TWI400732B - Manufacturing method of capacitor for capacitor, capacitor manufacturing method and capacitor - Google Patents

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Description

製造電容器用夾具、電容器之製造方法及電容器
本發明係有關達成安定容量出現率之電容器製造方法，製造該電容器用夾具，及使用上述製造方法及夾具製造之電容器。
個人電腦等所使用之CPU(中央處理器)周圍之電容器，為抑制電壓變動，降低通過高波型(ripple)時發熱，要求高容量且低ESR(等效串聯電阻)。
一般，使用複數個固體鋁電解電容器，或鉭固體電解電容器。
如此之固體電解電容器，以表面層具有微細之細孔之鋁箔，或內部以具有微小細孔之鉭粉燒結體作為一方之電極(導電體)，於該電極表層形成之介電質層與該介電質層上設置之另一電極(通常為半導體層)所構成。
以半導體層作為他方電極之電容器之該半導體層形成方法，例如，依日本專利第1868722號公報，日本專利第1985056號公報，日本專利第2054506號公報所記載之通電手法形成的方法。各自於表面設置介電質層之導電體，浸漬於半導體層形成溶液，以導電體側為陽極，與在半導體形成溶液中準備之外部電極(陰極)之間附加電壓(通電)形成半導體層的方法。
 〔發明之揭示〕
形成上述介電質層之介電質，由通電方法形成半導體層時，於1個導電體形成半導體層時無問題，複數個時，各導電體未必均質，又半導體之形成速度亦依導電體而異，特別是，多數個導電體同時形成半導體層時，流過各導電體之電流值不一定，製作之電容器之半導體層之形成情況不一致，製作安定容量之電容器有困難的情形。
例如極端時，1個導電體成為不良(大部份為短路)，電流集中於該導電體，幾乎無電流流通其他導電體。
本發明者等，為解決上述課題經深入研究結果，由供給導電體定額電流形成半導體層，發現可得到容量分佈狹的電容器群，完成本發明。
即，本發明為提供以下製造電容器用夾具，電容器製造方法及電容器。
1.於表面形成介電質層之複數個導電體以通電手法形成半導體層之夾具，具有複數個電流輸出型之定額電流源，各該輸出以電氣串聯連接上述導電體用之連接端子為特徵之製造電容器用夾具。
2.於複數個導電體由通電方法為形成介電質層及半導體層之夾具，各導電體之連接端子各自具有連接陽極之二極體，此等二極體之各陰極以電氣連接，且具有複數個電流輸出型之定額電流源，各該輸出以電氣連接上述導電 體用之連接端子為特徵之製造電容器用夾具。
3.如上述1或2所記載之製造電容器用夾具，複數個電流輸出型之定額電流源，各陰極由電氣連接之複數個定額電流二極體所構成，以各陽極為輸出為其特徵。
4.如上述1或2所記載之製造電容器用夾具，導電體用連接端子介以電纜與電流輸出型定額電流之輸出電氣連接者。
5.如上述2或3所記載之製造電容器用夾具，定額電流二極體之各陰極具有電氣連接之端子。
6.如上述1或4所記載之製造電容器用夾具，各導電體之連接端子更各自具有連接陽極之二極體，此等二極體之各陰極具有電氣連接之端子。
7.如上述1，2，4或6所記載之製造電容器用夾具，導電體用之連接端子具有插座構造者。
8.如上述1，2，4或6所記載之製造電容器用夾具，導電體用之連接端子為金屬板者。
9.如上述1，2，4或6所記載之製造電容器用夾具，導電體用之連接端子係由印刷手法所形成之箔狀金屬材料者。
10如上述2，8或9所記載之製造電容器用夾具，導電體用之連接端子為梳子狀者。
11.使用上述1至10之任一項製造電容器用夾具為特徵之電容器製造方法。
12.於表面形成介電質層作為導電體一方之電極，由 通電手法形成半導體層作為另一方的電極所製成電容器之製造方法，以定額電流通電為特微。
13.如上述12記載之電容器製造方法，定額電流係由定額電流二極體所構成為特徵者。
14.如上述11記載之電容器製造方法，其特徵為連接於製造電容器用夾具之各導電體用連接端子之具有介電質層之導電體，於半導體形成溶液中，以導電體側為陽極，以設置於半導體形成溶液中之電極為陰極，由通電手法形成半導體層。
15.如上述11記載之電容器製造方法，導電體表面之介電質層與形成半導體層以同一製造電容器用夾具進行者。
16.使用如上述11至15任一項所記載之方法所製造之電容器群。
〔發明之實施型態〕
以下詳細說明本發明之電容器製造方法及製造電容器用夾具。
本發明所使用之導電體之例，可列舉如金屬、無機半導體、有機半導體、碳、至少一種此等之混合物，於該表層層合導電體之層合物。
無機半導體之例，可列舉如二氧化鉛、二氧化鉬、二氧化鎢、氧化鈮、二氧化錫、氧化鋯等之金屬氧化物，有機半導體可列舉如聚丙烯、聚噻吩、聚苯胺及具有此等高 分子骨骼之取代物、共聚物等之導電性高分子、四氰喹二甲烷(TCNQ)與四硫萘并萘之配位化合物、TCNQ鹽等之低分子配位化合物。又，表層以導電體層合之層合物之例，可列舉如紙、絕緣性高分子、玻璃等，以上述導電體層合之層合物。
使用金屬作為導電體時，金屬之一部份亦可進行一種以上選自碳化、磷化、硼化、氮化、硫化等之處理再使用。
導電體之形狀無特別限制，箔狀、板狀、棒狀、亦可由導電體本身以粉狀成形或成形後燒結之形狀使用。導電體表面以蝕刻等處理，使其具有微細之細孔亦可。導電體由粉狀成為成形體形狀或成形後燒結之形狀時，成形時選擇適當之壓力，可於成形或繞結後之內部設置微小之細孔。又，導電體由粉狀成為成物形狀或成形後燒結之形狀時，可由引出導線之成形外部處，引出電容器一方之電極。當然，導電體直接與引出之導線連接。
