JP3376629B2 - 感光性樹脂組成物およびこれを使用したパターン形成方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物およびこれを使用したパターン形成方法Info
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- JP3376629B2 JP3376629B2 JP06010993A JP6010993A JP3376629B2 JP 3376629 B2 JP3376629 B2 JP 3376629B2 JP 06010993 A JP06010993 A JP 06010993A JP 6010993 A JP6010993 A JP 6010993A JP 3376629 B2 JP3376629 B2 JP 3376629B2
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- Japan
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- photosensitive resin
- resin composition
- oxy
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シロキサンポリマーと
塩基発生剤を含有した新規な感光性樹脂組成物およびこ
れを使用したパターン形成方法に関するものである。
塩基発生剤を含有した新規な感光性樹脂組成物およびこ
れを使用したパターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、シロキサンポリマーを含む感
光性樹脂組成物は種々、提案されている。しかし、従来
の感光性樹脂組成物はシロキサンポリマーを酸発生剤と
組み合わせたものであり、パターン精度および加工性が
優れないものであった。
光性樹脂組成物は種々、提案されている。しかし、従来
の感光性樹脂組成物はシロキサンポリマーを酸発生剤と
組み合わせたものであり、パターン精度および加工性が
優れないものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、パターン精度および加工性が優れた感光性樹脂組成
物およびこれを用いたパターン加工方法を提供すること
にある。
は、パターン精度および加工性が優れた感光性樹脂組成
物およびこれを用いたパターン加工方法を提供すること
にある。
【０００４】かかる本発明の目的は、枝分かれしたアル
カリ可溶性シロキサンポリマーと塩基発生剤を含むこと
を特徴とするネガ型感光性樹脂組成物により達成され
る。
カリ可溶性シロキサンポリマーと塩基発生剤を含むこと
を特徴とするネガ型感光性樹脂組成物により達成され
る。
【０００５】すなわち、本発明は、パターン精度および
加工性不良の原因について本発明者らが詳細な検討を行
なったところ、シロキサンポリマーのポリマー化を進行
させる主たる反応である縮合反応に好適な触媒は塩基性
化合物であることを見出だしたことに基づいている。従
来の感光性樹脂組成物に用いている酸もポリマー化の触
媒として働くが、その作用は弱く、不適当である。
加工性不良の原因について本発明者らが詳細な検討を行
なったところ、シロキサンポリマーのポリマー化を進行
させる主たる反応である縮合反応に好適な触媒は塩基性
化合物であることを見出だしたことに基づいている。従
来の感光性樹脂組成物に用いている酸もポリマー化の触
媒として働くが、その作用は弱く、不適当である。
【０００６】シロキサンポリマーと溶剤からなる系に、
酸、あるいは塩基を触媒として添加し、ポリマー化の様
子、すなわち、ゲル化の様子を観察したところ、酸触媒
を用いた場合はゲル化はなかなか進まないのに対し、塩
基触媒を用いた場合は急速に反応が進行し、ゲル化する
ことが判明した。つまり、シロキサンポリマーとそのポ
リマー化促進剤とから構成される感光性樹脂組成物を構
築するにあたって、ポリマー化促進剤は塩基発生剤とす
るのが適当との知見を得たのである。
酸、あるいは塩基を触媒として添加し、ポリマー化の様
子、すなわち、ゲル化の様子を観察したところ、酸触媒
を用いた場合はゲル化はなかなか進まないのに対し、塩
基触媒を用いた場合は急速に反応が進行し、ゲル化する
ことが判明した。つまり、シロキサンポリマーとそのポ
リマー化促進剤とから構成される感光性樹脂組成物を構
築するにあたって、ポリマー化促進剤は塩基発生剤とす
るのが適当との知見を得たのである。
【０００７】実際、枝分かれしたアルカリ可溶性シロキ
サンポリマーと塩基発生剤を少なくとも含むネガ型感光
性樹脂組成物は従来のシロキサンポリマーと酸発生剤を
少なくとも含む感光性樹脂組成物と比較して、パターン
精度が非常に優れ、また、パターン加工性についてもプ
ロセスラチチュードが広く、良好であった。
サンポリマーと塩基発生剤を少なくとも含むネガ型感光
性樹脂組成物は従来のシロキサンポリマーと酸発生剤を
少なくとも含む感光性樹脂組成物と比較して、パターン
精度が非常に優れ、また、パターン加工性についてもプ
ロセスラチチュードが広く、良好であった。
【０００８】以下、本発明の構成を順に説明する。
【０００９】本発明において用いられるシロキサンポリ
マーとしては、次の一般式（１） ［Ｒx ＳｉＲ´4-x ］ （１） （ただし、Ｒは水素、アルキル基、アリール基、アリル
基、またはそれらの置換体を表し、Ｒ´は加水分解性基
を表す。また、ｘは０〜３の整数である。）で表される
シラン化合物を加水分解および縮合させることによって
得られるものがあげられる。
マーとしては、次の一般式（１） ［Ｒx ＳｉＲ´4-x ］ （１） （ただし、Ｒは水素、アルキル基、アリール基、アリル
基、またはそれらの置換体を表し、Ｒ´は加水分解性基
を表す。また、ｘは０〜３の整数である。）で表される
シラン化合物を加水分解および縮合させることによって
得られるものがあげられる。
【００１０】Ｒの具体例としては、水素；メチル基、エ
チル基、プロピル基などのアルキル基；ビニル基などの
アリル基；フェニル基、ナフチル基などのアリール基、
および、トリフルオロメチル基などのフルオロ置換体、
３−グリシドキシプロピル基などのエポキシ置換体、３
−アミノプロピル基などのアミン置換体などが挙げられ
るが、これらに限定されない。
チル基、プロピル基などのアルキル基；ビニル基などの
アリル基；フェニル基、ナフチル基などのアリール基、
および、トリフルオロメチル基などのフルオロ置換体、
３−グリシドキシプロピル基などのエポキシ置換体、３
−アミノプロピル基などのアミン置換体などが挙げられ
るが、これらに限定されない。
【００１１】また、Ｒ´の具体例としては、メトキシ
基、エトキシ基、メトキシエトキシ基などのアルコキシ
基；クロロ、ブロモなどのハロゲン；アセトキシ基など
の加水分解性基が挙げられるが、これらに限定されな
い。
基、エトキシ基、メトキシエトキシ基などのアルコキシ
基；クロロ、ブロモなどのハロゲン；アセトキシ基など
の加水分解性基が挙げられるが、これらに限定されな
い。
【００１２】シラン化合物の具体例としては、テトラメ
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリ
メトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、ジメ
チルジメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキ
シシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシ
シラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−
メタクリロキシプロピルトリメトキシシランなどを挙げ
ることができる。これらのシラン化合物を単独で用いて
も、二種以上混合して用いても良い。
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリ
メトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、ジメ
チルジメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキ
シシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシ
シラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−
メタクリロキシプロピルトリメトキシシランなどを挙げ
ることができる。これらのシラン化合物を単独で用いて
も、二種以上混合して用いても良い。
【００１３】これらのシラン化合物に水を加え、加水分
解および部分縮合させることにより、シロキサンポリマ
ーが得られる。用いる水はイオン交換水が好ましく、そ
の量はシラン化合物１モルに対して、１〜４倍モルの範
囲で用いるのが好ましい。
解および部分縮合させることにより、シロキサンポリマ
ーが得られる。用いる水はイオン交換水が好ましく、そ
の量はシラン化合物１モルに対して、１〜４倍モルの範
囲で用いるのが好ましい。
【００１４】反応は無溶媒でも良いが、通常は溶媒中で
行なわれる。溶媒としては、有機溶媒が好ましく、メチ
ルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、ジエチルエ
ーテル、酢酸エチル、ヘキサン、シクロヘキサン、ノル
マルブタノールなどの疎水性有機溶媒が特に好ましい。
溶媒の量は任意に選択可能であるが、シラン化合物１重
量に対して、０．１〜３．０倍重量の範囲で用いるのが
好ましい。
行なわれる。溶媒としては、有機溶媒が好ましく、メチ
ルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、ジエチルエ
ーテル、酢酸エチル、ヘキサン、シクロヘキサン、ノル
マルブタノールなどの疎水性有機溶媒が特に好ましい。
溶媒の量は任意に選択可能であるが、シラン化合物１重
量に対して、０．１〜３．０倍重量の範囲で用いるのが
好ましい。
【００１５】また、このとき、酸あるいは塩基触媒を用
いることができるが、酸触媒が好ましい。具体例とし
て、塩酸、硫酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、リン酸など
のほか、イオン交換樹脂などの固体酸も挙げられる。
いることができるが、酸触媒が好ましい。具体例とし
て、塩酸、硫酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、リン酸など
のほか、イオン交換樹脂などの固体酸も挙げられる。
【００１６】また、反応温度は、反応系の凝固点から沸
点の範囲で通常選択されるが、高分子量のシロキサンポ
リマーを得るには、還流下で１〜１００時間行なうのが
好ましい。そのほかシロキサンポリマーの重合度を上げ
るために、加熱もしくは塩基触媒の添加を行うことも可
能である。
点の範囲で通常選択されるが、高分子量のシロキサンポ
リマーを得るには、還流下で１〜１００時間行なうのが
好ましい。そのほかシロキサンポリマーの重合度を上げ
るために、加熱もしくは塩基触媒の添加を行うことも可
能である。
【００１７】パターン加工性の観点からは、シロキサン
ポリマーをアルカリ可溶性とする。シロキサンポリマー
をアルカリ可溶性とする場合、重合度を上げ過ぎること
は、ヒドロキシシリル基の数が不十分となり、アルカリ
に対する溶解度が低下してしまうため、注意が必要であ
る。
ポリマーをアルカリ可溶性とする。シロキサンポリマー
をアルカリ可溶性とする場合、重合度を上げ過ぎること
は、ヒドロキシシリル基の数が不十分となり、アルカリ
に対する溶解度が低下してしまうため、注意が必要であ
る。
【００１８】また、塗布性、保存安定性の向上のため
に、反応溶液から水および触媒を除去することが好まし
い。除去する方法としては特に限定されないが、例え
ば、イオン交換樹脂、イオン交換繊維、モレキュラーシ
ーブなどの吸着剤および乾燥剤を用いて行うことができ
るが、好ましくは、メチルイソブチルケトン、ジイソブ
チルケトン、ジエチルエーテルなどの疎水性有機溶剤を
用いて該反応溶液からシロキサンポリマーを抽出し、そ
の有機層を水洗する方法である。
に、反応溶液から水および触媒を除去することが好まし
い。除去する方法としては特に限定されないが、例え
ば、イオン交換樹脂、イオン交換繊維、モレキュラーシ
ーブなどの吸着剤および乾燥剤を用いて行うことができ
るが、好ましくは、メチルイソブチルケトン、ジイソブ
チルケトン、ジエチルエーテルなどの疎水性有機溶剤を
用いて該反応溶液からシロキサンポリマーを抽出し、そ
の有機層を水洗する方法である。
【００１９】加水分解および部分縮合反応を施した後の
反応溶液に、必要に応じて、溶剤を追加あるいは除去し
て粘度を調整するか、好ましくは、反応溶液から触媒、
溶媒などを適宜除去した後、シロキサンポリマーを所望
の溶剤に溶解し、粘度を調整した後、塩基発生剤を添加
し、感光性樹脂組成物とする。感光性樹脂組成物中のシ
ロキサンポリマーの好ましい配合割合としては、２０〜
７０重量％である。塩基発生剤の添加量は、シロキサン
ポリマーに対して、１０ｐｐｍ〜２０重量％が好まし
く、１００ｐｐｍ〜１０重量％がさらに好ましい。
反応溶液に、必要に応じて、溶剤を追加あるいは除去し
て粘度を調整するか、好ましくは、反応溶液から触媒、
溶媒などを適宜除去した後、シロキサンポリマーを所望
の溶剤に溶解し、粘度を調整した後、塩基発生剤を添加
し、感光性樹脂組成物とする。感光性樹脂組成物中のシ
ロキサンポリマーの好ましい配合割合としては、２０〜
７０重量％である。塩基発生剤の添加量は、シロキサン
ポリマーに対して、１０ｐｐｍ〜２０重量％が好まし
く、１００ｐｐｍ〜１０重量％がさらに好ましい。
【００２０】ここで用いられる溶剤としては、イソプロ
パノール、ノルマルブタノール、メチルセロソルブ、ブ
チルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエー
テル、エチルセロソルブアセテート、トルエン、キシレ
ン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトンなど
をあげることができる。
パノール、ノルマルブタノール、メチルセロソルブ、ブ
チルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエー
テル、エチルセロソルブアセテート、トルエン、キシレ
