JPS6023494B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS6023494B2 JPS6023494B2 JP55103373A JP10337380A JPS6023494B2 JP S6023494 B2 JPS6023494 B2 JP S6023494B2 JP 55103373 A JP55103373 A JP 55103373A JP 10337380 A JP10337380 A JP 10337380A JP S6023494 B2 JPS6023494 B2 JP S6023494B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor element
- capacitor
- conductive member
- reconversion
- solid electrolytic
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関し、特に半
導体層形成工程後に行われるコンデンサェレメントの再
化成処理に原因して発生する不良を低減させることを目
的とするものである。
導体層形成工程後に行われるコンデンサェレメントの再
化成処理に原因して発生する不良を低減させることを目
的とするものである。
一般に固体電解コンデンサは例えば第１図に示すように
、タンタル−ニオブ，アルミニウムなどのように弁作用
を有する金属粉末を円柱状に加圧成形し糠結してなるコ
ンデンサヱレメントＡに予め弁作用を有する金属線を陽
極リードＢとして楢立し、この陽極リードＢの突出部分
に第１の外部リード部材Ｃを溶接すると共に、第２の外
部リード部材ＤをコンデンサェレメントＡの周面に酸化
層Ｅ，半導体層Ｆを介して形成された電極引出し層Ｇに
半田付けし、然る後、コンデンサェレメントＡの全周面
を樹脂材印こて被覆して構成されている。ところで、こ
のコンデンサェレメントＡの表面には化成処理による誘
電体としての酸化層Ｅが形成され、さらにその上に二酸
化マンガンなどの半導体層Ｆが形成されているのである
が、特に半導体層形成工程において、２００〜４００ｑ
ｏの加熱処理が行われることもあって、酸化層が劣化し
漏洩電流特性などが損なわれる傾向にある。
、タンタル−ニオブ，アルミニウムなどのように弁作用
を有する金属粉末を円柱状に加圧成形し糠結してなるコ
ンデンサヱレメントＡに予め弁作用を有する金属線を陽
極リードＢとして楢立し、この陽極リードＢの突出部分
に第１の外部リード部材Ｃを溶接すると共に、第２の外
部リード部材ＤをコンデンサェレメントＡの周面に酸化
層Ｅ，半導体層Ｆを介して形成された電極引出し層Ｇに
半田付けし、然る後、コンデンサェレメントＡの全周面
を樹脂材印こて被覆して構成されている。ところで、こ
のコンデンサェレメントＡの表面には化成処理による誘
電体としての酸化層Ｅが形成され、さらにその上に二酸
化マンガンなどの半導体層Ｆが形成されているのである
が、特に半導体層形成工程において、２００〜４００ｑ
ｏの加熱処理が行われることもあって、酸化層が劣化し
漏洩電流特性などが損なわれる傾向にある。
従って、従来においては例えば第２図に示すように、コ
ンデンサェレメントＡを再化成液に浸潰し、コンデンサ
ェレメントＡ及び再化成液に、コンデンサェレメントＡ
がプラス，再化成液がマイナスとなるように直流電圧を
印加することによって再化成処理が行われている。
ンデンサェレメントＡを再化成液に浸潰し、コンデンサ
ェレメントＡ及び再化成液に、コンデンサェレメントＡ
がプラス，再化成液がマイナスとなるように直流電圧を
印加することによって再化成処理が行われている。
この処理によって大部分のコンデンサェレメントＡにお
ける酸化層Ｅは修復され、品位の高いコンデンサを得る
ことができるものである。しかし乍ら、半導体層形成工
程などにおいて、酸化層Ｅの劣化が甚しいコンデンサェ
レメントＡにあっては酸化層Ｅが修復されることなく、
再化成電圧の印加によって逆に酸化層Ｅが一層破壊され
てしまい、過大な電流が集中的に流れるようになる。
ける酸化層Ｅは修復され、品位の高いコンデンサを得る
ことができるものである。しかし乍ら、半導体層形成工
程などにおいて、酸化層Ｅの劣化が甚しいコンデンサェ
レメントＡにあっては酸化層Ｅが修復されることなく、
再化成電圧の印加によって逆に酸化層Ｅが一層破壊され
てしまい、過大な電流が集中的に流れるようになる。
このようなコンデンサエレメントＡはコンデンサとして
の機能が全く消失し不良となるのであるが、それの周辺
の位置するコンデンサェレメントＡも製品後において耐
電圧特性の劣化などによって不良となり、酸化層形成時
の電圧に対する再化成電圧の比率が高くなればなる程、
その不良発生率も増加するようになる。この原因につい
ては、過大な電流が流れたコンデンサェレメントＡの周
辺に位置するコンデンサェレメントＡの外表面が黒褐色
などに変色していることから、半導体層Ｆとして用いて
いる二酸化マンガンなどによりマンガンイオンなどが遊
離して付着することによって特性劣化させているように
考えられる。
の機能が全く消失し不良となるのであるが、それの周辺