形成於本發明導電體表面之介電質層，為一種以上選自Ta2 O5 ，Al2 O3 ，Zr2 O3 ，Nb2 O5 等之金屬氧化物為主成分之介電質層，陶瓷電容器或薄膜電容器領域之向來公知介電質層。至少一種選自上述金屬氧化物為主成分之介電質層時，生成具有金屬氧化物之金屬元素之上述導電體由形成介電質層得到電容器，成為具有極性之電解電容器。陶瓷電容器或薄膜電容器之向來公知介電質層之例，可列舉如本發明申請人於日本特開照63-29919號公報，日本 特開照63-34927號公報所記載之介電質層。又，至少一種選自金屬氧化物為主成分之介電質層或陶瓷電器或薄膜電容器之向來公知介電質層以複數層合使用亦可。又，至少一種選自金屬氧化物為主成分之介電質層或陶瓷電器或薄膜電容器之向來公知介電質層之混合介電質層亦可。
一方面，本發明之電容器之另一電極，至少為一種選自有機半導體及無機半導體所選之化合物，此處以上述化合物由後述之通電方法形成為最重要。
有機半導體之具體例，可列舉如苯并吡咯啉4量物與由氯醌所成之有機半導體，四硫萘并萘為主成分之有機半導體，四氰喹二甲烷為主成分之有機半導體，含下述式(1)(2)所示重複單元之滲雜劑摻雜之導電性高分子為主成分之有機半導體。
於式(1)及(2)，R1 ~R2 所示為氫原子，碳數為1~6之烷基或碳數為1~6之烷氧基，此等可相同或相異，X所示為氧，碘，或氮原子，R5 僅存在於X為氮原子時，所示為氫原子或碳數為1~6之烷基，R1 與R2 及R3 與R4 為相互結合成環狀亦可。
又於本發明，含上述一般式(1)所示重複單元導電 性高分子，理想為含下述一般式(3)所示構造單元為重複單元之導電性高分子。
式中，R6 及R7 為各自獨立之氫原子，碳數為1~6之直鏈狀或分歧狀之飽和或不飽和烷基，或其烷基於任意位置相互結合，至少由1個以上5~7圓環含2個氧原子形成之飽和烴環狀構造之取代基。又，上述環狀構造可具有可被取代之乙烯撐結合，亦含可取代之苯撐構造。
含此等化學構造之導電性高分子，荷電，摻雜摻雜劑。摻雜劑無特別限定，可使用公知之摻雜劑。
含式(1)至式(3)所示之重複單元之高分子，例如可列舉如聚苯胺、聚羧基苯撐、聚苯撐硫化物、聚噻吩、聚呋喃、聚吡咯、聚甲基吡咯、及此等之取代衍生物或共聚物。其中，亦以聚吡咯，聚噻吩及此等之取代衍生物(例如，聚(3,4-乙撐二羧基噻吩)等)為理想。
無機半導體之具體例，可列舉如1種以上選自二氧化鉬，二氧化鎢，二氧化鉛，二氧化錳等之化合物。
上述有機半導體及無機半導體，以使用導電度為10-2 ~10-3 S/cm範圍者時，所製作之電容器之SR變小為佳。
上述之半導體層為不進行通電操作，純粹由化學反應(溶液反應、氣相反應、固液反應及此等之組合)形成，由通電手法形成，或組合此等之方法所形成，於本發明半導體層形成步驟至少採用一次通電手法。又，由通電手法形成半導體層時，至少一次之通電為於通電時由定額電流源進行，達成本發明之目的。
定額電流係於上述表面具有介電質層之導電體，由可定額電流通電可構成定額電流回路者即可。例如，以回路單純，零件數少之定額電流二極體所構成者為理想。定額電流二極體不僅市售的定額電流二極體，亦可由電解效果之電晶體構成。
以下，說明使用定額電流二極體為主要定額電流之例，定額電流源不限於此。
具體的，於上述表面具有介電質層之導電體(一方之電極)以定額電流二極體之陽極以電氣串聯連接。通電後成為半導體的原料依必要，準備上述溶有摻雜劑之溶液(半導體層形成溶液)，導電體浸漬於此半導體形成溶液，以配置於此半導體形成溶液中之外部電極與上述定額電流二極體之陰極附加指定電壓時，依定額電流二極體之分級(電流規格)通定額之電流(依特定之電流範圍選擇定額電流二極體亦可)。由此電流於導電體之介電質上形成半導體。例如，於導電體表面形成Ta2 O5 介電質層，作為連接引出導線之鉭燒結物，該引出導線與定額電流二極體之陽極以電氣串聯連接，可製作目的之通電回路。此 時，以定額電流二極體之陰極為陽極，以配置於半導體層形成溶液中之外部電極側為陰極附加電壓。定額電流二極體依順方向附加規定範圍之電壓時流通指定之定額電流，電流值依定額電流二極體之分級選擇，或並聯連接複數個適當分級之定額電流二極體分段變更，可配合導電體之大小或形成之半導體量之期望值選擇定額電流二極體流通任意範圍之定額電流。
其次，說明有關於複數個導電體表面形成介電質之由通電手法形成半導體體層之本發明製造電容器用夾具。
本發明之製造電容器用夾具，具有電流輸出型之定額電流源，各該輸出以上述導電體用連接端子以電氣串聯連接者。定額電流源使用定額電流二極體構成時，例如，可列舉如複數個定額電流二極體以電氣連接各陰極，各定額電流二極體陽極之上述導電體用連接端子以電氣串聯連接而成者。圖1所示為製造板狀電容器用夾具例之模式圖。絕緣基板(2)裝載複數個(2)定額電流二極體(1)並聯互相連接。各定額電流二極體(1)之陰極(圖中(1)之上端部)，以電氣連接圖中左方端子(3)(以下以「集電端子」稱之)。陽極(1a)與導電體用之連接端子(4)連接，各連接端子(4)之他端為電氣開放。圖1之構成夾具，係各連接端子(4)與上述於表面形成介電質層之導電體(圖上未顯示)提供連接實用。
於複數個表面形成介電質層之各自之導電體由通電手法形成半導體層之本發明之另一製造電容器用夾具，係導 電體用之連接端子與電流輸出型定額電流源之輸出由電纜電氣接連之製造電容器用夾具。例如，上述之導電體用連接端子與電纜端子以電氣並聯接之電子構材複數個依方向湊齊絕緣配置，更於各電纜端子配線連接定額電流二極體之陽極，於其上更以電氣連接各定額電流二極體陰極之集電端子之製造電容器用夾具。
