JPH08327842A - 光導波路 - Google Patents

光導波路

Info

Publication number
JPH08327842A
JPH08327842A JP13061495A JP13061495A JPH08327842A JP H08327842 A JPH08327842 A JP H08327842A JP 13061495 A JP13061495 A JP 13061495A JP 13061495 A JP13061495 A JP 13061495A JP H08327842 A JPH08327842 A JP H08327842A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
core
optical waveguide
clad
waveguide
cured
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13061495A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Tomaru
暁 都丸
Saburo Imamura
三郎 今村
Makoto Hikita
真 疋田
Naoki Oba
直樹 大庭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP13061495A priority Critical patent/JPH08327842A/ja
Publication of JPH08327842A publication Critical patent/JPH08327842A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 安価でしかも高性能な導波路型光素子、特に
単一モード用の光導波路で、他の光部品と光結合する
際、繁雑な位置合わせ等の作業が不要となるV溝等と一
体化して作製され得る光導波路を提供することを目的と
する。 【構成】 光導波路は、コアと、該コアを囲み該コアよ
りも低屈折率のクラッドとを少なくとも有し、前記クラ
ッドは、エポキシ環、不飽和基、シロキサン結合を有す
るモノマあるいはオリゴマと重合開始剤との混合物を光
硬化または熱硬化したものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信分野、光情報処
理分野において使用される光デバイスを構成する導波路
型光学素子等における光導波路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、この種の導波路型光学素子
は、材料としては石英ガラス、誘電体結晶LiNbO3
等を用い、その作製法としてはLSIプロセスでよく用
いられるフォトリソグラフィ、ドライエッチングプロセ
スの組み合せにより微細加工を施し、高性能な導波路型
光素子を作製していた(例えば文献 河内正夫 Opt
ical and Quantum Electron
ics 22巻 391ページ(1990年))。
【0003】しかし、このような方法では、製造プロセ
スが繁雑なこと、作製装置が高価なことから、大量生産
には適していないこと、あるいは安価に素子を作製でき
ないという欠点があった。
【0004】また、素子を作製しても、その後、光ファ
イバ等の他の光部品との光結合に精密な調整が必要なた
め、大量生産には適していないという問題もある。
【0005】一方、より安価な材料、高分子材料を用い
て導波路素子を作製することも行われているが(文献
今村他 Electronics Letters 2
7巻1342ページ(1991年))、ガラス導波路と
同様な導波路作製法では基板1枚ごとに同じパターニン
グ工程を繰り返す必要があることや、エッチング装置が
高価なこと等のため、材料的には安価であっても素子作
製ではガラス導波路と同様なコストがかかり安価とはな
らないという欠点がある。
【0006】また、先の作製法と同様に素子を作製して
も、その後、光ファイバ等の他の光部品との光結合に精
密な調整が必要なため、大量生産には適していないとい
う問題もある。
【0007】従来の作製法における欠点を解消する目的
で、金型の転写による射出成形等の大量生産に適した高
分子成形法により高分子導波路を作製する方法も提案さ
