TWI402639B - 底塗層形成用塗佈液，底塗層形成用塗佈液之製造方法，電子照片感光體，圖像形成裝置及電子照片匣 - Google Patents

底塗層形成用塗佈液，底塗層形成用塗佈液之製造方法，電子照片感光體，圖像形成裝置及電子照片匣 Download PDF

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Description

底塗層形成用塗佈液，底塗層形成用塗佈液之製造方法，電子照片感光體，圖像形成裝置及電子照片匣
本發明係關於一種於塗佈、乾燥而形成電子照片感光體之底塗層時所使用的底塗層形成用塗佈液及其製造方法、以及使用該底塗層形成用塗佈液之電子照片感光體、圖像形成裝置及電子照片匣。
電子照片技術因具有即時性、且可獲得高品質之圖像等，故近年來不僅用於複印機領域，亦廣泛應用於各種印表機領域中。至於成為電子照片技術核心之電子照片感光體(以下適當單獨稱為「感光體」)，開發有使用與無機系光導電材料相比，具有無公害、易於製造等優點之有機系光導電材料作為其光導電材料的有機感光體。
通常，有機感光體係於導電性支持體上形成感光層而成。作為感光體之類型，已知有：具有使光導電性材料溶解或分散於黏合劑樹脂中之單層感光層(單層型感光層)的所謂單層型感光體；具有包含將含有電荷產生物質之電荷產生層、含有電荷傳輸物質之電荷傳輸層積層而成之複數層的感光層(積層型感光層)的所謂積層型感光體等。
於有機感光體中，由於感光體之使用環境之變化或因反覆使用而引起之電氣特性等之變化，有時會於使用該感光體而形成之圖像上發現各種缺陷。作為改善其之技術之一，已知有為形成穩定且良好之圖像，而於導電性基板與感光層之間設置含有黏合劑樹脂及氧化鈦粒子之底塗層的方法(例如，參照專利文獻1)。
有機感光體所具有之層，通常就其生產性高低而言，可藉由將於各種溶劑中溶解或分散有材料之塗佈液進行塗佈、乾燥而形成。此時，於含有氧化鈦粒子及黏合劑樹脂之底塗層中，氧化鈦粒子及黏合劑樹脂於底塗層中以不相容之狀態存在，因此該底塗層形成用塗佈液由分散有氧化鈦粒子之塗佈液形成。
習知，如此之塗佈液通常係藉由將氧化鈦粒子，長時間以球磨機、砂磨機、行星式軋機、輥磨機等眾所周知之機械性粉碎裝置，濕式分散於有機溶劑中而製造(例如，參照專利文獻1)。並且，揭示有：於使用分散介質將底塗層形成用塗佈液中之氧化鈦粒子進行分散之情況，藉由將分散介質之材質設為氧化鈦或氧化鋯，可提供即使於低溫低濕條件下帶電曝光重複特性亦優異的電子照片感光體(例如，參照專利文獻2)。
專利文獻1：日本專利特開平11－202519號公報專利文獻2：日本專利特開平6－273962號公報
然而，要求更高畫質之圖像形成中，於先前之技術中，於圖像之點，或生產時之塗佈液之穩定性等各方面，存在眾多性能上仍不充分之方面。例如，於解析度為600 dpi以上之高畫質(高密度)記錄中，圖像上之黑點、色點、不均、條紋等圖像缺陷易於顯著存在，又，圖像形成時所產生的起因於支持體表面形狀與雷射曝光之關係的莫而干擾紋(通常稱作莫而紋(moire))易於產生。
本發明係鑒於上述電子照片技術之背景而創造者，目的在於提供一種具有高穩定性之底塗層形成用塗佈液及其製造方法；即使於各種使用環境下亦可形成高畫質之圖像，且黑點或色點等圖像缺陷難以出現之高性能的電子照片感光體；以及使用該電子照片感光體之圖像形成裝置及電子照片匣。
本發明者等人對上述課題努力研究之結果，發現：藉由將底塗層形成用塗佈液中之氧化鈦粒子等金屬氧化物粒子之粒度控制為特定範圍可獲得高性能之底塗層形成用塗佈液，且作為製造該底塗層形成用塗佈液時之用於分散之分散介質，使用與通常所用之分散介質之粒徑相比，粒徑尤小之分散介質，藉此可獲得使用時之穩定性優異之底塗層形成用塗佈液。又，發現：具有將該底塗層形成用塗佈液塗佈、乾燥而獲得之底塗層的感光體，即使於不同的使用環境中亦具有良好電氣特性。進而，發現：藉由使用該感光體之圖像形成裝置可形成高品質之圖像，且因介質破壞(dielectric breakdown)等而產生的黑點或色點等圖像缺陷極難出現。
基於以上見解，本發明者等人完成本發明。
即，本發明之要旨在於一種電子照片感光體之底塗層形成用塗佈液，其係含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂者，其特徵在於：該底塗層形成用塗佈液中之該金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之體積累積平均粒徑D50為0.1 μm以下，且，體積粒度分布寬度指標SD滿足下述式(1)(實施態樣1)。
0.010≦SD≦0.040 (1)(其中，SD＝(D84－D16)/2，D84表示體積粒度分布累積曲線達到84%之點的粒徑(μm)，D16表示體積粒度分布累積曲線達到16%之點的粒徑(μm)。粒度分布之累積自小粒徑側進行。)
此時，較佳的是上述SD滿足下述式(2)(實施態樣2)。
0.020≦SD≦0.030 (2)
本發明之其他要旨在於一種電子照片感光體之底塗層形成用塗佈液的製造方法，其係含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂之電子照片感光體之底塗層形成用塗佈液的製造方法，其特徵在於：使用於濕式攪拌球磨機中利用平均粒徑為5~200 μm之介質而分散的金屬氧化物粒子，作為上述金屬氧化物粒子，上述底塗層形成用塗佈液中之上述金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之體積累積平均粒徑D50為0.1 μm以下，且，體積粒度分布寬度指標SD滿足上述式(1)(實施態樣3)。
此時，較佳的是上述SD滿足上述式(2)(實施態樣4)。
又，於上述底塗層形成用塗佈液之製造方法中，較佳的是，作為上述濕式攪拌球磨機，使用如下者：具備筒形定子，設於上述定子一端之漿料供給口，設於上述定子另一端之上述漿料排出口，將填充於上述定子內之上述介質、及自上述供給口供給之上述漿料攪拌混合之轉子，連接於上述排出口、並設置成可旋轉、用以利用離心力作用將上述介質與上述漿料分離、使上述漿料自上述排出口排出的分離器，成為上述分離器之旋轉軸之軸；於上述軸之軸心，形成與上述排出口相通之中空的排出通路(實施態樣5)。
進而，於上述底塗層形成用塗佈液之製造方法中，亦較佳的是，作為上述濕式攪拌球磨機，使用如下者：具備筒形定子，設於上述定子一端之漿料供給口，設於上述定子另一端之上述漿料排出口，將填充於上述定子內之上述介質、及自上述供給口供給的漿料攪拌混合之轉子，連接於上述排出口、並於上述定子內設置成可旋轉、用以利用離心力作用將上述介質與上述漿料分離、使上述漿料自上述排出口排出的分離器；上述分離器具備：於對向之內側面具備葉片之嵌合溝之兩片圓盤、嵌合於上述嵌合溝且介於上述圓盤間之上述葉片、自兩側夾持使上述葉片介於中間之上述圓盤的支持手段(實施態樣6)。
又，較佳的是上述介質之平均粒徑為10~100 μm(實施態樣7)。
本發明之進而其他要旨在於一種電子照片感光體，其係於導電性支持體上，具備含有黏合劑樹脂及金屬氧化物粒子之底塗層，以及形成於該底塗層上之感光層者，其特徵在於：於甲醇與1－丙醇以7：3之重量比混合之溶劑中分散該底塗層而成的液體中之該金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之，體積累積平均粒徑D50’為0.1 μm以下，且，體積粒度分布寬度指標SD’滿足下述式(3)(實施態樣8)。
0.010≦SD’≦0.040 (3)(其中，SD’＝(D84’－D16’)/2，D84’表示體積粒度分布累積曲線達到84%之點的粒徑(μm)，D16’表示體積粒度分布累積曲線達到16%之點的粒徑(μm)。粒度分布之累積自小粒徑側進行。)
此時，較佳的是上述SD’滿足下述式(4)(實施態樣9)。
0.020≦SD’≦0.030 (4)
本發明之進而其他要旨在於一種圖像形成裝置，其係具備：電子照片感光體、使該電子照片感光體帶電之帶電手段、對帶電之該電子照片感光體進行像曝光以形成靜電潛像之像曝光手段、藉由碳粉將上述靜電潛像顯像之顯像手段、將上述碳粉轉印於被轉印體之轉印手段者，上述圖像形成裝置之特徵在於：該電子照片感光體，於導電性支持體上，具備含有黏合劑樹脂及金屬氧化物粒子之底塗層，以及形成於該底塗層上之感光層，於甲醇與1－丙醇以7：3之重量比混合之溶劑中分散該底塗層而成的液體中之該金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之，體積累積平均粒徑D50’為0.1 μm以下，且，體積粒度分布寬度指標SD’滿足上述式(3)(實施態樣10)。
此時，較佳的是上述SD’滿足上述式(4)(實施態樣11)。
又，亦較佳的是該帶電手段接觸配置於該電子照片感光體(實施態樣12)。
進而，亦較佳的是用於上述像曝光手段之光之波長為350 nm~600 nm(實施態樣13)。
本發明之進而其他要旨在於一種電子照片匣，其係具備電子照片感光體，以及使該電子照片感光體帶電之帶電手段、將帶電之該電子照片感光體進行像曝光以形成靜電潛像之像曝光手段、藉由碳粉將上述靜電潛像顯像之顯像手段、將上述碳粉轉印於被轉印體之轉印手段、使轉印於被轉印體之碳粉定影之定影手段、及將附著於該電子照片感光體之上述碳粉回收之清潔手段的至少一種手段者，上述電子照片匣之特徵在於：該電子照片感光體，於導電性支持體上，具備含有黏合劑樹脂及金屬氧化物粒子之底塗層，以及形成於該底塗層上之感光層，於甲醇與1－丙醇以7：3之重量比混合之溶劑中分散該底塗層而成的液體中之該金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之，體積累積平均粒徑D50’為0.1 μm以下，且，體積粒度分布寬度指標SD，滿足上述式(3)(實施態樣14)。
此時，較佳的是上述SD’滿足上述式(4)(實施態樣15)。
又，亦較佳的是上述帶電手段接觸配置於上述電子照片感光體(實施態樣16)。
根據本發明，可提供一種具有高穩定性之底塗層形成用塗佈液及其製造方法；即使於各種使用環境下亦可形成高畫質之圖像，且黑點、色點、莫而紋等圖像缺陷難以出現之高性能的電子照片感光體；以及使用該電子照片感光體之圖像形成裝置及電子照片匣。
以下，就本發明之實施形態加以詳細說明，以下所述構成必要條件之說明係本發明實施形態之代表例，可於不脫離本發明主旨之範圍內，任意變更而實施。
本發明係關於一種電子照片感光體之底塗層形成用塗佈液及其製造方法；以及具有將上述底塗層形成用塗佈液塗佈而形成之底塗層之電子照片感光體；使用上述電子照片感光體之圖像形成裝置；及使用上述電子照片感光體之電子照片匣者。
又，本發明之電子照片感光體係於導電性支持體上具有底塗層以及感光層者。本發明之底塗層設置於導電性支持體與感光層之間，具有如下功能之至少任意一種：改善導電性支持體與感光層之接著性、隱藏導電性支持體之污染或損傷等、防止由雜質或表面物性之不均質化而引起之載子注入、改良電氣特性之不均勻性、防止由於重複使用而引起之表面電位降低、防止成為畫質缺陷之原因的局部性表面電位變動等，並非表現光電特性所必需之層。
[I.底塗層形成用塗佈液]
本發明之底塗層形成用塗佈液，係用以形成底塗層者，且含有金屬氧化物粒子，以及黏合劑樹脂。又，通常，本發明之底塗層形成用塗佈液含有溶劑。進而，本發明之底塗層形成用塗佈液，於不顯著損害本發明之效果的範圍內，可含有其他成分。
[I－1.金屬氧化物粒子] [I－1－1.金屬氧化物粒子之種類]
作為本發明之金屬氧化物粒子，可使用可用於電子照片感光體之任何金屬氧化物粒子。
若舉出形成金屬氧化物粒子之金屬氧化物之具體例，則可舉出：氧化鈦、氧化鋁、氧化矽、氧化鋯、氧化鋅、氧化鐵等含有1種金屬元素之金屬氧化物；鈦酸鈣、鈦酸鍶、鈦酸鋇等含有複數種金屬元素之金屬氧化物等。該等中，較佳的是含有能帶隙為2~4 eV之金屬氧化物之金屬氧化物粒子。其原因在於：若能帶隙過小，則變得易於產生自導電性支持體之載子注入，且變得易於產生黑點或色點等圖像缺陷。又，若能帶隙過大，則存在由於電子之捕獲而引起電荷之移動受阻，電氣特性惡化之可能性。
再者，金屬氧化物粒子可僅使用一種粒子，亦可以任意組合及比率並用複數種粒子。又，金屬氧化物粒子可使用僅由1種金屬氧化物形成者，亦可為以任意組合及比率並用2種以上金屬氧化物而形成者。
上述形成金屬氧化物粒子之金屬氧化物中，較佳的是氧化鈦、氧化鋁、氧化矽及氧化鋅，更佳的是氧化鈦及氧化鋁，尤佳的是氧化鈦。
又，只要不顯著損害本發明之效果，金屬氧化物粒子之結晶型為任意。例如，對使用氧化鈦作為金屬氧化物之金屬氧化物粒子(即，氧化鈦粒子)之結晶型並未限制，可使用金紅石型、銳鈦礦型、板鈦礦型、非晶型中之任一種。又，氧化鈦粒子之結晶型可自上述不同之結晶狀態者，含有複數種結晶狀態者。
進而，金屬氧化物粒子可於其表面進行各種表面處理。例如可利用氧化錫、氧化鋁、氧化銻、氧化鋯、氧化矽等無機物，或者十八酸、多元醇、有機矽化合物等有機物等處理劑進行處理。
尤其於使用氧化鈦粒子作為金屬氧化物粒子之情況，較佳的是利用有機矽化合物進行表面處理。作為有機矽化合物，例如可舉出：二甲基聚矽氧烷、甲基氫化聚矽氧烷等聚矽氧油；甲基二甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷等有機矽烷；六甲基二矽氮烷等矽氮烷；乙烯基三甲氧基矽烷、γ－巰基丙基三甲氧基矽烷、γ－胺基丙基三乙氧基矽烷等矽烷偶合劑等。
又，金屬氧化物粒子尤佳的是以下述式(i)之構造所表示之矽烷處理劑進行處理。該矽烷處理劑與金屬氧化物粒子之反應性亦優良，係良好之處理劑。
上述式(i)中，R1 及R2 分別獨立表示烷基。對R1 及R2 之碳數並無限定，通常為1以上，又，通常為18以下，較佳的是10以下，更佳的是6以下。若舉出R1 及R2 中之適合者，則可舉出甲基、乙基等。
又，上述式(i)中，R3 表示烷基或烷氧基。對R3 之碳數並無限定，通常為1以上，又，通常為18以下，較佳的是10以下，更佳的是6以下。若舉出R3 中之適合者，則可舉出甲基、乙基、甲氧基、乙氧基等。
若R1 ~R3 之碳數過多，則存在與金屬氧化物粒子之反應性降低，或者處理後之金屬氧化物粒子於底塗層形成用塗佈液中之分散穩定性降低之可能性。
再者，該等經表面處理之金屬氧化物粒子之最表面，通常以如上所述之處理劑進行處理。此時，上述表面處理可僅進行1種表面處理，亦可以任意組合進行2種以上之表面處理。例如，可於以上述式(i)所表示之矽烷處理劑進行表面處理之前，以氧化鋁、氧化矽或氧化鋯等處理劑等進行處理。又，亦可以任意之組合及比率，並用實施有不同表面處理之金屬氧化物粒子。
下面舉出本發明之金屬氧化物粒子中經商品化者。但本發明之金屬氧化物粒子並不限定於以下所例示之商品。
作為氧化鈦粒子之具體商品之例，可舉出：未實施表面處理之超微粒子氧化鈦「TTO－55(N)」；實施有Al2 O3 包覆之超微粒子氧化鈦「TTO－55(A)」、「TTO－55(B)」；以十八酸實施表面處理之超微粒子氧化鈦「TTO－55(C)」；以Al2 O3 及有機矽氧烷實施表面處理之超微粒子氧化鈦「TTO－55(S)」；高純度氧化鈦「CR－EL」；硫酸法氧化鈦「R－550」、「R－580」、「R－630」、「R－670」、「R－680」、「R－780」、「A－100」、「A－220」、「W－10」；氯化法氧化鈦「CR－50」、「CR－58」、「CR－60」、「CR－60－2」、「CR－67」；導電性氧化鈦「SN－100P」、「SN－100D」、「ET－300W」；(以上，石原產業股份有限公司製造)等。又，以「R－60」、「A－110」、「A－150」等氧化鈦為代表，亦可舉出：實施有Al2 O3 包覆之「SR－1」、「R－GL」、「R－5N」、「R－5N－2」、「R－52N」、「RK－1」、「A－SP」；實施有SiO2 、Al2 O3 包覆之「R－GX」、「R－7E」；實施有ZnO、SiO2 、Al2 O3 包覆之「R－650」；實施有ZrO2 、Al2 O3 包覆之「R－61N」；(以上，堺化學工業股份有限公司製造)等。進而，亦可舉出：以SiO2 、Al2 O3 進行表面處理之「TR－700」；以ZnO、SiO2 、Al2 O3 進行表面處理之「TR－840」、「TA－500」，以及「TA－100」、「TA－200」、「TA－300」等表面未經處理之氧化鈦；以Al2 O3 實施表面處理之「TA－400」(以上，富士鈦工業股份有限公司製造)；未實施表面處理之「MT－150W」、「MT－500B」；以SiO2 、Al2 O3 進行表面處理之「MT－100SA」、「MT－500SA」；以SiO2 、Al2 O3 及有機矽氧烷進行表面處理之「MT－100SAS」、「MT－500SAS」(Tayca股份有限公司製造)等。
又，作為氧化鋁粒子之具體商品之例，可舉出「氧化鋁C」(日本Aerosil公司製造)等。
進而，作為氧化矽粒子之具體商品之例，可舉出「200CF」、「R972」(日本Aerosil公司製造)，「KEP－30」(日本觸媒股份有限公司製造)等。
又，作為氧化錫粒子之具體商品之例，可舉出「SN－100P」(石原產業股份有限公司製造)等。
進而，作為氧化鋅粒子之具體商品之例，可舉出「MZ－305S」(Tayca股份有限公司製造)等。
[I－1－2.金屬氧化物粒子之物性]
關於本發明之金屬氧化物粒子之粒徑分布，以下必要條件成立。即，本發明之底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之，體積累積平均粒徑D50為0.1 μm以下，且，體積粒度分布寬度指標SD滿足下述式(1)。