圖2所示為製造板狀電容器用夾具之一部份與連接配線之定額二極體群所成之製造電容器用夾具之一例之模式圖。於絕緣性基板(2)，串聯連接導電體用連接端子(4)與電纜端子(5)之電子構材(6)複數個依方向湊齊配置。各電纜端子(5)，配線連接定額電流二極體(1)之陽極(1a)，定額電流二極體群之陰極端子(3)連接為回路。構成圖2之夾具，係各連接端子(4)與上述於表面形成介電質層之導電體(圖上未顯示)配合尺寸提供連接實用。
圖1，集電端子與定額電流二極體及絕緣性基存在於同一側(表面)，例如，透過設置於絕緣性基板之複數個穿孔與回路連接，絕緣性基板之裏側配置集電端子，集電端子與定額電流二極體間之配線，例如，於絕緣性基板開孔在裏面配線，連接端子與定額電流二極體可各自於絕緣性基板之反側設置。上述於絕緣性基板之開孔，為貫穿孔時由於貫穿孔內部施以印刷配線，表裏之電線以容易連接為理想。又，圖1，定額電流二極體與連接端子設置於絕緣性基板之同一面，例如連接端子置於裏面，經貫穿孔與 表面之定額電流二極體之陽連接亦可。
其次，說明使用上述製造電容器用夾具由通電手法形成半導體層之方法。
於製造電容器用夾具之導電體用連接端子，配合尺寸連接表面具介電質層之導電體各1個，僅各導電體浸漬半導體層形成溶液，以定額電流二極體側為陰極，以設置於半導體層形成溶液中之外部電極為陰極由通電手法可形成半導體層。
由通電成為半導體之原料，或依情形溶有含如上述之摻雜劑(例如，芳基磺酸)或鹽、烷基磺酸或鹽、各種高分子磺酸或鹽等之公知摻雜劑)之半導體層形成溶液由通電於介電質層上形成半導體層。由於通電時間，半導體層形成溶液之濃度，pH，溫度，通電電流值，通電壓壓值，依使用之導電體之種類，大小，量，所望之半導體層形成之厚度而變，依預備實驗之條件而決定。改變通電條件進行複數次通電亦為可行。又，為修復於導電體表面形成之介電質層之缺陷，在中途之任意時段(1次或複數次亦可)，及/或於最後，進行向來公知之再化成亦可。
半導體層形成溶液中設置之外部電極，係作為通時之對極使用者，導電性物質，特別是使用金屬箔或板。至少與1處之供電部以電氣連接複數片之外部電極使用，浸漬半導體層形成溶液之複數個導電體以全體可均勻配電之配置為理想。
又，實施例所示，於導電體之表面所形成之介電質層 以電氣製作微小缺陷部後由本發明之方法形成半導體層亦可。
作為1示例，圖1及圖2所示之絕緣性樹脂板(2)之裏面，僅形成如圖3所示之表面連接端子(4)以電氣連接之電氣回路，於各電氣回路末端設置由表面觀看時之右側所設置之端子(7)(以下以「供電端子」稱之)介入二極體(8)(以整流用二極體為理想，化成用供電端子(7)側為陰極。又，本申請書稱為「二極體」時，不含定額電流二極體)連接，由於各連接端子(4)所連接之導電體表面介電質層之形成，及半導體層之形成很合適於由同一夾具進行。即，於導電體表面形成之介電質層由化成而設置時，由絕緣性基板(2)之裏面之化成用供電端子(7)進行通電，其後，於介電質層上形成半導體層時，由絕緣性基板(2)之供電端子(7)或定電流二極體群之集電端子(3)進行通電，化成之電流值與為形成半導體層之通電值不同時之操作可由同一夾具達成。
集電端子，定額電流二極體，二極體，供電端子於絕緣性基板上之配置無特別的限制，以能容易形成回路之配置為理想。例如，全部設置於絕緣性基板之單面亦可，分為兩面配置亦可。具體的可列舉如，於絕緣性基板之單面設置如圖1所示之半導體層形成用回路，於其反面設置如圖3所示之化成用回路者，或單面設置如圖4之回路(半導體層形成回路與化成用回路之主要部份)於其反面設置如圖5所示之回路(化成用回路之陰極側之共通配 線)等。又，圖4，5為顯示放大連接端子(4)之大小者，連接端子(4)之下方與絕緣性基板(2)之下方調尺寸為同一面亦可。
以下說明使用製造電容器用夾具，於導電體表面形成介電質層及其介電質層上形成半導體層之方法。
於製造電容器用夾具之連接端子，配合位置連接逐個導電體後，各導電體浸漬成溶液，例如，以化成用供電端子為陽極，以設置於化成溶液中之外部電極為陰極可形成介電質層。化成溶液為，溶解或懸浮之有機酸或鹽(例如，己二酸、醋酸、二酸銨、苯甲酸)，無機酸或鹽(例如，磷酸、矽酸、磷酸銨、矽酸銨、硫酸、硫酸銨)等向來公知之電解質。化成溫度，時間，電流值，電壓等之條件，考慮所使用之導電體種類，大小，質量，目的電容器之規格依預備實驗而決定。於導電體層表面形成介電質層後，停止由化成用供端子之供電，洗淨，乾燥後，與上述半導體層形成方法同樣，由絕緣性基板表面之端子或定額電流二極體群之端子通電，可在形成上述介電質層之導電體之介電質層上形成半導體層。
本發明之連接端子之例，可列舉如由插座構造之連接端子，金屬板，由印刷技術描繪之箔狀金屬材料等所成之連接端子。插座構造之連接端子為導電體為棒狀時或導電體以導線連接之構造之導電體時，以棒狀之導電體或插入導線圖謀與導體連接者，插座為金屬材料所構成之導電體可作電氣連接。構成插座部之金屬材料至少為1種選自 銅、鐵、銀、鋁之金屬為主成分或合金，表面亦可施加1種以上鍍錫，鍍焊錫，鍍鎳，鍍金，鍍銀，鍍銅等公知之電鍍。
金屬性插座部與該金屬部被覆絕緣性樹脂部所成之連接端子，以複數個並聯排列之連接端子群作為本發明之連接端子應用時，以多個導電體並聯可等間隔配置為理想。例如於印刷基板上為載裝半導體零件之連結器類，存在插座部與設置連接其之電氣線狀導線部，該導線部與絕緣性基板上之後述之電流輸出型之定額電流源之輸出以電氣機械連接。介由此連結器，導電體與電流輸出型之定額電流源可作電氣連接。
其他例為，連結器非具有導線者插座部與具有電氣連接之基板埋入型之承接部構造者亦可。此時，配置電流輸出型定額電流源之絕緣性基板之輸出配線部份由埋入連結器之上述承接部經由連結器可連接定額電流源與導電體。
又另外之例為，連結器具有插座部具有電氣連接之印刷回路接點部之表面實裝型之構造者亦可。此時，於印刷回路接點部例如以附著膏狀焊錫，配置電流輸出型之定額電流源之絕緣性基板之指定線部份由逆流焊錫，可連接連結器與定額電流源。