の位置するコンデンサェレメントＡも製品後において耐
電圧特性の劣化などによって不良となり、酸化層形成時
の電圧に対する再化成電圧の比率が高くなればなる程、
その不良発生率も増加するようになる。この原因につい
ては、過大な電流が流れたコンデンサェレメントＡの周
辺に位置するコンデンサェレメントＡの外表面が黒褐色
などに変色していることから、半導体層Ｆとして用いて
いる二酸化マンガンなどによりマンガンイオンなどが遊
離して付着することによって特性劣化させているように
考えられる。
通常、再化成電圧は酸化層Ｅの工程劣化に関連して化成
電圧より低く設定しなければならないのであるが、化成
電圧に近似させることができればできる程、良品として
残存するコンデンサェレメントＡの特性グレードは高く
なり、好ましいものである。
電圧より低く設定しなければならないのであるが、化成
電圧に近似させることができればできる程、良品として
残存するコンデンサェレメントＡの特性グレードは高く
なり、好ましいものである。
しかし乍ら、上述のように多くのコンデンサェレメント
Ａの中には再化成処理中に不良になるものがあり、これ
に原因してさらに多くの不良が発生することもあって、
やむなく再化成電圧はそのような不良発生を極力抑制し
うるような低い電圧に設定されているために、特性グレ
ードの高いコンデンサを得ることが難しいという問題が
ある。
Ａの中には再化成処理中に不良になるものがあり、これ
に原因してさらに多くの不良が発生することもあって、
やむなく再化成電圧はそのような不良発生を極力抑制し
うるような低い電圧に設定されているために、特性グレ
ードの高いコンデンサを得ることが難しいという問題が
ある。
本発明はこのような点に鑑み、再化成処理時に特定のコ
ンデンサヱレメントが不良になっても、その周辺のコン
デンサェレメントに対する悪影響を極力軽減させうる固
体電解コンデサの製造方法を提供するもので、以下にそ
の−製造方法について第３図〜第４図を参照して説明す
る。まず、第３図に示すように、弁作用を有する金属粉
末を円柱状に加圧成形し競結してなるコンデンサェレメ
ントーに予め弁作用を有する金属線を陽極リード２とし
て楢立する。
ンデンサヱレメントが不良になっても、その周辺のコン
デンサェレメントに対する悪影響を極力軽減させうる固
体電解コンデサの製造方法を提供するもので、以下にそ
の−製造方法について第３図〜第４図を参照して説明す
る。まず、第３図に示すように、弁作用を有する金属粉
末を円柱状に加圧成形し競結してなるコンデンサェレメ
ントーに予め弁作用を有する金属線を陽極リード２とし
て楢立する。
そして、このコンデンサェレメント１を帯状の金属板よ
りなるホルダー３に、陽極リード２の上端部分を一定の
ピッチ間隔にて固定することによって吊設し、帯状部品
４を形成する。そして、コンデンサェレメント１の表面
に通常の方法によって酸化層５，半導体層６を順次に形
成する。次に、第４図に示すように、容器７に一定のピ
ッチ間隔でかつ傾斜状態に固定された線状の導電部材８
に対し、帯状部品４を、それのコンデンサェレメント１
の底面が当接ないし近接されるように傾斜して整列固定
する。そして、容器７の一方の壁面７ａの上方に配列さ
れたパイプ９より再化成液１０を導電部材８に供給する
。すると、この再化成液１０１ま導電部材８に沿って流
下すると共に、それぞれのコンデンサヱレメント１１こ
接触し内部に含浸される。この状態において、ホルダー
３，導電部材８に、ホルダー３がプラス，導電部材がマ
イナスとなるように直流電圧を印加すると、それぞれの
コンデンサェレメントーは再化成される。そして、導電
部材８に沿って流下した再化成液１川ま容器７の他方の
壁面７ｂに配設されたパイプ１１によって排出される。
尚、この状態において、何らかの原因によって特定のコ
ンデンサェレメント１の酸化層５が破壊され、過大な電
流が流れた場合、半導体層６として二酸化マンガンを用
いていると、多量のマンガンイオンが遊離されるのであ
るが、再化成液１０の流下によって洗い流される関係で
、周辺のコンデンサェレメントーに付着することはない
。以下、通常の方法によって固体電解コンデンサを得る
。このようにコンデンサェレメントーの再化成処理に際
し、それぞれのコンデンサェレメント１には導電部材３
に沿って流下する再化成液１０がほぼ独立した状態で接
触しているために、仮に特定のコンデンサェレメント１
の不良に原因して多量のマンガンが遊離しても直ちに洗
い流されてしまう。
りなるホルダー３に、陽極リード２の上端部分を一定の
ピッチ間隔にて固定することによって吊設し、帯状部品
４を形成する。そして、コンデンサェレメント１の表面
に通常の方法によって酸化層５，半導体層６を順次に形
成する。次に、第４図に示すように、容器７に一定のピ
ッチ間隔でかつ傾斜状態に固定された線状の導電部材８
に対し、帯状部品４を、それのコンデンサェレメント１
の底面が当接ないし近接されるように傾斜して整列固定
する。そして、容器７の一方の壁面７ａの上方に配列さ
れたパイプ９より再化成液１０を導電部材８に供給する
。すると、この再化成液１０１ま導電部材８に沿って流
下すると共に、それぞれのコンデンサヱレメント１１こ