れている。この作製法によれば、従来よりもプロセスコ
ストを下げ、あるいは光結合の繁雑さを避けることは可
能である。しかし、数μmオーダの加工精度が必要な単
一モード導波路の作製に上記作製法を適用する場合に
は、十分な光学特性を有する導波路が実現できない欠点
があった。これは主に成形時に用いる金型寸法と成形後
高分子(以下、高分子成形体という)の転写寸法が大き
く異なることに起因すると考えられる。
【0008】また、この成形法によりSi基板にV溝加
工を基にして作製した金型を用いて、光結合を容易にす
るV溝を高分子導波路と一体化して作製する方法も提案
されている。この作製法によれば、光ファイバとの結合
を簡便にして導波路素子に係るコストを下げることは可
能である。しかし、特に単一モード導波路と単一モード
光ファイバとの結合では数μmオーダ以下の位置合わせ
精度が必要なため、十分に低い結合損失を有する導波路
は作製できない欠点があった。これも主に成形時に用い
る金型寸法と高分子成形体との転写寸法が大きく異なる
ことに起因すると考えられる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記欠点を解
決するためになされたもので、その目的とするところは
安価でしかも高性能な導波路型光素子、特に単一モード
用の光導波路であって、他の光部品と光結合する際、繁
雑な位置合わせ等の作業が不要となるV溝等と一体化し
て作製され得る光導波路を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を解決するための要因について簡単に説明する。
【0011】(1)素子を作製する導波路作製プロセス
においては大規模な装置を用いず、大量生産に適した加
工法を用いること、(2)材料的にコストが低く、加工
が容易な高分子材料をクラッドとして用いること、
(3)コアとしては加工が容易でしかも光学的に低損失
な高分子材料を用いること、(4)導波路を作製する
際、光ファイバ等の他の光部品との位置合わせを考慮し
た金型を用い、作製後の光結合のための作業をできるだ
け簡略化すること等が挙げられる。
【0012】本発明の光導波路では、安価な材料である
高分子材料を用い、大量生産に適した加工法である金型
のパターンを転写する成形加工により導波路を作製する
ことを基本としている。この際の問題は成形時に用いる
金型寸法と高分子成形体との転写寸法差が大きいという
点にある。これは例えば射出成形等では高分子を成形す
るのに高温下で非常に大きな圧力をかけ成形し、その後
室温まで冷却するといった方法をとっているため、ガラ
ス等に比較すると熱膨張係数が1桁以上大きな高分子材
料では成形時に用いる金型寸法と高分子成形体との転写
寸法差を小さくすることは困難であることが多い。
【0013】そこで、上記目的を達成するために、請求
項1記載の発明は、コアと、該コアを囲み該コアよりも
低屈折率のクラッドとを少なくとも有する光導波路にお
いて、前記クラッドは、エポキシ環を有するモノマある
いはオリゴマと重合開始剤との混合物を光硬化または熱
硬化したものであることを特徴とする。
【0014】請求項2記載の発明は、コアと、該コアを
囲み該コアよりも低屈折率のクラッドとを少なくとも有
する光導波路において、前記クラッドは、不飽和基を有
するモノマあるいはオリゴマと重合開始剤との混合物を
光硬化または熱硬化したものであることを特徴とする。
【0015】請求項3記載の発明は、コアと、該コアを
囲み該コアよりも低屈折率のクラッドとを少なくとも有
する光導波路において、前記クラッドは、シロキサン結
合を有するモノマあるいはオリゴマと重合開始剤との混
合物を光硬化または熱硬化したものであることを特徴と
する。
【0016】請求項4記載の発明は、請求項1〜3のい
ずれかの項に記載の光導波路において、前記コアが下記
式(I)
【0017】
【化3】
【0018】に示す化学構造を有する材料からなるもの
であることを特徴とする。
【0019】請求項5記載の発明は、請求項1〜3のい
ずれかの項に記載の光導波路において、前記コアが下記
式(II)または(III )
【0020】
【化4】
【0021】[式中、R1 ,R2 は同一または異なり、
n2n-1(Yは水素、重水素もしくはハロゲン、nは
5以上の正の整数を表す)で表されるアルキル基、重水
素化アルキル基またはハロゲン化アルキル基、あるいは
