JPH1090544A - 導波路型光学素子の作製法 - Google Patents
導波路型光学素子の作製法Info
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- JPH1090544A JPH1090544A JP24277396A JP24277396A JPH1090544A JP H1090544 A JPH1090544 A JP H1090544A JP 24277396 A JP24277396 A JP 24277396A JP 24277396 A JP24277396 A JP 24277396A JP H1090544 A JPH1090544 A JP H1090544A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高性能な導波路型光学素子を安価で簡便に作
製でき、しかも、他の光部品と光結合する際、繁雑な位
置合わせ等の作業が不要となるＶ溝等を導波路と一体化
して作製することができる導波路型光学素子の作製法を
提供する。 【解決手段】 安価な材料である高分子材料から、大量
生産に適した加工法である金型のパターンを転写する成
形加工により、導波路を作製することを基本とし、クラ
ッド材料を用いてコア用の溝が付与されたものを成形加
工により作製し、その溝にコア材料を充填する際、溝を
埋めた後の余剰のコア材料の処理プロセスを、溶媒によ
り除去することが可能なプロセスを取れるように、用い
る金型に工夫を施し、成形加工材料として光硬化するタ
イプの材料の構造も、エポキシ環、不飽和基、シリコー
ン等を有し硬化収縮が少ない構造として成形加工時の加
工誤差を少なくする。
製でき、しかも、他の光部品と光結合する際、繁雑な位
置合わせ等の作業が不要となるＶ溝等を導波路と一体化
して作製することができる導波路型光学素子の作製法を
提供する。 【解決手段】 安価な材料である高分子材料から、大量
生産に適した加工法である金型のパターンを転写する成
形加工により、導波路を作製することを基本とし、クラ
ッド材料を用いてコア用の溝が付与されたものを成形加
工により作製し、その溝にコア材料を充填する際、溝を
埋めた後の余剰のコア材料の処理プロセスを、溶媒によ
り除去することが可能なプロセスを取れるように、用い
る金型に工夫を施し、成形加工材料として光硬化するタ
イプの材料の構造も、エポキシ環、不飽和基、シリコー
ン等を有し硬化収縮が少ない構造として成形加工時の加
工誤差を少なくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信分野、光情
報処理分野において使用される光デバイスを構成する導
波路型光学素子の作製法に関するものである。
報処理分野において使用される光デバイスを構成する導
波路型光学素子の作製法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の導波路型光学素子は、材
料としては、石英ガラス、誘電体結晶ＬｉＮｂＯ3 等を
用い、作製法としては、ＬＳＩプロセスでよく用いられ
るフォトリソグラフィ、ドライエッチングプロセスの組
み合わせにより微細加工を施し、高性能な導波路型光素
子を作製していた（例えば、文献；河内正夫 Opticala
nd Quantum Electronics ２２巻 ３９１ページ（１９
９０年）参照）。しかし、製造プロセスが繁雑なこと、
作製装置が高価なことから、大量生産には適していない
こと、あるいは安価に素子を作製できないという決定が
あった。また、素子を作製しても、その後、光ファイバ
などの他の光部品との光結合に精密な調整が必要なた
め、大量生産には適していない、という問題がある。ま
た、より安価な材料、高分子材料を用いて導波路素子を
作製することも行われているが（文献；今村他、Electr
onics Lettes ２７巻 １３４２ページ（１９９１年）
参照）、ガラス導波路と同様な導波路作製法では、基板
１枚ごとに同じパターンニング工程を繰り返す必要があ
ることや、エッチング装置が高価なこと、などのため、
材料的には安価であっても、素子作製ではガラス導波路
と同様なコストがかかってしまい安価とはならない、と
いう欠点がある。また、同様に素子を作製しても、その
後、光ファイバなどの他の光部品との光結合に精密な調
整が必要なため、大量生産には適していない、とい問題
がある。プロセスコストを下げるため、あるいは光結合
の繁雑さを避けるため、金型の転写による射出成形など
の大量生産に適した高分子成形法により、高分子導波路
を作製する方法も提案されているが、プロセスが繁雑で
あるという欠点があった。
料としては、石英ガラス、誘電体結晶ＬｉＮｂＯ3 等を
用い、作製法としては、ＬＳＩプロセスでよく用いられ
るフォトリソグラフィ、ドライエッチングプロセスの組
み合わせにより微細加工を施し、高性能な導波路型光素
子を作製していた（例えば、文献；河内正夫 Opticala
nd Quantum Electronics ２２巻 ３９１ページ（１９
９０年）参照）。しかし、製造プロセスが繁雑なこと、
作製装置が高価なことから、大量生産には適していない
こと、あるいは安価に素子を作製できないという決定が
あった。また、素子を作製しても、その後、光ファイバ
などの他の光部品との光結合に精密な調整が必要なた
め、大量生産には適していない、という問題がある。ま
た、より安価な材料、高分子材料を用いて導波路素子を
作製することも行われているが（文献；今村他、Electr
onics Lettes ２７巻 １３４２ページ（１９９１年）
参照）、ガラス導波路と同様な導波路作製法では、基板
１枚ごとに同じパターンニング工程を繰り返す必要があ
ることや、エッチング装置が高価なこと、などのため、
材料的には安価であっても、素子作製ではガラス導波路
と同様なコストがかかってしまい安価とはならない、と
いう欠点がある。また、同様に素子を作製しても、その
後、光ファイバなどの他の光部品との光結合に精密な調
整が必要なため、大量生産には適していない、とい問題
がある。プロセスコストを下げるため、あるいは光結合
の繁雑さを避けるため、金型の転写による射出成形など
の大量生産に適した高分子成形法により、高分子導波路
を作製する方法も提案されているが、プロセスが繁雑で
あるという欠点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
欠点を解決するためになされたもので、高性能な導波路
型光学素子を安価で簡便に作製でき、しかも、他の光部
品と光結合する際、繁雑な位置合わせ作業が不要となる
Ｖ溝等の位置合せ部を導波路と一体化して作製すること
ができる導波路型光学素子の作製法を提供することにあ
る。
欠点を解決するためになされたもので、高性能な導波路
型光学素子を安価で簡便に作製でき、しかも、他の光部
品と光結合する際、繁雑な位置合わせ作業が不要となる
Ｖ溝等の位置合せ部を導波路と一体化して作製すること