接触し内部に含浸される。この状態において、ホルダー
３，導電部材８に、ホルダー３がプラス，導電部材がマ
イナスとなるように直流電圧を印加すると、それぞれの
コンデンサェレメントーは再化成される。そして、導電
部材８に沿って流下した再化成液１川ま容器７の他方の
壁面７ｂに配設されたパイプ１１によって排出される。
尚、この状態において、何らかの原因によって特定のコ
ンデンサェレメント１の酸化層５が破壊され、過大な電
流が流れた場合、半導体層６として二酸化マンガンを用
いていると、多量のマンガンイオンが遊離されるのであ
るが、再化成液１０の流下によって洗い流される関係で
、周辺のコンデンサェレメントーに付着することはない
。以下、通常の方法によって固体電解コンデンサを得る
。このようにコンデンサェレメントーの再化成処理に際
し、それぞれのコンデンサェレメント１には導電部材３
に沿って流下する再化成液１０がほぼ独立した状態で接
触しているために、仮に特定のコンデンサェレメント１
の不良に原因して多量のマンガンが遊離しても直ちに洗
い流されてしまう。
このために、マンガンイオンの周辺のコンデンサェレメ
ント１への付着を防止でき、特性劣化も防止できる。又
、コンデンサェレメントーに当援ないし近接する導電部
材８を複数本並設すれば、導電部材８に沿って流下する
再化成液１０の液量が増加するために、上述のようにコ
ンデンサェレメント１の不良によて多量のマンガンイオ
ンが遊離しても、周辺のコンデンサェレメント１への付
着を一層確実に防止できる。
ント１への付着を防止でき、特性劣化も防止できる。又
、コンデンサェレメントーに当援ないし近接する導電部
材８を複数本並設すれば、導電部材８に沿って流下する
再化成液１０の液量が増加するために、上述のようにコ
ンデンサェレメント１の不良によて多量のマンガンイオ
ンが遊離しても、周辺のコンデンサェレメント１への付
着を一層確実に防止できる。
特に再化成電圧を通常より高くすれば、再化成処理時に
いくらかのコンデンサヱレメントーは不良になるものの
、それの周辺のコンデンサェレメント１に対する悪影響
を防止できることもあって、再化成処理に耐え抜いたコ
ンデンサェレメント１の特性グレードは大中に改善でき
る。
いくらかのコンデンサヱレメントーは不良になるものの
、それの周辺のコンデンサェレメント１に対する悪影響
を防止できることもあって、再化成処理に耐え抜いたコ
ンデンサェレメント１の特性グレードは大中に改善でき
る。
しかも、これによって特性グレードを従来と同等程度に
設定すれば、その分だけコンデンサェレメントーを構成
する金属部材の使用量を節減でき、コストを低減できる
。
設定すれば、その分だけコンデンサェレメントーを構成
する金属部材の使用量を節減でき、コストを低減できる
。
次に具体的実施例について説明する。
タンタル粉末を用いて３．５ぐ×４．Ｗ吻の円柱状に加
圧成形し競結してなる３ＶＩＯＯ仏Ｆ用のコンデンサェ
レメントの表面に燐酸水溶液を化成液として酸化層（Ｔ
ａ２０５）を形成する。このコンデンサェレメントを硝
酸マンガン溶液に浸潰し、充分に含浸させた後、引上げ
て加熱処理することによって酸化層上に二酸化マンガン
層（半導体層）を形成する。このコンデンサェレメント
の底面を１．８０側のステンレス線よりなり、かつ３５
０の傾斜角に配設された導電部材に当援する。そして、
このコンデンサェレメントを２つのグループに分け、一
方のグループは再化成電圧を化成電圧の５０％に、他方
のグループは７０％に設定し、導電部材の上方に燐酸水
溶液を供給する。燐酸水溶液は導電部材に沿って流下す
ると共に、それぞれのコンデンサェレメントに接触し、
内部に含浸される。この状態でコンデンサェレメントは
再化成される。以下、通常の方法にて固体タンタル電解
コンデンサを製作する。このコンデンサの再化成工程に
おける不良発生率は下表に示す通りであった。
圧成形し競結してなる３ＶＩＯＯ仏Ｆ用のコンデンサェ
レメントの表面に燐酸水溶液を化成液として酸化層（Ｔ
ａ２０５）を形成する。このコンデンサェレメントを硝
酸マンガン溶液に浸潰し、充分に含浸させた後、引上げ
て加熱処理することによって酸化層上に二酸化マンガン
層（半導体層）を形成する。このコンデンサェレメント
の底面を１．８０側のステンレス線よりなり、かつ３５
０の傾斜角に配設された導電部材に当援する。そして、
このコンデンサェレメントを２つのグループに分け、一
方のグループは再化成電圧を化成電圧の５０％に、他方
のグループは７０％に設定し、導電部材の上方に燐酸水
溶液を供給する。燐酸水溶液は導電部材に沿って流下す
ると共に、それぞれのコンデンサェレメントに接触し、
内部に含浸される。この状態でコンデンサェレメントは
再化成される。以下、通常の方法にて固体タンタル電解
コンデンサを製作する。このコンデンサの再化成工程に
おける不良発生率は下表に示す通りであった。
上表より明らかなように、本発明品は従来品に比し、再
化成電圧が高くても低くても不良発生率は著しく減少し
ている。
化成電圧が高くても低くても不良発生率は著しく減少し
ている。
これは再化成処理時に発生した不良による周辺のコンデ
ンサェレメントへの悪影響が殆んでないことに原因して