連接部為金屬板之連接端子係，可連接導電體之大小之金屬板作為端子利用者。又，為能與導電體容易連接，金屬板表面至少施予1種鍍錫、鍍焊錫、鍍鎳、鍍金、鍍銀等之電鍍為理想。
金屬板之形狀為，可連接導電體大小者即可。又，金屬板之配置為，可保持導電體之配置間隔(導電體之配置間隔約略相同)之配置即可。
特別是，導電體之配置間隙充裕時，各金屬板之形狀持有複數齒部之梳子狀時，最初使用金屬板各導電體與各金屬板之梳子部之齒部連接形成半導體層之一貫操作，導電體由金屬板取出，其次使用該金屬板於導電體形成半導體層時，各導電體與各金屬板未使用之梳子部齒部連接，可重複齒部數。去除由製造電容器用夾具之連接端子導電體之殘留導線或連接時之殘留溶接操作，不必要每次製造電容器時進行，由於可僅進行製造金屬板梳子部之齒部數之電容器後同時進行去除殘留連接很有效率。
使用金屬板作為配置後述電流輸出型定額電流之絕緣性基板之連接端子時，金屬板於基板之裏外範圍之基板底邊(使用時為下端之邊)，例如以插入加工黏貼於基板連接時，導電體連接基板時由一般電阻溶接機連接成為於基板上方具有電極下方有承接電極為理想。
由印刷通電手法形成箔狀金屬材料所成之連接端子係，連接端子本身以印刷手法成為印刷回路者，例如，使用以銅為主成分材料或金屬粉與樹脂為主成分之導電漿料等之方法。
連接端子部為與導電體連接良好，至少施予1種由鍍錫、鍍鎳、鍍焊錫、鍍金鍍銀等所選之電鍍為理想。
與上述金屬板為連接端子時同樣，設置複數個連接多 個導電體之製造電容器用夾具以印刷手法所形成之箔狀金屬材料所成之連接端子時，各個連接端子之形狀可與導電體連接，其配置，以保持導電體配置間隔之間隔(導電體配置間隔約略為相同)之配置即可。特別是，導電體之配置間隙充裕時，與以金屬板作為連接端子同樣，各金屬板之形狀可為梳子狀。
又，連接端子部於基板之裏外範圍形成，此等以電氣連接即可。例如於基板之底部兩面印刷後於基板底部之厚部處以導電漿料作電氣連接導通表裏之連接端子，或基板底部兩面於印刷前後，在印刷處或在印刷處附近設置貫穿孔，亦可於貫穿孔內部進行印刷配線導通表裏之連接端子。
由印刷技術描繪之箔狀金屬材料所成之連接端子與電流輸出型定額電流源之連接，係於絕緣性基板上描繪之電子回路之指定處配置定額電流源而連接的方法以簡單為理想。
本發明之連接端子以插座構造與金屬板共同使用之構造之連接端子亦為本發明之範圍內，例如可列舉具連接端子插入基板型之承接部與該接部以電氣連接之金屬板構造，或線狀之導線部與該導線部以電氣連接之金屬板構造者。例如前者。配置電流輸出型之定額電流源之絕緣性基板其輸出配線部份嵌入上述承接部，更由連接導電體至金屬板發揮連接端子之機能，後者，於線狀導線部配置電流輸出型定額電流源之絕緣性基板插入製作之貫穿孔，更由 於金屬板連接導電體發揮連接端子之機能。
本發明製造電容器用夾具，例如於形成電氣回路之絕緣性基板，使用定額電流二極體或二極體，依情形插座構造之連接端子或金屬板之連接端子以錫焊，插入安裝後錫焊連接製作。絕緣性基板之材料，可列舉如玻璃環氧樹脂、醯亞胺樹脂、陶瓷等。使用厚度理想為1~10 mm，更理想為1.5~4.0 mm，最理想為1.2~4.0 mm之絕緣性基板時，尺寸控制良好多次使用後亦少變形，作業容易為理想。
本發明電容器，係以上述方法等所形成之半導體層之上，為提高連接電容器之外部引出導線(例如導線框)與電氣更好之連接，可設置電極層。
電極層，例如可由導電漿料之固化，電鍍，金屬蒸鍍，形成耐熱性導電樹脂薄膜等形成。導電漿料，以銀漿料、銅漿料、鋁漿料、碳漿料、鎳漿料等為理想。此等可使用1種或2種以上亦可。使用2種以上時，混合亦可，或重疊個別層亦可。使用導電漿料後，放置於空氣中，或加熱固化。
導電漿料，以樹脂與金屬等之導電粉為主成分，依情形可含有溶解樹脂之溶劑或硬化樹脂之硬化劑等。
導電漿料中之樹脂，可使用醇酸樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、醯亞胺胺基樹脂、胺基樹脂、苯乙烯樹脂、氨基甲酸酯樹脂等公知之各種樹脂。導電粉，使用1種以上銀、鋁、金、碳、鎳及此等金屬為主成分之合金 粉，此等金屬為存在於表面之塗敷粉或此等之混合物粉。
導電粉，通常含40~97質量%。低於40質量%時製成之導電漿料之導電性小，又，超過97質量%時由於導電漿料之接著性不良不理想。導電漿料亦可與形成上述半導體層之導電性高分子或金屬氧化物粉混合使用。
電鍍，可列舉如鍍鎳、鍍銅、鍍銀、鍍銀、鍍鋁等。又蒸鍍之金屬，可列舉如鋁、鎳、銅、銀等。
具體的，例如他方之電極上以碳漿料，銀漿料依序層合，以如環氧樹脂等封裝構成電容器。該電容器具有，導電體可先連接，或後連接之金屬線所成之導線。
如以上構成之本發明電容器，例如由樹脂模型、樹脂盒、金屬外裝箱、樹脂浸漬、層合薄膜外裝等之外裝可作為各種用途之電容器製品。
其中，尤其進行樹脂模型外裝之晶片型電容器，可小型化與低成本化為理想。
有關樹脂模型外裝之情形具體說明時，本發明電容器為，上述電容器元件之導電體層之一部份，載置於另外準備之一對對向配置具有先端部之導線框一方之先端部，又，陽極導線之一部份(為配合尺寸切斷陽極導線之先端使用亦可)載置於上述導線框他方之先端部，例如前者為導電漿料之固化，後者為以溶接各個電氣．機械之接合後，殘留上述導線框先端部之一部份以樹脂封裝，於樹脂封裝外之指定部份切斷導線框彎曲加工(導線框為樹脂封裝下方導線之下面或僅殘留下方與側面封裝時，僅切斷加工即 可)製作。
上述導線框，如上述經切斷加工成為最終電容器之外部端子，形狀為箔狀或平板狀，材質使用鐵、銅、鋁或以此等之金屬為主成分之合金。該導線框之一部份或全部亦可施以焊錫、錫、鈦、鎳等之電鍍。導線框與電鍍之間以鎳或銅作底電鍍亦可。