65 (Yは水素、重水素もしくはハロゲンを表す)
で表されるフェニル基、重水素化フェニル基またはハロ
ゲン化フェニル基で表される]繰り返し単位を有するポ
リシロキサン、あるいは式(II)または(III )で表さ
れる繰り返し単位の共重合体であるポリシロキサン、お
よびこれらの混合物からなる群より選択されたポリマで
あることを特徴とする。
【0022】
【作用】本発明の光導波路では、光あるいは熱により硬
化し、大きな圧力をかけなくても簡単に金型の転写レプ
リカが得られるタイプの高分子材料を用い、構造もエポ
キシ環、不飽和基、シリコーン等を有し硬化収縮が少な
い構造としている。また、材料に熱をかける場合でもそ
れほど高温を必要としない。これにより、成形時に用い
る金型寸法と高分子成形体との転写寸法差をできるだけ
小さくすることができる。コアに用いる高分子材料とし
ては重水素化PMMA(ポリメチルメタクリレート)あ
るいはシリコーン材料を用いるため、近赤外域で低損失
等の高性能な導波特性が得られる。
【0023】さらに、本発明では用いる金型の構造を工
夫することにより導波路と光ファイバをのせるためのV
溝等を一体で簡単に作製することができるため導波路と
光ファイバとの光結合が精度よく簡便にできる。
【0024】
【実施例】以下、図1(a)〜(e)を参照して本発明
の光導波路を作製する方法の一例を概略説明する。
【0025】図1の(a)に示すように、所望の形状に
加工された基板1上にスピンコート、ディッピング等の
手段により塗布層2を設ける。この塗布層2を形成する
材料としては、室温で流動性を示し、かつ、後述の例え
ば光照射等により硬化し、しかも硬化収縮の比較的小さ
い性質を有するモノマあるいはオリゴマを用いることが
できる。
【0026】次に、(b)に示すように、塗布層2の上
に、所望の形状の長尺凸部3aを有する成形用の型3を
被せる。この型3は、本実施例では上記塗布層2を硬化
させるのに利用される波長光(紫外線)を少なくとも透
過する材料から形成されている。この型3の上方から上
記透過波長の光4を照射して塗布層2を硬化させ、型3
の樹脂レプリカである硬化膜5aを形成する。この硬化
膜5aは、目的の光導波路の下部クラッドとなる。な
お、塗布層2の硬化を、光照射に代えて所定温度での加
熱硬化により行ってもよい。
【0027】次に、型3を除去すると、硬化膜5aの上
部には型3の長尺凸部3aも対応した形状、寸法の溝が
露出する。(c)に示すように、この溝内に上記硬化膜
5aの屈折率よりも高い屈折率を有する高分子材料溶液
6を流し込む。
【0028】次に、(d)に示すように、樹脂レプリカ
のうち、上記溝から硬化膜5a上にはみ出した余剰部分
がある場合には、溶媒乾燥後、余剰部分7をドライエッ
チング等により除去し、上記溝内にコア8を作製する。
なお、余剰部分7の除去には、ドライエッチングに代え
て、研磨加工、ブレード、あるいはウエットエッチング
等の技術を用いることができる。
【0029】次に、(e)に示すように、硬化膜5aお
よびコア8上に上記硬化膜5aと同様の材料を塗布し、
光硬化させて上部クラッドとなる硬化膜5bを形成し、
コア8と、下部クラッド5aおよび上部クラッド5bを
含むクラッド5とからなる導波路素子9を得る。
【0030】以下、具体的な例を挙げて本発明を詳細に
説明する。
【0031】(実施例1)図2の(a)〜(g)を参照
して本発明の光導波路を作製する方法の一例を説明す
る。
【0032】まず、(a)に示すように、基板21を用
意し、この上にスピンコート法により下記式(IV)に示
す化学構造を有するエポキシ系UVモノマ(粘度100
0cp)を塗布し、塗布層22を形成した。
【0033】
【化5】
【0034】一方、(b)に示すように、幅7μm、高
さ7μm、長さ50mmの凸部24aを有するガラス性
の金型24を用意し、これを(c)に示すように塗布層
22上に被せ、金型24を介してUV光源25を用いて
露光し、塗布層22を光硬化させ、目的の光導波路の下
部クラッド23aを得た(n=1.47、波長1.31
μm)。この際、塗布層22を構成するUV樹脂は金型
形状に沿って硬化し、金型24の凸部24aに対応した
形状の溝が形成される。
【0035】次に、(d)に示すように、コアとなる高
分子材料溶液26(構造は下記の式(I)参照、屈折率
n=1.48、波長1.31μm)を溝内に流し込ん
