JP5079850B2 - コンデンサの製造方法 - Google Patents
コンデンサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5079850B2 JP5079850B2 JP2010150888A JP2010150888A JP5079850B2 JP 5079850 B2 JP5079850 B2 JP 5079850B2 JP 2010150888 A JP2010150888 A JP 2010150888A JP 2010150888 A JP2010150888 A JP 2010150888A JP 5079850 B2 JP5079850 B2 JP 5079850B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- capacitor
- constant current
- semiconductor layer
- jig
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 126
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 157
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 119
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 33
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 29
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 28
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 27
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 Ta 2 O 5 Chemical class 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N dioxolead Chemical compound O=[Pb]=O YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N tungsten(iv) oxide Chemical compound O=[W]=O DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N niobium monoxide Chemical compound [Nb]=O BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1,2-dimethylbenzimidazole Chemical compound ClC1=CC=C2N(C)C(C)=NC2=C1 FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-N 9,10-dioxoanthracene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2S(=O)(=O)O JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000001741 Ammonium adipate Substances 0.000 description 1
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N Oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 235000019293 ammonium adipate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- AJFGAOLLUBJXNE-UHFFFAOYSA-N iron;naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound [Fe].C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 AJFGAOLLUBJXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009940 knitting Methods 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011536 re-plating Methods 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 235000015393 sodium molybdate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011684 sodium molybdate Substances 0.000 description 1
- TVXXNOYZHKPKGW-UHFFFAOYSA-N sodium molybdate (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O TVXXNOYZHKPKGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDKPSXWGRWWLKR-UHFFFAOYSA-M sodium;9,10-dioxoanthracene-1-sulfonate Chemical compound [Na+].O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2S(=O)(=O)[O-] SDKPSXWGRWWLKR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 125000004417 unsaturated alkyl group Chemical group 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Description
このような固体電解コンデンサは、表面層に微細な細孔を有するアルミニウム箔や、内部に微小な細孔を有するタンタル粉の焼結体を一方の電極(導電体)とし、該電極の表層に形成した誘電体層と該誘電体層上に設けられた他方の電極(通常は、半導体層)とから構成されている。