上述切斷彎曲加工後或加工後於導線框可進行各種此等之電鍍。又，電容器元件載置前進行電鍍，於封裝後之任意時段可再進行電鍍。
該導線框，存在一對對向配置之先端部，先端部之間有間隙，各電容器元件之陽極部與陰極部可絕緣。
樹脂模型外裝所使用之樹脂種類，可採用環氧樹脂、酚樹脂、醇酸樹脂等固體電容器之封裝所使用之公知樹脂，各樹脂均為理想，使用低應力樹脂時，封裝時由於可緩和對電容器元件之封裝應力為理想。又，樹脂封裝之製造機以使用自動生產線為理想。
如此所製造之電容器，為修復形成電極層或外裝時之熱及/或物理的介電質層之劣化，可進行老化處理。
老化之方法，電容器由附加指定之電壓(通常為定格電壓之2倍以內)進行。老化時間或溫度，依電容器之種類，容量，定格電壓其最佳值不同，以預備實驗決定，通常，時間為數分至數日，溫度考慮附加電壓之夾具之熱劣化等以300℃以下進行。老化之環境，空氣中，Ar，N2 ，He等之氣體中亦可，理想為水蒸氣中。老化於含水蒸氣 之環境中進行，其次於空氣中，Ar，N2 ，He等之氣體中進行時介電質層有安定化之情形。於水蒸氣中老化後在150~250℃之空氣中放置1分鐘至10小時去除多餘的水分，亦可進行老化。水蒸氣供應方法之一例，可例舉如由於置於老化爐中之儲水器供給水蒸氣的方法。
附加電壓的方法，可設計流通直流，重疊於(具有任意波形)直流之交流或脈衝電流等之任意電流。老化之途中暫時停止附加電壓，再進行附加電壓亦可。
依本發明製造之電容器，由於與安定形成半導體層之同一條件進行容量可安定。因此電容器(同時製作之多數個電容器)之容量分佈(偏移)，與向來品比較為狹。所以，取得特定容量範圍之電容器時之收率可提高。
又，由本發明製造之電容器群可利用於個人電腦、伺服器、相機、遊戲機、DVD、AV機器、行動電話等之數位機器或各種電源等之電子機器。
以下詳細說明本發明有關之具體例，本發明不限於以下所舉之例。
實施例1：
1.製造電容器用夾具之製作
長320 mm，幅30 mm，厚度2 mm之聚醯亞胺板(2)於其一面(以下以此為表面)形成由印刷配線連接 如圖1之導電體之連接端子(4)(導體之導線連接位置印有記號)與定額電流二極體(1)之各陰極至板左側(本實施例之上下左右順從圖1)之端子(3)，回路及他面(以下以此為裏面)介由如圖3所示之表面之導體用連接端子僅電氣連接之回路(由表面看之整流二極體(8)(10D-1，日本大日本INTER(株)製)連接至化成用供電端子(7))。導電體用連接端子(4)等間隔設置60個。定額電流二極體由日本石塚電子製之E-101L選擇40μA以下者，板上之指定位置(導電體用連接端子(4)之板中央側與左側端子(3)回路之陰極側)以鍚焊連接。
2.製作電容器
使用CV 8萬/g之鉭燒結物(4×3×1 mm質量72 mg引出導線0.29 mm突出表面7 mm)作為導電體。導線為防止後步驟之半導體體形成時溶液之上衝，裝置四氟乙烯製墊片。如此之導電體依上述之製造電容器用夾具之連接端子湊齊方向、高度連接。準備10片製造電器用夾具(導電體合計連接600個)，配置於7 mm間隔並聯夾具(保持製造電容器用挾具之左右兩端，左右保持部份之間電氣絕緣，左側以與夾具表面之半導體形成用端子電氣連接，右側與夾具裏面之化成用供電端子電氣連接之金屬框架)。
該框架先配置於裝有0.1%磷酸水溶液之化成槽可浸 漬導電體部份及導線之一部份，以製造電容器用夾具裏面之化成用供電端子為陽極，以設置於化成槽之外部電極(鉭板)為陰極，以80℃，10小時，對導電體之附加電壓為10 V進行化成在導電體與引出導線之一部份由Ta2 O5 形成介電質層。框架由化成槽提出水洗後於100℃乾燥。
其次框架於容有20莫耳%鉬酸鈉水溶液之槽中與容有10%硼氫化鈉水溶液之槽中交互浸漬導電體部份，重複來回設置，於介電質層製作電氣之微小缺陷部份。接著框架設置於半導體層形成溶液(蒽醌磺酸鈉0.2 M與充分投入存在部份未溶乙撐二羧基噻吩之20%乙二醇與水之溶液)之槽中(槽本身為貼鉭箔成為外部電極)浸漬導電體部份，以定額電流二極體側之端子(3)為陽極，以外部電極為陰極於此端子(3)以8V通電1小時形成半導體層。將框架提出洗淨後以100℃乾燥。更設置於先前之化成槽浸漬導電體部份，使用化成用之供電端子於80℃對導電體附加7V電壓1小時進行再化成。將框架提出洗淨後以100℃乾燥。如此之半導體層形成及再化成之步驟進行10次後，框架依序設置於碳漿料槽及銀漿料槽浸漬導電體部份，及進行乾燥，於半導體層上層合電極層。
形成電極層之各個導電體由製造電容器用夾具取出，載置於另外準備之鍍錫導線框兩凸部陽極側之導電體導線，於陰極側載置導電體之銀漿料側，前者以點焊溶接，後者以銀漿料連接。其後，以環氧樹脂封裝去除其一部份 (導線框封裝後切斷樹脂外指定處彎曲加工)，製作7.3×4.3×1.8 mm大小之晶片型電容器。所得之電容器為規格2.5V容量為480μF，持有470~490μF之個數為469個，490~510μF之個數為85個，510~530μF之個數為4個，450~470μF之個數為39個，430~450μF之個數為3個之容量分佈。
比較例1：
於上述實施例1，不介入本發明之製造電容器用夾具，導電體直接以8V通電1小時形成半導體層製作比較用電容器。比較用電容器持有470~490μF之個數為285個，490~510μF之個數為54個，510~530μF之個數為16個，530~550μF之個數為3個，450~470μF之個數為144個，430~450μF之個數為71個，380~430μF之個數為27個之容量分佈。
由實施例1及比較例1，實施例1所得之電容器群，明確的比比較例1所得之電容器群具有狹容量分佈。
實施例2：
1.製造電容器用夾具之製作
