TWI398732B - 波導組成物及自其形成之波導 - Google Patents

波導組成物及自其形成之波導 Download PDF

Info

Publication number
TWI398732B
TWI398732B TW094111450A TW94111450A TWI398732B TW I398732 B TWI398732 B TW I398732B TW 094111450 A TW094111450 A TW 094111450A TW 94111450 A TW94111450 A TW 94111450A TW I398732 B TWI398732 B TW I398732B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
composition
substituted
group
component
weight
Prior art date
Application number
TW094111450A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200606590A (en
Inventor
詹姆斯Ｇ 邪那特
尼可拉 布克里安若
馬修Ｌ 莫尼漢
鄭海賓
丹尼爾Ｅ 郎帝
納珊 帕洛斯基
Original Assignee
羅門哈斯電子材料有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 羅門哈斯電子材料有限公司 filed Critical 羅門哈斯電子材料有限公司
Publication of TW200606590A publication Critical patent/TW200606590A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI398732B publication Critical patent/TWI398732B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • G02B1/045—Light guides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/138—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using polymerisation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12133—Functions
    • G02B2006/1215—Splitter

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Description

波導組成物及自其形成之波導 相關申請之交互對照
本申請案主張2004年，四月14日提出申請的臨時申請案第60/562,059號在35 U. S. C.§119(e)下之權益，其整個揭示內容以引用方式併於本文。
本發明概括地有關波導領域。特別者，本發明係有關適合用來形成撓性光波導之組成物。本發明進一步有關形成撓性光波導之方法。此外，本發明也有關撓性光波導與包括撓性光波導之電子裝置。
使用光脈波序列的信號傳遞在高速通信中正逐增地變得重要起來。例如，光學積體電路(OICs)對於高帶寬光學互連(high bandwith optical interconnects)正獲得重要性。其結果，光學組件例如波導、濾波器、光學互連、透鏡、繞射光柵等之積體正逐增地變得重要。
光波導典型地係經由用包覆層(clad layer)包圍核心材料而構成者。因為包覆層具有比核心材料較低的折射率，所以光輻射係在核心材料之內傳遞。波導可以個別地使用或以經承載在基材的陣列形式使用。波導時常實施對光輻射的被動功能。舉例而言，分離器將一波導內的光學信號分割到二或更多波導之內；耦合器將來自二或更多波導的光學信號加到較少數目的波導之內；及波長分割多工轉換(wavelength division multiplexing)(“WDM”)結構體將輸入的光學信號分離成為光譜上離散的輸出信號，每一信號則耦合到個別的波導，通常係採用相陣列設計或光柵。光譜濾波器、偏振器，和隔離器都可以合併到波導。而且，波導可以另外包含主動功能性，其中輸入信號係經由與第二光學信號或電信號交互作用而變更。範例主動功能性包括放大和切換，例如電－光學、熱－光學或聲－光學裝置所帶有者。
波導基材包括，例如矽晶圓和電路背板等用於伺服器裝置者。處置波導而不會使核心及/或包覆材料內產生龜裂缺陷之能力係所需者。龜裂性質通常是因為塗覆材料中的脆性所致結果。許多種以有機聚合物為基底的波導例如聚醯亞胺類都具有撓性，不過仍具有其他缺陷例如濕氣吸收性、高耗損與高耗資。可以解決有機聚合物系統的多項短處之以矽為基底的系統通常為為脆質，會因為處置之結果導致龜裂缺陷。
光可成像(photoimageable)波導核心係業經提出者，其中塗層部份係經溶解在有機溶劑以產生合意的結構。此種技術具有需要使用難以棄置、廢棄物處理及/或包含在密閉環境的有機溶劑之缺點。所以有需要具有得以使用水性顯像劑來從光可成像塗料造出波導構造之選擇。
混合矽－碳聚合物系統業經提出以解決微電路應用之層間介電性塗層的脆性，特別是孔隙產生性組成物。頒給Chandross等人的美國專利第6,251,486號揭示出一種用於作為低介電性材料的改質甲基倍半矽氧烷組成物。該甲基倍半矽氧烷包括二甲基和苯基側基以提供比全甲基倍半矽氧烷更佳的龜裂抗性。例如，可以經由在塗覆之前，在聚合物摻加側基而使經塗覆物件達到抗龜裂性。側基與用量的選擇係有所限制。所以，宜於經由使用與要塗覆的組成物中所含聚合物分開的成分來改良撓性，以其可以用來增加適當材料的選擇和用量之故。因此在技藝中有需要適合用來製造光波導的組成物，該組成物要能提供有益的撓性特性。理想上，該組成物也能夠在水性顯影劑溶液顯影。而且，於技藝中也需要有從此等組成物形成的波導，此等波導的形成方法，以及包括此等波導的電子裝置。本發明可以解決一或多項前述此等技藝狀態的需求。
本發明的一態樣係提供組成物。該組成物包括具有式(RSiO1 . 5 )之單位（其中R為經取代或未經取代的有機基）與複數個官能性末端基之聚合物；其第一種成分係用以變更乾燥狀態的組成物在活化後的溶解度；而第二種成分，其包含複數個選自環氧基、氧雜環丁烷、乙烯基醚和彼等的組合之官能基。該第二種成分係以能夠改良乾燥狀態的組成物於活化之前和之後的撓性之有效量存在。
於本發明第二態樣中，本發明提供一種撓性光波導。該波導具有核心和包覆層，其中該核心及/或該包覆層係從一種組成物形成者，該組成物包括具有式(RSiO1 . 5 )之單位（其中R為經取代或未經取代的有機基）與複數個官能性末端基之聚合物；其第一種成分係用以變更乾燥狀態的組成物在活化後的溶解度；而第二種成分，其包含複數個選自環氧基、氧雜環丁烷、乙烯基醚和彼等的組合之官能基。該第二種成分係以能夠改良乾燥狀態的組成物於活化之前和之後的撓性之有效量存在。
於本發明第三態樣中，提供包括上述撓性光波導的電子裝置。
