JP2009258612A - 光電気複合基板の製造方法、これによって製造される光電気複合基板、及びこれを用いた光電気複合モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】生産性に優れた光電気複合基板の製造方法、これによって製造される光電気複合基板、及びこれを用いた光電気複合基板モジュールを提供すること。
【解決手段】電気配線基板の基板表面に直接又は接着剤層を介して下部クラッド層を形成するか又は金属箔付き基板の基板表面に直接又は接着剤層を介して下部クラッド層を形成した後に金属箔付き基板を電気配線基板に加工することにより下部クラッド層付き電気配線基板を得る第１の工程と、下部クラッド層上にコアパターン及び上部クラッド層を順次形成して光導波路を構築する第２の工程を有する光電気複合基板の製造方法である。
【選択図】図１

Description

本発明は、光電気複合基板の製造方法、これによって製造される光電気複合基板、及びこれを用いた光電気複合基板モジュールに関するものである。

電子素子間や配線基板間の高速・高密度信号伝送において、従来の電気配線による伝送では、信号の相互干渉や減衰が障壁となり、高速・高密度化の限界が見え始めている。これを打ち破るため電子素子間や配線基板間を光で接続する技術、いわゆる光インタコネクションが提案されており、電気配線と光配線の複合化に関して種々の検討が行われている。特に近年では、携帯電話やノート型パソコンのヒンジ部に光配線を導入する試みがなされており、これらアプリケーションには、フレキシブル光電気複合基板が使用される。

光配線と電気配線との複合化の方法として容易に想到し得るのは、光導波路と光配線基板とを接着剤層を介して接合する方法であるが、この方法では、光導波路と光配線基板との相対的な位置を正確に合わせて接合するのが難しく、光配線と電気配線との結合効率の低下により生産性が低下することが懸念される。
これに対して、特許文献１のように、先ずフレキシブル光配線フィルムを作成し、その裏面に無電解めっき又は真空蒸着により下地金属層を形成し、パターニングした後に電解めっきを行って電気配線を構築する方法も提案されているが、この方法では、フレキシブル光配線フィルムの裏面と下地金属層（電気配線）との密着強度が十分ではなく、信頼性を損なう恐れがある。

特許第３１９３５００号公報

本発明は、上記問題点に鑑み、生産性に優れた光電気複合基板の製造方法、これによって製造される光電気複合基板、及びこれを用いた光電気複合基板モジュールを提供することを目的とする。

本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、先ず下部クラッド層付き電気配線基板を得たのち、下部クラッド層を構成要素とする光導波路の構築を行うことにより、上記課題を解決し得ることを見出した。
すなわち、本発明は、
［１］電気配線基板の基板表面に直接又は接着剤層を介して下部クラッド層を形成するか又は金属箔付き基板の基板表面に直接又は接着剤層を介して下部クラッド層を形成した後に金属箔付き基板の金属箔を導体パターン化して電気配線基板を構築することにより下部クラッド層付き電気配線基板を得る第１の工程と、下部クラッド層上にコアパターン及び上部クラッド層を順次形成して光導波路を構築する第２の工程を有する光電気複合基板の製造方法、
［２］第２の工程が、下部クラッド層上にコア層形成用樹脂フィルムを積層してコア層を形成した後に、露光・現像によりコアパターンを形成し、次いでコアパターン上に上部クラッド層形成用樹脂フィルムを積層することからなる、上記［１］の光電気複合基板の製造方法、
［３］金属箔付き基板の金属箔上にエッチングレジストでレジストパターンを形成した後に、エッチングにより導体パターンを形成し、次いでエッチングレジスト除去を行なうことにより電気配線基板を構築する、上記［１］又は［２］の光電気複合基板の製造方法、
［４］金属箔付き基板の金属箔上にめっきレジストでレジストパターンを形成した後に、パターンめっきにより導体パターンを形成し、次いでめっきレジスト除去と露出金属箔エッチングとを行うことにより電気配線基板を構築する、上記［１］又は［２］の光電気複合基板の製造方法。
［５］更に導体パターン上に導体保護層を形成する、上記［１］〜［４］のいずれかの光電気複合基板の製造方法。
［６］光電気複合基板がフレキシブルタイプである、上記［１］〜［５］のいずれかの光電気複合基板の製造方法、
［７］上記［１］〜［６］のいずれかの製造方法を用いて製造される光電気複合基板、及び
［８］上記［７］の光電気複合基板を用いた光電気複合モジュール、
を提供するものである。

本発明によれば、既に構築されている電気配線基板の、非常に視認し易い導電パターンを見ながら光導波路を構築してゆくので、光導波路と電気配線基板とを高い位置精度で複合でき、従って、大きな面積の光電気複合基板を、容易に且つ生産性良く製造することができる。

本発明の光電気複合基板の製造方法は、電気配線基板の基板表面に直接又は接着剤層を介して下部クラッド層を形成するか又は金属箔付き基板の基板表面に直接又は接着剤層を介して下部クラッド層を形成した後に金属箔付き基板の金属箔を導体パターン化して電気配線基板を構築することにより下部クラッド層付き電気配線基板を得る第１の工程と、下部クラッド層上にコアパターン及び上部クラッド層を順次形成して光導波路を構築する第２の工程を有することを特徴とする。すなわち、下部クラッド層付き電気配線基板をまず製造し、次いで、下部クラッド層の上に光導波路を構成する下部クラッド層以外の構成要素を積み上げて光導波路を構築する点に特徴がある。

本発明の製造方法における第１の工程は、（１）図１の（ａ）に示すように、基板１２上に導体パターン１１ａを形成し、更に必要に応じて導体保護層１４を形成した電気配線基板１０の基板１２の表面に直接又は接着剤層２０を介して下部クラッド層３１を形成するか、又は（２）図１の（ａ'-1）のように、金属箔１１と基板１２とを有する金属箔付き基板１３の基板１２の表面に、直接又は接着剤層２０を介して、下部クラッド層３１を形成し、次いで、図１の（ａ'-2）のように、金属箔１１を導体パターン１１ａに加工して、更に、図１の（ａ'-3）のように、必要に応じて導体保護層１４を形成して、下部クラッド層付きの電気配線基板を得る工程である。ここで、導体保護層とは、導体パターンの絶縁保護、さらにはほこりや水分、機械的ダメージ等からの保護を目的に形成されるものであり、例えばプリント配線板のソルダーレジストやカバーレイを指す。

下部クラッド層３１を電気配線基板１０又は金属箔付き基板１３の基板表面に直接形成する場合には、クラッド層形成用樹脂のワニスを、スピンコート法等の公知の方法により塗布し、溶剤を除去する方法により行う。
一方、下部クラッド層３１を基板表面に接着剤層２０を介して形成する場合は、クラッド層形成用樹脂フィルムを用いる。クラッド層形成用樹脂フィルムは、クラッド層形成用樹脂のワニスを、必要により基材フィルム上にスピンコート法等の公知の方法により塗布し、溶剤を除去することにより容易に製造することができる。クラッド層形成用樹脂フィルムを用いる方法が、下部クラッド層の厚さの精度が確保できるので好ましい。
基板１２の表面に接着剤層２０を形成する方法について制限はなく、基板１２の表面に接着剤組成物を直接塗布してもよいが、支持基材上に接着剤層を有するシート状接着剤を使用し、接着剤層を該シート状接着剤から基板１２の表面に転写する方法が、接着剤層の平滑性に優れ、かつ接着剤層の厚さの精度が確保でき、しかも、接着剤層を形成する際に接着剤層形成用の樹脂組成物が流れる等の問題も生じないので好ましい。
図１の（ａ'-2）のように、金属箔１１を導体パターン１１ａに加工する方法及び図１の（ａ'-3）のように、導体保護層１４を形成する方法については、後に説明するが、従来公知の方法が用いられる。

本発明の製造方法における第２の工程は、光導波路を構築する工程であり、具体的には、図１の（ｂ）に示すように、下部クラッド層３１上にコアパターン３２を形成し、次いで、図１の（ｃ）に示すように、コアパターン３２上に上部クラッド層３３を形成して、光導波路３０を構築する工程である。
コアパターン３２は、下部クラッド層３１上にコア形成用樹脂の層（コア層）を形成し、そのコア層を露光・現像することにより形成することができる。
コア層を形成する方法について制限はなく、下部クラッド層３１上にコア形成用樹脂のワニスを直接塗布し、乾燥する方法でもよいが、コア層形成用樹脂フィルムを用いる方法が、コア層の厚さの精度が確保できるので好ましい。
このようにして形成したコア層に対して露光・現像を行うことにより、所望のコアパターン３２を形成する。
コアパターン３２上に上部クラッド層３３を形成する方法についても、下部クラッド層３１の場合と同様に、クラッド層形成用樹脂のワニスを、スピンコート法等の公知の方法により塗布し、溶剤を除去することにより、コアパターン３２上に直接形成する方法でもよいが、クラッド層形成用樹脂フィルムを用いる方法が、コア層の厚さの精度が確保できるので好ましい。

以下、上記の工程ごとに、用いられる材料等について詳細に説明する。
＜電気配線基板＞
本発明で用いられる電気配線基板としては、基板の上に導体パターンが設けられ、更に必要に応じて導体パターン上に導体保護層が設けられた電気配線基板であれば特に制約はなく、目的に応じて種々のものを用いることができ、例えば、導体金属が銅、アルミニウム、金等で、基板が、ガラスエポキシ基板、ポリイミドポリアミド、ポリエーテルイミド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等を用いた有機配線基板、アルミナ基板、窒化アルミ基板などのセラミック配線基板、シリコンなどの半導体ウエハ等が挙げられる。
フレキシブルタイプの光電気複合基板を製造するためには、基板材料が、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等のものが用いられるが、一般的には耐熱性や入手のしやすさの観点からポリイミドを基板とするものが用いられる。
又、光導波路の構築に際して、基板を通して導体パターンを視認し易くするためには、透明な基板が好ましい。