だ。
【0036】
【化6】
【0037】次に、(e)に示すように、高分子溶液2
6の溶媒を90℃で30分乾燥後、酸素ガスによるドラ
イエッチング27で、上記溝からはみ出した余剰部分2
8を除去した。この操作により、(f)に示すように、
溝内のみに幅7μm、高さ7μmのコア29を作製でき
た(n=1.48、波長1.31μm)。
【0038】次に、(g)に示すように、コア29およ
び下部クラッド23aの上に、再びエポキシ系UVモノ
マを塗布し、硬化させて上部クラッド23bを形成して
導波路200を作製した。LD光源(波長1.31μ
m)を用いて導波路損失を測定したところ、導波路損失
は0.1dB/cmであった。
【0039】(実施例2)クラッド材料の主成分として
下記式(Va)または(Vb)に示す化学構造の不飽和基を
有するモノマを用い、かつ、実施例1と同一のコア材料
を用いた以外は、実施例1と同様の操作により、目的の
光導波路(クラッド屈折率n=1.47、コア屈折率n
=1.48、コア幅7μm、高さ7μm)を作製したと
ころ、導波路損失は0.1dB/cmであった。
【0040】
【化7】
【0041】(実施例3)クラッド材料の主成分として
下記式(VIa ),(VIb ),(VIc )に示す化学構造の
シロキサン結合を有するオリゴマを用い、かつ、コア材
料として下記式(II),(III )に示す化学構造の材料
を用いた以外は、実施例1と同様の操作により目的の光
導波路(クラッド屈折率n=1.52、コア屈折率n=
1.53、コア幅7μm、高さ7μm)を作製したとこ
ろ、導波路損失は0.1dB/cm(波長1.3μ
m)、0.5dB/cm(波長1.55μm)であっ
た。
【0042】
【化8】
【0043】(実施例4〜6)表1に示した材料をコア
成分およびクラッド成分として用いた以外は、実施例1
と同様な操作により目的の光導波路を作製し、その導波
路損失値を測定し、表1に示した。
【0044】
【表1】
【0045】(実施例7)図3の(a)〜(i)を参照
して本発明の光導波路のうち、V溝付の導波路を作製す
る方法の一例を説明する。
【0046】まず、(a)に示すように、基板30を用
意し、この上にエポキシ系UVモノマを流し、塗布層3
1を形成した。
【0047】一方、(b)に示すようなガラス金型32
を用意した。このガラス金型32は、その下側に断面V
字形状の凸部33(開き角60度、高さ150μm、幅
170μm、長さ20mm)と、この凸部33に連続し
て形成された断面矩形状の凸部34(高さ10μm、幅
10μm、長さ40mm)を有するものである。
【0048】次に、(c)に示すように、ガラス金型3
2を塗布層31上に被せ、ガラス金型32を介してUV
光源35で露光し、塗布層31を光硬化させ、下部クラ
ッドとしての硬化膜36(n=1.47、波長1.31
μm)を形成した。この際、塗布層31は金型形状に沿
って硬化し、(d)に示すように、ガラス金型32の凸
部33に対応するV溝部(開き角60度、高さ150μ
m、長さ20mm)37、凸部34に対応する細溝部
(深さ10μm、幅10μm、長さ40mm)38が硬
化膜36の表面上に形成された。これらV溝部37と細
溝部38とは連通して形成されている。
【0049】次に、(e)に示すように、硬化膜36上
の細溝部38に上述の式(I )に示す化学構造を有する
コア高分子材料溶液39を流し込んだ。この際、予めV
溝部37には、金型32のV字形状凸部と同様の形状を
持つ金型300を挿入しておいた。これは、細溝部38
と連通したV溝部37にコア高分子材料溶液39が入ら
ぬようにするためである。
【0050】次に、(f)に示すように、コア高分子材
料溶液39の溶媒乾燥後、細溝部38からはみ出した余
剰部分301をドライエッチングにより除去した。この
操作により、(g)に示すように、コア部分のうち、余
剰部分301が除去され、V溝部37に対して位置合わ
せされた細溝部38内にコア302(幅10μm、高さ
10μm)を形成した。
【0051】次に、(h)に示すように、コア302お
よび下部クラッドとしての硬化膜36の上に、再びエポ
キシ系UVモノマを被せ、光硬化して上部クラッド30
3を作製し、目的のV溝付導波路304を作製した。で
きた導波路304の外観を(図3(i))に示す。この
V溝部37に光ファイバを固定し、LD光源(波長1.
