具有非均勻折射率之材料所形成，而是其折射率係在從錐狀凸出物的尖頂部分至較接近基板(作為顯示螢幕之用)改變的材料所形成。例如，在複數個錐狀凸出物之各個中，可使用其中較接近各個錐狀凸出物的尖頂部分之一部分可由具有等於空氣或保護層的折射率之折射率的材料所形成的結構，以減低來自外部的入射光之反射，其係從各個錐狀凸出物的表面上之空氣入射至各個錐狀凸出物上。同時，複數個錐狀凸出物可由其折射率較接近作為顯示螢幕之用的基板之折射率的材料所形成，使得在各個錐狀凸出物內部所傳送以及入射至該基板上的光之入射係在錐狀凸出物和基板之間的界面上被進一步地減低。當使用玻璃基板作為基板時，空氣或保護層的折射率係低於玻璃基板的折射率。因此，各個錐狀凸出物可具有一結構，該結構係以較接近各個錐狀凸出物的尖頂部分之一部分係由具有一較低折射率的材料所形成，以及較接近各個錐狀凸出物的基底之一部分係由具有較高折射率的材料所形成之方式(亦即，折射率在從尖頂部分至各 個錐狀凸出物的基底之方向上增加)來形成。
此外，在本發明中，由於保護層係形成在錐狀凸出物之間的間隔中，可避免污物(例如：灰塵)進入至錐狀凸出物之間隔。因此，可避免由於灰塵或其他的進入所導致在抗反射功能上的減低，且可藉由填充錐狀凸出物之間的間隔而增加抗反射薄膜的物理強度。因此，可改善可靠度。
此實施例模式中所述之PDP包括可藉由提供具有複數個相鄰錐狀凸出物之抗反射層至其表面以及在錐狀凸出物之間的間隔中的保護層，而進一步減低來自外部之入射光的反射之高抗反射功能。因此，可提供具有高可視性的PDP。因此，可製造具有較高品質和較高性能的PDP。
(實施例模式3)
在此實施例模式中，將敘述針對具有可進一步減低來自外部之入射光的反射之抗反射功能以及增加可視性之目的之FED。亦即，將詳細地敘述FED之結構，其包括一對基板、設置於該對基板之一基板上的場發射元件、設置於該對基板之另一基板上的電極、與該電極相接觸的螢光體層、以及設置於另一基板的外側邊上之抗反射層。
FED係為其中藉由用於發出光之電子束來激發螢光體之顯示裝置。FED可根據電極之組態而分類為二極體FED、三極體FED、和四極體FED。
二極體FED具有其中矩形陰極電極係形成在第一基 板的一表面上而矩形陽極電極係形成在第二基板之一表面上的結構，且陰極電極和陽極電極係以插設於其間的數μm至數mm之距離而彼此交叉。藉由設定10kV或更低之電位差，在介於陰極電極和陽極電極之間的真空空見中之交點上之電極間發出電子束。這些電子到達提供至陰極電極之螢光體層，以激發螢光體和發出光，因而可顯示影像。
三極體FED具有其中交叉陰極電極的閘極電極(具有插設於其間的絕緣膜)係形成在設有陰極電極之第一基板上的結構。陰極電極和閘極電極係以矩形或以矩陣方式配置，且電子發射單元係形成在陰極電極和閘極電極之交點部分中，其包括絕緣膜。藉由施加電壓至陰極電極和閘極電極，電子束從電子發射單元發出。此電子束被拉向第二基板的陽極電極(高於施加至閘極電極之電壓的電壓施加至其上)，因而激發提供至陽極電極之螢光體層，使得可藉由光發射顯示影像。
四極體FED具有其中具有開口之盾狀或薄膜聚焦電極係形成在三極體FED之閘極電極和陽極電極之間的各像素中的結構。藉由聚焦電極而將各像素中從電子發射單元所發出之電子束聚焦，可激發提供至陽極電極之螢光體層，且因此，可藉由光發射顯示影像。
第15圖係為FED透視圖。如第15圖所示，前基板210和後基板220係彼此相對，且前基板210和後基板220之周圍係以密封劑(圖未示)來密封。為了要保持前 基板210和後基板220之間的固定間隔，間隔物213係設置於前基板210和後基板220之間。再者，前基板210、後基板220和密封劑的包圍區域係保持在真空中。當電子束在該包圍區域中時，螢光體層232(其提供至陽極電極)或金屬背部被激發以發出光，且一給定元件被達成發出光；因此獲得一顯示影像。
顯示部的放電元件係以矩陣來配置。
在前基板210中，螢光體層232係形成在第一光透射基板211的一表面上。金屬背部234係形成在螢光體層232上。注意的是，陽極電極可形成在第一光透射基板211和螢光體層232之間。針對陽極電極，可形成在第一方向上延伸之矩形導電層。
抗反射層200係形成在第一光透射基板211的另一表面上。抗反射層200包括錐狀凸出物201和保護層102。作為錐狀凸出物201和保護層102，可分別地使用如實施例模式1所述之錐狀凸出物和保護層。
在後基板220中，電子發射單元226係形成在第二光透射基板221的一表面上。做為電子發射單元，提出各種結構。尤其，存有Spindt(史賓特)型電子發射單元、表面傳導電子發射單元、彈道電子面發射型電子發射單元、金屬-絕緣體-金屬(MIM)元件、碳奈米管、石墨奈米纖維、類鑽碳(DLC)、以及其他。
此處，參照第18A和18B圖所示為典型電子發射單元。
第18A圖係為具有史賓特型電子發射單元之FED的元件之橫剖面圖。
陰極電極222和形成在陰極電極222上方之圓筒形電子源225係包括在史賓特型電子發射單元230中。圓筒形電子源225係由金屬或半導體所形成。閘極電極224係配置在圓筒形電子源225之周圍。注意的是，閘極電極224和陰極電極222係藉由層間絕緣層223而彼此絕緣。