ン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトンなど
をあげることができる。
【００２１】ここで、塩基発生剤とは外部からの作用に
より塩基を発生するものを指す。外部からの作用とは、
活性化学線、たとえば紫外線、電子線などの照射、加熱
作用あるいは、適当な気体、液体への暴露などが挙げら
れるが、紫外線の照射が好ましい。
より塩基を発生するものを指す。外部からの作用とは、
活性化学線、たとえば紫外線、電子線などの照射、加熱
作用あるいは、適当な気体、液体への暴露などが挙げら
れるが、紫外線の照射が好ましい。
【００２２】紫外線照射により塩基を発生する化合物と
しては、公知のものをいずれも好ましく用いることがで
きる。公知の紫外線塩基発生剤としては、コバルトなど
遷移金属錯体、オルトニトロベンジルカルバメート類、
α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジルカルバ
メート類、アシルオキシイミノ類などを例示することが
できる。紫外線照射により発生する塩基の種類としては
有機、無機の塩基のいずれの場合も好ましく用いること
ができるが、紫外線照射による発生効率、シロキサンポ
リマーのポリマー化における触媒効果、シロキサンポリ
マー溶液への溶解性などの点から有機アミン類が特に好
ましい。発生する有機アミン類の種類としては脂肪族、
芳香族のいずれでも良く、また、１官能でも多官能でも
良い。紫外線照射により発生するアミン類の具体例とし
ては、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、プロ
ピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘ
キシルアミン、デシルアミン、セチルアミン、ヒドラジ
ン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ベンジルアミン、アニリン、ナフチルアミン、フェ
ニレンジアミン、トルエンジアミン、ジアミノジフェニ
ルメタン、ヘキサメチルテトラミン、ピペリジン、ピペ
ラジンなどを列記することができる。
しては、公知のものをいずれも好ましく用いることがで
きる。公知の紫外線塩基発生剤としては、コバルトなど
遷移金属錯体、オルトニトロベンジルカルバメート類、
α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジルカルバ
メート類、アシルオキシイミノ類などを例示することが
できる。紫外線照射により発生する塩基の種類としては
有機、無機の塩基のいずれの場合も好ましく用いること
ができるが、紫外線照射による発生効率、シロキサンポ
リマーのポリマー化における触媒効果、シロキサンポリ
マー溶液への溶解性などの点から有機アミン類が特に好
ましい。発生する有機アミン類の種類としては脂肪族、
芳香族のいずれでも良く、また、１官能でも多官能でも
良い。紫外線照射により発生するアミン類の具体例とし
ては、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、プロ
ピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘ
キシルアミン、デシルアミン、セチルアミン、ヒドラジ
ン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ベンジルアミン、アニリン、ナフチルアミン、フェ
ニレンジアミン、トルエンジアミン、ジアミノジフェニ
ルメタン、ヘキサメチルテトラミン、ピペリジン、ピペ
ラジンなどを列記することができる。
【００２３】好ましい紫外線塩基発生剤の具体例を以下
に列記する。
に列記する。
【００２４】遷移金属錯体としては、ブロモペンタアン
モニアコバルト過塩素酸塩、ブロモペンタメチルアミン
コバルト過塩素酸塩、ブロモペンタプロピルアミンコバ
ルト過塩素酸塩、ヘキサアンモニアコバルト過塩素酸
塩、ヘキサメチルアミンコバルト過塩素酸塩、ヘキサプ
ロピルアミンコバルト過塩素酸塩などがあげられる。
モニアコバルト過塩素酸塩、ブロモペンタメチルアミン
コバルト過塩素酸塩、ブロモペンタプロピルアミンコバ
ルト過塩素酸塩、ヘキサアンモニアコバルト過塩素酸
塩、ヘキサメチルアミンコバルト過塩素酸塩、ヘキサプ
ロピルアミンコバルト過塩素酸塩などがあげられる。
【００２５】オルトニトロベンジルカルバメート類とし
ては、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニ
ル］メチルアミン、［［（２−ニトロベンジル）オキ
シ］カルボニル］プロピルアミン、［［（２−ニトロベ
ンジル）オキシ］カルボニル］ヘキシルアミン、
［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シク
ロヘキシルアミン、［［（２−ニトロベンジル）オキ
シ］カルボニル］アニリン、［［（２−ニトロベンジ
ル）オキシ］カルボニル］ピペリジン、ビス［［（２−
ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサメチレン
ジアミン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カ
ルボニル］フェニレンジアミン、ビス［［（２−ニトロ
ベンジル）オキシ］カルボニル］トルエンジアミン、ビ
ス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ジ
アミノジフェニルメタン、ビス［［（２−ニトロベンジ
ル）オキシ］カルボニル］ピペラジン、［［（２，６−
ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］メチルアミ
ン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボ
ニル］プロピルアミン、［［（２，６−ジニトロベンジ
ル）オキシ］カルボニル］ヘキシルアミン、［［（２，
６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘ
キシルアミン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキ
シ］カルボニル］アニリン、［［（２，６−ジニトロベ
ンジル）オキシ］カルボニル］ピペリジン、ビス
［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニ
ル］ヘキサメチレンジアミン、ビス［［（２，６−ジニ
トロベンジル）オキシ］カルボニル］フェニレンジアミ
ン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カ
ルボニル］トルエンジアミン、ビス［［（２，６−ジニ
トロベンジル）オキシ］カルボニル］ジアミノジフェニ
ルメタン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキ
シ］カルボニル］ピペラジンなどがあげられる。
ては、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニ
ル］メチルアミン、［［（２−ニトロベンジル）オキ