於本發明第四態樣中，提供形成具有核心和包覆層的撓性光波導之方法。該方法包括：(a)於基材上由組成物形成層，該組成物包括具有式(RSiO1 . 5 )之單位（其中R為經取代或未經取代的有機基）與複數個官能性末端基之聚合物；其第一種成分係用以變更乾燥狀態的組成物在活化後的溶解度；而第二種成分，其包含複數個選自環氧基、氧雜環丁烷、乙烯基醚和彼等的組合之官能基；其中該第二種成分係以能夠改良乾燥狀態的組成物於活化之前和之後的撓性之有效量存在；與(b)活化該層的至少一部份，其中該層係核心或包覆層。
 發明詳細說明
本發明提供適合用來形成撓性光波導的組成物。除非有另外不同的載明，否則組成物所含諸成分的量係以在不包含任何溶劑之組成物中所佔之重量%表示。如本文中所使用者，術語“聚合物”包括低聚物、二聚物、三聚物、四聚物和類似者，且涵蓋均聚合物(homopolymer)和較高次聚合物(higher order polymer)，亦即從二或更多種不同的單體單位形成的聚合物，以及雜聚合物(heteropolymer)。術語“烷基”指的是線型烷基、分支型烷基和環烷基，彼等為經取代和未經取代者且可以在鏈中或鏈上包括雜原子。術語“芳族”指的是芳族基，彼等為經取代和未經取代者且可以包括雜環。術語“一”（“a”和“an”）意指“一或更多”。
術語“於乾燥狀態”意指包含佔組成物總量之10重量%或更低之溶劑之組成物。術語“其中於乾燥狀態的組成物之溶解度係可變更者”意指該組成物於溶劑含量在10重量%或更低範圍內之任一情況，其溶解度係可變更者（不需溶劑含量在此範圍之所有情況，溶解度皆可變更）。
術語“在水性顯影劑中可顯影”意指於負型顯影(negative working)材料的情況中，該組成物，於(i)塗覆在矽晶圓上乾燥狀態下厚度為8微米，與(ii)然後放置在2N NaOH顯影溶液內，2N KOH顯影溶液內或2N TMAH顯影溶液內，或彼等的1N溶液內，或彼等的0.7N溶液內，或彼等的0.26N溶液內，溫度為從70至180℉（21至82.2℃），於靜型顯影或以40 psi的衝擊噴霧進行的噴霧顯影之下，在10分鐘之內、或在2分鐘之內、或在一分鐘之內、或在30秒鐘之內，可以完全溶解。該組成物可再在有機溶劑中顯影或改為在有機溶劑中顯影。
術語“撓性的”或“撓性”於相關於所述波導時，係指用來形成要塗覆於銅箔上的包覆層及/或核心層之組成物在乾燥狀態下彎繞於圓錐形心軸(Conical Mandrel)棒上不會產生龜裂或細裂紋之能力。圓錐形心軸檢驗的細節係塗料工業中熟知者，例如，ASTM D522－93a(Reapproved 2001)中所載者。
該組成物包括具有式(RSiO1 . 5 )單位之聚合物，其中R為經取代或未經取代的有機基；與複數個官能性末端基。該組成物進一步包括用以變更乾燥狀態的組成物在活化後的溶解度之成分。該組成物進一步包括含有複數個選自環氧基、氧雜環丁烷、乙烯基醚和彼等的組合之官能基之成分，係以能夠改良乾燥狀態的組成物於活化之前和之後的撓性之有效量存在。
可用於本發明中的聚合物包括，例如，矽氧烷類、倍半矽氧烷類、與籠式矽氧烷以及彼等的組合。該聚合物在該組成物內的含量可為從1至99.5重量%，例如從60至98.5重量%。R基的範例有機基包括經取代或未經取代的烷基，芳基（其包括芳烷基）和雜環基。該烷基可為具有，例如，從1至20個碳原子，且典型者具有從1至20個碳原子之直鏈型、分支型或環狀者，例如甲基、乙基、丙基、異丙基、第三丁基、第三戊基、辛基、癸基、十二烷基、鯨蠟基、硬脂基、環己基、和2－乙基己基。烷基可，例如，在烷基內及/或烷基上經雜原子取代，或可為非芳族環狀基，例如環戊基、環己基、降基、金剛烷基、六氫吡啶基、四氫呋喃基、和四氫噻吩基。範例芳基包括具有從6至20個碳原子，例如，從6至15個碳原子者，例如苯基、甲苯基、苯甲基、乙基苯基、1－萘基、2－萘基、和2－菲基，且可經雜原子所取代。雜環基可為芳族者，例如，噻吩、吡啶、嘧啶、吡咯、磷咯（phosphole；吡咯環上之氮為磷取代）、砷咯（arsole；吡咯環上之氮為砷取代）、和呋喃。
該聚合物可採取共聚物或更高次聚合物之形式，可為無規型或嵌段型。該聚合物可包括，例如，一種或更多種添加的含矽單位，每一種單位的比例為以聚合物為基準的從1至85重量%，例如，從15至80重量%或從25至60重量%，或從25至50重量%。該添加的單位可表為，例如，矽氧烷、倍半矽氧烷、籠式矽氧烷及/或彼等的組合。例如，該聚合物可進一步包括式(R1 SiO1 . 5 )之經聚合單位，其中R1 為上面對R所述的經取代或未經取代的有機基。R與R1 之一者，例如，可選自經取代或未經取代的烷基，且R與R1 之另一者可選自經取代或未經取代的芳基。
該聚合物可為，例如，烷基矽聚合物（例如含有甲基倍半矽氧烷單位和丁基倍半矽氧烷單位的共聚物）；芳基矽聚合物（例如含有苯基倍半矽氧烷單位和三氟甲基苯基倍半矽氧烷單位的共聚物）；或為芳烷基矽聚合物（例如含有甲基和苯基倍半矽氧烷單位的共聚物）。
如上面所述者，該聚合物的矽鏈基可視情況經取代。“經取代”意指側鏈基上的一個或多個氫原子被另一種取代基所置換，例如，氘，鹵素（例如氟、溴、和氯），(C1 －C6 )烷基、(C1 －C6 )鹵烷基、(C1 －C1 0 )烷氧基、(C1 －C1 0 )烷基羰基、(C1 －C1 0 )烷氧基羰基、(C1 －C1 0 )烷基羰氧基、烷基胺、含烷基硫物質，和類似者。該聚合物可包含廣範圍的重複單位，可呈無規者或嵌段者。可用於本發明中的聚合物單位可具有例如從5至150個重複單位，典型者從約10至35個重複單位；而可用於本發明中的矽氧烷單位可具有例如從5至150個重複單位，典型者從約7至25個重複單位。如此，該聚合物的分子量可有廣泛地變異。典型地，該聚合物具有重量平均分子量(MW )從約500至15,000，更典型者從約1000至10,000，甚至更典型者從約1000至5000。業經發現者，根據本發明的組成物在水性顯影劑的溶解速率會隨著分子量MW 和數平均分子量Mn 之增加而減低。
聚合物進一步包括二個或二個以上官能性末端基，以使聚合得以發生。此等末端基可為，例如，羥基；烷氧基例如乙氧基、丙氧基、異丙氧基；羧酸酯基、胺基、醯胺基、環氧基、亞胺基、羧酸、酸酐、烯烴基、丙烯基、縮醛基、原酯基、乙烯基醚、和彼等的組合。於彼等之中，羥基為代表性基。聚合物中的官能末端含量係決定於，例如，合意的撓性改良性成分之摻加量。官能末端含量例如可為聚合物之約0.5至35重量%，例如約1至10重量%，或約2至5重量%。
該聚合物可進一步，視需要包括一種或多種矽烷氧單位，例如經苯基或甲基－取代的矽烷氧。
所述聚合物材料可經由已知方法使用可輕易取得之起始物予以製備。例如，含50：50甲基－苯基矽共聚物可經由將50重量%的甲基－三乙氧基矽烷與80重量%的苯基－三乙氧基矽烷縮合反應而合成。
用以變更乾燥狀態的組成物的溶解度所用的第一種成分可為存在於組成物中以促使組成物變更其在顯影劑中的溶解度之活性成分。於負型顯影材料的情況中，係認為該活性成分係催化該聚合物組成物暴露部份的偶合而使得該偶合部份不溶於水性顯影劑。該活性成分典型地係在活化之後產生酸或鹼。有廣泛多種活性成分可以用於本發明之中，包括，但不限定於，光酸產生劑、光鹼產生劑、熱酸產生劑和熱鹼產生劑。於彼等之中，典型者為可在活化之後產生酸的光酸產生劑和熱酸產生劑。
可用於本發明中的光酸產生劑為在暴露於光之下可產生酸的任何化合物或多種化合物。適當的光酸產生劑皆為已知之鹵化三類、鎓鹽類、磺酸化酯類、經取代羥基醯亞胺類、經取代羥基亞胺類、疊氮化物類、例如偶氮萘醌之萘醌類、偶氮化合物及彼等之組合。