當施加電壓於形成於後基板220中之閘極電極224和陰極電極222之間時，電場係集中在圓筒形電子源225之各個尖頂部分上，以增加電場之強度，使得電子藉由穿遂從金屬或半導體(其形成圓筒形電子源225)而被發射至真空。另一方面，前基板210設置有金屬背部234(或陽極電極)和螢光體層232。藉由施加電壓至金屬背部234(或陽極電極)，從圓筒形電子源225所發出的電子束235被導引至螢光體層232，且螢光體被激發，使得可獲得光發射。因此，由閘極電極224所包圍之圓筒形電子源225可以矩陣方式來配置，且可藉由選擇性地施加電壓至陰極電極、金屬背部(或陽極電極)、和閘極電極而控制各個元件之光發射。
史賓特型電子發射單元具有一些益處，在於：(1)電子擷取效能是高的，由於其具有其中電子發射單元係配置在閘極電子之中央區域中並具有最大電場集中度的結構，(2)電子發射單元之擷取電流的平面上均勻度是高的，由於具有電子發射單元之配置的圖案可準確地獲得，以設定 適當的電場分佈和其他之配置。
接著，係敘述具有史賓特型電子發射單元之元件的結構。前基板210包括第一光透射基板211、形成在第一光透射基板211上之螢光體層232和黑矩陣233、以及形成在螢光體層232和黑矩陣233上之金屬背部234。
作為第一光透射基板211，可使用相似於如實施例模式2所述之第一光透射基板11之基板。
針對螢光體層232，可使用藉由電子束235激發的螢光材料。再者，作為螢光體層232，RGB的螢光體層可設置有矩形配置、格狀配置、或三角形配置，使得彩色顯示是可行的。作為典型範例，可給定Y2 O2 S:Eu(紅)、Zn2 SiO4 :Mn(綠)、ZnS:Ag,Al(藍)、以及其他。除了這些材料以外，亦可使用藉由已知電子束來激發的螢光材料。
黑矩陣233係形成在個別螢光體層232之間。藉由提供黑矩陣，可避免由於電子束235的輻射位置的不對準所導致在發出色彩上的不一致。再者，藉由提供對黑矩陣233的導電性，可避免由於電子束所導致之螢光體層232的充電。針對黑矩陣233，可使用碳粒子。注意的是，亦可使用用於FED之已知黑矩陣材料。
螢光體層232和黑矩陣233可使用泥漿製程或印刷法而形成。在泥漿製程中，其中螢光材料或碳粒子被混合至光敏材料的組成物、溶劑、或其他係藉由旋轉塗佈法而施加並乾糙，以及接著曝光和顯影。
金屬背部234可使用具有10nm至200nm之厚度(較佳係為50nm至150nm之厚度)的鋁或其他之導電薄膜而形成。藉由提供金屬背部234，從螢光體層232發出並行進至後基板220側之光可朝第一光透射基板211反射，使得可改善發光性。再者，金屬背部234可避免螢光體層232免於離子的衝擊之危害，該些離子係以保持在元件中之氣體藉由電子束235而被離子化之方式而產生。金屬背部234可將電子束235導引至螢光體層232，因為金屬背部234扮演相對於電子發射單元230之陽極電極的角色。金屬背部234可以藉由濺鍍法而形成導電層並接著選擇性蝕刻之方式而形成。
後基板220係由下述所形成：第二光透射基板221、形成在第二光透射基板221上之陰極電極222、形成在陰極電極222上之圓筒形電子源225、將電子源225分隔為各個元件之層間絕緣層223、以及形成在層間絕緣層223上之閘極電極224。
作為第二光透射基板221，可使用相似於如實施例模式2中所述之第二光透射基板121的基板。
陰極電極222可使用鎢、鉬、鈮、鉭、鈦、鉻、鋁、銅、或ITO而形成。作為形成陰極電極222之方法，可使用電子束蒸鍍法、熱蒸鍍法、印刷法、電鍍法、或其他。再者，導電層係藉由濺鍍法、CVD法、離子電鍍法、或其他而形成在整體表面上，且接著，導電層係使用光阻遮罩或其他而被選擇性蝕刻，使得可形成陰極電極222。當 形成陽極電極時，陰極電極可由在第一方向(平行於陽極電極)上延伸之矩形導電層所形成。
電子源225可使用鎢、鎢合金、鉬、鉬合金、鈮、鈮合金、鉭、鉭合金、鈦、鈦合金、鉻、鉻合金、給予n型導電性(摻雜有磷)的矽、或其他而形成。
層間絕緣層223可使用下述而形成：在藉由使用矽氧烷聚合物為基的材料作為開始材料而形成之包括矽、氧、和氫的化合物之中，包括Si-O-Si鍵結之無機矽氧烷聚合物，其典型係為矽土玻璃；或是有機矽氧烷聚合物，其中被鍵結至矽的氫係以有機群組來替代，例如：甲基、或苯基，其典型係為烷基矽氧烷聚合物、烷基矽倍半氧烷聚合物、矽倍半氧烷氫化物聚合物、或是烷基矽倍半氧烷氫化物聚合物。當層間絕緣層223係使用上述材料而形成時，係使用塗佈法、印刷法、或其他。可選擇地，作為層間絕緣層223，可藉由濺鍍法、CVD法、或其他而形成氧化矽層。注意的是，在形成電子源225之區域中，層間絕緣層223設置有開口。
閘極電極224可使用鎢、鉬、鈮、鉭、鈦、鉻、鋁、銅、或其他而形成。作為形成閘極電極224之方法，當適當時，可使用形成陰極電極222之方法。閘極電極224可由在第二方向(其與第一方向在90∘交錯)上延伸之矩形導電層而形成。注意的是，在形成電子源225之區域中，閘極電極224設置有開口。