0.010≦SD≦0.040 (1)(其中，SD＝(D84－D16)/2，D84表示體積粒度分布累積曲線達到84%之點的粒徑(μm)，D16表示體積粒度分布累積曲線達到16%之點的粒徑(μm)。粒度分布之累積自小粒徑側進行。)
以下，對該點進行詳細說明。
[關於體積累積平均粒徑D50之說明]
本發明之金屬氧化物粒子，上述體積累積平均粒徑D50為0.1 μm以下，較佳的是95 nm以下，更佳的是90 nm以下。
本發明之底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子，較理想的是作為一次粒子而存在。但，通常，此種情況較少，而大多為如下情況：產生凝集而作為凝集體二次粒子存在，或者兩者混合存在。因此，該狀態下之粒度分布如何非常重要。
因此，本發明中，藉由使底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子之體積累積平均粒徑D50成為如上述之範圍(0.1 μm以下)，而使底塗層形成用塗佈液中之沈澱或黏性變化減少。藉此，結果可使底塗層形成後之膜厚及表面性達到均勻。另一方面，金屬氧化物粒子之體積累積平均粒徑D50變得過大之情況(超過0.1 μm之情況)下，相反地，底塗層形成用塗佈液中之沈澱或黏性變化變大，結果底塗層形成後之膜厚及表面性變得不均勻，故可能對其上層(電荷產生層等)之品質亦產生不良影響。
再者，金屬氧化物粒子之體積累積平均粒徑D50之下限並無限定，通常為0.02 μm以上。若金屬氧化物粒子之體積累積平均粒徑D50過小，則可能於本發明之底塗層形成用塗佈液等之分散液中引起再凝集等。
[關於體積粒度分布寬度指標SD之說明]
本發明之金屬氧化物粒子，其體積粒度分布寬度指標SD，通常為0.010以上，較佳的是0.020以上，又，通常為0.040以下，較佳的是0.030以下。因此，本發明之金屬氧化物粒子，係滿足下述式(1)者，較佳的是滿足下述式(2)者。
0.010≦SD≦0.040 (1) 0.020≦SD≦0.030 (2)
若本發明之金屬氧化物粒子作為單分散之單一粒徑而存在，則體積粒度分布寬度指標SD＝0，其為理想狀態，但實際應用上非常難獲得。本發明者等人最新發現：若假定即使金屬氧化物粒子凝集，其凝集狀態亦適度狹小，具體而言若為滿足上述式(1)之範圍者，則作為底塗層形成用塗佈液，凝膠化或黏性變化少，可長期保存，結果為底塗層形成後之膜厚及表面性達到均勻。另一方面，底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子不滿足式(1)之情況下，例如D84過大之情況下，可見底塗層形成用塗佈液中之粗大粒子之沈降現象，例如D16過小之情況下，可見液中之微細粒子之再凝集現象等，液中之凝膠化或黏性變化大，結果為底塗層形成後之膜厚及表面性變得不均勻，因此可能對其上層(電荷產生層等)之品質亦產生不良影響，故欠佳。
[體積累積平均粒徑D50及體積粒度分布寬度指標SD之測定方法]
本發明之金屬氧化物粒子之體積累積平均粒徑D50及體積粒度分布寬度指標SD，係藉由動態光散射法，直接測定本發明之底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子的粒徑而得之值。此時，無論金屬氧化物粒子為何種存在形態，皆使用藉由上述動態光散射法而測定之值。
動態光散射法，係對粒子照射雷射光，檢測與微小分散之粒子的布朗運動之速度相應之相位不同之光的散射(都蔔勒頻移)，求出粒度分布者。本發明之底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子的體積累積平均粒徑D50以及體積粒度分布寬度指標SD之值，係於底塗層形成用塗佈液中金屬氧化物粒子穩定分散時之值，並非指分散前之粉體金屬氧化物粒子、濕濾餅之粒徑。實際測定中，對上述體積累積平均粒徑D50、及體積粒度分布寬度指標SD所使用之體積粒度分布累積曲線，具體而言，係使用動態光散射方式粒度分析儀(日機裝公司製造，MICROTRAC UPA model：9340－UPA，以下簡稱為UPA)，以下述設定進行者。具體之測定操作基於上述粒度分析儀之使用說明書(日機裝公司製造，文件No.T15－490A00，修訂No.E)而進行。
．動態光散射方式粒度分析儀之設定測定上限：5.9978 μm測定下限：0.0035 μm通道數：44測定時間：300 sec.粒子透過性：吸收粒子折射率：N/A(不適用)粒子形狀：非球形密度：4.20 g/cm3 (＊)分散介質種類：用於底塗層形成用塗佈液之溶劑(＊＊)分散介質折射率：用於底塗層形成用塗佈液之溶劑之折射率
(＊)密度之值係二氧化鈦粒子之情況，於其他粒子之情況下，使用上述使用說明書中所揭示之數值。
(＊＊)本發明中，只要無特別提及，作為分散介質(即，用於底塗層形成用塗佈液之溶劑)，較佳的是使用甲醇/丙醇＝7/3之混合溶劑。
再者，於底塗層形成用塗佈液過濃，其濃度達到測定裝置之可測定範圍以外之情況，以甲醇與1－丙醇之混合溶劑(重量比：甲醇/1－丙醇＝7/3；折射率＝1.35)稀釋底塗層形成用塗佈液，以將該底塗層形成用塗佈液之濃度限制於測定裝置可測定之範圍。例如，上述UPA之情況下，使用甲醇與1－丙醇之混合溶劑稀釋底塗層形成用塗佈液，使適於測定之樣品濃度指數(SIGNAL LEVEL)成為0.6~0.8。
一般認為即使如此進行稀釋，底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子之粒徑亦不變化，因此進行上述稀釋後測定之體積累積平均粒徑D50及體積粒度分布寬度指標SD，可用作本發明之「底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之，體積累積平均粒徑D50及體積粒度分布寬度指標SD」。
又，藉由動態光散射之粒度的測定，於25℃下進行。
本發明之體積累積平均粒徑D50係，將一個粉體集團之總體積設為100%而自小粒徑側求得體積粒度分布累積曲線時，該曲線達到50%之點(μm)的粒徑，係指中徑(Median diameter)。
又，本發明之體積粒度分布寬度指標SD定義如下。即，將自小粒徑側累積之體積粒度分布的累積曲線(體積粒度分布累積曲線)達到84%之點的粒徑(μm)設為D84，相同地將累積曲線達到16%之點的粒徑(μm)設為D16時，體積粒度分布寬度指標SD以下述式(A)表示。
SD(μm)＝(D84－D16)/2 (A)
又，本發明之底塗層形成用塗佈液之吸光度，可藉由通常所知之分光光度計(absorption spectrophotometer)進行測定。測定吸光度時之槽尺寸、試料濃度等條件，根據所使用之金屬氧化物粒子之粒徑、折射率等物性而變化，因此，通常於欲測定之波長區域(本發明中，400 nm~1000 nm)中，適當調整試料濃度以不超出檢測器之測定極限。本發明中，調整試料濃度以使液中之金屬氧化物粒子之量達到0.0075重量%~0.012重量%。用以調整試料濃度之溶劑，通常可使用可用作底塗層形成用塗佈液之溶劑的溶劑，但若為與底塗層形成用塗佈液之溶劑及黏合劑樹脂具有相容性，於混合之情況下不產生渾濁等，於400 nm~1000 nm之波長區域中光吸收量不大者，則可使用任意者。若舉出具體例，則可使用：甲醇、乙醇、1－丙醇、2－丙醇等醇類，甲苯、二甲苯等烴類，四氫呋喃等醚類，甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類等。
又，測定時之槽尺寸(光徑長度)使用10 mm者。所使用之槽，若於400 nm~1000 nm之範圍中實質上為透明者，則可使用任意者，較佳的是使用石英槽，尤佳的是使用試料槽與標準槽的透過率特性之差為特定範圍內之匹配槽。
於甲醇與1－丙醇以7：3之重量比混合之溶劑中分散本發明之底塗層形成用塗佈液而成之液體，對波長為400 nm之光的吸光度與對波長為1000 nm之光的吸光度之差，於金屬氧化物粒子之折射率為2.0以上之情況，較佳的是1.0(Abs)以下，於金屬氧化物粒子之折射率為2.0以下之情況，較佳的是0.02(Abs)以下。
[其他物性]
對本發明之金屬氧化物粒子之平均一次粒徑並無限制，只要不顯著損害本發明之效果，則為任意。其中，本發明之金屬氧化物粒子之平均一次粒徑通常為1 nm以上，較佳的是5 nm以上；又，通常為100 nm以下，較佳的是70 nm以下，更佳的是50 nm以下。
再者，該平均一次粒徑，可根據以穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscope，以下適當稱為「TEM」)直接觀察之粒子的直徑之算術平均值而求出。
又，對本發明之金屬氧化物粒子之折射率亦無限制，若為可用於電子照片感光體者，則可使用任意者。本發明之金屬氧化物粒子之折射率通常為1.3以上，較佳的是1.4以上；又，通常為3.0以下，較佳的是2.9以下，更佳的是2.8以下。
再者，金屬氧化物粒子之折射率可使用各種出版物中所記載之文獻值。例如，若根據填料活用辭典(填料研究會編(filler Society of Japan)，大成公司，1994)，則成為如下述表1所示。
於本發明之底塗層中，只要不顯著損害本發明之效果，金屬氧化物粒子與黏合劑樹脂之使用比率為任意。其中，於本發明之底塗層中，相對於1重量份之黏合劑樹脂，金屬氧化物粒子通常於0.3重量份以上，較佳的是0.5重量份以上，更佳的是0.7重量份以上，尤佳的是1.0以上，又，通常於20重量份以下，較佳的是10重量份以下，更佳的是4重量份以下，尤佳的是3.5重量份以下之範圍內使用。若金屬氧化物粒子相對於黏合劑樹脂過少，則存在所得電子照片感光體之電氣特性惡化，尤其是殘餘電位上升之可能性；若過多，則存在使用該電子照片感光體而形成之圖像上黑點或色點等圖像缺陷增加之可能性。
[I－2.黏合劑樹脂]
作為於本發明之底塗層中所使用之黏合劑樹脂，只要不顯著損害本發明之效果，可使用任意者。通常使用可溶於有機溶劑等溶劑中，且形成後之底塗層不溶於用於感光層形成用塗佈液之有機溶劑等溶劑中，或者溶解性低、實質上未混合者。
作為如此黏合劑樹脂，例如，苯氧、環氧、聚乙烯吡咯啶酮、聚乙烯醇、酪蛋白、聚丙烯酸、纖維素類、明膠、澱粉、聚胺酯、聚醯亞胺、聚醯胺等樹脂可單獨或者與硬化劑一同以硬化之形式使用。其中，醇可溶性之共聚合聚醯胺、改質聚醯胺等聚醯胺樹脂表現出良好之分散性及塗佈性，故較佳。
作為聚醯胺樹脂，例如可舉出：使6－尼龍、66－尼龍、610－尼龍、11－尼龍、12－尼龍等共聚合之所謂共聚合尼龍；如N－烷氧基甲基改質尼龍、N－烷氧基乙基改質尼龍之使尼龍化學改質之類型等之醇可溶性尼龍樹脂等。作為具體商品，例如可舉出：「CM4000」、「CM8000」(以上，東麗製造)，「F－30K」、「MF－30」、「EF－30T」(以上，長瀨化成股份有限公司製造)等。
該等聚醯胺樹脂中，尤佳的是使用含有與下述式(ii)所表示之二胺對應之二胺成分(以下適當稱為「與式(ii)對應之二胺成分」)作為構成成分之共聚合聚醯胺樹脂。
於上述式(ii)中，R4 ~R7 表示氫原子或有機取代基。m、n分別獨立表示0~4之整數。再者，於具有複數個取代基之情況，彼等取代基相互間可相同，亦可不同。
若舉出適合者作為R4 ~R7 所表示之有機取代基，則可舉出可含有雜原子之烴基。其中作為較佳者，例如可舉出：甲基、乙基、正丙基、異丙基等烷基；甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基等烷氧基；苯基、萘基、蒽基、芘基等芳基，更較佳的是烷基、或烷氧基。尤佳的是甲基、乙基。
又，只要不顯著損害本發明之效果，R4 ~R7 所表示之有機取代基之碳數為任意，通常20為以下，較佳的是18以下，更佳的是12以下；又，通常為1以上。若碳數過大，則溶解性惡化，又，即使可溶解，亦表現出作為底塗層形成用塗佈液之保存穩定性惡化之傾向。
含有與上述式(ii)對應之二胺成分作為構成成分之共聚合聚醯胺樹脂，亦可含有除與式(ii)對應之二胺成分以外之構成成分(以下適當僅稱為「其他聚醯胺構成成分」)作為構成單位。作為其他聚醯胺構成成分，例如可舉出：γ－丁內醯胺、ε－己內醯胺、十二內醯胺等內醯胺類；1,4－丁烷二甲酸、1,12－十二烷二甲酸、1,20－二十烷二甲酸等二甲酸類；1,4－丁二胺、1,6－己二胺、1,8－辛二胺、1,12－十二烷二胺等二胺類；哌等。此時，上述共聚合聚醯胺樹脂，例如可舉出使其構成成分共聚合為二元、三元、四元等者。
於含有與上述式(ii)對應之二胺成分作為構成成分之共聚合聚醯胺樹脂含有其他聚醯胺構成成分作為構成單位之情況，對與式(ii)對應之二胺成分於總構成成分中所占之比例並無限制，通常為5 mol%以上，較佳的是10 mol%以上，更佳的是15 mol%以上；又，通常為40 mol%以下，較佳的是30 mol%以下。若與式(ii)對應之二胺成分過多，則存在底塗層形成用塗佈液之穩定性變差之可能性；若過少，則存在高溫高濕度條件下之電氣特性變化變大，電氣特性對環境變化之穩定性變差之可能性。
將上述共聚合聚醯胺樹脂之具體例表示如下。其中，具體例中，共聚合比率表示單體之投入比率(莫耳比率)。
對上述共聚合聚醯胺之製造方法並無特別限制，可適當應用通常之聚醯胺之聚縮合方法。例如可適當應用熔融聚合法、溶液聚合法、界面聚合法等聚縮合方法。又，聚合時，例如可使聚合系中含有乙酸或苯甲酸等一元酸，己胺、苯胺等一元鹼等作為分子量調節劑。
再者，黏合劑樹脂可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
又，對本發明之黏合劑樹脂之數量平均分子量亦並無限制。例如，於使用共聚合聚醯胺作為黏合劑樹脂之情況，共聚合聚醯胺之數量平均分子量通常為10000以上，較佳的是15000以上；又，通常為50000以下，較佳的是35000以下。數量平均分子量過小、或過大，均變得難以保持底塗層之均勻性。
本發明之底塗層形成用塗佈液之黏合劑樹脂的含有率，只要不顯著損害本發明之效果，則可為任意。但，本發明之底塗層形成用塗佈液之黏合劑樹脂的含有率，於通常為0.5重量%以上，較佳的是1重量%以上，又，通常為20重量%以下，較佳的是10重量%以下之範圍內使用。
[I－3.溶劑]
作為本發明之底塗層形成用塗佈液中所使用之溶劑(底塗層用溶劑)，若為可溶解本發明之黏合劑樹脂者，則可使用任意者。作為該溶劑，通常使用有機溶劑。若舉出溶劑之例，則可舉出：甲醇、乙醇、異丙醇或正丙醇等碳數為5以下之醇類；氯仿、1,2－二氯乙烷、二氯甲烷、三氯乙烯、四氯化碳、1,2－二氯丙烷等鹵化烴類；二甲基甲醯胺等含氮有機溶劑類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類等。
又，上述溶劑可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。進而，即使單獨為並不溶解本發明之黏合劑樹脂之溶劑，若藉由製成與其他溶劑(例如，上述例示之有機溶劑等)之混合溶劑而可溶解黏合劑樹脂，則亦可使用。一般而言，使用混合溶劑可減少塗佈不均。
於本發明之底塗層形成用塗佈液中，溶劑與金屬氧化物粒子、黏合劑樹脂等固形分之量比，因底塗層形成用塗佈液之塗佈方法而不同，可適當變更以實現於所應用之塗佈方法中，可形成均勻之塗膜。若舉出具體範圍，則就底塗層形成用塗佈液之穩定性及塗佈性方面而言，底塗層形成用塗佈液中之固形分濃度較佳的是，通常為1重量%以上，較佳的是2重量%以上；又，通常30重量%以下，較佳的是25重量%以下。
[I－4.其他成分]
本發明之底塗層形成用塗佈液，只要不顯著損害本發明之效果，可含有上述金屬氧化物粒子、黏合劑樹脂及除溶劑以外之成分。例如，於底塗層形成用塗佈液中，可含有添加劑作為其他成分。
作為添加劑，例如可舉出：以亞磷酸鈉、次磷酸鈉、亞磷酸、次磷酸或受阻酚為代表的熱穩定劑或其他聚合添加劑等。再者，添加劑可單獨使用1種，亦可以任意之組合及比率並用2種以上。
[I－5.本發明之底塗層形成用塗佈液之優點]
本發明之底塗層形成用塗佈液之保存穩定性高。作為保存穩定性之指標，有各種指標，例如，本發明之底塗層形成用塗佈液之製作時與室溫下保存120天後之黏度變化率(即，將保存120天後之黏度與製作時之黏度差，除以製作時之黏度而得之值)通常為20%以下，較佳的是15%以下，更佳的是10%以下。再者，黏度可使用E型黏度計(東機美公司製造，製品名ED)，以依據JIS Z 8803之方法進行測定。
又，若使用本發明之底塗層形成用塗佈液，則可高品質、且高效地製造電子照片感光體。
[II.底塗層形成用塗佈液之製造方法]
對本發明之底塗層形成用塗佈液之製造方法並無限制。其中，本發明之底塗層形成用塗佈液係如上所述含有金屬氧化物粒子者，金屬氧化物粒子分散存在於底塗層形成用塗佈液中。因此，本發明之底塗層形成用塗佈液之製造方法，通常具有使金屬氧化物粒子分散之分散步驟。
[II－1.金屬氧化物粒子之分散]
為使金屬氧化物粒子分散，例如，以球磨機、砂磨機、行星式軋機(planetary mill)、輥磨機等眾所周知之機械性粉碎裝置(分散裝置)，於溶劑(以下將分散時所使用之溶劑適當稱為「分散溶劑」)中進行濕式分散即可。一般認為，藉由該分散步驟，本發明之金屬氧化物粒子進行分散，成為具有上述既定之粒徑分布者。又，分散溶劑可使用底塗層形成用塗佈液中所使用之溶劑，亦可使用其以外之溶劑。其中，於使用除底塗層形成用塗佈液中所使用之溶劑以外之溶劑作為分散溶劑之情況，分散後將金屬氧化物粒子與用於底塗層形成用塗佈液之溶劑進行混合或者溶劑交換，此時，較佳的是一面防止金屬氧化物粒子凝集而不具有既定之粒徑分布，一面進行上述混合或溶劑交換等。