例えば、極端な場合、1つの導電体が不良(ほとんどショート)となり、この導電体に電流が集中し、他の導電体にはほとんど電流が流れなくなることがあった。
1.表面に誘電体層を形成した複数個の導電体に通電手法により半導体層を形成するための冶具であって、複数個の電流吐き出し型の定電流源を有し、その各出力に前記導電体用の接続端子が電気的に直列に接続されていることを特徴とするコンデンサ製造用冶具。
2.複数個の導電体に通電方法により誘電体層及び半導体層を形成するための冶具であって、各導電体の接続端子それぞれにカソードが接続されたダイオードを有し、それらダイオードの各アノードが電気的に接続され、かつ複数個の電流吐き出し型の定電流源を有し、その各出力に前記導電体用の接続端子が電気的に接続されていることを特徴とするコンデンサ製造用冶具。
3.複数個の電流吐き出し型の定電流源が、各アノードが電気的に接続された複数の定電流ダイオードで構成され、その各カソードを出力とするものである前記1または2に記載のコンデンサ製造用冶具。
4.導電体用の接続端子と電流吐き出し型の定電流源の出力とがケーブルを介して電気的に接続されている前記1または2に記載のコンデンサ製造用冶具。
5.定電流ダイオードの各アノードが電気的に接続されている端子を有する前記2または3に記載のコンデンサ製造用冶具。
6.さらに各導電体の接続端子それぞれにカソードが接続されたダイオードを有し、それらダイオードの各アノードが電気的に接続された端子を有する前記1乃至5のいずれかに記載のコンデンサ製造用冶具。
7.導電体用の接続端子が、ソケット構造を有する前記1乃至6のいずれかに記載のコンデンサ製造用冶具。
8.導電体用の接続端子が、金属板である前記1乃至7のいずれかに記載のコンデンサ製造用冶具。
9.導電体用の接続端子が、印刷手法によって形成される箔状金属材料である前記1乃至8のいずれかに記載のコンデンサ製造用冶具。
10.導電体用の接続端子が、櫛状である前記8または9に記載のコンデンサ製造用冶具。
11.前記1乃至10のいずれかに記載のコンデンサ製造用冶具を用いることを特徴とするコンデンサの製造方法。
12.表面に誘電体層を形成した導電体を一方の電極とし、他方の電極を通電手法により半導体層を形成して作成するコンデンサの製造方法において、定電流源により通電することを特徴とするコンデンサの製造方法。
13.定電流源が、定電流ダイオードにより構成される前記12に記載のコンデンサの製造方法。
14.コンデンサ製造用冶具の各導電体用の接続端子に接続された誘電体層を有する導電体を、半導体層形成溶液中で、導電体側を陽極に、半導体層形成溶液中に設けた電極を陰極にして通電手法により半導体層を形成することを特徴とする前記11に記載のコンデンサの製造方法。
15.導電体の表面への誘電体層と半導体層の形成とを同一のコンデンサ製造用冶具で行なう前記11に記載のコンデンサの製造方法。
16.前記11乃至15のいずれか1項に記載の方法を使用して作製されたコンデンサ群。
本発明に使用される導電体の例として、金属、無機半導体、有機半導体、カーボン、これらの少なくとも1種の混合物、それらの表層に導電体を積層した積層体が挙げられる。
式(1)乃至(3)で示される繰り返し単位を含む高分子としては、例えば、ポリアニリン、ポリオキシフェニレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリメチルピロール、及びこれらの置換誘導体や共重合体などが挙げられる。中でも、ポリピロール、ポリチオフェン及びこれらの置換誘導体(例えば、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)等)が好ましい。
上記有機半導体及び無機半導体として、電導度10-2〜103S/cmの範囲のものを使用すると、作製したコンデンサのESR値が小さくなり好ましい。
以下、主に定電流源として定電流ダイオードを用いた例について説明するが、定電流源はこれに限定されるものではない。
本発明のコンデンサ製造用冶具は、電流吐き出し型の定電流源を有し、その各出力に前記導電体用の接続端子が電気的に直列に接続されたものである。定電流源を定電流ダイオードを用いて構成した場合、例えば、複数個の定電流ダイオードの各アノードが電気的に接続されていて、各定電流ダイオードのカソードに前記導電体用の接続端子が電気的に直列に接続された構成のものが挙げられる。図1に、板状のコンデンサ製造用冶具の1例の模式図を示す。絶縁性基板(2)に定電流ダイオード(1)が複数個(2)に並列に載置され互いに接続されている。各定電流ダイオード(1)のアノード(図中(1)の上端部)は、電気的に図中左の端子(3)(以下、「集電端子」と記すことがある。)に接続されている。カソード(1a)は、導電体用の接続端子(4)に接続され、各接続端子(4)の他端は電気的に開放されている。図1の構成の冶具は、各接続端子(4)に前述した表面に誘電体層を形成した導電体(図示していない。)が接続され実用に供される。
コンデンサ製造用冶具の導電体用の接続端子に、表面に誘電体層を有する導電体を各1個、寸法を合わせて接続し、各導電体のみを半導体層形成溶液に漬け、定電流ダイオード側を陽極とし、半導体層形成溶液中に設けた外部電極を陰極として通電手法により半導体層を形成することができる。
また、実施例で示したように、導電体層の表面に形成された誘電体層に電気的な微小欠陥部を作製した後に本発明の方法によって半導体層を形成してもよい。
コンデンサ製造用冶具の接続端子に、導電体を各1個ずつ位置を合わせて接続した後、各導電体を化成溶液に漬け、例えば、化成用給電端子を陽極に、化成溶液中に設けた外部電極を陰極にして誘電体層を形成することができる。化成溶液には、有機酸または塩(例えば、アジピン酸、酢酸、アジピン酸アンモニウム、安息香酸)、無機酸または塩(例えば、燐酸、珪酸、燐酸アンモニウム、珪酸アンモニウム、硫酸、硫酸アンモニウム)等の従来公知の電解質が溶解またはけん濁している。化成温度、時間、電流値、電圧等の条件は、使用する導電体の種類、大きさ、質量、目的とするコンデンサの規格を考慮して予備実験によって決定される。導電体層表面に誘電体層を形成した後、化成用給電端子からの給電を止め、洗浄、乾燥後、前述した半導体層形成方法と同様にして、絶縁性基板表面の端子または定電流ダイオード群の端子から通電することにより前記誘電体層を形成した導電体の誘電体層上に半導体層を形成することができる。