＜金属箔付き基板＞
本発明で用いられる金属箔付き基板としては、目的に応じて種々のものを用いることができ、例えば、金属としては、銅、アルミニウム、金等が、基板としては、ガラスエポキシ基板、ポリイミドポリアミド、ポリエーテルイミド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等を用いた有機配線基板、アルミナ基板、窒化アルミ基板などのセラミック配線基板、シリコンなどの半導体ウエハ等が挙げられる。
フレキシブルタイプの光電気複合基板を製造するためには、基板材料として、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等のものが用いられるが、一般的には耐熱性や入手のしやすさの観点からポリイミドが用いられる。
又、光導波路の構築に際して、基板を通して導体パターンを視認し易くするためには、透明な基板が好ましい。
金属箔付き基板を電気配線基板に加工するためには配線のパターニングが必要であるが、その方法として、従来、金属配線に必要とされる厚みの金属箔が接着剤層を介して基板に積層された３層の金属箔付き基板を用い、金属箔付き基板の金属箔から導体パターンとしての不要部分をエッチング除去する、いわゆるサブトラクティブ法が多く行われてきた。

然しながら、３層の金属箔付き基板においては、接着剤層の存在が基板の性能、特に、折れ曲げに対する信頼性に影響するため、接着剤層を介さずに金属箔が直接基板に積層された２層の金属箔付き基板が開発されており、金属箔と基板との接着強度を高める試みも多くなされている。
２層の金属箔付き基板としては、スパッタ法や直接めっき法によって基板上に金属薄膜を形成する方法で製造し、更に、電解めっき等の方法で導体金属の厚付けがされることによって製造されたものがあり、そのような２層の金属箔付き基板については、通常、上述のサブトラクティブ法で導体パターンを加工する。
また、２層の金属箔付き基板としては、スパッタ法や直接めっき法によって基板上に金属薄膜を形成して製造されたものがあり、そのような２層の金属箔付き基板については、通常、導体パターンとしての必要部分にのみ電解めっき等の方法で導体金属を析出させて必要な厚みとする、いわゆるセミアディティブ法で導体パターンを加工する。
これらの２層の金属箔付き基板の場合、金属薄膜は銅、アルミニウム、金等の導体金属と同じである必要はなく、ニッケル、パラジューム、鉄等であってもよい。
本発明には、金属箔付き基板としてこのような２層の金属箔付き基板を用い、後に、アディティブ法で電気配線基板を形成する方法（セミアディティブ法）も含まれる。むろん、２層の金属箔付き基板が金属配線に必要とされる厚みの金属箔を有する場合は、サブトラクティブ法で電気配線基板を形成する。
基板及び金属箔の厚さは、用途に応じて適宜決定されるものであって、特に制限はない。例えば、銅張りポリイミドフィルムの場合には、銅箔の厚みが１μｍ〜５０μｍ程度、基板の厚みが５μｍ〜１００μｍ程度である。
このような金属箔付き基板としては、市販のもので、(株)カネカ製、商品名「ピクシオ」、宇部興産(株)製、商品名「ユピセル」、新日鐵化学(株)製、商品名「エスパネックス」、東レフィルム加工(株)製、商品名「メタロイヤル」、シェルダール製、商品名「フレックスベース」等がある。

＜接着剤層＞
前記のように、金属箔付き基板の基板表面に下部クラッド層を接着剤層を介して形成する場合には、シート状接着剤を使用した方が、接着剤層の平滑性に優れ、かつ接着剤層の厚さの精度が確保でき、しかも、接着剤層を形成する際に接着剤層形成用の樹脂組成物が流れる等の問題も生じないので好ましい。
シート状接着剤としては、支持基材上に直接接着剤層を形成したものでもよいが、接着剤層から支持基材を容易に剥離するためには、支持基材上に粘着剤層と接着剤層とを順次形成したものや、支持基材上に粘接着剤層を形成した粘接着シートが好ましい。特に、粘接着シートは、粘着剤と接着剤を別に用意する必要がないため、作製工程が簡単になるので、より好ましい。
粘接着剤層を形成するための粘接着剤組成物としては、光学分野で通常用いられるものを使用することができるが、該粘接着剤組成物を下記の条件で測定した１２５℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以下であるものが好ましい。貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以下であると、光導波路が加熱されて膨張等した際に、粘接着剤層が応力緩和層として働くため、光導波路と基板の熱膨張率の差に起因する光導波路の剥離が生じない点で有利である。以上の観点から、１２５℃における貯蔵弾性率が５ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。
また、粘接着剤層の厚さとしては、特に制限はないが、３〜２００μｍが好ましい。３μｍ以上であると十分な応力緩和効果が得られ、２００μｍ以下であると光学装置の小型化の要求に合致させることができ、かつ経済的にも有利である。以上の観点から、粘接着剤層の厚さは、５〜５０μｍがより好ましく、８〜３０μｍがさらに好ましく、１０〜２５μｍが特に好ましい。

（貯蔵弾性率の測定条件）
試験片の大きさが、長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚８０μｍであり、昇温速度が５℃／ｍｉｎ、引張りモード、振動数１０Ｈｚ、自動静荷重で測定する。
粘接着剤層を形成するための粘接着剤組成物は、上記貯蔵弾性率の条件を満足するものであれば特に制限はなく、具体的には、分子内に２つ以上のエポキシ基を有する化合物又は分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物などが挙げられる。これらの化合物は１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、粘接着剤組成物として、好適なものの具体例としては、（ａ）官能基を含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、（ｂ）エポキシ樹脂、（ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、（ｄ）紫外線照射によって得られる硬化物のＴｇが２５０℃以上である光反応性モノマー、及び（ｅ）波長２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基とラジカルを発生する光開始剤を含有してなるものなどが挙げられる。

以下、本明細書において、（ａ）及び（ｃ）〜（ｅ）成分を、それぞれ（ａ）高分子量成分、（ｃ）エポキシ樹脂硬化剤、（ｄ）光反応性モノマー及び（ｅ）光開始剤と略記することがある。
本発明においては、粘接着剤層の形成に際し、上述のように、粘接着シートを用いることが好ましいが、上記（ａ）〜（ｅ）成分を用いる場合には、さらに以下に示すような利点がある。すなわち、
（１）（ａ）高分子量成分と（ｂ）エポキシ樹脂は、組み合わせによっては非相溶とすることができ、いわゆる海島構造を取りやすく、低弾性、接着性、作業性及び高温時の信頼性が得られること、
（２）（ｃ）エポキシ樹脂硬化剤と（ｄ）光反応性モノマーを用いることにより耐熱性、耐リフロー性に優れること、
（３）（ｃ）エポキシ樹脂硬化剤及び（ｄ）光反応性モノマーの存在下で（ｅ）光開始剤を使用するため、光が当たらない状態では（ｂ）エポキシ樹脂、及び（ｄ）光反応性モノマーがほとんど反応せず、保存安定性に優れる上に、光を照射すれば光反応が促進され、またエポキシ樹脂の硬化促進剤が発生するため、加熱するとスムーズにエポキシ樹脂の硬化が進むという、反応性と保存安定性とを両立し得ること、である。

以下、好ましい粘接着剤組成物を構成する各成分についてより具体的に説明する。
（ａ）官能基を含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分としては、接着性向上の点で、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、カルボキシル基、水酸基、エピスルフィド基などの官能基を含有するものが好ましく、中でも架橋性の点でグリシジル基が好ましい。具体的には、原料モノマーとして、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート（以下、総称して、「グリシジル（メタ）アクリレート」という）を含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体を挙げることができる。
また、耐リフロー性の点で、（ｂ）エポキシ樹脂と非相溶であることが好ましい。但し、相溶性は（ａ）高分子量成分の特性のみでは決定しないので、両者が相溶しない組み合わせを選択することになる。本発明において、上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体とは、グリシジル基含有アクリル共重合体とグリシジル基含有メタクリル共重合体の両方を示す語句である。

このような共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴムなどを使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。共重合体モノマーとしては例えば、ブチルアクリレート、エチルアクリレート、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、アクリロニトリル等を挙げることができる。

官能基としてグリシジル基を選択する場合、共重合体モノマー成分としてグリシジル（メタ）アクリレート等を使用することが好ましい。このような重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体は、上記モノマーから適宜モノマーを選択して製造することもできるし、市販品（例えばナガセケムテックス（株）製ＨＴＲ−８６０Ｐ−３、ＨＴＲ−８６０Ｐ−５等）もある。

（ａ）高分子量成分において、官能基の数は架橋密度に影響するので、用いる樹脂によっても異なるが、高分子量成分を複数のモノマーの共重合体として得る場合は、原料として使用する官能基含有モノマーの量としては、共重合体の０．５〜６質量％含まれることが好ましい。

（ａ）成分としてグリシジル基含有アクリル共重合体を使用する場合、原料として使用するグリシジル（メタ）アクリレート等のグリシジル基含有モノマーの量、及びグリシジル基含有繰り返し単位の量は、共重合体の０．５〜６質量％が好ましく、０．５〜５質量％がより好ましく、０．８〜５質量％が特に好ましい。グリシジル基含有繰り返し単位の量がこの範囲にあると、グリシジル基の緩やかな架橋が起こるため接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。また、（ｂ）エポキシ樹脂と非相溶になるため、応力緩和性に優れるようになる。

グリシジル（メタ）アクリレート等に他の官能基を組み込んでモノマーとすることもできる。その場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度（以下「Ｔｇ」という）を考慮して決定し、Ｔｇは−１０℃以上であることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での粘接着層のタック性が適当であり、取り扱い性に問題を生じないからである。

（ａ）官能基を含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分として、上記モノマーを重合させて、グリシジル基含有アクリル共重合体を使用する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合などの方法を使用することができる。
本発明において、（ａ）高分子量成分の重量平均分子量は１０万以上であるが、３０万〜３００万であることが好ましく、４０万〜２５０万がより好ましく、５０万〜２００万であることが特に好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可撓性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当のため基板の凹凸に対する追従性が確保できる。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。