於濕式分散之方法中，尤佳的是利用分散介質進行分散者。
作為利用分散介質進行分散之分散裝置，可使用眾所周知之任一種分散裝置進行分散。若舉出利用分散介質進行分散之分散裝置之例，則可舉出：卵石磨機(pebble mill)、球磨機、砂磨機、篩磨機(screen mill)、凹口研磨機(gapmill)、振磨機、塗料振盪器、磨碎機等。該等中，較佳的是可使金屬氧化物粒子循環分散者。又，就分散效率、到達粒徑之細度、連續運轉之簡易度等方面而言，尤佳的是例如砂磨機、篩磨機、凹口研磨機等濕式攪拌球磨機。再者，上述之該等研磨機，可為縱型、橫型中任一種。又，研磨機之圓盤形狀，可使用平板型、垂直銷型、水平銷型等任意者。較佳的是使用液體循環型砂磨機。
再者，該等分散裝置可僅以1種實施，亦可任意組合2種以上而實施。
又，利用分散介質進行分散時，可藉由使用具有既定平均粒徑之分散介質，而減小體積累積平均粒徑D50，並且可將上述體積粒度分布寬度指標SD限制於上述範圍內。
即，於本發明之底塗層形成用塗佈液之製造方法中，於在濕式攪拌球磨機中進行金屬氧化物粒子之分散之情況，作為該濕式攪拌球磨機之分散介質，使用平均粒徑通常為5 μm以上，較佳的是10 μm以上，又，通常為200 μm以下，較佳的是100 μm以下之分散介質。小粒徑之分散介質存在可以短時間製作均勻分散液之傾向，但若粒徑變得過小，則分散介質之質量變得過小，存在無法高效分散之可能性。
又，一般認為，使用具有如上述般平均粒徑之分散介質，係可藉由上述製造方法，而將底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子之體積累積平均粒徑D50及體積粒度分布寬度指標SD限制於所期望之範圍的一個原因。因此，使用於濕式攪拌球磨機中使用具有上述平均粒徑之分散介質進行分散的金屬氧化物粒子而製造之底塗層形成用塗佈液，良好滿足本發明之底塗層形成用塗佈液之必要條件。
即，本發明之底塗層形成用塗佈液之較佳的製造方法係，含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂之電子照片感光體之底塗層形成用塗佈液的製造方法，使用於濕式攪拌球磨機中利用平均粒徑為5~200 μm之分散介質而分散的金屬氧化物粒子，作為上述金屬氧化物粒子，上述底塗層形成用塗佈液中之上述金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之，體積累積平均粒徑D50為0.1 μm以下，且，體積粒度分布寬度指標SD滿足上述式(1)。又，體積粒度分布寬度指標SD，較佳的是滿足上述式(2)。
分散介質通常為接近於圓球之形狀，故例如可藉由JIS Z 8801：2000等中所揭示之利用篩進行篩分之方法、或以圖像分析進行測定而求出平均粒徑，可藉由阿基米德法測定密度。具體而言，例如可利用以Nireco(股)製造之LUZEX50等為代表之圖像分析裝置，測定分散介質之平均粒徑及圓球度。
對分散介質之密度並無限制，通常使用5.5 g/cm3 以上者，較佳的是使用5.9 g/cm3 以上者，更佳的是使用6.0 g/cm3 以上者。一般而言，使用密度更高之分散介質進行分散，存在可以短時間製作均勻分散液之傾向。作為分散介質之圓球度，較佳的是1.08以下者，更佳的是使用具有1.07以下之圓球度之分散介質。
作為分散介質之材質，若為不溶於上述漿料所含之分散溶劑，且比重大於上述漿料者，不與漿料反應，或不使漿料變質者，則亦可使用眾所周知之任何分散介質。作為其例，可舉出：鉻球(球軸承用鋼球)、碳球(碳鋼球)等鋼球；不銹鋼球；氮化矽、碳化矽、氧化鋯、氧化鋁等陶瓷球；以氮化鈦、碳氮化鈦等膜包覆之球等。該等中，較佳的是陶瓷球，尤佳的是氧化鋯煅燒球。更具體而言，尤佳的是使用日本專利第3400836號公報中所揭示之氧化鋯煅燒珠。
再者，分散介質可僅使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
又，於上述濕式攪拌球磨機中，尤佳的是使用具備如下者：筒形定子；設於定子一端之漿料供給口；設於定子另一端之漿料排出口；將填充於定子內之分散介質以及自供給口供給之漿料攪拌混合之轉子；連接於排出口，並且設置為可旋轉，用以利用離心力作用將分散介質與漿料分離，使漿料自排出口排出的分離器。
此處，漿料至少含有金屬氧化物粒子及分散溶劑。
以下，就該濕式攪拌球磨機之構成加以詳細說明。
定子係內部具有中空部之筒形(通常為圓筒形狀)容器，於其一端形成漿料供給口，於其另一端形成漿料排出口。進而，於內部之中空部填充有分散介質，利用該分散介質，將漿料中之金屬氧化物粒子進行分散。又，自供給口向定子內供給漿料，定子內之漿料自排出口排出定子外。
又，轉子設於定子內部，係將上述分散介質及漿料攪拌混合者。再者，作為轉子之類型，例如有銷、圓盤、環型等，可使用任一種類型之轉子。
進而，分離器係將分散介質與漿料分離者。該分離器以連接於定子排出口之方式設置。並且以將定子內之漿料及分散介質分離，將漿料自定子之排出口送出於定子外部之方式構成。
又，此處所使用之分離器係設置成可旋轉者，較理想為葉輪型者，利用由分離器之旋轉而產生之離心力作用，將分散介質與漿料分離。
再者，分離器可設置成與上述轉子成為一體而旋轉，亦可與轉子分別獨立旋轉。
又，濕式攪拌球磨機較佳的是具備成為上述分離器之旋轉軸之軸。
進而，較佳的是於該軸之軸心，形成與排出口相通之中空排出通路。即，以至少具備如下構件之方式構成濕式攪拌球磨機：圓筒形定子；設於定子一端之漿料供給口；設於定子另一端之漿料排出口；將填充於定子內之分散介質以及自供給口供給之漿料攪拌混合之轉子；連接於排出口，並且設置為可旋轉，用以利用離心力作用將分散介質與漿料分離，使漿料自排出口排出的葉輪型分離器；成為分離器之旋轉軸之軸；進而較佳的是於軸之軸心，形成與排出口相同之中空排出通路。
軸中所形成之上述排出通路，連通分離器之旋轉中心與定子之排出口。因此，通過上述排出通路，利用分離器自分散介質分離之漿料被送出至排出口，自排出口排出定子外部。此時，上述排出通路通過軸之軸心，軸心中並無離心力作用，因此漿料以不具有動能之狀態排出。因此並未浪費地放出動能，未消耗無用之動力。
如此濕式攪拌球磨機可為橫向，但為提高分散介質之填充率，較佳的是縱向。此時，排出口較佳的是設於研磨機上端。進而，此時，較理想為分離器亦設於分散介質填充水準上方。
於將排出口設於研磨機上端之情況，將供給口設於研磨機底部。該情況下，作為更佳之態樣，供給口係以閥座，以及以可升降之方式嵌合於閥座，且可與閥座之邊緣進行線接觸之V形、梯形或圓錐狀之閥體構成。藉此，可於閥座之邊緣與閥體之間形成分散介質無法通過之環狀狹縫。因此，可於供給口供給漿料，又可防止分散介質之落入。又，可藉由使閥體上升，而擴大狹縫以排出分散介質，或者可藉由使閥體下降，而封閉狹縫以密封研磨機。進而，因狹縫形成於閥體與閥座之邊緣，故漿料中之粗粒子(金屬氧化物粒子)難以卡入，即使卡入亦易於上下脫離而難以產生堵塞。
又，若利用振動手段使閥體上下振動，則可使卡入狹縫之粗粒子自狹縫脫離，因此卡入本身難以產生。並且，藉由閥體振動而對漿料施加剪力以降低黏度，可增加漿料於上述狹縫中之通過量(即，供給量)。對使閥體振動之振動手段並無限制，例如，除振動器等機械手段之外，可使用使作用於與閥體成為一體之活塞的壓縮空氣之壓力變動之手段，例如往復式壓縮機、切換壓縮空氣之吸排的電磁切換閥等。
於如此濕式攪拌球磨機中，又，較佳的是於底部設置分離分散介質之篩、及漿料取出口，以使分散結束後，可取出濕式攪拌球磨機內所殘留之漿料。
又，將濕式攪拌球磨機縱向設置，將軸支持於定子上端，並且於定子上端的支承軸之軸承部，設置O環、及具有靜環之機械軸封，進而，於軸承部形成O環所嵌合之環狀溝，於該環狀溝安裝O環，於該情況下，較佳的是於該環狀溝之下側部，形成向下方張開之錐狀切入。即，濕式攪拌球磨機係具備如下者而構成：圓筒形之縱型定子，設於定子底部之漿料供給口，設於定子上端之漿料排出口，支持於定子上端、且以電動機等驅動手段進行旋轉驅動之軸，固定於軸、且將填充於定子內之分散介質以及自供給口供給之漿料攪拌混合之銷、圓盤或環型轉子，設於排出口附近、自漿料分離分散介質之分離器，設於定子上端之支承軸的軸承部之機械軸封；並且較佳的是於與機械軸封之靜環接觸之O環嵌合的環狀溝之下側部，形成向下方張開之錐狀切入。
根據上述濕式攪拌球磨機，藉由將機械軸封設置於分散介質或漿料幾乎不具有動能之軸心部，並且設置於彼等之液面水準上方之定子上端，可於機械軸封之靜環與O環嵌合溝下側部之間，大幅減少分散介質或漿料進入。
而且，O環所嵌合之環狀溝之下側部，藉由切入而向下方張開，間隙擴大，因此難以產生因漿料或分散介質進入發生卡入、或固化而引起之堵塞，靜環對密封環之追隨順利進行，而維持機械軸封之功能。再者，O環所嵌合之嵌合溝下側部形成剖面V形，整體並不薄，故並不損害強度，亦未損害O環之保持功能。
又，尤佳的是，上述分離器具備：於對向之內側面具備葉片之嵌合溝之兩片圓盤、嵌合於上述嵌合溝且介於圓盤間之葉片、自兩側夾持使葉片介於中間之上述圓盤的支持手段而構成。即，作為上述濕式攪拌球磨機係具備以下者而構成：筒形定子，設於上述定子一端之漿料之供給口，設於上述定子之另一端之上述漿料排出口，將填充於上述定子內之上述分散介質以及自上述供給口供給之漿料攪拌混合之轉子，連接於上述排出口並且於上述定子內設置成可旋轉、用以利用離心力作用將上述分散介質與上述漿料分離、使上述漿料自上述排出口排出的分離器；並且較佳的是於上述分離器中，具備於對向之內側面具備葉片之嵌合溝之兩片圓盤、嵌合於上述嵌合溝且介於上述圓盤間之上述葉片、自兩側夾持使上述葉片介於中間之上述圓盤的支持手段。此時，於較佳態樣中，支持手段包括形成分格軸之軸的格子、嵌合於軸而按壓圓盤之圓筒狀按壓手段，以利用軸之格子及按壓手段自兩側夾持使葉片介於中間之圓盤而支持之方式構成。利用如此濕式攪拌球磨機，本發明之底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子可容易地滿足式(1)或式(2)。又，此處，分離器較佳的是葉輪型構成。
以下，為更具體地說明上述縱型濕式攪拌球磨機之構成，而列舉濕式攪拌球磨機之一實施形態進行說明。其中，用以製造本發明之底塗層用塗佈液的攪拌裝置，並不限定於此處所例示者。
圖3係示意性表示該實施形態之濕式攪拌球磨機之構成的縱剖面圖。於圖3中，漿料(圖示省略)以如下方式進行循環粉碎：供給至縱型濕式攪拌球磨機中，以該研磨機與分散介質(圖示省略)一同攪拌而粉碎後，以分離器14分離分散介質，通過形成於軸15之軸心的排出通路19排出後，沿返迴路徑(圖示省略)返回。
縱型濕式攪拌球磨機如圖3詳細所示，包括：定子17，其係縱向圓筒形，且其具備用以冷卻研磨機之冷卻水所通過之套管16；軸15，其位於定子17之軸心，於定子17上部以可旋轉之方式軸承，並且於軸承部具有圖4(後述)中所示之機械軸封，且將上側部之軸心作為中空之排出通路19；銷或圓盤狀轉子21，其於軸15之下端部徑向突出設置；滑輪24，其固著於軸15之上部，以傳達驅動力；旋轉接頭25，其安裝於軸15上端之開口端；分離器14，其係於定子17內之上部附近固著於軸15上，用以分離介質；漿料供給口26，其與軸15之軸端對向而設置於定子17之底部；分離分散介質之篩28，其置於格子狀篩支架27上，該篩支架27設置於設於定子17底部之偏心位置之漿料取出口29。
分離器14包括以一定間隔而固著於軸15上之一對圓盤31、及連接兩圓盤31之葉片32，構成葉輪，與軸15一同旋轉而賦予進入圓盤31之間之分散介質及漿料以離心力，利用其比重差使分散介質於徑向上向外飛出，另一方面，通過軸15之軸心的排出通路19排出漿料。
漿料之供給口26包括以可升降之方式嵌合於形成於定子17底部之閥座的倒梯形閥體35、及自定子17底部向下突出之有底圓筒體36，若為供給漿料而向上推閥體35，則於閥座之間形成環狀狹縫(未圖示)，藉此漿料供給至定子17內。
原料供給時之閥體35，利用送入圓筒體36內之漿料的供給壓，抵抗研磨機內之壓力而上升，於閥座之間形成狹縫。
為消除狹縫處之堵塞，反覆進行閥體35以短週期上升至上限位置之上下振動，可消除卡入。該閥體35之振動可經常進行，亦可於漿料中含有大量粗粒子之情況下進行，又，亦可於由堵塞而引起漿料之供給壓上升時，與其連動而進行。
機械軸封如圖4詳細所示，利用彈簧102之作用將定子側之靜環101壓著於固定於軸15之密封環100上，定子17與靜環101之密封，係藉由嵌合於定子側之嵌合溝103的O環104而進行，於圖4中，於O環嵌合溝103之下側部，具有向下張開之錐狀切入(未圖示)，嵌合溝103之下側部與靜環101之間的間隙最小部分之長度「a」狹窄，因此不產生以下情況：介質或漿料進入而固化，使靜環101之活動受阻，與密封環100之間之密封受損。
於上述實施形態中，轉子21與分離器14固定於相同之軸15上，於其他實施形態中固定於配置於同軸上之不同軸，各自進行旋轉驅動。於將轉子及分離器安裝於相同軸上之上述圖示之實施形態中，驅動裝置只要一個即可，因此構造簡單，與此相對，於將轉子及軸安裝於不同軸，以不同驅動裝置進行旋轉驅動之後者實施形態中，可分別以最佳旋轉數使轉子與分離器驅動。
圖5所示之球磨機，係將軸105設為分格軸，自軸下端嵌插分離器106，繼而交替嵌插分隔件107及圓盤或銷狀轉子108後，於軸下端以螺釘110固定塞子109，以軸105之格子105a及塞子109夾入分離器106、分隔件107及轉子108而連接固定，分離器106如圖6所示，包括：於對向內側之面上分別形成葉片嵌合溝114之一對圓盤115、介於兩圓盤間而嵌合於葉片嵌合溝114之葉片116、及使兩圓盤115維持一定間隔且形成通往排出通路111之孔112的環狀分隔件113，構成葉輪。
再者，作為具有本實施形態中所例示之構造的濕式攪拌球磨機，具體而言，例如可舉出壽工業股份有限公司製造之Ultra Apex Mill。
本實施形態之濕式攪拌球磨機以如上方式構成，因此進行漿料分散時，根據以下順序進行。即，於本實施形態之濕式攪拌球磨機之定子17內填充分散介質(未圖示)，以外部動力驅動，轉子21及分離器14旋轉驅動，另一方面，漿料以一定量輸送至供給口26。藉此，通過形成於閥座邊緣與閥體35之間之狹縫(未圖示)向定子7內供給漿料。
藉由轉子21之旋轉而攪拌混合定子7內之漿料及分散介質，進行漿料之粉碎。又，藉由分離器14之旋轉，進入分離器14內之分散介質及漿料因比重差而分離，比重較重之分散介質於徑向上向外飛出，與此相對，比重較輕之漿料通過形成於軸15之軸心的排出通路19排出，回到原料槽中。於粉碎進行到一定程度之階段，適當測定漿料之粒度，若達所需粒度，則暫且停止原料泵，繼而停止研磨機之運轉，結束粉碎。
又，於使用濕式攪拌球磨機使金屬氧化物粒子分散之情況，對填充於濕式攪拌球磨機內之分散介質的填充率並無限制，若可使金屬氧化物粒子進行分散至具有所需之粒度分布，則為任意。其中，於使用上述縱型濕式攪拌球磨機使金屬氧化物粒子分散之情況，填充於濕式攪拌球磨機內之分散介質的填充率通常為50%以上，較佳的是70%以上，更佳的是80%以上；又，通常100%以下，較佳的是95%以下，更佳的是90%以下。
適用於使金屬氧化物粒子分散之濕式攪拌球磨機，分離器可為篩或狹縫機構，如上所述，較理想為葉輪型者，較佳的是縱型。較理想為濕式攪拌球磨機為縱向，且將分離器設置於研磨機上部，尤其若將分散介質之填充率設定於上述範圍內，則可進行最有效之粉碎，且可使分離器位於介質填充水準上方，亦有可防止分散介質附著於分離器而排出之效果。
又，適用於分散金屬氧化物粒子之濕式攪拌球磨機的運轉條件，影響底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子之體積累積平均粒徑D50及體積粒度分布寬度指標SD、底塗層形成用塗佈液之穩定性、塗佈該底塗層形成用塗佈液而形成之底塗層的表面形狀、具有塗佈該底塗層形成用塗佈液而形成之底塗層的電子照片感光體之特性。尤其可舉出漿料供給速度、及轉子之旋轉速度作為影響較大者。
漿料之供給速度與濕式攪拌球磨機中漿料滯留之時間有關，因此受研磨機之容積及其形狀之影響，於通常所使用之定子之情況，每1升(以下，簡記為L)之濕式攪拌球磨機容積，通常為20 kg/hr以上、較佳的是30 kg/hr以上，又，通常為80 kg/hr以下、較佳的是70 kg/hr以下之範圍。
又，轉子之旋轉速度受轉子形狀或與定子之間隙等參數的影響，於通常所使用之定子及轉子之情況，轉子前端部之圓周速度通常為5 m/sec以上、較佳的是8 m/sec以上、更佳的是10 m/sec以上，又，通常為20 m/sec以下、較佳的是15 m/sec以下、更佳的是12 m/sec以下之範圍。
進而，對分散介質之使用量並無限制。其中，分散介質通常相對於漿料，以容積比計使用1~5倍。除分散介質以外，亦可並用分散後可易於除去之分散助劑而實施。作為分散助劑之例，可舉出食鹽、芒硝等。
又，金屬氧化物粒子之分散較佳的是於分散溶劑之共存下以濕式進行。又，只要可適當分散金屬氧化物粒子，則可使除分散溶劑以外之成分共存。作為如此可共存之成分，例如可舉出黏合劑樹脂或各種添加劑等。
作為分散溶劑，並無特別限制，若使用上述底塗層形成用塗佈液中所使用之溶劑，則分散後無需經過溶劑交換等步驟，故較佳。該等分散溶劑可單獨使用任1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上，用作混合溶劑。