シ］カルボニル］プロピルアミン、［［（２−ニトロベ
ンジル）オキシ］カルボニル］ヘキシルアミン、
［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シク
ロヘキシルアミン、［［（２−ニトロベンジル）オキ
シ］カルボニル］アニリン、［［（２−ニトロベンジ
ル）オキシ］カルボニル］ピペリジン、ビス［［（２−
ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサメチレン
ジアミン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カ
ルボニル］フェニレンジアミン、ビス［［（２−ニトロ
ベンジル）オキシ］カルボニル］トルエンジアミン、ビ
ス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ジ
アミノジフェニルメタン、ビス［［（２−ニトロベンジ
ル）オキシ］カルボニル］ピペラジン、［［（２，６−
ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］メチルアミ
ン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボ
ニル］プロピルアミン、［［（２，６−ジニトロベンジ
ル）オキシ］カルボニル］ヘキシルアミン、［［（２，
６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘ
キシルアミン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキ
シ］カルボニル］アニリン、［［（２，６−ジニトロベ
ンジル）オキシ］カルボニル］ピペリジン、ビス
［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニ
ル］ヘキサメチレンジアミン、ビス［［（２，６−ジニ
トロベンジル）オキシ］カルボニル］フェニレンジアミ
ン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カ
ルボニル］トルエンジアミン、ビス［［（２，６−ジニ
トロベンジル）オキシ］カルボニル］ジアミノジフェニ
ルメタン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキ
シ］カルボニル］ピペラジンなどがあげられる。
【００２６】α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベ
ンジルカルバメート類としては、［［（α，α−ジメチ
ル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニ
ル］メチルアミン、［［（α，α−ジメチル−３，５−
ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］プロピルア
ミン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベ
ンジル）オキシ］カルボニル］ヘキシルアミン、
［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジ
ル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、
［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジ
ル）オキシ］カルボニル］アニリン、［［（α，α−ジ
メチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボ
ニル］ピペリジン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，
５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサ
メチレンジアミン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，
５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］フェニ
レンジアミン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−
ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］トルエンジ
アミン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメト
キシベンジル）オキシ］カルボニル］ジアミノジフェニ
ルメタン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメ
トキシベンジル）オキシ］カルボニル］ピペラジンなど
があげられる。
ンジルカルバメート類としては、［［（α，α−ジメチ
ル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニ
ル］メチルアミン、［［（α，α−ジメチル−３，５−
ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］プロピルア
ミン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベ
ンジル）オキシ］カルボニル］ヘキシルアミン、
［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジ
ル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、
［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジ
ル）オキシ］カルボニル］アニリン、［［（α，α−ジ
メチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボ
ニル］ピペリジン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，
５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサ
メチレンジアミン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，
５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］フェニ
レンジアミン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−
ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］トルエンジ
アミン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメト
キシベンジル）オキシ］カルボニル］ジアミノジフェニ
ルメタン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメ
トキシベンジル）オキシ］カルボニル］ピペラジンなど