長320 mm，幅30 mm，厚度2 mm之玻璃環氧樹脂板(2)於其一面(以此為表面)形成由印刷配線連接如圖4之回路，他面(以此為裏面)如圖5之回路。即，介由導電體用構造之連接端子(4)與定額電流二極體 (1)之各陰極連接至板左側之集電端子(3)之回路，及板表面之連接端子(4)連接與定額電流二極體交互並聯之整流二極體(8)由貫穿孔(9)形成至板裏面之化成用供電端子(7)之回路。導電體用連接端子使用日本(股)常盤商行之PCD RECPTACLE 399系列2.54 mm間隔64針之圓針DIP接線框框構造之連接端子，於玻璃環氧樹脂板同樣設置64個之貫穿孔，於此插入接線框針以焊錫連接。定額電流二極體選用日本石塚電子製之E-101L之40~70μA者，又，整流二極體 使用日本大日本INTER(株)製EP05DA40，各自以焊錫連接。
2.製作電容器
使用CV 7萬μF V/g之鉭燒結物(4.1×3×1.5 mm，質量115 mg引出導線0.52 mm裏面4 mm表面突出10 mm)作為導電體。導線為防止後步驟之半導體體形成時溶液之上衝，裝置四氟乙烯製墊片。如之導電體依上述之製造電容器用夾具之連接端子湊齊插入。
準備10片製造電器用夾具(導電體合計連接600個)，配置於可11 mm間隔並聯夾具設置與實施例同樣之框架。該框架先配置於裝有0.1%磷酸水溶液之化成槽可浸漬導電體部份及導線之一部份，以製造電容器用夾具裏面之化成用供電端子為陽極，以設置於化成槽之外部電極(鉭板)為陰極，以80℃，10小時，對導電體之加電壓為9 V進行化成在導電體與引出導線之一部份由Ta2 O5 形成介電質層。框架由化成槽提出水洗後於100℃乾燥。其次框架設置於容有2%乙撐二羧基噻吩充分投入之20%乙二醇與水之溶液之槽中，浸漬導電體部份，撤出放置後，設置於容有18%萘基磺酸鐵醇溶液之槽中，於40℃放置30分鐘後，放置於容有醇之槽中浸漬導電體部份，接著以80℃乾燥之一連操作，由重複8次上述操作於介電質層上製作以乙撐二羧基噻吩聚合物為主成分之微小缺陷部份。更設置於容有0.1%醋酸水溶液之化成槽浸漬導電體部份，以製造電容器用夾具裏面之化成用供電端子為陽極，以設置於化成槽之外部電極(鉭板)為陰極，以80℃，15分鐘，對導電體之附加電壓為8 V進行再化成。其次框架設置於容有半導體形成溶液(乙撐二羧基噻吩單體之飽和濃度以下之水溶液與溶解蒽醌磺酸之20%乙二醇與水之混合溶液)之槽中(槽本身為貼鉭箔成為外部電極)浸漬導電體部份，以定額電流二極體側之端子(3)為陽極，以外部電極為陰極於此端子(3)以11V通電30分鐘形成半導體層。將框架提出洗淨後以80℃乾燥。更設置於先前之化成槽浸漬導電體部份，使用化成用之供電端子於80℃對導電體附加7V電壓15分鐘進行再化成。將框架提出洗淨後以80℃乾燥。如此之半導體層形成及再化成之步驟進行10次後，框架依序設置於碳漿料槽及銀漿料槽浸漬導電體部份，及進行乾燥，於半導體層上層合電極層。
形成電極層之各個導電體由製造電容器用夾具取出， 載置於另外準備之鍍錫導線框兩凸部陽極側之導電體導線，於陰極側載置導電體之銀漿料側，前者以點焊溶接，後者以銀漿料連接。其後，以環氧樹脂封裝去除其一部份(導線框封裝後切斷樹脂外指定處彎曲加工)，製作7.3×4.3×2.8 mm大小之晶片型電容器。更將電容器於60℃ 90%RH恆濕槽放置24小時後以185℃乾燥10分鐘，其次於125℃，對導電附加電壓3.5V進行5小時蝕刻。所得所得之電容器為規格2.5V容量為680μF，持有720~645μF之個數為572個，720~750μF之個數為42個，750~780μF之個數為20個，645~610μF之個數為6個之容量分佈。
比較例2：
於上述實施例1，不介入本發明之製造電容器用夾具，導電體直接以11V通電30分鐘形成半導體層製作比較用電容器。比較用電容器持有720~645μF之個數為351個，720~750μF之個數為25個，750~780μF之個數為2個，640~610μF之個數為157個，610~575μF之個數為88個，575~540μF之個數為13個，540~510μF之個數為4個之容量分佈。
由實施例2及比較例21，實施例2所得之電容器群，明確的比比較例2所得之電容器群具有狹容量分佈。
〔產業上之利用領域〕
本發明，為提供介由定額電流二極體之通電形成半導體層之製造電容器用夾具及電容器製造方法，依本發明可得到呈現容量分佈狹之電容器群。
1‧‧‧定額電流二極體
1a‧‧‧陽極
2‧‧‧絕緣性基板
3‧‧‧端子
4‧‧‧連接端子
5‧‧‧電纜端子
6‧‧‧電子構材
7‧‧‧化成用端子
8‧‧‧二極體
9‧‧‧貫穿孔
圖1為顯示本發明製造電容器用夾具之一型態構成模式圖。
圖2為顯示本發明製造電容器用夾具之另一型態構成模式圖。
圖3為顯示本發明製造電容器用夾具之一型態裏面構成模式圖。
圖4為顯示本發明製造電容器用夾具之另一型態構成模式圖。
圖5為顯示本發明製造電容器用夾具之一型態裏面構成模式圖。
1‧‧‧定額電流二極體
1a‧‧‧陽極
2‧‧‧絕緣性基板
3‧‧‧端子
4‧‧‧連接端子

Claims (16)

  1. 一種製造電容器用夾具，其特徵係於表面形成介電質層之複數個導電體以通電手法形成半導體層之夾具，具有複數個電流輸出型之定額電流源，各該輸出以電氣串聯連接該導電體用連接端子。
  2. 一種製造電容器用夾具，其特徵係由通電方法於複數個導電體形成介電質層及半導體層之夾具，各導電體之連接端子各自具有連接陽極之二極體，此等二極體之各陰極以電氣連接，且具有複數個電流輸出型之定額電流源，各該輸出以電氣連接導電體用連接端子。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之製造電容器用夾具，其中複數個電流輸出型之定額電流源，各陰極由電氣連接之複數個定額電流二極體所構成，以各陽極為輸出。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之製造電容器用夾具，其中導電體用連接端子介由電纜與電流輸出型定額電流之輸出以電氣連接者。