注意的是，在閘極電極224和金屬背部234之間的間 隔中，亦即在前基板210和後基板220之間的間隔中，可形成聚焦電極。聚焦電極係設置以使聚焦從電子發射單元所發出之電子束。藉由提供聚焦電極，可改善光發射元件之光發射發光性，可抑制相鄰元件之彩色混合所導致之對比上的縮減、或是其他。相比於金屬背部(或陽極電極)，負電壓係較佳被施加至聚焦電極。
接著，係敘述具有表面傳導電子發射單元之FED的元件之結構。第18B圖係為具有表面傳導電子發射單元之FED的元件之橫剖面圖。
表面傳導電子發射單元250係由彼此相對之單元電極255和256、以及分別與單元電極255和256相接觸的導電層258和259所形成。導電層258和259具有間隔部。當施加電壓至單元電極255和256時，強電場係產生於間隔部分中，且由於穿遂效應電子係從導電層之一者發射至另一者。藉由施加正電壓至設置於前基板210中之金屬背部234(或陽極電極)，從導電層之一者發射至另一者之電子被導引至螢光體層232。當此電子束260激發螢光體，可獲得光發射。
因此，表面傳導電子發射單元係以矩陣來配置，且電壓係選擇性地施加至單元電極255和256以及金屬背部(或陽極電極)，使得可控制各個元件之光發射。
相比於其他電子發射單元，因為表面傳導電子發射單元之驅動電壓是低的，可降低FED之功率消耗。
接著，係敘述具有表面傳導電子發射單元之元件的結 構。前基板210包括第一光透射基板211、形成在第一光透射基板211上之螢光體層232和黑矩陣233、以及形成在螢光體層232和黑矩陣233上之金屬背部234。注意的是，陽極電極可形成在第一光透射基板211和螢光體層232之間。針對陽極電極，可形成在第一方向上延伸之矩形導電層。
後基板220係由下述所形成：第二光透射基板221、形成第二光透射基板221上之列方向佈線252、形成在列方向佈線252和第二光透射基板221上之層間絕緣層253、藉由插設於其間之層間絕緣層253而連接至列方向佈線252之連接佈線254、連接至連接佈線254並形成在層間絕緣層253上之單元電極255、形成在層間絕緣層253上之單元電極256、連接至單元電極256之行方向佈線257、與單元電極255相接觸之導電層258、以及與單元電極256相接觸之導電層259。注意的是，如第18B圖所示之電子發射單元250係為一對單元電極255和256以及一對導電層258和259。
列方向佈線252可使用金屬(例如：鈦、鎳、金、銀、銅、鋁、或鉑)或這些金屬之合金而形成。作為形成列方向佈線252之方法，可使用液滴排放法、真空蒸鍍法、印刷法、或其他。可選擇地，列方向佈線252可以藉由蒸鍍法、CVD法、或其他而形成導電層，並接著選擇性蝕刻之方式而形成。單元電極255和256之各個的厚度係較佳為20nm至500nm。
作為層間絕緣層253，當適當時，可使用相似於如第18A圖所示之層間絕緣層223之材料和形成方法的材料和形成方法。層間絕緣層253之厚度係較佳為500nm至5μm。
作為連接佈線254，當適當時，可使用相似於列方向佈線252之材料和形成方法的材料和形成方法。
該對單元電極255和256可使用金屬(例如：鉻、銅、銥、鉬、鈀、鉑、鈦、鉭、鎢、或鋯)或這些金屬之合金而形成。作為形成單元電極255和256之方法，可使用液滴排放法、真空蒸鍍法、印刷法、或其他。可選擇地，單元電極255和256可以藉由蒸鍍法、CVD法、或其他而形成導電層，並接著選擇性蝕刻之方式而形成。單元電極255和256之各個的厚度係較佳為20nm至500nm。
作為行方向佈線257，當適當時，可使用相似於列方向佈線252之材料和形成方法的材料和形成方法。
作為該對導電層258和259之材料，當適當時，可使用金屬(例如：鈀、鉑、鉻、鈦、銅、鉭、或鎢)、氧化物(例如：氧化鈀、氧化錫、氧化銦和氧化銻之混合物)、矽、碳、或其他。另外，可使用複數個上述材料之堆疊。再者，導電層258和259可使用上述材料之任一者的粒子而形成。注意的是，氧化層可形成在上述材料之任一者的粒子之周圍。藉由使用具有氧化層之粒子，電子可被加速並輕易地發射。作為形成導電層258和259之方 法，可使用液滴排放法、真空蒸鍍法、印刷法、或其他。導電層258和259之各個的厚度係較佳為0.1nm至50nm。
形成在該對導電層258和259之間的間隔部之距離係較佳為100nm或更少，其更為較佳為50nm或更少。間隔部可藉由將電壓施加至導電層258和259之分裂，或是藉由使用聚焦離子束之分裂而形成。可選擇地，間隔部可藉由執行濕蝕刻或乾蝕刻並使用光阻遮罩之選擇性蝕刻而形成。
注意的是，聚焦電極可形成於前基板210和後基板220之間的間隔中。藉由提供聚焦電極，可聚焦從電子發射單元所發出之電子束，可改善光發射元件之光發射發光性，可抑制相鄰元件之彩色混合所導致之對比上的縮減、或是其他。相比於金屬背部(或陽極電極)，負電壓係較佳被施加至聚焦電極。
接著，之後係敘述形成FED面板之方法。