粘接着剤組成物に使用する（ｂ）エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されず、例えばエポキシ樹脂ハンドブック（新保正樹編、日刊工業新聞社）等に記載されるエポキシ樹脂を広く使用することができる。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。

このようなエポキシ樹脂の一種であるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製エピコート８０７，８１５，８２５，８２７，８２８，８３４，１００１，１００４，１００７，１００９、ダウケミカル社製ＤＥＲ−３３０，３０１，３６１、東都化成（株）製ＹＤ８１２５，ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製エピコート１５２，１５４、日本化薬（株）製ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製ＤＥＮ−４３８等が、また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬（株）製ＥＯＣＮ−１０２Ｓ，１０３Ｓ，１０４Ｓ，１０１２，１０２５，１０２７、東都化成（株）製ＹＤＣＮ７０１，７０２，７０３，７０４等が挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製Ｅｐｏｎ１０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製アラルダイト０１６３、ナガセ化成（株）製デナコールＥＸ−６１１，６１４，６１４Ｂ，６２２，５１２，５２１，４２１，４１１，３２１等が挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ（株）製エピコート６０４、東都化成（株）製ＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）製ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学（株）製ＥＬＭ−１２０等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製アラルダイトＰＴ８１０等の、ＵＣＣ社製ＥＲＬ４２３４，４２９９，４２２１，４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができる。また、本発明において、高接着力を付与するためには、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びフェノールノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。

粘接着剤組成物における（ｂ）エポキシ樹脂の使用量は、（ａ）高分子量成分１００質量部に対して、５〜２５０質量部が好ましい。（ｂ）エポキシ樹脂の使用量がこの範囲内にあると、弾性率及び成型時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性も十分に得られる。（ｂ）エポキシ樹脂の使用量は、１０〜１００質量部がより好ましく、２０〜５０質量部が特に好ましい。既に述べたように、（ｂ）エポキシ樹脂は、（ａ）高分子量成分と相溶しないことが好ましい。

粘接着剤組成物に使用する（ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤は、エポキシ樹脂と組み合わせることによって、高温高圧下において耐衝撃性が優れ、厳しい熱吸湿下においても充分な接着物性を保持することができるため有効である。
このような（ｃ）成分としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂等を挙げることができる。より具体的には、例えば、大日本インキ化学工業（株）製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。

粘接着剤組成物に耐湿信頼性を付与するためには、（ｃ）成分の使用量は、（ｂ）エポキシ樹脂のエポキシ基１個当たりフェノール性水酸基の当量比が０．５〜１．５の範囲であることが好ましく、０．８〜１．２であることがより好ましい。当量比がこの範囲内であれば、樹脂が十分に硬化（橋かけ）し、硬化物の耐熱性や耐湿性などを向上させることができる。

粘接着剤組成物に使用する（ｄ）紫外線照射によって得られる硬化物のＴｇが２５０℃以上である光反応性モノマーは、後述する粘接着シートの紫外線照射後の耐熱性を向上させ、熱時接着力及び耐リフロー性を向上させることができる。
（ｄ）光反応性モノマーのＴｇを測定する方法としては、（ｄ）光反応性モノマーに光開始剤を添加し紫外線照射した硬化物を５×５ｍｍ程度の大きさに成形しサンプルを作製する。作製したサンプルをセイコーインスツルメンツ（株）製：ＥＸＳＴＲＡ６０００によって圧縮モードにより測定してＴｇを決定する。Ｔｇが２５０℃以上であると、耐熱性が優れ、耐リフロークラック性評価における２５０℃以上の熱に耐えうる。そのため、耐リフロークラック性が良好である。Ｔｇとしては、さらに好ましくは、鉛フリーハンダ対応の２６０℃以上である。またＴｇがあまり高すぎるものは紫外線照射後の粘接着シートの常温貼り付け性が劣るようになる傾向があるので、上限としては、３５０℃が好ましい。

（ｄ）光反応性モノマーの具体例としては、例えば、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、イソシアヌル酸エチレンオキサイド（ＥＯ）変性トリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレートのような多官能アクリレート等が挙げられ、これらの光反応性モノマーは、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができる。紫外線照射後の残存モノマーの観点から、多官能アクリレートの中で、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートやジペンタエリスリトールペンタアクリレートなどが好ましい。具体的には新中村化学（株）製、商品名：Ａ−ＤＰＨ、Ａ−９３００等がある。
なお、複数の（ｄ）光反応性モノマーを使用する場合、そのＴｇはその混合物を上記測定方法で測定したときのＴｇであり、それぞれのモノマーのＴｇが２５０℃以上であることを要しない。

粘接着剤組成物における（ｄ）光反応性モノマーの使用量は、（ａ）高分子量成分１００質量部に対して、５〜１００質量部が好ましい。この使用量が５質量部以上であれば、紫外線照射による光反応性モノマーの重合反応が起こりやすくなるために粘接着シートの支持基材からの剥離性が向上する傾向がある。逆に１００質量部以下であれば、高分子量成分の低弾性が機能し、フィルムが脆くならず、硬化物の耐熱性や耐湿性などが向上する傾向がある。したがって、１０〜７０質量部がより好ましく、２０〜５０質量部が特に好ましい。

粘接着剤組成物における（ｅ）波長２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基とラジカルを発生する光開始剤は、一般的にはα−アミノケトン化合物と呼ばれるものである。このような化合物は、例えば、Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ，Ｖｏｌ．１３，Ｎｏ１２００１等に記載されているもので、紫外線を照射すると次式のように反応する。

α−アミノケトン化合物は、紫外線照射する前は、ラジカルが存在しないため光反応性モノマーの重合反応は起きない。また、立体障害のため熱硬化性樹脂の硬化も促進しない。しかし、紫外線照射により、α−アミノケトン化合物の解離が起こり、ラジカルの発生に伴い、光反応性モノマーの重合反応が起こる。また、α−アミノケトン化合物の解離により、立体障害が低下し活性化したアミンが存在するようになる。そのため、アミンが熱硬化性樹脂の硬化促進作用を有するようになり、以後加熱により硬化促進作用が働くと類推される。このような作用により、紫外線照射する以前には、ラジカルや活性化したアミンが存在しないため、室温での保存安定性に非常に優れている粘接着シートを提供することができる。また、紫外線照射により生じるラジカル及びアミンの構造によって光反応性モノマーやエポキシ樹脂の硬化速度が変化するので、用いる（ｂ）〜（ｄ）成分によって、適宜（ｅ）光開始剤（塩基発生剤）を決定することができる。

前記（ｅ）光開始剤（塩基発生剤）としては、例えば、２−メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル−２−モルフォリノプロパン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製イルガキュア９０７）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製社製イルガキュア３６９）、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体（ハロゲン、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基がフェニル基に置換されても良い）、ベンゾイソオキサゾロン誘導体等を用いることができる。
前記光開始剤（塩基発生剤）のほかに、光フリース転位、光クライゼン転位やクルチウス転位、スチーブンス転位によって塩基を発生させる方法を用いることができる。
前記光開始剤（塩基発生剤）は、分子量５００以下の低分子化合物として用いるほか、高分子の主鎖及び側鎖に導入した化合物を用いても良い。この場合の分子量としては、粘接着剤としての粘接着性、流動性の観点から重量平均分子量１０００〜１０００００が好ましく、より好ましくは５０００〜３００００である。

粘接着剤組成物において、（ｅ）光開始剤の使用量は、（ａ）高分子量成分１００質量部に対して、０．１〜２０質量部であることが好ましい。０．１質量部以上であれば、反応性良好で残存モノマーが少なくなり、２０質量部以下であれば、重合反応による分子量増加が適度に機能し、低分子量成分が少なく、耐リフロー性に影響を及ぼす可能性が低減される。従って、より好ましくは０．５〜１５質量部であり、さらに好ましくは、１〜５質量部である。

次に、上記（ａ）〜（ｅ）成分以外に、粘接着剤層に含有させることのできる成分について説明する。
粘接着剤樹脂組成物には、可撓性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、（ｆ）エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、（ａ）高分子量成分と非相溶になるものが信頼性向上の観点で好ましく、例えばフェノキシ樹脂、高分子量エポキシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することもできる。（ｂ）エポキシ樹脂として（ａ）高分子量成分と相溶性があるものを使用するとき、（ｆ）エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂を使用すると、（ｂ）エポキシ樹脂は、該（ｆ）成分とより相溶しやすいため、結果的に（ｂ）エポキシ樹脂と（ａ）高分子量成分とを非相溶にすることが可能となる場合がある。
（ｆ）エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、（ｂ）エポキシ樹脂及び（ｃ）エポキシ樹脂硬化剤の合計１００質量部に対して、４０質量部以下とすることが好ましい。この範囲であると、粘接着剤層のＴｇを確保できる。

また、粘接着剤組成物には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられる。
上記シラン系カップリング剤としては、特に制限はなく、例えば、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシランなどを使用することができ、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。具体的には日本ユニカー（株）製ＮＵＣＡ−１８９、ＮＵＣＡ−１１６０がある。

上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、（ａ）官能基を含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部とするのが好ましい。

粘接着剤組成物には、イオン性不純物を吸着して、耐湿信頼性を向上させるために、さらにイオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。
上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、（ａ）官能基を含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分１００質量部に対して、０．１〜１０質量部が好ましい。

粘接着シートは、前記粘接着剤組成物を溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、支持基材上に塗布、加熱し溶剤を除去することによって得ることができる。
すなわち、まず保護フィルム（離型シートともいう）上に、粘接着剤組成物を有機溶剤等に溶解させてワニス化したものを、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等、一般に周知の方法に従って、塗布し、乾燥させて粘接着層を形成する。その後、支持基材を積層し、離型シート（保護フィルム）、粘接着層及び支持基材からなる粘接着シートを得ることができる。または、支持基材上に直接、粘接着剤組成物を同様の方法で塗布し、乾燥させて、粘接着シートを得ることができる。この場合、必要に応じ保護フィルムを積層してもよい。