ソケット構造の接続端子とは、導電体が棒状の場合または導電体にリード線が接続された構造の導電体の場合に棒状の導電体またはリード線をソケット部に差し込むことによって導電体との接続を図るものであり、ソケット部が金属材料で構成されていて導電体と電気的な接続が可能である。ソケット部を構成する金属材料としては、例えば銅、鉄、銀、アルミニウムから選ばれた金属の少なくとも1種を主成分とする金属または合金であり、表面に錫メッキ、半田メッキ、ニッケルメッキ、金メッキ、銀メッキ、銅メッキ等の従来公知のメッキを少なくとも1種施しておいてもよい。
導電ペーストは、樹脂と金属等の導電粉を主成分とし、場合によっては樹脂を溶解するための溶媒や樹脂の硬化剤等を含有してもよい。溶媒はペースト固化時に飛散する。
具体的には、例えば他方の電極上にカーボンペースト、銀ペーストを順次積層しエポキシ樹脂のような材料で封止してコンデンサが構成される。このコンデンサは、導電体に前もって接続された、または後で接続された金属線からなるリードを有していてもよい。
これらの中でも、とりわけ樹脂モールド外装を行ったチップ状コンデンサが、小型化と低コスト化が行えるので好ましい。
また本発明で製造されたコンデンサ群は、パソコン、サーバー、カメラ、ゲーム機、DVD、AV機器、携帯電話等のデジタル機器や各種電源等の電子機器に利用可能である。
1.コンデンサ製造用冶具の作製
長さ320mm、幅30mm、厚さ2mmのポリイミド板(2)に印刷配線により一方の面(以下、これを表面とする。)に図1のような導電体用の接続端子(4)(導電体のリード接続位置を示す印が打たれている。)と定電流ダイオード(1)の各アノードを接続して板左側(本実施例では上下左右は図1に従う。)の端子(3)に至る回路、及び他方の面(以下、これを裏面とする。)に図3に示した表面の導電体用の接続端子とのみ電気的に接続した回路(表面から見て整流ダイオード(8)(10D−1、日本インター(株)製)を介して右側の化成用の給電端子(7)に至る。)を形成した。導電体用の接続端子(4)は、60個等間隔で設置されている。定電流ダイオードとして石塚電子製のE―101Lから40μA以下のものを選別し、板上(2)の定位置(導電体用の接続端子(4)の板中央側と左側端子(3)に至る回路のアノード側)に半田で接続した。
CV8万μF・V/gのタンタル焼結体(大きさ4×3×1mm、質量72mg、引き出しリード線0.29mmφが7mm表面に出ている)を導電体として使用した。リード線に後工程の半導体層形成時の溶液はねあがり防止のためテトラフルオロエチレン製ワッシャーを装着させた。このようにした導電体を前述したコンデンサ製造用冶具の接続端子に方向、高さを揃えて溶接で接続した。コンデンサ製造用冶具を計10枚用意し(導電体が、計600個接続されている)、7mm間隔で冶具を並列できるフレーム(コンデンサ製造用治具の左右両端を保持し、電気的に左右の保持部分間が絶縁されていて、左側は冶具表面の半導体形成用の端子に電気的に接続され、右側は冶具裏面の化成用の給電端子に電気的に接続される金属製フレーム)に設置した。
次いでフレームを20%モリブデン酸ナトリウム水溶液が入った槽と10%水素化ホウ素ナトリウム水溶液が入った槽とに交互に導電体部分が漬かるように設置することを複数回繰り返すことにより、誘電体層に電気的な微小欠陥部分を作製した。
上記実施例1において、本発明のコンデンサ製造用冶具を介さずに、導電体に直接8V、1時間通電して半導体層を形成して比較用コンデンサを作製した。比較用コンデンサの場合、470〜490μFの個数285個、490〜510μFの個数54個、510〜530μFの個数16個、530〜550μFの個数3個、450〜470μFの個数144個、430〜450μFの個数71個、380〜430μFの個数27個の容量分布を持っていた。
実施例1及び比較例1から、実施例1で得られたコンデンサ群は、明らかに比較例1で得られたコンデンサ群よりも容量分布が狭くなっていることがわかる。
1.コンデンサ製造用冶具の作製
長さ320mm、幅30mm、厚さ1.2mmのガラスエポキシ板(2)に印刷配線により一方の面(表面とする。)に図4の回路、他方の面(裏面とする)に図5の回路を形成した。すなわち、導電体用のソケット構造の接続端子(4)と定電流ダイオード(1)の各アノードを接続して板左側の集電端子(3)に至る回路、及び板表面の接続端子(4)と接続して定電流ダイオードと交互に並列した整流ダイオード(8)を介してスルーホール(9)から板裏面の化成用給電端子(7)に至る回路を形成した。導電体用の接続端子は、(株)常盤商行のPCDレセプタクル399シリーズ2.54mmピッチ64ピンの丸ピンDIPソケット構造の接続端子を使用し、ガラスエポキシ板に同ソケットに対応する64個のスルーホールを設け、これにソケットピンを差し込み半田で接続した。定電流ダイオードとして石塚電子製のE−101Lから40〜70μAのものを選別し、また整流ダイオードは、日本インター(株)製EP05DA40を使用し、それぞれ半田で接続した。
CV7万μF・V/gのタンタル焼結体(大きさ4.1×3×1.5mm、質量115mg、引き出しリード線0.52mmφが内部に4mm、表面に10mm出ている)を導電体として使用した。リード線に後工程の半導体層形成時の溶液はねあがり防止のためテトラフルオロエチレン製ワッシャーを装着させた。このように構成した導電体を前述したコンデンサ製造用冶具の接続端子に方向を揃えて差し込んだ。
上記実施例1において、本発明のコンデンサ製造用冶具を介さずに、導電体に直接11Vで30分間通電して半導体層を形成して比較用コンデンサを作製した。比較用コンデンサの場合、720〜645μFの個数351個、720〜750μFの個数25個、750〜780μFの個数2個、645〜610μFの個数157個、610〜575μFの個数88個、575〜540μFの個数13個、540〜510μFの個数4個の容量分布を持っていた。
1a カソード
2 絶縁性基板
3 集電端子
4 導電体用の接続端子
5 ケーブル端子
6 電子部材
7 化成用給電端子
8 整流用ダイオード
9 スルーホール
Claims (3)
- 表面に誘電体層を形成した導電体を一方の電極とし、他方の電極を通電手法により半導体層を形成して作成するコンデンサの製造方法において、複数個の、各導電体に流れる電流が一定となるように制御された定電流を吐き出す定電流源を有し、かつ、その各出力に電気的に直列に接続されている前記導電体用の接続端子を有する冶具を用い、前記接続端子に前記導電体を接続し、半導体層形成溶液中で前記定電流源より前記導電体に通電することにより、複数個の前記導電体に同時に半導体層の形成をすることを特徴とするコンデンサの製造方法。