就生產性之觀點而言，分散溶劑之使用量相對於1重量份成為分散對象之金屬氧化物，通常為0.1重量份以上、較佳的是1重量份以上，又，通常為500重量份以下、較佳的是100重量份以下之範圍。
又，作為機械性分散時之溫度，可於溶劑(或混合溶劑)之凝固點以上、沸點以下之溫度下進行，就製造時之安全性方面而言，通常於10℃以上、200℃以下之範圍內進行。
較佳的是於使用分散介質之分散處理後，自漿料中分離．除去分散介質，進而實施超音波處理。超音波處理係對金屬氧化物粒子施加超音波振動者。
對振動頻率等超音波處理時之條件並無特別限制，以通常為10 kHz以上、較佳的是15 kHz以上，又，通常為40 kHz以下、較佳的是35 kHz以下之頻率的振盪器施加超音波振動。
又，對超音波振盪機之輸出功率並無特別限制，通常使用100 W~5 kW者。
進而，通常，與以藉由大輸出功率超音波振盪機之超音波處理大量漿料相比，以藉由小輸出功率超音波振盪機之超音波處理少量漿料時的分散效率佳。因此，一次處理之漿料量通常為1 L以上，較佳的是5 L以上，更佳的是10 L以上；又，通常50 L以下，較佳的是30 L以下，更佳的是20 L以下。又，該情況之超音波振盪機之輸出功率，較佳的是200 W以上，更佳的是300 W以上，更佳的是500 W以上；又，較佳的是3 kW以下，更佳的是2 kW以下，更佳的是1.5 kW以下。
對金屬氧化物粒子施加超音波振動的方法並無特別限制，例如可舉出：於容納漿料之容器中直接浸漬超音波振盪機之方法、於容納漿料之容器外壁接觸超音波振盪機之方法、於藉由超音波振盪機而產生振動之液體中浸漬容納漿料之容器的方法等。該等方法中，較適合的是使用於藉由超音波振盪機而產生振動之液體中浸漬容納漿料之容器的方法。
上述情況下，對藉由超音波振盪機而產生振動之液體並無限制，例如可舉出：水；甲醇等醇類；甲苯等芳香族烴類；聚矽氧油等油脂類。其中，若就製造上之安全性、成本、清洗性等方面而言，則較佳的是使用水。
於藉由超音波振盪機而產生振動之液體中浸漬容納漿料之容器的方法中，由該液體之溫度引起超音波處理之效率變化，因此較佳的是將該液體之溫度保持恆定。存在由於所施加之超音波振動而使產生振動之液體的溫度上升之情況。該液體之溫度較佳的是於通常為5℃以上、較佳的是10℃以上、更佳的是15℃以上，又，通常為60℃以下、較佳的是50℃以下、更佳的是40℃以下之溫度範圍內進行超音波處理。
對超音波處理時容納漿料之容器並無限制。例如，若為通常用於裝入用於形成電子照片感光體用感光層之底塗層形成用塗佈液的容器，則可使用任一種容器。若舉出具體例，則可舉出：聚乙烯、聚丙烯等樹脂製容器，或者玻璃製容器、金屬製罐等。該等中較佳的是金屬製罐，尤其適合使用JIS Z 1602中所規定之18 L之金屬製罐。其原因在於，難以被有機溶劑侵蝕，且耐衝擊。
又，為除去粗大粒子，分散後之漿料、或超音波處理後之漿料視需要於過濾後使用。作為該情況下之過濾介質，通常可使用用以過濾之纖維素纖維、樹脂纖維、玻璃纖維等任一種過濾材料。作為過濾介質之形態，根據過濾面積大效率佳等理由，較佳的是於芯材上捲有各種纖維之所謂捲繞式過濾器(wind filter)。作為芯材，可使用先前眾所周知之任一種芯材，可舉出：不銹鋼芯材、聚丙烯等不溶於上述漿料或漿料含有之溶劑中的樹脂製芯材等。
以如此方式獲得之漿料，可視需要而使其進一步含有溶劑、黏合劑樹脂(黏結劑)、其他成分(助劑等)等，製成底塗層形成用塗佈液。再者，金屬氧化物粒子可於上述分散或超音波處理之步驟前、步驟中及步驟後之任一階段中，與底塗層形成用塗佈液用溶劑及黏合劑樹脂、以及視需要所使用之其他成分混合。因此，金屬氧化物粒子與溶劑、黏合劑樹脂、其他成分等之混合未必於分散或超音波處理後進行。
[II－2.本發明之底塗層形成用塗佈液之製造方法的優點]
根據本發明之底塗層形成用塗佈液之製造方法，可有效地生產本發明之底塗層形成用塗佈液，並且可獲得保存穩定性更高之底塗層形成用塗佈液。因此，可有效地獲得更高品質之電子照片感光體。
[III.底塗層形成方法]
可藉由將本發明之底塗層形成用塗佈液塗佈於導電性支持體上進行乾燥，而形成電子照片感光體之底塗層。對塗佈本發明之底塗層形成用塗佈液之方法並無限制，例如可舉出：浸漬塗佈、噴射塗佈、噴嘴塗佈、螺旋塗佈、環塗佈、棒式塗佈、輥式塗佈、亂刀塗佈等。再者，該等塗佈法可僅實施1種，亦可任意組合2種以上而實施。
作為噴射塗佈法，例如有：空氣噴射法、無氣噴射法、靜電空氣噴射法、靜電無氣噴射法、旋轉霧化式靜電噴射法、熱噴法、熱無氣噴射法等。又，若考慮用以獲得均勻膜厚之微粒化度、附著效率等，較佳的是於旋轉霧化式靜電噴射法中，實施日本專利再公表平1－805198號公報中所揭示之搬送方法，即，一邊使圓筒狀工件旋轉，一面於其軸方向上無間隔地連續搬送。藉此，綜合而言，可以高附著效率獲得底塗層之膜厚均勻性優異之電子照片感光體。
作為螺旋塗佈法，有日本專利特開昭52－119651號公報中所揭示之使用注液塗佈機或簾幕式塗佈機之方法、日本專利特開平1－231966號公報中所揭示之使塗料自微小開口部以條狀連續飛射之方法、日本專利特開平3－193161號公報中所揭示之使用多噴嘴體之方法等。
於浸漬塗佈法之情況，通常，底塗層形成用塗佈液之總固形分濃度通常為1重量%以上、較佳的是10重量%以上，通常設於50重量%以下、較佳的是35重量%以下之範圍內，將黏度設於較佳的是0.1 cps以上，又，較佳的是100 cps以下之範圍內。再者，1 cps＝1×10－3 Pa．s。
塗佈後，乾燥塗佈膜，較佳的是調整乾燥溫度、時間，以進行必需且充分之乾燥。乾燥溫度通常為100℃以上、較佳的是110℃以上、更佳的是115℃以上，又，通常為250℃以下、較佳的是170℃以下、更佳的是140℃以下之範圍。對乾燥方法並無限制，例如可使用熱風乾燥機、蒸汽乾燥機、紅外線乾燥機及遠紅外線乾燥機等。
[IV.電子照片感光體]
本發明之電子照片感光體，於導電性支持體上，具有底塗層以及形成於上述底塗層上之感光層。因此，底塗層係設置於導電性支持體與感光層之間。
又，感光層之構成可採用可應用於眾所周知之電子照片感光體的任何構成。若舉出具體例，則可舉出：具有使光導電性材料溶解或分散於黏合劑樹脂中之單層感光層(即，單層型感光層)的所謂單層型感光體；具有包括將含有電荷產生物質之電荷產生層、及含有電荷傳輸物質之電荷傳輸層積層而成之複數層的感光層(即，積層型感光層)之所謂積層型感光體等。已知一般而言，光導電性材料無論為單層型抑或積層型，於功能方面可表現同等性能。
本發明之電子照片感光體所具有之感光層可為眾所周知之任一種形態，就感光體之機械物性、電氣特性、製造穩定性等方面綜合而言，較佳的是積層型感光體。尤其是更佳的是於導電性支持體上依序積層有底塗層、電荷產生層及電荷傳輸層之順積層型感光體。
以下，對本發明之電子照片感光體之構成要素，列舉實施形態加以說明。但，本發明之電子照片感光體之構成要素並不限定於以下實施形態。
[IV－1.導電性支持體]
對導電性支持體並無特別限制，例如主要使用：鋁、鋁合金、不銹鋼、銅、鎳等金屬材料；將金屬、碳、氧化錫等導電性粉體混合而賦予導電性之樹脂材料；將鋁、鎳、ITO(氧化銦氧化錫合金)等導電性材料蒸鍍或塗佈於其表面之樹脂、玻璃、紙等。
又，作為導電性支持體之形態，例如可使用鼓狀、薄片狀、帶狀等者。又，為控制導電性．表面性等、或為覆蓋缺陷，可於金屬材料之導電性支持體上，塗佈具有適當電阻值之導電性材料。
進而，於使用鋁合金等金屬材料作為導電性支持體之情況，可實施陽極氧化處理後使用。於實施陽極氧化處理之情況，較理想為利用眾所周知之方法實施封孔處理。
例如，藉由在鉻酸、硫酸、乙二酸、硼酸、磺胺酸等酸性浴中，進行陽極氧化處理而形成陽極氧化被膜，該等酸性浴中，尤其是硫酸中之陽極氧化處理可獲得更良好之結果。於硫酸中進行陽極氧化之情況，較佳的是將硫酸濃度設定為100~300 g/L，將溶解鋁濃度設定於2~15 g/L，將液溫設定於15~30℃，將電解電壓設定於10~20 V，將電流密度設定於0.5~2 A/dm2 之範圍內，但並不限定於上述條件。
較佳的是對以如此方式形成之陽極氧化被膜進行封孔處理。封孔處理若以眾所周知之方法進行即可，例如，較佳的是實施浸漬於含有氟化鎳作為主成分之水溶液中的低溫封孔處理、或者浸漬於含有乙酸鎳作為主成分之水溶液中的高溫封孔處理。
於上述低溫封孔處理之情況所使用之氟化鎳水溶液的濃度可適當選擇，於3~6 g/L之範圍內使用之情況，可獲得更佳之結果。又，為使封孔處理順利進行，作為處理溫度較佳的是，通常為25℃以上、較佳的是30℃以上，又，通常為40℃以下、較佳的是35℃以下之範圍。又，就相同觀點而言，氟化鎳水溶液pH較佳的是，通常於4.5以上、較佳的是5.5以上，又，通常於6.5以下、較佳的是6.0以下之範圍內處理。作為pH調節劑，例如可使用：乙二酸、硼酸、甲酸、乙酸、氫氧化鈉、乙酸鈉、氨水等。又，處理時間較佳的是每1 μm膜厚之被膜，進行1~3分鐘之範圍內之處理。再者，為進一步改良被膜物性，例如可使氟化鎳水溶液中含有氟化鈷、乙酸鈷、硫酸鎳、界面活性劑等。繼而進行水洗、乾燥而結束低溫封孔處理。
另一方面，作為進行上述高溫封孔處理情況下之封孔劑，例如可使用：乙酸鎳、乙酸鈷、乙酸鉛、乙酸鎳－鈷、硝酸鋇等金屬鹽水溶液等，尤佳的是使用乙酸鎳水溶液。於使用乙酸鎳水溶液之情況之濃度較佳的是於5~20 g/L之範圍內使用。處理溫度較佳的是，通常為80℃以上、較佳的是90℃以上，又，通常為100℃以下、較佳的是98℃以下之範圍；又，乙酸鎳水溶液之pH較佳的是於5.0~6.0之範圍內進行處理。此處，作為pH調節劑，例如可使用氨水、乙酸鈉等。又，處理時間較佳的是，通常處理10分鐘以上，較佳的是處理15分鐘以上。再者，為於該情況下為改良被膜物性，例如亦可使乙酸鎳水溶液中含有乙酸鈉、有機羧酸、陰離子系、非離子系界面活性劑等。進而，亦可利用實質上並不含有鹽類之高溫水或高溫水蒸汽進行處理。繼而進行水洗、乾燥而結束高溫封孔處理。
於陽極氧化被膜之平均膜厚較厚之情況，有時因封孔液之高濃度化、高溫．長時間處理而需要嚴格之封孔條件。該情況下，存在生產性變差，並且於被膜表面易於產生斑痕、污垢、粉化之表面缺陷之情況。就如此方面而言，陽極氧化被膜之平均膜厚通常較佳的是以20 μm以下、尤佳的是以7 μm以下形成。
導電性支持體之表面可為平滑，亦可藉由使用特殊之切削方法，或者進行研磨處理而粗面化。又，亦可藉由將適當粒徑之粒子混合於構成支持體之材料中而粗面化。又，為廉價化，亦可並不實施切削處理，而直接使用拉製管。尤其於使用拉製加工、衝擊加工、引縮加工等非切削鋁支持體之情況，藉由處理，存在於表面之污垢或異物等附著物、小傷痕等消失，可獲得均勻且潔淨之支持體，因此較佳。
[IV－2.底塗層]
底塗層係含有黏合劑樹脂及金屬氧化物粒子之層。又，底塗層，只要不顯著損害本發明之效果可含有其他成分。再者，該等黏合劑樹脂、金屬氧化物粒子、及其他成分，與本發明之底塗層形成用塗佈液之說明中所述者相同。
又，於本發明之電子照片感光體中，於甲醇與1－丙醇以7：3之重量比混合之溶劑中分散底塗層而成的液體中之金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之，體積累積平均粒徑D50’及體積粒度分布寬度指標SD’，分別滿足與上述體積累積平均粒徑D50及體積粒度分布寬度指標SD相同之條件。
因此，於本發明之電子照片感光體中，體積累積平均粒徑D50’為0.1 μm以下(參照[關於體積累積平均粒徑D50之說明]之說明)。
又，於本發明之電子照片感光體中，以「SD’＝(D84’－D16’)/2」表示之體積粒度分布寬度指標SD’滿足下述式(3)，較佳的是滿足式(4)(參照[關於體積粒度分布寬度指標SD之說明]之說明)。
0.010≦SD’≦0.040 (3) 0.020≦SD’≦0.030 (4)(其中，D84’表示體積粒度分布累積曲線達到84%之點的粒徑(μm)，D16’表示體積粒度分布累積曲線達到16%之點的粒徑(μm)。粒度分布之累積自小粒徑側進行。)
於體積累積平均粒徑D50’及體積粒度分布寬度指標SD’未滿足上述範圍之情況下，根據本發明者等人之研究，作為感光體，低溫低濕下之曝光－帶電重複特性不穩定，經常於所獲得之圖像上產生黑點、色點等圖像缺陷，故欠佳。
再者，上述體積平均粒徑D50’及個數平均粒徑SD’之測定方法，並非直接測定底塗層形成用塗佈液中之金屬氧化物粒子，而是於甲醇與1－丙醇以7：3之重量比混合之混合溶劑(其成為粒度測定時之分散介質)中分散經層形成之底塗層，藉由動態光散射法測定該分散液中之金屬氧化物粒子的粒度，除此方面與上述體積平均粒徑D50及個數平均粒徑SD之測定方法不同，其他方面相同(參照[體積累積平均粒徑D50及體積粒度分布寬度指標SD之測定方法]之說明)。
本發明之底塗層之形成方法並無限定，通常可由上述本發明之底塗層形成用塗佈液形成。
底塗層之膜厚為任意，但就使本發明之電子照片感光體之感光體特性及塗佈性提昇的觀點而言，通常較佳的是0.1 μm以上，20 μm以下之範圍。又，底塗層可含有眾所周知之抗氧化劑等添加劑。
本發明之底塗層，對其表面形狀並無限制，但通常於面內均方根粗度(RMS)、面內算術平均粗度(Ra)、面內最大粗度(P－V)方面具有特徵。再者，該等數值係JIS B 0601：2001規格中之均方根高度、算術平均高度、最大高度的基準長度於基準面上擴張而得之數值，使用作為基準面之高度方向之值Z(x)，面內均方根粗度(RMS)表示Z(x)之均方根，面內算術平均粗度(Ra)表示Z(x)之絕對值的平均值，面內最大粗度(P－V)表示Z(x)的峰高度之最大值與谷深度之最大值之和。
本發明之底塗層之面內均方根粗度(RMS)，通常於10 nm以上、較佳的是20 nm以上，又，通常於100 nm以下、較佳的是50 nm以下之範圍內。若面內均方根粗度(RMS)過小，則存在與上層之接著性惡化之可能性，若過大，則存在導致上層之塗佈膜厚均勻性惡化之可能性。
本發明之底塗層之面內算術平均粗度(Ra)，通常於10 nm以上，又，通常於50 nm以下之範圍。若面內算術平均粗度(Ra)過小，則存在與上層之接著性惡化之可能性，若過大，則存在導致上層之塗佈膜厚均勻性惡化之可能性。
本發明之底塗層之面內最大粗度(P－V)，通常於100 nm以上、較佳的是300 nm以上，又，通常於1000 nm以下、較佳的是800 nm以下之範圍內。若面內最大粗度(P－V)過小，則存在與上層之接著性惡化之可能性，若過大，則存在導致上層之塗佈膜厚均勻性惡化之可能性。
再者，上述與表面形狀相關之指標(RMS、Ra、P－V)之數值，若利用可高精度測定基準面內之凹凸的表面形狀分析裝置進行測定，則可利用任何表面形狀分析裝置進行測定，較佳的是利用使用光干涉顯微鏡，將高精度相移檢測法與干涉條紋之級數加以組合，而檢測試料表面凹凸之方法進行測定。更具體而言，較佳的是使用菱化系統股份有限公司之Micromap，利用干涉條紋定址(addressing)方式，以波型(wave mode)進行測定。
又，本發明之底塗層，於分散於可將黏結該底塗層之黏合劑樹脂溶解的溶劑而製成分散液之情況，該分散液之吸光度顯示特定之物性。該情況下，上述分散液之吸光度亦可與測定本發明之電子照片感光體之底塗層形成用塗佈液的吸光度之情況同樣地測定。
於分散本發明之底塗層而製成分散液時，可藉由對黏結底塗層之黏合劑樹脂實質不溶解、卻可溶解形成於底塗層上之感光層等的溶劑而溶解除去底塗層上之層後，將黏結底塗層之黏合劑樹脂溶解於溶劑中，可藉此而製成分散液。此時，作為可溶解底塗層之溶劑，使用於400 nm~1000 nm之波長區域中光吸收量不大的溶劑即可。
若舉出可溶解底塗層之溶劑之具體例，則可使用甲醇、乙醇、1－丙醇、2－丙醇等醇類，尤其可使用甲醇、乙醇、1－丙醇。又，該等可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
於甲醇與1－丙醇以7：3之重量比混合之溶劑中分散本發明之底塗層而成的分散液，對波長為400 nm之光的吸光度與對波長為1000 nm之光的吸光度之差(吸光度差)，如下所述。即，於金屬氧化物粒子之折射率為2.0以上之情況，上述吸光度差通常為0.3(Abs)以下，較佳的是0.2(Abs)以下。又，於金屬氧化物粒子之折射率未滿2.0之情況，通常為0.02(Abs)以下，較佳的是0.01(Abs)以下。
再者，吸光度之值依據所測定之液體之固形分濃度。因此，於進行吸光度測定之情況，較佳的是以上述分散液中之金屬氧化物粒子濃度成為0.003重量%~0.0075重量%之範圍之方式進行分散。
又，本發明之底塗層之正反射率通常於本發明中顯示特定值。所謂本發明之底塗層之正反射率，係表示導電性支持體上之底塗層相對於導電性支持體之正反射率。該底塗層之正反射率隨底塗層之膜厚而變化，故此處規定為將底塗層之膜厚設為2 μm之情況之反射率。
本發明之底塗層，於底塗層所含金屬氧化物粒子之折射率為2.0以上之情況，換算為該底塗層為2 μm之情況下的該底塗層對波長為480 nm之光之正反射相對於該導電性支持體對波長為480 nm之光之正反射的比，通常為50%以上。
另一方面，於底塗層所含金屬氧化物粒子之折射率未滿2.0之情況，換算為該底塗層為2 μm之情況下的該底塗層對波長為400 nm之光之正反射相對於該導電性支持體對波長為400 nm之光之正反射的比，通常為50%以上。