粘接着シートに用いる保護フィルムまたは支持基材としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルムなどのプラスチックフィルム、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル等が挙げられる。ここで、後述するように、紫外線を粘接着シートに照射し、紫外線重合性を有する粘接着剤を重合硬化せしめ、粘接着剤と支持基材界面の接着力を低下させて支持基材の剥離を可能にする。そのため、支持基材は紫外線透過性を有するものが好ましい。

また、上記ワニス化するための溶剤としては、有機溶媒であれば特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性などを沸点から考慮して決めることができる。具体的には、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒はフィルム作製時にフィルムの硬化が進まない点で好ましい。また、塗膜性を向上させるなどの目的では、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒を使用することが好ましい。これらの溶媒は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
粘接着シートにおける支持基材の厚さは、特に制限はないが、５〜２５０μｍが好ましい。５μｍ以上であれば作業性が向上し、２５０μｍ以下であれば、経済的であり好ましい。以上の観点から、支持基材の厚さは、１０〜２００μｍがより好ましく、２０〜１５０μｍがさらに好ましく、２５〜１２５μｍが特に好ましい。

粘接着シートにおける粘接着層と支持基材の合計の厚さとしては、通常１０〜２５０μｍである。支持基材は粘接着層と同じかやや厚めに設定すると作業性がよく、具体的な組み合わせとしては粘接着層／支持基材（μｍ）が、５／２５、１０／３０、１０／５０、２５／５０、５０／５０、５０／７５等があり、使用する条件や装置等によって適宜決定することができる。
また、粘接着シートは、所望の厚さを得るため、熱時の流動性を向上させるために、粘接着シートの粘接着層側に、別途作製した粘接着剤を２枚以上貼り合わせることもできる。この場合には、粘接着層同士の剥離が発生しないように貼り合わせ条件を選定する必要がある。
以上説明したような構成の粘接着シートに紫外線を照射すると、紫外線照射後には支持基材の接着力は大きく低下し、基板に粘接着剤層を保持したまま、該粘接着シートの支持基材を容易に剥離することができる。

＜クラッド層形成用樹脂＞
下部クラッド層及び上部クラッド層に使用するクラッド層形成用樹脂としては、クラッド形成用樹脂フィルムの硬化物が、後記するコア層形成用樹脂フィルムの硬化物より低屈折率となるものであり、かつ光又は熱により硬化する樹脂であれば特に限定されず、熱硬化性樹脂や感光性樹脂を用いることができるが、（ア）ベースポリマー、（イ）光重合性化合物、及び（ウ）光重合開始剤を含有する樹脂組成物により構成されていることが好ましい。

ここで用いる（ア）ベースポリマーは、クラッド層を形成し、該クラッド層の強度を確保するためのものであり、該目的を達成し得るものであれば特に限定されず、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルアミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホンなど、あるいはこれらの誘導体などが挙げられる。
なお、（メタ）アクリル樹脂とは、アクリル樹脂及びメタクリル樹脂を意味するものである。
これらのベースポリマーは、単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。
上記（ア）ベースポリマーとしては、耐熱性が高いという観点から、主鎖に芳香族骨格を有する樹脂が好ましく、特にフェノキシ樹脂が好ましい。
また、３次元架橋し、耐熱性を向上できるとの観点からは、エポキシ樹脂、特に室温で固形のエポキシ樹脂が好ましい。
更に、（ア）ベースポリマーとしては、後述する（イ）光重合性化合物との相溶性が、クラッド層形成用樹脂フィルムの透明性を確保するために重要であるが、この観点からは、フェノキシ樹脂及び／又は（メタ）アクリル樹脂が好ましい。

上記フェノキシ樹脂の中でも、ビスフェノールＡ又はビスフェノールＡ型エポキシ化合物若しくはそれらの誘導体、及びビスフェノールＦ又はビスフェノールＦ型エポキシ化合物若しくはそれらの誘導体を共重合成分の構成単位として含むものは、耐熱性、密着性及び溶解性に優れるため更に好ましい。
ビスフェノールＡ又はビスフェノールＡ型エポキシ化合物の誘導体としては、テトラブロモビスフェノールＡ、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ化合物などが好適に挙げられる。
また、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＦ型エポキシ化合物の誘導体としては、テトラブロモビスフェノールＦ、テトラブロモビスフェノールＦ型エポキシ化合物などが好適に挙げられる。
ビスフェノールＡ／ビスフェノールＦ共重合型フェノキシ樹脂の具体例としては、東都化成（株）製「フェノトートＹＰ−７０」（商品名）が挙げられる。

また、（ア）ベースポリマーとしては、上記のように、３次元架橋し、耐熱性が向上するという観点からは、エポキシ樹脂、特に室温で固形のエポキシ樹脂が好ましい。
室温で固形のエポキシ樹脂としては、例えば、東都化学（株）製「エポトートＹＤ−７０２０、エポトートＹＤ−７０１９、エポトートＹＤ−７０１７」（いずれも商品名）、ジャパンエポキシレジン（株）製「エピコート１０１０、エピコート１００９、エピコート１００８」（いずれも商品名）などのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が挙げられる。
（ア）ベースポリマーの分子量は、フィルム形成性の点から、通常、数平均分子量が５，０００以上である。該数平均分子量は、好ましくは１０，０００以上、より好ましくは３０，０００以上である。
数平均分子量の上限は、特に制限はないが、（イ）光重合性化合物との相溶性や露光現像性の観点から、通常、１，０００，０００以下である。
数平均分子量の上限は、好ましくは５００，０００以下、より好ましくは２００，０００以下である。
なお、数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定し、標準ポリスチレン換算した値である。

（ア）ベースポリマーの配合量は、（ア）成分のベースポリマー及び（イ）成分の光重合性化合物の総量に対して、通常１０〜８０質量％程度である。
配合量が１０質量％以上であると、光導波路構築に必要な５０〜５００μｍ程度の厚膜フィルムの形成が容易であるという利点があり、一方、８０質量％以下であると、光硬化反応が十分に進行する。
以上の観点から、（ア）成分の配合量は、好ましくは２０〜７０質量％、より好ましくは２５〜６５質量％である。

次に、（イ）光重合性化合物としては、紫外線等の光の照射によって重合するものであれば特に限定されず、分子内に２つ以上のエポキシ基を有する化合物や分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物などが挙げられる。
分子内に２つ以上のエポキシ基を有する化合物の具体例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などの２官能芳香族グリシジルエーテル、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン−フェノール型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂などの多官能芳香族グリシジルエーテル、ポリエチレングリコール型エポキシ樹脂、ポリプロピレングリコール型エポキシ樹脂、ネオペンチルグリコール型エポキシ樹脂、ヘキサンジオール型エポキシ樹脂などの２官能脂肪族グリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などの２官能脂環式グリシジルエーテル、トリメチロールプロパン型エポキシ樹脂、ソルビトール型エポキシ樹脂、グリセリン型エポキシ樹脂などの多官能脂肪族グリシジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステルなどの２官能芳香族グリシジルエステル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステルなどの２官能脂環式グリシジルエステル、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルトリフルオロメチルアニリンなどの２官能芳香族グリシジルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジル−４，４−ジアミノジフェニルメタン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジル−ｐ−アミノフェノールなどの多官能芳香族グリシジルアミン、アリサイクリックジエポキシアセタール、アリサイクリックジエポキシアジペート、アリサイクリックジエポキシカルボキシレート、ビニルシクロヘキセンジオキシドなどの２官能脂環式エポキシ樹脂、ジグリシジルヒダントインなどの２官能複素環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレートなどの多官能複素環式エポキシ樹脂、オルガノポリシロキサン型エポキシ樹脂などの２官能又は多官能ケイ素含有エポキシ樹脂などが挙げられる。

これらの分子内に２つ以上のエポキシ基を有する化合物は、通常、その分子量が１００〜２０００であって、室温で液状のものが用いられる。該分子量は、好ましくは１５０〜１，０００、より好ましくは２００〜８００である。
また、これらの化合物は、単独で用いてもよく、２種類以上併用してもよく、更にその他の光重合性化合物と組み合わせて用いることもできる。
なお、分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法又は質量分析法を用いて測定することができる。
また、分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物の具体例としては、（メタ）アクリレート、ハロゲン化ビニリデン、ビニルエーテル、ビニルピリジン、ビニルフェノールなどが挙げられるが、これらのうち透明性と耐熱性の観点から、（メタ）アクリレートが好ましく、１官能性のもの、２官能性のもの、３官能性以上のもののいずれも用いることができる。

１官能性（メタ）アクリレートとしては、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイロキシエチルコハク酸、パラクミルフェノキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、２−テトラヒドロピラニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。

また、２官能性（メタ）アクリレートとしては、エトキシ化２−メチル−１，３−プロパンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１,６−へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、２−メチル−１，８−オクタンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、エトキシ化シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−１−アクリロキシ−３−メタクリロキシプロパン、２−ヒドロキシ−１，３−ジメタクリロキシプロパン、９，９−ビス［４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、９，９−ビス［３−フェニル−４−アクリロイルポリオキシエトキシ）フルオレン、ビスフェノールＡ型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、及びグリシジルエーテル型のエポキシ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。

更に、３官能以上の（メタ）アクリレートとしては、エトキシ化イソシアヌル酸トリ（メタ）アクリレート、エトキシ化グリセリントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
これらは、単独で用いてもよく、２種類以上併用してもよい。
なお、ここで（メタ）アクリレートとは、アクリレート及びメタクリレートを意味する。

（イ）光重合性化合物の配合量は、（ア）成分のベースポリマー及び（イ）成分の光重合性化合物の総量に対して、通常２０〜９０質量％程度である。
配合量が、２０質量％以上であると、光重合性化合物にベースポリマーを絡み込んで硬化させることが容易にでき、一方、９０質量％以下であると、十分な厚さのクラッド層を容易に形成することできる。
以上の観点から、（イ）成分の配合量は、好ましくは２５〜８５質量％、より好ましくは３０〜８０質量％である。