ができる導波路型光学素子の作製法を提供することにあ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の請求項１の導波路型光学素子の作製法は、
基板上に高分子材料を塗布し、導波路の下部クラッド材
料とし、このクラッド材料の上に、硬化した際に下部ク
ラッド材料の屈折率より高い樹脂を形成する液状の光硬
化する材料を塗布し、所望の凹形状部を有する金型を圧
力をかけてのせた後、金型越しに光を照射し、金型の凹
形状部に封入されている液状の光硬化する材料のみを硬
化させ、金型の凹形状部以外に存在した液状の光硬化す
る材料を溶媒で洗い流し、これにより光導波路のコアリ
ッジを形成することを特徴とする。
に、本発明の請求項１の導波路型光学素子の作製法は、
基板上に高分子材料を塗布し、導波路の下部クラッド材
料とし、このクラッド材料の上に、硬化した際に下部ク
ラッド材料の屈折率より高い樹脂を形成する液状の光硬
化する材料を塗布し、所望の凹形状部を有する金型を圧
力をかけてのせた後、金型越しに光を照射し、金型の凹
形状部に封入されている液状の光硬化する材料のみを硬
化させ、金型の凹形状部以外に存在した液状の光硬化す
る材料を溶媒で洗い流し、これにより光導波路のコアリ
ッジを形成することを特徴とする。
【０００５】また、本発明の請求項２の導波路型光学素
子の作製法は、前記請求項１の作製法において、凹形状
部を有する金型が凹状部のみ光を通し、その他の部分が
光を遮断するものであることを特徴とする。
子の作製法は、前記請求項１の作製法において、凹形状
部を有する金型が凹状部のみ光を通し、その他の部分が
光を遮断するものであることを特徴とする。
【０００６】また、本発明の請求項３の導波路型光学素
子の作製法は、前記請求項１の作製法において、凹形状
部を有する金型が光硬化させる波長で透明であるガラス
あるいは高分子であることを特徴とする。
子の作製法は、前記請求項１の作製法において、凹形状
部を有する金型が光硬化させる波長で透明であるガラス
あるいは高分子であることを特徴とする。
【０００７】また、本発明の請求項４の導波路型光学素
子の作製法は、前記請求項１の作製法において、光硬化
する材料がエポキシ環を有するモノマあるいはオリゴマ
ーと光開始剤を含むものであることを特徴とする。
子の作製法は、前記請求項１の作製法において、光硬化
する材料がエポキシ環を有するモノマあるいはオリゴマ
ーと光開始剤を含むものであることを特徴とする。
【０００８】また、本発明の請求項５の導波路型光学素
子の作製法は、前記請求項１の作製法において、光硬化
する材料がエポキシ環を有するモノマあるいはオリゴマ
ーと光開始剤を含み、しかも室温で１００００ｃｐｓ以
下の粘度のものであることを特徴とする。
子の作製法は、前記請求項１の作製法において、光硬化
する材料がエポキシ環を有するモノマあるいはオリゴマ
ーと光開始剤を含み、しかも室温で１００００ｃｐｓ以
下の粘度のものであることを特徴とする。
【０００９】また、本発明の請求項６の導波路型光学素
子の作製法は、前記前記請求項１の作製法において、光
硬化する材料が２重結合などの不飽和基を有するモノマ
あるいはオリゴマーと重合開始剤を含むものであること
を特徴とする。
子の作製法は、前記前記請求項１の作製法において、光
硬化する材料が２重結合などの不飽和基を有するモノマ
あるいはオリゴマーと重合開始剤を含むものであること
を特徴とする。
【００１０】また、本発明の請求項７の導波路型光学素
子の作製法は、前記請求項１の作製法において、光硬化
する材料が２重結合などの不飽和基を有するモノマある
いはオリゴマーと光開始剤を含み、しかも室温で１００
００ｃｐｓ以下の粘度のものであることを特徴とする。
子の作製法は、前記請求項１の作製法において、光硬化
する材料が２重結合などの不飽和基を有するモノマある
いはオリゴマーと光開始剤を含み、しかも室温で１００
００ｃｐｓ以下の粘度のものであることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の請求項８の導波路型光学素
子の作製法は、前記請求項１の作製法において、光硬化
する材料がシロキサン結合を有するモノマあるいはオリ
ゴマーと光開始剤を含むものであることを特徴とする。
子の作製法は、前記請求項１の作製法において、光硬化
する材料がシロキサン結合を有するモノマあるいはオリ
ゴマーと光開始剤を含むものであることを特徴とする。
【００１２】また、本発明の請求項９の導波路型光学素
子の作製法は、前記請求項１の作製法において、光硬化
する材料がシロキサン結合を有するモノマあるいはオリ
ゴマーと光開始剤を含み、しかも室温で１００００ｃｐ
ｓ以下の粘度のものであることを特徴とする。
子の作製法は、前記請求項１の作製法において、光硬化
する材料がシロキサン結合を有するモノマあるいはオリ
ゴマーと光開始剤を含み、しかも室温で１００００ｃｐ
ｓ以下の粘度のものであることを特徴とする。
【００１３】さらに、本発明の請求項１０の導波路型光
学素子の作製法は、前記請求項１から９のいずれかの作
製法において、クラッド材料の上部に、凹部を有する金
型を被せ、該金型越しに光を照射することにより、該ク
ラッド材料を硬化させて、部品搭載用の凹部を形成する
ことを特徴とする。
学素子の作製法は、前記請求項１から９のいずれかの作
製法において、クラッド材料の上部に、凹部を有する金
型を被せ、該金型越しに光を照射することにより、該ク
ラッド材料を硬化させて、部品搭載用の凹部を形成する
ことを特徴とする。
【００１４】本発明では、安価な材料である高分子材料
から、大量生産に適した加工法である金型のパターンを
転写する成形加工により、導波路を作製することを基本
としている。この際の問題は、高分子導波路がコアとク
ラッドの２種類の材料を必要とするため、たとえば、ク
ラッド材料を用いてコア用の溝が付与されたものを成形
加工により作製しても、その溝にコア材料を充填する
際、溝を埋めた後の余剰のコア材料を除去するために、
エッチング、研磨などの繁雑なプロセスが必要となる。
から、大量生産に適した加工法である金型のパターンを
転写する成形加工により、導波路を作製することを基本
としている。この際の問題は、高分子導波路がコアとク
ラッドの２種類の材料を必要とするため、たとえば、ク
ラッド材料を用いてコア用の溝が付与されたものを成形
加工により作製しても、その溝にコア材料を充填する
際、溝を埋めた後の余剰のコア材料を除去するために、
エッチング、研磨などの繁雑なプロセスが必要となる。
【００１５】そこで、本発明の作製方法では、この余剰
部分の処理プロセスを、溶媒により除去すること、すな
わち、フォトレジスト工程における現像プロセスと同様
に溶媒で除去することが可能なプロセスを取れるよう
に、用いる金型に工夫を施している。
部分の処理プロセスを、溶媒により除去すること、すな
わち、フォトレジスト工程における現像プロセスと同様
に溶媒で除去することが可能なプロセスを取れるよう
に、用いる金型に工夫を施している。
【００１６】また、成形加工材料として光硬化するタイ
プの材料の構造も、エポキシ環、不飽和基、シリコーン
等を有し硬化収縮が少ない構造としていて、成形加工時
の加工誤差を少なくしている。
プの材料の構造も、エポキシ環、不飽和基、シリコーン
等を有し硬化収縮が少ない構造としていて、成形加工時
の加工誤差を少なくしている。
【００１７】さらに、本発明では用いる金型の構造を工
夫することにより、導波路と光ファイバをのせるための
Ｖ溝を一体で作製することができるため、導波路と光フ
ァイバとの光結合を精度よく簡便に行うことができる。
夫することにより、導波路と光ファイバをのせるための
Ｖ溝を一体で作製することができるため、導波路と光フ
ァイバとの光結合を精度よく簡便に行うことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明における前記課題を解決す
るための指針について簡単に説明する。
るための指針について簡単に説明する。
【００１９】（１） 素子を作製する導波路作製プロセ
スにおいては、おおがかりな装置を用いず、大量生産に
適した簡便な加工法を用いること、（２） 材料的にコ
ストが低く、加工が容易な高分子材料を用いること、
（３） 導波路を作製する際、光ファイバなどの他の光
部品との位置合わせを考慮した金型を用い、後工程であ
る光結合のための作業をできるだけ簡略化すること、な
どが挙げられる。
スにおいては、おおがかりな装置を用いず、大量生産に
適した簡便な加工法を用いること、（２） 材料的にコ
ストが低く、加工が容易な高分子材料を用いること、
（３） 導波路を作製する際、光ファイバなどの他の光
部品との位置合わせを考慮した金型を用い、後工程であ
る光結合のための作業をできるだけ簡略化すること、な
どが挙げられる。
【００２０】まず、図１〜図５に本発明の作製法の大ま
かな手順を示す。
かな手順を示す。
【００２１】（ａ） 基板上１にスピンコート、ディッ
ピング等の手段により高分子膜を塗布し、クラッド層２
とする（図１）。
ピング等の手段により高分子膜を塗布し、クラッド層２
とする（図１）。
【００２２】（ｂ） 次に、このクラッド層２上にスピ
ンコート、ディッピング等の手段により室温で流動性を
示すモノマあるいはオリゴマー３を塗布する（図２）。
ンコート、ディッピング等の手段により室温で流動性を
示すモノマあるいはオリゴマー３を塗布する（図２）。
【００２３】（ｃ） 次に、所望の形状を有する金型４
をこの基板上に被せ、前記モノマあるいはオリゴマー３
を光照射５により硬化させて、コア部６を作り込む（図
３）。
をこの基板上に被せ、前記モノマあるいはオリゴマー３
を光照射５により硬化させて、コア部６を作り込む（図
３）。
【００２４】（ｄ） 金型を除去した後、溶媒により硬
化していない材料３を現像し洗い流す（図４）。
化していない材料３を現像し洗い流す（図４）。
【００２５】（ｅ） その後、再び高分子膜２をこの上
に被せ、コアクラッドからなる導波路素子７とする（図
５）。
に被せ、コアクラッドからなる導波路素子７とする（図
５）。
【００２６】前記工程（ｃ）において、溝中に光により
硬化する材料を挿入する際、その材料の粘度が１０００
０ｃｐｓ以上の材料では、コアとなる厚さの制御が困難
となるため、溝部に挿入する材料の粘度は１０００ｃｐ
ｓ以下が望ましい。
硬化する材料を挿入する際、その材料の粘度が１０００
０ｃｐｓ以上の材料では、コアとなる厚さの制御が困難
となるため、溝部に挿入する材料の粘度は１０００ｃｐ
ｓ以下が望ましい。
【００２７】本発明に用いる金型４の基本構成を、図６
および図７に示す。金型２１の材料は、光透過するもの
であれば、高分子、ガラス等、どのようなものも用いる
ことも可能である。図６は金型の上面からみた一例であ
る。図７は横からみたものである。コア部を転写するた
めの溝２２の上面および側面は、光が通る構造であり、
それ以外の部分２３は、光透過しないように通常のフォ
トプロセスでマスクに用いるクロム等の材料がパターン
化されている。こうした構造となっているため、光硬化
する材料をこの金型ごしに光を照射すると、所望の部分
のみが硬化し、チャネル構造の導波路を作製するのに必
要なリッジ構造を、光照射、現像プロセスのみで精度よ
く簡便に作製することが可能となる。
および図７に示す。金型２１の材料は、光透過するもの
であれば、高分子、ガラス等、どのようなものも用いる
ことも可能である。図６は金型の上面からみた一例であ
る。図７は横からみたものである。コア部を転写するた
めの溝２２の上面および側面は、光が通る構造であり、
それ以外の部分２３は、光透過しないように通常のフォ
トプロセスでマスクに用いるクロム等の材料がパターン
化されている。こうした構造となっているため、光硬化
する材料をこの金型ごしに光を照射すると、所望の部分
のみが硬化し、チャネル構造の導波路を作製するのに必
要なリッジ構造を、光照射、現像プロセスのみで精度よ
く簡便に作製することが可能となる。
【００２８】
【実施例】以下、具体的な例を挙げて本発明を詳細に説
明する。
明する。
【００２９】（実施例１）本発明方法による導波路型光
学素子の作製方法について説明する。図８〜図１２に示
したのは、その作製手順である。
学素子の作製方法について説明する。図８〜図１２に示
したのは、その作製手順である。
【００３０】まず、基板３１を用意し、この上にスピン
コート法によりクラッド層をなす高分子膜３２を塗布、
硬化させる（屈折率１．５）。次に、エポキシ系ＵＶモ
ノマ（粘度１０００ｃｐ、主成分下式参照）３３を塗布
する（図８）。
コート法によりクラッド層をなす高分子膜３２を塗布、
硬化させる（屈折率１．５）。次に、エポキシ系ＵＶモ
ノマ（粘度１０００ｃｐ、主成分下式参照）３３を塗布
する（図８）。
【００３１】
【化１】
【００３２】次に、金型３４を被せ、ＵＶ光３５を照射
する（図９）。このモノマ３３はＵＶ光により光硬化
し、導波路のコア３６（ｎ＝１．５２、波長１．３１μ
ｍ）となる。ここで、金型３４は、幅５０μｍ、高さ５
０μｍ、長さ５０ｍｍの凹部を有するガラス性の金型で
あり、平面図（図１０）で示すように凹部以外は光が透
過しない構造となっているため、ＵＶ樹脂は金型形状に
沿って硬化し、凸の形状を有するコア３６ができる（図
１１）。次いで、金型の遮光部によって硬化しなかった
部分を溶媒で洗い流した後、再び高分子膜３２を被せ、
導波路型光学素子３７を作製する（図１２）。
する（図９）。このモノマ３３はＵＶ光により光硬化
し、導波路のコア３６（ｎ＝１．５２、波長１．３１μ
ｍ）となる。ここで、金型３４は、幅５０μｍ、高さ５
０μｍ、長さ５０ｍｍの凹部を有するガラス性の金型で
あり、平面図（図１０）で示すように凹部以外は光が透
過しない構造となっているため、ＵＶ樹脂は金型形状に
沿って硬化し、凸の形状を有するコア３６ができる（図
１１）。次いで、金型の遮光部によって硬化しなかった
部分を溶媒で洗い流した後、再び高分子膜３２を被せ、
導波路型光学素子３７を作製する（図１２）。
【００３３】ＬＤ光源（波長１．３１μｍ）を用いて、
この導波路型光学素子３７の導波路損失を測定したとこ
ろ、導波路損失は０．３ｄＢ／ｃｍであった。
この導波路型光学素子３７の導波路損失を測定したとこ
ろ、導波路損失は０．３ｄＢ／ｃｍであった。
【００３４】（実施例２）実施例１と同様の操作で、モ
ノマ３３の主成分として下記の不飽和基を有するモノマ
を用いて導波路型光学素子を作製した（クラッド屈折率
ｎ＝１．４７、コア屈折率ｎ＝１．４８、コア幅７μ
ｍ、高さ７μｍ）。
ノマ３３の主成分として下記の不飽和基を有するモノマ
を用いて導波路型光学素子を作製した（クラッド屈折率
ｎ＝１．４７、コア屈折率ｎ＝１．４８、コア幅７μ
ｍ、高さ７μｍ）。
【００３５】該素子の導波路損失は、０．１ｄＢ／ｃｍ
であった。
であった。
【００３６】
【化２】
【００３７】ただし、ｎ，ｍは１以上の整数を表し、実
施例２の場合はｎ＝１、ｍ＝１である。
施例２の場合はｎ＝１、ｍ＝１である。
【００３８】（実施例３）実施例１と同様の操作で、モ
ノマ３３の主成分として下記のシロキサン結合を有する
オリゴマーを用いて導波路型光学素子（クラッド屈折率
ｎ＝１．５０、コア屈折率ｎ＝１．５１、コア幅７μ
ｍ、高さ７μｍ）を作製した。
ノマ３３の主成分として下記のシロキサン結合を有する
オリゴマーを用いて導波路型光学素子（クラッド屈折率
ｎ＝１．５０、コア屈折率ｎ＝１．５１、コア幅７μ
ｍ、高さ７μｍ）を作製した。
【００３９】該素子の導波路損失は、０．１ｄＢ／ｃ
ｍ（波長１．３μｍ）、０．５ｄＢ／ｃｍ（波長１．５
５μｍ）であった。
ｍ（波長１．３μｍ）、０．５ｄＢ／ｃｍ（波長１．５
５μｍ）であった。
【００４０】
【化３】
【００４１】ただし、ｎ，ｍは１以上の整数を表し、実
施例２の場合はｎ＝２、ｍ＝１である。
施例２の場合はｎ＝２、ｍ＝１である。
【００４２】（実施例４）本発明方法によるＶ溝付き導
波路型光学素子の作製方法について説明する。図１３〜
図２０に示したのは、その作製手順である。
波路型光学素子の作製方法について説明する。図１３〜
図２０に示したのは、その作製手順である。
【００４３】まず、基板４０を用意し、この上にエポキ
シ系ＵＶモノマ４１を塗布する（図１３）。次に、断面
構造が図１４のような、開き６０°で、高さ１５０μ
ｍ、幅１７０μｍ、長さ２０ｍｍのＶ字形状凸部４３を
有するガラス金型４２を、このモノマ４１上に被せ、モ
ノマ４１をＵＶ光４４で光硬化させ、硬化膜４５（ｎ＝
１．５１、波長１．３１μｍ）とする。モノマ４１は、
金型形状に沿って硬化し、Ｖ溝（開き角６０°、高さ１
５０μｍ，長さ２０ｍｍ）４６が、硬化膜４５の表面上
に形成される（図１５）。この場合の金型４２は全面光
透過するよう作製されている。
シ系ＵＶモノマ４１を塗布する（図１３）。次に、断面
構造が図１４のような、開き６０°で、高さ１５０μ
ｍ、幅１７０μｍ、長さ２０ｍｍのＶ字形状凸部４３を
有するガラス金型４２を、このモノマ４１上に被せ、モ
ノマ４１をＵＶ光４４で光硬化させ、硬化膜４５（ｎ＝
１．５１、波長１．３１μｍ）とする。モノマ４１は、
金型形状に沿って硬化し、Ｖ溝（開き角６０°、高さ１
５０μｍ，長さ２０ｍｍ）４６が、硬化膜４５の表面上
に形成される（図１５）。この場合の金型４２は全面光
透過するよう作製されている。
【００４４】次に、図１６のような、細溝部４８（深さ
１０μｍ、幅１０μｍ、長さ４０ｍｍ）が形成され、該
細溝部以外はすべて光が透過できないようになっている
金型４７を、用意する。この金型４７の細溝部４８にコ
アとなるエポキシ系ＵＶモノマ４９を挿入し、光照射に
より硬化させる（図１７）。この操作によりコアリッジ
４００が硬化膜４５上に形成される。この際、硬化膜４
５上に形成されていたＶ溝４６と金型４７の細溝部４８
を正確に合わせることにより、幅１０μｍ、高さ１０μ
ｍのコアリッジ４００（ｎ＝１．５２、波長１．３１μ
ｍ）が、Ｖ溝４６の位置に合わせて作製される（図１
８）。未硬化部分は溶媒で簡単に洗い流せた。
１０μｍ、幅１０μｍ、長さ４０ｍｍ）が形成され、該
細溝部以外はすべて光が透過できないようになっている
金型４７を、用意する。この金型４７の細溝部４８にコ
アとなるエポキシ系ＵＶモノマ４９を挿入し、光照射に
より硬化させる（図１７）。この操作によりコアリッジ
４００が硬化膜４５上に形成される。この際、硬化膜４
５上に形成されていたＶ溝４６と金型４７の細溝部４８
を正確に合わせることにより、幅１０μｍ、高さ１０μ
ｍのコアリッジ４００（ｎ＝１．５２、波長１．３１μ
ｍ）が、Ｖ溝４６の位置に合わせて作製される（図１
８）。未硬化部分は溶媒で簡単に洗い流せた。
【００４５】次に、再びエポキシ系ＵＶモノマ４１を塗
布硬化して上部クラッド層を成しＶ溝付導波路型光学素
子４０１を作製する（図１９）。
布硬化して上部クラッド層を成しＶ溝付導波路型光学素
子４０１を作製する（図１９）。
【００４６】できた導波路型光学４０１の外観を図２０
に示す。このＶ溝４６に光ファイバを固定し、ＬＤ光源
（波長１．３１μｍ）を用いて導波路損失を測定したと
ころ、ファイバとの接続損失は０．２ｄＢ、導波路損失
は０．３ ｄＢ／ｃｍであった。また、細溝部４８を深
さ４０μｍ、幅４０μｍ、長さ４０ｍｍにした場合も同
様にＶ溝付の導波路ができ、ファイバ接続損失０．１ｄ
Ｂ、導波路損失０．１ｄＢ／ｃｍ（波長０．８５μｍ）
を観測した。
に示す。このＶ溝４６に光ファイバを固定し、ＬＤ光源
（波長１．３１μｍ）を用いて導波路損失を測定したと
ころ、ファイバとの接続損失は０．２ｄＢ、導波路損失
は０．３ ｄＢ／ｃｍであった。また、細溝部４８を深
さ４０μｍ、幅４０μｍ、長さ４０ｍｍにした場合も同
様にＶ溝付の導波路ができ、ファイバ接続損失０．１ｄ
Ｂ、導波路損失０．１ｄＢ／ｃｍ（波長０．８５μｍ）
を観測した。
【００４７】（実施例５）本発明方法による波長フィル
タ付導波路型光学素子の作製方法について説明する。図
２１〜図２８に示したのは、その作製手順である。
タ付導波路型光学素子の作製方法について説明する。図
２１〜図２８に示したのは、その作製手順である。
【００４８】まず、基板５０を用意し、この上にエポキ
シ系ＵＶモノマ５１を塗布する（図２１）。次に、断面
構造が図２２のような、凸部５３（幅６０μｍ、高さ１
００μｍ、長さ３ｍｍ）が形成されたガラス金型５２
を、前記モノマ５１上に被せ、ＵＶ光５４を用いて光硬
化させ、硬化膜５５（ｎ＝１．５１、波長１．３１μ
ｍ）とする。モノマ５１は金型形状に沿って硬化し、フ
ィルタ充填用溝（幅６０μｍ、高さ１００μｍ、長さ３
ｍｍ）５６が硬化膜の表面上に形成される（図２３）。
この場合の金型は全面光透過するよう作製されている。
シ系ＵＶモノマ５１を塗布する（図２１）。次に、断面
構造が図２２のような、凸部５３（幅６０μｍ、高さ１
００μｍ、長さ３ｍｍ）が形成されたガラス金型５２
を、前記モノマ５１上に被せ、ＵＶ光５４を用いて光硬
化させ、硬化膜５５（ｎ＝１．５１、波長１．３１μ
ｍ）とする。モノマ５１は金型形状に沿って硬化し、フ
ィルタ充填用溝（幅６０μｍ、高さ１００μｍ、長さ３
ｍｍ）５６が硬化膜の表面上に形成される（図２３）。
この場合の金型は全面光透過するよう作製されている。
【００４９】次に、断面構造が図２４のような、細溝部
５８（深さ５０μｍ、幅５０μｍ、長さ２０ｍｍ）、細
溝部５９（深さ５０μｍ、幅５０μｍ、長さ２０ｍ
ｍ）、および凸部５００（幅６０μｍ、高さ１００μ
ｍ、長さ３ｍｍ）が形成され、細溝部以外はすべて光が
透過できないように構成された金型５７を用意する。こ
の金型５７の細溝部５８，５９にコアとなるエポキシ系
ＵＶモノマ５０１を挿入し、ＵＶ光照射により硬化させ
る（図２５）。この操作によりコアリッジ５０２，５０
３が硬化膜５５上に形成される。この際、膜５５上に形
成されていた溝５６と金型５７の凸部５００を正確に合
わせることにより、幅５０μｍ、高さ５０μｍのコアリ
ッジ５０２，５０３（ｎ＝１．５２、波長１．３１μ
ｍ）が、溝５６の位置に合わせて作製される（図２
６）。
５８（深さ５０μｍ、幅５０μｍ、長さ２０ｍｍ）、細
溝部５９（深さ５０μｍ、幅５０μｍ、長さ２０ｍ
ｍ）、および凸部５００（幅６０μｍ、高さ１００μ
ｍ、長さ３ｍｍ）が形成され、細溝部以外はすべて光が
透過できないように構成された金型５７を用意する。こ
の金型５７の細溝部５８，５９にコアとなるエポキシ系
ＵＶモノマ５０１を挿入し、ＵＶ光照射により硬化させ
る（図２５）。この操作によりコアリッジ５０２，５０
３が硬化膜５５上に形成される。この際、膜５５上に形
成されていた溝５６と金型５７の凸部５００を正確に合
わせることにより、幅５０μｍ、高さ５０μｍのコアリ
ッジ５０２，５０３（ｎ＝１．５２、波長１．３１μ
ｍ）が、溝５６の位置に合わせて作製される（図２
６）。
【００５０】次に、溝５６中に波長フィルタ５０４
（１．３μｍ用多層膜フィルタ、高さ２００μｍ、幅５
０μｍ、長さ３ｍｍ）を挿入した後、再びエポキシ系Ｕ
Ｖモノマ５１を塗布硬化して波長フィルタ付導波路型光
学素子５０５を作製する（図２７）。
（１．３μｍ用多層膜フィルタ、高さ２００μｍ、幅５
０μｍ、長さ３ｍｍ）を挿入した後、再びエポキシ系Ｕ
Ｖモノマ５１を塗布硬化して波長フィルタ付導波路型光
学素子５０５を作製する（図２７）。
【００５１】できた導波路型光学素子５０５の外観を図
２８に示す。ＬＤ光源（波長１．３１μｍ）を用いて導
波路損失を測定したところ、挿入損失は０．２ｄＢ、導
波路損失は０．３ｄＢ／ｃｍであった。また、１．５５
μｍ、１．３０μｍの２波長を伝搬したところ、ほぼ
１．３μｍの光のみ観測され、１．５５μｍの光は遮断
され５０ｄＢ以上のアイソレーションであった。
２８に示す。ＬＤ光源（波長１．３１μｍ）を用いて導
波路損失を測定したところ、挿入損失は０．２ｄＢ、導
波路損失は０．３ｄＢ／ｃｍであった。また、１．５５
μｍ、１．３０μｍの２波長を伝搬したところ、ほぼ
１．３μｍの光のみ観測され、１．５５μｍの光は遮断
され５０ｄＢ以上のアイソレーションであった。
【００５２】（実施例６）実施例５と同様に波長フィル
タを数個使って、波長０．８５μｍ、１．３μｍ、１．
５５μｍの分離を行ったところ、それぞれのポートから
５０ｄＢ以上の消光比で分離が可能であることがわかっ
た。図２９に作製した導波路型光学素子の平面構成図を
示す。図中、６０は、波長０．８５μｍ、１．３μｍ、
１．５５μｍの光を入射するポート、６１は波長０．８
５μｍの光をカットするフィルタ、６２は波長１．３μ
ｍの光をカットするフィルタ、６３はカットされた０．
８５μｍの光を出射するポート、６４はカットされた
１．３μｍの光を出射するポート、６５は１．５５μｍ
の光の出射ポートである。
タを数個使って、波長０．８５μｍ、１．３μｍ、１．
５５μｍの分離を行ったところ、それぞれのポートから
５０ｄＢ以上の消光比で分離が可能であることがわかっ
た。図２９に作製した導波路型光学素子の平面構成図を
示す。図中、６０は、波長０．８５μｍ、１．３μｍ、
１．５５μｍの光を入射するポート、６１は波長０．８
５μｍの光をカットするフィルタ、６２は波長１．３μ
ｍの光をカットするフィルタ、６３はカットされた０．
８５μｍの光を出射するポート、６４はカットされた
１．３μｍの光を出射するポート、６５は１．５５μｍ
の光の出射ポートである。
【００５３】上記の実施例において、コア材料として３
種類に限定しているが、光硬化剤を用いて硬化する材料
であれば、どのような材料を用いても同様の効果があ
る。また、実施例４において光ファイバを挿入する溝形
状としてＶ溝を用いたが、光ファイバが挿入できる形状
であればＶ溝でなくてもかまわない。
種類に限定しているが、光硬化剤を用いて硬化する材料
であれば、どのような材料を用いても同様の効果があ
る。また、実施例４において光ファイバを挿入する溝形
状としてＶ溝を用いたが、光ファイバが挿入できる形状
であればＶ溝でなくてもかまわない。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる導
波路型光学素子の作製方法によれば、簡便に高性能な光
素子ができ、光ファイバとの接続、他光素子との接続に
おいても、導波路と、他素子を固定する溝とを精度よく
順次作り込めるため、簡便に低損失で光結合できる効果
を生ずる。
波路型光学素子の作製方法によれば、簡便に高性能な光
素子ができ、光ファイバとの接続、他光素子との接続に
おいても、導波路と、他素子を固定する溝とを精度よく
順次作り込めるため、簡便に低損失で光結合できる効果
を生ずる。
【図１】本発明の導波路型光学素子作製における基本プ
ロセスを示す工程図である。
ロセスを示す工程図である。
【図２】本発明の導波路型光学素子作製における基本プ
ロセスを示す工程図である。
ロセスを示す工程図である。
【図３】本発明の導波路型光学素子作製における基本プ
ロセスを示す工程図である。
ロセスを示す工程図である。
【図４】本発明の導波路型光学素子作製における基本プ
ロセスを示す工程図である。
ロセスを示す工程図である。
【図５】本発明の導波路型光学素子作製における基本プ
ロセスを示す工程図である。
ロセスを示す工程図である。
【図６】本発明の導波路型光学素子作製に用いる金型の
一例を示す平面図である。
一例を示す平面図である。
【図７】図６の金型の側面図である。
【図８】本発明の第１の実施例の導波路型光学素子作製
における基本プロセスを示す工程図である。
における基本プロセスを示す工程図である。
【図９】本発明の第１の実施例の導波路型光学素子作製
における基本プロセスを示す工程図である。
における基本プロセスを示す工程図である。
【図１０】本発明の第１の実施例の導波路型光学素子作
製に用いる金型の平面図である。
製に用いる金型の平面図である。
【図１１】本発明の第１の実施例の導波路型光学素子作
製における基本プロセスを示す工程図である。
製における基本プロセスを示す工程図である。
【図１２】本発明の第１の実施例の導波路型光学素子作
製における基本プロセスを示す工程図である。
製における基本プロセスを示す工程図である。
【図１３】本発明の第４の実施例のＶ溝付の導波路型光
学素子作製における基本プロセスを示す工程図である。
学素子作製における基本プロセスを示す工程図である。
【図１４】本発明の第４の実施例のＶ溝付の導波路型光
学素子作製における基本プロセスを示す工程図である。
学素子作製における基本プロセスを示す工程図である。
【図１５】本発明の第４の実施例のＶ溝付の導波路型光
学素子作製における基本プロセスを示す工程図である。
学素子作製における基本プロセスを示す工程図である。
【図１６】本発明の第４の実施例のＶ溝付の導波路型光
学素子作製に用いる金型の斜視図である。
学素子作製に用いる金型の斜視図である。
【図１７】本発明の第４の実施例のＶ溝付の導波路型光
学素子作製における基本プロセスを示す工程図である。
学素子作製における基本プロセスを示す工程図である。
【図１８】本発明の第４の実施例のＶ溝付の導波路型光
学素子作製における基本プロセスを示す工程図である。
学素子作製における基本プロセスを示す工程図である。
【図１９】本発明の第４の実施例のＶ溝付の導波路型光
学素子作製における基本プロセスを示す工程図である。
学素子作製における基本プロセスを示す工程図である。
【図２０】本発明の第４の実施例のＶ溝付の導波路型光
学素子作製により得た素子の斜視図である。
学素子作製により得た素子の斜視図である。
【図２１】本発明の第５の実施例の波長フィルタ付の導
波路型光学素子作製における基本プロセスを示す工程図
である。
波路型光学素子作製における基本プロセスを示す工程図
である。
【図２２】本発明の第５の実施例の波長フィルタ付の導
波路型光学素子作製に用いる第１の金型の斜視図であ
る。
波路型光学素子作製に用いる第１の金型の斜視図であ
る。
【図２３】本発明の第５の実施例の波長フィルタ付の導
波路型光学素子作製における基本プロセスを示す工程図
である。
波路型光学素子作製における基本プロセスを示す工程図
である。
【図２４】本発明の第５の実施例の波長フィルタ付の導
波路型光学素子作製に用いる第２の金型の斜視図であ
る。
波路型光学素子作製に用いる第２の金型の斜視図であ
る。
【図２５】本発明の第５の実施例の波長フィルタ付の導
波路型光学素子作製における基本プロセスを示す工程図
である。
波路型光学素子作製における基本プロセスを示す工程図
である。
【図２６】本発明の第５の実施例の波長フィルタ付の導
波路型光学素子作製における基本プロセスを示す工程図
である。
波路型光学素子作製における基本プロセスを示す工程図
である。
【図２７】本発明の第５の実施例の波長フィルタ付の導
波路型光学素子作製における基本プロセスを示す工程図
である。
波路型光学素子作製における基本プロセスを示す工程図
である。
【図２８】本発明の第５の実施例の波長フィルタ付の導
波路型光学素子作製により得た素子の斜視図である。
波路型光学素子作製により得た素子の斜視図である。
【図２９】本発明の第５の実施例の波長フィルタ付の導
波路型光学素子作製により得た素子の平面構成図であ
る。
波路型光学素子作製により得た素子の平面構成図であ
る。
１ 基板 ２ クラッド層 ３ 室温で流動性を示すモノマあるいはオリゴマー ４ 所望の形状を有する金型 ５ 光照射 ６ コア部 ７ 導波路素子 ２１ 金型 ２２ 金型のコア部を転写するための溝 ２３ 金型の溝２２以外の部分 ３１ 基板 ３２ クラッド層 ３３ エポキシ系ＵＶモノマ ３４ 金型 ３５ ＵＶ光 ３６ 凸の形状を有するコア ３７ 導波路型光学素子 ４０ 基板 ４１ エポキシ系ＵＶモノマ ４２ ガラス金型 ４３ 金型のＶ字形状凸部（開き角６０°、高さ１５０
μｍ、幅１７０μｍ、長さ２０ｍｍ） ４４ ＵＶ光 ４５ 硬化した樹脂（ｎ＝１．５１、波長１．３１μ
ｍ） ４６ Ｖ溝（開き角６０°、高さ１５０μｍ、長さ２０
ｍｍ） ４７ 金型 ４８ 金型の細溝部（深さ１０μｍ、幅１０μｍ、長さ
４０ｍｍ） ４９ コアとなるエポキシ系ＵＶモノマ ５０ 基板 ５１ エポキシ系ＵＶモノマ ５２ ガラス金型 ５３ 凸部（幅１００μｍ、高さ１００μｍ、長さ３ｍ
ｍ） ５４ ＵＶ光 ５５ 光硬化した樹脂（ｎ＝１．５１、波長１．３１μ
ｍ） ５６ フィルタ充填用溝（幅６０μｍ、高さ１００μ
ｍ、長さ３ｍｍ） ５７ 金型 ５８ 金型の細溝部（深さ５０μｍ、幅５０μｍ、長さ
２０ｍｍ） ５９ 金型の細溝部（深さ５０μｍ、幅５０μｍ、長さ
２０ｍｍ） ６０ 波長０．８５μｍ、１．３μｍ、１．５５μｍの
光を入射するポート ６１ 波長０．８５μｍの光をカットするフィルタ ６２ 波長１．３μｍの光をカットするフィルタ ６３ カットされた波長０．８５μｍの光を出射するポ
ート ６４ カットされた波長１．３μｍの光を出射するポー
ト ６５ 波長１．５５μｍの光の出射ポート ４００ コアリッジ ４０１ Ｖ溝付導波路型光学素子 ５００ 凸部（幅６０μｍ、高さ１００μｍ、長さ３ｍ
ｍ） ５０１ エポキシ系ＵＶモノマ ５０２ コアリッジ ５０３ コアリッジ ５０４ 波長フィルタ（１．３μｍ用多層膜フィルタ、
高さ２００μｍ、幅５０μｍ、長さ３ｍｍ） ５０５ 波長フィルタ付導波路型光学素子
μｍ、幅１７０μｍ、長さ２０ｍｍ） ４４ ＵＶ光 ４５ 硬化した樹脂（ｎ＝１．５１、波長１．３１μ
ｍ） ４６ Ｖ溝（開き角６０°、高さ１５０μｍ、長さ２０
ｍｍ） ４７ 金型 ４８ 金型の細溝部（深さ１０μｍ、幅１０μｍ、長さ
４０ｍｍ） ４９ コアとなるエポキシ系ＵＶモノマ ５０ 基板 ５１ エポキシ系ＵＶモノマ ５２ ガラス金型 ５３ 凸部（幅１００μｍ、高さ１００μｍ、長さ３ｍ
ｍ） ５４ ＵＶ光 ５５ 光硬化した樹脂（ｎ＝１．５１、波長１．３１μ
ｍ） ５６ フィルタ充填用溝（幅６０μｍ、高さ１００μ
ｍ、長さ３ｍｍ） ５７ 金型 ５８ 金型の細溝部（深さ５０μｍ、幅５０μｍ、長さ
２０ｍｍ） ５９ 金型の細溝部（深さ５０μｍ、幅５０μｍ、長さ
２０ｍｍ） ６０ 波長０．８５μｍ、１．３μｍ、１．５５μｍの
光を入射するポート ６１ 波長０．８５μｍの光をカットするフィルタ ６２ 波長１．３μｍの光をカットするフィルタ ６３ カットされた波長０．８５μｍの光を出射するポ
ート ６４ カットされた波長１．３μｍの光を出射するポー
ト ６５ 波長１．５５μｍの光の出射ポート ４００ コアリッジ ４０１ Ｖ溝付導波路型光学素子 ５００ 凸部（幅６０μｍ、高さ１００μｍ、長さ３ｍ
ｍ） ５０１ エポキシ系ＵＶモノマ ５０２ コアリッジ ５０３ コアリッジ ５０４ 波長フィルタ（１．３μｍ用多層膜フィルタ、
高さ２００μｍ、幅５０μｍ、長さ３ｍｍ） ５０５ 波長フィルタ付導波路型光学素子
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上に高分子材料を塗布し、導波路の
下部クラッド材料とし、このクラッド材料の上に、硬化
した際に下部クラッド材料の屈折率より高い樹脂を形成
する液状の光硬化する材料を塗布し、所望の凹形状部を
有する金型を圧力をかけてのせた後、金型越しに光を照
射し、金型の凹形状部に封入されている液状の光硬化す
る材料のみを硬化させ、金型の凹形状部以外に存在した
液状の光硬化する材料を溶媒で洗い流し、これににより
光導波路のコアリッジを形成することを特徴とする導波
路型光学素子の作製法。 - 【請求項２】 前記凹形状部を有する金型が凹状部のみ
光を通し、その他の部分が光を遮断するものであること
を特徴とする請求項１に記載の導波路型光学素子の作製
法。 - 【請求項３】 前記凹形状部を有する金型が光硬化させ
る波長で透明であるガラスあるいは高分子であることを
特徴とする請求項１に記載の導波路型光学素子の作製
法。 - 【請求項４】 前記光硬化する材料がエポキシ環を有す
るモノマあるいはオリゴマーと光開始剤を含むものであ
ることを特徴とする請求項１に記載の導波路型光学素子
の作製法。 - 【請求項５】 前記光硬化する材料がエポキシ環を有す
るモノマあるいはオリゴマーと光開始剤を含み、しかも
室温で１００００ｃｐｓ以下の粘度のものであることを
特徴とする請求項１に記載の導波路型光学素子の作製
法。 - 【請求項６】 前記光硬化する材料が２重結合などの不
飽和基を有するモノマあるいはオリゴマーと重合開始剤
を含むものであることを特徴とする請求項１に記載の導
波路型光学素子の作製法。 - 【請求項７】 前記光硬化する材料が２重結合などの不
飽和基を有するモノマあるいはオリゴマーと光開始剤を
含み、しかも室温で１００００ｃｐｓ以下の粘度のもの
であることを特徴とする請求項１に記載の導波路型光学
素子の作製法。 - 【請求項８】 前記光硬化する材料がシロキサン結合を
有するモノマあるいはオリゴマーと光開始剤を含むもの
であることを特徴とする請求項１に記載の導波路型光学
素子の作製法。 - 【請求項９】 前記光硬化する材料がシロキサン結合を
有するモノマあるいはオリゴマーと光開始剤を含み、し
かも室温で１００００ｃｐｓ以下の粘度のものであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の導波路型光学素子の作
製法。 - 【請求項１０】 前記クラッド材料の上部に、凹部を有
する金型を被せ、該金型越しに光を照射することによ
り、該クラッド材料を硬化させて、部品搭載用の凹部を
形成することを特徴とする請求項１から９のいずれかに
記載の導波路型光学素子の作製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24277396A JP3456685B2 (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 導波路型光学素子の作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24277396A JP3456685B2 (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 導波路型光学素子の作製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1090544A true JPH1090544A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3456685B2 JP3456685B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=17094072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24277396A Expired - Fee Related JP3456685B2 (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 導波路型光学素子の作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3456685B2 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11326660A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-26 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 光分波器およびその製造方法 |
| JP2003508815A (ja) * | 1999-09-03 | 2003-03-04 | コーニング インコーポレイテッド | 光ファイバを接合するためのポリマーグリッピング要素 |
| US6537723B1 (en) | 1998-10-05 | 2003-03-25 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same |
| WO2004027472A1 (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | 光導波路及びその製造方法 |
| JP2005300572A (ja) * | 2004-04-06 | 2005-10-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 高分子光導波路の製造方法 |
| JP2006011211A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 高分子光導波路の製造方法、それに用いる鋳型及びその製造方法 |
| US7155103B2 (en) | 2001-09-28 | 2006-12-26 | Omron Corporation | Optical wave guide and method for producing the same |
| JP2008058530A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 押し出しラミネートによる導波路作製方法および金型の作製方法 |
| JP2008059001A (ja) * | 2002-09-20 | 2008-03-13 | Toppan Printing Co Ltd | 光導波路の製造方法 |
| JP2008058531A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路を作製するための金型の作製方法 |
| JP2008083205A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 積層導波路およびその作製方法 |
| US7604758B2 (en) | 2003-12-19 | 2009-10-20 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Process for producing polymer optical waveguide |
| US9399795B2 (en) | 1998-06-24 | 2016-07-26 | Illumina, Inc. | Multiplex decoding of array sensors with microspheres |
| CN114815060A (zh) * | 2022-05-06 | 2022-07-29 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种具有聚合物过渡结构的混合光传输模块及其制作方法 |
-
1996
- 1996-09-13 JP JP24277396A patent/JP3456685B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11326660A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-26 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 光分波器およびその製造方法 |
| US9399795B2 (en) | 1998-06-24 | 2016-07-26 | Illumina, Inc. | Multiplex decoding of array sensors with microspheres |
| US6537723B1 (en) | 1998-10-05 | 2003-03-25 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same |
| US6806040B2 (en) | 1998-10-05 | 2004-10-19 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same |
| US6933097B2 (en) | 1998-10-05 | 2005-08-23 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same |
| US7358036B2 (en) | 1998-10-05 | 2008-04-15 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Photosensitive composition for manufacturing optical waveguide, production method thereof and polymer optical waveguide pattern formation method using the same |
| JP2003508815A (ja) * | 1999-09-03 | 2003-03-04 | コーニング インコーポレイテッド | 光ファイバを接合するためのポリマーグリッピング要素 |
| US7155103B2 (en) | 2001-09-28 | 2006-12-26 | Omron Corporation | Optical wave guide and method for producing the same |
| EP1542045A4 (en) * | 2002-09-20 | 2009-12-02 | Toppan Printing Co Ltd | OPTICAL WAVEGUIDE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US7289713B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-10-30 | Toppan Printing Co., Ltd. | Optical waveguide and method of manufacturing the same |
| US7050691B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-05-23 | Toppan Printing Co., Ltd. | Optical waveguide and method of manufacturing the same |
| JP2008059001A (ja) * | 2002-09-20 | 2008-03-13 | Toppan Printing Co Ltd | 光導波路の製造方法 |
| WO2004027472A1 (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | 光導波路及びその製造方法 |
| KR101000043B1 (ko) * | 2002-09-20 | 2010-12-09 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 광도파로 및 그 제조 방법 |
| EP1542045A1 (en) * | 2002-09-20 | 2005-06-15 | Toppan Printing Co., Ltd. | Optical waveguide and method for manufacturing same |
| US7604758B2 (en) | 2003-12-19 | 2009-10-20 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Process for producing polymer optical waveguide |
| JP4517704B2 (ja) * | 2004-04-06 | 2010-08-04 | 富士ゼロックス株式会社 | 高分子光導波路の製造方法 |
| JP2005300572A (ja) * | 2004-04-06 | 2005-10-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 高分子光導波路の製造方法 |
| JP2006011211A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 高分子光導波路の製造方法、それに用いる鋳型及びその製造方法 |
| JP2008058530A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 押し出しラミネートによる導波路作製方法および金型の作製方法 |
| JP2008058531A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路を作製するための金型の作製方法 |
| JP2008083205A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 積層導波路およびその作製方法 |
| CN114815060A (zh) * | 2022-05-06 | 2022-07-29 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种具有聚合物过渡结构的混合光传输模块及其制作方法 |
| CN114815060B (zh) * | 2022-05-06 | 2023-09-29 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种具有聚合物过渡结构的混合光传输模块及其制作方法 |
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