- 前記治具の定電流源が、各アノードが電気的に接続された複数の定電流ダイオードで構成され、その各カソードを出力とするものである請求項1に記載のコンデンサの製造方法。
- 前記治具が、定電流ダイオードの各アノードが電気的に接続されている端子を有し、該端子に通電ことにより前記半導体層の形成をする請求項2に記載のコンデンサの製造用方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010150888A JP5079850B2 (ja) | 2003-07-10 | 2010-07-01 | コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003194846 | 2003-07-10 | ||
JP2003194846 | 2003-07-10 | ||
JP2004023120 | 2004-01-30 | ||
JP2004023120 | 2004-01-30 | ||
JP2010150888A JP5079850B2 (ja) | 2003-07-10 | 2010-07-01 | コンデンサの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004202561A Division JP5025897B2 (ja) | 2003-07-10 | 2004-07-09 | コンデンサ製造用冶具、コンデンサの製造方法及びコンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010245555A JP2010245555A (ja) | 2010-10-28 |
JP5079850B2 true JP5079850B2 (ja) | 2012-11-21 |
Family
ID=36046666
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004202561A Active JP5025897B2 (ja) | 2003-07-10 | 2004-07-09 | コンデンサ製造用冶具、コンデンサの製造方法及びコンデンサ |
JP2010150888A Active JP5079850B2 (ja) | 2003-07-10 | 2010-07-01 | コンデンサの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004202561A Active JP5025897B2 (ja) | 2003-07-10 | 2004-07-09 | コンデンサ製造用冶具、コンデンサの製造方法及びコンデンサ |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7819928B2 (ja) |
EP (1) | EP1644947B1 (ja) |
JP (2) | JP5025897B2 (ja) |
KR (1) | KR101098797B1 (ja) |
CN (1) | CN1820334B (ja) |
MX (1) | MXPA06000351A (ja) |
TW (1) | TWI400732B (ja) |
WO (1) | WO2005006360A2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101147712B1 (ko) | 2005-03-24 | 2012-05-23 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 고체전해 콘덴서의 제조장치 및 제조방법 |
TWI437591B (zh) * | 2005-10-27 | 2014-05-11 | Showa Denko Kk | Manufacturing container for capacitor element manufacturing, manufacturing method of capacitor element, and method for manufacturing capacitor |
JP4627031B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2011-02-09 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ製造用冶具の反り防止法 |
WO2007061034A1 (ja) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Showa Denko K. K. | コンデンサ素子製造用冶具及びコンデンサ素子の製造方法 |
US7832618B2 (en) * | 2007-01-31 | 2010-11-16 | Avx Corporation | Termination bonding |
WO2010107011A1 (ja) | 2009-03-17 | 2010-09-23 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサ素子、その製造方法及びその製造用冶具 |
EP2502295A1 (en) * | 2009-11-19 | 2012-09-26 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Silicon-air batteries |
WO2011074512A1 (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-23 | 昭和電工株式会社 | ソケット及び該ソケットを用いたコンデンサ素子製造用治具 |
JP5925682B2 (ja) | 2010-09-17 | 2016-05-25 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサ素子、その製造方法及びその製造用冶具 |
CN106415760A (zh) * | 2014-01-20 | 2017-02-15 | 昭和电工株式会社 | 钨固体电解电容器元件的制造方法 |
KR101581913B1 (ko) | 2014-03-14 | 2016-01-11 | (주)피스코엔지니어링 | 세라믹 도포 성형시스템 |
KR101579953B1 (ko) | 2014-03-14 | 2015-12-23 | (주)피스코엔지니어링 | 세라믹 도포 성형기용 고정지그 |