次に（ウ）成分の光重合開始剤としては、特に制限はなく、例えば、エポキシ化合物の開始剤として、ｐ−メトキシベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロホスフェートなどのアリールジアゾニウム塩、ジフェニルヨードニウムヘキサフロロホスホニウム塩、ジフェニルヨードニウムヘキサフロロアンチモネート塩などのジアリールヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウムヘキサフロロホスホニウム塩、トリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウムペンタフロロヒドロキシアンチモネート塩などのトリアリールスルホニウム塩、トリフェニルセレノニウムヘキサフロロホスホニウム塩、トリフェニルセレノニウムホウフッ化塩、トリフェニルセレノニウムヘキサフロロアンチモネート塩などのトリアリルセレノニウム塩、ジメチルフェナシルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩、ジエチルフェナシルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩などのジアルキルフェナジルスルホニウム塩、４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩、４−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフロロアンチモネートなどのジアルキル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム塩、α−ヒドロキシメチルベンゾインスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシイミドスルホネート、α−スルホニロキシケトン、β−スルホニロキシケトンなどのスルホン酸エステル等が挙げられる。

また、分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物の開始剤としては、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ'−テトラメチル−４，４'−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ'−テトラエチル−４，４'−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、１，２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オンなどの芳香族ケトン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、２−メチル１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノンなどのキノン類、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテルなどのベンゾインエーテル化合物、ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾインなどのベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタールなどのベンジル誘導体；２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体などの２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイドなどのホスフィンオキサイド類、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９'−アクリジニル）ヘプタンなどのアクリジン誘導体、Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物などが挙げられる。
また、２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体において、アリール基が置換されている場合、２つのアリール基の置換基は同一で対称な二量体であってもよいし、相違して非対称な二量体であってもよい。
また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン系化合物と３級アミン化合物とを組み合わせてもよい。
なお、コア層及びクラッド層の透明性を向上させる観点からは、上記光重合開始剤のうち、芳香族ケトン及びホスフィンオキサイド類が好ましい。
これらの（ウ）光重合開始剤は、単独で用いてもよく、２種類以上併用してもよい。

（ウ）光重合開始剤の配合量は、（ア）成分のベースポリマー及び（イ）成分の光重合性化合物総量１００質量部に対して、通常０．１〜１０質量部程度である。
０．１質量部以上であると、光感度が十分であり、一方１０質量部以下であれば、光導波路の表面のみが選択的に硬化し、硬化が不十分となることがなく、また、光重合開始剤自身の吸収により伝搬損失が増大することもない。
以上の観点から、（ウ）成分の配合量は、好ましくは０．５〜５質量部、より好ましくは１〜４質量部である。
また、この他に必要に応じて、本発明のクラッド層形成用樹脂中には、酸化防止剤、黄変防止剤、紫外線吸収剤、可視光吸収剤、着色剤、可塑剤、安定剤、充填剤などの所謂添加剤を本発明の効果に悪影響を与えない割合で添加してもよい。

クラッド層形成用樹脂は、（ア）ベースポリマー、（イ）光重合性化合物、及び（ウ）光重合開始剤を含有する樹脂組成物を溶剤に溶解して、クラッド層形成用樹脂ワニスとして用いることもできる。
前記のように、下部クラッド層及び上部クラッド層の形成には、クラッド層形成用樹脂フィルムを使用するのが好ましいが、このクラッド層形成用樹脂フィルムは、クラッド層形成用樹脂ワニスを必要により基材フィルム上に塗布し、溶剤を除去することにより容易に製造することができる。

クラッド層形成用樹脂フィルムの製造過程において、必要により用いる基材フィルムは、クラッド層形成用樹脂フィルムを支持する支持体であって、その材料については特に限定されないが、例えば、クラッド層形成用樹脂フィルムを剥離することが容易であり、かつ、耐熱性及び耐溶剤性を有するとの観点から、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレンなどが好適に用いられる。
なお、上記基材フィルムは、後にクラッド層形成用樹脂フィルムの剥離を容易とするため、離型処理、帯電防止処理などが施されていてもよい。
該基材フィルムの厚さは、通常５〜５０μｍである。基材フィルムの厚さが５μｍ以上であると、支持体としての強度が得やすいという利点があり、５０μｍ以下であると、ロール状に製造する場合の巻き取り性が向上するという利点がある。以上の観点から、該基材フィルムの厚さは、好ましくは１０〜４０μｍ、より好ましくは１５〜３０μｍである。

更に、クラッド層形成用樹脂フィルムには、フィルムの保護やロール状に製造する場合の巻き取り性などを考慮して、保護フィルムを貼り合わせてもよい。
保護フィルムとしては、上記基材フィルムの例として挙げたものと同様なものを用いることができ、必要に応じ離型処理や帯電防止処理がされていてもよい。

クラッド層形成用樹脂ワニスに用いる溶媒としては、（ア）〜（ウ）成分を含有する樹脂組成物を溶解し得るものであれば特に限定されず、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、トルエン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどの溶媒又はこれらの混合溶媒を用いることができる。
クラッド層形成用樹脂ワニス中の固形分濃度は、通常３０〜８０質量％、好ましくは３５〜７５質量％、より好ましくは４０〜７０質量％である。

クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さについては、特に限定されないが、乾燥後のクラッド層の厚さが、通常、５〜５００μｍとなるように調整される。クラッド層の厚さが５μｍ以上であると、光の閉じ込めに必要なクラッド層厚さが確保でき、５００μｍ以下であると、クラッド層膜厚を均一に制御することが容易である。以上の観点から、クラッド層の厚さは、好ましくは１０〜１００μｍ、より好ましくは２０〜９０μｍである。
また、クラッド層の厚さは、最初に形成される下部クラッド層と、コアパターンを埋め込むための上部クラッド層において、同一であっても異なってもよいが、コアパターンを埋め込むために、上部クラッド層の厚さはコア層の厚さよりも厚くすることが好ましい。

＜コア層形成用樹脂＞
次に、本発明で用いるコア層形成用樹脂は、その硬化物がクラッド層より高屈折率であるように設計され、紫外線によりコアパターンを形成し得る樹脂組成物を用いることができ、感光性樹脂組成物が好適である。
具体的には、上記クラッド層形成用樹脂と同様の樹脂組成物を用いることが好ましい。
すなわち、上記（ア）ベースポリマー、（イ）光重合性化合物及び（ウ）光重合開始剤を含有し、必要に応じて、上記任意成分を含有する樹脂組成物である。

従って、コア層形成用樹脂フィルムの硬化物は、クラッド層に用いる光導波路形成用樹脂フィルムの硬化物より高屈折率であるように設計される。コア層形成用樹脂は、（ア）ベースポリマー、（イ）光重合性化合物及び（ウ）光重合開始剤を含有する樹脂組成物を溶剤に溶解して、コア層形成用樹脂ワニスとして用いることもできる。
コア層形成用樹脂フィルムは、コア層形成用樹脂ワニスを必要により基材フィルム上に塗布し、溶剤を除去することにより容易に製造することができる。コア層形成用樹脂フィルムの製造過程において、必要により用いる基材フィルムは、コア層形成用樹脂フィルムを支持する支持体であって、その材料については特に限定されず、クラッド層形成用樹脂フィルムの製造過程で用いる基材フィルムと同様のものを用いることができる。
例えば、コア層形成用樹脂フィルムを剥離することが容易であり、かつ、耐熱性及び耐溶剤性を有するとの観点から、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレンなどを好適に用いることができる。

また、露光用光線の透過率向上及びコアパターンの側壁荒れ低減のため、高透明タイプのフレキシブルな基材フィルムを用いるのが好ましい。高透明タイプの基材フィルムのヘイズ値は、通常５％以下、好ましくは３％以下、よりより好ましくは２％以下である。
このような基材フィルムとしては、東洋紡績（株）製、商品名「コスモシャインＡ１５１７」や「コスモシャインＡ４１００」が入手可能である。
なお、上記基材フィルムは、後にコア層形成用樹脂フィルムの剥離を容易とするため、離型処理、帯電防止処理などが施されていてもよい。

該基材フィルムの厚さは、通常５〜５０μｍである。基材フィルムの厚さが５μｍ以上であると、支持体としての強度が得やすいという利点があり、５０μｍ以下であると、パターン形成時のマスクとのギャップが小さくなり、より微細なパターンが形成できるという利点がある。以上の観点から、該基材フィルムの厚さは、好ましくは１０〜４０μｍ、より好ましくは１５〜３０μｍである。

また、コア層形成用樹脂フィルムの保護やロール状に製造する場合の巻き取り性など、必要に応じコア層形成用樹脂フィルムに保護フィルムを貼り合わせてもよい。保護フィルムとしては、クラッド層形成用樹脂フィルムにおいて用いられる基材フィルムと同様なものを用いることができ、必要に応じ、離型処理や帯電防止処理がされていてもよい。

コア層形成用樹脂ワニスに用いる溶媒としては、（ア）〜（ウ）成分を含有する樹脂組成物を溶解し得るものであれば特に限定されず、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、トルエン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどの溶媒又はこれらの混合溶媒を用いることができる。
コア層形成用樹脂ワニス中の固形分濃度は、通常３０〜８０質量％、好ましくは３５〜７５質量％、より好ましくは４０〜７０質量％である。

コア層形成用樹脂フィルムの厚さについては、特に限定されないが、乾燥後のコア層の厚さが、通常、１０〜１００μｍとなるように調整される。コア層の厚さが１０μｍ以上であると、光導波路構築後の受発光素子又は光ファイバとの結合において位置合わせトレランスが拡大できるという利点があり、１００μｍ以下であると、光導波路構築後の受発光素子又は光ファイバとの結合において、結合効率が向上するという利点がある。以上の観点から、コア層の厚さは、好ましくは２９〜９０μｍ、より好ましくは３０〜８０μｍである。
また、コア層はスピンコート法などによりコア層形成用樹脂ワニスをクラッド層上に塗布し、溶媒を除去することによっても容易に製造することができる。

以下、本発明の光電気複合基板の製造方法について図１を用いて説明する。
先ず、第１の工程は、（１）図１の（ａ）に示すように、基板１２上に導体パターン１１ａを形成し、更に必要に応じて導体保護層１４を形成した電気配線基板１０の基板１２の表面に直接又は接着剤層２０を介して下部クラッド層３１を形成するか、又は（２）図１の（ａ'-1）のように、金属箔１１と基板１２とを有する金属箔付き基板１３の基板１２の表面に、直接又は接着剤層２０を介して、下部クラッド層３１を形成し、次いで、図１の（ａ'-2）のように、金属箔１１を導体パターン１１ａに加工して、更に、図１の（ａ'-3）のように、必要に応じて導体保護層１４を形成して、下部クラッド層付きの電気配線基板を得る工程である。

前記のように、下部クラッド層３１を基板１２の表面に直接形成する場合には、クラッド層形成用樹脂のワニスを、スピンコート法等の公知の方法により塗布し、溶剤を除去する方法により行う。
一方、下部クラッド層３１を基板１２の表面に接着剤層２０を介して形成する場合は、クラッド層形成用樹脂フィルムを用いる。クラッド層形成用樹脂フィルムは、クラッド層形成用樹脂のワニスを、必要により基材フィルム上にスピンコート法等の公知の方法により塗布し、溶剤を除去することにより容易に製造することができる。クラッド層形成用樹脂フィルムを用いる方法が、下部クラッド層の厚さの精度が確保できるので好ましい。
接着剤層２０は接着剤組成物を基板１２の表面に直接塗布して形成してもよいが、前記したように、支持基材上に接着剤層を有するシート状接着剤、特に、支持基材上に粘接着剤層を有する粘接着シートを使用するのが好ましい。
粘接着シートを使用する場合には、粘接着剤層の保護フィルムを剥離した後、粘接着剤層を電気配線基板１０又は金属箔付き基板１３の基板１２の表面に積層し、次いで、支持基材を剥離して、粘接着剤層２０を形成する。
前記のような構成の粘接着シートに紫外線を照射すると、支持基材との接着力は大きく低下し、基板１２に粘接着剤層を保持したまま、支持基材を容易に剥離することができる。
積層の際の加熱温度は５０〜１３０℃とすることが好ましく、圧着圧力は、０．１〜１．０ＭＰａ（１〜１０ｋｇｆ／ｃｍ²）程度とすることが好ましいが、これらの条件には特に制限はない。なお、保護フィルム及び支持基材は、粘接着剤層からの剥離を容易にするため接着処理を行っていないことが好ましく、必要に応じ離型処理が施されていてもよい。

このようにして基板１２の表面に形成した粘接着剤層にクラッド層形成用樹脂フィルムを貼り付ける。貼り付けには、上述のラミネータを用いることができる。
この際、クラッド層形成用樹脂フィルムにおいて、基材フィルムの反対側に保護フィルムを設けている場合には、該保護フィルムを剥離後、クラッド層形成用樹脂フィルムを粘接着剤層に加熱圧着させ、光又は加熱により硬化し、クラッド層を形成する。ここで、密着性及び追従性の見地から減圧下で積層することが好ましく、その条件は前述の粘接着剤層を積層する場合と同様である。
なお、上記方法は、基板１２の表面に接着剤層２０を形成し、その後クラッド層形成用樹脂フィルムに張り合わせる方法を説明したが、この順序が逆であってもよい。

図１の（ａ'-2）のように、金属箔１１から導体パターン１１ａを形成する方法として、必要とされる厚みの金属箔から導体パターンとしての不要部分を除去するサブトラクティブ法と、比較的薄い金属箔上の導体パターンとしての必要部分に電解めっき等で金属を析出させて必要な厚みとする、セミアディティブ法とがある。

サブトラクティブ法による導体パターンの形成方法の場合は、先ず、金属箔の表面に光硬化性膜を形成し、フォトマスクを介して露光した後に現像して、エッチングレジストでレジストパターンを形成し、その後、エッチングレジストに覆われていない箇所をエッチング除去して、導体パターンを形成し、最後にエッチングレジストを除去して電気配線基板を構築する。
金属箔の表面に形成する光硬化性膜は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と光硬化剤、硬化促進剤、必要な場合には顔料や流動性調整剤、粘度調整剤などを、希釈剤に混合・分散し、ワニスとしたものを、直接金属箔の表面に塗布・乾燥し、形成することもでき、また、そのワニスをキャリアフィルムに塗布・乾燥して半硬化状にしたドライフィルムを金属箔にラミネートして形成することもできる。
このようなワニス状のエッチング用レジスト材としては、市販のもので、オプトＥＲ Ｎ−３５０（日本ペイント株式会社製、商品名）があり、ドライフィルム状のエッチング用レジスト材としては、市販のもので、フォテックＨ−Ｎ９３０（日立化成工業株式会社製、商品名）がある。
レジストパターンを形成し、その後、エッチングレジストに覆われていない箇所をエッチング除去するには、エッチング液として、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、過硫酸アンモニウム溶液などがあり、これらのエッチング液をスプレー噴霧して、エッチングレジストに覆われていない箇所を腐食除去して、導体パターンを形成することができる。

セミアディティブ法による導体パターンの形成方法の場合は、金属箔にフォトレジスト材料を適用した後フォトリソグラフィを実施してめっきレジスト層（レジストパターン）を形成した後、金属箔を給電膜として用いて電解めっきを行って前記レジスト層のない金属箔の露出部に導体を析出させて導体層（導体パターン）を形成し、次いで、めっきレジスト層を除去して金属箔を露出させた後、導体層をマスクとして用いてエッチングを行ってめっきレジスト層の除去で露出した金属箔を除去することにより電気配線基板を構築する。

フォトレジスト材料としては特に限定されることなく、市販されている様々な材料を用いることができる。例えば、ノボラック樹脂を主成分とし、感光剤、乳酸エチル、酢酸ノルマルブチルなどの溶剤を含有する液状ポジレジストを使用することができる。そのような液状ポジレジストは例えば、市販のＯＦＰＲ（東京応化製）として入手可能である。
フォトレジスト材料としてフォトレジストフィルムを貼付してもよい。フォトレジストフィルムとしては特に限定することなく、市販されている様々な材料を用いることができる。例えば、旭化成製ＳＵＮＦＯＲＴ（Ｒ） ＡＳＧ−２５３を用いる場合には、市販のフィルムラミネータを用いて、１１０℃で加熱しながら、０．４ＭＰａ程度の圧力でポリイミドフィルム上に貼り付けを行う。現像に際しては、炭酸ナトリウム水溶液を用いて、非露光部分の除去を行うことができる。

レジスト層の形成後に、金属箔を給電膜として用いて電解めっきを行い、金属箔の露出部に導体層を析出させる。電解めっき液は、銅をめっきする場合は、硫酸塩浴やスルファミン浴などが挙げられる。銀、金やそれらの合金をめっきする場合には、シアン系浴などが挙げられる。
電解めっき後は、レジスト層を除去して、金属箔を露出させる。例えば、剥離液に浸漬し、フォトレジストを剥離または溶解すればよい。具体的には、例えば上記の旭化成製フィルムレジストを用いた場合には、２〜３％程度の水酸化ナトリウムか水酸化カリウムの水溶液、もしくは、有機アミン系の剥離液を用いてレジストの除去を行うことができる。また例えば、いわゆるノボラック系樹脂を主成分とする液状レジストの場合には、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートやアルキルベンゼンスルホン酸などの有機溶剤を含む剥離液を用いることができる。
レジスト層の形成後に、レジスト層除去で露出した金属箔をエッチング除去し、導体パターン領域にのみ金属箔及び導体層を残存させる。

エッチング液は金属箔膜の金属および導体層の金属に依存して決定され、エッチング液として金属箔は除去するが導体層は除去しない選択性を有するものを用いることが好ましいが、金属箔と導体層との間には厚さの差があるために、エッチング時間の調整により、導体層を完全に除去することなく、金属箔を完全除去することは可能であるから、金属箔さえエッチング除去できる液であればよい。むろん、金属箔と導体層とが同じ金属である場合には、エッチング時間の調整により、導体層を完全に除去することなく、金属箔を完全除去することとなある。
例えば、金属箔がニッケルからなり、導体層が銅からなる場合、エッチング液はＦｅＣｌ₃水溶液、ＨＮＯ₃、またはＨＮＯ₃を含む酸が使用できる。特にＨＮＯ₃の場合は、ニッケルを溶解できるが、銅を溶解しないため、特に望ましい。
また例えば、金属箔が銅からなり、導体層も銅からなる場合には、ＦｅＣｌ₃、ＣｕＣｌ₂、（ＮＨ₄）₂Ｓ₂Ｏ₈などの水溶液、アンモニア水などが使用できる。
また例えば、金属箔が銀からなる場合には、エッチング液はＨＮＯ₃、Ｈ₂ＳＯ₄とＨ₂Ｏ₂の混合液、Ｆｅ（ＮＯ₃）₃水溶液などが使用できる。
また例えば、金属箔が鉄からなる場合には、エッチング液はＨＮＯ₃などが使用できる。また例えば、金属箔がパラジウムからなる場合には、エッチング液はＮＨ₃Ｉ水溶液などが使用できる。

導体パターン１１ａ上に導体保護層１４を形成する場合には、導体パターン１１ａの表面に光硬化性膜を形成し、フォトマスクを介して露光した後に現像して、図１の（ｅ）に示すように、導体パターンを絶縁保護するための導体保護層１４を形成する。
導体パターンの表面に形成する光硬化性膜には、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と光硬化剤、硬化促進剤、必要な場合には顔料や流動性調整剤、粘度調整剤などを、希釈剤に混合・分散し、ワニスとしたものを、直接導体パターンの表面に塗布・乾燥し、形成することもでき、また、そのワニスをキャリアフィルムに塗布・乾燥して半硬化状にしたドライフィルムを基材にラミネートして形成することもできる。このようなワニス状のソルダーレジスト用材料としては、市販のもので、プロビコート５０００（日本ペイント株式会社製，商品名）があり、ドライフィルム状のソルダーレジスト用材料としては、市販のもので、フォテックＳＲ−２３００Ｇ−５０（日立化成工業株式会社製，商品名）がある。

コアパターンは、下部クラッド層上にコア形成用樹脂の層（コア層）を設け、そのコア層を露光・現像することにより形成することができる。
コア層を形成する方法について制限はなく、下部クラッド層上にコア形成用樹脂のワニスを直接塗布し、乾燥する方法でもよいが、コア層形成用樹脂フィルムを用いる方法が、コア層の厚さの精度が確保できるので好ましい。
コア層形成用樹脂フィルムは、コア層形成用樹脂層と基材フィルムとから構成されている場合は取扱が容易で好ましいが、コア層形成用樹脂層単独で構成されていてもよい。
コア層形成用樹脂フィルムにおいて、基材フィルムの反対側に保護フィルムを設けている場合には、該保護フィルムを剥離後、コア層形成用樹脂フィルムを積層する。この場合、保護フィルム及び基材フィルムは、コア層からの剥離を容易にするため接着処理を行っていないことが好ましく、必要に応じ離型処理が施されていてもよい。

このようにして設けたコア層に対して露光・現像を行うことにより、所望のコアパターンを形成する。具体的には、フォトマスクパターンを通して、紫外線を画像状に照射する。
紫外線の光源としては、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプなどの紫外線を有効に放射する公知の光源が挙げられる。

次いで、コア層上に基材フィルムが残っている場合には、基材フィルムを剥離し、ウェット現像などで未露光部を除去して現像し、コアパターンを形成する。
ウェット現像の場合は、コア層形成用樹脂フィルムやコア層形成用樹脂ワニスの組成に適した有機溶剤系現像液又はアルカリ現像液を用いて、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング、スクラッピングなどの公知の方法により現像する。

有機溶剤系現像液としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、γ−ブチロラクトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどが挙げられる。
これらの有機溶剤は、引火防止のため、有機溶剤１００質量部に対し、通常１〜２０質量部の範囲で水を添加してもよい。

アルカリ現像液としては、アルカリ性水溶液、水系現像液などを用いることができ、アルカリ性水溶液の塩基としては、特に制限はないが、例えば、リチウム、ナトリウム又はカリウムの水酸化物等の水酸化アルカリ；リチウム、ナトリウム、カリウム若しくはアンモニウムの炭酸塩又は重炭酸塩などの炭酸アルカリ；リン酸カリウム、リン酸ナトリウム等のアルカリ金属リン酸塩；ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム等のアルカリ金属ピロリン酸塩；ホウ砂、メタケイ酸ナトリウム等のナトリウム塩；水酸化テトラメチルアンモニウム、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、２−アミノ−２−ヒドロキシメチル−１，３−プロパンジオール、１，３−ジアミノプロパノール−２−モルホリン等の有機塩基などが挙げられる。

現像に用いるアルカリ性水溶液のｐＨは９〜１１であることが好ましく、その温度はコア形成用樹脂組成物層の現像性に合わせて調節される。
また、アルカリ性水溶液中には、表面活性剤、消泡剤、現像を促進させるための少量の有機溶剤などを混入させてもよい。
この中でも、特に炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム水溶液は人体への刺激や環境への負荷が少ないため好ましい。

また、必要に応じ、上記アルカリ水溶液には有機溶媒を併用することも可能である。ここでいう有機溶媒とは、アルカリ水溶液と混和可能であれば特に制限はないが、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール；アセトン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンなどのケトン；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等の多価アルコールアルキルエーテルなどが挙げられる。
これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。

現像後の処理として、必要に応じて水と上記有機溶剤からなる洗浄液を用いて光導波路のコアパターンを洗浄してもよい。有機溶剤は単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。有機溶剤の濃度は通常、２〜９０質量％とすることが好ましく、その温度はコア形成用樹脂組成物の現像性に合わせて調節される。

現像の方式としては、例えば、ディップ方式、バトル方式、高圧スプレー方式などのスプレー方式、ブラッシング、スクラッピングなどが挙げられ、高圧スプレー方式が解像度向上のためには最も適している。
また、必要に応じて２種類以上の現像方法を併用してもよい。
現像後の処理として、必要に応じて、６０〜２５０℃程度の加熱又は０．１〜１，０００ｍＪ／ｃｍ²程度の露光を行うことにより、コアパターンを更に硬化して用いてもよい。

続いて、コアパターン上にクラッド層形成用樹脂層を設け、それを硬化させることにより上部クラッド層を形成する。
前記のように、クラッド層形成用樹脂組成物のワニスを塗布して直接形成することもできるが、上部クラッド層形成用樹脂フィルムを使用するのが好ましい。
その場合、コアパターン埋込みのため上部クラッド層形成用樹脂フィルムを積層する操作と、該上部クラッド層形成用樹脂フィルムのクラッド層形成用樹脂層を硬化し、上部クラッド層を形成する操作を行う。
この場合の上部クラッド層の厚さは、上記のようにコア層の厚さより大きくすることが好ましい。
なお、硬化は、光又は熱によって上記と同様に行う。

クラッド層形成用樹脂フィルムにおいて、基材フィルムの反対側に保護フィルムを設けている場合には、該保護フィルムを剥離後、クラッド層形成用樹脂フィルムを加熱圧着し、光又は加熱により硬化させ、クラッド層を形成する。この場合、基材フィルムは剥離してもよいし、必要により貼り合せたままでもよい。
貼り合せたままの場合には、クラッド層形成用樹脂層は接着処理を施した基材フィルム上に製膜されていることが好ましい。
一方、保護フィルムは、クラッド層形成用樹脂フィルムからの剥離を容易にするため接着処理は行っていないことが好ましく、必要に応じ離型処理が施されていてもよい。

本発明の製造方法で得られた光電気複合基板においては、光路変換ミラーや受光素子等を搭載することにより、電気配線基板部分と光導波路部分との結合を容易に達成することができる。
また、本発明の製造方法で得られた光電気複合基板に面発光レーザー又はダイオード等の光素子を実装することにより、光電気複合モジュールを容易に得ることができる。

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

実施例１
以下の如くに各工程を実施し、光電気複合基板を作製した。
（１）粘接着シートの作製
（ａ）高分子量成分として、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（ナガセケムテックス（株）製商品名、グリシジル基含有アクリルゴム、重量平均分子量８０万、Ｔｇ：−７℃）１００質量部、（ｂ）エポキシ樹脂として、ＹＤＣＮ−７０３（東都化成（株）製商品名、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０）５．４質量部、ＹＤＣＮ−８１７０Ｃ（東都化成（株）製商品名、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１５７）１６．２質量部、（ｃ）エポキシ樹脂硬化剤として、フェノライトＬＦ２８８２（大日本インキ化学工業（株）製商品名、ビスフェノールＡノボラック樹脂、水酸基当量１１８ｇ／ｅｑ）１５．３質量部、シランカップリング剤として、ＮＵＣＡ−１８９（日本ユニカー（株）製商品名、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）０．１質量部、及びＮＵＣＡ−１１６０（日本ユニカー（株）製商品名、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン）０．３質量部、（ｄ）光反応性モノマーとして、Ａ−ＤＰＨ（新中村化学工業（株）製商品名、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）３０質量部、（ｅ）光塩基発生剤として、イルガキュア３６９（チバスペシャリティーケミカルズ社製商品名、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１−オン：Ｉ−３６９）１．５質量部、有機溶剤としてシクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、真空脱気した。この粘接着剤樹脂組成物ワニスを、厚さ７５μｍの表面離型処理ポリエチレンテレフタレート（帝人（株）製、テイジンテトロンフィルム：Ａ−３１）上に塗布し、８０℃で３０分間加熱乾燥し粘接着シートを得た。この粘接着シートに、厚さ８０μｍの紫外線透過性の支持基材（サーモ（株）製、低密度ポリエチレンテレフタレート／酢酸ビニル／低密度ポリエチレンテレフタレート三層フィルム：ＦＨＦ−１００）をあわせてラミネートすることにより保護フィルム（前記表面離型処理ポリエチレンテレフタレート）、粘接着層、及び紫外線透過性の支持基材からなる粘接着シートを作製した。
上記粘接着シートに、３６５ｎｍの紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ²照射後、１６０℃で１時間硬化させた粘接着剤樹脂組成物の貯蔵弾性率を、動的粘弾性測定装置（(株)レオロジ製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定（サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚８０μｍ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈｚ、自動静荷重）した結果、２５℃で４００ＭＰａ、１２５℃で１ＭＰａ、２６０℃で５ＭＰａであった。

（２）クラッド層形成用樹脂フィルムの作製
バインダポリマーとして、フェノキシ樹脂（商品名：フェノトートＹＰ−７０、東都化成（株）製）４８質量部、光重合性化合物として、アリサイクリックジエポキシカルボキシレート（商品名：ＫＲＭ−２１１０、分子量：２５２、旭電化工業（株）製）４９．６質量部、光重合開始剤として、トリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩（商品名：ＳＰ−１７０、旭電化工業（株）製）２質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４０質量部を広口のポリ瓶に秤量し、メカニカルスターラ、シャフト及びプロペラを用いて、温度２５℃、回転数４００ｒｐｍの条件で、６時間撹拌し、クラッド層形成用樹脂ワニスを調合した。その後、孔径２μｍのポリフロンフィルタ（商品名：ＰＦ０２０、アドバンテック東洋（株）製）を用いて、温度２５℃、圧力０．４ＭＰａの条件で加圧濾過し、さらに真空ポンプ及びベルジャーを用いて減圧度５０ｍｍＨｇの条件で１５分間減圧脱泡した。

上記で得られたクラッド層形成用樹脂ワニスを、ＰＥＴフィルム（商品名：コスモシャインＡ４１００、東洋紡績（株）製、厚さ：５０μｍ）の非処理面上に塗工機（マルチコーターＴＭ−ＭＣ、（株）ヒラノテクシード製）を用いて塗布し、８０℃、１０分、その後１００℃、１０分乾燥し、次いで保護フィルムとして離型ＰＥＴフィルム（商品名：ピューレックスＡ３１、帝人デュポンフィルム（株）、厚さ：２５μｍ）を離型面が樹脂側になるように貼り付け、クラッド層形成用樹脂フィルムを得た。このとき樹脂層の厚さは、塗工機のギャップを調節することで、任意に調整可能であり、本実施例では硬化後の膜厚が、下部クラッド層２５μｍ、上部クラッド層７０μｍとなるように調節した。

（３）コア層形成用樹脂フィルムの作製
バインダポリマーとして、フェノキシ樹脂（商品名：フェノトートＹＰ−７０、東都化成（株）製）２６質量部、光重合性化合物として、９，９−ビス［４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン（商品名：Ａ−ＢＰＥＦ、新中村化学工業（株）製）３６質量部、およびビスフェノールＡ型エポキシアクリレート（商品名：ＥＡ−１０２０、新中村化学工業（株）製）３６質量部、光重合開始剤として、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド（商品名：イルガキュア８１９、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製）１質量部、及び１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（商品名：イルガキュア２９５９、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）１質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４０質量部を用いたこと以外は、上記クラッド層形成用樹脂フィルムの作製例と同様の方法及び条件でコア層形成用樹脂ワニスを調合した後、加圧濾過さらに減圧脱泡した。

上記で得られたコア層形成用樹脂ワニスを、ＰＥＴフィルム（商品名：コスモシャインＡ１５１７、東洋紡績（株）製、厚さ：１６μｍ）の非処理面上に、上記製造例と同様な方法で塗布乾燥し、次いで保護フィルムとして離型ＰＥＴフィルム（商品名：Ａ３１、帝人デュポンフィルム（株）、厚さ：２５μｍ）を離型面が樹脂側になるように貼り付け、コア層形成用樹脂フィルムを得た。本実施例では硬化後の膜厚が５０μｍとなるよう、塗工機のギャップを調整した。

（４）金属箔付き基板の基板表面への下部クラッド層の形成
上記（１）で作製した粘接着シートの保護フィルムを剥離し、銅箔付き基板（長さ１５０ｍｍ、幅１５０ｍｍ、基板：ポリイミド（厚さ：２５μｍ）、銅箔厚さ：１８μｍ、東レフィルム加工（株）製、商品名「メタロイヤル」）のポリイミド面に、ロールラミネータ（日立化成テクノプラント（株）製、ＨＬＭ−１５００）を用い、温度６０℃、圧力０．５ＭＰａ、送り速度０．２ｍ／ｍｉｎの条件で、粘接着剤層が基板に接するように積層した。該粘接着剤層の厚さは１０μｍであった。
続いて粘接着シートに支持基材側から紫外線（３６５ｎｍ）を２５０ｍＪ／ｃｍ²照射し、粘接着剤層と支持基材界面の密着力を低下させ、支持基材を剥がして粘接着剤層を露出させた。
その後、上記（２）で作製したクラッド層形成用樹脂フィルムの保護フィルムを剥がし、クラッド層形成用樹脂層が粘接着剤層に接するようにして、ロールラミネータ（日立化成テクノプラント（株）製、ＨＬＭ−１５００）を用い、８０℃、０．５ＭＰａ、送り速度０．５ｍの条件でロールラミネートし、さらに、紫外線（波長３６５ｎｍ）を１Ｊ／ｃｍ²照射後、クラッド層形成用樹脂フィルムの支持基材を剥がし、８０℃で１０分間加熱処理することによって、下部クラッド層を形成し、基板表面に下部クラッド層を有する銅箔付きの基板を得た。

（５）導体パターンの形成
上記（４）で作製した、下部クラッド層を有する銅箔付きの基板の銅箔表面に光硬化性膜である厚さ３０μｍのエッチングレジスト用・フォテックＨ−Ｎ９３０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートした。導体パターンのフォトマスクをエッチングレジスト用ドライフィルムに重ね、６０ｍｍＨｇの真空下に、露光を行った。その後現像を行い、エッチングレジストを形成した後、塩化第二銅溶液をスプレー噴霧して、不要な銅箔をエッチング除去し、導体パターンを形成した。

（６）導体保護層（ソルダーレジスト層）の形成
導体パターンを形成した基板に、ソルダーレジスト用ドライフィルムであるＳＲ−２３００Ｇ−５０（日立化成工業株式会社製、商品名）の厚さ５０μｍのものをラミネートした。保護すべき導体パターンのフォトマスクをソルダーレジスト用ドライフィルムに重ね、６０ｍｍＨｇの真空下に、露光を行った。その後現像を行い、ソルダーレジスト層を形成し、乾燥して、電気配線基板を構築した。

（７）コアパターンの形成
上記（６）で作製した、下部クラッド層付き電気配線基板の下部クラッド層上に、ロールラミネータ（日立化成テクノプラント（株）製、ＨＬＭ−１５００）を用い、圧力０．４ＭＰａ、温度５０℃、ラミネート速度０．２ｍ／ｍｉｎの条件で、上記コア層形成用樹脂フィルムをラミネートし、次いで平板型ラミネータとして真空加圧式ラミネータ（（株）名機製作所製、ＭＶＬＰ−５００）を用い、５００Ｐａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度５０℃、加圧時間３０秒の条件にて加熱圧着して、コア層を形成した。

次に、幅５０μｍのネガ型フォトマスクを介し、上記紫外線露光機にて紫外線（波長３６５ｎｍ）を０．６Ｊ／ｃｍ²照射し、次いで８０℃で５分間露光後加熱を行った。その後、支持フィルムであるＰＥＴフィルムを剥離し、現像液（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド＝８／２、質量比）を用いて、コアパターンを現像した。続いて、洗浄液（イソプロパノール）を用いて洗浄し、１００℃で１０分間加熱乾燥した。
次いで、下部クラッド層のラミネートと同様のラミネート条件にて、上記クラッド層形成用樹脂フィルムをラミネートした。さらに、紫外線（波長３６５ｎｍ）を３Ｊ／ｃｍ²照射後、クラッド層形成用樹脂フィルムの支持基材を剥がし、１８０℃で１時間加熱処理することによって、上部クラッド層を形成して、光導波路を構築した。
なお、コア層及びクラッド層の屈折率をＭｅｔｒｉｃｏｎ社製プリズムカプラー（Ｍｏｄｅｌ ２０１０）で測定したところ、波長８３０ｎｍにて、コア層が１．５８４、クラッド層が１．５５０であった。また、作製した光導波路の伝搬損失を、光源に８５０ｎｍの面発光レーザー（（ＥＸＦＯ社製、ＦＬＳ−３００−０１−ＶＣＬ）を、受光センサに株式会社アドバンテスト製、Ｑ８２２１４を用い、カットバック法（測定導波路長１０、５、３、２ｃｍ、入射ファイバ；ＧＩ−５０／１２５マルチモードファイバ（ＮＡ＝０．２０）、出射ファイバ；ＳＩ−１１４／１２５（ＮＡ＝０．２２））により測定したところ、０．１ｄＢ／ｃｍであった。

実施例２
実施例１での（４）における金属箔付き基板を電気配線を有するフレキシブル電気配線基板（長さ４８ｍｍ、幅４ｍｍ、基材：カプトンＥＮ、２５μｍ、銅回路厚さ：１２μｍ）に代え、且つ実施例１での（５）及び（６）を行わなかった以外は実施例１と同様に実施した。

実施例１及び２により得られた光電気複合基板は、光配線と電気配線との位置ズレが１０μｍ／１００ｍｍ以下であり、結合効率にきわめて優れたものであった。

本発明の製造方法によれば、位置合わせの問題が生じることなく、優れた光電気複合基板を効率的に製造することができる。本発明の方法で製造された光電気複合基板は、光インターコネクション等の幅広い分野に適用でき、特に、非常に精密なコアパターンが求められる場合や、大面積の光電気複合基板が求められる場合に有効である。

本発明の光電気複合基板の製造方法を示す模式図である。

符号の説明

１０；電気配線基板
１１；金属箔
１２；基板
１３；金属箔付き基板
１４；導体保護層
２０；接着剤層
３０；光導波路
３１；下部クラッド層
３２；コアパターン
３３；上部クラッド層

Claims (8)

1. 電気配線基板の基板表面に直接又は接着剤層を介して下部クラッド層を形成するか又は金属箔付き基板の基板表面に直接又は接着剤層を介して下部クラッド層を形成した後に金属箔付き基板の金属箔を導体パターン化して電気配線基板を構築することにより下部クラッド層付き電気配線基板を得る第１の工程と、下部クラッド層上にコアパターン及び上部クラッド層を順次形成して光導波路を構築する第２の工程を有する光電気複合基板の製造方法。
2. 第２の工程が、下部クラッド層上にコア層形成用樹脂フィルムを積層してコア層を形成した後に、露光・現像によりコアパターンを形成し、次いでコアパターン上に上部クラッド層形成用樹脂フィルムを積層することからなる、請求項１に記載の光電気複合基板の製造方法。
3. 金属箔付き基板の金属箔上にエッチングレジストでレジストパターンを形成した後に、エッチングにより導体パターンを形成し、次いでエッチングレジスト除去を行なうことにより電気配線基板を構築する、請求項１又は２に記載の光電気複合基板の製造方法。
4. 金属箔付き基板の金属箔上にめっきレジストでレジストパターンを形成した後に、パターンめっきにより導体パターンを形成し、次いでめっきレジスト除去と露出金属箔エッチングとを行うことにより電気配線基板を構築する、請求項１又は２に記載の光電気複合基板の製造方法。
5. 更に導体パターン上に導体保護層を形成する、請求項１〜４のいずれかに記載の光電気複合基板の製造方法。
6. 光電気複合基板がフレキシブルタイプである、請求項１〜５のいずれかに記載の光電気複合基板の製造方法。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法を用いて製造される光電気複合基板。
8. 請求項７に記載の光電気複合基板を用いた光電気複合モジュール。

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