があげられる。
【００２７】アシルオキシイミノ類としては、プロピオ
ニルアセトフェノンオキシム、プロピオニルベンゾフェ
ノンオキシム、プロピオニルアセトンオキシム、ブチリ
ルアセトフェノンオキシム、ブチリルベンゾフェノンオ
キシム、ブチリルアセトンオキシム、アジポイルアセト
フェノンオキシム、アジポイルベンゾフェノンオキシ
ム、アジポイルアセトンオキシム、アクロイルアセトフ
ェノンオキシム、アクロイルベンゾフェノンオキシム、
アクロイルアセトンオキシムなどがあげられる。上記の
紫外線塩基発生剤の中でも特に好ましいものとしては、
［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シク
ロヘキシルアミン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オ
キシ］カルボニル］ヘキサメチレンジアミン、ビス
［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジ
ル）オキシ］カルボニル］ヘキサメチレンジアミンがあ
げられる。
ニルアセトフェノンオキシム、プロピオニルベンゾフェ
ノンオキシム、プロピオニルアセトンオキシム、ブチリ
ルアセトフェノンオキシム、ブチリルベンゾフェノンオ
キシム、ブチリルアセトンオキシム、アジポイルアセト
フェノンオキシム、アジポイルベンゾフェノンオキシ
ム、アジポイルアセトンオキシム、アクロイルアセトフ
ェノンオキシム、アクロイルベンゾフェノンオキシム、
アクロイルアセトンオキシムなどがあげられる。上記の
紫外線塩基発生剤の中でも特に好ましいものとしては、
［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シク
ロヘキシルアミン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オ
キシ］カルボニル］ヘキサメチレンジアミン、ビス
［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジ
ル）オキシ］カルボニル］ヘキサメチレンジアミンがあ
げられる。
【００２８】本発明の組成物には必要に応じて増感剤を
添加することもできる。増感剤としては、ミヒラーケト
ン、Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−フェニルジエタノール
アミンなどの芳香族アミン、アジドアントラキノン、ア
ジドベンザルアセトフェノンなどの芳香族モノアジド、
３，３´−カルボニルビス（ジエチルアミノクマリン）
など一般に光硬化性樹脂に使用されるようなもの、その
他電子写真の電荷移動剤として使用されるものであれ
ば、好ましく使用できる。増感剤を用いる場合、シロキ
サンポリマーに対して０．１〜５重量％の範囲で添加す
るのが好ましい。この範囲を外れると、感光性が低下し
たり、ポリマーの機械特性が低下したりするので注意を
要する。
添加することもできる。増感剤としては、ミヒラーケト
ン、Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−フェニルジエタノール
アミンなどの芳香族アミン、アジドアントラキノン、ア
ジドベンザルアセトフェノンなどの芳香族モノアジド、
３，３´−カルボニルビス（ジエチルアミノクマリン）
など一般に光硬化性樹脂に使用されるようなもの、その
他電子写真の電荷移動剤として使用されるものであれ
ば、好ましく使用できる。増感剤を用いる場合、シロキ
サンポリマーに対して０．１〜５重量％の範囲で添加す
るのが好ましい。この範囲を外れると、感光性が低下し
たり、ポリマーの機械特性が低下したりするので注意を
要する。
【００２９】本発明の感光性樹脂組成物には、増感剤の
ほか、粘度調整剤、界面活性剤、安定化剤、着色剤、ガ
ラス質形成剤などを添加することもできる。
ほか、粘度調整剤、界面活性剤、安定化剤、着色剤、ガ
ラス質形成剤などを添加することもできる。
【００３０】次に、本発明の感光性樹脂組成物を用いた
パターン形成方法を順に説明する。本発明の感光性樹脂
組成物をスピンナー、ディッピングなどの公知の方法に
よってシリコンウェハー、セラミックス板などの基板上
に塗布し、プリベークする。プリベークは、５０〜１５
０℃の範囲で３０秒〜３０分間行ない、プリべーク後の
膜厚は、０．１〜１０．０μｍとするのが好ましい。
パターン形成方法を順に説明する。本発明の感光性樹脂
組成物をスピンナー、ディッピングなどの公知の方法に
よってシリコンウェハー、セラミックス板などの基板上
に塗布し、プリベークする。プリベークは、５０〜１５
０℃の範囲で３０秒〜３０分間行ない、プリべーク後の
膜厚は、０．１〜１０．０μｍとするのが好ましい。
【００３１】プリベーク後、ＰＬＡなどの露光機を用
い、５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2 程度（３６５ｎｍ）を
所望のマスクを介して露光する。
い、５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2 程度（３６５ｎｍ）を
所望のマスクを介して露光する。
【００３２】露光後、加熱（ポストエクスポージャーベ
ーク）を行うことが好ましい。ポストエクスポージャー
ベークを行うことによって、露光によって発生した塩基
性化合物の作用により露光部の高分子量化が未露光部よ
り進行し、未露光部との現像液溶解度差が広がり、解像
コントラストが向上するという効果が得られる。ポスト
エクスポージャーベークは５０〜１５０℃の範囲で、３
０秒〜３０分間行うのが好ましい。
ーク）を行うことが好ましい。ポストエクスポージャー
ベークを行うことによって、露光によって発生した塩基
性化合物の作用により露光部の高分子量化が未露光部よ
り進行し、未露光部との現像液溶解度差が広がり、解像
コントラストが向上するという効果が得られる。ポスト
エクスポージャーベークは５０〜１５０℃の範囲で、３
０秒〜３０分間行うのが好ましい。
【００３３】次に、現像を行う。現像方法としては、現
像液に１０秒〜１０分間浸漬することが好ましい。現像
液としては、有機溶剤、アルカリ性水溶液などを用いる
ことができる。具体的には、イソプロパノール、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルなどの有機溶剤；テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液、炭
酸ナトリウム水溶液などのアルカリ性水溶液が挙げられ
る。
像液に１０秒〜１０分間浸漬することが好ましい。現像
液としては、有機溶剤、アルカリ性水溶液などを用いる
ことができる。具体的には、イソプロパノール、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルなどの有機溶剤；テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液、炭
酸ナトリウム水溶液などのアルカリ性水溶液が挙げられ
る。
【００３４】現像後、水あるいは一般有機溶剤でリンス
することが好ましく，つづいて乾燥することによりパタ
ーンが形成される。
することが好ましく，つづいて乾燥することによりパタ