いる。尚、本発明は何ら上記実施例にのみ制約されるこ
となく、例えばコンデンサェレメントは金属粉末を所望
形状に加圧成形する他、板材，線材などにて構成するこ
ともできる。又、導電部材は線村の他、板材を用いるこ
ともできる。以上のように本発明によれば、再化成処理
時に特定のコンデンサェレメントが不良になっても、そ
の周辺に位置するコンデンサェレメントに対する悪影響
を効果的に軽減でき、コンデンサとしての品位を高める
ことができる。
ンサェレメントへの悪影響が殆んでないことに原因して
いる。尚、本発明は何ら上記実施例にのみ制約されるこ
となく、例えばコンデンサェレメントは金属粉末を所望
形状に加圧成形する他、板材，線材などにて構成するこ
ともできる。又、導電部材は線村の他、板材を用いるこ
ともできる。以上のように本発明によれば、再化成処理
時に特定のコンデンサェレメントが不良になっても、そ
の周辺に位置するコンデンサェレメントに対する悪影響
を効果的に軽減でき、コンデンサとしての品位を高める
ことができる。
第１図は従来の固体電解コンデンサの側断面図、第２図
は再化成方法を説明するための側断面図、第３図〜第４
図は本発明方法の説明図であって、第３図はコンデンサ
ェレメントをホルダーに吊設した状態を示す側断面図、
第４図は再化成方法を説明するための要部破断側面図で
ある。 第１図第２図 第３図 第４図
は再化成方法を説明するための側断面図、第３図〜第４
図は本発明方法の説明図であって、第３図はコンデンサ
ェレメントをホルダーに吊設した状態を示す側断面図、
第４図は再化成方法を説明するための要部破断側面図で
ある。 第１図第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- １ 弁作用を有する金属部材にて構成され、かつその表
面に酸化層，半導体層の形成されたコンデンサエレメン
トを再化成処理するに際し、コンデンサエレメントを傾
斜状態にある導電部材に当接ないし近接することによつ
て導電部材に沿つて流下する再化成液に接触させること
を特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55103373A JPS6023494B2 (ja) | 1980-07-28 | 1980-07-28 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55103373A JPS6023494B2 (ja) | 1980-07-28 | 1980-07-28 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5728320A JPS5728320A (en) | 1982-02-16 |
| JPS6023494B2 true JPS6023494B2 (ja) | 1985-06-07 |
Family
ID=14352295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55103373A Expired JPS6023494B2 (ja) | 1980-07-28 | 1980-07-28 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6023494B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6311296U (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-25 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61153198A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-11 | Nippon Zeon Co Ltd | スケ−ル防止剤 |
| TWI400732B (zh) | 2003-07-10 | 2013-07-01 | Showa Denko Kk | Manufacturing method of capacitor for capacitor, capacitor manufacturing method and capacitor |
| JP2007012836A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Rohm Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
-
1980
- 1980-07-28 JP JP55103373A patent/JPS6023494B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6311296U (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5728320A (en) | 1982-02-16 |
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