此處，於該底塗層含有複數種折射率為2.0以上之金屬氧化物粒子之情況，及含有複數種折射率未滿2.0之金屬氧化物粒子之情況，較佳的均為與上述相同之正反射。又，於該底塗層同時含有折射率為2.0以上之金屬氧化物粒子、及折射率未滿2.0之金屬氧化物粒子之情況，與含有折射率為2.0以上之金屬氧化物粒子之情況相同，較佳的是換算為該底塗層為2 μm之情況下的該底塗層對波長為480 nm之光之正反射相對於該導電性支持體對波長為480 nm之光之正反射的比，為上述範圍(50%以上)。
以上，對底塗層之膜厚為2 μm之情況加以詳細說明，於本發明之電子照片感光體中，底塗層之膜厚並不限定為2 μm，可為任意膜厚。於底塗層之膜厚為2 μm以外之厚度之情況，可使用形成該底塗層時所使用之底塗層形成用塗佈液，於與該電子照片感光體相同之導電性支持體上，塗佈形成膜厚為2 μm之底塗層，對該底塗層測定正反射率。又，作為其他方法，有測定該電子照片感光體之底塗層之正反射率，換算為其膜厚為2 μm之情況的方法。
以下，對其換算方法加以說明。
於特定單色光通過底塗層，於導電性支持體上正反射，再次通過底塗層進行檢測之情況，假定為垂直於光之厚度為dL之薄層。
一般認為通過厚度為dL之薄層後之光的強度之減少量－dI，與通過上述層前之光的強度I、及層之厚度dL成比例，若以式表現，則可記為如下(k為常數)。
－dI＝kIdL (B)
若將式(B)變形，則成為如下。
－dI/I＝kdL (C)
若將式(C)之兩邊，分別於I0 至I、0至L之區間進行積分，則獲得以下之式。再者，I0 表示入射光之強度。
log(I0 /I)＝kL (D)
式(D)與溶液系中稱為Lambert法則者相同，亦可應用於本發明之反射率測定中。
若將式(D)變形，則成為I＝I0 exp(－kL) (E)，以式(E)表示入射光到達導電性支持體表面為止之狀態。
另一方面，正反射率以入射光對導電性支持體之反射光為分母，因此認為素管表面之反射率R＝I1 /I0 。此處，I1 表示反射光之強度。
然後，根據式(E)，到達導電性支持體表面之光乘以反射率R後進行正反射，再次通過光徑長度L射出底塗層表面。即，成為I＝I0 exp(－kL)．R．exp(－kL) (F)，代入R＝I1 /I0 ，進一步變形，可獲得如下關係式：I/I1 ＝exp(－2kL) (G)。
其係對底塗層之反射率相對於對導電性支持體之反射率的值，將其定義為正反射率。
如上所述，於2 μm之底塗層中，光徑長度往返為4 μm，任意導電性支持體上之底塗層之反射率T為底塗層之膜厚L(此時光徑長度成為2L)之函數，表示為T(L)。根據式(G)，下式成立T(L)＝I/I1 ＝exp(－2kL) (H)。
另一方面，欲知值為T(2)，因此於式(H)中代入L＝2，成為T(2)＝I/I1 ＝exp(－4k) (I)，若使式(H)與式(I)聯立而消去k，則成為T(2)＝T(L)2/L (J)。
即，底塗層之膜厚為L(μm)時，藉由測定該底塗層之反射率T(L)，可以相當高之準確度估算底塗層為2 μm之情況之反射率T(2)。底塗層之膜厚L之值可以粗度計等任意膜厚計測裝置進行計測。
[IV－3.感光層] [IV－3－1.電荷產生物質]
作為本發明中用於電子照片感光體之電荷產生物質，可使用自先前提案用於本用途之任意物質。作為如此之物質，例如可舉出：偶氮系顏料、酞菁系顏料、花蒽酮系顏料、喹吖啶酮系顏料、花青素系顏料、吡喃鎓系顏料、噻喃(thiapyrylium)系顏料、靛藍系顏料、多環醌系顏料、方酸系顏料等。尤佳的是酞菁顏料、或者偶氮顏料。酞菁顏料於可獲得對較長波長之雷射光具有高靈敏度之感光體的方面優異，又，偶氮顏料於對白色光及較短波長之雷射光具有充分靈敏度的方面優異。
本發明中，使用酞菁系化合物作為電荷產生物質之情況下，顯示高效果，故較佳。作為酞菁系化合物之具體例，可舉出：無金屬酞菁，銅、銦、鎵、錫、鈦、鋅、釩、矽、鍺等金屬、或者其氧化物、鹵化物、氫氧化物、烷氧化物等配位之酞菁等。
又，對酞菁系化合物之結晶型並無限制，尤佳的是：作為高靈敏度結晶型之X型、r型無金屬酞菁，A型(別稱β型)、B型(別稱α型)、D型(別稱Y型)等之氧鈦酞青(別稱：酞菁氧鈦)、酞菁氧釩、氯銦酞菁，II型等之氯鎵酞菁，V型等之羥基鎵酞菁，G型、I型等之μ－酮基－鎵酞菁二聚物、II型等之μ－酮基－鋁酞菁二聚物。再者，該等酞菁顏料中，尤佳的是A型(β型)、B型(α型)及D型(Y型)氧鈦酞青、II型氯鎵酞菁、V型羥基鎵酞菁、G型μ－酮基－鎵酞菁二聚物等。
進而，該等酞菁系化合物中，較佳的是：於對Cu Ka特性X射線之X射線繞射光譜的布拉格角(2 θ±0.2°)27.3°處顯示主要繞射波峰之酞菁氧鈦，於9.3°、13.2°、26.2°及27.1°處顯示主要繞射波峰之酞菁氧鈦，於9.2°、14.1°、15.3°、19.7°、27.1°處顯示主要繞射波峰之二羥基矽酞菁，於8.5°、12.2°、13.8°、16.9°、22.4°、28.4°及30.1°處顯示主要繞射波峰之二氯化錫酞菁，於7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°及28.3°處顯示主要繞射波峰之羥基鎵酞菁，以及於7.4°、16.6°、25.5°及28.3°處顯示主要繞射波峰之氯鎵酞菁。於該等中，尤佳的是於27.3°處顯示主要繞射波峰之酞菁氧鈦，該情況下，特佳的是於9.5°、24.1°及27.3°處顯示主要繞射波峰之酞菁氧鈦。
又，電荷產生物質可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。因此，上述酞菁系化合物，亦可僅使用單一之化合物，或以2種以上化合物之混合或混晶狀態使用。作為此處之酞菁系化合物之混合或混晶狀態，可於之後混合各個構成要素而使用，亦可於合成、顏料化、結晶化等酞菁系化合物之製造．處理步驟中產生混合狀態。作為如此之處理，例如可舉出酸糊處理．磨碎處理．溶劑處理等。對用以產生混晶狀態之方法並無限制，例如可舉出：如日本專利特開平10－48859號公報所揭示，將2種結晶混合後進行機械性磨碎、不定形化，之後，藉由溶劑處理轉變為特定結晶狀態之方法。
又，於使用酞菁系化合物之情況，可並用除酞菁系化合物以外之電荷產生物質。例如，可將偶氮顏料、苝顏料、喹吖啶酮顏料、多環醌顏料、靛藍顏料、苯并咪唑顏料、吡喃鎓鹽、噻喃鹽、方酸鹽等電荷產生物質混合使用。
電荷產生物質分散於感光層形成用塗佈液中，可於分散於該感光層形成用塗佈液中之前，預先進行前粉碎。前粉碎可使用各種裝置進行，但通常使用球磨機、砂磨機等進行。作為投入該等粉碎裝置之粉碎介質，若為於粉碎處理時，粉碎介質不會粉化，且分散處理後可易於分離者，則可使用任意者，例如可舉出：玻璃、氧化鋁、氧化鋯、不銹鋼、陶瓷等之珠或球等。前粉碎中，較佳的是粉碎至體積平均粒徑達到500 μm以下，更佳的是粉碎至250 μm以下。再者，電荷產生物質之體積平均粒徑，可藉由業者通常所用的任何方法進行測定，通常藉由普通沈降法或離心沈降法進行測定。
[IV－3－2.電荷傳輸物質]
對電荷傳輸物質並無限制。若舉出電荷傳輸物質之例，則可舉出：聚乙烯咔唑、聚乙烯芘、聚縮水甘油基咔唑、聚苊(polyacenaphthylene)等高分子化合物；芘、蒽等多環芳香族化合物；吲哚衍生物、咪唑衍生物、咔唑衍生物、吡唑衍生物、吡唑啉衍生物、二唑衍生物、唑衍生物、噻二唑衍生物等雜環化合物；對二乙胺基苯甲醛－N,N－二苯基腙、N－甲基咔唑－3－甲醛－N,N－二苯基腙等胺系化合物；5－(4－(二對甲苯胺基)亞苄基)－5H－二苯并(a,d)環庚烯等苯乙烯系化合物；對三甲苯胺等三芳基胺系化合物；N,N,N’,N’－四苯基聯苯胺等聯苯胺系化合物；丁二烯系化合物；二(對二甲苯胺基苯基)甲烷等三苯基甲烷系化合物等。於該等中，較佳的是使用腙衍生物、咔唑衍生物、苯乙烯系化合物、丁二烯系化合物、三芳基胺系化合物、聯苯胺系化合物、或者該等複數個鍵結者。該等電荷傳輸物質，可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
[IV－3－3.感光層用黏合劑樹脂]
本發明之電子照片感光體之感光層，以各種黏合劑樹脂黏結光導電性材料之形式而形成。作為感光層用黏合劑樹脂，可使用可用於電子照片感光體之眾所周知的任意黏合劑樹脂。若舉出感光層用黏合劑樹脂之具體例，則可使用：聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚酯聚碳酸酯、聚乙烯縮醛、聚乙烯乙醯縮醛、聚乙烯丙醛、聚乙烯丁醛、聚碸、聚醯亞胺、苯氧樹脂、環氧樹脂、胺酯樹脂、矽樹脂、纖維素酯、纖維素醚、氯乙烯－醋酸乙烯酯共聚物、聚氯乙烯等乙烯聚合物、及其共聚物等。又，亦可使用該等之部分交聯硬化物。再者，感光層用黏合劑樹脂，可單獨使用1種，亦可以任意之組合及比率並用2種以上。
[IV－3－4.含有電荷產生物質之層]
．積層型感光體於本發明之電子照片感光體為所謂的積層型感光體之情況，含有電荷產生物質之層，通常係電荷產生層。其中，於積層型感光體中，只要不顯著損害本發明之效果，則可於電荷傳輸層中含有電荷產生物質。
對電荷產生物質之體積平均粒徑並無限制。其中，於用於積層型之感光體之情況，電荷產生物質之體積平均粒徑，通常為1 μm以下，較佳的是0.5 μm以下。再者，電荷產生物質之體積平均粒徑，除上述動態光散射法之外，可藉由雷射繞射型散射法、光透過式離心沈降法等進行測定。
又，電荷產生層之膜厚為任意，較適合的是通常為0.1 μm以上，較佳的是0.15 μm以上，又，通常為2 μm以下，較佳的是0.8 μm以下。
於含有電荷產生物質之層為電荷產生層之情況，該電荷產生層中之電荷產生物質之使用比率，相對於100重量份於電荷產生層中所含之感光層用黏合劑樹脂，通常為30重量份以上，較佳的是50重量份以上，又，通常為500重量份以下，較佳的是300重量份以下。若電荷產生物質之使用量過少，則存在作為電子照片感光體之電氣特性變得不充分之可能性，若過多則存在損害塗佈液之穩定性之可能性。
進而，可於電荷產生層中含有：用以改良成膜性、可撓性、機械強度等之眾所周知的可塑劑，用以抑制殘留電位之添加劑，用以提昇分散穩定性之分散輔助劑，用以改善塗佈性之勻平劑，界面活性劑，聚矽氧油，氟系油以及其他添加劑。再者，該等添加劑，可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
．單層型感光體於本發明之電子照片感光體為所謂的單層型感光體之情況，於以與後述之電荷傳輸層相同之調配比例之感光層用黏合劑樹脂以及電荷傳輸物質為主成分的基質中，分散上述電荷產生物質。
於用於單層型之感光層之情況，較理想的是電荷產生物質之粒徑充分小。因此，於單層型之感光層中，電荷產生物質之體積平均粒徑，通常為0.5 μm以下，較佳的是0.3 μm以下，更佳的是0.15 μm以下。
單層型感光層之膜厚為任意，通常為5 μm以上，較佳的是10 μm以上，又，通常為50 μm以下，較佳的是45 μm以下。
分散於感光層內之電荷產生物質之量為任意，若過少則存在無法獲得充分靈敏度之可能性，若過多，則存在產生帶電性降低、靈敏度降低等之可能性。因此，單層型感光層中之電荷產生物質之含有率，通常為0.5重量%以上，較佳的是10重量%以上，又，通常為50重量%以下，較佳的是45重量%以下。
又，於單層型感光體之感光層中亦可含有：用以改良成膜性、可撓性、機械強度等之眾所周知的可塑劑，用以抑制殘留電位之添加劑，用以提昇分散穩定性之分散輔助劑，用以改善塗佈性之勻平劑，界面活性劑，聚矽氧油，氟系油以及其他添加劑。再者，該等添加劑，可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
[IV－3－5.含有電荷傳輸物質之層]
於本發明之電子照片感光體為所謂的積層型感光體之情況，含有電荷傳輸物質之層，通常係電荷傳輸層。電荷傳輸層可單獨由具有電荷傳輸功能之樹脂形成，更佳的是上述電荷傳輸物質分散或者溶解於感光層用黏合劑樹脂中之構成。
電荷傳輸層之膜厚為任意，通常為5 μm以上，較佳的是10 μm以上，更佳的是15 μm以上，又，通常為60 μm以下，較佳的是45 μm以下，更佳的是27 μm以下。
另一方面，於本發明之電子照片感光體為所謂的單層型感光體之情況，單層型感光層，使用上述電荷傳輸物質分散或者溶解於黏合劑樹脂中之構成，作為分散電荷產生物質之基質。
作為用於含有電荷傳輸物質之層的黏合劑樹脂，可使用上述感光層用黏合劑樹脂。其中，若特別舉出用於含有電荷傳輸物質之層的較佳者之例，則可舉出：聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯等乙烯聚合物及其共聚物，聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯、聚酯碳酸鹽、聚碸、聚醯亞胺、苯氧、環氧、矽樹脂等以及該等之部分交聯硬化物等。再者，該黏合劑樹脂可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
又，於電荷傳輸層及單層型感光層中，上述黏合劑樹脂與電荷傳輸物質之比例只要不顯著損害本發明之效果則為任意，相對於100重量份黏合劑樹脂，電荷傳輸物質，於通常為20重量份以上，較佳的是30重量份以上，更佳的是40重量份以上，又，通常為200重量份以下，較佳的是150重量份以下，更佳的是120重量份以下之範圍內使用。
進而，含有電荷傳輸物質之層，可視需要而含有受阻酚、受阻胺等抗氧化劑，紫外線吸收劑，增感劑，勻平劑，吸電子性物質等各種添加劑。再者，該等添加劑可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。
[IV－3－6.其他層]
本發明之電子照片感光體，除上述底塗層及感光層以外，可含有其他層。
若舉例，則可設置先前眾所周知的、例如以熱可塑性或熱硬化性聚合物為主體的表面保護層或面塗層作為最表面層。
[IV－3－7.層形成法]
對除感光體所具有之底塗層以外之各層的形成方法並無限制，可使用任意方法。例如，如以本發明之底塗層形成用塗佈液形成底塗層之情況，使用例如浸漬塗佈方法、噴射塗佈方法、環塗佈方法等眾所周知之方法，依序塗佈將層中所含有之物質溶解或分散於溶劑中而得之塗佈液(感光層形成用塗佈液、電荷產生層形成用塗佈液、電荷傳輸層形成用塗佈液等)，使之乾燥而形成。該情況下，塗佈液可視需要而含有用以改善塗佈性之勻平劑或抗氧化劑、增感劑等各種添加劑。
對用於塗佈液之溶劑並無限制，通常使用有機溶劑。作為較佳的溶劑之例，例如可舉出：甲醇、乙醇、丙醇、1－己醇、1,3－丁二醇等醇類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮類；二烷、四氫呋喃、乙二醇單甲醚等醚類；4－甲氧基－4－甲基－2－戊酮等醚酮類；苯、甲苯、二甲苯、氯苯等(鹵)芳香族烴類；乙酸甲酯、乙酸乙酯等酯類；N,N－二甲基甲醯胺、N,N－二甲基乙醯胺等醯胺類；二甲亞碸等亞碸類。又該等溶劑中，可尤佳地使用醇類、芳香族烴類、醚類、醚酮類。又，作為更佳者，可舉出：甲苯、二甲苯、1－己醇、1,3－丁二醇、四氫呋喃、4－甲氧基－4－甲基－2－戊酮等。
上述溶劑可單獨使用1種，亦可以任意組合及比率並用2種以上。作為尤佳的混合並用2種以上之溶劑之例，可舉出醚類、醇類、醯胺類、亞碸類、醚酮類等，其中，較佳的是1,2－二甲氧乙烷等醚類、1－丙醇等醇類。尤佳的是醚類。尤其是考慮到於以酞菁氧鈦作為電荷產生物質而製造塗佈液時，該酞菁之結晶形穩定化能力、分散穩定性等方面。
再者，對用於塗佈液之溶劑之量並無限制，根據塗佈液之組成或塗佈方法等，使用適當量即可。
[IV－3－8.本發明之電子照片感光體之優點]
本發明之電子照片感光體，於各種使用環境下均可形成高畫質之圖像。又，耐久穩定性優異，且黑點或色點等圖像缺陷難以出現。因此，本發明之電子照片感光體，於用於形成圖像之情況，可抑制由於環境而造成之影響，並形成高品質之圖像。
又，先前之電子照片感光體中，底塗層中含有金屬氧化物粒子凝集而成之粗大金屬氧化物粒子凝集體，由於該粗大金屬氧化物粒子凝集體，可能於圖像形成時產生缺陷。進而，於使用接觸式者作為帶電手段之情況，亦存在於感光層上進行帶電時，電荷經由該金屬氧化物粒子而自感光層移動至導電性支持體，變得無法正確進行帶電之可能性。但，本發明之電子照片感光體，具備使用平均粒徑非常小，且，具有良好粒徑分布之金屬氧化物粒子的底塗層，故可抑制缺陷或無法適當帶電，可形成高品質之圖像。
[V.圖像形成裝置]
其次，就使用本發明之電子照片感光體的圖像形成裝置(本發明之圖像形成裝置)之實施形態，使用表示裝置主要部分構成之圖1加以說明。其中，實施形態並不限定於以下說明，只要不脫離本發明之要旨，可任意變形後實施。
如圖1所示，圖像形成裝置係具備電子照片感光體1、帶電裝置(帶電手段)2、曝光裝置(曝光手段；像曝光手段)3、顯像裝置(顯像手段)4及轉印裝置(轉印手段)5而構成，進而，視需要設置清潔裝置(清潔手段)6及定影裝置(定影手段)7。
又，於本發明之圖像形成裝置中，具備上述本發明之電子照片感光體作為感光體1。即，本發明之圖像形成裝置，係具備電子照片感光體、使該電子照片感光體帶電之帶電手段、對帶電之該電子照片感光體進行像曝光以形成靜電潛像之像曝光手段、以碳粉使上述靜電潛像顯像之顯像手段、將上述碳粉轉印於被轉印體上之轉印手段的圖像形成裝置；該電子照片感光體，於導電性支持體上具備含有黏合劑樹脂及金屬氧化物粒子之底塗層，以及形成於該底塗層上之感光層，於甲醇與1－丙醇以7：3之重量比混合之溶劑中分散該底塗層而成的液體中之該金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之，體積累積平均粒徑D50’為0.1 μm以下，且，體積粒度分布寬度指標SD’滿足上述式(3)。此時，更佳的是上述體積粒度分布寬度指標SD’滿足上述式(4)。