ーンが形成される。
【００３５】本発明の感光性樹脂組成物は、半導体装置
のレジスト、層間絶縁膜、導波路形成用材料、位相シフ
ター用材料、バッファコート、平坦化剤、さらには各種
電子部品の保護膜として用いることができるが、これら
に限定されない。
のレジスト、層間絶縁膜、導波路形成用材料、位相シフ
ター用材料、バッファコート、平坦化剤、さらには各種
電子部品の保護膜として用いることができるが、これら
に限定されない。
【００３６】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。
明する。
【００３７】
【００３８】
【００３９】比較例１メチルトリアセトキシシラン１８４ｇ（１．０ｍｏ
ｌ）、フェニルトリアセトキシシラン７４ｇ（０．３ｍ
ｏｌ）をブチルセロソルブ２００ｇに溶解し、水７０ｇ
を攪拌しながら加えた。得られた溶液を５０℃で加熱
し、５時間反応させた。得られた溶液に、 ｏ−ニトロベ
ンジルフォスフェート２．０ｇ、Ｎ−フェニルグリシン
０．５ｇを加え、感光性樹脂組成物を得た。
ｌ）、フェニルトリアセトキシシラン７４ｇ（０．３ｍ
ｏｌ）をブチルセロソルブ２００ｇに溶解し、水７０ｇ
を攪拌しながら加えた。得られた溶液を５０℃で加熱
し、５時間反応させた。得られた溶液に、 ｏ−ニトロベ
ンジルフォスフェート２．０ｇ、Ｎ−フェニルグリシン
０．５ｇを加え、感光性樹脂組成物を得た。
【００４０】この感光性樹脂組成物の塗布膜を実施例１
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は５．０μｍであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラチチュードが狭かった。
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は５．０μｍであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラチチュードが狭かった。
【００４１】実施例１
メチルトリメトキシシラン１３６ｇ（１．０ｍｏｌ）、
トリフルオロメチルトリメトキシシラン１９ｇ（０．１
ｍｏｌ）、メチルフェニルジエトキシシラン８９ｇ
（０．５ｍｏｌ）をノルマルブタノール１００ｇに溶解
し、５重量％の酢酸水溶液８０ｇを氷冷、攪拌しながら
加えた。さらに、室温にて１０時間攪拌後、一昼夜放置
した。得られた溶液に［［（α、α−ジメチル−３，５
−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］アニリン
１．０ｇを加え、感光性樹脂組成物を得た。
トリフルオロメチルトリメトキシシラン１９ｇ（０．１
ｍｏｌ）、メチルフェニルジエトキシシラン８９ｇ
（０．５ｍｏｌ）をノルマルブタノール１００ｇに溶解
し、５重量％の酢酸水溶液８０ｇを氷冷、攪拌しながら
加えた。さらに、室温にて１０時間攪拌後、一昼夜放置
した。得られた溶液に［［（α、α−ジメチル−３，５
−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］アニリン
１．０ｇを加え、感光性樹脂組成物を得た。
【００４２】この感光性樹脂組成物の塗布膜を通風オー
ブンを用いて、６０℃で３０分プリベーク後、所望のマ
スクを介して、２００ｍＪ／ｃｍ2 （３６５ｎｍ）露光
した。ホットプレートを用いて、１２０℃で７分間のポ
ストエクスポージャーベークを行なった後、水酸化ナト
リウムの１％水溶液で１０秒間現像、水洗したところ、
最小０．５μｍの良好なパターンが得られた。また、プ
ロセスラチチュードが広く、パターン加工が容易であっ
た。
ブンを用いて、６０℃で３０分プリベーク後、所望のマ
スクを介して、２００ｍＪ／ｃｍ2 （３６５ｎｍ）露光
した。ホットプレートを用いて、１２０℃で７分間のポ
ストエクスポージャーベークを行なった後、水酸化ナト
リウムの１％水溶液で１０秒間現像、水洗したところ、
最小０．５μｍの良好なパターンが得られた。また、プ
ロセスラチチュードが広く、パターン加工が容易であっ
た。
【００４３】比較例２
［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジ
ル）オキシ］カルボニル］アニリンの代わりに、ピロガ
ロールトリトシレートを用いる以外は実施例２と同様に
して、感光性樹脂組成物を得た。
ル）オキシ］カルボニル］アニリンの代わりに、ピロガ
ロールトリトシレートを用いる以外は実施例２と同様に
して、感光性樹脂組成物を得た。
【００４４】この感光性樹脂組成物の塗布膜を実施例２
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は５．０μｍであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラチチュードが狭かった。
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は５．０μｍであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラチチュードが狭かった。
【００４５】
【００４６】
【００４７】比較例３メチルトリメトキシシラン１３６ｇ（１．０ｍｏｌ）を
ジイソブチルケトン５０ｇに溶解し、水６０ｇ、ｐ−ト
ルエンスルホン酸３ｇを攪拌しながら加えた。得られた
溶液を加熱し、環流させながら、２４時間反応させた。
その後、酢酸ブチル５００ｇを用いてシロキサンポリマ
ーを抽出し、有機層をイオン交換水２００ｇを加えて振
とうし、静置後、水層を分離除去した。得られた有機層
を濃縮し、 トリ（ニトロベンジル）フォスフェート０．
２ｇを加え、感光性樹脂組成物を得た。
ジイソブチルケトン５０ｇに溶解し、水６０ｇ、ｐ−ト
ルエンスルホン酸３ｇを攪拌しながら加えた。得られた
溶液を加熱し、環流させながら、２４時間反応させた。
その後、酢酸ブチル５００ｇを用いてシロキサンポリマ
ーを抽出し、有機層をイオン交換水２００ｇを加えて振
とうし、静置後、水層を分離除去した。得られた有機層
を濃縮し、 トリ（ニトロベンジル）フォスフェート０．
２ｇを加え、感光性樹脂組成物を得た。
【００４８】この感光性樹脂組成物の塗布膜を実施例３
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は５．０μｍであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラチチュードが狭かった。
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は５．０μｍであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラチチュードが狭かった。
【００４９】実施例２
メチルトリメトキシシラン１９０ｇ（１．４ｍｏｌ）、
ジメチルジメトキシシラン７２ｇ（０．６ｍｏｌ）、フ
ェニルトリメトキシシラン７．９ｇ（０．４ｍｏｌ）を
メチルイソブチルケトン９０ｇに溶解し、これに、水１
２０ｇ、リン酸１０ｇを攪拌しながら加えた。得られた
溶液を加熱し、還流させながら、３時間反応させた。そ
の後、メチルイソブチルケトン１０００ｇを用いてシロ
キサンポリマーを抽出し、有機層をイオン交換水１００
０ｇを加えて振とうし、静置後、水層を分離除去した。
得られた有機層を濃縮して、シロキサンポリマーを得
た。このポリマー２０ｇをプロピレングリコールモノメ
チルエーテル３０ｇに溶解し、さらに［［（２−ニトロ
ベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン
０．１ｇを加え、感光性樹脂組成物を得た。
ジメチルジメトキシシラン７２ｇ（０．６ｍｏｌ）、フ
ェニルトリメトキシシラン７．９ｇ（０．４ｍｏｌ）を
メチルイソブチルケトン９０ｇに溶解し、これに、水１
２０ｇ、リン酸１０ｇを攪拌しながら加えた。得られた
溶液を加熱し、還流させながら、３時間反応させた。そ
の後、メチルイソブチルケトン１０００ｇを用いてシロ
キサンポリマーを抽出し、有機層をイオン交換水１００
０ｇを加えて振とうし、静置後、水層を分離除去した。
得られた有機層を濃縮して、シロキサンポリマーを得
た。このポリマー２０ｇをプロピレングリコールモノメ
チルエーテル３０ｇに溶解し、さらに［［（２−ニトロ
ベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン
０．１ｇを加え、感光性樹脂組成物を得た。
【００５０】この感光性樹脂組成物の塗布膜をホットプ
レートを用いて、８０℃で１０分プリベーク後、所望の
マスクを介して、１５０ｍＪ／ｃｍ2 （３６５ｎｍ）露
光した。ホットプレートを用いて、８０℃で２０分間の
ポストエクスポージャーベークを行なった後、テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイドの２．３８％水溶
液で１５秒間現像、水洗したところ、最小０．５μｍの
良好なパターンが得られた。また、プロセスラチチュー
ドが広く、パターン加工が容易であった。
レートを用いて、８０℃で１０分プリベーク後、所望の
マスクを介して、１５０ｍＪ／ｃｍ2 （３６５ｎｍ）露
光した。ホットプレートを用いて、８０℃で２０分間の
ポストエクスポージャーベークを行なった後、テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイドの２．３８％水溶
液で１５秒間現像、水洗したところ、最小０．５μｍの
良好なパターンが得られた。また、プロセスラチチュー
ドが広く、パターン加工が容易であった。
【００５１】比較例４
［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シク
ロヘキシルアミンの代わりに、ベンゾイントシレートを
用いる以外は実施例４と同様にして、感光性樹脂組成物
を得た。
ロヘキシルアミンの代わりに、ベンゾイントシレートを
用いる以外は実施例４と同様にして、感光性樹脂組成物
を得た。
【００５２】この感光性樹脂組成物の塗布膜を実施例４
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は２．０μｍであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラチチュードが狭かった。
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は２．０μｍであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラチチュードが狭かった。
【００５３】実施例３
テトラメトキシシラン３０４ｇ（２．０ｍｏｌ）、ビニ
ルトリメトキシシラン１４８ｇ（１．０ｍｏｌ）、３−
アミノプロピルトリエトキシシラン１１１ｇ（０．５ｍ
ｏｌ）をメタノール１００ｇに溶解し、これに、水２０
０ｇを攪拌しながら加えた。得られた溶液を加熱し、還
流させながら、８時間反応させた。その後、この溶液を
イオン交換樹脂１ｋｇを充填したカラムに通し、水およ
び触媒を除去し、得られた有機層を濃縮して、シロキサ
ンポリマーを得た。このポリマー２０ｇをプロピレング
リコールモノメチルエーテル５０ｇに溶解し、さらにビ
ス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニ
ル］ヘキサメチレンジアミン０．１ｇを加え、感光性樹
脂組成物を得た。
ルトリメトキシシラン１４８ｇ（１．０ｍｏｌ）、３−
アミノプロピルトリエトキシシラン１１１ｇ（０．５ｍ
ｏｌ）をメタノール１００ｇに溶解し、これに、水２０
０ｇを攪拌しながら加えた。得られた溶液を加熱し、還
流させながら、８時間反応させた。その後、この溶液を
イオン交換樹脂１ｋｇを充填したカラムに通し、水およ
び触媒を除去し、得られた有機層を濃縮して、シロキサ
ンポリマーを得た。このポリマー２０ｇをプロピレング
リコールモノメチルエーテル５０ｇに溶解し、さらにビ
ス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニ
ル］ヘキサメチレンジアミン０．１ｇを加え、感光性樹
脂組成物を得た。
【００５４】この感光性樹脂組成物の塗布膜をホットプ
レートを用いて、１２０℃で５分プリベーク後、所望の
マスクを介して、２００ｍＪ／ｃｍ2（３６５ｎｍ）露
光した。ホットプレートを用いて、７０℃で３０分間の
ポストエクスポージャーベークを行なった後、テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイドの２．３８％水溶
液で１５秒間現像、水洗したところ、最小０．５μｍの
良好なパターンが得られた。また、プロセスラティチュ
ードが広く、パターン加工が容易であった。
レートを用いて、１２０℃で５分プリベーク後、所望の
マスクを介して、２００ｍＪ／ｃｍ2（３６５ｎｍ）露
光した。ホットプレートを用いて、７０℃で３０分間の
ポストエクスポージャーベークを行なった後、テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイドの２．３８％水溶
液で１５秒間現像、水洗したところ、最小０．５μｍの
良好なパターンが得られた。また、プロセスラティチュ
ードが広く、パターン加工が容易であった。
【００５５】比較例５
ビス［［２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニ
ル］ヘキサメチレンジアミンの代わりに、トリアニソイ
ンフォスフェートを用いる以外は実施例５と同様にし
て、感光性樹脂組成物を得た。
ル］ヘキサメチレンジアミンの代わりに、トリアニソイ
ンフォスフェートを用いる以外は実施例５と同様にし
て、感光性樹脂組成物を得た。
【００５６】この感光性樹脂組成物の塗布膜を実施例５
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は２．０μｍであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラティチュードが狭かった。
と同様に評価したところ、パターンエッジが尖鋭でな
く、得られた最小寸法は２．０μｍであった。また、ポ
ストエクスポージャーベークの条件により、現像時間が
大きく異なり、プロセスラティチュードが狭かった。
【００５７】
【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物は、パターン
精度および加工性に優れている。
精度および加工性に優れている。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−148887（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−130668（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−158363（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−162040（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/00 - 7/42
Claims (4)
- 【請求項１】枝分かれしたアルカリ可溶性シロキサンポ
リマーと塩基発生剤を含むことを特徴とするネガ型感光
性樹脂組成物。 - 【請求項２】該塩基性発生剤が活性化学線の作用で塩基
性化合物を発生するものであることを特徴とする請求項
１記載のネガ型感光性樹脂組成物。 - 【請求項３】請求項１または２記載の感光性樹脂組成物
を基板上に塗布、プリベーク後、マスクを介して露光
し、つづいて現像することを特徴とするネガ型パターン
形成方法。 - 【請求項４】マスクを介して露光後、現像前に、加熱す
ることを特徴とする請求項３記載のネガ型パターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06010993A JP3376629B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 感光性樹脂組成物およびこれを使用したパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06010993A JP3376629B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 感光性樹脂組成物およびこれを使用したパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06273936A JPH06273936A (ja) | 1994-09-30 |
| JP3376629B2 true JP3376629B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=13132621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06010993A Expired - Fee Related JP3376629B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 感光性樹脂組成物およびこれを使用したパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3376629B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2705646B2 (ja) * | 1994-11-11 | 1998-01-28 | 日本電気株式会社 | 微細パターン形成方法 |
| JP3628098B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2005-03-09 | ダウ コーニング アジア株式会社 | 放射線硬化性組成物およびこれを用いた硬化物パターンの製造方法 |
| JPH09268228A (ja) * | 1996-04-01 | 1997-10-14 | Dow Corning Asia Ltd | 紫外線硬化性組成物およびこれを用いた硬化物パターンの形成方法 |
| US5861235A (en) * | 1996-06-26 | 1999-01-19 | Dow Corning Asia, Ltd. | Ultraviolet-curable composition and method for patterning the cured product therefrom |
| KR100881301B1 (ko) | 2001-04-09 | 2009-02-03 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 광반응성 조성물 |
| US6842577B2 (en) * | 2002-12-02 | 2005-01-11 | Shipley Company L.L.C. | Photoimageable waveguide composition and waveguide formed therefrom |
| EP1672427A4 (en) | 2003-10-07 | 2010-01-13 | Hitachi Chemical Co Ltd | RADIODURCISSABLE COMPOSITION, METHOD FOR STORING THE SAME, METHOD FOR FORMING CURED FILM, METHOD FOR FORMING PATTERN, METHOD FOR USING PATTERN, ELECTRONIC COMPONENT, AND OPTICAL WAVEGUIDE |
| KR100924621B1 (ko) | 2003-10-07 | 2009-11-02 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 방사선 경화성 조성물, 그 보존방법, 경화막 형성방법,패턴 형성방법, 패턴 사용방법, 전자부품 및 광도파로 |
| DE602005001341T2 (de) * | 2004-04-14 | 2008-02-21 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C., Marlborough | Zusammensetzungen für Wellenleiter und daraus hergestellte Wellenleiter |
| CN102365341B (zh) * | 2009-03-31 | 2014-12-31 | 大日本印刷株式会社 | 碱产生剂、感光性树脂组合物、含有该感光性树脂组合物的图案形成用材料、使用该感光性树脂组合物的图案形成方法以及物品 |
| JP5399116B2 (ja) * | 2009-04-06 | 2014-01-29 | 三洋化成工業株式会社 | 光塩基発生剤を含有する感光性組成物 |
| JP5568892B2 (ja) * | 2009-05-01 | 2014-08-13 | Ｊｓｒ株式会社 | ネガ型感放射線性組成物、硬化パターン形成方法及び硬化パターン |
| KR101601271B1 (ko) | 2009-07-20 | 2016-03-08 | 주식회사 엘지화학 | 발광소자 봉지용 조성물, 발광 다이오드 및 액정표시장치 |
| KR101585270B1 (ko) | 2010-03-16 | 2016-01-13 | (주)엘지하우시스 | 점착 필름 및 터치패널 |
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