  5. 如申請專利範圍第3項之製造電容器用夾具，其中定額電流二極體之各陰極具有電氣連接之端子。
  6. 如申請專利範圍第1項之製造電容器用夾具，其中各導電體之連接端子各自具有連接陽極之二極體，此等二極體之各陰極具有以電氣連接之端子。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之製造電容器用夾具，其中導電體用之連接端子具有插座構造者。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之製造電容器用夾具，其中導電體用之連接端子為金屬板者。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之製造電容器用夾具，其中導電體用之連接端子係由印刷手法所形成之箔狀金屬材料者。
  10. 如申請專利範圍第2項之製造電容器用夾具，其中導電體用之連接端子為梳子狀者。
  11. 一種電容器製造方法，其特徵為使用如申請專利範圍第1至第10項中任一項之製造電容器用夾具者。
  12. 一種電容器製造方法，其為於表面形成介電質層之導電體作為一方電極，由通電手法形另一方電極製成半導體層之電容器製造方法，其特徵為以定額電流通電者。
  13. 如申請專利範圍第12項之電容器製造方法，其中定額電流係由定額電流二極體所構成者。
  14. 如申請專利範圍第11項之電容器製造方法，其中連接於製造電容器用夾具之各導電體用連接端子之具有介電質層之導電體，於半導體形成溶液中，以導電體側為陽極，以設置於半導體形成溶液中之電極為陰極，由通電手法形成半導體層。
  15. 如申請專利範圍第11項之電容器製造方法，其中形成導電體表面之介電質層與半導體層以同一製造電容器用夾具進行者。
  16. 一種電容器群，其特徵為，使用如申請專利範圍第11至第15項中任一項之方法製作者。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101147712B1 (ko) 2005-03-24 2012-05-23 쇼와 덴코 가부시키가이샤 고체전해 콘덴서의 제조장치 및 제조방법
TWI437591B (zh) * 2005-10-27 2014-05-11 Showa Denko Kk Manufacturing container for capacitor element manufacturing, manufacturing method of capacitor element, and method for manufacturing capacitor
JP4627031B2 (ja) * 2005-10-27 2011-02-09 昭和電工株式会社 コンデンサ製造用冶具の反り防止法
WO2007061034A1 (ja) * 2005-11-25 2007-05-31 Showa Denko K. K. コンデンサ素子製造用冶具及びコンデンサ素子の製造方法
US7832618B2 (en) * 2007-01-31 2010-11-16 Avx Corporation Termination bonding
WO2010107011A1 (ja) 2009-03-17 2010-09-23 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサ素子、その製造方法及びその製造用冶具
EP2502295A1 (en) * 2009-11-19 2012-09-26 Technion Research & Development Foundation Ltd. Silicon-air batteries
WO2011074512A1 (ja) * 2009-12-15 2011-06-23 昭和電工株式会社 ソケット及び該ソケットを用いたコンデンサ素子製造用治具
JP5925682B2 (ja) 2010-09-17 2016-05-25 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサ素子、その製造方法及びその製造用冶具
CN106415760A (zh) * 2014-01-20 2017-02-15 昭和电工株式会社 钨固体电解电容器元件的制造方法
KR101581913B1 (ko) 2014-03-14 2016-01-11 (주)피스코엔지니어링 세라믹 도포 성형시스템
KR101579953B1 (ko) 2014-03-14 2015-12-23 (주)피스코엔지니어링 세라믹 도포 성형기용 고정지그
KR101652052B1 (ko) 2015-09-03 2016-08-29 (주)피스코엔지니어링 세라믹 도포 성형기용 고정지그
CN110931257A (zh) * 2018-09-19 2020-03-27 钰冠科技股份有限公司 电容器组件的前处理设备与电容器组件的快速制造方法
CN110010377B (zh) * 2019-04-12 2020-11-27 西安太乙电子有限公司 一种表贴瓷介电容安装老炼装置及方法
CN110744196B (zh) * 2019-11-13 2021-09-28 兰泽(荆门)智能科技有限公司 一种直线式电容器焊接机
CN112837948B (zh) * 2021-02-05 2022-03-11 富之光电子科技(韶关)有限公司 一种贴片电容器的加工设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6357733U (zh) * 1986-10-02 1988-04-18

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4192721A (en) * 1979-04-24 1980-03-11 Baranski Andrzej S Method for producing a smooth coherent film of a metal chalconide
GB2026773B (en) 1979-06-19 1982-09-02 Lignes Telegraph Telephon Process for the manufacture of tantalum solid electrolyte capacitors
JPS6023494B2 (ja) 1980-07-28 1985-06-07 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0722080B2 (ja) 1986-02-12 1995-03-08 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの製造法
JPH0763045B2 (ja) 1986-07-23 1995-07-05 昭和電工株式会社 コンデンサ
JPH0785461B2 (ja) 1986-07-29 1995-09-13 昭和電工株式会社 コンデンサ
JPH0751729B2 (ja) * 1986-08-28 1995-06-05 株式会社豊田自動織機製作所 繊維集積体の製造方法並びに装置
JPS63249323A (ja) * 1987-04-06 1988-10-17 松下電器産業株式会社 固体電解コンデンサ
JP2632909B2 (ja) 1988-04-06 1997-07-23 日本ケミコン株式会社 電解コンデンサのエージング装置
JP2836098B2 (ja) * 1989-05-12 1998-12-14 松下電器産業株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0682592B2 (ja) 1989-06-05 1994-10-19 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH03141630A (ja) 1989-10-26 1991-06-17 Hitachi Aic Inc 固体電解コンデンサの製造方法
JPH04236415A (ja) 1991-01-18 1992-08-25 Showa Denko Kk 積層型固体電解コンデンサの製造方法
JPH0521286A (ja) 1991-07-12 1993-01-29 Marcon Electron Co Ltd 電解コンデンサのエージング方法
JPH06196376A (ja) 1992-12-22 1994-07-15 Nippon Chemicon Corp 陽極部材の処理方法
JPH07226338A (ja) 1994-02-14 1995-08-22 Showa Denko Kk 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0917685A (ja) 1995-06-27 1997-01-17 Murata Mfg Co Ltd コンデンサおよびその製造方法
JPH09102442A (ja) 1995-10-02 1997-04-15 Matsuo Denki Kk 無極性固体電解コンデンサの製造方法
JPH09213575A (ja) 1996-02-06 1997-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサの製造方法
JP3035492B2 (ja) * 1996-03-28 2000-04-24 株式会社トーキン 積層セラミック部品
JP3408125B2 (ja) 1997-11-14 2003-05-19 三洋電機株式会社 有機固体電解コンデンサの製造方法及び製造装置
US6139592A (en) * 1997-06-19 2000-10-31 Sanyo Electric Co., Ltd. Process and apparatus for producing organic solid electrolyte capacitor
JP3712656B2 (ja) * 2001-10-24 2005-11-02 シーケーディ株式会社 電解コンデンサのエージング装置
US6671168B2 (en) * 2001-11-30 2003-12-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same
JP2003272954A (ja) 2002-03-19 2003-09-26 Nec Tokin Corp 固体電解コンデンサの製造方法
JP4056445B2 (ja) 2003-08-25 2008-03-05 コーア株式会社 金属抵抗器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6357733U (zh) * 1986-10-02 1988-04-18

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