特別有用的鹵化三類包括，例如，鹵化烷基三類例如三鹵甲基－s－三類。s－三化合物為某種甲基－三鹵甲基－s－三類和某種醛或醛衍生物的縮合反應產物。此種s－三化合物可以根據在美國專利第3,954,475號和Wakabayashi et al.,Bulletin of the Chemical Society of Japan , 42, 2924－30(1969)中所揭示的程序予以製備。可用於本發明中的其他三類光酸產生劑經揭示於，例如，美國專利第5,366,846號之中。
具弱親核性陽離子的鎓鹽類特別適合作為本發明之光酸產生劑。此等陰離子的例子為二價至七價金屬或非金屬，例如，銻、錫、鐵、鉍、鋁、鎵、銦、鈦、鋯、鈧、鉻、鉿、銅、硼、磷及砷，合適的鎓鹽的例子包括，但是不限定於，例如二芳基-重氮鹽之重氮鹽類，以及週期表第VA族與B族、IIA族與B族及I之鎓鹽，例如，如碘鎓鹽類之鹵鎓鹽、四級銨、磷鎓鹽類及砷鎓鹽類，例如芳族硫鎓鹽類之硫鎓鹽類、亞碸鎓鹽類或硒鎓鹽類。適當的鎓鹽之例子揭示於，例如，美國專利第4,442,197；4,603,101；和4,624,912號，較佳為例如三苯基硫鎓、六氟磷酸鹽及其混合物之硫鎓鹽類。
可用於本發明中作為光酸產生劑的磺酸化酯類包括，例如，磺醯氧基酮類。適當的磺酸化酯類包括，但是不限定於，安息香甲苯磺酸酯、α-(對-甲苯磺醯氧基)-乙酸第三丁基苯基酯、甲苯磺酸2,6-二硝基苯甲基酯、和α-(對-甲苯磺醯氧基)-乙酸第三丁基酯。此等磺酸化酯類經揭示於，例如，Journal of Photopolymer Science and Technology ,Vol.4,No.3,337-340(1991)。
可以使用的經取代羥基醯亞胺類包括，例如，N-三氟甲基磺醯氧基-2,3-二苯基順丁烯二醯亞胺和2-三氟甲基苯磺醯氧基-2,3-二苯基順丁烯二醯亞胺。適當的經取代羥基亞胺類包括，例如，2-(-氮基-2-甲基亞苯基)-(5-羥基亞胺基丁基磺醯基)-噻吩。可用於本發明中的疊氮類包括，例如，2,6-(4-疊氮基亞苯基)環己酮。萘醌包括，例如，2,3,4-三羥基二苯甲酮的2,1-重氮萘醌-4-磺酸酯。於重氮化合物中，可以使用者為1,7-雙(4-氯磺醯基苯基)-4-重氮-3,5-庚二酮。
可用於本發明中的光鹼產生劑可為在暴露於光之下會釋放出鹼的任何化合物或多種化合物。適當的光鹼產生劑包括，但是不限定於，胺基甲酸苯甲基酯、安息香胺基甲酸酯、O－胺基甲醯基羥基胺類、O－胺基甲醯基肟類、芳族磺醯胺類、α－內醯胺類、N－（2－烯丙基乙烯基）醯胺類、芳基疊氮化合物類、N－芳基甲醯胺類、4－（鄰－硝基苯基）二氫吡啶類，和彼等的組合。
可用於本發明中的熱酸產生劑可以為在熱活化之下產生酸的任何化合物或多種化合物。該熱可以經由間接方法例如對流加熱或經由直接加熱法例如雷射加熱技術來供給。
適當的熱酸產生劑皆為已知者且包括，但是不限定於，鹵化三類、酸之銨鹽類、鎓鹽類、磺酸化酯類、經取代之羥基醯亞胺類、經取代之羥基亞胺類、疊氮類、例如偶氮萘醌之萘醌類、偶氮化合物、和彼等的組合。
可用於本發明中用來變更溶解度的成分之用量，於負型顯影材料的情況中，為足以催化含矽聚合物在暴露於光化輻射或熱之下的偶合反應，以促使經偶合的部份不溶於水性顯像劑的任何量。活性成分在組成物中的含量為從0.1至25重量%，例如從0.1至12重量%。
組成物中含有一種或多種用以改善乾燥狀態的組成物在活化之前與之後的撓性之成分。此等撓性改良性物質包含複數個種選自環氧基、氧雜環丁烷、乙烯基醚和彼等的組合之中的官能基。於撓性改良性物質中，該等官能基係經接到骨幹物質。範例骨幹物質包括經取代或未經取代的烷基和芳基烴類、醚類、丙烯酸酯類、酚醛樹脂類(novolacs)、聚醯亞胺類、聚胺基甲酸酯類、聚酯類、聚碸類、聚酮類、富勒烯(fullerenes)、POSS矽類、奈米粒子和彼等的組合。該等官能基可存在為在骨幹上的末端基及/或沿著骨幹的一處或更多處之上者。
雖然不受理論所把持，不過仍相信一種或多種撓性改良性成分係與聚合物糾纏以干擾聚合物的結晶性相關性脆性。於活化步驟之中，在撓性化劑成分的骨幹之末端或整個骨幹上的官能基，據信係與聚合物的官能末端基反應以促成對組成物的經活化部份之撓性化聯結。
適當撓性化性成分的例子為環氧化合物例如雙酚A二－環氧丙基醚、雙酚F二－環氧丙基醚、雙酚S二－環氧丙基醚、溴化雙酚A二－環氧丙基醚、溴化雙酚F二－環氧丙基醚、溴化雙酚S二－環氧丙基醚、環氧酚醛樹脂、氫化雙酚A二－環氧丙基醚、氫化雙酚F二－環氧丙基醚、氫化雙酚S二－環氧丙基醚、甲基－3, 4－環氧基環己烷羧酸3, 4－環氧基環己基酯、2－（3－和4－環氧基環己基－5, 5－螺－3, 4－環氧基）環己烷－間－二氧雜環己烷、己二酸雙（3－和4－環氧基環己基甲基酯）、氧化乙烯基環己稀、4－乙烯基環氧基環己烷、己二酸雙（3－和4－環氧基－6－甲基環己基甲基酯）、3, 4－環氧基－6－甲基環己基－酸3, 4－環氧基－6－甲基環己烷羧酸酯、二（3和4－環氧基環己基甲基）醚、二環氧化乙烯雙－二環戊二烯、乙二醇（3和4－環氧基環己烷羧酸酯）、環氧基六氫苯二甲酸二辛基酯、環氧基六氫苯二甲酸二－2－乙基己基酯、1, 4－丁二醇二環氧丙基醚、1, 6－己二醇二環氧丙基醚、甘油三環氧丙基醚、三甲醇基丙烷三環氧丙基醚、聚乙二醇二環氧丙基醚、聚丙二醇二環氧丙基醚、多羥基醇類的多環氧丙基醚、酚、甲酚和烷基酚的二環氧丙基醚、環氧化大豆油、環氧硬脂酸丁基酯、環氧硬脂酸辛基酯、環氧化亞麻仔油、環氧化聚丁二烯等。
範例氧雜環丁烷包括3, 3－二甲基氧雜環丁烷、3, 3－二氯甲基氧雜環丁烷、3－乙基－3－苯氧基甲基氧雜環丁烷，雙（3－乙基－3－甲氧基）丁烷、和類似者。
範例乙烯基醚類包括乙二醇二乙烯基醚、三乙二醇二乙烯基醚、三甲醇基丙烷三乙烯基醚，和類似者。
如上面所述者，該撓性改良性化合物可以單獨地使用或彼此組合地使用。
該撓性改良性成分可具有，例如，從62至5000，例如從62至2000之重量平均分子量。此成分係以能夠改良乾燥狀態的組成物於活化之前和之後的撓性之有效量存在。其特定量係決定於，例如，該撓性改良性化合物的骨幹與所含官能基的類型和數目。此成分在組成物中的含量可為，例如，從0.5至35重量%，例如從2至20重量%。
於本發明組成物中可以視需要包含其他的添加劑包括，但是不限定於，表面勻塗劑、濕潤劑、消泡劑、黏著增進劑、觸變劑等。此等添加劑都是塗覆組成物技藝中熟知者。在本發明組成物中可以使用表面勻塗劑，例如可以得自Dow Chemical Company的矽酮系油類例如SILWET L－7604矽酮系油。要了解者，可以將一種以上的添加劑組合用於本發明組成物。例如，可以將濕潤劑與觸變劑組合使用。此等選用的添加劑可在商業上從多個來源取得。此等選用的添加劑在本發明組成物中的用量係決定於特別的添加劑與合意的效應，且係在熟諳此技藝者的能力之內者。此等其他添加劑在本發明組成物中的含量典型者為低於5重量%，例如低於2.5重量%。
本發明組成物可視需要包含一種或多種有機交聯劑。交聯劑包括，例如，將本發明組成物所含諸成分以三次元方式聯結起來之物質。可以與含矽聚合物反應的芳族或脂族交聯劑都適合用於本發明。此等有機交聯劑可以與含矽聚合物固化形成聚合網狀結構，並且減低在顯影劑溶液的溶解度。此等有機交聯劑可為單體或聚合物。熟諳此技藝者都了解多種交聯劑的組合可以在本發明中成功地使用。可以用於本發明中的適當有機交聯劑包括，但是不限定於，含胺化合物。可以用於本發明中作為交聯劑的含胺化合物之例子包括，但是不限定於：三聚氰胺單體、三聚氰胺聚合物、烷醇基甲基三聚氰胺、苯并胍胺樹脂(benzoguanamine resins)、苯并胍胺－甲醛樹脂、尿素－甲醛樹脂、甘脲－甲醛樹脂(glycoluril－formaldehyde resin)、和彼等的組合。
熟諳此技藝者都了解適當的有機交聯劑濃度係隨著諸如交聯劑反應性和組成物的特定應用等因素而變異。於使用時。交聯劑在組成物內的含量典型地為從0.1至50重量%，例如，從0.5至25重量%或從1至20重量%。
本發明組成物可視需要包含一種或多種溶劑。此等溶劑有助於調配本發明組成物及將本發明組成物塗覆於基材。有多種溶劑可以使用。適當的溶劑包括，但是不限定於，二醇醚類、例如乙二醇一甲基醚、丙二醇一甲基醚、二丙二醇一甲基醚；酯類例如甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、丙二醇一甲基醚乙酸酯、二丙二醇一甲基醚乙酸酯；二鹼基酯類，例如碳酸伸丙基酯、γ－丁內酯；酯類例如乳酸乙酯、乙酸正戊基酯、和乙酸正丁酯；醇類例如正丙醇、異丙醇；酮類例如環己酮、甲基異丁基酮、二異丁基酮及2－庚酮；內酯類例如γ－丁內酯和γ－己內酯；醚類例如二苯基醚和茴香醚；烴類例如1, 3, 5－三甲基苯、甲苯和二甲苯；與雜環類化合物例如N－甲基－2－吡咯烷酮、N, N’－二甲基伸丙基脲、或彼等的組合物。
本發明組成物可經由於混合物中將含矽聚合物、觸媒成分和其他選用成分以任何順序混配而製備。
本發明組成物特別適合用於撓性光波導的製造。光波導可以用來形成光電裝置包括，但是不限定於，分離器、耦合器、光譜濾波器、偏振器，隔離器、多工器(multiplexer)例如波長分工多工結構體、放大器、衰減器、切換器等或者，於更大規模中，用於諸如印刷電路板、積體電路、互連器等之電子裝置。本發明光可成像(photodefinable)組成物也特別可用於製造顯示裝置包括透鏡以及光學元件例如面鏡、稜鏡和連接器。如本文中所使用者，術語“電子裝置”意欲涵蓋光－電子裝置，例如，上面所敘述者，以及前面所提及的包括光－電子裝置之較大規模裝置。
本發明波導可製造成為個別波導或製造成波導陣列。一種使用本發明組成物製備波導的方法包括：(a)從上述組成物在基材上形成層，和(b)活化至少一部份該層，其中該層為包覆層或核心層。本發明組成物適合用來形成波導包覆結構體及/或核心結構體。僅為舉例說明目的，要說明一種從本發明組成物形成具有包覆和核心結構體的撓性光波導之方法。經由沉積核心層及第一及第二包覆層而形成波導。最後結構體的包覆層具有比核心較低的折射率。特別有用的波導包括具有從1.4至1.7的折射率之核心及具有從1.3至1.69的折射率之包覆層。
參照第1圖，適合於承載波導的任何基材2都可以與本發明組成物和構造體起使用。適當的基材包括，但是不限定於，在例如印刷電路板和積體電路之電子裝置的製造中所使用的基板。特別適當的基板包括積層體表面和銅包覆板的銅表面、銅箔、印刷電路板的內層和外層，積體電路製造中所使用的晶圓例如矽晶圓、砷化鎵晶圓、和磷化銦晶圓，玻璃基板包括，但是不限定於，液晶顯示器(“LCD”)玻璃基板，與包括介電性塗層、包覆層等之基板。
第一包覆層4可形成在基板表面2。第一包覆層4（以及要述及的其他波導層）可以從本發明組成物以任何技術包括但是不限定於，網版印刷、簾幕式塗覆、滾筒塗覆、狹縫式塗覆、旋轉塗覆、溢流式塗覆(flood coating)、靜電噴塗、噴霧塗覆、或浸沾塗覆。在將本發明組成物和構造體噴布塗覆之時，可以視情況使用加熱的噴槍。可以用黏度調節劑、觸變劑、填料等，將組成物的黏度調整到符合每一種塗布方法之要求。該第一包覆層係經沉積從約1至100微米，例如從約10至50微米的乾燥狀態厚度。
取決於該第一包覆組成物中所含的活性成分類型，該第一包覆層4可以用，例如，熱方式或光催化方式予以固化。熱固化溫度為從90℃至300℃，例如從90℃至220℃。此種固化典型地係發生於一段從5秒鐘到1小時的期間之內。此種固化可以經由將基板置於烤箱之內或熱板之上而實施。或者，可以將波導包覆層使用1至2焦耳/平方厘米(Joules/cm2 )的光化輻射予以全面暴露，接著在90℃至300℃，例如從90℃至220℃之下熱固化。
在該第一包覆層上用本發明組成物形成核心層6。該核心層係經塗覆到從約1至100微米，例如，從約8至60微米之厚度。然後將塗覆過的基板軟固化，例如經由烘烤，以移除塗層中的溶劑。取決於所選的特別溶劑，此種固化可以在多種溫度下進行。適當的溫度為足以實質地移除掉所含的任何溶劑之任何溫度。該軟固化可以在從室溫(25℃)到300℃的任何溫度下進行，取決於例如基板和熱源。此等固化可以在烤箱內或熱板上於一段從5秒鐘到60分鐘的時間內發生。
於固化之後，可以經由暴露於光化輻射而成像出本發明組成物之層。此等方法包括，例如，接觸成像、投影成像、和雷射直接寫像，包括經由多光子吸收(multiphoton absorption)的雷射直接寫像。若需要時，可以使用多光子吸收在層內形成三維結構體。暴露圖案，如在例如第1圖中以遮罩8所界定者，係界定核心波導的幾何，其典型地但不一定是具有厘米至米的長度以及微米至數百微米的寬度之級次。於曝光之後，可以將該組成物後暴露固化，典型地係在從40℃至170℃之溫度。固化時間可以變異，不過通常為從約30秒鐘到約1小時。雖然不欲受理論所約束，不過仍然認為，於負型顯影材料的情況中，在暴露於光化輻射之後，含矽聚合物會偶合，促成曝光過的部位比未曝光過的部位較不溶於顯影劑溶液。
未曝光的部位可以經由，例如，與適當的顯影劑接觸予以移除，只留下保留在基板上的曝光部位，因而形成第1圖中的核心結構體。該組成物可以在水性顯影劑溶液中顯影。適當的水性顯影劑包括，例如，鹼金屬氫氧化物例如氫氧化鈉和氫氧化鉀之水溶液，以及氫氧化四烷基銨例如氫氧化四甲基銨之水溶液。此等顯影劑的使用濃度典型地為從0.1至2N，例如，0.15至1N，或0.26至0.7N。該顯影劑溶液可以視需要包括一種或多種已知的界面活性劑，例如聚乙二醇，烷基磺酸鹽，和技藝中熟知的其他界面活性劑。該界面活性劑在顯影劑內的含量典型地為從0.01至3重量%。於顯影劑內也可以有利地包括消泡劑。
或者也可以經由與非水性顯影劑接觸移除掉未曝光的部位而在基板只留下曝光部位。適當的非水性顯影劑包括，例如，酮類，例如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、2－辛酮、2－庚酮和甲基異戊基酮；醇類例如乙醇、異丙醇、正丙醇、正丁醇、異丁醇和戊醇；酯類例如乙酸乙酯、丙酸乙酯和乳酸乙酯；二醇醚類例如乙二醇甲基醚、丙二醇乙基醚、丙二醇甲基醚；二醇醚酯類例如乙二醇一甲基醚乙酸酯和丙二醇一甲基醚乙酸酯；芳族化合物例如甲苯、二甲苯、氯苯、二氯苯等，與彼等的組合。
也可以使用半水性顯影劑，其為上面提及的水性顯影劑與也為上面提及的非水性顯影劑之組合。
此等顯影可以在多種溫度下進行，例如從室溫至約60℃，例如從21至49℃。於積極攪拌下的顯影時間可為數十分鐘內，例如，在五分鐘之內，在二分鐘之內，在一分鐘之內，或在30秒鐘之內。顯影可以在，例如，靜型顯影室內進行，或於輸送台上噴霧顯影劑而進行。噴霧壓力可為從5至40 psi，例如，從10至25 psi。
於顯影之後，可以對該等波導進行一最後的固化步驟。該固化可包括，例如，使用1至2焦耳/平方厘米的光化輻射予以全面曝光。額外地，或替代地，可以在從約130℃至300℃的溫度之空氣或惰性氣體例如氮氣或氬氣內加熱該等波導。接著，可以在該第一包覆層4和核心結構體6上按照上面所述形成第二包覆層10。該第二包覆層可與該第一包覆層相同或者不同。該第二包覆層可經熱活化及/或光活化而提供上面針對該第一包覆層所述之波導結構。該第二包覆層典型地係經沉積到從約1至100微米，例如，從約10至50微米的厚度。
本發明光波導擁有在多種波長下的優良透光性。如此，本發明光波導可以用在，例如，600至1700奈米。據了解本發明光波導也可以有利地用於其他的波長。因此，本發明光波導特別適合用於數據通訊和遠端通訊等應用。
第2圖示範出根據本發明另一態樣的範例電子裝置。該電子裝置為一種光學分離器，包括形成於波導包覆層4上的波導核心6。信號波長，λ，的輸入在Y－接合12處經分裂成具有等波長但減低的功率幅度之兩光學信號，λ’。下面的諸實施例意欲用來進一步示範說明本發明諸方面，但不用來於任何方面限制本發明的範圍。實施例中所使用的重量%係以包括溶劑在內的全部組成物為基準。從100重量%的總重量百分比之任何偏差係因測量過程所導致。
實施例1
將45.76重量%的丙二醇一甲基醚乙酸酯，48.17重量%的苯基－甲基－二甲基矽倍半氧烷（以聚合物為基準的49：49：2重量%），1.1重量%的環氧化聚丁二烯，0.11重量%的羥基末端二苯基萘基鋶全氟丁磺酸鹽(hydroxy terminated diphenylnaphthylsulphonium perfluorobutanesulfonate)，4.82重量%的聚二苯基矽氧烷和0.007重量%的Dow SILWET L－7604矽酮系油混配成混合物。將該組成物使用#80滴塗棒刮塗在經浮石磨擦過的銅箔且在90℃烤箱內乾燥15分鐘。於該組成物上直接加上界定所要波導的插圖。該插圖包括形成各種尺寸和形狀的波導所用的圖案，例如線型、分支型、和彎曲形狀的波導，其長度在2與14厘米之間且其寬度在5至15微米之間。於構成物上施加300毫焦/平方厘米之光化輻射接著在90℃空氣中施以後曝光烘烤15分鐘。將曝光過的晶圓浸於經保持在37.8℃(100℉)的0.85N氫氧化鈉顯影劑內30秒鐘。然後將該晶圓置於去離子水中清洗與乾燥。將該晶圓加熱到200℃ 10分鐘。將該銅箔捲繞於1/16吋直徑的心軸之上。於目視上沒有觀察到龜裂。
實施例2
將45重量%的丙二醇一甲基醚乙酸酯，35重量%的三氟甲基－苯基－矽倍半氧烷（以聚合物為基準的10：90重量%），15重量%的3, 3－二甲基氧雜環丁烷，4.95重量%的安息香甲苯磺酸酯和0.05重量%的Dow SILWET L－7604矽酮系油混配成混合物。將該組成物以2500 rpm旋轉塗覆於六吋經二氧化矽塗覆的矽晶圓上且在90℃空氣內或熱板上軟烤2分鐘到8微米之厚度。按照實施例1中所述於該組成物上直接加上插圖。於該構成物上施加2000毫焦/平方厘米之光化輻射，接著在90℃空氣中施以後曝光烘烤2分鐘。然後將曝光過的晶圓浸於經保持在37.8℃(100℉)的丙二醇一甲基醚乙酸酯顯影劑溶液內30秒鐘。然後將該晶圓置於去離子水中清洗與乾燥。將該晶圓在熱板上加熱到200℃ 10分鐘。如預期得到撓性光波導。
實施例3
將37重量%的丙二醇一甲基醚乙酸酯，47.99重量%的甲基－苯基－矽倍半氧烷（以聚合物為基準的50：50重量%），10重量%的三甲醇基丙烷三乙烯基醚，5重量%的三氟甲基磺酸三苯基鋶和0.01重量%的Dow SILWET L－7604矽酮系油混配成混合物。將該組成物滾筒塗覆於24吋×36吋（61厘米×91.4厘米）環氧樹脂積層體，例如在印刷電路板製造中常用者，到60微米之厚度。然後將該組成物置於90℃對流烤箱內乾燥45分鐘。按照實施例1中所述於該組成物上直接加上插圖，但是將線寬度改為40至200微米。於該構成物上施加1000毫焦/平方厘米之光化輻射，接著在90℃空氣中施以後曝光烘烤30分鐘。然後將曝光過的結構體置於經保持在37.8℃(100℉)的含有0.7 N氫氧化鈉顯影劑溶液的噴霧內總共120秒鐘。將該積層體置於去離子水中清洗與乾燥。將所得波導用2000毫焦/平方厘米之光化輻射全面曝光，接著在對流烤箱內的180℃空氣中硬固化120分鐘。如預期得到撓性光波導。
實施例4
將30重量%的丙二醇一甲基醚乙酸酯，54.99重量%的甲基－苯基－矽倍半氧烷（以聚合物為基準的40：60重量%），10重量%的羥基末端聚二甲基矽氧烷，5重量%的三氟甲基磺酸三苯基鋶和0.01重量%的Dow SILWET L－7604矽酮系油混配成混合物。將該組成物滾筒塗覆於24吋×36吋（61厘米×91.4厘米）環氧樹脂積層體，例如在印刷電路板製造中常用者，到50微米之厚度。然後將該組成物置於90℃對流烤箱內乾燥30分鐘。按照實施例1中所述於該組成物上直接加上插圖，但是將線寬度改為40至200微米。於該構成物上施加800毫焦/平方厘米之光化輻射，接著在90℃空氣中施以後曝光烘烤30分鐘。然後將曝光過的結構體置於經保持在37.8℃(100℉)的含有0.7 N氫氧化鈉顯影劑溶液的噴霧內總共120秒鐘。將該積層體置於去離子水中清洗與乾燥。將所得波導在對流烤箱內的180℃空氣中硬固化120分鐘。如預期得到撓性光波導。
實施例5
包覆(1)層 經由將39重量%的丙二醇一甲基醚乙酸酯，48.5重量%的甲基－苯基－二甲基矽倍半氧烷（以聚合物為基準的35：65重量%），7.5重量%的1, 4－丁二醇之二環氧丙基醚，4.99重量%的胺封止十二烷基苯基磺酸鹽和0.01重量%的Dow SILWET L－7604矽酮系油混配成混合物，以形成第一包覆層。將該組成物滾筒塗覆於24吋×36吋（61厘米×91.4厘米）環氧樹脂積層體，例如在印刷電路板製造中常用者，到50微米之厚度。然後將該組成物置於90℃對流烤箱內乾燥45分鐘。將該經第一包覆層塗覆的基板在180℃下加熱1.5小時。
核心 使用實施例1中所述的相同組成物和程序，塗覆該第一包覆層以形成波導核心結構。
包覆(2)層 使用形成第一包覆層所用的相同組成物和程序，在該經圖案化的核心結構體和第一包覆層上形成第二包覆層，不過在軟烤後的第二包覆層之厚度為60微米。如預期得到撓性光波導。
實施例6
包覆(1)層
經由將50重量%的丙二醇一甲基醚乙酸酯，40.99重量%的苯基-甲基矽倍半氧烷(以聚合物為基準的40：60重量%)，4重量%的3,3-二甲基氧雜環丁烷，5重量%的三氟甲基磺酸三苯基鋶和0.01重量%的Dow SILWET L-7604矽酮系油混配成混合物，以形成第一包覆層。將該組成物以2000 rpm旋轉塗覆於六吋經二氧化矽塗覆的矽晶圓上且在90℃電熱板上空氣中軟烤2分鐘到8微米之厚度。然後將該組成物暴露於800毫焦，且置於90℃熱板上加熱2分鐘。將該組成物在200℃熱板上空氣中硬烤10分鐘。
核心
使用實施例2中所述的相同組成物和程序，塗覆該第一包覆層以形成波導核心結構。
包覆(2)層
使用形成第一包覆層所用的相同組成物和程序，在該經圖案化的核心結構體和第一包覆層上形成第二包覆層，不過在軟烤後的第二包覆層之厚度為10微米。如預期得到撓性光波導。
實施例7
包覆(1)層 經由將39重量%的丙二醇一甲基醚乙酸酯，46重量%的苯基－甲基矽倍半氧烷（以聚合物為基準的50：50重量%），10重量%的三甲醇基丙烷三乙烯基醚，4.99重量%的胺封止十二烷基苯基磺酸鹽和0.01重量%的Dow SILWET L－7604矽酮系油混配成混合物，以形成第一包覆層。將該組成物滾筒塗覆於24吋×36吋（61厘米×91.4厘米）環氧樹脂積層體，例如在印刷電路板製造中常用者，到50微米之厚度。然後將該組成物置於90℃對流烤箱內空氣中乾燥45分鐘。將經第一包覆層塗覆的基板在180℃下加熱1小時。
核心 使用實施例3中所述的相同組成物和程序塗覆該第一包覆層以形成波導核心結構。
包覆(2)層 使用形成第一包覆層所用的相同組成物和程序，在該經圖案化的核心結構體和第一包覆層上形成第二包覆層，不過在軟烤後的第二包封層之厚度為60微米。如預期得到撓性光波導。
實施例8
包覆(1)層 經由將39重量%的丙二醇一甲基醚乙酸酯，46重量%的苯基－甲基矽倍半氧烷（以聚合物為基準的50：50重量%），10重量%的羥基末端聚二苯基矽氧烷，4.99重量%的胺封端十二烷基苯基磺酸鹽和0.01重量%的Dow SILWET L－7604矽酮系油混配成混合物，以形成第一包覆層。將該組成物滾筒塗覆於24吋×36吋（61厘米×91.4厘米）環氧樹脂積層體，例如在印刷電路板製造中常用者，到50微米之厚度，然後將該組成物置於90℃對流烤箱內空氣中乾燥45分鐘。將經第一包覆層塗覆的基板在180℃加熱1小時。
核心 使用實施例4中所述的相同組成物和程序塗覆該第一包覆層以形成波導核心結構。
包覆(2)層 使用形成第一包覆層所用的相同組成物和程序，在該經圖案化的核心結構體和第一包覆層上形成第二包覆層，不過在軟烤後的第二包覆層之厚度為60微米。如預期得到撓性光波導。
雖然本發明已經參照其特定具體實例予以詳細說明過，不過對於熟諳此技藝者顯然地可以作出各種改變和修飾，且採用等效物，而不違離後附申請專利範圍的範圍。
2．．．基板
4．．．第一包覆層
6．．．核心層
8．．．光罩
10．．．第二包覆層
12．．．Y－接合
本發明要經由參照下列圖式予以討論，於此等圖式中，相同的指示數字係表相同的特件，且其中：第1圖(a)至(e)以橫斷面圖解說明根據本發明一態樣的光波導在其各形成階段的狀態；且第2圖係圖解說明根據本發明一態樣的範例電子裝置。
2．．．基板
4．．．第一包覆層
6．．．核心層
8．．．光罩
10．．．第二包覆層

Claims (12)

  1. 一種組成物，其包括：聚合物，包含式(RSiO1.5 )之單位與複數個官能性末端基，其中R為經取代或未經取代的有機基；第一種成分，用以變更乾燥狀態的組成物在活化後的溶解度；與第二種成分，其包含複數個選自環氧基、氧雜環丁烷、乙烯基醚和彼等的組合之官能基；其中該第二種成分係以能夠改良乾燥狀態的組成物於活化之前和之後的撓性之有效量存在。
  2. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中，該第二成分包括選自經取代或未經取代的烷基和芳基烴類、醚類、丙烯酸酯類、酚醛樹脂類(novolacs)、奈米粒子、聚醯亞胺類、聚胺基甲酸酯類、聚酯類、聚碸類、聚酮類、富勒烯(fullerenes)、POSS矽類、和彼等的組合之中的物質。
  3. 如申請專利範圍第2項之組成物，其中，該聚合物進一步包括式(R1 SiO1.5 )之單位，其中R1 為經取代或未經取代的烷基，且R為經取代或未經取代的芳基。
  4. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中，該第二成分為聚環氧化物。
  5. 如申請專利範圍第4項之組成物，其中，該聚合物進一步包括式(R1 SiO1.5 )之單位，其中R1 為經取代或未經取 代的烷基，且R為經取代或未經取代的芳基。
  6. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中，該聚合物進一步包括式(R1 SiO1.5 )之單位，其中R1 為經取代或未經取代的烷基，且R為經取代或未經取代的芳基。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之組成物，其中該乾燥狀態的組成物係可水性顯影者。
  8. 一種撓性光波導，包括核心和包覆層，其中該核心及/或該包覆層係從組成物形成者，該組成物包括：聚合物，包含式(RSiO1.5 )之單位與複數個官能性末端基，其中R為經取代或未經取代的有機基；第一種成分，用以變更乾燥狀態的組成物在活化後的溶解度；與第二種成分，其包含複數個選自環氧基、氧雜環丁烷、乙烯基醚和彼等的組合之官能基，其中該第二種成分係以能夠改良乾燥狀態的組成物於活化之前和之後的撓性之有效量存在。
  9. 如申請專利範圍第8項之撓性光波導，其中，該第二成分包括選自經取代或未經取代的烷基和芳基烴類、醚類、丙烯酸酯類、酚醛樹脂類(novolacs)、奈米粒子、聚醯亞胺類、聚胺基甲酸酯類、聚酯類、聚碸類、聚酮類、富勒烯(fullerenes)、POSS矽類和彼等的組合之中的物質。
  10. 如申請專利範圍第8項之撓性光波導，其中，該第二成分為聚環氧化物。
  11. 如申請專利範圍第8至10項中任一項之撓性光波導，其中該聚合物進一步包括式(R1 SiO1.5 )之單位，其中，R1 為經取代或未經取代的烷基，且R為經取代或未經取代的芳基。
  12. 一種形成包括核心和包覆層的撓性光波導之方法，該方法包括：(a)於基材上形成從如申請專利範圍第1至7項中任一項所述組成物所形成之層；與(b)活化該層的至少一部份，其中，該層係核心或包覆層。
TW094111450A 2004-04-14 2005-04-12 波導組成物及自其形成之波導 TWI398732B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US56205904P 2004-04-14 2004-04-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200606590A TW200606590A (en) 2006-02-16
TWI398732B true TWI398732B (zh) 2013-06-11

Family

ID=34940759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094111450A TWI398732B (zh) 2004-04-14 2005-04-12 波導組成物及自其形成之波導

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7072565B2 (zh)
EP (1) EP1586603B1 (zh)
JP (1) JP2005325344A (zh)
KR (1) KR101183269B1 (zh)
CN (1) CN100378468C (zh)
DE (2) DE602005001341T2 (zh)
TW (1) TWI398732B (zh)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5102428B2 (ja) * 2003-11-25 2012-12-19 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 導波路組成物およびこれから形成された導波路
US7072564B2 (en) * 2003-11-25 2006-07-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Waveguide compositions and waveguides formed therefrom
JP4639685B2 (ja) * 2004-07-26 2011-02-23 Ｊｓｒ株式会社 光硬化性組成物及びそれを用いた光導波路
US7373060B2 (en) * 2005-02-28 2008-05-13 Chisso Corporation Optical waveguide using polymer composed of silsesquioxane derivative
US20070202435A1 (en) * 2005-12-29 2007-08-30 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Methods of forming optical waveguides
KR101423167B1 (ko) * 2006-07-13 2014-07-25 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 가요성 광도파로 및 광-전기 복합배선판용 적층판
JP5018307B2 (ja) * 2006-09-26 2012-09-05 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
JP5305707B2 (ja) * 2007-03-29 2013-10-02 株式会社日本触媒 樹脂組成物及び光学部材
US8470516B2 (en) * 2007-05-18 2013-06-25 International Business Machines Corporation Method of forming a relief pattern by e-beam lithography using chemical amplification, and derived articles
US7867689B2 (en) * 2007-05-18 2011-01-11 International Business Machines Corporation Method of use for photopatternable dielectric materials for BEOL applications
US20080305255A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Fujifilm Manufacturing U.S.A. Inc. Optical waveguide coating
US7496263B2 (en) * 2007-06-07 2009-02-24 Fujifilm Manfacturing U.S.A. Inc. Thermosetting optical waveguide coating
US9011752B2 (en) 2008-03-03 2015-04-21 Nokia Corporation Electromagnetic wave transmission lines using magnetic nanoparticle composites
JP5448358B2 (ja) * 2008-04-03 2014-03-19 株式会社日本触媒 樹脂組成物、光学材料、及び、光学部材
JP5654479B2 (ja) 2008-12-10 2015-01-14 ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 切り替え可能な反射防止膜
US8809482B2 (en) 2008-12-10 2014-08-19 Dow Corning Corporation Silsesquioxane resins
KR20110096155A (ko) * 2008-12-10 2011-08-29 다우 코닝 코포레이션 습식 에칭가능한 반사방지 코팅
JP4748229B2 (ja) * 2009-02-16 2011-08-17 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂組成物、光導波路形成用感光性樹脂組成物、光導波路形成用フィルム、光導波路、光配線、光電気混載基板および電子機器
WO2011084250A2 (en) 2009-12-21 2011-07-14 Dow Corning Corporation Methods for fabricating flexible waveguides using alkyl-functional silsesquioxane resins
CN102207621B (zh) * 2010-03-29 2013-08-07 成都易生玄科技有限公司 光线分流开关的方法
JP5308398B2 (ja) * 2010-05-11 2013-10-09 日東電工株式会社 光導波路形成用樹脂組成物およびそれを用いた光導波路
WO2012162376A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Duane Raymond Bujalski Epoxy-functional radiation-curable composition containing an epoxy-functional siloxane oligomer
US8871425B2 (en) * 2012-02-09 2014-10-28 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Low dielectric photoimageable compositions and electronic devices made therefrom
CN110361604B (zh) * 2019-07-23 2021-08-13 北京无线电计量测试研究所 电场探测量子组件和制备方法以及量子场强传感器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW593603B (en) * 2001-03-29 2004-06-21 Shipley Co Llc Waveguide and composition

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57168246A (en) 1981-04-09 1982-10-16 Fujitsu Ltd Formation of negative pattern
JPS6025061B2 (ja) 1981-12-02 1985-06-15 日立化成工業株式会社 感光性シリコ−ン樹脂組成物
JPS63279245A (ja) 1987-05-12 1988-11-16 Fujitsu Ltd ネガ型レジスト組成物
FR2656617A1 (fr) 1989-12-28 1991-07-05 Thomson Csf Procede de synthese de polysilsesquioxanes et applications des produits contenus.
EP0464614B1 (en) 1990-06-25 1999-09-29 Matsushita Electronics Corporation A composition having sensitivity to light or radiation
US5457003A (en) 1990-07-06 1995-10-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Negative working resist material, method for the production of the same and process of forming resist patterns using the same
JPH04271306A (ja) 1991-02-27 1992-09-28 Sumitomo Electric Ind Ltd プラスチック光伝送体
JPH04366958A (ja) 1991-06-14 1992-12-18 Oki Electric Ind Co Ltd 放射線感応性樹脂組成物
US5262280A (en) * 1992-04-02 1993-11-16 Shipley Company Inc. Radiation sensitive compositions
JPH06148895A (ja) * 1992-11-06 1994-05-27 Toray Ind Inc 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP3273519B2 (ja) 1992-12-04 2002-04-08 日本電信電話株式会社 ポリシロキサン系光導波路の製造方法
JPH06256523A (ja) 1993-03-02 1994-09-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 遷移金属元素を含むポリシロキサンおよびそれを用いた光導波路
JP3376629B2 (ja) * 1993-03-19 2003-02-10 東レ株式会社 感光性樹脂組成物およびこれを使用したパターン形成方法
JPH08176444A (ja) 1994-10-26 1996-07-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高分子光学材料及びこれを用いた光導波路
TW397936B (en) 1994-12-09 2000-07-11 Shinetsu Chemical Co Positive resist comosition based on a silicone polymer containing a photo acid generator
JPH07258604A (ja) * 1995-02-21 1995-10-09 Toray Ind Inc 光学材料および光学材料用コーティング組成物
JP3724004B2 (ja) 1995-03-28 2005-12-07 東レ株式会社 熱硬化性組成物、その製造方法およびカラーフィルタ
JP3204359B2 (ja) 1995-04-28 2001-09-04 日本電信電話株式会社 フレキシブル高分子光導波路
JPH08327842A (ja) 1995-05-29 1996-12-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波路
US5972516A (en) 1996-02-29 1999-10-26 Kyocera Corporation Method for manufacturing optical waveguide using siloxane polymer, and optoelectronic hybrid substrate using the optical waveguide
JPH10148729A (ja) 1996-11-21 1998-06-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高分子光導波路コア部のリッジ・パターン形成方法
US6144795A (en) 1996-12-13 2000-11-07 Corning Incorporated Hybrid organic-inorganic planar optical waveguide device
JP3870471B2 (ja) * 1997-03-05 2007-01-17 東レ株式会社 感光性樹脂組成物、およびこれを使用したパターン形成方法
JP3571482B2 (ja) 1997-03-13 2004-09-29 日本電信電話株式会社 口径変換用高分子光導波路パターン形成方法
US5962067A (en) 1997-09-09 1999-10-05 Lucent Technologies Inc. Method for coating an article with a ladder siloxane polymer and coated article
US6054253A (en) 1997-10-10 2000-04-25 Mcgill University-The Royal Institute For The Advancement Of Learning Solvent-assisted lithographic process using photosensitive sol-gel derived glass for depositing ridge waveguides on silicon
US6087064A (en) 1998-09-03 2000-07-11 International Business Machines Corporation Silsesquioxane polymers, method of synthesis, photoresist composition, and multilayer lithographic method
US6537723B1 (en) * 1998-10-05 2003-03-25 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same
JP3133039B2 (ja) * 1998-10-05 2001-02-05 日本電信電話株式会社 光導波路用感光性組成物およびその製造方法および高分子光導波路パターン形成方法
US6187505B1 (en) 1999-02-02 2001-02-13 International Business Machines Corporation Radiation sensitive silicon-containing resists
JP2001083342A (ja) * 1999-09-09 2001-03-30 Jsr Corp 光導波路形成用組成物、光導波路の形成方法、および光導波路
JP2001288364A (ja) * 2000-04-05 2001-10-16 Jsr Corp 放射線硬化性組成物およびそれを用いた光導波路ならびに光導波路の製造方法
US7035518B2 (en) 2001-04-13 2006-04-25 Hitachi Cable, Ltd. Polymer waveguides and process for producing the same
TW594416B (en) * 2001-05-08 2004-06-21 Shipley Co Llc Photoimageable composition
TWI300516B (zh) * 2001-07-24 2008-09-01 Jsr Corp
JP2003185860A (ja) * 2001-12-17 2003-07-03 Jsr Corp 光導波路形成用放射線硬化性組成物および光導波路
JP2003185820A (ja) * 2001-12-21 2003-07-03 Jsr Corp 感放射線性屈折率変化性組成物および屈折率変化法
US6751396B2 (en) 2001-12-26 2004-06-15 Lucent Technologies Inc. Integrated optical devices and method of fabrication therefor
JP3952149B2 (ja) 2002-02-06 2007-08-01 信越化学工業株式会社 光導波路形成用材料及び光導波路の製造方法
JP4205368B2 (ja) 2002-06-11 2009-01-07 株式会社Ａｄｅｋａ 光学材料用硬化性組成物
US6856745B2 (en) 2002-07-02 2005-02-15 Lucent Technologies Inc. Waveguide and applications therefor
JP4143835B2 (ja) 2002-07-18 2008-09-03 信越化学工業株式会社 光導波路形成材料、それを用いた光導波路及び光導波路の製造方法
US7031591B2 (en) 2002-07-18 2006-04-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Optical waveguide, forming material and making method
DE10240105B4 (de) * 2002-08-30 2005-03-24 Infineon Technologies Ag Herstellung organischer elektronischer Schaltkreise durch Kontaktdrucktechniken
US6842577B2 (en) * 2002-12-02 2005-01-11 Shipley Company L.L.C. Photoimageable waveguide composition and waveguide formed therefrom
EP1434068A3 (en) * 2002-12-02 2004-07-28 Shipley Company, L.L.C. Methods of forming waveguides that are rounded in cross section and waveguides formed therefrom
JP5102428B2 (ja) * 2003-11-25 2012-12-19 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 導波路組成物およびこれから形成された導波路
US7072564B2 (en) 2003-11-25 2006-07-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Waveguide compositions and waveguides formed therefrom

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW593603B (en) * 2001-03-29 2004-06-21 Shipley Co Llc Waveguide and composition

Also Published As

Publication number Publication date
DE602005014984D1 (de) 2009-07-30
CN1690125A (zh) 2005-11-02
DE602005001341T2 (de) 2008-02-21
DE602005001341D1 (de) 2007-07-26
US20050244124A1 (en) 2005-11-03
US7072565B2 (en) 2006-07-04
KR20060045601A (ko) 2006-05-17
EP1586603B1 (en) 2007-06-13
JP2005325344A (ja) 2005-11-24
KR101183269B1 (ko) 2012-09-14
EP1586603A1 (en) 2005-10-19
TW200606590A (en) 2006-02-16
CN100378468C (zh) 2008-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI398732B (zh) 波導組成物及自其形成之波導
KR101064338B1 (ko) 광이미지성 도파로 조성물 및 이로부터 형성된 도파로
JP5459929B2 (ja) ケイ素含有ポリマーおよびそのポリマーから形成される光導波路
KR20120035169A (ko) 도파로 조성물 및 그로부터 형성된 도파로
JP2004185000A (ja) 導波路を形成する方法及びそれから形成される導波路
JP2003048984A (ja) ウェーブガイドおよび組成物
TW201319170A (zh) 在溶劑顯影期間增強膜保留和黏附之含有環氧官能化矽氧烷寡聚物的環氧官能化的可輻射固化組合物
US7157212B2 (en) Optical component formation method
US7072564B2 (en) Waveguide compositions and waveguides formed therefrom
EP1772482B1 (en) Waveguide compositions and waveguides formed therefrom
JP2017522599A (ja) 物品の製造方法及びそれにより製造した関連物品