KR101652052B1 (ko) | 2015-09-03 | 2016-08-29 | (주)피스코엔지니어링 | 세라믹 도포 성형기용 고정지그 |
CN110931257A (zh) * | 2018-09-19 | 2020-03-27 | 钰冠科技股份有限公司 | 电容器组件的前处理设备与电容器组件的快速制造方法 |
CN110010377B (zh) * | 2019-04-12 | 2020-11-27 | 西安太乙电子有限公司 | 一种表贴瓷介电容安装老炼装置及方法 |
CN110744196B (zh) * | 2019-11-13 | 2021-09-28 | 兰泽(荆门)智能科技有限公司 | 一种直线式电容器焊接机 |
CN112837948B (zh) * | 2021-02-05 | 2022-03-11 | 富之光电子科技(韶关)有限公司 | 一种贴片电容器的加工设备 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4192721A (en) * | 1979-04-24 | 1980-03-11 | Baranski Andrzej S | Method for producing a smooth coherent film of a metal chalconide |
GB2026773B (en) | 1979-06-19 | 1982-09-02 | Lignes Telegraph Telephon | Process for the manufacture of tantalum solid electrolyte capacitors |
JPS6023494B2 (ja) | 1980-07-28 | 1985-06-07 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JPH0722080B2 (ja) | 1986-02-12 | 1995-03-08 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサの製造法 |
JPH0763045B2 (ja) | 1986-07-23 | 1995-07-05 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ |
JPH0785461B2 (ja) | 1986-07-29 | 1995-09-13 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ |
JPH0751729B2 (ja) * | 1986-08-28 | 1995-06-05 | 株式会社豊田自動織機製作所 | 繊維集積体の製造方法並びに装置 |
JPS6357733U (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-18 | ||
JPS63249323A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-17 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP2632909B2 (ja) | 1988-04-06 | 1997-07-23 | 日本ケミコン株式会社 | 電解コンデンサのエージング装置 |
JP2836098B2 (ja) * | 1989-05-12 | 1998-12-14 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JPH0682592B2 (ja) | 1989-06-05 | 1994-10-19 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JPH03141630A (ja) | 1989-10-26 | 1991-06-17 | Hitachi Aic Inc | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JPH04236415A (ja) | 1991-01-18 | 1992-08-25 | Showa Denko Kk | 積層型固体電解コンデンサの製造方法 |
JPH0521286A (ja) | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Marcon Electron Co Ltd | 電解コンデンサのエージング方法 |
JPH06196376A (ja) | 1992-12-22 | 1994-07-15 | Nippon Chemicon Corp | 陽極部材の処理方法 |
JPH07226338A (ja) | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JPH0917685A (ja) | 1995-06-27 | 1997-01-17 | Murata Mfg Co Ltd | コンデンサおよびその製造方法 |
JPH09102442A (ja) | 1995-10-02 | 1997-04-15 | Matsuo Denki Kk | 無極性固体電解コンデンサの製造方法 |
JPH09213575A (ja) | 1996-02-06 | 1997-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP3035492B2 (ja) * | 1996-03-28 | 2000-04-24 | 株式会社トーキン | 積層セラミック部品 |
JP3408125B2 (ja) | 1997-11-14 | 2003-05-19 | 三洋電機株式会社 | 有機固体電解コンデンサの製造方法及び製造装置 |
US6139592A (en) * | 1997-06-19 | 2000-10-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Process and apparatus for producing organic solid electrolyte capacitor |
JP3712656B2 (ja) * | 2001-10-24 | 2005-11-02 | シーケーディ株式会社 | 電解コンデンサのエージング装置 |