於體積累積平均粒徑D50’及體積粒度分布寬度指標SD’未滿足上述範圍之情況，根據本發明者等人之研究，作為感光體，低溫低濕下之曝光－帶電重複特性不穩定。因此，經常於使用本發明之圖像形成裝置而得之圖像上產生黑點、色點等圖像缺陷，圖像形成裝置有時無法進行清晰且穩定的圖像形成。
電子照片感光體1若為上述本發明之電子照片感光體，則無特別限制，於圖1中作為其一例，列舉於圓筒狀導電性支持體之表面形成上述感光層之鼓狀感光體。沿該電子照片感光體1之外周面，分別配置帶電裝置2、曝光裝置3、顯像裝置4、轉印裝置5及清潔裝置6。
帶電裝置2係使電子照片感光體1帶電者，其使電子照片感光體1之表面均勻帶電至既定電位。為有效應用本發明之效果，較佳的是帶電裝置與電子照片感光體1接觸配置。於圖1中，列舉輥型帶電裝置(帶電輥)作為帶電裝置2之一例，此外常使用corotron(電暈器)或scorotron(柵控電暈器)等電暈帶電裝置、帶電刷等接觸型帶電裝置等。
再者，電子照片感光體1及帶電裝置2於多數情況下，作為具備該二者之匣(以下適當稱為感光體匣)，設計成可自圖像形成裝置之本體卸除。因此，例如於電子照片感光體1或帶電裝置2劣化之情況，可自圖像形成裝置本體卸除該感光體匣，將其他新感光體匣安裝於圖像形成裝置本體。又，後述碳粉於多數情況下，積存於碳粉匣中，設計成可自圖像形成裝置本體卸除，於所使用之碳粉匣中之碳粉用完之情況，可自圖像形成裝置本體卸除該碳粉匣，安裝其他新碳粉匣。進而，亦可使用電子照片感光體1、帶電裝置2、碳粉全部具備之匣。
曝光裝置3若為可對電子照片感光體1進行曝光(像曝光)以於電子照片感光體1之感光面形成靜電潛像者，則對其種類並無特別限制。作為具體例，可舉出：鹵素燈、螢光燈、半導體雷射或He－Ne雷射等雷射、LED(發光二極體)等。又，亦可以感光體內部曝光方式進行曝光。進行曝光時之光為任意，例如，以波長為780 nm之單色光、波長為600 nm~700 nm之稍偏短波長之單色光、波長為350 nm~600 nm之短波長單色光等進行曝光即可。該等中，較佳的是以波長為350 nm~600 nm之短波長單色光等進行曝光，更佳的是以波長為380 nm~500 nm之單色光進行曝光。
顯像裝置4係將上述靜電潛像顯像者。對其種類並無特別限制，可使用：乾粉顯像、單組分導電碳粉顯像、雙組分磁刷顯像等乾式顯像方式或濕式顯像方式等之任意裝置。於圖1中，顯像裝置4包括顯像槽41、攪拌器42、供給輥43、顯像輥44、及控制構件45，成為碳粉T積存於顯像槽41內部之構成。又，視需要，可使顯像裝置4附帶補給碳粉T之補給裝置(未圖示)。該補給裝置之構成為可自瓶、匣等容器中補給碳粉T。
供給輥43由導電性海綿等形成。顯像輥44包括：鐵、不銹鋼、鋁、鎳等金屬輥，或者於上述金屬輥上包覆矽樹脂、胺酯樹脂、氟樹脂等之樹脂輥等。可視需要對該顯像輥44之表面進行平滑加工或粗面加工。
顯像輥44配置於電子照片感光體1與供給輥43之間，分別抵接於電子照片感光體1及供給輥43。供給輥43及顯像輥44藉由旋轉驅動機構(未圖示)旋轉。供給輥43負載有所積存之碳粉T，供給至顯像輥44。顯像輥44負載有由供給輥43供給之碳粉T，使其與電子照片感光體1之表面接觸。
控制構件45由矽樹脂或胺酯樹脂等樹脂葉片，不銹鋼、鋁、銅、黃銅、磷青銅等金屬葉片，或者於上述金屬葉片上包覆樹脂之葉片等形成。該控制構件45抵接於顯像輥44，藉由彈簧等以既定力向顯像輥44側擠壓(一般之葉片線壓為5~500 g/cm)。視需要，可使該控制構件45具備藉由與碳粉T之摩擦帶電而使碳粉T帶電之功能。
攪拌器42藉由旋轉驅動機構分別旋轉，以攪拌碳粉T，並且將碳粉T搬送至供給輥43側。攪拌器42可改變翼之形狀、大小等，設置複數種。
碳粉T之種類為任意，除粉狀碳粉以外，可使用利用懸浮聚合法或乳化聚合法等之聚合碳粉等。尤其是於使用聚合碳粉之情況，較佳的是粒徑4~8 μm左右之小粒徑者，又，碳粉之粒子形狀亦可使用接近於球形者至馬鈴薯狀之不符合球形者的各種形狀。聚合碳粉之帶電均勻性、轉印性優異，適用於高畫質化。
轉印裝置5，對其種類並無特別限制，可使用：利用電暈轉印、輥轉印、帶轉印等靜電轉印法，壓力轉印法，黏著轉印法等任意方式之裝置。此處，轉印裝置5係由與電子照片感光體1對向配置之轉印充電器、轉印輥、轉印帶等構成者。該轉印裝置5，係以與碳粉T之帶電電位相反之極性施加既定電壓值(轉印電壓)，將形成於電子照片感光體1上之碳粉像轉印至轉印材料(被轉印體、紙張、媒體)P上者。於本發明中，於轉印裝置5經由轉印材料而接觸配置於感光體之情況下有效。
對清潔裝置6並無特別限制，可使用清潔刷、磁力清潔刷、靜電清潔刷、磁力清潔輥、清潔葉片等任意之清潔裝置。清潔裝置6係以清潔構件去除附著於感光體1之殘留碳粉，且回收殘留碳粉者。其中，於殘留於感光體表面之碳粉少，或幾乎無之情況，亦可無清潔裝置6。
定影裝置7包括上部定影構件(定影輥)71及下部定影構件(定影輥)72，於定影構件71或72之內部具備加熱裝置73。再者，於圖1中，列舉於上部定影構件71之內部具備加熱裝置73之例。上部及下部之各定影構件71、72可使用：於不銹鋼、鋁等之金屬素管上包覆矽膠之定影輥，進而以氟樹脂包覆之定影輥、定影板等眾所周知之熱定影構件。進而，為提高脫模性，各定影構件71、72可設為供給聚矽氧油等脫模劑之構成，亦可設為以彈簧等相互強制性施加壓力之構成。
轉印至記錄紙P上之碳粉，通過加熱至既定溫度之上部定影構件71與下部定影構件72之間時，碳粉被熱加熱至熔融狀態，通過後加以冷卻而將碳粉定影至記錄紙P上。
再者，關於定影裝置，亦對其種類無特別限定，以此處所使用者為代表，可設置熱輥定影、閃光定影、熱熔定影、加壓定影等藉由任意方式之定影裝置。
於以如上所述之方式構成之電子照片裝置中，以如下方式進行圖像之記錄。即，首先感光體1之表面(感光面)藉由帶電裝置2而帶電至既定電位(例如－600 V)。此時，亦可藉由直流電壓而使其帶電，亦可將交流電壓重疊於直流電壓而使其帶電。
繼而，將帶電感光體1之感光面，根據欲記錄之圖像，以曝光裝置3進行曝光，於感光面形成靜電潛像。繼而，以顯像裝置4進行形成於該感光體1之感光面上的靜電潛像之顯像。
顯像裝置4將由供給輥43供給之碳粉T，以控制構件(顯像葉片)45進行薄層化，並且使其摩擦帶電至既定極性(此處與感光體1之帶電電位為相同極性，為負極性)，一面負載於顯像輥44一面搬送，使其與感光體1之表面接觸。
若顯像輥44所負載之帶電碳粉T與感光體1之表面接觸，則與靜電潛像對應之碳粉像形成於感光體1之感光面。繼而該碳粉像由轉印裝置5轉印至記錄紙P上。其後，以清潔裝置6除去未轉印而殘留於感光體1之感光面的碳粉。
碳粉像轉印至記錄紙P上後，使其通過定影裝置7，將碳粉像熱定影至記錄紙P上，藉此獲得最終圖像。
再者，圖像形成裝置除上述構成以外，亦可設為例如可進行去靜電步驟之構成。去靜電步驟係藉由對電子照片感光體進行曝光而進行電子照片感光體之去靜電的步驟，作為去靜電裝置，可使用螢光燈、LED等。又，去靜電步驟中所使用之光，多數情況下為強度方面具有曝光之光的3倍以上曝光能量的光。
又，圖像形成裝置亦可進一步變形而構成，例如，設為可進行前曝光步驟、輔助帶電步驟等步驟之構成，或者設為進行平版印刷之構成，進而亦可設為使用複數種碳粉之全色串聯方式的構成。
再者，感光體1，除如上述方式與帶電裝置2組合而構成匣之外，較佳的是代替帶電裝置2，或者，具有帶電裝置2，並具有曝光裝置3、顯像裝置4、轉印裝置5、清潔裝置6、及定影裝置7中1個或2個以上而構成。即，將感光體1、與帶電裝置2、曝光裝置3、顯像裝置4、轉印裝置5、清潔裝置6、及定影裝置7中之至少任意一個組合，構成一體型之匣(電子照片匣)，其可為相對於複印機或雷射光束印表機等電子照片裝置本體可裝卸之構成。即，本發明之電子照片匣，其係至少具有電子照片感光體，以及使該電子照片感光體帶電之帶電手段、對帶電之該電子照片感光體進行像曝光以形成靜電潛像之像曝光手段、藉由碳粉將形成於該電子照片感光體之靜電潛像顯像之顯像手段、將上述碳粉轉印於被轉印體之轉印手段、使轉印於被轉印體之碳粉定影之定影手段、及將附著於該電子照片感光體之上述碳粉回收之清潔手段的至少一種者，較佳的是該電子照片感光體，於導電性支持體上，具備含有黏合劑樹脂及金屬氧化物粒子之底塗層、以及形成於該底塗層上之感光層，以於甲醇與1－丙醇以7：3之重量比混合之溶劑中分散該底塗層而成的液體中之該金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之，體積累積平均粒徑D50’為0.1 μm以下，且，體積粒度分布寬度指標SD’滿足上述式(3)。此時，體積粒度分布寬度指標SD’更佳的是滿足上述式(4)。又，尤其於本發明中，如上述，於帶電手段接觸配置於上述電子照片感光體之情況，其效果顯著發揮，故該構成較理想。
於體積累積平均粒徑D50’及體積粒度分布寬度指標SD’未滿足上述範圍之情況，根據本發明者等人之研究，作為感光體，低溫低濕下之曝光－帶電重複特性不穩定。因此，經常於使用本發明之電子照片匣而得之圖像上產生黑點、色點等圖像缺陷，電子照片匣無法進行清晰且穩定的圖像形成。
該情況下，以與上述實施形態中所說明之匣相同之方式，例如於電子照片感光體1或其他構件劣化之情況，自圖像形成裝置本體卸除該電子照片匣，將其他新的電子照片匣安裝於圖像形成裝置本體，藉此圖像形成裝置之保養．管理變得容易。
根據本發明之圖像形成裝置及電氣照片匣，可形成高品質之圖像。習知，尤其於轉印裝置5經由轉印材料而接觸配置於感光體之情況，易於產生圖像之品質劣化，但本發明之圖像形成裝置及電子照片匣產生如此之品質劣化的可能性小，故有效。
[VI.本發明之主要優點]
根據本發明，可獲得以下所說明之優點之至少一種。
即，根據本發明，底塗層形成用塗佈液達到穩定狀態，不會凝膠化，經分散之氧化鈦粒子亦不會沈澱，可長期保存及使用。又，以該塗佈液使用時之黏性為代表的物性之變化變小，連續塗佈於支持體上，進行乾燥而形成感光層時，所製造之各感光層之膜厚均勻。
進而，具有使用藉由本發明之底塗層形成用塗佈液之製造方法而製造的塗佈液所形成之底塗層的電子照片感光體，即使於低溫低濕度下亦具有穩定電氣特性，電氣特性優異。
並且，根據使用本發明之電子照片感光體之圖像形成裝置，可形成黑點或色點等圖像缺陷極少之良好的圖像，尤其於藉由接觸配置於該電子照片感光體上之帶電手段而帶電的圖像形成裝置中，可形成黑點或色點等圖像缺陷極少之良好的圖像。
又，根據使用本發明之電子照片感光體、且用於像曝光手段之光的波長為350 nm~600 nm之圖像形成裝置，初始帶電電位以及靈敏度高，因此可獲得高品質之圖像。
(實施例)
以下，就本發明，列舉實施例及比較例加以進一步具體說明，本發明只要不脫離其主旨，並不限定於該等。再者，於實施例之說明中，若無特別說明，則「份」表示「重量份」。
[實施例1]
將平均一次粒徑為40 nm之金紅石型氧化鈦(石原產業股份有限公司製造之「TTO55N」)、及相對於該氧化鈦為3重量%之甲基二甲氧基矽烷(東芝有機矽公司製造之「TSL8117」)，以亨舍爾混合機混合而獲得表面處理氧化鈦，將50份之該所得表面處理氧化鈦、及120份甲醇混合形成原料漿料，將1 kg之該原料漿料，以直徑約為100 μm之氧化鋯珠(Nikkato股份有限公司製造之YTZ)為分散介質，使用研磨機容積約為0.15 L之壽工業股份有限公司製造之Ultra Apex Mill(UAM－015型)，於轉子圓周速度為10 m/sec、液體流量為10 kg/hr之液體循環狀態下分散處理1小時，以製造氧化鈦分散液。
將上述氧化鈦分散液、與甲醇/1－丙醇/甲苯之混合溶劑、及ε－己內醯胺[下述式(A)所表示之化合物]/雙(4－胺基－3－甲基環己基)甲烷[下述式(B)所表示之化合物]/己二胺[下述式(C)所表示之化合物]/1,10－癸二酸[下述式(D)所表示之化合物]/1,18－十八二酸[下述式(E)所表示之化合物]的組成莫耳比率為60%/15%/5%/15%/5%的共聚合聚醯胺之顆粒，一面加熱一面攪拌、混合，使聚醯胺顆粒溶解後，利用輸出功率為1200 W之超音波振盪器進行1小時超音波分散處理，進而利用孔徑為5 μm之PTFE製薄膜過濾器(Advantech製Mitex LC)過濾，獲得表面處理氧化鈦/共聚合聚醯胺之重量比為3/1，甲醇/1－丙醇/甲苯之混合溶劑之重量比為7/1/2，且所含固形分之濃度為18.0重量%的底塗層形成用塗佈液A。
對該底塗層形成用塗佈液A，測定製造時與室溫下保存120天後之黏度變化率(保存120天後之黏度與製造時之黏度的差除以製造時之黏度之值)，以及製造時之氧化鈦之粒度分布。黏度，使用E型黏度計(東機美(Tokimec)公司製造、製品名ED)，藉由根據JIS Z 8803之方法測定，粒度分布使用上述UPA測定。將結果表示於表2。
[實施例2]
除使用直徑約50 μm之氧化鋯珠(Nikkato股份有限公司製造之YTZ)，作為藉由Ultra Apex Mill分散時之分散介質以外，以與實施例1相同之操作製造底塗層形成用塗佈液B，以與實施例1相同之操作測定物性。將結果表示於表2。
又，以甲醇/1－丙醇＝7/3(重量比)混合溶劑分散液稀釋該底塗層形成用塗佈液B至固形分濃度達到0.015重量%(金屬氧化物粒子濃度達到0.011重量%)，藉由紫外可見分光光度計(島津製作所製造之UV－1650PC)，測定該稀釋液對波長為400 nm之光的吸光度與對波長為1000 nm之光的吸光度之差。將結果表示於表3。
[實施例3]
除將藉由Ultra Apex Mill分散時之轉子圓周速度設為12 m/sec以外，以與實施例2相同之操作製造底塗層形成用塗佈液C，以與實施例1相同之操作測定物性。將結果表示於表2。
[實施例4]
除使用直徑約30 μm之氧化鋯珠(Nikkato股份有限公司製造之YTZ)作為藉由Ultra Apex Mill分散時之分散介質以外，以與實施例3相同之操作製造底塗層形成用塗佈液D，以與實施例1相同之操作測定物性。將結果表示於表2。
[實施例5]
將實施例2中所使用之表面處理氧化鈦/共聚合聚醯胺之重量比設為2/1以外，以與實施例2相同之操作製造底塗層形成用塗佈液E，除將其固形分濃度設為0.015重量%(金屬氧化物粒子濃度為0.01重量%)以外，以與實施例2相同之操作測定對波長為400 nm之光的吸光度與對波長為1000 nm之光的吸光度之差。將結果表示於表3。
[實施例6]
除將表面處理氧化鈦/共聚合聚醯胺之重量比設為4/1以外，以與實施例2相同之操作製造底塗層形成用塗佈液F，除將其固形分濃度設為0.015重量%(金屬氧化物粒子濃度為0.012重量%)以外，以與實施例2相同之操作測定對波長為400 nm之光的吸光度與對波長為1000 nm之光的吸光度之差。將結果表示於表3。
[實施例7]
使用平均一次粒徑為13 nm之氧化鋁粒子(日本Aerosil公司製造之氧化鋁C)代替實施例1中所使用之表面處理氧化鈦，將所含有之固形分之濃度設為8.0重量%，將該氧化鋁粒子/共聚合聚醯胺之重量比設為1/1，除此之外，以與實施例2相同之操作製造底塗層形成用塗佈液G，測定物性。將結果表示於表2。
又，除將其固形分之濃度稀釋至0.015重量%(金屬氧化物粒子濃度為0.0075重量%)以外，以與實施例2相同之操作測定對波長為400 nm之光的吸光度與對波長為1000 nm之光的吸光度之差。將結果表示於表3。
[實施例8]
除將表面處理氧化鈦/共聚合聚醯胺之重量比設為6/1以外，以與實施例2相同之操作製造底塗層形成用塗佈液H，測定物性。將結果表示於表2。
[實施例9]
除將表面處理氧化鈦/共聚合聚醯胺之重量比設為8/1以外，以與實施例2相同之操作製造底塗層形成用塗佈液I，測定物性。將結果表示於表2。
[比較例1]
直接使用將50份表面處理氧化鈦與120份甲醇混合，利用直徑約5 mm之氧化鋁球(Nikkato股份有限公司製造之HD)以球磨機分散5小時而得之分散漿液，而不使用Ultra Apex Mill進行分散，除此之外，以與實施例1相同之操作製造底塗層形成用塗佈液J，測定物性。將結果表示於表2。
又，除將其固形分濃度設為0.015重量%(金屬氧化物粒子濃度為0.011重量%)以外，以與實施例2相同之操作測定物性。將結果表示於表3。
[比較例2]
除使用直徑約5 mm之氧化鋯球(Nikkato股份有限公司製造之YTZ)，代替比較例1中於球磨機分散中所使用之球外，以與比較例1相同之操作製造底塗層形成用塗佈液K，以與實施例1相同之操作測定物性。將結果表示於表2。
[比較例3]
除將比較例1中所使用之表面處理氧化鈦/共聚合聚醯胺之重量比設為2/1以外，以與比較例1相同之操作製造底塗層形成用塗佈液L，除將其固形分濃度設為0.015重量%(金屬氧化物粒子濃度為0.01重量%)以外，以與實施例2相同之操作測定對波長為400 nm之光的吸光度與對波長為1000 nm之光的吸光度之差。將結果表示於表3。
[比較例4]
除將比較例1中所使用之表面處理氧化鈦/共聚合聚醯胺之重量比設為4/1以外，以與比較例1相同之操作製造底塗層形成用塗佈液M，除將其固形分濃度設為0.015重量%(金屬氧化物粒子濃度為0.012重量%)以外，以與實施例2相同之操作測定對波長為400 nm之光的吸光度與對波長為1000 nm之光的吸光度之差。將結果表示於表3。
[比較例5]
除將比較例1中所使用之表面處理氧化鈦/共聚合聚醯胺之重量比設為6/1以外，以與比較例1相同之操作製造底塗層形成用塗佈液N。
[比較例6]
除將比較例1中所使用之表面處理氧化鈦/共聚合聚醯胺之重量比設為8/1以外，以與比較例1相同之操作製造底塗層形成用塗佈液O。
[實施例10]
使用研磨機容積約1 L之壽工業股份有限公司製造之Ultra Apex Mill(UAM－1型)，代替實施例2中所使用之分散裝置、壽工業股份有限公司製造之Ultra Apex Mill(UAM－015型)，將底塗層形成用塗佈液之液體流量設為30 kg/hr，除此之外，以與實施例2相同之操作製造底塗層形成用塗佈液P，以與實施例1相同之操作測定物性。將結果表示於表2。
[實施例11]
使用研磨機容積約1 L之壽工業股份有限公司製造之Ultra Apex Mill(UAM－1型)，代替實施例2中所使用之分散裝置、壽工業股份有限公司製造之Ultra Apex Mill(UAM－015型)，使用直徑約30 μm之氧化鋯珠(Nikkato股份有限公司製造之YTZ)作為分散介質，將轉子圓周速度設為12 m/sec，將底塗層形成用塗佈液之液體流量設為30 kg/hr，除此之外，以與實施例2相同之操作製造底塗層形成用塗佈液Q，以與實施例1相同之操作測定物性。將結果表示於表2。
[比較例7]
使用平均一次粒徑為13 nm之日本Aerosil公司製造之氧化鋁C(氧化鋁粒子)代替比較例1中所使用之表面處理氧化鈦，將含有之固形分之濃度設為8.0重量%，將該氧化鋁粒子/共聚合聚醯胺之重量比設為1/1，藉由輸出功率600 W之超音波振盪器分散6小時代替以球磨機分散，除此之外，以與比較例1相同之操作製造底塗層形成用塗佈液R，測定物性值。將結果表示於表2。
又，將其固形分濃度設為0.015重量%(金屬氧化物粒子濃度為0.0075重量%)以外，以與實施例2相同之操作測定對波長為400 nm之光的吸光度與對波長為1000 nm之光的吸光度之差。將結果表示於表3。
[正反射率之評估]
以如下之方式對使用實施例2、5~7、及比較例1、3、4、7中所製造之底塗層形成用塗佈液而於導電性支持體上所形成的底塗層的正反射之比進行評估。將結果表示於表4。
於表4所示之外徑為30 mm、長度為250 mm、厚度為0.8 mm之鋁管(拉製鏡面管、及切削管)上，分別塗佈表4所示之底塗層形成用塗佈液，使乾燥後之膜厚成為2 μm，進行乾燥而形成底塗層。
以多波長分光光度計(multi spectrophotometer)(大塚電子製造之MCPD－3000)測定該底塗層之波長為400 nm之光、或者波長為480 nm之光的反射率。光源係使用鹵素燈，將光源及檢測器上安裝之光纜之前端設於垂直方向上距離底塗層表面2 mm處，對底塗層表面射入垂直方向之光，檢測於同軸反方向反射之光。於未塗佈底塗層之鋁切削管表面進行該反射光之測定，將該值設為100%，測定底塗層表面上之反射光，將其比例設為正反射率(%)。將結果表示於表4。
根據以上結果，可確認：藉由本發明之方法所製造之底塗層形成用塗佈液，平均粒徑小、且粒徑之分布寬度小，故液體之穩定性高，可形成均勻的底塗層，且即使長期保存，黏度變化亦小且穩定性高。又，可確認：塗佈該底塗層形成用塗佈液而形成之底塗層之均勻性高，且不易使光散射，故正反射率高。
[實施例12]
藉由浸漬塗佈，將底塗層形成用塗佈液A塗佈於外徑為24 mm、長度為236.5 mm、厚度為0.75 mm之鋁切削管上，使乾燥後之膜厚成為2 μm，進行乾燥而形成底塗層。藉由掃描電子顯微鏡觀察底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
混合20重量份之作為電荷產生物質的具有圖2所示之相對於Cu K α特性X射線之粉末X射線繞射光譜圖的酞菁氧鈦，以及280重量份1,2－二甲氧乙烷，藉由砂磨機進行分散處理2小時，製造分散液。繼而將該分散液與10重量份之聚乙烯丁醛(電氣化學工業(股)製造、商品名「Denka Butyral」# 6000C)、253重量份之1,2－二甲氧乙烷、85重量份之4－甲氧基－4－甲基戊酮－2加以混合，進而混合234重量份之1,2－二甲氧乙烷，於超音波分散機處理後，藉由孔徑為5 μm之PTFE製薄膜過濾器(Advantech公司製造之Mitex LC)進行過濾，製造電荷產生層用塗佈液。藉由浸漬塗佈，將該電荷產生層用塗佈液塗佈於上述底塗層上，使乾燥後之膜厚成為0.4 μm，進行乾燥而形成電荷產生層。
繼而，於該電荷產生層上，塗佈電荷傳輸層用塗佈液，使乾燥後之膜厚成為17 μm，於室溫下風乾25分鐘，上述電荷傳輸層用塗佈液係將56份下述所示之腙化合物、 14份下述所示之腙化合物、 及100份具有下述重複構造之聚碳酸酯樹脂、
0.05重量份聚矽氧油溶解於640重量份四氫呋喃/甲苯＝8/2(重量比)混合溶劑中而成者。
進而於125℃下乾燥20分鐘設置電荷傳輸層而製造電子照片感光體。將該電子照片感光體設為感光體P1。
以如下述之方式測定該感光體P1之介質破壞強度。即，於溫度25℃、相對濕度50%之環境下固定該感光體，於其上安置體積電阻率約為2 M Ω．cm且兩端均比鼓長短約2 cm之帶電輥，施加－3 kV直流電壓，測定至介質破壞為止之時間。將其結果表示於表5。
又，將該感光體P1安裝於根據電子照片學會測定標準所製造之電子照片特性評估裝置(揭示於續電子照片技術之基礎與應用、電子照片學會編、Corona公司、第404~405頁)上，使之帶電至表面電位達到－700 V後，以5.0 μ J/cm2 之強度照射780 nm之雷射光，於溫度25℃、相對濕度50%(以下，稱作NN環境)環境下，及溫度5℃、相對濕度10%(以下，稱作LL環境)下測定曝光後100 m秒後之表面電位VL。將其結果表示於表5。
[實施例13]
除設置底塗層使底塗層之膜厚成為3 μm以外，以與實施例12相同之操作製造感光體P2。與實施例12同樣地藉由掃描電子顯微鏡觀察此時之底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
將以與實施例12相同之操作評估感光體P2之結果表示於表5。
[實施例14]
除將氧化鈦與共聚合聚醯胺之重量比設為氧化鈦/共聚合聚醯胺＝2/1以外，以與實施例1相同之操作製造底塗層形成用塗佈液A2。
除使用上述塗佈液A2作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例12相同之操作製造感光體P3。與實施例12同樣地藉由掃描電子顯微鏡觀察此時之底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
將以與實施例12相同之操作評估感光體P3之結果表示於表5。
[實施例15]
除使用上述實施例2所揭示之底塗層形成用塗佈液B作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例12相同之操作製造感光體Q1。與實施例12同樣地藉由掃描電子顯微鏡觀察此時之底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
藉由菱化系統股份有限公司之Micromap以波型，以測定波長552 nm、物鏡倍率40倍、測定面190 μm×148 μm、背景之形狀修正(Term)圓柱測定該底塗層之表面形狀，結果面內均方根粗度(RMS)之值為43.2 nm，面內算術平均粗度(Ra)之值為30.7 nm，面內最大粗度(P－V)之值為744 nm。
將以與實施例12相同之操作評估感光體Q1之結果表示於表5。
又，於NN環境下，測定於暗處保持初始表面電位(－700 V)5秒鐘時之表面電位降低率(DDR)。DDR係以%表示保持5秒鐘後之表面電位相對於初始表面電位之比。將結果表示於表6。
[實施例16]
除設置底塗層使底塗層之膜厚成為3 μm以外，以與實施例15相同之操作製造感光體Q2。與實施例12同樣地藉由掃描電子顯微鏡觀察此時之底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
將以與實施例12相同之操作評估感光體Q2之結果表示於表5。
[實施例17]
除使用上述塗佈液E作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例15相同之操作製造感光體Q3。與實施例12同樣地藉由掃描電子顯微鏡觀察此時之底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
將以與實施例12相同之操作評估感光體Q3之結果表示於表5。
[實施例18]
除使用上述實施例3所揭示之底塗層形成用塗佈液C作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例12相同之操作製造感光體R1。與實施例12同樣地藉由掃描電子顯微鏡觀察此時之底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
將以與實施例12相同之操作評估感光體R1之結果表示於表5。
[實施例19]
除設置底塗層使底塗層之膜厚成為3 μm以外，以與實施例18相同之操作製造感光體R2。與實施例12同樣地藉由掃描電子顯微鏡觀察此時之底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
將以與實施例12相同之操作評估感光體R2之結果表示於表5。
[實施例20]
除將氧化鈦與共聚合聚醯胺之重量比設為氧化鈦/共聚合聚醯胺＝2/1以外，以與實施例3相同之操作製造底塗層形成用塗佈液C2。
除使用上述塗佈液C2作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例18相同之操作製造感光體R3。與實施例12同樣地藉由掃描電子顯微鏡觀察此時之底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
將以與實施例12相同之操作評估感光體R3之結果表示於表5。
[實施例21]
除使用上述實施例4所揭示之底塗層形成用塗佈液D作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例12相同之操作製造感光體S1。與實施例12同樣地藉由掃描電子顯微鏡觀察此時之底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
又，以與實施例12相同之操作測定底塗層之表面形狀之結果：面內均方根粗度(RMS)之值為25.5 nm，面內算術平均粗度(Ra)之值為17.7 nm，面內最大粗度(P－V)之值為510 nm。
將以與實施例12相同之操作評估感光體S1之結果表示於表5。
[實施例22]
除設置底塗層使底塗層之膜厚成為3 μm以外，以與實施例21相同之操作製造感光體S2。與實施例12同樣地藉由掃描電子顯微鏡觀察此時之底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
將以與實施例12相同之操作評估感光體S2之結果表示於表5。
[實施例23]
除將氧化鈦與共聚合聚醯胺之重量比設為氧化鈦/共聚合聚醯胺＝2/1以外，以與實施例4相同之操作製造底塗層形成用塗佈液D2。
除使用上述塗佈液D2作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例21相同之操作製造感光體S3。與實施例12同樣地藉由掃描電子顯微鏡觀察此時之底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
將以與實施例12相同之操作評估感光體S3之結果表示於表5。
[實施例24]
除使用上述實施例6所揭示之底塗層形成用塗佈液F作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例12相同之操作製造感光體QA1。
[實施例25]
除使用上述實施例8所揭示之底塗層形成用塗佈液H作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例12相同之操作製造感光體QB1。
[實施例26]
除使用上述實施例9所揭示之底塗層形成用塗佈液I作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例12相同之操作製造感光體QC1。
[比較例8]
除使用上述比較例1所揭示之底塗層形成用塗佈液J作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例12相同之操作製造感光體T1。與實施例12同樣地藉由掃描電子顯微鏡觀察此時之底塗層之表面，結果見到大量氧化鈦凝集物。
又，以與實施例15相同之操作測定此時之底塗層的表面形狀之結果：面內均方根粗度(RMS)之值為148.4 nm，面內算術平均粗度(Ra)之值為95.3 nm，面內最大粗度(P－V)之值為2565 nm。
將以與實施例12相同之操作評估感光體T1之結果表示於表5。
[比較例9]
除設置底塗層使底塗層之膜厚成為3 μm以外，以與比較例8相同之操作製造感光體T2。與實施例12同樣地藉由掃描電子顯微鏡觀察此時之底塗層之表面，結果見到大量氧化鈦凝集物。
將以與實施例12相同之操作評估感光體T2之結果表示於表5。
[比較例10]
除使用上述塗佈液L作為底塗層形成用塗佈液以外，以與比較例8相同之操作製造感光體T3。與實施例12同樣地藉由掃描電子顯微鏡觀察此時之底塗層之表面，結果見到大量氧化鈦凝集物。
將以與實施例12相同之操作評估感光體T3之結果表示於表5。
[比較例11]
除使用上述比較例2所揭示之底塗層形成用塗佈液K作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例12相同之操作製造感光體U1。與實施例12同樣地藉由掃描電子顯微鏡觀察此時之底塗層之表面，結果見到大量氧化鈦凝集物。
感光體U1，其底塗層之成分及厚度之不均顯著，無法評估電氣特性。
[比較例12]
除使用上述比較例4所揭示之底塗層形成用塗佈液M作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例12相同之操作製造感光體TA1。
[比較例13]
除使用上述比較例5所揭示之底塗層形成用塗佈液N作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例12相同之操作製造感光體TB1。
[比較例14]
除使用上述比較例6所揭示之底塗層形成用塗佈液O作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例12相同之操作製造感光體TC1。
又，將以與實施例15相同之操作測定的、實施例24~26及比較例8、12~14之DDR的測定結果表示於表6。
根據以上結果，可確認：本發明之電子照片感光體，具有無凝集等且均勻的底塗層，由於環境差而產生之電位的變動小，且耐介質破壞性能優異，並且暗衰減小，其隨著金屬氧化物微粒子之比率變大而尤其顯著。
[實施例27]
使用上述實施例2所揭示之底塗層形成用塗佈液B作為底塗層形成用塗佈液，藉由浸漬塗佈，塗佈於外徑為30 mm、長度為285 mm、厚度為0.8 mm之鋁切削管上，使乾燥後之膜厚成為2.4 μm，進行乾燥而形成底塗層。藉由掃描電子顯微鏡觀察底塗層之表面，結果幾乎未觀察到凝集物。
將94.2 cm2 之該底塗層浸漬於70 cm3 之甲醇與30 cm3 之1－丙醇的混合用液中，藉由輸出功率為600 W之超音波振盪器進行超音波處理5分鐘而獲得底塗層分散液，與實施例1同樣地藉由UPA測定該分散液中之金屬氧化物粒子的粒度分布之結果：體積累積平均粒徑D50為0.0776 μm、體積分布寬度指標SD為0.029。
藉由浸漬塗佈，將以與實施例12相同之操作而製造的電荷產生層用塗佈液塗佈於上述底塗層上，使乾燥後之膜厚成為0.4 μm，進行乾燥而形成電荷產生層。
繼而，於該電荷產生層上，塗佈下述塗佈液，使乾燥後之膜厚成為10 μm，進行乾燥而設置電荷傳輸層，製造電子照片感光體，上述塗佈液係將60份作為電荷傳輸物質之以如下所示之結構為主體的、日本專利特開2002－080432公報中所揭示之組成物(A)、 100份具有下述重複構造之聚碳酸酯樹脂、 及0.05重量份聚矽氧油溶解於640重量份四氫呋喃/甲苯(8/2)混合溶劑中而成者。
將94.2 cm2 該電子照片感光體之感光層浸漬於100 cm3 四氫呋喃中，藉由輸出功率為600 W之超音波振盪器進行超音波處理5分鐘而溶解除去後，將該部分浸漬於70 cm3 甲醇與30 cm3 之1－丙醇的混合用液中，藉由輸出功率為600 W之超音波振盪器進行超音波處理5分鐘而獲得底塗層分散液，以與實施例1同樣之UPA測定該分散液中之金屬氧化物粒子的粒度分布之結果：體積累積平均粒徑D50為0.0791 μm，體積分布寬度指標SD為0.029。
將所製造之感光體安裝於SEIKO EPSON股份有限公司製造之彩色印表機(製品名：InterColor LP－1500C、解析度600 dpi)之匣(作為成像單元匣，具有scorotron帶電構件及葉片清潔構件)上，形成全色圖像，結果可獲得良好之圖像。將於所獲得之邊長為1.6 cm之正方形圖像中所觀察到的微小色點之數目表示於表7。
又，將底塗層形成用塗佈液保存3個月，於3個月後，藉由同樣之操作形成全色圖像。將於所獲得之邊長為1.6 cm之正方形圖像中所觀察到的微小色點之數目，作為3個月後之圖像缺陷表示於表7。
[實施例28]
除使用上述實施例3所揭示之底塗層形成用塗佈液C作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例27相同之操作形成全色圖像，結果可獲得良好之圖像。將於所獲得之邊長為1.6 cm之正方形圖像中所觀察到的微小色點之數目表示於表7。
又，與實施例27同樣，亦於3個月後形成全色圖像，測定3個月後之圖像缺陷。亦將其結果表示於表7。
[實施例29]
除使用上述實施例4所揭示之底塗層形成用塗佈液D作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例27相同之操作形成全色圖像，結果可獲得良好之圖像。將於所獲得之邊長為1.6 cm之正方形圖像中所觀察到的微小色點之數目表示於表7。
又，與實施例27同樣，亦於3個月後形成全色圖像，測定3個月後之圖像缺陷。亦將其結果表示於表7。
[比較例15]
除使用上述比較例1所揭示之底塗層形成用塗佈液J作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例27相同之操作製造電子照片感光體。
將94.2 cm2 該電子照片感光層之底塗層浸漬於70 cm3 甲醇與30 cm3 之1－丙醇的混合用液中，藉由輸出功率為600 W之超音波振盪器進行超音波處理5分鐘而獲得底塗層分散液，以與實施例1同樣之方法測定該分散液中之金屬氧化物凝集體二次粒子的粒度分布之結果：體積累積平均粒徑D50為0.1097 μm、體積分布寬度指標SD為0.042。
又，將94.2 cm2 該電子照片感光體之感光層浸漬於100 cm3 四氫呋喃中，藉由輸出功率為600 W之超音波振盪器進行超音波處理5分鐘而溶解除去後，將該部分浸漬於70 cm3 甲醇與30 cm3 之1－丙醇的混合用液中，藉由輸出功率為600 W之超音波振盪器進行超音波處理5分鐘而獲得底塗層分散液，以與實施例1同樣之方法測定該分散液中之金屬氧化物粒子的粒度分布之結果：體積累積平均粒徑D50為0.1155 μm、體積分布寬度指標SD為0.043。
使用該電子照片感光體，形成全色圖像，結果觀察到大量色點，無法獲得良好之圖像。將於所獲得之邊長為1.6 cm之正方形圖像中所觀察到的微小色點之數目表示於表7。
又，與實施例27同樣，亦於3個月後形成全色圖像，測定3個月後之圖像缺陷。亦將其結果表示於表7。
又，為了調查底塗層形成用塗佈液之吸水性，於浸漬方式之塗佈槽中分別投入等量的實施例2之塗佈液B以及比較例1之塗佈液J，於約23℃、30%RH之環境下使之自開放之塗佈槽上部溢流並使之循環。經時自其上部對液取樣，以卡－費法調查含有水分量。將結果表示於表8。
根據以上結果，可確認：本發明之電子照片感光體，具有感光體特性亦良好，抗介質破壞亦強，且色點等圖像缺陷少之非常優異之性能。又，於液體穩定性方面，經時之吸水少，尤其2個月以後之差異顯著。因此，本發明之底塗層形成用塗佈液，長期內無塗佈性惡化或圖像缺陷的產生，可穩定地塗佈。
[實施例30]
於溫度25℃、濕度50%之環境下，將實施例15中所製造之感光體Q1固定，於該感光體Q1上安置體積電阻率約為2 M Ω．cm且兩端均比鼓長短約2 cm之帶電輥，施加－1kV直流電壓1分鐘後，施加－1.5 kV直流電壓1分鐘，同樣重複每施加1分鐘均下降－0.5 kV電壓，此情況下於施加－4.5 kV直流電壓時，引起介質破壞。
[實施例31]
除使用底塗層形成用塗佈液D代替實施例15中所使用之底塗層形成用塗佈液B以外，以與實施例15相同之操作製造之感光體，對該感光體以與實施例30同樣之方法施加直流電壓，結果施加－4.5 kV直流電壓時，引起介質破壞。
[比較例16]
除使用比較例6中所製造之感光體T1代替實施例15中所製造之感光體Q1以外，以與實施例30相同之操作對感光體施加直流電壓，結果施加－3.5 kV直流電壓時，引起介質破壞。
[實施例32]
將實施例15中所製造之感光體Q1搭載於三星(Samsung)公司製造之印表機ML1430(作為一體型匣，具有接觸帶電輥構件及黑白顯像構件)，以5%之印刷濃度重複進行圖像形成直至觀察到由於介質破壞而引起之圖像缺陷，結果即使形成50000枚圖像，亦未觀察到圖像缺陷。
[比較例17]
將比較例8中所製造之感光體T1搭載於三星公司製造之印表機ML1430，以5%之印刷濃度重複進行圖像形成直至觀察到由於介質破壞而引起之圖像缺陷，結果於形成35000枚圖像之時點，觀察到圖像缺陷。
[實施例33]
藉由浸漬塗佈，將底塗層形成用塗佈液B塗佈於外徑為24 mm、長度為236.5 mm、厚度為0.75 mm之鋁切削管上，使乾燥後之膜厚成為2 μm，進行乾燥而形成底塗層。
將1.5份以下述式表示之電荷產生物質、 (其中，Z表示與之混合物。)
與30份1,2－二甲氧乙烷混合，藉由砂磨機粉碎8小時，進行微粒化分散處理。繼而，與將0.75份聚乙烯丁醛(電氣化學工業(股)製造、商品名「Denka Butyral」#6000C)、0.75份苯氧樹脂(Union Carbide公司製品、PKHH)溶解於28.5份1,2－二甲氧乙烷而得之黏合劑溶液混合，最後添加13.5份1,2－二甲氧乙烷與4－甲氧基－4－甲基－2－戊酮之任意混合液，製造固形分(顏料＋樹脂)濃度為4.0重量%之電荷產生層形成用塗佈液。將該電荷產生層形成用塗佈液浸漬塗佈於上述底塗層上，使乾燥後之膜厚成為0.6 μm後，進行乾燥形成電荷產生層。
繼而，於該電荷產生層上，塗佈電荷傳輸層用塗佈液，使乾燥後之膜厚成為25 μm，於室溫下風乾25分鐘，進而，於125℃下乾燥20分鐘設置電荷傳輸層而製造電子照片感光體，上述電荷傳輸層用塗佈液係將67份下述所示之三苯胺化合物、 100份具有下述重複構造之聚碳酸酯樹脂、[化12] 0.5份下述構造之化合物、
0.02重量份聚矽氧油溶解於640重量份四氫呋喃/甲苯(8/2)混合溶劑中而成者。
將以上所獲得之電子照片感光體安裝於根據電子照片學會標準所製造的電子照片特性評估裝置(揭示於續電子照片技術之基礎與應用、電子照片學會編、Corona公司、第404~405頁)，根據以下順序，進行利用帶電、曝光、電位測定、去靜電之循環的電氣特性之評估。
於暗處，測定藉由scorotron帶電器之－800 V柵極電壓進行放電，使感光體帶電時之感光體初始表面電位。繼而，照射藉由干涉濾光器使鹵素燈之光變為450 nm之單色光者，測定表面電位達到－350 V時之照射能量(μ J/cm2 )，將該值作為靈敏度E1/2 ，結果初始帶電電位為－708 V、靈敏度E1/2 為3.288 μ J/cm2 。初始帶電電位數值高(電位之絕對值大)表示帶電性良好，靈敏度數值越小表示靈敏度越高。
[比較例18]
除使用上述比較例1所揭示之底塗層形成用塗佈液J作為底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例33相同之操作製造電子照片感光體，以與實施例33相同之操作評估電氣特性，結果初始帶電電位為－696 V、靈敏度E1/2 為3.304 μ J/cm2 。
根據實施例33與比較例18之結果，可知：本發明之電子照片感光體，尤其於以曝光波長為350 nm~600 nm之單色光曝光之情況下，靈敏度優異。
(產業上之可利用性)
本發明可用於產業上之任意領域，尤其可較佳地用於電子照片方式之印表機、傳真機、複印機等。
以上，使用特定態樣對本發明加以詳細說明，本業者明瞭可於不脫離本發明之意圖與範圍之情況下，進行各種變更。
再者，本申請案係基於2006年5月18日提出申請之日本專利申請案(特願2006－139531)，藉由引用而援用其整體。
1．．．感光體
2．．．帶電裝置(帶電輥)
3．．．曝光裝置
4．．．顯像裝置
5．．．轉印裝置
6．．．清潔裝置
7．．．定影裝置
14、106．．．分離器
15、105．．．軸
16．．．夾套
17．．．定子
19、111．．．排出通路
21、108．．．轉子
24．．．滑輪
25．．．旋轉接頭
26．．．原料漿料之供給口
27．．．篩支架
28．．．篩
29．．．製品漿料取出口
31、115．．．圓盤
32、116．．．葉片
35．．．閥體
36．．．圓筒體
41．．．顯像槽
42．．．攪拌器
43．．．供給輥
44．．．顯像輥
45．．．控制構件
71．．．上部定影構件(定影輥)
72．．．下部定影構件(定影輥)
73．．．加熱裝置
100．．．密封環
101．．．靜環
102．．．彈簧
103．．．嵌合溝
104．．．O環
107、113．．．分隔件
109．．．塞子
110．．．螺釘
112．．．孔
114．．．葉片嵌合溝
T．．．碳粉
P．．．轉印材料(紙張、媒體)
圖1係表示具有本發明之電子照片感光體之圖像形成裝置的一實施態樣之主要部分構成之概略圖。
圖2係於實施例12之電子照片感光體中，用作電荷產生物質的酞菁氧鈦相對於CuK α特性X射線之粉末X射線繞射光譜圖。
圖3係示意性表示本發明之一實施形態之濕式攪拌球磨機的構成之縱剖面圖。
圖4係示意性表示於本發明之一實施形態之濕式攪拌球磨機中所使用的機械軸封之擴大縱剖面圖。
圖5係示意性表示本發明之一實施形態之濕式攪拌球磨機的其他例之縱剖面圖。
圖6係示意性表示圖5所示之濕式攪拌球磨機之分離器的橫剖面圖。

Claims (19)

  1. 一種電子照片感光體之底塗層形成用塗佈液，係含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂者，其特徵在於，該底塗層形成用塗佈液中之該金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之凝集體二次粒子之體積累積平均粒徑D50為0.1 μm以下，且體積粒度分布寬度指標SD滿足下述式(1)：0.010≦SD≦0.040 (1)(其中，SD=(D84-D16)/2，D84表示體積粒度分布累積曲線達到84%之點的凝集體二次粒子之粒徑(μm)，D16表示體積粒度分布累積曲線達到16%之點的凝集體二次粒子之粒徑(μm)；粒度分布之累積係自小粒徑側進行)。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子照片感光體之底塗層形成用塗佈液，其中，上述SD滿足下述式(2)：0.020≦SD≦0.030 (2)。
  3. 一種電子照片感光體之底塗層形成用塗佈液之製造方法，係用以製造含有金屬氧化物粒子及黏合劑樹脂之電子照片感光體之底塗層形成用塗佈液者，其特徵在於，使用於濕式攪拌球磨機中利用平均粒徑為5~200 μm之介質而分散的金屬氧化物粒子，作為上述金屬氧化物粒子；上述底塗層形成用塗佈液中之上述金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之凝集體二次粒子之體積累積平均粒徑D50為0.1 μm以下，且體積粒度分布寬度指標SD 滿足下述式(1)：0.010≦SD≦0.040 (1)(其中，SD=(D84-D16)/2，D84表示體積粒度分布累積曲線達到84%之點的凝集體二次粒子之粒徑(μm)，D16表示體積粒度分布累積曲線達到16%之點的凝集體二次粒子之粒徑(μm)；粒度分布之累積係自小粒徑側進行)。
  4. 如申請專利範圍第3項之電子照片感光體之底塗層形成用塗佈液之製造方法，其中，上述SD滿足下述式(2)：0.020≦SD≦0.030 (2)。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之電子照片感光體之底塗層形成用塗佈液之製造方法，其中，作為上述濕式攪拌球磨機，係使用如下者，其具備：筒形定子；設於上述定子一端之漿料之供給口；設於上述定子另一端之上述漿料之排出口；將填充於上述定子內之上述介質及自上述供給口供給之上述漿料攪拌混合之轉子；連接於上述排出口，並設置成可旋轉，用以利用離心力作用將上述介質與上述漿料分離，使上述漿料自上述排出口排出的分離器；以及成為上述分離器之旋轉軸之軸；於上述軸之軸心，形成與上述排出口相通之中空的排出通路。
  6. 如申請專利範圍第3或4項之電子照片感光體之底塗 層形成用塗佈液之製造方法，其中，作為上述濕式攪拌球磨機，係使用如下者，其具備：筒形定子；設於上述定子一端之漿料之供給口；設於上述定子另一端之上述漿料之排出口；將填充於上述定子內之上述介質及自上述供給口供給的漿料攪拌混合之轉子；以及連接於上述排出口，並於上述定子內設置成可旋轉，用以利用離心力作用將上述介質與上述漿料分離，使上述漿料自上述排出口排出的分離器；上述分離器係使用具備下述構成之濕式攪拌球磨機：於對向之內側面具備葉片之嵌合溝之兩片圓盤；嵌合於上述嵌合溝並介於上述圓盤間之上述葉片；以及自兩側夾持使上述葉片介於中間之上述圓盤的支持手段。
  7. 如申請專利範圍第3或4項之電子照片感光體之底塗層形成用塗佈液之製造方法，其中，上述介質之平均粒徑為10~100 μm。
  8. 如申請專利範圍第5項之電子照片感光體之底塗層形成用塗佈液之製造方法，其中，上述介質之平均粒徑為10~100 μm。
  9. 如申請專利範圍第6項之電子照片感光體之底塗層形成用塗佈液之製造方法，其中，上述介質之平均粒徑為10~100 μm。
  10. 一種電子照片感光體，係於導電性支持體上，具備含有黏合劑樹脂及金屬氧化物粒子之底塗層、以及形成於該底塗層上之感光層者，其特徵在於，於甲醇與1-丙醇以7：3之重量比混合之溶劑中分散該底塗層而成的液體中，該金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之凝集體二次粒子之體積累積平均粒徑D50’為0.1 μm以下，且體積粒度分布寬度指標SD’滿足下述式(3)：0.010≦SD’≦0.040 (3)(其中，SD’=(D84’-D16’)/2，D84’表示體積粒度分布累積曲線達到84%之點的凝集體二次粒子之粒徑(μm)，D16’表示體積粒度分布累積曲線達到16%之點的凝集體二次粒子之粒徑(μm)；粒度分布之累積係自小粒徑側進行)。
  11. 如申請專利範圍第10項之電子照片感光體，其中，上述SD’滿足下述式(4)：0.020≦SD’≦0.030 (4)。
  12. 一種圖像形成裝置，係具備電子照片感光體、使該電子照片感光體帶電之帶電手段、對帶電之該電子照片感光體進行像曝光而形成靜電潛像之像曝光手段、藉由碳粉將上述靜電潛像顯像之顯像手段、以及將上述碳粉轉印於被轉印體上之轉印手段者，其特徵在於，該電子照片感光體係於導電性支持體上具備含有黏合劑樹脂及金屬氧化物粒子之底塗層、以及形成於該底塗層上之感光層； 於甲醇與1-丙醇以7：3之重量比混合之溶劑中分散該底塗層而成的液體中，該金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之凝集體二次粒子之體積累積平均粒徑D50’為0.1 μm以下，且體積粒度分布寬度指標SD’滿足下述式(3)：0.010≦SD’≦0.040 (3)(其中，SD’=(D84’-D16’)/2，D84’表示體積粒度分布累積曲線達到84%之點的凝集體二次粒子之粒徑(μm)，D16’表示體積粒度分布累積曲線達到16%之點的凝集體二次粒子之粒徑(μm)；粒度分布之累積係自小粒徑側進行)。
  13. 如申請專利範圍第12項之圖像形成裝置，其中，上述SD’滿足下述式(4)：0.020≦SD’≦0.030 (4)。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之圖像形成裝置，其中，該帶電手段係接觸配置於該電子照片感光體。
  15. 如申請專利範圍第12或13項之圖像形成裝置，其中，用於上述像曝光手段之光之波長為350 nm~600 nm。
  16. 如申請專利範圍第14項之圖像形成裝置，其中，用於上述像曝光手段之光之波長為350 nm~600 nm。
  17. 一種電子照片匣，係具備電子照片感光體以及使該電子照片感光體帶電之帶電手段、對帶電之該電子照片感光體進行像曝光而形成靜電潛像之像曝光手段、藉由碳粉將上述靜電潛像顯像之顯像手段、將上述碳粉轉印於被轉印體之轉印手段、使轉印於被轉印體之碳粉定影之定影手 段、及將附著於該電子照片感光體之上述碳粉回收之清潔手段的至少一種手段者，其特徵在於，該電子照片感光體係於導電性支持體上具備含有黏合劑樹脂及金屬氧化物粒子之底塗層、以及形成於該底塗層上之感光層；於甲醇與1-丙醇以7：3之重量比混合之溶劑中分散該底塗層而成的液體中，該金屬氧化物粒子藉由動態光散射法測定之凝集體二次粒子之體積累積平均粒徑D50’為0.1 μm以下，且體積粒度分布寬度指標SD’滿足下述式(3)：0.010≦SD’≦0.040 (3)(其中，SD’=(D84’-D16’)/2，D84’表示體積粒度分布累積曲線達到84%之點的凝集體二次粒子之粒徑(μm)，D16’表示體積粒度分布累積曲線達到16%之點的凝集體二次粒子之粒徑(μm)；粒度分布之累積係自小粒徑側進行)。
  18. 如申請專利範圍第17項之電子照片匣，其中，上述SD’滿足下述式(4)：0.020≦SD’≦0.030 (4)。
  19. 如申請專利範圍第17或18項之電子照片匣，其中，上述帶電手段係接觸配置於上述電子照片感光體。
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