在後基板220之周圍中，密封用玻璃藉由印刷法而被印刷，並接著預烘烤。接著，前基板210和後基板220被對準、暫時地彼此固定、以及接著被加熱。因此，密封用玻璃被熔融並冷卻，因而前基板210和後基板220被附接一起，以使得製造該面板。接著，當面板正被加熱時，面板之內部被抽至真空。接著，藉由加熱提供用於後基板220之排氣管，排氣管的開端被堵住，且面板之內部被真空鎖住。因此，可完成該面板。
作為FED，如第16圖所示，其中前面板210和後面板220係密封的面板可設置有光學濾波器130，其中如實施例模式2所述之電磁波屏蔽層133係形成於光透射基板131之一表面上，以及如實施例模式1所述之抗反射層係形成在光透射基板131之另一表面上。注意的是，在第16圖，如圖所示係為其中抗反射層200未被形成於前基板210之第一光透射基板211的表面上之模式；然而，如實施例模式1所述之抗反射層亦可設置於前基板210之第一光透射基板211的表面上。藉由此一結構，可進一步減低來自外部之入射光的反射率。
注意的是，在第16圖，前基板210和光學濾波器130係設置有插設於其間的間隔134；然而，如第17圖所示，光學濾波器130和前基板210可藉由使用黏著劑136而附接至彼此。
尤其，當用於光透射基板131和光學濾波器130之塑膠係藉由使用黏著劑136而設置於前基板210之表面上，可達成FED之厚度上和重量上之減低。
此處注意的是，此處係敘述設置有電磁波屏蔽層133和抗反射層200之光學濾波器130之結構；然而，可設置近紅外線屏蔽層，如同相似於實施例模式2之方式的電磁波屏蔽層133。此外，可形成具有電磁波屏蔽功能和近紅外線屏蔽功能的一功能層。
接著，參照第18A、19和20圖敘述具有史賓登型電子發射單元之FED模組以及其驅動方法。第19圖係為 FED模組之透視圖。第20圖係為FED模組之概要圖。
如第19圖所示，前基板210和後基板220之周圍係以密封用玻璃141來密封。驅動器電路261(其驅動列電極)和驅動器電路262(其驅動行電極)係設置於第一光透射基板(其係為前基板210的部分)的上方。驅動器電路261係連接至列電極，且驅動器電路262係連接至行電極。
在第二光透射基板(其係為後基板220的部分)的上方，係設置施加電壓至金屬背部(或陽極電極)之驅動器電路263，並連接至金屬背部(或陽極電極)。此處，施加電壓至金屬背部(或陽極電極)之驅動器電路263係設置於佈線板264的上方，並經由FPC 265而連接驅動器電路263和金屬背部(或陽極電極)。再者，儘管未圖示，控制電路(其控制驅動器電路261至263)係設置於第一光透射基板211或第二光透射基板221的上方。
如第18A和20圖所示，基於從一控制部所輸入之影像資料藉由使用驅動列電極之驅動器電路261以及驅動行電極之驅動器電路262而選擇顯示部266的光發射元件267；電壓被施加至光發射元件267中之閘極電極224以及陰極電極222；以及電子束係從光發射元件267之電子發射單元230發出。再者，利用施加電壓至金屬背部234(或陽極電極)之驅動器電路263，陽極電壓被施加至金屬背部234(或陽極電極)。從光發射元件267之電子發射單元230所發出之電子束235藉由陽極電壓而加速；前 基板210之螢光體層232的表面係以電子束235來照射，以激發螢光體；以及該螢光體發出光，使得光可被發射至前基板的外側。再者，藉由上述方法選擇一給定元件，使得可顯示一影像。
接著，參照第18B、19和20圖敘述具有表面傳導電子發射單元之FED模組以及其驅動方法。
如第19圖所示，前基板210和後基板220之周圍係以密封用玻璃141來密封。驅動器電路261(其驅動列電極)和驅動器電路262(其驅動行電極)係設置於第一光透射基板(其係為前基板210的部分)的上方。驅動器電路261係連接至列電極，且驅動器電路262係連接至行電極。
在第二光透射基板(其係為後基板220的部分)的上方，係設置施加電壓至金屬背部(或陽極電極)之驅動器電路263，並連接至金屬背部(或陽極電極)。儘管未圖示，控制電路(其控制驅動器電路261至263)係設置於第一光透射基板211或第二光透射基板221的上方。
如第18B和20圖所示，基於從一控制部所輸入之影像資料藉由使用驅動列電極之驅動器電路261以及驅動行電極之驅動器電路262而選擇顯示部266的光發射元件267；電壓被施加至光發射元件267中之列方向佈線252和行方向佈線257；電壓被施加在單元電極255和256之間；以及電子束係從光發射元件267之電子發射單元250發出。再者，利用施加電壓至金屬背部234(或陽極電 極)之驅動器電路263，陽極電壓被施加至金屬背部234(或陽極電極)。從光發射元件267之電子發射單元250所發出之電子束藉由陽極電壓而加速；前基板210之螢光體層232的表面係以電子束來照射，以激發螢光體；以及該螢光體發出光，使得光可被發射至前基板的外側。再者，藉由上述方法選擇一給定元件，使得可顯示一影像。
此實施例模式中所述之FED係包括在其表面上的抗反射層。抗反射層包括複數個錐狀凸出物，且來自外部的入射光未被反射至觀看者側，而是反射至另一相鄰錐狀凸出物，因為各個錐狀凸出物的側邊並非垂直於來自外部之入射光的入射方向。可選擇地，來自外部之入射光的反射光係在相鄰錐狀凸出物之間傳送。入射光的一部分進入相鄰錐狀凸出物，且入射光的另一部分接著入射至相鄰錐狀凸出物上，作為反射光。在此方式中，在錐狀凸出物的側邊之表面上所反射之來自外部的入射光係重複地入射至相鄰錐狀凸出物上。
換言之，來自外部之入射光的入射，其被入射至FED之錐狀凸出物上的次數係增加；因此，進入錐狀凸出物之來自外部的入射光之量係增加。因此，可減低反射至觀看者側之來自外部之入射光的量，並且可避免導致在可視性上的減低(例如：反射)。
在顯示螢幕中，當相對於來自外部之入射光存有平面部分(平行於顯示螢幕的表面)時，由於來自外部之入射光係反射至觀看者側，小平面區域具有高抗反射功能。再 者，較佳為錐狀凸出物(相對於基底具有面向不同方向的錐狀凸出物之複數個側表面)係形成在作為顯示螢幕之用的基板之一表面上，用於進一步擴散來自外部的入射光。
此實施例模式中的六角形錐狀凸出物可具有緊密堆積結構而沒有間隔，並具有由此種形狀之中的最佳形狀，其具有最大數量之錐狀凸出物的側邊，以及可在數個方向上有效地擴散光之高抗反射功能。
複數個相鄰錐狀凸出物的尖頂之間的距離較佳係為350nm或更小，並且該複數個錐狀凸出物的高度較佳係為800nm或更高。再者，在作為顯示螢幕之用的基板之表面上，每單位面積之該複數個六角形錐狀凸出物的基底之填充因子係為80%或更多，較佳係為90%或更多，由於入射至平面部分上的來自外部之入射光的比率係減低，光可被避免反射至觀看者側，其為較佳的。
錐狀凸出物可非由具有非均勻折射率之材料所形成，而是其折射率係在從錐狀凸出物的尖頂部分至較接近基板(作為顯示螢幕之用)改變的材料所形成。例如，在複數個錐狀凸出物之各個中，可使用其中較接近各個錐狀凸出物的尖頂部分之一部分可由具有等於空氣或保護層的折射率之折射率的材料所形成的結構，以減低來自外部的入射光之反射，其係從各個錐狀凸出物的表面上之空氣入射至各個錐狀凸出物上。同時，複數個錐狀凸出物可由其折射率較接近作為顯示螢幕之用的基板之折射率的材料所形成，使得在各個錐狀凸出物內部所傳送以及入射至該基板 上的光之入射係在錐狀凸出物和基板之間的界面上被進一步地減低。當使用玻璃基板作為基板時，空氣或保護層的折射率係低於玻璃基板的折射率。因此，各個錐狀凸出物可具有一結構，該結構係以較接近各個錐狀凸出物的尖頂部分之一部分係由具有一較低折射率的材料所形成，以及較接近各個錐狀凸出物的基底之一部分係由具有較高折射率的材料所形成之方式(亦即，折射率在從尖頂部分至各個錐狀凸出物的基底之方向上增加)來形成。
此外，在本發明中，由於保護層係形成在錐狀凸出物之間的間隔中，可避免污物(例如：灰塵)進入至錐狀凸出物之間隔。因此，可避免由於灰塵或其他的進入所導致在抗反射功能上的減低，且可藉由填充錐狀凸出物之間的間隔而增加FED的物理強度。因此，可改善可靠度。
此實施例模式中所述之FED包括可藉由提供具有複數個相鄰錐狀凸出物之抗反射層至其表面以及在錐狀凸出物之間的間隔中之保護層，而進一步減低來自外部之入射光的反射之高抗反射功能。因此，可提供具有高可視性的FED。因此，可製造具有較高品質和較高性能的FED。
(實施例模式4)
藉由本發明的PDP和FED，可完成電視裝置(亦簡稱為電視、或電視接收器)。第22圖係為顯示電視裝置之主要構件之方塊圖。
第21A圖係為顯示PDP面板或FED面板(之後稱為 顯示面板)之結構的頂視圖。像素部2701(其中像素2702係以矩陣配置)以及輸入端子2703係形成在具有絕緣表面之基板2700上。像素之數量可根據各種標準來決定。在使用RGB之XGA全彩顯示器的例子中，像素的數量可為1024×768×3 (RGB)。在使用RGB之UXGA全彩顯示器的例子中，像素的數量可為1600×1200×3 (RGB)，且在使用RGB之全規格、高解析度和全彩顯示器之例子中。像素的數量可為1920×1080×3 (RGB)。
驅動器IC 2751可藉由如第21A圖所示之玻璃覆晶(COG)方法而被安裝至基板2700上。作為另一安裝模式，可使用如第21B圖所示之帶式自動接合(TAB)方法。驅動器IC可使用單晶半導體基板而形成或是可使用TFT而形成在玻璃基板上。在第21A和21B圖之各個中，驅動器IC 2751係連接至撓性印刷電路(FPC)2750。
作為第22圖的外部電路之另一結構，視訊信號之輸入側係設置如下述：視訊信號放大器電路905，其放大由調諧器904所接收之信號之中的視訊信號；視訊信號處理電路906，其將從視訊信號放大器電路905所輸出之信號轉換為對應於紅、綠和藍之個別色彩之色差信號；控制電路907，其將視訊信號轉換為驅動器IC之輸入規格；以及其他。控制電路907輸出信號之掃描線側以及信號線側二者。在數位驅動之例子中，可設置信號分割電路908在信號線側，且可將輸入數位信號分隔為m個，並加以提 供。
在由調諧器904所接收之信號之中，音訊信號被傳送至音訊信號放大器電路909，且其輸出經由音訊信號處理電路910而被提供至喇叭913。控制電路911接收一接收站之控制資訊(接收頻率)或來自輸入部912之聲音音量，並將信號傳送至調諧器904和音訊信號處理電路910。
如第23A和23B圖所示，可藉由將顯示模組併入至機架而完成電視裝置。當使用PDP模組作為顯示模組時，可製造PDP顯示裝置。當使用FED模組時，可製造FED電視裝置。在第23A圖中，主螢幕2003係藉由使用顯示模組而形成，並且設置有喇叭部2009、操作開關、以及其他，作為其附屬配件。因此，可根據本發明完成電視裝置。
顯示面板2002被併入至機架2001中，且一般TV廣播可被接收器2005所接收。當顯示裝置藉由有線或無線連接並經由數據機2004而連接至通訊網路時，可執行單向(從傳送器至接收器)或雙向(傳送器和接收器之間或是接收器之間)之資訊通訊。可藉由建構於機架2001中之開關或是遠端控制單元2006而操作電視裝置。亦可設置用於顯示輸出資訊之顯示部2007於遠端控制裝置2006中。
此外，除了主螢幕2003以外，電視裝置可包括子螢幕2008，其使用第二顯示面板而形成，以使顯示頻道、 音量、或其他。
第23B圖顯示具有大尺寸顯示部之電視裝置，例如：20吋至80吋顯示部。電視裝置包括機架2010、顯示部2011、作為操作部之用的遠端控制裝置2012、喇叭部2013、以及其他。使用本發明之此實施例模式係應用於製造顯示部2011。由於第23B圖中之電視裝置係為壁掛型，其不要大安裝空間。
當然，本發明並不侷限於電視裝置，且可被應用於各種使用應用，例如：大尺寸顯示媒體，如車站、機場、或其他之資訊顯示板，或是街上之廣告顯示板，以及個人電腦之螢幕。
當適當時，此實施例模式可與實施例模式1至3之任一者合併。
(實施例模式5)
使用根據本發明之PDP和FED之電子裝置的範例係如下述：電視裝置(亦簡稱為電視，或電視接收器)，相機，例如數位相機或數位攝影機，行動電話裝置(亦簡稱為手機或行動電話)，可攜式資訊終端，例如PDA、可攜式遊戲機、電腦螢幕、電腦，聲音再生裝置，例如：車用音訊系統，包括記錄媒體之影像再生裝置，例如：家用遊戲機，以及其他。再者，本發明可應用於具有顯示裝置之任意遊戲機，例如：柏青哥機器、吃角子老虎機器、彈鋼珠機器、或大尺寸遊戲機。其特定範例係參照第24A至 24F圖而敘述。
如第24A圖所示之可攜式資訊終端包括主體9201顯示部9202、或其他。本發明的FED可應用於顯示部9202。因此，可提供高性能可攜式資訊終端，其可顯示在可視性上優異之高品質影像。
如第24B圖所示之數位攝影機包括顯示部9701、顯示部9702、和其他。本發明的FED可應用於顯示部9701。因此，可提供高性能數位攝影機，其可顯示在可視性上優異之高品質影像。
如第24C圖所示之行動電話包括主體9101、顯示部9102、和其他。本發明的FED可應用於顯示部9102。因此，可提供高性能行動電話，其可顯示在可視性上優異之高品質影像。
如第24D圖所示之可攜式電視裝置包括主體9301、顯示部9302、和其他。本發明的PDP和FED可應用於顯示部9302。因此，可提供高性能可攜式電視裝置，其可顯示在可視性上優異之高品質影像。本發明的PDP和FED可應用於廣範圍之電視裝置，其從安裝在可攜式終端上之小尺寸電視裝置(例如：行動電話)、可攜帶之中尺寸電視裝置、至大尺寸(例如：40吋或更大)之電視裝置的範圍。
如第24E圖所示之可攜式電腦包括主體9401、顯示部9402、和其他。本發明的FED可應用於顯示部9402。因此，可提供高性能可攜式電腦，其可顯示在可視性上優 異之高品質影像。
如第24F圖所示之吃角子老虎機器包括主體9501、顯示部9502、和其他。本發明的FED可應用於顯示部9502。因此，可提供高性能吃角子老虎機器，其可顯示在可視性上優異之高品質影像。
如上所述，使用本發明之顯示裝置使得提供高性能電子裝置是可行的，該電子裝置可顯示在可視性上優異之高品質影像。
此實施例模式可與實施例模式1至4之任一者合併。
此申請案係基於2006年12月5日在日本專利局申請之日本專利申請序號No. 2006-328213，其整體內容藉由參照而整體地併入於此。
100‧‧‧抗反射層
101‧‧‧錐狀凸出物
102‧‧‧保護層
110‧‧‧前基板
111‧‧‧光透射基板
114‧‧‧光透射絕緣層
115‧‧‧保護層
116‧‧‧電漿
117‧‧‧紫外線
118‧‧‧光發射
120‧‧‧背基板
121‧‧‧光透射基板
122‧‧‧資料電極
123‧‧‧介電層
124‧‧‧隔片(肋部)
125‧‧‧螢光體層
130‧‧‧濾光器
131‧‧‧光透射基板
132‧‧‧近紅外線遮蔽層
133‧‧‧電磁波遮蔽層
134‧‧‧間隔
135‧‧‧電磁波吸收體
136‧‧‧黏著劑
141‧‧‧密封用玻璃
142‧‧‧掃描電極驅動器電路
143‧‧‧維持電極驅動器電路
144‧‧‧資料電極驅動器電路
145‧‧‧顯示部
146‧‧‧佈線板
147‧‧‧FPC
150‧‧‧放電元件
200‧‧‧抗反射層
201‧‧‧錐狀凸出物
210‧‧‧前基板
211‧‧‧光透射基板
213‧‧‧間隔物
220‧‧‧背基板
221‧‧‧光透射基板
222‧‧‧陰極電極
223‧‧‧層間絕緣層
224‧‧‧閘極電極
225‧‧‧電子源
226‧‧‧電子發射單元
230‧‧‧電子發射單元
232‧‧‧螢光體層
233‧‧‧黑矩陣
234‧‧‧金屬背部
235‧‧‧電子束
250‧‧‧電子發射單元
252‧‧‧列方向佈線
253‧‧‧層間絕緣層
254‧‧‧連接埠線
255‧‧‧單元電極
256‧‧‧單元電極
257‧‧‧行方向佈線
258‧‧‧導電層
259‧‧‧導電層
260‧‧‧電子束
261‧‧‧驅動器電路
262‧‧‧驅動器電路
263‧‧‧驅動器電路
264‧‧‧佈線板
265‧‧‧FPC
266‧‧‧顯示部
267‧‧‧光發射元件
410‧‧‧基板
414‧‧‧來自外部的入射光
415‧‧‧反射光線
416‧‧‧保護層
450‧‧‧FED
451‧‧‧錐狀凸出物
452‧‧‧保護層
470‧‧‧基板
471‧‧‧錐狀凸出物
480‧‧‧基板
481‧‧‧錐狀凸出物
486‧‧‧薄膜
490‧‧‧基板
491‧‧‧錐狀凸出物
492‧‧‧保護層
493‧‧‧保護層
494‧‧‧保護層
495‧‧‧保護層
800‧‧‧波長
904‧‧‧調諧器
905‧‧‧視訊信號放大器電路
906‧‧‧視訊信號處理電路
907‧‧‧控制電路
908‧‧‧信號分割電路
909‧‧‧音訊信號放大器電路
910‧‧‧音訊信號處理電路
911‧‧‧控制電路
912‧‧‧輸入部
913‧‧‧喇叭
112a‧‧‧光透射傳導層
112b‧‧‧光透射傳導層
113a‧‧‧掃描電極
113b‧‧‧維持電極
2001‧‧‧機架
2002‧‧‧顯示面板
2003‧‧‧主螢幕
2004‧‧‧數據機
2005‧‧‧接收器
2006‧‧‧遠端控制裝置
2007‧‧‧顯示部
2008‧‧‧子螢幕
2009‧‧‧喇叭部
2010‧‧‧機架
2011‧‧‧顯示部
2012‧‧‧遠端控制裝置
2013‧‧‧喇叭部
2700‧‧‧基板
2701‧‧‧像素部
2702‧‧‧像素
2703‧‧‧輸入端子
2750‧‧‧FPC(撓性印刷電路)
2751‧‧‧驅動器IC
411a‧‧‧錐狀凸出物
411b‧‧‧錐狀凸出物
411c‧‧‧錐狀凸出物
411d‧‧‧錐狀凸出物
412a‧‧‧透射光線
412b‧‧‧反射光線
412c‧‧‧反射光線
412d‧‧‧反射光線
413a‧‧‧透射光線
413b‧‧‧透射光線
413c‧‧‧透射光線
413d‧‧‧透射光線
5000‧‧‧錐狀凸出物
5100‧‧‧尖頂
5200‧‧‧圓錐狀凸出物
5230‧‧‧四角形錐狀凸出物
5250‧‧‧三角形錐狀凸出物
5300‧‧‧錐狀凸出物
5301‧‧‧錐狀凸出物
9101‧‧‧主體
9102‧‧‧顯示部
9201‧‧‧主體
9202‧‧‧顯示部
9301‧‧‧主體
9302‧‧‧顯示部
9401‧‧‧主體
9402‧‧‧顯示部
9501‧‧‧主體
9502‧‧‧顯示部
9701‧‧‧顯示部
9702‧‧‧顯示部
5001a‧‧‧錐狀凸出物
5001f‧‧‧錐狀凸出物
5101a‧‧‧尖頂
5101f‧‧‧尖頂
5201a‧‧‧圓錐狀凸出物
5201f‧‧‧圓錐狀凸出物
5231a‧‧‧四角形錐狀凸出物
5231h‧‧‧四角形錐狀凸出物
5251a‧‧‧三角形錐狀凸出物
51511‧‧‧三角形錐狀凸出物
第1A至1D圖係為本發明的概要圖。
第2A和2B圖係為本發明的概要圖。
第3A和3B圖係為本發明的概要圖。
第4圖係為本發明的概要圖。
第5A至5C圖係為顯示可被應用於本發明的錐狀凸出物之橫剖面圖。
第6A和6B圖係為顯示可被應用於本發明的錐狀凸出物之頂視圖。
第7A至7D圖係為顯示本發明的錐狀凸出物之橫剖面圖。
第8A圖係為顯示可被應用於本發明的錐狀凸出物和保護層之例子的頂視圖，且第8B至8D圖係為顯示可被應用於本發明的錐狀凸出物和保護層之例子的橫剖面圖。
第9圖係為顯示本發明的PDP之透視圖。
第10A和10B圖係為顯示本發明的PDP之透視圖。
第11圖係為顯示本發明的PDP之透視圖。
第12圖係為顯示本發明的PDP之橫剖面圖。
第13圖係為顯示本發明的PDP模組之透視圖。
第14圖係為顯示本發明的PDP之圖式。
第15圖係為顯示本發明的FED之透視圖。
第16圖係為顯示本發明的FED之透視圖。
第17圖係為顯示本發明的FED之透視圖。
第18A和18B圖係為顯示本發明的FED之橫剖面圖。
第19圖係為顯示本發明的FED模組之透視圖。
第20圖係為顯示本發明的FED之圖式。
第21A和21B圖係為顯示本發明的顯示裝置之頂視圖。
第22圖係為顯示應用本發明的電子裝置之主要結構之方塊圖。
第23A和23B圖係為顯示本發明的電子裝置之圖式。
第24A至24F圖係為顯示本發明的電子裝置之圖式。
第25A至25C圖係為顯示比較範例之實驗模式的圖式。
第26圖係為顯示實施例模式1的實驗資料之曲線圖。
第27圖係為顯示實施例模式1的實驗資料之曲線圖。
第28圖係為顯示實施例模式1的實驗資料之曲線圖。
第29圖係為顯示實施例模式1的實驗資料之曲線圖。
第30圖係為顯示實施例模式1的實驗資料之曲線圖。
100‧‧‧抗反射層
101‧‧‧錐狀凸出物
102‧‧‧保護層
110‧‧‧前基板
111‧‧‧光透射基板