US6671168B2 (en) * | 2001-11-30 | 2003-12-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
JP2003272954A (ja) | 2002-03-19 | 2003-09-26 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP4056445B2 (ja) | 2003-08-25 | 2008-03-05 | コーア株式会社 | 金属抵抗器 |
-
2004
- 2004-07-07 TW TW093120367A patent/TWI400732B/zh active
- 2004-07-09 JP JP2004202561A patent/JP5025897B2/ja active Active
- 2004-07-09 KR KR1020067000600A patent/KR101098797B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-09 WO PCT/JP2004/010163 patent/WO2005006360A2/en active Application Filing
- 2004-07-09 US US10/563,880 patent/US7819928B2/en active Active
- 2004-07-09 CN CN200480019757XA patent/CN1820334B/zh active Active
- 2004-07-09 MX MXPA06000351A patent/MXPA06000351A/es active IP Right Grant
- 2004-07-09 EP EP04747629.6A patent/EP1644947B1/en active Active
-
2010
- 2010-07-01 JP JP2010150888A patent/JP5079850B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005006360A3 (en) | 2005-03-31 |
JP5025897B2 (ja) | 2012-09-12 |
US20070101565A1 (en) | 2007-05-10 |
EP1644947A4 (en) | 2007-08-22 |
KR20060032198A (ko) | 2006-04-14 |
TWI400732B (zh) | 2013-07-01 |
EP1644947B1 (en) | 2016-06-08 |
US7819928B2 (en) | 2010-10-26 |
WO2005006360A2 (en) | 2005-01-20 |
KR101098797B1 (ko) | 2011-12-26 |
US20090241311A2 (en) | 2009-10-01 |
CN1820334B (zh) | 2010-09-08 |
JP2005244154A (ja) | 2005-09-08 |
MXPA06000351A (es) | 2006-08-31 |
CN1820334A (zh) | 2006-08-16 |
TW200511343A (en) | 2005-03-16 |
JP2010245555A (ja) | 2010-10-28 |
EP1644947A2 (en) | 2006-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5079850B2 (ja) | コンデンサの製造方法 | |
US7837185B2 (en) | Jig for producing capacitors, apparatus for producing capacitors and method for producing capacitors | |
JP4614269B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
US7919383B2 (en) | Capacitor element manufacturing jig and capacitor element manufacturing method | |
JP4717824B2 (ja) | コンデンサ素子製造用反応容器、コンデンサ素子の製造方法及びコンデンサ素子並びにコンデンサ | |
KR101477446B1 (ko) | 연결 소켓, 상기 연결 소켓을 사용한 콘덴서 소자 제조용 지그, 콘덴서 소자의 제조 방법, 및 콘덴서의 제조 방법 | |
US8559163B2 (en) | Reaction vessel for producing capacitor element, production method for capacitor element, capacitor element and capacitor | |
JP4049804B2 (ja) | コンデンサ素子製造用反応容器、コンデンサ素子の製造方法およびコンデンサの製造方法 | |
JP4404730B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP3992706B2 (ja) | コンデンサの製造方法 | |
US8198126B2 (en) | Method for producing solid electrolytic capacitor | |
JP2005101592A (ja) | 焼結体及びその焼結体を使用したチップ状固体電解コンデンサ | |
WO2013099361A1 (ja) | コンデンサ素子製造用治具及びコンデンサ素子の製造方法 | |
JP2005109466A (ja) | コンデンサ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120803 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120828 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120829 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150907 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5079850 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |