JPH08500448A - 成形技術において集積ファイバーチップ結合を有する光学的ポリマー構造素子を製造する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 集積ファイバーチップ結合を有する不動態光学ポリマー構造素子および／または活性の光学ポリマー構造素子を成形技術で製造するための１つの方法が提案されている。そのために、珪素支持体上で一緒に、光導波路を収容するための原構造体ならびに支持体中に異方性にエッチングされたファイバー案内構造体を収容するための原構造体を製造し、この構造体を電気メッキ成形し、こうして生じた雌型を原構造体と同一の子構造体の製造のために使用し、この場合異方性にエッチングされたＶ字形の位置決定溝は、ポリマー材料で充填され、したがって１つの平面が得られ、この平面はフォトラッカーまたは別の構造化可能なポリマーで被覆され、ポリマー被覆中に、後に光導波路を生じる溝形の開口が構造化され、かつ溝構造体をレーザーアブレーションにより開ける。

Description

【発明の詳細な説明】 成形技術において集積ファイバーチップ結合を有する光学的ポリマー構造素子を 製造する方法 本発明は、請求項１の上位概念に記載された１つの方法に関するものであり、 かつ一体型の集積ファイバーチップ結合を有する光集積回路の単一モードまたは 多モード構造素子を量産する場合に使用される。 光情報技術、センサ技術およびコンピュータ分野（光データバス）に光巣積回 路成分がますます使用されることにより、光接続技術（チップファイバー結合） は常により大きな重要性をもっている。この場合、既に約１０００回線の加入者 線を有する小さなプライベート電話交換局は、例えば個々の副スイッチステップ 間で数千の光接続を必要としており、それというのも個々の基板上の集積回路成 分の数および複雑さは、光学における極端な見解事情に基づき著しく限定されて いるからである。 このような適用状況の場合には、光接続技術および必要とされる接続費用の実 現可能性および許容性（機械的安定性および熱安定性）により、最終的に光電話 交換方式もしくは光情報網の達成可能な完成度が定められる。 構造素子のガラスファイバーと集積導波路とを結合 した場合の光集群器の効率は、端面からの距離に著しく依存し、かつ側方への移 動ならびに光軸相互の角度の傾斜に極めて著しく依存する。それに応じて、ガラ スファイバーは、結合の際に互いに無関係に最適化されなければならない５つの 自由度を有する：１つの軸方向の自由度、２つの側方への自由度および２つの角 度の自由度。ガラスファイバーに典型的な場分布の場合、例えば数μｍのみの側 方へのずれは、ｄＢ範囲の結合損失をまねく。効果的な結合方法は、自由度の減 少ならびに１束の全ファイバーの同時の位置決定の可能性を必要とする。Ａｐｐ １．Ｏｐｔ．（１９７８），第８９５頁のボイド（Ｊ．Ｔ． Boyd）およびスリ ラム（S.Sriram）の“シリコン上に形成されたチャンネル導波管へのファイバー からなる光結合（Optical coupling from fibres to channel waveguides forme d on silicon）”の記載から、Ｖ字形溝をガラスファイバーのための位置決定 溝として珪素基板中にエッチングすることは、公知である。異方性のエッチング されたＶ字形溝は、ウェファー表面に対して５４．７゜の角度を有する、徐々に エッチングされる｛１１１｝−面によって全面で制限される。集積導波路は、前 記のＶ字形溝と同列に配置されており、この場合この溝の幅は、生じる溝形によ ってファイバー核が光導波路と同じ水平方向の平面内にあるように最適化される ことができる。光導波路に対する結合面の範囲内にあるＶ字形溝の前 面は、同様に５４．７゜の角度にあり、したがってガラスファイバーは、導波路 にまで接近移動することができない。この問題の解決としては、ファイバー核を 集積導波路の突き合わせ結合部上にまで接近移動させるために、ガラスファイバ ーに同様に５４．７゜で傾斜した端面を備えさせることがボイド（J.T.Boyd）お よびスリラム（S.Sriram）によって提案されている。しかし、この方法は、ファ イバーの費用のかかる端面加工が必要でありかつファイバーを特定の位置でのみ 溝中に嵌込む必要があるという欠点を有する。その上、結合の場合には、２つの 端面が重なり合って滑動するかまたはそれがもとでファイバーの少なくとも端部 が溝から移動するという危険が存在する。１つの付加的な困難は、ファイバーだ けでなく、集積導波路に相当する傾斜した端面を備えさせるという必要性から明 らかになる。 更に、この方法は、光集積回路構造素子の量産が不可能であるという決定的な 欠点を有する。しかし、まさに量産は、効率的に実現しうる使用にとっての前提 条件である。 ホソカワ（H.Hosokawa）他，Integrated Photonics Research Conf., Paper M F6 (1991)の記載から、型押技術により光結合のために光導波路構造体および格 子構造体の同時の製造を実施しかつ引続き光重合を実施することは、公知である 。しかし、単一モードの光 導波路に対する前記型押技術は、基板に集積されるファイバー案内を実現させる 状態にない。 更に、シンクロトロン放射を用いてのリソグラフィー、所謂ＬＩＧＡ方法によ るミクロ構造体の電気メッキ成形（galvanischen Abformung）および射出成形に よる再生の原理は、公知である。この場合、成形すべき一次構造体は、通常、シ ンクロトロンを用いてのプラスチックのＸ線照射によって製造され、かつそれに よって電気メッキにより射出成形用の金型インサートが製出される。この方法を 用いた場合には、光導波路およびファイバー案内構造体の同時の製造の際にファ イバー案内構造体の正確な高さ調整（Hoehenjustage）を達成することは不可能 である。しかし、まさに正確な調整は、さらに上記にも記載したように、ファイ バーと導波路との間の高い結合効率を得るために変更し得ない前提条件である。 それというのも、サブマイクロメートルの範囲内での最も僅かな垂直方向へのず れおよび／または側方へのずれは、効率に支障をきたすからである。 更に、全ての公知方法の場合、ファイバーチップ結合の最終調整は、機械的影 響および別の外からの影響から同時に保護する被覆では不可能であるという欠点 を有する。 発明の利点 これとは異なり、請求項１の特徴部に記載された本 発明による方法は、共通の光集積回路チップ上で光導波路構造素子へのファイバ ー案内構造体の集積結合および自己調整結合によりポリマー構造素子の量産を可 能にするという利点を提供する。 そのために、高度に正確に前調整された一次構造体、即ち原構造体は、珪素ウ ェファー上で製造され、電気メッキ成形され、かつ引続きプラスチックにおける 射出成形／射出型押法（ Spritzguss-/Spritzpraegeverfahren）で複製される。 更に、好ましい態様は、請求項２から２０までのいずれか１項に記載されてい る。 簡単な方法の場合には、Ｖ字形の溝構造体は、｛１００｝配向されたウェファ ー中で珪素の公知の異方性エッチング技術によってエッチングされ、この場合に は、高度に正確な構造体が得られ、この構造体により、ファイバー構造体および 導波路構造体の後の正確な位置が互いに定義されている。 このようなファイバーＶ字形溝は、ファイバー案内構造体として特に好適であ る。それというのも、角度の調整は、結晶表面に対して平行に自動的に調整され 、ウェファー表面の上のファイバー核の高さ位置は、Ｖ字形溝の開口幅に亘って 正確に調整することができ、かつ完成技術的に制御することができるからである 。 Ｖ字形溝は、有利に高分子材料で充填され、引続き生じる平らな表面は、フォ トラッカーまたは別の構造 化可能なポリマーで被覆される。こうして生じる被覆層中に本発明による溝形開 口は構造化され、この溝形開口は、後の光導波路の寸法を定義する。 更に、本発明によれば、引続き溝は、自体公知のエキシマ−レーザ−アブレー ション技術（ ExcimerーLaser-ablationstechnik）により再び開口され、特に有 利に垂直方向のファイバー構造体ストッパーには、Ｖ字形溝の波形構造側の端部 で切り込みが作られる。 有機ポリマーの選択的な除去は、原構造体の珪素表面が攻撃されることなしに 簡単な方法で可能であることが見い出された。また、レーザーアブレーション技 術は、特に正確に定義された垂直方向のファイバーストッパーを露出させるのに 好適である。 更に、本発明の好ましい態様の場合には、光導波路前構造体および集積ファイ バー案内構造体からなる原構造体を自体公知の電気メッキ法で成形することが設 けられている。 こうして生じた雌型は、原構造体の数多くの子コピーを得るために使用される 。このことは、適当な光学的性質のポリマー材料の場合に射出成形または射出型 押法によって有利に行なわれる。 本発明のもう１つの態様の場合には、ファイバーチップ結合のための原構造体 を用いて、同時に基礎素子と結合した蓋板のための原構造体を製造し、この原構 造体を上記方法に相応して電気メッキ成形し、かつ子 構造体の製造に使用することが設けられている。 繊維構造体および導波路構造体を支持する基体と蓋板との結合を折り曲げ端縁 （Knickkante）によって形成することは、特に有利であることが判明した。この 折り曲げ端縁は、相応して互いに距離をもってファイバー案内構造体の異方性エ ッチングと同時に１対で小さなＶ字形の構造体を後の折り曲げ端縁に沿ってエッ チングすることによって簡単な方法で得られる。 更に、１対のＶ字形溝の互いの間隔は、同時に特に有利な方法でポリマー基板 と蓋板との間の後の間隔を定める。 後の蓋板の範囲内で同時に他の案内溝はエッチングされ、この案内溝は、折り 曲げ端縁に沿っての蓋板の折り返しの後に嵌め込まれたガラスファイバーの正確 な適合調整が行なわれるように配置されている。ところで、唯１つの珪素ウェフ ァー上には、蓋を含めて完全な後のポリマー構造素子のための原構造体が置かれ 、かつ蓋および基板の後の調整が折り曲げ端縁によって自動的に必要な正確さで 行なわれることは、特に好ましい。 ところで、この共通の原構造体は、１つの断片で電気メッキにより成形され、 生じる雌型は、子構造体の共通の製造に使用される。 この場合には、折り曲げ端縁を達成するために、正確に側方で裏返しに小型の １対のＶ字形溝の間に適合 する既述した異方性のエッチング技術により製造された大きいＶ字形溝を有する 第２の雌型が製造された。それによって、２つの金型インサートのミクロ機械的 な微細な調整が行なわれる。 ２つの雌型のそれぞれの原構造体の傾斜角度は互いに向かい合っているので、 案内構造体は平面的に重なり合って適合する。 基礎素子および蓋板は、原理的に等価値で、しかも別々の製造され、成形され 、かつ複製される。 導波路中での光学的場分布は、導波路横断面の寸法と一緒に蓋板の屈折率、ポ リマー充填された導波路通路およびポリマー基体の選択によって原型に合わせて 製造することができる。光案内ポリマーとガラスファイバーとの直接的な接触に よって、光導波路中での光学的場の調節可能な殆ど半径方向に対称の場分布は、 自体調整可能な安価な取付技術によりガラスファイバーと光導波路との最適な結 合効率を達成することができる。 更に、本発明の範囲内で、記載した製造法によって得られた、集積ファイバー チップ結合を有する光学ポリマー構造素子は、活性のポリマー構造素子にも使用 される。 そのために、光導波路に対して設けられた溝形の開口中に受動ポリマーの代わ りに非線形光学（ＮＬＯ）ポリマーが導入されるかまたは例えば希土類でドープ されたポリマーが導入される。ファイバー案内構造体と導波路構造体との間の結 合形態は、既述した方法で得られ、したがってこの場合にもガラスファイバーと 光導波路との間の垂直方向の接続が生じる。 使用されるＮＬＯポリマー、不動態ポリマーまたはドープされたポリマーの選 択は、例えばオプトオプティック、音響光学的、磁気光学的、電気光学的もしく はサーモオプティック構造素子としてか、または光学的増幅器としてのポリマー 構造素子の使用に左右される。 本発明によれば、電気光学的またはサーモオプティック構造素子に対してファ イバー案内構造体および導波路構造体を有する基体と蓋板との間で導体路および 電極を支持するポリマーフィルムは、ＮＬＯ構造素子またはサーモオプティック 構造素子の望ましいレイアウトに相応して導入される。ポリマーに対する望まし い影響、例えば回路機能の開始は、導体路および電極により行なわれる。 基板、蓋板および回路フィルム切片の製造は、既述した当該形で行なわれる。 回路フィルムを使用する場合には、蓋板中の切欠きは、回路フィルムの厚さに 相応して僅かな深さで原型に合わせて製造される。 当該基板および蓋板の実施態様の場合には、回路フィルムの厚さは、折り曲げ 端縁に沿っての１対のＶ字 形溝の間隔によって定められている。 図面 本発明の実施例は、図面で表わされており、かつ以下の記載で詳説される。 図１は、珪素基板上の原構造体からの一部分を平面図で示しており、 図２は、図１で示した原構造体を縦断面図で示しており、 図３は、図１および図２で表わされた原構造体を電気メッキ金型用インサートと 一緒に示しており、 図４は、雌型を示しており、 図５は、図４で表わされた雌型を用いて得られた子構造体を示しており、 図６は、集積ファイバーチップ結合を有するが、しかし属する蓋板を有していな い光学ポリマー構造素子の実用に対する１例を示しており、 図７は、同時に設けられた被覆を有する光学ポリマー素子を示しており、かつ 図８は、活性の光学ポリマー構造素子の実用に対する１例を示している。 実施例の記載 図１および図２で表わされた原構造体は、後の構造素子の切り取った一部分（ ファイバー案内／導波路結合箇所）を示す。該原構造体は、珪素支持体１０から なり、該珪素支持体中には、本明細書中では図示され ていないガラスファイバーを収容するためのＶ字形の横断面を有する位置決定溝 １１が異方性にエッチングされている。公知の異方性エッチング技術は、極めて 高い現像状態を示し、かつ冒頭に記載した従来の技術の場合にも使用される。エ ッチングマスク中の矩形の開口の幅ｗにより、位置決定溝１１の深さｔは調節さ れる。アルカリ性エッチング媒体、例えば水酸化カリウムを用いて、Ｖ字形の凹 所は形成され、該凹所は、表面に対して５４．７゜の極めて正確な角度を有する 。このような角度は、位置決定溝１１の傾斜端面１２に対しても形成され、該傾 斜端面は、長さａに亘って位置決定溝１１中に延びている。この場合、図示され ている傾斜した｛１１１｝−側面は、結晶の異方性のエッチング特性によって定 義された天然のエッチングストッパーを形成している。 ファイバー核の後の高さ位置には、次の関係式： 〔式中、Ｒはファイバー外被半径であり、αはウェファー表面に対する｛１１１ ｝−側面の傾斜角であり、ｗはウェファー表面に対する位置決定溝１１の幅であ る〕が当てはまる。 高さ位置Δδ０．７μｍの変化は、ｗ＝１μｍの変化から生じる 位置決定溝１１のエッチング後、該位置決定溝はポリマー材料で充填され、し たがって平滑面１３が生じる。引続き、平滑面１３には、フォトラッカまたは別 の構造化可能なポリマーからなる層１４が備えられている。 層１４中には、寸法ｘおよびｙを有する溝形の開口１５が構造化されており、 該開口の横断面は、必要に応じて矩形である必要はない。被覆層１４のための構 造化方法としては、例えば照射方法（フォトリソグラフィー）、レーザーアブレ ーションまたは乾燥エッチング法が適当であり、例えばこれらの方法は、ミクロ 構造化のために開発された。 この溝形の開口１５中に後に設けられる光導波路の大きさは、寸法ｘおよびｙ によって定義されている。 エキシマーレーザーアブレーション技術を用いて、位置決定溝１１は、溝形開 口１５に引き続いて、この場合に垂直面１６が生じるように開けられている。垂 直面１６は、後に嵌め込むべき、本明細書中には図示されていないガラスファイ バーのためのストッパーとして使用される。レーザー技術によって生じる平滑面 １６は、嵌め込むべきガラスファイバーの後加工を必要としない。切断は、位置 決定溝１１の上端縁からの距離ｂをもって行なわれ、この場合この距離ｂは、傾 斜端面１２の延長部ａを越えており、したがってガラスファイバーと光導波路と の間の後のストッパー結合を可能にする。 従って、全体的にガラスファイバーおよび光導波路の光軸の後の相対的な垂直 位置は、既に十分に上記した関係式に相応して位置決定溝１２の深さに亘っての み調節される。 図３には、生じた原構造体が電気メッキ成形されることが示されている。 そのために、原構造体は、導電的に金属化され、既に公知の電気メッキ法によ り、例えばニッケルを基礎として雌型１６が製造され、この雌型は、位置決定溝 １１および溝に類似した開口１５と同一の寸法を有する。図４には、離型された 雌型が示されている。位置決定溝１１のプリズム形の構成および後に光導波路を 収容する開口１５の構成が明らかに認められる。 雌型１７から得られた雄型を用いて、ポリマー材料、例えばポリメチルメタク リレート（ＰＭＭＡ）において射出成形法または射出型押法で数多くの子複製品 が製造される。子複製品は、正確に原構造体と同一の形状を示す。 図５には、嵌め込まれたガラスファィバー１９を有する子構造体１８が斜視図 で示されている。嵌め込まれたガラスファイバーの端部は、１端が平らに子複製 品１８の垂直面１６で終わっている。ガラスファイバ ー１９の光軸２０は、Ｖ字形の位置決定溝１１を通って後に光導波路を収容する 溝類似の開口１５の高さにある。 もう１つの実施例は、図６に示されている。図１〜５で詳説した方法は、ガラ スファイバーと光導波路との唯１つの集積結合についてのより良好な説明に関す る。 しかし、実際には、通常の場合に多数の同時に接続すべきガラスファイバーが 生じる。図６には、簡単な結合２１の使用例および同じ構造素子の同時の分岐２ ２の使用例が示されている。ガラスファイバー２４と光導波路２５との間の結合 部２３は、図１〜５に記載された構造を有する。 導波路が上向きに終わりかつ適当な切欠き中にガラスファイバーが上向きに案 内されている蓋板は、図６には、描写的理由から示されていない。 図７には、集積ファイバーチップ結合を有する、基板および蓋板からなる光学 ポリマー構造素子３０がなお開かれた状態で示されている。より良好に分かり易 くするために嵌め込まれたガラスファイバーおよび導波路の溝中に充填すべき光 案内ポリマーは、図示されていない。 Ｖ字形の横断面を有する位置決定溝１１は、明らかに認めることができ、該位 置決定溝には、光導波路のための溝形開口１５が接続している。更に、構造素子 は、１対で配置されたＶ字形溝３１を有し、該溝は、互いに距離ｄをもって配置 されている。溝３１の生じる中間空間内で、対向した側から他のＶ字形溝３２が 係合している。Ｖ字形溝３１および３２は、製造に応じて側面と同じ傾斜角度を 有する。 ポリマー構造素子は、さらに他の溝３３を有し、該溝の考えられる中心線は、 溝１１の考えられる中心線と同じ折り曲げ端縁３４からの距離を有する。 光学ポリマー構造素子の機能形式は、次の通りである： 位置決定溝１１中には、ガラスファイバー端部が嵌め込まれ、溝形の開口１５ には、光案内プレポリマーが充填されており、該プレポリマーの屈折率は、基板 および蓋板の場合よりも僅かに上廻っている。引続き、蓋板３５は、折り曲げ端 縁３４に沿って折り畳められ、かつガラスファイバーおよび光導波路を収容する 側で旋回する。溝３３は、取り付けられた完成状態でガラスファイバーを正確に 適合するように位置決定溝１１中に圧入する。 蓋板と構造体側との間の機械的結合は、同じ熱架橋可能または光架橋可能なプ レポリマーによって行なわれ、該プレポリマーは、結合前に導波路の溝中に充填 される。上に存在する液状ポリマーは、取付の際に平らに圧縮され、かつ架橋後 の薄膜として平らな結合のために配慮されている。蓋側と構造体側との間の生じ る間隔は、溝３１の間隔ｄの幅によって調節される。 ポリマー蓋板３５の原構造体は、同様に珪素ウェファーの異方性のエッチング によって製造される。この場合、蓋板は、基板とは無関係に製造されることがで きるかまたは図７に示されているように該基板と一緒に珪素支持体上に製造され ることができる。この場合、マスク開口の幅は、ファイバー核が｛１１１｝−面 に貫通されないような程度の大きさで選択することができる。エッチング時間を 制御することにより、エッチング基面３６を有する幅広の溝３３が形成されてい る場合にエッチングは中断され、この場合このエッチング基面の深さは、まさに ファイバー外被半径からファイバー核の高さ位置を差し引いた値に相当する。 溝３３のファイバー端部ストッパーの製造は、同様にポリマー材料でのエッチ ング溝の既にさらに上記の充填および引き続くレーザーによる切断によって行な われる。 図８には、活性の光学ポリマー構造素子が示されている。十分な簡略化のため に、導波路構造体の部分のみが示されている。構造素子の入力側および出力側で の図示されていない集積ファイバーチップ結合は、既述した図１〜７の記載と同 じである。 構造素子は、光導波路のための溝形開口１５を備えたポリマー基板４０および 蓋板４１を有する。基板４０と蓋板４１との間には、光学的緩衝フィルム４２が 配置されており、該光学的緩衝フィルムは、蓋側の面４３上に接続旗部４４およ び電極４５を備えた導体路４６を有する。 電極４５は、回路機能の制御のために使用され、かつ光導波路の直ぐ近くで必 要とされる。電極装置は、電極装置間での電場へのＮＬＯポリマーの十分な通過 を保証しなければならない。他面、強い光減衰を回避するために、金属導体路は 、光学的に光導波路と十分に絶縁されていなければならない。導電路４６および 電極４５は、ＮＬＯ構造素子のレイアウトに相応して平面的にポリマーフィルム ４２上に施こされている。このフィルムは、その厚さｅに亘って光学的緩衝層４ ２として作用する。それというのも、緩衝フィルム４２の屈折率は、光導波路の 場合よりも低いが、しかし、基板４０および蓋板４１の屈折率よりは高いかまた はこれらの屈折率に等しい。厚さｅは、導波路のレイアウト、望ましい光の波長 および屈折率の割合に依存して数μｍのみであるので、緩衝フィルムは、差当た り支持体フィルムによって安定化される。緩衝フィルム４２は、構造化された完 成電極４５と一緒に蓋板４１上に貼り合わされ、支持体フィルムは引き剥がされ る。蓋板内のガラスファイバー用切欠きは、自由に保持されているか、またはフ ィルムによって差当たり被覆され、かつ引続き例えばレーザー加工によって切断 される。蓋板４１中の切欠きの深さは、緩衝フィルムの厚 さｅだけ減少されている。 貼り合わされた緩衝フィルム４２および電極４５と一緒のポリマー基板４０、 ガラスファイバー、ポリマー蓋板４１の取付、ならびに光案内ＮＬＯポリマーの 取付は、既に数回上記したように行なわれる。ＮＬＯポリマーは、電気光学的に 活性であるようにするために、所謂非中心対称χ（２）−ポリマーでなければな らない。このＮＬＯポリマーは、線状電気光学的効果に必要とされる分子の優先 方向を調節するために電場内で極性化されなければならない。 記載された活性のオプトエレクトロニック構造素子の場合には、χ（２）−ポ リマーは、架橋前、即ちなお液体状態で充填直後に印加された電場によって緩衝 フィルム４２上の電極４５により極性化され、かつ次に極性化された状態で初め て架橋される。液体状態での高い分子移動性のために、既に小さい場の強さの際 に極めて高い極性化係数を達成することができ、かつ架橋後に持続的に安定化す ることができる。 緩衝フィルム４２は、電気的接続時に側方でポリマー構造素子から突き出しか つ簡単なフィルムプラグ接触を可能にすることができるか、または簡単な結合を 可能にするために、上にある基板４０を越えて支持することもできる。 更に、図８には、実際の電極４７の例でサーモオプティック構造素子としての 使用が示されている。電極 ４７は、熱フィルムとして形成されており、かつ光導波路上に配置されている。 局部的な温度の上昇によって、屈折率は、その下にある導波路区間中で減少す る。光学ポリマーの典型的な係数の変化は、１０^ー4／℃である。従って、サーモ オプティック回路素子は、集積ポリマー技術で不動態の光導電性ポリマー、例え ば適当な屈折率の光学的接着剤を用いて実現することができる。ポリマーの強い サーモオプチック効果のために、例えばマッハ−ツェンダー緩衝計をクロス状態 （cross-Zustand）からバー状態（bar-Zustand）に切り換える目的で、該マッハ −ツェンダー緩衝計として構成されている２×２スイッチの緩衝計のアームの１ 個中で数℃の温度変化で十分である。 他の例としては、平面状の光集積回路増幅器としての集積ファイバー案内を有 する活性のポリマー構造素子の使用が考えられる。そのために、χ（３）−ポリ マーの場合のパラメーターの強さの効果、または光学的にポンプ輸送される誘電 放出は、希土類、例えばＥｒ³⁺でドープされた光案内ポリマーの充填およびチッ プ上への集積カプラーにより適合されたポンプレーザーの結合によって利用する ことができる。 集積ファイバーチップ結合を有する不動態の光学ポリマー構造素子ならびに活 性の光学ポリマー構造素子を成形技術で製造する方法は、個別的な接続に減縮さ れていないままであることは、明らかである。 ポリマー構造素子のためには、ファイバー案内構造体用のエッチングマスクお よび原構造体の製造のための導波路の溝用のパターン化マスクの相応する構造に よって任意の雌型、ひいては子複製品は、記載した方法で大きい断片数で得るこ とができる。 殊に、記載した製造方法は、例えばローカルな光ネットの場合に光情報技術お よび光センサー技術の単一モードの構造素子ならびに多モード構造素子に適して いる。 同様の意味において、ガラスファイバーの代わりにプラスチック光導波路ファ イバーは、使用することができる。 同様に意味において、珪素支持体の代わりに別の異方性のエッチング性支持体 材料、例えばインジウムホスフィドは、使用することができる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 集積ファイバーチップ結合を有する光学ポリマー構造素子が光導波路を収 容するための部分および光導波路に接続すべき光案内ファイバーを収容するため のＶ字形の位置決定溝を有する場合に、該光学ポリマー構造素子を成形技術で製 造する方法において、珪素支持体上で一緒に、光導波路を収容するための原構造 体ならびに支持体中に自体公知の異方性にエッチングされたファイバー案内構造 体を収容するための原構造体を製造し、この構造体を電気メッキ成形し、こうし て生じた雌型を原構造体と同一の子構造体の製造のためにプラスチックの場合の 射出成形法または射出型押法で使用し、この場合異方性にエッチングされたＶ字 形の位置決定溝は、ポリマー材料で充填され、したがって１つの平面が得られ、 この平面はフォトラッカーまたは別の構造化可能なポリマーで被覆され、ポリマ ー被覆中に、後に光導波路を生じる溝形の開口が構造化され、かつ溝構造体をフ ァイバー案内のために、特にレーザーアブレーションにより開けることを特徴と する、成形技術において集積ファイバーチップ結合を有する光学的ポリマー構造 素子を製造する方法。 ２． 光導波路用の溝形開口をポリマー被覆中に構造化する代わりに珪素支持体 中にエッチングする、請求 項１記載の方法。 ３． 溝構造体の軸方向に対して垂直に走る、ストッパーを形成する面を位置決 定溝の後の光導波路側の端部で切断するように溝構造体の開口を開ける、請求項 １記載の方法。 ４． 開けられた溝構造体を直ぐ次の工程で電気メッキ技術を用いて成形する、 請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。 ５． 雌型で形成された原構造体を直ぐ次の工程で多数の同一の子構造体の製造 のために使用する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。 ６． 子構造体を射出成形法および／または射出型押法、型押法、真空型押法、 圧縮法、インジェクションプレス（Spritzpress）法、注型法、真空注型法で製 造する、請求項５記載の方法。 ７． 光学ポリマー構造素子上に設けられた数多くのファイバーチップ結合のた めに同時に原構造体および原構造体と同一の子構造体を製造する、請求項１から ６までのいずれか１項に記載の方法。 ８． ファイバーチップ結合のための原構造体同時に基礎素子を結合した蓋板の ための原構造体を製造する、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。 ９． 内部接続端縁の平行な間隔が基礎板と蓋板との間の間隔を定めている互い に距離をもった１対の平行なＶ字形構造体をエッチングする、請求項１から８ までのいずれか１項に記載の方法。 １０． 案内溝が被覆すべきガラスファイバーを正確に適合するように収容しか つ調整するように配置されている案内溝を蓋板中にエッチングする、請求項１か ら９までのいずれか１項に記載の方法。 １１． ポリマー構造素子の成形の際に第２の雌型を使用し、この場合この雌型 は、Ｖ字形の構造体を有し、左右があべこべに１対で平行に接触されたＶ字形の 構造体を係合し、かつ２つの雌型のミクロ機械的な微調整を生じさせる、請求項 １から１０までのいずれか１項に記載の方法。 １２． 成形されたポリマー構造素子の場合にガラスファイバー端部を位置決定 溝中に嵌め込み、溝形の開口を光案内ポリマーで充填し、蓋板を閉じ、かつ基礎 板上で旋回する、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。 １３． 基礎板と蓋板との間の結合を上に存在する熱架橋可能かまたは光架橋可 能なプレポリマーによって行なう、請求項１２記載の方法。 １４． 基礎板および蓋板を個別的に製造し、かつ取り付けの間に調整する、請 求項１から１３までのいずれか１項に記載の方法。 １５． 溝形の開口中に非線形光学ポリマーを充填し、基礎板と蓋板との間に導 電路および電極を支持するポリマーフィルムを嵌め込む、請求項１２から１４ までのいずれか１項に記載の方法。 １６． ポリマーフィルムを蓋板上で取り付け前に基本板と貼り付ける、請求項 １５記載の方法。 １７． 充填されたポリマーが電気光学的、音響光学的、磁気光学的もしくはサ ーモオプティック効果を示すかまたは蛍光および誘導放出（光の強さ）を示す、 請求項１６または１７に記載の方法。 １８． 充填された電気光学的ポリマーをなお液体状態で蓋板の充填および取り 付けの直後に印加された電解によりポリマーフィルム上に施こされた電極によっ て極性化し、次に極性化された状態で初めて最終架橋する、請求項１６から１８ までのいずれか１項に記載の方法。 １９． 光学ポリマー構造素子の場合に不動態ポリマーおよび活性の光学ポリマ ーを組み合わせて使用する、請求項１から１８までのいずれか１項に記載の方法 。 ２０． 集積ファイバーチップ結合を有する光学ポリマー構造素子において、該 構造素子を請求項１から２０までのいずれか１項に記載された方法により製造す ることを特徴とする、集積ファイバーチップ結合を有する光学ポリマー構造素子 。