114‧‧‧光透射絕緣層
115‧‧‧保護層
120‧‧‧背基板
121‧‧‧光透射基板
122‧‧‧資料電極
123‧‧‧介電層
124‧‧‧隔片(肋部)
125‧‧‧螢光體層
112a‧‧‧光透射傳導層
112b‧‧‧光透射傳導層
113a‧‧‧掃描電極
113b‧‧‧維持電極

Claims (16)

  1. 一種電漿顯示器，包含：一對基板；設置於該對基板之間的至少一對電極；設置於該對電極之間的螢光體層；以及設置在該對基板之一基板的外側上之抗反射層，其中該一基板具有光透射性，其中該抗反射層包含複數個錐狀凸出物，其中該複數個錐狀凸出物之一者的基底之各側係與另一錐狀凸出物的基底之一側相接觸，以及其中該複數個錐狀凸出物之間的間隔係以保護層來填充，該保護層具有比該複數個錐狀凸出物的折射率小之折射率，以及其中該複數個錐狀凸出物和該保護層的各個折射率在從該複數個錐狀凸出物的各個的頂部到該複數個錐狀凸出物的各個的基底方向增加。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電漿顯示器，其中該複數個錐狀凸出物的尖頂係以等距離來配置。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電漿顯示器，其中該複數個錐狀凸出物的各個具有六角形錐狀。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之電漿顯示器，其中該複數個錐狀凸出物的尖頂之間的距離係為350nm或更小。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之電漿顯示器，其中每 單位面積之該複數個錐狀凸出物的基底之填充因子係為80%或更多。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之電漿顯示器，其中該複數個錐狀凸出物之一者的六角形基底之第一頂點係與相鄰錐狀凸出物的六角形基底之第一頂點相接觸，以及其中該複數個錐狀凸出物之該一者的六角形基底之第二頂點係與該相鄰錐狀凸出物的六角形基底之第二頂點相接觸。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之電漿顯示器，其中該複數個錐狀凸出物的高度係高於1000nm。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之電漿顯示器，其中該複數個錐狀凸出物的高度係大於或等於1600nm且小於或等於2000nm。
  9. 一種場發射顯示器，包含：第一基板；在該第一基板上的電子發射單元；在該電子發射單元上的螢光體層；以及在該螢光體層上並和該螢光體層相接觸的電極；設置於第二基板上的抗反射層，其中該第二基板具有光透射性，其中該抗反射層包含複數個錐狀凸出物，其中該複數個錐狀凸出物之一者的基底之各側係與另一錐狀凸出物的基底之一側相接觸，其中該複數個錐狀凸出物之間的間隔係以保護層來填 充，該保護層具有比該複數個錐狀凸出物的折射率小之折射率，以及其中該複數個錐狀凸出物和該保護層的各個折射率在從該複數個錐狀凸出物的各個的頂部到該複數個錐狀凸出物的各個的基底方向增加。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之場發射顯示器，其中該複數個錐狀凸出物的尖頂係以等距離來配置。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之場發射顯示器，其中該複數個錐狀凸出物的各個具有六角形錐狀。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之場發射顯示器，其中該複數個錐狀凸出物的尖頂之間的距離係為350nm或更小，並且該複數個錐狀凸出物的高度係為800nm或更高。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之場發射顯示器，其中每單位面積之該複數個錐狀凸出物的基底之填充因子係為80%或更多。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之場發射顯示器，其中該複數個錐狀凸出物之一者的六角形基底之第一頂點係與相鄰錐狀凸出物的六角形基底之第一頂點相接觸，以及其中該複數個錐狀凸出物之該一者的六角形基底之第二頂點係與該相鄰錐狀凸出物的六角形基底之第二頂點相接觸。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之場發射顯示器，其 中該複數個錐狀凸出物的高度係高於1000nm。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之場發射顯示器，其中該複數個錐狀凸出物的高度係大於或等於1600nm且小於或等於2000nm。
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