31μm)を用いて導波路損失を測定したところ、ファ
イバとの接続損失は0.2dB、導波路損失は0.1d
B/cmであった。
【0052】上記各実施例では、光硬化剤を用いて本発
明の光導波路の作製例を示したが、熱により重合させて
もよく、その場合は重合開始剤の種類を変えることによ
り同様な作製が行える。また、実施例7において光ファ
イバを挿入する溝形状としてV溝を用いたが、光ファイ
バが挿入できる形状であればV溝でなくても構わない。
【0053】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
クラッドを硬化収縮の少ない特定の材料で形成したの
で、成形硬化後の寸法と金型寸法との転写寸法差を極め
て小さくすることができるため、導波路損失の小さな高
性能光導波路を得ることができる。
【0054】また、光ファイバ等を固定するための溝を
一体に形成した溝付導波路では、導波路と溝とを精度よ
く形成できるので、溝に固定した光ファイバ等と光導波
路とを簡便に低損失で光結合できる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(e)は、それぞれ本発明の光導波路
の一実施例を作製する場合の各工程を示す断面図であ
る。
【図2】(a)〜(g)は、それぞれ本発明の光導波路
の他の実施例を作製する場合の各工程を示す図であっ
て、(a)は断面図であり、(b)〜(g)は斜視図で
ある。
【図3】(a)〜(i)は、それぞれ本発明の光導波路
のさらに他の実施例(V溝付導波路)を作製する場合の
各工程を示す図であって、(a)および(c)〜(e)
は断面図であり、(b)および(f)〜(i)は斜視図
である。
【符号の説明】
1 所望の形状に加工された基板 2 室温で流動性を示すモノマあるいはオリゴマからな
る塗布層 3 所望の形状を有する型 4 光照射あるいは加熱 5 クラッド 5a 下部クラッド(硬化膜) 5b 上部クラッド(硬化膜) 6 クラッドより屈折率が高い高分子材料溶液 7 溝部からはみ出した余剰部分 8 コア 9 コアクラッドからなる導波路素子 21 基板 22 エポキシ系UVモノマからなる塗布層 23 導波路のクラッド 23a 下部クラッド 23b 上部クラッド 24 ガラス性金型 24a 凸部 25 UV光源 26 コアとなる高分子材料の溶液 27 酸素ガスによるドライエッチング 28 余剰部分 29 コア 30 基板 31 エポキシ系UVモノマからなる塗布層 32 ガラス金型 33 V字形状凸部 34 細溝部 35 UV光源 36 下部クラッド(硬化膜) 37 V溝部 38 細溝部 39 コア高分子材料溶液 200 導波路 300 V字形状凸部を持つ金型 301 余剰部分 302 コア 303 上部クラッド 304 V溝付導波路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大庭 直樹 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コアと、該コアを囲み該コアよりも低屈
    折率のクラッドとを少なくとも有する光導波路におい
    て、 前記クラッドは、エポキシ環を有するモノマあるいはオ
    リゴマと重合開始剤との混合物を光硬化または熱硬化し
    たものであることを特徴とする光導波路。
  2. 【請求項2】 コアと、該コアを囲み該コアよりも低屈
    折率のクラッドとを少なくとも有する光導波路におい
    て、 前記クラッドは、不飽和基を有するモノマあるいはオリ
    ゴマと重合開始剤との混合物を光硬化または熱硬化した
    ものであることを特徴とする光導波路。
  3. 【請求項3】 コアと、該コアを囲み該コアよりも低屈
    折率のクラッドとを少なくとも有する光導波路におい
    て、 前記クラッドは、シロキサン結合を有するモノマあるい
    はオリゴマと重合開始剤との混合物を光硬化または熱硬
    化したものであることを特徴とする光導波路。
  4. 【請求項4】 前記コアが下記式(I) 【化1】 に示す化学構造を有する材料からなるものであることを
    特徴とする請求項1〜3のいずれかの項に記載の光導波
    路。
  5. 【請求項5】 前記コアが下記式(II)または(III ) 【化2】 [式中、R1 ,R2 は同一または異なり、Cn
    2n-1(Yは水素、重水素もしくはハロゲン、nは5以上
    の正の整数を表す)で表されるアルキル基、重水素化ア
    ルキル基またはハロゲン化アルキル基、あるいはC6
    5 (Yは水素、重水素もしくはハロゲンを表す)で表さ
    れるフェニル基、重水素化フェニル基またはハロゲン化
    フェニル基で表される]繰り返し単位を有するポリシロ
    キサン、あるいは式(II)または(III )で表される繰
    り返し単位の共重合体であるポリシロキサン、およびこ
    れらの混合物からなる群より選択されたポリマであるこ
    とを特徴とする請求項1〜3のいずれかの項に記載の光
    導波路。
JP13061495A 1995-05-29 1995-05-29 光導波路 Pending JPH08327842A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13061495A JPH08327842A (ja) 1995-05-29 1995-05-29 光導波路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13061495A JPH08327842A (ja) 1995-05-29 1995-05-29 光導波路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08327842A true JPH08327842A (ja) 1996-12-13

Family

ID=15038440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13061495A Pending JPH08327842A (ja) 1995-05-29 1995-05-29 光導波路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08327842A (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001037049A1 (fr) * 1999-11-12 2001-05-25 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Composition photosensible, element a guide d'onde optique et procede de production dudit element
