JP2012168267A - 光ファイバコネクタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光ファイバと光導波路コアとの位置合わせが容易で、基板によらずに光ファイバの位置ずれがしにくい光ファイバコネクタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の光ファイバコネクタは、基板上に、光ファイバを固定するための光ファイバ用溝を有する光ファイバガイド用クラッドパターンが形成された光ファイバガイド部材と、
前記基板上にコアパターンを形成するためのコア用溝を有するコアガイド用クラッドパターンが形成され、該コア用溝にコアパターンが充填され、該コアパターン上に上部クラッド層が形成された光導波路とが並設された光ファイバコネクタであって、
前記光ファイバ用溝に固定された光ファイバと、前記コアパターンとが、光信号を送受可能な位置に接合するように、前記光ファイバガイド部材と前記光導波路が並設されてなる。
【選択図】図１
【解決手段】本発明の光ファイバコネクタは、基板上に、光ファイバを固定するための光ファイバ用溝を有する光ファイバガイド用クラッドパターンが形成された光ファイバガイド部材と、
前記基板上にコアパターンを形成するためのコア用溝を有するコアガイド用クラッドパターンが形成され、該コア用溝にコアパターンが充填され、該コアパターン上に上部クラッド層が形成された光導波路とが並設された光ファイバコネクタであって、
前記光ファイバ用溝に固定された光ファイバと、前記コアパターンとが、光信号を送受可能な位置に接合するように、前記光ファイバガイド部材と前記光導波路が並設されてなる。
【選択図】図１
Description
本発明は光ファイバコネクタ及びその製造方法に関し、特に、基板によらずに光ファイバと光導波路コアとの位置合わせが容易で、光ファイバの位置ずれがしにくい光ファイバコネクタ及びその製造方法に関する。
一般的に光ケーブル（光ファイバケーブルともいう）は、多量の情報の高速通信が可能であることから、家庭用、産業用の情報通信に広く利用されている。また、例えば自動車には、各種電装品（例えば、カーナビゲーションシステム等）が装備されているが、それらの電装品の光通信にも採用されている。このような光ケーブルが有する光ファイバの端末同士を突き合わせて接続する光ケーブルコネクタとして、特許文献１に開示されるものがある。
また、情報容量の増大に伴い、幹線やアクセス系といった通信分野のみならず、ルータやサーバ内の情報処理にも光信号を用いる光インターコネクション技術の開発が進められている。具体的には、ルータやサーバ装置内のボード間あるいはボード内の短距離信号伝送に光を用いるために、光伝送路として、光ファイバに比べ、配線の自由度が高く、かつ高密度化が可能な光導波路を用いられている。
そして、この光導波路と光ファイバとを接合する場合、例えば、特許文献２に記載したような光ファイバコネクタが挙げられる。
しかしながら、このような、光ファイバコネクタにおいては、光ファイバ搭載溝をダイシングによる切削加工の必要があるため作業効率が悪く、光導波路コアは溝の切削工程とは別の工程においてフォトリソ及びエッチングで作製するため、光ファイバの位置ずれが生じることがあった。更に、上記の方法ではシリコンウエハなどの寸法安定性の良い硬い基板上に形成しないと、より大きな光ファイバの位置ずれが生じた。
また、特許文献３に記載の光導波路が形成された導波路基板と、光ファイバがキャリアされた光コネクタをそれぞれ別のホルダに装着し、各ホルダの端面同志を固着するような光ファイバと光導波路の接続方法があるが、接続までの工程数が多く煩雑であった。
また、情報容量の増大に伴い、幹線やアクセス系といった通信分野のみならず、ルータやサーバ内の情報処理にも光信号を用いる光インターコネクション技術の開発が進められている。具体的には、ルータやサーバ装置内のボード間あるいはボード内の短距離信号伝送に光を用いるために、光伝送路として、光ファイバに比べ、配線の自由度が高く、かつ高密度化が可能な光導波路を用いられている。
そして、この光導波路と光ファイバとを接合する場合、例えば、特許文献２に記載したような光ファイバコネクタが挙げられる。
しかしながら、このような、光ファイバコネクタにおいては、光ファイバ搭載溝をダイシングによる切削加工の必要があるため作業効率が悪く、光導波路コアは溝の切削工程とは別の工程においてフォトリソ及びエッチングで作製するため、光ファイバの位置ずれが生じることがあった。更に、上記の方法ではシリコンウエハなどの寸法安定性の良い硬い基板上に形成しないと、より大きな光ファイバの位置ずれが生じた。
また、特許文献３に記載の光導波路が形成された導波路基板と、光ファイバがキャリアされた光コネクタをそれぞれ別のホルダに装着し、各ホルダの端面同志を固着するような光ファイバと光導波路の接続方法があるが、接続までの工程数が多く煩雑であった。
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、光ファイバと光導波路コアとの位置合わせが容易で、基板によらずに光ファイバの位置ずれがしにくい光ファイバコネクタ及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、以下の発明を提供するものである。
（１）基板上に、光ファイバを固定するための光ファイバ用溝を有する光ファイバガイド用クラッドパターンが形成された光ファイバガイド部材と、光導波路とが並設された光ファイバコネクタであって、
前記光導波路は、基板上にコアパターンを形成するためのコア用溝を有するコアガイド用クラッドパターンが形成され、該コア用溝にコア層形成用樹脂が充填されてコアパターンが形成され、該コアパターン上に上部クラッド層が形成されてなり、
前記光ファイバ用溝に固定された光ファイバと、前記コアパターンとが、光信号を送受可能な位置に接合するように、前記光ファイバガイド部材と前記光導波路が並設されてなる光ファイバコネクタ、
（２）前記光ファイバガイド用クラッドパターン及び前記コアガイド用クラッドパターンが、同一のガイド用クラッド層から形成されている（１）に記載の光ファイバコネクタ、
（３）前記光ファイバ用溝と前記コア用溝とが接合されている（１）又は（２）に記載の光ファイバコネクタ、
（４）前記光ファイバ用溝の幅が、前記コア用溝の幅よりも広い（１）〜（３）のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、
（５）前記コア用溝の底に、第１下部クラッド層を有し、かつ、前記光ファイバ用溝の深さが、前記コア用溝の深さより深いことを特徴とする（１）〜（４）に記載の光ファイバコネクタ、
（６）前記コアガイド用クラッドパターンが前記第１下部クラッド層上に形成され、前記光ファイバガイド用クラッドパターンが、前記基板上に形成された（５）に記載の光ファイバコネクタ、
（７）前記基板上に接着層を有し、該接着層上に前記第１下部クラッド層及び前記光ファイバガイド用クラッドパターンが形成された（６）に記載の光ファイバコネクタ、
（８）前記接着層が、第２下部クラッド層である（７）に記載の光ファイバコネクタ、
（９）前記基板が、電気配線板である（１）〜（８）のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、
（１０）前記基板表面から光ファイバガイド用クラッドパターンの上面までの高さが、前記光ファイバの半径以上である（１）〜（９）のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、
（１１）前記基板表面から光ファイバガイド部材の上面までの高さが、前記光ファイバの直径以下である（１）〜（１０）のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、
（１２）前記基板表面から光ファイバガイド部材の上面までの高さが、前記光ファイバの直径以上であり、光ファイバ用溝上部に蓋材を備えてなる（１）〜（１０）のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、
（１３）前記光導波路が、光路変換ミラー付きの光導波路である（１）〜（１２）のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、
（１４）前記基板上に第１下部クラッド層形成用フィルムを積層し、エッチングによって、光ファイバ用溝の形成部分の第１下部クラッド層を除去する第１の工程、第１下部クラッド層形成面側にガイド用クラッド層を積層し、第１下部クラッド層上に前記コアガイド用クラッドパターンを、また、基板上に前記光ファイバガイド用クラッドパターンを一括形成する第２の工程と、光ファイバガイド用クラッドパターン及びコアガイド用クラッドパターン形成面側にコアパターン形成用樹脂を積層し、光ファイバ用溝のコアパターン形成用樹脂を除去し、かつ前記コア用溝にコア用樹脂を充填して前記コアパターンとする第３の工程を順に有する（１）〜（１３）のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法、
（１５）前記第３の工程の後に、コアパターン形成面側から、上部クラッド層形成用樹脂を積層し、エッチングによって、光ファイバ用溝の上部クラッド層形成用フィルムを除去する第４の工程を有する（１４）に記載の光ファイバコネクタの製造方法、
（１６）前記第２の工程の後に、光ファイバ用溝と反対側のコア用溝端のガイド用クラッド層に、光路変換用の斜面を形成する第５の工程を有する（１４）又は（１５）に記載の光ファイバコネクタの製造方法、
（１７）前記第５の工程の後に、光路変換用の斜面に光信号反射用の金属層を形成する第６の工程を有する（１６）に記載の光ファイバコネクタの製造方法、
（１８）前記第３の工程の後又は前記第４の工程の後に、前記コアパターンに、光路変換用の斜面を形成する第７の工程を有する（１４）又は（１５）に記載の光ファイバコネクタの製造方法、
（１９）前記第７の工程の後に、光路変換用の斜面に光信号反射用の金属層を形成する第８の工程を有する（１８）に記載の光ファイバコネクタの製造方法、
（２０）
前記第３の工程の後、前記第４の工程の後、前記第５の工程の後、前記第６の工程の後、前記第７の工程の後、前記第８の工程の後のすくなくともいずれかにおいて、光ファイバを接続する前記コアパターンの端面を平滑化するために、ダイシングソーによってスリット溝を形成する第９の工程を有し、該スリット溝の深さが基板表面以下である（１４）〜（１９）のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法。
（１）基板上に、光ファイバを固定するための光ファイバ用溝を有する光ファイバガイド用クラッドパターンが形成された光ファイバガイド部材と、光導波路とが並設された光ファイバコネクタであって、
前記光導波路は、基板上にコアパターンを形成するためのコア用溝を有するコアガイド用クラッドパターンが形成され、該コア用溝にコア層形成用樹脂が充填されてコアパターンが形成され、該コアパターン上に上部クラッド層が形成されてなり、
前記光ファイバ用溝に固定された光ファイバと、前記コアパターンとが、光信号を送受可能な位置に接合するように、前記光ファイバガイド部材と前記光導波路が並設されてなる光ファイバコネクタ、
（２）前記光ファイバガイド用クラッドパターン及び前記コアガイド用クラッドパターンが、同一のガイド用クラッド層から形成されている（１）に記載の光ファイバコネクタ、
（３）前記光ファイバ用溝と前記コア用溝とが接合されている（１）又は（２）に記載の光ファイバコネクタ、
（４）前記光ファイバ用溝の幅が、前記コア用溝の幅よりも広い（１）〜（３）のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、
（５）前記コア用溝の底に、第１下部クラッド層を有し、かつ、前記光ファイバ用溝の深さが、前記コア用溝の深さより深いことを特徴とする（１）〜（４）に記載の光ファイバコネクタ、
（６）前記コアガイド用クラッドパターンが前記第１下部クラッド層上に形成され、前記光ファイバガイド用クラッドパターンが、前記基板上に形成された（５）に記載の光ファイバコネクタ、
（７）前記基板上に接着層を有し、該接着層上に前記第１下部クラッド層及び前記光ファイバガイド用クラッドパターンが形成された（６）に記載の光ファイバコネクタ、
（８）前記接着層が、第２下部クラッド層である（７）に記載の光ファイバコネクタ、
（９）前記基板が、電気配線板である（１）〜（８）のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、
（１０）前記基板表面から光ファイバガイド用クラッドパターンの上面までの高さが、前記光ファイバの半径以上である（１）〜（９）のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、
（１１）前記基板表面から光ファイバガイド部材の上面までの高さが、前記光ファイバの直径以下である（１）〜（１０）のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、
（１２）前記基板表面から光ファイバガイド部材の上面までの高さが、前記光ファイバの直径以上であり、光ファイバ用溝上部に蓋材を備えてなる（１）〜（１０）のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、
（１３）前記光導波路が、光路変換ミラー付きの光導波路である（１）〜（１２）のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、
（１４）前記基板上に第１下部クラッド層形成用フィルムを積層し、エッチングによって、光ファイバ用溝の形成部分の第１下部クラッド層を除去する第１の工程、第１下部クラッド層形成面側にガイド用クラッド層を積層し、第１下部クラッド層上に前記コアガイド用クラッドパターンを、また、基板上に前記光ファイバガイド用クラッドパターンを一括形成する第２の工程と、光ファイバガイド用クラッドパターン及びコアガイド用クラッドパターン形成面側にコアパターン形成用樹脂を積層し、光ファイバ用溝のコアパターン形成用樹脂を除去し、かつ前記コア用溝にコア用樹脂を充填して前記コアパターンとする第３の工程を順に有する（１）〜（１３）のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法、
（１５）前記第３の工程の後に、コアパターン形成面側から、上部クラッド層形成用樹脂を積層し、エッチングによって、光ファイバ用溝の上部クラッド層形成用フィルムを除去する第４の工程を有する（１４）に記載の光ファイバコネクタの製造方法、
（１６）前記第２の工程の後に、光ファイバ用溝と反対側のコア用溝端のガイド用クラッド層に、光路変換用の斜面を形成する第５の工程を有する（１４）又は（１５）に記載の光ファイバコネクタの製造方法、
（１７）前記第５の工程の後に、光路変換用の斜面に光信号反射用の金属層を形成する第６の工程を有する（１６）に記載の光ファイバコネクタの製造方法、
（１８）前記第３の工程の後又は前記第４の工程の後に、前記コアパターンに、光路変換用の斜面を形成する第７の工程を有する（１４）又は（１５）に記載の光ファイバコネクタの製造方法、
（１９）前記第７の工程の後に、光路変換用の斜面に光信号反射用の金属層を形成する第８の工程を有する（１８）に記載の光ファイバコネクタの製造方法、
（２０）
前記第３の工程の後、前記第４の工程の後、前記第５の工程の後、前記第６の工程の後、前記第７の工程の後、前記第８の工程の後のすくなくともいずれかにおいて、光ファイバを接続する前記コアパターンの端面を平滑化するために、ダイシングソーによってスリット溝を形成する第９の工程を有し、該スリット溝の深さが基板表面以下である（１４）〜（１９）のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法。
本発明の光ファイバコネクタは、基板によらずに光ファイバと光導波路コアとの位置合わせが容易で、光ファイバの位置ずれがしにくい。
本発明の光ファイバコネクタを、図１〜３を用いて説明する。図１〜３は、接着層として第２下部クラッド層２０１を用いた態様を示すものである。なお、図２（ｄ）−７のみ、光ファイバ用溝１０の一部に光ファイバ３０を固定している態様を示す。
本発明の光ファイバコネクタは、基板１の上に形成された第２下部クラッド層２０１上に、光ファイバ３０（図２（ｄ）−７参照）を固定するための光ファイバ用溝１１を有する光ファイバガイド用クラッドパターン７が形成された光ファイバガイド部材９と光導波路２０とが並設されてなる光ファイバコネクタ４０であって、この光導波路２０は、第２下部クラッド層２０１上に形成された下部クラッド層３上にコア用溝１０が形成され、該コア用溝１０にコア層形成用樹脂が充填されてなるコアパターン５上に上部クラッド層６が形成されてなり、光ファイバガイド部材９の光ファイバ用溝１１に固定された光ファイバ３０と、光導波路２０のコアパターン５とが、光信号を送受可能な位置に接合するように、光ファイバガイド部材９と前記光導波路２０が並設されてなる。
また、図５に示すような蓋材１５を有する光ファイバコネクタの場合、上部クラッド層６を形成後、蓋材１５にて光ファイバ用溝１１上に蓋をすればよい。
また、使用する光ファイバ３０に制限はないが、以下「光ファイバの直径」と表記した場合、光ファイバ３０のコア径又はクラッド外径又被覆外径を表すこととする。
本発明の光ファイバコネクタは、基板１の上に形成された第２下部クラッド層２０１上に、光ファイバ３０（図２（ｄ）−７参照）を固定するための光ファイバ用溝１１を有する光ファイバガイド用クラッドパターン７が形成された光ファイバガイド部材９と光導波路２０とが並設されてなる光ファイバコネクタ４０であって、この光導波路２０は、第２下部クラッド層２０１上に形成された下部クラッド層３上にコア用溝１０が形成され、該コア用溝１０にコア層形成用樹脂が充填されてなるコアパターン５上に上部クラッド層６が形成されてなり、光ファイバガイド部材９の光ファイバ用溝１１に固定された光ファイバ３０と、光導波路２０のコアパターン５とが、光信号を送受可能な位置に接合するように、光ファイバガイド部材９と前記光導波路２０が並設されてなる。
また、図５に示すような蓋材１５を有する光ファイバコネクタの場合、上部クラッド層６を形成後、蓋材１５にて光ファイバ用溝１１上に蓋をすればよい。
また、使用する光ファイバ３０に制限はないが、以下「光ファイバの直径」と表記した場合、光ファイバ３０のコア径又はクラッド外径又被覆外径を表すこととする。
以下、本発明の光ファイバコネクタを構成する各層について説明する。
（下部クラッド層、上部クラッド層、ガイド用クラッド層）
以下、本発明で使用される下部クラッド層（第１下部クラッド層，第２下部クラッド層）２０１，３、上部クラッド層６、ガイド用クラッド層４について説明する。下部クラッド層２０１，３、上部クラッド層６、ガイド用クラッド層４としては、クラッド層形成用樹脂又はクラッド層形成用樹脂フィルムを用いることができる。
（下部クラッド層、上部クラッド層、ガイド用クラッド層）
以下、本発明で使用される下部クラッド層（第１下部クラッド層，第２下部クラッド層）２０１，３、上部クラッド層６、ガイド用クラッド層４について説明する。下部クラッド層２０１，３、上部クラッド層６、ガイド用クラッド層４としては、クラッド層形成用樹脂又はクラッド層形成用樹脂フィルムを用いることができる。
本発明で用いるクラッド層形成用樹脂としては、コアパターン５より低屈折率で、光又は熱により形成し得る樹脂組成物を用いることができる。光硬化性の樹脂組成物であれば、第１、第２、第４の工程において、露光及びエッチング工程を経ることによって各クラッド層をパターン化できる。クラッド層形成用樹脂に用いる樹脂組成物は、下部クラッド層２０１，３、上部クラッド層６、ガイド用クラッド層４において、該樹脂組成物に含有する成分が同一であっても異なっていてもよく、該樹脂組成物の屈折率が同一であっても異なっていてもよい。また、第２下部クラッド層２０１については、接着層２としての機能があれば、屈折率や光硬化性の性質は必要なく、後述の接着剤やコア形成用樹脂フィルムを用いても良い。
本発明においては、クラッド層の形成方法は特に限定されず、例えば、クラッド層形成用樹脂の塗布又はクラッド層形成用樹脂フィルムのラミネートにより形成すれば良い。
塗布による場合には、その方法は限定されず、クラッド層形成用樹脂組成物を常法により塗布すれば良い。
また、ラミネートに用いるクラッド層形成用樹脂フィルムは、例えば、クラッド層形成用樹脂組成物を溶媒に溶解して、支持フィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。
塗布による場合には、その方法は限定されず、クラッド層形成用樹脂組成物を常法により塗布すれば良い。
また、ラミネートに用いるクラッド層形成用樹脂フィルムは、例えば、クラッド層形成用樹脂組成物を溶媒に溶解して、支持フィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。
支持フィルムの種類としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルファイド、ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドが好適に挙げられる。支持フィルムの厚さは、５〜２００μｍであることが好ましい。５μｍ以上であると、支持フィルムとしての強度が得やすいという利点があり、２００μｍ以下であると、パターン形成時のマスクとのギャップが小さくなり、より微細なパターンが形成できるという利点がある。以上の観点から、支持フィルムの厚さは１０〜１００μｍの範囲であることがより好ましく、１５〜５０μｍであることが特に好ましい。
下部クラッド層２０１，３及び上部クラッド層６の厚さに関しては、特に限定するものではないが、乾燥後の厚さで、５〜５００μｍの範囲が好ましい。５μｍ以上であると、光の閉じ込めに必要なクラッド厚さが確保でき、５００μｍ以下であると、膜厚を均一に制御することが容易である。以上の観点から、下部クラッド層２０１，３及び上部クラッド層６の厚さは、さらに１０〜１００μｍの範囲であることがより好ましい。また、第１下部クラッド層３は、光ファイバの中心とコアパターン中心合わせのため、硬化後のフィルム厚みが、｛（光ファイバの半径）−（第１下部クラッド層３上に形成されたコアパターン厚み）／２｝の厚みのフィルムを用いることが更に好ましい。
具体例に、光ファイバの直径８０μｍ、光ファイバのコア径５０μｍの光ファイバを用いたときの好ましい第１下部クラッド層３の厚みを示す。まず、光導波路のコア径は、光ファイバからコアパターンへ光信号が伝搬してくる場合、光ファイバのコア径に外接する正方形が光損失なく伝搬できる。この場合、光導波路のコアは５０μｍ×５０μｍ（コア高さ；５０μｍ）となる。上記の式に当てはめると最適な第１下部クラッド層３の厚みは１５μｍとなる。また、上記と同一の光ファイバを用いて、光ファイバからコアパターンへ光信号が伝搬してくる場合、光ファイバのコア径に内接する正方形が光損失なく伝搬できる。この場合、光導波路のコアは４０μｍ×４０μｍ（コア高さ；４０μｍ）となる。上記の式に当てはめると最適な第１下部クラッド層３の厚みは２０μｍとなる。
本発明の光ファイバコネクタは、上述の光ファイバとコアパターンの中心合わせの観点からは、コア用溝１０の底に、第１下部クラッド層３を有し、かつ、光ファイバ用溝１１の深さが、コア用溝１０の深さより深いことが好ましい。これは、部分的に第１下部クラッド層３が形成された、段差を有する基板１上にガイド用クラッド層４を積層して、第１下部クラッド層３上の樹脂が基板１側に流入させることで実現できる。
具体例に、光ファイバの直径８０μｍ、光ファイバのコア径５０μｍの光ファイバを用いたときの好ましい第１下部クラッド層３の厚みを示す。まず、光導波路のコア径は、光ファイバからコアパターンへ光信号が伝搬してくる場合、光ファイバのコア径に外接する正方形が光損失なく伝搬できる。この場合、光導波路のコアは５０μｍ×５０μｍ（コア高さ；５０μｍ）となる。上記の式に当てはめると最適な第１下部クラッド層３の厚みは１５μｍとなる。また、上記と同一の光ファイバを用いて、光ファイバからコアパターンへ光信号が伝搬してくる場合、光ファイバのコア径に内接する正方形が光損失なく伝搬できる。この場合、光導波路のコアは４０μｍ×４０μｍ（コア高さ；４０μｍ）となる。上記の式に当てはめると最適な第１下部クラッド層３の厚みは２０μｍとなる。
本発明の光ファイバコネクタは、上述の光ファイバとコアパターンの中心合わせの観点からは、コア用溝１０の底に、第１下部クラッド層３を有し、かつ、光ファイバ用溝１１の深さが、コア用溝１０の深さより深いことが好ましい。これは、部分的に第１下部クラッド層３が形成された、段差を有する基板１上にガイド用クラッド層４を積層して、第１下部クラッド層３上の樹脂が基板１側に流入させることで実現できる。
また、光導波路２０において、コアパターン５上に形成するための上部クラッド層６の厚みは、光の閉じ込めの観点、及び膜厚の制御の観点から１０〜１００μｍの範囲が好ましいが、蓋材１５を用いない光ファイバコネクタ４０の場合、基板１表面から上部クラッド層上面までの高さが光ファイバの直径以下になるように適宜調整すれば良い。一方、蓋材１５を用いた光ファイバコネクタ４０の場合、基板１と蓋材１５間の光ファイバ用溝１１の高さを光ファイバの直径以上になるように適宜調整すれば良い。
光ファイバガイド用クラッドパターン７及びコアガイド用クラッドパターン８を形成するためのガイド用クラッド層４の厚みは、積層後のコアガイド用クラッドパターン８形成部分の厚みが、（所望するコアパターン５の厚み）−（コアガイド用クラッドパターン上部に残存するコア層形成用樹脂の厚み）となるように調整すれば良く、かつ、積層後の光ファイバガイド用クラッドパターン７形成部分の厚みが、光ファイバの半径以上、直径以下になるように調整すると良い。
また、第１下部クラッド層３、上部クラッド層６、ガイド用クラッド層４のパターン形成方法としては特に限定されず、エッチングによって形成しても、型により成型しても良い。エッチングはドライ系エッチングでもウェット系エッチングでも良いが、除去する樹脂の深さを制御する観点からウェット系エッチングが好ましい。本発明においては、ガイド用クラッド層４を積層した後、同一フォトマスクによるパターン露光及びエッチングにてコア用溝１０及び光ファイバ用溝１１を同時に形成することにより、効率よく、かつ光ファイバの位置ずれがしにくい光ファイバコネクタを製造することができる。型による成型をする場合、第２下部クラッド層２０１の形成、第１下部クラッド層３のパターン化、ガイド用クラッド層のパターン化を単一層のクラッド層によって形成しても良く、コア用溝及び光ファイバ用溝の形状も矩形、Ｖ字、Ｕ字、多角形等であっても良い。
光ファイバガイド用クラッドパターン７及びコアガイド用クラッドパターン８を形成するためのガイド用クラッド層４の厚みは、積層後のコアガイド用クラッドパターン８形成部分の厚みが、（所望するコアパターン５の厚み）−（コアガイド用クラッドパターン上部に残存するコア層形成用樹脂の厚み）となるように調整すれば良く、かつ、積層後の光ファイバガイド用クラッドパターン７形成部分の厚みが、光ファイバの半径以上、直径以下になるように調整すると良い。
また、第１下部クラッド層３、上部クラッド層６、ガイド用クラッド層４のパターン形成方法としては特に限定されず、エッチングによって形成しても、型により成型しても良い。エッチングはドライ系エッチングでもウェット系エッチングでも良いが、除去する樹脂の深さを制御する観点からウェット系エッチングが好ましい。本発明においては、ガイド用クラッド層４を積層した後、同一フォトマスクによるパターン露光及びエッチングにてコア用溝１０及び光ファイバ用溝１１を同時に形成することにより、効率よく、かつ光ファイバの位置ずれがしにくい光ファイバコネクタを製造することができる。型による成型をする場合、第２下部クラッド層２０１の形成、第１下部クラッド層３のパターン化、ガイド用クラッド層のパターン化を単一層のクラッド層によって形成しても良く、コア用溝及び光ファイバ用溝の形状も矩形、Ｖ字、Ｕ字、多角形等であっても良い。
（コア層形成用樹脂及びコア層形成用樹脂フィルム）
本発明においては、コア用溝１０に充填して形成するコアパターン５用のコア層形成用樹脂の形成方法は特に限定されず、例えば、コア層形成用樹脂の塗布又はコア層形成用樹脂フィルムのラミネートによりコア用溝１０に充填し、エッチングにより光ファイバ溝等の不要な部分のコア層を除去すれば良い。このとき、２本以上コア用溝１０が並列されている場合には、コア用溝１０間のコアガイド用クラッドパターン８上のコア層形成用樹脂を除去することにより、コアパターン間のクロストークを軽減することもできる。
本発明においては、コア用溝１０に充填して形成するコアパターン５用のコア層形成用樹脂の形成方法は特に限定されず、例えば、コア層形成用樹脂の塗布又はコア層形成用樹脂フィルムのラミネートによりコア用溝１０に充填し、エッチングにより光ファイバ溝等の不要な部分のコア層を除去すれば良い。このとき、２本以上コア用溝１０が並列されている場合には、コア用溝１０間のコアガイド用クラッドパターン８上のコア層形成用樹脂を除去することにより、コアパターン間のクロストークを軽減することもできる。
コアパターン５に用いるコア層形成用樹脂は、クラッド層３より高屈折率であるように設計され、活性光線によりコアパターンを形成し得る樹脂組成物を用いることができる。ワニス状でもフィルム状でも良く、フィルム状の場合、パターン化する前のコア層形成用樹脂フィルムの形成方法は限定されず、前記コア層形成用樹脂組成物を常法により塗布する方法等が挙げられる。
コア層形成用樹脂フィルムの厚さについては特に限定されず、コア用溝１０を埋め込める範囲であれば良い。乾燥後のコア層の厚さが、通常は１０〜１００μｍとなるように調整されると良い。
また、コア用溝１０に埋め込んだ後のコアパターン５の厚さが１０μｍ以上であると、光導波路形成後の受発光素子又は光ファイバとの結合において位置合わせトレランスが拡大できるという利点があり、１００μｍ以下であると、光導波路形成後の受発光素子又は光ファイバとの結合において、結合効率が向上するという利点がある。
また、形成後のコアパターン５の厚さと幅からなる矩形が、光ファイバからコアパターンへ光を伝達する場合は、光ファイバのコア径の外側になれば光の損失が少なく、コアパターンから光ファイバへ光を伝達する場合は、コアパターンの厚さと幅からなる矩形が、光ファイバのコア径の内側になるように調整する光の損失が少なく更に良い。
第３の工程において、コア用溝１０にのみコアパターンを形成する方法としては、コア用溝１０方向からコア層形成用樹脂フィルムを積層し、露光及びエッチングを経ることにより、コア用溝１０にのみコア用樹脂を充填してコアパターンとすることができる。
また、コア用溝１０に埋め込んだ後のコアパターン５の厚さが１０μｍ以上であると、光導波路形成後の受発光素子又は光ファイバとの結合において位置合わせトレランスが拡大できるという利点があり、１００μｍ以下であると、光導波路形成後の受発光素子又は光ファイバとの結合において、結合効率が向上するという利点がある。
また、形成後のコアパターン５の厚さと幅からなる矩形が、光ファイバからコアパターンへ光を伝達する場合は、光ファイバのコア径の外側になれば光の損失が少なく、コアパターンから光ファイバへ光を伝達する場合は、コアパターンの厚さと幅からなる矩形が、光ファイバのコア径の内側になるように調整する光の損失が少なく更に良い。
第３の工程において、コア用溝１０にのみコアパターンを形成する方法としては、コア用溝１０方向からコア層形成用樹脂フィルムを積層し、露光及びエッチングを経ることにより、コア用溝１０にのみコア用樹脂を充填してコアパターンとすることができる。
（基板）
基板１の材質としては、特に制限はなく、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、金属基板、樹脂層付き基板、金属層付き基板、プラスチックフィルム、樹脂層付きプラスチックフィルム、金属層付きプラスチックフィルム、電気配線板などが挙げられる。
基板１として柔軟性及び強靭性のある基材、例えば、前記クラッド層形成用樹脂フィルム及びコア層形成用樹脂フィルムの支持フィルムを基板として用いることで、フレキシブルな光ファイバコネクタとしてもよい。
基板１の材質としては、特に制限はなく、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、金属基板、樹脂層付き基板、金属層付き基板、プラスチックフィルム、樹脂層付きプラスチックフィルム、金属層付きプラスチックフィルム、電気配線板などが挙げられる。
基板１として柔軟性及び強靭性のある基材、例えば、前記クラッド層形成用樹脂フィルム及びコア層形成用樹脂フィルムの支持フィルムを基板として用いることで、フレキシブルな光ファイバコネクタとしてもよい。
本発明において、光ファイバ３０を光ファイバガイド部材９の光ファイバ用溝１１に固定する方法としては、特に限定されないが、例えば、蓋材１５を用いない光ファイバコネクタの場合、ガラスブロックで光ファイバを抑えて光ファイバ用溝１１に押し込み、コアパターン５の中心と光ファイバ３０の中心を位置合わせして、接着剤等により固定すれば良い。
この際、図１〜３に示すＸ方向の位置合わせは光ファイバガイド用クラッドパターン７により行い、Ｚ方向の位置合わせは基板１により行うことができる。
一方、蓋材１５を用いた光ファイバコネクタ４０の場合、基板１と蓋材１５間の光ファイバ用溝１１に基板１と平行方向に光ファイバ３０を挿入し固定すれば良い。
この際、図３に示すＸ方向の位置合わせは光ファイバガイド用クラッドパターン７により行い、Ｚ方向の位置合わせは基板１及び蓋材１５により行うことができる。
この際、図１〜３に示すＸ方向の位置合わせは光ファイバガイド用クラッドパターン７により行い、Ｚ方向の位置合わせは基板１により行うことができる。
一方、蓋材１５を用いた光ファイバコネクタ４０の場合、基板１と蓋材１５間の光ファイバ用溝１１に基板１と平行方向に光ファイバ３０を挿入し固定すれば良い。
この際、図３に示すＸ方向の位置合わせは光ファイバガイド用クラッドパターン７により行い、Ｚ方向の位置合わせは基板１及び蓋材１５により行うことができる。
蓋材１５を用いない光ファイバコネクタの場合、光ファイバガイド部材９の基板面から光導波路２０の上部クラッド層６の上面までの距離が、光ファイバ３０の直径以下だと、ガラスブロックで光ファイバを抑えて光ファイバ用溝８に押し込むなどの作業がしやすい。
蓋材１５を用いた光ファイバコネクタの場合、光ファイバガイド部材９の基板面から光導波路２０の上部クラッド層６の上面までの距離が、光ファイバ３０の直径以上だと、光ファイバを光ファイバ用溝８に挿入するなどの作業がしやすい。
また、光ファイバガイド部材９の光ファイバガイド用クラッドパターン７の高さ（厚さ）が、光ファイバ３０の半径以上であると光ファイバ３０の位置ずれがしにくい。さらに光ファイバの半径より５μｍ以上高く、直径より３μｍ以上低いと光ファイバの実装性が良いため更に好ましい。
本発明においては、具体的には、光ファイバの直径が２００μｍ以下であればガイド用クラッド層形成用樹脂フィルムの膜厚が制御しやすいという観点から好ましく、１２５μｍ径や８０μｍ径の光ファイバを用いることが更に好ましい。
光ファイバガイド用クラッドパターン７の光ファイバ用溝１１の横幅としては、光ファイバの直径以上の幅であればよく、光ファイバの実装性及びトレランスの観点から、光ファイバの直径より０．１〜１０μｍ広い幅であると更に良い。
蓋材１５を用いた光ファイバコネクタの場合、光ファイバガイド部材９の基板面から光導波路２０の上部クラッド層６の上面までの距離が、光ファイバ３０の直径以上だと、光ファイバを光ファイバ用溝８に挿入するなどの作業がしやすい。
また、光ファイバガイド部材９の光ファイバガイド用クラッドパターン７の高さ（厚さ）が、光ファイバ３０の半径以上であると光ファイバ３０の位置ずれがしにくい。さらに光ファイバの半径より５μｍ以上高く、直径より３μｍ以上低いと光ファイバの実装性が良いため更に好ましい。
本発明においては、具体的には、光ファイバの直径が２００μｍ以下であればガイド用クラッド層形成用樹脂フィルムの膜厚が制御しやすいという観点から好ましく、１２５μｍ径や８０μｍ径の光ファイバを用いることが更に好ましい。
光ファイバガイド用クラッドパターン７の光ファイバ用溝１１の横幅としては、光ファイバの直径以上の幅であればよく、光ファイバの実装性及びトレランスの観点から、光ファイバの直径より０．１〜１０μｍ広い幅であると更に良い。
図１〜４の光ファイバコネクタの場合、第１下部クラッド層３を除去する面積を低減することで基板表面からの光ファイバガイド用クラッドパターン７の高さ厚みばらつきを低減できるという理由及び光ファイバを固定する際のガラスブロックと上部クラッド層の接地領域を多くするという理由から、光ファイバガイド部材１０において、光ファイバガイド用クラッドパターン７の下に第２下部クラッド層９を、光ファイバガイド用クラッドパターン７の上に上部クラッド層６が設けられていても良い。蓋材１５を用いた光ファイバコネクタの場合、全ての光ファイバガイド用クラッドパターン７の上面に上部クラッド層６を形成すると、蓋材１５のたわみを抑制できるため好ましい。
（蓋材）
蓋材１５の材質としては、特に限定されないが、上部クラッド層６に接着性がある場合、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、金属基板、樹脂層付き基板、金属層付き基板、プラスチックフィルム、樹脂層付きプラスチックフィルム、金属層付きプラスチックフィルム、電気配線板などが挙げられる。
さらには、柔軟性及び強靭性のある蓋材１５として、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルファイド、ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドを蓋材７として用いてもよい。これらのうち、耐熱性、寸法安定性の観点から、ポリアミドイミド、ポリイミドが特に好ましい。
また、上部クラッド層６に接着性が無い場合、上記に列挙した蓋材１５に接着層を積層し、接着層付きの蓋材１５とすると良い。蓋材１５の厚さとしては、板の反りや寸法安定性により、適宜変えてよいが、好ましくは１０μｍ〜１０．０ｍｍである。また、蓋材１５に形成する接着層の厚さとしては、０．１μｍ〜５０μｍであれば良く、２０μｍ以下であると光ファイバ用溝１５への接着剤の流れ込みが押さえられ更に良い。
（蓋材）
蓋材１５の材質としては、特に限定されないが、上部クラッド層６に接着性がある場合、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、金属基板、樹脂層付き基板、金属層付き基板、プラスチックフィルム、樹脂層付きプラスチックフィルム、金属層付きプラスチックフィルム、電気配線板などが挙げられる。
さらには、柔軟性及び強靭性のある蓋材１５として、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルファイド、ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドを蓋材７として用いてもよい。これらのうち、耐熱性、寸法安定性の観点から、ポリアミドイミド、ポリイミドが特に好ましい。
また、上部クラッド層６に接着性が無い場合、上記に列挙した蓋材１５に接着層を積層し、接着層付きの蓋材１５とすると良い。蓋材１５の厚さとしては、板の反りや寸法安定性により、適宜変えてよいが、好ましくは１０μｍ〜１０．０ｍｍである。また、蓋材１５に形成する接着層の厚さとしては、０．１μｍ〜５０μｍであれば良く、２０μｍ以下であると光ファイバ用溝１５への接着剤の流れ込みが押さえられ更に良い。
また、光ファイバガイド用クラッドパターン５が、特に基板１に密着性が無い場合には、接着層２付きの基板１を用いてもよく、接着層２が第２下部クラッド層２０１であっても良い。
接着層２の種類としては特に限定されないが、両面テープ、ＵＶまたは熱硬化性接着剤、プリプレグ、ビルドアップ材、電気配線板製造用途に使用される種々の接着剤が好適に挙げられる。光信号が基板１を透過する場合には、光信号波長において透明であればよくその際には、基板１と接着力のあるクラッド層形成用樹脂フィルムやコア層形成用樹脂フィルムを用いて接着層２とするのが好ましい。
接着層２の種類としては特に限定されないが、両面テープ、ＵＶまたは熱硬化性接着剤、プリプレグ、ビルドアップ材、電気配線板製造用途に使用される種々の接着剤が好適に挙げられる。光信号が基板１を透過する場合には、光信号波長において透明であればよくその際には、基板１と接着力のあるクラッド層形成用樹脂フィルムやコア層形成用樹脂フィルムを用いて接着層２とするのが好ましい。
また、電気配線板は特に限定されるものではないが、金属配線１０３がＦＲ−４上に形成された電気配線板でもよく、金属配線１０３がポリイミドやポリアミドフィルム上に形成されたフレキシブル配線板であってもよい。なお、金属配線１０３は金属層１０２から形成することができる。
（光路変換用の斜面）
第５及び第７の工程において、光路変換用の斜面の形成方法としては、特に限定するものではないが、例えば、ダイシングソーを用いてガイド用クラッド層４やコアパターン５を切削し、斜面を形成すればよい。このとき基板面に対して４５°の斜面を形成すると基板１に対して垂直方向に光路変換することが可能となる。
また第５の工程において、光路変換用の斜面１２を形成する位置に関しては、コア用溝１０と同軸方向のガイド用クラッド層４であればよく、該コア用溝１０の光ファイバ用溝１１と反対方向の終点のガイド用クラッド層４に斜面を形成しても、コア用溝１０の途中にガイド用クラッド層を残し、該ガイド用クラッド層に光路変換用の斜面１２を形成しても良い。こうすることによって、光路変換用の斜面１２を形成する位置を視認しやすく、位置精度よく斜面１２を形成しやすい利点がある。
第７の工程において、光路変換用の斜面１２を形成する位置に関しては、コアパターン５と同軸方向であればよく、コアパターン５に光路変換用の斜面１２を形成しても、コア用溝１０の光ファイバ用溝１１と反対方向の終点のガイド用クラッド層４に斜面を形成してもよい。
光路変換用の斜面の形成方法としては、上記第７の工程によれば光伝搬損失を低減することができる点で好ましい。
（金属層）
第６及び第８の工程において、光路変換用の斜面１２への金属層１４の形成方法としては、特に限定はないが、蒸着、スパッタリング、めっき等の各種方法が用いられる。特に、蒸着、スパッタリングで光路変換用の斜面１２に局部的に金属層を形成する場合は、金属層１４を形成しない部分にレジストを形成し、その後、所望の部分に金属層１４を形成し、最後にレジスト部分を剥離することによって形成できる。また、所望の部分が開口したメタルマスク等を介して金属層１４を形成することも可能である。金属層に用いられる金属としては特に限定はないが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等の各種金属が好適に挙げられ、反射率の観点からＡｕ、Ａｌが更に良い。
（スリット溝）
第９の工程において、光ファイバと光導波路を接続する光導波路端面の平滑化方法としては、特に限定するものではないが、例えば、ダイシングソーを用いて光導波路端面を切削し、スリット溝９を形成すると共に平滑化すればよい。この際のダイシングブレードの切削深さは、基板１表面以下にすると光ファイバ３０が良好に実装できるため好ましい。
（光路変換用の斜面）
第５及び第７の工程において、光路変換用の斜面の形成方法としては、特に限定するものではないが、例えば、ダイシングソーを用いてガイド用クラッド層４やコアパターン５を切削し、斜面を形成すればよい。このとき基板面に対して４５°の斜面を形成すると基板１に対して垂直方向に光路変換することが可能となる。
また第５の工程において、光路変換用の斜面１２を形成する位置に関しては、コア用溝１０と同軸方向のガイド用クラッド層４であればよく、該コア用溝１０の光ファイバ用溝１１と反対方向の終点のガイド用クラッド層４に斜面を形成しても、コア用溝１０の途中にガイド用クラッド層を残し、該ガイド用クラッド層に光路変換用の斜面１２を形成しても良い。こうすることによって、光路変換用の斜面１２を形成する位置を視認しやすく、位置精度よく斜面１２を形成しやすい利点がある。
第７の工程において、光路変換用の斜面１２を形成する位置に関しては、コアパターン５と同軸方向であればよく、コアパターン５に光路変換用の斜面１２を形成しても、コア用溝１０の光ファイバ用溝１１と反対方向の終点のガイド用クラッド層４に斜面を形成してもよい。
光路変換用の斜面の形成方法としては、上記第７の工程によれば光伝搬損失を低減することができる点で好ましい。
（金属層）
第６及び第８の工程において、光路変換用の斜面１２への金属層１４の形成方法としては、特に限定はないが、蒸着、スパッタリング、めっき等の各種方法が用いられる。特に、蒸着、スパッタリングで光路変換用の斜面１２に局部的に金属層を形成する場合は、金属層１４を形成しない部分にレジストを形成し、その後、所望の部分に金属層１４を形成し、最後にレジスト部分を剥離することによって形成できる。また、所望の部分が開口したメタルマスク等を介して金属層１４を形成することも可能である。金属層に用いられる金属としては特に限定はないが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等の各種金属が好適に挙げられ、反射率の観点からＡｕ、Ａｌが更に良い。
（スリット溝）
第９の工程において、光ファイバと光導波路を接続する光導波路端面の平滑化方法としては、特に限定するものではないが、例えば、ダイシングソーを用いて光導波路端面を切削し、スリット溝９を形成すると共に平滑化すればよい。この際のダイシングブレードの切削深さは、基板１表面以下にすると光ファイバ３０が良好に実装できるため好ましい。
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。
実施例１
［クラッド層形成用樹脂フィルムの作製］
［（Ａ）ベースポリマー；（メタ）アクリルポリマー（Ａ−１）の作製］
撹拌機、冷却管、ガス導入管、滴下ろうと、及び温度計を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６質量部及び乳酸メチル２３質量部を秤量し、窒素ガスを導入しながら撹拌を行った。液温を６５℃に上昇させ、メチルメタクリレート４７質量部、ブチルアクリレート３３質量部、２−ヒドロキシエチルメタクリレート１６質量部、メタクリル酸１４質量部、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）３質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６質量部、及び乳酸メチル２３質量部の混合物を３時間かけて滴下後、６５℃で３時間撹拌し、さらに９５℃で１時間撹拌を続けて、（メタ）アクリルポリマー（A−１）溶液（固形分４５質量％）を得た。
[重量平均分子量の測定］
（A−１）の重量平均分子量（標準ポリスチレン換算）をＧＰＣ（東ソー（株）製「ＳＤ−８０２２」、「ＤＰ−８０２０」、及び「ＲＩ−８０２０」）を用いて測定した結果、３．９×１０4であった。なお、カラムは日立化成工業（株）製「Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１５０−Ｓ」及び「Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１６０−Ｓ」を使用した。
［酸価の測定］
Ａ−２の酸価を測定した結果、７９ｍｇＫＯＨ／ｇであった。なお、酸価はＡ−２溶液を中和するのに要した０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム水溶液量から算出した。このとき、指示薬として添加したフェノールフタレインが無色からピンク色に変色した点を中和点とした。
［クラッド層形成用樹脂ワニスの調合］
（Ａ）ベースポリマーとして、前記Ａ−１溶液（固形分４５質量％）８４質量部（固形分３８質量部）、（Ｂ）光硬化成分として、ポリエステル骨格を有するウレタン（メタ）アクリレート（新中村化学工業（株）製「Ｕ−２００ＡＸ」）３３質量部、及びポリプロピレングリコール骨格を有するウレタン（メタ）アクリレート（新中村化学工業（株）製「ＵＡ−４２００」）１５質量部、（Ｃ）熱硬化成分として、ヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート型三量体をメチルエチルケトンオキシムで保護した多官能ブロックイソシアネート溶液（固形分７５質量％）（住化バイエルウレタン（株）製「スミジュールＢＬ３１７５」）２０質量部（固形分１５質量部）、（Ｄ）光重合開始剤として、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（チバ・ジャパン（株）製「イルガキュア２９５９」）１質量部、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド（チバ・ジャパン（株）製「イルガキュア８１９」）１質量部、及び希釈用有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２３質量部を攪拌しながら混合した。孔径２μｍのポリフロンフィルタ（アドバンテック東洋（株）製「ＰＦ０２０」）を用いて加圧濾過後、減圧脱泡し、クラッド層形成用樹脂ワニスを得た。
上記で得られたクラッド層形成用樹脂組成物を、ＰＥＴフィルム（東洋紡績（株）製「コスモシャインＡ４１００」、厚み５０μｍ）の非処理面上に、前記塗工機を用いて塗布し、１００℃で２０分乾燥後、保護フィルムとして表面離型処理ＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製「ピューレックスＡ３１」、厚み２５μｍ）を貼付け、クラッド層形成用樹脂フィルムを得た。このとき樹脂層の厚みは、塗工機のギャップを調節することで任意に調整可能であり、本実施例では使用した第１下部クラッド層及び第２下部クラッド層（接着層）の厚みに付いては、実施例中に記載する。また、第１下部クラッド層及び第２下部クラッド層の硬化後の膜厚と塗工後の膜厚は同一であった。本実施例で用いた上部クラッド層形成用樹脂フィルムの膜厚についても実施例中に記載する。実施例中に記載するガイド用クラッド層形成用樹脂フィルム及び上部クラッド層形成用樹脂フィルムの膜厚は塗工後の膜厚とする。
実施例１
［クラッド層形成用樹脂フィルムの作製］
［（Ａ）ベースポリマー；（メタ）アクリルポリマー（Ａ−１）の作製］
撹拌機、冷却管、ガス導入管、滴下ろうと、及び温度計を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６質量部及び乳酸メチル２３質量部を秤量し、窒素ガスを導入しながら撹拌を行った。液温を６５℃に上昇させ、メチルメタクリレート４７質量部、ブチルアクリレート３３質量部、２−ヒドロキシエチルメタクリレート１６質量部、メタクリル酸１４質量部、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）３質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６質量部、及び乳酸メチル２３質量部の混合物を３時間かけて滴下後、６５℃で３時間撹拌し、さらに９５℃で１時間撹拌を続けて、（メタ）アクリルポリマー（A−１）溶液（固形分４５質量％）を得た。
[重量平均分子量の測定］
（A−１）の重量平均分子量（標準ポリスチレン換算）をＧＰＣ（東ソー（株）製「ＳＤ−８０２２」、「ＤＰ−８０２０」、及び「ＲＩ−８０２０」）を用いて測定した結果、３．９×１０4であった。なお、カラムは日立化成工業（株）製「Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１５０−Ｓ」及び「Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１６０−Ｓ」を使用した。
［酸価の測定］
Ａ−２の酸価を測定した結果、７９ｍｇＫＯＨ／ｇであった。なお、酸価はＡ−２溶液を中和するのに要した０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム水溶液量から算出した。このとき、指示薬として添加したフェノールフタレインが無色からピンク色に変色した点を中和点とした。
［クラッド層形成用樹脂ワニスの調合］
（Ａ）ベースポリマーとして、前記Ａ−１溶液（固形分４５質量％）８４質量部（固形分３８質量部）、（Ｂ）光硬化成分として、ポリエステル骨格を有するウレタン（メタ）アクリレート（新中村化学工業（株）製「Ｕ−２００ＡＸ」）３３質量部、及びポリプロピレングリコール骨格を有するウレタン（メタ）アクリレート（新中村化学工業（株）製「ＵＡ−４２００」）１５質量部、（Ｃ）熱硬化成分として、ヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート型三量体をメチルエチルケトンオキシムで保護した多官能ブロックイソシアネート溶液（固形分７５質量％）（住化バイエルウレタン（株）製「スミジュールＢＬ３１７５」）２０質量部（固形分１５質量部）、（Ｄ）光重合開始剤として、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（チバ・ジャパン（株）製「イルガキュア２９５９」）１質量部、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド（チバ・ジャパン（株）製「イルガキュア８１９」）１質量部、及び希釈用有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２３質量部を攪拌しながら混合した。孔径２μｍのポリフロンフィルタ（アドバンテック東洋（株）製「ＰＦ０２０」）を用いて加圧濾過後、減圧脱泡し、クラッド層形成用樹脂ワニスを得た。
上記で得られたクラッド層形成用樹脂組成物を、ＰＥＴフィルム（東洋紡績（株）製「コスモシャインＡ４１００」、厚み５０μｍ）の非処理面上に、前記塗工機を用いて塗布し、１００℃で２０分乾燥後、保護フィルムとして表面離型処理ＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製「ピューレックスＡ３１」、厚み２５μｍ）を貼付け、クラッド層形成用樹脂フィルムを得た。このとき樹脂層の厚みは、塗工機のギャップを調節することで任意に調整可能であり、本実施例では使用した第１下部クラッド層及び第２下部クラッド層（接着層）の厚みに付いては、実施例中に記載する。また、第１下部クラッド層及び第２下部クラッド層の硬化後の膜厚と塗工後の膜厚は同一であった。本実施例で用いた上部クラッド層形成用樹脂フィルムの膜厚についても実施例中に記載する。実施例中に記載するガイド用クラッド層形成用樹脂フィルム及び上部クラッド層形成用樹脂フィルムの膜厚は塗工後の膜厚とする。
［コア層形成用樹脂フィルムの作製］
（Ａ）ベースポリマーとして、フェノキシ樹脂（商品名：フェノトートＹＰ−７０、東都化成株式会社製）２６質量部、（Ｂ）光重合性化合物として、９，９−ビス［４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン（商品名：Ａ−ＢＰＥＦ、新中村化学工業株式会社製）３６質量部、及びビスフェノールＡ型エポキシアクリレート（商品名：ＥＡ−１０２０、新中村化学工業株式会社製）３６質量部、（Ｃ）光重合開始剤として、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド（商品名：イルガキュア８１９、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）１質量部、及び１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（商品名：イルガキュア２９５９、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）１質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４０質量部を用いたこと以外は上記製造例と同様の方法及び条件でコア層形成用樹脂ワニスＢを調合した。その後、上記製造例と同様の方法及び条件で加圧濾過さらに減圧脱泡した。
上記で得られたコア層形成用樹脂ワニスＢを、ＰＥＴフィルム（商品名：コスモシャインＡ１５１７、東洋紡績株式会社製、厚さ：１６μｍ）の非処理面上に、上記製造例と同様な方法で塗布乾燥し、次いで保護フィルムとして離型ＰＥＴフィルム（商品名：ピューレックスＡ３１、帝人デュポンフィルム株式会社、厚さ：２５μｍ）を離型面が樹脂側になるように貼り付け、コア層形成用樹脂フィルムを得た。このとき樹脂層の厚みは、塗工機のギャップを調節することで任意に調整可能であり、本実施例では使用したコア層形成用樹脂フィルム厚みに付いては、実施例中に記載する。実施例中に記載するコア層形成用樹脂フィルムの膜厚は塗工後の膜厚とする。
（Ａ）ベースポリマーとして、フェノキシ樹脂（商品名：フェノトートＹＰ−７０、東都化成株式会社製）２６質量部、（Ｂ）光重合性化合物として、９，９−ビス［４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン（商品名：Ａ−ＢＰＥＦ、新中村化学工業株式会社製）３６質量部、及びビスフェノールＡ型エポキシアクリレート（商品名：ＥＡ−１０２０、新中村化学工業株式会社製）３６質量部、（Ｃ）光重合開始剤として、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド（商品名：イルガキュア８１９、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）１質量部、及び１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（商品名：イルガキュア２９５９、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）１質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４０質量部を用いたこと以外は上記製造例と同様の方法及び条件でコア層形成用樹脂ワニスＢを調合した。その後、上記製造例と同様の方法及び条件で加圧濾過さらに減圧脱泡した。
上記で得られたコア層形成用樹脂ワニスＢを、ＰＥＴフィルム（商品名：コスモシャインＡ１５１７、東洋紡績株式会社製、厚さ：１６μｍ）の非処理面上に、上記製造例と同様な方法で塗布乾燥し、次いで保護フィルムとして離型ＰＥＴフィルム（商品名：ピューレックスＡ３１、帝人デュポンフィルム株式会社、厚さ：２５μｍ）を離型面が樹脂側になるように貼り付け、コア層形成用樹脂フィルムを得た。このとき樹脂層の厚みは、塗工機のギャップを調節することで任意に調整可能であり、本実施例では使用したコア層形成用樹脂フィルム厚みに付いては、実施例中に記載する。実施例中に記載するコア層形成用樹脂フィルムの膜厚は塗工後の膜厚とする。
［基板の作製］
（サブトラクティブ法による電気配線形成）
金属層１０２として片面銅箔付きのポリイミドフィルム１０１（（ポリイミド；ユーピレックスＶＴ（宇部日東化成製）、厚み；２５μｍ）、（銅箔；ＮＡ−ＤＦＦ（三井金属鉱業社製））、厚み；９μｍ）（図１（ａ）−１、図２（ｃ）−１参照）の銅箔面に感光性ドライフィルムレジスト（商品名：フォテック、日立化成工業株式会製、厚さ：２５μｍ）をロールラミネータ（日立化成テクノプラント株式会社製、ＨＬＭ−１５００）を用い圧力０．４ＭＰａ、温度１１０℃、ラミネート速度０．４ｍ／ｍｉｎの条件で貼り、次いで紫外線露光機（株式会社オーク製作所製、ＥＸＭ−１１７２）にて感光性ドライフィルムレジスト側から幅５０μｍのネガ型フォトマスクを介し、紫外線（波長３６５ｎｍ）を１２０ｍＪ／ｃｍ2照射し、未露光部分の感光性ドライフィルムレジストを３５℃の０．１〜５重量％炭酸ナトリウムの希薄溶液で除去した。その後、塩化第二鉄溶液を用いて、感光性ドライフィルムレジストが除去されむき出しになった部分の銅箔をエッチングにより除去し、３５℃の１〜１０重量％水酸化ナトリウム水溶液を用いて、露光部分の感光性ドライフィルムレジストを除去し、L（ライン幅）／S（間隙幅）＝６０／１９０μｍの直線の電気配線１０３を形成しフレキシブル配線板を得た。
（サブトラクティブ法による電気配線形成）
金属層１０２として片面銅箔付きのポリイミドフィルム１０１（（ポリイミド；ユーピレックスＶＴ（宇部日東化成製）、厚み；２５μｍ）、（銅箔；ＮＡ−ＤＦＦ（三井金属鉱業社製））、厚み；９μｍ）（図１（ａ）−１、図２（ｃ）−１参照）の銅箔面に感光性ドライフィルムレジスト（商品名：フォテック、日立化成工業株式会製、厚さ：２５μｍ）をロールラミネータ（日立化成テクノプラント株式会社製、ＨＬＭ−１５００）を用い圧力０．４ＭＰａ、温度１１０℃、ラミネート速度０．４ｍ／ｍｉｎの条件で貼り、次いで紫外線露光機（株式会社オーク製作所製、ＥＸＭ−１１７２）にて感光性ドライフィルムレジスト側から幅５０μｍのネガ型フォトマスクを介し、紫外線（波長３６５ｎｍ）を１２０ｍＪ／ｃｍ2照射し、未露光部分の感光性ドライフィルムレジストを３５℃の０．１〜５重量％炭酸ナトリウムの希薄溶液で除去した。その後、塩化第二鉄溶液を用いて、感光性ドライフィルムレジストが除去されむき出しになった部分の銅箔をエッチングにより除去し、３５℃の１〜１０重量％水酸化ナトリウム水溶液を用いて、露光部分の感光性ドライフィルムレジストを除去し、L（ライン幅）／S（間隙幅）＝６０／１９０μｍの直線の電気配線１０３を形成しフレキシブル配線板を得た。
（Ｎｉ／Ａｕめっきの形成）
その後、フレキシブル配線板を、脱脂、ソフトエッチング、酸洗浄し、無電解Ｎｉめっき用増感剤（商品名：ＳＡ−１００、日立化成工業株式会社製）に２５℃で５分間浸漬後水洗し、８３℃の無電解Ｎｉめっき液（奥野製薬社製、ＩＣＰニコロンＧＭ−ＳＤ溶液、ｐＨ４．６）に８分間浸漬して３μｍのＮｉ被膜を形成し、その後、純水にて洗浄を実施した。
次に、置換金めっき液（１００ｍＬ；ＨＧＳ−５００及び１．５ｇ；シアン化金カリウム／Ｌで建浴）（商品名：ＨＧＳ−５００、日立化成工業株式会社製、）に８５℃で８分間浸漬し、Ｎｉ被膜上に０．０６μｍの置換金被膜を形成した。これにより、カバーレイフィルムのない電気配線１０３部分が、Ｎｉ及びＡｕのめっきに被覆されたフレキシブル配線板を得た（図１（ａ）−２、図２（ｃ）−２参照）。
接着層２として上記で得られた１０μｍ厚のクラッド層形成用樹脂フィルムを大きさ１００×１００ｍｍに裁断し、保護フィルムである離型ＰＥＴフィルム（ピューレックスＡ３１）を剥離し、上記で形成したフレキシブル配線板のポリイミド面に、平板型ラミネータとして真空加圧式ラミネータ（株式会社名機製作所製、ＭＶＬＰ−５００）を用い、５００Pａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１００℃、加圧時間３０秒の条件にて加熱圧着して、第２下部クラッド層２０１付きの電気配線板を形成した。紫外線露光機（株式会社オーク製作所製、ＥＸＭ−１１７２）にて支持フィルム側から紫外線（波長３６５ｎｍ）を４Ｊ／ｃｍ2照射し、次いで支持フィルムを剥離し、１７０℃で１時間加熱処理することにより、厚さ１０μｍの第２下部クラッド層２０１付きの基板１を形成した（図１（ａ）−３、図２（ｃ）−３参照）。
その後、フレキシブル配線板を、脱脂、ソフトエッチング、酸洗浄し、無電解Ｎｉめっき用増感剤（商品名：ＳＡ−１００、日立化成工業株式会社製）に２５℃で５分間浸漬後水洗し、８３℃の無電解Ｎｉめっき液（奥野製薬社製、ＩＣＰニコロンＧＭ−ＳＤ溶液、ｐＨ４．６）に８分間浸漬して３μｍのＮｉ被膜を形成し、その後、純水にて洗浄を実施した。
次に、置換金めっき液（１００ｍＬ；ＨＧＳ−５００及び１．５ｇ；シアン化金カリウム／Ｌで建浴）（商品名：ＨＧＳ−５００、日立化成工業株式会社製、）に８５℃で８分間浸漬し、Ｎｉ被膜上に０．０６μｍの置換金被膜を形成した。これにより、カバーレイフィルムのない電気配線１０３部分が、Ｎｉ及びＡｕのめっきに被覆されたフレキシブル配線板を得た（図１（ａ）−２、図２（ｃ）−２参照）。
接着層２として上記で得られた１０μｍ厚のクラッド層形成用樹脂フィルムを大きさ１００×１００ｍｍに裁断し、保護フィルムである離型ＰＥＴフィルム（ピューレックスＡ３１）を剥離し、上記で形成したフレキシブル配線板のポリイミド面に、平板型ラミネータとして真空加圧式ラミネータ（株式会社名機製作所製、ＭＶＬＰ−５００）を用い、５００Pａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１００℃、加圧時間３０秒の条件にて加熱圧着して、第２下部クラッド層２０１付きの電気配線板を形成した。紫外線露光機（株式会社オーク製作所製、ＥＸＭ−１１７２）にて支持フィルム側から紫外線（波長３６５ｎｍ）を４Ｊ／ｃｍ2照射し、次いで支持フィルムを剥離し、１７０℃で１時間加熱処理することにより、厚さ１０μｍの第２下部クラッド層２０１付きの基板１を形成した（図１（ａ）−３、図２（ｃ）−３参照）。
［光ファイバコネクタの作製］
上記で得られた１５μｍ厚の下部クラッド層形成用樹脂フィルムを大きさ１００×１００ｍｍに裁断し、保護フィルムを剥離して、第２下部クラッド層２０１面側に上記と同様の条件で、真空ラミネータによって積層した。５００μｍ×３ｍｍの非露光部を有したネガ型フォトマスクを介し、紫外線露光機（株式会社オーク製作所製、ＥＸＭ−１１７２）にて支持フィルム側から紫外線（波長３６５ｎｍ）を２５０ｍＪ／ｃｍ2照射した。その後、支持フィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、第１下部クラッド層３をエッチングした。続いて、水洗浄し、１７０℃で１時間加熱乾燥及び硬化し、光ファイバ溝形成部分の第１下部クラッド層３を除去した第１下部クラッド層３付きの基板１を作製した（図１（ａ）−４、図２（ｃ）−４、図２（ｄ）−４参照）。これにより、光導波路２０形成部分には、第１下部クラッド層３が形成され、光ファイバガイド部材１０形成部分には、第１下部クラッド層３が無い状態となっている。
次に、上記の第１下部クラッド層３面に上記で得られた４７μｍ厚のガイド用クラッド層形成用樹脂フィルムを大きさ１００×１００ｍｍに裁断し、保護フィルムを剥離して、上記の真空ラミネータを用い、同様の条件でラミネート加熱圧着した。その後、コア用溝幅５０μｍ（コア用溝ピッチ；１２５μｍ、４本）と光ファイバ用溝幅８５μｍ（光ファイバ用溝ピッチ；１２５μｍ、４本）がそれぞれ接合したネガ型フォトマスク（図２（ｃ）−５、図２（ｄ）−５の左右の図示されない部分及び図３（ｅ）に図示されない領域は遮光部とした）を介し、コア用溝１０が第１下部クラッド層３上に、光ファイバ用溝１１が、基板１（第２下部クラッド層２０１）上に形成されるように位置合わせをし、上記紫外線露光機にて紫外線（波長３６５ｎｍ）を３５０ｍＪ／ｃｍ2照射した。その後、支持フィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、ガイド用クラッド層４をエッチングした。続いて、水洗浄し、１７０℃で１時間加熱乾燥及び硬化し、コアガイド用クラッドパターン８及び光ファイバガイド用クラッドパターン７を形成し、同時に５０μｍ幅のコア用溝１０と、８５μｍ幅の光ファイバ用溝１１が形成された。このとき、第１下部クラッド層３表面からコアガイド用クラッドパターン８表面の高さ（コア用溝１０の深さ）を測定したところ４７μｍ、基板１（第２下部クラッド層２０１）表面から光ファイバガイド用クラッドパターン７の高さ（光ファイバ用溝１１の深さ）を測定したところ６２μｍであった（図１（ａ）−５、図１（ｂ）−５、図２（ｃ）−５、図２（ｄ）−５参照）。
上記で得られた１５μｍ厚の下部クラッド層形成用樹脂フィルムを大きさ１００×１００ｍｍに裁断し、保護フィルムを剥離して、第２下部クラッド層２０１面側に上記と同様の条件で、真空ラミネータによって積層した。５００μｍ×３ｍｍの非露光部を有したネガ型フォトマスクを介し、紫外線露光機（株式会社オーク製作所製、ＥＸＭ−１１７２）にて支持フィルム側から紫外線（波長３６５ｎｍ）を２５０ｍＪ／ｃｍ2照射した。その後、支持フィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、第１下部クラッド層３をエッチングした。続いて、水洗浄し、１７０℃で１時間加熱乾燥及び硬化し、光ファイバ溝形成部分の第１下部クラッド層３を除去した第１下部クラッド層３付きの基板１を作製した（図１（ａ）−４、図２（ｃ）−４、図２（ｄ）−４参照）。これにより、光導波路２０形成部分には、第１下部クラッド層３が形成され、光ファイバガイド部材１０形成部分には、第１下部クラッド層３が無い状態となっている。
次に、上記の第１下部クラッド層３面に上記で得られた４７μｍ厚のガイド用クラッド層形成用樹脂フィルムを大きさ１００×１００ｍｍに裁断し、保護フィルムを剥離して、上記の真空ラミネータを用い、同様の条件でラミネート加熱圧着した。その後、コア用溝幅５０μｍ（コア用溝ピッチ；１２５μｍ、４本）と光ファイバ用溝幅８５μｍ（光ファイバ用溝ピッチ；１２５μｍ、４本）がそれぞれ接合したネガ型フォトマスク（図２（ｃ）−５、図２（ｄ）−５の左右の図示されない部分及び図３（ｅ）に図示されない領域は遮光部とした）を介し、コア用溝１０が第１下部クラッド層３上に、光ファイバ用溝１１が、基板１（第２下部クラッド層２０１）上に形成されるように位置合わせをし、上記紫外線露光機にて紫外線（波長３６５ｎｍ）を３５０ｍＪ／ｃｍ2照射した。その後、支持フィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、ガイド用クラッド層４をエッチングした。続いて、水洗浄し、１７０℃で１時間加熱乾燥及び硬化し、コアガイド用クラッドパターン８及び光ファイバガイド用クラッドパターン７を形成し、同時に５０μｍ幅のコア用溝１０と、８５μｍ幅の光ファイバ用溝１１が形成された。このとき、第１下部クラッド層３表面からコアガイド用クラッドパターン８表面の高さ（コア用溝１０の深さ）を測定したところ４７μｍ、基板１（第２下部クラッド層２０１）表面から光ファイバガイド用クラッドパターン７の高さ（光ファイバ用溝１１の深さ）を測定したところ６２μｍであった（図１（ａ）−５、図１（ｂ）−５、図２（ｃ）−５、図２（ｄ）−５参照）。
次に、上記のガイド用クラッド層４形成面に上記で得られた４８μｍ厚のコア層形成用樹脂フィルムを大きさ１００×１００mｍに裁断し、保護フィルムを剥離して、上記の真空ラミネータを用い、５００Pａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１２０℃、加圧時間３００秒の条件にて加熱圧着した。その後、コア用溝に開口幅６０μｍ（開口幅ピッチ；１２５μｍ、４本）を有したネガ型フォトマスク（光ファイバ用溝１１部分は非露光部）を介し、上記紫外線露光機にて紫外線（波長３６５ｎｍ）を７００ｍＪ／ｃｍ2照射し、次いで８０℃で５分間露光後加熱を行った。その後、支持フィルムであるＰＥＴフィルムを剥離し、現像液（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド＝８／２、質量比）を用いて、コア層形成用樹脂をエッチングした。続いて、洗浄液（イソプロパノール）を用いて洗浄し、１００℃で１０分間加熱乾燥し、コア用溝１０にコア層形成用樹脂が充填されたコアパターン５を形成し、同時に光ファイバ用溝１１のコア層形成用樹脂が除去された（図１（ａ）−６、図１（ｂ）−６、図２（ｃ）−６、図２（ｄ）−６、図３（ｅ）参照）。このとき、コアパターン５の高さを測定したところ５０μｍであった。これにより、光ファイバ３０を光ファイバ用溝１１に固定した際に、光ファイバ３０がコアパターン５に光信号を伝達可能な位置に接合するように形成された。
次いで、保護フィルムを剥離した１５μｍ厚の上部クラッド層樹脂フィルムをコアパターン５形成面側から上記の真空加圧式ラミネータ（株式会社名機製作所製、ＭＶＬＰ−５００）を用い、５００Pａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１１０℃、加圧時間３０秒の条件にて加熱圧着して、ラミネートした。さらに、第１下部クラッド層３形成の際に使用したネガ型フォトマスクを使用して紫外線（波長３６５ｎｍ）を１５０ｍＪ／ｃｍ2照射後、支持フィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、光ファイバ用溝１１部分の上部クラッド層形成用樹脂フィルムをエッチングした。続いて、水洗浄し、１７０℃で１時間加熱乾燥及び硬化し、１２５μｍピッチ、ファイバ径８０μｍ、４チャンネル用の光ファイバコネクタ４０を作製した（図１（ａ）−７、図１（ｂ）−７、図２（ｃ）−７、図２（ｄ）−７参照）。
得られた光ファイバコネクタにおいて、基板１（第２下部クラッド層２０１）表面から光ファイバガイド部材９（光ファイバガイド用クラッドパターン上に形成された上部クラッド層６）表面までの高さは、７７μｍであった。
次いで、保護フィルムを剥離した１５μｍ厚の上部クラッド層樹脂フィルムをコアパターン５形成面側から上記の真空加圧式ラミネータ（株式会社名機製作所製、ＭＶＬＰ−５００）を用い、５００Pａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１１０℃、加圧時間３０秒の条件にて加熱圧着して、ラミネートした。さらに、第１下部クラッド層３形成の際に使用したネガ型フォトマスクを使用して紫外線（波長３６５ｎｍ）を１５０ｍＪ／ｃｍ2照射後、支持フィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、光ファイバ用溝１１部分の上部クラッド層形成用樹脂フィルムをエッチングした。続いて、水洗浄し、１７０℃で１時間加熱乾燥及び硬化し、１２５μｍピッチ、ファイバ径８０μｍ、４チャンネル用の光ファイバコネクタ４０を作製した（図１（ａ）−７、図１（ｂ）−７、図２（ｃ）−７、図２（ｄ）−７参照）。
得られた光ファイバコネクタにおいて、基板１（第２下部クラッド層２０１）表面から光ファイバガイド部材９（光ファイバガイド用クラッドパターン上に形成された上部クラッド層６）表面までの高さは、７７μｍであった。
（光路変換ミラーの形成）
得られた光導波路２０の上部クラッド層６側からダイシングソー（ＤＡＣ５５２、株式会社ディスコ社製）を用いて４５°の光路変換用の斜面（光路変換ミラー）１２を形成した（図１（ａ）−８、図１（ｂ）−８参照）。
（スリット溝の形成）
得られた光導波路２０の光ファイバ接続端面を平滑化するためにダイシングソー（ＤＡＣ５５２、株式会社ディスコ社製）を用いて４０μｍ幅のスリット溝１３を形成した（図１（ａ）−９、図１（ｂ）−９参照）。併せて、ファイバーガイドコアに対して平行に基板を切断し（光導波路端面から３ｍｍ地点）、基板端面に光ファイバ用溝１１が現れるように外形加工を行った。
（金属層の形成）
次いで光路変換用の斜面１２部分を開口させたメタルマスクをミラー付きの光ファイバコネクタに設置し、蒸着装置（ＲＥ−００２５、ファースト技研製）を用いて金属層１４としてＡｕを０．５μｍ蒸着させた（図１（ａ）−１０、図１（ｂ）−１０、図５参照）。
以上のようにして得られた光ファイバコネクタの溝８に、１２５μｍピッチ、４チャンネルの光ファイバ３０（コア径；５０μｍ、クラッド径；８０μｍ）をガラスブロックで抑えて光ファイバ用溝８に押し込んだところ、光導波路２０のコアパターン５の光伝達面に接合し、光ファイバ３０から光信号を伝達することが可能であり、かつ、光ファイバ３０が位置ずれすることもなかった。
得られた光導波路２０の上部クラッド層６側からダイシングソー（ＤＡＣ５５２、株式会社ディスコ社製）を用いて４５°の光路変換用の斜面（光路変換ミラー）１２を形成した（図１（ａ）−８、図１（ｂ）−８参照）。
（スリット溝の形成）
得られた光導波路２０の光ファイバ接続端面を平滑化するためにダイシングソー（ＤＡＣ５５２、株式会社ディスコ社製）を用いて４０μｍ幅のスリット溝１３を形成した（図１（ａ）−９、図１（ｂ）−９参照）。併せて、ファイバーガイドコアに対して平行に基板を切断し（光導波路端面から３ｍｍ地点）、基板端面に光ファイバ用溝１１が現れるように外形加工を行った。
（金属層の形成）
次いで光路変換用の斜面１２部分を開口させたメタルマスクをミラー付きの光ファイバコネクタに設置し、蒸着装置（ＲＥ−００２５、ファースト技研製）を用いて金属層１４としてＡｕを０．５μｍ蒸着させた（図１（ａ）−１０、図１（ｂ）−１０、図５参照）。
以上のようにして得られた光ファイバコネクタの溝８に、１２５μｍピッチ、４チャンネルの光ファイバ３０（コア径；５０μｍ、クラッド径；８０μｍ）をガラスブロックで抑えて光ファイバ用溝８に押し込んだところ、光導波路２０のコアパターン５の光伝達面に接合し、光ファイバ３０から光信号を伝達することが可能であり、かつ、光ファイバ３０が位置ずれすることもなかった。
実施例２
実施例１においてコアガイド用クラッドパターン８をコア用溝１０の光ファイバ３０接合面から３ｍｍ地点で幅１００μｍ分断したネガ型フォトマスクを用いて、コアガイド用クラッドパターン８を形成し、その後、分断した部分のコアガイド用クラッドパターン８に、実施例１と同様の方法で、光路変換用の斜面１２及び、金属層１４を形成し、その後、コアパターン５を形成した。上部クラッド層は実施例１で用いたネガ型フォトマスクを用いてパターン化した。これにより、光路変換用の斜面１２がコア層によって充填された光ファイバコネクタ４０を作製した。
以上のようにして得られた光ファイバコネクタの光ファイバ用溝１１に、１２５μｍピッチ、４チャンネルの光ファイバ（コア径；５０μｍ、クラッド径；８０μｍ）をガラスブロックで抑えて光ファイバ用溝８に押し込んだところ、光導波路２０のコアパターン５の光伝達面に接合し、光ファイバ３０から光信号を伝達することが可能であり、かつ、光ファイバ３０が位置ずれすることもなかった（図４参照）。
実施例１においてコアガイド用クラッドパターン８をコア用溝１０の光ファイバ３０接合面から３ｍｍ地点で幅１００μｍ分断したネガ型フォトマスクを用いて、コアガイド用クラッドパターン８を形成し、その後、分断した部分のコアガイド用クラッドパターン８に、実施例１と同様の方法で、光路変換用の斜面１２及び、金属層１４を形成し、その後、コアパターン５を形成した。上部クラッド層は実施例１で用いたネガ型フォトマスクを用いてパターン化した。これにより、光路変換用の斜面１２がコア層によって充填された光ファイバコネクタ４０を作製した。
以上のようにして得られた光ファイバコネクタの光ファイバ用溝１１に、１２５μｍピッチ、４チャンネルの光ファイバ（コア径；５０μｍ、クラッド径；８０μｍ）をガラスブロックで抑えて光ファイバ用溝８に押し込んだところ、光導波路２０のコアパターン５の光伝達面に接合し、光ファイバ３０から光信号を伝達することが可能であり、かつ、光ファイバ３０が位置ずれすることもなかった（図４参照）。
実施例３
実施例２において全ての光ファイバガイド用クラッドパターン７上に上部クラッド層６を形成し、上部クラッド層の厚みを２３μｍのクラッド層形成用樹脂フィルムを用いた以外は同様の方法で光ファイバコネクタ４０を形成した。
その後、ポリイミドフィルム（ユーピレックスＲＮ（宇部日東化成製）、厚み；２５μｍ）上に上記で得られた１０μｍ厚のクラッド層形成用樹脂フィルムの保護フィルムを剥離して、上記と同様の条件で、真空ラミネータによって積層し蓋材１５を形成した。次に、蓋材１５に積層したクラッド層形成用樹脂フィルムの支持フィルムを剥離し、上記の光ファイバコネクタの上部クラッド層６形成面側から、上記と同様の条件で、真空ラミネータによって加熱圧着した。次いで、１８０℃１ｈ加熱硬化し、蓋材１５付きの光ファイバコネクタ４０を形成した。光ファイバ用溝１１の基板１（第２下部クラッド層２０１）表面から蓋材１５の底面までの高さは、８２μｍであった。
以上のようにして得られた光ファイバコネクタの光ファイバ用溝８に、１２５μｍピッチ、４チャンネルの光ファイバ（コア径；５０μｍ、クラッド径；８０μｍ）を基板１と平行方向に光ファイバ用溝８に挿入したところ、光導波路２０のコアパターン５の光伝達面に接合し、光ファイバ３０から光信号を伝達することが可能であり、かつ、光ファイバ３０が位置ずれすることもなかった（図５参照）。
実施例２において全ての光ファイバガイド用クラッドパターン７上に上部クラッド層６を形成し、上部クラッド層の厚みを２３μｍのクラッド層形成用樹脂フィルムを用いた以外は同様の方法で光ファイバコネクタ４０を形成した。
その後、ポリイミドフィルム（ユーピレックスＲＮ（宇部日東化成製）、厚み；２５μｍ）上に上記で得られた１０μｍ厚のクラッド層形成用樹脂フィルムの保護フィルムを剥離して、上記と同様の条件で、真空ラミネータによって積層し蓋材１５を形成した。次に、蓋材１５に積層したクラッド層形成用樹脂フィルムの支持フィルムを剥離し、上記の光ファイバコネクタの上部クラッド層６形成面側から、上記と同様の条件で、真空ラミネータによって加熱圧着した。次いで、１８０℃１ｈ加熱硬化し、蓋材１５付きの光ファイバコネクタ４０を形成した。光ファイバ用溝１１の基板１（第２下部クラッド層２０１）表面から蓋材１５の底面までの高さは、８２μｍであった。
以上のようにして得られた光ファイバコネクタの光ファイバ用溝８に、１２５μｍピッチ、４チャンネルの光ファイバ（コア径；５０μｍ、クラッド径；８０μｍ）を基板１と平行方向に光ファイバ用溝８に挿入したところ、光導波路２０のコアパターン５の光伝達面に接合し、光ファイバ３０から光信号を伝達することが可能であり、かつ、光ファイバ３０が位置ずれすることもなかった（図５参照）。
以上詳細に説明したように、本発明の光ファイバコネクタは、基板によらずに光ファイバと光導波路コアとの位置合わせが容易で、光ファイバの位置ずれがしにくい。
このため、光ファイバ用の光電気変換基板等として有用である。
このため、光ファイバ用の光電気変換基板等として有用である。
１．基板
１０１．ポリイミドフィルム
１０２．金属層
１０３．金属配線，電気配線
２．接着層
２０１．下部クラッド層（第２下部クラッド層）
３．下部クラッド層（第１下部クラッド層）
４．ガイド用クラッド層
５．コアパターン
６．上部クラッド層
７．光ファイバガイド用クラッドパターン
８．コアガイド用クラッドパターン
９．光ファイバガイド部材
１０．コア用溝
１１．光ファイバ用溝
１２．光路変換用の斜面（光路変換ミラー）
１３．スリット溝
１４．金属層
１５．蓋材
２０．光導波路
３０．光ファイバ
４０．光ファイバコネクタ
１０１．ポリイミドフィルム
１０２．金属層
１０３．金属配線，電気配線
２．接着層
２０１．下部クラッド層（第２下部クラッド層）
３．下部クラッド層（第１下部クラッド層）
４．ガイド用クラッド層
５．コアパターン
６．上部クラッド層
７．光ファイバガイド用クラッドパターン
８．コアガイド用クラッドパターン
９．光ファイバガイド部材
１０．コア用溝
１１．光ファイバ用溝
１２．光路変換用の斜面（光路変換ミラー）
１３．スリット溝
１４．金属層
１５．蓋材
２０．光導波路
３０．光ファイバ
４０．光ファイバコネクタ
Claims (20)
- 基板上に、光ファイバを固定するための光ファイバ用溝を有する光ファイバガイド用クラッドパターンが形成された光ファイバガイド部材と、光導波路とが並設された光ファイバコネクタであって、
前記光導波路は、基板上にコアパターンを形成するためのコア用溝を有するコアガイド用クラッドパターンが形成され、該コア用溝にコア層形成用樹脂が充填されてコアパターンが形成され、該コアパターン上に上部クラッド層が形成されてなり、
前記光ファイバ用溝に固定された光ファイバと、前記コアパターンとが、光信号を送受可能な位置に接合するように、前記光ファイバガイド部材と前記光導波路が並設されてなる光ファイバコネクタ。 - 前記光ファイバガイド用クラッドパターン及び前記コアガイド用クラッドパターンが、同一のガイド用クラッド層から形成されている請求項１に記載の光ファイバコネクタ。
- 前記光ファイバ用溝と前記コア用溝とが接合されている請求項１又は２に記載の光ファイバコネクタ。
- 前記光ファイバ用溝の幅が、前記コア用溝の幅よりも広い請求項１〜３のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
- 前記コア用溝の底に、第１下部クラッド層を有し、かつ、前記光ファイバ用溝の深さが、前記コア用溝の深さより深い請求項１〜４に記載の光ファイバコネクタ。
- 前記コアガイド用クラッドパターンが前記第１下部クラッド層上に形成され、前記光ファイバガイド用クラッドパターンが、前記基板上に形成された請求項５に記載の光ファイバコネクタ。
- 前記基板上に接着層を有し、該接着層上に前記第１下部クラッド層及び前記光ファイバガイド用クラッドパターンが形成された請求項６に記載の光ファイバコネクタ。
- 前記接着層が、第２下部クラッド層である請求項７に記載の光ファイバコネクタ。
- 前記基板が、電気配線板である請求項１〜８のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
- 前記基板表面から光ファイバガイド用クラッドパターンの上面までの高さが、前記光ファイバの半径以上である請求項１〜９のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
- 前記基板表面から光ファイバガイド部材の上面までの高さが、前記光ファイバの直径以下である請求項１〜１０のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
- 前記基板表面から光ファイバガイド部材の上面までの高さが、前記光ファイバの直径以上であり、光ファイバ用溝上部に蓋材を備えてなる請求項１〜１０のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
- 前記光導波路が、光路変換ミラー付きの光導波路である請求項１〜１２のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
- 前記基板上に第１下部クラッド層形成用フィルムを積層し、エッチングによって、光ファイバ用溝の形成部分の第１下部クラッド層を除去する第１の工程、第１下部クラッド層形成面側にガイド用クラッド層を積層し、第１下部クラッド層上に前記コアガイド用クラッドパターンを、また、基板上に前記光ファイバガイド用クラッドパターンを一括形成する第２の工程と、光ファイバガイド用クラッドパターン及びコアガイド用クラッドパターン形成面側にコアパターン形成用樹脂を積層し、光ファイバ用溝のコアパターン形成用樹脂を除去し、かつ前記コア用溝にコア用樹脂を充填して前記コアパターンとする第３の工程を順に有する請求項１〜１３のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法。
- 前記第３の工程の後に、コアパターン形成面側から、上部クラッド層形成用樹脂を積層し、エッチングによって、光ファイバ用溝の上部クラッド層形成用フィルムを除去する第４の工程を有する請求項１４に記載の光ファイバコネクタの製造方法。
- 前記第２の工程の後に、光ファイバ用溝と反対側のコア用溝端のガイド用クラッド層に、光路変換用の斜面を形成する第５の工程を有する請求項１４又は１５に記載の光ファイバコネクタの製造方法。
- 前記第５の工程の後に、光路変換用の斜面に光信号反射用の金属層を形成する第６の工程を有する請求項１６に記載の光ファイバコネクタの製造方法。
- 前記第３の工程の後又は前記第４の工程の後に、前記コアパターンに、光路変換用の斜面を形成する第７の工程を有する請求項１４又は１５に記載の光ファイバコネクタの製造方法。
- 前記第７の工程の後に、光路変換用の斜面に光信号反射用の金属層を形成する第８の工程を有する請求項１８に記載の光ファイバコネクタの製造方法。
- 前記第３の工程の後、前記第４の工程の後、前記第５の工程の後、前記第６の工程の後、前記第７の工程の後、前記第８の工程の後のすくなくともいずれかにおいて、光ファイバを接続する前記コアパターンの端面を平滑化するために、ダイシングソーによってスリット溝を形成する第９の工程を有し、該スリット溝の深さが基板表面以下である請求項１４〜１９のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法。
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-
2011
- 2011-02-10 JP JP2011027452A patent/JP2012168267A/ja active Pending
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