JP2002286961A (ja) * 2001-03-23 2002-10-03 Toppan Printing Co Ltd 光配線層の加工方法及び光配線層
US6537723B1 (en) 1998-10-05 2003-03-25 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same
US6731857B2 (en) 2001-03-29 2004-05-04 Shipley Company, L.L.C. Photodefinable composition, method of manufacturing an optical waveguide with the photodefinable composition, and optical waveguide formed therefrom
US6842577B2 (en) 2002-12-02 2005-01-11 Shipley Company L.L.C. Photoimageable waveguide composition and waveguide formed therefrom
US7024093B2 (en) 2002-12-02 2006-04-04 Shipley Company, Llc Methods of forming waveguides and waveguides formed therefrom
US7072564B2 (en) 2003-11-25 2006-07-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Waveguide compositions and waveguides formed therefrom
US7072563B2 (en) 2003-11-25 2006-07-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Waveguide compositions and waveguides formed therefrom
US7072565B2 (en) 2004-04-14 2006-07-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Waveguide compositions and waveguides formed therefrom
JP2007010760A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 樹脂体を形成する方法、光導波路のための構造を形成する方法、および光学部品を形成する方法
WO2008010415A1 (fr) * 2006-07-21 2008-01-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Matériau à indice de réfraction élevé
JP2010015135A (ja) * 2008-06-03 2010-01-21 Hitachi Cable Ltd 光ファイバ固定溝付き光導波路基板およびその製造方法、その製造方法に用いる型、ならびに、その光導波路基板を含む光電気混載モジュール
JP2012168267A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Hitachi Chem Co Ltd 光ファイバコネクタ及びその製造方法
CN114578486A (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 深南电路股份有限公司 波导-光纤耦合装置及其制作方法、光传输系统

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7358036B2 (en) 1998-10-05 2008-04-15 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same
US6537723B1 (en) 1998-10-05 2003-03-25 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same
US6806040B2 (en) 1998-10-05 2004-10-19 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same
US6933097B2 (en) 1998-10-05 2005-08-23 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same
WO2001037049A1 (fr) * 1999-11-12 2001-05-25 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Composition photosensible, element a guide d'onde optique et procede de production dudit element
US6632585B1 (en) 1999-11-12 2003-10-14 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Photosensitive composition, and optical waveguide element and process for producing the same
JP2002286961A (ja) * 2001-03-23 2002-10-03 Toppan Printing Co Ltd 光配線層の加工方法及び光配線層
US6731857B2 (en) 2001-03-29 2004-05-04 Shipley Company, L.L.C. Photodefinable composition, method of manufacturing an optical waveguide with the photodefinable composition, and optical waveguide formed therefrom
US6842577B2 (en) 2002-12-02 2005-01-11 Shipley Company L.L.C. Photoimageable waveguide composition and waveguide formed therefrom
US7024093B2 (en) 2002-12-02 2006-04-04 Shipley Company, Llc Methods of forming waveguides and waveguides formed therefrom
US7072563B2 (en) 2003-11-25 2006-07-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Waveguide compositions and waveguides formed therefrom
US7072564B2 (en) 2003-11-25 2006-07-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Waveguide compositions and waveguides formed therefrom
US7072565B2 (en) 2004-04-14 2006-07-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Waveguide compositions and waveguides formed therefrom
JP2007010760A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 樹脂体を形成する方法、光導波路のための構造を形成する方法、および光学部品を形成する方法
WO2008010415A1 (fr) * 2006-07-21 2008-01-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Matériau à indice de réfraction élevé
JP2008024832A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 高屈折率材料
KR101102798B1 (ko) * 2006-07-21 2012-01-05 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 고굴절률 재료
TWI420133B (zh) * 2006-07-21 2013-12-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 高折射率構件及影像感測器
US8760763B2 (en) 2006-07-21 2014-06-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. High refractive index material
JP2010015135A (ja) * 2008-06-03 2010-01-21 Hitachi Cable Ltd 光ファイバ固定溝付き光導波路基板およびその製造方法、その製造方法に用いる型、ならびに、その光導波路基板を含む光電気混載モジュール
JP2012168267A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Hitachi Chem Co Ltd 光ファイバコネクタ及びその製造方法
CN114578486A (zh) * 2020-11-30 2022-06-03 深南电路股份有限公司 波导-光纤耦合装置及其制作方法、光传输系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5343544A (en) Integrated optical fiber coupler and method of making same
US6488414B1 (en) Optical fiber component with shaped optical element and method of making same
US6962667B2 (en) Process for producing polymer optical waveguide
JPH08327842A (ja) 光導波路
JPH08500448A (ja) 成形技術において集積ファイバーチップ結合を有する光学的ポリマー構造素子を製造する方法
JP2004144987A (ja) 高分子光導波路の製造方法
JP2004086144A (ja) 高分子光導波路の製造方法
US6870992B2 (en) Alignment apparatus and methods for transverse optical coupling
JPH1090544A (ja) 導波路型光学素子の作製法
JPH10253845A (ja) 口径変換用高分子光導波路パターン形成方法
Kim et al. Passive alignment method of polymer PLC devices by using a hot embossing technique
JPH08271746A (ja) 光導波路およびその作製法
CA2507295A1 (en) Polymeric optical device structures having controlled topographic and refractive index profiles
JP2004069955A (ja) 高分子光導波路の製造方法
US20080128929A1 (en) Method for Manufacturing Optical Devices
JP4534415B2 (ja) 高分子光導波路の製造方法
JPH08327844A (ja) 光導波路の作製方法
JP2007517253A (ja) モールドを用いた高分子光導波路の製造
JP2007233303A (ja) 高分子光導波路モジュールの製造方法
JPH10170738A (ja) 高分子光導波路及びその作製方法
JPH10268152A (ja) 高分子材料の光導波路形成方法
JPH10170739A (ja) 高分子光導波路及びその作製方法
JPH1123886A (ja) 光学素子の製造方法
JP2006030593A (ja) 光導波路、光導波路用フェルール、及び光コネクタ
JP2007086223A (ja) 光導波路及び光導波路の製造方法